Коллективные эффекты в электрон-дырочной плазме и их влияние на излучательную рекомбинацию в полупроводниковых низкоразмерных лазерных гетероструктурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Обзор литературы

§1.1. Сверхизлучение в двухуровневых системах

§ 1.2. Особенности сверхизлучения в полупроводниках

Глава 2. Исследование особенностей спектральных характеристик излучения 25 низкоразмерных гетероструктур

§2.1. Методы исследования сверхкоротких лазерных импульсов

§ 2.2. Форм-фактор однородного и неоднородого уширения

§ 2.3. Изготовление низкоразмерных гетероструктур, методика 32 подготовки образцов

§ 2.4. Методика проведения мощностных и спектральных исследований

§ 2.5. Особенности спектров излучения низкоразмерных гетероструктур

Глава 3. Динамические характеристики излучения низкоразмерных 59 гетероструктур

§ 3.1. Методика измерения временной когерентности

§ 3.2. Результаты измерений временной когерентности спонтанного 62 излучения лазерной гетероструктуры на квантовой яме

Глава 4. Феноменологическая модель спонтанного возникновения в активной 65 области гетероструктуры вблизи порога лазерной генерации сверхизлучающих доменов ("макродиполей")

§ 4.1. Образование доменов с повышенной концентрацией неравновесных носителей заряда в активной области гетерострукутры на квантовой яме

§ 4.2. Вычисление профиля концентрации неравновесных носителей в 72 домене

§ 4.3. Модель возникновения сверхизлучения в полупроводниковых 76 гетероструктурах

Развитое прикладных направлений полупроводниковой оптоэлектроники долгое время было направлено, в основном, на достижение большей мощности излучения, расширение спектрального диапазона излучения, повышение температурной стабильности характеристик, увеличение времени жизни приборов. Современные оптические системы передачи данных предъявляют высокие требования к временным характеристикам излучения, лежащим уже в субпикосекундном диапазоне [1]. Однако, связанные с ними фундаментальные физические проблемы до сих пор остаются недостаточно исследованными.

В последние годы неуклонно растет интерес к резонансному взаимодействию неравновесных носителей заряда в полупроводниковых лазерных структурах через электромагнитное поле их излучения в процессе рекомбинации [см. напр. 2]. Такого рода резонансные процессы хорошо изучены для твердотельных и газовых лазеров и называются "сверхизлучение Дике". Этот эффект вызван малым расстоянием между излучающими центрами по сравнению с длиной волны излучения и проявляется в возникновении всплесков когерентного излучения, причем интенсивность излучения пропорциональна квадрату числа излучающих центров, участвующих в процессе. Такого рода процессы могут оказывать серьезное влияние на характеристики инжекционных лазеров.

К началу данной работы импульсы сверхизлучения субпикосекундной длительности наблюдались в излучении инжекционных лазеров с помощью оптического автокоррелятора [2,3]. Кроме того, были предприняты попытки теоретического описания особенностей сверхизлучательных процессов в квантоворазмерных гетероструктурах [4]. Тем не менее, детального исследования сверхизлучательных процессов в полупроводниковых гетероструктурах проведено не было. Так, в частности, не были исследованы зависимости длительности импульсов сверхизлучения от накачки, температуры и размеров активной области. Кроме того, не существовало теоретической модели для описания механизма возникновения сверхизлучения в полупроводниковых гетероструктурах. Влияние присутствия сверхкоротких импульсов в излучении полупроводниковых гетероструктур на спектральные характеристики также не было исследовано.

Целью настоящей работы являлось детальное исследование процессов сверхизлучения и их проявлений во временных и спектральных характеристиках излучения низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур, а также создание теоретической модели механизма возникновения сверхизлучения в таких структурах.

Для достижения поставленной цели, в ходе работы решались следующие основные задачи:

- развитие электролюминесцентного метода исследования спонтанной рекомбинации применительно к изучению коллективных эффектов в квантоворазмерных гетероструктурах;

-получение на базе выражений теории сверхизлучения двухуровневых систем аналитических выражений, позволяющих описывать спектры спонтанного излучения квантоворазмерных гетероструктур;

- исследование особенностей спонтанной излучательной рекомбинации в лазерах на основе гетероструктур с активной областью на квантовых ямах и квантовых точках;

- экспериментальная оценка характеристического времени сверхизлучения в полупроводниковых гетероструктурах, а также размеров сверхизлучающей области;

- исследование влияния температуры, плотности тока накачки и размеров активной области на характеристическое время сверхизлучения;

- разработка теоретической модели механизма возникновения сверхизлучения в квантоворазмерных гетероструктурах.

На защиту выносятся следующие положения:

Положение 1

Неравновесные носители заряда (электрон-дырочная плазма) в лазерной гетероструктуре вблизи порога лазерной генерации могут спонтанно образовывать сверхизлучающие домены, имеющие характерный мезаскопический размер 1-1.5 мкм.

Положение 2

Модель на основе теории сверхизлучения двухуровневых систем позволяет численно описывать с высокой степенью точности экспериментальные спектры спонтанного излучения низкоразмерных лазерных гетероструктур.

Положение 3

Характеристическое время сверхизлучения в лазерных гетероструктурах при плотностях тока накачки, соответствующих рабочему режиму инжекционных лазеров, составляет десятки фемтосекунд и практически не меняется при изменении тока накачки больше, чем на порядок, что отличает сверхизлучение в полупроводниках от ситуации классических двухуровневых систем.

Основные результаты диссертации отражены в следующих публикациях:

1. A.M. Георгиевский, С.В.Зайцев, Л.Я. Карачинский, "Пространственно-временная структура излучения инжекционных InGaAsP/InP лазеров при непрерывной накачке", Международная зимняя школа по физике полупроводников, 27 февраля - 4 марта 1998 года, Санкт-Петербург -Зеленогорск, Россия, с. 2.

2. L.Ya. Karachinsky, N.Yu. Gordeev, V.I. Kopchatov, P.S. Kop'ev, I.I. Novikov and S.V. Zaitsev, "Collective resonance and form-factor of homogeneous broadening in semiconductors", Book of Abstracts 3rd International Conference (Photonics Prague'99), 21-23 June 1999, Prague, Czech Republic, paper 149, p. 108. Proceedings of SPIE, vol. 4016, pp.360-363.

3. A.M. Георгиевский, C.B. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, В.И. Копчатов, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, П.С. Копьев, "Коллективные резонансы и форм-фактор однородного уширения спектров излучения квантово-размерных полупроводниковых гетероструктур", Физика и Техника Полупроводников, т. 33(7), с. 847-850(1999).

4. S.V. Zaitsev, D.L. Huffaker, L.Ya. Karachinsky, V.I. Kopchatov, I.I. Novikov, "Superradiance in Semiconductor Heterostructures", 1999 LEOS Summer Topical Meetings, 26-30 July 1999, San Diego, USA, ThB1.4.

5. S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, L.Ya. Karachinsky, V.I. Kopchatov, I.I. Novikov, and P.S. Kop'ev, "Collective Resonance and Form-Factor of Homogeneous Broadening in Semiconductors", Jpn. J. Appl. Phys. vol. 38, pp.4772-4774 (1999).

6. S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, L.Ya. Karachinsky, V.I. Kopchatov, I.I. Novikov and P.S. Kop'ev, "Superradiance in semiconductors and form-factor of homogeneous line broadening", Proc. 26th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS'99), 22-26 August 1999, Berlin, Germany, MoP.23. Inst. Phys. Conf. Ser. No 166: Chapter 3, pp. 115-118.

7. C.B. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, L.A. Graham, В.И. Копчатов, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, D.L. Huffaker, П.С. Копьев, "Сверхизлучение в полупроводниках", Физика и Техника Полупроводников, т. 33(12), с. 14561461 (1999).

8. Л.Я. Карачинский, "Сверхизлучение в полупроводниках", Итоговый семинар по физике и астронимии по результатам конкурса грантов 1999 года для молодых ученых Санкт-Петербурга, 15 февраля 2000 года, Санкт-Петербург, Россия, с.43-45.

9. Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, В.И. Копчатов, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, В.М. Устинов, П.С. Копьев, "Рассмотрение неоднородного уширения излучения гетероструктур на квантовых точках в рамках модели сверхизлучения", Письма в Журнал технической физики, т. 26(6), с. 78-83 (2000).

10. L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, N.Yu. Gordeev, P.S. Kop'ev, V.I. Kopchatov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, V.M. Ustinov, S.V. Zaitsev, "Superradiance in Low-Dimensional Semiconductor Heterostructures", Proc. Second Conference on Postgraduate Research in Electronics, Photonics and Related Fields, 11-13 April,

2000, Nottingham, United Kingdom, IEE Conference Publication, pp. 463-469.

11. S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, L.Ya. Karachinsky, V.I. Kopchatov, I.I. Novikov, I.S. Tarasov, N.A. Pikhtin, V.M. Ustinov, and P.S. Kop'ev, "Collective Resonance and Form-Factor of Homogeneous Broadening in Semiconductors", Applied Physics Letters, vol.76(18), pp. 2514-2516 (2000).

12. N.Yu. Gordeev, L.Ya. Karachinsky, V.I. Kopchatov, P.S. Kop'ev, I.I. Novikov, S.V. Zaitsev, "Injection laser threshold from the standpoint of collective resonance", Proc. 8th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, June 19-23, 2000, St.Petersburg, Russia, pp. 23-26.

13. L. Karachinsky, N. Gordeev, V. Kopchatov, P. Kop'ev, I. Novikov, S. Zaitsev,

Ф "Collective effects in InGaAs/AlGaAs/GaAs single quantum well heterostructure",

Proc. First International Conference for Young Scientists on Laser Optics (LO-YS'2000), June 26-30,2000, St.Petersburg, Russia, WeS3-P01, p.69.

14. V. Kopchatov, N. Gordeev, L. Karachinsky, P. Kop'ev, I. Novikov, V. Ustinov, S. Zaitsev, "Low-Threshold Injection Quantum Dot Laser: Carriers Escape and Non-Radiative Recombination", Proc. First International Conference for Young Scientists on Laser Optics (LO-YS'2000), June 26-30, 2000, St.Petersburg, Russia, ThS4-05, p.99.

15. V.I. Kopchatov, N.Yu. Gordeev, L.Ya. Karachinsky, P.S. Kop'ev, I.I. Novikov, V.M. Ustinov, S.V. Zaitsev, "Quantum Dot Laser Heterostructures: Electroluminescent Investigation", Proc. International School and Workshop "Nanotubes and Nanostructures 2000", September 24 - October 4, 2000, Santa Margherita di Pula - Cagliari - Sardinia - Italy, pp.265-266.

16. V.I. Kopchatov, N.Yu. Gordeev, L.Ya. Karachinsky, P.S. Kop'ev, I.I. Novikov, V.M. Ustinov and S.V. Zaitsev, "Electroluminescence study of low-threshold quantum dot laser", EURESCO Conference on fundamental aspects of surface science, 2000, Castelvechio Pascoli, Italy.

17. Л.Я. Карачинский, "Механизм перехода в генерацию инжекционного лазера с точки зрения теории сверхизлучения", Итоговый семинар по физике и астронимии по результатам конкурса грантов 2000 года для молодых ученых Санкт-Петербурга, 9 февраля 2001 года, Санкт-Петербург, Россия, с. 11-13.

18. L.Ya. Karachinsky, N.Yu. Gordeev, V.I. Kopchatov, P.S. Kop'ev, I.I. Novikov, S.V. Zaitsev, "Investigation of the Nature of Injection Laser Threshold", Proc. 3rd Conference on Postgraduate Research in Electronics, Photonics, Communications and Software, 9-11 April, 2001, Keele University, United Kingdom, EPSRC Conference Publication, pp. 71-72.

19. L.Ya. Karachinsky, N.Yu. Gordeev, I.I. Novikov, V.M.Ustinov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, "Electroluminescent Investigation of Vertically Coupled Quantum Dot Heterostructures Near basing Threshold", Proc. 4th Conference on Postgraduate Research in Electronics, Photonics, Communications and Software, 17-19 April, 2002, Nottingham, United Kingdom, EPSRC Conference Publication.

20. L.Ya. Karachinsky, N.Yu. Gordeev, I.I. Novikov, and G.G. Zegrya, "Superradiance as a Transition Phase from Spontaneous to Stimulated Emission in Low-dimensional Semiconductor Heterostructures", Book of Abstracts 4th International Conference (Photonics Prague 2002), 26-29 May 2002, Prague, Czech Republic, paper 166, p. 75. Proceedings of SPIE, vol. 5036, pp. 218-223.

21. I.I. Novikov, N.Yu. Gordeev, L.Ya. Karachinsky, P.S. Kop'ev, V.M.Ustinov, and S.V. Zaitsev, "Peculiarities in Electroluminescence of Quantum Dot Laser Heterostructures", Book of Abstracts 4th International Conference (Photonics Prague 2002), 26-29 May 2002, Prague, Czech Republic, paper 027, p. 55. Proceedings of SPIE, vol. 5036, pp. 67-71.

22. N.Yu. Gordeev, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, S.V. Zaitsev, and P.S. Kop'ev, "Model of the Laser Threshold in Semiconductor Lasers", Book of Abstracts (Part III) 26th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2002), 29 July - 2 August 2002, Edinburgh, Scotland, United Kingdom, paper P92, p. 154.

23. Н.Ю. Гордеев, C.B. Зайцев, Л.Я. Карачинский, В.И. Копчатов, И.И. Новиков, В.М. Устинов, П.С. Копьев, "Особенности электролюминесценции инжекционных лазеров на основе вертикально-связанных квантовых точек вблизи порога лазерной генерации", Физика и Техника Полупроводников, т. 37(1), с. 114-116(2003).

24. Л.Я. Карачинский, "Сверхизлучение Дике — промежуточная фаза при переходе от спонтанного излучения к вынужденному в полупроводниковых лазерах с квантоворазмерной активной областью", Итоговый семинар по физике и астронимии по результатам конкурса грантов 2002 года для молодых ученых Санкт-Петербурга, 3 апреля 2003 года, Санкт-Петербург, Россия, с. 32-34.

25. Л.Я. Карачинский, "Сверхизлучение в полупроводниках. Обзор", Научно-Технические Ведомости СПбГТУ, т. 31(1), с. 145-149 (2003).

26. Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, Г.Г. Зегря, «Переход от спонтанного излучения к лазерной генерации в полупроводниковых инжекционных лазерах», Тезисы докладов VI Российской конференции по физики полупроводников, 27-31 октября 2003 года, Санкт-Петербург, с. 342343.

27. Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, Г.Г. Зегря, "Механизм сверхизлучения Дике в полупроводниковых гетероструктурах", Физика и Техника Полупроводников, 38, в печати (2004).

Заключение

В ходе данной работы получены следующие основные результаты:

1. Детально исследованы мощностные и спектральные характеристики излучения гетероструктур с активной областью на основе квантовых ям и квантовых точек, а также их временная когерентность.

2. На базе выражений теории сверхизлучения двухуровневых систем получено аналитическое выражение для однородно уширенного спектра спонтанного излучения лазерных полупроводниковых гетероструктур, имеющего характерные экспоненциальные подъем и спад. Наблюдалось хорошее согласие теории с экспериментальными данными для InGaAs/GaAs лазерной гетероструктуре на квантовой яме.

3. На базе выражений теории сверхизлучения двухуровневых систем получено аналитическое выражение, позволяющее описывать спектры спонтанного излучения гетероструктур, учитывающее неоднородное уширение. Параметрами при этом описании являются физически понятные переменные: энергия перехода, энергия неоднородного уширения, характеристическое время сверхизлучения. Полученное выражение с высокой степенью точности описывает экспериментально полученные данные для InGaAs/GaAs гетероструктуры, имеющей в качестве активной области массив из 10 слоев вертикально-связанных квантовых точек.

4. Исследование параметров спектров излучения лазерных гетероструктур позволили оценить величину характеристического времени сверхизлучения, составившую десятки фемтосекунд. Исследование зависимости временной когерентности спонтанного излучения InGaAs/GaAs лазерной гетероструктуры на квантовой яме дало такую же оценку для характеристического времени сверхизлучения.

5. Обнаружено, что характеристическое время сверхизлучения слабо зависит от плотности тока накачки и температуры, что объясняется особенностями процесса сверхизлучения в полупроводниковых гетероструктурах, проявляющимися в формировании сверхизлучающих доменов с постоянным характерным размером в активной области гетероструктур.

6. Исследование зависимости параметров спектров излучения от размеров поперечной области лазерных гетероструктур позволило установить верхнюю границу размеров области, которая может быть вовлечена в сверхизлучательный процесс. Этот размер составил 1.5 мкм.

7. Сформулирована феноменологическая модель, описывающая спонтанное возникновение сверхизлучающих доменов ("макродиполей") в активной области гетероструктуры вблизи порога лазерной генерации. Полученные оценки показали, что эти домены имеют характерный мезаскопический размер 1 мкм, а их характеристическое время излучения лежит в субпикосекундном диапазоне.

1. S. Arahira, S. Oshiba, Y. Matsui, T. Kunii, and Y. Ogawa, "500 GHz optical short pulse generation from a monolithic passively mode-locked distributed Bragg reflector laser diode", Appl. Phys. Lett., vol. 64(15), pp. 1917-1919 (1994).

2. П.П. Васильев, "Сверхизлучение в полупроводниковых лазерах", Квантовая электроника, т. 24(10), с. 885-890 (1997).

3. С.В. Зайцев, A.M. Георгиевский, "Время жизни неравновесных носителей в полупроводниках с точки зрения коллективного взаимодействия в процессе излучательной рекомбинации", Физика и Техника Полупроводников, т. 32(3), с. 366-368 (1998).

4. А.А. Belyanin, V.V. Kocharovsky and Vl.V. Kocharovsky, "Superradiant generation of femtosecond pulses in quantum-well heterostructures", Quantum & Semiclass. Opt., vol. 10(2), pp. L13-19 (1998).

5. R.H. Dicke, "Coherence in spontaneous radiation processes", Phys.Rev., vol. 93, pp. 99-110(1954).

6. N. Skribanowitz, I.P. Herman, J.C. MacGillivray, M.S. Feld, "Observation of Dicke superradiance in optically pumped HF gas", Phys. Rev. Letters, vol. 30, pp. 309-312 (1973).

7. A.B. Андреев, В.И. Емельянов, Ю.А. Ильинский, "Кооперативные явления в оптике: Сверхизлучение. Бистабильность. Фазовые переходы.", Москва, Наука, 1988.

8. G.T. Trammell, J.P. Hannon, "Threshold conditions for pulsed gamma ray lasers", Opt. Commun., vol. 15, pp. 325-329 (1975).

9. А.В. Андреев, Ю.А. Ильинский, Р.В. Хохлов, "О роли коллективных и индуцированных процессов при генерации Мессбауэровского у излучения", ЖЭТФ, т. 73, с. 1296-1300 (1977).

10. J.C. MacGillivray, M.S. Feld, "Criteria for x-ray superradiance", Appl. Phys. Lett., vol. 31, pp. 74-76(1977).

11. L.Allen, J.H.Eberly, "Optical Resonance and Two-Level Atoms", Wiley, New York, London, Sydney, Toronto, 1975 (перевод: JI. Аллен, Дж. Эберли, "Оптический резонанс и двухуровневые атомы", Москва, Мир, 1978).

12. N.E. Rehler, J.H. Eberly, "Superradiance", Phys. Rev. A, vol. 3, pp. 1735-17511971).

13. J.H. Eberly, "Superradiance revisited", Amer. J. Phys., vol. 40, pp. 1374-13831972).

14. S. Stenholm, "Quantum theory of electro-magnetic fields interacting with atoms and molecules", Phys. Reports, vol. 6, pp. 1-121 (1973).15. "Электромагнитное сверхизлучение", под. ред. В.А. Голенищева-Кутузова, В.В. Самарцева, Казань, Татгосиздат, 1975.

15. C.S. Agarwal, "Master-equation approach to spontaneous emission. III. Many-body aspects of emission from two-level atoms and the effect of inhomogeneous broadening", Phys. Rev. A, vol. 4, pp. 1791-1801 (1971).

16. N.E. Rehler, Ph.D. Dissertation, University of Rochester (1972).

17. D. Abella, N.A. Kurnit, S.R. Hartmann, "Photon echoes", Phys. Rev, vol. 141, pp. 391-406 (1966).

18. F.T. Arecchi, E. Courtens, "Cooperative phenomena in resonant electromagnetic propagation", Phys. Rev. A, vol. 2, pp. 1730-1737 (1970).

19. R. Friedberg and S.R. Hartmann, "Superradiant damping and absorption", Phys. Lett., vol. 37A, pp. 285-286 (1971).

20. R.W. Dixon, W.B. Joyce, "A possible model for sustained oscillations (pulsations) in (Al,Ga)As double-heterostructure lasers", IEEE J. Quant. Electr., vol. 15, pp. 470-474 (1979).

21. T.C. Damen, M.A. Duguay, "Optoelectronic regenerative pulser", Electr. Lett., vol. 16, pp. 166-167(1980).

22. J.A. Cope land, S.M. Abbott, W.S. Holden, "Triggerable semiconductor lasers", IEEE J. Quant. Electr., vol. 16, pp. 388-390 (1980).

23. H. Ito, H. Yokoyama, S. Murata, H. Inaba, Electr. Lett., "Picosecond optical pulse generation from an r.f. modulated AlGaAs d.h. diode laser", vol. 15, pp. 738-740 (1979).

24. Й. Херман, Б. Вильгельми, "Лазеры сверхкоротких световых импульсов", Москва, Мир, 1986.

25. T.C. Damen, M.A. Duguay, and J.M. Wiesenfeld, "Picosecond pulses from an optically pumped GaAs Laser", in R.M. Hochstrasser, W. Kaiser, C.V. Shank (eds.), "Picosecond Phenomena II", Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 1980, pp. 38-40.

26. P.-T. Ho, L.A. Glasser, E.P. Ippen, H.A. Haus, "Picosecond pulse generation with a cw GaAlAs laser diode", Appl. Phys. Lett., vol. 33, pp. 241-242 (1978).

27. E.P. Ippen, D.J. Eilenberger, R.W. Dixon, "Picosecond pulse generation with diode lasers", in R.M. Hochstrasser, W. Kaiser, C.V. Shank (eds.), "Picosecond Phenomena II", Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, 1980, pp. 21-25.

28. J.P. van derZiel, W.T. Tsang, R.A. Logan, R.M. Mikulyak, W.M. Augustyniak, "Subpicosecond pulses from passively mode-locked GaAs buried optical guide semiconductor lasers", Appl. Phys. Lett., vol. 39, pp. 525-527 (1981).

29. J.S. Massa, G.S. Buller and A.C. Walker, "Time-resolved photoluminescence studies of cross-well transport in a biased GaAs/AlGaAs multiple quantum well p-i-n structure", Journal of Applied Physics, vol. 82, pp. 712-717 (1997).

30. S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, M.P. Soshnikov, J.S. Massa, G.S. Buller, "Ultrafast absorber saturation process and short pulse formation in injection lasers", Journal of Applied Physics, vol. 84, pp. 5441-5444 (1998).

31. Э.М. Беленов, П.П. Васильев, "Подавление фазовой релаксации в полупроводниках и когерентное излучение среды пикосекундного инжекционного лазера", Письма в ЖЭТФ, т. 48, с. 416-418 (1988).

32. П.П. Васильев, "Экспериментальное наблюдение когерентных оптических осцилляций в сильных полях пикосекундных полупроводниковых лазеров", Квантовая электроника, т. 21, с. 585-587 (1994).

33. П.П. Васильев, "Роль сильного усиления среды в возникновении сверхизлучения и наблюдении когерентных эффектов в полупроводниковых лазерах", Квантовая электроника, т. 29, с. 4-8 (1999).

34. A.A. Belyanin, V.V. Kocharovsky and Vl.V. Kocharovsky, "Collective spontaneous emission of femtosecond pulses in quantum-well semiconductor lasers", Proc. 6th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg, Russia, 1998, pp. 398-401.

35. A.A. Белянин, И.Г. Калугин, B.B. Кочаровский, Вл.В. Кочаровский, "О реализации фемтосекундного сверхизлучательного лазера на основе GeSi-структур с квантовыми ямами", Известия Академии Наук, Серия Физическая, т. 63, с. 369-373 (1999).

36. A.M. Георгиевский, С.В. Зайцев, "Чувствительный оптический автокоррелятор на эффекте двухфотонного поглощения в AlGaAs-волноводе для исследования InGaAsP/InP-лазеров", Приборы и техника эксперимента, т. 39, с. 132-134 (1996).

37. S.V. Zaitsev and A.M. Georgievski, "Ultra-short-pulse nature of superradiation in injection emitters", Proc. Int. Conf. SPIE on Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics, Kiev, 1995, pp. 319-324.

38. A.A. Belyanin, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky, and D.S. Pestov, "Optical superradiance and pulsed IR generation in quantum-well heterolasers under cw pumping", Proceedings of SPIE Int. Soc. Opt. Eng., vol. 4605, pp. 356-362 (2001).

39. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг, "Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор", Физика и Техника Полупроводников, т. 32, с. 385-410 (1998).

40. V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsulnikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner,91 «

41. U. Gosele "Low-threshold injection lasers based on vertically coupled quantum dots", Journal of Crystal Growth, vol. 175/176, pp. 689-695 (1997).

42. X. Кейси, M. Паниш, "Лазеры на гетероструктурах", Москва, Мир, в 2 т., 1981.

43. D.L. Huffaker, О. Baklenov, L.A. Graham, B.G. Streetman, and D.G. Deppe, "Quantum dot vertical-cavity surface-emitting laser with a dielectric aperture", Appl. Phys. Lett., vol. 70, pp. 2356-2358 (1997).

44. C.B. Зайцев, "Исследование особенностей механизма генерации многомодовых непрерывных InGaAsP/InP (X = 1.3 мкм) лазеров раздельного ограничения, выращенных методом краткоконтактной жидкофазной эпитаксии", кандидатская диссертация, С.-Петербург, 1994.

45. Р. Лоудон, "Квантовая теория света", Москва, Мир, 1976.

46. А.В. Андреев, В.И. Емельянов, Ю.А. Ильинский, "Коллективное спонтанное излучение (сверхизлучение Дике)", Успехи Физических Наук, т. 131, с. 653694 (1980).

47. Частное сообщение П.П. Васильева.

48. G.G. Zegrya, "Mid-infrared strained diode lasers", In: "Antimonide Related Strained Layer Heterostructures", ed. By M.O. Manasreh (Gordon and Breach, Neward, 1997).

49. Г.Г. Зегря, H.A. Гунько, "Теоретическое исследование пороговых характеристик лазеров на многих квантовых ямах на основе InGaN", Физика и Техника Полупроводников, т. 32(7), с. 843-848 (1998).

50. A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, "Auger recombination in semiconductor quantum wells", Phys. Rev. B, vol. 58(7), pp. 4039-4056 (1998).

51. Б.Л. Гельмонт, B.A. Елюхин, Г.Г. Зегря, Е.Л. Портной, М.К. Эбаноидзе, "Пороговые характеристики инжекционного лазера с одним слаболегированным гетеропереходом", Физика и Техника Полупроводников, т. 20(11), с. 2061-2064(1986).