Локальная плотность электронных состояний в неупорядоченных полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГБ О*

2 8 ^^о^гкский государственны;! университет

На правел рукописи

ТЕРЕХОВ ВЛАДИМИР АНДРЕЕВИЧ

УДК 539.293:539.26

ЛОКАЛЬНАЯ ПЛОТНОСТЬ аЧЕКТРОННЫХ состояний В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ- ПОЛУПРОВОДНИКАХ

01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертаций на соискание ученой степени доктора физико-математических йаук

Воронед 1994

Раьота выполнена на кафедре физики твердого те лл Воронежского государственного университета.

Научный консультант! доктор физико-математических наук г профессор домашевская Э.П.

Официальные оппоненты ¡-доктор физико-математических наук, про<ш

сор а,с.шулаков -доктор технических наук,профессор а.и.п01 -доктор Физико-математических наук, -профе! сор С,И. Ремвеза

Ведущая организация! нижегородский государственный 'Университет.

защита диссертации состоится iggi) г

в _...... часов на заседании'специализированного совета Д 063 , '(8.1

при Воронежском государственной университете по 'адресу! 39'i693 'Воронеж, Университетская па,1. вгу. физический факультет.

С диссертацией можно ознакомиться а библиотеке Воронежской госунивегситетл. •''.'..

автореферат разослан "tS-J'-Z.

Ученый секретарь, специализиро-

"¿^-¿¿А^^/ 199.'» У.

ванного совета доктор физнк0- ^

математических наук, профессор /¿ёпи-_____ э,к.алглзино

Заказ 336 от 3.11,94 г. Тпр. IG0 экз. Формат 60 X 90 I/I6. ем 2 п. л. О^аетная лаборатория ВГ/.

ОШАЯ ХАРШЕРЮЛИКА 1:ЛШП1.

Актуальность тепы. Реальные свойства тьердих тел. в особеи-.1 полупроьодникоп, и значительной отеполл определяются типом «центрацпей дефектов, внооиыш п структуру материала к про--, е его получения. У»* б случае сильно деп'ровашшх мыкжрис-эв мы имеем дело с неупорядоченной системой в Силу' отатисти-ого распределения примеси, ¡1 ь пил прояь.'иоте;! свойства, ха-ерные для . аморфных материалов. Поэтому при теоретическом аыш их электронного строения возникают сущесп-ечкш труди в применении теоремы Блока,,- и сущесгьукше (■' дельные .рас-дгт заметно различные результаты но ха{.»ш:геру .энеьтдчее-распределения -электронов. Оптически« и'электрофизические •ды исследования, дамщ> достаточно много инфсрмгаши, и. >лжале*' не позволяют получить такой'вамный параметр,напримерь'как ши-I примесной зоны и ее зависимость от- уровня. лчгирглншин и т.д.

Другой неупорядоченной полупроводниковой системой являются ш изученные этими методам твердые растворы. Даке в случае шентногб замещения по потенциалу решетки, они : не- обладаю?, юдичностьп и, строго говоря,, .к ним такяе'не применима теоре-)лоха. Поэтому при описаний их электронного строения, приходя делать ряд допущений. Кроме того, с точки зрения локгий-нр: жружения атомов-в твердом растворе'остается неясным, какой жтер замещения' при образовании того или иного твердого раст-а будет преобладать; чисто 'статистический -или с оирдарп/шнем хшастеров бинарных соединений, и к ьаким различиям в распадении электронных состояний это приведет. -Следует особо впить твердые растворы халькогенидов ртути, позволяющих иолу-ь композиционный переход от обычного полупроводника (ОН) к делевому полупроводнику (БП). Современные объяснения бесще'ле-' о состояния базируются на учете релятивистских поправок' для ктронных состояний у дна зоны проводимости и потолка валент-

j

ной ноны. Однако учет этик поправок но позюл>!е'1 оОь'пчнпь л ta очень ваши эксиерлклташшя Цжш а) бесщелевое состояние характерно для всех халькогенидов ртути; б) положительный темпе-,„ ратурный коэффициент ширины «запрещенной зоны наблюдается только в халькогенидах ртути и твердых растворах на их основе со стороны этих халькогенидов.

И наконец, наиболее неупорядоченные системы, вызывайте в настоящее время широкий научный и практический интерес, - аморфные полупроводники. В этих материалах отсутствует д&чьшш порядок, поэтому при описании их электронного строения квазиимпульс в качестве, квантового числа вообще не пригоден. Однако, наличие ближнего порядка приводит к.сохранению таких понятий, как валентная, зона, зона проводимости, в которых электронные состояния по-прежнему делокалиаоваш, ¡саг; и в кристаллических полупроводниках. В то же время отклонения- в длинах и углах связи меду атомами приводят не только к заметным изменениям в характере энергетического распределения плотности состояний в вачентной зоне и зоне проводимости но и к заполнению запрещенной зоны локализованными электронными состояниями (ЛС), в результате чего в /аморфном полупроводнике мы имеем щель нодвилиисти, отделенную ит делокализованных состояний порогами подвижности. Для последней области ход плотности локализованных состояний может иметь довольно сложный характер из-за наличия еще и различных дефектов. Это приводит к целому ряду .специфических свойств аморфных полупроводников (наличию "хвоста" Урбаха, прыжковой проводимости и т.д.). Однако дате для такого хорошо изученного.материала, как аморфный гидрированный кремний, до сих пор остаются невыясненны-: ми роль водорода в формировании электронной структуры и свойств, характер распределения валентных и локализованных состояний кремния, природа и энергетическое положение дефектных состояний, влияние условий получения и последующих воздействий на распределение электронных состояний кремния и т.д.

Не меньший интерес представляет собой атомное окружение и феделение электронных состояний кремния в его сплавах с героем, азотом н т.д. Особенно принципиальными являются.вопросы <ара^тере композиционного заполнения первой координационной ры атомов кремния (статистическое пли кластерное), а такле о ^полагаемой возможности •сшкешш плотности• локализованных гояний в кремнии при малом содержании германия.

Если рассматривать весь.комплекс проблем, связанных с осо-' ностямн электронного строения неупорядоченных полупроводников сильно легированных до аморфных, то в настоящее время нет та-экспериментазьных и теоретических'работ, в которых бы;в ра?.!-единого подхода были рассмотрены эти проблемы. В тоже время знается, что для изучения неупорядоченных конденсированных • ¡тем необходим такой .экспериментальный метод, который бы давал юрмацию о локальной плотности электронных состояний, т.е. об «тронной- плотности вблизи атомов данного сорта. Среди извест-: экспериментальных методов наиболее подходящим' для'; решения зблем разулорядоченных систем в едином -ключе локатьной плотни состояний является рентгеновская спектроскопия, поскольку матричный элемент вероятности рентгеновского перехода входит :овнач волновая функция- .|>сьПоэтому рентгеновские спектры будут задать распределение электронных состояний, волновая фикция горых фк в достаточной мере локализовала вблизи излучающего

,шссия) СIСЕ) - Е 5(Е - Ек) Шо^Чи^с!2) ил» поглощающего-к

эглощение) атомов (|л(Е) ^ Е 5(Е - ЕкШФк Н'Фос1х| '

'• к. •

. В связи с этим в настоящей работе для изучения особенностей ' ектронного строения, характера атомного окружения й зн&ргетп: ; ского распределения локализовашш состояний в полупроводниках зличной степени неупорядоченности от сильно легированных-до орфных, предлагается рентгеновская-спектроскопия. . . •.

Выбор объектов исследования. В качестве сильно легированных полупроводников были взяты кремнии, легированный донорнон примесью (мышьяк, сурьма) и моноарсенид кремния. В качестве твердых растворов исследованы твердые раствори изовалентного замещения на основе соединений типа А3В5, I?В°, гетеровалентлого замещения А2В6 - А23Вз6 и твердых растворов вычитания на основе халькоге-нвдов меди. Иа аморфных полупроводников был изучен презде всего широко известный аморфный гидрированный кремний. . При этом брались образы . с различны;,! содержанием водорода, полученные при различных условиях и подвергнутые дальнейшим термическим Обработкам. Кроме того, исследовались пластины кремния, аыорфизиро-ванные имплантацией больших доз аргона. В качестве аморфных сплавов ■ изучались сплавы ' переменного состава кремния с азотом а-31Нх:Н и германием а-31х6е1-х.

Научная новизна. Виервые'в-рамках единого подхода локальной плотности электронных.состояний исследованы особенности электронного '.строения и локализованных■ состояний в полупроводниках различной степени неупорядоченности: сильно легированные, твердые растворы и еыорфные. В результате впервые установлено: .- образование в кремнии при больших дозах имплантации донорной примеси примесных кластеров, не только ограничивающих уровень легирования, но и существенно его уменьшающий;

- линейная зависимость ширины примесной зоны от • концентрации примеси; ■

- различный характер композиционного беспорядка в твердых растворах замещения, чисто статистический при заполнении соответствующей подрешетки и с образованием кластеров бинарных соединений; в первом случае электронно-энергетический спектр имееч плавную зависимость от состава, во втором может иметь участа

- резкого изменения:энергетического спектра, соответствующий переходу связного пространства одного соединения к другому; обусловленность композиционного перехода обычного полупровод-

ка в бесщелевсй полупроводник и положительного температурно-) коэффициента ширины запрещенной зоны в твердых растворах ¡метения на основе хадькогшщов ртути резонансным (отталкиваем) взаимодействием ¿-состояний ртути и р-состояний. хачько-жа;

1авиые изменения электронно-энергетического Спектра в твердых зстворах вычитания вследствие отсутствия количественного бес-зрядка; эти изменения, в том числе и оптической ширины-залрезиной зоны с составом, обусловлены взаимодействием р-состоя-;ш с перестраивающейся й-зоной;

шенне плотности локализованных состояний (ЛС) и увеличение' отопроводимости кремния при гидрировании-в результате.укора- -очеши структурной сетки аморфного кремния; ' • . • аличме максимума плотности ЛС на расстоянии 1 ;>В о«1 .потолка алентной' зоны (Еу) обусловленного оборванными связями на .нутренних поверхностях микропор; ' ,

>азличкый ..характер композиционного беспорядка в аморфных /сяла->ах переменного состава а-зих:Н .(статистический-или.'с образованием кластеров З^2" уже при малых, .содержаниях- а-Уота / й шелке); наличие в -плёнках, стшюМ'етртеского соскта.яейг- . зальной оборванной сбязи Еу + 2,2 зВ-на.расстоянии й,»'.' 5в:- от готолка валентной' зоны, а отрицательно'заряженной Еу'+ 4,7 зВ; /меньшение плотности, локализованных -состояний за. потолком патентной .зоны в аморфных сплавах кремния с германием, при- молом . удержании германия вследствие упорядочения структурной сетки.-

Научная и практическая .ценность, -В-рааках единого экстерн-'... нтальнсго метода .рентгеновской 'спектроскопии' вперьне проверено • следование .локальной- плотности электронных состояний .и. лок:щг: ванкых состояний в'запрещенной цели.-в полупроводниках с раацич-й степенью неупорядоченности от сильно легированных до аморф-х. При этом показано, - что для всех, неупорядоченных' систем иль но легированные, твердые растворы: м. аиор|мые}-кшпозщюи-;

о

иый беспорядок может иметь не только чисто статистичеокии характер, но и сопровождаться образованием мастеров химических соединений. Введение водорода I! малых количеств германия в аморфные пленки кремния приводит к упорядочению структурной сетки и снижению плотности локализованных состояний в щели подвижности.

На основании проведенных исследований впервые разработали методики и соответствующие программное'обеспечение'для неразру-шающего контроля по глубине концентрации электрически активной донорной примеси в .поверхностных слоях (<100 нм) сильно легированного кремния, плотности занятых локализованных состояний и ширины экспоненциального "хвоста" в аморфном кремнии методом ультрамягкой рентгеновской .спектроскопии (УМРС).

•Научные положения, выносимые на защиту.

1. Впервые в'рамках метода рентгеновской спектроскопии разработаны методики, позволяющий исследовать локализованные состояния

■ в запрещенной■зоне полупроводников с самой различной степенью неупорядоченности от сильно легированных ' монокристаллов ■ до аморфных пленок и аморфных сплавов.■

2. В зависимости от количественного состава, химических свойств элементов, а для аморфных пленок и от условий получения, ком-. лозиронный беспорядок может реализовываться чисто статистическим заполнением атомами соответствующих позиций или сопровождаться образованием кластеров химических соединений в

структурной сетке полупроводника.

3. Связь между концентрацией дефектных локализованных состояний . и интенсивностью рентгеновского спектра, обусловленного переходом с ВС на внутренний уровень, имеет логарифмический характер. При этом чувствительность метода к ЛС определяется степенью локализации их на излучающем атоме.

4. Переход обычного полупроводника в бесщелевон полупроводник и аномальный знак температурной зависимости ширины запрещенной зоны в твердых растворах на основе халъкогешщов ртути в зна-

чительной степени определяется резонансным вкшмоденстьием d-состояшш ртути и р-состояний халькогена. 5. Введение с, морфный кремнии водорода и небольшого количества германия приводит к упорядочению его структурной сетки и снижения плотности локализованных состояний-в щели подшшостй;

Выполненную работу по совокупности полох?ний, выноси»,ш на защиту, шш квалифицировать как крупное достижение в 4изике -неупорядоченных полупроводников: в рамках единого экспериментального подхода локальной плотности электронных-состояний установлены закономерности энергетического спектра делокализоЕанны'х ■ и локализованных состояний в широком интервале-энергий, в. завнаь'-мости от концентрации и характера атомных Флуктуации, позволившие доказать наличие кластеров химических соединении, радикалы» влияющих на композиционное поведение свойств во/всех .тинах неупорядоченных систем (сильно легированные полупроводники, 'твер,-дые растворы, аморфные сплавы) и показать более.высокум чуветви- . гель кость ' локальной плотности к локализованным, сссгояням,- .чем полной плотности электронных состояний..-

Личный склад автора в диссертационную-работу.- ■ Автором' осуществлена постановка задач, решение, которых позрм;1ЛоЯ%рафо-'. вать положения, выносимые на защиту, разработаны-эксиерименталь-' : ныё методики, позволившие решить эти задачи, -..•-.'

Первоначальные исследования проводились'-'совместно с -Э.И. . Домаиезской, затем в• работе принимали участие • С.Н."■ Тростянский-. (главы третья и пятая), B. W.' Кашкаров и E.H. -Нег.рюеЁа (глава четвертая), E.H. Десятирикова (глава пятая) "и A.A. Коклин (глава вторая). •

Апробация работы. Всесоюзные ■ совещания, и юколы-семинары • "Рентгеновские и рентгеноэлектронные спектры л химическая связь": Ростов-на-Дону - 1975т., Ленинград -1978, Львов-;-.1931, Воронед - 1982, Владивосток -1933, Иркутск - 1984, Новороссийск - 1985, Одесса - 1986, Ленинград - 1988, ИЕщю--<1ранкоЕСК - 1989,

ю

Свердловск - 1990, Ыадивооюк - 1991, ['остов-на - - №2; /¿еждунарелные •конференции "Рентгеновские и внутрно'Ллчэчнш процессы в атомах, молекулах и твердых телах": Лейпциг (ГДР) -1904, Пари» (Франция) - 1987, Ноксвилл (США) -1990; Международные семинары по электронной спектроскопии: Москва - 1982, Дрезден (ГДР) -1934, Лкбице (ПНР) - 190S, Мадралин (ПНР) - 1989; 5-я Международная конференция по прикладному анализу поверхности и интерфейсов (Катанья (Италия) - 1993); Всесоюзная-конференция "Диагностика поверхности" (Каунас - 1986); Международная конференция по физике и технологии компенсированных- полупроводников (Мадрас (Индия) - 1985); Международный научный коллоквиум (Иль-ыенау (ГДР) - 1990); Всесоюзные конференции по физике вакуумного ультрафиолетового получения и его взаимодействия- с веществом: Москва - 1902, Эзерниеки (Латвия) - 1986, Иркутск - 1989; Всесоюзная. конференция "Квантовая .химия и спектроскопия твердого тела" (Свердловск - 1934, 1986); Всесоюзный симпозиум "Физика поверхности твердых тел" (Киев - 1983); Всесоюзная конференция по радиационной . физике полупроводников и родственных материалов (Ташкент'- 1334); Всесоюзная конференция "Поверхность - 39" ,(Черноголовка); IX Всесоюзный симпозиум "Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников" (Новосибирск -1938); Всесоюзное совещание "Химическая связь,электронная структура и физико-химические свойства полупроводников и полуметаллов" (Калинин - 1985); Всесоюзная научно-техническая конференция "Материаловедение' халькогенидных и кислородосодердащих полупроводников" (Черновцы - 1986); II Всесоюзная конференция "Структура и электронные свойства границ зерен в металлах и полупроводниках" (Воронеж - 1987); XII Всесоюзная конференция по микроэлектронике (Тбилиси - 1987); Координационное совещание "Электронная плотность,' химическая связь, физико-химические свойства твердых тел" (Москва - 1988);. II Всесоюзная конференция "Физические основы надежности и деградации плупроводниковых приборов"

шин ев - 1986); Мелду народ пая конференция -fio -шкроодектронике и '(Югославия).- 1989); X Всесоюзная конференция по Физике ио-роводников (Минск - 1985); Международная конференция "Некрнс-:личёские. полупроводники - 89" (Ужгород - 1939); Международный шозиум по бору н боридам (Варна (Болгария) -.1978; .Всесоюзный гинар "Аморфные гидрированные полупроводники и их применение" нинград - 1991); Международные-конференции "Аморфные полупро-¡ники: наука и технология": Прага (ЧССР) - 1987,' Дщевиль (США) (9, Рарнищ-Партенкйрхен (ФРГ) ~ 1991., Кембридж (Вел1!ко0р1гтания У г 1393.

Структура диссертации. Диссертаций состоит из., введения, 'Н глав, заключения и выводов( изложенных Страницах ма-

юписного текста, . включая^ рисунков, таблиц и список лигатуры игнаименований.

.Во введении обоснована акту&шюсть-и новизна данной -рабо--

сформулирована цель и научные задачи, решаемые в диссерта--к Кратко'охарактеризован личный вклад автора в /научные ре-[ьтаты, полученные в диссертации, Сформулированы научные поло-[ия,-вынссшые на защиту, и.их новизна. .//■

' В первой главе дается аналитический 'обзор, современных тео-Цческих и экспериментальных .исследований, особенностей 'элект-того строения, оптических' и электрических свойстт,- неупорядо-' шых полупроводников.. ' - . .

■ В-начале, главы анализируются работы'по.сильно легированным iyпроводнику,!, при этсм отмечается широкий спектр разброса ре-штатов теоретических исследований, обусловленный -знач'ительны-трудностями учета беспорядка в;расположении взаимодействующих )Мрв примеси з решетке полупроводника даже без учета возможно- • образования кластеров. Отмечается / что■ экспериментальные исс: ¡ования до наших работ не позволяли получить для оценки ре-штатов теоретических работ не только плотность электронных ;тояни.й в примесной подзоне, но даже такого параметра,.каЕ-ТШг-¡а примесной зоны. Наиболее адекватные данные но' плотности

12 " ; электронных'состояний в твердых растворах .з'амещёния дает молод ларное (кластерное) Приближение когерентного потенциала, учит1 вадее различие энергий связи валентных оболочек изоваяентш ' атомов-. . Однако проведение 'таких расчетов в различных системах определенным ¿нагом по составу,' 'необходимых, для. получения' комщ 8ИЦЖШЫХ . зависимостей элекгронко-унергетических параметре! требуют'значительных затрат'машинного времени не смотря на-усш хи в вычислительной технике; - Отмечается-ряд особенностей в ш позиционной зависимости, оптических характеристик твердых растй ров'и т.д'.'Далее рассматривается различные представления Об ю бон'ностях электронного , строения цих- проявление в оптических электрических свойства', аморфных .полупроводников. Анализируют! работы по .учету, топологического и количественного' беспорядка, такие .возмоднйх дефектов, па. плотность дёжжачизованных' и лока зоващшх • алаггройний состояний,- различные/модели для -эиергет ческой зависимости плотности состояний,., используемых для ошк ния- реальных'свойств. 'В.конце главы рассматривается'возможное .'наиболее .распространенных-зкспершеитальикх• методов в исследов шш плотности электронных состояний в полупроводниках: оитиче как' .спектроскопия,' фотоэлектронная спектроскопия и ршшшск спектроскопия.. При этом- отмечается, .что'только рентгенирск 'спектроскопия,- в силу наличия в матричном элементе вероятнЬс рентгеновского перехода'остовнон волновой функции,' дает прям • шфрцацшо.о-локальной плотности электронных состояний, • сущес венно -более информативную характеристику особенностей электрс ного строения..неупорядоченных. систем,- чем присоединенная г полная Плотность электронных состояний. В заключении, главы, основе аналитического обзора дается обоснование для• нроьеде! данной ■ диссертационно)! работы, определяется круг исследуеь вопросов и решаемых проблем.

Во второй главе рассматривается методики рентгенхиектра' пых исследований, используемые в работе. Основные результаты,!

еиы па известных рентгеновских спектрометрах РКП ЬОО и c'AW-1 ПО "Буревестник"). Поэтому достаточно подробно рассматривают-толысо оригинальные методики. Подробно рассматривается вопрос • лубине .анализа в ультрамягкой и ш кой области спектра, очень . ный при исследовании тонких пленок, и дается эксперимента^" \ зависимость глубины анализа от энергии всзбу.гдающих спектр-ктронов в области Ьг, з'Спектра кремния, полученная на 'спект-етре-монохроматоре РСМ-500 с помощью эталонных структур. В' ^ це главы достаточно подробно рассмотрен вопрос об используе-в работе Фурье-обработке.спектров для проведения корректного . аливания и последующего дифференцирования спектров при:знали-, тонкой структуры, .и повышения разрешающей способностиметода ■ тгеновскоп спектроскопии. Для : твердых растворов приводится' ма совмещения рентгеновских спектров разных компонент и-рён?-оэлектро.нных спектров в' единую энергетическую шкапу- на оско-' .ии измерений энергий остовных уровней на электронных сиектро--pax IEE-15, НР-5250А и ES-100. .' \

. В третьей- главе анализируются результаты исследования ,зако-. : [ерностей электронного строения кремния,. имплантированного- до-'Ной примесью (мышьйк, сурьма) з широком интервале доз от 10° .

104 мкКул/см2 (1 м!сКул/см2 = б,2*Ю12 Ион/см').. При этом сматриваются результаты .изучения-локальной плотности состоя- • ; в поверхностных. слоях кремния непосредственно, после пмнлаи-да.и после различных отжигов: технологических в окислительной де, вакуумтермических.и импульсного оптического. IV-работе но- . ано, что анализ локальной плотности позволяет почувствовать.. ' )екты амортизации поверхностных слоев кремния после имчлллта-i доз больших, чем loV мкКул/см2, а при отжигах по .плотности' . ■тояний одновременно фиксировать ш процесс восстановления ■■ статической.решетки, так и процесс активации донорной приме- -' На рис. i приведены для иллюстрации- S1 спектры'.в''исход-'. : пластине -кремния с концентрацией примеси гЫ5 смУ.Ш, нос-

/7 л

Г.—,"'1-1-!"■"■ Г".....i I-I-г-)"^77, ■*

. 80 90 . ¡00 .

Рис.1,- 51 Ьг 3- спектры в - кремнии с концентрацией прИме 1045 сн"' в аморфном.'кремнии ( 2) , после инпла

.'• ТацИИ нышьяка Дозой'МО3 НкЦул/снг(}) и последующе отвага при Т=ЮоЬ0С (4), ' • /после имплантации 1 »|кКул/с(1г (В)."И отжига при Г=1000° С (6) н 6 пол кристаллическом ионоарсенняе е.реиння (7).

е юшакташш мншьяка дозой 103 мкКул/сн2- (3) и после 'его от): а при температуре 1000°С (4), и для сравнения - спектр пленки .мсрфнсго кремния (2). На спектре М4 хоросо виден.каксвмуй I), сспслсхениий на расстоянии 0,9 í 0,1 зВ от пртолка.-'валентной сны £у, обусловленной перекодами с доясрной подзоны на 51 ,9, ^-уровень. В' работе установлено, что интенсивность-этого ыап-:имума имеет логарифмическую зависимость от концентрации электрически активш лоиоров /Ц: о = л*1огИ0 + В, а его полуширина,-определяемая суммой пкрин примесной зоны, 31 Ерз/г-уровня'н аи-(аратурпым усиреиием,'. примерно 'линейно зависит .от • концентраций 'о. Это означает,- что щиша примесной зоны тике линейно завили с'т Но, т.к. в эксперименте последние два фактора., 'влиящгз !а полупирйну- лшш, из шились. • В работе установлена та; ¡то при достаточно Солы:::*:; догзд- имплантации •Дбо.пе^, .-503 •;сКул/с:г) в процессе отлигоп,- ^особенно тер'ичесюи, -ндегоОра-везайие кластеров химического соединения кршай.с- соответствую- -мей лсворпсЯ примет,' т регистрируемое дн]г-актсметрпческЦй-ие- -тедем, резко уме!;ь!;'г'оИ!Н-з;[.;г'е1П1Ш!!ссть легирования, .¡¡а:рнс-:1.,зто' продемонстрировано 31 ±г, з~спектрами, в «рёшнш"сразу после имп-лазггацпп-104 м::Кул/с!г ыыльяка (5), после от:пнга при ЮОО^С (0-), а гакльв' поликрпста&шческо;-! шноарсенпде кремния' ("')•■ ' ..-' ..

3- четвертой главе представлены результаты исследования-,'.1о-' ' казной плотности электронных состояний в полупроводников";;-твердых раствора?;. Прелое исегр . рассмотрены ■ твердый, 'раствори СТР> с ' изовалештгмм замещением на основе-соединений типа ■! Лналйз. результатов, ' как о гамюшшй, так и .с'-анфшшм -за^ецепи-. ем, • показывает ¡- что наличие • шзйозкцйошюго .беспорядка;.ируводит ' к появлению тонкой структуры в, локальной- -плЬтесстп'-'состояний атомов,- как Находящихся в--'позициям, вокруг.коТ'орИХ.' происходит ' замещение, т.е.. в результате изменений -в'непосредственном. Ь?ру-,. ленпп, тж. .и '• находящихся в подрейетке переменного.состава. В последнем случае усложнение плотности состояний яроисяоХит -^лгк.

годаря влиянию счлтсрядка в потенциале через соседнш иодрс-йч-т-ку. В рас'оте-показано, . что в ТР на основе Л'-1ВЬ композиционный беспорядок возможен, |ж-с чисто статистическим вамещеииеы-ато-мов в'подрешетке в соответствии с распределением Пуассона, таг и с образованием щкрогластеров бинарных, соединений. О- первом случае наблддается плавное изменение всех-энергетических, параметров электронной, '.структуры, ог .состава (А1хСа]-хА5), во.-втором ыогут происходить резкие йзыеиошш в локальной- плотности • электронных состояшш при 'переходе от области .связного пространства одного-' соединения"-к другому. {ба/\31-хР.х). На' рис.2- приведены .для 'примера А1 КЗ-, 'АГ 1-2/3'. .Аз".Н4/5-".Йте'Э спектру '¿ля ТР А1.0, бОДо .4Лз (а), отрайдаше распределение' соответственно А1. Зр-, Л1 ■ Зз(с1)-, Аз 4р- }Гполной плотности- состояний-. Видно, что-если полная плот. кость передает состояния всех атоцов, То локальная плотность позволяет 'филировать наличие .уекато:,июго^запмодгастЬ1[й.1а!с о распределении р-состоянр ащйшз "имеется п'лечо, сботчетствущё?!' ц'рло-" ж'еййо- глденога ыапсичуйа ;А1: Зр-сортояшШ 'и цаобброт в распределен •'НИИ А1 й Зз-сосд'оя)йШ и гшеется особенность¿йусловлйнш Вгажшелотвлем с Аз с/осгршйям)г. Кроме того,: при .Солыш со-дерлшияК шия (к < о;б) ¿бдизй главного. ыагеиыуш А 1зз:состояний появляется дойолнитеЛшал структура;. оОуеловлйниэд' ¡йаимодей-' ствМ с з-сострянйын' "ба. Из рис.'прйвёд^ш та1же.шШ'оаи-щюнййе аавйсимостйдля ;Ш0ртйи .ср&й ;р-состоякий мышьяка, у ' вершины валентной 8ону в ТР Мх^-дАё' 'и. 'баДг 1 - иллюстрирующие их различное поведение в ¿авиешбеиз от характера беспорядка, .

В ТР- йзозалентного введения на осиоре соединений пн-ч к В'? ■й гетерс5валент11£)Г0. вамещения; /в-системах А2ВЬ; -. А23В;Д-.;.в которых в качестве .одного исходного соединения. выступают- халькогешщь! ■ ртути, . впервые экоперйентально. установлено.,: что .композиционный переход, о'бьйнаго полупроводника- (ОП) в бесщелевой исаднроводнйи (БП) в :8начйТ5ЛЬЦрй мере, обусловлен 'резонансным. отталкиванием. р-состояний хальког.енов, .формйрунйи - потолок'-'ваяентной -воны ТР,

3.2- "д! Кд - , А1 ц. э-,. .. Дв. Н4 д - II'. Р'ФЭ '-спектры 9 ТР Сао. в А'з {;а) - и коппоз-иционкЗгг зависимость энергии -, связи ,р- состояний нуйьяка у вершины валентной зоны •5» "в тр ■ Д1х9а, _хАз (о) й саЛЗ;<».).■. ' • - ;

^состояниями ртути. В случае нзовалентного замещения аналитическая зависимость для композиционного изменения энергетического положения Еу имеет следующий вид:

|HdPlf III'dpi2

ДЕу(х) = х II —--г- + (1-х) Г, —-- ,

d (Ev " Ellf5d) . d (Ev - Ecd4d)

где Hdp ~ матричный элемент взаимодействия Hg 5d и К пр-состояний (К = S,Se,Te), a H'dp - .матричный зл?мент взаимодействия более глубоких Cd 4d- и К пр-состояннй. В случае гет.еровапентного вшещення формула для AEv{x) имеет более слояшкй вид,т. к.необходимо учитывать стехиометрические вакансии в катиоииой подрешетке На основании эш результатов и литературных, моделей, учнт-иваойих ■ релятивистские поправки, иа'«{: предлагается обобщенна! модель .перехода ОП -'ЕЛ, приведенная '.на рис.3, позволяющая впервые ЬОьйс-шггь наличие бес-щелевого состояния,во-всех щмогетщт ртути и положительный знак температурного коэффициента для ширины запрещенной годы в них п. в TP на щ основе. Далее в.работе • показано, что в TP Еычитгпия на. основе"соединений типа не возника-

ет дополнительных'особенностей в плотности состояний при-плавнем изменении их состава, а композиционные изменения--оптической ширины запрещенной зоны могут быть объяснены на- основе.резонансного взаимодействия d-состояний меди и р-состояний хачькогена. .

В пятой главе обсуждаются результаты исследований. особенностей электронного строения: аморфных- .пленок : пщрировэшюго кремния и.его.сплавов-с германием и азотом. Показано, что введение водорода в аморфный, кремний . приводит к появлению тонкой структуры в плотности валентных состояний, благодаря упорядочению структурной сетки и ст&ендо плотности локализованных состояний вблизи-.потолка валентной зоны Еу, -коррелирующих с величиной фотопроводимости (рис.4). При этом основной максимум плотности

V У :

Г, с/ . ^ С

.П' ^____

■ . : У- <? "К N

V.

/

/

V'

А

А

Ли

¿Еу(с!р)

Рис.3 Обобщенная модель .перехада'-.ОП'-бП- Б ТР саг.хНдх'Та-с учетом релятивистских поправок и а-р резонансного"отталкивания (д.Е7(с1,р)). .

Рис.4 Si La з' -спектры a. a-Si s H (1.) , • V-ffl:H с <á0, С 10a (2); lo3 (3) и lo4 (•',).

21 "••... локализованных состояний, находящийся в середине щели подвижное-' ти (Еу + 1 эВ). сильно зависит от условий получения пленки аморф-. кого гидрированного кремния и обусловлен оборванными связями атомов кремния внутри мпкропор, В работе показано, :что интенсивность рентгеновского спектра в области, соответствующей переходам лэ локашюовшшш состоянии, имеет логарифмическую-'зависимость от плотности состояний, как для донорных состояний в кристаллическом кремнии. Однако чувствительность метода' в аморфасм ¡фетиш примерно . на: 4 порядка'больше, чем в .кристаллическом, из-за сильной локализации волновых функций на.излуча'ощем атоме.."' На основе численной, калибровки этой. зависимости -с помечаю данных оптического поглощения п'иетода ЗПР, сделаны оценки ширины экспоненциального "хвоста"■ валентной зоны на различных толщинах слоев гидрированного крелнип.' '-' .

•Исследования локальна)' плотности электроинйх' -состояний в аморфных .сплавах переменного состава кремния -с.азотом, показали, что при малых' содержаниях азота в пленке.а-ЗШх:И (х < 0,15) обусловленный им композтш'онннй беспорядок приводит К заметпему расширения'экспоненциального "хвоста". При увеличении содержания азота (х >' 0,2) изменения'В электронной структуре могут быть обусловлены различии!, характером .кшпозициониоГо беспорядка, как чисто статистического, та; н -кластеризованного. В последнем случае концентрация -азота в' пленке определяет количество'.атомов кремния, полностью окруженного азотом. Для пленок, близких по составу к стехишетрическоиу .нитриду -кренит, обнаружена перест-' ройка энергетического распределения платности- локализованных состояний Кремния,обусловленная ¡захватом электронов.Прежде всего происходит ее •уменьшение- в области-энергии ЕУ+2,2 эВ и рост при + 4,7 эй, что свяеывается'с переходом-дефектов типа 0°(обор-.взннай связь на кремнии) в отрицательно.заряженное состояние.

В аморфных сплавах кремния с германием удаюсь ^впервые прямо

наблюдать снижение плотности локализованных состояний вблизи Ev при малых содержаниях германия,обусловленное упорядочением структурной сетки..С ростом, содержания германия в сплаЕе наблюдается сдвиг потолка валентной, зоны в сторону зоны проводимости, значение. которого соответствует изменению ширины запрещенной щели.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЬБОДЫ. ■

Использование единого подхода на основе экснериментэдышх данных о локальной плотности электронных состояний к исследованию полупроводников с различной степенью неупорядоченности .поз--воляет сделать, следующие выводы: ..

1. На основе анализа локальной электронной Плотности в полупровод никах различной'степени неупорядоченности от сильно легированных до аморфных впервые установлено .образование кластеров химических, соединений .приводящее 1С резкому изменению в характере компбзиционнЫх зависимостей электронного строения ».свойств.

2. Впервые экспериментально показано,что локальна! плотность злек тронных состояний обладает гораздо большей чувствительностью

"•■ к локализованным состояниям, .чем полная плотность состояний.

3. В сильно легированных полупроводниках при больших дозах имплантации. Возможно образование кластеров, в. которых происходит хшдаеское связывание'.примеси.в кластерах, препятствующее ее активации. Возрастание ширины примесной зоны имеет линейную зависимость от степени легирования полупроводника. '

4. В твердых растворах замещения на основе А3В5 локальная плотность состояний может иметь как плавные изменения при статистическом заполнений узлов, катионной подрешетки. так и резкие скачки при образовании кластеров бинарных соединений. В твер дых растворах GaAsi-xP* в точке перехода прямозонный.полупроводник - непрямозонный п/п происходит переход непрерывной сетки GaAs в сетку 6аР.

i;3

3 7Я*рл»х рггтгср:« нч основе хаикогелр.дов ртути переход з&чгши полупроводник. - OeamieBofi п/п в оиачнтельнои степени ¿иределяотся «1-з,р резонансом, приводящим к поднято.) потолка валентной эсни с ростом содержит ртути в твердой растворе. ■3 случае твердого раствора с гетерс-волеитиим замещением (Н^зТез)х / (ВДЪЬ-х с ростом содержания индия композиционный переход Ш - СИ ¡¡дет при балызем содержании ртути, чем в системе ТР СсЬ-хН^/Те, из-¿а быстрого роста числа вакансий з катиошюй подреиетке.

Изменение оптической запрещенной зоны в ТР вычитания Сиг-Х5 и Cdg-xSe обусловлено изменение»» энергетического положения потолка валентной зоны из-за резонансного характера взаимодействия 3ci-состояний меди и р-состояний хапькогена.Лекальная плотность этих твердых растворов, в отличии от ТР замещения, изменяется плаэяо с изменением состава ТР, без образования дополнительных особенностей.

На основе экспериментов с имплантацией аргона в гидрированный кремний впервые убедительно показано, что основной пик плотности ЛС в середине щели лодвюшости обусловлен оборванными связями в мнкроперал.

В пленка* a-SiIlx:il обнаружено сосуществованиекнастеров крем-, ния и нитрида кремния. Увеличение содержания азота ь пленке приводит к росту числа кластеров нитрида кремния. В пленках, близких по составу к сгехнеметрическому, -дефекты типа 0° (нейтральная оборванная связь на атоме кремний) образует'ЛС на расстоянии 2,2 эВ от потолка валентной золы, а !Г (заряженная 'оборванная связь) - 4,7 зВ.

Впервые обнаружен'эффект снижения . плотности • ' ЛС ь плевках

a-SiGex при малых концентрациях германия, а такле подъем но-толка валентной зоны с ростом содержания германия, соотв-етс-твующий изменению оптической ширины запрещенной зоны.'

По теме диссертации опубликованы следующие основные работы:

1. .Дсшзевская. Э.П..Терехов В.Л., Шарай В.Т./Электронное строение валентной зоны и природа межатомного взаимодействия в твердых растворах системы ВР-ВЛЗ.// Ш. -1977. -т. 19. N7.

2. Domashevskaja Е.Р., Terekhov V.A., Sharai V.T., Ugai la.Л./ The electron structure and interatomic iteration in the BPxASx-t systems.// J. Less-Comn. net. -1979. -v.67. -Iii. -p. 229-2.35. -c.1953-1957.

3. Домашевская Э.П., .Терехов В.A., Маршакова JI.Il., трухан B.W, /Электронное строение твердых растворов CCdi_xZi'!x) ц!3^ пс рентгеноспектральньш данным.// В кн. Химия и технология фосфидов и фосфвдосодершцих ашшов. -Киев. -1979. -С.Ю1-Ю2.

4. X-ray spectral and X-ray photoelectron spectral investigation of 'electron structure'of. solid solutions'in (ZnxC'd|-x); system. Doraashevskaja E.K, • Terekhov V.A., Marshakova L.H.

. ' et al.// Ргос. 1 Jut. sywp, Phys. and chew of. Il-V Comp. f/o-delany. Poland. -1980. -s.. 213-225.

6. Domashevskaja E.P,, Terekhov V.A.d-s,p resonance arid- electronic structure of compauds," alloys and solid solutions.//

... Phys. Stat (b). -1981. -v.105. -p. 121-127..

6. Рентгецоспектральные и рентгеноэлектронные исследовали: электронной структуры твердых растворов- в снсте: (Pdi-xZnx)3P2. Терехов В. А., Маршакова. Л.Н., (.'молеренко Э.М И др.//ФТТ/ -1982.'-Т.24. -HI. -с.283-286.

7. Терехов В.А.»Андреещев В.М., Голикова O.A. и др. /Рентгенос нейтральные и рентгеноэлектронные -исследования алектронн структуры твердых растворов.// Изв. АН СССР, сер.физ. -1982 -Т.45. -N4. -с.743-752.

8. Электронное строение халькогенидов меди по рентге.носпектрал ным и рентгеноэлектронным данным./Терехов В.А. .Кашкаров ВЛ: Горбачев В.В. ИДР.//Ш. -.1983. '-Т.25. -в.8. -с.243.':-2481

с5

Ценности электронного строения поверхностных слоев ион-' -легированного кремння но данным ультрамягкой рентгеновс-.1 эмиссионной спектроскопии. /Терехов В.А., Медведев Н.М., цреещев В.М.// Поверхность. Физика.Химия. Мех. -1934. -Мб. ■ .91-95, •

mshevskaja Е.Р. Jerekhov Y.A./ d-s.p and f-p resonance- in upounds and solid solutions.// Preceding of the Internati-al conference on the X-Ray and inner-shell proces in oms, moleculs and solids.// Leipzig. DDR. -1994. -357'-374. rekhov V.A., Kashkarov V.f,l., Domashevskaja E. P,/ Compare-ve analysis of XPS and XR3 data II, Substitutions solid lutions of A3B5, AZB6, AeB5 tupe and subtraction solid so-tions of A^-xB6 tupe.// Procedin? of the 5(|1' seminar on ectron spectroscopyof socialist conntries. Dresden.'1JDR.; 984. -p. 143-144. ' ..■'•.'

«ашше состояния в аморфных н кристаллических полупровод-[ках по данным ультрамягкой рентгеновской спектроскопии.// ■з. докл. XIV Всесоюзного еовепалия. по рентгеновской -и ¡нтгеноэлектронной спектроскопии.'Иркутск. .-1984. -с.40. фехов В. А. .Медведев Н.М. Л'ростянскии, С.Н. ,Домашевская-Э.П. Особенности электронного строения кремния понно-легирован->го мышьяком и'сурьмой.// Радиационная физика полунроводнп-)в. Тез. докл. -Ташкент: ФАН УзССР. -1984, -c.iBli. ' '■••'.: ютность состояний и фотопроводимость, аморфного кремния./Те-?хов В. А., Голикова 0. А., Домашевская Э.П. и др.//;$ТП. 1984. -т.18. -В.10. -с.1897-1899. ' imashevskaja Е.P., Terekhov V.A. -Electron structure and ' -s,p resonance in semiconducting compounnds arid solid sol.u- -ions.// Proc. Intern, conf. Phys.-akoi Techn.compensated =micond. Dep. Physics, Indian Institute of Technology. Mad- .: as. Indi. -1985. -p.39-44. • . • ;.. -'.,' ...'

грехов B.A., . Домашевская Э.П. ■ /Локализованные соаопшя '

кристаллических и аморфных полупроводников по данным ультрамягкой рентгеновской спектроскопии.// Изв. АН СССР. Сер.физ. -1985. -т.49. -N8. -с.1531-1534.

17. Домаиевская Э.П., Терехов В.А.'; /Особенности электронного строения полупроводниковых твердых растворов по данным рентгеновской и электронной спектроскопии.// Изв. АН СССР. Сер. фиэ. -1985. -Т.49. -N8. -с.1562-1566.

1В. Терехов В.А., Кажаров В.М., Домашевская 3,11. /Влияние

■ бсЬэлектронов ртути на захлопывание запрещенной щели в М4^1-хТе.// К Всесоюзная конференция по Физике полупроводников. Тез. докл. -ч.З. -Минск. -1985. -с.173.

19. Терехов В.А., Кашкаров В.М., Ильин Ю.Л., Доыашевская '3.11. /Рентгеноспектральные исследования электронного строения твердых'растворов-на основе АЭВ5.// Спектроскопия твердого тела. Препринт. -Свердловск. УЦЦ АН СССР. -1Э84. с. 18-21.

20. Терехов В.А., Тростянский С.Н., Домашевская Э.П./ Электронное строение и характер'Химической связи в .аморфных плешсах гидрированного кремния .по дачным ультрамягкой рентгеновской

' спектроскопии.// Тез. докл. ¡1 Всесоюзн. конф. "Квантовая химия и спектроскопия твердого тела. Свердловск. УНЦ АН

■ Си.?. .-1965. -с.171. :

21. Терехов В.А., Тростянский С.Н.., Домааевская Э.П. /Исследование гидрированного, аморфного '.кремния методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии.// Тез. докл. VII Всесоюзн. конф. по физике вакуумн. ультрафиолета и его взаимодействию с веществом. -Рига. -1986. -с.90.

22. Терехов В.А., Неврюева Е.Н., Доыашевская 3,11. /Ультрамягкие рентгеновские рентгеновские N4,5-спек.тры теллура, в твердых .растворах -;(1п2Тез)х(НдТе)1-х'.// Тез. догл! VI! Всесоюзной конференции по'физике вакуумного ультрафиолета и его взаимодействию с веществом. -Рига. ЛатвЛ'У, -1986. -с.94.

' 23. Влияние 5й-электронов ртути на захлопывание запрещенной зоны

в твердых рпстворач (>.!x!lgi-xTe. /В.Л.Терехов, В.М. Кыкароь,. Ю.А.ТетерИН и др.// ФТП. -1986. -т.20. -в.9. -с.1668-1661. Terekhov V.A., Domashevskaja Е.Р., Nevrjueva E.N. / XP3 and XR3 investigations of llg 5d-electr. influence on the inversion of bands in (ИцТе)(1п2Тез)х solid solutions.// Abstr. VI-th seminar on electron spectroscopy of socilist countries. Libice. -1986. -p.li.

Терехов B.A. Лростянскии С.II. .Домашевская Э.П. .Медведев II.М. /Определение концентрации электрически активной донорной примеси в поверхностных слоях кремния после имплантации и последующих отг.игов методом У!,(PC.// Тез. докл. Всесоязн. коиф. "Диагностика поверхности". -Каунас. -1986. -с.67. . Dsnsiti of states and photoconductioty of hudrogenated amorphous si 1 icon./ Terekhov Y.A., Trostyanskii 3.IJ., Dcnas-hevskaja E.P. et. al.// Fhys. stat. sol.(b). -1980. -v.138. -112. -p.647-653.

Densiti of states find photoconductioty . in .hudrogenated amorphous silicon./ Domashevskaja E.P., Golikova 0.A., Terekhov V.A., Trostyanskii S.N.// J. Non-Crust, solids. -1987. -v.90. -p.135-130.

Theoretical aid X-ray spectral investigations of density of states in amorphous si 1 ico-germanium layers./'Doinashevskaya E.P., DesyatirikovaE.il., Khokhlov A.F. et.al.//J.Non-Cryst. Solids, 1987.-v.90.-p. 1L7-130 ' . '

Changing of density cf states in amorphous silicon nitride at degradation of its electric properties using soft X-ray spectroscopy./ Agafonov A.I., Domashevskaya E.P., Terekhov V. A., et.al. //Abstr. XII. Int. conf. on amor ph. and liquid 3e-micond.Praga,1987.-p.l94

Электронная структура и химическая связь в нитриде кремния. /Домашевская Э.П., Тимошенко Ю.К.., Терехов В.А.• и др.//-В кн. Новые идеи в физике стекла. -И. -1987. -с.60-67.

31. Терехов В. А., Тростя некий С.Н. Joi-шевская Э.П. ,).(едьедкь Н.М /Плотность электронных состоянии в поверхностных слоях крем ния, имплантированного сурьмой, при термическом и оптическо отжигах.// Пов. физ. хим. ыех.ь-1987. -1110. с. 150-153.

32. ДомазеВская Э.П. .Терехов В.А. .Медведев Н.М. ,'Гростянский С.Н /Исследование плотности состояний ионно-легированном кремни методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии.// Фунда ментальные: вопросы ионной имплантант. . -Алма-Ата: Наука -1937. -с.181-199. '

33. Терехов В.А., Тростянскш? С.Н., Медведев 11.Н./ Влияние тер

! мического.и оптического отжига на электронные осостоянл

кремния имплантированного сурьмой.//'Тез. докл. XII Всесс юзя. конф. по шжроалектр. Тбилиси. -1987. .-ч. II I -с.185-185. / .

34. Changing of density of -statses In amorphous silicon nitric

• at degradation of its electric properties using soft X-n

spectroscopy./ Agafonov A.J,, Domashevskaya E.P., Terekhc V.A., et.al. // j.Kon-Cryst. Sol.m,1987.-v.97/93.-p.827-83C

35. Terekhov V.A., Domashevskaya E.P./. Lokalised states i amorphous and defect ■ semiconductors.// Abstr/ 14 Inter conf.X-Ray and Inter-shell Processes.France.-l987.-p.c-c.2;

36. Terekhov V.A., Timoshenko Yu.K., 'Trostyanskii S.H.. Doinai hevskaya Е.Р./ Localised states of'.silicon implanted by aj •gon.//.Abstr. 14 Int. Conf. on X-ray arid Inner-Shell, Proce:

. ses. Paris, France 1987,- p.c-e.22

..37. Изменение плотности локалиьованных состояний в поверхности! слоях' аморфного'-гидрированного кремния при..ьакууметрическ . отдаах.. / Терехов В.А., Тростянский С.Н., Селезнев А.Е Домаиевская Э.П.// Поверхность. -1988. 115. -с.74-78-.

38. Электронная структура и электрофизические свойства аморфно нитрида кремния., /Селезнев В.И., Попов Ю.М,. Рльдаров Г.Г. др./-/ Препринт ФИ АН СССР, -1988. -IJ1D9.

Энергетический < и<?к»|> лскалиэовштнч состоянии ам» .-i/Mii/Н слоев Si!lx. /Домакевскяя Э.1)., Курьямов Т.Д., Попов W.M. и др. // Письма в Я». -1930. -т. 15. -в.1. -с.84-86. ' Терехов D. А., Калтарсв В.М. ,Домашевская 3.1!. и др. /Электронное строение валентной зоны твердых растворов AlyGai-yAs и GaAsxPi-x по данным рентгеновской спектроскопии. // ФТП.-19Й9. -Т.23. -в.2. -с.263-273.

Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния./ Голикова О.А., Домааевская Э.П., Терехов В.А. и др.// $ТП. -1989. -т.23. -В.З. -с.450-455. The effect of composition and exposure to external .factors on the electronic structure of amorphous silicon nitride in memory devices. / (Jomashevskaya E.P., Seleznev V.N., Desyati-rikova E.!l., Terekhov V.A.// Ju.Proc. 17th Yugosl.- cotif. on microelectr., MiS, Yugoslavia, 1989.-v.2.-p.857-860. Electronic structure of a-oif^ abinitio .cluster calculations and soft X-Ray emission speclroscopu study./ E.P. Dom'as-hevskaya, Yu.K. Timoshenko, V.A. Terekhov et. o).// Abstr. 13th Int. conf. anorph. and liqvid semicond. -Ashe v.ills." USA. -1989. -p.22 pm 403.

Терехов В.А..Домашевская Э.П. /Электронное строение дефектов в аморфном кремнии по данным ультрдаягкой 'рентгеновской спектроскопии.//Матер, международной конференции. Некристаллические полупроводники - 89, -Ужгород. -1989.-т.З.-с.10-12. Влияние , температуры на плотность- состояний и свойства a-Si:Н. /Терехов В.А., Тростянский С.Н., Макеева R.H. и др.//'Матер, меящунар. .конф. Некристаллические полупроводники - 89. -Ужгород. -1989. -т.З. :с.41-43. ' • • • Электронная структура аморфного нитрида.кремния. /Домашевская Э.П., Десятирикова Е.Н., Терехов В.А. и др..// Матер. междунар. конф. Некристаллические .полупроводники - .89. -Уж- . город. -1989. -т.З. -с.53-55.

47. Electronic structure of a Si^k; ab. initio cm.¡ ci .:.,io¡ila-tions and soft X-ray emission spectroscopy study. • i^ras-' hevskaya Б.Р., iimosheiiko Yu.K., Terekhov У.л. tt.j.//j, lion-Crystal 1. Solids, ШУ.-v.ii-l. -p,495-407.

4». Kciilin Л.Л,, Terekliov V.A., Dotriasiievskaya Е.Р./ Software; foi x-ray aid XP Análisis.//Рюс.'лкЧ Intern. X-ray and Electr. Spectrosc. 4-7 sept. 1989, Madralin, Poland, p. HQ-117.

49. Ultrasoft X-ray emission as a method of thin. umm phous Layers investigation./ E.P. Dcraslievskaya,. E.'N. fesyatirikova, S.N. Trostyaaskii, V.A. Terekhov.// Wisstnschaifliche tagyn-gen dér Teclmishen ilniversitat Karl-Marx-Stadt. -1939. -N6. -p.206- 290.

bü. Ihe effect of- composition and exposuiu to external factors on the electronic strusture of air,orphans sil kvn-n.it.i ide ii> ¡шюгу device./ DomashevsS;aya E.P,, SelezneV V..K;, üesyati-ríkova E.N., Turekhov .V.A.//- Mic-roelecU . journal-, 1989.- v.Ш. -N.6. - p.11-18.

51. Domashevskaja E.P.',. Kevrjueva E.H. , Grushka G.G., üuvaleshko N.P., Terekhov V.A./ The electronic structure of the (1пгТез)х- (HgTe)i.x alloirs with inversion of bands.// Abstr. Fifteenth intern, conf.' on X-ray and Inner Shell Frocesse. Knox, vi lie. USA. -1990. -p.803-804.

62. Терехов B.A. Дростянский С.H..Медведев ILM. .Домааевская 3.II, /Электронная структура кремния, имплантированного аргоном, по данным ультрамягкой рентгеновской спектроскопии.// Поверхность. Фиэ. хим. мех. -1У90. -НЮ. -с. 103-108.

53. Electron structure of doped a-Si:И./'Terekhov V.A., •Trostyanskii S.N., Balagurov L.A. el. al.// Abstr. Foin teenth internal conf. on Amorphous seiiiiccrid-science and technology. Garmisch-Partenkirchen, BRD, 1991.-p.Ve-AS15.

54. Домашевская Э.П., Неврюева E.H., Грушка Г.Г., Баев A.U., Терехов В.А. /Влияние стехиометрических вакансий на поведепие

тепляка вапентной .зоны в твердых растворах (1п2Тез)х(HgTe)i-х-// ФГП. -1901. -т.25.' -в.5. -с.Ш-897. Плотность состояний "хвоста" валентной зоны и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния./О.Л.Голикова,Э.П.До-мшюви'ЛЯ,В.Л. Терехов и др.//ФТП.-1991.-т.25-в.0-с. 1448-1450. Исследование энергетического спектра локализованных состояний в объеме и на поверхности а-51:Н методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии. /Батагуров л.а., Карпова Н.Ю., Терехов В.А. и др.// ОТ. -1991. -т.33. -N10. -с.3033-3038/ Домашевская Э.П., .Лукин ,Д.Н., Терехов В.А-/ Электронное • строение и особенности оптических свойств моноарсеиида .кремния.// Электронное строение и свойства полупроводников и сегнетозлектршсов. -Воронеж: Из-во ВГУ. -1991. -с, 45-К>'. Влияние Бй-электронов ртути на положение- потолка валентной ■ зоны в тонких пленках Cdxlliii-*3/Э. П.Домашевская Д М, Капкаров,' В.А.Терехов и др//3лектронное строение и свойства иолупроводников и сегнетоэлектриков.-Вороне«:Из-во ВГУ.-1991-с.135-140, The electron bean Infl unce on'the electronic structure, of. amorphous siliccn nitride. / V. л;Terekhov, Yu.K. Tiiiiosl.enko, V.N.Seleznev, E. P.Domashevsk'aya.// Abstr. 15 Intel n. Conf, A<norph.Semicond. Science and Technol. •CanhrWge.UK, 1993,p.39.. Terekhov V.A., Trostyariskii S.H., Domashevskaya Е.Р./ USXE3 investigations of the localised states on a-5i':H surface.// Abstr..5 Conf. Applic. Surface and Interface.Analysis, Catania, Italy, 1993, p.'124.

Плотность дефектов в приповерхностной области аморфного гидрированного кремния./ О.Д. Голикова, Э.П. Домаиеьская', В.А. Терехов и др.// ФТП. -1993. -т.27. -в.9. Терехов В.Д., Селезнев В. 11., Ломакевскш 0.11.7 0 влиянии электронного пучка на энергетическое распределение локаишог. ванных состояний - в' аморфном нитриде 'ИИ, -1993.

-Т.27. -в.9. -с. 1577-1580. ■