Нелинейные эффекты в высокотемпературном сверхпроводнике La-Sr-Cu-O (метод молекулярной динамики) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

на правах рукописи

ЧИРКОВ Андрей Геннадиевич

удк 538.913; 538.945

НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМ СВЕРХПРОВОДНИКЕ 1_а-8г-Си-0

(метод молекулярной динамики)

Специальность: 01.04.07 - физика твердого тела АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Ижевск - 1996

Работа выполнена в лаборатории моделирования дефектных структур Физико-технического института УрО РАН.

Научный руководитель - доктор физико-математических наук

ЧУДИНОВ В.Г.

Официальные оппоненты - чяен-корр. АЕН, профессор, доктор физико-математических наук Кирсанов В.В.; ] доцент, кандидат физико-математических наук Бовин В. П.

Ведущая организация - Институт физики металлов УрО РАН, г.Екатеринбург.

Защита диссертации состоится " ^ " ^М^С^ 1995 г. в часов на заседании диссертационного совета Л 003. 58. 01

при Физико-техническом институте УрО РАН по адресу: 426001, г.Ижевск, ул.Кирова, д. 132.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физико-технического института УрО РАН.

Автореферат разослан " ^ " ^^/Ц* Факс: (3412) 250614

Ученый секретарь диссертационного совета доктор физико-математических наук

- з -

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Открытие в 1986 году Беднорцем и Мюллером сверхпроводимости (СП) в системе Ьа-Ва-Си-0 с температурой сверхпроводящего перехода (Тс) ~ 30 К вызвал большой научный и практический интерес к проблеме высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) . В короткий срок были синтезированы другие системы с гораздо большими Тс: У-Ва-Си-О (-90 К), ВЬБг-Са-Си-О (-110 К), П-Ва-Са-Си-О (-125 К). Все они являются медь-содержащими оксидными соединениями. Данный класс соединений принято в настоящее время называть высокотемпературными сверхпроводниками.

Практическое использование ВТСП материалов наиболее перспективно в электронике, в системах распределения электроэнергии и экономически намного выгоднее в связи с использованием азотной системы охлаждения, которая гораздо дешевле по сравнению с гелиевой, применяемой для охлаждения классических "низкотемпературных" сверхпроводников (НТСП).

Научный интерес связан прежде всего тем, что согласно классической теории НТСП Бардина, Купера, Щриффера (БКШ-теории), механизмом, ответственным за СП, является электрон-фононное взаимодействие. Считалось, что в рамках данного механизма существует ограничение на Тс (Тс< 25 Н). Кроме того, слабый изотопический эффект в ВТСП соединениях указывает в линейном приближении на слабую связь электронной и фононной подсистем. Это способствовало появлению множества нефононных механизмов ВТСП (экситонных, соли-тонных, поляронных, магнитных и т.д.), но до сих пор ни одна из них безусловного признания не получила. Тем не менее, роль динамики кристаллической решетки в Формировании сверхпроводящих свойств этих соединений может быть одной из наиболее важных. Причиной этому ■ является наличие сильного ангармонизма ВТСП систем, учет которого, в частности, может объяснить одно из самых главных свойств в ВТСП - аномальный изотопический эффект, в рамках элект-рон-фононного.механизма.

Однако, разнообразие свойств и сложность структур ВТСП систем затрудняют однозначную интерпретацию экспериментальных результатов, в том числе и по исследованию динамики решетки. В этом плане .интерес представляют работы по моделированию отдельных свойств этих систем. Теоретические исследования в аналитическом

виде затрудняются трудностью решения нелинейных уравнений. Такие задачи легко разрешимы в компьютерном эксперименте.

Метод молекулярной динамики (МВД) является уникальным средством моделирования динамических свойств кристаллических решеток твердых тел. Система 1а2-хЗГхСи04 обладает наиболее простой структурой из класса ВТСП соединений и, поэтому, является более удобным объектом исследования на ЭВМ. Сопоставление результатов моделирования с экспериментальными позволяет выявить свойства, присущие чисто решеточной подсистеме данного соединена.

Целью работы являлось исследование влияния особенностей сил межатомного взаимодействия на динамику кристаллической решетки системы 1а2_х5гхСи04 при различных температурах, концентрациях дефектов и внешних воздействиях.

При этом решались следующие задачи:

1. Построение устойчивой кристаллической решетки системы.

2. Выяснение роли особенностей сил межатомного взаимодействия в динамике решетки.

3. Расчет плотности колебательных состояний (ПКС) при различных температурах и концентрациях Бг, в зависимости от приложенного внешнего давления и концентрации вакансий.

4. Трактовка результатов работы и известных экспериментальных результатов в рамках ангармонического приближения.

Научная новизна работы. МВД использовался для исследования динамики решетки системы 1аг-х$гхСи04 с использованием парных потенциалов взаимодействия, учитывающих экранировку ионов и сильнув анизотропию соединения. Показана возможность реализации нового типа дефектов динамического типа в квазидвумерной системе : при наличии энгармонизма и резком различии потенциалов взаимодействия в системе могут возбуждаться локальные высокочастотные колебания (ЛВК) атомов нефононной природы, аналогичные предсказанным теоретически Сивереом и Такено в одномерных ангармонических цепочках. При введении примесных атомов замещения Бг (неоднородности), ЛВК фиксируются на 4-х атомах кислорода в слое Си-02 вблизи атомов Бг которые концентрируют на себя значительную часть кинетической энергии решетки. За счет этого средняя кинетическая энергия атомов остальной части решетки уменьшается . Возбуждение их в случае однородной ангармонической решетки зависит от характера сил межатомного взаимодействия. В случае, если они появляются в однород-

ной ангармонической решетке, то пространственной локализации не происходит.

Практическая ценность работы. Полученные результаты способствуют дальнейшему развитию ангармонических моделей ВТСП в рамках злектрон-фононного взаимодействия носителей сверхпроводящего тока. Применительно к ВТСП системам, ЛВК могут быть ответственными за поглощение в средней области инфракрасного спектра поглощения (пики в области 0.4 эВ), которые в настоящее время однозначно не идентифицированы. Для полного решения вопроса необходимо выполнить эксперименты по неупругому рассеянию нейтронов, которые в данном энергетическом диапазоне не выполнялись ввиду технических трудностей. Предложена гипотеза о возможности реализации в данной системе ВТСП при достаточно высоких температурах.

На защиту выносятся:

1. Результаты моделирования динамики решетки системы Ьа2_хЗгхСи04 методом молекулярной динамики с потенциалами парного взаимодействия (ППВ), рассчитанными по псевдопотенциальной схеме и упрощенной методике функционала плотности при разных температурах, внешних воздействиях, дефектах кристаллической структуры.

2. Обнаружение локальных высокочастотных колебаний атомов кислорода в Си-02 слое вблизи примесных атомов Бг в нелинейной системе Ьаг-х2гхСи04.

3. Возникновение локализованных динамических дефектов вблизи атомов Эг со средней кинетической энергией в ~ 100 раз большей, чем в среднем по системе.

4. Трактовка результатов работы и известных экспериментальных в рамках ангармонического приближения статистической физики,' приводящего к нарушению канонических условий.

Апробация работы: Результаты работы докладывались на:

- 2-м Международном семинаре по эффектам разупорядочения в ВТСП (Ташкент, 1991)

- Международном семинаре "Физика радиационных повреждений" (Заречный, 1993)

- 1-й, 2-й Российской университетско-академической научно-практической конференции (Ижевск, 1993, 1995)

- 36-м и 37-м постоянном международном семинарах по компьютерному моделированию дефектов структуры и свойств конденсированных сред (Тольятти, 1993; Ижевск. 1994)

- 1-м Уральском Международном семинаре "Радиационная физика металлов и сплавов" (Снежинок, 1995)

- 3-й межгосударственный семинар "Структурно-морфологические основы модификации нетрадиционных технологий" (Обнинск, 1995)

- 3-я международная школа-семинар "Эволюция дефектных структур в конденсированных средах" (Барнаул, 1996)

- Всероссийская конференция "Химия твердого тела и новые материалы" (Екатеринбург, 1996)

Основное содержание диссертации опубликовано в 10 научных работах.

Структура диссертации. Работа состоит из введения, четырех глав, вывода, заключения, списка литературы, 116 страниц, 26 рисунков, 3 таблиц.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении обосновывается актуальность теш, формулируется цель работы.

В первой главе приведен обзор литературных данных по физическим свойствам ВТСП, результатам моделирования их решеточных свойств. Кратко описаны основные модели ВТСП, метод молекулярной динамики. ВТСП соединения - это очень сложные системы, в которых имеются множество структурных, магнитных, электронных и др. переходов. Поэтому существуют различные точки зрения о механизме ВТСП. По этой причине в работе уделяется значительное внимание обзору различных точек зрения и экспериментальных результатов для обоснования цели и методики выполнения данной работы.

Во второй главе описана методика расчетов , обоснован выбор модельного кристаллита. ППВ имеют осциллирующий характер . Совпадение положения первого минимума с экспериментальный значением межатомного расстояния с точностью 10-15%. Для получения устойчивости решетки ППВ сдвигались в пределах ошибки. Характерная особенность этих ППВ заключается в том, что в Си-02 слое они по порядку величины сравнимы с обычными металлическими ППВ (глубина ямы ~ 0.1 эВ), в то время как в поперечном направлении и в слоях Ьа(Бг)-0 из-за более слабой экранировки (ППВ рассчитаны из предположения, что свободные носители тока находятся в Си-Ог слое) они близки к ППВ в ионных соединениях ( - 1-10 эВ). особенно глубокие ППВ для Бг-О ( - 30 эВ). Это в ~ 30 раз больше, чем у Ьа-0

ив~ 100 раз, чем у Cu-0 взаимодействий..

Были исследованы динамические характеристики одного, слоя Сц-02, поскольку именно эти слои обладают металлической проводимостью и ответственны за ВТСП. Модельный кристаллит (рис. 1) состоял из трех слоев: La(Sr)-0; Cu-02; La(Sr)-0 и соДеркал ~ 2050 атомов. Атомы в слоях La(Sr)-0 жестко закреплялись. Слой Си-02 содержал ~ 700 подвижных атомов. Вдоль осей а и b задавались циклические граничные условия. Особое внимание уделялось достижению в системе состояния равновесия. Оно достигалось в пределах ошибки эксперимента за время ~ 10 тр (tp - время релаксации}, что составляло ~ 10"10 с. реального времени или - 106 временных итераций. Это оказалось возможном при существенной оптимизации алгоритма программы ММД по временным затратам.

В третьей главе представлены молекулярно-динамические расчеты системы La2.xSrxCu04 с х=0; 0.03; 0.08; 0.12; .0.17; 0.25; 1; 2. при температурах 70 и 300 К. При х=0 основные-пики в плотности-' колебательных состояний (ПКС)(G(w)) хорошо воспроизводят экспери-^ ментальные. Из парциальных ПКС видно, что пики в области 40-75 мэВ обусловлены атомами кислорода, пик 20 мэВ - атомами меди. Зависимость ПКС от температуры отражает ангармоничный характер ППВ, а также неравенство кинетической и потенциальной энергий - Ек~2Ер.

Введение примесей Sr приводит к локализации кинетической энергии около этих дефектных участков. На рис.2 представлены участки плоскости Си-02 при Т=70 и 300 К с мгновенными значениями кинетической энергии (Ек) отдельных атомов в системе Lat,s3Sr0,17CUO4. Ек 4-х атомов кислорода под атомами Sr в ~ 100 раз больше, чем средняя Ек остальных атомов. Таким образом, примесные атомы Sr создают области с локальной концентрацией Ек в кристаллической решетке, за счет понижения средней Ек атомов основной части матрицы решетки. Средняя Ек атомов всего кристаллита при этом соответствует задаваемой температуре. Размер участков с локальной концентрацией Ek ~ 0.5 нм.

На рис.3 представлены ПКС данной системы при различных содержаниях Sr и температурах Т=70 и 300 К. Характерная особенность ПКС - наличие наряду с обычной ПКС в диапазоне 0-0.1 эВ локальных высокочастотных пиков (ЛВП) с энергией - 0.4 эВ, которые отражают локальные высокочастотные колебания (ЛВК) атомов кислорода в слое Сц-Ог вблизи атомов Sr. Следует отметить, что эти колебания нефо-

Слой Си - 02

Ьа/Бг

Рис. 1 Ячейка модельного кристаллита

0 0 © 0 © 0 ©

0 © 0 0

0 К? V / © (т7\ © 0 ©

© (Ш5 X ( ©

0 З (W) © 0 ©

О С ^ [12 0 0

© 0 © 0 © 0 ©

'а

б

Рис.2. Кинетическая энергия атомов в температурных единицах в CuOo слое вблизи атома Sr в Lai, 83Sro, 17CUO4 (О" атомы Си; О - атомы 0; Х- проекция атома Sr на плоскость CuOg) а) Т=70 К б) Т=300 К

50 Е(.мэВ) 350 400

•50 Е(ЫЭР, I 350

400

Рис 3 Плотность колебательных состояний в системе Ьаг-хЗгхСиС^:

(---- х=0.03; .....- 'х=0.17;--х=0.25) а) Т=70 К б)

Т=300 К

0.05 0.1 0.!5 0.1 X (отн.гЭ.)

0.15

Рис.4. Зависимость модельного параметра 5лвп/$нч (Т= 70 К) и температуры перехода в сверхпроводящее состояние Тс от концентрации Зг

V, м/с

Рис. 5. Функция распределения по скоростям атомов кислорода системы Ьаг-хЗгхСи04 (Т=70 К)

нонной природы, и связаны со вращательными, а не поступательными степенями свободы и на них не распространяются ограничения в энергии, связанные с конечной величиной длины волны, и следовательно, максимальной энергией колебательной моды. Возникновение столь высокочастотных колебаний атомов кислорода и наличии ЛВП в ПКС связано с очень глубоким потенциалом Бг-О. В контрольном эксперименте с уменьшением глубины этого ППВ в 3 раза привело к сдвигу ЛВП в (1/3)1/2 . ПКС в области 0-0.1 эВ будет называться низкочастотной частью ПКС (НЧ ПКС) - это обычные колебания фонон-ной природы, а область 0.4 эВ - ЛВП. Верхняя граничная частота НЧ ПКС хорошо согласуется с экспериментом. В качестве меры относительного вклада ЛВП в ПКС было принято отношение площадей под кривыми описывающими ЛВП и НЧ части ПКС - БЛвп/3Нч- Видна существенная деформация ПКС с температурой, что свидетельствует о сильном энгармонизме и системе. Существенно деформируются ПКС также с концентрацией Бг. При х=1 решетка теряет стабильность и разваливается. С увеличением х наблюдается возрастание вклада ЛВП в ПКС. При х=0.03 и Т=70 К наблюдается небольшой одиночный ЛВП. При Т=300 К он уменьшается по интенсивности и раздваивается. ЛВП раздваивается также при увеличении х. Величина расщепления увеличивается с увеличением как температуры, так и концентрации Бг. В системе Бг2Си04 также имеется одиночный пик большой интенсивности в области 0.4 эВ . Однако, в данном случае пространственной локализации Ек не наблюдается. При малых х зависимость БЛвп/Знч(х) и Тс(х) качественно похожи (рис.4 ). Однако, при х>0.17 наблюдается существенное различие: в расчетах эта величина растет (хотя и темп роста замедляется), а Тс уменьшается. Это может быть в связи с тем, что в области х - 0.1? резко изменяется коэффициент Холла, что свидетельствует о резком изменении концентрации носителей тока. При этом систему следует моделировать с другими ППВ. Расчеты при х=0.25;1;2 следует рассматривать как чисто модельный эксперимент.

На рис.5 приведены функции распределения по скоростям атомов кислорода при различных концентрациях Бг при Т=70 К. Максимальное отклонение от максвелловского при х=0.17. Она нарастает при увеличении х до 0.17 и убывает при х>0.17. При этом наблюдается перераспределение Ек в системе. Для качественной оценки эффекта перераспределения кинетической энергии экспериментальная

кривая функции распределения по скоростям подгонялась максвел-ловскими функциями распределения. Подгоночными параметрами были температура и весовые коэффициенты. При х-0.17 экспериментальная кривая подгоняется четырьмя максвелловскими функциями с Т^Э К, Т2=11 К, Т3=400 К, Т4=900 К и весовыми коэффициентами 0.78, 0.1, 0.1, 0.02, соответственно. При этом основной части системы соответствует эффективно низкая "температура" ~ 10 К (~ 90 %), другой (области локальной концентрации Ек) - "горячие" участки - 400-900 К (~ 10 %). При концентрациях Бг меньше или больше 0.17 эффективная "температура" основной части матрицы повышается:' при х=0.12 она - 20-40 К, при х=0.25 - - 10-20 К, х=0 - ~ 50 К, х=2 - ~ 40 К, а "горячих" участков понижается.

Полученные результаты свидетельствуют о нарушении канонического распределения Гиббса, которое справедливо в том случае, когда исследуемую систему можно представить в виде ансамблей Гиббса невзаимодействующих реальных частиц (идеальный газ) или квазичастиц ( например, фононов в идеальном твердом теле). В реальном случае это не всегда так. Представление о существовании невзаимодействующих квазичастиц-фононов в твердом теле справедливо в том случае, если движение атомов описывается линейными уравнениями, то есть при гармоническом характере ППВ. В этом случае справедливо каноническое распределение по энергиям ( о>п ~ ехр(-Еп/кТ), где шп - вероятность возбуждения в системе состояния с энергией Еп при температуре Т). При наличии ангармоничного вклада в ППВ система становится неканонической и каноническое распределение по энергиям нарушается.

В связи с полученными результатами обсуждается гипотеза о возможной связи динамики ангармонической решетки с ВТСП : СП ток может протекать за счет перколяций в области кристаллической решетки с уменьшенной средней Ек атомов по сравнению со средней Ек атомов всей решетки за счет локализации энергии вблизи дефектов. Реальная критическая температура перехода системы в СП состояние есть Тсматр (Тс матрицы), которая намного меньше экспериментально измеряемой макроскопически усредненной величины Тс.

В четвертой главе представлены результаты по влиянию давления и вакансий на ПКС данной системы. Расчеты ПКС при различных давлениях показывают, что при х < 0.17 наблюдается корреляция зависимостей Блвп/ЗнчСр) и Тс(р).

Приводятся результаты по влиянию вакансий меди и кислорода слоя Си02 на ПКС. Исследована динамика решетки при концентрациях Бг х=0.03; 0.17 и температурах Т=70К, Т=300К. Концентрация вакансий изменялась от 0 до 3% . Приведена структура изолированных Си и 0 вакансий Си0г слоя при х=0.03 и 0.17. Наибольшие смещения "1% захватывают 1-2 ближайших соседа. Графики зависимостей 8ЯВП/3НЧ от концентрации вакансий по кислороду и меди при х=0,03 и х=0,17, и Т=70 и 300 К носят сложный характер. Параметр 5ЛВП/3„Ч в зависимости от концентрации вакансий того или иного типа может и возрастать и уменьшаться. При х=0.03 медные вакансии до концентрации ~0.5% приводят к его увеличению при обоих температурах, а далее наблюдается спад. Кислородные вакансии при этом оказывают слабое влияние. Существенно иное поведение наблюдается при х^О. 17. Наличие медных вакансий до с~1% приводят к резкому падению Злвп/Знч в 2-3 раза, а кислородные вакансии практически не оказывают влияния при Т=70 К и уменьшают его в~1.5 раза при Т=300 К. Качественно при х=0.17 и Т-70 К наблюдается незначительное увеличение вклада ЛВП при введении О-вакансий, что согласно предложенной гипотезы указывает на незначительное способствование повышению Тс. При малых х и малых дозах флюенса согласно результатам образование Си-вакансий должно увеличивать Тс, но при больших х она должна падать уже при очень малых дозах. Однако, из экспериментов по облучению известно, что кислородная подсистема играет важную роль в падении Тс, а также, что образуются неупорядоченные области, соизмеримые с длиной когерентности С1.5-2 нм;~103-104 атомов), обладающие диэлектрическими свойствами. Этот эффект может полностью перекрыть эффект подавления ЛВП. Влияние вакансий на физические свойства ВТСП, вероятно, связано с величиной акгармоничного вклада в энергию взаимодействия атомов. Наличие ангармонизма означает, что атомы не находятся в минимумах ППВ. Создавая вакансии, мы позволяем атомам окружения релаксировать в сторону минимума ППВ, то есть уменьшения ангармоничного вклада. При этом уменьшается и вклад ЛВК в общую плотность состояний .

ВЫВОДЫ

Метод ММД был использован для исследования динамики кристаллической решетки системы Ьаг-хЗгхСи04. Потенциалы парного вза-

имодействия имеют ангармонический характер, что подтверждает эксперимент. Воспроизводимость положений основных пиков в плотности колебательных состояний и граничной частоты в системе без Бг говорит о корректности выбранных для расчета ППВ. Были измерены парциальные плотности колебательных состояний атомов меди и кислорода, которые подтверждаются экспериментом. Выяснено, что характер сил межатомного взаимодействия играет решающую роль в динамике решетки данной системы. Замещение атомов Ьа на Бг (замена соответствующих ППВ), изменение температуры, моделирование приложения внешнего давления, введение вакансий вызывает существенное изменение динамических свойств. Результаты работы показывают, что в ангармонической системе возможно возбуждение локальных высокочастотных колебаний нефононной природы с частотой намного превышающей граничную частоту колебаний кристаллической решетки в гармоническом приближении и локализацию кинетической энергии на отдельных атомах вблизи дефектов. Возбуждение локальных высокочастотных колебаний зависит от характера сил межатомного взаимодействия: в системе Ьа2Си04 их нет, в модельной системе Зг2Си04 они возникают, но не локализуются в конкретном участке решетки. Введение примеси Бг е систему вызывает локализацию локальных высокочастотных колебаний на дефектах, что приводит к перераспределению кинетической энергии атомов решетки: вблизи дефектов незначительное число атомов имеет среднюю Ек> намного превышающую среднюю Ек атомов всей решетки, за счет чего средняя Ек атомов основной части решетки понижается.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом результаты данной работы свидетельствуют, что:

1. Характер сил межатомного взаимодействия оказывает решающее влияние на динамические свойства кристаллической решетки системы 1лг-хЗгхСи04.

2. Система устойчива при их ангармоническом характере.

3. Показано, что в ангармонической системе Ьа2-хЗгхСи04 возбуждаются локальные высокочастотные колебания с частотой намного превышающей граничную частоту колебаний кристаллической решетки в гармоническом приближении. Условие возбуждения таких колебаний зависит от характера сил межатомного взаимодействия. В однородной ангармонической решетке эти колебания делокализованы.

4. Введение неоднородности з ангармоническую решетку (примеси Бг в Ьа£Си04) приводит к локализации этих колебаний вблизи атомов примеси и перераспределению кинетической энергии в системе. На отдельных атомах около дефектов замещения возникают динамические дефекты со средней кинетической энергией намного превышающей среднюю кинетическую энергию атомов всей решетки, за счет чего средняя кинетическая энергия атомов остальной часта решетки уменьшается.

5. В плотности колебательных состояний локальные высокочастотные колебания отражаются появлением локальных высокочастотных пиков (~0.4 эВ). Относительный вклад локальных высокочастотных пиков в плотность колебательных состояний оценивается модельным параметром Здвп/Зич. Обнаружена корреляция зависимости модельного параметра с Тс в зависимости от концентрации 8г, давления.

6. Исследовалось влияние вакансий на ПКС. Медные вакансии в слое Си-0г в незначительных количествах (~ 1%) приводят к существенным изменениям в динамике решетки подавляя при этом динамические дефекты (локальные высокочастотные колебания). Гораздо менее значителен вклад в изменение динамических свойств решетки кислородных вакансий.

Основные результаты опубликованы в следующих работах:

1. Чудинов В.Г., Чирков А. Г., Долгушева Е.Б., Дядин В. К. "Влияние ангармонизма на динамику решетки системы 1а2-хЗгхСи04 (метод молекулярной динамики)"/ Сверхпроводимость:ФХТ, 1993, т.6, N

1, с. £05-215.

2. Чирков А.Г., Чудинов В.Г. "Влияние давления на плотность колебательных состояний сверхпроводника 1,аг.хЗгхСи04 (метод молекулярной динамики)"/ Сверхпроводимость:ФХТ, 1994, т.7, N 5, с.800-806

3. Чудинов В.Г., Чирков А.Г. "Влияние вакансий на плотность колебательных состояний сверхпроводника Ьаг_хЗгхСи04 (метод молекулярной динамики)"/ Сверхпроводимость:ФХТ, 1995, т.8, N 2, с.243-250

4. Чирков А.Г., Чудинов В.Г. "Влияние внешнего давления на свойства системы 1л2-хЗгхСи04 (метод молекулярной динамики)"/ 3-й межгосударственный семинар 'Структурно-морфологические основы модификации материалов методами нетрадиционных технологий', Обнинск, 14-16 июня 1995 г., с. 119-120 (тезисы докладов)

5. Чудинов В.Г., Чирков А.Г. "Влияние вакансий на свойства системы La2-xSrxCu04 (метод молекулярной динамики)"/ там же. с.90

6. Чирков А.Г., Чудинов В.Г. "Корреляция плотности колебательных состояний системы Ьаг-хБГхСиО* с наличием высокотемпературной сверхпроводимости (метод молекулярной динамики)"/ 2-я Российская университетско-академическая научно-практическая конференция, Ижевск, 1995, ч.З, с.13-14 (тезисы докладов)

7. Чирков А.Г., Чудинов В. Г. "Изменение плотности колебательных состояний сверхпроводника La2-xSrxCu04 в зависимости от дефектов и внешних воздействий (метод молекулярной динамики)"/ Мат. 37 Междун-го семинара по комп. моделированию дефектов структур и свойств конд. сред, Ижевск, Удм. ун-т, 1994, с.23-25.

8. Чудинов В.Г., Чирков А.Г., Долгушева Е.Б., Дядин В.М. " Динамические свойства высокотемпературного сверхпроводника" /В кн. Физика и механика новых материалов, Ижевск, УдГУ, 1992, С. 49-59

9. Чудинов В.Г., Чирков А.Г., Саламатов Е.И. Динамика кристаллической решетки сверхпроводника La2-xSr2Cu04 в зависимости от температуры, давления, концентрации вакансий (метод молекулярной динамики)/ 1-я Российская университетско-академическая научно-практическая конференция, Ижевск, 1993, с.112-113 (тезисы докладов)

10.Чирков А.Г., Чудинов В. Г. Влияние плотности колебательных состояний на наличие высокотемпературной сверхпроводимости в системе La2_xSrxCu04 (метод молекулярной динамики)/ 3-я международная школа-семинар "Эволюция дефектных структур в конденсированных средах", Барнаул, 1996, с. 24 (тезисы докладов)

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Гинзбург В.Л., Максимов Е.Г., 0 возможных механизмах высокотемпературной сверхпроводимости (обзор)// Сверхпроводимость: ФХТ, 1992, Т. 5, N9. с. 1543-1597.

2. Plakida N.M. Lattice Instability and Strong Electron-Phonon Coupling for Hlgh-Tc Superconductivity// Physica Scripta, 1989, v.T29, p.77-81

3. Жернов А. П., Мамедов Т.А. Изотопический эффект для температуры сверхпроводящего перехода в анизотропных соединениях с ангар-

ионическими модами// Сверхпроводимость:ФХТ, 1991, т. 4, N 6, с.1045-1064

4. Паршин П. П., Земляков М. Г., Панова Г. X., Хлопкин М.Н. и др. Влияние замещения лантана стронцием на свойства LaeCu04// Сверхпроводимость:ФХТ, 1988, т. 1, И 2, с.34-38

5. Инюшкин A.B., Ожогин В.И. Изотопический эффект в высокотемпературных сверхпроводниках/ Обзоры по высокотемпературной сверхпроводимости, в.1, М., 1990, с.39-80

6. Sievers A.J., Takeno S. Intrinsic Localised Modes in Anharmo-nlc Crystals // Phys.Rev. Lett., 1988, V.61, N 8. p.970-973

7. Чудинов В.Г., Долгушева Е.Б., Юрьев A.A. Потенциалы межатомного взаимодействия в высокотемпературных сверхпроводящих соединениях УВагСи307, Laj,eSr0.2Си04 // Сверхпроводимость:ФХТ, 1991, Т. 4, И 11, с. 2086-2092

8. Сибарова И.А. Высокотемпературные сверхпроводники в условиях высокого давления // Обзоры по высокотемпературной сверхпроводимости, 1990, В. 2, М., С. 70-103

9. Климонтович Ю.Л. Статистическая физика/ М., Наука, 1982

10. Саламатов Е.И., Чудинов В. Г. Статические и динамические дефекты в сильноангармонических системах //ФТТ, 1994, т.36, N 5, с.1392-1398

11. Алексашин Б. А.. Воронин В. И., Верховский C.B., ГощицкийБ.Н. и др. Эффекты локализации в атомно-разупорядоченных высокотемпературных сверхпроводниках// ЖЭТФ, 1989, т. 95,вып.2, с. 678-697.

12. Арбузова Т.И., Смоляк И.Б., Арбузов В.Л., Давлетшин А.Э. и др. Влияние электронного облучения на пик-эффект в монокристаллах YBazCu30x// ФНТ, 1993, т.19, N 3, С244-248

13. Елесин В.Ф., Руднев И.А. Влияние радиационных дефектов на критический ток высокотемпературных сверхпроводников (обзор)// Сверхпроводимость:ФХТ, 1991, т.4.N 11,с.2055-2071.