Механизмы и кинетика радиационно-химических процессов на поверхности ионных кристаллов тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.09 ВАК РФ

Введение

1. Анализ современных представлений о свойствах индивидуальных компонентов гетерогенной системы "щелочногалоидный кристалл - воздух"

1.1. Структура и объемные свойства щелочногалоидных кристаллов.

1.2. Структура и энергетические характеристики поверхности щелочногалоидных кристаллов

1.3. Радиационные и фотохимические процессы на поверх' ности щелочногалоидных солей

1.4. Радиационно-химические процессы в воздухе

2. Объекты и методы эксперимента

2.1. Подготовка объектов исследования

2.2. Дозиметрия источников излучения. Методы анализа облученных щелочногалоидных солей

3. Радиационно-химическое окисление поверхности щелочных иодидов

3.1. Спектрально-химическое определение продуктов окис' ления щелочных иодидов

3.2. Природа оксиданта и стехиометрия гетерогенного окисления.

3.3. Кинетические закономерности процесса

ЗЛ&Исследование радиационного окисления иодида руби' дия.

3.5. Радиационное окисление иодидов натрия и цезия . . 95 »

4. Моделирование процесса радиолиза воды на поверхности щелочногалоидных кристаллов

4.1. Определение природы активных частиц

4.2. Оценка диффузионного смещения свободных электронов и дырок до рекомбинации

4.3. Экспериментальное определение глубины выхода электронно-дырочных пар. . Ю

Взаимодействие воды с решеточными возбуждениями

4.5. Радиолиз воды на поверхности кристаллов хлорида и бромида калия

5. Термостимулированная люминесценция щелочногалоидных дисперсий.

5.1. Влияние состояния поверхности на термостимулиро-ванную люминесценцию кристаллов

5.2. Зависимость светосуммы люминесценции от радиуса кристаллов.

5.3. Экспериментальное исследование поверхностной локализации электронных центров

6. Механизм радиационно-стимулированного нитрования поверхности ионных кристаллов

7. Перспективы практического использования результатов исследования

Актуальность проблемы. Ускоренный рост атомной энергетики /I, 2/, расширение сфер применения радиоактивных изотопов и ускорительной техники /3/, а также экспериментально доказанное положение о повышенной химической эффективности преобразования энергии ионизирующих излучений на границе раздела фаз поставили специфическую проблему - прогнозирование свойств и управление поведением гетерогенных систем (к которым по сути относятся практически любые мыслимые объекты в природе и технике) в условиях воздействия радиационных полей. Прикладные аспекты радиационной физикохимии гетерогенных систем (РФГС), которая только начинает формироваться, весьма многообразны: они включают в себя задачи материаловедческого характера (известно, например, что пределы прочности и текучести циркониевых сплавов под действием облучения изменяются в худшем случае на несколько процентов, в то время как коррозия может возрастать более чем на порядок /V)» имеют непосредственное отношение к крупномасштабной химической технологии /5/ (в частности, получены веские доказательства перспективности использования высокоэнергетической радиации в качестве промотора в технологии промышленной адсорбции и гетерогенного катализа /б, 7/), к горнодобывающей промышленности и т.д. Самые общие положения РФГС оказывают влияние и на развитие естественно-научных представлений: на их основе, например, была высказана гипотеза об абиогенном происхождении жизни. Ярким показателем признания актуальности этого сравнительно нового направления в науке и технике явилась организация всесоюзных совещаний (Москва, 1976; Кемерово, 1979, 1982) и семинаров (Алма-Ата, 1983) по воздействию ионизирующих излучений и света на гетерогенные системы; включение вопросов влияния радиации на свойства поверхности твердых тел в программы всесоюзных конференций по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига, 1983), теоретической и прикладной радиационной химии (Обнинск, 1984), в план работы Научного совета АН СССР по химии высоких энергий и т.д.

Общность очень различных по конечному результаты радиационных гетерогенных процессов состоит в том, что энергия ионизирующих излучений поглощается в объеме всей гетерогенной системы, а сама зона непосредственного химического взаимодействия пространственно ограничена почти двумерным поверхностным слоем, собственные свойства которого к тому же зачастую неизвестны. Поэтому возможности создания универсальных методологических основ РФГС во многом определяются степенью решенности по крайней мере двух вопросов: I) принципы и линейные масштабы переноса энергии (массы) из объема взаимодействующих фаз к поверхности их контакта, 2) общие закономерности и специфические особенности химических превращений на границе межфазного раздела.

До настоящего времени преобладающая доля работ была посвящена исследованию промышленных катализаторов, адсорбентов и реальных конструкционных материалов. Сложность, а зачастую и неопределенность их состава и строения (во всяком случае, в приповерхностном слое), как правило, позволяет только констатировать сам факт изменения свойств поверхности или состава контактирующей фазы, но не дает возможности раскрыть физико-химическую сущность гетерогенных процессов. Более того, многофакторность сложной системы затрудняет систематизацию и обобщение отдельных экспериментальных фактов в рамках универсальных моделей. Естественным и, возможно, единственным выходом из сложившейся ситуации является изучение закономерностей гетерогенного радиолиза на простых по структуре и составу системах, достаточно хорошо изученных с точки зрения "объемных" радиационных процессов.

Для щелочногалоидных кристаллов - типичных и наиболее хорошо изученных представителей класса ионных диэлектриков -объем имеющейся информации, по существу, ограничивается качественной констатацией возможности образования оксидов щелочных металлов, гидридов, оксигалогенидов и нитратов при облучении солей на воздухе. Влияние контактирующей среды на оптические и люминесцентные свойства, на процессы дефектообразования, запасания энергии и ряд других важных характеристик облученных кристаллов до последнего времени практически не учитывалось; при обсуждении количественных аспектов размена энергии ионизирующих излучений роль поверхности в подавляющем большинстве работ игнорировалась (парадоксально, но так называемые нитевидные кристаллы изучались не с точки зрения развитой удельной поверхности, а лишь как объекты с низким содержанием структурных дефектов). Между тем анализ общей ситуации в области РФГС не только со всей очевидностью указывает на подобие свойств поверхности щелочногалоидных кристаллов и диэлектрических оксидов, но дает весомое основание считать, что именно с помощью щелочнога-лоидных солей могут быть получены наиболее надежные, воспроизводимые данные о кинетике и механизмах межфазных процессов.

Именно поэтому в настоящей работе в качестве объектов исследования были выбраны кристаллы щелочных галогенидов.

Цель и задачи работы. Целью настоящей работы является выяснение механизмов взаимодействия поверхности кристаллов щелочных галогенидов с компонентами воздуха при облучении, и изучение основных закономерностей этих процессов. В ходе работы решались следующие задачи:- определение стехиометрии и макромеханизмов реакций ради-ационно-стимулированного окисления и нитрования поверхности кристаллов;- исследование влияния различных факторов на кинетику этих процессов;- определение природы активных частиц, инициирующих реакции на поверхности, и линейных масштабов энергопереноса из объемов взаимодействующих фаз к поверхности контакта;- оценка влияния гетерогенных взаимодействий на процессы дефектообразования в щелочногалоидных кристаллах.

Научная новизна. В работе установлено, что окисление поверхности щелочных галогенидов осуществляется в результате радиолиза адсорбированной воды с выделением молекулярного водорода в газовую фазу облучаемой системы и образованием эквивалентного количества оксигалогенида щелочного металла. Показано, что разложение адсорбированной воды вызвано диссоциативным захватом термализованного электрона адсорбента.

В работе впервые экспериментально доказано, что длина диффузии свободных термализованных носителей заряда в щелочногалоидных кристаллах достигает 0,1 мм. Установлено, что в кристаллах радиусом до 0,1 мм основная часть электронов и дырок»генерированных излучением, диффузно выходит к поверхности и расходуется в межфазном процессе.

Обнаружено, что светосумма термостимулированной люминесценции облученных образцов хлоридов, бромидов и иодидов щелочных металлов зависит от радиуса кристаллов, состояния их поверхности и может меняться в пределах двух порядков. Предложена модель анизотропного распределения дефектов, ответственных за термостимулированную люминесценцию, предполагающая преимущественную локализацию электронных центров на поверхности, а дырочных - в приповерхностном объеме кристалла глубиной до 0,1 мм. Обнаружено, что уменьшение светосуммы термостимулированной люминесценции кристаллов после облучения обусловлено адсорбцией молекул воды на поверхностном электронном центре и сопровождается выделением водорода.

Доказано, что радиационно-стимулированное нитрование поверхности щелочногалоидных кристаллов осуществляется в результате адсорбции и диспропорционирования радиолитической двуокиси азота с образованием галогенида нитрозила и нитрата щелочного металла.

Практическая значимость. На основании результатов исследования механизма и закономерностей радиолиза адсорбированной воды могут быть разработаны практические рекомендации для выбора адсорбентов,перспективных в плане радиационно-каталитическо-го получения водорода, оптимизирована технология гетерогенного катализа по параметрам дисперсность катализатора - мощность дозы ионизирующего излучения. Определение механизма радиационного нитрования поверхности диэлектриков может являться основой для разработки эффективных методов борьбы с радиационной эрозией остеклованных радиоактивных отходов, радиационной коррозией оксидированных металлов и сплавов. Результаты исследования термостимулированной люминесценции кристаллов позволяют оптимизировать размеры термолюминесцентных дозиметров и радиолюминесцентных источников, условия их эксплуатации и хранения с целью повышения чувствительности, воспроизводимости результатов и снижения фединга. Доказательство макроскопического характера перераспределения поглощенной энергии излучения в твердых диэлектриках открывает новые возможности для целенаправленного поиска методов регулирования радиационных характеристик материалов, трансформации и использования энергии ионизирующих излучений.

Защищаемые положения:1. Модель радиационного окисления поверхности щелочногало-идных кристаллов и разложения адсорбированной воды, включающая движущие силы процессы и линейные масштабы переноса энергии из объема твердого тела к поверхности, кинетические и стехиометри-ческие закономерности процесса.

2. Механизм радиационно-стимулированного нитрования поверхности щелочногалоидных кристаллов.

3. Интерпретацию обнаруженного явления контактной деградации центров термостимулированной люминесценции и модель пространственного разделения локализованных дефектов электронного и дырочного типов в облученных щелочногалоидных кристаллах.

Результаты исследования механизма и кинетических закономерностей радиолиза адсорбированной воды и, в частности, данные по влиянию природы аниона и катиона основы на эффективность процесса, могут быть использованы для разработки практических рекомендаций по выбору адсорбентов, перспективных в технологии радиаци-онно-каталитического получения водорода. Отсутствие корреляций скорости процесса с шириной запрещенной зоны кристаллов и вывод о реализации процесса по механизму диссоциативного присоединения термализованного электрона предполагают, что эффективным катализатором не обязательно должен являться широкозонный диэлектрик. Если адсорбат при взаимодействии с дыркой не отдает электрона со связывающей орбитали в валентную зону кристалла (т.е. не акцептирует дырку), то энергия рекомбинации пары не ведет к его разложению, что тем более справедливо для молекулы воды. С другой стороны, увеличение ширины запрещенной зоны увеличивает и среднюю энергию образования пары электрон - дырка, что ведет к уменьшению в широкозонных диэлектриках эффективности генерации пар или химической эффективности использования энергии излучений. По-видимому, рекомбинационный механизм передачи энергии в адсорбированный слой может являться эффективным лишь в редких случаях и только для молекул с сильными электронодонорными свойствами.

Интересной особенностью радиолиза воды на поверхности ЩГК является разделение продуктов - накопление водорода в газовой фазе и связывание кислорода поверхностью. Экспериментальное доказательство принципиальной возможности такого процесса являегся основанием для разработки технологической схемы комплексно решающей проблемы получения радиолитического водорода из воды и разделения продуктов ее разложения.

Обнаруженный эффект перераспределения локализованных носителей заряда между поверхностью и объемом ионного диэлектрика, а также определение глубины активного слоя позволяют оптимизировать технологию изготовления термолюминесцентных дозиметров (ТЛД).

Существенная зависимость эффективности аккумуляции свето-сумм ТСЛ от состояния поверхности кристаллов и, в частности, возможность ее уменьшения на несколько порядков в присутствии адсорбированной воды, предполагает необходимость контроля в технологическом процессе влажности солей, как фактора, снижающего выход ТСЛ.

Изменение выхода светосуммы ТСЛ в пределах нескольких порядков и достижение максимальных величин при определенных значениях радиуса кристаллов - основание для выбора оптимальных размеров рабочего элемента ТЛД с целью повышения (или целенаправленного изменения) его чувствительности.

Тушение люминесценции кристаллов в результате адсорбции на них воды после облучения свидетельствует о недостаточности одной лишь свето- или термоизоляции рабочего элемента ТЛД, и для уменьшения потерь информации во времени хранения требует защиты поверхности от неконтролируемой адсорбции газов.

Доказательство возможности диффузионного смещения свободных носителей за время жизни на макроскопические расстояния (порядка 0,1 мм) служит стимулом к критическому анализу общепринятых на сегодняшний день моделей рождения, миграции и аннигиляции электронных возбуждений в кристаллических диэлектриках.

- 185

Анизотропия выделения энергии рекомбинации электронно-дырочных пар открывает новые возможности для поиска методов регулирования радиационных характеристик материалов, трансформации энергии быстрых частиц до уровней, пригодных для целенаправленного использования. В частности, позволяет оптимизировать радиолюминесцентные источники по энергетическому выходу: предварительные эксперименты, проведенные совместно с сотрудниками группы кинетики неравновесных процессов ИФ АН Латв.ССР, показывают, что на дисперсиях ЩГК в атмосфере инертного газа может быть достигнут энергетический выход рентгенолюминесценции, близкий к единице.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

I. С помощью абсорбционных, спектрально-химических и га-зохроматографического методов подтверждены данные о возможности радиационно-стимулировэнного окисления поверхности щелочногало-идных солей до состояния оксигалогенида соответствующего металла. Экспериментально доказано, что суммарная реакция реализуется в соответствии со стехиометрией уравнения

МЗ+З Н20— МЩ + ЗН2 глубина окисления определяется общим влагосодержанием системы, скорость гетерогенного процесса зависит от количества адсорба-та, дисперсности и химической природы кристаллов.

2. Анализом энергетического баланса гетерогенного процесса доказано, что радиолиз адсорбированной воды происходит в результате ее взаимодействия с низкоэнергетическими возбуждениями, переданными из объема твердого тела к поверхности раздела. Сопоставление радиационно-химического выхода разложения воды с выходом образования пары свободных ншсителей в кристалле позволяет оценить глубину активного в гетерогенном процессе слоя твердой фазы в 10-100 мкм при ^ < I Гр*с1 и Т ¿300 К.

3. На основе литературных данных о подвижности электронных * возбуждений проведен полуэмпирический расчет диффузионного смещения электрона до рекомбинации с дыркой. Показано, что без учета взаимодействия электронов со структурными дефектами решетки при В/ < I Гр«с~* смещение электрона до рекомбинации ? составляет 10е мкм. Таким образом, даже в отсутствие центральных сил, обеспечивающих направленное движение носителей заряда из объема соли к границе межфазного раздела, существует высокая вероятность выхода "объемного" возбуждения на поверхность кристалла. При условии, что коэффициент отражения электронов от поверхности стремится к нулю, в результате различной подвижности носителей заряда возникает возможность перераспределения локализованных радиационных дефектов электронного и дырочного типа, соответственно, между поверхностью и объемом твердого тела.

С помощью комплексного анализа экспериментальных зависимостей скорости образования оксигалогенида, выхода термости-мулированной люминесценции и вероятности акцептирования элементарных электронных возбуждений стохастически равномерно распределенными в объеме соли нитрат-ионами от радиуса облучаемых кристаллов доказано, что подвод энергии, необходимой для реали зации поверхностных реакций осуществляется с глубины до 10 мкм.

Соответствие экспериментально определенной толщины активного слоя сорбента результатам полуэмпирического расчета смещения электрона до рекомбинации с дыркой, во-первых, указывает на справедливость предположения об участии в гетерогенных процессах низкоэнергетических электронных возбуждений твердого тела, а не комптоновских или £ -электронов, как это предполагалось в ряде более ранних моделей; во-вторых, может рассматриваться как косвенное доказательство малой вероятности взаимодействия электрона с точечными структурными дефектами решетки по крайней

- 188 мере при Т^зоо К; в-третьих, допускает интерпретацию процессов передачи энергии к межфазной границе только на основе фундаментальных закономерностей миграции свободных носителей заряда без привлечения дополнительных представлений о силах, действующих со стороны поверхности на объемные электронные возбуждения; в-четвертых, позволяет прогнозировать эффективность гетерогенного процесса в зависимости от мощности поглощенной дозы, поскольку очевидно, что смещение электрона до рекомбинации (и как следствие - толщина активного слоя) является функцией равновесной концентрации свободных носителей, Rx~ И 2 .

5. Обнаружено, что контакт облученных кристаллов с влаго-содержащим газом приводит к образованию водорода с одновременной деградацией центров, ответственных за термостимулированную люминесценцию. Кинетика пострадиационного процесса определяется влажностью газа и геометрическим размером кристаллов. Скорость тушения люминесценции при прочих равных условиях возрастает в гомологических рядах К С6-КБ г — КJ и

Nal-КЗ-Ш .

Экспериментальные результаты являются прямым доказательством разложения адсорбированной воды по механизму диссоциативного присоединения электрона и возможности локализации большей части радиационных дефектов электронного типа на поверхности. о

Глубина выхода свободных носителей к поверхности (до 10 мкм), полученная на основе представления о существовании двух составляющих - объемной и поверхностной термостимулированной люминесценции - совпадает с оценками, полученными вышеописанными методами.

6. Обнаруженное закономерное изменение скорости радиолиза в гомологических рядах анионов и катионов и ее корреляции с относительной эффективностью аккумуляции светосуммы термостимулированной люминесценции в кристаллах с адсорбатом объяснено на основе поляризационной модели строения и свойств адсорбционного комплекса, как результата изменения вероятности диссоциативного присоединения электрона.

7. Спектральным и химическим анализом щелочногалоидных кристаллов, облученных в контакте с воздухом, доказано образование на их поверхностях нитрат-ионов в различных формах стабилизации. Сопоставлением закономерностей нитрования поверхности при облучении и экспонировании в атмосфере двуокиси азота доказана идентичность протекающих процессов, что опровергает выводы более ранних моделей о реализации радиационного нитрования в результате адсорбции возбужденных молекул азота и позволяет описать его без привлечения гипотетических механизмов радиолиза катионной подрешетки. Идентификация в продуктах реакции гало-геннитрозила свидетельствует об осуществлении процесса в результате адсорбции димеризованной радиолитической двуокиси азота на поверхности щелочного галогенида, ее диссоциации на ионы нитрозила и нитрата с последующим образованием легколетучего соединения - галогенида нитрозила и фиксацией нитрат-иона на поверхности.

1. Материалы ХХУ1 съезда КПСС. М.: Политическая литература, 1981. - 223 с.

2. Александров А.П. Атомная энергетика и научно-технический прогресс. М.: Наука, 1978. - 269 с.

3. Нечаев А.Ф., Осминин B.C., Васильев И.А. Радиационная технология: проблемы и перспективы. В кн.: Исследования по химии, технологии и применению радиоактивных веществ. - Л.: Изд.ЛТИ им.Ленсовета, 1978, с.27-38.

4. Бяиобжеский A.B. Радиационная коррозия. М.: Наука, 1967. - 216 с.

5. Романов В.В., Красноштанов В.Ф. Атомная энергия и водород. М.: ИАЭ им.Курчатова, 1983. - 35 с.

6. Ерматов С.Е. Радиационно-стимулированная адсорбция. -Алма-Ата: Наука, 1973. 180 с.

7. Куусманн И.Л., Лийдья Г.Г., Лущик Ч.Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах. -Тр. ИФ АН ЭССР, 1976, № 46, с.5-80.

8. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979. - 251 с.

9. Алукер Э.Д. Исследование процессов тушения радиолюминесценции щелочногалоидных кристаллов. В кн.: Радиационная физика. Вып.5. - Рига: Зинатне, 1967, с.7-77.

10. Волков Н.Г., Григорьев В.А., Ляпидевский В.К. Исследование влияния электрического поля на радиолюминесценцию щелочно-галоидных сцинтилляторов. В кн.: Радиационная физика. Вып.5. -Рига: Зинатне, 1967, с.79-101.

11. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Г., Соовик Т.А., Яэк Й.В. 0 механизме люминесценции щелочногалоидных кристаллов цри возбуждении ультрафиолетовой радиацией и жесткими излучениями. Тр.ИФА АН ЭССР, 1961, Л 15, с.103-126.

12. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Лущик Н.Е. и др. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в кристаллах НаВг. Труды ИФА АН ЭССР, 1975, № 44, с.3-44.

13. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. УФЫ, 1977, т.122, вып.2, с.223-251.

14. Williams R.T., Bradford J.N., Paust W.L. Short-pulse optical studies of exciton relaxation and P-center formation in UaCl, KCl and HaBr. Phys. Rev. В., 1978, v.18, p.7038-7057.

15. Лущик Ч.Б. и др. Распад электронных возбуждений на катионные френкелевские дефекты в щелочногало идных кристаллах. -Тр. ША АН ЭССР, 1975, т.43, с.7-62.

16. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Г., Лущик Н.Е. и др. Экситонные механизмы возбуждения люминесценции примесных центров в ионных кристаллах. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1973, т.37, JÉ 2, с.334-340.

17. Михальченко Г. А. Радио люминесценция и послесвечение щелочно гало идных кристаллофосфоров. В кн.: Радиационная физика. Вып.5. - Рига: Зинатне, 1967, с.103-122.

18. Кристофель Н.Н. Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах. М.: Наука, 1974. - 336 с.

19. Roesler D.M., Walker W.C. Electronic spectra of crystalline NaCl and KC1. Phys. Rev., 1968, v.166, N 3,p.599-606.

20. Tomiki T. Optical constants and exciton states in KC1 single crystals. I. J. Phys. Soc. Japan, 1967, v.22, И 2,p. 463-487.

21. Blechsmidt D., Skibowski E., Steinmann W. Photoemission from potassium halides in the photon energy range 7 to30 eV. Phys. stat. sol.(b), 1970, v.42, И 1, p.61-70.

22. Baldini G., Bosacchi B. Optical properties of alkali halide cristals. Phys. Rev., 1968, v.166, U 3, p.863-870.

23. Frohlich D., Staginnuss B. New assignments of the band gap in alkali bromides by two photon spectroscopy. Phys. Rev. Lett., 1967, v.19, N 9, p. 496-498.

24. Teegarden K., Baldini G. Optical absorption spectra of alkali halides at 10 K. Phys. Rev., 1967, vol.155, N 3,p.896-907.

25. Hoffield J.J., Worlock J.M. Two quantum absorption spectra of KJ and CsJ. Phys. Rev., 1965, V.137A, H 5,p.1455-1464.

26. Kabler Ш.Н. Hole centers in halide lattices. In: Point defects in solids. Hew York, Plenum Press, 1972,p.327-380.

27. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск: Восточно-Сибирскоекнижное издательство, 1977. 208 с.

28. Sasaki Т., Iguchi Y., Sugawara Н. et al. Photoelectricemission of potassium halides in the exreme ultraviolet. -J. Phys. Soc. Japan, 1971, v.30, TS 2, p.580.

29. Metzger P.H. On the quantum efficiencies of twenty alkali halides in the 12-21 eV region. J. Phys. Chem. Sol., 1965, v.26, N 12, p.1879-1887.

30. De Cicco P.D. Self consistent energy bands and cohesive energy of potassium chloride. Phys. Rev., 1967, v.153,1. H 3, p.931-938.

31. Kunz A.B. Application of the orthogonalized plane-wave method to lithium chloride, sodium chloride and potassium chloride. Phys. Rev., 1968, v.175, TS 3, p.1147-1155.

32. Pong W., Smith J.A. Photoemission studies of LiCl, NaCl and KC1. Phys. Rev. B., 1974, v.9, N. 6, p.2674-2677.

33. Poole R.T., Jenkin J.G., Liesegang J., Leckey R.C.G. Electronic band structure of the alkali halides. I. Experimental parameters. Phys. Rev. B., 1975, v.11, H 12, p.5179-5189.

34. Pong C.Y., Cohen M.l. Pseudopotential calculation of optical constants of NaCl and KC1. Phys. Rev., 1969, v.185, tt 3, p.1168-1176.

35. Lipari H*0., Kunz A.B. Energy bands for KC1. Phys. Rev. B., 1971, v.4, N 12, p.4639-4640.

36. Perrot P. Hartree-Fock band structure of alkali fluorides and chlorides. Phys. stat. sol. (b^, 1972, v.52, N 1, p.163-173.

37. Inouye C.S., Pong W. Ultraviolet photoelectron spectra of rubidium halides. Phys. Rev. B, 1977, v.15, N 4, p.2265-2271.

38. Eby J.E., Teegarden K.J., Dutton D.B. Ultraviolet absorption of alkali halides. Phys. Rev., 1959, v.116, N 5, p.1099-1105.

39. Di Stephano T.H., Spicer W.E. Photoemission from CsJ: experiment. Phys. Rev. B., 1973, v.7, H 4, p.1554-1563.

40. Rossler U. Energy bands of CsJ (Green^ function method). Phys. stat. sol., 1969, v.34, N 1, p.207-212.

41. Tomiki T., Miyata T., Tsukamoto H. Temperature dependence of the fundamental spectra of potassium halides in the Schuman ultraviolet region (4.4-13 eV). J. Phys. Soc. Japan, 1973, v.35, N 2, p.495-507.

42. Baldini G., Bosscchi B. Optical properties of Ha and Li halide crystals at 55 K. Phys. stat. Sol., 1970, v.38,1. H 1, P.325-334.

43. Guizzetti G., Nosenzo L., Reguzzoni E., Samoggia G. Some aspects of vacuum ultraviolet thermoreflectance spectra. -Surf. Sci., 1973, v.37, N 2, p.508-514,

44. Ramamurti J., Teegarden K.J. Intrinsic luminescence of RbJ and KJ at 10 K. Phys. Rev., 1966, v.145, N 2, p.698-703.

45. Frohlich D., Staginnuss B., Onadera Y. Two-photon spectroscopy in CsJ and CsBr. Phys. stat. sol., 1970, v.40, N 2, p.547-556.

46. Harper P.G., Hodby J.W., Stradling R.A. Electrons and optic phonons in solids the effects of longitudinal optical lattice vibrations on the electronic excitations of solids. -Rep. Progr. Phys., 1973, v.36, N 1, p.1-102.

47. Brown P.C. Conduction by polarons in ionic crystals. -Ins Point defects in solids. New York-London, Plenum Press, 1972, p.491-549.

48. Keller F.J., Murray R.B. Preferential thermal reorientation of Vk-centers in potassium iodide. Phys. Rev. Lett., 1965, v.15, И" 5, P. 198-200,

49. Schoemaker D. g and hyperfine components of Vk-cen-ters. Phys.Rev. В., 1973, v.7, IT 2, p.786-801.

50. Keller P.J., Murray R.B., Abraham M.M., Weeks R.A. Preferential thermal reorientation of Vk-centers in potassium chloride. Phys. Rev., 1967, v.154, IT 3, p.812-816.

51. Була В.Г., Тале И.А. Оцределение спектров фракционного термовысвечивания в кристаллах квг и квг-ti. Учен.зап. Латв. гос.ун-та им.П.Стучки, 1974, т.208, с.52-65.

52. Рорр R.D., Murray R.B. Diffusion Vk-polaron in alkali halides: experiments in NaJ and RbJ. J. Phys. Chem. Sol., 1972, v.33, N 3, p.601-610.

53. Aluker E.D., Chernov S.A., Stankevich V.A., Schwarts K.K. Hole migration in alkali halide crystals. Int. Conf. "Colour Centers in Ionic Crystals", Reading (Britain), 1971, Abstr., И 121.

54. Алукер Э.Д., Калнинь Ю.Х., Утомирский И.Е., Чернов С.А. Движение дырок в щелочногалоидных кристаллах. Изв.АН СССР. Сер.физ., 1971, т.35, №7, с.1352-1355.

55. Пунг Л.А., Халдре Ю.Ю. Исследование электронных и дырочных процессов в ионных кристаллах по неизотермической релаксации ЭПР и рекомбинационной люминесценции. Тр. ША АН ЭССР, 1970, Я 38, с.50-84.

56. Халдре Ю.Ю. Захват дырок цримесными центрами и реком-бинационная люминесценция кристаллов NaCi-Cu и liaCi-CuAg. -Изв.АН СССР. Сер.физ., 1967, т.31, J» 12, с.1970-1972.

57. Kaufman R.G., Hadley W.B. Excitation of luminescence from KJ: T1 at 5 K. J. Chem. Phys., 1967, v.46, IT 5, p.1598-1601.

58. Алукер Э.Д., Чернов С.А. Миграция дырок в щелочногало-идных кристаллах. В кн.: Радиационная физика. Вып.7. - Рига: Зинатне, 1973, с.9-59.

59. Аксенов О.Е. Низкотемпературная ионизация активаторав kci-ti цри фо то во з буждении в области междузонных переходов. -Изв. АН Латв.ССР. Сер.физ. и техн.наук, 1978, № 3, с.140-150.

60. Алукер Э.Д., Рулев Ю.П., Станкевич В.А., Чернов С.А. Нерелаксированные дырки в щелочногалоидных кристаллах. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1974, т.38, Я 6, с.1230-1234.

61. Алукер Э.Д., Лурье A.M., Станкевич В.А., Чернов С.А. Движение дырок в KJ-t1 цри высоких температурах. Изв.АН Латв. ССР. Сер.физ. и техн.наук, 1973, № 4, c.IIO-ПЗ.

62. Алукер Э.Д., Лурье A.M., Станкевич В.А., Чернов С.А. Миграция дырок в КС1-Т1. Изв.АН Латв.ССР. Сер.физ.и техн. наук, 1973, Jfc 4, с.14-22.

63. Yamaka Е., Sawamoto К., Ishida Т. Photoinduced Hall effect of V-centers in KJ. J. Phys. Soc. Japan, 1956, v.11, IT 1, p.176-177.

64. Дейч P.P., Флеров В.И. Температурная зависимость эффективности образования vk-центров во фториде кальция. Изв. АН Латв.ССР. Сер. физ.и техн.наук, 1977, J& 6, с.42-44.

65. Dresner J., Heyman М. Mobilities of electrons and holes in CaP2. Phys. Rev. В., 1971, v.3, U 8, p.2689-2693.

66. Vannoti L., Zeller H.R., Bachmann K., Kanzig W. Parb-zentren in Aromoniumhalogeniden. Phys. Kondens. Materie , 1967a Bd.6, U 1, S.51-94.

67. Kadchenko V.n., Elango M. Diffusion parameters of hot holes created by ionizing radiation in NaCl(Ag). Phys. stat. sol. (a), 1978, v.46, IT 1, p.315-319.

68. Осминин B.C. Оптическая делокализация дырок с Ti++-центров в КС1-Т1 . Зависимость от концентрации активатора. -ФТТ, 1974, т.16, вып.2, с.560-561.

69. Лущик Ч.Б., Васильченко А.Е., Лущик Н.Е., Пунг Л.А. Релаксированные и нерелаксированные возбуждения в кристаллах типа НаС1. Тр.ИФА АН ЭССР, 1972, № 39, с.3-46

70. Пунг Л.А., Лущик АЛ. Дырочные процессы в кристаллах CsBr. Тр. ИФ АН ЭССР, 1975, В 44, с.69-87.

71. Мс Rae E.G., Caldwel C.W. Low energy electron diffraction study of lithium fluoride (100) surface. Surf. Sci., 1964, v,2, N 2, p.509-515.

72. Welton-Cook M.R., Prutton M. A simple shell model calculation of differential ionic relaxations at the (100) surfaces of HaCl structure alkali halides. Surf. Sci,, 1977, H 64, H 2, p.633-640.

73. Бенсон Г., Юн К. Поверхностная энергия и поверхностное натяжение кристаллических твердых тел. В кн. : Межфазная граница газ - твердое тело. М.: Мир, 1970, С.172-229.

74. Serna I., Bru L. Surface Phenomena and dislocations in alkali halides. Surface Sci., 1968, v.12, И 2, p.369-384.

75. Michael Sydor. Effects of surfaces on absorption spectrum of RbJ crystals. Phys. Rev. Lett, 1971, v.27, N 19, p.1286-1287.

76. Bermudes V.M. Vacuum ultraviolet radiation damage of the KC1 surface application of combined spectroscopic ellipsometry and reflectometry. - Surface Sci., 1978, v.74, N 3, p.568-594.- 198

77. Жураковский А.П. Проявление приповерхностной рекомби-национной люминесценции щелочногалоидных кристаллов. ФТТ, 1981, т.23, ik I, с.296-298.

78. Ikezawa М., Kojima 0?., Luminescence of alkali halyde crystals induced by UV-light at low temperatures. J. Phys. Soc. Japan, 1969, v.27, И 6, p.1551-1563.

79. Ernst L. Optical spectroscopy of surface states on NaCl and KC1 crystals and its relation to control charging. -Solid State Commun., 1976, v.19, И 1, p.311-314.

80. Tamm I. Ober eine mogliche Art der Electronenbindung an kristalloberflachen. Zl Physik, 1932, Bd.76, IT 11-12, S.849-850.

81. Shockley W. On the surface states associated with a periodic potential. Phys. Rev., 1939, v.56, H 4, p.317-323.

82. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердоготела. М.: Мир, 1980. - 488 с.

83. Levine D., Mark P. Theory and observation of intrinsic states on ionic crystals. Phys. Rev., 1966, v.144, N 2, p.751-763*

84. Кожушнер M.A., Шуб Б.P. Вероятность образования и время жизни молекул в колебательно-возбужденном состоянии при адсорбции. В кн.: Нестационарные и неравновесные процессы в гетерогенном катализе. - М,: Химия, 1977, с.11-17.

85. Garrone Е,, Zecchina A., Stone F.S. An experimental and theoretical evaluation of surface states in MgO and other alkaline earth oxides.4 Philosophical Magazine В., 1980, v.42, N 5, p.583-703.

86. Chiorino A., Garrone E., Chiorri G., Zecchina A. Electronic transition at the surface of KJ microcrystals.

87. Part I, Surface States. - J# Chem# Soc# Faraday trans. 2, 1980, v.76, p.420-430.

88. Сакс Т.Н. Теория электронных состояний на поверхности ионных кристаллов: Автореф.дис. канд.физ.-мат.наук. Тарту,1980. 18 с.

89. Сакс Т.Я., Завт Г.С. Поверхностные электронные состояния внутри нецрерывного спектра в ионных кристаллах. Физика твердого тела, 1977, т.19, № 6, с.1856-1858.

90. Сакс Т.Я., Завт Г.С. Электронные состояния на поверхности (100) ионных кристаллов с учетом спин-орбитального взаимодействия. Изв.АН ЭССР, 1978, т.27, Jè 2, с. 174^183.I

91. Шлгагер А.Л. Исследование поверхностных электронных состояний в кристалле Ъ±Е. Изв.АН Латв.ССР, 1981, Сер.физ. и техн.наук, .№ 3, с.119-122.

92. Шлюгер А.Л., Тиликс Ю.Е. Расчет характеристик электронных и дырочных центров в кристалле LiF. Изв.АН Латв.ССР,1981, Сер.физ. и техн.наук, № 2, с.24-32.

93. Barterak W., Sugier H. Colour centres near ionic crystal surfaces. I. The surface V^-centres. Phys. Stat. Sol. (Ъ), 1973, v.56, H 2, p.759-769.

94. Михейкин И.Д., Абронин И.А., Жидомиров Г.М., Казанский В.Б. Расчеты электронной структуры молекул, адсорбированных на поверхности ионных кристаллов. Журнал физ.химии, 1975, т.49, № 5, с.1306-1307.

95. Егорова Т.В., Канторович Л.Н., Лившиц А.И., Шлюгер А.Л. Адсорбция молекул воды на поверхности щелочно-галогенных кристаллов. Журнал физ.химии, 1981, т.55, .№ 5, с.1350-1351.

96. Robert A.Lad. Absorption of water on sodium chloride:the effect of prior exposure to hydrogen chloride, carbon dioxide and water vapor. Surf. Sci., 1968, v.12, Ж 1, p.37-45.

97. Канторович Л.H., Шлюгер А.Л. Адсорбция молекул воды на поверхности щелочногалоидных кристаллов. Ж.хим.физики,1982, т I, * 10, с.1357-1366.

98. Price W.C. Sherman W.P., Wilkinson G.R. Infra-red studies of water absorbed on alkali halides. Proc. Roy. Soc., 1958, A247, И 1251, p.467-468.

99. Smart Roger St.C., Sheppard N. Par infra-red spectroscopy studies of water absorption on alkali halides. J.Chem. Soc. Par. Trans., 1976, part 2, v.72, H 3, p.707-714.

100. Березкина Л.Г., Суходолова В.И. Особенности процесса сорбции паров воды растворимыми солями. Доклады АН СССР, 1980, т.252, № 6, с.1390-1392.

101. Ino S., Watanabe D., Ogawa S. Epitaxial growth of metals on rocksalt faces cleaved in vacuum. J. Phys. Soc. Japan, 1964, v.19, p.881-891.

102. Mihama K., Miyahara H., Aoe H. Electron Microscope study on the structure of gold films evaporated on sodium chloride. J. Phys. Soc. Japan, 1967, v.23, p.785-793.

103. Estel I. On the problem of water absorption on alkali halide cleavage planes, investigated by secondary ion mass-spectroscopy. Surface Sci., 1976, v.54, p.393-418.

104. Шварц К.К. Экманис Ю.А. Электронномикроскошческие исследования макродефектов и треков заряженных частиц в ионных кристаллах. В кн.: Радиационная физика. У. - Рига: Зинатне, 1967, с.259-295.

105. Tomiki T. Electronmicroscopic observations of alkali halide crystals. J. Phys. Soc. Japan, 1959, v.14, p.304-307.

106. Йыги Х.Р.-В. Электронномикроскопическое исследование дефектов, возникающих при облучении кристаллов квг ультрафиолетовой радиацией и пучком электронов. Тр. ИФА АН ЭССР, 1972, в.39, с.310-312.

107. Иыги Х.Р.-В., Малышева А.Ф. Электронномикроскопическое исследование кристаллов квг, облученных ультрафиолетовой радиацией. Тр.ИФА АН ЭССР, 1972, в.39, с.112-122.

108. Лущик Ч.Б. и др. Распад электронных возбуждений на катионные френкелевские дефекты в кристаллах. Тр. ИФА АН ЭССР, 1975, вып.43, с.7-62.

109. Йыги Х.Р.-В., Лущик Ч.Б., Малышева А.Р., Тийслер Э.С. Электронномикроскопическое обнаружение и оптическое исследование продуктов распада экситонов в кристаллах квг. Физикатвердого тела, 1972, вып.14, с.117-123.,, , . »

110. ПО. Лущик Ч.Б. Фотосоздание точечных дефектов в объеме и на поверхности ионных кристаллов. В кн.: Активная поверхность твердых тел. - М.: Химия, 1976, с.302-317.

111. Tomiki Т., üeta Ш. Electronmicroscopic observation of the KCl single crystal irradiated with ultra-violet light.

112. J.Phys. Soc. Japan, 1959, v.14, p.602-608.112. fy6apoBa T.B. Исследование радиационных изменений поверхности ионных нитевидных кристаллов: Автореф.дис. канд.физ.-мат.наук. Рига, 1979. - 16 с.

113. Губарева Т.В., Шрайбман Б.Е. Инфракрасные спектры рентгенизированных на воздухе щелочногалоидных соединений. -В кн.: 1У Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1978, с.273.- 202

114. McLennan D.E. Study of ionic crystals under electron bombardment. Canadian J.Phys., 1951, v.29, p.122-128.

115. Метревели Л.И., Нацвлишвили Г.И. Радиационно-термиче-ские искажения тонких кристаллов фтористого лития. В кн.: Электронные и ионные процессы в твердых телах. Т.7. - Тбилиси, 1974, с.109-119.

116. Yoshida S., Ikeda I. Effect of electron bombardment on sodium chloride. J. Phys. Chem. Japan, 1959, v.14,p.473-477.

117. Kawamata Y. The formation of dislocation of loops and the outgrowth of crystallites by electron irradiation of thin alkali halide films. J. Phys. (Prance), 1976, v.37, p.502-506.

118. Лазарева Н.И. Спектры возбужденного поглощения нитевидных щелочногалоидных кристаллов в УФ области. Дис. канд. физ.-мат.наук. - Кемерово, 1973. - 180 с.

119. Мелик-Гайказян И.Я., Дерябин П.Е. Накопление носителей тока в нитевидных кристаллах kbr и kci под действием рентгеновских лучей. Изв. АН СССР, Сер.физ., 1974, т.38, № 6, с.1285-1288.

120. Цаль Н.А., Дидык Р.И., Романюк Н.И. Микроскопические исследования поверхностных дефектов цри радиолизе ЩГК. В кн.: Тезисы докладов 4-го всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. - Рига, 1978, с.230.

121. Цаль Н.А., Дидык Р.И., Романюк Н.И. Электронномикро-скопическое исследование радиолиза ионных кристаллов. Доклады АН СССР, 1979, т.244, с.574-575.

122. Йыги Х.Р.-В. Электронномикроскопическое исследование создания радиационных дефектов цри облучении щелочногалоидныхкристаллов пучком электронов и ультрафиолетовой радиацией. -Изв. АН СССР. Сер.физ., 1972, т.36, с.1990-1993.

123. Palmberg P.W., Rhodin Т.Н. Surgace dissociation of potassium chloride by low-energy electron bombardment. -J.Phys. Chem. Solids, 1968, v.29, p.1917-1924.

124. Александров А.Б., Васильев И.А., Нечаев А.Ф. Анионный обмен цри прессовании таблеток в практике их спектроскопии. -Журнал црикладной спектроскопии, 1978, т.29, № I, с.164-166.

125. Gallon Т.Е., Higginbotham I.G., Prutton H., Tokuta-ka H. The (100) surfaces of alkali halides. II. Electron stimulated dissociation. Surface Sci., 1970, v.21, H 2, p.233-240.

126. Elliot D.I., Townsend P.D. Polygonization of KJ Surfaces by photon irradiation. Phylosophical magazine, 1971, v.23, H 182, p.261-264.

127. Elliot D.I., Townsend P.D. Deffect formation and sputtering of alkali halides with low energy irradiation. -Phylosophical Magazine, 1971, v.23, N 182, p.249-259.

128. Цаль H.А., Дидык P.И., Романюк H.И. Выделение газообразных компонент ЩГК цри радиолизе. Доклады АН СССР, 1975, т.220, с.658-661.

129. Цаль Н.А. Механизм пульсирующего выделения продуктов радиолиза из облучаемых ионных соединений. У Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Тезисы докладов. Рига, 1983, с.216-217.

130. Фасслер Д., Гранес Г. Р-центры на поверхности гало-генидов щелочных металлов и их взаимодействие с водой и иодом. -Журн.физ.химии, 1977, т.41, № 3, с.687-691.

131. Cowell B.I., Matthewe T.F., Odell A.L. The use of * ■metastable colour-centres in alkali halide crystals and silica-gel to catalyse exchange between tritium gas and hydrocarbon. -Chem. Commun., 1971, v.20. p.1264-1267.

132. Rabe I.G., Toppien G. fiber die Abnachme von Electro60nen zentren in Co-^-bestrahltem polykristallinen NaCl bei Adsorption von Gasen. Z.Katerforoch., 1969, B.24, S.796-802.

133. Эланго M.A., Жураковский А.П., Кадченко B.H., Copo> Iкин Б.А. Люминесценция и электронная эмиссия ионных кристаллов, облученных ультрамягкими рентгеновскими лучами. Изв.АН СССР, 1977, т.41, № 7, с.1314-1320.• » ■ 9

134. Лийдья Г.Г., Киик Р.А. Влияние газов на рекомбинаци-онную люминесценцию щелочногалоидных кристаллофосфоров. -Труды ИФ АН ЭССР, 1963, № 23, с.226-228.

135. Лийдья Г.Г., Яэк И.В. Создание ** -центров в щелочно-галоидных фосфорах ультрафиолетовой радиацией. Труды ИФ АН ЭССР, 1961, № 14, с.212-235.

136. Parker I.H. Exiton-induced P-center growth in KJ crystals. Phys. Rev., 1961, v.124, И 3, p.703-712.

137. Жаброва Г.М., Владимирова В.И. Основные закономерности и роль электронных факторов в каталитических процессах, протекающих при действии ионизирующей радиации. Успехи химии, 1969, т.38, № 4, с.711-739.

138. Сокольский Д.В., Кузембаев К.К., Кельман И.В. Влияние радиоактивного излучения на каталитические свойства твердых материалов. Успехи химии, 1977, т.46, № 5, с.828-851.

139. Рябчук В.К., Басов Л.Л., Солоницын Ю.П. Фотосор0цияпростых газов на бромистом калии. Кинетика и катализ, 1978, т.19, № 3, с.685-690.- 205

140. Рябчук В.К., Басов Л.Л., Солоницын Ю.П. Фотохимические реакции простых молекул на поверхности квг. Кинетика и катализ, 1978, т.19, № 3-4, с.928-931.

141. Котельников В.Л., Теренин А.Н. Фотохимические процессы на поверхности окиси алюминия. Доклады АН СССР, 1967,т.174, № 4, с.1366-1369.

142. Басов Л.Л., Котельников В.А., Солоницын Ю.П. Фотодиссоциация простых молекул на окисных адсорбентах. В кн.: Спектроскопия фотопревращений в молекулах. - Л., 1977, с.228-238.

143. Вилесов Ф.И., Котельников В.А., Лисаченко A.A. Масс-спектрометрическое исследование некоторых фотокаталитических реакций простых молекул, адсорбированных на окислах алюминия, цинка и магния. В кн.: Молекулярная фотоника. - Л., 1970,с•318-334.

144. Басов Л.Л., Солоницын Ю.П., Теренин А.Н. Влияние освещения на адсорбционную способность некоторых окислов. Доклады АН СССР, 1965, т.164, te I, с.122-124.

145. Басов Л.Л. Исследование фотосорбционных и фотоэлектрических процессов на окиси цинка и двуокиси олова: Автореф.дис. канд.физ.-мат.наук. Л., 1972. 16 с.

146. Кузнецов В.И., Лисаченко A.A. Фотосорбционные и фотокаталитические свойства окиси бериллия. Успехи фотоники, 1980, «г 7, с.48-85.

147. Ерматов С.Е., 1^сеев Т. Радиационная адсорбция кислорода и водорода на поверхности окиси бериллия. Журнал физ. химии, 1980, т.54, № 10, с.2528-2531.

148. Басов Л.Л., Ефимов Ю.П., Солоницын Ю.П. Поисковые эксперименты по фотолизу воды в адсорбированном состоянии. В кн.: Успехи фотоники, 1974, № 4, с.12-18.

149. Басов Л.Л., Рябчук В.К., Солоницын Ю.П. Щелочно-галоидные соли как фотокатализаторы. Успехи фотоники, 1980, № 7, с.3-48.

150. Черкашин А.Е., Володин A.M. Роль специфических поверхностных связей в фотосорбционных процессах на окислах. В кн.: Воздействие ионизирующего излучения на гетерогенные системы. Тезисы докладов. - Кемерово, 1979, с.17.

151. Сшцын В.И., Пирогова Г.Н., Коростелева Р.И., Сопи-на А.А., Стельмах Н.С. Изучение механизма действия радиации на каталитические свойства окислов редкоземельных элементов и итрия. Журн.физ.химии, 1980, т.54, № 19, с.2610-2613.

152. Котов А.Г., Пшежецкий С.Я. Радиационно-каталитический синтез. В кн.: Радиационная химия. - М.: Атомиздат, 1972,с.188-197.

153. Пшежецкий С.Я., Дмитриев М.Т. Радиационные физико-химические цроцессы в воздушной среде. М.: Атомиздат, 1978. -180 с.

154. Chanin L.M., Phelps A.V., Biondi М.А. Measurement of the attachment of slow electrons in oxygen. Phys. Rev. Lett., 1959, v.2, И 8, p.344.

155. Chanin L.M., Phelps A.V., biondi M.A. Measurementsof the attachment of low-energy electrons to oxygen molecules.-Phys. Rev., 1962, v.18, p.219.

156. Schulz G., Dowell J. Excitation of vibrational and electronic levels in 02 by electron impact. Phys. Rev., 1962, v.28, p.174.

157. Некрасов Б.В. Основы общей химии. T.I. М.: Химия, 1965. - 518 с.

158. Пшежецкий С.Я., Дмитриев М.Т. Кинетика реакции окисления азота, вызываемой электронным ударом. Доклады АН СССР, 1955, т.103, № 4, с.647.

159. Дмитриев М.Т., Пшежецкий С.Я. Радиационное окисление азота. I. Кинетика реакции под электронным ударом и ее связь с цроцессами ионизации. В кн.: Действие ионизирующих излучений на неорганические и органические системы. - М.: Изд. АН СССР, 1958, с.145.

160. Дмитриев М.Т. 0 роли процессов рекомбинации ионов и электронов при радиационном окислении азота. Журн.физ.химии, 1966, т.40, № 7, c.I5II.

161. Дмитриев М.Т. 0 первичных ионах, вызывающих радиационное окисление азота. Журн.физ.химии, 1966, т.40, № 8,с.1739.

162. Дмитриев М. Т., Сарадзкев Л.В., Миниович М.А. Энергетический выход разложения окислов азота под действием ионизирующих излучений. Журн.црикл.химии, I960, т.33, с.808.

163. Дмитриев М.Т., Пшежецкий С.Я. Радиационное окисление азота. 1У. Температурная зависимость и роль ионов в реакции под действием быстрых электронов. Журн.физ.химии, 1959, т.33,с.463.

164. Harteck Р., Dond.es S. Nitrogen fixation Ъу the nuclear radiation. Nucleonics, 1957, v.15, p.8.165• D'Oklieslager J. Sur la formation de l'ozone sous l'action des particules . Bull. Acad. Royale Belge, 1925, v.11, p.711.

165. Busse W.F., Daniels F. The chemical effects of cathode rays on oxygen, air, nitric oxide and carbon dioxide. -J. Amer. Chem. Soc., 1928, v.50, p.3271.- 208

166. Дмитриев М.Т. Соотношение между энергетическими выходами радиационно-химических реакций образования озона и окисления азота. Журн.физ.химии, 1966, т.40, № II, с.2729.

167. Александров A.B., Васильев И.А., Нечаев А.Ф. Радиаци-онно-стимулированное образование по^ -центров в щелочно-галоид-ных кристаллах. Журн.прикл.спектр., 1977, т.27, № 6, с.1105-1107.

168. Васильев И.А., Нечаев А.Ф. Механизмы и кинетика ради-ационно-химических превращений азоткислородных ионов на поверхности и в объеме галогенидов калия. Сравнительный анализ.

169. В кн.: Тезисы докладов симпозиума по радиационной химии. Тби- . лиси: Мецниереба, 1978, с.72-73.

170. Пикаев А.К. Дозиметрия в радиационной химии. М.: Наука, 1975. - 311 с.

171. Хенли Э., Джонсон Э. Радиационная химия. М.: Атом-издат, 1974. - 414 с.

172. Бугаенко Л.Т., Тиликс Ю.Е., Шварц К.К. Возможности изучения электронных и дырочных дефектов в щелочногалоидных кристаллах методом растворения. В кн.: Радиационная физика. Т.УЛ. - Рига: Зинатне, 1973, с.197-226.

173. The Sadtler special collection. Inorganic Infrared Grating spectra. Philadelphia, Sadtler research laboratories, 1965-1973, v.1-5, p.1-1200.

174. Jain S.C., Warrier A.V.R., Agarval S.K. Electronic Absorp. and Intern and Extern, vibrat. Data of atomic and Molecule Ions Doped in Alkali Halide Crystals. Washington: US RDS, 1974. - 59 P.

175. Петрик Н.Г. Оптико-химические процессы при растворении щелочногалоидных кристаллов с радиационными и природными дефектами. Дис. канд.хим.наук. - Л., 1980, - 212 с.

176. Баб ко А.К., Пилипенко А. Т. Фотометрический анализ, методы оцределения неметаллов. М.: Химия, 1974. - 360 с.

177. Нурахметов Т.Н., Гиндина Р.И. Осминин B.C., Эланго А.А. Эффективность радиационного создания Хз~-центров в щелочногалоидных кристаллах. Труды Ш АН ЭССР, 1977, т.47, с.168-182.

178. Sugier H., Tilk S. Wplyw рагу wodnej na ¿jf-radiolize krystalicznego jodku potasu. Nukleonika, 1972, v.17, N 3-4, p.181-187.

179. Peter G. Hall, Mark A.Rose. Adsorption of water vapor on Ammonium Iodide and ammonium chloride. J. Phys. Chem., 1978, v.82, N 13, p.1521-1525.

180. Авдонин В.П., Васильев И.А., Нечаев А.Ф., Плаче-нов Б.Т. Эффективность генерации экситонов и электронно-дырочных пар в щелочногалоидных кристаллах. Известия АН Латв.ССР. Сер. физ.и техн.наук, 1973, т.4, с.117-120.

181. Чернов С.А. Короткоживущие состояния электронной и ионной подсистем и радиационные' процессы в щелочногалоидных кристаллах: Автореф.дис. докт.физ.-мат.наук. Саласпилс, 1984. -33 с.

182. Лущик Ч.Б., Соовик Т.А. Некоторые проблемы физики неорганических сцинтилляторов. Труды ИФА АН ЭССР, 1966, № 34, с.68-88.

183. Overhof Н. Energy bands of potassium halides (Green's function method). Phys. stat. sol. (b), 1971, vol.43, И 2,p.575-582.

184. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1966. - 324 с.

185. Калнинь Ю.Х. Некоторые воцросы кинетики рекомбинациоиных процессов в кристаллофо сфорах. В кн.: Радиационная физика. Т.УЛ. - Рига: Зинатне, 1973, с.115-142.

186. Александров А.Б., Васильев И.А., Нечаев А.Ф. К определению радиационно-химического выхода растворенного вещества. Журн.прикл.химии, т.53, $ 6, с.1256-1258.

187. Окабе X. Фотохимия малых молекул. М.: Мир, 1981. -500 с.

188. Yoshito Yamaoko. Effects of Grain Size on Therbolumi-nescence and Thermaflly Stimulated Exoelectron emission of LiP Crystals. Health Phys., 1978, v.35, U 5, p.708-711.

189. Александров А.Б., Васильев И.A., Нечаев А.Ф. Радиаци-онно-стимулированное образование но^-центров в щелочногалоидных кристаллах. Журн.црикл.спектроскопии, 1977, т.27, № 6, c.II05-II07.

190. Петрик Н.Г., Нечаев А.Ф. Радиационное связывание азота поверхностью оксидов хрома и кобальта. В кн.: Тезисы докладов У Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. - Рига: Изд.ИФ АН ЛССР, 1983, т.2, с.411-412.

191. Брауэр Г. Руководство по црепаративной неорганическойхимии. М.: Издатинлит, 1956. - 420 с.

192. Краснов B.C. Молекулярные постоянные неорганических соединений. Л.: Химия, 1979. - 448 с.

193. Нечаев А.Ф. Радиолиз монокристаллов КВг, легированныхкатионами малого радиуса. Дис.канд.хим.наук. - Л., 1975. -146 с.

194. Александров А.Б., Васильев И.А., Нечаев А.Ф. Исследование радиационно-стимулированного гетерогенного окисления kj методом ИК спектроскопии. Журн.црикл.спектроскопии, 1982,т.36, J6 4, с.676-678.

195. Александров А.Б., Нечаев А.Ф. Радиационное окисление щелочных иодидов. В кн.: Тезисы докладов Ш Всесоюзного совещания "Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы". - Кемерово: Изд.КемГУ, 1982, т.1, с.148-149.

196. Александров А.Б., Нечаев А.Ф. Окислительно-восстановительные цроцессы в кристаллических иодидах. В кн.: Тезисы докладов УШ Всесоюзного совещания "Кинетика и механизмы химических реакций в твердом теле". - Черноголовка, 1982, с.228-230.