Исследование нелинейных явлений в электродинамических системах, содержащих полупроводниковые структуры тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.03 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОСОБЕННОСТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН В ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ, СОДЕРЖАЩИХ ПОЛУПРОВОДНИК, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ ВОЗБУЖДЕНИЕМ ВОЛН

ВЫСШИХ ТИПОВ.

1.1. Распространение электромагнитной волны в волноводе, содержащем продольно расположенный полупроводниковый стержень.

1.1.1. Вывод выражения для затухания СВЧ волны в волноводе, содержащем полупроводниковый стержень конечной длины.

1.1.2. Теоретические и экспериментальные результаты исследований зависимости характеристик распространения волны в волноводе, содержащем продольно расположенный полупроводниковый стержень, от его размеров.

1.1.3. Теоретические и экспериментальные результаты исследований зависимости характеристик распространения волны в волноводе, содержащем продольно расположенный полупроводниковый стержень, от его положения и уровня падающей СВЧ мощности.

1.2. Резонансные особенности в системе диафрагма -короткозамьпсающий поршень, обусловленные возбуждением волн высших типов.

1.3. Влияние высших типов волн на СВЧ эффект магнитосопротивления в многослойных эпитаксиальных полупроводниковых структурах.

1.4. Выводы.

2. РАСПОСТРАНЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ВОЛНЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВОЛНОВОДАХ С

РЕГУЛИРУЕМОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ

2.1. Полупроводниковые волноводы с изменяемой под действием оптического излучения проводимостью.

2.2. Изменение проводимости полупроводникового волновода инжекцией через р-п - переход.

2.3. Выводы.

3. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ И УСТРОЙСТВАХ НА ИХ ОСНОВЕ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ВНЕШНЕГО СВЧ СИГНАЛА.

3.1. Особенности работы СВЧ генераторов на диоде Ганна при воздействии на них внешнего синхронизирующего) СВЧ сигнала.

3.1.1. Модуляция выходного сигнала СВЧ генератора на диоде Ганна воздействием на него внешнего СВЧ сигнала.

3.1.2. Синхронизация мод в СВЧ генераторах на диодах Ганна.

3.2. Математическое моделирование процессов в синхронизированном генераторе на диоде Ганна.

3.2.1. Выбор эквивалентной схемы.

3.2.1. Математическая модель.

3.2.3. Результаты численного моделирования.

3.3. Изменение вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов при воздействии на них СВЧ излучения.

3.3.1. Механизмы детектирования точечными диодами при воздействии высоких уровней СВЧ мощности.

3.3.2.Отрицательное дифференциальное сопротивление туннельного диода, наведенное внешним СВЧ сигналом

3.3.3.Стимулированная внешним сверхвысокочастотным излучением работа туннельного диода в режиме генерации.

3.4.Выводы.

4. ОСОБЕННОСТИ РЕЖИМОВ РАБОТЫ СХЕМ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ НЕЛИНЕЙНЫМИ И ИНЕРЦИОННЫМИ

ПРОЦЕССАМИ.

4.1. Изменение нелинейной составляющей реактивности диодов Ганна в зависимости от режим его работы.

4.2. Особенности шумовой генерации в СВЧ генераторе на диоде Ганна с обратной связью.

4.3. Периодические и хаотические колебания в твердотельных автогенераторах, управляемых магнитным полем.

4.4. Влияние инерционности схемы управления на характеристики СВЧ - модуляторов на p-i-n - диодах.

4.5. Выводы.

5. УСТРОЙСТВА СВЧ И ИК-ДИАПАЗОНОВ, МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ИЗМЕРЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ МАТЕРИАЛОВ СТРУКТУР И ПОЛЕЙ, СОЗДАННЫЕ НА ОСНОВЕ ВЫЯВЛЕННЫХ НОВЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ В ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ СТРУКТУРАМИ

С РЕГУЛИРУЕМОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ.

5.1. Устройства на полупроводниковых волноводах.

5.1.1. Соединительные переходы между полупроводниковыми и металлическими волноводами.

5.1.2. СВЧ модуляторы на полупроводниковых волноводах с оптическим и электрическим управлением.

5.1.3. Невзаимные устройства ИК - диапазона на основе n-JnAs.

5.2. Генераторы на полупроводниковых приборах.

5.2.1. СВЧ генератор на диэлектрическом волноводе.

5.2.2. СВЧ генератор и усилитель на диоде Ганна.

5.2.3. Синхронизированный на субгармонике

СВЧ генератор на диоде Ганна.

5.2.4. Генератор автоколебаний на магнитодиоде.

5.3. Методы и средства измерения параметров материалов, приборов и полей.

5.3.1. Использование эффекта автодинного детектирования в СВЧ генераторах на диодах Ганна на диэлектрическом волноводе для измерения параметров листовых диэлектриков.

5.3.2. Измерение подвижности носителей заряда в полупроводнике с использованием резонаторного метода СВЧ магнитосопротивления.

5.3.3. Измеритель индукции магнитного поля на основе магниточувствительных интегральных схем.

К числу современных направлений, развивающихся на стыке радиофизики и физики полупроводников, можно отнести исследования нелинейных явлений в электродинамических системах, содержащих полупроводниковые структуры. Интерес к подобным исследованиям обусловлен многими причинами. Во-первых, широким применением достижений твердотельной СВЧ электроники во многих отраслях науки и техники, что связано с открытием новых физических эффектов в полупроводниках и полупроводниковых приборах и их использованием для разработки и создания как дискретных, так и интегральных устройств для генерации, усиления, преобразования и управления энергией электромагнитного излучения СВЧ диапазона длин волн [1 - 52]. Во-вторых, сравнительно мало исследованными особенностями взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводниковыми материалами и структурами, которое носит в большинстве случаев принципиально нелинейный характер [48, 53 - 60]. Причем такой характер взаимодействия обусловлен как нелинейными свойствами полупроводниковых материалов и структур, так и существенно более сложным взаимодействием электромагнитного излучения с полупроводниками в случае мно-гомодового распространения волны в электродинамической системе. Кроме того, интенсивное развитие в последнее время подхода к описанию объектов различной природы как нелинейных динамических систем [61 - 64] приводит к необходимости анализа известных устройств и систем с точки зрения динамики изменения режимов работы при изменении их параметров, изучению бифуркаций, условий возникновения и исчезновения периодических и хаотических режимов работы. Такие исследования позволяют обнаружить новые физические закономерности поведения твердотельных радиотехнических и радиофизических систем, оценить их поведение при воздействии несанкционированных сигналов или в экстремальных условиях.

Для строгого теоретического анализа характеристик электродинамических систем с полупроводником, в отличие от электродинамических систем с металлическими и диэлектрическими включениями [65 - 86], требуется решение чрезвычайно сложных электродинамических задач, в которых наряду с диэлектрической проницаемостью следует учитывать проводимость полупроводника, которая может иметь тензорный характер и изменяться в широких пределах под действием температуры, электрического и магнитного полей, оптического и электромагнитного излучений [87 - 101]. Поэтому наиболее распространенным на практике является либо чисто эмпирический подход при исследовании таких систем, либо использование расчетов, основывающихся на предположении о том, что внесение полупроводникового элемента в электродинамическую систему слабо искажает структуру существовавшего в ней СВЧ поля, и в системе распространяется только волна основного типа [102 - 109].

Однако из экспериментальных результатов и соответствующих расчетов, проведенных, например, с помощью аппарата теории возмущения с использованием поправок, учитывающих возможность возникновения высших типов волн или колебаний, следует, что для большинства используемых на практике полупроводниковых материалов так называемое "одномодовое приближение" не позволяет получить даже качественного согласования с экспериментом [109 - 116]. Более того, оказывается, что вопреки предсказываемому в результате использования одномодовых представлений увеличению затухания с ростом проводимости или толщины полупроводникового образца, помещенного в волновод, может наблюдаться немонотонный характер этой зависимости, включающей участки с уменьшением затухания [117 -121].

Возбуждение волн высших типов в электродинамических системах, содержащих полупроводник, приводит к новым явлениям, описание которых с точки зрения "одномодовой" теории невозможно. В частности, возбуждением волн высших типов обусловлены эффект смещения поля при воздействии внешнего постоянного магнитного поля на полупроводниковую пластину, расположенную в волноводе, и эффект невзаимного распространения волны в таком волноводе [122 - 137]. Помимо этого, взаимодействие по высшим типам волн в ряде случаев является причиной инверсного режима работы р - i - п - диодных коммутирующих устройств [120], изменения частотной полосы и потерь запирания в коммутирующих устройствах, содержащих близко расположенные держатели с р - i - п - диодами, а также резонансного затухания волны в системе штырь с зазором - короткозамыкающий поршень при расстояниях между ними много меньших длины волны в волноводе [138 - 141].

Немонотонный характер зависимости затухания в волноводе от положения, размеров и проводимости размещенного в нем полупроводникового образца, не характерный для одномодового режима распространения волны, объясняется

117, 119] тем, что при определенных условиях один из возбужденных высших типов волн распространяется с меньшим затуханием, чем волна основного типа.

Следует отметить, что исследований возможностей существования других сценариев возникновения немонотонных зависимостей затухания волны от положения и размеров полупроводникового образца, связанных с особенностями продольного и поперечного распределений поля в условиях многомодового характера распространения волны в таких системах проведено не было. Также в известной литературе не обсуждались возможность возникновения резонансного затухания волны в других, кроме упомянутых выше, системах, например, в системе диафрагма - короткозамыкающий поршень, характер изменения резонансной частоты при изменении расстояния до короткозамыкающего поршня. Помимо этого, не рассматривалось влияние уровня падающей СВЧ мощности на характеристики распространения волны в электродинамической системе с полупроводником в условиях возбуждения в ней волн высших типов.

В связи с вышесказанным, представляет интерес дальнейшее исследование особенностей распространения волн в электродинамических структурах с полупроводником, обусловленных возбуждением высших типов волн. Такие исследования проводились для случая частичного заполнения волновода по одной из его стенок [122 - 137, 142 - 155]. Случай же заполнения прямоугольного металлического волновода частично по обеим стенкам, например, продольно расположенным полупроводниковым стержнем с регулируемой проводимостью, поперечные размеры которого меньше соответствующих размеров волновода, значительно менее исследован. Такая конфигурация заполнения волновода представляет интерес потому, что она эквивалентна экранированному полупроводниковому волноводу, перспективность использования которого для создания монолитных и гибридных интегральных СВЧ схем отмечалась, например, в [156 - 171]. Кроме того, исследование характера распределения поля в экранированном полупроводниковом волноводе позволяет определить условия трансформации основного типа волны металлического волновода в основной тип волны полупроводникового волновода и, тем самым, решить задачу согласования таких линий передачи.

Для теоретического описания распространения волны в полупроводниковых волноводах в основном используются методы расчета, разработанные для диэлектрических волноводов и световодов [172 - 176]. Однако, для полупроводниковых волноводов с регулируемой светом или электрическим полем проводимостью эти методы не всегда применимы, а возможности для описания распространения волны в таких волноводах других методов, в частности, основанных на разложении поля волны по собственным функциям металлического экрана [177], в литературе практически не отражены. Кроме того, если экспериментальные исследования распространения волны в полупроводниковых волноводах с регулируемой лазерным излучением проводимостью представлены достаточно широко [178 - 194], то изменение характеристик распространения волны при изменении проводимости в объеме полупроводника электрическим полем (инжек-цией носителей заряда через р - п - переход), в отличие от изменения проводимости на поверхности волновода [195 - 200], практически не исследовано.

При описании свойств полупроводниковых приборов на СВЧ часто считают возможным использовать их стационарные или малосигнальные характеристики, например, вольт-амперную характеристику (ВАХ) или импеданс. Такой подход позволяет в ряде случаев успешно описывать свойства твердотельных приборов и конструировать различного типа СВЧ устройства на полупроводниковых приборах.

В то же время известно, что в зависимости от режима работы и уровня воздействующей СВЧ мощности возможно существенное изменение свойств полупроводниковых приборов. В частности, было установлено, что при определенных уровнях СВЧ мощности в ограничительных р - i - п - диодных устройствах может происходить скачкообразное изменение выпрямленного тока, возникать шумовая генерация, гистерезисные явления, в спектре выходного сигнала возможно с увеличением уровня мощности последовательное появление субгармонических составляющих различной 1фатности, а воздействие высокого уровня мощности на р - i - п - диод или на два последовательно соединенных р - i - п -диода может приводить к появлению на ВАХ диодов одного или нескольких участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением и, как следствие этого, к модуляции выходного СВЧ сигнала сравнительно более низкочастотными колебаниями [41, 201 - 204]. Эти особенности работы р - i - п- диодных ограничительных устройств были частично описаны с использованием представления р - /' - п - диода в виде нелинейного контура и на основе импедансной модели, учитывающей связи между пространственными областями диода по напряжению и току [48, 205].

Теоретический анализ обнаруженных экспериментально эффектов в ограничительных диодах с учетом разогрева носителей заряда, детекторного эффекта и зависимости импеданса диода от уровня мощности был проведен в работах [206 - 208]. Такой подход к описанию взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводниковыми приборами позволил описать так же возможность возникновения на вольт-амперных характеристиках диодов с р - п - переходом при воздействии на них высокого уровня СВЧ мощности N - и S - образных участков, которые были обнаружены и экспериментально [209].

Учет разогрева носителей заряда при воздействии СВЧ мощности повышенного уровня позволил описать эффект гашения колебаний в СВЧ генераторе на туннельном диоде, который обусловлен снятием вырождения и исчезновением падающего участка на вольт-амперной характеристике туннельного диода, а также возможность возникновения дополнительных максимумов на вольт-амперных характеристиках нескольких последовательно соединенных туннельных диодов [101, 210 - 213].

Следует отметить, что такие исследования были проведены для диодных структур, содержащих контакт полупроводников с различным типом проводимости. Результаты воздействия СВЧ излучения высокого уровня мощности на диодные структуры с барьером Шоттки проанализированы не были. Кроме того, не исследовано влияние внешнего СВЧ сигнала на полупроводниковые диоды, например туннельные, в случае, когда рабочая точка находится на начальном линейном участке их вольт-амперной характеристики, возможность возникновения в этом случае участка отрицательного сопротивления на стационарной вольт-амперной характеристике и стимулированной внешним СВЧ излучением генерации колебаний.

Известно, что твердотельные СВЧ генераторы на диодах Ганна способны демонстрировать широкий диапазон колебательных режимов: от периодических и сложнопериодических до квазипериодических и хаотических [7, 19, 23-25, 33, 35, 36, 45, 214 - 220], что обусловлено существенно нелинейным характером импеданса диода Ганна. Особенно ярко нелинейные свойства СВЧ устройств на основе диода Ганна проявляются при воздействии на него внешнего сигнала. В частности, при воздействии на диод Ганна, работающий в режиме усиления, внешнего СВЧ сигнала, начиная с некоторого уровня мощности, на выходе возникают субгармонические составляющие /12, /14, ./78 и шумовая генерация, где / - частота входного сигнала. При этом наблюдается скачкообразное изменение продетектированное диодом Ганна напряжения. Если кроме основного сигнала на диод Ганна действует еще один внешний сигнал, то наблюдается его влияние на уровень пороговой мощности основного сигнала, при котором происходит возникновение субгармонических составляющих. Особенно сильно это влияние в случае, когда частота дополнительного сигнала близка к /14. Наряду с уменьшением пороговой мощности воздействие дополнительного сигнала приводит к увеличению амплитуд субгармонических составляющих [221].

В полупроводниковых приборах с отрицательным сопротивлением, в том числе и диодах Ганна, при изменении уровня воздействующей на них СВЧ мощности наблюдается эффект детектирования, проявляющийся в возникновении дополнительной постоянной или переменной составляющей тока в цепи питания прибора. Отдельные аспекты проявления этого эффекта в генераторах и усилителях на диодах Ганна, лавинно-пролетных и туннельных диодах, биполярных и полевых транзисторах и вопросы его практического использования обсуждались в работах [222 - 235].

Одной из особенностей работы СВЧ генераторов на диодах Ганна является возбуждение в цепи питания низкочастотных колебаний, обусловленных существованием у этих диодов отрицательного дифференциального сопротивления в широком диапазоне частот [236 - 241]. На практике, в большинстве случаев, возможность возникновения низкочастотных колебаний в СВЧ генераторах предотвращается [238, 239]. В то же время, существуют работы, в которых показана возможность использования таких низкочастотных колебания для амплитудной и частотной модуляции выходного сигнала [241], например, для проведения двухпараметровых измерений с помощью автодинных устройств [234]. Кроме того, может наблюдаться сложный динамический режим многочастотной генерации, отличающийся тем, что спектральные компоненты в рабочей полосе частот волноводной линии передачи (8-12 ГГц) не связаны целочисленными соотношениями между собой [242].

Если диод Ганна работает в режиме генерации, то при воздействии на него внешнего СВЧ сигнала реализуется его работа в режиме синхронизации [28, 47, 243-247]. Такой режим наблюдался для частот близких к частоте собственной генерации, близких к субгармоникам собственной частоты [248-251] или к частоте бокового лепестка [252]. Особенности работы СВЧ генераторов в режиме синхронизации были использованы для создания на их основе методов измерения импеданса диодов Ганна [253].

Несмотря на большое количество публикаций, посвященных исследованиям особенностей конструкций, режимов работы и перспектив развития СВЧ генераторов на диодах Ганна, отдельные аспекты их работы в литературе практически не отражены, например, за исключением отдельных публикаций [139], не представлены результаты исследований работы генератора в условиях возбуждения в электродинамической системе высших типов колебаний. Не исследованы случаи воздействия внешнего сигнала различной частоты на СВЧ генератор на диоде Ганна, работающий в многочастотном режиме, возможности изменения нелинейной составляющей импеданса диода, нет сведений об использовании низкочастотной огибающей СВЧ сигнала в качестве входного сигнала цепи обратной связи.

При моделировании электродинамических систем, в которых размещены полупроводниковые структуры, в том числе диодные или транзисторные, ситуация значительно усложняется тем, что, помимо распределения поля в электродинамической системе с учетом держателей полупроводниковых структур [254 -267], необходимо еще учитывать распределение зарядов и процессы их переноса в полупроводнике. В этом случае традиционно использовались значительные упрощения эквивалентного представления либо электродинамической системы, либо полупроводниковой структуры. Результаты исследований, в которых учтены особенности, как электродинамической системы, так и полупроводниковой структуры, сравнительно мало представлены в научной литературе.

Сложность теоретического описания подобных устройств обусловлена еще тем, что на импеданс диодов Ганна значительное влияние оказывают режим питания, тип электродинамической системы, в которую помещен диод, типы волн, возбуждающихся в электродинамической системе, конструктивное исполнение элементов генератора и другие факторы [268, 269].

В большинстве случаев при теоретическом анализе твердотельные генераторы представляют в виде эквивалентной схемы, математической моделью которой является системы нелинейных дифференциальных уравнений с заданными начальными условиями [4, 8, 9, 15, 19, 23 - 25, 28, 29, 36, 40, 45, 47, 101, 220, 240, 242, 245, 252, 253]. Поэтому принципиальную роль для теории играет правильный выбор эквивалентной схемы генератора, её математическое описание и экспериментальный контроль результатов. Другой особенностью изучения СВЧ генераторов на диодах Ганна является трудность, а часто и невозможность, визуализации в эксперименте сложных режимов работы осциллографическими методами, что вынуждает судить о характере колебаний косвенно по виду спектра мощности и огибающей выходного сигнала. Численный анализ при правильном выборе математической модели позволяет наглядно и детально исследовать сложные процессы, возникающие в электродинамической системе, включающей в себя полупроводниковую структуру.

Сложность моделирования процессов в СВЧ генераторах на диодах Ганна приводит к использованию для их описания упрощенных моделей, в которых, в зависимости от поставленной цели, значительно упрощается представление либо электродинамической системы, либо диода Ганна. В этих случаях электродинамическая система представлялась в виде последовательного или параллельного колебательного контура, а диод Ганна - в виде отрицательного сопротивления, причем его импеданс определялся через эмпирически описываемую вольт-амперную характеристику [3, 15, 23, 28, 36, 47, 218, 245, 270]. Работ, в которых проведен теоретический анализ для моделей, учитывающих сложную структуру диода и электродинамической системы, представлено очень мало, в частности, в работах [220, 235. 271, 272] представлены результаты компьютерного моделирования работы СВЧ генераторов на диодах Ганна с учетом дополнительного низкочастотного контура, температуры, работающих в режиме многочастотной или хаотической генерации. Поэтому, несомненно, интересно развитие представлений о работе СВЧ генератора на диоде Ганна на основе эквивалентных схем, учитывающих большинство особенностей конструкции электродинамической системы и диода.

При описании работы твердотельных устройств в ряде случаев используется предположение о мгновенном отклике полупроводникового прибора на внешнее электрическое или магнитное воздействие. Такой подход не позволяет описать и прогнозировать новые физические явления и закономерности, обусловленные инерционностью полупроводниковых приборов. Причем, если инерционные свойства самих переключательных диодов исследованы достаточно полно [4, 5, 8, 30, 34, 38, 48, 51, 204, 205], то вопросы влияния на характер работы внешней схемы управления исследованы не были. Кроме того, при реализации цепей обратной связи, включающих в себя полупроводниковые приборы, в радиотехнических устройствах возможна реализация нелинейной инерционности, существование которой может приводить к возникновению сложных динамических режимов работы [63]. Следует отметить, что в литературе не приведено никаких данных об использовании магниточувствительных полупроводниковых приборов, например магнитодиодов, для создания генераторов с инерционной нелинейностью, носящей индуктивный характер.

Анализ исследований, посвященных особенностям распространения волн и колебаний в электродинамических системах, содержащих полупроводники, позволяет сделать вывод о том, что до настоящего времени в большинстве работ многие авторы ограничивались рассмотрением случаев одномодового распространения волны, а при учете возможности возбуждения волн высших типов только случаем частичного заполнения волновода по одной из его стенок, в литературе отсутствует представления о процессе трансформации распределения суммарного поля при возбуждении волн высших типов, недостаточно исследованы случаи распространения волны в полупроводниковых волноводах с регулируемой проводимостью, исследованы особенности распространения волны, связанные с возбуждением волн высших типов только для системы стержень с зазором - короткозамыкающий поршень.

При рассмотрении нелинейных явлений в твердотельных СВЧ устройствах во многих работах не учитывалась возможность изменения используемых стационарных или малосигнальных характеристик полупроводниковых приборов в зависимости от режима их работы, уровня воздействующего СВЧ сигнала. Авторы во многих случаях ограничивались при теоретических и экспериментальных исследованиях одночастотными режимами работы СВЧ генераторов. Кроме того, при теоретическом описании процессов, происходящих в таких генераторах, использовались упрощенные представления либо электродинамической системы, либо самого полупроводникового элемента.

В связи с этим является актуальным проведение целенаправленного комплекса экспериментальных и теоретических исследований особенностей нелинейных явлений в электродинамических системах с полупроводниками, обусловленных многомодовым или многочастотным режимом работы, нелинейными свойствами материалов и структур и изменением проводимости полупроводника под влиянием внешних воздействий.

Проведение целенаправленного комплекса таких исследований может позволить обнаружить новые физические явления в полупроводниковых приборах, создать на их основе новые типы твердотельных СВЧ устройств, а также улучшить характеристики устройств, уже получивших широкое распространение в различных областях техники СВЧ, и тем самым еще больше расширить области их применения.

Цель диссертационной работы состоит в установлении новых физических закономерностей в результате проведение экспериментальных и теоретических исследований особенностей нелинейных явлений в электродинамических системах с полупроводниками и полупроводниковыми структурами, обусловленных многомодовым или многочастотным режимом работы, нелинейными свойствами материалов и структур и изменением проводимости полупроводника под влиянием внешних воздействий, разработка и создание на их основе новых типов радиофизических и радиотехнических устройств.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи

1. Теоретическое и экспериментальное исследование характеристик распространения электромагнитной волны в волноводе, содержащем полупроводник, в условиях возбуждения в нем волн высших типов.

2. Экспериментальное и теоретическое исследование характеристик распространения волны в полупроводниковых волноводах с регулируемой проводимостью.

3. Экспериментальное и теоретическое исследование нелинейных явлений в СВЧ генераторах на диодах Ганна, работающих в режиме многочастотной генерации, при воздействии на низ внешнего СВЧ сигнала.

4. Экспериментальное и теоретическое исследование изменения стационарных характеристик полупроводниковых диодов и возможности стимуляции колебаний в схемах на их основе при воздействии на них СВЧ излучения.

5. Экспериментальное исследование сложных динамических, в том числе хаотических, режимов работы в генераторных схемах, содержащих диоды Ганна и полупроводниковые магниточувствительные элементы.

Научная новизна

1. Впервые проведен целенаправленный комплекс экспериментальных и теоретических исследований ряда новых особенностей нелинейных явлений в электродинамических системах с полупроводниками, обусловленных многомодовым или многочастотным режимом работы, нелинейными свойствами материалов и структур и изменением проводимости полупроводника под влиянием внешних воздействий.

2. Установлено экспериментально и подтверждено теоретически, что в волноводе, содержащем продольно расположенный полупроводниковый стержень, в зависимостях затухания от его размеров и положения наблюдаются максимумы, причина возникновения которых связана с возбуждением в волноводе волн высших типов.

3. Впервые обнаружено, что распределение поля по поперечному сечению в волноводе, содержащем продольно расположенный полупроводниковый стержень, может иметь вид качественно отличный от характерного для волны Ню, даже когда постоянная затухания волн высших типов меньше постоянной затухания волны #10. В этом случае характер распределения поля по поперечному сечению последовательно видоизменяется по мере удаления от передней границы образца от вида, характерного для волны Ню, к конфигурации, типичной для суперпозиции основного типа волны сначала с волной #20, затем с волнами более высших типов, а после удаления на расстояние порядка длины волны в волноводе, опять к виду, характерному для волны Ню

4. Показано, что в электродинамической системе с полупроводником в условиях максимального влияния возбуждающихся волн высших типов на характер распределения поля затухание распространяющейся волны существенно зависит от уровня мощности падающего излучения.

5. Обнаружено резонансное затухание, обусловленное возбуждением в волноводе волн высших типов, в системе диафрагма - короткозамыкающий поршень при расстояниях между ними, на порядок меньших длины волны в волноводе. Частота резонанса при увеличении расстояния между диафрагмой и поршнем, в отличие от резонанса на основном типе волны, увеличивается.

6. Установлено, что ослабление волны, распространяющейся в полупроводниковом волноводе, содержащем />-/'- и - диод, в основном определяется излучением энергии в окружающее пространство с поверхности полупроводникового волновода в месте включения р - / - п - диода. Угол, под которым энергия излучается в пространство, зависит от частоты СВЧ сигнала и тока через р - / - п - диод.

7. Впервые экспериментально обнаружено и теоретически объяснено, что в СВЧ генераторе на диоде Ганна при работе его в многочастотном режиме воздействие внешнего СВЧ сигнала близкой частоты приводит к синхронизации мод.

8. Выявлено, что нелинейная составляющая импеданса диода Ганна в зависимости от режима работы СВЧ генератора на его основе может принимать как емкостной, так и индуктивный характер.

9. Обнаружено экспериментально и теоретически, что под воздействием внешнего СВЧ сигнала в туннельных диодах при подаче на них напряжения смещения, меньшего пикового значения, могут возникать режимы отрицательного дифференциального сопротивления и переключения, а в генераторной схеме, в которой диод помещен, возбуждаться колебания, частота и амплитуда которых существенно зависят от уровня СВЧ мощности.

10. Установлено что, вольт-амперная характеристика детекторного диода с барьером Шоттки под воздействие высокого уровня СВЧ мощности становится практически линейной, а механизм детектирования при этом определяется термоЭДС горячих носителей заряда.

11. Обнаружено, что в СВЧ генераторе на диоде Ганна, работающем в многочастотном режиме, при использовании в качестве сигнала обратной связи низкочастотной огибающей выходного СВЧ сигнала может наблюдаться уширение спектральной линии основной частоты генерации обусловленное возбуждением хаотических колебаний в цепи обратной связи.

12. Экспериментально обнаружено и теоретически объяснено явление искажения формы СВЧ импульса в коммутирующих устройствах на р - г - п - диодах, определяющееся инерционностью переключения диодов, связанных с паразитными внешними ЯС - цепями.

13. Впервые показана возможность создания генераторных схебм на магнито-диодах с экспоненциальной вольтамперной характеристикой при использовании в цепях обратной связи управляемых источников магнитного поля.

Достоверность результатов диссертации

Достоверность полученных теоретических результатов обеспечивается:

• строгостью используемых математических моделей;

• корректностью упрощающих допущений;

• сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям;

• выполнимостью предельных переходов к известным решениям;

• соответствием результатов расчета эксперименту.

Достоверность экспериментальных результатов обеспечена:

• применением современной стандартной измерительной аппаратуры;

• метрологической поверкой измерительного оборудования и методик измерения;

• обработкой экспериментальных данных с помощью современных методов с использованием ЭВМ;

• воспроизводимостью полученных результатов.

Практическая значимость работы

На основе исследований характеристик распространения волны в волноводе, содержащем продольно расположенный полупроводниковый стержень, определены условия согласования металлических и полупроводниковых волноводов.

Показана возможность создания эффективных коммутирующих устройств на основе полупроводниковых волноводов с регулируемой проводимостью. Возможность возникновения стимулированной внешним СВЧ излучением генерации в туннельных диодах открывает перспективы создания новых типов генераторных устройств.

Установлена возможность эффективной управляемой модуляции выходного сигнала СВЧ генератора на диоде Ганна, работающего в режиме синхронизации или биений.

Предложен метод расчета коэффициента, определяющего нелинейность реактивной проводимости активных элементов СВЧ автогенераторов. Разработан резонаторный метод измерения подвижности полупроводниковых материалов и структур на основе эффекта магнитосопротивления и оценена погрешность аналогичного волноводного метода, определяемая возбуждением волн высших типов.

На основе результатов исследования радиотехнических схем с магниточув-ствительными полупроводниковыми элементами разработан измеритель индукции постоянного магнитного поля.

Результаты проведенных исследований легли в основу разработанных новых устройств различного назначения [273 - 286].

Основные положения, выносимые на защиту

1. В волноводе, содержащем продольно расположенный полупроводниковый стержень, в зависимости от его положения и размеров возникают максимумы поглощения, обусловленные возбуждением волн высших типов. При этом коэффициент поглощения существенно зависит от уровня СВЧ мощности, в отличие от случая одномодового распространения волны в таком волноводе.

2. Распределение поля по поперечному сечению в волноводе, содержащем продольно расположенный полупроводниковый стержень, может иметь вид качественно отличный от характерного для волны Ню, даже когда постоянная затухания волн высших типов меньше постоянной затухания волны Ню- В этом случае характер распределения поля по поперечному сечению последовательно видоизменяется по мере удаления от передней границы образца от вида, характерного для волны Ню, к конфигурации, типичной для суперпозиции основного типа волны сначала с волной Н2о, затем с волнами более высших типов, а после удаления на расстояние порядка длины волны в волноводе, опять к виду, характерному для волны Ню

3. В системе диафрагма - короткозамыкающий поршень при расстояниях между ними, на порядок меньших длины волны в волноводе, наблюдается резонансное затухание СВЧ мощности, обусловленное возбуждением в волноводе волн высших типов. Частота резонанса при увеличении расстояния между диафрагмой и поршнем, в отличие от резонанса на основном типе волны, увеличивается.

4. Ослабление волны, распространяющейся в полупроводниковом волноводе, содержащем р - г - п - диод, в основном определяется излучением энергии в окружающее пространство с поверхности полупроводникового волновода в месте включения р - / - п - диода. Угол, под которым энергия излучается в пространство, зависит от частоты СВЧ сигнала и тока через р-1-п- диод.

5. В СВЧ генераторе на диоде Ганна, работающем в многомодовом режиме, при воздействии внешнего СВЧ сигнала близкой частоты может наблюдаться синхронизация мод.

6. Нелинейная составляющая импеданса диода Ганна в зависимости от режима работы СВЧ генератора на его основе может принимать как емкостной, так и индуктивный характер.

7. Под воздействием внешнего СВЧ сигнала в туннельных диодах при подаче на них напряжения смещения, меньшего пикового значения, могут возникать режимы отрицательного дифференциального сопротивления и переключения, а в генераторной схеме - возбуждаться колебания, частота и амплитуда которых существенно зависят от уровня СВЧ мощности.

8. Вольт-амперная характеристика детекторного диода с барьером Шоттки под воздействие высокого уровня СВЧ мощности становится практически линейной, а механизм детектирования при этом определяется термоЭДС горячих носителей заряда.

Настоящая диссертация выполнена на кафедре физики твердого тела Саратовского государственного университета в НИИ механики и физики при СГУ. Она является обобщением работ автора, выполненных в период с 1980 по 1999 год по одной из актуальных проблем радиофизики и физики полупроводников, заключающейся в экспериментальном и теоретическом исследовании особенностей нелинейных явлений в электродинамических системах, содержащих полупроводниковые структуры.

Совокупность научных результатов, изложенных в диссертации, можно рассматривать как решение крупной научной проблемы по исследованию особенностей нелинейных явлений в электродинамических системах, содержащих полупроводниковые структуры, обусловленных многомодовым или многочастотным режимом работы, нелинейными свойствами материалов и структур и изменением проводимости полупроводника под влиянием внешних воздействий.

В результате решения этой научной проблемы установлены:

• новые физические закономерности в модуляционных характеристиках полупроводниковых приборов СВЧ;

• новые физические явления, наблюдающиеся в этих приборах при воздействии электромагнитного излучения оптического и СВЧ диапазонов, постоянных электрических и магнитных полей; разработаны и созданы

• новые типы твердотельных устройств, обладающие улучшенными характеристиками, по сравнению с известными устройствами аналогичного назначения, что имеет важное народнохозяйственное значение.

Исследования по теме диссертации выполнены в соответствии с:

• координационным планом НИР АН СССР на 1981 - 1985 годы по проблеме "Физическая электроника" раздел 1.5.2.8 "Поиск новых физических принципов создания твердотельных приборов и устройств СВЧ, в особенности мм и субмм диапазонов";

• координационными планами НИР АН СССР на 1986 - 1990 годы по проблеме "Физическая электроника" раздел 1.5.4.3 "Приборы и устройства

СВЧ диапазона на твердотельных элементах", по направлению "Физика твердого тела", раздел 1.3.10.4 "Радиоволновые методы";

• координационным планом НИР высших учебных заведений системы Минвуза СССР в области физики полупроводников на 1986 - 1990 годы раздел 1.8 "Исследование эффектов детектирования в полупроводниковых СВЧ диодах и транзисторах, работающих в режиме усиления или генерации";

• комплексной научно-технической программой Минвуза РСФСР "Датчик" на 1986 - 1990 годы по теме 2.1.10 "Исследование эффектов автодинного детектирования в твердотельных СВЧ генераторах и создание на этой основе датчиков для неразрушающего контроля полупроводниковых и диэлектрических материалов";

• Межвузовской программой НИР на 1986 - 1990 годы "Научное приборостроение" раздел 16 "Приборы лабораторной техники";

• НИР "Параметр", № гос. регистрации 0184083120, проведенной согласно постановлению ГКНТ СССР и включенной в народно-хозяйственный план социального и экономического развития РСФСР на 1985 год;

• грантом Государственного комитета РФ по высшему образованию 1992 -1993 годов (ЛГУ)

• грантом Государственного комитета РФ по высшему образованию 1994 -1995 годов (МИЭТ ТУ)

• грантом Государственного комитета РФ по высшему образованию 1996 -1997 годов (МИЭТ ТУ)

Результаты диссертационной работы использованы в ЦНИИИА и в СГУ в учебном процессе.

Отдельные результаты диссертационной работы вошли составной частью в работу, отмеченную дипломом Всесоюзного конкурса НТО РЭС им. А.С.Попова на лучшую разработку новых изделий микроэлектроники за 1984 год.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы доложены на:

• IX Всесоюзной научно-технической конференции по микроэлектронике в Казани в 1980 году;

• VII отраслевой научно-технической конференции молодых специалистов в Саратове в 1981 году;

Всесоюзной научно-технической конференции "Интегральная электроника СВЧ" в Новгороде в 1982 году;

X Всесоюзной научной конференции "Электроника СВЧ" в Минске в 1983 году;

Всесоюзной научно-технической конференции "Проектирование и применение радиоэлектронных устройств на диэлектрических волноводах и резонаторах" в Саратове в 1983 году;

Всесоюзной научно-технической конференции "Проблемы интегральной электроники СВЧ" в Ленинграде в 1984 году;

Всесоюзном семинаре "Решение внутренних краевых задач электродинамики" в Ростове-на-Дону в 1984 году;

Всесоюзном совещании-семинаре "Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-диэлектрическими структурами и проблемы создания интегральных КВЧ схем" в Саратове в 1985 году; Всесоюзной научно-технической конференции по неразрушающему контролю в Одессе в 1985 году;

Всесоюзной научно-технической конференции "Интегральная электроника СВЧ" в Красноярске в 1988 году; отраслевом научно-техническом совещании "Методы и аппаратура для измерения параметров полупроводников и диэлектриков" в Саратове в 1988 году;

Всесоюзной научно-технической конференции "Проектирование радиоэлектронных устройств на диэлектрических волноводах и резонаторах" в Тбилиси в 1988 году;

Межведомственной научно-технической конференции "Приборы, техника и распространение мм и субмм волн" в Харькове в 1992 году; Всероссийской научно-технической конференции "Электроника и информатика- 95" в Зеленограде в 1995 году;

Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения" АПЭП - 96 в Саратове в 1996 году; II Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Электроника и информатика - 97" в Зеленограде в 1997 году; IX Международной школе-семинаре "Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ" в Самаре в 1997 году;

Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения" АПЭП - 98 в Саратове в 1998 году; V общероссийской конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" ПЭМ-98 в Дивноморском в 1998 году;

• VI международной научно-технической конференции "Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ" в Самаре в 1999 году.

• а также на объединенном научном семинаре кафедр физики твердого тела, физики полупроводников, радиофизики и нелинейной динамики, электроники, колебаний и волновых процессов Саратовского госуниверситета

Публикации

По материалам диссертации опубликовано:

• 47 научных работ [273 - 319], в том числе

• 25 статей,

• 4 авторских свидетельства и 1 патент, которыми защищены предложенные новые способы и устройства.

Результаты диссертации использованы в учебном пособии [320], рекомендованном к изданию Министерства общего и профессионального образования РФ.

Материалы диссертации использованы в разделах, посвященных работе твердотельных устройств, в курсе "Твердотельная электроника", разработанном курсе "Измерение параметров полупроводников на СВЧ" и практикуме на его основе, а также при постановке лабораторной работы "Переходные процессы в Р-1-Ы - диодных СВЧ устройствах.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Работа изложена на 250 страницах, содержит 82 рисунка, список литературы состоит из 358 наименований.

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему.

1. Установлено экспериментально и подтверждено теоретически, что в волноводе, содержащем продольно расположенный полупроводниковый стержень, в зависимостях затухания от его размеров и положения наблюдаются максимумы, причина возникновения которых связана с возбуждением в волноводе волн высших типов.

2. Впервые обнаружено, что распределение поля по поперечному сечению в волноводе, содержащем продольно расположенный полупроводниковый стержень, может иметь вид качественно отличный от характерного для волны #ю, даже когда постоянная затухания волн высших типов меньше постоянной затухания волны Ню. В этом случае характер распределения поля по поперечному сечению последовательно видоизменяется по мере удаления от передней границы образца от вида, характерного для волны Ню, к конфигурации, типичной для суперпозиции основного типа волны сначала с волной Яго, затем с волнами более высших типов, а после удаления на расстояние порядка длины волны в волноводе, опять к виду, характерному для волны Ню

3. Показано, что в электродинамической системе с полупроводником в условиях максимального влияния возбуждающихся волн высших типов на характер распределения поля затухание распространяющейся волны существенно зависит от уровня мощности падающего излучения.

4. Обнаружено резонансное затухание, обусловленное возбуждением в волноводе волн высших типов, в системе диафрагма - короткозамыкающий поршень при расстояниях между ними, на порядок меньших длины волны в волноводе. Частота резонанса при увеличении расстояния между диафрагмой и поршнем, в отличие от резонанса на основном типе волны, увеличивается.

5. Установлено, что ослабление волны, распространяющейся в полупроводниковом волноводе, содержащем р - / - п - диод, в основном определяется излучением энергии в окружающее пространство с поверхности полупроводникового волновода в месте включения р - г - п - диода. Угол, под которым энергия излучается в пространство, зависит от частоты СВЧ сигнала и тока через р-1-п- диод.

6. Впервые экспериментально обнаружено и теоретически объяснено, что в СВЧ генераторе на диоде Ганна при работе его в многочастотном режиме воздействие внешнего СВЧ сигнала близкой частоты приводит к синхронизации мод.

7. Выявлено, что нелинейная составляющая импеданса диода Ганна в зависимости от режима работы СВЧ генератора на его основе может принимать как емкостной, так и индуктивный характер.

8. Обнаружено экспериментально и теоретически, что под воздействием внешнего СВЧ сигнала в туннельных диодах при подаче на них напряжения смещения, меньшего пикового значения, могут возникать режимы отрицательного дифференциального сопротивления и переключения, а в генераторной схеме, в которой диод помещен, возбуждаться колебания, частота и амплитуда которых существенно зависят от уровня СВЧ мощности.

9. Установлено что, вольт-амперная характеристика детекторного диода с барьером Шоттки под воздействие высокого уровня СВЧ мощности становится практически линейной, а механизм детектирования при этом определяется термоЭДС горячих носителей заряда.

10. Обнаружено, что в СВЧ генераторе на диоде Ганна, работающем в многочастотном режиме, при использовании в качестве сигнала обратной связи низкочастотной огибающей выходного СВЧ сигнала может наблюдаться уширение спектральной линии основной частоты генерации, обусловленное возбуждением хаотических колебаний в цепи обратной связи.

11. Экспериментально обнаружено и теоретически объяснено явление искажения формы СВЧ импульса в коммутирующих устройствах на р - г - п - диодах, связанное с инерционностью переключения диодов с паразитными внешними ЯС - цепями.

12. Впервые показана возможность создания генераторных схем на магнито-диодах с экспоненциальной вольтамперной характеристикой.

13. Показана возможность создания эффективных коммутирующих устройств на основе полупроводниковых волноводов с регулируемой проводимостью.

14. Установлена возможность эффективной управляемой модуляции выходного сигнала СВЧ генератора на диоде Ганна, работающего в режиме синхронизации или биений.

15. Разработан метод расчета коэффициента, определяющего нелинейность реактивной проводимости активных элементов СВЧ автогенераторов.

16. Предложен резонаторный метод измерения подвижности полупроводниковых материалов и структур на основе эффекта магнитосопротивления, оценена погрешность аналогичного волноводного метода, определяемая возбуждением волн высших типов.

17. На основе результатов исследования схем с магниточувствительными полупроводниковыми элементами разработан измеритель индукции постоянного магнитного поля, обладающий улучшенной, по сравнению с аналогами, термостабильностью.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Совокупность научных результатов, изложенных в диссертации, можно рассматривать как решение крупной научной проблемы по исследованию особенностей нелинейных явлений в электродинамических системах с полупроводниками и полупроводниковыми структурами, обусловленных многомодовым или многочастотным режимом работы, нелинейными свойствами материалов и структур и изменением проводимости полупроводника под влиянием внешних воздействий.

В результате решения этой научной проблемы установлены новые физические закономерности в распространении волн в электродинамических системах с полупроводником в условиях возбуждения волн высших типов, новые физические эффекты, наблюдающиеся в полупроводниковых приборах, работающих в режиме многочастотной генерации или при воздействии на них электромагнитного излучения и магнитного поля, разработаны новые типы твердотельных устройств и методы измерения параметров материалов и поле, обладающие улучшенными характеристиками по сравнению с известными устройствами и способами аналогичного назначения, что имеет важное народнохозяйственное значение.

Все основные защищаемые научные положения теоретически обоснованы и подтверждены результатами экспериментов.

1. Катан А.Е., Кравцов Ю.А., Рылов В.А. Параметрические генераторы и делители частоты. М.: Сов. радио, 1966. - 335с.

2. Тагер A.C., Валъд-Перлов В.М. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М.: Сов. радио, 1968. -480с.

3. Новые методы полупроводниковой СВЧ электроники. Эффект Ганна и его применение / Под ред. В.И.Стафеева. - М.: Мир, 1968. -376с.

4. СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет / Под ред. И.В.Малъского, Б.В.Сестрорецкого. - М.: Сов. радио, 1969. -580с.

5. Дзехцер Г.Б., Орлов О.С. Р i - п - диоды в широкополосных устройствах СВЧ. - М.: Сов. радио, 1970. -200с.

6. Полупроводниковые приборы СВЧ / Пер. с англ. под ред. Ф.Бренда. М.: Мир, 1972. -146с.

7. Кэррол Дж. СВЧ генераторы на горячих электронах / Пер. с англ. под ред. Б.Л.Гелъмонта. - М.: Мир, 1972. -384с.

8. СВЧ полупроводниковые приборы и их применение / Под ред. Г. Уотсона. Пер с англ. под ред. В.С.Эткжа. - М.: Мир, 1972. - 662с.

9. Колосов М.В., Перегонов С.А. СВЧ генераторы и усилители на полупроводниковых приборах. - М.: Сов. радио, 1974. -80с.

10. Левинштеш М.Е., Пожела ЮЖ., Шур М.С. Эффект Ганна / Под ред. С.М.Рывкина. -М.: Сов. радио, 1975. -288с.

11. Ильченко М.Е., Осипов В.Г. Электрически управляемые СВЧ переключатели на полупроводниковых диодах // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1977. Т.20, №11. С.5-17.

12. Любченко В.Е. О высокочастотных характеристиках приборов на объемных нелинейных свойствах полупроводников в условиях плазменного резонанса // Радиотехника и электроника. 1977. Т.22, №11. С.2448-2450.

13. Савельев B.C. Арсенид галлиевые СВЧ - полевые транзисторы. - М.: ЦНИИ Электроника, 1978. -46с. (Обзоры по электронной технике. Сер.1 Электроника СВЧ. Вып.5)

14. Тагер A.C. Некоторые тенденции развития полупроводниковых приборов СВЧ // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1977, Вып. 11. С.21-39.

15. Хотунцев Ю.Л. Полупроводниковые СВЧ устройства: (Анализ и синтез). -М.: Связь, 1978. -256с.

16. Тараненко A.C., Коцержинский Б.А., Мачусский Е.А. Твердотельные генераторы СВЧ колебаний миллиметрового диапазона радиоволн // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1978. Т.21, №10. С.4-23.

17. Тагер A.C. Предельные параметры полупроводниковых СВЧ приборов и их связь с характеристиками полупроводникового материала // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1979. Т.22, №10. С.5-16.

18. Коцержинский Б.А., Парфенов A.A., Тараненко В.П. Твердотельные отражательные усилители миллиметрового диапазона волн // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1979. Т.22, №10. С.30-44.

19. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ / Под ред. М.Хауэса, Д.Моргана. Пер с англ. под ред. В.С.Эткина. М.: Мир, 1979. -444с.

20. Полупроводниковые преобразователи / Под ред. Ю.Пожелы. Вильнюс: Мокслас, 1980. -176с.

21. Автогенераторы СВЧ диапазона на полевых транзисторах с затвором Шоттки / Г.В.Петров, А.И.Толстой, А.В.Храмов, В.Г.Еленский II Зарубежная радиоэлектроника. 1980. №7. С.38-54.

22. Вендик О.Г. Поиск новых физических явлений в твердом теле для использования в электронике СВЧ // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1980. Т.23, №10. С.4-11.

23. Царапкин Д.П. Генераторы СВЧ на диодах Ганна. М.: Радио и связь, 1981. -112с.

24. Каганов В.И. СВЧ полупроводниковые передатчики. М.: Радио и связь, 1981. -400с.

25. Хелзайн Дж. Пассивные и активные цепи СВЧ / Пер. с англ. под ред. А.С.Галина. М.: Радио и связь, 1981. -200с.

26. Тагер A.C. Перспективные направления полупроводниковой электроники СВЧ // Литовский физич. сб. 1981. №4. С.23-44.

27. Определение параметров транзисторов в схемах СВЧ / ДА. У санов, А.А.Безменов, А.Ю.Вагарин, В.Н.Посадский . М.: ЦНИИ Электроника, 1981. -42с. (Обзоры по электронной технике. Сер.1. Электроника СВЧ. Вып. 9)

28. Хотунцев Ю.Л., Тамарчак Д.Я. Синхронизированные генераторы и автодины на полупроводниковых устройствах. М.: Радио и связь, 1982. - 240с.

29. Радиопередающие устройства / Л.А.Белов, М.В.Благовещенский, В.М.Богачев и др.; Под ред. М.В.Благовещенского, Г.М.Уткина. М.: Радио и связь, 1982. -408с.

30. ГусятинерМ.С., Горбачев А.И. Полупроводниковые СВЧ диоды. - М.: Радио и связь, 1983. - 224с.

31. Полупроводниковые параметрические усилители и преобразователи СВЧ / Под ред. В.С.Эткина. М.: Радио и связь, 1983. -304с.

32. Макаренко A.C. Фазовые модуляторы СВЧ на полупроводниковых диодах // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1984. Т.27, №1. С.3-9.

33. Скворцова Н.Е. Генераторы миллиметрового диапазона на эффекте Ганна // Радиотехника и электроника. 1984. Т.29, №5. С.817-829.

34. Лебедев И.В., Шнитников A.C., Купцов Е.И. Твердотельные СВЧ ограничители - проблемы и решения // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1985. Т.28, №10. С.34-41.

35. Состояние и основные проблемы разработки генераторов миллиметрового диапазона на диодах Ганна / Н.А.Васшъев, В.С.Лукаш, В.В.Муравъев,

36. B.И.Шатонин //Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1985. Т.28, №10. С.42-50.

37. Давыдова Н.С., Данюшевский Ю.З. Диодные генераторы и усилители СВЧ. М.: Радио и связь, 1986. -184с.

38. Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М.: Наука, 1986. - 144с.

39. Вайсблат A.B. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. М.: Радио и связь, 1987. -120с.

40. Лебедев И.В., Шнитников A.C. Полупроводниковые диоды в СВЧ управляющих устройствах // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1987. Т.30, №10.1. C.5-12.

41. Микроэлектронные устройства СВЧ / Г.И.Веселов, Е.Н.Егоров, Ю.НАлехт и др. М.: Высшая школа, 1988. -280с.

42. Виненко В. Г., Красовский C.B., У санов ДА. СВЧ ограничители мощности на полупроводниковых диодах. - М.: ЦНИИ Электроника, 1988. -45с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ. Вып.З)

43. Смесители СВЧ с фазовым подавлением зеркального канала в гибридно-интегральном исполнении / А.Н.Абрамов, А.С.Астахов, В.П.Камешкерцев. Д.А.Усанов. М.: ЦНИИ Электроника, 1989. -56с. (Обзоры по электронной технике. Сер.1. Электроника СВЧ. Вып.5)

44. Розанов Б.А., Розанов С.Б. Приемники миллиметровых волн. М.: Радио и связь, 1989. -168с.

45. Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокс-лас, 1989. -264с.

46. Малышев В.А. Бортовые активные устройства СВЧ. Л.: Судостроение, 1990. - 264с.

47. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия / Пер с англ. -М: Мир, 1991. -632с.

48. Радиотехнические устройства СВЧ на синхронизированных генераторах / Н.Н.Фомин, В.С.Андреев, Э.С.Воробейников и др. М.: Радио и связь, 1991. -192с.

49. Лебедев И. В. Нелинейные свойства и характеристики СВЧ p-i-n диодов // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1992. Т.35, №10. С. 17-26.

50. Кальфа A.A., Тагер A.C., Темное A.M. Полупроводниковые приборы СВЧ // Электронная техника. Сер.1. СВЧ техника. 1993. Вып.1. С.34-45.

51. Мальцев В.А., Мякинъков В.Ю., Новоселец В.И. Состояние разработок твердотельных СВЧ генераторов малой мощности и устройств на их основе // Радиотехника. 1999. № 4. С.44-54.

52. Лебедев И. В. Развитие переключательных и защитных СВЧ устройств // Радиотехника. 1999. № 4. С.69-74.

53. У санов Д. А. Возможные направления совершенствования параметров полупроводниковой СВЧ электроники // Радиотехника. 1999. № 4. С.96-99.

54. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин H.H., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука. 1972. -416с.

55. Климов Б.Н. Взаимодействие горячих носителей заряда с коротковолновым СВЧ излучением. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1976. - 224с.

56. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1977. -368с.

57. Кац Л.И., Сафонов A.A. Взаимодействие электромагнитных колебаний сверхвысоких частот с плазмой носителей заряда в полупроводнике. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1979. 4.1. - 140с.

58. Кац Л.И., Сафонов A.A. Взаимодействие электромагнитных колебаний сверхвысоких частот с плазмой носителей заряда в полупроводнике. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1979. 4.2. - 134с.

59. Пожела Ю.К. Плазма в полупроводниках и неустойчивости в коротковолновой части СВЧ диапазона // Литовский физич. сб. 1981. №4. С.3-21.

60. Иванченко В.А., Климов Б.Н. Науменко Г.Ю. Горячие носители заряда в постоянных и СВЧ полях. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1983. - 132с.

61. Хакен Г. Синергетика / Пер. с англ. В.И.Емельянова, Под ред. Ю.Л.Климонтовича, С.М.Осовца. М.: Мир. 1980. - 404с.

62. Рабинович М.И., Трубецков Д.И. Введение в теорию колебаний и волн. М.: Наука. 1984. - 432с.

63. Анищенко B.C. Сложные колебания в простых системах. М.: Наука. 1990. -311с.

64. Шеллъ Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно рекомбина-ционными процессами / Пер. с англ. - М.: Мир, 1991. - 464с.

65. Schelkunoff S.A. Generalized telegrafist's equations for waveguides // Bell Syst. Tech. J. 1952. V.31, №7. P.784-801.

66. Seckelmann R. Propagation of ТЕ modes in dielectric loaded waveguides // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1966. V.14, № 11. P.518-527.

67. Егоров Ю.В. Частично заполненные прямоугольные волноводы. М.: Сов. радио, 1967. -216с.

68. Никольский В.В. Вариационные методы для внутренних задач электродинамики. М.: наука, 1967. - 460с.

69. Hord W.E., Rosenbaum F.J. Approximate technique for dielectric loaded waveguide // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1968. V.16, №4. P.228-233.

70. Gardiol F.E. Higher order modes in dielectrically loaded rectangular waveguides // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1968. V.16, №11. P.919-924.

71. Швингер Ю. Неоднородности в волноводах // Зарубежная радиоэлектроника. 1970. №3. С.5-104.

72. КислюкМ.Ж. Метод вторичных волн в задачах электродинамики. Л.: М-во связи СССР, Ленинградский электротехнический ин-т связи им. Проф. М.А.Бонч-Бруевича, 1970. -151с.

73. Фелъдштейн А.Л., Явич JI.P. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. М.: Связь, 1971. -388с.

74. English W.J. A computed-implemented vector variational solution of loaded rectangular waveguides // SIAM J. Appl. Math. 1971. V.21, № 3. P.461-468.

75. Семенов H.A. Техническая электродинамика. M.: Связь, 1973. - 480с.

76. Бергер М.Н., Капилевич Б.Ю. Прямоугольные волноводы с диэлектриками. М.: Сов. радио, 1973. - 256с.

77. Митра Р., Ли С. Аналитические методы теории волноводов. М.: Мир, 1974. -327с.

78. Захар-Иткин М.Х. Теорема взаимности и матричные телеграфные уравнения для многомодовых линий передачи // Радиотехника и электроника. 1974. Т. 19, №11. С.2338-2348.

79. Фильтры и цепи СВЧ / А.Матсумото, К.Курода, Р.Сато и др.; Пер. с англ. Л.В.Алексеева. М.: Связь, 1976. - 246с.

80. Левин Л. Теория волноводов: Методы решения волноводных задач Пер. с англ / Под ред. В.И.Волъмана. М.: Радио и связь, 1981. - 312 с.

81. Сазонов Д.М., Гридин А.Н., Мишустин Б.А. Устройства СВЧ / Под ред. Д.М.Сазонова. М.: Высшая школа, 1981. -295с.

82. Никольский В.В., Никольская Т.И. Декомпозиционный подход к задачам электродинамики. М.: Наука, 1983. -304с.

83. Волноводы сложных сечений / Г.Ф.Заргано, В.П.Ляпин, В.С.Михалевский и др. М.: Радио и связь, 1986. - 320с.

84. Вайнштейн Л.А. Электромагнитные волны. М.: Радио и связь, 1988. -440с.

85. Никольский В.В., Никольская Т.И. Электродинамика и распространение радиоволн. М.: Наука, 1989. -544с.

86. Григорьев А.Д. Электродинамика и техника СВЧ. М.: Высшая школа, 1990. -335с.

87. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1965. -448с.

88. Стил М., Вюраль Б. Взаимодействие волн в плазме твердого тела. М.: Атомиздат. 1973. -248с.

89. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. -616с.

90. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. -672с.

91. Горфинкель В.Б., Левинштейн М.Е., Машовец Д.В. Влияние сильного поперечного магнитного поля на эффект Ганга // ФТП. 1979. Т.13, №3. С.563-569.

92. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. М.: Мир, 1984.

93. Вендик И.Б. Геворкян С.Ш. Хижа Г.С. Оптически управляемые СВЧ -устройства // Зарубежная радиоэлектроника. 1987. №9. С. 10-22.

94. Капилевич Б.Ю. Тенденции применения оптически управляемых полупроводниковых структур в устройствах СВЧ диапазона // Зарубежная радиоэлектроника. 1989. №9. С.75-82.

95. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводников. М.: Радио и связь, 1990. -264с.

96. Ринку с В.В. Оптоэлектронные управляющие СВЧ устройства // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Общие вопросы радиоэлектроники. 1991. Вып.9 С.20-28.

97. Шур М. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Пер. с англ. М.: Мир, 1992.

98. Бразис Р.С., Сафонова Л.С. Дисперсия электромагнитных волн в периодических структурах полупроводник-диэлектрик на частотах ниже плазменной // Литовский физический сборник. 1991. Т., № . С.285.

99. Котов М., Малакаускас П., Пожела К. О невзаимном распространении объемных магнитоплазменных волн // Литовский физический сборник. 1992. Т., № . С.236.

100. Андреев B.C., Макаров Н.В. Оптическое управление полупроводниковыми приборами СВЧ // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1995. Т.38, №10. С. 17-33.

101. У санов Д. А., Скрипалъ А. В. Физика полупроводников (явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями). Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1996. - 236с.

102. Чэмплин КС., Армстронг ДБ. Выражения в явном виде для проводимости и диэлектрической проницаемости объемных полупроводников в волноводе // ТИРИ. 1962. Т.50, №2. С.272-273.

103. Бхар И.Н. Исследование полупроводников с помощью СВЧ методов // ТИИЭР. 1963. Т.51, №11. С. 1597-1605.

104. Нолмс ДА., Фойхт Д.Л. Измерение проводимости и диэлектрической проницаемости полупроводников на СВЧ // ТИИЭР. 1964. Т.52, №1. С. 107-108.

105. Ганн М.В. Измерение комплексной диэлектрической проницаемости полу-проводников СВЧ методом // ТИИЭР. 1964. Т.52, №2. С. 194.-

106. Фалъквик И. Измерение диэлектрической проницаемости на частотах СВЧ -диапазона методом малых возмущений // ТИИЭР. 1964. Т.52, №2. С.215.

107. Gunn М. W. Hot electron effects in n-Ge at 9,392 GGH // Journal of Electronics and Control. 1964. V.16, №5. P.481-491.

108. Gunn M. W., Brown J. Measurements on semiconductor properties in a slotted -waveguide structures // Proc. IEE. 1965. V.112, №3. P.463-468.

109. У санов ДА. СВЧ методы измерения параметров полупроводников. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та. 1985. - 56с.

110. Gabriel G.J., BrodwinM.E. The solution of guided waves in inhomogeneous anisotropic media by perturbation and variational methods // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1965. V.13, №3. P.364-370.

111. SheikR.H., GunnM. W. Wave propagation in an rectangular waveguide inhomo-geneously filled semiconductor // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech.1968. V.16, №2. P.117-121.

112. К расчету волноводных полупроводниковых модуляторов СВЧ / Л.И. Баранов, В.Б. Гаманюк, ДА. У санов, Б.Н. Климов II Радиотехника и электроника. 1971. Т. 16, №8. С. 1437-1441.

113. У санов ДА., Кабанов Л. Н., Горбатов С. С. О применении вариационного метода к расчету волновода, частично заполненного полупроводником // Физ. полупроводн. и полупроводн. электроника. 1976. Вып. 7. С. 112-117.

114. Клименко В.А., Юнисов Л.Е., Ярешко Ю.П. Расчет прямоугольного волновода, частично заполненного полупроводниковой структурой // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1978. Вып.9. С.97-100.

115. Герштейн Г.М., У санов Д. А., Усов Н.Ю. Анализ распространения продольно-электрических волн в прямоугольных волноводах с частичным полупроводниковым заполнением // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1984. Т.27,№5.С.9-14.

116. У санов ДА., Кабанов JI.H. Погрешность измерения параметров полупроводников при искажении поля в резонаторе // Измерительная техника. 1988. № 12. С. 34.

117. У санов ДА., Вагарин А.Ю. Немонотонная зависимость затухания волны в волноводе от проводимости и толщины помещенного в него полупроводника // Радиотехника и электроника. 1978. Т.23, №3. С.470-474.

118. У санов Д. А., Феклистов В.Б., Вагарин А.Ю. Влияние высших типов волн на затухание волны в волноводе, содержащем полупроводник // Радиотехника и электроника. 1979. Т.24, №8. С. 1681-1683.

119. Герштейн Г.М., У санов ДА., Усов Н.Ю. Зависимость ослабления сигнала в волноводе от положения полупроводниковых вставок // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1985. Т.28, №1. С.60-61.

120. У санов Д. А., Орлов В.Е. Немонотоннаязависимость затухания^электромаг^ нитной волны от уровня инжекции в p-i-n диодных структурах, помещенных в волновод // Радиотехника и электроника. 1987. Т.32,№5. С. 1129-1131.

121. У санов Д. А., Занин В.И., Феклистов В.Б. Зависимость затухания волны в волноводе, содержащем двухслойную структуру полупроводник- диэлектрик, от проводимости и толщины полупроводника // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1992. Т.35, №8. С.715-723.

122. Barlow Н.Е.М., Koike R. Microwave propagation in a waveguide containing a semiconductor to with is applied a steady transverse magnetic field // Proc. IEEE. 1963. V.110, № 12. P. 2177-2181.

123. Endineer M.A., Nag B.R. Propagation of electromagnetic waves in rectangular guides filled with a semiconductor in the presence of a transverse magnetic field // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1965. V.13, № 5. P.641-646.

124. Suzuki K. Room temperature solid state plasma nonreciprocal microwave device 11 IEEE Trans, on Electron Devices. 1969. V.16, № 12. P. 1018-1021.

125. Hirota R., Suzuki K. Field distribution in a magnetoplasma-loaded waveguide at room temperature // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1970. V.18, №4. P. 188-195.

126. Arnold R.M., Rosenbaum F.J. Nonreciprocal wave propagation in semiconductor loaded waveguides in the presence of a transverse magnetic field // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1971. V. 19, №1. P.57-65.

127. Шишкин Г.Г. Плазма твердого тела в электронике // Зарубежная радиоэлектроника. 1971. №8. С.69-91.

128. Баранов Л.И., Гаманюк В.Б., У санов Д. А. К вопросу о невзаимном распространении волны в волноводе, частично заполненном полупроводником // Радиотехника и электроника. 1973. Т. 18, №1. С.73-77.

129. Коровин В.И.,Шишкин Г.Г. Невзаимные СВЧ приборы, использующие плазму полупроводников // Зарубежная радиоэлектроника. 1975. № 3. С.93-122.

130. У санов Д. А., Вагарин А.Ю. Об использовании эффекта смещения поля в п-InSb для управления СВЧ излучением // Радиотехника и электроника. 1975. Т.20. №6. С. 1164-1166.

131. Ness J.В., Gunn M.W. Microwave propagation in rectangular waveguide containing a semiconductor subject to a transverse magnetic field // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1975. V.23, №9. P.767-772.

132. Усанов ДА., Вагарин А.Ю. Кабанов Л.Н. Невзаимное распространение волны в волноводе, содержащем двухслойную структуру полупроводник-диэлектрик // Радиотехника и электроника.-1976.-Т.21, №10.-С.2480-2085.

133. Gauthier F., Besse М., Garault Y. Optimization of nonreciprocal centimeter wavelength devices using n type germanium slabs // Conf. Proc. 8th Eur. Microwave Conf., 78, Paris, 1978. - Sevenoaks, 1978. - P.205-209. ------

134. Изменение знака невзаимности в затухании волны в волноводе, содержащем полупроводник / В.Н.Коровин, Г.Г.Шишкин, Д.А.Усанов и др. // Радиотехника и электроника. 1979. Т.24, №8. С. 1677-1680.

135. Захар-Иткин М.Х. Уточнение параметров невзаимного распространения волн в волноводах с анизотропным заполнением // Радиотехника и электроника. 1979. Т.24, №10. С. 1964-1969.

136. Tedjini S., Pic Е. New analysis of semiconductor isolators: the modified spectral domain analysis // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1985. V.33, №1. P.59-64.

137. Усанов ДА., Кабанов Л.Н. Невзаимное распространение волны в прямоугольном волноводе, содержащем продольно "намагниченный" полупроводник // Радиотехника и электроника. 1985. Т.30, № 5. С. 1013-1014.

138. Виненко В.Г., ЛицовА.А., Усанов Д.А. Влияние высших типов колебаний на характеристики волноводных управляющих устройств на p-i-n диодах // Радиотехника и электроника. 1983. Т.28, №1. С.201-203.

139. Влияние высших типов колебаний на частоту перестраиваемого поршнем волноводного генератора Ганна / А.А.Лицов, Д.А.Усанов, Б.П.Безручко. А.Ю.Вагарин II Радиотехника и электроника. 1984. Т.29, №10. С.2057-2058.

140. Лицов А. А., У санов Д. А. Резонансный переключатель СВЧ диапазона на р - i - п- диоде // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1985. Вып. 11. С.6-8.

141. Лицов А. А., У санов Д. А. Резонансное затухание СВЧ мощности в полубесконечном волноводе, содержащем индуктивный штырь с зазором // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1986. Т.29, №3. С.53-57.

142. Bui V.R., Gagne R.R.J. Dielectric losses in an H plane - loaded rectangular waveguide // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1972. V.20, №9. P.621-623.

143. Arnold R.M., Rosenbaum F.J. An approximate analysis of dielectric ridge loaded waveguides // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1972. V.20, №10. P.699-701.

144. Ган С.П., Герценштейн Ф.Э. Волна Hmo в прямоугольном волноводе со слоистым ограниченным по длине диэлектриком // Радиотехника и электроника. 1974. Т. 19, №10. С.2172-2175.

145. Исследование распределения поля СВЧ в прямоугольном волноводе, содержащем стержень из электронного кремния / В.И.Денис, Я.А.Каружа, Л.В.Книшевская, М.М.Ярмалис II Радиотехника и электроника. 1975. Т.20, №2. С.360-364.

146. Besse М., Gauthier F., Garault Y. Analysis of dielectric loaded rectangular waveguides // A.E.l). 1976. V.30, №1. P.43-46.

147. У санов ДА., Буренин П.В., Безменов А. А. Распределение СВЧ поля в прямоугольном волноводе, содержащем полупроводниковый стержень // Радиотехника и электроника. 1977. Т.22, №10. С.2199-2203.

148. Gauthier F., Besse М., Garault Y. Analysis of an inhomogeneously loaded rectangular waveguide with dielectric and metallic losses // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1977. V.25, №11. P.904-907.

149. Besse M., Gauthier F., Garault Y. Analysis of dielectric loaded waveguide for millimeter waves //A.E.U. 1978. V.32, №4. P. 165-168.

150. Капилевич Б.Ю. Волноводные диэлектрические фильтры. М.: Связь, 1980. - 136с.

151. Книшевская Л.В., Котов М.Н., Ярмалис М.М. Распределение СВЧ электрического поля внутри и снаружи полупроводникового стержня, помещенного в прямоугольный волновод // Радиотехника и электроника. 1980. Т.25,№1. С. 197-199.

152. Книшевская Л.В., Котов МЛ., Ярмалис М.М. Полупроводниковый стержень в волноводе //Литовский физический сборник. 1980. Т.20, №2. С.47-53.

153. Никишов В.Н., Яровой Г.П. Расчет распределения СВЧ поля в прямоугольном волноводе, содержащем полупроводниковый стержень // Радиотехника и электроника. 1982. Т.27, №11. С.2133-2139.

154. Ильинский А.С., Слепян Г.Я. Колебания и волны в электродинамических системах с потерями. М.: Изд-во Московского университета, 1983. - 232с.

155. Богданов Ф.Г. Дифракция волны Ню на произвольном диэлектрическом стержне // Радиотехника и электроника. 1983. Т.28, № 5. С.876-880.

156. ВзятышевВ.Ф. Диэлектрические волноводы. М.: Сов. радио, 1970. -213с.

157. Chrepta М.М., Jacobs Н. Millimeter wave integrated circuits // Microwave J. 1974. V.17, №11. P.45-47.

158. Davis R.T. Millimeterwaves: controversy brews over transmission media // Microwaves. 1976. V.15, №3. P. 32,34,36-38,40-42.

159. Пат. №4016506, США, МКИ4 H03B7/14, H03B9/12. Dielectric waveguide oscillator / J.S.Kofol (США); Honeywell Inc. (США). Заявка №644245; Заявлено 24.12.75; Опубл. 05.04.77; НКИ 331-96.

160. Кац Л.И. Полупроводниковые СВЧ волноводы. М.: ЦНИИ Электроника, 1979. - 85с. - (Обзоры по электронной технике. Сер. Электроника СВЧ; Вып. 9(630)).

161. Гуляев Ю.В., Любченко В.Е. Полупроводниковая интегральная техника миллиметрового диапазона // Доклады АН СССР. 1980. Т.250, №5. С. 11161118.

162. Кармазин С.В., Любченко В.Е., Мурмужев Б.А. Диэлектрический волновод миллиметрового диапазона из GaAs II Радиотехника и электроника. 1980. Т.25, № 10. С.2232-2233.

163. Dixon S., Jacobs Н. Millimeter wave self mixing oscillator // Int. J. Infrared and Millimeter Wave. 1981. V.2, №2. P.347-360.

164. Power combiner with Gunn diode oscillator / J.J.Potoczniak, H.Jacobs, C.M.LoCasio, G.Novick И IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1982. V.30, №5. P.724-728.

165. Алътшулер Е.Ю., Кац Л.И., Попов B.B. Поверхностные электромагнитные волны в полупроводниковых структурах и их применение в технике СВЧ. -М.: ЦНИИ Электроника, 1983. 60с. - (Обзоры по электронной технике. Сер. Электроника СВЧ; Вып. 7(940)).

166. Гвоздев В.И., Нефедов Е.И. Объемные интегральные схемы СВЧ. М.: Главная ред. физ.-мат. литературы, 1985. - 256с.

167. Диэлектрические интегральные схемы КВЧ. 4.1. Направления и перспективы / В.Ф.Взятышев, Т.Н.Нарытник, С.Е.Банков и др. М.: ЦНИИ Электроника, 1985. -42с. - (Обзоры по электронной технике. Сер. Электроника СВЧ; Вып. 13(1140)).

168. Вапнэ Г.М., Глаголев Б.С. Перспективные линии передачи КВЧ диапазона. -М.: ЦНИИ Электроника, 1986. -136с. (Обзоры по электронной технике. Сер. Электроника СВЧ; Вып. 11(1200)).

169. Любченко В.Е., Мартяхин В.А. Усиление миллиметровых волн при взаимодействии с дрейфующими электронами в слоистых полупроводниковых диэлектрических волноводах // Радиотехника и электроника. 1993. Т. 38, № 10. С. 1900-1903.

170. Marcatili E.A.J. Dielectric rectangular waveguide and directional couplers for integrated optics // Bell Syst. Tech. J. 1969. V.48, №9. P.2071-2102.

171. Клэр Ж.-Ж. Введение в интегральную оптику. М.: Сов. Радио, 1980. -104с.

172. Кузнецов В.А., Лерер A.M. Дисперсионные характеристики прямоугольного диэлектрического волновода // Радиотехника и электроника. 1982. Т.27, №4. С.651-657.

173. Dagli N., Fonstad C.G. Microwave equivalent circuit representation of rectangular dielectric waveguide I I Appl. Phys. Lett. 1986. V.49, № 6. P.308-310.

174. Гусев А.В. Расчет спектральных характеристик диэлектрических волноводов // Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, №2. С. 186-193.

175. Ogusu К. Numerical analysis of the rectangular dielectric waveguide and its modifications // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1977. V.25, №11. P.874-885.

176. Microwave transmission method for measuring minority carrier life - time in silicon slices / R.E. Thomas, V. Makios, S. Ogletree, R. Mc.Killican // Electron Lett. 1971. V.7, №24. P.754-756.

177. Auston D.H. Picosecond optoelectronic switching and gating in silicon // Appl. Rhys. Lett. 1975. V.26, №3. P. 101-103.

178. Johnson A.M., Auston D.H. Microwave switching by picosecond photoconductivity I I IEEE J. Quant. Electron. 1975. V.l 1, №6. P.283-287.

179. Karg R., Kreitzer E. Light controlled semiconductor waveguide antenna // Electron. Lett. 1977. V.13, №9. P.246-247.182. . Waveguides uses laser for microwave rower // Electron. Des. 1977. V.25, №15. P.lll.

180. Proud J.N., Norman S.L. High frequency waveform generation using optoelectronic switching in silicon // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1978. V.26, №3. P.137-140.

181. Platte W. Optoelectronic generation of short microwave bursts via pulse substation // A.E.U. 1978. V.32, №9. P.377-378.

182. Lee C.H., MakP.S., DeFonzo A.P. Millimeter wave switching by optically generated plasma in silicon // Electron. Lett. 1978. V.14, № 23. P.733-734.

183. Солганик В.Д., Невгасимый А.Ф., Скорик Е.Т. Оптоэлектронные СВЧ управляемые устройства // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1978. Т.21, №12. С.88-91.

184. DeFonzo А.Р., Lee С.Н., MakP.S. Optically controlled millimeter phase shifter // Appl. Phys. J. 1979. V.35, №8. P.575-577.

185. Leonberger F.J., Moulton P.F. High speed InP optoelectronic switch // Appl. Phys. Lett. 1979. V.35, №9. P.712-714.

186. Yen H. W., Figneroa L., Slayman C. Review of optical microwave interaction technology // Dig. Tech. Pap. Top. Meet. Integrated and Guided - Wave Optics. Incline Village, 1980. - New York, N.Y., 1980. WC1/1-WC1/4.

187. BuckJ.A., Li K.K., Whinnery J.R. Optoelectronic switching in a slab transmission line // J. Appl. Phys. 1980. V.51, №1. P.769-771.

188. Lee C.H., Mak P.S., DeFonzo A.P. Optically controlled millimeter wave propagation in dielectric waveguide // IEEE J. Quant. Electron. 1980. V.16, №3. P.277-288.

189. Мериакри B.B., Мурмужев Б.А., Ушаткин Е.Ф. Влияние освещенности на затухание волны в диэлектрическом волноводе из фотопроводящего германия//Ж.Т.Ф. 1981. Т.51, №11. С.2395-2396.

190. Yen Н. W. Optical technology for microwave and millimeter wave monolithic circuits // Symposium, June 4-5, 1986. -Baltimore, 1986. P.33-34.

191. Jacobs H., ChreptaM.M. Electronic phase shifter for millimeter wave semiconductor dielectric integrated circuits // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1974. V.22, №4. P.411-417.

192. Chang Y. Millimeter wave integrated circuit technologies. Silicon image guide integrated circuits // Microwave J. 1976. V.19, №11. P.26-28.

193. Measurement of guide wavelength in rectangular dielectric waveguide / H.Jacobs, G.Novick, C.M.LoCasio, M.M.Chrepta // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1976. V.24, №11. P.815-820.

194. Silicon waveguide frequency scanning linear array antenna / K.L.Klohn, RE.Horn, H.Jacobs, E.Freibergs II IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1978. V.26, №10. P.764-773.

195. Electronic modulated beam steerable silicon waveguide array antenna / H.Jacobs, R.E.Hom, E.Freibergs, K.L.Klohn II IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1980. V.28, №6. P.647-653.

196. Single frequency electronic modulated analog line scanning using a dielectric antenna / H.Jacobs, R.E.Horn, E.Freibergs, K.L.Klohn II IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1982. V.30, №5. P.816-820.

197. Красовский С. В., У санов ДА. Скачкообразные изменения характеристик СВЧ ограничителей на p-i-n - диодах // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1985. Вып. 12. С.7-9.

198. Виненко В.Г., Красовский С.В., Усанов ДА. Модуляция выходного сигнала в СВЧ ограничителях мощности на p-i-n - диодах // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1987. Вып.4. С.38-39.

199. Виненко В.Г., Красовский С.В., Усанов ДА. Спектральный состав выходного сигнала СВЧ ограничителей мощности на p-i-n - д иодах // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1987. Вып.8. С.7-9.

200. Красовский С.В., Родина Л.П., Усанов ДА. Явление удвоения периода в квазиактивном ограничителе на p-i-n диодах // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1993. Т.36, №2. С.77-80.

201. Лебедев И.В., Шнитников А.С. Характеристическая частота полупроводниковой диодной структуры // Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, №6. С.750-758.

202. Усанов Д.А., Скрипалъ А.В., УгрюмоваН.В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в р i - п - диодных структурах при воздействии СВЧ - излучения // Изв. ВУЗов Электроника. 1997. №3-4. С.48-52.

203. У санов Д. А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе р п- перехода в СВЧ поле // ФТП. 1998. Т.32, №11. С. 1399-1402.

204. Снятие вырождения в р- и n-областях туннельного диода внешним СВЧ сигналом / ДА. Усанов, Б.Н.Коротин. В.Е.Орлов. А.В.Скрипалъ // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16, вып.8. С.50-51.

205. Влияние внешнего СВЧ сигнала на работу СВЧ - генератора на туннельном диоде / Д.А.Усанов, Б.Н.Коротин. В.Е.Орлов, А.В.Скрипалъ II Изв. ВУЗов Радиофизика. 1991. Т.34, №1. С.98-99.

206. Влияние греющего СВЧ поля на вид вольт-амперной характеристики туннельного диода / Д.А.Усанов, А.В.Скрипалъ, Б.Н.Коротин, В.Е.Орлов II Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19, №7. с.81-85.

207. Управление видом вольт-амперной характеристики последовательно соединенных туннельных диодов греющим СВЧ полем / Д.А.Усанов, А.В.Скрипалъ, Б.Н.Коротин, В.Е.Орлов И Изв. ВУЗов Электроника. 1996. №1-2. С. 129-133.

208. PerlmanB., Upadhyaula С., Siekanowicz W. Microwave Properties and Applications of Negative Conductance Transferred Electron Devices // Proceedings of the IEEE. 1971. V.59, №8. P. 1229-1237.

209. Гончаров Б А., Мамзелев И. А., Тузов B.M. Режимы работы генераторов на диодах Ганна при напряжениях питания, близких к пороговому напряжению образца // Радиотехника. 1980. Т.35, №12. С.44.

210. Кальянов Э.В. Стохастизация низкочастотных колебаний генераторов на МЭП диоде // Радиотехника и электроника. 1984. Т.29, №1. С.83-87.

211. У санов ДА., Скрипаль А.В. Частотная модуляция диодов Ганна, работающих в режиме генерации, при воздействии на них лазерного излучения // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1984. Вып. 7. С. 27-29.

212. Бочаров Е.П., Коростелев Г.Н., Хрипунов М.В. К модели стохастической автогенерации в генераторах на диодах Ганна // Изв. ВУЗов Радиофизика. 1987. Т.ЗО, №1. С.96.

213. У санов ДА., Скрипаль А.В. Эффект невзаимности в диоде Ганна в скрещенных электрических и магнитных полях // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1987. Т.ЗО, №5. С.53-55.

214. У санов Д. А., Горбатов С. С., Семенов А. А. Влияние напряжения смещения на стохастизацию колебаний в диодах Ганна в многоконтурной колебательной системе // Радиотехника и электроника. 1991. Т.36, №12. С.2406-2409.

215. У санов Д. А., Горбатов С. С. Генерация субгармоник в СВЧ усилителях на диодах Ганна // Тез. докл. VII Всесоюз. симпозиума "Плазма и неустойчивости в полупроводниках". Паланга, 1989. Т.4.1. С.77-78.

216. Tokayama Y. Doppler Signal Detection with Negative-Resistance Diodes Oscillators // IEEE Trans. On Microwave Theory and Tech. 1973. V.21, №2, P.89-94.

217. Детекторный эффект на диодах с переносом электронов / ДА.Усанов,

218. B.Н.Посадский, П.В.Буренин и др.// Радиотехника и электроника. 1977. Т.22, № 5. С. 1085-1086.

219. У санов Д. А., Безменов A.A., Орлов В.Е. Детекторный эффект в усилителях на лавинно-пролетных диодах // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1980. Т.23, № 3. С.63-64.

220. У санов Д. А., Скрипеть A.B. Детектирование МЭП диодами, работающими в активном режиме // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1980. Вып. 10. С.62-63.

221. Детекторный эффект в СВЧ усилителях на транзисторах / ДА. У санов, А.А.Безменов, А.Ю.Вагарин. В.М.Логинов II Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1981. Вып.9(333). С.60-61.

222. У санов Д. А., Вагарин А.Ю., Безменов A.A. Об использовании детекторного эффекта в генераторах на лавинно-пролетных диодах для измерения диэлектрической проницаемости материалов // Дефектоскопия. 1981. № 11.1. C. 106-107.

223. Использование генераторов на биполярных транзисторах для измерения параметров материалов / ДА.Усанов, А.А.Безменов, В.М.Логинов, А.Ю.Вагарин II Дефектоскопия. 1982. № 4. С.79-80.

224. У санов ДА., Коротин Б.Н. Устройство для измерения толщины металлических пленок, нанесенных на диэлектрическую основу // ПТЭ. 1985. № 1. С.254.

225. Усанов ДА., Безменов A.A., Коротин Б.Н. Устройство для измерения диэлектрических пленок, нанесенных на металл // ПТЭ. 1986. № 4. С.227-228.

226. Усанов Д.А., Коротин Б.Н., Орлов В.Е. Использование эффекта автодинно-го детектирования в СВЧ генераторе на туннельном диоде для измерения параметров материалов // Дефектоскопия. 1987. № 9. С.83-84.

227. Усанов ДА., Скрипалъ A.B. Эффект автодинного детектирования в генераторах на диодах Ганна и его использование для контроля толщины и диэлектрической проницаемости материалов // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1987. Т.30. № 10. С.76-77.

228. Усанов Д.А., Скрипалъ A.B., Орлов В.Е. Прибор для дистанционного измерения вибраций // ПТЭ. 1991. № 1. С.242-243.

229. У санов Д. А., Авдеев A.A. Использование эффекта автодинного детектирования в генераторах на диодах Ганна для двухпараметрового измерения диэлектриков // Дефектоскопия. 1995. №4. С.42-45.

230. Эффект автодинного детектирования в генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания / ДА. У санов, А.В.Скрипалъ, А.А.Авдеев, А.В.Бабаян II Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, № 12. С. 1497-1500.

231. Tsai W.C., Rosenbaum F.I. Bias circuit oscillations in Gunn devices // IEEE Trans. Electron. Dev. 1969. V.ED-16, №2. P. 196-202.

232. Малышев В А., Роздобудъко B.B., Головкин A.C. Автомодулированные СВЧ колебания на диоде Ганна // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1977. Т.20, №10. С.85.

233. Романюк В.А., Шарифов Т.М. Паразитные колебания в СВЧ генераторах на активных двухполюсниках// Радиотехника. 1977. Т.32, №5. С.57-63.

234. Романюк В.А., Шарифов Т.М. Подавление паразитных НЧ колебаний в генераторах Ганна//Радиотехника. 1977. Т.32, №12. С.74-77.

235. Усанов ДА., Горбатов С.С., Скрипалъ A.B. Особенности низкочастотной генерации в диодах Ганна // Изв. вузов Радиоэлектроника. 1981. Т24, №10. С.67-69.

236. Острейковский A.M. Особенности низкочастотной неустойчивости генераторов Ганна//Радиотехника. 1989. №6. С. 19-22.

237. Усанов Д. А., Горбатов С. С., Семенов А. А. Особенности многочастотной генерации СВЧ в генераторах на диодах Ганна // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1993. Т.36, N3. - С. 64.

238. Адлер Р. Исследование явлений синхронизации генераторов // ТИИЭР. 1973. Т.61, №10. С.5-11.

239. Курокава К. Принудительная синхронизация твердотельных СВЧ генераторов // ТИИЭР. 1973. Т.61, №10. С. 12-40.

240. Андреев B.C. К теории синхронизации автогенераторов на приборах с отрицательным сопротивлением // Радиотехника. 1975. Т.ЗО, №2. С.43-53.

241. Катушкина В.М., Малышев В.П., Никитин A.B. СВЧ генератор с регулируемой амплитудой и фазой выходного колебания // Радиотехника. 1987. Т.42, №11. С.76-78.

242. Заулин И.А. Пономаренко В.П. Анализ динамических процессов в статических системах синхронизации // Радиотехника и электроника. 1989. Т.34, №1. С. 106-114.

243. Oltman H.G., Nonnemaker С.Н. Subharmonically injection phase-locked Gunn oscillator experiments // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1969. V.17, №8. P.728.

244. Зубович Н.А. Синхронизация генератора Ганна на субгармонике частоты генерации // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1977. №1. С. 100-104.

245. Расширение полосы синхронизации генератора, захваченного на субгармониках частоты автоколебаний / В.М.Катушкина, В.П.Малышев, А.В.Никитин, А.В.Шалапанов II Радиотехника. 1981. Т.36, №9. С.40-42.

246. Мецнер Е.П. Синхронизация СВЧ генератора на диоде Ганна // Радиотехника. 1990. №7. С.30.

247. Егоров М.П., Андреев B.C. К теории синхронизации автогенератора ампли-тудно-модулированных колебаний на резистивном нелинейном элементе с отрицательным сопротивлением // Радиотехника и электроника. 1989. Т.34, №1. С. 115-120.

248. Малышев В.А., Роздобудъко В.В., Головкин А.С. Использование синхронизации автогенератора СВЧ внешним сигналом для измерения параметров нелинейности его электронной проводимости // Радиотехника и электроника. 1979. Т.24, №6. С. 1110-1117.

249. Эйзенхарт Р., Кан Р. теоретическое и экспериментальное исследование держателя СВЧ элемента в волноводе // Зарубежная радиоэлектроника. 1970. №8. С. 102-125.

250. White J.F. Simplified theory for post coupling Gunn diodes to waveguide // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1972. V.20, №6. P.372-378.

251. Jethwa C.P., Gunshor R.L. An analytical equivalent circuit representation for waveguide mounting Gunn oscillators // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1972. V.20, №9. P.565-572.

252. Chang K., Khan R.J. Analysis of a narrow capacitive strip in waveguide // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1974. V.22, №5. P.536-541.

253. El-Sayed O.L. Impedance characterization of a two post mounting structure for varactor - tuned Gunn oscillators // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1974. V.22, №8. P.769-776.

254. JoshiJ.S., Comic J.A.F. Analysis of waveguide mounting configuration for electronically tuned transferred electron - device oscillators and its circuit application // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1976. V.24, №9. P.573-589.

255. JoshiJ.S., Comic J.A.F. Analysis of waveguide post configuration: Part 1 Gap junnittans matrices // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1977. V.25, №3. P. 169-173.

256. Jos hi J.S., Comic J.A.F. Analysis of waveguide post configuration: Part 2 -Dual gap cases // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1977. V.25, №3. P. 173-181.

257. Joshi J.S., Comic J.A.F. Analysis of waveguide post configuration: Part 3 -Influence of general waveguide terminations // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1978. V.26, №4. P.319-320.

258. Mizushina S., Knwabara N., Kondoh H. Theoretical analysis of a ridged -waveguide mounting structure // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1977. V.25, №12. P. 1131-1134.

259. Мошинский А. В, Электродинамический анализ стержневого держателя для активных СВЧ элементов в прямоугольном волноводе // Радиотехника и электроника. 1980. Т.25, №3. С.487-498.

260. Мошинский А.В., Сакута А.Г., Драгомирецкий В.И. Распределение тока на поверхности стержневого излучателя в прямоугольном волноводе // Радиотехника и электроника. 1982. Т.27, №6. С. 1103-1109.

261. Виненко В.Г., Усанов Д.А. Методы расчета волноводных устройств со стержневым держателем // Зарубежная радиоэлектроника. 1982. №10. С.69-85.

262. Коцержинский Б.А. Аппроксимационные модели электродинамических систем твердотельных устройств миллиметрового диапазона длин волн // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1983. Т.26, №10. С.38-45.

263. Усанов Д. А., Горбатов С. С., Семенов А. А. Изменение вида вольт-амперной характеристики диода Ганга в зависимости от режима его работы на СВЧ // Изв. ВУЗов радиоэлектроника. 1991. Т.34, №5. С. 107-108.

264. Усанов ДА. Изменение характеристик полупроводниковых приборов под воздействием на них СВЧ излучения // Изв. ВУЗов Электроника. 1997. №1. С.129-133.

265. Мигауата К., Ohmi Т. Static negative resistance in highly doped Gunn diodes and application to switching and amplification // Japan J. Appl. Phys. 1973. V.12, №12. P. 1931-1940.

266. Усанов ДА., Скрипеть A.B., Бабаян A.B. Взаимосвязь сопротивления диодов Ганга в слабых электрических полях с термостабильностью и выходной мощностью генераторов на их основе // Изв. ВУЗов Электроника. 1997. №5. С.31-36.

267. Усанов ДА., Скрипеть А.В., Бабаян А.В Влияние саморазогрева диодов Ганга на спектр выходного сигнала генераторов на их основе// Изв. ВУЗов Прикладная нелинейная динамика. 1998. Т.6, №6. С.20-28.

268. Вениг С.Б. Использование полупроводников для создания невзаимных устройств ВЧ, СВЧ и ИК диапазонов // Радиотехника. 1979. Т.34, №11. С.90.

269. Усанов ДА., Вагарин А.Ю., Вениг С.Б. Полупроводниковые волноводы-модуляторы СВЧ излучения // Электронная техника Сер. Электроника СВЧ. 1980. Вып.9. С.56-57.

270. Усаное Д.А., Вагарин А.Ю., Вениг С.Б. Использование п InAs для создания невзаимных устройств ИК-диапазона // Радиотехника и электроника. 1981. Т.26, №1. С.204.

271. Усаное Д.А., Вагарин А.Ю., Вениг С.Б. Модулятор на p-i-n диоде для интегральных схем миллиметрового диапазона // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1982. Вып.4. С.59.

272. Усаное ДА., Вагарин А.Ю., Вениг С.Б. СВЧ генератор на диоде Ганна на диэлектрическом волноводе // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1983. Вып. 10. С.67-68.

273. Усаное ДА., Вениг С.Б., Коротин Б.Н. Способ управления /?-/-«-диодным прибором и устройство для его осуществления // A.c.1191996 СССР, МКИ Н01 Р1/15,- №3589982/24-09; Заявлено 16.05.83; Опубл. 15.11.85; Бюл. № 42.

274. Усаное ДА., Вениг С.Б., Семенов A.A. Устройство управления p-i-n-диодом //А.с.1479976 СССР, МКИ Н01Р 1/15.-№4181902/24-09; Заявлено 14.01.87; Опубл. 15.05.89; Бюл. № 18.

275. Схема управления сверхвысокочастотными устройствами на p-i-n диодах / С.Б. Вениг, Б.Н. Коротин, A.A. Семенов, ДА. Усаное II Приборы и техника эксперимента,-1991,- №5.-С. 134-135.

276. Синхронизованный на субгармонике сверхвысокочастотный генератор на диоде Ганна / С. С. Горбатов, Д.А Усаное, С.Б. Вениг и др. // Приборы и техника эксперимента.-1993,- №3.-С. 136-137.

277. Генератор СВЧ / ДА Усаное, С.С. Горбатов, С.Б.Вениг, A.A. Семенов П Пат. РФ № 2060577, МКИ Н03В 7/14, Н03В 9/12. №93028523/09; Заявлено 23.05.93. Опубл. 20.05.96. Бюл. № 14.

278. Измеритель индукции магнитного поля на основе магниточувствительных интегральных схем / С.Б. Вениг, A.A. Семенов, А.И. Галушков и др. II Приборы и системы управления. 1998. № 5. С.34-35.

279. Семенов A.A., Вениг С.Б., Усаное Д.А. Микроэлектронное устройство // Св-во на полезную модель РФ №9536, МКИ G06F12/14, №98111453/20, Заявлено 15.06.98, Опубл. 16.03.99. Бюл. №3.

280. Усаное Д.А., Вениг С.Б., Скворцов С.И. Генератор периодических колебаний // Св-во на полезную модель РФ № 10021, МКИ Н03В 15/00, №98111947/20, Заявлено 24.06.98, Опубл. 16.05.99. Бюл. №5.

281. Усанов Д.А., Вениг С.Б., Скворцов С.И. Генератор с магниточувствитель-ной инерционной нелинейностью // Изв. ВУЗов Прикладная нелинейная динамика. 1999. Т.7, № 2,3. С. 12-15.

282. Усанов Д.А., Вагарин А.Ю., Вениг С.Б. Модуляторы СВЧ излучения на полупроводниковых волноводах // Тез. докл. IX Всесоюзной научн. -техн. конф. по микроэлектронике, 14-17 сент.1980. Казань, 1980. С. 128.

283. Усанов Д.А., Вагарин А.Ю., Вениг С.Б. Излучение электромагнитной энергии из полупроводникового волновода, содержащего p-i-n диод // Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1984. Вып.З. С.63-65.

284. Усанов ДА., Вагарин А.Ю., Вениг С.Б. Исследование свойств диэлектрических волноводов, содержащих полупроводниковый диод // Тез. докл. научн.-техн. конф. Проблемы интегральной электроники СВЧ, 4-6-апр. 1984 г. Л., 1984. С.39.

285. Усанов ДА., Вениг С.Б., Захарова Н.Г. Распространение электромагнитных волн в экранированном полупроводниковом волноводе // Тез. докл. семинара "Решение внутренних краевых задач электродинамики", 18-20 сент. 1984 г. Ростов на Дону. 1984. С.66.

286. Усанов Д.А., Вагарин А.Ю., Вениг С.Б. Использование детекторного эффекта в СВЧ генераторе на диоде Ганна для измерения параметров диэлектриков // Дефектоскопия.-1985. №6.-С.78-82.

287. Усанов ДА., Вениг С.Б. Анализ условий согласования полупроводникового волновода с металлическим // Тез. докл Всесоюзной научн.-техн. конф. Интегральная электроника СВЧ. 14-16 июня. 1988 г. Красноярск, 1988. С.92.

288. Синхронизация мод в СВЧ генераторах на диодах Ганна / ДА Усанов, С.С.Горбатов, С.Б.Вениг, А.А.Семенов // Письма в ЖТФ.-1992,- Т. 18, вып. 12-С.26-27.

289. Смена знака нелинейной составляющей реактивности и гистерезис у диодов Ганна в режиме генерации / ДА Усанов, С.Б. Вениг, С.С. Горбатов, А.А.Семенов И Письма в ЖТФ. 1994. Т.20. вып.21. С.21-23.

290. Влияние нелинейного характера импеданса диодов Ганна на работу СВЧ генераторов на их основе / ДА Усанов, С.Б. Вениг, С.С. Горбатов, А.А.Семенов II Изв. Вузов Прикладная нелинейная динамика.-1994.- Т.2, №5.-С.35-45.

291. Модуляция выходного сигнала генератора на диоде Ганна воздействием на него внешнего СВЧ сигнала / Д.А Усанов, С.Б.Вениг, С.С. Горбатов, А.АСеменов II Изв. Вузов Радиофизика. 1995 . Т.38, №9. С.982-988.

292. Температурная зависимость параметров датчиков магнитного поля на основе магниточувствительных ИС / С.Б. Вениг, А.И. Галушков. A.A. Семенов и др. II Изв. вузов Электроника.-1996,- №1-2.-С. 114-116.

293. Вениг С.Б., Усанов Д.А. Особенности распространения электромагнитных волн миллиметрового диапазона в полупроводниковых волноводах с регулируемой проводимостью // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 1998. Т.1, №1. С.35-37.

294. Усанов Д.А., Вениг С.Б., Скворцов С.И. Генератор автоколебаний на магни-тодиоде // Изв. ВУЗов Электроника. 1998. № 4. С. 106-107.

295. Усанов Д.А., Вениг С.Б., Семенов A.A. Особенности управления СВЧ мощностью p-i-n диодными устройствами // Радиотехника и электроника.1998. Т.43, № 11. С. 1401-1403.

296. Усанов ДА., Вениг С.Б. Орлов В.Е. Особенности распространения электромагнитной волны в волноводе, содержащем продольно расположенный полупроводниковый стержень // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 1999. Т.2, №1. С. 11-15.

297. Усанов ДА., Вениг С.Б., Орлов В.Е. Отрицательное дифференциальное сопротивление туннельного диода, наведенное внешним СВЧ сигналом // Письма в ЖТФ. 1999. Т.25, № 2. С.39-42.

298. Усанов ДА., Вениг С.Б., Горбатов С.С., Труфакин Э.В. Хаотические колебания в СВЧ и НЧ цепях генератора на диоде Ганна // Изв. ВУЗов Прикладная нелинейная динамика. 1999. Т.7, № 4. С.20-27

299. Усанов Д.А., Вениг С.Б. Орлов В.Е. Стимулированная внешним сверхвысокочастотным излучением работа туннельного диода в режиме генерации // Изв. Вузов Радиофизика. 1999 . Т.42, №9. С. 18-20

300. У санов Д. А., Вениг С.Б. Орлов В.Е. Резонансные явления в волноводе, обусловленные возбуждением волн высших типов, в системе диафрагма ко-роткозамыкающий поршень // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 1999. Т.2, №2. С. 17-18.

301. Лабораторные работы по курсу "Измерение параметров полупроводников на СВЧ" / Д.А.Усанов, С.Б.Вениг, В.Б.Феклистов, А.В.Скрипаль // Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1997. -140 с.

302. Chang С.Т.М. Partially dielectric slab - filled waveguide phase shifter // IEEE Trans. On Microwave Theory and Tech. 1974. V.22, №5. P.481-485.

303. Черне Х.И. Матрица рассеяния In полюсного параллельного разветвления // Труды учебных институтов связи. 1963. Вып. 18. С.44-51.

304. Черне Х.И. Некоторые вопросы теории 2п полюсника // Труды учебных институтов связи. Радиосвязь, вещание, телевидение. 1978. Вып.ЗЗ. С. 121127.

305. КурошА.Г. Курс высшей алгебры. М.: Наука, 1971. -431с.

306. Ушкинсон, Райнш Справочник алгоритмов на языке АЛГОЛ. Линейная алгебра / Пер. с англ. Ю.И.Тоичеева. М.: Машиностроение, 1976. - 389с.

307. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1970. - 429с.

308. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975. - 206с.

309. Батавин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов. М.: Сов. радио, 1976. - 102с.

310. Jervis T.R., Jonson E.F. Geometrical magnetoresistance and Hall mobility in Gunn effect devices // Solid State Electronics. 1970. V.13, №2. P. 181-189.

311. Molnar В., Kennedy T.A. Evaluation of S and Se implanted GaAs by contactless mobility measurement//J. Electrochim. Soc. 1978. V.125, №8. P. 1318-1320.

312. Измерение подвижности носителей заряда методом СВЧ магнитосопротив-ления / В.С.Банников, Ю.Г.Качуровский, И.В.Петренко и др. II Электронная промышленность. 1982. №9. С.48-49.

313. Измерение подвижности носителей заряда методом СВЧ магнитосопротив-ления / В.С.Банников, Ю.Г.Качуровский, И.В.Петренко и др. II Электронная промышленность. 1986. №3. С.66-67.

314. Валитов P.A., Сретенский В.Н. Радиотехнические измерения. М.: Сов. радио, 1970. -712с.

315. Арман М. О выходном спектре несинхронно возбуждаемых генераторов // ТИИЭР, 1969. Т.57, №5. С.56.

316. У санов Д. А., Писарев В.В. Особенности работы генератора на МЭП диоде в автодинном режиме при близких частотах генерации и сигнала // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1981. Т.24, №10.-С.81-82.

317. Линдсей В. Системы синхронизации в связи и управлении. М.: Сов. радио, 1978. - 606с.

318. Белявский A.A., Борисов В.М., Дмитриев С.Г. Отражение мощной СВЧ -волны от диода с барьером Шоттки // Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, №6. С.679-683.

319. Воловичев И.Н., Гуревич Ю.Г., Тананко Д.Е. Влияние высокочастотного разогрева электронного газа на статическую вольт-амперную характеристику с отрицательной дифференциальной проводимостью // Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, №12. С. 1522-1525.

320. Усанов ДА., Скрипалъ A.B. Угрюмова Н.В. Возникновение S образных участков на вольт-амперных характеристиках диодов с р - п - переходом под действием СВЧ излучения// Письма в ЖТФ. 1999. Т.25, №1. С.42-45.

321. ТермоЭДС горячих носителей тока на р-п переходе / А.И. Вейнгер, А.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев IIФТП. 1975. Т.9, №2, С.216-224.

322. Аблязимова H.A.,. Вейнгер А.И, Питанов B.C. Электрические свойства кремниевых р-п переходов в вильных СВЧ полях // ФТП, 1988. Т.22, №11. С.2001-2007.

323. Ржевкин К.С., Снегирев О.В. // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1974. Т. 17, №11. С.81-86.

324. Малахов А.Н. Флуктуации в автоколебательных системах. М.: Наука. 1968. -660с.

325. Капранов М.В., Кулешов В.Н., Уткин Г.М. Теория колебаний в радиотехнике. М.: Наука, 1984. - 320с.

326. Арефьев A.A., Серьезное А.Н., Степанова Л.Н. Эквиваленты приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. М.: Знание, 1987. -87с.

327. Егизарян Г.А., Стафеев В.И. Магнитодиоды, магнитотранзисторы и их применение. М.: Радио и связь, 1986. - 72 с.

328. Стафеев В.И., Тухаринов A.A. P-i-n-дйоды для высокоскоростной модуляции мощности СВЧ сигналов. - Обзоры по электронной технике. Сер. Электроника СВЧ. Вып. 10(809). - М.: ЦНИИ Электроника, 1981. -68 с.

329. Устройство управления высокоскоростного СВЧ модулятора на /»-/-«-диоде / Лиференко В.Д., Лукин И.А., Марков Ю.В. и др. // Техника средства связи Сер. Техника проводной связи. 1981. Вып.1. С.53-59

330. Hayes R.E., May W.G. The use semiconductors in nonreciprocal devices for submillimeter wavelength // Proc. Symp. Submillimeter Waves, New York, N.Y., 1970. Brooklyn, N.Y., 1971. P.237-250.250

331. Берштейн И.Л. Воздействие отраженного сигнала на работу лазера // Изв. ВУЗов Радиофизика. 1973. Т. 16, №4. С.526-530.

332. Solbach К. Probe measurements on dielectric image-lines in the frequency range 26 90 GHz // IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech. 1978. V.26, №11. P.755-758.

333. Валъд-Пердов B.M., Вещ B.B. Лавинно-пролетные диоды // В кн.: Итоги науки и техники. Сер. Электроника и ее применение. ВИНИТИ. 1973. Т.4. С.5-40.

334. Курокава К. Однорезонаторный многодиодный генератор // Зарубежная радиоэлектроника. 1972. №10. С.98-112.

335. Петров А.Н. Микроминиатюризация СВЧ приборов. М.: ЦНИИ Электроника, 1970. С.32.

336. Ленц Дж.Э. Обзор магнитных датчиков // ТИИЭР. 1990. Т. 18, №6. С.87-102.

337. Стафеев В.И., Каракушан Э.И. Магнитодиоды. Новые полупроводниковые приборы с высокой чувствительностью к магнитному полю. М.: Наука, 1975.

338. Абрамов A.A. Влияние магнитного поля на отрицательное сопротивление S-типа при двойной инжекции носителей заряда в плоской рш-структуре // Изв. ВУЗов Электроника. 1997. №3-4. С.53-60.

339. Галумков А.И., Чаплыгин Ю.А. Кремниевые магниточувствительные интегральные схемы//Изв. вузов Электроника. 1997. № 1. С.53-56.

340. Автор выражает глубокую благодарность научному консультанту диссертационной работы — заслуженному деятелю науки РФ, академику МАН ВШ, доктору физико математических наук

341. Дмитрию Александровичу Усановуза большую помощь, оказанную во время работы над диссертацией, полезные советы и ценные замечания.