Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов KBr при 4,2-400К тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Лист сокращений и обозначений, употребляемых в диссертации . g

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. НАКОПЛЕНИЕ УСТОЙЧИВЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК КАК РЕЗУЛЬТАТ СУПЕРПОЗИЦИИ РАЗНОНАПРАВЛЕННЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (Обзор литературных данных) .J

1.1. Создание радиационных дефектов в ЩГК и зависимость этого процесса от температуры облучения ионизирующей радиацией.J

1.1.1. Создание дефектов при кратковременном облучении (имцульсное облучение)

1.1.2. Накопление дефектов при продолжительном облучении (непрерывное облучение)

1.2. Явления, приводящие к накоплению, разрушению и преобразованию дефектов во время продолжительного облучения ионизирующей радиацией .•••.•••,•••«.•».••.•.

1.2.1. Механизм создания И -пар и разделение компонент

1.2.2. Стабилизация подвижных междоузельных дефектов .••.••.•••••«*••••••.••»••

1.2.3. Радиационное разрушение и радиационное преобразование дефектов.

Глава 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ

2,1» Основные методические приемы, использованные в работе.

2,2, Объекты исследования и экспериментальная установка .••*.•••.••••«.••.••.•.,••.

2.2.1. Объекты исследования

2.2.2, Экспериментальная установка

Глава 3, СОЗДАНИЕ И РАЗРУШЕНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК В ПРОЦЕССЕ ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОГО ОБЛУЧЕНИЯ РЛ В ОБЛАСТИ ТЕМПЕРАТУР 4,2-400 К.

3.1. Область температур 4,2-80 К

3.1.1. Зависимость эффективности накопления при 4,2 К радиационных дефектов в Kßr от наличия примесей и других несовершенств кристаллической структуры

3.1.2. Зависимость эффективности накопления различных радиационных дефектов от температуры (4,2-80 К) и от поглощенной дозы

3.2. Область температур 80-400 К.

3.2.1. Зависимость эффективности создания

F Xg-центров и более крупных ас-социатов галогена от температуры облучения РЛ . ОТ

3.2.2. Зависимость эффективности радиационного разрушения Х^-центров от температуры облучения РЛ (200-320 К)

3.3. Конкретный ход зависимости в области температур 4,2-320 К как функция поглощенной дозы

3.3.1. Спад ^ в области температур

10-30 К

3.3.2. Подъем ^ в области температур

80-160 К.

3.3.3. Спад Ч| в области температур

240-320 К . Ю

3.3.4. Обобщенная схема зависимости выживания радиационных дефектов в ¡СВ>у при продолжительном облучении РЛ при 4,2-400 К . Ш

Глава 4. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И СТРУКТУРА ПАРНЫХ АССОЦИАЦИЙ МЕВДОУЗЕЛЬНОГО ГАЛОГЕНА - ДИ-Н-ЦЕНТ-РОВ

4.1. Ди-Н-центры в КВг , основной структурной единицей которых является Вг^-ион . ^^

4.1.1. Свойства Ъг^ -центров в КВг-Ы и К&г-Бг

4.1.2. Свойства Вг^ -центров в чистом

4.2. Другие варианты ди-Н-центров в КВг

4.3. Структура ди-Н-центров и начальные этапы агрегации междоузельного галогена в

К.6>г

4.3.1. Ьгз -центры в \Cbr-Ll

4.3.2. Вг^ -центры в К&г- $г.

4.3.3. Ьу5 -центры в чистом КВг

4.3.4. Специфические особенности дефектооб-разования при облучении РЛ в разных областях температур

4.3.5. Ди-Н-центры, возникающие при термическом отжиге облученного кристалла

4.3.6. Ди-Н-центры, возникающие при импульсном облучении.

4.3.7. Агрегация междоузельного галогена в КВ>г . Х

Исследование радиационных повреждений в кристаллических телах, в том числе и в щелочногалоидных кристаллах (ЩГК), уже давно является одним из важных разделов физики твердого тела. Хотя в ЩГК был накоплен значительный экспериментальный материал (см., например, обзоры [1-12] ) актуальность этих исследований не уменьшилась и в последние годы, т.к. развивающаяся техника предъявляла все новые и новые требования к материалам, находящимся в условиях сильного облучения.

В ЩГК достигнут высокий уровень научного понимания природы первичных радиационных дефектов 11,2,6,7] и элементарных механизмов радиационного создания этих дефектов [3-5,8-12 ] : в этих кристаллах осуществляется низкоэнергетический механизм безызлучательного распада анионного экситона па пару анионных дефектов Френкеля, гипотеза о возможности которого высказана в [13-15] , а первая модель и теория рассмотрены в [16-20] . Глубина знаний, достигнутая в этом вопросе, позволяет исследовать и обсуждать уже отдельные тонкости, такие, как детализация уровней экситона, конкретно из которых происходит распад на дефекты; влияние способа создания экситона на эффективность распада; величина и механизм разлета первичной ^И -пары. I I

Однако, таково положение дел лишь для главного процесса радиационного дефектообразования в анионной подрешетке ЩГК. Процессы же, связанные с последующей стабилизацией дефектов, изучены гораздо слабее, хотя^ начиная с температур, когда междоузельные Н-центры становятся подвижными (в КВг > 40 К), именно они способствуют выживанию дефектов, препятствуя обратной реакции рекомбинации Н- и Г -центров. В чистых ЩГК стабилизация Н-центров, в основном, осуществляется за счет явления ассоциации этих дефектов [ 7,21,22] , воз-го можно^потому, что между одиночными Н-центрами существует упругое притяжение, приводящее к встрече двух Н-центров, что в свою очередь заканчивается созданием ди-Н-центров и более крупных образований галогена, наблюдаемых электронномикрос-кодическим методом £23,24] . Стабилизация Н-центров возможна также и на других собственных дефектах ЩГК, например, на катионных вакансиях, радиационное создание которых исследуется в Тарту уже с 1969 года [ 3,25-34] .

Ассоциация электронных центров окраски ( Р -центров) широко исследовалась (см*обзоры [35,36] ), и при высоких температурах (> 300 К) детально изучены первые этапы процесса ассоциации р -центров, т.е. создание и Р3 -центров.

Отставание в изучении явления ассоциации междоузельного галогена объясняется разными причинами, из которых можно выделить, во-первых, невозможность применения для исследования структуры непарамагнитных ди-Н-центров информативного метода ЭПР и, во-вторых, многообразие конкретного осуществления ассоциации в кристаллической решетке: уже давно было известно как чувствителен этот процесс к температуре и дозе облучения ионизирующей радиацией.

В связи с этим,исследователи, занимающиеся проблемой ассоциации галогена, вынуждены были пойти по пути медленного накопления экспериментальных и теоретических сведений относительно отдельных конкретных форм ассоциации Н-центров в строго конкретных условиях.

Начиная с 1969 года такие исследования ведутся в ИФ АН ЭССР, в лаборатории Ч.Лущика. Это работы Гиндиной, Йыги, А.Дущика, ^рахметова, Плоома, Цунга, А.Эланго, Яансон. Изучалась структура ди-Н-центров, создаваемых радиацией в области температур 180-200 К, где эффективность выживания устойчивых дефектов максимальна [ 27-29 ] . Исследовались и ди-Н-центры, возникающие при облучении при 80 К (уже с гораздо меньшей,чем при 200 Неэффективностью) [27,30-34] . Выл получен результат, что при некоторых различиях в микроструктуре центров в обоих случаях в беспримесных ЩГК главной структурной единицей ди-Н-центра является молекулярный ион , занимающий одно катионное и два анионных узла, т.е. (Хз)ас^-центр. Выло предложено [ 27,34 ] , что цутем создания (Х~ )^-центров в ЩГК осуществляется взаимная стабилизация дефектов Френкеля в анионной и катионной под-решетках.

Настоящее исследование, являясь планомерным продолжением сделанного ранее в ИФ АН ЭССР, направлено на дальнейшее расширение исследования ассоциации галогена в низкотемпературную область ( < 80 К) и на углубление (цутем применения низкотемпературных методик) знаний относительно высокотемпературных ( > 80 К) ди-Н-центров. В области температур 4,2-80 К мы надеялись получить ответ относительно структуры и способа образования самых элементарных ди-Н-центров, возникающих при температурах начала подвижности

Н-центров.

Целью настоящей диссертационной работы являлось систематическое экспериментальное исследование в области температур 4,2-400 К на примере кристаллов К&г высокой чистоты и кристаллов К В г > легированных примесями ( 1и , ¿г ) накопления продуктов ассоциации галогена, созданных рентгеновской радиацией, и процессов их термо- и фотостщулиро-ванного преобразования«

Основной задачей исследования было определение эффективности создания устойчивых ди-Н-центров-Х^-центров во всей исследованной области температур; выделение эффектов радиационного создания и разрушения Хд-центров из фона других вторичных процессов, характерных для использованного нами продолжительного облучения рентгеновскими лучами (РЛ); и установление микроструктуры различных ди-Н-образо-ваний, возникающих при облучении РЛ в разных температурных областях• Предполагалось широко использовать возможности, открывающиеся при исследовании отжига облученного при 4,2 К кристалла, позволяющие цутеы термической стимуляции моделировать элементарный акт объединения двух Н-центров»

Работа состоит из введения, четырех глав и заключения* В первой главе приводится обзор литературных данных относительно явлений, приводящих к накоплению, разрушению и преобразованию дефектов во время продолжительного облучения РЛ. Наиболее подробно рассматривается главное явление, обуславливающее накопление устойчивых дефектов - ассоциация междоузельных Н-центров,

Во второй главе сформулированы основные методические приемы, использованные в работе, и дана характеристика объектов исследования и экспериментальной установки*

В третьей главе приводятся результаты исследования эффективности радиационного накопления всех устойчивых радиационных дефектов в КВт (и частично в KCl , KT и NciCL ) в зависимости от температуры (4,2-320 К), дозы поглощенной радиации и наличия примесей. Обнаружены закономерные изменения в форме зависимостей от температуры облучения эффек-тивн г- in/ дефектов» Проведены исследования изменения термической устойчивости основных дефектов, обусловленные изменением поглощенной дозы« Экспериментально выявлена роль радиационного создания и радиационного разрушения Хд-центров в общем де-фектообразовании•

В четвертой главе излагаются результаты исследования свойств ди-Н-центров, создающихся в чистых и легированных в разных условиях облучения РЛ. Цутем планомерного изучения термо- и фотоустойчивости, продуктов фотодиссоциации, термовосстановления исходных дефектов из продуктов их фотодиссоциации, и определения ориентации при измерении дихроизма определены основные свойства различных Вг£ -центров. Предложены и обсуждены модели для этих Вг~ -центров. Найдены экспериментальные проявления ди-Н-центров другой микроструктуры, чем Вг^ -центры, и предложены модели для таких малоустойчивых конфигураций. Обсуждена общая схема ассоциации междоузельного галогена в КВг ,

В заключении изложены итоги работы и ее основные выводы. Главными из них являются следующие:

I. На примере кристаллов КВг высокой чистоты в процессе изучения^облученных при 4,2 К кристаллов КВг нами промоделированы начальные этапы ассоциации и преобразования и отжига междоузельного галогена. Впервые обнаружено, что первой стадией ассоциации Н-центров является образование связанных только упругим взаимодействием близкорасположенных двух Нцентров (Н,Н-пар). Спектральные характеристики Н,Н-пар = ах 3,3 эВ, полуширина Л = 0,55 эВ) близки к таковым одиночных Н-центров ( = 3,26 эВ, Л = 0,45 эВ).

Н,Н-пары при 65-75 К в результате химического взаимодействия преобразуются в междоузельные Ьг^ -центры, с установленной нами на базе разностороннего анализа их свойств структурой » имеющие ориентацию <100> и спектр поглощения с максимумом 4,39 эВ и полушириной 0,62 эВ. -центры уже при НО К разрушаются с созданием дефектов с поглощением при 3,85 эВ, полушириной 0,55 эВ и ориентацией<110^ , которые проинтерпретированы нами как химически связанные Н-интерстициалы, имеющие структуру (Вг^)--димеров, и обозначенные как ^-центры*

2, При изучении результатов фотодиссоциации Вг^ --центров в К&г с примесями Ц и Бг впервые выделена в спектрах поглощения полоса с максимумом 3,6 эВ и полушириной 0,45 эВ, принадлежащая \/р -центрам (ориентация по<110>) в кристалле К В г «На базе исследования продуктов фотодиссоциации £>г^ -центров и их других свойств установлено, что при облучении при температурах около 80 К создаются

-центры с <100 > ориентацией ( )> а при

160 К и выше )с,Сд -центры с < 110> ориентацией ( К

К2>г-1\ >, т.е. .

3, Облучение при Т > 80 К создает в Кбг Вг^ -центры, фотодиссоциация которых осуществляется с образованием как Н-центров, так и Ч^ -центров, что подтверждает предложенную ранее в тартуских работах модель (Вгд)всв -центра, которая свидетельствует о радиационном создании при Т > 80 К не только анионных, но и катионных дефектов кристаллической решетки*

При облучении КВ>г при Т < 80 К 'взаимодействия двух Н-центров возникают междоузельные С&г^)^- -центры, а центры (занимающие регулярные узлы) практически не создаются, что свидетельствует о необходимости повышенных температур для радиационного создания катионных дефектов»

4« Проведенное исследование эффективности радиационного накопления всех устойчивых дефектов в кристаллах К В>г выделило роль ди-Н-центров в общем процессе накопления дефектов в широком интервале температур (4,2-400 К) и подтвердило существенное значение других вторичных процессов, приводящих, в частности, к созданию при обучении рентгеновской радиацией Р*, Т , -троек, с последующей диффузией междо-узельных ионов галоида к Г - и \/к -центрам и уменьшением эффективности их выживания при Т > 30 К.

Наши основные результаты оцубликованы [ 37-46 ] , доложены и обсуждены на следующих совещаниях и семинарах:

- У Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 1983;

- Прибалтийские семинары по физике ионных кристаллов (Лиелупе 1980, 1981, 1983; Лохусалу 1981, 1984; Эзерниеки 1982)«

3,а ключение

Проведенное нами исследование процессов накопления, преобразования и ассоциации радиационных дефектов в кристал лах КЕ>г , облученных РЛ при 4,2-320 К, дало определенные экспериментальные результаты и позволило сделать основные выводы. Б соответствии с порядком изложения материала в диссертации, полученные результаты можно подразделить на две части.

В первой части (в основном на базе материала 3 главы) получены сведения относительно общих закономерностей накопления большинства радиационных дефектов в ЩГК:

1. Показано, что в КВг разные по своей природе нарушения периодичности кристаллической решетки (примеси Ы , вг , СЛ , дислокации и вакансии, а также радиационные дефекты) действуют при облучении РЛ при 4,2 К одинаково, уменьшая эффективность создания всех долгоживущих дефектов в Кбг . Этот эффект объясняется подавлением дефектообразо-вания в результате увеличения с ростом концентрации нарушений эффективности создания околодефектных возбуждений, распад которых на дефекты малоэффективен.

2. В КВ>г , облученном РЛ при 4,2 К, с увеличением дозы поглощенной радиации изменяется термическая устойчивость возникающих дефектов: в отжиге Г - и Н-центров появляется низкотемпературная стадия при 12-15 К, которой не наблюдается при малой поглощенной дозе; увеличивается доля высокоустойчивых 1-центров (отжиг при 24-30 К), с увеличением которой по линейной зависимости увеличивается также число X -центров, отжигающихся тоже при 24-30 К. Последние факты интерпретированы как проявление создания радиацией при 4,2 К X,-троек дефектов, совместный отжиг которых их и обуславливает.

3. Определены зависимости эффективности создания большинства радиационных дефектов от температуры облучения при 4,2-320 К («¡р (т) , ^(г) , (Т) , ^ СТ)).

Установлено, что температура спада, наблюдающегося в районе 10-30 К на зависимостях , ^[ц ^С7",) и^у-(т), смещается с увеличением дозы поглощенной радиации в область

ОТ О более низких температур, и при дозах 10 эВ/см непрерывного облучения РЛ приходится на область температур делока-лизации 1-центров.

Крутизна подъема 4|р (т) при 80-160 К с увеличением уровня накопления дефектов уменьшается: в КЬг с высоким содержанием радиационных дефектов вероятность нарастания дефектов растет с энергией активации 0,03 эВ, а в КЬг с цулевой начальной концентрацией дефектов с 0,017 эВ.

Исследовано радиационное разрушение Вг3 -центров при 200-320 К и показано, что спад в этой области температур, обусловлен усилением этого разрушения при температурах, когда становятся подвижными все продукты радиационного распада -центров.

4. Проведенное исследование эффективности радиационного накопления всех устойчивых дефектов в кристаллах КВг выделило роль ди-Н-центров в общем процессе накопления дефектов, показав, что при температурах больше 30 К эффективность накопления Г -центров в КВг определяется выживанием Ьгъ -центров. Оно также подтвердило существенное значение вторичных процессов в явлении накопления дефектов: перечисленные выше зависимости от уровня накопления дефектов (цункты 2,3) обусловлены в широкой области температур изменением эффективности взаимодействия экситонов и других электронных возбуждений, подвижность которых меняется с температурой, с ранее созданными радиационными дефектами, а в области ниже температур делокализации 1-центров, наряду с этим, определяющим является изменение с дозой эффективности создания V} X)-троек.

Вторая часть полученных результатов (глава 4) относится к ключевому вопросу явления ассоциации Н-центров, а именно, к вопросу установления микроструктуры ди-Н-образований, и к преобразованию последних.

5. При изучении результатов фотодиссоциации Вг3 -центров в К&г с примесями и 5г впервые выделена в спектрах поглощения полоса с = 3,6 эВ и полушириной 0,45 эВ, принадлежащая \/р -центрам (ориентация по <(П0)>) в кристалле КВг . Установлено, что при облучении при температурах около 80 К создаются ГВгГ \ -центры с <100 > ориентацией (КВг- вг ), а при 160 К и выше (Вг^ -центры с <1Ю)> ориентацией (КВг-Эти КВг-Ш, т.е. (Вгь)+ . Термовосстановление Вг^ -центров из продуктов их фотодиссоциации начинается уже при II К, как в К£>г- 1л , так и в 1СВг-8г.

6. Облучение радиацией при Т > 80 К создает в КВ>г Б

-центры Спри облучении при 80 К = 4,45 эВ, а при 160 К » 4,6 эВ), фотодиссоциация которых осуществляется с образованием как Н-центров, так и УР -центров, что подтверждает предложенную ранее в тартуских работах модель (Вг^)-центра, которая свидетельствует о радиационном создании при 80 К не только анионных, но и катионных дефектов кристаллической решетки.

7. При фотодиссоциации Бг^" -центров, создающихся радиацией при Т < 80 К, а также в процессе отжига облученных при 4,2 К кристаллов, имеющих полосу поглощения с = « 4,39 эВ и А « 0,62 эВ, возникают только Н-центры. Эти

В^ -центры ориентированы по <100> , термически устойчивы до ПО К и их термовосстановление из продуктов их фотодиссоциации идет через стадию отжига при 65-75 К.

Для низкотемпературных В^ -центров нами предложена модель междоузельного изогнутого -иона с выделенным <<100у направлением - т.е. структура (Вг^). . Отсутствие (В|г£)асс1-центров при Т< 80 К свидетельствует о необходимости повышенных температур для радиационного создания катионных дефектов.

8. Детально изучено превращение Н-центров в междо-узельные (В^)^- -центры в процессе отжига облученного при 4,2 К кристалла. Показано, что стадия отжига при 65-75 К имеет близкий к единице коэффициент 2Н -> Ъгъ превращения. Эффективность этого превращения при 65-75 К не зависит от наличия в кристалле примесей , N01 , , бг и С{, , и оно не сопровождается отжигом f -центров. Эти факты объясняются как проявление при 65-75 К системы связанных только упругим взаимодействием близкорасположенных двух Н--центров (Н,Н-пар), оптические характеристики которых С = 3,3 эВ, Д ш 0,55 эВ) близки к таковым у одиночных

Н-центров С - 3,26 эВ, Д » 0,45 эВ).

9. Термическое разрушение низкотемпературных (Вг~ --центров, наблюдающееся при 110 К, приводит к созданию новых ди-Н-центров, с поглощением около 3,85 эВ. Эти центры устойчивы до 135 К; при их фотодиссоциации при 4,2 К создаются только Н-центры; оптический переход в центре ориентирован по <И0)> направлениям.

Для 3,85 эВ-центра предложена модель: это образование из двух Н-центров, связанных химическим взаимодействием (Н£-центр), имеющее структуру (Вг^-димера, занимающего два анионных узла. Обсуждается возможная конфигурация такого ди-мера.

10. На примере кристаллов КВг высокой чистоты в процессе изучения отжига облученных при 4,2 К кристаллов (результаты 7,8,9) нам удалось промоделировать начальные этапы ассоциации и преобразования междоузельного галогена при низких температурах. Впервые обнаружено, что первой стадией ассоциации Н-центров является образование связанных только упругим взаимодействием Н,Н-пар. При 65-75 К Н,Н-пары в результате химического взаимодействия преобразуются в междо-узельные (В^);«,; -центры, которые уже при 110 К превращаются в Нг>-димеры. Из факта, что рассмотренные преобразования есть преобразования одних малоустойчивых междоузельных дефектов в другие, следует, что энергии двух Н-центров недостаточно адя перестройки при низких температурах кристаллической ре-петки с созданием вакансий, занимаемых устойчивым линейным

Ьг" -ионом типа (Ву^ ) ^-центра.

В заключение приношу глубокую и искреннюю благодарность Ариадне Александровне Эланго за внимательное и доброжелательное руководство, постоянное внимание и поддержку, многочисленные плодотворные обсуждения полученных результатов во время выполнения диссертационного исследования.

Автор благодарен Ч.Б.Лущику за предоставление возможности выполнить настоящее исследование в руководимом им секторе физики ионных кристаллов ИФ АН ЗССР и постоянный интерес к работе. Искренне благодарен Р.И.Гиндиной и М.А.Эланго за полезные и стимулирующие обсуждения проблем, затронутых в диссертации, Е.А.Васильченко и А.К.Даулетбековой за плодотворное сотрудничество, А.А.Маароосу и О.А.Федоровой за предоставление кристаллов.

Я сердечно благодарен сотрудникам сектора физики ионных кристаллов Института физики АН ХСР за чуткое отношение и помощь в работе, а также Л.Немцевой, К.Тамм, Х.Гросс, К.Вест-ре и А.Баймаханову за помощь при оформлении настоящей работы.

1. Schulman J.H., Compton W.D. Color Centers in Solids. - Oxford, London, N.-Y., Paris, Pergamon Press, 1962. - 368 p.

2. Royce B.S.K. The creation of point defects in alkali hali-des. Progress in Sol.St.Chemistry, 1967, v.4, p.213-243.

3. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго M.A. Экситонный механизм создания Р-центров в бездефектных участках ионных кристаллов. -ФТТ, 1968, т.10, в.9, с.2753-2759.

4. Лущик Ч.Б., Роозе Н.С., Эланго М.А. Электронные возбуждения и радиационное окрашивание ионных кристаллов. Тр. Шк АН ЗССР, 1969, т.36, с.57-108.

5. Лущик Ч.Б. Элементарные механизмы создания радиационных дефектов в ионных кристаллах. Тр. ИФА АН ЭССР, 1972, т.39, с.81-99.

6. Sonder Е., Sibley W.A. Defects'Creation by Radiation in Polar Crystals. In: Point Defects in Solids/ Ed. by J.Crawford. - N.-Y., Plenum Press, 1972, p.202.

7. Itoh IT. Interstitial and trapped-hole centers in alkali ha-lides. Crystal Lattice Defects, 1972, v.3* p.115-143.

8. Itoh N., Stoneham A.M., Harker A.H. The initial production of defects in alkali halides: F and H centre production by nonradiative decay of the self-trapped exciton. J.Phys.C: Sol.St.Phys., 1977, v.10, No.21, p.4197-4207.

9. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. УФН, 1977, т.122, в.2, с.223-251.

10. Williams R.T. Photochemistry of F-ceiiter formation in halide crystals. Semicond.Insulat., 1978, v.3, p.251-283.

11. Lushchik Ch., Lushchik A., Vasilchenko E. Excitons and pointьdefect creation in alkali fealides. In: Defects in Insulating Crystals: Proceeding of the International Conference, Riga, 1981, p.323-342.

12. Itoh N. Creation of lattice defects by electronic excitation in alkali halides. Advances in Physics, 1982, v.31, Ho.5, p.491-551. ,

13. Hersh H.N. Proposed excitonic mechanism of color-center formation in alkali halides , Phys.Rev., 1966, v.148, p.928-932.

14. Витол И.К. Современные представления о механизме рекомбина-ционной люминесценции щелочногалоидных кристаллофосфоров.

15. Изв. АН СССР, сер.физ., 1966, т.30, в.4, с.564-569.

16. Pooley D. F-centre production in alkali halides by electron-hole recombination and a subsequent /110/ replacement sequence: a discussion of the electron hole recombination. -Proc.Phys.Soc., 1966, v.87, p.245-256.

17. Leung C.H., Song K.S. Model of excitonic mechanism for defect formation in alkali halides. Phys.Rev.B, 1978, v.18, No.2, p.922-929.

18. Song K.S., Leung C.H. Formation time of F-centres in alkali halides. Solid State Commun., 1979, v.32, Ho.7, p.565-568.

19. Кристофель H.H. О возможности дефектообразования из термически равновесного состояния автолокализованного экситона в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1979,т.21,в,7,с.2054-2057.

20. Sonder Е., Sibley W.A., Rowe J.E., Nelson С.M. Some Properties of Defects Produced by Ionizing Radiation in KC1 between 80 and 300 K. Phys.Rev., 1967, v. 153, ITo.3. p. 1000-1008.

21. Garth J.C., Sonder E. Radiation-produced ultraviolet absorption in KOI. J.Phys.Chem.Sol., 1968, v.29, Ho.10, p.1737-1744.

22. Hobbs L., Hughes A.E., Pooley D. A study of Interstitial Clas-ters in Irradiated Alkali Halides Using Direct Electron Microscopy. Proc.Roy.Soc., 1973, v.322A, p.167-185.

23. Hobbs L.W. Point Defect Stabilization in Ionic Crystals at High Defect Concentration. J.Physique С olio q«, 1976, v.37, С7-3 - C7-26.

24. Иыги X.P.-B., Лущик Ч.Б., Малышева А.Ф., Тийслер Э.С. Элект-ронномикроскопическое обнаружение и оптическое исследование продуктов распада экситонов в кристаллах КВг . ФТТ, 1972, т.14, в.1, с.117-123.

25. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Пунг Л.А., Тийслер Э.С., Зйанго А.А., Яансон Н.А. Радиационное создание катионных вакансий в нитевидных кристаллах Изв. АН CCGP, сер.физ., 1974, т.38, № 6, с.1219-1222.

26. Яансон Н.А., Гиндина Р.И., Лущик Ч.Б. Создание анионных и катионных дефектов в нитевидных кристаллах КВг . ФТТ, 1974, т.16, в.2, с.379-383.

27. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Йыги Х.Р.-В., Плоом Л.А., Пунг Л.А., Тийслер З.С., Эланго А.А., Яансон Н.А. Распад электронных возбуждений на катионные френкелевские дефекты в щелочногалоид-ных кристаллах. Тр. ИФ АН ЗССР, 1975, т.43, с.7-62.

28. Зланго А.А., Нурахметов Т.Н. Создание и разрушение дырочных Вг~ -центров в КВг . ФТТ, 1976, т.18, в.4, с.1147-1150.

29. Elango A.A., Nurakhmetov T.N. Structure and generation mechanism of Br^-centers in X-rayed KBr. Phys.Stat.Sol.(b), 1976, v.78, Ho.2, p.529-536.

30. Лущик Ч.Б., Гиндина P.M., Маароос A.A., Плоом Л.А., Лущик А.Ч., Пунг Л,А., Пыллусаар Ю.В., Соовик Х.А. Радиационное создание катионных дефектов в кристаллах КС1. ФТТ, 1977, т.19, в.12, с.3625-3630.

31. Лущик А.Ч. Фотодиссоциация, оптическая анизотропия и механизмы создания С1^центров в кристаллах КС1 и КС1-Ж>2. Тр. ИФ АН ЭССР, 1979, т.49, с.25-44.

32. Гиндина Р.И., Плоом Л.А., Маароос А.А., Пыллусаар Ю.В. Центры окраски в кристаллах КС1 повышенной чистоты. Журн.прикл. спектр., 1977, т.27, с.520-527.

33. Lushchik Ch., Elango A., Gindina R., Pung Ъ., Lushchik A., Maaroos A., Uurakhmetov Т., Ploom b. Mechanisms of cation defects creation in alkali halides. J.Semicond.Insul., 1980, v.5, p.133-158.

34. Шварц K.K., Калниньш Д.О., Экманис Ю.А. Радиационные процессы в ионных кристаллах и проблемы радиационного материаловедения. Изв. АН йатв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1981, № 4, с.71-90.

35. Шварц К.К., Экманис Ю.А. Радиационные процессы в кристаллических и аморфных диэлектриках. Изв. АН Латв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1983, № 10, с.64-84.

36. Akilbekov. А., Nurakhmetov Т., Elango A. Creation and Destruction of X~ centers in Alkali Halides by X-Radiation. Phys. Stat.Sol.(b), 1980, v.100, No.1, p.289-296.

37. Акилбеков А., Эданго А. Температурная зависимость и энергия активации дефектообразования в квг с различной концентрацией радиационных дефектов. ФТТ, 1980, т.22, в.12, с.3607-3611.

38. Dauletbekova A., Akilbekov A., Elango A. Thermo- and Photo-stimulated Recombinations of F-Нд and Centers in KBr with large Na Concentration. Phys.Stat.Sol.(b), 1982,v. 112, No.2, p.445-451.

39. Даулетбекова А.К., Акилбеков А.T., Эланго A.A. Влияние примесей лития и натрия на радиационное дефектообразование в области температур 4,2-300 К в кристалле квг . ФТТ. 1982,т.24,в.10, с.2920-2924.

40. Тайиров М., Акилбеков А., Федорова 0. Влияние ионов хлорана люминесценцию и радиационные эффекты в квг. Тр. ИФ АН ХСР, 1983, т.54, с.102-121.

41. Акилбеков А. Ассоциация Н-центров в процессе отжига х-облу-ченного при 4,2 К кристалла квг. Тр. ИФ АН ЭССР, 1984,т.55, с.165-179.

42. Акилбеков А., Васильченко Е., Эланго А. Вторичные процессы в создании и отжига радиационных дефектов в квг в области 4,280 К. ФТТ, 1984, т.26, в.9, с.2593-2597.

43. Akilbekov А., Dauletbekova А., Elango A. Photo- and Thermo-chemical Reactions with Participation of Br^ Centres in X-Rayed KBr. Phys.Stat.Sol.(b), 1985, v. 127, No.2, p.493-501.

44. Эланго M.A. Механизм создания радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах и его значение для радиационной физики твердого тела. Тр. ИФ АН ЭССР, 1975, т.43, с.63-78.

45. Ueta M., Kondo Y., Hirai M., Yosehinari T. P-Center Formationin KC1 Crystals by Pulsed Electron Beam at 80 К. J.Phys.

46. Soo.Japan, 1969, v.26, N0.4, p.1000-1006.

47. Э, Ueta M., Kondo Y., Hirai M., Yosehinari T. Color Center Formation and Bleaching in KC1 and NaCl by Electron Pulse at 15 K. J.Phys.Soc.Japan, 1971, v.30, Wo.2, p.440-448.

48. Kondo Y., Hirai M., Ueta M. Transient Formation of Color Centers in KBr Urystals tinder the Pulsed Electron Beam. J. Phys.Soc.Japan, 1972, v. 33, N1, p.-151-157.

49. Karasawa 5., Hirai M., Color Center Formation in KC1 and NaCl Crystals by Pulsed Electron Beam. J.Phys.Soc.Japan, 1975, v.39, N0.4, p.999-1003.

50. Karasawa T.f Hirai M. Intrinsic Luminescence in KBr Crystals between 1,8 and 80 K. J. Phys.Soc.Japan, 1976, v.40, No.1, p.128-133.

51. Saidoh M., Hoshi I., Itoh N. Temperature Dependence of the Radiation-Induced Dynamic Motion of Interstitial Halogen in Alkali Halides. J.Phys.Soc.Japan, 1975, v.39, No.1, p.155-161.

52. SaXena R.D., Soda K., Itoh N. Pulse Radiolysis Studies of Metastable Interstitial Centers in KBr at High Temperatures. -Crystal Lattice Defects, 1979, v.8, p.155-157.

53. Faraday B.J., Compton W.D. Color Centers in KC1 and KBr Produced by Prolonged X-Irradiation at Low Temperatures. Phys. Rev., 1965, v.138, No.ЗА, p.893-911.

54. Нурахметов Т.Н., Зланго А.А. Агрегатизация галогена в KBr, облученном рентгеновскими лучами. Тр. ИФ АН ЭССР, 1979, т.49, с.7-23.

55. Itoh N., Saidoh M. Radiation-Induced Interstitial Centres in Alkali Halides. Phys.Stat.Sol.(b), 1969, v.33, No.2, p.649-656.

56. Saidoh M., Itoh N. Interactions of Interstitial Centers with Monovalent Impurities in KBr Crystals. J.Phys.Soc.Japan, 1970, v.29, No.1, p.156-162.

57. Itoh N. Photochemistry of V Centers in Alkali Halides X-Rayed Near 200 K. J.Phys.Chem.Solids, 1966, v.27, No.1, p.197-203.

58. Ziraps V. Ionic and Electronic Processes during Prenkel Defect Annealing in KBr Crystals above IfleT. Phys.Stat.Sol. (b), 1983, v.119, No.1, p.49-59.

59. Лущик Ч.Б., Вале Г.К., Эланго М.А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски. Изв. АН СССР, сер.физ., 1967, т.31, № 5, с.820-828.

60. Luscik (5.В., Liidja G.G., Jaek I.V. The Mechanism of Formation of Color Centers in Ionic Crystals by Ultraviolet Irradiation. Proc.Intern.Сonf. on Semiconductor Physics, Prague, 1960, p.717-721.

61. Лущик Ч.Б., Лийдья 1\Г., Эланго М.А. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах. ФТТ, 1964, т.6, в.8, с.2256-2262.

62. Бичевин В.В., Кяэмбре Х.Ф#, Лущик Ч.Б., Тийслер Э.С. Экситон-ные и электронно-дырочные процессы в кристаллах КС1 при создании центров окраски ультрафиолетовой радиацией, ФТТ, 1970, т.12, в.10, с.2888-2894.

63. Тийслер Э.С., Лущик Ч.Б. Распад экситонов на F и Н-центры в кристаллах кв г . ФТТ, 1969, т.II, в.II, с.3270-3275.

64. Кристофель Н.Н. О роли либрационных колебаний в распаде авто-локализующихся экситонов на дефекты. ФТТ, 1985,

65. Зланго М.А. Об энергетических аспектах нестабильности экситонов относительно распада на дефекты структуры в щелочногалоид-ных кристаллах. ФТТ, 1975, т.17, в.8, с.2356-2359.

66. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Колк Ю.В., Лущик Н.Е. Создание и преобразование дефектов в КС1-Т1 при аннигиляции электронных возбуждений. Тр. ИФ АН ЗССР, 1983, т.54, с.38-72.

67. Миллере Д.К., Тале И.А., Котомин Е.А. Единый подход к описанию процессов накопления и отжига радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. Уч.зап. Латв.ГУ, 1975,т.245,в.4,с.24-72.

68. Котомин Е.А., фабрикант И.И. Оценка квазистационарного радиуса диффузионно-контролируемой рекомбинации дефектов с учетом тун-нелирования и упругого взаимодействия. Изв. АН Латв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1979, № 3, с.76-83.

69. Tale I., Millers D., Kotomin E. Role of tunneling recombinationin radiation-induced F-centre creation in alkali halide crystals at liquid helium temperatures. -J.Phys.C: Solid State Phys., 1975, v.8, p.2366-2375.

70. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч., Лущик Н.Е., Соовик Х.А., Тайиров М.М. Туннельная перезарядка френ-келевских дефектов в СзВг . ФТТ, 1981, т.23, в.6, с.1636-1642.

71. Smoluchowski R., Lazareth O.W., Hatcher R.D., Dienes G.J. Mechanism of point-defect formation in ionic crystals. -Phys.Rev.betters, 1971, v.27, p.1288-1290.

72. Витол И.К. Исследование дырочно-ионных процессов в щелочно-галоидных кристаллах. Дис. . канд.физ.-мат.наук. - Рига, 1969. - 117 с.

73. Лисицын В.М. Образование радиационных дефектов при распадеэлектронных возбуждений в кристаллах со сложной структурой решетки. Дис. . докт.физ.-мат.наук. - Томск, 1979. -274 с.

74. ВО. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч. Низкотемпературный распад экситонов с рождением дефектов в ионных кристаллах. -Вопр.ат.науки и техн., сер.:физ.рад.поврежд. и рад.материаловедение, Харьков, 1981, в.1(15), с.17-27.

75. Dauletbekova А., Elango A. Conversion of Р-Нд Pairs intocJL- 1Д Pairs in KBr-Li and KBr-Ua X-Rayed at 80 K. Phys.Stat. Sol.(b), 1981, v.108, Ho.2, p.299-305.

76. B2. Васильченко E.A., Тайиров M.M. Низкотемпературный распад экситонов на френкелевские дефекты и их туннельная перезарядка в KCl, KCl-Br и KC1-I. Тр. ИФ АН ЗССР, 1982, т.53, с.172-192.

77. Agullo-Lopez Р. Р-Н Recombination and Intrinsic Light Emission in Alkali Halides. J.Luminescence, 1981, v.23, p.433-436.

78. Kotomin E., Shluger A. Quantum-chemical simulation of Frenkel pairs separation in a LiP crystal. Solid State Commun., 1981, v.40, tto.6, p.6^9-672.

79. Лисицын B.M., Сигимов В.И., Яковлев В.Ю. Распад электронных возбуждений на пары френкелевских заряженных дефектов в ЕС. -ФГГ, 1982, т.24, в.9, с.2747-2752.

80. Кошкин В.М., Забродский Ю.Р. Зона неустойчивости вакансия-атомв междоузлии. ФТТ, 1974, т.16, в.II, с.3480-3483.

81. Тайиров М.М. Низкотемпературный распад экситонов с рождением дефектов в квг и квг-С1. ФТТ, 1983, т.25, в.2, с.450-455.

82. Лисицын В.М., Сигимов В.И. Вероятность аннигиляции компонентов первичной F-H-пары при термоактивационном движении. Изв. вузов, Физика, 1977, № 10, с.41-44.

83. Giuliani G. Color Centres Production in Sodium Doped KBr at 80 K. Solid State Commun., 1969, v. 7, No.1, p.79-82.

84. Tanimura K. The H-Center Interaction with a Rb+ Ion during Irradiation and Thermal Annealing ir{ KBr. J.Phys.Chem.Sol,, 1978, v.39, Ho.7, p.735-741.

85. Колк Ю.В. Радиационное создание, перезарядка и отжиг парамагнитных Н- и Vk -центров в КС1 и KCl-Rb при 20+100 К. Тр. ИФ АН ЗССР, 1984, т.55, с.106-142.

86. Schoemaker D, Electron-Paramagnetic-Resonance Study of the Structure and Motions of H^ and HA' д Centers in Na+- and Li+-Doped KC1. Phys.Rev.B, 1971, v.3, No.10, p.3516-3531.3, Duering W.K., Markham J. Color Centers in Alkali Halides at

87. K. Phys.Rev,, 1952, v.88, No.5, p.1043-1049. ?4, Compton W.D,, Klick C.C. Symmetry of the H Center in KC1 and

88. KBr. Phys.Rev,, 1958, v.110, No.2, p.349-353. )5. Kanzig V/. , Woodruff Т.О. The Electronic Structure of an H Center. - J.Phys.Chem.Solids, 1958, v.9, No.1, p.70-92. Ю. Bachmann K., Peisl H. Elastic Distortions and Interactions of

89. Point Defects in KBr.-J.Phys.Chem.Solids,1970,v.31,No.7,p.1525-1529.

90. Dienes G.J., Hatcher R.D., Smoluchowski R. Structure and Stability of H Centers.- Phys.Rev., 1967, v.157, Ho.3, p.692-700. Dienes G.J,. Hatcher R.D. Smoluchowski R. Formation and Stru6ture of H Centers. J.Phys.Chem,Solids., 1970,v.31,No.4,p.701-705.

91. Balzer R., Peial H., Waidelich V/. Volume Change of KBr due to Various Point Defects. Phys.Stat.Sol.,1969, v.31, No.1, P.K29-K33.

92. Bachmann K., Kanzig W. Paraelastische Defektelektronen-Zentren in Alkalihalogeniden.-Phys.Kondens.Mater.,1968,v.7,p.284317.

93. COI* Kanzig W. Paraelasticity, a mechanical analogy of paramagnetism. J.Phys.Chem.Solids, 1962, v.23, No.5« p.479-499.

94. Hoshi J., Saidoh M., Itoh N. Stabilization of the Interstitial Center by Divalent Impurities in Alkali Halides. Crystal Lattice Defects, 1975, v.6, p.15-34.

95. C03. Catlow C.R.A., Diller K.M., Hobbs L.W. Irradiation-induceddefects in alkali halides crystals. Phil.Mag.A, 1980, v.42, No.2, p.123-150.

96. C04. Некрасов Б.В. Курс общей химии. М.: Госхимиздат, 1954. -941 с.

97. Mitsushima У., Morta К., Matsunami М., Itoh N. Determination of the V^-Center Structure in KBr Crystal by Means of Double Alignment Channeling Technique. J.Physique Colloq., 1976, v.37, Р.С7-97-С7-Ю0.

98. Naramoto H., Ozawa K., Okada Т., Suita T. Correlated Changes of Plow Stress and. Optical Absorption in KBr X-Rayed at LNT.

99. Phys.Stat.Sol.(a), 1974, v.22, No.2, p.445-453.

100. White W.W., Greene A.C. Energetics of interstitial molecule formation in alkali halides: Clg in NaCl. Crystal Lattice Defects, 1969, v.1, No.1, p.83-90.

101. Catlow C.R.A., Diller K.M., Norgett M.J. Interstitial Defects in Irradiated Alkali Halides. J.Phys.C: Solid State Phys., 1975, v.8, N0.3, p.L34-L36.

102. Tasker P.W. A calculation of the electronic states of the tri-halide anions. Molecular Physics, 1977, v.33, No.2,p.511-518.

103. Hersh H.N. Spectra of Halogen Solutions and V-Bands in Alkali Halides.- Phys.Rev., 1957, v.105, No.4, p.1410-1411.1.. Winter E.M., Wolfe D.R., Christy R.W. Dichroism of V Bands in Potassium and Rubidium Halides. Phys.Rev., 1969, v.186, p.949-952.

104. Kingsley J.D. Bleaching and Symmetry Properties of the V^ Center. J.Phys.Chem.Solids, 1962, v.23» p.949-953.

105. Круминып В.Я., Бауманис 3>.A. Рекомбинационные механизмы генерации и терморазрушения v^ -центров в кристаллах КВг. -Уч.зап. Латв.ГУ, 1976, т.254, в.5, с.101-129.

106. Яансон H.A. Термостимулированная люминесценция и катионные радиационные дефекты в нитевидных кристаллах КВг повышенной чистоты и совершенства. Дис. . канд.хим.наук. - Тарту, 1975. - 175 с.

107. Zaleskiewicz T.P., Christy P.W. Optical Bleaching of V^ Centers in KCl. Phys.Rev.A, 1964, v.135, p.194-199.

108. Лущик Ч.Б., Гиндина Р,И., Маароос А.А,, Плоом Л,А,, Лущик А.Ч., Пунг Л,А., Пыллусаар Ю,В., Соовик Х.А, Радиационное создание катионных дефектов в кристаллах KCl. ФТТ, 1977, т.19, в.12, с.3625-3630.

109. EI9. bushchik Ch.B., Elango A.A., Gindina R.I., Lushchik A.Ch.,

110. Maaroos A.A., Nurakhmetov T.N., Ploom L.A., Pung L.A., Pollu-saar I.V., Soovik H.A., Jaanson N.A. Mechanisms of Cation Defects Creation in Alkali Halides. In: Defects in Insulating Crystals, InternConference, Tennessee,1977,p.273-274.

111. Лущик А.Ч. Оптическое исследование катионных дефектов в облученных кристаллах RbBr. Изв. АН ЭССР, сер.физ.мат., 1980, т.29, с.173-180.

112. Шункеев К.Ш., Гиндина Р.И., Плоом JI.A, Создание и разрушение 01" -центров и катионные дефекты в кристаллах KCl-Na. -Тр. Ш АН ЭССР, 1981, т.52, с.101-120.

113. Нурахметов Т.Н. Структура и механизмы образования центров окраски, возникающих в КВг в результате ассоциации H -центров. Дис. . канд.физ.-мат.наук. - Тарту, 1977. - 190 с.

114. Пунг JI.A., Лущик А.Ч., Халдре Ю.Ю. Рекомбинационная люминесценция и ЭПР в кристаллах КС1 и КВг с катионными френке-левскими дефектами. Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, № 9, с.1952-1954.

115. Пунг Л.А., Лущик А.Ч. Парамагнитные и непарамагнитные дырочные центры в кристалле КВг , $ТТ, 1976, т.18, в.З, с.1176-1178.

116. Лущик А.Ч., Пунг Л.А., Халдре Ю.Ю., Колк Ю.В. Радиационное создание дефектов в кристаллах KCl . Bon.ат.науки и техн., сер.: физрад.поврежд. и рад.материаловедение, 1981, в.4(18), с.89-90.

117. Ishii T., Rolfe J. V-Centers in Potassium Bromide Crystals. Phys.Rev., 1966, v.141, Uo.2,. p.758-767.

118. Chowdari B.Ï.R., Itoh H. Interstitial halogen centers in X-irradiated CsBr. J.Phys.Chem.Sol., 1972, v.33» Ho.9,p.1773-1783.

119. Лущик А.Ч. Br^ -центры в облученных рентгеновской и ВУФ-ра-диацией кристаллах CsBr. Тр. Ш АН ЭССР, 1980, т.51, с. 39-56.

120. Шункеев К.Ш., Гиндина Р.И., Плоом Л.А. Создание C1I -центровв кристаллах KCl-Li и NaCl-Li . Тр. ИФ АН SCCP, 1980, т.51, с.143-162.

121. СЗО. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Лущик Н.Е., Тайиров М.М., Шункеев К.Ш. Распад экситонов с рождением анионных и катионных дефектов в KCl-Na. Тр. ИФ АН ЗССР, 1982, т.54, с.146-171.

122. C3I. Clark C.D., Newman D.H. V-centers produced in KBr and KC1 at 290 К by electron irradiation. J.Phys.C: Solid State Phys., 1971, v.4, Ho.10, p.1130-1144.

123. C32. Harten H. Zur Wirkung von Rontgenlicht auf KCl-Kristalle. -Z.Physik, 1949, v.126, p.619.

124. C33. Bauer C.L., Gordon R.B. Mechanism for Dislocatioa Pinning in the Alkali Halides. J.Appl.Phys., 1962, v.33, No.2, p.672-682.

125. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Г. Зкситонные центры захвата в щелочно-галоидных кристаллах, активированных ртутеподобными ионами. -Тр. ИФА АН ЭССР, 1958, т.7, с.193-226.

126. Лийдья Г.Г. Взаимодействие экситонов с дефектами щелочнога-лоидных кристаллов. Тр. ИФА АН ЗССР, I960, т.12, с.149-174.

127. Зланго М.А. Физические процессы при возбуждении ЩГК ионизирующими излучениями. I. Создание центров окраски в монокристаллах NaCl . Тр. ИФА АН ЗССР, 1961, т.17, с.135-147.

128. Зланго М.А. Физические процессы при возбуждении ЩГК ионизирующими излучениями. II. Ионно-электронные явления при создании и разрушении центров окраски в монокристаллах NaCl . -Тр. ИФА АН ЗССР, 1962, т.21, с.215-246.

129. Sonder Б. Radiation Annihilation of F-Aggregate Centers in KOI. Phys.Rev.B, 1972, v.5, No.8, p.3259-3269.

130. I. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристал-лофосфоров. М.: Наука, 1966. - 324 с.42* Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964. - 284 с.

131. Круминып В.Я., Зариня Г.Я., Аболинып Я.Я., Зирап В.Э. Роль экситонной (Г-люминесценции в процессах аккумуляции радиационных дефектов в КВг. Тезисы докладов ХХУ Совещания по люминесценции. - Львов, 1978, с.76.

132. Apker L.R., Taft Е.А. Photoelectric Emission from F-Centers in KI. Phys.Rev., 1950, v.79» No.6, p.964-966.

133. Schnatterly S., Compton W.D. F-Aggregate Color Centers in KC1. Phys.Rev.,1964, v.135, Uo.1A, p.227-232.

134. Hayes W., Hodby J.W. An investigation of x-irradiated KC1-H and NaCl-H. Proc.Roy.Soc., 1966, v.294, p.359-375.

135. Витол И.К., Зирап В,Э», Круминь В.Я., Миллер Д.К. Механизмы генерации радиационных дефектов в щелочногапоидных кристаллах. Труды межвузовской конференции по радиационной физике. - Томск, 1970, с.46-54.

136. Guillot G., Uouailhat A. Kinetics of F-center formation and interstitial stabilization mechanism in alkali halides irradiated at 77 K. Phys.Rev.B, 1979, v.19, So.4,p.2295-2304.

137. Kingsley J.D. Photochemistry of the V^ Center. Phys.Rev., 1961, v.122, N0.3, p.772-778.

138. Tanimura K., Okada T. Formation of the self-trapped exciton via thermally induced defect reactions in alkali halides. -Phys.Rev.B, 1980, v.21, N0.4, p.1690-1697.

139. Delbecq С.J,, Hutchinson E., Shoemaker D., Yasaitis E.L., Yuster P.H. ESR and Optical Absorption Study of the V^ Center in KCl:NaCl. Phys.Rev., 1969, v.187, No.3, p.1103-1120.

140. Srinivasan T.M., Compton W.D. X-Ray Generation of Color Centers in Zone-Refined KC1 and KBr. Phys.Rev., 1965, v.137, No.1A, p.264-272.

141. Колк Ю.В. ЗПР-исследование низкотемпературных процессов создания и преобразования н-центров в КС1 и КС1-Т1 . Тезисы У Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. - Рига, 1983, с.231.

142. Mercier Е., Guillott G., Nouailhot A. Role of Vk-centers in the equilibria among centers created by electron irradiation at 4 К in KBr. Phys.Rev.B, 1978, v.17, Wo.18, p.3401-3408.

143. Itoh M.a Kanno H., Mori N., Nakai Y. Recombination Processes of Lattice Defects Produced in KBr at Low Temperatures. J. Phys.&oc.Japan, 1980, v.50, No.4, p.1227-1232.

144. Kabler M.N. Low-temperature recombination luminescence in alkali halide crystals. Phys.Rev., 1964, v.136, No.5A,p.12961302.

145. Гиндина P.И., Маароос А.А., Длоом Л.А., Яансон H.A. Разработка методики получения кристаллов КС1 и квг с содержаниемпримеси Ю~б-1(Г8. Тр. Ш АН 3CGP, 1978, т.49, с.45-89.

146. Плоом Л.А., Гиндина Р.И. Определение концентрации гидроксиль-ных ионов в кристаллах галогенидов щелочных металлов. В сб.: Методы анализа галогенидов щелочных и щелочноземельных металлов высокой чистоты. Харьков, 1971, чЛ, с.127-132.

147. Андреев Г.А. Распределение примесей однозарядных ионов при выращивании монокристаллов КС1 и квг , $хт, 1965, т.7, в.5, с.1883-1884.

148. Лущик Н.Е., Соовик Х.А. Возбуждение люминесценции примесных центров квг при оптическом создании экситонов. Тр. Шк АН

149. Tanimura K., Okada T. Effects of the Na+ impurity on the relaxation of an exciton in KBr at low temperatures. Phys. Rev.B, 1976, v.13, No.4, p.1811-1816.

150. Tanimura K. Electronic structure of the relaxed exciton trapped by an alkali impurity in KBr. J.Phys.Сi Solid State Phys., 1978, v.11, No.18, p.3835-3845.

151. Миллере Д.К., Гринфелдс Я.К. Влияние примеси Na+ на создание радиационных дефектов в кристалле KBr. Учен.зап. Латв.ГУ, 1973, в.1, с.131-137.бб. Ikezawa М. The Luminescence Induced by Illumination in the

152. Band in KBr and KC1. Science Reports of the Tohoku University, 1969, ser.1, v.52, p.129-134.

153. Вилу P.O., Эланго M.A. О роли дырочных процессов при создании F-центров в ионных кристаллах на начальной стадии радиационного окрашивания. ФТТ, 1965, т.7, в.12, с.3673-3676.

154. Нурахметов Т.Н., Гиндина Р.И., Осминин B.C., Эланго А.А. Эффективность радиационного создания Xg-центров в щелочно-галоидных кристаллах. Тр. ИФ АН ЭССР, 1977, т.47, с.168-183.

155. Comins I.De Temperature Dependence of Defect Production in

156. KBr and KC1. Phys.Stat.Sol.(b), 1971, v.43, No.1,p.101-111.

157. Vasilchenko E., Lushchik N., Lushchik Ch. Migrations of Excitons and Holes in Luminescent Crystals of CsBr. J.Luminescence, 1972, v.5, No.2, p.117-131.

158. Васильченко Е.А., Йыги Х.Р.-В., Лущик Н.Е., Лущик Ч.Б., Малышева А.Ф., Тийслер Э.С. Экситоны и радиационные дефекты. -Учен.зап.Латв.ГУ, 1973, т.193, в.1, с.112-130.

159. Lushchik Ch.B. Free and self-trapped excitons in alkali hali-des: spectra^and dynamics. In: Modern Problems in Condensed Matter Sciences, v. 2. Excitons./ Ed. by E.I.Rashba and M.D. Sturge. - North Holland, 1982, p.505-541.

160. Котомин E.A., Фабрикант И.И. Эффективность радиационного накопления F-центров в ионных кристаллах. Изв.АН Латв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1979, т.1, с.53-59.

161. Даулетбекова А.К. Радиационное создание и рекомбинация дефектов Френкеля в кристаллах квг и KI с различным содержанием примеси Li+ и Na+ . Дис. . канд.физ.-мат.наук. - Тарту, 1983. - 178 с.

162. Balzer R. Volumenanderung von Alkalihalogenidkristallen bei der Bildung von Gitterdefekten dursh niederenenergetische Strahlung. Z.Physik, 1970, v.234, p.242-260.

163. Круминып В.Я., Бауманис Э.А. Генерация и термическое разрушение v2-центров в квг. Учен.зап.Латв.ГУ, 1975, т.245, в.4,с.99-110.

164. Ishii Т. Photochemically Produced V Bands in KBr and KCl. -J.Phys.Soc.Japan, 1966, v.21, No.11, p.2202-2207.

165. Пиментел Г., Спартли P. Как квантовая механика объясняет химическую связь. М.: Мир, 1973. - 331 с.

166. Gabes W., Stufkens D.J. Electronic absorption spectra of symmetrical and asymmetrical trihalide ions. Spectrochi-mia Acta, 1974, v.30A, p.1835-1841.

167. Zoller W., Bridges P. Phonon spectroscopy of lithium-doped KBr. Phys.Rev.B, 1981, v.24, No.8, p.4796-4804.

168. Каплан Н.Г. Введение в теорию межмолекулярных взаимодейст- > вий. М.: Наука, 1982. - 331 с.

169. Andrews L. Optical Spectra of the Dibromide and Diiodide Ions in the Matrix-Isolated M+Br2 and M"1"^ Species. J.Am. Chem.Soc., 1976, v.98, No.8, p.2152-2156.

170. Chance K.V., Bowen K.H., Winn J.S., Klemperer W. Electric deflection studies of halogen and interhalogen. J.Chem. Phys., 1980, v.72, p.812-814.

171. Jansen L., Block R. Effect of direct and indirect exchange interactions on geometries and binding energies of molecularcomplexes. The dimer (Cl0)0.- J.Phys.Chem.,1981,v.75,p.847^ 852.

172. Forbes H.L., Lunch D.W. Ionic conductivity of KI colored with

173. J.Phys.Chem.Sol., 1964, v.25, N0.6, p.621-627.

174. Saidoh M., Itoh N. Ionic Size Effect on the Radiation Induced Dynamics Motion of Interstitial Halogen in Alkali Halides. -Phys.Stat.Sol.(b), 1975, v.72, No.2, p.709-717.

175. Hoshi J., Saidoh M., Itoh N. Stabilization of the Interstitial Center by Divalent Impurities in Alkali Halides. Crystal Lattice Defects, 1979, v.6, p.15-34.

176. Tanimura K., Itoh N. Comments on "Role of Impurities on the Primary Process for F-Coloring in Alkali Halides". Radiation Effects Letters, 1980, v.57, No.5, p.155-159.

177. X9I. Яковлев В.Ю. Исследование сложных центров окраски в ионных кристаллах при импульсном электронном возбуждении. Дис. . канд.физ.-мат.наук. - Томск, 1980. - 161 с.

178. Анненков Ю.М., Столяренко В.Ф., Франгульян Г.С. Импульсная абсорбционная спектроскопия облученных кристаллов бромида калия. ФТТ, 1983, т.25, в.5, с.1343-1351.

179. Даулетбекова А.К., Гиндина Р.И., Эланго A.A. Агрегатные центры брома в облученных кристаллах квг с примесями. Опт. и спектр., 1982, т.53, в.8, с.548-549.