Нелинейные оптические явления и эффекты фазовой памяти в полупроводниковых системах с пониженной размерностью тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

« кГЧЭПНЭ-ЗХГЬ 1,-^1.О-МПЫЭ-бИЪ ъшиигигп ЬЙ-ВПКЬ Ь-РЬ'ЩЬЬ яшвШШЪ ^иипшириъ

ЬрЬ^шб Ир2ШЙ ПЬрпр|г

ПО «ЫШЗЪЪ 0118№№иъ ЬРЬ^-ШЬЗФ-ЪЬРС Ьт^ФПИЛЗЬЪ <ьспапмд-зтт ь&ькБъьре виор эиФпяиадъпыа-виир иМШ^иОПРТЭиЗМ, ^ШДХ^иРО-Ъ-РПМГ

11.04.10 -"^шшкщдпрг^йЪр^ и г][|1;1и1{тр|11^Ьр[1 ф]1ф!}ш" йши&ии^шпгздигёр ф^фЦшйшрЬйшш^^ш^шО (¿илтр^иСОЬр]! рЫ^шйиф (¿{гагш^шй шиш{гбш0]1 ЬицдйиШ шшЬйш}иттгрзшА

иьаитьр РГ5 ОД ь№чиъ-2ооо. 2 5 ДЕК 2К9

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РА ЕРЕВАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Ерсмян Аршам Серовович

НЕЛИНЕЙНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ И ЭФФЕКТЫ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМАХ С ПОНИЖЕННОЙ РАЗМЕРНОСТЬЮ

АВТОРЕФЕРАТ

Диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 - "Физика полупроводников п диэлектриков"

ЕРЕВАН 2000

UmhümfunimipjuiG ptniuiG hummwmijiuü t « Ч-UU ikurjlui5>}iq}iliwjli hl t]hljmpnG[iliuijli {lGuinJimnummS

Q-JnnuiliuiG цЫрифир' ^ш^шпйш^шй ßQipjJuimtunuQbp'

5>Jiq.-iimp. qfimmpjniGübpfi цл1}тпр U. Q-. UibpuwßjmG

^fiq.-iimp. qJiwmpjniGübpJi цпЦтпр, ujpn^bunp U. U. Ü|ipm1}iiujmü 3>{iq.-iiuip. qJimnipjmfiüUp}! ijnljianp, идшфЬипр lu. "bhplpupiupjuiü

Unuijmnnuip lpuqüuil}bpuimpjmü'

"НитШриС tiujpmuipuiqJunuiljujü <mtfwiuui]uuj|

UinbßuifunimipjuiG iquymiquiümpjmüp ljujju)fiui]ni t 2000 p. ijbljmbiipbpfi 16-fß ^plituQ[i щЬтш^шй hiuiiunuuipuißnuJ qnpönq 049 liiuuüiuqtiuiuiljuiü [imphpjjii GJiummii (375049, bplouG - 49, U. Uuißmluuiü флц. 1)

ШпЬйифтшпрзшйр ipupbjji t frwGnpuiGuii bpUuuGJi щЬтшЦшО huiiiuiiuuipuiGli qpuii\uipiu(mui:

1

UUrpSuiqtipp штирфий t«,

,/r

ж.

2000 p.

uip, .'¡¡jiqjiliuniiuphiSiuinjiljujlpuü 4. "1. .ßuniuGpuipjmG

Тема диссертации утверждена в Институте радиофизики в электроники HAH Респувлнкн

Армения

UuiuGuiqluniutjiuG fimphpqfi qtnnui1}mG qfiwntpjmüGUp[i phljGiuönt, ijngbGm

Научный руководитель

Официальные оппоненты

Ведущее учреждение

доктор физико-математических наук А. Г. Алексанян

доктор физико-математических наук, профессор А. А. Кнракосян доктор физико-математических наук, профессор X. В. Неркараряи

Государстаенпьш Инженерный Университет Армешш

Зашта диссертации состоится 16-ого декабря 2000 г. на специализированном совете по присуждению ученых степенен 049 при Ереванском государственном университете (375049, Ереван - 49, ул. А. Манухява 1).

С диссертацией можно познакомится в Бнышотске Ереванского государственного университета.

_

Автореферат разослан <

XL

2000 г.

Ученый секретарь специализированного совета, кандидат фпз.-мат. наук, доцент

В. П. Калантарян

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность темы

Высокий уровень современной микро- и оптоэлектроники во многом обусловлен огромными успехами в области изготовления и исследования низкоразмерных полупроводниковых структур.

Одним из особенно интересных и быстро развивающихся направлений в области физики низкоразмерных полупроводниковых систем является исследование структур с трехмерным квантованием спектра носителей (ОО-системы или квантовые точки) и их использование в различных областях оптоэлектроники. Новые и уникальные свойства этих систем, связанные с возможностью контролирования спектра и'волно^ык функций носителей, позволяют рассматривать их, в частности, в качестве эффективных систем для наблюдения нелинейных оптических явлений и эффектов фазовой памяти, с которыми связаны такие явления, как рамановское рассеяние, самоиндуцированная прозрачность. Эти явления могут быть использованы при создании таких приборов, как перестраиваемые ИК лазеры, фотоприемники, генераторы фемто-и пикосекундных импульсов большой мощности.

Не менее интересными являются в настоящее время бурно развивающиеся исследования пористого кремния, в связи с наблюдением в нем интенсивной фотолюминесценции в видимом диапазоне длин волн, что очевидно связано с существенной перестройкой электронного спектра и волновых функций в этом материале по сравнению с известной зонной структурой объемного монокристаллического кремния. Многие результаты эксперимента и теории пока находятся в стадии обсуждения. Выяснение физической природы происходящих в пористом

кремнии процессов позволит использовать основной материал микроэлектроники в качестве излучателей.

Цель диссертационной работы:

Исследование нелинейных оптических явлений в многослойных полупроводниковых структурах в квантующем магнитном поле (МКЯМП);

а) Исследование двухфотонного и трехфотонного процессов вынужденного рамановского рассеяния в МКЯМП, при внутризонных переходах.

б) Исследование двухфотонного и трехфотонного процессов вынужденного рамановского рассеяния в МКЯМП, при междузонных переходах.

Исследование возможности наблюдения эффекта самоиндуцированной прозрачности в МКЯМП.

Возможность получения мощных пикосекундных импульсов с помощью эффекта самоиндуцированной прозрачности;

Исследование особенностей поглащения и

фотолюминесценции пористого кремния.

Научная новизна состоит в следующем:

Получены аналитические выражения нелинейной восприимчивости, описывающей процесс резонансного комбинационного рассеяния на электронных состояниях в трехмерно-квантованном спектре многослойной

полупроводниковой структуры, помещенной в квантующее магнитное поле. Показано, что учет конечной заселенности возбужденных уровней приводит к тому, что при однофотонном резонансном возбуждении комбинационное рассеяние сопровождается не только процессом горячей люминесценции, но

и резонансной флуоресценцией и когерентным релеевским рассеянием на стоксовой частоте.

Получены аналитические выражения нелинейной восприимчивости описывающей процесс рамановского рассеяния при двухфотонном дипольном возбуждении на внутризонных переходах, а также аналогичные выражения для междузонных переходов как при однофотонном квадрупольном возбуждении, так и при двухфотонном дипольном возбуждении.

Получены аналитические выражения для порога генерации рамановского излучения для вышеперечисленных случаев. Показано, что высокие значения нелинейной восприимчивости, обусловленные большими временами релаксации с одной стороны, и большими значениями матричных элементов -с другой, приводят к малым порогам генерации по сравнению с порогом возбуждения в других средах.

Исследовано явление самоиндуцированной прозрачности в полупроводниковой структуре с трехмерно-квантованным спектром. Показано, что порог образования и распространения стационарного импульса без поглащения происходит при меньших порогах возбуждения по сравнению с полупроводниками с непрерывным спектром.

Предложена геометрическая структура, позволяющая получать управляемые пикосекундные сверхмощные импульсы с использованием эффекта самоиндуцированной прозрачности.

Предложена модель энергетической структуры пористого кремния, позволяющая объяснить в рамках метода эффективной массы а) отклонение зависимости сдвига энергии края поглащения от закона \/й2\ показано, что эта зависимость от толщины квантового провода й имеет следующий вид:

< "

^(1+4-) а

б) структурный спектр фотолюминесценции, в)

изменив в широких пределах излучательных времен жизни в зависимости от толщины провода и энергии фотолюминесценции Полученная вероятность излучательных переходов иллюстрирует трансформацию от непрямых к прямым излучательным переходам в зависимости от толщины провода. Практическая ценность:

Полученные результаты могут быть использованы при разработке и создании генераторов и приемников ИК излучения, генераторов сверхмощных пикосекундных импульсов, а также излучателей в видимом диапазоне длин волн. Основные положения

1. Модели энергетической структуры полупроводника, позволяющие рассмотреть нелинейные оптические эффекты высокого порядка, эффекты фазовой памяти и люминесценсию пористого материала. Построение теорий происходящих явлений в таких структурах.

2. Аналитические выражения нелинейной восприимчивости третьего порядка, описывающих процессы рамановского рассеяния, горячую люминесцнцию и резонансную флуоресценцию при однофотонном возбуждении.

3. Аналитические выражения нелинейной восприимчивости для резонансного рамановского рассеяния при двухфотонном возбуждении системы, как для внутризонных, так и для междузонных переходов. Метод двойных фейнмановских диаграмм, описывающих этот процесс.

4. Низкие пороги генерации рамановского излучения в таких системах.

5. Возможность самоиндуцированной прозрачности в таких системах.

6. Структура, позволяющая на основе самоиндуцированной прозрачности получать сверхмощные пикосекундные импульсы.

7. Модель энергетической структуры, позволяющая объяснить особенности фотолюминесценции в пористом кремнии: сдвиг края поглащения, его зависимость от толщины проволоки, вероятность переходов и структуру спектра.

Опубликовано 8 работ по теме диссертации.

Структура и объем диссертации: Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения и списка использованной литературы. Работа содержит 95 страниц, 12

рисунков, 1 таблицу и 204 ссылок на литературу.

Основное содержание

В Введении освещаются современные достижения в области физики низкоразмерных полупроводниковых систем с точки зрения их применения в качестве основной элементной базы оптоэлектроники. В начале каждой главы проводится обзор литературы по рассматриваемым в этой главе вопросам.

комбинационное рассеяние (ВКР) на электронных состояниях в

трехмерно-квантованном спектре полупроводника. В качестве среды рассматривается полупроводниковая многослойная гетероструктура, помещенная в поперечное квантующее магнитное поле (МКЯМП). Трехмерное квантование спектра носителей в такой структуре приводит к сильному подавлению

диссертации рассматривается вынужденное

электрон-фононных взаимодействий. В результате, время релаксации возбужденных носителей в зонах существенно увеличивается и определяется временем спонтанного распада возбужденного уровня. Благодаря этому, а также из-за больших значений матричных элементов переходов, резонансные нелинейные восприимчивости увеличиваются, что позволяет рассматривать данные системы эффективными для наблюдения нелинейных оптических явлений высокого порядка.

Исследование резонансного рамановского рассеяния проводится в рамках теории возмущений с использованием формализма матрицы плотности. Учитывая особенности среды, связанные с правилами отбора для переходов в рассматриваемой трехуровневой системе, изучаются два вида ВКР: а) двухфотонный процесс с квадруполь-дипольными переходами, б) трехфотонный процесс с диполь-дипольными переходами. Решением уравнений оператора матрицы плотности вычисляются нелинейные рамановские восприимчивости для двухфотонного процесса при внутризонных переходах. Показано, что при учете конечных значений заселенностей возбужденных уровней в том же порядке нелинейности в поляризации присутствуют резонансные члены, соответствующие процессам горячей люминесценции и резонансной флуоресценции. Относительный вклад этих членов в результирующее усиление на стоксовой частоте увеличивается в резонансных условиях. Специфичность рассмотренной среды состоит в том, что в системе с внутризонными переходами для скоростей излучательных переходов всегда выполняются соотношения у2<у3 • Уг^/зг Узг• Это приводит к тому, что ВКР характеризуется узкой шириной линии, в то время как горячая люминесценция проявляется как широкий фон. Кроме того, показано, что рамановское усиление существует

8

лишь в некоторой области отстроек частоты падающего излучения от резонанса (resonance detuning), которая для

рассмотренной системы определяется из соотношения

......

В той же трехуровневой системе рассмотрен трехфотонный резонансный процесс, для которого вычислена соответствующая рамановская восприимчивость. Для нелинейной поляризации на стоксовой частоте получены зависимости Р~1 для двухфотонного процесса ВКР и Р~Р для трехфотонного процесса, где /-интенсивность падающего излучения. Из-за больших значений У3' ожидается большая эффективность преобразования частоты в трехуровневой квантовой среде как с внутризонными переходами, так и с междузонными переходами. Используя полученные аналитических выражения для поляризации с помощью уравнений Максвелла для обоих видов ВКР были проведены вычисление коэффициента усиления и порога генерации стоксова излучения. Оценки с помощью полученных выражений дают весьма большие коэффициенты усиления, и как следствие, малые пороги генерации стоксова излучения.

Аналогичные вычисления проводятся для ВКР при междузонных переходах, когда в результате комбинационного рассеяния получаются большие по сравнению с внутризонным случаем частотные сдвиги падающего излучения с рассеянным. Рассчет резонансных матричных элементов оператора плотности и нелинейных поляризаций, соответствующих двухфотонному и трехфотонному процессам, здесь упрощен с помощью техники т.н. двойных фейнмановских диаграмм.

Вторая глава посвящена исследованию явления самоиндуцированной прозрачности (СИП) в полупроводниковой структуре с ЗБ квантованным спектром.

Благодаря увеличению времен релаксации Т2 в МКЯМП структурах, последние представляются эффективными системами для наблюдения эффекта самоиндуцированной прозрачности (СИП), поскольку условие для наблюдения эффекта г<Т2, где г-длительность импульса, может выполняться уже при длительностях импульса ¿1нс, в отличие от случая объемных полупроводников, где Т2 определяется быстрыми электрон-электронными и электрон-фононными процессами, и нужно использовать пикосекундные импульсы.

В §2 этой главы исследуется динамика распространения короткого импульса в двухуровневой резонансной среде, выясняются условия образования стационарного 2л-импульса в результате эффекта СИП. Анализ полученных результатов показывает, что порог наблюдения эффекта СИП резко уменьшается из-за больших значений матричного элемента перехода и коэффициента поглащения (усиления). Показано, что установление стационарного 2;г-импульса в рассматриваемой среде происходит без потерь энергии импульса. При этом деформация исходного импульса в 2 л--им пульс сопроваждается эго сжатием и увеличением его мощности. Проведено вычисление значения сужения исходного импульса, ожидаемого при наблюдении эффекта. Исходя из этих результатов, для эффективного управления длительностью и мощностью импульса предложена система с периодически чередующимися областями усиления и поглащения. На примере конкретной структуры показано, что длительность импульса можно уменьшить на

четыре порядка и, соответственно, мощность увеличить на восемь порядков. Кроме того, оптимальная геометрия взаимодействия системы с излучением позволяет рассматривать в качестве квантовой среды двухуровневую систему как с внутризонным, так и с междузонным переходом.

В Третьей главе рассматриваются вопросы, связанные с люминесцентными свойствами пористого кремния. Для объяснения особенностей поглащения и фотолюминесценции (ФА) пористого кремния (ПК), предложена и обсуждена физическая модель, представляющая ПК как ансамбль Ш-квантовых проволок, состоящих из нанокристаллического Б!, окруженного аморфным слоем ЗЮХ, при этом граница раздела Б^БЮ* рассматривается для носителей заряда в Б! как барьер с конечной величиной потенциала. В рамках этой модели исследуются особенности, проявляющиеся в зависимости спектральных характеристик фотолюминесценции от параметров структуры пористого кремния. Показано, что учет конечности высоты барьера вносит существенные коррективы в определении параметров зависимости ФА. Полагая, что в основе происхождения ФА в ПК лежат квантово-размерные эффекты, в рамках единой модели удается объяснить ряд особенностей ФА, проявляющихся в экспериментах. В частности

а) учет конечности барьера приводит к дополнительному множителю в зависимости смещения края поглащения ПК от диаметра проволоки й, и сдвиг определяется законом

„г ^

Ае

С1{ 1 + -М

а

, вместо ожидаемого из обычного метода

)

эффективной массы Ае~й'2. Тем самым может быть объяснена

наблюдаемая в экспериментах зависимость сдвига от толщины Ле~с1'г, где у<2 для малых размеров й.

б) В рамках той же модели объясняются результаты некоторых экспериментов, в которых при некоторых размерах с1 сдвиг энергии перестает зависеть от й. Действительно, при достаточно малой величине II двумерная потенциальная яма содержит только один уровень размерного квантования у

определяется высотой барьера С/.

в) При сильном легировании исходного кремния может произойти сдвиг края поглащения за счет эффекта Бурштейна-Мосса, который может объяснить наблюдаемое длинноволновое смещение энергии ФА с энергией возбуждения.

г) Вычисление вероятности переходов показывает, что излучательные времена жизни могут изменяться от миллисекунд до наносекунд, в зависимости от толщины проволоки и энергий переходов. При этом полученные результаты находятся в хорошем согласии с экспериментами.

д) Результаты вычисления матричного элемента междузонного перехода показывают, что в силу частичного нарушения правил отбора, в ПК становятся возможными переходы с изменением квантовых чисел продольного движения электронов. Этим может быть объяснен структурированный вид спектров поглащения и ФЛ, наблюдаемых в ряде экспериментов.

Основные результаты и заключение

1. Получены аналитические выражения для нелинейных восприимчивостей, описывающих двухфотонный и трехфотонный процессы вынужденного рамановского

поверхности ямы, и при толщинах

сдвиг

рассеяния на электронных состояниях в трехмерно-квантованном спектре МКЯМП структуры. Показано, что большие значения времен релаксации в рассматриваемой среде приводят к увеличению нелинейных восприимчивостей и к уменьшению порогов генерации рамановского излучения как при внутризонных, так и при межзонно-внутризонных переходах.

2. Решение уравнений для матрицы плотности показывает, что учет конечной заселенности возбужденных уровней рассматриваемой трехуровневой системы приводит к тому, что при однофотонном возбуждении системы когерентные процессы рамановского и релеевского рассеяний сопровождаются горячей люминесценцией и резонансной флуоресценцией.

3. Исследована и показана эффективность МКЯМП структур для наблюдения эффекта самоиндуцированной прозрачности (СИП). Показано, что благодаря большим временам релаксации и высоким значениям коэффициента поглащения порог наблюдения эффекта весьма низкий. Деформация исходного Ихмпульса в стационарный 2л-импульс происходит без потерь энергии и сопровождается его сжатием и увеличением его мощности.

4. Предложена и вычислена структура для получения мощных пикосекундных импульсов с помощью эффекта СИП. Оптимальная геометрия взаимодействия системы с излучением позволяет рассматривать в качестве квантовой среды двухуровневую систему как с внутризонным, так и с междузонным переходом.

5. Для объяснения особенностей поглащения и люминесценции пористого кремния выбрана, обсуждена и обоснована

13

физическая модель нанокристаллических кремниевых проволок, учитывающая конечность квантово-ограничивающего потенциала для носителей. Показано, что учет конечности величины барьерного потенциала позволяет в рамках единой модели объяснить наблюдаемые в

а) квантово-размерный сдвиг края поглащения описывается

, в отличие от Ас-й'2 следующего из

законом Ле~

' * V2

а*

а

обычного метода эффективной массы, и в согласии с

б) При достаточно малой величине барьера V двумерная потенциальная яма содержит только один уровень размерного

квантования, и при толщинах с1 < /- сдвиг определяется

/ л/2 тИ

высотой барьера С/ и не зависит пт толщины;

в) при сильном легировании исходного кремния может произойти сдвиг края поглащения за счет эффекта Бурштейна-Мосса, который может объяснить наблюдаемое

г) излучательные времена жизни могут изменяться от миллисекунд дп наносекунд, в зависимости от толщины проволоки и энергий переходов;

д) в силу частичного нарушения правил отбора, в ПК становятся возможными переходы с изменением квантовых чисел продольного движения электронов; что приводит к

У

Публикации по теме диссертации A.G. Alexanian, A.S. Yeremyan, and R.P. Grigoryan. Nonlinear optical processes in 3D-quantized spectrum of a semiconductor, The International Journal of Infrared and Millimeter Waves, vol. 21, Num. 11, pp. 1859-1868, November 2000.--------------

A.G. Alexanian, A.S. Yeremyan, and G.V. Pluzian. Possibility of self-induced transparency in multi-layer semiconductor heterostmcture placed in a quantizing magnetic field. The International Journal of Infrared and Millimeter Waves, vol. 21, Num. 11, pp. 1851-1858, November 2000. А.Г. Алексанян, A.C. Еремян, Резонансное рамановское рассеяние на междузонных переходах в многослойной квантовоямочной структуре в квантующем магнитном поле. Известия НАН Армении, Физика, т. 35, н. 3, стр. 141-149 2000г.

А.Г. Алексанян, А.С. Еремян, В.М. Арутюнян. Особенности оптического поглащения и фотолюминесценции пористого кремния. Известия НАН Армении, Физика, т. 35, н. 4, стр. 187-195, 2000г.

А.Г. Алексанян, А.С. Еремян, Вынужденное комбинационное рассеяние

на внутризонных переходах в многослойной размерно-квантованной полупроводниковой структуре в квантующем магнитном поле. Известия НАН Армении, Физика, т. 35, н. 6, стр. 299-308, 2000г. А.Г. Алексанян, А.С. Еремян, Г. С. Ник огосян, Вынужденное комбинационное рассеяние в трехмерно-квантованном спектре полупроводника. Материалы второй национальной конференции, "Полупроводниковая Микроэлектроника", Дилижан, май 21-24, 1999, изд.ЕрГУ, Ереван, 1999, стр. 60-63.

A.G. Alexanian, A.S. Yeremyan. Stimulated Combination Scattering in a 3D-Quantized Spectrum of a Semiconductor. ICPS-24 Conference. ICPS Ref. 315, Jerusalem, 1998.

А.С. Еремян. Получение пикосекундных ИК импульсов с помощью эффекта индуцированной прозрачности в ЗО-квантованной системе. Материалы конференции по лазерной физике-2000, Октябрь 11-13, 2000, Аштарак, Армения.

ПЭ СШИЗЪЪ O^S№Uiia"b ЬГЬгЩМ^ЪЬГС № ФПЫЛЗЬЪ ЧЬСПОПМ^ЗИг. tSbfctiSbfcrr; ÔUtTP ЭиФПЧШЛШ1Ы»31ГЬ ^ьии^иплшэизм. ^щпшигадгпмг

шгфпфхм-ьг

LlmbíHufunum pjniGp Сфр^шй t Ьпшуиф pi|ui(unuigiîanlp hhuiuhuiqnpqyujtiG huiduiliuipqhpnuî n¡ qömj}iQ hpbinijpGhpli niuniiîGuiulipiIuiGp, tiGjujhu Guihi öml|nml|hG ujuJigjiniilfi IjnuGiîmG hi ijniilJiGbughGgliLujli uiDuiG¿Gmhiuml]ni ¡njniCCbpfi puiguihiujmiliuGQ: U2ltiuimiuGpmii ummgilmb bG hhmhijuii uipryniGpDhpp к bqpniliuigmpjniGGhpp.

1. Umuigi]uif> bG ^ЬрриЬшЦиШ mpmuihuijinnipjniGGbp piJuiGmuigGnri ümqGJiumtjmG qu^mmil тЬцищрфцй puiqiíui2hpin lifiumhmrinpruuijliG (imunigijmößli (UYlPiiii) tmuiyniti pilnümmgilmö ищЫцпрпи! tihljmpnGmjIiG íüiámUGhpíi íjpui hp!i$mnnG hi Ьпшфпшпй ЬшрЦшпршЦшС nuiiIuiGjuiG gpmiîp Gliuipuiqpnq n) qftuijfiG pGliui|tim pjm GGhpJi huiiluip: önijg t трфий, np pGGmplplnri i5ti5im]uijpni nhimpuiugfiuijti thuüiuGmliGhpb ühö uipdhpGhpß phpnul hG n^ qùuijliG pGliuiihnipjniGGhpji ühfiuigGiMGo hi nuitfuiGjuiG áumuiquijpiIuiG qhGhpuiglmijti 2hilli i}inppuigüinGß fiGiujhu GbpqnmlimlimG, tujGujbu tl iltipqnmtiiulpnG uiGqruüGhpli цЬщрпи!:

2. lumnipjmG llmmptigli huiiluiumpnuIGhpli iniímiiíp gnijg t umifiu, np пЬтшрЩпп bnmiímljiupiimlj hiiiiluiljUjpqnLil qpqni[mà ijfirîuj îjGhipfi iJLp?uii|np pGmltbgilmônipjniGp huJ2iUi uiuGhip hiuGqhgGniú t GpiuG, np huiiiuiljuipqli iîJiui$nmnG qpqMiuG qbujpniil mmîtuGjuiG bi fl-b|b}i gpiIuiG linhhphGm ujpnghuGbpp niqbligilniú bG тшр jjnuIfiGhugbGglimjti bi nhqnGuiGuuijliG .^[ninphugbGgfimjli щрпдЬийЬрпф

3. "shmuiqnmiluiâ hi gnijg 1. шрЦшй IT'lPkU liuinnigijmöpti l^hljm]ii|nipjniGn {îGpGuiiîmlimôilmô puiiJiuiGghiiinipjiiiG (МГР-) hphimjpji qJiuuîuiG huiiîuip: önijg t трфпЬ, np ühö nhimpumgjimj]i duiúuiGuiljGhpli bi bpuGúuiG qnpöuilig[i ühö uipdbpGhpli 2Gnphln| КфЫцгф rçtnniluiG huiiluip mGhpmdh2ut 2bÜQ pmi]mlimG}iG guiöp 1;: UliqpGuilpuG ^йщтрф àhiuii}inlimipjniGn umuigJinGuip -2л-—^iiîujniiu]i mhqji t niûhGniii uinuiGg ttthpqtimj}\ Ipipniumühpli bi пщЫюфий t Срш uhiplilunlp ni hqnpnipjmC iShiraigiluiüp.

4. ИпшгшрЦфцй hi Ьшг^шрЦЦшй t Цишидфдйр МГР- ЬфЫцгф oqGnipjuiüp hqnp iqfiljniiuijpljjiiiGujjliG JiiIujipiGhpii ишшдйшС hiuiíu¡p: 0шшцш]рйш1! hhw hun5uiljuipq{i iJinluiuqqbgnipjmG ощифйиц hplipiitiUiilimpjniGn hGuipuiilnpnipjniG h muiifiu прщЬи pi]mGmu)jliG й^шфщр qjiiniupljbi ЬйццЬи GhpqnuitiuiljujG, mjGuihu ti tfJigqnmtimliuiG uiGgniiJnil hplpluiljuiprpilj huiiiuiLjiupq:

5. trmlinmUhG ufiijigtiniilti 1цшПйшй hi ijmiîfiGhughGflfiiiijli uinuiGàGuihumlinipjniGGhpp puigmmphini hmilrnp pGmpi]mb, pGCuiplpluiô hi

m)

As-

hJiiJGuiilnpilmö t GuiGnpjniphriuiliuiG uInJigfimiliujliG piluiGuiuijJiG luiphpb ^liqliljmUmQ ünqbi, npp hui2i]]i t umGnui tfigpuiliJipGhpli piluiGuiui—ишЬйшСшфшЦпп ujmnhCglimitt ilhp2uiilnpnipjniGn: önijg t inpiluiö, np mpqbipuijliG щпшЬСд^шф ilbp2Uiilnp uipdbpli hm2iüi шпйЬщ hGuipuiilnpnipjniG t inuiiliu lilnuuCuiljuiG iînqh[Ji гРЗшЬшЦСЬршй puiguiuiphi ¡}mpAfipmif r¡pmi¡nq uipqjniílp/lbpp

llpGiiuiG Lqpji упфщ—pi|uiGuunj]iG 2bqmilp Glpnpuiqpilnul t *

d

d( 1 + ——) I ophGpnil, li mmpphpnipjniG ипЦпршЦшй uipnjniGuipuip d

f

quiGqi[uiù}i dhpnqtig hhinhinn A&-<T2 ophGpfi, hi himluiAuijG фррШи1риГтрЬП qpmi/nrj Ае~(Гг. nputhn y<2 mph ihnon mifihnfi htiiiiuin.

p) mpqhipb рщфдишйицшф фпрр U uipdhpli цЬщрпи! Ьр^шф ujmnhCgfimi iJinuQ pGtiqpljnii! t ifliuijG йЬЦ уцфшДО piluiGuiuigümG lîmUmpqmli, hi d <

¡2mU

huiuuimpjniGGhpli qhuipnul 21щпп5р npirçilnuî t uipqhipli U puipipnipjmilp ni l/iiifiji/iuà¿t ¡шрр huiiiwmpjmiîpg.

q) uljqpGuiliuiG ufrdigtinulti nidhn lhqt>puigúmG qhujpnuî hGuipuulnp t liiuiGiîuiG hqpii 2br]niiî Pnip2inbjG—ITnuuJi ЬфЬЦиф hui2iltiG, nPQ Ipupnq t pinguimphi фпрЛпи! rçftmi]nr|

q) áumuiqmjpuijtiG IjjuiGpti inbinnnipjniGGhpQ Ijuipnr] hG i{im}in{uilbi ifplfii¡mjpl¡jmGílbppg dfiG¡l¡i 0шПпфи]р1цш(1ПЬр ¡рффпд ¡tupft hiniiinmpjniflpg fu тСдтШЬрр Wlipqpuiûhppg.

h) 2nlpîiuG IpnGnGGhpfi ilmuGmljti JumluirnïmC hhuihiuiGpnil ùuiIjnmlihG ufiiligliniiînui hGiupmilnp hG ipunGnuî tihlpnpnGGhpb hplpujGuiUIi 2шр^йшС p4uiQmuij{iG рЦЬрЬ i{mi}in[unipjmilp uiGgnuIGhp, npp huiGqbgGmil

nn¡hlpnpRhpp ¡pnimtgi¡inñj3injfif! mhitphpp.