Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

005055416

На правах рукописи

Куликов Олег Николаевич

НЕЛИНЕЙНЫЕ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ ОДНО- И ДВУХПЕРЕХОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СТРУКТУР

01.04.10 — Физика полупроводников

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

2 2 НОЯ 2012

Краснодар - 2012

005055416

Работа выполнена на кафедре физики и информационных систем ФГБОУ ВПО «Кубанский государственный университет»

Научный руководитель: доктор физ.-мат. наук, профессор

Богатое Николай Маркович

Официальные оппоненты:

Чижиков Владимир Михайлович

доктор физ.-мат. наук, профессор заведующий кафедрой теоретической физики и компьютерных технологий ФГБОУ ВПО «Кубанский государственный университет»

Васильченко Александр Анатольевич кандидат физ.-мат. наук, доцент ФГБОУ ВПО «Кубанский государственный технологический университет»

Ведущая организация:

ФГАОУ ВПО «Северо-Кавказский федеральный университет»

Защита состоится 7 декабря 2012 г. в 15 часов 30 минут на заседании диссертационного совета Д212.101.17 в по адресу ФГБОУ ВПО "Кубанский государственный университет", по адресу: 350040, г. Краснодар, ул. Ставропольская, д. 149, в ауд 231.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФГБОУ ВПО "Кубанский

государственный университет", по адресу: 350040, г. Краснодар,

ул. Ставропольская, д. 149, с авторефератом - на сайте http://www.kubsu.ru/

Автореферат разослан 7 ноября 2012 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, кандидат физико-математических наук, доцент

Барсукова В.Ю.

Общая характеристика работы

Актуальность темы. Современная электроника, являющаяся основным средством обработки и передачи информационных потоков, развивается по двум основным направлениям: интегральной электроники или микроэлектроники, и функциональной электроники. Тенденции развития микроэлектроники обусловлены идеологией больших и сверхбольших интегральных схем и осуществляются в направлении освоения субнаносекундных интервалов времени и нанометровых размеров компонентов сверхвысоких уровней интеграции. Эти достижения, реализующиеся на основе транзисторной схемотехники, при использовании принципа технологической интеграции статических неоднородно-стей - потенциальных барьеров, к которым относятся легированные разными примесями полупроводниковые области активных компонентов интегральных схем, металлические и диэлектрические участки кристалла.

Разработчики интегральных схем первого направления изыскивают возможности уменьшения размеров активных областей, способы обхода технологических и физических барьеров. С этой целью разрабатываются вертикальные структуры, в которых стараются разместить максимум элементов в минимальном пространстве. Активные и пассивные элементы схемы размещаются в объеме, и интегральная схема становится трехмерной.

Второе направление основано на полном отказе от понятия классических схемных элементов и непосредственном использовании физических явлений в твердом теле, связанных с кинетическими, квантовыми, механическими, тепловыми, излучательными и магнитными эффектами, а также явлений в жидких средах, связанных с электрохимическими процессами, для выполнения функций сложных электронных систем.

Эти явления являются физической основой функциональной электроники. Интеграция в функциональной электронике параметрическая, интегрируются функции преобразования, что исключает схемотехнический принцип их формирования, а, следовательно, компонентную и элементную их интеграцию.

V

Физические процессы и явления, происходящие в твердом теле, используются для моделирования функций передачи и преобразования, определяемых способами обработки массивов информации.

Одним из направлений функциональной электроники - является негатро-ника. Эта область электроники связана с теоретическим рассмотрением и практической реализацией электронных приборов, имеющих в своих рабочих режимах отрицательное значение основного дифференциального параметра, в частности, отрицательного активного сопротивления. В настоящее время разработаны различные виды полупроводниковых приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Представителями этого класса приборов являются: мощные сверхвысокочастотные приборы - лавинно-пролетные диоды, ключи на лавинных транзисторах с высоким быстродействием и временем отклика на воздействие, сильноточные полупроводниковые переключатели на динисторах и тиристорах. Развитие этой области электроники проходило неравномерно и, в отличие от классической транзисторной электроники, долгое время не имело четкой теоретической базы.

Первым толчком в исследованиях данного направления считается открытие падающего участка на вольтамперной характеристике полупроводникового точечного диода, сделанное О.В. Лосевым. Также принято считать, что это открытие дало начало эре полупроводниковой электроники.

Однако, успешное развитие больших и сверхбольших микросхем ослабило научный интерес разработчиков от этого направления. Тем не менее, освоение и дальнейшее использование СВЧ диапазона привело к интенсивным поисковым исследованиям физических эффектов и полупроводниковых приборов, обладающих отрицательным сопротивлением. Усилия были направлены на создание полупроводниковых приборов, обладающих отрицательным сопротивлением на высоких и сверхвысоких частотах. Началом поиска путей создания таких СВЧ-приборов было положено Шокли. В ходе экспериментальных исследований были получены практические результаты в виде: диода Ганна, тун-

нельного диода Эсаки, лавинно-пролетного диода и его разновидность ТРА-ПАТТ-диод, инжекционно-пролетный диод.

В низкочастотном диапазоне серьезное практическое распространение получили четырехслойные полупроводниковые структуры типа р-п-р-п и их различные вариации, обладающие отрицательным сопротивлением. В снове принципа работы лежит тиристорный эффект, который обусловлен лавинным умножением носителей на закрытом среднем р-п-переходе. Наиболее широкое применение в схемотехнике получили динисторы и тиристоры. Самые полные теоретические и практические исследования таких тиристорных систем проведены С.А. Гаряиновым и Н.Д. Абезгаузом. Эти приборы могут работать в усилительном, генераторном и ключевом режимах.

Исследование эффекта лавинного умножения в коллекторном переходе биполярного транзистора привело к созданию лавинного транзистора, на вольт-амперной характеристике, которого имеется участок отрицательного сопротивления. Теоретические исследования таких приборов с отрицательным сопротивлением и импульсных устройств на их основе, были проведены В.П. Дьяконовым.

Таким образом, тема диссертационной работы, посвященная разработке математической модели нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур, содержащей элемент с Б-образной вольтамперной характеристикой, учитывающая влияние барьерной емкости и последовательного базового сопротивления, является актуальной.

Объект исследований: процесс генерации релаксационных колебаний тока и напряжения

Предмет исследований: одно- и двухпереходные полупроводниковые структуры

Цели диссертационной работы.

Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур и объяснение с её помощью экспериментальных закономерностей, характе-

ризующих процессы в таких системах.

При этом решались следующие основные задачи:

1. Разработать физическую модель колебательной релаксационной системы, содержащей в качестве необходимого компонента элемент с Б-образной вольтамперной характеристикой

2. Провести исследование нелинейных электрофизических характеристик одно- и двухпереходных полупроводниковых структур

3. Определить электрические и материальные параметры влияющие на возникновение релаксационных колебаний тока и напряжения в одно- и двухпереходных полупроводниковых структурах.

Научная новизна.

1. Построена принципиально новая физическую модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, содержащей элемент с Б-образной вольтамперной характеристикой.

2. Впервые исследованы электрические и частотные параметры генерируемой неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных полупроводниковых структурах с Б-образной вольтамперной характеристикой в эмитгерном переходе, выполненных по технологии термовакуумного напыления. Получены релаксационные колебания тока, и напряжения при внешнем электрическом напряжении до 40 Вольт частотами до 6 МГц на двухпереходных структурах.

3. Впервые показана возможность реализации релаксационной колебательной системы в едином полупроводниковом кристалле, в объеме которого присутствуют необходимые активные элементы с Б-образной вольтамперной характеристикой, емкостью поверхностно-барьерного перехода и нагрузочным сопротивлением базовой области. Параметры активных элементов, используемых в физической модели, связаны с геометрическими размерами однопереходной полупроводниковой структуры и

электрофизическими свойствами материала, образующего поверхностно-барьерный переход.

4. Впервые дано объяснение возбуждению релаксационной неустойчивости тока и напряжения в широком диапазоне рабочих напряжений (3-40 Вольт).

Научная и практическая значимость

1. Предложенная физическая модель релаксационной колебательной системы, содержащей элемент с вольтамперной характеристикой Б-типа и барьерную емкость, позволила соотнести рассматриваемую систему с аналогичной системой, рассмотренной в радиофизике. Полученные в работе теоретические выводы в большей степени соответствуют результатам экспериментальных исследований неустойчивости тока и напряжения в одно- и двухпереход-ных структурах, чем ранее предложенные модель процессов обмена поверхностных состояний и глубоких энергетических уровней с зоной проводимости полупроводникового кристалла под действием электрического поля, модель, использующей упрощенную эквивалентную схему двухпереходной структуры и модель, использующей эквивалентную схему для объяснения усиления тока и накопления неосновных носителей заряда в базовой области двухпереходной структуры.

2. Результаты диссертационной работы нашли применение в учебном процессе физико-технического факультета в изучении физических явлений, происходящих в полупроводниковых приборах.

Достоверность полученных результатов

Созданная физическая модель основана хорошо апробированной методике расчета релаксационной колебательной системы используемой в радиофизике. Применение математической модели подтверждается хорошим совпадением экспериментальных и теоретических данных.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Физическая модель нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур, содержащей активный

элемент с S-образной вольтамперной характеристикой.

2. Результаты исследования электрических и частотных параметров неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных структурах выполненных по технологии термовакуумного напыления.

3. S-образная вольтамперная характеристика эмитгерного перехода является необходимым и достаточным условием возникновения релаксационных колебаний.

Личное участие автора в получении научных результатов Изготовлены образцы двухпереходных полупроводниковых структур с использованием технологии термовакуумного напыления; проведены измерения электрофизических характеристик двухпереходных структур; плучено аналитическое выражение для S-образных вольтамперных характеристик поверхностно-барьерного перехода двухпереходных структур; разработана математическая модель нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур; проведены расчеты длительности фаз колебаний, амплитуды напряжения и тока.

Апробация. Основные положения диссертации докладывались на пятая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1998); шестая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1999); седьмая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 2000); восьмая всероссийская научно - техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 2002); Semiconductor Devise Research Symposium (University of Virginia, 1999); седьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Санкт-Петербург, 2001), девятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Красноярск, 2003), десятая Всероссийская научная конфе-

ренция студентов-физиков (Москва, 2004), двенадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Новосибирск, 2006), четырнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Уфа, 2008), пятнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Кемерово-Томск, 2009), семнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Екатеринбург, 2011), третьей международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2002), международной научной конференции «Излучение и рассеяние ЭМВ ИРЭМВ-2005» (Таганрог, 2005), третьей Всеросийской научной конференции молодых ученых и студентов (Краснодар, 2006), научно-технической конференции «Космическая энергетика» (Краснодар, 2011), семнадцатой Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (Краснодар, 2011), восемнадцатой Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (Краснодар, 2012), международной конференции «Инноватика-2011» (Ульяновск, 2011), Всероссийская заочная научно-практическая конфе-ренци «Современные проблемы физики, биофизики и инфокоммуникационных технологий» (Краснодар 2012)

Область исследований: содержание диссертационного исследования соответствует пунктам 4, 6, 7, 9, 17, 18 паспорта специальности 01.04.10 - физика полупроводников.

Публикации. По теме диссертационной работы опубликованы 26 печатных работ, из них 3 в изданиях из перечня рецензируемых научных журналов и изданий.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, 4-х глав, заключения. Список использованной литературы содержит 189 наименований. Текст диссертации содержит 134 страницы машинописного текста, включая 75 рисунков.

Содержание работы

Во введении обоснована актуальность диссертационной работы, сформулированы научная задача, на решение которой были направлены исследования, проведенные в диссертационной работе, цель работы, основные положения, выносимые на защиту, отмечены научная новизна и практическая значимость полученных результатов.

Первая глава посвящена обзору отечественных и зарубежных научных работ, связанных с исследованием процессов неустойчивости электрического тока в различных полупроводниковых структурах. Кратко рассмотрены неустойчивости тока в однородных полупроводниках, более подробно рассмотрены работы по неустойчивости тока в неоднородных полупроводниковых структурах. Была выработана следующая классификация неустойчивости тока и напряжения в полупроводниковых структурах:

а) рекомбинационные волны;

б) термоэлектрическая неустойчивость;

в) неустойчивость тока в однопереходных структурах;

г) неустойчивость тока, обусловленная наличием потоков носителей между различными типами центров, создающие глубокие уровни в запрещенной энергетической зоне полупроводника;

д) поверхностно-барьерная неустойчивость тока.

Далее приведен обзор ранее проведенных исследований одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. В частности рассмотрены способы получения и результаты исследования электрофизических характеристик. Исследовано воздействие оптического излучения и магнитного поля на электрофизические характеристики рассматриваемых структур.

Проведен анализ физико-математического описания процессов обмена носителей заряда в поверхностно-барьерном переходе. Рассмотрены эквивалентные схемы двухпереходных структур, на основе которых проводился анализ возникновения колебательного режима работы и процессов

усиления тока.

В заключение к первой главе сформулированы задачи, которые позволяют выявить несоответствие существующих теоретических моделей и массивом экспериментальных данных

Вторая глава посвящена технологическим аспектам изготовления образцов одно- и двухпереходных структур и методике исследования их электрофизических параметров.

Для изготовления образцов структур были использованы следующие методы:

- тренировка игольчатого контакта импульсами тока;

.....- осаждение металла на поверхность полупроводника электрохимическим

способом;

- низкотемпературное сплавление навесок металла, находящихся на поверхности полупроводника;

- изготовление окисной пленки на поверхности полупроводника с последующим термическим напылением металлических контактов.

Для изготовления образцов однопереходных полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом, использовались монокристаллы германия п-типа с удельным сопротивлением р=25 Ом-см и кремния п-типа с удельным сопротивлением р =7 Ом ■ см.

Образцы двухпереходных структур изготавливались с использованием кремниевых эпитаксиальных пластины с подложкой р+-типа с удельным сопротивлением р=0,01-=-1 Ом-см, с эпитаксиальным слоем п-типа толщиной 4,5-46 мкм и с удельным сопротивлением р=2,5-*-8 Ом-см, выращенный по промышленной технологии. Для изготовления экспериментальных образцов со сплавными р-п-переходами использовались пластины германия и кремния п-типа (германий с удельным сопротивлением р=10 Ом-см и кремний р=7,5 Ом-см), которые вырезались из слитков в кристаллографическом направлении . Диаметр получаемых в результате пластин составлял 6-8 мм и толщина 200-300

мкм. Из пластин с готовым эпитаксиальным р-п-переходом вырезались образцы с геометрическими размерами от 1 *2 мм2 до 4x6 мм2.

Был проведен анализ структуры поверхностно-барьерного перехода на основе данных об энергии ионизации примесей, использованных для изготовления, и на основе фазовых диаграмм двухкомпонентных систем металл-полупроводник.

Рассмотрены методики исследования электрофизических свойств двухпе-реходных структур. Существует 24 варианта подключения образцов двухпере-ходных структур к измерительным разъемам измерителя параметров полупроводниковых приборов при различных комбинациях полярностей подаваемых напряжений на выводы образцов, при помощи которых можно получить семейства вольтамперных характеристик.

Образцы подключались к измерительным разъемам по схеме с общей базой, с общим эмиттером и общим коллектором.

Для однопереходных структур приведены методики исследования области поверхностно-барьерного перехода представляющего собой контакт металл-полупроводник.

Третья глава содержит результаты исследований и анализ электрофизических характеристик одно- и двухпереходных структур. Приведены вольтам-перные характеристики двухпереходных структур с различными активными контактами при различных схемах включения.

На основе анализа вольтамперных структур, проведена их строгая классификация по способу приложения внешних электрических воздействий. Выявлена закономерность возникновения отрицательного дифференциального сопротивления в зависимости от схемы подключения и величины внешних электрических воздействий.

В четвертой главе предложена эквивалентная схема полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, с помощью которой было получено аналитическое выражение для периода колебаний тока и напряжения. Данная схема содержит следующие минимально необходимые элементы: по-

верхностно-барьерный переход, обладающий вольтамперной характеристикой Б-типа, барьерная емкость перехода и сопротивление базовой области однопе-реходной структуры, играющей роль последовательной нагрузки. Изучено влияние типа емкости контакта с поверхностно-барьерным переходом на длительность отдельных фаз протекания тока через полупроводниковую структуру. Выявлена взаимосвязь между химическим составом полупроводника, используемого для изготовления образцов полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом и частотой колебаний тока и напряжения.

Для двухпереходной структуры физическая модель доработана с учетом локализации элемента с Б-образной вольтамперной характеристикой и барьерной емкости в эмиттерном переходе. Проведено аналитическое численное моделирование Б-образной вольтамперной характеристики эмиттерного перехода на основе соотношений Эберса-Молла. Установлена связь между материальными параметрами, параметрами внешних электрических воздействий и величинами возникающих релаксационных колебаний тока и напряжения.

Основные результаты работы

1. Построена математическая модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, содержащей элемент с Б-образной вольтамперной характеристикой, учитывающая влияние барьерной емкости и последовательного базового сопротивления. Получена высокая степень соответствия расчетов произведенных с помощью построенной модели и экспериментальными данными

2. Исследованы генерация неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных полупроводниковых структурах выполненных по технологии термовакуумного напыления и содержащей Б-образную вольтамперную характеристику в эмиттерном переходе. Впервые были получены релаксационные колебания тока и напряжения при внешнем электрическом

напряжении до 40 Вольт частотами до 6 МГц на двухпереходных структурах. Установлен высокий процент выхода годных структур, обладающих возможностью реализации релаксационной колебательной системы

3. Установлена возможность реализации релаксационной колебательной системы в едином полупроводниковом кристалле, в объеме которого присутствуют необходимые активные элементы с Э-образной вольтамперной характеристикой, емкостью поверхностно-барьерного перехода и нагрузочным сопротивлением базовой области. Параметры активных элементов, используемых в математической модели, связаны с геометрическими размерами однопереходной полупроводниковой структуры и электрофизическими свойствами материала, образующего поверхностно-барьерный переход.

4. Дано объяснение рабочим напряжениям (3+40 Вольт), при которых наблюдается релаксационная неустойчивость тока и напряжения в двухпереходных структурах. Получено соответствие экспериментальных и расчетных величин частот (1+6 МГц), возникающей неустойчивости тока и напряжения. Показано, что в зависимости от сочетания внешенего электрического воздействия и материальных параметров можно получить объекты, реализующие релаксационную колебательную систему в двухпереходных структурах, с иными выходными электрическими параметрами

Основное содержание диссертации изложено в следующих публикациях:

Статьи в журналах, рекомендованных ВАК для опубликования научных результатов:

1. Муравский, Б.С. Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе/ Б.С. Муравский, Г.П. Рубцов, JI.P. Григорьян, О.Н. Куликов // Журнал радиоэлектроники (электронный журнал), 2000. - № 10. http://ire.cplire.rU/win/oct00/2/text.html < 15 октября 2012 г.>

2. Муравский, Б.С. Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитак-сиальных р+-п-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе/ Б.С. Муравский, О.Н. Куликов, В.Н. Черный // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37.-вып. 4.-С. 393-397.

3. Богатов, Н.М. Колебательная система релаксационного типа на основе полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом / Н.М. Богатов, JI.P. Григорьян, О.Н. Куликов // Экологический вестник научных центров ЧЭС, 2012. - №5. - С.1-5.

Публикации в других изданиях:

1. Григорьян, JI.P. Фотоэлектрические характеристики транзисторных структур с распределенным эмиттерным переходом / JI.P. Григорьян, Б.С. Муравский, О.Н. Куликов // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. - 1998. — С. 154.

2. Куликов, О.Н. Динамика накопления заряда в транзисторных структурах с распределенным эмиттерным переходом / О.Н. Куликов, Г.П. Рубцов, М.Г. Барышев // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. - 1998. - С. 155.

3. Muravskiy, В.S. Transistor structures with the distributed emitter and active contact to admixtures, which are leading in deep energy levels / Muravskiy, B.S.,

Kulikov O.N. //Proceedings of 1999 international semiconductor Devise Research Symposium University of Virginia, — p. 160-163.

4. Куликов, О.H. Воздействие излучения на параметры колебаний функционального генератора на основе транзисторной структуры с распределенным эмиттером / Куликов О.Н., Муравский Б.С., Рубцов Г.П., Черный В.Н. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды VI Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. - 1999. - С. 121.

5. Муравский, Б.С. Функциональные фотоприемники на основе транзисторных структур с распределенным эмиттером / Б.С. Муравский, О.Н. Куликов, М.А. Жужа, С.Ф. Голиков // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. — 2000. — С. 313.

6. Куликов, О.Н. Туннельная спектроскопия глубоких центров в транзисторных структурах с распределенным р+-п-переходом / О.Н. Куликов, М.А. Жужа, В.Н. Черный // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: труды V Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. - 2002. - С. 10.

7. Муравский, Б.С. Фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным р+-п-переходом / Б.С. Муравский, О.Н. Куликов, H.A. Яковенко // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов 3-й международной конференции. СПб. - 2002 - С. 25.

8. Куликов, О.Н. Перезарядка глубоких уровней сильным электрическим полем как метод исследования их параметров / О.Н. Куликов, Б.С. Муравский // 7-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. СПб. - 2001 - С. 196.

9. Куликов, О.Н. Прибор «Туннелистор» и его биологический аналог — химический синапс / О.Н. Куликов, H.H. Куликова // 9-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. Красноярск. - 2003. - С. 818.

10. Куликов, О.Н. Кинетика накопления заряда неосновных носителей в транзисторных структурах с распределенным эмиттером / О.Н. Куликов // 10-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. М. -2004.-С. 201.

11. Куликов, О.Н. Моделирование генераторов на диодных структурах с поверхностно-барьерным переходом / О.Н. Куликов, С.А. Вызулин // 12-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. Новосибирск. - 2006. - С. 222.

12. Куликов, О.Н. Модель релаксационного генератора на транзисторной структуре с распределенным р-п-переходом / О.Н. Куликов, H.H. Куликова, Н.В. Куликов // 14-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. Уфа. - 2006. - С. 197.

13. Куликов, О.Н. Анализ влияния технологического фактора на электрофизические свойства транзисторных структур с р+-п-переходом / О.Н. Куликов, H.H. Куликова // 15-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. Кемерово. -2009. - С. 205.

14. Куликов, О.Н. Инверсная S-образная характеристика двухпереход-ной полупроводниковой структуры / О.Н. Куликов, Н.М. Богатов, Л.Р. Григорь-ян // 17-я Всероссийская научная конференция студентов физиков: сборник тезисов. Екатеринбург. - 2011.-С.191.

15. Вызулин, С.А. Моделирование автоколебательной системы в диодной структуре с поверхностно-барьерной неустойчивостью тока / С.А. Вызулин, О.Н. Куликов // Излучение и рассеяние ЭМВ: труды международной научной конференции. Таганрог. - 2005. - С. 217.

16. Вызулин, С.А. Численный расчет характеристик релаксационных генераторов на диодах с поверхностно-барьерным переходом / С.А. Вызулин, О.Н. Куликов // Современное состояние и приоритеты развития фундаментальных наук в регионах: труды 3-й Всероссийской научной конференции молодых ученых и студентов. Краснодар. - 2006. - С. 138.

17. Богатов, Н.М. Механизм возникновения Б-характеристики в эмиттере двухпереходной полупроводниковой структуры / Н.М. Богатов, Л.Р. Гри-горьян, О.Н. Куликов // Иноватика-2011: труды Международной конференции. Ульяновск. - 2011. - с 132.

18. Богатов, Н.М. Полупроводниковая структура с поверхностно-барьерным переходом как основа колебательной системы / Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XVII Всероссийской конференции. Краснодар. —2011. — С.184.

19. Григорьян, Л.Р. Накопление носителей заряда в транзисторных структурах с активными энергетическими уровнями / Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов, М.А. Сахно // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XVIII Всероссийской конференции. Краснодар. -2012. - С. 82.

20. Григорьян, Л.Р. Неравновесные процессы в многослойных твердотельных структурах / Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов, М.А. Сахно // Оптика и спектроскопия конденсированных сред: материалы XVIII Всероссийской конференции. Краснодар. - 2012. - С. 89.

21. Куликов, О.Н. Механизм возникновения Б-ВАХ в эмиттере транзисторной структуры / Куликов О.Н. // Научно-техническая конференция «Космическая энергетика». Тезисы докладов. Краснодар. -2011.- С. 10.

22. Богатов, Н.М. Модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом / Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов // Современные проблемы физики, биофизики и инфокоммуникационных технологий: коллективная монография. Краснодар: Краснодарский ЦНТИ. 2012

23. Богатов, Н.М. Измерение вольтамперных характеристик с отрицательным коэффициентом нелинейности / Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, О.Н. Куликов, М.А. Сахно // Современные проблемы физики, биофизики и инфокоммуникационных технологий: коллективная монография. Краснодар: Краснодарский ЦНТИ. 2012

Автореферат

Куликов Олег Николаевич

НЕЛИНЕЙНЫЕ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ ОДНО- И ДВУХПЕРЕХОДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СТРУКТУР

Подписано в печать 01.11.2012. Формат 60x84 1/16. Печать трафаретная. Уч.-изд. л. 1,25. Тираж 100 экз. Заказ № 1008.

350040, г. Краснодар, ул. Ставропольская, 149 Центр «Универсервис», тел. 219-95-51

Введение

1. Неустойчивость электрического тока в полупроводни- \ ^ ках и полупроводниковых структурах

1.1 Классификация явлений неустойчивости тока и напряжения ^ ^ в полупроводниковых структурах

1.2 Экспериментальное исследование поверхностно-барьерной не- ^ у устойчивости тока

1.3 Исследование воздействия оптического излучения на двухпе- 24 реходные структуры

1.4 Исследование воздействие магнитного поля на двухпереходные ^ структуры

1.5 Теоретическое описание поверхностно-барьерной неустойчивости тока. Неравновесные электронные процессы на границе раздела в 31 контакте металл-полупроводник

1.6 Анализ двухпереходной структуры на основе её эквивалентной ^ электротехнической схемы

Выводы к разделу

2. Исследование однопереходных структур с поверхностно-барьерным переходом

2.1 Изготовление образцов однопереходных структур с поверхностно-барьерным переходом

2.2 Методика исследования электрофизических характеристик однопереходных структур

2.3. Результаты исследований физических свойств однопереходных структур

Выводы к разделу

3. Экспериментальное исследование электрических харак- 65 теристик двухпереходных структур

3.1. Методы изготовления и измерения электрофизических характеристик двухпереходных структур

3.2 Вольтамперные характеристики двухпереходных структур, измеренные по схеме с общей базой

3.3 Вольтамперные характеристики двухпереходных структур, измеренные по схеме с общим эмиттером

3.4 Вольтамперные характеристики двухпереходных структур, из- ^ меренные по схеме с общим коллектором

3.5 Исследование электрических характеристик двухпереходных ^ структур изготовленных по технологии термовакуумного напыления

Выводы к разделу

4. Математическое моделирование нелинейных колебательных систем на основе одно- и двухпереходных полупро- 99 водниковых структур

4.1 .Модельные приближения и обоснование эквивалентной схемы 99 4.2. Уравнения состояния колебательной системы на основе поверхностно-барьерного перехода

4.3 Расчет параметров возникающих колебаний

Выводы к разделу

Актуальность темы. Современная электроника, являющаяся основным средством обработки и передачи информационных потоков, развивается по двум основным направлениям: интегральной электроники или микроэлектроники, и функциональной электроники. Тенденции развития микроэлектроники обусловлены идеологией больших и сверхбольших интегральных схем и осуществляются в направлении освоения субнаносекундных интервалов времени и нанометровых размеров компонентов сверхвысоких уровней интеграции. Эти достижения, реализующиеся на основе транзисторной схемотехники, при использовании принципа технологической интеграции статических неоднородно-стей - потенциальных барьеров, к которым относятся легированные разными примесями полупроводниковые области активных компонентов интегральных схем, металлические и диэлектрические участки кристалла.

Разработчики интегральных схем первого направления изыскивают возможности уменьшения размеров активных областей, способы обхода технологических и физических барьеров. С этой целью разрабатываются вертикальные структуры, в которых стараются разместить максимум элементов в минимальном пространстве. Активные и пассивные элементы схемы размещаются в объеме, и интегральная схема становится трехмерной.

Второе направление основано на полном отказе от понятия классических схемных элементов и непосредственном использовании физических явлений в твердом теле, связанных с кинетическими, квантовыми, механическими, тепловыми, излучательными и магнитными эффектами, а также явлений в жидких средах, связанных с электрохимическими процессами, для выполнения функций сложных электронных систем.

Эти явления являются физической основой функциональной электроники. Интеграция в функциональной электронике параметрическая, интегрируются функции преобразования, что исключает схемотехнический принцип их формирования, а, следовательно, компонентную и элементную их интеграцию. Физические процессы и явления, происходящие в твердом теле, используются для моделирования функций передачи и преобразования, определяемых способами обработки массивов информации.

Одним из направлений функциональной электроники - является негатро-ника. Эта область электроники связана с теоретическим рассмотрением и практической реализацией электронных приборов, имеющих в своих рабочих режимах отрицательное значение основного дифференциального параметра, в частности, отрицательного активного сопротивления. В настоящее время разработаны различные виды полупроводниковых приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Представителями этого класса приборов являются: мощные сверхвысокочастотные приборы - лавинно-пролетные диоды, ключи на лавинных транзисторах с высоким быстродействием и временем отклика на воздействие, сильноточные полупроводниковые переключатели на динисторах и тиристорах. Развитие этой области электроники проходило неравномерно и, в отличие от классической транзисторной электроники, долгое время не имело четкой теоретической базы.

Первым толчком в исследованиях данного направления считается открытие падающего участка на вольтамперной характеристике полупроводникового точечного диода, сделанное О.В. Лосевым. Также принято считать, что это открытие дало начало эре полупроводниковой электроники.

Однако успешное развитие больших и сверхбольших микросхем ослабило научный интерес разработчиков от этого направления. Тем не менее, освоение и дальнейшее использование СВЧ диапазона привело к интенсивным поисковым исследованиям физических эффектов и полупроводниковых приборов, обладающих отрицательным сопротивлением. Усилия были направлены на создание полупроводниковых приборов, обладающих отрицательным сопротивлением на высоких и сверхвысоких частотах. Началом поиска путей создания таких СВЧ-приборов было положено Шокли. В ходе экспериментальных исследований были получены практические результаты в виде: диода Ганна, тун5 нельного диода Эсаки, лавинно-пролетного диода и его разновидность ТРА-ПАТТ-диод, инжекционно-пролетный диод.

В низкочастотном диапазоне серьезное практическое распространение получили четырехслойные полупроводниковые структуры типа р-п-р-п и их различные вариации, обладающие отрицательным сопротивлением. В снове принципа работы лежит тиристорный эффект, который обусловлен лавинным умножением носителей на закрытом среднем р-п-переходе. Наиболее широкое применение в схемотехнике получили динисторы и тиристоры. Самые полные теоретические и практические исследования таких тиристорных систем проведены С.А. Гаряиновым и Н.Д. Абезгаузом. Эти приборы могут работать в усилительном, генераторном и ключевом режимах.

Исследование эффекта лавинного умножения в коллекторном переходе биполярного транзистора привело к созданию лавинного транзистора, на вольт-амперной характеристике, которого имеется участок отрицательного сопротивления. Теоретические исследования таких приборов с отрицательным сопротивлением и импульсных устройств на их основе, были проведены В.П. Дьяконовым.

Таким образом, тема диссертационной работы, посвященная разработке физической модели нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур, содержащей элемент с Б-образной вольтамперной характеристикой, учитывающая влияние барьерной емкости и последовательного базового сопротивления, является актуальной.

Объект исследований: процесс генерации релаксационных колебаний тока и напряжения

Предмет исследований: одно- и двухпереходные полупроводниковые структуры

Цель диссертационной работы.

Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур и объяснение с её помощью экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в таких системах.

При этом решались следующие основные задачи:

1. Разработать физическую модель колебательной релаксационной системы, содержащей в качестве необходимого компонента элемент с 8-образной вольтамперной характеристикой

2. Провести исследование нелинейных электрофизических характеристик одно- и двухпереходных полупроводниковых структур

3. Определить электрические и материальные параметры влияющие на возникновение релаксационных колебаний тока и напряжения в одно- и двухпереходных полупроводниковых структурах.

Научная новизна.

1. Построена принципиально новая физическая модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, содержащей элемент с 8-образной вольтамперной характеристикой.

2. Впервые исследованы электрические и частотные параметры генерируемой неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных полупроводниковых структурах с 8-образной вольтамперной характеристикой в поверхностно-барьерном переходе, выполненных по технологии термовакуумного напыления. Получены релаксационные колебания тока и напряжения при внешнем электрическом напряжении до 40 В частотами до 6 МГц на двухпереходных структурах.

3. Впервые показана возможность реализации релаксационной колебательной системы в едином полупроводниковом кристалле, в объеме которого присутствуют необходимые активные элементы с Б-образной вольтамперной характеристикой, емкостью поверхностно-барьерного перехода и нагрузочным сопротивлением базовой области. Параметры активных элементов, используемых в физической модели, связаны с геометрическими размерами однопереходной полупроводниковой структуры и электрофизическими свойствами материала, образующего поверхностно-барьерный переход.

4. Впервые дано объяснение возбуждению релаксационной неустойчивости тока и напряжения в широком диапазоне рабочих напряжений (3-^-40 В).

Научная и практическая значимость

1. Предложенная физическая модель релаксационной колебательной системы, содержащей элемент с вольтамперной характеристикой 8-типа и барьерную емкость, позволила соотнести рассматриваемую систему с аналогичной системой, рассмотренной в радиофизике. Полученные в работе теоретические выводы в большей степени соответствуют результатам экспериментальных исследований неустойчивости тока и напряжения в одно- и двухпереходных структурах, чем ранее предложенные модель процессов обмена поверхностных состояний и глубоких энергетических уровней с зоной проводимости полупроводникового кристалла под действием электрического поля, модель, использующая упрощенную эквивалентную схему двухпереходной структуры и модель, использующая эквивалентную схему для объяснения усиления тока и накопления неосновных носителей заряда в базовой области двухпереходной структуры.

2. Результаты диссертационной работы нашли применение в учебном процессе физико-технического факультета в изучении физических явлений, происходящих в полупроводниковых приборах.

Достоверность полученных результатов

Созданная физическая модель основана хорошо апробированной методике расчета релаксационной колебательной системы используемой в радиофизике. Применение физической модели подтверждается хорошим совпадением экспериментальных и теоретических данных.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Физическая модель нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур, содержащих активный элемент с 8-образной вольтамперной характеристикой. 8

2. Результаты исследования электрических и частотных параметров неустойчивости тока и напряжения в двухпереходных структурах, выполненных по технологии термовакуумного напыления.

3. S-образная вольтамперная характеристика поверхностно-барьерного перехода является необходимым и достаточным условием возникновения релаксационных колебаний.

Личное участие автора в получении научных результатов

Изготовлены образцы двухпереходных полупроводниковых структур с использованием технологии термовакуумного напыления; проведены измерения электрофизических характеристик двухпереходных структур; разработана физическая модель нелинейной колебательной системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур; проведены расчеты длительности фаз колебаний, амплитуды напряжения и тока.

Апробация. Основные положения диссертации докладывались на пятая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1998); шестая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1999); седьмая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 2000); восьмая всероссийская научно - техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 2002); Semiconductor Devise Research Symposium (University of Virginia, 1999); седьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Санкт-Петербург, 2001), девятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Красноярск, 2003), десятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Москва, 2004), двенадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Новосибирск, 2006), четырнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Уфа, 2008), пятнадцатая 9

Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Кемерово-Томск, 2009), семнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков (Екатеринбург, 2011), третьей международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2002), международной научной конференции «Излучение и рассеяние ЭМВ ИРЭМВ-2005» (Таганрог, 2005), третьей Всеросийской научной конференции молодых ученых и студентов (Краснодар, 2006), научно-технической конференции «Космическая энергетика» (Краснодар, 2011), семнадцатой Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (Краснодар, 2011), восемнадцатой Всероссийской конференции «Оптика и спектроскопия конденсированных сред» (Краснодар, 2012), международной конференции «Инноватика-2011» (Ульяновск, 2011), Всероссийская заочная научно-практическая конфе-ренци «Современные проблемы физики, биофизики и инфокоммуникационных технологий» (Краснодар 2012)

Область исследований: содержание диссертационного исследования соответствует пунктам 4, 6, 7, 9, 17, 18 паспорта специальности 01.04.10 - физика полупроводников.

Публикации. По теме диссертационной работы опубликованы 26 печатных работ, из них 3 в изданиях из перечня рецензируемых научных журналов и изданий.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, 4-х разделов, заключения. Список использованной литературы содержит 187 наименований. Текст диссертации содержит 132 страницы машинописного текста, включая 75 рисунков и 3 таблицы.

Выводы к разделу 4

1. Предложена эквивалентная схема однопереходной структуры с поверхностно-барьерным переходом, отражающая физические процессы. Построена физическая модель колебательной релаксационной системы для этой структуры, описывающая форму экспериментально наблюдаемых колебаний тока и напряжения.

2. Б-образная вольтамперная характеристика является необходимым и достаточным условием существования в рассматриваемой системе колебательных процессов.

3. Получено аналитическое выражение для периода колебаний тока и напряжения. Рассчитанная с помощью модели длительность отдельных фаз изменений напряжения II и тока I в однопереходной структуре от напряжения электрического питания согласуется с экспериментальными данными.

4. Для структур, изготовленных из кремния (81) и германия (ве), выявлена взаимосвязь между удельным сопротивлением полупроводника и частотой колебаний тока и напряжения. Используя экспериментальные данные об амплитуде и частоте колебаний напряжения, вычислено значение удельного сопротивления базового слоя полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, соответствующее реальному значению удельного сопротивления для германия и кремния.

Заключение

1. Построена математическая модель колебательной релаксационной системы на основе полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, содержащей элемент с Б-образной вольтамперной характеристикой, учитывающая влияние барьерной емкости и последовательного базового сопротивления. Получена высокая степень соответствия расчетов произведенных с помощью построенной модели и экспериментальными данными

2. Исследованы генерация неустойчивости тока и напряжения в двухпе-реходных полупроводниковых структурах выполненных по технологии термовакуумного напыления. Впервые были получены релаксационные колебания тока и напряжения при внешнем электрическом напряжении до 40 Вольт частотами до 6 МГц на двухпереходных структурах. Процент выхода годных структур, в которых реализуется режим релаксационных колебаний, составил 70%.

3. Установлена возможность реализации релаксационной колебательной системы в едином полупроводниковом кристалле, в объеме которого присутствуют необходимые активные элементы с Б-образной вольтамперной характеристикой, емкостью поверхностно-барьерного перехода и нагрузочным сопротивлением базовой области. Параметры активных элементов, используемых в физической модели, связаны с геометрическими размерами однопереход-ной полупроводниковой структуры и электрофизическими свойствами материала, образующего поверхностно-барьерный переход.

4. Дано объяснение рабочим напряжениям (3+40 В), при которых наблюдается релаксационная неустойчивость тока и напряжения в двухпереходных структурах. Получено соответствие экспериментальных и расчетных величин частот (1+6 МГц) возникающей неустойчивости тока и напряжения. Показано, что в зависимости от сочетания внешенего электрического напряжения (3+40 В) и материальных параметров получены структуры, реализующие релаксационную колебательную систему в двухпереходных структурах, с частотами выходного сигнала 1+6 МГц.

1. Бонч-Бруевич B.JL, Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972.

2. Ливинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна, М. Сов. Радио, 1975.

3. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М., Наука, 1976

4. Posse V.A., Jalali В., Levi A.J. Transferred-electron induced instabilities in heterojunction bipolar transistors// Appl. Phys. Lett. 1995. 66. №24, c.3319-3321

5. Wang Chia-Chi, Currie Marc, Sobolevski Roman, Hsiang Thomas Y. Subpicosecond electrical pulses generation by edge illumination of silicon and indium phosphide photoconductive// Appl. Phys. Lett. 1995. 67, №1, 79-81

6. Gruzinskis V., Starikov E., Starikov P, Reggiani L., Varani L. A double S-type instability in semiconductor heterostructures// J. Appl. Phys. 1995, 77, №11, c.6067-6069

7. Aladashvili D.I., Adamia Z.A., Tzakadze E.I. Travelling electrical domains in hopping conductivity range// Solid State Commun. 1997, 101, №3, c.183-185

8. Мусаев A.M. Автосолитоны в системе электронно-дырочная плаз-ма/экситоны в кремнии при температуре 4,2 К// ФТП, 1999, т.ЗЗ, №10, с.1183-1186

9. Акимов Б.А., Брандт Н.Б., Абдул А.В., Рябова Л.И. Электротехнические неустойчивости, обусловленные метастабильными электронными состояниями в PbTe(Ga)// ФТП, 1997, 31, 2, 133-136

10. Ботоев А.Н., Фок М.В. Осцилляции тока в кристаллах ZnS при возбуждении прямоугольными импульсами// Кратк. сообщ. по физ. 1982, №6, с. 1622

11. Костин А.И., Сатюков А.И. Светличный В.М. Низкочастотная нестабильность напряжения в InSb-NiSb// Укр. физ. ж. 1981, 26, №12, с. 2054-2055

12. Карцивадзе Г.А., Мирианашвили Ш.М., Нанобошвили Д.И. О частоте колебаний тока в высокоомном компенсированном p-InSb// ФТП 1983, 17, №7, 1304-1306

13. Шолкина М.В. Анализ спектра фотоосцилляций в монокристаллах се-ленида цинка со структурными дефектами// Изв. вузов. Физ. 1985, 28, №7, 103105

14. Сенокосов Э.А., Суриков В.Г., Цирулик Л.Г. О механизме доменной неустойчивости в эпитаксиальных слоях Ag-ZnTe:In-Ag// Вестн. Приднестр. унта. 1996, №1, с. 170-174

15. Дрокин H.A., Ганиев Ш.М. Стохастическая неустойчивость тока в CdCr2Se4// ФТТ, 1988, 30, №2, 586-570

16. Дрокин H.A.,. Ганиев Ш.М. Электрическая неустойчивость тока в области пространственной неоднородности поля в полупроводниках// Препр. АН СССР. СО. Ин-т физ. 1991. №683Ф, с. 1-42

17. Гусейнов А.Г., Тагиров В.И., Джафаров М.Б. Стимуляция низкочастотной осцилляции тока в Ag3ln5Se9 ИК-излучением и электрическим полем// Ж. техн. физ. 1990. 60. №10. с.190-192

18. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках, М., Мир, 1977

19. Сабликов В.А. Условия возбуждения рекомбинационных волн в ограниченных полупроводниках//ФТП, 1982, 16, №10, 1759-1767

20. Карпова И.В., Сыровегин С.М. Рекомбинационные волны в германии с золотом//ФТП, 1982, 16, №9, 1601-1605

21. Карпова И.В., Сабликов В.А., Сыровегин С.М. Режим генерации рекомбинационных волн конечной амплитуды// ФТП, 1988, т. 22, №4, 609-612

22. Климовская А.И. Поверхностные рекомбинационные волны в полупроводниках// ФТП, 1982, 16, №11, 2058-2061

23. Бахадырханов М.К., Аскаров Ш.И., Нигматходжаев С.С. Автоколебания тока в кремнии, легированном серой// ФТП, 1987, т. 21, №7, с. 1315-1317

24. Бахадырханов М.К., Парманкулов И.П. Неустойчивость тока в кремнии, компенсированном марганцем, связанная с рекомбинационными волнами// ФТП, 1989, 23, №9, 1646-1650

25. Бахадырханов М.К., Хамидов А., Илиев Х.М., Парманкулов И.П. Возбуждение рекомбинационных волн в кремнии, компенсированном марганцем, при одноосной упругой информации// ФТП, 1991, 25, №10, 1731-1736

26. Бахадырханов М.К., Аскаров Ш.И., Курбанова У.Х. Исследование влияния магнитного поля на условия возбуждения и параметры неустойчиво-стей тока инфранизких частот в Si<S>// ФТП, 27, 1993, №10, 1684-1687

27. Бахадырханов М.К., Азимхуджаев X., Зикрилаев Н.Ф., Сабдуллаев А.Б., Арзикулов Э. Управление условиями возбуждения и параметрами автоколебаний тока в компенсированном кремнии, легированном марганцем// ФТП, 2000, 34, №2, 177-179

28. Baev I.A. Current oscillations in p-InSb<Ge> at helium temperatures// Докл. Бълг. АН, 1991, т. 44, №4, 43-46

29. Baev I.A. Slow recombination waves in magnetic field// Bulg. J. Phys. 1997, т. 24, №3-4, 163-174

30. Baev I.A. Полупроводниковые фильтры на основе рекомбинационных волн. Semiconductor filters based on recombination waves Докл. Бълг. АН, 1998, 51, №3-4, 13-14

31. Корнилов Б.В., Привезенцев В.В., Савин А.В. Моделирование движения импульса неравновесных носителей заряда в предпороговом режиме возбуждения рекомбинационных волн// Микроэлектроника, 1999, т. 28, №4, 308312

32. Kornilov B.V., Privezentsev V.V., Savin A.V. Development of recombination waves instability in Si<Zn>// Тр. ФТИАН. 2000. 16. c. 101-105, 109

33. Ржанов Ю.А., Балкарей Ю.И., Голик JI.JI., Елинсон М.И. Автоволновые процессы в одномерной активной полупроводниковой среде с температур-но-электрической неустойчивостью //ФТП, 1983, 17, №2, 262-268

34. Балкарей Ю.И., Ржанов Ю.А., Голик JI.JL, Елинсон М.И. Автоволновая среда с использованием температурно-электрической неустойчивости в полупроводниках//ФТП, 1982,16, №9, 1558-1565

35. Ржанов Ю.А., Балкарей Ю.И., Голик JI.JL, Елинсон М.И. Автоволновые процессы в триггерной полупроводниковой среде с температурно-электрической неустойчивостью// ФТП, 1983,17, №9, 1545-1548

36. Паксеев В.Е., Голик JI.JL, Елинсон М.И., Якушин В.К. Гистерезис автоколебаний и переключения между неустойчивыми состояниями в сульфиде кадмия с температурно-электрической неустойчивостью// ФТП, 1986, 20, №5, 853-858

37. Голик JI.JL, Гутман М.М., Паксеев В.Е., Бахадырханов М.К., Зикрила-ев Н.Ф., Турсунов А.А. Динамический хаос и гистерезис автоколебаний в Si<Mn>, обусловленная температурно-электрической неустойчивостью// ФТП, 1987, 21, №8, 1400-1403

38. Балкарей Ю.И., Голик JI.JL, Паксеев В.Е., Ржанов Ю.А. Экспериментальное и численное исследование стохастической динамики температурно-электрической неустойчивости в полупроводниках// ФТП, 1987, 21, №8, 13691378

39. Голик JI.JL, Гутман М.М., Паксеев В.Е. Бифуркация удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания// ФТП, 1990, 24, №7, 1259-1264

40. Доскоч В.П., Панкевич З.В., Раренко Н.М., Семенюк А.К., Федосов А.В. Температурно-электрическая неустойчивость в монокристаллах антимо-нида кадмия// Изв. вузов. Физ. 1989, 32, №4, 108-109

41. Golik L.L., Gutman М.М., Paskeev V.E. Nonlinear oscillations and chaos in CdS single crystals under temperature-electric instability conditions// Phys. status solidi. B. 1990,162, №1, 189-211

42. Бахадырханов M.K., Камилов C.C. Температурно-электрическая неустойчивость в кремнии, легированном марганцем //ФТП, 1976, т. 10, с. 760-761

43. Бахадырханов М.К., Зикрилаев Н.Ф. Низкочастотные колебания тока с большой амплитудой в компенсированном марганцем кремнии// ФТП, 1984, 18, №12, 2220-2222

44. Бахадырханов М.К., Зикрилаев Н.Ф., Турсунов A.A., Аскаров A.A. Спектральная и температурная зависимости температурно-электрической неустойчивости в Si<Mn>// «Докл. АН УзССР», 1985, №5, 26-28

45. Бахадырханов М.К., Аскаров Ш.И., Зикрилаев Н.Ф. Влияние магнитного поля на температурно-электрическую неустойчивость в кремнии, легированном марганцем// ФТП, 1986, 20, №3, 423-426

46. Аскаров Ш.И., Зикрилаев Н.Ф., Абдураимов А., Илиев Х.М. Влияние упругого сжатия в направлении 100. на параметры ТЭН в кремнии, легированном марганцем// ФТП 1986, 20, №9, 1561-1564

47. Аскаров Ш.И., Зикрилаев Н.Ф. Влияние степени компенсации и концентрации примесей на температурно-электрическую неустойчивость в кремнии// «Докл. АН УзССР», 1986, 20, №9, 26-28

48. Бахадырханов М.К., Зикрилаев Н.Ф., Аскаров Ш.И., Турсунов A.A., Абдурахманов Х.Г. Температурно-электрическая неустойчивость в Si<Mn> при комбинированном освещении// «Докл. АН УзССР», 1987, 21, №12, 22-24

49. Баходирхонов М.К., Зикрилаев Н.Ф., Эгамбердиев Б.Э. Автоколебательные процессы компенсированном кремнии// Радиотехн. и электрон. 1998, 43, №3, 300-308

50. Жданова Н.Г., Каган М.С., Калашников С.Г. Термотоковая неустойчивость в компенсированном германии// ФТП, 1983,17, №10, 1852-1854

51. Чайка Г. Е., Вавилов С. Е., Панфилова С.В. Неустойчивость сильно легированного полупроводника в условиях джоулева разогрева// ФТП, т. 25, вып. 2, 1991, стр. 336-338

52. Аблязимова H.A., Вейнгер А.И., Питанов B.C. Электрические свойства кремниевых р-п-переходов в сильных СВЧ полях// ФТП, 1988, 22, №11, стр. 2001-2007

53. Аблязимова Н.А., Вейнгер А.И., Питанов B.C. Влияние сильного СВЧ поля на фотоэлектрические характеристики кремниевых р-п-переходов// ФТП, 1992, 26, №6, стр. 1041-1047

54. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе р-п-перехода в СВЧ поле// ФТП, 1998, 32, №11, стр. 1399-1402

55. Блонскис В., Репшас К. Неустойчивость тока и напряжения при шну-равании тока в кремниевых п+-п-п+-структурах. Лит. физ. сб. 1987, 27, №6, с.708-713

56. Гаман В.И., Фукс Г.М. Осцилляции напряжения на p-n-v-n-структурах на основе GaAs(Fe) при прямом смещении// Изв. вузов. Физ. 1982, 25, №7, 115116

57. Карпова Г.Ф., Гаман В.Н., Караваева Г.Ф., Шумская Е.Г. Осцилли-сторный эффект в кремнии// ФТП, 1985, 19, №2, 343-345

58. Гуламов Ш.М., Абдугафуров A.M. О температурном критерии возбуждения осциллистора на германиевых р+-п-п+-структурах. Изв. АН УзССР. Сер. физ.-мат. н. 1983, №5, с.70-71

59. Реклайтис А., Юнявичус Д. Неустойчивость фотовозбужденных носителей в субмикронной структуре p+-i-n+. Лит. физ. сб. 1986, 26, №5, 576-581

60. Abe Yutaka. Simulation of negative resistance and current instabilities in a p-i-n Si diode// Semicond. Sci. And Technol. 1994, 9, №58, c.603-606

61. А.А. Панкратов, P.А. Сурис, Б.И. Фукс. Особенности импеданса и фотоотклика компенсированных полупроводников при разогреве носителей// ФТП, 1981, 15, №10, с.1923-1927

62. Панкратов А.А. Релаксационная электрическая неустойчивость коротких образцов монополярных полупроводников. ФТП, 1982, 16, №7, с. 13041305

63. Coleman Paul D., Freeman Jay, Morkoc H., Hess K., Streetman В., Keever M. Demonstration of a new oscillator based on real-space transfer in heterojunctions// Appl. Phys. Lett. 1982, 40, №6, 493-495

64. Van Hall P J., Kokten H. A model for the current instabilities in GaAs-AlGaAs heterojunction// J. Appl. Phys. 1996, 79, №4, c. 1955-1960

65. Вейнгер А.И., Кочарян А.А. О механизме возникновения генерации на р-п-переходе с горячими носителями заряда// ФТП, 1982,16, №2, 305-311

66. А.И. Вейнгер, А.А. Кочарян. Сравнительное исследование колебаний на n-р-переходе, на сетке тиратрона и на мембране нервной клетки// ФТП, 1982, т. 16, №7, 1224-1229

67. Пашковский А.Б. Переменный пространственный заряд и неоднозначность квантовых состояний в двухбарьерных структурах// ФТП, 2000, 34, №3, с.340-348

68. Kuwano Hiroshi, Into Jun-ichi, Endo Katsumi. Oscillation in semiconductors with a dumbbell-shaped structure// Jap. J. Appl. Phys. 1982. Part I, 21, №6, 896901

69. Endo Katsumi, Hirasawa Masao, Murayama Takashi, Oinuma Morihide, Kuwano Hiroshi. Current oscillation and potential oscillation with a dumbbell-shaped structure// Jap. J. Appl. Phys. 1985, Ptl, 24, №3, 311-316

70. Hirasawa Masao, Murayama Takashi, Oinuma Morihide, Kuwano Hiroshi. Current oscillation in semiconductors with a dumbbell-shaped structure// Jap. J. Appl. Phys. 1985, Ptl, 24, №12, 1678-1681

71. Yoshida S., Akiba Y., Kurosu Т., Iida M. A SOGICON type instability in silicon//Appl. Phys. 1984, A35, №3, 145-148

72. Бонч-Бруевич B.JI., Ле By Ки. Стохастические автоколебания концентрации носителей заряда в полупроводнике с примесями// Ж. эксперим. и теор. физ. 1983, 85, №5, 1701-1706

73. Bonch-Bruevich V.L. Stochastic self-oscillations in low mobility semiconductors// Phys. Disorder Mater.: New York, London, 1985, 633-644

74. Бассани Ф., Бонч-Бруевич В.Л. Стохастические автоколебания в примесном полупроводнике с интенсивной подсветкой// Ред. ж. Изв. вузов. Физ. Томск. 1986.

75. Bonch-Bruevich V.L. Stochastic self-oscillations in an extrinsic semiconductor under intense illumination//Nuovo cim. 1986, D7, №6, 755-766

76. Бумялене С.Б., Пирагас K.A., Пожела Ю.К., Тамашаявичус A.B. Хаотические автоколебания фотопроводимости n-Ge(Ni)// ФТП, 1986, 20, 7, с. 11901194.

77. Бумялене С.Б., Пожела Ю.К., Тамашаявичус A.B. Хаотические автоколебания проводимости в неоднородно фотовозбужденном n-Ge(Ni)// ФТП,1986, 20, 7, с. 1327-1329.

78. Bumeliene S., Pozela J., Tamasevichius A. Period multiplying and chaotic response in driven n-Ge with repulsive defect centers// Phys. status solidi. B, 134, №1, K71-K74

79. Bumeliene S.B., Pozela Yu.K., Pyragas K.A., Tamasevichius A. Chaotic bihavior of hot electron plasma in Ni-compensated Ge// Physica, 1985, ВС 134, №13: Proc. 4 Int. Conf. Hot Electrons Semiconductors, Innsbruck, 8-12 July, 1985, 293298

80. Weman H., Henry A., Monemar B. Spontaneous oscillations and chaos in silicon induced by excitonic impact ionzation// Solid-State Electron. 1989, 32, №12, c.1563-1566

81. Воронков Э.Н. Токовая неустойчивость в солнечных элементах на основе a-Si:H, возникающая после засветки. ФТП, т.35, №6, 703-706

82. Peinke J., Mühlbach A., Huebener R.O., Parial J. Spontaneous oscillations and chaos in p-germanium// Phys. Lett. 1985, A108, №8, 407-412

83. Röhricht В., Wessely В., Pienke J., Mühlbach A., Parisi J., Huebener R.P. Chaos and Hyperhaos in the post-breakdown regime of p-germanium// Physica, 1985, ВС 134, №1-3: Proc. 4 Int. Conf. Hot Electrons Semiconductors, Innsbruck, 8-12 July, 1985,281-287

84. Schöll E., Parisi J., Röhricht В., Peinke J., Huebener R.P. Spatial correlatoins of chaotic oscillations in the post-breakdown regime of p-Gell Phys. Lett.1987, Al 19, №8, 419-424

85. Pienke J., Parisi J., Mühlbach A., Huebener R.P. Different types of current instabilities during low-temperature avalanche breakdown of p-germanium// Naturforsch. 1987, 42, №5, 441-443

86. Pienke J., Parisi J., Röhricht B., Mayer K.M., Rau U., Huebener R.P. Spatio-temporal instabilities in the electric breakdown of p-germanium// Solid-State Electron, 1988, 31, №3-4, 817-820

87. Pienke J., Parisi J., Röhricht B., Mayer K.M., Rau U., Clauß W., Huebener R.P., Jungwirt G., Prettl W. Classification of current instabilities during low-temperature breakdown of p-germanium// Appl. Phys. A. 1989, 48, №2, c. 155-160

88. Teitwoth S.W. The physics of space charge instabilities and temporal chaos in extrinsic photoconductors. Appl. Phys. A. 1989. 48, №2, 127-136

89. Pienke J., Rau U., Clauss W., Richter R., Parisi J. Critical dynamic near the ouset of spontaneous oscillations in p-germanium// Europhys. Lett. 1989, 9, №8, 743748

90. Rau U., Clauss W., Kittel A., Lehr M., Bayerbach M., Parisi J., Pienke J. Huebener R.P. Classification of spontaneous oscillations at the onset of avalanche breakdown in p-type germanium// Phys. Rev. B. 1991, 43, №3, c.2255-2262

91. Richter R., Pienke J., Clauss W., Rau U., Parisi J. Evidence of type-Ill in-termittency in the electric breakdown of p-germanium// Europhys. Lett. 1991, 14, №1, c.1-6

92. Schöll Eckehard. Nonlinear energy relaxation oscillations and chaotic dynamics of hot carriers. Solid-State Electron, 1988, 31, №3-4, 539-542

93. Schöll E. Theoretical approaches to nonlinear and chaotic dynamics of generation-recombination processes in semiconductors// Apll. Phys. A. 1989. 48, №2, c.95-106

94. Schöll E., Hüpper G., Rein A. Dinamic Hall effect of hot electrons as a novel mechanism for current oscillations, chaos and intermittency// Semicond. Sei. And Technol. 1992, 7, №7, №3B, C.B480-B482

95. Джандиери К. M., Качишвили З.С. Возникновение двойного предельного цикла при предельном пробое компенсированного полупроводника при закороченной эдс Холла ФТП 2001, т.35, №8, с. 909-912

96. Джандиери К. М., Качишвили З.С. Незатухающие автоколебания в компенсированном полупроводнике в условиях примесного пробоя при наличии магнитного поля. Письма в ЖТФ, 1997, т. 23, №16, с. 62-66

97. Kaminska M., Parsey J.M., Logowski J., Gatos H.C. Current oscillations in semi-insulating GaAs associated with field-enhanced capture electrons by the major deep donor EL2// Appl. Phys. Lett., 1982, 41, №10, p. 989-991

98. Maracas G.N., Johnson D.A., Goronkin H. Experimental evaluation of low-frequency oscillations in undoped GaAs to probe deep level parameters// Appl. Phys. Lett. 1985, 48, №3, 305-307

99. Maracas G.N., Porod W., Johnson D.A., Ferry D.K., Goronkin H. Low-frequency oscillations and routes to chaos in semi-insulating GaAs// Proc. 4 Int. Conf. Hot Electrons Semiconductors, 96960 Innsbruck, 8-12 July, 1985, 276-280

100. Pozela J, Tamasevicius A., Ulbikas J. Quantitative characterization of chaotic current oscillations in GaAs:Cr// Solid-State Electron, 1988, 31, №3-4, SOSSOS

101. Вайткус Ю., Килюлис P.-П., Стораста Ю. Влияние магнитного поля на инфранизкочастотные автоколебания тока в дислокационном полуизолирующем арсениде галлия. Лит. физ. сб. 1989, 29, №4, 514-516

102. Spangler J., Brandi A., Prettl W. Sequence of different types of nonlinear current oscillation in n-GaAs. Appl. Phys. A. 1989, 48, №2, 143-147

103. Brandi A., Krôninger W., Prettl W., Obermair G. Hall voltage collapse at filamentary current flow causing chaotic fluctuations in n-GaAs Phys. Rev. Lett. 1990, 64, №2, c.212-215

104. Воронин И.Н. Температурно-концентрационно-полевые автоколебания в условиях примесного пробоя. МГУ. М., 1983. (Рукопись деп. в ВИНИТИ ЗОавг. 1983 г. №4813-83)

105. Воронин И.Н. Температурно-полевые автоколебания в образце с мелкими донорами МГУ. М., 1983. (Рукопись деп. в ВИНИТИ 9 нояб. 1983 г. №5992-83)

106. Воронин И.Н. Стохастические автоколебания в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя. Изв. вузов. Физ. 1984, 27, №11,81-90

107. Voronin I.N. Two kinds of self-oscillations and the flip-flop effect in a semiconductor with shallow donors. Phys. status solidi, 1984, В124, №2, 793-798

108. Iqbal M. Zafar, Grimmeiss H.G. Oscillations in the photoconductivity of Si:Au: possible newevidence for chaos. Phys. Rev. B: Condens. Matter, 1987, 35, №6,3017-3019

109. Муравский Б.С. Влияние излучения на параметры колебаний поверхностно-барьерного генератора // ФТП, 1975, 9, с. 1140-1142

110. Муравский Б.С., Кузнецов В.И., Фризен Г.И., Черный В.Н. Исследование кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости тока // ФТП, 1972, Т6, вып 11, С. 2114-2122.

111. Муравский Б.С., Черный В.Н., Яманов И.Л., Потапов А.Н., Жужа М.А. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с туннельно-прозрачным окислом//Микроэлектроника. 1989. Т18. №4. С.304-309

112. Богатов Н.М., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Колебательная система релаксационного типа на основе полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом // Экологический вестник научных центров ЧЭС, 2012, №5, с. 1-5.

113. Муравский Б.С., Куликов О.Н., Яковенко H.A. Фотоэлектрические свойства транзисторных структур с распределенным р+-п-переходом. // Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Сборник трудов 3-й международной конференции

114. Куликов О.Н., Муравский Б.С. Перезарядка глубоких уровней сильным электрическим полем как метод исследования их параметров // 7-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов. Санкт-Петербург, 2001, с 196

115. Куликов О.Н., Куликова H.H. Прибор «Туннелистор» и его биологический аналог химический синапс // 9-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов. Красноярск, 2003, с. 818

116. Куликов О.Н. Кинетика накопления заряда неосновных носителей в транзисторных структурах с распределенным эмиттером // 10-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов, Москва, 2004, с. 201

117. Куликов О.Н., Вызулин С.А. Моделирование генераторов на диодных структурах с поверхностно-барьерным переходом // 12-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов, Новосибирск, 2006,с. 222

118. Куликов О.Н., Куликова H.H., Куликов Н.В. Модель релаксационного генератора на транзисторной структуре с распределенным р-п-переходом // 14-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов, Уфа, 2006, с. 197

119. Куликов О.Н., Куликова H.H. Анализ влияния технологического фактора на электрофизические свойства транзисторных структур с р+-п-переходом // 15-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов, Кемерово, 2009, с. 205

120. Куликов О.Н., Богатов Н.М., Григорьян JI.P. Инверсная S-образная характеристика двухпереходной полупроводниковой структуры // 17-я Всероссийская научная конференция студентов физиков. Сборник тезисов, Екатеринбург, 2011, с. 191

121. Вызулин С.А., Куликов О.Н. Моделирование автоколебательной системы в диодной структуре с поверхностно-барьерной неустойчивостью тока // Излучение и рассеяние ЭМВ. Труды международной научной конференции. Таганрог, 2005, с. 217

122. Богатов Н.М., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Механизм возникновения S-характеристики в эмиттередвухпереходной полупроводниковой структуры // Иноватика-2011. Труды Международной конференции. Ульяновск, 2011, с 132

123. Григорьян Л.Р., Куликов О.Н., Сахно М.А. Накопление носителей заряда в транзисторных структурах с активными энергетическими уровнями // Оптика и спектроскопия конденсированных сред. Материалы XVIII Всероссийской конференции. Краснодар, 2012, с. 82

124. Григорьян Л.Р., Куликов О.Н., Сахно М.А. Неравновесные процессы в многослойных твердотельных структурах // Оптика и спектроскопия конденсированных сред. Материалы XVIII Всероссийской конференции. Краснодар, 2012, с. 89

125. Куликов О.Н. Механизм возникновения S-BAX в эмиттере транзисторной структуры // Научно-техническая конференция«Космическая энергетика». Тезисы докладов. Краснодар, 2011, с. 10

126. Григорьян J1.P., Муравский Б.С., Яманов И.Л. Труды международного форума по проблемам науки, техники и образования// М. 1997, с. 48-50

127. B.S. Muravskiy, L.R. Grigorian. Proceedings of 1997 international semiconductor Devise Research Symposium University of Virginia, p. 233-236

128. Муравский Б.С. Неравновесные процессы и токовая неустойчивость в контактах металл-полупроводник. Докторская диссертация, 1983

129. Косман М.С., Муравский Б.С. Возникновение колебаний тока в кремнии при высоких импульсных напряжениях// ФТТ. 1961. т.З, №11, с.2504-2506

130. Муравский Б.С. Исследование аномальных характеристик точечных контактов с поверхностью германия и кремния// ФТТ. 1962, т.9, №4, с.2485-2489

131. Муравский Б.С., Яманов И.Л. Неравновесные процессы в структурах с поверхностно-барьерным переходом// ФТП. 1987, 21, №5. с.961

132. Муравский Б.С., Кузнецов В.И. Коэффициент передачи тока структуры с барьером Шоттки// Радиотехника и электроника. 1980, 25, №5, с. 11121114

133. Долуденко В.Г., Муравский Б.С. Туннельная эмиссия из поверхностных состояний на границе раздела окисел-полупроводник// Поверхность (физика, химия, механика). 1985, т.12, с.28-31

134. Долуденко В.Г., Муравский Б.С. Туннельная эмиссия из поверхностных состояний на границе окисел-полупроводник// Поверхность (физика, химия, механика). 1989, №12, с. 101-105

135. Барышев М.Г., Муравский Б.С., Черный В.Н., Яманов И.Л. Фотоэффект в эпитаксиальной р+-п-структуре с n-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел-металл// ФТП, 1995, т.29, №1, с.91-95

136. Остроумова Е.В., Рогачев A.A. Высокочастотные неустойчивости тока в кремниевом оже-транзисторе// ФТП, 1999, 33, №9, с. 1126-1129

137. Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. Туннельная эмиссия электронов в фотополевых детекторах и в оже-транзисторе в сверхсильных полях// ФТП, 2003, 37, №3, с372-377

138. Кнаб О.Д., Фролов В.Д. Эффект фотостимулированной генерации колебаний тока в полупроводниковой структуре// Письма в ЖЭТФ, 1983, 38, №5, с. 244-246

139. Булгаков С.С., Кнаб О.Д., Лысенко А.П. БИСПИН новый прибор микроэлектроники// Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. Вып.6. с.53-77

140. Идлис Б.Г., Кнаб О.Д., Фролов В.Д. Инжекционная неустойчивость в полупроводниковых структура с р-п-переходом// Докл. АН СССР. 1989. т. 308, №3, с.60-605

141. Кнаб. О.Д. БИСПИН новый полупроводниковый прибор// Электронная промышленность. 1989, вып. 9. с.3-8

142. Кнаб. О.Д., Булгаков С.С. Применение БИСПИН-структур// Электронная промышленность. 1989, вып. 9. с.26-30

143. Булгаков С.С. Токовая неустойчивость в транзисторных БИСПИН-структурах// Электронная промышленность. 1990, вып. 8, с. 15-18

144. Кнаб. О.Д., Щука A.A. Интеллектуальные датчики на основе БИС-ПИН-структур// Электронный журнал «Исследовано в России» http://zhurnal.ape.relant.ru/articles/1999/025.pdf

145. Vashpanov Yu A., Serdyuk V.V., Smyntya V.V. Current instabilities in thin cadmium selenide films. Phys. status solidi, 1982, A74, №, K131-135

146. Барташевич 3.H., Пожела Ю.К., Тамашявичус A.B., Ульбикас Ю.К. Стохастические автоколебания проводимости структур металл-полупроводник на основе Si, GaAs и SiC. Лит. физ. сб. 1987, т.27, №1,111-112

147. Кокин A.A. Перезарядка поверхностных ловушечных состояний и неустойчивость тока в биполярной модели тонкопленочного МОП-транзистора типа КНИ // Микроэлектроника 1993, т. 22, №6, с. 17-29

148. Кокин A.A. Перезарядка поверхностных ловушечных состояний и неустойчивость тока в МОП-транзисторах // Микроэлектроника 1991, т. 20, №5, с. 424-434

149. Караваев Г.Ф., Чуприков H.JL, Успенский Б.А., Линейные и нелинейные параметры поверхностно винтовой неустойчивости в полупроводниковых пластинах Изв. вузов. Физ 1983, т. 26, №1, с. 90-93

150. Караваев Г.Ф., Чуприков Н.Л., Успенский Б.А. Расчет линейных параметров поверхностно винтовой неустойчивости в полупроводниковых пластинах Изв. вузов. Физ. 1983, т.26, №6, с. 55-59

151. Караваев Г.Ф., Чуприков Н.Л., Успенский Б.А. Амплитуда колебаний и нелинейный сдвиг частоты при возбуждении поверхностно винтовой неустойчивости в полупроводниковых пластинах Изв. вузов. Физ. 1983, т.26, №6, с. 59-63

152. Матвеев Г.А., Цилильковский И.М. Токовые неустойчивости в п-GaAs в сильных магнитных полях. ФТП, 1983, 17, №5, 850-853

153. Агафонников В.Ф., Гаман В.И., Глущук С.Ф., Терехина Л.И. Генерационные свойства МДП-структур Al-Tb2GeS5-Ge// Изв. вузов. Физ. 1982, т. 25, №7, стр 28-31

154. Федоренко Я.Г., Свердлова A.M. Релаксационные колебания тока и емкости в МДП-п+-р-структурах с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика// Поверхность: Рентген., синхротон. и нейтрон, исслед. 1998, №12, с.99-103

155. Малик А.И., Гречко В.Д., Грушка Г.Г. Механизм генерации электрических колебаний, усиления фототока и S-образной ВАХ в ПДП-структурах// ФТП, 1989, т. 23, №3, с. 2049-2055

156. Колобаев В. В. Возникновение генерационно-рекомбинационной неустойчивости в тонкопленочных структурах// ФТП, 1999, 33, №4. С.423-424

157. Столярский Э. Измерение параметров транзисторов. / Пер. с польск.

158. A. А. Визеля. Под ред. Ю. А. Каменского.- М.: Сов. радио, 1976. 288с.

159. Черный В.Н. Физические процессы в транзисторных структурах с контактами металл-полупроводник. Кандидатская диссертация, 1985

160. А.С.504438 (СССР). Генератор электрических колебаний (Черный1. B.Н., Муравский Б.С.)

161. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник.

162. Григорьян J1.P. Неустойчивость тока в многослойных структурах с активными энергетическими уровнями. Кандидатская диссертация, 2003

163. В. Шокли. Теория электронных полупроводников: Приложения к теории транзисторов. М.: Изд-во иностр. лит., 1953.

164. Нашельский А.Я. «Производство полупроводниковых материалов». М. Металлургия 1985 г.

165. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.У. «Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов». М. Металлургия 1982 г

166. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изд. «Высшая школа», 1986г.

167. Франц В. Пробой диэлектриков. М.: Иностранная литература, 1961

168. Гаряинов С.А. Физические модели полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением. М.: Радио и связь, 1997.

169. Андронов A.A., Витт A.A., Хайкин С.Э. Теория колебаний. М. Наука,1981.

170. Мигулин В.В., Медведев В.И., Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Основы теории колебаний. М.: Наука, 1978.

171. Бессонов JI.A. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи. М.: Высшая школа. 1984.

172. Носов Ю. Р., Петросянц К.О., Шилин В.А. Математические модели элементов интегральной электроники М., Советское радио. 1976

173. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.

174. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1980.

175. Конакова Р.В., Кордош П., Тхорик Ю.А., Файнберг В.И., Штофаник Ф. Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов. Киев: Hay кова думка, 1986.

176. ГОСТ 18986.4-73. Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости