Квазистатическое и импульсное перемагничивание тонких магнитных пленок с угловой дисперсией поля магнитной анизотропии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.-.

Глава 1. СТАТИЧЕСКИЕ И ДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТМП.

1.1. Магнитная анизотропия поликристаллических ТМП.

1.2. Квазистатическое перемагничивание одноосных пленок.

1.3. Импульсное перемагничивание.

1.4. Ферромагнитный резонанс в ТМП.

Глава 2. 90-ГРАДУСН0Е ИМПУЛЬСНОЕ ПЕР0ШШЧИВАНИЕ ОДНООСНЫХ

ВЕЗДИСПЕРСНЫХ ТМП.

2.1. Динамика магнитного момента в процессе импульсного перемагничивания.

2.2. Ориентационная релаксация магнитного момента при выключении поля.

2.3- 90-градусное перемагничивание в режиме (ШР.

2.4. Приближенные решения уравнений движения магнитного момента.

Глава 3. ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЕ ТМП С УГЛОВОЙ ДИСПЕРСИЕЙ ПОЛЯ МАГНИТНОЙ АНИЗОТРОПИИ.:.

3.1. Импульсное перемагничивание одноосных пленок с произвольно ориентированной ОЛН.

3.2. 90-градусное импульсное перемагничивание дисперсных ТМП.

3.3. Ориентационная релаксация магнитного момента в дисперсных пленках при наличии СВЧ поля.

3.4. Квазистатическое перемагничивание и петли гистерезиса дисперсных ТУП.

Изучение физики тонких магнитных пленок (ТУП) началось сравнительно недавно: первое сообщение об исследовании магнитных свойств тонких пленок пермаллоя, полученных осаждением в вакууме, было опубликовано в 1955 г. [1]. С тех пор и по настоящее время исследование магнитных свойств вещества в пленочном состоянии является, пожалуй, наиболее бурно и динамично развивающимся направлением чистого и прикладного магнетизма. Причиной повышенного интереса к ТУП являются, прежде всего, их специфические магнитные свойства, исследование которых позволяет значительно расширить и углубить представления о природе магнетизма. Благодаря сильной зависимости магнитных свойств пленок от их состава и толщины ТМП обнаруживают гораздо большее разнообразие анизотропных свойств и типов доменных структур по сравнению с массивными магнитными материалами . Кроме того, пленки являются удобным объектом исследования, поскольку для них разработаны ряд специальных методов исследования их физических свойств.

Другой причиной повышенного интереса к ТМП являются их разнообразные технические применения! в быстродействующих устройствах хранения и обработки информации современных ЭВМ, в различных радиотехнических устройствах, в том числе в интегральных схемах СВЧ диапазона, в качестве чувствительных элементов магнитных головок и измерительных устройств [2-12]. В плане технических приложений исследователей привлекают такие свойства ТМП, как отсутствие вихревых токов на частотах вплоть до СВЧ, широкий диапазон рабочих температур, повышенная устойчивость к внешним воздействиям, а также возможность использования интегральных технологий при изготовлении устройств на ТМП, что обеспечивает их компактность, надежность и технологичность изготовления.

- 4

Благодаря двухмерной геометрии перемагничйвание пленок при определенных условиях может осуществляться однородным вращением электронных спинов. Этот процесс позволяет получить очень малые времена переключения пленок из одного магнитного состояния в другое ( ~ 10"9 с) при относительно малых мощностях управляющих полей- Таким образом, использование ТМП обеспечивает значительное повышение быстродействия магнитных элементов и устройств.

Значительный интерес для физики и техники представляет возможность получения ТМП с различными свойствами в зависимости от их состава и структуры, а таете способов и режимов их изготовления. В 60-е года основное внимание уделялось исследованию поликристаллических пленок железо-никелевых (пермаллойных) сплавов, что определялось их широким использованием в запоминающих устройствах (ЗУ) ЭВМ. Основные результаты данного втапа исследований содержатся в ряде обзоров и монографий [3,4,13-17].

В 70-е года сфера применения ТМП значительно расширилась благодаря развитию технологии изготовления монокристаллических пленок ферритовых материалов, частично прозрачных в инфракрасной и видимой областях спектра- Тонкие пленки ферритов интенсивно исследовались в качестве основных элементов ЗУ на цилиндрических магнитных доменах, магнитооптических устройств обработки информации, а также устройств на магнитостатических волнах [18-20].

В последнее десятилетие в разработках устройств магнитной памяти для ЭВМ наметилась устойчивая тенденция перехода к тонкопленочным накопителям информации, включающим в себя тонкопленочный носитель и тонкопленочный преобразователь (головку с индукционным или магниторезистивным способом записи и считывания) [11]. Для таких устройств исследуется широкий спектр тонкопленочных материалов: аморфные ТМП [21-28], материалы для перпендикулярной

- 5 магнитной записи [8,11И2,25,29-32], разнообразные многослойные пленочные структуры, в том числе сверхрешетки с гигантским магни-тосопротивлением [11,33-351- В то же время, как и несколько десятилетий назад, значительный интерес для исследователей представляют пермаллоевые пленки. На них основаны ряд новых разработок ЗУ с ферромагнитным носителем, изготавливаемых по интегральным технологиям [9,36-38]. Тонкие пленки пермаллоя широко используются для изготовления магниторезистивных элементов, высокопроницаемые пермаллоевые слои включаются в состав различных многослойных пленочных структур, используемых в современных устройствах магнитной записи [11,12,35,39-413.

В основе принципа действия большинства устройств на ТМП лежат процессы квазистатического и импульсного перемагничивания, которые по втой причине всегда находились в центре внимания исследователей свойств ТМП. Ввиду сложности уравнений, описывающих процессы перемагничивания, для их анализа широко используются методы численного моделирования [36,42-64], в большинстве своем требующие компьютерных расчетов. Особый интерес для практических приложений представляет анализ динамики изменения направления намагниченности пленки под действием импульсных магнитных полей, который может быть проведен на основе уравнения Ландау - Лифшица в приближении однородного вращения [13,14,42-44,65,66].

Цель настоящей работы заключается в исследовании ряда особенностей процессов импульсного и квазистатического перемагничивания поликристаллических ТМП пермаллойного класса на основе численного решения уравнений движения намагниченности в рамках модели однородного вращения. Специфика решаемых здесь задач заключается в следующем:

- исследуются осцилляционные режимы импульсного перемагничи

- 6 вания пленок с малым параметром затухания, когда магнитный момент пленки в течение времени релаксации успевает совершить большое число колебаний;

- численный анализ импульсного перемагничивания ведется с учетом конечности времени нарастания и спада импульса перемагни-чиващего поля, исследуется влияние указанных параметров импульса на динамику намагниченности;

- исследуется режим 90-градусного импульсного перемагничивания при наличии переменного магнитного поля на частотах, близких к частоте ферромагнитного резонанса (<ШР);

- исследуются особенности перемагничивания пленок, обладающих дисперсией ориентации локальных осей легкого намагничивания (ОЛН).

На защиту выносятся следующие положения!

1. Зависимость времени 90-градусного импульсного перемагничивания ТМП от времени нарастания импульса г внешнего перемагни-чиващего поля при осцилляционном характере затухания колебаний магнитного момента имеет четко выраженный минимум, который с ростом амплитуда импульса смещается в сторону больших г; при этом величина минимального времени перемагничивания практически не изменяется.

2. При 90-градусном импульсном перемагничивании в режиме ШР характер изменения амплитуды колебаний вектора намагниченности в процессе установления вынужденных колебаний может быть различным в зависимости от характеристик внешних полей, в частности, от начальной фазы СВЧ поля Вследствие этого при % < Т ^ ~ период собственных колебаний магнитного момента) значения времени перемагничивания пленки в зависимости от значения могут отличаться друг от друга в 2-3 раза. При г > Т а также при удале 1 ~ нии частоты СВЧ поля от резонансной, амплитуда колебаний магнитного момента до выхода на стационарный режим изменяется нерегулярным образом.

3- Динамические характеристики процесса 90-градусного импульсного перемагничивания пленок с параметром затухания X < < 1.5-10® с-1 существенно зависят от величины угловой дисперсии поля магнитной анизотропии. Б частности, с ростом угловой дисперсии увеличивается частота затухающих колебаний вектора намагниченности пленки и уменьшается время ее перемагничивания, при втом минимум зависимости времени перемагничивания от времени нарастания импульса % смещается в сторону больших х.

4. Наличие в режиме 90-градусного импульсного перемагничивания СВЧ поля, параллельного ОЛН, способствует ориентационной релаксации и препятствует развалу магнитного момента дисперсной пленки после выключения импульса перемагничиващего поля. В результате пленка переходит в одно из двух возможных состояний насыщения вдоль ОЛН. В частности, в широком интервале длительностей импульса ¿о возможно ее переключение в состояние, противоположное исходному (триггерный эффект); ширина соответствующего интервала I определяется периодом колебаний СВЧ поля.

5 . При квазистатическом перемагничивании дисперсной пленки в легком направлении с увеличением угловой дисперсии анизотропии уменьшается прямоугольность и увеличивается наклон продольных петель гистерезиса; при перемагничивании под углом к легкой оси, а также при наличии поперечного подмагничиващего поля Нп р деформация петель гистерезиса, связанная с угловой дисперсией, становится менее заметной. При Н > 0.5Я (В - поле анизотропии) г К К наличие угловой дисперсии существенно влияет на величину остаточной намагниченности.

- 8

Диссертация изложена в трех главах.

Первая глава представляет собой обзор литературы по исследованию динамических и статических свойств ТИП и их практическим применениям. Рассмотрены основные физические модели, используемые в настоящей работе® модель однородного вращения намагниченности для случаев квазистатического (модель Стонера - Вольфарта) и импульсного перемагничивания, а также статистическая модель невзаимодействующих блоков для пленок с дисперсией поля магнитной анизотропии.

Во второй главе в рамках модели однородного вращения исследуются особенности динамического поведения вектора намагниченности однодоменной ТИП с одноосной плоскостной анизотропией при включении и выключении импульса перемагничивающего поля, ортогонального оси легкого намагничивания (ОЛН) пленки. Рассмотрен также случай 90-градусного импульсного перемагничивания при наличии переменного СВЧ поля, приложенного вдоль ОМ (режим ШР). Анализируются зависимости времени перемагничивания от параметра затухания пленки и характеристик приложенных к пленке внешних полей. Получено и проанализировано приближенное решение уравнений движения намагниченности в рассматриваемых режимах перемагничивания.

Третья глава посвящена исследованию процессов импульсного и квазистатического перемагничивания пленок с угловой дисперсией поля магнитной анизотропии. В начале главы рассмотрен более общий случай импульсного перемагничивания одноосной ТЗШ - перемагничи-вание под произвольным углом к ОЛН. Анализируется влияние угловой дисперсии поля магнитной анизотропии на величину времени 90-градусного импульсного перемагничивания, а также на форму и параметры петель гистерезиса при квазистатическом перемагничивании. Исследуется явление ориентационной релаксации магнитного момента при выключении импульсного ПОЛЯ ется возможность его реализации ного средней ОЛН пленки.

9 в дисперсных пленках, анализиру-при наличии СВЧ поля, параллель

- 10

Основные результаты данной главы заключаются в следующем.

1. Наличие угловой дисперсии поля анизотропии оказывает влияние на динамические характеристики процесса 90-градусного импульсного перемагничивания только для пленок с малым параметром затухания (X з. 1.5-10е с"1). Для таких пленок о увеличением дисперсии увеличивается частота и уменьшается амплитуда колебаний среднего вектора намагниченности около направления перемагничива-ющего пленку поля, при этом последнее приводит к уменьшению времени перемагничивания. Зависимость времени перемагничивания от времени нарастания импульса г имеет минимум, который сдвигается в сторону больших х при увеличении угловой дисперсии. Характер зависимости времени перемагничивания от амплитуды импульса практически не зависит от угловой дисперсии.

2. Триггерный эффект при отключении импульса поля реализуется лишь для пленок с малыми угловой дисперсией (aQ ~ 0.5°) и затуханием (X i 10е с"1) при малой длительности импульса (не болинии)

- 113 лее 1 - 2 не). Для улучшения условий реализации триггерного аффекта необходимо уменьшать время спада импульса поля при его отключении (г < 0.5 не). с

аАКЛЮЧЕШЕ

В результате проведенных в настоящей работе исследований получены следующие результаты.

1. Путем численного решения динамических уравнений получены и проанализированы временные зависимости ориентации вектора намагниченности ТМП в процессе импульсного перемагничивания. Рассмотрены два случая: идеальной одноосной пленки и пленки с угловой дисперсией поля магнитной анизотропии. Из полученных временных зависимостей ориентации намагниченности найдены зависимости времени перемагничивания от параметра затухания пленки, от амплитуды и времени нарастания импульса внешнего поля, от ориентации ОЛН пленки относительно направления перемагничивающего поля, а также от угловой дисперсии анизотропии. Установлено, что минимальное значение времени перемагничивания не соответствует мгновенному включению импульса поля, при втом минимум времени перемагничивания о ростом амплитуды импульса и угловой дисперсии анизотропии смещается в сторону бйльших значений времени нарастания импульса.

2. Исследована динамика магнитного момента ТМП в процессе 90-градусного импульсного перемагничивания при наличии СВЧ поля, приложенного вдоль ОЛН (режим <ШР). Показано, что время перемагничивания в режиме ШР при определенных условиях существенно зависит от начальной фазы СВЧ поля. Для данного режима получено приближенное решение уравнения движения намагниченности, результаты его решения сопоставляются с решением точной системы динамических уравнений.

3. Исследовано явление ориентационной релаксации магнитного момента при отключении импульса внешнего поля в процессе 90-градусного перемагничивания (триггерный вффект), проанализированы

- 115 условия его реализации в пленках с дисперсией магнитной анизотропии. Установлено, что приложение СВЧ поля достаточно большой амплитуды вдоль средней ОЛН дисперсной пленки позволяет реализовать данный эффект в широком интервале длительностей импульса поля.

4. Построены петли гистерезиса при квазистатическом перемаг-ничивании пленок с различными значениями угловой дисперсии анизотропии, исследовано влияние угловой дисперсии на величины остаточной намагниченности и коэрцитивной силы.

В настоящей работе приведены результаты расчетов лишь для одного значения поля анизотропии пленки #=58. Данная величина К для пермаллоевых пленок в зависимости от условий их получения может варьироваться в широких пределах от 2 до 20 Э [81]. Как показал соответствующий анализ, все обнаруженные в настоящей работе закономерности имеют место при любых значениях #к из указанного интервала [138-1423. Полученные здесь результаты могут быть применены и к пленкам других типов, обладающих аналогичными магнитными свойствами (например, аморфным ТМП).

Полученные в настоящей работе результаты должны учитываться при создании быстродействующих тонкопленочных устройств магнитной памяти и импульсной техники диапазона СВЧ.

Основные положения настоящей диссертационной работы опубликованы в центральной печати и содержатся в работах [139-142, 1511543.

1. Blois M.S. Preparation of thin magnetic films and their properties // Journ. Appl. Phys. - 1955. - V.26, К 8. - P.975-980.

2. Пузырев В.А. Тонкие магнитные пленки в радиотехнических цепях. М.: Сов. радио, 1974- - 160 с.

3. Китович В.В. Магнитные и магнитооптические оперативные запоминающие устройства. М.: Энергия, 1975- - 432 е.

4. Саланский Н.М., Ерухимов М.Ш. Физические свойства и применение магнитных пленок. Новосибирск: Наука, 1975- - 222 о.

5. Мочалов В.Д. Магнитная микровлектроника. М.: Сов. радио, 1977- - 366 е.

6. Иванов Р.Д. Магнитные металлические пленки в микроэлектронике . М.! Сов. радио, 1980. - 191 с.

7. Карпенков С.Х. Тонкопленочные магнитные преобразователи. M.i Радио и связь. - 1985- - 208 с.

8. Карпенков С.Х. Развитие средств перпендикулярной магнитной записи // Зарубежная радиовлектроника. 1987. - N 6. - С. 80101.

9. Васильева Н.П., Касаткин С.И., Муравьев A.M. Гистерезис-ные внергонезависимые тонкопленочные запоминающие устройства с произвольной выборкой // Заруб, электрон, техника. 1990. - К 10. - С.43-45.

10. Червинский М.М., Глаголев С.Ф., Архангельский В.В. Методы и средства измерений магнитных характеристик пленок. Л. г Энергоатомиздат, 1990. - 208 с.

11. Карпенков С.Х. Тонкопленочные средства магнитных накопителей // Зарубежная радиовлектроника. 1993. - N 6. - С.3-72.

12. Карпенков С.Х. Тонкопленочные накопители информации.- 117

13. М.: Радио и связь, 1993- 503 с.

14. Праттон М. Тонкие ферромагнитные пленки. Л.: Судостроение, 1967- - 266 с.

15. Суху Р. Магнитные тонкие пленки. М.'. Мир, 1967- -422 о.

16. Колотов O.G., Погозкев В.А., Телеснин Р.В. Методы и аппаратура для исследования импульсных свойств ТМП. М.: йзд-во МГУ, 1970. - 192 е.

17. Колотов O.G., Погозкев В.А., Телеснин Р.В. Импульсное перемагаичивание тонких магнитных пленок // УФН. 1974. - Т.113, вып. 4. - С.569-595.

18. Коген М.С. Ферромагнитные свойства пленок // Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. Л.Л.Майссела, Р.Глвнга. -Т.2. M.i Сов. радио, 1977- - С.477-577

19. Балбашов A.M., Червоненкис А.Н. Магнитные материалы для микроэлектроники. М.! Энергия, 1979- - 216 с.

20. Звездин А.К., Котов В.А. Магнитооптика тонких пленок. -М.: Наука, 1988. 189 е.

21. Рандошкин В.В., Червоненкис А.Я. Прикладная магнитооптика. М.; Энергоатомиздат, 1990. - 320 с.

22. Глазер A.A., Кашинцев A.C., Колотов O.G., Погожев В.А., Тапиров Р.И. Импульсные свойства аморфных ^Oo^Si^B^ пленок // Физ. мет. металловед. 1987. - Т.64, вып. 6. - С.201-202.

23. Глазер A.A., Ишков A.B., Кашинцев A.C., Колотов О.С., Погожев В.А., Тагиров Р.И. Импульсное 180° перемагничивание аморфных i>egCo?0SiigB10 пленок // Физ. мет. металловед. 1991- -N 3. - С.122-126.

24. Глазер A.A., Кашинцев A.C., Колотов О.С., Погожев В.А., Тагиров Р.И. Особенности поведения iies0o7OsllsBiO пленок в им- 118 пульеных магнитных полях, прикладываемых вдоль оси трудного намагничивания i i fes. мет. металловед. 1991. - Né. - С.203-206.

25. Глазер 1.1., Кашинцев A.C., Колотов O.G., Погокев В.А., Тагиров Р.И. О форме кривой импульсного перемагничиванияаморфных fe 0о„ Si B.Ä пленок // fes. мет. металловед. 1992. 1. Б 70 1Б 101. Т.73, N 2. С.154-157.

26. Андреев A.A., Мягков A.B., Скорое В.А. Динамика перемагничивания аморфных пленок ФЪ-fe с перпендикулярной анизотропией // ФТТ. 1991. - Т.33, вып.5. - С.1350-1354.

27. Thompson Т., О*Grady К., Perlov О.М., Chantrell R.W., Activation volumes of reversal in TbleGo thin films // IEEE Trans. Magn. 1992. - Y.28. - P.2518-1520.

28. Сошин С.С., Ильяшенко С.Е., Голубева Н.Ю., Гречишкин P.M. Процессы перемагничивания аморфных пленок ТЪРеОо в квазистатических и импульсных полях // Ученые записки ТвГУ. Т.1. -Тверь, 1996. - С.153-154.

29. Wang 3D., Doyle W.B. High coeroivity feSrnN thin films for magnetic recording media // IEEE Trans. Magn. 1994. - V.30, N 6. - P.4032-4034.

30. Федосюк В.M., Шелег M.У., Ильюшенко Л.Ф., Болтушкин A.B., Шадров В.Г. Перемагничивание высококоврцитивных пленок с перпендикулярной магнитной анизотропией // Зарубежная радиоэлектроника. 1987. - N 11. - С.49-57.

31. Bertram H.N., Shtrikman S. On the magnetization reversal process in OoOr recording media // Journ. Magn. Magn. Mater. -1984. Y.45. - P.88-90.

32. Pedosyuk V.M., Ilyushenko L.l., Sheleg M.U., Boltushkin АЛ. Magnetisation reversal model for vertical recording films //- 119

33. Thill Solid films. 1988. - V.158. - P.7-12.

34. Bordin G., Bottoni G., Candolfo D., Cecohetti A., Masoli F., Piano M. Magnetization processes in double-layer films for perpendicular reoording // Joum. Magn. Magn. Mater. 1989. -V.78. - P.105-109.

35. Федосюк B.M., Макутин Г.В., Касютич О.И. Мультислойные магнитные структуры // Зарубежная радиовлектроника. 1992. - N 4/5. - С.42-55.

36. Pujiwara Н. Magnetization switching processes in multilayers having both bilinear and biquadratic exchange coupling between the adjacent magnetic layers // IEEE Trans. Magn. V.31, N 6. - P.4112-4114.

37. Карпенков C.X. Магнитомягкие тонкопленочные структуры с высокой магнитной проницаемостью // Заруб, влектрон. техника. -1998. N 1. - С.69-91.

38. Yoo H.Y., Pohm АЛ., Hur J.H., Kenkare S.W., Oomstock O.S. Dynamic switching process of sandwich-structured MR elements // IEEE Trans. Magn. 1989. - V.25, N 5- - P.4269-4271.

39. Pohm A.V.f Comstook C.S., Laughton J.M. Analysis of MR elements for 108 bit/cm2 arrays // IEEE Trans. Magn. 1989. -V.25, N 5. - P.4266-4268.

40. Кононов В.П., Худяков А.Е., Морозова Т.П. и др. Свндвичи пермаллой медь - пермаллой со взаимно перпендикулярными осями анизотропии в магнитных слоях // ЖТФ. - 1997. - Т.67, вып. 11. -С.45-48.

41. Stankiewicz A., Hiebert W.K., Ballentine G.E., Marsh K.W., freeman M.R. Dynamics of magnetization reversal in a 20x4 fim permalloy microfracture // IUI Trans. Magn. 1998. - Y.34, N 4, Pt.1. - P.1003-1005.

42. KikiioM R. On the minimum of magnetization reversal time // Journ. Appl. Phys. 1956. - V.27, N 11. - P.1352-1357.

43. Gillette P.P., Oshima K. Thin film magnetization reversal by coherent rotation // Journ. Appl. Phys. 1958. - V.29, N 10. - P.1465-1470.

44. Ольсон К.Д., Пом A.B. Перемагничивание тонких пленок составом 82$ N1 и 18$ le // Тонкие магнитные пленки. Сборник статей. / Под ред. В.М.Глушкова, Л.В.Киренского. Киев: Гостехиздат УССР, 1963. - С.280-297

45. Федосюк В.М., Ильюшенко Л.Ф., Шелег М.У., Смирнова Т.В. Численный анализ процесса перемагничивания двухслойных пленок с учетом зависимости их магнитных параметров от толщины // Вести АН БССР. Сер. физ.-мат. наук. 1983. - N 5- - С.47-49

46. Delia Torre Е. Magnetization calculation of fine particles // IEEE Trans. Magn. 1986. - ¥.22, N 5. - P.484-489.

47. McDaniel T.W., Mansuripur M. Numerical simulation of therrnomagnetic writing in RE-TM films // IEEE Trans. Magn- -1987. V.23, N 5- - P.2943-2945.121

48. Mayergoyz I.D., Iriedшп G. Generalized Preisach model oí hysteresis // IEEE Trans. Magn. 1988. - V.24, N 1. - P.212-217.

49. Крохин B.B., Пирогов A.M., Хмарук 0¿H., Шамаев Ю.М. Моделирование динамических процессов перемагничивания // Изв. вузов. Приборостроение. 1988. - Т.31, К 7- - С.46-49.

50. Delia Torre I. Modeling oí magnetizing processes // Proo. of the IEEE. 1990. - ¥.78, N 6. - P.1017-1026.

51. Звездин A.K., Лебедева U.M., Логгинов A.C., Непокойчиц-кий Г.А., Розанова T.B. Математическое моделирование быстропроте-кащих процессов импульсного перемагничивания впитаксиальных феррит-гранатовых пленок // ФТТ. 1990. - Т.32, вып. 6. - 0.18121819.

52. Шелег М.У., Федсюш В.М. Численный анализ процесса перемагничивания и магнитных неоднородностей магнитожестких пленок сплавов Oo-li-W // Физ. мет. металловед. 1991. - 1 10. - С.100-104.

53. Манаков H.A., Почернин М.А. Численное моделирование процессов перемагничивания микрокристаллических сплавов высокоанизотропных магнетиков // Зиз. мет. металловед. 1991. - N 6. - С. 199-201.

54. Кудрявцев B.C., Морозов А.Н., Юрасов Н.И. Моделирование перемагничивания магнитного материала о доменной структурой на- 122 основе уравнения Ландау Лмфшзща // Вестник МГТУ. Сер. Приборостроение- - 1991- - К 1. - С.121-125.

55. Slonczewski J.С. Dynamics oí domains and walls in soft magnetic films // IEEE Trans. Magn. 1991. - ¥.27, H 4. - P. 3532-3538.

56. Каримов Ф.Х. О перемагничивании мозаичных магнитных пленок // Тез. докл. XIII Всесоюзной школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники (магнитные пленки)". Астрахань, 21-26 сентября 1992 г. 4.1. - Астрахань, 1992.- С.139-140.

57. Игнатьев А.Р., Ралин А.Ю., Харитонский П.В. Гистерезис системы магнитных диполей, рассеянных в тонкой пленке // Тез. докл. 14-й школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники" . Москва, 26 29 сентября 1994. - Ч.1. - Москва, 1994. -С.35-36.

58. Не Ъ., Doyle W.D. A theoretical description of magnetic switching experiments in picosecond field pulses // Journ. Appl. Phys- 1996. - V.79, N 8. - P.6489-6491.

59. Денисов С.И. Релаксация намагниченности системы взаимодействующих суперпарамагнитных частиц // Тез. докл. XVI межд. школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники". Москва, 23-26 июня 1998 г. 4.1. - М., 1998.- С.26.

60. Клепарский В.Г., Мельников О.Н., Сухов В.Г. Модель распределенного перемагничивания зернистой пленки // Тез. докл. XVI межд. школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники". Москва, 23-26 июня 1998 г. 4.2. - М., 1998.- С. 562-563.

61. Piilmek P.L., Hanser H. Magnetization reversal and statistical domain behaviour // Journ. Magn. and Magn. Mater. -1998. V.183- - P.75-77.

62. Koch R.H., Beak J.G., Abraham D.W. et al. Magnetization reversal in micron-sized magnetic thin films // Phys. Rev. Lett.- 1998. V.81, N 20. - P.4512-4515.

63. Smith D.O. Static and dynamic behaviour of thin permalloy films // Joura. Appl. Phys. 1958. - ¥.29, N 3. - P.264-273.

64. Фоглер Г. Импульсное перемагничивание // Тонкие ферромагнитные пленки / Под ред. Р.В.Телеенина. M.i Мир, 1964. -С.235-253.

65. Narishige S., Miteuoka И., Sugita Y. Crystal structure and magnetic properties of permalloy films sputtered by mixed ArN gases // // IEEE Trans. Magn. 1992. - ¥.28, N 2. - P.990ji993.

66. Малек 3., Шюппель В. Магнитокристаллическая и наведенная анизотропия // Тонкие ферромагнитные пленки / Под ред. Р.В.Телеенина. М.! Мир, 1964- - С.61-104

67. Leaver К.С. Magnetisation ripple in ferromagnetic thin films // Thin solid films. 1968. - ¥.2, Ж 1/2. - P.149-172.

68. Ишатченко В.А. Магнитная структура тонких магнитных пленок и ферромагнитный резонанс // Ж8ТФ. 1968. - Т.54, вып.1.- С.303-311.

69. Crowther T.S. Angular and magnitude dispersion of the anisotropy in magnetic films // Journ. Appl. Phys. 1963. - ¥. 34, N 3. - P.580-587.

70. Ihresman ¥.1., Olson C.B. ¥ariations in anisotropy magnitude and magnetization direction in planar films under equilib- 124 rium conditions // Joum. Appl. Phys. 1966. - ¥.37, N 3. -P.1287-1289.

71. Salansky 1Ï.M., Khrustalev B.P., Melnik A.S. et al. ferromagnetic resonance linewidth in tfrln magnetic films /7 Thin Solid Films. 1969. - V.4, N 2. - P.105-113.

72. Киренский Л. В., Саланская Л.A., Саланекий H.M. Об определении нвффективно$*' локальной анизотропии в поликристаллических пермаллоевых пленках /У fes. мет. металловед. 1969- - Т.28, вып. 6. - С.1115-1118.

73. Саланекий Н.М., Игнатченко В.А., Хрусталев Б.П. Влияние "ряби" намагниченности и блочной структуры тонких пленок на параметры ШР // Физхша магнитных пленок / Ред. М.Г.Рубашевская. -Иркутск, 1968. С.242-245

74. Лесник А.Г. Статистическая трактовка магнитных свойств пленок, зависящих от дисперсии анизотропии // шиз. мет. металловед. 1969. - Т.27, вып. 6. - С.1000-1010.

75. Лесник А.Г. Статистическая трактовка влияния неоднород-ностей анизотропии на ферромагнитный резонанс в пленках // Физ. мет. металловед. 1969. - Т.28, вып. 1. - С.84-91.

76. Лесник А.Г. Наведенная магнитная анизотропия. Киев: Наукова думка, 1976. - 163 с.

77. Кирсанов Г.Г., Семенцов Д.И., Сидоренков В.В. Эффективная магнитная анизотропия дисперсных тонких магнитных пленок // Физ. мет. металловед. 1986. - Т.61, вып.5. - С.1036-1038.

78. Kopjes Ю.В., Семенцов Д.И., Сидоренков В.В. Эффективная магнитная анизотропия дисперсных пленок // ДАН СССР. 1986. -Т.290, К 4- - С.853-855

79. Дьячук ПЛ., Иванов А.А., Черных А.Г. Статистическое описание аффективной магнитной анизотропии пленок // Физ. мет. металловед, 1989« - Т.67, вш1.1. - С.44-51.

80. Vu Difíh Ку. Theory of the resistivity anisotropy in ferromagnetic films // Physios. 1975- - V.82B. - P.339-347.

81. Семени,ова T.M.t Семенцов Д.И., Сидоренков В.В. Эффективная анизотропия влектрооопротивления металлических магнитных пленок // Письма в ЖТФ. 1990. - Т.16, вып. 5- - С.10-13.

82. Кирсанов Г.Г., Корнев Ю.В., Семенцов Д.И., Сидоренков В.В. Особенности ферромагнитного резонанса в тонких пленках о- 126 угловой дисперсией магнитной анизотропии /У Физ. мет. металловед. 1986. - Т.61, вып.4. - С.750-755.

83. Кирсанов Г.Г., Семенцов Д.И., Сидоренков В.В. Влияние амплитудной дисперсии магнитной анизотропии на резонансные свойства магнитных пленок /У Физ. мет. металловед. 1987- - Т.63, вып.1. - С.63-66.

84. Корнев Ю.В., Семенцов Д.И., Сидоренков В.В. Влияние дисперсии магнитной анизотропии на частоту SP в тонких пленках // ДАН СССР. 1987. - Т.294, N 5. - С.1114-1117.

85. Sementsov D.I., Sidorenkov V.V. Ferromagnetic resonance in films with angular dispersion of magnetic anisotropy // Fhys. Stat. Sol. (a) 1987- - V.101, I 2. - P.555-562.

86. Семенцов Д.И., Сидоренков B.B. Низкочастотный ферромагнитный резонанс в пленках с угловой дисперсией магнитной анизотропии /У физ. мет. металловед. 1988. - Т.65, вып.2. - С.219-223.

87. StoMeoki Т., Spatek J., Jankowski Н. Influence of angular dispersion of imgnetlsation on magnetoresiatanoe In ferromagnetic thin films // Acta Phys. Polonica. 1972. - V.A41. -P. 657-659.

88. Корнев Ю.В., Бородина Т.Е. Зависимость магниторезистив-ного вффекта от дисперсных свойств пермаллоевых пленок с учетом угловой пространственной дисперсии анизотропии // Физ. мет. металловед. 1983. - Т.55, вып. 3. - С. 472 - 478.- 12?

89. Семенцова Т.М,, Семенцов Д.И. Гальваномагнитные эффекты в пленках со структурной анизотропией электросопротивления // Физ. мет. металловед. 1991. - N 7- - С.4-1-47.

90. Семенцова Т.М., Дятлов Д.В., Тамаров М,П., Семенцов Д.И. Магниторезистивный эффект в пленках с угловой дисперсией магнитной анизотропии // Фиэ. мет. металловед. 1992. - N 12. -С.17-22.

91. Андре В. Квазнстатичеокое перемагшчивавие /7 Тонкие фарршзгштнш пленки /' Под ред. Р.В.Телеевина. М.! Мир, 1964- • С. 159-215.

92. De Ridder P.M., Eluitman J.E. A hysteresis model for an orthogonal thin-film magnetometer // IMS Trans. Magn. 1990. -V.26, N 4- - P.1237-1245.

93. Bradley 1-М., Prut ton М. Magnetisation reversal by rotation and 'wall motion in thin films of nickel-iron alloys // Jouni.- Electronics and Control 1959- - ?.6, 1 1. P.81-96.

94. Хобалев B.B. Петли гистерезиса одноосных ферромагнитных пленок // Магнитные элементы устройств вычислительной техники. -Минскt Изд-во АН БССР, 1961. С.120-127

95. Куроедов К.А. Некоторые статические свойства тонких пермаллоевых пленок // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1965. - Т.29, К 4. - С.599-603.

96. Ильичева Е.Н-. Канавина Н.Г-, Шишков А.Г. Критические- 128 кривые тонких пермаллоевых пленок // Изв. АН СССР. Сер. физич. -1966. Т.30, Ы 1. - С.99-102.

97. Пушкарь В.Н., Лесник А.Г., Критические кривые перемаг-ничивания пермаллоевых пленок // Физика металлических пленок. -Киев; Наукова думка, 1968. С.5-14.

98. Корольков Н.В., Марышева Г.И., Цагарели Д.В. Характеристики реальных магнитных пленок // Тонкие ферромагнитные пленки (некоторые вопросы намагничивания). М.» ВЦ АН СССР, 1970. -С. 3-Ю.

99. Ghacko А.Р., Nickles D.E. Correlations between the interactions in magnetic dispersions and interparticle interaction fields in pigmented films // IEEE Trans. Magn. 1996- -V.32, К 5. - P.4043-4045.

100. Humphrey I. В., Gyorgy E.M. flux reversal in soft ferromagnetics // Journ. Appl. Phys. 1959. - V.30, N 6. - P.935-939.

101. Родичев Г.M., Ляховский H.П. Исследование вращения магVнитного момента в пермаллоевых пленках // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1966. - Т.30, N 6. - С.1062-1064.

102. Галанский В.М., Остапенко Ю.В. Переключательные свойства тонких магнитных пленок // Физика металлических пленок. Киев: Наукова думка, 1969. - С.72-76.

103. Петров В.И., Спивак Г.В., Павлюченко О.П. Электронная микроскопия магнитной структуры тонких пленок // УФН. 1972. -Т.106, вып. 2. - С.229-278.

104. Колотов О.С., Мусаев Т.Ш., Погожев В.А., Телеснин Р.В. Универсальная установка для изучения импульсного перемагничивания магнитных пленок в наносекундном диапазоне // ПТЭ. 1976. - N 5. - С.243-245.

105. Ишков A.B., Кашинцев A.C., Ким Ей Хен, Колотов О.С.,- 129

106. Родичев A.M. Об условиях сохранения однородности намагниченности ферромагнетика в процессах вращения // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1966. - Т.30, N 1. - С.83-87.

107. Ивашкин В.И., Руденко Г.И., Поливанов K.M., Фрумкин А.Л Некоторые результаты исследования наносекундного перемагничивания магнитных пленок // Физика магнитных пленок / Ред. М.Г.Рубашевс-кая. Иркутск, 1968. - С.345-350.

108. Фрумкин А.Л. Дополнительное торможение и превращение энергии при наносекундном перемагничивании магнитных пленок // Физика магнитных пленок / Ред. М.Г.Рубашевская. Иркутск, 1968.- С.351-355.

109. Колотов О.С., Куделькин H.H., Погожев В.А., Телеснин Р.В. Импульсное перемагничивание феррит-гранатовых пленок // ЖТФ.- 1985. Т.55, вып. 4. - С.761-764.

110. Логунов М.В., Рандошкин В.В. Интегральные характеристики и динамика импульсного перемагничивания пленок феррит-гранатов // ЖТФ. 1985. - Т.55, вып.10. - С.1987-1991.

111. Логунов М.В., Рандошкин В.В., Сигачев В.Б. Динамические доменные структуры при импульсном перемагничивании монокристаллических пленок феррит-гранатов // ФТТ. 1987. - Т.29, вып.8. -С.2247-2254.

112. Колотов О.С., Погожев В.А. Шпульсное перемагничивание пленок ферритов-гранатов // Вестник МГУ. Сер. 3- Физика. Астрономия. 1991- - Т.32, Ы 5. - С.3-18.- 130

113. Ильичева E.H., Шишков А.Г., Балбашов A.M., Федюнин Ю. U., Клушина A.B. Особенности перемагничивания феррит-гранатовых пленок типа (210) // ЖТФ. 1993- - Т.63, вып. 11. - С.143-153

114. Кашинцев A.C., Колотов O.G., Погожев В.А. Об импульсном перемагничивании тонких магнитных пленок в больших полях // Физ. мет. металловед. 1987. - Т.64, вып. 5. - С.891-895.

115. Дурасова Ю.А., Колотов O.G., Летова Т.Н. О размерах динамических доменов, возникающих при импульсном перемагничивании тонких поликристаллических магнитных пленок // Физ. мет. металловед. 1991- - N 10. - С.198-200.

116. Колотов O.G., Погожев В.А. О критических точках кривой импульсного перемагничивания fe-Hi пленок // Тез. докл. XVI межд. школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники". Москва, 23-26 июня 1998 г. 4.1. - М., 1998.- С. 302-303.

117. Костяков В.А., Польский А.И., Саланекий Н.М. Субгармонические колебания магнитного момента ТМП в полях высокой частоты с линейной и круговой поляризацией // Физика магнитных пленок / Ред. М.Г.Рубашевская. Иркутск, 1968. - С.246-249

118. Шапиро В.1., Хлебопрос Р.Г., Горенко Л.М. К нелинейной теории однородного движения намагниченности пленки в низкочастотных полях // Физика магнитных пленок / Ред. М.Г.Рубашевская. -Иркутск, 1968. С.263-267.

119. Саланекий Н.М., Лещев S.B. Нелинейные явления в параметрическом контуре с магнитной пленкой // Изв. АН СССР. Сер.- 131 физич. 1972. - T.36, N 7. - С.1567-1570.

120. Польский А.И., Хлебопрос Е.А. Годограф магнитного момента тонкой пленки в высокочастотном магнитном поле /У Изв. АН СССР. Сер. физич. 1972. - Т.36, N 7. - С.1571-1574.

121. Корнев Ю.В., Сысоев В.Я. Микрополосковый электрически управляемый аттенюатор на проводящей тонкой магнитной пленке // Электронная техника, сер. 1: Электроника СВЧ. 1976. - Вып.6. -С.39-42.

122. Корнев Ю.В. Шлейфовая модель модулятора СВЧ на тонкой магнитной пленке // Тез. докл. XIV-й школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники". Москва, 26 29 сентября 1994. - 4.1. - Москва, 1994. - С. 105-106.

123. Бабицкий А.Н., Беляев Б.А., Тюрнев В.В. Магнитометр с микрополосковым датчиком на тонкой магнитной пленке // Тез. докл. XVI мезкд. школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники". Москва, 23-26 июня 1998 г. 4.2. - М., 1998.- С. 443-444.

124. Фрайт 3. Ферромагнитный резонанс // Тонкие ферромагнитные пленки / Под ред. Р.В.Телеснина. М.: Мир, 1964. - С.254-312.

125. Корнев Ю.В., Сысоев В.Я., Бородин И.Н. Импульсное пере-магничивание тонких магнитных пленок в области амплитуд импульсных полей, соответствующих области ферромагнитного резонанса // Физ. мет. металловед. 1979- - Т.48, вып.З. - С.490-497.

126. Корнев Ю.В., Колотов О.С., Сысоев В.Я. О времени установления резонансного поглощения СВЧ мощности в пермаллоевых пленках // ДАН СССР. 1981. Т.261, К 2. - С.355-356.

127. Корнев Ю.В., Сысоев В.Я., Бородин И.Н. Время релаксации в пермаллоевых пленках при нелинейном ферромагнитном резонансе // Физ. мет. металловед. 1981. - Т.52, вып.6. - С.1169-1175.- 132

128. Афанасьева E.H., Семенцов Д.И. Особенности наносекунд-ного 90-градусного перемагничивания тонких магнитных пленок // fes. мет. металловед. 1993- - Т.76, вып.5. - С.97-102.

129. Афанасьева E.H., Семенцов Д.И. 90-градусное перемагничивание магнитных пленок в режиме ферромагнитного резонанса // Физ. мет. металловед. 1994. - Т.77, вып.5. - С.59-63.

130. Афанасьева E.H., Семенцов Д.И. Ориентационная 90-градусная релаксация магнитного момента при выключении поля // Физ. мет. металловед. 1994- - Т.78, вып.З. - С.163-164

131. Родичев Г.М. Приближенная оценка факторов, влияющих на осуществление триггерного эффекта в магнитных пленках // Изв. вузов СССР. Физика. 1972. - N 7- - С.152-154

132. Родичев Г.М., Ляховский Н.П., Ким П.Д., Преснецов В.Н. Триггерный эффект в тонких магнитных пленках // Изв. вузов СССР. Физика. 1969- - M 7. - С.140-142.

133. Родичев Г.М., Арнольд О.П. Осуществление триггерного эффекта в магнитных пленках при наличии постоянных магнитных полей // Изв. вузов СССР. Физика. 1972. - N 3. - С.105-107.

134. Родичев Г.М., Маторин I.E. Особенности осуществления триггерного вффекта в двухслойных магнитных пленках // Тез. докл. XVIII Всесоюзной конф. по физике магнитных явлений. Калинин, 3-6 октября 1988 г. Калинин, 1988. - С.995-996.

135. Боголюбов H.H., Митропольский Ю.А. Асимптотические методы в теории нелинейных колебаний. M.î Наука, 1974. - 503 с.

136. Телеснин Р.В., Никитина Т.Н. К вопросу о влиянии дисперсии анизотропии на динамические свойства тонких пермаллоевых пленок // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1965. - Т.29, N 4. - С.548-551.

137. Телеснин Р.В., Ильичева E.H., Колотов И.С. Исследование процессов импульсного перемагничивания тонких пленок магнитооптическим методом // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1966. - Т.30, N 1. - С.103-107.

138. Абрамова А-П., Афанасьева E.H., Семенцов Д.И. Импульсное 90-градусное перемагничивание тонких пленок о дисперсией намагниченности // fes. мет. металловед. 1998- - Т.86, вып.5- -С.423-426.

139. Абрамова А.П., Афанасьева E.H., Семенцов Д.И. Импульсное перемагничивание одноосных пленок о произвольно ориентированной осью легкого намагничивания // Изв. вузов. Физика. 1998. -Т.41, N 12. - С.72-77.