Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния, стимулированная ионным облучением тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Состояние проблемы.

1.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния.

1.1.1. Основы метода МЛЭ Si.

1.1.2. Легирование слоев кремния в процессе МЛЭ.

1.1.3. Обзор современных моделей легирования слоев кремния в методе МЛЭ.

1.2. Выращивание легированных слоев кремния методом сублимационной МЛЭ.

1.2.1. Основы метода. Рост нелегированных слоев.

1.2.2. Испарение примеси из кремниевого источника.

1.2.3. Легирование в методе сублимационной МЛЭ Si.

1.3. Выращивание на кремниевых подложках гетероэпитаксиаль-Ф ных структур, содержащих слои твердого раствора кремний-германий.

1.4. Методы активации вхождения примеси в слои кремния при молекулярно-лучевой эпитаксии.

1.4.1. Низкоэнергетическая ионная имплантация.

1.4.2. Твердофазная эпитаксия (ТФЭ).

1.4.3. Легирование, усиленное приложением потенциала к подложке. ф 1.5. Постановка задачи исследования.

Глава 2. Методика эксперимента.

2.1. Вакуумное оборудование для выращивания слоев Si и Sii.xGex методом сублимационной МЛЭ.

2.1.1. Высоковакуумные установки для выращивания структур.

2.1.2. Источники паров кремния и легирующей примеси.

2.1.3. Нагреватели подложки.

2.2. Выращивание легированных эпитаксиальных слоев кремния.

2.3. Выращивание слоев твердого раствора SiixGex на Si(100) методом сублимационной МЛЭ Si в среде германа.

2.4. Методы исследования структуры, электрофизических параметров эпитаксиальных слоев и распределения примесей в них.

2.4.1. Метод изготовления косого шлифа.

2.4.2. Методики приготовления электронно-прозрачных образцов и исследования структуры слоев.

2.4.3. Методы измерения электрических параметров слоев.

2.4.4. Методы исследования распределения примесей в слоях

Si и SiixGex.

Глава 3. Выращивание нелегированных слоев Si с приложением потенциала к подложке.

3.1. Выявление ионной составляющей в потоке атомов Si из сублимирующего источника.

3.2. Влияние бомбардировки низкоэнергетическими ионами Si+ на травление слоя диоксида и последующий рост эпитаксиального слоя кремния.

3.3 Захват атомов фоновых примесей слоем кремния при выращивании его с приложением и без приложения отрицательного потенциала к подложке.

3.4 Распределение легирующих и фоновых примесей в эпитаксиальных слоях кремния, выращенных на пористом кремнии методом сублимационной МЛЭ без приложения и с приложением потенциала к подложке.

Глава 4. Закономерности переноса примесей из сублимирующего источника и из расплава кремния в слой.

4.1. Перенос традиционных легирующих примесей из сублимирующего кремниевого источника в слой.

4.2. Перенос галлия из кремниевого источника в эпитаксиальный слой.

4.3. Испарение легирующей примеси из расплава кремния.

Глава 5. Вхождение традиционных легирующих примесей в слои кремния при выращивании их методом сублимационной

Актуальность темы. В последние десятилетия внимание исследователей в нашей стране и за рубежом привлечено к проблеме перехода линейных размеров активных областей приборов микроэлектроники с единиц микрометров на субмикронный уровень. Это привело к возникновению нового направления в физике, технологии и электронной технике - нано-электроники. Нанометровая шкала диктует необходимость создания таких многослойных структур, в которых граница раздела между однородными слоями имеет атомный масштаб. В настоящее время имеются достаточно развитые технологии, основанные на эпитаксиальном наращивании полупроводниковых структур, среди которых метод молекулярно-лучевой эпи-таксии (МЛЭ) является наиболее перспективным. Этот метод был успешно использован при выращивании многослойных структур с резкими границами между слоями субмикронной толщины соединений АшВу.

В то же время выращивание таких структур на основе кремния - материала "номер один" твердотельной электроники - еще не достигло таких успехов. В методе МЛЭ Si большинство легирующих примесей имеют низкий коэффициент прилипания и достаточно высокий коэффициент десорбции при относительно низких температурах роста. Из-за поверхностной сегрегации примеси происходит размытие концентрационного профиля на границе слоев. В связи с этим ведутся поиски методов легирования, которые являются альтернативными по отношению к термическому спонтанному легированию. Среди них наиболее широко используется метод низкоэнергетической (единицы килоэлектронвольт) ионной имплантации легирующей примеси в процессе роста слоев кремния. Пионерские работы в этом направлении велись в НИФТИ ННГУ под руководством д.ф.м.н. В.А. Толомасова.

Однако в этом методе применяется сложное, дорогостоящее оборудование, а сам процесс ионной имплантации приводит к значительному дефектообразованию в слоях, поэтому рост слоев необходимо проводить при повышенных температурах. Более перспективным является использование облучения поверхности роста низкоэнергетическими ионами (сотни электронвольт), например, ионами Si+, которые присутствуют в молекулярном потоке при электронно-лучевом испарении кремния и которые могут быть ускорены приложением потенциала к подложке.

Поскольку в первых экспериментах по легированию слоев кремния в процессе МЛЭ путем приложения потенциала к подложке существенно увеличить эффективность легирования удалось лишь для одной примеси (сурьмы), в то время, как эффективность легирования другими примесями была либо незначительной, либо нулевой, как в случае легирования галлием, то требовалось проведение исследований на более качественном уровне за счет создания идентичных условий при легировании широким спектром примесей. Кроме того, необходимо было также исследовать и захват растущим слоем твердого раствора кремний-германий одной из его компонент (германий) в условиях роста с приложением потенциала к подложке. Неясным оставался и сам механизм легирования слоев кремния приложением потенциала к подложке.

В связи с вышеизложенным изучение возможности легирования слоев кремния широким спектром примесей путем облучения поверхности роста низкоэнергетическими ионами Si+ в процессе МЛЭ и исследование протекающих при этом физических процессов является актуальной задачей полупроводниковой электроники.

Целью данной работы являлось исследование физических процессов, имеющих место при ионном облучении поверхности роста легированных широким спектром примесей слоев кремния в методе МЛЭ, а также разработка физических основ примесного легирования слоев кремния и слоев твердого раствора кремний-германий в условиях низкоэнергетического ионного облучения.

Для создания идентичных условий для легирования слоев кремния широким спектром примесей наиболее подходит метод сублимационной МЛЭ Si. ^

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

- выявить наличие ионов S? в потоке атомов кремния из сублимирующего источника;

- изучить влияние бомбардировки низкоэнергетическими ионами St поверхности подложки кремния (в том числе и покрытой слоем Si02 или слоем пористого кремния) и поверхности растущего слоя Si на процесс десорбции слоя SiC>2, на изменение структуры растущего слоя и его структурное совершенство, на уровень фонового легирования;

- провести детальные исследования процессов захвата широкого спектра легирующих примесей растущим слоем кремния и атомов германия слоем твердого раствора кремний-германий в условиях облучения поверхности роста низкоэнергетическими ионами Si+ и влияния на эти процессы условий облучения (энергия, температура);

- установить механизм воздействия низкоэнергетических ионов Si+ на захват легирующих примесей растущими слоями Si и Si/.xGex при МЛЭ;

- экспериментально и теоретически исследовать кинетику испарения ряда примесей из кремниевого источника, в том числе и из частично расплавленного;

- апробировать метод легирования, усиленного приложением потенциала к подложке, на примере выращивания многослойных эпитаксиальных структур для ряда приборов микро- и оптоэлектроники;

- разработать основные узлы ростовой камеры установки сублимационной МЛЭ Si, обеспечивающие подходящие параметры роста эпитаксиальных слоев, а также разработать новые методы подготовки эпитаксиальных структур к исследованиям.

При проведении экспериментов был использован метод сублимационной МЛЭ для выращивания слоев Si, а для выращивания слоев твердого раствора Si-Ge - испарение Si из сублимирующего источника в атмосфере германа (GeH4).

Для исследования выращенных слоев применялись методы вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС), обратного резерфордовского рассеяния (ОРР), C-F-профилирования, в том числе, и электрохимического, метод измерения эффекта Холла, атомно-силовой микроскопии (АСМ), электронной микроскопии, рентгеновской дифракции и ряд других.

Основная часть работы выполнялась в Научно-исследовательском физико-техническом институте (НИФТИ) Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. Исследования структуры выращенных слоев проводились на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ, а исследование фото- и электролюминесценции - в институте физики микроструктур (ИФМ РАН, г. Н.Новгород). £ В итоге проведенных исследований были получены результаты, научная новизна которых состоит в следующем:

1. Впервые показано, что в потоке атомов из сублимирующего кремниевого монокристалла существует ионная составляющая, которая состоит из ионов Si+. Определена степень ионизации потока атомов кремния, которая составляет ~10~5, а энергия активации ионной компоненты потока равна 4,3±0,15 эВ.

2. Установлено, что под воздействием ионного облучения интенсив-Ф нее десорбируется слой Si02 с поверхности подложки, снижается температура перехода от роста слоев с одной структурой к росту слоев с другой более совершенной структурой, увеличивается текстура выращиваемых слоев кремния. Предложена связь между снижением температуры роста слоев и увеличением энергии, приносимой падающим на поверхность слоя потоком атомов кремния.

3. Впервые проведено систематическое исследование влияния бомбардировки поверхности роста низкоэнергетическими ионами Si+ на захват растущим слоем кремния широкого спектра легирующих и солегирующих примесей, а также атомов германия при выращивании слоев твердого раствора кремний-германий. Показано, что данный метод позволяет эффективно увеличивать концентрацию и подавлять поверхностную сегрегацию примеси в слоях независимо от ее сорта.

4. Определены коэффициенты внедрения легирующих примесей в слои кремния, выращиваемые с приложением небольшого по величине (^00 В) потенциала. Установлено, что в отличие от результатов исследования других авторов при выращивании слоев кремния с приложением потенциала атомы галлия также эффективно внедряются, как и атомы других примесей (например, сурьмы) при лимитирующей толщине адслоя галлия (менее одного монослоя).

5. Установлены закономерности захвата примесных атомов слоями кремния при выращивании их с приложением потенциала к подложке в зависимости от концентрации примеси в адслое, от величины прикладываемого потенциала и от температуры роста.

6. Впервые исследовано воздействие ионного облучения поверхности роста слоя кремния на одновременный захват легирующей (эрбий) и соле-гирующей (кислород) примесей, а также захват одной из компонент (германия) матричного материала (твердый раствор кремний-германий). Показано, что наряду с внедрением легирующей примеси имеет место и захват солегирующей примеси, а захват атомов Ge происходит за счет интенсивной диссоциации на кремниевой подложке германа (GeH4) под воздействием ионов Si+.

7. Впервые исследован перенос атомов эрбия и галлия из сублимирующего кремниевого источника в растущий слой кремния. Определены скорость испарения эрбия из кремния и коэффициент диффузии этой примеси.

8. Теоретически обоснована и экспериментально подтверждена возможность создания потока летучей легирующей примеси с повышенной плотностью путем перевода части кремниевого источника в состояние расплава.

9. Систематически исследованы закономерности захвата атомов эрбия растущим слоем кремния и слоем твердого раствора кремний-германий в сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, в том числе, влияние уровня легирования и давления вводимого газа (кислорода или германа) на кинетику внедрения примесей в слой.

10. На основе многослойных эпитаксиальных кремниевых структур, выращенных при ионном облучении, изготовлены диодные структуры, в том числе и с дельта-легированными слоями, которые по совокупности физических свойств пригодны для приборов микро-, нано- и оптоэлектро-ники.

Практическая значимость.

Проведенные автором исследования являются основой технологии легирования, усиленного приложением потенциала в процессе МЛЭ Si и слоев твердого раствора кремний-германий, позволяющей решать задачи по выращиванию многослойных эпитаксиальных структур для микро-, нано- и оптоэлектроники.

К конкретным практически важным результатам относятся следующие:

1. Экспериментально установленные закономерности встраивания легирующей примеси в эпитаксиальные слои Si и Sii.xGex при выращивании их методом МЛЭ с одновременным ионным облучением поверхности роста могут быть использованы для совершенствования технологии выращивания приборных структур с резкими границами между слоями и с ^-легированными слоями.

2. Проведенные в работе исследования позволили предложить конкретные режимы роста легированных эрбием эпитаксиальных структур кремния, пригодных для изготовления электролюминисцирующих при комнатной температуре на длине волны 1,54 мкм диодов.

3. Разработаны:

- метод создания потока легирующей примеси повышенной интенсивности из сублимирующего кремниевого источника за счет частичного его расплавления, позволяющий выращивать слои кремния с концентрацией примеси выше, чем в источнике;

- метод подготовки кремниевых подложек для низкотемпературного отжига их в вакууме при проведении in situ предэпитаксиального отжига;

- метод выращивания сублимационной МЛЭ слоев кремния на подложках стандартной (круглой) формы;

- метод выращивания сублимационной МЛЭ слоев кремния с расширенным диапазоном концентраций и типом легирующих примесей;

- метод изготовления косого шлифа;

- метод экспрессного определения типа проводимости слоев многослойной кремниевой структуры;

- метод приготовления электронно-прозрачных образцов.

4. Модернизирован ряд основных узлов установки МЛЭ: разработан источник паров кремния с высокой интенсивностью потока при сохранении минимального его загрязнения, разработаны держатели подложек как прямоугольной, так стандартной формы (диск диаметром 0= 60-76 мм). Это позволило выращивать методом сублимационной МЛЭ достаточно однородные по толщине и уровню легирования слои Si и Si/.xGex на всей площади подложки.

5. На основе полученных результатов предложен ряд новых технических решений, большинство из которых защищено патентами, авторскими свидетельствами.

На защиту выносятся следующие положения

1. При сублимации кремния поток состоит не только из нейтральных атомов, но также из ионов St. Степень ионизации потока атомов кремния составляет ~10'5, а энергия активации ионной компоненты потока равна ДЕ=4,3±0,15 эВ.

2. Экспериментальное доказательство улучшения структуры слоев кремния, увеличения скорости десорбции пленки оксида с поверхности подложки при облучении поверхности роста низкоэнергетическими (<300 эВ) ионами Si+ в методе МЛЭ.

3. Эффективность легирования слоев кремния при облучении поверхности роста не зависит от типа легирующей примеси, а определяется ее плотностью в адслое и величиной прикладываемого к подложке потенциала. Высокая эффективность захвата атомов галлия растущим слоем кремния при облучении его ионами Si+ обусловлена формированием двумерно

Ф' го адслоя этой примеси, которое легко достигается в процессе сублимационной МЛЭ.

4. При одновременном легировании слоев кремния двумя примесями (эрбий, кислород) в условиях приложения потенциала к подложке более эффективно захватываются атомы той примеси, которая имеет большую склонность к поверхностной сегрегации (кислород).

5. Возможность использования облучения низкоэнергетическими ионами Si+ поверхности роста слоев как метода исследования поверхностной

Р сегрегации примеси.

6. Результаты исследования процессов захвата легирующих примесей слоями кремния и слоями твердого раствора кремний-германий в методе сублимационной МЛЭ кремния в среде германа при варьировании сорта примеси, давлении германа, температуры роста и величины прикладываемого потенциала дают возможность выращивания многослойные структуры с сверхтонкими эпитаксиальными слоями и резкими границами между ними.

7. Способ формирования потока с повышенным содержанием легирующей примеси за счет частичного подплавления сублимирующего источника и результаты применения этого способа для выращивания сильнолегированных слоев.

8. Стационарному потоку атомов эрбия их кремниевого сублимирующего источника при переносе их в слой кремния предшествует формирование обогащенной этой примесью приповерхностной области. Немонотонное распределение концентрации атомов эрбия в эпитаксиальном слое кремния является следствием поверхностной сегрегации ее на поверхности роста.

В первой главе дана характеристика современного уровня развития метода МЛЭ Si и Si-Ge.

Наиболее важной проблемой МЛЭ, как и большинства других методов, является введение легирующей примеси в слой Si путем соосаждения примесных элементов. Из всего широкого спектра легирующих примесей, применяемого в технологии Si, в методе МЛЭ используются в основном только две примеси Sb и Ga. Кроме того, легирование в методе МЛЭ Si при температуре роста выше 450°С характеризуется сильной поверхностной сегрегацией примеси, которая затрудняет выращивание слоев с заданным профилем распределения концентрации примеси. Отмечается, что наряду с традиционными примесями поверхностной сегрегации подвержены и атомы редкоземельных элементов (Ег, Рг), которыми в последнее время легируют слои Si для создания светоизлучающих на длине волны 1,54 мкм приборов. Кроме того, эти легированные слои должны быть бездефектными, чтобы обеспечить высокоэффективную фотолюминесценцию.

В первой главе приведен также обзор современных моделей легирования в процессе МЛЭ Si, которые качественно объясняют эффект поверхностной сегрегации примеси. Однако экспериментальных данных по легированию в методе МЛЭ еще недостаточно для того, чтобы отдать предпочтение какой-либо из этих моделей.

Альтернативным по отношению к традиционному методу МЛЭ Si является метод сублимационной МЛЭ, который характеризуется простотой используемого устройства для формирования атомарного потока высокой чистоты, возможностью легирования слоев более широким спектром примесей при высокой стационарности их потоков из источника.

В первой главе приводятся основы этого метода. Большое внимание уделяется процессу легирования, основным способом которого является испарение (сублимация) Si, легированного определенной примесью. К настоящему времени теоретически и экспериментально исследованы закономерности переноса примеси из сублимирующего источника в слой. В то же время оставался неисследованным процесс переноса такой широко распространенной в традиционной МЛЭ Si примеси как Ga, а также перенос атомов Ег из кремниевого источника в слой. Кроме того, верхний предел легирующей примеси в слоях был ограничен концентрацией ее в источнике, т.е. в монокристалле, выпускаемом промышленностью.

Метод сублимационной МЛЭ Si требовал существенных технических доработок для создания с его помощью многослойных эпитаксиальных структур, пригодных для работы с ними на технологической линейке по изготовлению приборов.

Малоизученным оставался вопрос легирования слоев твердого раствора Si-Ge при выращивании их методом сублимационной МЛЭ Si в среде германа. В частности, нерешенной оставалась проблема легирования таких слоев атомами редкоземельных элементов (Ег).

В первой главе рассмотрены также некоторые подходы преодоления трудностей легирования в методе МЛЭ Si: низкоэнергетическая ионная имплантация, твердофазная эпитаксия (ТФЭ) и легирование, усиленное приложением потенциала к подложке (легирование вторичной имплантацией). Отмечается, что последний метод является наиболее подходящим для увеличения эффективности легирования.

В первой главе приведена также постановка задачи исследования.

Во второй главе приведено описание высоковакуумных установок для выращивания слоев кремния и сплава кремний-германий методом сублимационной МЛЭ. Приведено детальное описание разработанных основных узлов ростовой камеры: источников потоков атомов кремния и легирующей примеси, а также нагревателей подложки. Показаны преимущества разработанных устройств по сравнению с существующими.

В этой же главе приведено описание разработанных нами методов подготовки эпитаксиальных структур к исследованию на электронном микроскопе и исследованию их по косому шлифу. Кроме того, перечислены и основные методы, применяемые в работе для исследования выращенных структур.

В третьей главе приведены результаты выявления ионной составляющей в потоке атомов из сублимирующего кремниевого монокристалла. На основе полученных данных о зависимости ионного тока от типа легирующей примеси, температуры источника, длительности испарения и величины прикладываемого к подложке отрицательного потенциала была установлена природа ионной составляющей: она обусловлена потоком ионов Si+.

Выявлено также влияние облучения низкоэнергетическими нонами Si+ поверхности подложки на ускорение процесса травления слоя оксида, покрывающего поверхность подложки. Рассматривается влияние воздействия ионов Si+ на снижение температуры эпитаксиального роста слоев Si и на изменение структурного совершенства слоев.

В этой главе рассматривается также влияние приложения к подложке потенциала на захват атомов фоновых примесей растущим слоем кремния. Кроме того, приводятся результаты исследования влияния бомбардировки низкоэнергетическими ионами Si+ поверхности роста на распределение легирующих и фоновых примесей в слоях кремния, выращенных на пористом кремнии.

Рассмотрено также, как влияет высокотемпературный предэпитакси-альный отжиг кремниевой подложки, легированной бором, на фоновое легирование слоя этой примесью. Предложен механизм введения этой примеси в слой.

Четвертая глава посвящена изучению закономерностей процесса переноса примесей из кремниевого источника в растущий слой. Проведено сравнение переноса галлия из сублимирующего источника с переносом Ga при испарении его из ячейки Кнудсена. Выявлено влияние кинетики отжига источника на перенос галлия из источника в слой.

Проведен также теоретический расчет потока примеси при испарении ее из кремния, подвергнутого частичному расплавлению. Расчет подтверждается приведенными экспериментальными данными об увеличении потока примеси из расплава кремния по сравнению с потоком при сублимации кремния.

Представлены также данные по уточнению переноса легирующих примесей из сублимирующего источника в слой кремния при использовании метода твердофазной эпитаксии и осаждения аморфных слоев.

В пятой главе представлены результаты исследования влияния приложения к подложке отрицательного потенциала на перенос легирующих примесей из источника в слой. Основное внимание уделено влиянию параметров процесса: количества примеси в адслое, величины и знака прикладываемого к подложке потенциала и температуры роста на внедрение атомов галлия в растущий слой.

Кроме того, исследовано влияние внедрения и других примесей (А1, В, Sb) в слой в процессе роста с приложением потенциала к подложке.

Проводится сопоставление полученных экспериментальных данных и современных моделей легирования с приложением потенциала к подложке.

В шестой главе рассмотрены особенности захвата растущим эпитак-сиальным слоем кремния атомов эрбия в процессе сублимационной МЛЭ с целью:

- установления закономерностей переноса Ег из источника Si в слой;

- установления общих закономерностей и различий вхождения атомов Ег в слой по сравнению с другими примесями;

- изучения влияния солегирования in situ атомами кислорода на усиление вхождения атомов эрбия в слой Si;

- изучения влияния облучения поверхности роста низкоэнергетическими ионами Si+ на вхождение атомов эрбия и кислорода в слой;

- изучения образования структурных дефектов в слоях Si в зависимости от условий легирования.

Проводились исследования по выявлению поверхностной сегрегации атомов эрбия в слоях кремния в широком интервале плотностей потоо ка примеси, а также при напуске кислорода до давления 5-10" -5-10" Торр в ростовую камеру установки. Определена роль кислорода в захвате атомов Ег растущим слоем.

В седьмой главе изучены особенности встраивания атомов германия, а также легирующих примесей (эрбий, бор, галлий) в слои твердого раствора кремний-германий при выращивании их методом сублимационной МЛЭ Si в среде германа в зависимости от условий роста (давления германа, температуры роста и приложения потенциала к подложке). Особое внимание уделено вхождению в растущий слой сплава атомов эрбия. При этом учитывалась роль находящихся на поверхности роста атомов водорода. Приводятся результаты исследования возможности роста ^-легированных галлием или бором слоев в твердом растворе Si-Ge. Изложены результаты исследований влияния условий выращивания на образование островковых пленок сплава Si-Ge с высоким совершенством кристаллической структуры.

В восьмой главе представлены результаты по выявлению возможности контролируемого управления профилем легирующих примесей в эпитаксиальных структурах с целью создания приборных структур. При этом основное внимание уделялось выращиванию структур с качественным р-п-переходом между пленкой и подложкой. Такие структуры в случае легирования их эрбием в дальнейшем были использованы для создания светоиз-лучающих диодов.

Уделяется внимание и особенностям создания методом сублимационной МЛЭ диодных кремниевых структур со сверхрезким /?-«-переходом. Было проведено исследование возможности выращивания структур с импульсным приложением потенциала к подложке с целью создания дельта-легированных слоев п-и р-типа проводимости.

Апробация работы

Результаты работы докладывались и обсуждались на VII Всесоюзной конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок и на семинаре по МЛЭ {Новосибирск, 1986 г.); I Всесоюзном семинаре "Низкотемпературное легирование полупроводников и многослойных структур микроэлектроники" {Устинов, 1987 г.); Республиканском семинаре "Новые материалы и технологические процессы микроэлектроники и прециссионной металлургии" (Ижевск, 1988 г.); I Всесоюзной конференции "Физические основы твердотельной электроники" {Ленинград, 1989 г.); VII Международной конференции по микроэлектронике {Минск, 1990 г.); IV All-Union Conf. Interaction of Radiation with Solids {Elbrus, Kabardino-Balkarian, 1990 г.); International conf. Ion implantation and ion beam equipment {Elenite, Bulgaria, 1990г.); X, XI, XII Всесоюзной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" {Звенигород, 1991, 1993, 1997 г.г.); Всесоюзной конференции "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники" {Новосибирск,

1991 г.); 8 Всесоюзной конференции по росту кристаллов (Харьков, 1992 г.); XXII Конференции по эмиссионной электронике (Москва, 1994 г.); X, XI Конференции по химии высокочистых веществ (Н.Новгород, 1995, 2000 г.г.); E-MRS (Strasbourg, France, 1996 г.); IV, V Всероссийском семинаре "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Н.Новгород, 1998, 2000 г.г.); Конференции "Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов" (Н.Новгород, 1996 г.); совещании "Нанофотоника" (Н.Новгород, 1998, 1999, 2000, 2001, 2002 г.г.); Конференции "Кремний-96" (Москва, 1996 г.); 4 Всероссийской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999 г.); 3 Международной конференции "Рост монокристаллов, проблемы прочности и тепломассопе-ренос" (Обнинск, 1999 г.). Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния "Кремний-2002" (Новосибирск, 2002 г.)

Основные результаты диссертации опубликованы в 96 работах, включенных в список литературы, из которых 46 статей в центральных отечественных и зарубежных журналах, а также 9 патентов и авторских свидетельств на изобретение.

Выводы

1. Проведенные исследования выявили возможность выращивания качественных диодных структур с /?+-и-переходом типа пленка-подложка, причем базовая область n-типа проводимости может быть при этом легирована эрбием до высоких (-1-1019 см"3) концентраций. Изготовленные диодные структуры Si.Er. O обладали лавинным, туннельным пробоем и интенсивной электролюминесценцией на длине волны 1,54 мкм при обратном смещении и комнатной температуре.

2. Метод сублимационной МЛЭ позволяет выращивать диодные структуры со сверхрезким /?+-«-переходом, который обладает высокой нелинейностью зависимости емкости от напряжения.

3. Импульсное приложение небольшого по величине отрицательного потенциала V= -(ЗО-КЗОО) В позволяет формировать при низкой температуре (~520°С) 6-легированные слои с поверхностной концентрацией -1,5-1013 см"2 для слоев я-типа проводимости и ~ 4-1014 см"2 для слоев /?-типа проводимости.

Дельта-легированные бором слои Sii.xGex, выращенные методом сублимационной МЛЭ Si в среде германа при пониженной температуре (^>00°С), имеют минимально размытый профиль концентрации атомов бора.

Заключение

Полученные в работе результаты, в целом, свидетельствуют о решении поставленной нами задачи. В результате проведенных экспериментальных исследований по выявлению ионной составляющей в потоке из сублимирующего источника, ее природы, зависимости величины тока ионов Si+ от температуры источника и величины приложенного к подложке потенциала, а также изучения влияния воздействия низкоэнергетических (до 300 эВ) ионов Si+ на рост слоев Si и твердого раствора кремний-германий, на захват растущим слоем атомов Ge и широкого спектра легирующих примесей удалось выявить механизм этого воздействия и решить проблему подавления поверхностной сегрегации примесей с помощью метода легирования с приложением потенциала к подложке в процессе МЛЭ.

Основными выводами при этом являются:

1. Впервые было показано, что в потоке атомов из сублимирующего кремниевого источника существует ионная составляющая в виде ионов Si+. На основе проведенных оценок установлено, что степень ионизации потока атомов кремния составляет ~10"5, а энергия активации ионной компоненты потока равна ЛЕ=4,3±0,15 эВ.

2. В результате экспериментального исследования установлено, что воздействие низкоэнергетических ионов (< 300 эВ) существенно влияет на процесс роста слоев кремния: наблюдается ускорение процесса термического травления слоя оксида, покрывающего кремниевую подложку; улучшается структурное совершенство эпитаксиальных слоев (плотность дефектов упаковки и дислокаций на порядок величины ниже, чем в слоях, выращенных без приложения к подложке отрицательного потенциала); увеличивается текстура слоев Si\ снижается температура перехода от роста слоев с аморфной структурой к росту поликристаллических пленок. Проведенные оценки показывают, что воздействие ионов Si+ на поверхность роста приводит к приобретению адатомами дополнительной энергии.

3. Выращивание слоев кремния с приложением к подложке отрицательного потенциала (V<300 эВ) приводит к небольшому увеличению концентрации фоновых примесей, таких как Na, Al, Mg. Концентрация остальных примесей остается неизменной. В целом, по сравнению с электронно-лучевым испарением метод сублимационной МЛЭ позволяет выращивать более чистые слои Si.

При выращивании эпитаксиальных слоев кремния на пористом кремнии с приложением к подложке потенциала (У=-100эВ) фоновые примеси, (привнесенные из электролита в слой пористого кремния, а также за счет геттерирования из подложки), проникают в эпитаксиальный слой незначительно.

4. Облучение поверхности роста низкоэнергетическими ионами Si+ может быть использовано для выявления эффекта поверхностной сегрегации примеси. Кратковременное приложение к подложке потенциала V=-100 В по истечению некоторого времени выращивания слоя Si на сильнолегированной бором кремниевой подложке позволило выявить наличие пика концентрации бора на профиле распределения примеси в слое, который связан с сегрегацией атомов бора, накопленных на поверхности подложки в процессе ее высокотемпературного отжига.

5. Установлено, что закономерности легирования слоев Si атомами Ga при сублимации кремниевого монокристалла, легированного этой примесью, определяются условиями его предварительного отжига. Минимальная длительность отжига источника приводит к сегрегации галлия на его поверхности и, как следствие, появлению пика концентрации на границе слоя с подложкой.

Внедрение атомов Ga в слой Si при сублимационной МЛЭ Si, как и в случае традиционной МЛЭ, сопровождается сильной поверхностной сегрегацией этой примеси. Однако эффективность захвата атомов галлия растущим слоем кремния в методе сублимационной МЛЭ значительно выше, чем при испарении этой примеси из ячейки Кнудсена. Этому способствуют, по-видимому, две причины: во-первых, более высокая атомарность потока галлия из сублимирующего источника; во-вторых, двумерность адс-лоя галлия, образующегося на поверхности подложки. Максимальная концентрация носителей заряда (дырок) в слоях, выращенных при 7s=600°C

18 3 достигала величины ~5Т0 см" , что выше предела растворимости галлия в кремнии.

6. Впервые теоретически обоснована и экспериментально подтверждена возможность создания потока летучей легирующей примеси с повышенной плотностью при испарении ее из кремниевого источника, частично подвергнутого расплавлению. Этот эффект достигается за счет увеличения коэффициента диффузии примеси в кремнии, находящемся в твердом состоянии. Концентрация примеси в слое, выращенном испарением из расплава, может превышать концентрацию примеси в источнике кремния. Испарение примеси из расплава кремния, сформированного на

18 3 высокоомных источниках и умеренно легированных (до 7V=1T0 см" ), приводит к увеличению концентрации электрически активной примеси в слоях Si приблизительно на 1,5 порядка величины, а испарение примеси из расплава, сформированного на сильнолегированном кремнии, приводит к повышению концентрации ее в слое несколько меньше, чем ожидалось из расчета. Причиной расхождения расчетных данных с экспериментальными может быть различие состава потоков примеси: из расплава она может испаряться в двухатомном состоянии и в виде кластеров, что и снижает эффективность легирования слоев.

7. Впервые систематически исследованы закономерности внедрения атомов широкого спектра легирующих примесей в слои кремния при выращивании их с приложением небольшого по величине потенциала. В отличие от данных других исследователей нами впервые было установлено увеличение эффективности легирования галлием слоев Si при выращивании их с приложением потенциала к подложке. Этому способствовало формирование адслоя Ga толщиной менее одного монослоя при выращивании методом сублимационной МЛЭ, из которого галлий (как и сурьма) эффективно захватывался растущим слоем.

Определенные из экспериментальных данных коэффициенты внедрения ряда легирующих примесей (Ga, Al, В, Sb) оказались значительно выше этих коэффициентов при выращивании слоев Si без облучения поверхности роста Si+.

На основе экспериментальных данных, полученных при исследовании слоев Si, легированных галлием, установлены следующие закономерности захвата примесных атомов при выращивании слоев Si с приложением потенциала к подложке:

-уровень концентрации примеси в слое Si повышается с увеличением ее в адслое, а также при возрастании потенциала, что коррелирует с наблюдаемым экспериментально увеличением ионного тока;

-уровень концентрации примеси в слое не зависит от температуры роста в интервале от 550 до 850°С;

Скопление дислокационных петель и фигур термического травления обнаружено только в слоях с максимальной концентрацией галлия (до —1 1020 см"3).

Вся совокупность экспериментальных данных, полученных в данной работе и имеющихся в литературе, позволяет заключить, что эффекту увеличения концентрации легирующей примеси в слоях Si и подавления поверхностной сегрегации лучше других соответствует модель B.Fritzsch, В. Wolf, A.Zene [126], основным допущением которой является внедрение примеси в слой за счет дефектов.

8. Впервые исследован перенос атомов эрбия из сублимирующего кремниевого источника в слой. Сублимация легированного эрбием кремния приводит к накоплению этой примеси в приповерхностной зоне кристаллов. Причиной такого поведения Ег в кристаллах кремния может быть поликристаллическая структура высоколегированного источника. В результате этого происходит не только обеднение поверхности примесью как предполагалось по теоретическому прогнозу), но и диффузия атомов Ег к границам зерен, где они накапливаются. Из профиля распределения концентрации Ег в приповерхностной области 57-источника определена о скорость испарения этой примеси (=2,6-10" см/с) и коэффициент диффузии (D<65-10"13 см2/с при rs=1330°C)

Систематически исследованы закономерности захвата атомов Ег слоями Si при выращивании их методом сублимационной МЛЭ. Установлено, что в исследуемых диапазонах температур роста (!Ts=450-6000C) и

11 19 9 потоков атомов Ег (3-10 - 1-10 ат/см -с) эта примесь склонна к поверхностной сегрегации, что проявляется в виде наличия затяжных переходных областей на профиле распределения концентрации примеси, а также в виде немонотонного распределения ее в слое Si. Последнее связано не с образованием преципитатов, как это предполагали некоторые зарубежные исследователи, а с поверхностной сегрегацией примеси. Периодическое увеличение концентрации встраиваемых в растущий слой Si атомов эрбия происходит по мере накопления их на поверхности роста до> критического значения, после которого происходит захват примеси глубинными слоями. Такое интенсивное вхождение примеси в слой приводит к последующему обеднению поверхности слоя примесью и требуется некоторое время для заполнения такого "резервуара" примеси.

Экспериментальное изучение влияния солегирования слоев Si эрбием и кислородом показало, что эффективности захвата атомов Ег и О взаимосвязаны между собой: с увеличением вводимого в ростовую камеру кислорода концентрация атомов Ег в слое Si возрастает, а с другой стороны наличие в слое Ег приводит к захвату им и атомов кислорода. На содействие атомов кислорода встраиванию атомов Ег в решетку в положение замещения указывает и тот факт, что при этом исчезают дефекты, имеющие междоузельную природу и которые наблюдались в слоях, выращенных без солегирования кислородом.

В условиях одновременного легирования слоев Si двумя примесями (Ег и ) бомбардировка поверхности роста низкоэнергетическими ионами способствует интенсивному захвату атомов одной примеси (кислорода) и меньшему увеличению захвата атомов другой примеси (Ег). В тоже время импульсное приложение потенциала к подложке в процессе роста слоев Si, легированных Ег и О2, приводит к более интенсивному захвату Ег растущим слоем. Этому способствует то обстоятельство, что в период, когда потенциал не прикладывается к подложке, на поверхности формируется адслой с более высокой концентрацией примеси. Последующее включение отрицательного потенциала вызывает более интенсивный захват атомов Ег и растущим слоем.

9. Впервые исследован захват растущим слоем твердого раствора Sit.x-Gex атомов легирующей примеси (Ег, Ga и В) в методе сублимационной МЛЭ Si в среде германа, что позволило установить следующие закономерности:

• концентрация Ge в слое и резкость ее профиля на границе слоев возрастают с повышением давления GeH4 в камере;

• легирующая примесь (Ег, В, Ga) переносится из источника в слой полностью вне зависимости от содержания Ge в нем, а профили их концентрации на границе слоев достаточно резкие;

Захват атомов Ge растущим слоем твердого раствора Si-Ge происходит аналогично захвату любой другой легирующей примеси. Поверхностная сегрегация Ge, В, Ga в методе сублимационной МЛЭ Si в среде GeH4 подавляется при температуре роста Г$<500оС атомами водорода, которые образуются при диссоциации германа и выступают в роли сурфактанта.

Исследование вхождения одной из компонент (Ge) слоя твердого раствора при выращивании с приложением отрицательного потенциала к подложке показало, что ионное облучение более эффективно содействует усилению вхождения Ge в слои по сравнению с вхождением легирующих примесей в слои Si. Это связано, вероятно, с усилением диссоциации германа (GeH4) на подложке Si под воздействием ионного облучения.

В методе сублимационной МЛЭ Si в среде GeH4 при повышенной температуре роста (7s>850°C) образуются островки пирамидальной формы, которые проявляют интенсивную фотолюминесценцию на длине волны 1,3 мкм.

10. Сочетание молекулярных потоков с облучением поверхности роста низкоэнергетическими ионами SC позволяет выращивать сложные эпитаксиальные кремниевые структуры с резкими профилями распределения примеси на границе слоев, пригодные для изготовления ряда приборов: диодов со сверхрезким /?-/7-переходом, диодов с /?-/7-переходом типа пленка-подложка, а также содержащих «^-легированные слои п- и р-типа с поверхностной концентрацией —1,5-1013 и -4-1014 см"2 соответственно.

Изготовленные на основе легированных эрбием кремниевых структур диоды проявляли интенсивную электролюминесценцию на длине волны 1,54 мкм при работе при обратном смещении и комнатной температуре.

11. Модифицирован ряд основных узлов ростовой камеры сверхвы-соковакуумной установки сублимационной МЛЭ. Усовершенствование конструкции держателя подложки позволило расширить площадь осаждаемых кремниевых слоев до ~5 см2 в случае прямоугольных подложек, нагреваемых пропусканием тока, и до диаметра 0=76 мм при радиационном методе их нагрева. Усовершенствование конструкции держателя источника паров Si позволило увеличить интенсивность потока при сохранении его чистоты. Разработанный испаритель эрбия в виде резистивно нагреваемого сублимирующего источника хорошо совместим с испарителем кремния в методе сублимационной МЛЭ и позволяет легировать слои Si этой примесью вплоть до N—l-1021 см"3. Предложенная конструкция испарителя кремния для легирования слоев Si разными примесями позволяет значительно сократить число источников в ростовой камере и снизить энергопитание установки, а также повысить качество выращиваемых слоев. С целью улучшения условий нагрева источника кремния и расширения номенклатуры и диапазона концентраций легирующих примесей предложена конструкция двухслойного источника.

Разработана методика подготовки кремниевых подложек для эпи-таксиального наращивания слоев, которая позволила снизить температуру предэпитаксиального отжига с 1250°С до 800-850°С.

Разработан ряд новых методик подготовки эпитаксиальных структур к исследованию (изготовление косого шлифа, приготовление электронно-прозрачных образцов, определение типа проводимости слоев многослойной структуры).

1. М.А. Herman, Н. Sitter. Molecular Beam Epitaxy. Fundamental and Current Status, 1998, 563 p.

2. A.B. Ржанов, С.И. Стенин. Методы контроля состояния поверхно-^ сти и проблемы эпитаксии из молекулярных пучков. // Микроэлектроника,1980, т.9, №4, с.292-301.

3. J.C. Bean. Growth of doped silicon layers by molecular beam epitaxy.// Impurity doping / Ed. by F.F.Y.Wang.-N.Y.: North-Holland, 1981, p. 177-215.

4. H. Sigiura and M. Yamaguchi. Growth of dislocation-free silicon films by molecular beam epitaxy (MBE). // J.Vac.Sci.Technol. 1981. v. 19. p. 157160.

5. A. Kimura and С.А. Law. Effect of thermal etching on silicon epitaxial growth by vacuum sublimation. // Solid State Electronics. 1975. v.18. №10. p. 901-905.

6. M. Tabe, K. Arai, H. Nakamura. Effect of growth temperature on Si-MBE film. //Jap.J.Appl.Phys. 1981. v.20. №4. p. 703-708.

7. R.C. Henderson. // J.Electrochem.Soc. 1972. v. 119. p.772.

8. A. Ishizaka, Y. Shiraki. Low temperature surface cleaning of and its application to silicon MBE // J. Electrochem.Soc. 1986. v. 133. №4. p.666-671.

9. M. Tabe. Etching of SiC>2 films by Si in ultra-high vacuum. // Jap.J.Appl. Phys. 1982. v.21. №3 p.534-538.

10. D.C. Streit and F.G. Allen. Thermal and Si-beam assisted desorption of Si02 from silicon in ultrahigh vacuum. // J.Appl.Phys. 1987. v. 61. №8 p. 2894-2897.

11. G.E. Becker, J.G. Bean Acceptor dopants in silicon molecular beam epitaxy. // J.Appl.Phys. 1977. v. 48. №8. p. 3395-3399.

12. J.G. Bean and E.A.Sadowski. Silicon MBE apparatures for uniform high-rate deposition on standart format wafers. // J.Vac.Sci.Technol. 1982. v. 20. №2. p. 137-142.

13. B.B. Постников. Получение эпитаксиальных слоев кремния сублимацией в вакууме. Канд. диссертация на соискание уч. ст. к.ф.м.н., г.Горький, 1969, 215 с.

14. В.Н. Черняев, J1.B. Кожитов, А.В. Попов. Получение эпитаксиальных пленок кремния в вакууме и их свойства. //Обзор по электронной технике. 1973, вып. 5 (88), 72 с.

15. В.Г. Заводинский. Твердофазная эпитаксия аморфных пленок, напыленных на Si (100). // Поверхность. Физика, химия, механика. 1983. №10. с. 129-133.

16. Ф.У. Сарис, Т. де Йонг. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния.// Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. П. Чен-га и К. Плога. Изд. "Мир" 1989, с.219-245.

17. Y. Shiraki, Y. Katayama, K.L.I. Kobayshi and K.F. Komatsubara. Molecular beam and solid-phase epitaxies of silicon under ultra-high vacuum. // J.Cryst.Growth. 1978. v. 45. p.287-291.

18. H.-J. Gossman and L.C. Feldman. The influence of reconstruction on the initial stages of silicon molecular beam epitaxy.// Mat.Res.Proc. 1986. v. 54. p. 33-38.

19. E. Kasper, P. Narozny and K. Strohm. Molecular beam of silicon-based bipolar structures. // Ultra-fast silicon Bipolar Technol.-Berlin etc., 1988, p.135-163.

20. E. Kasper. Silicon molecular beam epitaxy (Si-MBE). // Mat. Sci. and Technol. Proc. Summer Inf. Sch, Erice, July 3-15, 1988, Berlin etc 1989, p. 36 -60.

21. U. Konig, R. Kibbel, E. Kasper. Si-MBE: growth and Sb doping. // J. Vac.Sci. and Technol. 1979. v 16. №4. p. 985-989.

22. C. Ebner, C. Roltman, M. Wortis. Epitaxy and thick-film formation on an attractive substrate: The systematics of a lattice-gas model. // Phys. Rev. В 28, 4186-^4197 (1983) // Phys. Rev. B. 1983, v. 28, № p.4186.

23. Колин E.P. Вуд. Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений

24. A,nBv: свойства примесей и характерные черты процесса внедрения. // Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, под ред. П. Ченга и К.Плога. Изд. "Мир", 1989, с. 127-160.

25. В.В.Постников, В.П.Кузнецов. О переносе донорных и акцепторных примесей из сублимирующихся источников кремния в эпитаксиальные слои // Кристаллография, 1975, т.20, вып.1, с. 127-130.

26. Y. Ota. Si Molecular Beam Epitaxy (n on n+) with range doping con-rol.//J.Electrochem. Soc. 1977, v. 124, №11, p. 1795-1802.

27. K. Nakagawa, M. Miyso and Y. Shiraki. MBE-related surface segre-^ gation of dopants atoms in silicon. // Jpn. J. Appl. 1988, v. 27, p. L2013.

28. J. Knall, J.E. Sundgren, J.E. Green, A. Rockett and S.A. Barnett. Indium incorporation the growth of (100) Si by: surface segregation and recon-straction. // Appl. Phys. Lett. 1984, v. 45, p. 689-691.

29. J. Knall, S.A. Barnett, J.E. Sundgren and J.E. Green. Adsorption and desorption kinetics of In on Si (100). // Surf. Sci. 1989, v.209, p. 314-321.

30. R.A.A. Kubiak, W.V. Leong and E.H.C. Pareker. P-type doping in Si-molecular beam epitaxy by coevaporation of boron. // Appl. Phys. Lett. 1984, v. 44, №9, p. 878-880.

31. H. Jorke. Surface segregation of Sb on Si(100) during molecular beam epitaxial growth. //Surf. Sci. 1988, v. 193, p.569-575.

32. E. de Fresart, K.L. Wang and S.S. Rhee. Boron surface segregation in silicon molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1988, v. 53, №1, p. 48-50.

33. Т.Е. Jackman, D.C. Houghton, M.W. Denhoff, S. Kechang, J. Mc Caffrey, J.A. Jackman and C.G. Tuppen. Boron redistribution in doping super-lattiec grown by silicon molecular beam epitaxy using B203. // Appl. Phys. Lett. 1988, v. 53, №10, p. 877-879.

34. T. Tatsumi, H. Hirayma and N. Aizaki. Surface segregation at boron planar doping in silicon molecular beam epitaxy. // Jpn.J.Appl.Phys. 1988. v. 27. p. L954 L958.

35. T. Tatsumi, H. Hirayma and N. Aizaki. Boron heavy doping for Si molecular beam epitaxy using a HB02 source.// Appl. Phys. Lett. 1987, v. 50, №18, p. 1234-1236.

36. Т.Е. Jackman, D.C. Hougton, J.A. Jackman and A. Rockett. Annealing studies of higly doped boron superlatteces. // J. Appl. Phys. 1989, v.66, №10, p. 1984-1989.

37. A.Y. Cho. Impurity profiles of GaAs epitaxial layers doped with Sn, Si and Ge grown with molecular beam epitaxy. // J. Appl. Phys. 1975, v.46, №4, p. 1733-1741.

38. М.И. Овсянников, Р.Г. Логинова, H.A. Алябина, Ю.А. Романов, В.А. Толомасов, В.Н. Шабанов, С.А. Шамов. Поверхностная сегрегация легирующей примеси при росте эпитаксиальных слоев кремния в вакууме. // Рук. деп. в ВИНИТИ №2089-80, г. Горький, 1980. 11 с.

39. H. Jorke, Н. Kibbel, F. Schaffeer, A. Casel, H.-J. Herzog, E. Casper. Properties of Si layers grown by molecular beam epitaxy at very low temperatures. // Appl. Phys. Lett. 1989, v. 54, p. 819-821.

40. S.A. Andreu, I.A. Chroboczec, Y. Campidetti, E. Andre and F.A. d'Avitava. Boron doping of Si molecular beam epitaxy layers: a new high-temperature effusion cell. // J. Vac. Sci. Techonol. B. 1988, v.6, №3, p. 835-841.

41. N.L. Mattey, M.G. Dowsett, E.H.C. Parker, Т.Е. Whall, S.Taylor and J.F. Zhang. P-type delta doped layers in silicon: structural and electronic properties. //Appl. Phys. Lett. 1990, v. 57, №16, p. 1648-1650.

42. M. Tabe and K. Kajiyama. Kinetics of antimony doping in silicon molecular beam epitaxy. // Jap. J. Appl. Phys. 1983, v. 22, №3, p. 423-428.

43. S.S. Jyer, R.A Metzger, F.G. Allen. Sharp profiles with high and low doping levels in silicon molecular beam epitaxy. // J. Appl. Phys. 1981, v. 52, №9, p. 5608-5613.

44. S. Andrieu, F. Arnaud d'Avitaya and J.C. Pfister. Surface segregation mechanism during two-dimensional epitaxial growth: The case of dopants in Si and GaAs molecular beam epitaxy. // J. Appl. Phys. 1989. v.65. №7. p. 26812687.

45. М.И. Овсянников, Р.Г. Логинова, С.д. Царевский. Кинетика образования концентрационных переходов между эпитаксиальными слоями кремния в процессе роста из молекулярного пучка. // Изв. ВУЗов. Сер. Физика, 1982, №11, с. 9-12.

46. В.А. Толомасов. Физические основы роста и легирования слоев-кремния из молекулярных потоков в вакууме. // Дис. на соискание уч. ст. д.ф.м.н., г. Горький, 1980, 317 с.

47. В.В. Постников, М.И. Овсянников, Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская, В.А. Толомасов. Эпитаксиальные слои кремния, полученные сублимацией в вакууме. // Докл. АН СССР, 1967, т. 175, №4, с. 817 -818.

48. B.F. Kilgore, R.W. Roberts. Preparation of Evaporated Silicon Films

49. RSI, 1963, v.34,№l,p. 11-12.

50. L.R. Weisberg. Low-temperature vacuum deposition of homoepitaxial silicon. // J. Appl. Phys. 1967. v.38. №11. p. 4537-4538.

51. Т.Е. Handelman, E. Pavilonis. Epitaxial growth of silicon by vacuum sublimation. // J. Elecrochem. Soc. 1964, v. 111, №2, part 1, p. 201-206.

52. R.N. Tomas, M.H. Francombe. A LEED study of homoepitaxial growth of thick films. // Appl. Phys. Lett. 1967, v. 11, №3, p. 108-110.

53. A.G. Gallis, G.R. Bocker. The homoepitaxial growth of silicon and germanium films on (111) silicon surface using UHV sublimation and evaporation techniques. // J. Cryst. Growth 1971, v.9, p. 132-138.

54. H. Wildmer. Epitaxial growth of Si on Si in ultra high vacuum. // Appl. Phys. Lett. 1964, v. 5, №5, p. 109-110.

55. F. Jona. Low-energy-electron diffraction study of the epitaxy of Si on Si. // Surface and Interface. I, Syracuse, 1967, p.399-434.

56. T.N. Jackson, P.D. Kiecher, G.D. Pettit et al. Silicon source component for use in molecular beam epitaxial growth apparatus. // Pat. USA №4550047.

57. G.R. Becker, B.A. Unvala. Growth of epitaxial silicon layers by vacuum evaporation. // Phyl. Mag. 1965, v.l 1, №109, p.l 1-30.

58. V.G. Lifshits, A.A. Saranin, A.V. Zotov. Surface phases on silicon. Chichester: John Willy and Sons, 1994, 454 p.

59. H.Ennen, G.Pomrenke, A.Axmann, K.Eisele, W.Haude, J.Schneider 1,54-fim electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1985. V.46. №4. P.381-283.

60. H.Efeoglu, J.H.Evans, Т.Е. Jackman et al. Recombination processes in erbium-doped MBE silicon // Semicond. Sci. Technol. 1993. V.8. P.236-242.

61. R.Serna, M.Lohmeler, P.M.Zagvijn, E.Vlieg, A.Polman. Segregation and trapping of erbium during silicon molecular beam epitaxy // Appl.Phys.Lett. 1995, v.66, №11, p.1385-1387.

62. K.Miyashita, Y.Shiraki, D.C.Houghton, S.Fukatsu Incorporation kinetics of rare-earth elements in Si during molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1995. v.67. №2. p.235-237.

63. J.Stimmer, A.Reittinger, G.Abstreiter, H.Holzbrecher, Ch.Buchal Growth conditions of erbium-oxygen-doped silicon grown byMBE // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1995. v.422. p. 15-20.

64. R.Serna, J. A. Shin, M.Lohmeier, E.Vlieg, and A.Polman. Incorporation and optical activation of erbium in silicon using molecular beam epitaxy. // J. Appl. Phys. 1996. V.79. №5. P.2658-2662.

65. M. Matsuoka and Shun-ichi Tohno. 1,54 дш photoluminescence of in situ erbium oxygen co-doped silicon filens grown by ion-beam epitaxy. // J. Appl. Phys. 1995. V.78. №4. P.2751-2757.

66. А. В. Кожухов, Б.З. Кантер, С.И. Стенин, Б. М. Туровский, С. А. Чесноков. Испарение и сегрегация галлия при нагреве легированного кремния в вакууме // Поверхность. 1989. №3. С. 160-161.

67. К. Fujita, S. Fukatsu, Н. Yaguchi, Т. Igarashi, Y. Shiraki and R. Ito. Realization of abrupt interfaces in Si/Ge superlattices by suppressing Ge surface segregation with submonolayer of Sb. // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V.29. L39.

68. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпи-такксиальных слоях полупроводников. М.; "Металлургия", 1985, 160 с.

69. J1.H. Александров. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок, изд."Наука". 1978, 272 с.

70. В.П.Кузнецов, В.В.Постников. О переносе примесей Р, As, А1 из источника кремния в слои, полученные сублимацией в вакууме // Кристаллография 1974, т. 19, №2, с.346-351.

71. R.E. Honig. On the heats of sublimation and evaporation of germanium. //J. Chemical Physics. 1954, v. 22, №9, p. 1610.

72. A.H. Несмеянов. Давление паров химических элементов. М.: АН СССР. 1961, 396 с.

73. Y. Nannichi. Sublimation rate of silicon in high vacuum. // Jpn. J. Appl. Phys. 1963. v. 2. №9. p.586-587.

74. В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, В.А. Толомасов, B.C. Красильни-ков, О.В. Антипова. Зарождение дефектов упаковки в слоях кремния, выращенных в вакууме. // Кристаллография. 1988, т.33, вып.5, с. 1227-1231.

75. В.П. Кузнецов, В.В. Постников, В.А. Толомасов. Слои кремния, полученные сублимацией в вакууме при температурах 430-600°С. // Кристаллография. 1970, т. 15, вып.2, с. 391-392.

76. Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова, М.И. Овсянников. О переносе бора из источника в эпитаксиальный слой при сублимации кремния в вакууме. // Кристаллография, 1973, т. 18, вып.2, с.374-376.

77. М.И.Овсянников, Р.Г.Логинова, Р.А.Рубцова. Автоэпитаксиаль-ные слои кремния, полученные сублимацией в вакууме из высоколегиро-ванньтх бором источников. // Кристаллография, 1970, т. 15, вып.6, с. 1261 -1262.

78. Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. Справочник // Л.В. Гуревич, Г.В. Карачевцев, В.Н. Кондратьев и др. под ред. академ. В.Н. Кондратьева. М.: АН СССР, 1962, с.42-127.

79. Л.А. Май. Энергия связей кремния и постулаты о среднеарифметическом и среднегеометрическом. // Изв. АН Латв. ССР. Сер. Хим. 1967, №4, с.504-505.

80. В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, Н.А. Алябина. Получение высоколегированных эпитаксиальных слоев кремния при низких температурах. // Электронная промышленность. 1990. №9. с.57-60.

81. В.А. Гугин, В.В. Постников, Т.Д. Комракова, Р.А. Рубцова. Легированные галлием эпитаксиальные слои кремния, полученные сублимацией в вакууме. // Неорг. Матералы. 1982. Т. 18. №1. с. 5-7.

82. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, А.Ю. Андреев, Т.Н. Сергиевская, В.А. Толомасов. Влияние скорости роста слоев кремния на захват алюминия при эпитаксии из молекулярного пучка в вакууме. // Кристаллография. 1986. Т.31. В.1. С.135-138.

83. А.Ю. Андреев, Н.В. Гудкова, В.П. Кузнецов, B.C. Красильников, Р.А. Рубцова, В.А. Толомасов. Легирование фосфором слоев Si при эпитаксии на (001) Si из молекулярного пучка. // Изв. АН СССР. Неорганические Материалы. 1988. т.24. №9. с. 1423-1426.

84. K.-J. Kim, М. Suemitsu, М. Yamanaka, N. Miyamoto Effects of mixing germane in silicon gas-source molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. №26. P. 3461-3463.

85. В.П.Кузнецов, А.Ю.Андреев. О накоплении примеси на поверхности слоев Si (001) при автоэпитаксии в вакууме. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1990, №3, с. 49-52.

86. А.Ю. Андреев, В.П. Кузнецов, В.А. Толомасов. Резкие профили примеси в структурах кремния, выращенных из молекулярного пучка в вакууме. // Журнал технич. Физики. 1987, т.57, вып.6, с. 1204-1206.

87. L.Veskan, T.Stoica. Room temperature SiGe light - emitting diodes.// I. Luminescence. 1999.V. 80.p. 485-489.

88. E.Neufeld, A.Sticht, A.Luigart, K.Brumer and G.Abstreiter.// Influence of germanium content on the photoluminescence of erbium and oxygendoped SiGe growth by molecular beam epitaxy. // Appl.Phys.Lett. 1998.v. 73. №21 p. 3061-3063.

89. T.Rupp, I.Messarosch, I.Eisele Silicon-germanium molecular beam epitaxy system for high-quality nanostructures and devices.// J.Cryst.Growth. 1998. v. 183.p. 99-108.

90. Y.Ota. Silicon molecular beam epitaxy.// Thin Solid State. 1983. v. 106. p. 3-136.

91. H.Hirayama, K.Hiroi, T.Tatsumi. Gas source Si-MBE. // J.Cryst.Growth. 1990, v. 105, p. 46-51.

92. B.A. Толомасов, P.А. Рубцова, С.П. Светлов, А.В. Корнаухов, А.Д. Гудкова. Гетероэпитаксия слоев GexSiix на Si (100) из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4. Известия ВУЗов. Сер. Цветная металлургия 1994, №1-2, стр. 172-175.

93. В.А. Толомасов, JI.K. Орлов, Р.А. Рубцова, С.П. Светлов, А.Д. Гудкова, А.В. Корнаухов, А.В. Потапов, Ю.Н. Дроздов. Гетероэпитаксия слоев GeSi на Si (100) из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4. // Кристаллография 1998, №3, с. 536-540.

94. M.Racanelli and D.W. Greve. // Low-temperature selective epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition from SiH4 and GeH/^. // Appl. Phys. Lett. 1991. v. 58. №19, p.2096-2098.

95. T.R.Bramlett, Q.Lu, N.-E.Lee at al. Ge (001) gas-sourse molecular beam epitaxy on Ge (001) 2x1 and Si (001) from Si2H6: growth kinetics and surface roughening.//J. Appl. Phis. 1995, v. 77, №4, p. 1504-1513.

96. R.Chelly, J.Werekmann, T.Angot et al. Growth of epitaxial SiGe nanostructures at low temperature on Si (100) using hot-wire assisted gas source molecular beam epitaxy. // Thin Solid Films. 1997. v. 294, p.84-87.

97. H.Wado, T.Shimizu, M.Ishida, T.Nakamura. The growth properties of SiGe films on Si (100) using Si2H6 and Ge solid sourse molecular beam epitaxy. // J.Cryst. Growth. 1995. v,147.p.320-325.

98. A.Sakai, T.Tatsumi. Ge growth on Si using atomic hydrogen as a surfactant. // Appl. Phis. Lett. 1994, v. 64, №1, p. 52-54.

99. P.C.Zalm, G.F.A.van de Walle, D.J.Gravesteijn and A.A.van Gorkum. Ge segregation at Si/Sii-xGex interfaces grown by molecular-beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1989. v. 55. №24. p. 2520-2522.

100. N.Ohtani, S.Mokler, M.H.Xie, J.Zhang and B.A.Joyce . Surface hydrogen effects on Ge surface segregation during silicon gas source molecular beam epitaxy//Jap. Appl. Phys., 1994, v.33, part 1,№4, p.2311-2316.

101. Э.И. Точицкий. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. Минск, "Наука и техника" 1976, 312 с.

102. Y. Ota. Silicon molecular beam epitaxial with simultaneous ion implant doping. // J. Appl. Phys. 1980. v. 51. №2. p. 1102.

103. H. Sugiura. Silicon molecular beam epitaxy with antimony ion doping. // J. Appl. Phys. 1980. v. 51, p.2630.

104. B.A. Толомасов, Л.Н. Абросимова, P.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская. Зависимость электрофизических параметров автоэпитаксиальных слоев Si, легированных ионизированным потоком Sb, от температуры роста. // Микроэлектроника, 1974, т.З, вып.2, с. 175-177.

105. T.Sakamoto and M.Kumoro. High impurity doping in Si-MBE using liguid Ga ion source. //Jap. J. Appl. Phis. 1983, v.22, №12,p. L. 760-L. 762.

106. J.-P.Noel, J.E.Green, N.L.Rowell, S.Kechang and D.C.Hoaghton. Photoluminescence studies of Si (100) doped with low-energy< (1000 eV) As+ ions during molecular beam epitaxial. // Appl. Phis. Lett. 1989, v.55, №15, p. 1525-1527.

107. J.A.Roth and C.L.Anderson. Silicon epitaxy by solid-phase crystallization of deposited amorphous films. // Appl. Phis. Lett. 1977, v.31, №10, p. 689-691.

108. J.Caber, H.Jshiwara and S.Furukawa. Solid phase epitaxi of highly-doped Si:B films deposited on Si (100) substrates. // Jpn. J. Appl. Phis. 1982, v.21, L. 712-714.

109. D.Streit, R.A.Metzder and F.G.Allen. Doping of silicon in molecular beam epitaxy systems by solid phase epitaxy. // Appl. Phis. Lett. 1984, v. 44, №2, p. 234-236.

110. L.Vercan, E.Kasper, E.Meyer and M.Maier. Characterization of Ga-doped solid phase-MBE silicon. // J.Cryst. Growth. 1985 v.73, №3. p 482.

111. A.Casel, H.Jorke, E.Kasper and H.Ribbel. Dependence of hole transport on Ga doping in Si molecular beam epitaxy layers. // Appl. Phis. Lett. 1986, v.48, №14, p. 922-924.

112. A.Casel, H.Kibbel and F.Schaffler. Electrical properties of gallium-and antimony-doped silicon layers, grown by solid-phase epitaxy in molecular beam epitaxial growth chamber. // Thin Solid Films 1990 v. 184, p. 351-359.

113. I.G. Kaverina, V.V. Korobtsov, V.G. Zavodinskii, A.V. Zotov. Solid phase epitaxial growth anisotropy of vacuum-deposited amorphous silicon. // Phys. Stat.Sol. (a) 1984. V.82. p.345-353.

114. T. Itoh, T. Nakamura, M. Kuromachi and T. Sugiyama. Antimony concentration in silicon epitaxial layer formed by paricaly ionized vapor deposition. // Jpn. J. Appl. Phys. 1976. v. 15. p. 1145-1149.

115. Kubiak R.A.A., Leong W.Y., Parker E.H.C. Enchanced sticking coefficients and improved profile control using boron and antimony as coevapo-rated dopants in Si-MBE // J. Vac. Sci. Technol. 1985. B3. №2 p.592-595.

116. Kubiak R.A.A., Leong W.Y., Parker E.H.C. Potential enchanced Sb and As doping in Si molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1985. v. 46. №6. p.565-567.

117. H. York, H.J. Herzog, H. Kibbel. Secondary implantation of Sb into Si molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1985. v. 47. №11. p. 511-513.

118. Jorke H. and Kibbel H. Doping by Secondary Implantation // J. Elec-trochem. Soc. 1986. v. 133. №4. p.774-778.

119. B.Fritrsch, B.Wolf and A.Zene. A computer simulation study of potential enhanced doping mechanism in molecular beam epitaxial. // Sol. St. Commun. 1989 v.72, №1, p.13-16.

120. P.R. Pukite, S.S. Iyer and G.J. Scilla. Ion beam enhanced diffusion of В during Si molecular beam epitaxi. // Appl. Phis. Lett. 1989, v. 54, №10, p. 916-918.

121. R.A.A. Kubiak, W.Y. Leong, E.H.C. Parker. Potential enchanced doping of Si growth by Molecular Beam Epitaxy. // J. Electrochem. Soc. 1985. v. 132. №11. p.2738-2742.

122. В.Г.Шенгуров, С.В.Лозовский, С.Ю.Князев, В.Н.Шабанов Способ молекулярно-лучевой эпитаксии. Патент РФ №2038646 от 27.06.95.

123. В.А. Толомасов, В.Г. Шенгуров, Г.Н. Горшенин. Устройство для нанесения многослойных структур в вакууме. Авт. свид. СССР №1649840 от 15.01.91.

124. С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков. Устройство для сублимационного молекулярно-лучевого осаждения слоев кремния, легированных эрбием. // Приборы и техника эксперимента, 2000, №4, с. 141-143.

125. В.А.Гугин, С.И.Коломиец, М.И.Овсянников, В.В.Постников, В.А.Толомасов, В.Г.Шенгуров. Устройство для крепления полупроводниковых подложек. Авт. свид. СССР №1128633 от 06.01.1983.

126. В.Г. Шенгуров, Д.В. Шенгуров. Устройство для сублимационного молекулярно-лучевого осаждения пленок кремния. // Приборы и техника эксперимента 2001, №1. с. 154-156.

127. M.F. Wu, A. Vantomme, Y. De Wacher, S. Degroote, H. Pattyn, G. Langouche and H. Bender. Comprehensive Rutherford backscaftering and channeling study of ion-beam-synthesized ErSiij7 layers. //J.Appl.Phys. 1966, v.79, №9.

128. S. Wright, H Kroemer. Reduction of oxides on silicon by heating in a gallium molecular beam at 800°C. // Appl. Phys. Lett. 1980. v.36. №3. p.210-211.

129. W.I.Wang. Molecular beam epitaxial growth and material properties of GaAs on Si (100). //Appl. Phys. Lett. 1984. v.44. №12. p.l 149-1151.

130. B.A. Перевощиков, В.Д. Скупов, В.Г.Шенгуров, JI.E. Николаева. Термическая очистка поверхности кремния с защитной оксидной пленкой в высоком вакууме. // Поверхность. Физика. Химия. Механика. 1991. №10. С. 154-156.

131. В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов, Г.А. Максидонова, В.Г. Шенгуров, В.В. Перевощиков. Способ очистки поверхности кремниевых пластин. Авт. свид. СССР №1588206 от 01.11.88.

132. Т. Valyoschik. //J. Electrochem. Soc. 1967. v. 114. №2. p. 176.

133. F.Schaffler, H.Jorke. Gallium doping of silicon molecular beam epitaxial at low temperatures and under Si+ ion bombardment. // Thin Solid Films. 1990 № 184, p. 75-83.

134. H.A. Харламов. // Заводская лаборатория 1974, т.40, №6. с.712

135. К.Г. Гарцман и др. // Приборы и техника эксперимента 1979, №4. С.-711-712.

136. P.L.F.Hemment, P.R.C. Stevens The preparation of thin n-type silicon specimens for radiation damage studies // J. Sci. Instrum. (J. Phys. E.) 1969, v. 2, №2, p. 19-21.

137. H. Y. A.Van Dijk, J. de Jonge. Preparation of thin silicon crystals by electrochemical thinning of epitaxially grown structures // J. Electrochem. Soc. 1970, v. 117, №4, p. 553-554.

138. Н.И. Лабутин, В.Н.Парамонова, В.П.Поляков. Электрохимические методы контроля в технологии создания БИС. // Электронная промышленность, 1980, №6, с.37-42.

139. В.А.Перевощиков, В.Д.Скупов, В.Г.Шенгуров. Метод изготовления косых шлифов химико-динамическим травлением. Авт. свид. СССР №1208978 от 01.10.85.

140. В.А.Перевощиков, В.Д.Скупов, В.Г.Шенгуров. Метод изготовления косых шлифов химико-динамическим травлением. // Зав. лаборатория. 1996, №8, с.38-41.

141. Л.Д.Буйко, П.П.Гоиденко, В.А.Пилипенко и др. Измерение угла и косого шлифа с помощью интерференционного микроскопа МИИ-4. // Электронная техника, сер. 8. 1974, вып.6(24), с. 83-89.

142. В.Н.Шабанов, В.Г. Шенгуров, Н.В.Гудкова. Получение полупроводниковых образцов, прозрачных для электронов. // Приборы и техника эксперимента 1980, №3, с. 234-235.

143. В.Н.Шабанов, В.Г Шенгуров. Способ разделения меза-структур. Авт. свид. СССР №766441 от 29.06.78.

144. В.Г. Шенгуров, В.А.Перевощиков, В.Д.Скупов, Д.В.Шенгуров. Изготовление тонкой кремниевой фольги для электронномикроскопиче-ских исследований. // Приборы и техника эксперимента 1997, №2, с. 146148.

145. В.А.Лабунов, В.П.Бондаренко и др. // Зарубеж. электронная техника. М.: ЦНИИ "Электроника" 1978. №15, с.3-46.

146. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. Под ред. Луфта Б.Д., Перевощикова В.А., Возмиловой Л.Н. и др. М.: Радио и связь, 1982, 136 с.

147. E.Sirtl, A.Adler. Chromsaure- Flubsaure als spezifisches System zur Atzgrubenent wicking auf silizium. // Z. Vtnfkkrunder, 1961, v. 52, №8, p. 529-531.

148. D.G.Schimmel. Defekt etch for <100> silicon evaluation. // J. Elec-trochem. Soc. 1979. V.126, №3, p. 479-483.

149. З.Г. Пинскер. Дифракция электронов. М.Л. изд. АН СССР 1949,404 с.

150. Г.Ф.Кузнецов, С.А.Семилетов. Дифракционные методы нераз-рушающего контроля реальной структуры эпитаксиальных и поликриста-лических пленок в микроэлектронике. // Обзоры по электронной технике. Сер.З Микроэлектроника. М., вып.1 (280), 94с.

151. В.В.Батавин. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев М.: Сов. Радио, 1976, 102 с.

152. В.Л.Коньков. К теории измерения электропроводности полупроводниковых пленок методом зондов. // Физика твердого тела. 1964, т.6, №1, с. 304-306.

153. Л.С.Берман. Емкостные методы исследования полупроводников." Л. Наука, 1972, 104 с.

154. И.В.Ирин, А.В.Мурель. Автоматизированный измерительный комплекс для электрохимического C-V-профилирования. // Приборы и техника эксперимента. 1993. №6. с. 150-155.

155. В.Н.Шабанов, В.Г.Шенгуров. Способ определения типа проводимости слоев полупроводниковых структур. Авт. свид. СССР №1045313 от 01.06.83.

156. Н.Н.Поляков, Р.А.Рубцова. Измерение проводимости и ЭДС Холла прямоугольных образцов пробником с квадратным расположением зондов. //Зав. лаборатория. 1970. т.36, В. 12, с. 1207-1209.

157. Н.И. Герасименкоё, А.В. Двуреченский, В.И. Панов, JI.C. Смирнов. О пороговой энергии образовния радиационных дефектов в полупроводниках. //ФТП. 1971, т.5, №8, с. 1644-1646.

158. Э.Я. Зандберг, Н.И. Ионов. Поверхностная ионизация, "Наука", 1969, 432 с.

159. Masahiro Okamura. Jpn. J. Phys. 1969. v.8, №12, p.1440-1442.

160. Д.А. Павлов, В.Г. Шенгуров, Д.В. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. Получение методом сублимации легированных пленок поликристаллического кремния. // Физика и техника полупроводников. 1995, т.29, №2, с.286-289.

161. N.A. Annamalai, Nara Meguppan, A.N.Knondker. Properties of polycrystalline silicon grown on insulating substrates by electron beam gun evaporation. // Thin Solid Films. 1987, №155, p. 97-133.

162. B.A. Перевощиков, В.Д. Скупов, В.Г. Шенгуров. Механические и геттерирующие свойства структур пористый монокристаллический кремний. // Электронная техника, сер.7. ТОПО. 1994. вып.7(182). с. 10-13.

163. С.А. Гусев, Н.А. Короткова, Д.Б. Розенштейн, А.А. Фраерман, В.Г. Шенгуров. Получение и исследование ферромагнитных нитей в матрице из пористого кремния. // Письма в ЖТФ. 1994. Т.20. в.11. с.50-53.

164. В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов, Н.В. Гудкова, Б.Я. Ткач. Выращивание методом МЛЭ гомоэпитаксиальных слоев кремния после низкотемпературной очистки ее в вакумме. // Микроэлектроника. 1993. т.22. вып. 1. с.19-21.

165. В.Г. Шенгуров. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния с использованием сублимирующих источников. // Поверхность. Физика. Химия. Механика. 1994. №10-11. с.44-50.

166. В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов, Н.В. Гудкова, Б.Я. Ткач. Структурное совершенство слоев кремния, выращенных МЛЭ на пористом кремнии. // Мат. 8-ой Всероссийской конф. по росту кристаллов. 2-8 февр. 1992 года. г.Харьков, с.58-59.

167. Е.С.Демидов, В.В.Карзанов, В.Г.Шенгуров. Дискретное тунне-лирование дырок в пористом кремнии. // Письма в ЖТФ. 1998. т.67. вып. 10. с.794-797.

168. V.V. Korobtsov, V.G. Zavodinskii, A.V. Zotov. LEED analysis of solid phase epitaxy of Si. // Surface Sci. 1983, v. 130, p.L.325-L.328.

169. V.V. Korobtsov, V.G. Lifshits, A.V. Zotov, V.G. Shengurov. Solid phase epitaxy of doped Si films in molecular beam epitaxy systems. // Phys. Stat. Sol.(a) 1987, v. 103, p. 467-473.

170. В.Г. Шенгуров. Профили распределения концентрации галлия в эпитаксиальных слоях, выращенных сублимацией кремния. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1995. №1. С.51-54.

171. А.В. Кожухов, Б.З. Кантер, С.И. Стенин, Б.М. Туровский, С.А. Чесноков. Испарение и сегрегация галлия при нагреве легированного кремния в вакууме. // Поверхность. 1989. №3. С. 160-161.

172. Б.А. Нестеренко, О.В. Снитко. Физические свойства атомарно-чистых поверхностей полупроводников. Киев: Наукова Думка. 1983. 263 С.

173. L.Z. Mezey, J. Giber. Calculation of surface free energies and characteristics of surface segregation of solids. // Surf. Sci. 1982. №117. p. 230.

174. В.Г.Шенгуров. Многослойные кремниевые структуры, полученные совместным испарением из твердой фазы и из расплава. // Неорг. Матералы. 2001. Т.37. №7. С. 783-787.

175. Ю.М.Шашков. Выращивание монокристаллов методом вытягивания. М.: Металлургия, 1982, 311 С.

176. Б.Н.Савельев, В.В.Воронков, В.В.Добровольский, Г.И. Ворон-кова. Исследование скорости испарения фосфора из расплава кремния. // Журнал физической химии. 1971. T.XV. №4. С.775-777.

177. М.С.Чупахин, Г.Г.Главин, В.И.Фистуль. Кластеры в сильнолегированном кремнии. // Докл. АН СССР. 1963. Т. 150. №2. С. 1059-1061.

178. В.В. Постников. О роли молекулярного состава потока легирующих элементов при получении слоев германия и кремния в вакууме. // Кристаллография. 1964. Т.9. №2 С.300-302.

179. В.А.Гугин, В.В.Постников, Т.Д.Комракова, Р.А.Рубцова. Легированные галлием эпитаксиальные слои кремния, полученные сублимацией в вакууме. //Неорг. Матералы. 1982. Т. 18. №1. С.5-7.

180. Iyer S.S., Metzger R.A., Allen F.G. Sharp profiles with high and low doping levels in silicon growth by molecular beam epitaxy. // J. Appl. Phys. 1981. v. 52. №9. p. 5608.

181. И.А. Аброян, А.И. Титов, А.В. Хлебалкин. Образование приповерхностного пика структурных нарушений при ионном облучении. // ФТП. 1977. т. 11, №6, с.1204-1205.

182. N.Matsuo, Y.Hirofuji. The orientation dependence of impurity stik-ing on Si molecular beam epitaxy. // Ext. Abstract of the 18th Conf. on Sol.St.Dev.Mat., Tokyo, 1986. P. 41-44.

183. Л. Ченга, Л. Плога. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетерост-руктуры. М.: Мир, 1989. 584 С.

184. А.В. Куликов, В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов, В.Г.Шенгуров. Низкотемпературное радиационно-стимулированное геттерирование примесей и дефектов в кремнии слоями пористого кремния. // Письма в ЖТФ, 1997, т.23, №13, с.27-31.

185. В.Г.Шенгуров, Р. А. Рубцова. Эпитаксиальные слои кремния, полученные сублимацией легированного галлием монокристалла. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 1997. №9. С. 106-109.

186. П.В.Павлов, В.Н.Шабанов, В.Г.Шенгуров, А.В.Кожухов. Захват низкоэнергетических ионов галлия поверхностью роста при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния. // Поверхность: Физика, Химия, Механика. 1990. №11. с.153-155.

187. В.Г.Шенгуров, В.Н.Шабанов. Эпитаксиальные слои, полученные сублимацией кремния в электрическом поле. // Высокочистые вещества. 1995. №2. с.52-55.

188. В.Г.Шенгуров, В.Н.Шабанов. Профили концентрации акцепторов в слоях Si, легированных низкоэнергетическими ионами Ga+ в процессе МЛЭ. // Поверхность: Физика, Химия, Механика. 1993. №12. с.98-100.

189. В.Г.Шенгуров, А.В.Шабанов, В.Н.Шабанов. Дельта-легированные слои кремния, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии с облучением поверхности роста низкоэнергетическими ионами. // Неорганические материалы. 1999. т.35. №5. с.519-522.

190. P.V.Pavlov, V.N.Shabanov and V.G.Shengurov. Doping of silicon with low-energy gallium ions during molecular beam epitaxy. // Radiation effects in Solids. 1993. v.25. p.177-179.

191. В.Г.Шенгуров, В.Н.Шабанов, А.В.Шабанов. Выращивание дельта-легированных слоев методом молекулярно-лучевой эпитаксии с одновременной бомбардировкой поверхности роста низкоэнергетическими ионами. // Письма в ЖТФ. 1997. т.23. №7. с.67-72.

192. И.А.Аброян, А.И.Андронов, А.И.Титов. Физические основы электронной и ионной технологии. М: Высш. шк., 1984, 320 с.

193. С.П.Светлов, В.Г.Шенгуров, В.А.Толомасов, Г.Н.Горшенин, В.Ю.Чалков. Установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии кремния. // Приборы и техника эксперимента, 2001, №5, с. 137-140.

194. Отчет о НИР "Расчет процессов взаимодействия ионного пучка с поверхностью кремния при кристаллизации эпитаксиальных слоев". Ташкент, политехнический институт, 1985. 92 с.

195. В.П.Кузнецов, В.А.Толомасов, А.В.Туманова. Легирование тонких эпитаксиальных слоев Si, выращенных в вакууме при низких температурах. // Кристаллография. 1979. Т.24. Вып.5. С. 1028-1032.

196. Н.А.Соболев. Светоизлучающие структуры Si:Er, технология и физические свойства. // ФТП. 1995. V. 29. №7. с. 1153-1 177.

197. В.Г.Шенгуров, С.П.Светлов, В.Ю.Чалков, Г. А Максимов, З.Ф.Красильник, Б.А.Андреев, М.В.Степихова, Д.В.Шенгуров. Сегрегация эрбия в слоях кремния, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. // Неорг. материалы. 2002, т.38, №5, с.519-523.

198. В.Г.Шенгуров, С.П.Светлов, В.Ю.Чалков, Г.А.Максимов и др. Влияние условий роста на встраивание легирующего редкоземельного элемента в слои кремния в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. // Изв. АН. сер. Физическая, 2001. Т.65. №2. С.290-292.

199. К.Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. // М. Мир. 1984. 471 с.

200. Т.А. Грачева, Н.Д. Малыгин, Д.В. Шенгуров, В.Г.Шенгуров. Влияние легирующей примеси на текстуру пленок поликристаллическогокремния, полученных в процессе молекулярно-лучевого осаждения. // Журнал технической физики. 2000, т.70, №9, с. 117-118.

201. N.Ohtani, S.Mokler, M.H.Xie, J.Zhang and B.A.Joyce. Surface hydrogen effects on Ge surface segregation during silicon gas source molecular beam epitaxy. // Jap. Appl. Phys., 1994, v.33, part 1, №4, p. 2311-2316.

202. H.Wado, T.Shimizu, M.Ishida, T.Nakamura. The growth properties of SiGe films on Si(100) using Si2H6 gas and Ge solid source molecular beam epitaxy. //J. Cryst. Growth. 1995, v. 147, p. 320-325.

203. K. Fujita, S. Fukathu, N. Usami, Y. Shiraki, H. Yaguchi, R. Ito and K. Nakagawa. Self-modulation Sb incorporation in Si/SiGe superlatties during molecular beam epitaxial growth. // Surf. Sci. 1993, v.295, p.325-329.

204. В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов, В.Г. Шенгуров. Многослойные строения структур с пористым кремнием. // Поверхность, 1998, №4, с.44-46.

205. H.Sugiura and М. Yamaguch. Growth of dislocation free silicon films by molecular beam epitaxy. // J. Vac. and Technol. 1981. v. 19, №12. p. 157-160.

206. В.Н. Шабанов, В.Г. Шенгуров, A.B. Шабанов. Определение ионной составляющей в молекулярном потоке сублимирующего кремния. // Матер. IV Всерос. Семинара "Физические и физико-химические основы ионной имплантации", Н.Новгород, 9-11 июня 1998, с. 43.

207. Д.В. Шенгуров, В.Н. Шабанов, В.Г. Шенгуров. Получение легированных пленок кремния испарением из сублимирующего источника с приложением к подложке отрицательного потенциала. // Вакуумная техника и технология. 1998. Т.8. №2. С.9-11.

208. Д.В. Шенгуров, А.В. Шабанов, Д.А. Павлов, В.Г. Шенгуров, А.Ф. Хохлов. Эффекты воздействия низкоэнергетических ионов на росткремниевых пленок. // XIII Межд. конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью": тез. докл. Москва, 1997. Т.2. С.331-333.

209. В.Г. Шенгуров. Влияние бомбардировки низкоэнергетическими ионами Si+ на молекулярно-лучевое осаждение пленок кремния. // V Все-росс. семинар "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Н.Новгород, 11-13 октября 2000 г., с.73.

210. А.С. Лютович. Ионно-активированная кристаллизация пленок. Изд-во "Фан", Ташкент. 1982. 184 с.

211. В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов, Н.В. Гудкова, Б .Я. Ткач. Структурное совершенство слоев кремния, выращенных МЛЭ на пористом кремнии. // Сб. 8 Всесоюзной конф. по росту кристаллов, г. Харьков. 2-8 февраля 1992 г. с.58-59.

212. В.А.Перевощиков, В.Д.Скупов, В.Г.Шенгуров. Упруго-напряженное состояние, прочность и геттерирующие свойства пористого кремния. // II Российская конф. по физике полупроводников. Тез. докл., Зе-леногорск, 1998, 28 февраля-1 марта, т.2, с.216.

213. D.A. Pavlov, A.F. Khokhlov, D.V. Shengurov. The effect of electric potential applied to substrate during MBD on the structure of poly crystalline silicon films. // Proc. of E-MRS Spring Meeting, France, Strasbourg, 1996.-P.B18.

214. В.Г. Шенгуров. Влияние бомбардировки низкоэнергетическими ионами Si+ на молекулярно-лучевое осаждение пленок кремния. // V Всеросс. семинар "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Н.Новгород, 11-13 октября 2000 г., с.73.

215. V.V.Korobtsov, V.G.Zavodinskii, A.V.Zotov. Epitaxial regrowth of amorphous Si deposited on Si (111). // Phys. Stat. Sol.(a). 1982. v. A72. p.391-398.

216. F.G. Allen, S.S. Iyer and R.A. Metzger. Dopant incorporation studies in silicon molecular beam epitaxy (Si MBE). // Appl. Surf. Sci. 1982, v.11/12, p.517-527.

217. J.E. Greene. Low-energy ion bombardment during film deposition from the vapor phase: effects on microstructure and microchemistry. // Solid State Technol. 1987. v.30. №4. p. 115-122.

218. В.Г.Шенгуров, П.В.Павлов, В.Н.Шабанов. Слои кремния, легированные низкоэнергетическими ионами Ga+ в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. // Сб. 8 Всесоюзной конф. по росту кристаллов, г. Харьков. 2-8 февраля 1992 г. с.45-46.

219. В.Г.Шенгуров, П.В.Павлов, В.Н.Шабанов. Кремниевые слои, легированные в процессе роста низкоэнергетическими ионами. // Сб. "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники". Тез. докл. г. Новосибирск. 1991. с.52.

220. В.Г.Шенгуров, П.В.Павлов, В.Н.Шабанов. Молекулярно-пучковая эпитаксия кремния в потоке низкоэнергетических ионов галлия. // Тез. докл. VII Международной конф. по микроэлектронике, г. Минск. 1618 октября 1990 г. т.2. с.64-66.

221. П.В. Павлов, В.Н. Шабанов, В.Г. Шенгуров. Способ эпитакси-ального наращивания слоев кремния, легированных галлием. // Авт. свид. СССР №1669331.

222. В.Н Шабанов, В.Г. Шенгуров. Поверхностная ионизация Ga и А1 при сублимации кремния. // Тезисы докл. XXII Конф. по эмиссионной электронике. г.Москва. 1994. Т.1. с.116-117.

223. В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов, А.Г. Гурьянов, С.И. Коломиец. Приготовление тонких полупроводниковых пластин электрохимическим травлением. // Приборы и техника эксперимента, 1979, №5, с.262-263.

224. В.Н. Шабанов, В.Г. Шенгуров. Получение тонких пластин кремния с малым количеством микроуглублений при электрохимическом методе травления эпитаксиальных структур. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1978. Вьп.6. С.33-36.

225. М.И. Овсянников, В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов, M.JI. Шиль-никова. Исследование эпитаксиальных кремниевых слоев, вырашенных в вакууме. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1983. Вып.9(182). С.34-38.

226. А.С. Тагер, В.М. Вальд-Перлов. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М. Сов. радио, 1968, 251 с.

227. P.Y. Kannon, S. Ponrak and J.A. Olstead. Design consideration of hyperabrupt varactor diodes. // IEEE Trans. Electron Devices, 1971, ED-8, p.109-115.

228. C.A. Goodwin and Y. Ota. Aplication of Si MBE to microwave hy-perabrupt diodes. // IEEE Trans. Electron Devices, 1979, ED-26, p. 1796-1799.

229. J. Stimmer, A. Reittinger, F. Neufeld, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, Ch. Buchae. Electroluminescence of erbium-oxygen-doped silicon diodes. // Appl. Phys. Lett. 1996. v.68. №23. P.3290-3292.

230. В.П. Кузнецов, P.А. Рубцова. Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и его возможности при получении структуры SiEr/Si. // ФТП. 2000. Т.34. Вып.5. С.519-525.

231. В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов, ДА. Павлов, А.Ф. Хохлов, Д.В. Шенгуров, И.О. Усова. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния на толстом слое термического оксида кремния. // Изв. ВУЗов. Цветная металлургия. 1997, №5, с.48-50.

232. В.Г. Шенгуров. Устройство для нанесения монокристаллических эпитаксиальных пленок. Положительное решение по заявке №4874082/26(102251) от 12.05.91 г.

233. T.Yonehara, S.Yoshioka, S.Miyazawa. Competing process of Si molecular beam reactive etching and simultaneous deposition on film and bulk Si02 // J. Appl. Phys. 1982. v.53. №10. p.6839-6843.

234. R. Tromp, G.Rubloff, P.Balk et. al. High temperature Si02 decomposition at the Si02/Si interface. // Phys. Rev. Lett. 1985. v.55. №21. p.2332-2335.

235. Yi.Wei, R.M.Wallace, A.C.Seabaugh. Controlled growth of Si02 tunnel barrier and crystalline Si quantum wells for Si resonant tunneling diodes. //J. Appl. Phys. 1977. v.81. №9. p.6415-6424.

236. Y.-K.Sun, D.J.Bonser, T.Engel. Thermal decomposition of ultrathin oxide layers on Si(100). // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films—July 1992, Volume 10, Issue 4, pp. 591-2952

237. Y. W. Mo, J. Kleiner, M. B. Webb, and M. G. Lagally. Activation energy for surface diffusion of Si on Si(001): A scanning-tunneling-microscopy study. // Phys. Rev. Lett. 1991. v.66, p. 1998-2001

238. В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов, В.Г. Шенгуров. Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке. Авт. свид. СССР. №1814447. приорит.изобр. 5 мая 1991г.

239. M. Zinke-Allmang, L.C. Feldman and S. Nakahara. // Appl. Phys. Lett. 1987, v.51.p.975.

240. L.P. Chen, C.T. Chou, G.W. Huang, W.C. Tsai, C.Y. Chang. Boron incorporation in Sii.xGex films grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition using Si2H6 and GeH,. // Appl. Phys. Lett. 1995, v.67. №20, p. 3001 -3003.

241. P.E. Thompson, C. Silvestre, M. Twigg, G. Yernigan, D.S. Simons. Atomic hydrogen for the formation of abrupt Sb doping profiles in MBE-grown Si.//Thin Solid Films. 1998. №321, p. 120-124.

242. J.-P. Noel, Y.E. Green, N. L. Rowell, D.C. Hougton. Photolumines-cence studies of Si(100) doped with low-energy (100-1000 eV) B+ ions during molecular beam epitaxy. // J. Vac. Sci. Technol. 1991 v.B40, p. 10449-10459.

243. W.-X. Ni, G.V. Hansson, I.A. Buyanova, W.M. Chen and B. Momemar. Influence of ion bombardment on Si and SiGe-films during molecular beam epitaxy growth. // Appl. Phys. Lett. 1996. v.68. №2. p. 238-240.

244. M. Markman, E. Neufeld, A. Stichit, K. Brunner and G. Abstreiter. Enhancement of erbium photoluminescence by substitutional С alloying of Si. // Appl. Phys. Lett. 1999. v.75. №117. p. 2584-2586.

245. A.E.M.J. Fischer, W. F. J. Sliijkerman, J.E. van der Veen. Thermal stability of supersaturated oxygen-doped silicon epitaxial films. // Appl. Surf. Sci. 1990, v.44. p. 115-119.

246. J. Knall, J.-E. Sundgren, L.C. Markert and J.E. Green. Incorporation of In by recoil implantation during MBE growth of Si(100). // Surf. Sci. 1989. v.212. p.149-164.

247. J. Nogami, Sang-il Park and C.F. Quate. Behavior of Ga on Si (100) as studied by scanning tunneling microscopy. // Appl. Phys. Lett. 1988. v. 53. №21. p. 2086-2088.

248. M. Matsui, Y. Shiraki, E. Maruyama. Low-temperature formation of polycrystalline silicon films by molecular beam deposition. // J. Appl. Phys. 1982. v. 53. №2. p. 995-998.

249. B.A. Пантелеев. Микроскопический и феноменологический анализ системы равновесных дефектов в кристаллической решетке германия и кремния в связи с их влиянием на процессы атомной миграции. Дис. на соискание уч. ст. д.ф.м.н., 1979, 278 с.

250. A.S. Yapsir, L. You, Т.-М. Lu, М. Madden. Partially ionized beam deposition of oriented films. // J. Mater. Res, 1989, v. 4. №2. p. 343-349.

251. В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, А.Г. Мешков. Испарение примеси эрбия из кремния в вакууме. // Неорганические материалы. 2003, т.39, №2, с. 1-3.

252. M.I. Vasilevsky, A.Yu. Andreev and V.P. Kuznetsov. A microki-netic model for doping of silicon layers during molecular-beam epitaxy. // Surface science. 1993, №297, p. 151-161.

253. W.F.J. Slijkerman, P.M. Zagwijn, J.F. van der Veen, G.F.A. van de Wall and D.J. Gravesteijn. Anomalous Sb registribution during the preparation of delta-doping layers in silicon. // J. Appl. Phys. 1991. v. 70. p. 2111 -2117.