Магнитные свойства метастабильных дефектов в полупроводниковых стеклах, кристаллах и наноструктурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА МЕТАСТАБИЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ

В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТЕКЛАХ.

§ 1. Установка для исследования магнитной восприимчивости твердых тел в условиях оптического облучения монохроматическим и немонохроматическим светом.

§ 2. Эксперимент.

§ 3. Результаты и обсуждение: магнитные свойства центров с отрицательной корреляционной энергией.

Выводы.

Глава 2. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ЦЕНТРОВ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ

КОРРЕЛЯЦИОННОЙ ЭНЕРГИЕЙ В CdF2.

§ 1. Образцы и методика эксперимента.

§ 2. Глубокий DX- центр в CdF2 (in).

Выводы.

Глава 3. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ АШBV,

ЛЕГИРОВАННЫХ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ.

§ 1. Магнитные свойства кристаллов фосфида индия, содержащих точечные центры иттербия.

§ 2. Процессы локального магнитоупорядочения в кристаллах InPlYb).

§ 3. Оптические свойства кристаллов InP^YT^j, обусловленные присутствием обменно-связанных парных центров и спин-поляронов, локализованных на мелких донорах.

§ 4. Квазимолекулярные центры и спин-поляроны в полупроводниках

ЛШ nV м А п , легированных редкоземельными металлами. а. Центры иттербия в кристаллах GdSb(^YI)j. б. Центры эрбия в фосфиде индия. в. Центры неодима в фосфиде галлия. г. Центры диспрозия в фосфиде галлия. д. Центры гадолиния в фосфидах галлия и индия. е. Центры европия в фосфиде индия.

§ 5. Редкоземельные центры в кристаллах ОС — LilO3.

Выводы.

Глава 4. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА САМОУПОРЯДОЧЕННЫХ

КРЕМНИЕВЫХ СВЕРХРЕШЕТОК.

§ 1. Диамагнитные свойства кремниевой подложки.

§ 2. Магнитные свойства поверхности кремния (100).

§ 3. Магнитные свойства границы раздела Si—Si02.

§ 4. Магнитные свойства сильнолегированных двумерных барьеров.

Выводы.

Глава 5. МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУР,

СОДЕРЖАЩИХ ЦЕНТРЫ РЕ ДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ.

§ 1. Кремниевые наноструктуры, содержащие центры эрбия.

§ 2. Магнитные свойства самоупорядоченных кремниевых наноструктур, содержащих центры эрбия.

§ 3. Эффективная внутрицентровая люминесценция из кремниевых наноструктур, содержащих центры эрбия.

Выводы.

Стремительное развитие опто- и наноэлектроники определяет неослабевающее внимание к твердотельным материалам с полупроводниковыми свойствами. В последнее время наряду с объемными кристаллами основными объектами изучения стали также различные низкоразмерные системы - наноструктуры [1-3].

Создание новых приборов твердотельной наноэлектроники базируется, прежде всего, на возможности управлять электрическими свойствами полупроводниковых материалов. Однако изучение всей совокупности экспериментальных данных свидетельствует об их неразрывной связи с магнитными и оптическими свойствами [4], которые во многом определяются формированием собственных и (или) примесных дефектов [5-7]. В свою очередь, точечные и протяженные центры, которые представляют собой разновидности примесных и собственных дефектов в полупроводниковых кристаллах и стеклах, характеризуются взаимосвязанностью зарядовых (спиновых) корреляций и электрон-колебательного взаимодействия [8], которая является причиной метастабильных свойств и компенсации кулоновского отталкивания электронов на центре. Причем, компенсация кулоновского отталкивания электрон-колебательным взаимодействием может быть весьма интенсивной, что стимулирует спонтанную диссоциацию одноэлектронных парамагнитных состояний с образованием пустых и двухэлектронных заряженных состояний, которая характеризует образование центров с отрицательной корреляционной энергией.

Фундаментальной проблемой физики конденсированного состояния является поведение магнитного момента в процессе исчезновения и генерации парамагнитных одноэлектронных состояний, на которое существенное влияние оказывает метастабильность центра, возникающая вследствие изменения его позиции в решетке кристалла при перезарядке. Изучение температурных и полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости как в отсутствие оптических воздействий на образец, так и при использовании различных источников монохроматического и немонохроматического излучения позволяет во многих случаях решить эту проблему и идентифицировать магнитные свойства метастабильных центров с отрицательной корреляционной энергий.

Результаты данных исследований представлены в настоящей диссертации, в которой магнитные, оптические и электрические свойства полупроводниковых стекол, кристаллов и наноструктур впервые рассматриваются в концепции поведения магнитного момента метастабильного центра с отрицательной корреляционной энергией, что определяет ее актуальность как в научном, так и в практическом отношении.

Цель диссертационной работы состояла в обнаружении и детальном исследовании магнитных свойств полупроводниковых стекол, кристаллов и наноструктур, которые обусловлены наличием метастабильных центров с отрицательной корреляционной энергией вследствие взаимосвязанности зарядовых/спиновых корреляций и электрон-колебательного взаимодействия, что потребовало решения следующих задач: создание установки для исследования магнитных свойств материалов под воздействием монохроматического и немонохроматического оптического излучения в широком спектральном диапазоне; экспериментальное наблюдение и изучение метастабильных дефектов с отрицательной корреляционной энергией, образованных оборванными связями в халькогенидных стеклообразных полупроводниках; изучение влияние DX — центров индия на магнитные свойства ионных кристаллов с полупроводниковыми свойствами CdF2; обнаружение и изучение магнитоупорядоченых квазимолекул Zt^Q^ а также образованных ими областей локального магнитоупорядочения - спинполяронов в соединениях типа АШBV и кристаллах LHO3, легированных редкоземельными элементами; исследование магнитных свойств примесных сверхрешеток, состоящих из последовательности квантовых ям и разделяющих их двумерных сильнолегированных барьеров, на поверхности кремния (lOO); исследование магнитных и оптических свойств кремниевых наноструктур, легированных эрбием.

Настоящая работа представляет собой первое комплексное исследование магнитных свойств полупроводниковых стекол, кристаллов и наноструктур в зависимости от зарядового и спинового состояния точечных и протяженных дефектов, которое определяет поведение магнитного момента при изменении температуры и внешнего магнитного поля.

Научная новизна работы заключена в создании основ нового направления в физике дефектов в полупроводниковых стеклах, кристаллах и наноструктурах - магнитные свойства метастабильных центров с отрицательной корреляционной энергией - и определяется следующими положениями, которые выносятся на защиту:

1. Температурные и полевые зависимости статической магнитной восприимчивости полупроводниковых стекол, кристаллов и наноструктур позволяют в условиях оптической накачки монохроматическим светом идентифицировать магнитные свойства метастабильных центров с отрицательной корреляционной энергией.

2. Метастабильные одноэлектронные состояния оборванных связей атомов халькогена и мышьяка, самокомпенсируются вследствие отрицательной корреляционной энергии, формируя электрические диполи, поле которых является ответственным за урбаховский край в спектральных зависимостях поглощения халькогенидных стекол.

3. Фотоиндуцированный парамагнетизм кристаллов CdF^ возникает вследствие метастабильности DX - центров индия, обладающих отрицательной корреляционной энергией.

4. Основной вклад в магнетизм кристаллов AniBv(Ln) вносят антиферроупорядоченные квазимолекулы LfljO^, которые трансформируются в ферроупорядоченное состояние посредством S—f - обмена через электроны мелких доноров. Конкурирующим процессом образованию одиночных ферроупорядоченных квазимолекулярных центров является формирование в области высоких локальных концентраций спин-поляронов, локализованных на мелких донорах.

5. Формирование в запрещенной зоне кристалла глубокого обменносвязанного уровня ферроупорядоченной квазимолекулы Z/7203 стимулирует оже-рекомбинацию неравновесных носителей, которая резко усиливает внутрицентровую фотолюминесценцию ионов Ln3+ в кристаллах

AinBv(Ln).

6. Самоупорядоченные кремниевые сверхрешетки проявляют диамагнитные свойства, которые обусловлены диамагнетизмом Ландау невырожденного газа свободных дырок в квантовых ямах, туннелирующих через синглетные состояния дипольных центров бора, В+ —В , внутри сильнолегированных двумерных барьеров.

7. S—f - обмен является ответственным за усиление парамагнетизма кремниевых наноструктур, содержащих квазимолекулы ^Г203, а также приводит к росту эффективности внутрицентровой люминесценции ионов

Научная и практическая ценность работы определяется применением температурных и полевых зависимостей статической магнитной восприимчивости, полученных в условиях оптической накачки монохроматическим светом, для изучения метастабильных свойств дефектов свойств в полупроводниковых стеклах, кристаллах и наноструктурах и заключается в идентификации магнитных свойств точечных и протяженных центров с отрицательной корреляционной энергией, спонтанной диссоциации одноэлектронных состояний оборванных связей и примесных центров в объеме и на поверхности полупроводниковых стекол и кристаллов, а также - в наноструктурах на их основе, процессов локального магнитоупорядочения в полупроводниковых кристаллах и наноструктурах, содержащих примеси редкоземельных элементов; в получении экспериментальных данных о формировании электрических диполей в процессе самокомпенсации центров с отрицательной корреляционной энергией, которые ответственны за урбаховский край в спектральных зависимостях поглощения халькогенидных стекол, за фотоиндуцированный парамагнетизм кристаллов CdF2 (It^J , за реконструкцию оборванных связей на поверхности монокристаллического кремния, за взаимосвязанность магнитных и оптических свойств двумерных сильнолегированных барьеров, а также - полупроводниковых кристаллов и наноструктур, содержащих примеси редкоземельных элементов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на

Республиканском симпозиуме по физическим свойствам сложных полупроводников (Баку, 1978), на II Всесоюзном совещании по глубоким уровням в полупроводниках (Ташкент, 1980), на VII Всесоюзной конференции по физике соединений А3В5 (Новосибирск, 1981), на VII Всесоюзном симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов (Ленинград, 1982), на Всесоюзном симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов (Свердловск, 1985), на Всесоюзной конференции "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов" (Кишинев, 1986), на VII Всесоюзной школе "Актуальные вопросы физики и химии редкоземельных полупроводников" (Махачкала, 1988), Всесоюзной школы по физике и химии РЗЭ (Красноярск, 1989), на Международном симпозиуме "Nanostructures: Physics and Technology" (Санкт-Петербург, 1996), на Международных конференциях NDTCS-97, NDTCS-98, NDTCS-99, NDTCS-2000, NDTCS-2001 (Санкт-Петербург), на 8е2 Международной конференции по центрам с мелкими уровнями в полупроводниках SLCS-98 (Монпелье, 1998), Всероссийской конференции по микро- и наноэлектронике МНЭ-98 (Звенигород, 1998), на научных семинарах кафедры экспериментальной физики СПбГТУ и Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 36 статей в ведущих отечественных и международных журналах. Библиографический список публикаций приведен в конце диссертации.

Структура диссертации. Диссертация состоит из Введения, пяти глав, Заключения и библиографии. В первой главе представлены результаты исследований магнитных свойств оборванных связей с отрицательной корреляционной энергией, которые самокомпенсируются с образованием электрических диполей. Рассматриваются возможности генерации и тушения магнитного момента дипольных центров в условиях оптической накачки монохроматическим светом, которые отвечают за формирование урбаховского края в спектрах поглощения и эффекта просветления в халькогенидных стеклах. Вторая глава посвящена изучению фотоиндуцированного

Выводы

Впервые исследованы магнитные свойства центров эрбия в кремниевых наноструктурах, демонстрирующие усиление парамагнетизма в условиях эффективного S—f- взаимодействия в низкоразмерных системах.

Исследование магнитных свойств кремниевых наноструктур, содержащих центры эрбия, показало, что обменное рассеяние носителей тока с переворотом спина стимулирует генерацию магнитных моментов квазимолекул Егп03 внутри кремниевых квантовых ям, тогда как туннелирование одиночных электронов (дырок) через заряженные квантовые точки приводит к возникновению магнитного момента как вследствие формирования ферроупорядоченного состояния квазимолекулярного центра Ег203, так и оже-процесса возбуждения квазимолекулы Ег203 из сингл етного в высокоспиновое состояние вследствие sp- f -гибридизации волновых функций.

Обнаружена эффективная внутрицентровая электролюминесценция иона Ег?+, входящего в состав квазимолекулы Ег203, содержащейся в кремниевой наноструктуре, которая обусловлена усилением Sp-У-гибридизации волновых функций в низкоразмерных системах.

Спектральная зависимость внутрицентровой электролюминесценции иона позволила идентифицировать его мультиплетную структуру в решетке

177 кремния, которая соответствует тригональной симметрии квазимолекулы

Ег203 .

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Создана установка для проведения измерений статической магнитной восприимчивости в условиях оптической накачки монохроматическим светом с целью изучения магнитных свойств метастабильных дефектов с отрицательной корреляционной энергией в интервале температур 3,5н-300АГ.

Температурные зависимости статической магнитной восприимчивости халькогенидных стекол As2S3, полученные в условиях оптической накачки, а также - спектры оптически индуцированного поглощения позволили идентифицировать процессы самокомпенсации метастабильных центров с отрицательной корреляционной энергией, образованных оборванными связями халькогена и мышьяка.

Экспериментально установлено, что наблюдаемая самокомпенсация является следствием спонтанной диссоциации при понижении температуры метастабильного одноэлектронного глубокого центра обладающего отрицательной корреляционной энергией, с формированием двухэлектронного

D~ и пустого состоянии:

2D0D~ + D++ \U\, где U — хаббардовская корреляционная энергия (t/<0).

Предложена модель глубокого метастабильного центра с отрицательной корреляционной энергией, в рамках которой двухэлектронные адиабатические потенциалы и эквивалентные зонные схемы демонстрируют механизмы спонтанной диссоциации при охлаждении халькогенидных стекол, а также -оптического тушения и регенерации одноэлектронных состояний оборванных связей при низких температурах.

Показано, что метастабильные оборванные связи халькогена и мышьяка самокомпенсируются с образованием электрических диполей, поле которых формирует урбаховский край в спектральных зависимостях поглощения. Обнаружено, что оптически индуцированная трансформация параллельно ориентированных электрических диполей в антипараллельные, которая контролировалась по изменениям в температурных зависимостях магнитной восприимчивости, приводит к исчезновению "урбаховского хвоста" в спектрах краевого поглощения, демонстрирующих "просветление" халькогенидных стекол.

Впервые проведены магнитооптические измерения температурной и полевой зависимостей статической магнитной восприимчивости кристаллов CdF2, содержащих DX - центры индия.

Обнаружен фотоиндуцированный парамагнетизм кристаллов CdF2 (in}, возникающий вследствие метастабильности DX - центров индия, обладающих отрицательной корреляционной энергией.

Впервые получены температурные и полевые зависимости статической Ат pF магнитнои восприимчивости кристаллов соединении А п , легированных редкоземельными элементами.

Экспериментально установлено, что основной вклад в магнетизм кристаллов AmBv(Ln) вносят квазимолекулы Ln203, внутри которых пары ионов Ln3+ антиферроупорядочены вследствие обменного взаимодействия Блумбергена-Роуланда через валентные электроны кислорода.

Обнаружено, что при низких температурах квазимолекулы Ln^O^ захватывают электроны с мелких доноров, которые посредством S—f- обмена трансформируют пару ионов из антиферро- в ферроупорядоченное состояние. Конкурирующим процессом образованию одиночных ферроупорядоченных квазимолекулярных центров является формирование в области высоких локальных концентраций Ln^O^ спин-поляронов, локализованных на мелких донорах.

Впервые показано, что одиночные ферроупорядоченные квазимолекулярные центры hn^O-^ и спин-поляроны, локализованные на мелких донорах, характеризуются в кристаллах AmBv[Ln) большими значениями констант S—f- обмена вследствие сильного электрон -колебательного взаимодействия и могут рассматриваться как аналоги метастабильных центров с отрицательной корреляционной энергией.

Впервые показано, что образование областей локального магнитоупорядочения - спин-поляронов позволяет полностью описать фотоэмиссионые спектры кристаллов IftP(Ybj.

Впервые показано, что формирование в запрещенной зоне кристалла глубокого обменно-связанного уровня ферроупорядоченного квазимолекулярного центра стимулирует оже-рекомбинацию неравновесных носителей, которая резко усиливает внутрицентровую фотолюминесценцию ионов в кристаллах

Установлено, что формирование спин-поляронов, локализованных на мелких донорах, приводит к суперпарамагнетизму кристаллов А^ В^ (Lvij при низких температурах.

Данные ЭПР и поведение температурных зависимостей магнитной восприимчивости кристаллов СС—ЫЮ3, содержащих примеси редких земель, свидетельствуют об интенсивном формировании антиферроупорядоченных квазимолекулярных центров редкоземельных элементов при их введении в кристалл.

Обнаружены диамагнитные свойства поверхности монокристаллического кремния (lOO), которые обусловлены диамагнетизмом Ландау невырожденного двумерного газа свободных носителей тока, туннелирующих через синглетные состояния димеров, сформированных в результате реконструкции поверхностных оборванных связей.

Установлено, что граница раздела кремний - окисел демонстрирует парамагнитные свойства вследствие процессов магнитоупорядочения как одноэлектронных, так и двухэлектронных состояний оборванных связей, которые описываются в рамках парамагнетизма Кюри и ван-флековского парамагнетизма.

Обнаружено, что самоупорядоченные примесные сверхрешетки в кремнии проявляют диамагнитные свойства, которые усиливаются при низких температурах в слабых магнитных полях.

Показано, что подобное поведение может быть обусловлено диамагнетизмом Ландау невырожденного газа свободных дырок в квантовых ямах, туннелирующих через синглетные состояния примесных диполей которые обладают свойствами центров с отрицательной корреляционной энергией внутри сильнолегированных двумерных барьеров.

Впервые исследованы магнитные свойства центров эрбия в кремниевых наноструктурах, демонстрирующие усиление парамагнетизма в условиях эффективного S—f- взаимодействия в низкоразмерных системах.

Показано, что обменное рассеяние носителей тока с переворотом спина стимулирует генерацию магнитных моментов квазимолекул Ег203 внутри кремниевых квантовых ям, тогда как туннелирование одиночных электронов (дырок) через заряженные квантовые точки приводит к возникновению магнитного момента как вследствие формирования ферроупорядоченного состояния квазимолекулярного центра Ег203, так и возбуждения квазимолекулы Ег203 из синглетного в высокоспиновое состояние вследствие оже-процесса, обусловленного sp- f - гибридизацией волновых функций.

182

Обнаружена эффективная внутрицентровая электролюминесценция иона Ет*^+, входящего в состав квазимолекулы содержащейся в кремниевой наноструктуре, которая обусловлена усилением sp-f- гибридизации волновых функций в низкоразмерных системах.

Спектральная зависимость внутрицентровой электролюминесценции иона позволила идентифицировать его мультиплетную структуру в решетке кремния, которая соответствует тригональной симметрии квазимолекулы

Ег203 .

183

В заключение я хочу высказать глубокую благодарность моему учителю доктору физико-математических наук, профессору В.Ф. Мастерову, к сожалению, рано ушедшему из жизни, которому во многом принадлежала идея проведения настоящей работы. Я признателен доктору физико-математических наук, профессору В.К. Иванову, заведующему кафедрой экспериментальной физики СПбГТУ, за поддержку и создание оптимальных условий на последнем этапе выполнения работы. Я глубоко благодарен доктору физико-математических наук, профессору Н.Т. Баграеву за многолетнее плодотворное сотрудничество в проводимых исследованиях, благодаря которому представленная работа выполнена в полном объеме. Я искренне признателен всем моим коллегам и соавторам за сотрудничество и консультации по теоретическим и экспериментальным вопросам выполнения отдельных частей данной работы: доктору химических наук, профессору JI.H. Блинову, доктору физико-математических наук, профессору А.И. Рыскину, доктору физико-математических наук, профессору С.А. Казанскому, кандидату физико-математических наук К.Ф. Штельмаху, доктору физико-математических наук, профессору Б.Е. Саморукову, доктору физико-математических наук, профессору Ф.П. Кесаманлы, кандидату физико-математических наук В.А. Касаткину, кандидату технических наук Л.Ф. Захаренкову, В.П. Савельеву, М.Э. Дурачу, кандидату физико-математических наук Л.Е. Клячкину, кандидату физико-математических наук A.M. Маляренко.

1. Chenming Ни // Silicon nanoelectronics for the 21-st century". Nanotechnology,1999, v.10, p.113-116.

2. T.J. Thornton // Mesoscopic devices. Rep. Prog. Phys., 1994, v.58, p.311-316.

3. F. Capasso, S. Datta // Quantum electron devices. Physics Today, 1990, v.43, p.74-81.

4. C. Weisbuch, B. Vinter// Quantum semiconductor structures. Academic Press,1. Boston, 1991, 362p.

5. S.T. Pantelides // Deep centers in semiconductors. N.Y., Gordon & Breach, 1986, 777p.

6. А. Милне // Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М., Мир, 1977, 562с.

7. В.Ф. Мастеров // Глубокие центры в полупроводниках. ФТП, 1984, т. 18,1, с.3-23.

8. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov // Optical nuclear polarization and spin-dependentreactions in semiconductors. Mat. Sci. Forum, 1986, v.10-12, p.435-444.

9. H. Мотт, Э. Дэвис // Электронные процессы в некристаллическихвеществах, М., Мир, 1982, 662с.

10. Л.Н. Блинов // Магнитные свойства халькогенидных стекол. Журнал прикладной химии, 1999, т. 72, № 7, с.1057-1064.

11. И.Л. Лихолит, В.М. Любин, В.Ф. Мастеров, В.А. Федоров // Исследованиефотоструктурных превращений в пленках As2St) методомфотоиндуцированного парамагнитного резонанса. ФТТ, 1984, т. 26, № 1, с.172-177.

12. И.Л. Лихолит, В.М. Любин, В.Ф. Мастеров, В.А. Федоров // Фотопотемнение и фотоиндуцированный парамагнетизм в пленочных имонолитных образцах стеклообразного As2S^- ФТТ, 1988, т. 30, № 5,с.1500-1502.

13. A.V. Kolobov, S.R. Elliott // Photodoping of amorphous chalcogenides by metals. Adv. Phys., 1991, v.40, No.5, p.625-684.

14. N.T. Bagraev, L.N. Blinov, V.V. Romanov // Magnetic properties for metastable negative- U defects in amorphous semiconductors, in Int. workshop on NDTCS-2000, edited by A. Melker, St.Petersburg, Russia. Proceedings of SPIE, 2001, v.4348,p.l 19-124.

15. N.T. Bagraev, L.N. Blinov, V.V. Romanov // Magnetic properties for metastable negative- U defects in amorphous semiconductors. Sol. St. Comm., 2002, v. 121, No.8,p.417-421.

16. H.T. Баграев, JI.H. Блинов, B.B. Романов // Самокомпенсация метастабильных центров в халькогенидных полупроводниковых стеклах. ФТТ, 2002, т.44, № 5, с. 11-17.

17. S.G. Bishop, U. Strom, Р.С. Taylor // Optical induced localized paramagnetic states in chalcogenide glasses. Phys. Rev. Lett., 1975, v. 34, p.1346-1350.

18. S.G. Bishop, U. Strom, P.C. Taylor // Optical induced localized paramagnetic states in amorphous As. Phys. Rev. Lett., 1976, v. 36, p.543-550.

19. S.G. Bishop, U. Strom, P.C. Taylor I I Optical induced metastable paramagnetic states in amorphous semiconductors. Phys. Rev. B, 1977, v. 15, p.2278-2294.

20. И.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес // Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния. ФТП, 1981, т. 15, № 4, с.625-648.

21. P.W. Anderson //Model for electronic structure of amorphous semiconductors. Phys. Rev. Lett. 1975, v. 34, p.953-955.

22. H.T. Баграев, А.И. Гусаров, B.A. Машков // Спин-зависимые процессы в одномерных неупорядоченных системах оборванных связей в полупроводниках. ЖЭТФ, 1987, т.92, №3, с.968-987.

23. П. Нагельс // Электронные явления переноса в аморфных полупроводниках, в кн. Аморфные полупроводники под ред. М. Бродский, М., Мир, 1982, с. 146-198.

24. Э. Дэвис // Состояния в запрещенной зоне и дефекты в аморфных полупроводниках, в кн. Аморфные полупроводники под ред. М. Бродский, М., Мир, 1982, с.55-92.

25. S.C. Agarwal // Nature of localized states in amorphous semiconductors a study by electron spin resonance. Phys. Rev. B, 1973, v.7, p.685-688.

26. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov // Tunneling negative- U centers and defect reaction in solids. Sol. St. Commun., 1984, v. 51, p.515-520.

27. R.A. Street, N.F. Mott // States in the gap in glassy semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1975, v.35, No.19, p.1293-1295.

28. M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche // Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1976, v.37, No.21, p.1504-1510.

29. G.D. Watkins // Negative- U properties for defects in semiconductors. Festkoerperprobleme, 1984, v.XXIY, p.263-291.

30. VA. Grazhulis, V.V. Kveder, Yu.A. Osipyan // Investigation of the dislocated spin system in silicon as a model of one-dimensional spin chains. Phys. stat. solidi (b), 1981, v. 103, p.519-528.

31. K. Brower // EPR of a (00Si interstitial complex in irradiated silicon.

32. Phys. Rev. B, 1976, v.14, p.872-883.

33. H.J. von Bardeleben, J.C. Bourgoin // Identification of the arsenic vacancy defect in electron-irradiated GaAs. Phys. Rev. B, 1986, v.33, No.4, p.2890-2892.

34. R.A. Linke, T. Thio, J.D. Chadi, G.E. Devlin // Diffraction from optically written persistent plasma gratings in doped compound semiconductors. Appl. Phys. Lett., 1994, v.65, No.l, p.16-18.

35. T. Thio, R.A. Linke, G.E. Devlin, J.W. Bennett, J.D. Chadi, M. Mizuta // Writingerasable metallic patterns in insulating Al JJa^ As \DX. Appl. Phys. Lett.,1994, v.65, No. 14, p.1802-1804.

36. R.L. MacDonald, R.A. Linke, J.D. Chadi, T. Thio, G.E. Devlin // Thick plasma gratings using a local photorefractive effect in CdZnTeIn. Opt. Lett., 1994, v.19, No.24, p.2131-2133.

37. R.L. MacDonald, R.A. Linke, G.E. Devlin, M. Mizuta // Confirmation of the local nature of the plasma grating photorefractive effect. Opt. Letters, 1995, v.20, No.l 1, p.1322-1324.

38. A.I. Ryskin, A.S. Shcheulin, B. Koziarska, J.M. Langer, A. Suchocki,

39. I. Buczinskaya, P.P. Fedorov, B.P. Sobolev // CdF '.In —г.novel material foroptically written storage of information. Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, p.31-35.

40. U. Piekara, J.M. Langer, B. Krukowska-Fulde // Shallow versus deep In donorsin CdF2 crystals. Sol. St. Commun., 1977, v.23, p.583-587.

41. J.M. Langer 11 DX -like centers in solids (metastability, bistability and negative-U).

42. Reviews of Solid State Science, 1990, v. 4, Nos. 2&3, p. 297-307.

43. B. Koziarska, J.M. Langer, A. Suchocki, A.I. Ryskin, A.S. Shcheulin //

44. Holographic recording with the use of bistable centers in CdF2. Acta Phys.

45. Polonica A, 1995, v. 88,No.5,p. 1010-1012.

46. D.J. Chadi, K.J. Chang // Theory of the atomic and electronic-structure of

47. DX -centers in GdAs and AlxGaxxAs alloys. Phys. Rev. Lett., 1988, v. 61, No.7, p. 873-876.

48. D.J. Chadi, K.J. Chang // Energetics of DX -center formation in GaAs and

49. AlxGaxxAs alloys. Phys. Rev. B, 1989, v. 39, No. 14, p. 10063-10074.

50. A.S. Shcheulin, A.I. Ryskin, K. Swiatek, J.M.Langer// Deep-shallowtransformation of bistable centers in semiconducting CdF2 crystals.

51. Phys. Lett. A, 1996, v. 222, Nos.l&2, p. 107-112.

52. S.A. Kazanskii, A.I. Ryskin, V.V. Romanov // Paramagnetic susceptibility ofsemiconducting CdF2 '.In crystals: Direct evidence of negative-U nature of the

53. DX -like center. Appl. Phys. Lett., 1997, v. 70, No. 10, p. 1272-1274.

54. C.A. Казанский, А.И. Рыскин, В.В. Романов // Парамагнитнаявосприимчивость аддитивно окрашенных фотохромных кристаллов CdF2 :1п. ФТТ, 1997, т. 39, № 7, с. 1205-1209.

55. В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, К.Ф. Штельмах // Парамагнитный резонанс и релаксация трехвалентного иттербия в фосфиде индия. ФТТ, 1983, т.25, №5, с.1435-1438.

56. В.А. Касаткин, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков,

57. К.Ф. Штельмах // О состоянии примеси Yb в кристаллах InP. ФТП, 1982, т.16, №1, с.173-175.

58. В.А. Касаткин, Ф.П. Кесаманлы, В.Г. Макаренко, В.Ф. Мастеров,

59. Б.Е. Саморуков // Внутрицентровые переходы в фосфиде галлия. ФТП, 1980, т.14, № 9, с.1832-1833.

60. К. Тейлор, М. Дарби // Физика редкоземельных соединений. М: Мир, 1974, 374 с.

61. Н. Ennen, U. Kaufmann, G. Pomrenke, J. Schneider, J. Windscheif, A. Axmann// Rare earth activated luminescence in InP, GaP and GaAs. J. of Crystal Growth, 1983, v.64, p.165-168.

62. De Maat-Gersdorf, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan, P.C.M. Christianen, J.C. Maan // The 4 f -intrashell transitions of ytterbium in indium phosphide.

63. Mat. Res. Soc.: Rare earth doped semiconductors II, St.-Francisco, 1996, v.422, p.161-166.

64. В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, И.Л. Лихолит,

65. И.А. Терлецкий // ЭПР аксиальных центров иттербия в InP. ФТП, 1991, т.25, №8, с.830-833.

66. Н.Т. Баграев // Локализация электронов и оптическая поляризация ядерныхмоментов в полумагнитных полупроводниках. Изв. АН СССР, сер. физ., 1983, т. 47, №12, с.2331-2337.

67. В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков. // Магнитная восприимчивость кристаллов фосфида галлия, легированных редкоземельными элементами.

68. ФТП, 1978, т. 12, №8, с.1616-1618.

69. В.А. Касаткин, Ф.П. Кесаманлы, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов,

70. Б.Е. Саморуков // Влияние примесей лантаноидов на свойства GoP. Изв. АН СССР, Неорган, материалы, 1980, т.16, №11, с.1901-1905.

71. В.В. Романов, Б.Е. Саморуков // Магнитная восприимчивость кристаллов

72. GaP(Dy). Изв. ВУЗов, Физика, 1980, №9, с. 103-104.

73. Л.Ф. Захаренков, В.А. Касаткин, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков,

74. К.Ф. Штельмах // Спектроскопия ионов лантаноидов в фосфидах галлия и индия. В сб. "Тезисы докладов VII Всесоюзного симпозиума по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов". Ленинград, ЛПИ, 1982, с. 167.

75. Э.Л. Нагаев //Физика магнитных полупроводников. Наука, М., 1979, 432 с.

76. С.В. Вонсовский //Магнетизм. М: Наука, 1971, 1032 с.

77. С.Р. Bean, J.D. Livingston // Superparamagnetism. J. Applied Physics, Suppl.,1959, v. 30, No.4, p. 120S-129S.

78. Д.Г. Андрианов, Э.П. Бочкарев, В.П. Гришин, Ю.А. Карпов,

79. А.С. Савельев // Магнитная восприимчивость кремния, легированного гадолинием. ФТП, 1974, т. 8, с. 499-502.

80. Д.Г. Андрианов, Э.П. Бочкарев, В.П. Гришин, Ю.А. Карпов,

81. А.С. Савельев // Магнитные свойства и взаимодействие примесей вкристаллах Si(Gd). ФТП, 1978, т.12, с. 511-519.

82. Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, И.А. Меркулов, А.А. Лебедев, П. Юсупов //

83. Аномалии фотопроводимости в полупроводниках, легированныхмагнитными примесями. Письма в ЖЭТФ, 1980, т. 32, с. 212-216.

84. Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, И.А. Меркулов. // Оптическая поляризацияядер в полупроводниках с магнитными примесями. ЖЭТФ, 1981, т. 81, с. 2160-2174.

85. N.T. Bagraev, L.S. Vlasenko, A.A. Lebedev, I.A. Merkulov, P. Yusupov //

86. Exchange impurity levels and photoconductivity of semiconductors. Phys. Stat. Solidi (b), 1981, v. 103, p. 51-54.

87. N.T. Bagraev // Electron Localization on Defects and Optical Nuclear

88. Polarization in Disordered and Semimagnetic Semiconductors. Physica B, 1983, v. 116, p. 236-243.

89. H.T. Баграев, JI.C. Власенко // Локализация электронов при магнитномфазовом переходе в кремнии. Письма в ЖТФ, 1981, т. 7, с. 961-965.

90. C.M. Рябченко // Гигантские спиновые расщепления экситонных состоянийи оптически детектируемый магнитный резонанс в кристаллах А^В^ с магнитными примесями. Изв. АН СССР, сер. физ., 1982, т. 46, с. 440.

91. D. Heiman, Р.А. Wolff, J. Warnock // Spin-flip Raman scattering, boundmagnetic polaron, and fluctuations in CdMn)Se. Phys. Rev. B, 1983, v.27, p. 4848-4860.

92. H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann. // Luminescence of rare-earth ionytterbium in InP, GaP, GaAs, J. Applied Physics, 1985, v. 57, No. 6, p. 2182-2185.

93. B.A. Касаткин, В.П. Савельев // Возбуждение люминесценции иттербия вфосфидах галлия и индия. ФТП, 1984, т.18, № 9, с.1634-1636.

94. Н.Т. Баграев, Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин // Глубокие центры эрбия вкремнии. II. Эксперимент. ФТП, 1996, т. 30, с.1855-1864.

95. М. Taniguchi, Н. Nakagome, К. Takahei // Luminescence intensity andlifetime dependences on temperature for Nd doped GaP and GaAs. Appl. Phys. Lett, 1991, v. 58, No.25, p. 2930-2932.

96. В.А. Касаткин, В.Ф. Мастеров, В.П. Савельев, В.А. Харченко //

97. О механизме возбуждения внутрицентровой люминесценции иттербия в фосфиде индия. В кн. "Тез. докл. VII Всесоюзн. симпоз. по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов". Ленинград, 1982, с. 167.

98. В.В. Романов, К.Ф. Штельмах. // Распад твердых растворов лантаноидов вфосфиде индия. В сб. Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов", Кишинев, 1986, с.71.

99. Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, А.В. Каманин,

100. В.В. Мамутин, Б.В. Пушный, В.К. Тибилов, Ю.В. Толпаров, А.Е. Шубин // Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs. ФТП, 1984, т. 18, № 1, с.83-86.

101. N.T. Bagraev, V.V. Romanov // Magnetic properties and luminescence of- related centers in InP. Preprints of Int. workshop on NDTCS-2001, edited by A. Melker, St.Petersburg, Russia. Proceedings of SPAS, 2001, v.5, p.B22-23.

102. G. Aszodi, J. Weber, Ch. Uihlein, L. Pu-lin, H. Ennen, U. Kaufmann,

103. J. Schneider, J. Windscheif// Zeeman analysis of the ytterbium luminescence in indium phosphide. Phys. Rev. B, 1985, v.31, No. 12, p. 7767-7771.

104. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann //1,54 jum luminescenceof erbium implanted III - V - semiconductors and silicon. Appl. Phys. Lett., 1983, v. 43, No.10, p. 943-945.

105. G. Pomrenke, H. Ennen, W. Haydl // Photoluminescence optimization andcharacteristic of the rare-earth element erbium implanted in GaAs, InP and GaP. J. Appl. Phys., 1986, v. 59, No.2, p. 601-610.

106. K. Uwai, H. Nakagome, K. Takahei // Yb doped InP grown by metalorganicchemical vapor-deposition. Appl. Phys. Lett., 1987, v. 50, No.15, p. 977-979.

107. K. Uwai, H. Nakagome, K. Takahei // Er doped InP and GaAs grown bymetalorganic chemical vapor-deposition. Appl. Phys. Lett., 1987, v. 51, No. 13, p. 1010-1012.

108. В.Ф. Мастеров, B.B. Романов, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах // ЭПР ипарамагнитная релаксация гадолиния в InP. ФТП, 1982, т. 17, №5, с.948-950.

109. В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков. // Электронныйпарамагнитный резонанс Er^ в фосфиде индия. ФТП, 1987, т. 21, №2, с.365-366.

110. V.T. Gabrielyan, А.А. Kaminski, L.Li // Absorption and luminescence spectraand energy levels of and Ep+ ions in LiNbO^ crystals. Phys. Stat.

111. Sol.(a), 1970, v. 3, p.37-42.

112. K. Uwai, H. Nakagome, K. Takahei // Growth of erbium doped GaAs and

113. P by metalorganic chemical vapor-deposition using ЕгСНъС5На\ and

114. Ег(С5Н5^ J. of Crystal Growth, 1988, v. 93,Nos. 1-4, p.583-588.

115. J. Wagner, H. Ennen, H.D. Muller // Neodymium complexes in GaPseparated by photoluminescence excitation spectroscopy. J. Appl. Phys., 1986,v. 59, No.4, p. 1202-1204.

116. К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, B.B. Романов, И.А. Терлецкий,

117. С.В. Штельмах // Исследование состава, структуры и магнитных свойств фосфида индия, легированного европием. ФТП, 1990, т.24, № 8,с.1482-1485.

118. В.В. Романов, И.А. Терлецкий, К.Ф. Штельмах // О состоянии европия вфосфиде индия. ФТП, 1990, т.24, № 9, с.1584-1589.

119. Л.Ф. Захаренков, С.И. Марков, В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах // ЭПРфосфида индия, легированного европием. ФТП, 1985, т. 19, № 10, с. 1841-1843.

120. Н.Т. Баграев, Д.М. Дараселия, Д.Л. Джапаридзе, В.В. Романов,

121. Т.И. Санадзе // Магнитные свойства монокристаллов ОС—содержащих ионы редкоземельных элементов, ФТТ, 1990, т. 32, № 9, с. 2814-2816.

122. С.В. Алчангян, Д.М. Дараселия, Д.Л. Джапаридзе, Т.И. Санадзе // ЭПР и

123. РЧДН ионов Ег3+ в монокристаллах СС-ШОъ. ФТТ, 1989, т.31, № 3, с.268-270.

124. Н.Т. Баграев, А.И. Гусаров, В.А. Машков // Спин-коррелированный перенос электронов по оборванным связям в полупроводниках. ЖЭТФ, 1989, т.95, №4, с.1412-1429.

125. N.T. Bagraev, A.D. Bouravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin,

126. A.M. Malyarenko, S.A. Rykov // Self-assembled impurity superlattices and microcavities in silicon. Defect and Diffusion Forum, 2001, v.194-199, p.673-679.

127. Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, A.M. Маляренко, В. Гельхофф, В.К. Иванов, И.А. Шелых // Квантованная проводимость в кремниевых квантовых проволоках. ФТП, 2002, т.36, №4, с.74-95.

128. J. Robertson // Electronic structure of amorphous semiconductors. Adv. Phys.,1983, v.32, No.3, p.361-452.

129. E. Tossatti, P.W. Anderson // Two-dimensional excitonic insulators:1. Si and

130. Ge (l 11) surfaces. Sol. St. Commun., 1974, v.14, No.8, p.773-777.

131. C.S. Ting, D.N. Talwar, K.L. Ngai // Possible mechanism of superconductivityin metal-semiconductor eutectic alloys. Phys. Rev. Lett., 1980, v.45, No.14, p.1213-1216.

132. E. Simanek // Superconductivity at disordered interfaces. Sol. St. Commun., 1979, v.32,p.731-734.

133. Дж. Займан // Принципы теории твердого тела. М., Мир, 1974, 472с.

134. Е.Н. Poindexter, P.J. Caplan, В.Е. Deal, G.J. Gerardy et.al // The physics andchemistry of Si02 and Si—Si О2 interface. New York: plenum. 1988, p.299-508.

135. N.T. Bagraev, V.E. Gasumyants, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M.

136. H.T. Баграев, А.Д. Буравлев, E.B. Владимирская, В.Е. Гасумянц,

137. B. Гельхофф, JI.E. Клячкин, A.M. Маляренко, А. Незер, В.В. Романов,

138. C.А. Рыков // Квантовые точечные контакты в кремниевых наноструктурах. Тезисы Всероссийской конф. "Микро- и наноэлектроника 98" (МНЭ-98), Звенигород, 1998, с.46.

139. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, V.E. Gasumyants, W. Gehlhoff,

140. E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, A. Naeser, V.V. Romanov, S.A. Rykov, E.V. Vladimirskaya // Pair charge correlations in silicon nanostructures. Preprints of Int. workshop on NDTCS-98, edited by A. Melker, St.Petersburg, Russia, 1998, p.B 3-4.

141. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, V.E. Gasumyants, W. Gehlhoff,

142. N.T. Bagraev, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, A. Naser // Spin-dependent processes in self-assembly impurity quantum wires. Materials Science Forum, 1997, No.258.2, part 1-3, p.1683-1688.

143. L. Kouwenhoven, L. Glazman // Revival of the Kondo effect. Physics Word, 2001, January, p.33-38.

144. H. Мотт // Переходы металл-изолятор. M., Наука, 1974, 342 с.

145. R.N. Bhargava, D. Gallagher, X. Hong, A. Nurmikko // Optical properties of manganese-doped nanocrystals of ZnS. Phys. Rev. Lett., 1994, v.72, No.3, p.416-469.

146. A.Polman // Erbium implanted thin film photonic materials. J. Appl. Phys. 1997, v.82, No.l, p.1-39.

147. M. Stepikhova, W. Jantsch, G. Kocher, M. Schoisswohl, J.L. Cantin,

148. H.J. von Bardeleben // High temperature luminescence due to Er in porous Si. Materials Science Forum, 1997, v.258-263, p.1533-1538.

149. P.C. Zalm // Ultra-shallow doping profilling with SIMS", Rep. Prog. Phys., 1995, v.58, p.1321-1374.

150. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko,

151. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko,

152. M.M. Mezdrogina, A. Naeser, V.V. Romanov, S.A. Rykov // Optical and magnetic properties for erbium-related centers in self-assembly silicon nanostructures. Physica B, 1999, v.274, p.967-970.

153. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko,

154. V.F. Masterov, L.G. Gerchikov // The possible mechanism of excitation of the f-f emission from Er-0 clusters in silicon. Mat. Res. Soc.: Rare earth doped semiconductors, St.-Francisco, 1996, v.422, p.227-238.

155. Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров // Электронная структура комплекса Er-06в кремнии. ФТП, 1997, т.31, №9, с.1037-1044.

156. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin,

157. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin,

158. A.M. Malyarenko, M.M. Mezdrogina, V.V. Romanov, A.P. Skvortsov // Light emission from erbium doped nanostructures embedded in silicon microcavities. Physica B, 2001, v.308, p.365-368.

159. БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК РАБОТ АВТОРА, СОСТАВИВШИХ ОСНОВУ ДИССЕРТАЦИИ

160. В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков. Магнитная восприимчивостькристаллов фосфида галлия, легированных редкоземельными элементами. ФТП, 1978, т.12, №8, с.1616-1618.

161. В.А. Касаткин, Ф.П. Кесаманлы, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов,

162. Б.Е. Саморуков // Поведение редких земель во фосфиде галлия. В сб. "Тез. докл. Республ. симпоз. по физическим свойствам сложных полупроводников". Баку, 1978. с.4.

163. В.А. Касаткин, Ф.П. Кесаманлы, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов,

164. Б.Е. Саморуков // Влияние примесей лантаноидов на свойства GaP. Изв. АН СССР, Неорган, материалы, 1980, т. 16, №11, с. 1901-1905.

165. В.В. Романов, Б.Е. Саморуков // Магнитная восприимчивость кристаллов

166. GaPiDy). Изв. ВУЗов, Физика, 1980, №9, с.103-104.

167. В.А. Касаткин, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков,

168. К.Ф. Штельмах // О состоянии примеси Yb в кристаллах InP. ФТП, 1982, т.16, №1, с.173-175.

169. В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах // ЭПР ипарамагнитная релаксация гадолиния в InP. ФТП, 1982, т. 17, №5, с.948-950.

170. Л.Ф. Захаренков, В.А. Касаткин, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков,

171. К.Ф. Штельмах // Спектроскопия ионов лантаноидов в фосфидах галлия и индия. В сб. "Тезисы докладов VII Всесоюзного симпозиума по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов". Ленинград, ЛИИ, 1982, с. 167.

172. В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, К.Ф. Штельмах // Парамагнитный резонанс ирелаксация трехвалентного иттербия в фосфиде индия. ФТТ, 1983, т.25,5, с.1435-1438.

173. Л.Ф. Захаренков, А.М.Зыков, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков // Поведениемарганца в фосфиде индия. Изв. АН СССР, Неорган, материалы, 1983, т. 19, № 8, с. 1245-1249.

174. В.В. Романов, К.Ф. Штельмах. Распад твердых растворов лантаноидов в фосфиде индия. В сб. Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов", Кишинев, 1986, с.71.

175. Б.М. Буттаев, А.В. Голубков, В.В. Романов, М.В. Романова, И.А. Смирнов //

176. Электросопротивление и магнитная восприимчивость Tmi.xLaxS. В сб. "Тез. докл. Всесоюзн. школы по физике и химии РЗЭ", Красноярск, 1989, с. 14-15.

177. И.М. Аскеров, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, К.Ф. Штельмах // ЭПР имагнитная восприимчивость дефектных кристаллов АШВIV, легированных марганцем. ФТП, 1990, т.23, №7, с. 1305 1307.

178. Б.М. Буттаев, А.В. Голубков, В.В. Романов, М.В. Романова, И.А. Смирнов //

179. Tm!.xLaxS новая концентрированная Кондо-система. ФТТ, 1990, т. 32, №8, с. 2354-2362.

180. К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, В.В. Романов, И.А. Терлецкий,

181. С.В. Штельмах // Исследование состава, структуры и магнитных свойств фосфида индия, легированного европием. ФТП, 1990, т.24, № 8, с.1482-1485.

182. В.В. Романов, И.А. Терлецкий, К.Ф. Штельмах // О состоянии европия вфосфиде индия. ФТП, 1990, т.24, № 9, с.1584-1589.

183. Н.Т. Баграев, Д.М. Дараселия, ДЛ. Джапаридзе, В.В. Романов,

184. Т.И. Санадзе // Магнитные свойства монокристаллов CC—LilO3,содержащих ионы редкоземельных элементов, ФТТ, 1990, т. 32, № 9, с.2814-2816.

185. N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, V.V. Romanov // High temperature single-hole silicon transistors. Preprints of Int. workshop on NDTCS-97, edited by A.

186. Melker, St.Petersburg, Russia, 1997, p.C2-8.

187. S.A. Kazanskii, A.I. Ryskin, V.V. Romanov // Paramagnetic susceptibility ofsemiconducting CdF^ '.In crystals: Direct evidence of negative- U nature of the

188. DX -like center. Appl. Phys. Lett., 1997, v. 70, No. 10, p. 1272-1274.

189. C.A. Казанский, A.M. Рыскин, В.В. Романов // Парамагнитная восприимчивость аддитивно окрашенных фотохромных кристаллов CdF2:In. ФТТ, 1997, т. 39, №7, с. 1205-1209.

190. V.Yu. Davidov, V.F. Masterov, I.G. Ozerov, V.V. Romanov, N.A. Sobolev, K.F. Shtelmah // Magnetic properties of implanted erbium layers in semiconducted. Preprints of Int. workshop on NDTCS-98, edited by A.

191. Melker, St.Petersburg, Russia, 1997, p.B-13.

192. N.T. Bagraev, V.E. Gasumyants, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M.

193. H.T. Баграев, А.Д. Буравлев, E.B. Владимирская, B.E. Гасумянц,

194. B. Гельхофф, JI.E. Клячкин, A.M. Маляренко, А. Незер, В.В. Романов,

195. C.А. Рыков // Квантовые точечные контакты в кремниевых наноструктурах. Тезисы Всероссийской конф. "Микро- и наноэлектроника 98" (МНЭ-98), Звенигород, 1998, с.46.

196. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, V.E. Gasumyants, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin,

197. A.M. Malyarenko, A. Naeser, V.V. Romanov, S.A. Rykov, E.V. Vladimirskaya // Pair charge correlations in silicon nanostructures. Preprints of Int. workshop on NDTCS-98, edited by A. Melker, St.Petersburg, Russia, 1998, p.B 3-4.

198. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, V.E. Gasumyants, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, A. Naeser, V.V. Romanov, S.A. Rykov,

199. E.V. Vladimirskaya // Pair charge correlations in silicon nanostructures, in Int. workshop on NDTCS-98, edited by A. Melker, St.Petersburg, Russia, Proceedings ofSPIE, 1999, v.3687,p.l05-lll.

200. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko,

201. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko,

202. N.T. Bagraev, V.V. Romanov // Magnetic properties and luminescence of

203. Yb related centers in InP. Preprints of Int. workshop on NDTCS-2001, edited by A. Melker, St.Petersburg, Russia. Proceedings of SPAS, 2001, v.5, p.B22-23.

204. N.T. Bagraev, L.N. Blinov, V.V. Romanov // Magnetic properties for metastable negative- U defects in amorphous semiconductors, in Int. workshop on NDTCS-2000, edited by A. Melker, St.Petersburg, Russia. Proceedings of SPIE, 2001, v.4348,p.l 19-124.

205. N.T. Bagraev, A.D. Buravleuv, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, M.M. Mezdrogina, V.V. Romanov, A.P. Skvortsov // Light emission from erbium doped nanostructures embedded in silicon microcavities. Physica B, 2001, v.308, p. 365-368.

206. N.T. Bagraev, L.N. Blinov, V.V. Romanov // Magnetic properties for metastable negative- U defects in amorphous semiconductors. Sol. St. Comm., 2002, v. 121, No.8, p.417-421.