Метод исследования взаимодействия носителей заряда в гетероструктурах с электрическими полями радиочастотного диапазона тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. X АР АКТЕР ИС ТИКИ ИССЛЕДУЕМЫХ ГЕТЕРОГЕННЫХ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР И ОСНОВЫ ОРГАНИЗАЦИИ ЭКСПЕРИМЕНТА ДЛЯ

ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ.

1.1. Зарядовые характеристики гетероструктур и приборов с зарядовой связью на их основе.

1.2. Характеристики гетероструктур, определяющие потери заряда в процессе его переноса при воздействии внешних электрических полей.

1.3. Факторы, определяющие высокочастотные свойства гетероструктур.

1.4. Особенности и основные принципы организации современного физического эксперимента.

1.4.1. Существующие тенденции в организации эксперимента.

1.4.2. Особенности современного эксперимента по исследованию характеристик гетероструктур.

1.4.3. Алгоритмическое и программное обеспечение современного физического эксперимента.

1.5. Существующие методы разработки систем для экспериментальных исследований с использованием процессорных средств.

Краткие выводы по главе 1.

ГЛАВА 2. СТРУКТУРНАЯ ДЕКОМПОЗИЦИЯ СЛОЖНЫХ СИСТЕМ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР.

2.1. Декомпозиция структуры сложных систем и выявление состава систем для исследования зарядовых и частотных характеристик гетероструктур.

2.2. Логические цепи управления характеристиками адаптивной системы для физических исследований.,.

Краткие выводы по главе 2.

ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ ФИЗИЧЕСКОГО ЭКСПЕРИМЕНТА

И СИНТЕЗ АДАПТИВНЫХ СИСТЕМ ДЛЯ ФИЗИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ.

3.1. Обобщенные требования физического эксперимента и их формализация.

3.2. Разработка базы знаний для синтеза измерительных структур адаптивных систем на основе характеристик исследуемых гетерогенных твердотельных структур.

3.3. Обобщенная измерительная структура и ее свойства.

3.4. Оптимизация измерительных структур для физических исследований в процессе их синтеза.

3.5. Методика и алгоритм синтеза оптимальных измерительных цепей в составе адаптивных систем для физических исследований.

Краткие выводы по главе 3.

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ОПТИМАЛЬНОЙ АДАПТИВНОЙ СИСТЕМЫ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАРЯДОВЫХ И ЧАСТОТНЫХ

СВОЙСТВ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ.

4.1. Характеристика зарядовых процессов в гетероструктурах и выбор методов их исследования.

4.2. Анализ требований эксперимента по определению зарядового состояния гетероструктур методами емкостной спектроскопии и вывод оптимальных измерительных структур.

4.2.1. Модифицированный метод изотермической релаксации емкости.

4.2.2. Модифицированные методы вольт-фарадных характеристик.

4.3. Определение зарядовых и частотных характеристик гетероструктур методами термоактивационной спектроскопии и вывод оптимальных измерительных структур.

4.4. Структурный синтез многопараметрической адаптивной системы для исследования зарядовых и частотных свойств гетероструктур.

4.5. Алгоритмы определения зарядовых и частотных характеристик твердотельных слоистых структур, формирование экспертной системы.

4.6. Определение зарядовых и частотных характеристик гетероструктур с использованием АСФИ.

4.7. Частотные зависимости характеристик гетероструктур и высокочастотные свойства ПЗС.

4.8. Влияние концентрации ловушек на моноэнергетических уровнях в гетероструктурах на их зарядовые и частотные свойства.

4.9. Оценка полной погрешности адаптивной системы для физических исследований.

Краткие выводы по главе 4.

ГЛАВА 5. ГИБКИЕ СРЕДСТВА СОПРЯЖЕНИЯ ЭВМ С ВНЕШНИМИ УСТРОЙСТВАМИ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЕ АДАПТИВНЫЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ ДЛЯ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ.

5.1. Формализация функциональных и структурных характеристик средств сопряжения.

5.2. Обеспечение аппаратной гибкости средств сопряжения.

Краткие выводы по главе 5.

Экспериментальная разработка подобных проблем, в свою очередь, требует развития на более высоком уровне научно-исследовательской базы, создания современных систем для научных исследований, обладающих принципиально новым качеством. Примером подобных систем являются системы для исследования зарядовых и частотных свойств гетероструктур, используемых в качестве базовых элементов для создания приборов с зарядовой связью (ПЗС). Проблемой изучения свойств твердотельных материалов и микроэлектронных приборов на их основе занимались такие известные отечественные и зарубежные ученые, как А.Г. Ждан, Ю.А. Гороховатский, J1.C. Берман, А.А. Лебедев, В.Г. Литовченко, В.Н. Овсюк, В.Н. Вертопрахов, Е.Г. Сальман, А. Милне, D.F. Barb, A. Goetzberger, P.V. Grey, Е.Н. Ni-collian, J.E. Carnes, W.F. Kosonosky, J. Killiany, N.S. Sacs и др. Однако их подходы и методики исследования при проведении физических экспериментов не позволяли оптимальным образом выделять объект измерения и определять его характеристики (например, пики термостимулированных токов деполяризации с термоочисткой от фонового заряда, время релаксации емкости в случае быстрых релаксаций, температурные зависимости при нелинейном нагреве и т.д.).

В последнее время исследования все чаще проводятся с помощью численного эксперимента, что позволяет хорошо отрабатывать математический аппарат и получать прогнозируемые результаты. Однако, при этом игнорируются факторы, имеющие место в реальных образцах и существенно проявляющиеся при проведении физических экспериментов (например, фоновый заряд, имеющийся вблизи центров захвата на моноэнергетических уровнях и т.д.), что существенно затрудняет изучение влияния особенностей протекания зарядовых процессов, обусловленных наличием центров захвата в запрещенной зоне твердотельных материалов гетероструктур, на их частотные свойства. Имеется только теоретическое обоснование необходимости обеспечения гибкости систем для экспериментальных исследований с целью повышения их информативности, однако информация об их практической реализации в литературных данных практически отсутствует.

Поэтому, для получения принципиально новых результатов о влиянии зарядовых процессов в слоях твердотельных материалов, составляющих гетерострук-туры (прежде всего полупроводников), при воздействии на них электрических полей радиочастотного диапазона, а также интегральных схем на их основе, системы для экспериментальных исследований должны обладать адаптивными свойствами. То есть они должны отслеживать ход эксперимента и, при необходимости, изменять свои характеристики в соответствии с требованиями текущего эксперимента. Реализация адаптивных свойств системы возможна только при обеспечении гибкости (программной управляемости) соответствующих функциональных узлов и блоков. Это в свою очередь, требует ее информатизации с созданием экспертных систем.

При организации современного адаптивного эксперимента особые требования предъявляются к обеспечению гибкости средств сопряжения ЭВМ с внешними устройствами и их функциональных узлов. Решение этой проблемы является решающим при организации программно-управляемого воздействия на объект исследования. При этом система достигает наивысшей информативности (а в своей организации-интеллектуального уровня), что подчеркивает актуальность информатизации современного физического эксперимента.

Известно, что качество представления аналоговой информации в цифровой форме в значительной степени зависит от качества аналого-цифрового преобразования. Характеристики АЦП являются важнейшими при организации любого физического эксперимента, связанного с обеспечением ввода аналоговых сигналов в ЭВМ. Поэтому вопрос разработки новых АЦП был и остается актуальным на всех этапах развития систем для экспериментальных исследований.

Цель диссертационной работы Изучение особенностей взаимодействия носителей заряда в гетерогенных твердотельных структурах, определяющих их частотные свойства, с внешними электрическими полями радиочастотного диапазона с применением адаптивной информационной системы для физических исследований, установление зарядовых и частотных характеристик исследуемых гетероструктур, определяющих радиочастотные свойства твердотельных микроэлектронных приборов на их основе.

Задача исследования Изучение зарядовых процессов, определяющих частотные свойства гетерогенных твердотельных структур предполагает:

1. Анализ требований физического эксперимента по определению влияния различных центров захвата носителей заряда в твердотельных слоях гетерогенных структур (типа "металл-поликремний-диэлектрик-полупроводник"), имеющих легирующие добавки, на их частотные свойства при воздействии электрических полей радиочастотного диапазона, обоснование необходимости создания адаптивной информационной системы для физических исследований (АСФИ), выявление ее структуры.

2. Разработка математических моделей и алгоритмического обеспечения для синтеза оптимальных, гибких измерительных структур и экспертной системы в составе АСФИ.

3. Измерение исследуемых физических процессов в гетероструктурах с помощью АСФИ, определение зарядовых и частотных характеристик, обусловленных взаимодействием носителей заряда в их твердотельных слоях с внешними электрическими полями.

4. Исследование влияния скорости протекания зарядовых процессов на центрах захвата носителей заряда в твердотельных слоях гетероструктур с зарядовой связью на потери заряда при его переносе, прежде всего, в высокочастотной области радиодиапазона.

Научная новизна работы

1. Впервые, на основе установленной взаимосвязи между измеряемыми физическими величинами и характеристиками адаптивной системы, разработаны математические модели функциональных модулей и измерительных структур, позволяющих оптимальным образом измерять пики термостимулированных токов, что явилось основой для определения искомых характеристик гетероструктур с минимальной основной погрешностью (не более 2 %).

2. Впервые разработан и реализован способ синтеза гибких измерительных цепей в составе адаптивной системы для экспериментальных исследований на основе искомых характеристик гетероструктур и требований проводимого физического эксперимента.

3. Впервые, на основе разработанных моделей функциональных модулей и измерительных структур, произведена практическая реализация адаптивной системы для исследования зарядовых и частотных свойств твердотельных гетероструктур с зарядовой связью при воздействии электрических полей радиочастотного диапазона.

4. Предложен и практически осуществлен новый принцип экспериментальной реализации метода термоочистки от фонового заряда в гетероструктурах (принцип гибкой термоочистки) с использованием программно-управляемого термо-полевого воздействия на гетероструктуры, позволивший выявить условия, подтверждающие принципиальную возможность использования приборов с зарядовой связью в составе интегральных и объемных интегральных схемах СВЧ-диапазона.

5. Впервые получены и изучены частотные зависимости основных факторов, определяющих зарядовые процессы в исследовавшихся гетероструктурах при воздействии электрических полей радиочастотного диапазона. Показано, что встроенный заряд диэлектрика (его подвижная и неподвижная компоненты) сказываются на частотах не более 3 кГц и в области высоких частот не сказываются, разрешенные состояния в приповерхностной области полупроводника сказываются на частотах до 1 МГц, на более высоких частотах существенно сказываются только моноэнергетические уровни, имеющие эффективный частотный фактор 10 МГц и выше.

6. Впервые выявлено влияние эффективного частотного фактора протекающих в гетероструктурах с зарядовой связью зарядовых процессов на потери заряда в процессе его переноса при воздействии на гетероструктуры электрического поля радиочастотного диапазона. Для различных значений степени перезахвата носителей заряда на моноэнергетических уровнях показано, что с возрастанием эффективного частотного фактора (при его значениях выше 100 МГц), потери заряда уменьшаются тем быстрее, чем слабее их перезахват.

7. Впервые показано, что с увеличением частоты электрического поля, осуществляющего перенос сигнального заряда в гетероструктурах с зарядовой связью, в области частот 1-300 МГц при наличии моноэнергетического уровня (МУ) потери заряда (неэффективность его переноса) в общем случае увеличиваются, однако с увеличением эффективного частотного фактора для данного МУ эта зависимость носит менее выраженный характер.

8. Анализ полученных результатов позволил впервые обосновать закономерности влияния скорости протекания зарядовых процессов в гетероструктурах с зарядовой связью на их частотные свойства (на частотах до 300 МГц) с помощью полученных эмпирических соотношений, подтверждающих эти закономерности.

9. Для исследовавшихся разновидностей гетероструктур впервые установлены граничные значения усредненной плотности поверхностных состояний (Nss) в слое полупроводника и потери заряда при его переносе (неэффективности переноса sss), определяющие границы работоспособности приборов с зарядовой связью на их основе для различных режимов обработки сигналов. В режиме формирова

11 12 ния сигналов изображения значению Nssrpi=6,5-10 эВ" см" соответствует ssrpi=5T0", в режиме логической обработки сигналов значению

12 1 2 2 Nssrp2=:l Л 'Ю эВ" см" соответствует £ssrp2=2-10" .

10. На примере исследовавшихся гетероструктур впервые экспериментально изучено влияние концентрации центров захвата на моноэнергетических уровнях в приповерхностной области полупроводника на характеристики зарядовых процессов, показано, что с увеличением их концентрации, эффективный частотный фактор возрастает практически линейно, а порядок кинетики уменьшается нелинейно. Однако совокупное влияние указанных факторов, с учетом влияния заряда, захваченного на поверхностных состояниях, на потери заряда при его переносе в частотном диапазоне сигнала переноса 0,1-300 МГц носит сложных характер (имеется минимум в окрестности частоты переноса fn=4 МГц), обусловленный сменой действия одного механизма захвата носителей заряда, другим.

11. Разработан новый вид аналого-цифрового преобразователя со смещением нуля, позволяющий гибко выбирать число наращиваемых разрядов (до 16 и выше) в соответствии с требуемым диапазоном входного сигнала и обеспечивать максимальную частоту оцифровки измеряемых физических величин при их вводе в компьютер в режиме реального времени (порядка 1 МГц).

На защиту выносится

1. Способ разработки адаптивных информационных систем для экспериментальных исследований, позволяющий, при практической реализации системы, минимизировать основную погрешность измерения физических величин (в разработанной системе составляет не более 2 %).

2. Экспериментальная реализация принципа гибкой термоочистки от фонового заряда в твердотельных слоях гетероструктур, позволившая оптимальным образом выделять объект измерения (пики термостимулированных токов) и определять искомые характеристики гетероструктур.

3. Экспериментально полученные и теоретически обоснованные зависимости потери заряда (неэффективности его переноса) в исследовавшихся гетероструктурах с зарядовой связью от частоты электрического поля, осуществляющего перенос сигнального заряда, из которых выявлено влияние характеристик протекающих в них зарядовых процессов (прежде всего эффективного частотного фактора и степени перезахвата носителей заряда на ловушках) на частотные свойства гетероструктур при воздействии электрического поля радиочастотного диапазона.

4. Экспериментально установленные зависимости частотного фактора и степени перезахвата носителей заряда в приповерхностной области полупроводника у исследовавшихся гетероструктур от концентрации центров захвата носителей заряда на моноэнергетических уровнях и плотности поверхностных состояний в слое полупроводника, имеющего легирующие добавки различной концентрации, позволяющие определить пределы работоспособности приборов с зарядовой связью на основе этих гетероструктур.

5. Новый вид АЦП со смещением нуля, позволяющий гибко выбирать число наращиваемых разрядов в соответствии с требуемым диапазоном входного напряжения.

Личный вклад автора

Все полученные результаты, выводы, рекомендации и научные положения, сформулированные в работе, принадлежат лично автору. Приведенные экспериментальные результаты работы получены самим автором, либо при его непосредственном участии. Соавторам принадлежит участие в обсуждении полученных результатов проведенных экспериментов и интерпретация некоторых механизмов изучавшихся физических процессов.

Апробация результатов работы Основные результаты данной работы докладывались и обсуждались на 25 научных конференциях и семинарах, в том числе на Всесоюзной НТК «Материаловедение в атомной энергетике» (Свердловск, 1987), Всесоюзном научном семинаре «Метрология в прецизионном машиностроении» (Саратов, 1990), Всесоюзном научном семинаре «Диагностическое применение лазеров и волоконной оптики в народном хозяйстве» (Волгоград, 1990), Всесоюзном научном семинаре «Метрология лазерных измерительных систем» (Волгоград, 1991), IV Всесоюзной НТК «Моделирование и САПР систем СВЧ и КВЧ на объемных интегральных схемах» (Волгоград, 1991), VI Межгосударственной школе-семинаре «Математическое моделирование и САПР» (Москва, 1992), Межгосударственной НТК с участием зарубежных специалистов «Датчики и преобразователи информации систем измерения, управления и контроля» (Москва, 1993), Международной НТК «Диагностика, информатика, метрология, экология, безопасность-97» (Санкт-Петербург, 1997), Всероссийской НТК с участием зарубежных специалистов «Электроника и информатика-97» (Москва, 1997), V-й, VI-й и VII-й Международных конференциях «Математика, компьютер, образование» (Москва-Дубна, 1998, Москва-Пущино, 1999, Москва-Дубна, 2000), 10-й Межрегиональной конференции

МНТОРЭС им. А.С. Попова, 1-й Международной НТК "Физика и технические приложения волновых процессов" (Самара, 2001), а также на конференциях и семинарах Волгоградского государственного университета.

Достоверность полученных результатов Достоверность полученных результатов обеспечена адекватным применением математического аппарата теории измерений, теории погрешностей, теории цифровой обработки сигналов, применением современной стандартной техники, метрологической поверкой разработанной системы для физических исследований, ее функциональных узлов и блоков (аппаратного и программного обеспечения), воспроизводимостью полученных результатов.

Практическая значимость работы Заключается во внедрении результатов при создании:

-научно-исследовательских установок (аппаратного и алгоритмического обеспечения) для исследования зарядовых характеристик твердотельных гетероструктур и характеристик экспериментальных образцов приборов с зарядовой связью на их основе, в рамках хоздоговорных тем (НИИ «Микроприборы», г. Москва);

-научно-исследовательской экологической системы по исследованию влияния радиационных излучений на окружающую среду с применением приборов с зарядовой связью в рамках темы "Математическое моделирование процессов распространения промышленных выбросов в водную и воздушную среду Волгоградского региона" (межвузовская инновационная программа "Экология Нижней Волги", ВолГУ, г. Волгоград);

-аппаратно-программного обеспечения в рамках темы «Исследование распространения ударных волн в астрофизических объектах» (госбюджетная тема №99-07 «Исследование процессов распространения возмущений в неоднородных средах», ВолГУ, г. Волгоград);

-компьютерной системы для исследования характеристик базовых элементов электроники на основе пьезокерамики (НПП «Аврора-Сигнал», г. Волгоград);

-компьютерной системы для исследования электродинамических процессов СВЧ/КВЧ-диапазона (ЦИТО ГУИН Минюста РФ, г. Волгоград);

-компьютерной измерительной системы для сбора и контроля информации на металлургическом предприятии (ОАО "Металлургический завод "Красный Октябрь", г. Волгоград);

-аппаратно-программного обеспечения интеллектуальной обучающей компьютерной системы для реабилитации детей, имеющих дефект речи (спецшкола № 1, г. Волгоград).

Материалы проделанной работы использованы в учебном процессе в лекционных курсах и при постановке лабораторных работ в Уральского политехнического института им. С.М. Кирова (г. Свердловск-Екатеринбург), Балтийского государственного технического университета им. Д.Ф. Устинова (г. Санкт-Петербург), Волгоградского государственного университета (г. Волгоград), Волгоградского государственного технического университета (г. Волгоград). Они используются автором в четырех читаемых лекционных курсах для студентов 3-5-го курсов физического факультета ВолГУ (по каждому из них введены соответствующие циклы лабораторных работ с методическим обеспечением), по основным направлениям выполняются курсовые, дипломные работы, а также работы аспирантов и соискателей.

Материалы, подтверждающие внедрение результатов работы, приведены в приложении 7.

Публикации

По материалам диссертационной работы всего опубликовано 65 публикаций, из них 1 монография, 37 статей, 26 тезисов докладов и 1 авторское свидетельство на изобретение.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитируемой литературы, включающего 216 наименования, и приложения. Основная часть диссертационной работы изложена на 255 страницах машинописного текста. Работа содержит 54 рисунка и 5 таблиц.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. На основе разработанных математических моделей функциональных модулей, составляющих функциональный ресурс, произведено теоретическое обоснование и практический синтез адаптивной системы для исследования зарядовых процессов и частотных свойств твердотельных гетероструктур при воздействии электрических полей радиочастотного диапазона на основе требований реализуемых физических экспериментов.

2. Разработан алгоритм синтеза оптимальных измерительных цепей в составе адаптивной системы для физических исследований, предложен способ синтеза оптимальных измерительных структур, позволяющих получить минимальную основную погрешность измерений (не более 2 %).

3. Предложен новый принцип экспериментальной реализации метода термоочистки от фонового заряда в гетероструктурах (принцип гибкой термоочистки) с использованием программно-управляемого термо-полевого воздействия на гетероструктуры, позволивший выявить условия, подтверждающие принципиальную возможность использования приборов с зарядовой связью в составе интегральных и объемных интегральных схем в диапазоне СВЧ.

4. Установлены частотные зависимости всех факторов, определяющих зарядовые процессы в гетероструктурах при воздействии электрических полей различной частоты, показано, что встроенный заряд диэлектрика (его подвижная и неподвижная компоненты) сказываются на частотах ниже 3 кГц и в области высоких частот не сказываются, разрешенные состояния в приповерхностной области полупроводника сказываются на частотах до 1 МГц, на более высоких частотах сказываются только моноэнергетические уровни, имеющие эффективный частотный фактор 10 МГц и выше.

5. Изучено влияние эффективного частотного фактора на неэффективность переноса заряда для гетероструктур при значениях степени перезахвата заряда ш«1,5 и т«1, выявлено, что с возрастанием эффективного частотного фактора (более 100 МГц), неэффективность переноса заряда уменьшается тем быстрее, чем меньше степень перезахвата заряда. Полученные результаты позволили определить рабочий диапазон частот для экспериментально исследовавшихся ПЗС.

6. Установлены зависимости, позволяющие утверждать, что при наличии слабого перезахвата (m^l), с увеличением частоты электрического поля в диапазоне 1-300 МГц, неэффективность переноса заряда в общем случае возрастает, однако с увеличением частотного фактора, эта зависимость носит менее выраженный характер, что свидетельствует об улучшении качества переноса заряда.

7. Изучено влияние концентрации ловушек на моноэнергетических уровнях в приповерхностной области полупроводника на характеристики зарядовых процессов, показано, что с увеличением их концентрации, эффективный частотный фактор возрастает практически линейно, а порядок кинетики уменьшается. Однако совокупное влияние указанных факторов, с учетом влияния заряда, захваченного на поверхностных состояниях, на потерю заряда при его переносе в частотном диапазоне сигнала переноса 0,1-300 МГц носит сложный характер, обусловленный сменой действия одного механизма захвата носителей заряда, другим.

8. Для исследовавшихся гетероструктур установлены граничные значения усредненной плотности поверхностных состояний (Nss) в слое полупроводника и неэффективности переноса заряда (sss), определяющие границы работоспособности приборов с зарядовой связью на их основе для различных режимов обработки сигналов. В режиме формирования сигналов изображения зна

1112 3 чению Nssrpl=6,5-10 эВ" см" соответствует sssrpi=5-10" , в режиме логической

12 1 9 2 обработки сигналов значению Nssrp2= 1,1-10 эВ" см" соответствует sssrp2=2-10" .

9. Произведено обоснование выявленных закономерностей влияния эффективного частотного фактора и степени перезахвата заряда на ловушки в гетероструктурах с зарядовой связью на их частотные свойства (на частотах до 300 МГц) с помощью полученных эмпирических соотношений, подтверждающих эти закономерности.

10. Реализован новый принцип сопряжения ЭВМ с внешними устройствами, основанный на гибкости (программной управляемости) характеристик функциональных модулей экспериментальной системы, обеспечивающий ее адаптивные свойства к изменяющимся условиям текущего физического эксперимента.

255

11. Разработан новый вид аналого-цифрового преобразователя со смещением нуля, позволяющий гибко выбирать число наращиваемых разрядов (до 16 и выше) в соответствии с требуемым диапазоном входного сигнала и обеспечивать максимальную частоту оцифровки измеряемых физических величин (порядка 1 МГц) при их вводе в компьютер в режиме реального времени.

1. Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего // Физика сегодня и завтра / Под ред. В.М. Тучкевича. Л., 1973.

2. Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике // Физика сегодня и завтра: Прогнозы науки. М.: Наука, 1975.

3. Алферов Ж.И., Конников С.Г., Корольков В.И. Об одной возможности оценки влияния границы раздела в гетеропереходах на основе твердых растворов // ФТП. 1973. Т. 7. С. 1423-1429.

4. Алферов Ж.И. Инжекционные гетеролазеры // Полупроводниковые приборы и их применение / Под ред. Я.В. Федотова. М., 1971.

5. Алферов Ж.И. и др. Координатно-чувствительные фотоэлементы на основе гетеропереходов AlxGa,xAs-GaAs // ФТП. 1969. Т. 3. № 9. С. 1324-1327.

6. Альтман Дж.А. Устройства сверхвысоких частот: Пер. с англ. М.: Мир, 1998. 488 с.

7. Алъховской Э.А., Ильинский А. С., Трошин Г.И Исследование гофрированных волноводов//Радиотехника и электроника. 1974. Т. 19. №6. С. 1959-1961.

8. Арефьев А. С., Неганов В.А., Нефедов Е.И. Электродинамическая теория экранированной несимметричной двухщелевой линии передачи // Известия вузов: Радиофизика. 1998. Т. 41. № 4. С. 507-518.

9. Ю.Алексеев В.В. и др. Измерения в экологии: Учеб. пособие / СПбГЭТУ. СПб., 1998. 79 с.

10. Аникин М.М. и др. Высокотемпературный диод Шоттки Au-SiC-6H //ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 2. С. 328-333.

11. Белодедов М.В., Заярный В.П., Чмутин A.M. Анализ точности компьютерного лазерного доплеровского виброметра // Изв. вузов: Приборостроение. 1993. № 11—12. С. 51-55.

12. Белявский В.И. и др. Квазистационарные состояния дырочных пар в гетероструктурах с квантовыми ямами // ЖЭТФ. 1996. Т. 109. Вып. 6. С. 2179-2188.

13. Берман J7.C. и др. О механизме отжига дивакансий в кремнии, облученном протонами // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 8. С. 1507-1508.

14. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с.

15. Бескровный А.А., Заярный В.П. Виртуальная измерительная система для определения параметров электрических цепей и их элементов // Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. "Математика, компьютер, образование", 1998. Дубна, 1998. С. 29.

16. Болотов В.В., Вишняков А.В. Насыщение положительного заряда в окисле МОП-структур при облучении при криогенных температурах //ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 10. С. 145-154.

17. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: Физматгиз, 1962. 452 с.

18. Веденев А. С., Ждан А.Г., Рылъков В.В. Определение сечения фотоионизации легирующих примесей в полупроводниках из измерений эффекта Холла // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 6. С. 1096-1099.

19. Вертопрахов В.Н., Кучумов Б.М., Салъман Е.Г. Строение и свойства структур Si-Si02-M. Новосибирск: Наука, 1981. 96 с.

20. Вертопрахов В.Н., Салъман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск: Наука, 1979. 336 с.

21. ВиглебГ. Датчики: Пер. с нем. М.: Мир, 1989. 89 с.

22. Высокоточные измерения плотности поверхностных электронных состояний гетероструктур / Клюкин В.Э., Заярный В.П., Бикметов И.Ф. и др.; Урал. Политехи. Ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ, 1987, № 6464.

23. Голъденберг Ю.А., Поссе Е.А. Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностно-барьерных структур //ЖТФ. 2001. Т. 71. Вып. 9. С. 61-66.

24. Голъденберг JI.M. Цифровая обработка сигналов. М.: Радио и связь, 1990. 224 с.

25. Гороховатский Ю.А., Кирьянов Г.Г. Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрических релаксаций в элементах интегральных схем. М.: МИЭМ, 1984. С. 20-24.

26. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: Наука, 1982. 174 с.

27. Гороховатский Ю.А., Пономарев А.П. и др. // Математическое моделирование и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах микросхем. М.: Изд-во МИЭМ, 1985. С. 72-76.

28. Горюнов Н.Н., Маняхин Ф.И., Осипов Р.Ю. Измерение и обработка экспериментальных массивов области пространственного заряда полупроводниковых структур // Информационные технологии. 1997. № 2. С. 51-55.

29. АА.Евстратов КВ., Заярньш В.П. Распознавание речевых образов с применением натурного измерения функции возбуждения // Материалы науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та. Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997. 484 с.

30. Еестратое КВ., Заярньш В.П. Синтез вокализованных фонем на основе линейной модели речеобразования // Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. "Математика, компьютер, образование", 1998. Дубна, 1998. С. 70.

31. Аб.Еестратое К.В., Заярньш В.П. Аспекты интеллектуализации компьютерных систем учета энергоресурсов в системе энергообеспечения // Вестник Волгоградского государственного университета. Сер. 1, Математика. Физика. Вып. 3. 1998. С. 176-180.

32. А1.Еестратое КВ., Сарана Д.В. Аппаратное и программное обеспечение для исследования речевой информации: Сб. науч. ст. студентов и молодых ученых Волгоградской области (по итогам I Межвуз. науч.-практ. конф.). Ч. 3. Волгоград: Перемена, 1994. 85 с.

33. Заярный В.П. Адаптивная система для исследования зарядовых свойств гетероструктур в области высоких частот. // Тез. докл. на Междунар. конф. "Физика и технические приложения волновых процессов", 2001. Самара, 2001. С. 106.

34. Заярный В.П. О возможности передачи электрической энергии посредствам электрической индукции с помощью электрически связанных конденсаторов (емкостного трансформатора) / Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1995. Деп. в ВИНИТИ, 1995, № 3479-В95.

35. Заярный В.П. Аппаратные средства цифровой обработки сигнала лазерного интерферометра общего применения // Тез. докл. на Всесоюз. науч. семинаре "Метрология в прецизионном машиностроении", 1990. Саратов. 1990. С. 54-56.

36. Заярный В.П. Исследование радиочастотных свойств твердотельных гетерогенных структур с зарядовой связью. // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2001. Т. 4. № 4. С. 61-65.

37. Ъ%.3аярный В.П. Компьютерные измерители, преобразователи и анализаторы электрических сигналов / Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1995. Деп. в ВИНИТИ, 1995, № 3478-В95.

38. Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2002. Т. 5. № 3. С. 57-59.

39. Заярный В.П. Особенности зарядовых процессов, определяющих высокочастотные свойства гетероструктур для приборов с зарядовой связью. // Тез. докл. на Междунар. конф. "Физика и технические приложения волновых процессов", 2001. Самара. 2001. С. 92.

40. Заярный В.П. Электро-электрическая индукция в системе электрически связанных конденсаторов / Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1996. Деп. в ВИНИТИ, 1996, № 812-В96.

41. Заярный В.П., Белодедов М.В., Лапинский И.Н. Компьютерное обеспечение лазерной интерферометрической системы // Тез. докл. на Всесоюз. семинаре "Метрология лазерных измерений", 1991. Ч. 2. Волгоград, 1991. С. 48-50.

42. Заярный В.П., Муха Ю.П., Сарана Д.В. Параллельно-последовательный аналого-цифровой преобразователь с вычитанием нуля // Тез. докл. на Всерос. НТК с участием зарубежных специалистов "Электроника и информатика -97", 1997. М.: Изд-во МИЭТ, 1997. С. 22-24.

43. Заярный В.П., Сарана Д.В. и др. Моделирование речевого тракта, определение параметров и распознавание речевого сигнала // Вестник Волгогр. гос. ун-та. Сер. 1, Математика. Физика. Вып. 2. 1997. С. 137-143.

44. Заярный В.П., Тыщенко Г.А. Практический синтез оптимальных измерительных структур информационно-измерительных систем на метрологической основе. // Вестник Волгогр. гос. ун-та. Сер. 1, Математика. Физика. Вып. 5. 2000. С. 121—129.

45. Ъ.Звездин А.К., Попков А.Ф. К нелинейной теории спиновых волн // ЖЭТФ. 1983. Т. 84. № 2. С. 606-610.

46. Зверев В.А. Формирование изображений волновыми полями. Н. Новгород: ИПФ РАН, 1998.252 с.

47. ЪЪ.Зегря Г.Г., Андреев АД. Теория рекомбинации неравновесных носителей в гетероструктурах типа II // ЖЭТФ. 1996. Т. 109. Вып. 2. С. 615-638.86Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн.: Пер с англ. 2-е изд. пе-рераб. и доп. М.: Мир, 1984.

48. Иванов С.Л. Разработка программного обеспечения процессорных средств измерения // Приборы и системы управления. 1988. № 3. С. 15-16.

49. Игнатьев М.Б., Путилов В.А., Смольков Г.Я. Модели и системы управления комплексными экспериментальными исследованиями. М.: Наука, 1986. 236 с.

50. Ильичев Э.А. Неразрушающий метод диагностики глубоких уровней в полуизолирующих материалах // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 5. С. 141-143.

51. Информационные возможности электрофизических методов исследования слоистых структур с областями пространственного заряда / Клюкин В.Э., Заярный В.П., Шульгин Б.В. и др.; Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ в 1987 г., № 6463.

52. Исследование параметров глубоких центров в облученных ПЗС методом изотермической релаксации емкости / Клюкин В.Э., Заярный В.П., Климашин В.М. и др. // Химия твердого тела. Свердловск: УПИ, 1986. С. 78-83.

53. Исследование поверхностных состояний на границе раздела Ge-пиролитический окисел Si02 методами вольт-фарадных характеристик

54. Клюкин В.Э., Заярный В.П., Данилов С.Г. и др.; Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ в 1987 г., № 3196.

55. Како Н., Яманэ Я. Датчики для микро-ЭВМ: Пер. с яп. Л. Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1986. 56 с.

56. Каппелини В. и др. Цифровые фильтры и их применение: Пер. с англ. / В. Каппелини, А.Дж. Константинидис, П. Эмилиани. М.: Энергоатомиздат, 1983. 360 с. ил.

57. Керр Р. Новая тенденция в области измерений на базе персональных компьютеров // Приборы и системы управления. 1997. № 4. С. 25.

58. Колесников Н.В., Мальханов С.В., Якименко А.Н. Исследование концентрации локальных уровней и поверхностных состояний в у-облученных МДП-структурах // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 9. С.1691-1694.

59. Комбинированный термо- и фотоактивационный метод измерения электрофизических параметров в гетероструктурах: Информ. листок № 1-86 / Клюкин В.Э., Заярный В.П., Тюленев Л.Н. и др. Свердловск: СЦНТИ, 1985.4 с.

60. Корбутяк Д.В. и др. Генезис спектров низкотемпературной фотолюминесценции и энергетические состояния носителей заряда в короткопериод-ных сверхрешетках // ФТТ. 1991. Т. 33. Вып. 8. С. 2418-2422.

61. Корнюшкин Н.А. и др. Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фарадные характеристики МДП-структур на арсениде индия // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 5. С. 914-917.

62. Кузин Е.С. Интеллектуальный интерфейс: Общие принципы организации и проблемы реализации // Известия АН СССР: Техническая кибернетика. 1985. № 5. С. 48-52.

63. Кузмичев Д.А., Радкевич И.А., Смирнов АД. Автоматизация экспериментальных исследований: Учеб. пособие. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1983. 392 с.

64. Кузьмицкий А.А., Буров А.Н. О состоянии информатики и измерительной техники в России // Приборы и системы управления. 1997. № 6. С. 1.

65. Куо Б. Теория и проектирование цифровых систем управления: Пер. с англ. М.: Машиностроение, 1986. 448 е., ил.

66. Кучумов Б.М., Вертопрахов В.Н. Поляризационные явления в тонких диэлектрических слоях МДП-структур: Обзоры по электронной технике. Сер.2, Полупроводниковые приборы. Вып. 13(400), М.: ЦНИИ "Электроника", 1976. 27 с.

67. Мальцев А.А., Зимина С.В. Некоторые точные результаты статистического анализа многоканальных адаптивных систем с непрерывными градиентными алгоритмами // Изв. вузов: Радиофизика. 1999. Т. 42. Вып. 9. С. 914— 921.

68. Мелешко Е.А. Быстродействующие цифровые регистраторы формы сигнала //ГТГЭ. 1997. № 1.С. 5.

69. Методы исследования полупроводниковых материалов для приборов с зарядовой связью / Клюкин В.Э., Заярный В.П., Старцев B.C. и др. // Химия твердого тела. Свердловск, 1986. С. 79-88. (Межвуз. сб. Вып. 8).

70. Методы электрических измерений: Учеб. пособие для вузов / Л.Г. Журавин, М.А. Мариенко, Е.И. Семенов, Э.И. Цветков; Под ред. Э.И. Цветкова. JL: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1990. 288 е.: ил.

71. Мировицкий Д.И., Будагян И.Ф., Дубровин В.Ф. Микроволновая оптика и голография. М.: Наука, 1983. 320 с.

72. Мировицкий Д.И., Дубровин В.Ф., Баскаков В.В. Синфазные направленные разветвнтели поверхностной волны на диэлектрических волноводах // Антенны. М.: Связь, 1971. Вып. 12. С. 65-76.

73. Мячев А. А. Интерфейсы средств вычислительной техники: Справ. М.: Радио и связь, 1993. 352 с.

74. Нефедов Е.И. Дифракция электромагнитных волн на диэлектрических структурах. М.: Наука, 1979. 254 с.

75. Неганов В.А., Нефедов Е.И., Яровой Г.П. Современные методы проектирования линий передачи и резонаторов сверх- и крайне высоких частот. М.: Педагогика-Пресс, 1998. 328 е.: ил.

76. Неганов В.А., Нефедов Е.И, Яровой Г.П. Полосково-щелевые структуры сверх- и крайневысоких частот. М.: Наука. Физматлит, 1996. 304 с.

77. Неганов В.А., Раевский С.Б., Яровой Г.П. Линейная макроскопическая электродинамика / Под ред. Неганова В.А. Т. 1. М.: Радио и связь, 2000. 509 е., ил. 123, табл. 5.

78. Неганов В.А., Раевский С.Б., Яровой Г.П. Линейная макроскопическая электродинамика: Т. 2 / Под ред. Неганова В.А. и Раевского С.Б. М.: Радио и связь, 2001. 575 е., 142 ил.

79. Новиков В.Н., Овсюк Н.Н. Поглощение на фрактонах в дальней ИК-области // ФТТ. 1992. Т. 34. Вып. 7. С. 2280-2281.

80. Новицкий П.В., Зограф И.А. Оценка погрешностей результатов измерений. Л.: Энергоатомиздат, 1998. 248 с.

81. Носов Ю.Р., Шилин В.А. Основа физики приборов с зарядовой связью. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1996. (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). 320 с.

82. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 254 с.

83. Овсюк В.Н. и др. Планарные фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев Cdx Hgix Те, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 2. С. 193-198.

84. Орнатский П.П. Теоретические основы информационно-измерительной техники. Киев: Вища школа, 1983. 455 с.

85. Орнатский П.П., Туз Ю.М. Интеллектуальные измерительные комплексы // Приборы и системы управления. 1989. № 7. С. 15—16.

86. Островский М.А. Принцип максимального правдоподобия в задаче адаптивного обнаружения сигналов с неизвестными неинформативными параметрами // Изв. вузов: Радиофизика. 1998. Т. 41. Вып. 5. С. 640-650.

87. Певчев Ю.Ф. Финогенов К.Г. Автоматизация физического эксперимента: Учеб. пособие для вузов. М.: Энергоатомиздат, 1986. 368 е.: ил.

88. Пиляр А.В. Многофункциональная аналого-цифровая интерфейсная плата для IBM PC/AT: Препринт / Объед. ин-т ядер, исслед. (Дубна). 1995. № Р13-9-5-59. С. 1—7. Рус.; рез. англ.

89. Пименов Ю.В., Волъман В.И., Муравцов А.Д. Техническая электродинамика. М.: Радио и связь, 2000. 536 с.

90. Попов В.А., Заярный В.П. Четырехсекционная стабилоплатформа // Межгос. науч.-техн. конф. с участием зарубежных специалистов "Датчики и преобразователи информации систем измерения, управления и контроля", 1993. М., 1993. С. 57-58.

91. Портной Г.Я., Болотин О.А. Интеллектуальные датчики измерения тока // Приборы и системы управления. 1997. № 8. С. 42.

92. Поспелов Г.С. Искусственный интеллект — основа новой информационной технологии. М.: Наука. 1988. 438 с.

93. Построение экспертных систем / Под ред. Ф. Хейес-Рот, Д. Уотермен, Д. Ленат. М.: Мир, 1989. 220 с.

94. Пресс Ф.П. Формирователи видеосигнала на приборах с зарядовой связью. М.: Радио и связь, 1981. 136 е., ил.

95. Приборы с зарядовой связью / Пер. с англ под ред. М Хоувза и Д. Моргана. М.: Энергоиздат. 1981. 376 е., ил.

96. Приборы с зарядовой связью / Пер. с англ. под ред. Д. Ф. Барба. М.: Мир, 1982. 240 е., ил.

97. Применение цифровой обработки сигналов / Пер с англ. под ред. Э. Оппенгейма. М.: Мир, 1980. 312 с.

98. Прокунцев А.Ф., Юмаев P.M. Преобразование и обработка информации с датчиков физических величин. М.: Машиностроение, 1992. 324 с.

99. Радиационная стойкость приборов с зарядовой связью к облучению электронами высоких энергий / Клюкин В.Э., Заярный В. П.,

100. Климашин В.М. и др. // Радиационно стимулированные явления в твердых телах. Свердловск, 1985. С. 104-106. (Межвуз. сб. Вып. 7).

101. Резник JI.K. Проблемы использования экспертных систем в интеллектуальных средствах измерений // Сб. докл. Междунар. конф. "Мера-90", 1990. М., 1990. С. 64-71.

102. Релаксационные методы исследования энергетического спектра локализованных состояний в полупроводниках: Учеб. пособие / Сыноров В.Ф., Сысоев Б.И., Линник В.Д. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1982. 180 с.

103. Рожков В.А., Трусова АД. Энергетические барьеры на межфазных границах в МДП-системе Me-Yb203-Si // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 4. С. 60-64.

104. Романов В.Н., Соболев B.C., Цветков Э.И. Интеллектуальные средства измерений / Под ред. д-ра техн. наук Э.И. Цветкова. М.: РИЦ "Татьянин день", 1994. 280 е., ил.

105. Рош У.Л. Библия по техническому обеспечению Уинна Роша: Пер. с англ. М.: МХХК "Динамо", 1992. 328 с.

106. Сапунов В.А., Заярный В.П. Установка для исследования динамической поляризации ядер в слабых магнитных полях // ПТЭ. 1987. № 5. С. 235-236.

107. Сарана Д.В., Заярный В.П. Гибкая IBM-совместимая субсистема сопряжения компьютера с внешними устройствами // В сб. науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та, 1997. Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997.484 с.

108. Сарана Д.В., Тыщенко Г.А., Заярный В.П. Вероятностный метод распознавания слитной речи с применением лингвистического предсказания // Вестник Волгогр. гос. ун-та. Сер. 1, Математика. Физика. 1998. Вып. 3. С. 170-175.

109. Заярный В.П. Устройство для гальванической развязки электрических цепей: Свидетельство РФ RU 3357 U1, 6. Н 02 М 5/08 // Н 02 М 5/10; № 951114207/20. Заявл. 08.08. 95. Опубл. 16.12.96. Бюл. № 12.

110. Секен К, Томпсет М. Приборы с переносом заряда / Под ред. В.В. Поспелова и Р.А. Суриеса: Пер. с англ. М.: Мир, 1978. 327 е., ил.

111. Селиванов М.Н., Фридман А.Э., Кудряшева Ж.Ф. Качество измерений: Метрологическая справочная книга. Л.: Лениздат, 1987. 295 с.

112. Скрипалъ А.В., Усанов ДА. и др. Автодинное детектирование в полупроводниковом лазере при движении внешнего отражателя // ЖТФ. 1999. Т. 69. № 1. С. 72-75.

113. Соболев B.C. Потенциальная точность интеллектуальных измерений // Приборы и системы управления. 1991. № 4. С. 18-20.

114. Соболев В С. Программное обеспечение современных систем сбора и обработки измерительной информации // Приборы и системы управления. 1998. № 1. С. 55-63.

115. Солимар Л., Уолш Д. Лекции по электрическим свойствам материалов: Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 505 е., ил.

116. Сопряжение датчиков и устройства ввода данных с компьютерами IBM PC: Пер. с англ. / Под ред. У. Томпкинса, Дж. Уэбстера. М.: Мир, 1992. 392 е., ил.

117. Совкин В.В., Рубцов А.Н. Двумерные и слоистые структуры в дискретной Ф4-модели//ЖЭТФ. 2000. Т. 118. Вып. 6. С. 1391-1401.

118. Ступин Ю.В. Методы автоматизации физических экспериментов и установок на основе ЭВМ. М.: Энергоатомиздат, 1983. 288 е., ил.

119. Схема управления трехфазным прибором с зарядовой связью / Заярный В.П., Клюкин В.Э., Легезо С.Л. и др.: Информ. листок № 279-83. Свердловск: Свердл. межотрасл. территор. центр науч.-техн. информации и пропаганды, 1983. 4 с.

120. Сыноров В.Ф., Чистов Ю.С. Физика МДП-структур. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989. 178 с.

121. Тыщенко Г.А., Заярный В.П. Распознавание речевых образов при моделировании вероятностного аналога нейронной сети // Тез. докл. на VII Между-нар. науч. конф. "Математика, компьютер, образование", 2000. Дубна, 2000. С.324.

122. Тыщенко Г.А., Заярный В.П. Компьютерное осмысление понятий при распознавании речевой информации в рамках искусственного интеллекта //

123. Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. "Математика, компьютер, образование", 1998. Дубна, 1998. С. 203.

124. Тыщенко Г.А., Заярный В.П. Осмысление понятий при распознавании речевой информации // В сб. науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та. Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997. 484 с.

125. Тыщенко Г. А., Сарана Д.В., Заярный В.П. Решение задачи выделения слов в потоке слитной речи при распознавании речевых сигналов // Тез. докл. на VI Междунар. конф. "Математика, компьютер, образование", 1999. М.; Пу-гцино, 1999. С. 278.

126. Тыщенко Г.А., Сарана Д.В., Eecmpamoe И.В., Заярный В.П. Самообучающаяся компьютерная система "Вопрос ответ" // Информационные технологии. 1999. № 5. С. 36-38.

127. Управляемый азотный криостат для автоматизации электрофизических экспериментов / Волков А.Р., Заярный В.П., Клюкин В.Э. и др.: Информ. листок № 484-86. Свердловск: Свердл. межотрасл. территор. центр науч.-техн. информации и пропаганды, 1986. 4 с.

128. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансное поглощение инфракрасного излучения системой металл тонкий слой диэлектрика - диафрагма с отверстием // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 21. С. 81-83.

129. Усанов Д.А., Скрипалъ А.В., Калинкин Ю.М. Восстановление формы сложного движения объекта по сигналу автодинного детектирования полупроводникового лазера // ЖТФ. 2000. Т. 70. № 2. С. 125-129.

130. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Вениг С.В., Орлов В.Е. Резонансы в полубесконечном волноводе с диафрагмой, связанные с возбуждением волн высших типов // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 18. С. 47-49.

131. Установка для исследования глубоких центров в облученных полупроводниках / Заярный В.П., Легезо СЛ., Старцев B.C. и др. // Химия твердого тела. Свердловск: УПИ, 1986. С. 83-85.

132. Установка для исследования радиационных дефектов в облученных полупроводниках / Заярный В.П., Клюкин В.Э., Тюленев Л.Н. и др. // Тез. докл. на Свердл. НТК молодых ученых "Материаловедение в атомной энергетике", 1986. Свердловск. 1986. С. 83-84.

133. Установка для исследования характеристик приборов с зарядовой связью / Заярный В.П., Клюкин В.Э., Плотнир А.И. и др. // Материалы VII НТК УПИ / Проблемная НИЛ; Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1984. Деп. в ВИНИТИ в 1984, № 3259.

134. Ушуков Н.М., Гелъбух С.С., Петросян В.И. О влиянии температуры на высоту барьера контакта металл-полупроводник при его формировании // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 11. С. 197-200.

135. Федорков Б.Г., Телец В.А. Микросхемы ЦАП и АЦП: функционирование, параметры, применение. М.: Энергоатомиздат, 1990. 320 е.: ил.

136. Цапенко М.П. Измерительные информационные системы. М.: Энергоатомиздат, 1985. 440 с.

137. Цветков Э.И. Алгоритмические основы измерений. СПб.: Энергоатомиз-дат, 1992. 256 с.

138. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справ. / С.В. Якубовский, Л.И. Нисселъсон, В.И. Кулешова и др.; Под ред. С.В. Якубовского. М.: Радио и связь , 1990. 496 е., ил.

139. Шило В.Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Сов. радио, 1979. 366с., ил.

140. Экспериментальная ядерная физика: Пер. с англ. под ред. Э. Сегрэ. М.: Иностр. лит., 1955. 662 с.

141. Якимов Е.Б., Ярыкин Н.А. //ФТТ. 1980. Т. 22. Вып. 11. С. 3490-3492.

142. Amelio G.F., Tompsett M.F., Smith G.E. Experimental Verification of the Chage Coupled Diode Concept//Bell Sist. Tech. J. 1980. Vol. 49. P. 593-598.

143. Arnbak J. Leaky Waves on a Dielectric Rod // Electronics Letters. 1999. Vol. 5. №3. p. 41-43.

144. Aumala O., Ihalainen H., Jokinen H., Heinola K. Automatik Multivariate signal Analysis // Proc. IMEKO TC7 Intern. Symp. on AIMAC'91, Kyoto, Japan. Japan. Kyoto: SICE, 1991. P. 187-192.

145. Boyd J.W., Wilson J.B. Thin Solid Films // IEEE. 1981. Vol. 83. № 4. P. 173-176.

146. Capelletti R., et. al. Defects in Insulating Cristals / Ed. V.M. Tuckevich, K.K. Shvarts. Berlin: Springer-Verlag, 1981. P. 675-705.

147. Chmutin A.M., Zotov N.M. Laser Doppler Vibrometry in metrology / Proc. Fnt. Conf. "Laser Application in Life Scienses". Moscow: MGU Publishers, 1990. P. 67-70.

148. Clarricoats P.J., Taylor B.C. Evanescent and Propagating Modes of Dielectric-Loaded Circular Waveguide // Proc. IEEE. 1984. Vol. III. № T-6. P. 1951-1956.

149. Deal B.E., Snow E.H., Mead C.A. Barrier Energies in Metal-Silicon Dioxide-Silicon Structures // J. Phys. Chem. Sol. 1986. Vol. 27. № 11/12. P. 1873-1879.

150. Donnely J.P., Milns A.G. The Capacitance of p-n Heterojunction Including the Effects of Interface States // IEEE. Trans. Electron Devices. 1987. Vol. ED-14. № 2. P. 63-68.

151. Finkelstein L. Theoretical Basis of Intelligent and Knowledge Based Instrmentation // Proc. IMECO TC7 Intern. Symp. On AIMfc' 91, Kyoto, Japan: Japan. Kyoto: SICE, 1991. P. 43-50.

152. Goetsberger A. Ideal MOS Curves for Silicon // Bell Syst. Tech. J. 1976. Vol. 45. P. 1097-1104.

153. Goetsberger A., Klausmann E., Shulze M. Interface States on Semiconductor / Insulator Surfaces // CRC Critical Reviews in Solid State Sciences. 1986. Vol. 6. № l.P. 1-43.

154. Grey P. V., Brown D.M. Density of Si-Si02 Interface States // Appl. Phis. Lett. 1987. Vol. 8. №2. P. 31-33.

155. Helszajn J., Fan F.C. Mode Shart for Partial-Height Ferrite Waveguide Circulation // Proc. IEEE. 1985. Vol. 122. № 5. P. 34-36.

156. Hoffman H. Dispersion of Planar Waveguides for Millimeter-Wave Application // AEU. 1997. Vol. 31. № 1. P. 40-44.

157. Killiany J.M., Baker WD. Limitations of a Threshold-Insensitive CCD Input Techniquein a Total Dose Radiation Environment // Conf. Applic. CCDs Proc. 1985. P. 369-374.

158. May T.C., Woods M.H. A New Physical for Soft Errors in Dynamic Memories // Phys. Symp. Proc. 1988. P. 33-40.

159. Nakano M. et al. Small Size Polarization Diversity Antenna//Nat. Soc. Conv. Of IEEE. Vol. B-l-42. 1997. P. 86-89.

160. Mitchell D.M. An Analytical Investigation of Current-Injected Control for Constant-Frequency Switching Regulator // IEEE. Trans. Power Electron. 1996. Vol. PE-1. № 3. P. 73-76.

161. Nicollian E.H., Brews J.R. MOS Physics and Technology. N. Y., 1992.

162. Nicollian E.H., Goetsberger A. MOS Conductance Technique for Measuring of Surface State Parameters // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 7. № 8. P. 216-218.

163. Nicollian E.H., Goetsberger A. MOS Study of Interface State Time Constant Dispersion // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 10. № 2. P. 60-64.

164. Nicollian E.H., Goetsberger A. The Si-Si02 Interface Electrical Properties as Determined by the Metal Insulator Silicon Conductance Technique // Bell Sist.

165. Techn. J. 1977. Vol. 46. № 5. P. 1055-1062.

166. Nicollian E.H., Melchior H. A Quantitative Theory of 1/f Type Noise Due to Interface States in Thermally Oxidized Silicon // Bell Sist. Tech. J. 1997. Vol. 46. № 9. P. 1935-1944.

167. Powell R.J. Photo injection into Si02 Use of Optional Interference to Determine Electron and Hole Contribution // J. Appl. Phys. 1989. Vol. 40. № 13. P. 1093-1101.

168. Powell R.J., Derbenwich G. Vacuum Ultraviolet Radiation Effects in Si02 //IEEE. TransNucl. Sci. 1991. Vol. NS-18. № 6. P. 99-107.

169. Sacs N.S., Killiany J.M., Baker W.D. Effects of Neutron Irradiation on the Characteristics of a Buried Channel CCD at 80 and 295 К // NASA-JPL Conf. CCD Tech. Applic. Proc. 1996. P. 110-114.

170. Schoneman G.K., Mitchell D.M. Closed-Top Performance Comparisons of Switching Regulators with Current-Injected Control // IEEE. Trans. Power Electron. 1988. Vol. 3. № 1. P. 48-51.

171. Simons R.N. Broadside Coupled Slot - Line Field Components // IEEE. Trans. MTT. 1994. Vol. 32. № 1. P. 116-120.

172. Sped D.F. Probabilistic Neural Networks // Neural Networks. 1990. № 3. P. 109-118.

173. Sztipanovits J., Bourn J. Design of Intelligent Instrumentation // Proceedings of I-st Conference on Art. Intell. Appl. IEEE Computer Society. 1984. P. 213-217.284

174. Tsandonlas G.H., Ince W.J. Modal Inversion in Circular Waveguides // IEEE Trans. MTT-19. 1971. № 4. P. 386-391.

175. Zerbst M. Relaxations Effect an Halbleiter-Insulator-Grenzfidchen //Z. Angew. Phys. 1986. Vol. B-22. P. 30-33.

176. АВТОРСКИЙ СПИСОК НАУЧНЫХ ТРУДОВ

177. А1. Белодедов MB., Заярный В.П., Чмутин А.М. Анализ точности компьютерного ла-зфногодоплеровскош виброметра// Изв. вузов: Приборостроение. 1993.№ 11—12. С. 51-55.

178. А2. Бескровный А.А., Заярный В.П. Виртуальная измерительная система для определения параметров электрических цепей и их элементов // Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. "Математика, компьютер, образование", 1998. Дубна, 1998. С. 29.

179. А4. Высокоточные измерения плотности поверхностных электронных состояний гетероструктур / Клюкин В.Э., Заярный В.П, Бикметов И.Ф. и др.; Урал. Политехи. Ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИЩ 1987, № 6464.

180. А5. Евстрапюв И.В., Заярный В.П. Распознавание речевых образов с применением натурного измерения функции возбуждения // Материалы науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997.484 с.

181. А6. Евстратов И.В., Заярный В.П. Синтез вокализованных фонем на основе линейной модели речеобразования // Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. "Математика, компьютер, образование", 1998. Дубна, 1998. С. 70.

182. А7. Евстратов И.В., Заярный В.П. Аспекты интеллектуализации компьютерных систем учета энергоресурсов в системе энергообеспечения // Вестник Волгоградского государственного университета Сер. 1, Математика Физика. Вып. 3.1998. С. 176-180.

183. А8. Жданов ГЛ., Заярный В.П., КатихинаН.В. Цифровая лазерная измерительная система // Тез. докл. на III Всесоюз. науч. семинаре "Диагностическое применение лазеров и волоконной оптики в народном хозяйстве", 1990. Волгоград, 1990. С. 109-110.

184. А9. Заярный В.П. Адаптивная система дня исследования зарядовых свойств гетероструктур в области высоких частот. // Тез. докл. на Междунар. конф. "Физика и технические приложения волновых процессов", 2001. Самара, 2001. С. 106.

185. А10. Заярный В.П. О возможности передачи электрической энергии посредствам электрической индукции с помощью электрически связанных конденсаторов (емкостного трансформатора) / Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1995. Деп. в ВИНИТИ, 1995, № 3479-В95.

186. All. Заярный В.П. Аппаратные средства цифровой обработки сигнала лазерного интерферометра общего применения // Тез. докл. на Всесоюз. науч. семинаре "Метрология в прецизионном машиностроении", 1990. Саратов. 1990. С. 54-56.

187. А12. Заярный В.П. Исследование радиочастотных свойств твердотельных гетерогенных структур с зарядовой связью. // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2001. Т. 4. № 4. С. 61-65.

188. А13. Заярный В.П. Исследование частотных свойств твердотельных слоистых структур в составе приборов с зарядовой связью //Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 3. С. 29-35.

189. А14. Заярный В.П. Комбинированный аналого-цифровой преобразователь со смещением нуля //ПТЭ. 1997. № 4. С. 42-44.

190. А15. Заярный В.П. Компьютерные измерители, преобразователи и анализаторы электрических сигналов /Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1995. Деп. в ВИНИТИ, 1995, № 3478-В95.

191. А16. Заярный В.П. Модуль 12-разрядного аналого-цифрового преобразователя длякомпьютеров IBM PC //ГТГЭ. 1995. № 6. С. 175-176.

192. А17. Заярный В.П. О некоторых радиационных эффектах в МДП-структурах в области низких температур / Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ, 1988, №949.

193. А18. Заярный В.П. О существовании внесенной (взаимной) емкости у электрически связанных конденсаторов / Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1996. Деп. в ВИНИТИ, 1996, № 168-В96.

194. А19. Заярный В.П. О влиянии зарядовых процессов в твердотельных слоистых структурах на частотные свойства микроприборов на их основе // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2002. Т. 5. № 3. С. 57-59.

195. А20. Заярный В.П. Особенности зарядовых процессов, определяющих высокочастотные свойства гетероструктур для приборов с зарядовой связью. // Тез. докл. на Междунар. конф.' 'Физика и технические приложения волновых процессов", 2001. Самара 2001. С. 92.

196. А21. Заярный В.П. Радиофизические свойства твердотельных слоистых структур с зарядовой связью: методы и информационные возможности для их определения. М: Радио и связь, 2001.212 е.: ил.

197. А23. Заярный В.П. Тенденции развития компьютерных средств сопряжения в современном физическом эксперименте // Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ. 1997. Т. 5.3(19). С. 235-236.

198. А25. Заярный В.П. Устройство для гальванической развязки электрических цепей: Свидетельство РФ RU 3357 U1,6. Н 02 М 5/08 // Н 02 М 5/10; № 951114207/20. Заявл. 08.08. 95. Опубл. 16.12.96. Бюл. № 12.

199. А26. Заярный В.П. Электро-элекгрическая индукция в системе электрически связанных конденсаторов/Волгогр. гос. ун-т. Волгоград, 1996. Деп. в ВИНИТИ, 1996,№812-В96.

200. А27. Заярный В.П., Беюдедов МВ., Лагшнский И.Н. Компьютерное обеспечение лазерной интерферометрической системы // Тез. докл. на Всесоюз. семинаре "Метрология лазерных измерений", 1991. Ч. 2. Волгоград, 1991. С. 48-50.

201. А28. Заярный В.П., Беляев КВ. Автоматизация мессбауэровского спектрометра на базе системы КАМАК // Тез. докл. на 7-й науч. конф. преподавательского состава Волгоградского государственного университета, 1990. Волгоград, 1990. С. 31-33.

202. А29. Заярный В.П., Буков В.В. Автоматизация установки для исследования электрофизических свойств гетероструктур с применением системы КАМАК // Тез. докл. на 9-й науч. конф. преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та, 1992. Волгоград, 1992. С. 47-48.

203. А36. Заярный В.П., Сарана Д.В. Повышение скорости ввода в ПЭВМ IBM и точности представления информации от микрополосковых антенн на основе расширяющихся щелевых линий //Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ. 1996. Т. 4. № 2(14). С. 208-210.

204. А37. Заярный В.П., Сарана Д.В. и др. Моделирование речевого тракта, определение параметров и распознавание речевого сигнала // Вестник Волгогр. гос. ун-та Сер. 1, Математика Физика. Вып. 2.1997. С. 137-143.

205. А38. Заярный В.П., Сарана Д.В., Евстратов И.В. Мношфункциона) 1ьный ЮМ-совместимый модуль сопряжения дня экспериментальной СВЧ/КВЧ-системы // Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ. 1997. Т. 5. № 3(19). С. 231—234.

206. А40. Заярный В.П., Тыщенко Г.А. Практический синтез оптимальных измерительных структур информационноизмфительных систем на метрологической основе. // Вестник Волгогр. гос. ун-та Сер. 1, Математика. Физика. Вып. 5.2000. С. 121—129.

207. А41. Информационные возможности электрофизических методов исследования слоистых структур с областями пространственного заряда / Клюкин В.Э., Заярный В.П., Шульгин Б.В. и др.; Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ в 1987 г., № 6463.

208. А42. Исследование параметров глубоких центров в облученных ПЗС методом изотермической релаксации емкости /Клюкин В.Э., Заярный В.П., Климашин В.М. и др. // Химия твердого тела. Свердловск: УПИ, 1986. С. 78-83.

209. А43. Исследование поверхностных состояний на границе раздела (Зе-пиролитический окисел SiCb методами вольт-фарадных характеристик / Клюкин В.Э., Заярный В.П., Данилов С.Г. и др.; Урал, политехи, ин-т. Свердловск, 1987. Деп. в ВИНИТИ в 1987 г., № 3196.

210. А46. Комбинированный термо- и фотоактивационный метод измерения электрофизических параметров в гетероструктурах: Информ. листок № 1-86/Клюкин В.Э., Заярный ВН., ТюленевЛН. и др. Свердловск: СЦНЩ 1985.4 с.

211. А47. Методы исследования полупроводниковых материалов для приборов с зарядовой связью / Клюкин В.Э., Заярный ВН., Старцев B.C. и др. // Химия твердого тела Свердловск, 1986. С. 79-88. (Межвуз. сб. Вып. 8).

212. А49. Полое В.А., Заярный В.П. Четырехсекционная стабилоплатформа // Межгос. науч-техн. конф. с участием зарубежных специалистов "Датчики и преобразователи информации систем измерения, управления и контроля", 1993. М., 1993. С. 57-58.

213. А50. Радиационная стойкость приборов с зарядовой связью к облучению электронами высоких энергий /Клюкин В.Э., Заярный В.П., Климашин В.М. и др. // Радиационно стимулированные явления в твердых телах. Свердловск, 1985. С. 104-106. (Межвуз. сб. Вып. 7).

214. А51. Сапунов В.А, Заярный В.П. Установка для исследования динамической поляризации ядер в слабых магнитных полях // ПТЭ. 1987. № 5. С. 235-236.

215. А52. Сарана Д.В., Заярный В.П. Гибкая IBM-совместимая субсистема сопряжения компьютера с внешними устройствами // В сб. науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та, 1997. Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997.484 с.

216. А53. Сарана Д.В., Тыщенко Г.А., Заярный В.П. Вероятностный метод распознавания слитной речи с применением лингвистического предсказания //Вестник Волгогр. гос. ун-та. Сер. 1, Математика. Физика. 1998. Вып. 3. С. 170— 175.

217. А55. Схема угравления трехфазным прибором с зарядовой связью / Заярный В.П., Клюкин В.Э., Легезо СЛ. и др.: Информ. листок № 279-83. Свердловск: Свердп. межотрасл. терригор. центр науч.-техн. информации и пропаганды, 1983.4 с.

218. А56. Тыщенко ГА, Заярный В.П. Распознавание речевых образов при моделировании вероятностного аналога нейронной сети // Тез. докл. на VII Междунар. науч. конф. "Математика, компьютер, образование", 2000. Дубна, 2000. С. 324.

219. А57. Тыщенко Г.А., Заярный В.П. Компьютерное осмысление понятий при распознавании речевой информации в рамках искусственного интеллекта // Тез. докл. на V Междунар. науч. конф. "Математика, компьютер, образование", 1998. Дубна, 1998. С. 203.

220. А58. Тыщенко Г.А., Заярный В.П. Осмысление понятий при распознавании речевой информации // В сб. науч. тр. профессорско-преподавательского состава Волгогр. гос. ун-та. Волгоград: Изд-во ВолГУ, 1997.484 с.

221. А59. Тыщенко Г.А., Сарана Д.В., Заярный В.П. Решение задачи выделения слов в потоке слитной речи при распознавании речевых сигналов // Тез. докл. на VI Междунар. конф. "Математика, компьютер, образование", 1999. М.; Пугцино, 1999. С. 278.

222. А60. Тыщенко Г.А., Сарана Д.В., Евстратов КВ., Заярный В.П. Самообучающаяся компьютерная система "Вопрос ответ" // Информационные технологии. 1999. № 5. С. 3638.

223. А61. Управляемый азотный криостат для автоматизации электрофизических экспериментов / Волков А.Р., Заярный В.П., Клюкин В.Э. и др.: Информ. листок № 484-86. Свердловск: Свердл. межотрасл. территор. центр науч-техн. информации и пропаганды, 1986.4 с.

224. А62. Установка для исследования глубоких центров в облученных полупроводниках / Заярный В.П, Легезо СЛ., Старцев B.C. и др. // Химия твердого тела Свердловск: УПИ, 1986. С. 83-85.

225. А63. Установка для исследования радиационных дефектов в облученных полупроводниках / Заярный В.П., Клюкин В.Э., Тюленев ЛН. и др. // Тез. докл. на Свердл. НТК молодых ученых "Материаловедение в атомной энергетике", 1986. Свердловск. 1986. С. 83-84.

226. А64. Установка для исследования характеристик приборов с зарядовой связью / Заяр1 —► 2 -> 3

227. Рис. П1-1. Типовые структурные схемы канала ввода (а) и канала вывода (б) сигналов с применением ЭВМ: 1-ОИ; 2-ПИП (датчик); 3-ПрИП; 4-АЦП; 5-УС; 6-ЭВМ; 7-ЦАП; 8-РгВв-Выв; 9-СУВОИ171. Rl' Rj2 Rj3 R!4 R!5 К R2

228. Рис. П1-2. Обобщенная структура аппаратного обеспечения функционально сложного РФЭ: 1-ОИ; 2-измерительная камера; 3-интеллектуальный датчик; 4-ПИП; 5-ПрИП; 6-УВХ; 7-АМ; 8-НУ; 9-АЦП; 10-УС; 11-ЭВМ; 12-ЦАП; 13-ДМ; 14-РгВв-Выв; 15-СУВОИ; 16-БП; 17-ИОН

229. Структурная схема обобщенного АО

230. Все оперативные и окончательные данные по организации и проведению эксперимента, а также получению результатов эксперимента, так или иначе, поступают в распоряжение эксперта для принятия дальнейших решений.

231. Разработка моделей реальных модулей функционального ресурса для физических исследований, формирование базы данных

232. Математические модели ФМ, входящих в состав разработанного ИФР, выводятся из общей их структуры, приведенной в п. 3.3 и конкретных значений характеристик ФМ, приведенных в п. 2.1. С учетом сказанного, они будут представлять собой следующие кортежи:

233. Ms^b=(rsi(-)> (sleS lmin?Simax., fsl [fslmin> fslmax ] )sb (Ui(t)e[Uimin, UimaJ,fi g firmin? firmax.), abs 0, inc М'^лдв^модель ПИП1 (лазерный доплеровский виброметр, имеет Ulmin=-5 В, U,max=+5 В, firmin=0, firmax=l МГц);

234. MS4H4B®X=(RS4(-)' (s4e S4min,S4max., fs4e[fs4min, fS4max] )s4, (u4(t)G [U4niln, U4max], f4e[f4rmin, f4rmax]), abs 0, inc М'^нчвсюО-модель ПИП4 (экспериментальная установка низкочастотных вольт-фарадных характеристик, имеет U4min=0 В,о

235. U4max=+1 В, f4rmin=10 Гц, £фгтах=1 Гц);

236. Ms5HPE=(Rs5(-), О5 е Sfmin jSsmax.) fs5 e[fs5mim fs5max] )s5j (u5(t)e [U5mjn, U5max],f5ef5rmin, fsrmax.)? abs 0, inc М^щ^-модель ГШП5 (экспериментальная установка изотермической релаксации емкости, имеет U5min=-10 В, U5max=0 В, f5rmax=0,25 МГц);

237. Ms6TCn=(Rs6(")5 (s6 £ fS6min?S6max.? fs6efs6min, fS6max] )s6, (ибОО e [Uemin, Ugmax] >fjj £ fermin? ^бгтах.)? abs 0, inc М'^бтсп^модель ПИП6 (экспериментальная установка термостимулированных токов поляризации, имеет и6т;п=-1 В,2

238. U6max=+1 В, f6rmin=10 Гц, f6rmax=10 Гц);

239. Ms8T/n=(Rs8(')> (s8eS8min,S8max., fs8e[fs8min, fS8max] )s8, (Ug(t) £ [U8min, U8max], f8£ [f8rminj fsrmax]), abs 0, inc М'^т/дЬмодель ПИП8 (дифференциальная термопара, имеет U8min=0 В, U8max=+10 мВ, f8rmin=T0~2 Гц, f8rmax=l Гц);

240. Ms9m=(Rs9(,)5 (s9eS9min,S9max., fs9e[fs9min, fS9max] )s9, (U9(t) £ [U9min, U9max],f9£f9rmin, f9rmax.), abs 0, inc M1s9M)- модель ПИП9 (микрофон, имеет U9min= -30 мВ, U9max=+30 мВ, f9rmin=20 Гц, f9rmax=20 кГц);

241. Msiovg=(Rslo(')> (us10(t)GlJl0mim UiOmaxL fse[flOmim flOmax.)) abs О, ШС M ^lOVg) "модель ПИП10 (генератор пилообразного напряжения, имеет Uiomin=-10 В,

242. UiOmax=+10 В, flOrmin=10 3 Гц, flOrmax=10 2 Гц);

243. Mhi=(Rhi(-)5 (si, Msi )нь Ки1, abs 0, inc М'^О-модель нормализатора HI (имеет расчетный коэффициент передачи Ки 1);

244. Mh2=(Rh2(-)> (s2, Ms2 )н2, Ки2, abs 0, inc М^щ^модель нормализатора Н2 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки2);

245. Mh3=(Rh3(0> Ms3 )нз, КуЗ, abs 0, inc М1Нз)-модель нормализатора НЗ (имеет расчетный коэффициент передачи Ки3);

246. MH4=(Rh4(05 (s4, Ms4 )н4, Ки4, abs 0, inc М"1Н4)-модель нормализатора Н4 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки4);

247. MH5=(Rh5('); (s5, Ms5 )н5, Ки5, abs 0, inc М1Н5)-модель нормализатора Н5 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки5);

248. Mh6=(Rh6(,)5 (s6, Ms6 )нб, Ки6, abs 0, inc М1нб)-модель нормализатора Н6 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки6);

249. MH7=(Rh7(-)5 (s7, Ms7 )н7, Ки7, abs 0, inc М" ^-модель нормализатора Н7 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки7);

250. MH8=(Rh8(0» (s8, Ms8 )н8, Ки8, abs 0, inc М'^-модель нормализатора Н8 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки8);

251. Mh9=(Rh9(')» (s9, Ms9 )н9, Ки9, abs 0, inc М^н^-модель нормализатора Н9 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки9);

252. Mhio=(RhioO, (si0, Ms10 )hio, KulO, abs 0, inc М"ню)-модель нормализатора HI0 (имеет расчетный коэффициент передачи Ки10);uaumax . )увхь txpb abs 0, inc 0)-модель УВХ1;mybx2~(RyBX2(')1. МувхзНДувхзО1. МуВХ4 (RyBX4(")

253. MyBX5=(RyBX5(') Mybx6=(RyBX6(') MyBX7=(RyBX7(0 Mybx8=(RyBX8(')1. MyBX9-(RyBX9(')

254. UeUaiimin, U ацтах . )увх2? txp2, abs 0, inc 0

255. UeUaumin, иацтах. Уувхз, txp3, abs 0, inc 0

256. UeUaiimjn, Uaumax. )yBx4? txP4, abs 0, inc 0

257. UeUaiimjn, Uaumax. УУВХ5, txp5, abs 0, inc 0

258. UeUaL[min, Uaumax. )yBx6, txP6, abs 0, inc 0

259. UeUaiimjn, Uaqmax. )увх7? txP7, abs 0, inc 0

260. Ug Uaumjn, иацтах. )увх8> txp8? abs 0, inc 0

261. UeUaiimjn, Uaumax. )увх9, txp9, abs 0, inc 0)-модель УВХ9;-модель УВХ2;-модель УВХЗ;-модель УВХ4;-модель УВХ5;-модель УВХ6;-модель УВХ7;-модель УВХ8;

262. MyBxio=(RyBxio(-), (UеUaumjn, Uaiimax. )увхю, txpio, abs 0, inc 0)-модель1. УВХ10;

263. Mak,=(Raki(-), (Ue Uaumax., Мувх )акь пакь abs 0, inc 0)-модельаналогового коммутатора 1 (имеет Пдк1=4); MAK2=(Rak2(-)5 (Ue

264. Мувх )ак2, Пдх2, abs 0, inc 0)-модель аналогового коммутатора 2 (имеет пак2=8);

265. МацшЧДацшОХ ((UeUimin, Ujmax., fe[0, fmaxi]), МУВх, МКом )ацпь 4imax?abs (Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпг) inc 0)-модель АЦП1 (АЦП с кварцованным периодом дискретизации, имеющий Uimjn=-5 В, Uimax=+5 В, fmaxi=0,5 МГц,qi max =12);

266. МацП2=(К-АЦП2(0> ((UeU2min, U2max., fG[0, fmax2]), Мувх, Мком )аЦП2, Я2тах, abs (Мдцпь Мдцпз, Мдцпд, МАцП5) inc 0)-модель АЦП2 (комбинированный АЦП с наращиваемым числом разрядов, имеющий и2тт=-5 В, U2max=+5 В, fmax2=T,0 МГц, q2max=l(H16);

267. М!дцпз=(1^-ацпз(')' ((UGU3min, U3max., fe [0, fmax3])5 Мувх, М{(ом )аЦПЗ, ЯЗтах, abs (Мдцпь МАцт, Мдцп4, Мацп5) inc 0)-модель АЦПЗ (АЦП в стандарте КАМАК, имеющий U3min=-8,128 В, U3max=0 В, fmax3=50 МГц, q3max=8);

268. Мдцп4=(КаЦП4(,)5 ((UeU4min, U4max., fe[0, fmax4]), MyBX, МКом )аЦП4, Ч4тах, abs (Мдцпь Мдцт, МдцПЗ, Мдцпз) inc 0)-модель АЦП4 (АЦП в составе платы SOUNDBLASTER, имеющий U4min=-0,5 В, U4max=+0,5 В, fmax4=44 кГц, q4max=20);

269. Мацпз^ацпзСО» ((ugU5min, UsmaxL f£[0> fmax5.)j Мувх, МКом )аЦП5, я5тахэ abs (Мдцпь МдцП2, МдцПЗ, МдцШ) inc 0)-модель АЦП5 (полуалгоритмический АЦП, имеющий U5min=0 В, U4max=5 В, fmax5=40 кГц, q5max=12);

270. Myci=(Ryci(0) (Мдцпь Мдцпг, МдцПЗ, МдцП4, МдцП5 )усь ЧуСЬ ^зусЬ abs Мусг, inc 0)-модель устройства сопряжения 1 (qyci=24, t3yci=0,l мкс);

271. Myc2=(Ryc2(-)' (Мдцпь Мдцпг, Мдцп3, Мдцп4, МдцП5 )ус2, Чусг, t3yc2, abs Мусь inc 0)-модель устройства сопряжения 2 (qyC2=24, t3VC2=l мкс);

272. Мцф1=(к-1цф1(")5 (Мдцпь Мдцпг, МдцПЗ, МдцП4, Мдцпэ, Мусь Мусг Уцфь abs Мцф2, inc 0)-модель цифрового фильтра 1 (КИХ-фильтр);

273. Мцфг=(Кцф2(-), (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, МдЦП4, Мдцп5, МУС1, МуС2 Уцфг, abs Мцфь inc 0)^модель цифрового фильтра 2 (БИХ-фильтр);

274. HI-(R Hl(")> (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпз, Myci, Мус2, Мцф) НЬ (Kul)"1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. RHI(-);1. М"1

275. H2 (R 112(0' (Мдцпь Мддп2, Мдцпз, МдцП4, Мдцп5, МуС1, МуС2, Мцф) Н2, (Ки2)"' abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. Rm(-);

276. M"1h3=(R"'h3(-), (Мдцпь Мдцпг, МдцПЗ, Мдцп4, Мдцпз, МУСь МУС2, МцфУнз, (КиЗ)"1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. Rhb(0;

277. M"1h4=(R'1h4(-)» (Мдцпь Мдцпг, МАцПз, МдцП4, Мдцпз, Мусь МУС2, Мцф)"1н4, (Ku4)1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. RmO?

278. M"1h5=(R"1h5(-), (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпз, Мусь Мусг, Мцф)"1н5, (Ки5)"' abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. Rhs(-);

279. M"1h6=(R"ih6(-), (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпз, МуСЬ МУС2, МцфУ'нб, (Куб)"1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. Rh6(0;

280. M"1H7=(R"1H7(-), (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпз, Мусь Мусг, -Мцф)"\ 17, (Ku7)1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. RhtO);

281. M"1h8=(R"1H8(0> (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, МдцП4, Мдцпз, МУСь Myc2, Мцфу!ш, (Ku8)1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. RHS(-);

282. M"1H9=(R"1H9(-)5 (Мдцпь Мдцпг, Мдцпз, Мдцп4, Мдцш, М„ф)"'н9, (Ки9)"' abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное RroO);

283. M"1H10=(R"1H10(-), (Мдцш, Мдцш, Мдцпз, Мдцп4, Мдцпз, Мусь Мусг, Мцф)" !hio, (КиЮ)"1 abs 0, inc 0)-модель ФМ, реализующего преобразование, обратное1. RhioO);

284. M'^^R"1^-), (M"'Hi )s1'\ abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное Rsi(-);

285. М"'s2=(R"^s2(')' (M"Vi2 )s21, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное RS2G);

286. M"1s3=(R"1s3(-), (М-1НЗ )s31, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное Rs3(-);

287. M"1s4=(R"1s4(-), (M'Vm )s41, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное RS4(0;

288. M"1s5=(R"1s5(-), (М1н5 )s51, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное RssG);

289. M"1s6=(R"1s6(-), (М1Н6 )s61, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное RS6(0;1.f^KR^GX (M~Vi7 У71, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное R^GX

290. M"1s8=(R"1s8(-), (М"'н8 )s8~\ abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное Rs8(-);

291. M"1s9=(R"1s9(-), (M"Vi9 )s91, abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное Rs9(');

292. M'^io^R^sioco, (M"'hio )sio~\ abs 0, inc 0)-модель модуля, реализующего преобразование, обратное RsioC*)jmcmo=(rcmo(-)» (Мдцп, Мус, Мцф, М1Н, M"'s Усмо, л abs 0, inc 0)-модель модуля, обеспечивающего цифровые преобразования в соответствии со СМО;

293. Mynp=(Rynp(-), (s, Ms, Мн, Мувх, Мак, МацП, Мус, М1н, M"'s, Мцф, МСмо )упр, abs 0, inc Ms, МУВх, Мак) модель управляющего модуля;