Неразрушающий послойный анализ атомного строения поверхностных слоев кремния и диоксида кремния методом ультрамягкой ренгтгеновской рефлектометрии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

САШТ-ПЕТЕРБУРГСЮЙ ГОСУДАРСТВЕН!!® ИШВЕРСИТЕТ

КОЖАХМЕТОВ Сарик Касымовкч

НЕРАЗРУШАЩИЙ ПОСЛОЙНЫЙ АНАЛИЗ АТОМНОГО СТРОЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ И ДЙОШЩА. КРШШ МЕТОДОМ УЛЬТРАМЯГООЙ РЕЯГШЮВСКОЯ РЕЗШЕНТШЕТРИИ

Специальность 01.04,07 - физика твердого тела

Авторе ферат

диссертации на соискание учаной степени кандидата физико-математических наук

На правах рукописи

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ 1992

/

Работа выполнена в Научно-исследовательском институте физики Санкт-Петербургского государственного университета

Научный руководитель! кацпдцат физико-математических наук ФИЛАТОВА Е.О.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук КРУГЛОВ М.В. кавдвдат физико-математических наузс Коиявчиков ¡'.В.

Ведущая организация: Воронежский государственный университет

Защита диссертации состоится " 25 " июня 1992 г. в час, на заседании специализированного совета Д 063.57.32 по защите диссертаций на соискание учено;'! степени доктора наук при Санкт-Петербурге::ол государственном университете по адресу: 199034, Санкт-Петербург, Университетская наб., 7/9.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке СПбУ.

Автореферат разослан " 25 " мая 1992 г.

Ученый секретарь■специализированного

совета, доктор (¡-из.-ыат. наук СОЛОВЬЕВ В.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность теш и цели работы.

Первый цикл работ по исследованию страдания мягкого рентгеновского излучения бил выполнен в нашей стране в 60-е годы под руководством А.П.Лукирского /1,2/, Изучение спектральных и угловых зависимостей коэффициента отражения различных веществ в широком спектральной диапазона позволила выбрать наиболее эффективные отралательнне элементы оптики спектральных приборов. Тогда же била впервые показана применимость формул Френеля в области ультрамягкого рентгеновского излучения УМРИ и реализован способ расчета оптических констант решением уравнения Краиерса-Кронига.

Дальнейшее развитие метода ультрамягкой рентгеновской рефлентометрии УРР наметилось в начале 80-х годов /3/, когда при изучении тонкой структуры спектров отражения и оптических констант кремния и его соединений была обнаружена зависимость оптических констант от угла скользящего падения на отражатель при получеши спектров отражения, Причиной этой зависимости могли быть нарушения структуры тонких поверхностных слоев образца, возникающие при технологической обработке. Стала очевидной перспективность И актуальность развития рефлектоиетрии как метода исследования поверхностной области твердых тел для оценки толщин слоев,'Их фазового состава, степени совершенства атомного строения» особенностей химического связывания атомов. В экспериментальном отношении возможность неразрушающего послойного анализа поверхностной области твердых тел путем плавного изменения глубины зондирования наиболее благоприятна именно в области УМРИ, что обусловлено большими значениями коэффициентов поглощение веществ, уменьшающими глубину проникновения волн в исследуемое вещество, и большими критическими угла»,га в этой области спектра. Дополнительна возможности по изучению переходных слоев предоставляет обнаруженное' впервые в работе/4/ явление аномального рассеяния в области УТЯ. Величина аномально рассеяния зависит от толчены и степени нарушенлоети переходу-

ГО поверхностного слоя. Совместный анализ данных по отражению и рассеянию рентгеновского излучения, несомненно, способен повысить информативность исследований и достоверность результатов.

Целью работы было исследование возможностей спектроскопии отражения и рассеяния УМРИ как метода неразрушающе-го послойного анализа атомного строения поверхностных слоев твердых тел и его применение к конкретным материалам в процессе их синтеза и технологической обработки.

Основными задачами работы, позволяющими достичь поставленной цели, были следующие.

1. Определение угловой зависимости глубины формирования зеркально отраженного пучка в оксиде кремния в области аномальной дисперсии вблизи -порога ионизации кремния.

2. Оценка влияния толщины переходного слоя на интенсивность пика аномального рассеяния излучения в области нормальной дисперсии.

3. Анализ взаимосвязи тонкой структуры рентгеновских -споктров поглощения и отражения. Оценка чувствительности деталей тонкой структуры спектров отражения

к характеру нарушений агомного отроения ближнего порядка.

4. Оценка возмо.-оюсти количественного анализа разового состава поверхностных слоев отражателей.

5. Исследование влияния различных способов й-ормиро-вения сверхгладкой поверхности плавленого кварца на атомное строение поверхностных слоев.

6. Исследование совершенства кристаллической структуры пленок кремния* формирующихся в процессе эпитаксиально-го роста, •

Научная новизна.

Впервые последовательно изучены особенности процессов отражения и рассеяния УЮТ, дахщие возможность использовать рефлектометрию как метод неразрушающего послойного анализа электронной структуры и атомного строения поверхностных слоев отражателей. В области УМРИ проведено экспериментальное исследование процессов отражения и рассеяния

ь.

от поверхностей системы $i-&Pz а различными толщинами диоксида кремния. По данным проведенного исследования получана количественная оценка глубины зондирования поверхностной области отражателей. Обнаружено, что интенсивность аномального рассеяния УМРИ вне области аномальной дисперсии не монотонно зависит от толщины'слоя диоксида кремния. Анализ взаимосвязи деталей тонкой структуры спектров поглощения и отражения рентгеновских лучей в области -порога кремния в диоксиде выявил детали структуры спектров отражения, позволяющие на качественном уровня оценивать характер нарушения координации атомов ближнего порядка( Изучение процессов рассеяния вне области полного внешнего отражения позволило впервые обнаружить высокую чувствительность интенсивности пика аномального рассеяния к наличию протяженных дефектов, не оказывающих существенного влияния на структуру ближнего порядка координации атомов.

Научная и практическая ценнооть.

Полученные результаты демонстрируют высокую еффзнтив-ность использования спектроскопии отражения и рассеяния для изучения атомного строения поверхностных слоев Твердых тел. Количественная оценка глубины йовдирования в кварце, предложенный метод оценки фазового состава многофазных систем, а также впервые обнаруженная высокая чувствительность пика аномального рассеяния р толщине переходного олоя и к наличии дефектов типа границ зерен, дислокаций, буду? способствовать дальнейшему развитию теории рассеяния от шероховатых поверхностей.

Практическая ценности работы состоит в разработке нового метода исследования и анализа поверхностных слоев с нарушениями атомного строения, определения га толщины и ■глубины залегания, оценки характера нарушений атомной структуры. Чувствительность и информативность метода продемонстрированы да примере исследовании поверхностной области кремния и диоксида кремния на различных стадиях технологических процессов синтеза и формирования сверхгладких поверхностей. Показано, что метод может быть эффективно испо-

льзован для контроля разнообразных технологических процессов. Полученные результаты будут способствовать дальнейшему развитию технологии рентгеновской оптики и микроэлектроники, в частности, совершенствованию технологий изготовления сверхгладких поверхностей и роста эпитаксиальных слоев кремния на кремнии.

Положения, выносимые на защиту.

1. Угловые зависимости тонкой структуры спектров отражения полно использовать для норазрушающего послойного анализа атомного строения и электронной структуры поверхностных слоев твердых тел. Количественную оценку глубины зондирования в кварце дает экспериментально полученная угловая зависимость глубины формирования зеркально отраженного луча.

2. Зависимость интенсивности пика аномального рассеяния от толщины поверхностного переходного слоя отражателя не является монотонной.

3. Величина аномального рассеяния чувствительна н наличию в поверхностной области отражателей протяженных дефектов, не оказывающих существенного влияния на структуру ближнего порядка координации атомов и тонкую структуру спектров отражения и поглощения рентгеновских лучей.

4. Закономерности формирования атомной структуры ближнего порядка при внешних воздействиях на поверхность плавленого кварца и при эпитаксиальном росте слоев кремния на кремнии.

Апробация работы. Результаты диссертации докладывались и обсуждались на ХУ Всесоюзной конференции по рентгеновской и электронной спектроскопии <Ленинград, 1988), на III Всесоюзном семинаре по комплексной межвузовской программе "Рентген" {Черновцы, 1989), на IX Всесоюзной конференции "Физика ВУФ-излучения и его взаимодействия с веществом" ВУФ-91,(Томск, 1991), на XIII Всесоюзной школе-семинаре "Рентгеновские, электронные спектры и химическая связь1' (Владивосток, I99II, на III Всесоюзном совещании "Физико-хишш взаимодействии ионного и Стотонного излучения с поверхностью творцах тел" (Москва, IS9I).

Основные положения диссертации опубликованы в работах. Объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, результатов и выводов, списка цитируемой литературы из 75 наименований. Общий объем диссертации составляет цд стр. машинописного текста, включал 41 рисунок.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Первая и вторая главы носят обзорный характер, tí первой главе рассматриваются закономерности отражения от идеальных поверхностей, а также отражения и рассеяния от реальных шероховатых поверхностей твердых тел. Особое внимание уделяется анализу причин появления пика аномального рассеяния в угловом распределении рассеянного рентгеновского излучения и его связи с существованием переходных Нарушенных поверхностных слоев. Во второй главе анализируются методы электронной, ионной и рентгеновской спектроскопии, наиболее широко используемые для изучения поверхности твердых тел, Показано, что УРР обладает целым радом преимуществ по сравнению о перечисленными традиционными методами исоледования5 возможностями* вдразрушающего послойного анализа слоев, изучения атймных и электронных свойств твердых тел, а такве расчета статистических высот иероховатостей и соответствующих гсорреляцяон1-ных радиусов свойств поверхности.

В третье а главе описана использованная в работе методика исследования угловых и спектральных зависимостей коэффициентов отражения. Исследования проводились на рентгеновском спектрометре-монохроматоре PGM-500 в специальной камере-приставке с использованием тормозного излучения рентгеновской трубки и характеристических линий ряда элементов, В эксперименте реалиэовывались два способа регистрации отраженного излучения: I/ при фиксированном угле падения излучения на образец " согласованном положении детектора ZOq \ 2/ при фиксированном угле падения излучения длиной волны Л- на образец и меняющемся положении детектора в диапазоне О^&^Я/г. В первом случае изучались спектральные зависимости коэффициента отражения R(E), во втором регист-

рировалиоь индикатрисы рассеяния при фиксированной длине волны падающего на отражатель излучения. Регистрация падающего и Отраженного излучения осуществлялась двумя детекторами ВЭУ-б,

Исследование тонкой структуры спектров отражения проводилось при щелях = 30 мкм, обеспечивающих энергетическое разрешение &£ ~ 0.3 эВ в районе ^¿¿^»-края поглощения, Угловое разрешение при изучении ивдикатрис рассеяния составляло 1.2°,

Б качестве объектов исследования были использованы! система 5» -ЛС^, , внрш'денная методом сухого термического окисления с различными толщинами диоксида; эпитаксиальные пленки 5£ на кремнии в процессе формирования после различных этапов технологического цикла; сверхгладкие поверхности стеклообразного кварца после полировки, глубокой полировки и лазерного воздействия.

В четвертой и пятой главах обеуладаются полученные в диссертации результаты.

Исследование взаимосвязи характеристик тонкой структуры спектров отражения И поглощения, а также оценка чувствительности деталей структуры рентгеновских спектров отражения к характеру нарушений локальной атомной структуры было проведено с использованием -ос-кварца и термически выращенной Б атмосфере сухого кислорода пленки . На рис.1 показаны спектры отражения ас -кварца и рассчитанные с использованием этих спектров спектральные зависимости коэффициента поглощения. Анализ спектра поглоцения А-кварца в рамках квазимолекулярного подхода позволяет связать основные детали структуры а , &, С и (к. с переходами в возбужденные состояния кластера 1&: ЗрЬ и полосы С я с1 связаны с переходами В состояния континуума и являются результатом влияния молекулярного поля атомов кислорода на процесс фотопоглощения атома ¡¡с , причем процесс поглоцения в области полосы С носит молекулярный характер, а потому она наиболее чувствительна К изменениям поля атомов окружения. Поэтому различное про-

спектры поглощения (б) оС-кварца. Крузгочнеш показаны результаты измерений на характеристических линиях,

явление деталей структуры с'и в спектрах поглощения, рассчитанных для различных глубин зондирования, связано с существованием некоего переходного слоя вблизи поверхности, обусловленного, например, технологической обработкой, ббна-руженная корреляция изменений тонкой структуры спектров отражения и поглощения с',С,с И соответственно обеспечивает возможность непосредственного анализа кривых отражения

В этой связи тонкая структура в области полосы С спектра отражения ассоциировалась о переходами в искаженные молекулярным полем состояния -типа атомов Л' .

Совместное рассмотрение -спектров отражения. <=£ -

кварца и стеклообразной пленки ЛС^ обнаруживало наличие трех основных- полос А - С во всех спектрах, причем в спектрах отражения -кварца при всех изученных глубинах зондирования наблюдаются дополнительно полосы С и С .

В работе проведен анализ возможности количественной, оценки фазового состава поверхностных слоев отражателей.Поскольку коллективный характер процесса отражения не позволяет'найти надежного критерия разделения спектров на Составляющие, характерные для отражения веществ различного базового состава, была использована спектральная зависимость, поглощения рентгеновских лучей, процесс которого представляет собой адди-

тивную сумму элементарных актов взаимодействия. Предложена следующая процедура анализа: исследование спектров отражения при различных , расчет из полученных данных спектров поглощения, разложение их на составляющие, соответствующие поглощению различных фаз. Коэффициент разложения дает оценку концентрации анализируемых Фаз. Предложенный метод бил применен для анализа фазового состава поверхностного слоя образца плавленого кварт, прошедшего механическую обработку. Показано, что состояние отражающего слоя образца нельзя представить в виде смеси фаз, соответствующих кристаллическому и аморфному состояниям. Координацияатомов йС в этом слое является промежуточной мезду этими гредельными состояниями.

С целью нахождения количественной оценки глубины формирования отраженного излучения при различных углах скользящего падения было необходимо изучить процессы формирования От-, раженного и рассеянного излучения для двухфазной системы (переходной слой + подложка). Поскольку любая реальная поверхность оЗладаеТ характерным для нее микрорельефом, необходимо было найти модельную систему, атомное строение приповерхностной области которой отражало бы строение вещества, а не являлось результатом технологической обработки поверхности, 3 качестве такой системы была выбрана система &С с различными толщинами диоксида 20 - 1200 8 , имитирующими приповерхностные слои отражателе-;'!, приготовленная методом сухого термического окисления. В этом случае поверхности всех образцов формируются в процессе самопроизвольного роста окисла. Благоприятным моментом в выборе модельного объекта является также существование различий по виду и энергетическому положению деталей тонкой структуры спектров отражения $1 и 5с , Что позволяет по виду спектра отличить $с от ■ЦО^ и определить глубину формирования отраженного пучка. Полученная при анализе спектральных и угловых зависимостей коэффициента отражения системы $1 -ЗсО^ количественная оценка.угловой зависимости глубины Формирования отраженного пучка дана на рис.2.

и.

Рис.2. Угловая зависимость глубины формирований зеркально отраженного излучения в в области ¿^ь-по-

рога ионизации Л' . ' л - экспериментально полученные значения} ' - рассчитанные по фор~ щле/Ъ/1

(- Л

с параметрами Л =» 117.4 М* 1.105см_1, 4 7°- критический

Рис.2. угол.

Изучение углового распределения рассеяния от поверхностей всех изученных образцов обнаруживает появление пика аномального рассеяния. Зависимость его интенсивности от толпрдаы пленки 5с Оц носнт ярко выраженный немонотонный характер.

Пятая глава посвящена исследовании возможностей УРР для изучения промышленных' материалов и процессов - эпитаксиаль-ных пленок Л на в процессе их роста, а также науче-

нию изменения атомного строения поверхностных слоев плавленого кварца в процессах формирования сверхгладких поверхностей. .

Были изучены 5 пластик промышленного кремния марки КДБ 10 (III)4°, нарезанных от одного слитка. Каядай пластина разрезалась на 4 части. Далее образцы проходили технологический цикл (химическую обработку, отжиг, рост эпитакснзль-ной пленки), причем после каждой стации цикла изымалась одна, часть пласт"ны с целью анализа. На рис<3а показаны результа-' ты исследования двух пластин, спектры отражения которых различаются наиболее сильно. Во всех спектрах отражения пластида №1 ярко выражена структура а - £ » характерная ДЛй .Структуры монокристаллического кремния. Отсутствие мелки* деталей структуры с ,е ъ спектрах отражения пластины №2 указывает на нарушение кристаллической структуры и существование амортизированного слоя вблизи поверхности. Видно, что.пару-., шения кристаллической структуры сохраняются на бсёх стадия*

Рис.3. -спектры отражения для пластин и №2|

б) издикатрисы рассеяния для пластины КГ{ I - исходная пластина после химической Обработки! 2 - исходная пластина после химической обработки, отжига в Н^ и обработки в НС£ ; Э -исходная пластина после хим.обработки + отжиг + ЦС£ обработка 4 апитаксиальная пленка толщиной 0.3-0.4 мил} 4 - исходная пластина посла хил.обработки + отжиг + ИС£ обработка + эпшшйиальиая пленка толщиной 2.2 ыкм,

технологического цикла. Исследования, проведенные методом рентгеновской эмиссии, дающим информацию о глубоко лежащих слоях Е500 8, показали, что структура эпитаксиальной пленки Й соответствует структуре совершенного монокристалла, а в пленке Ж существу® нарушение кристаллической структуры (дефекты). Проведенное исследование показало, что: структурное несовершенство исходной подложки определяет дефектность эпитаксиальной пленки как вблизи поверхности, так и в глубине.

Результата исследования углового распределения рассеянного излучения для пластина (рис,36) позволили установить сяедуюпрге закономерности формирования зпитаксиальнюс слоев кремния:

1. Качество поверхности (статистическая шероховатость) эпитаксиалышх пленок хуже качества поверхности исходной пластины.

2. В индикатрисах рассеяния проявляется пик аномального рассеяния.

3. Относительная интенсивность пика аномального рассеяния различна на разных стадиях технологической обработки, причем значительна в случае толстой зпитаксиалькой пленки, что указывает, согласно /6/, на существование нарушенных слоев в этих образцах. Поскольку вид тонкой структуры спектра отражения в этом случае говорит о сохранении ближнего порядка в кристалле и отсутствии точечных дефектов, можно предположить наличке нарушений дальнего порядка атомного строения, обусловленных, видимо, возникновением дефектов типа границ зерен, дислокаций и т.д.

4. Анализ изменения углового положения пика аномального рассеяния, связанного с изменением плг>тности вещества с глубиной, указывает на максимальное изменение плотности в исходной пластине, в то вреда как после отшга плотность практически не меняется.

.Высокая чувствительность рассеяния к нарушениям дальнего порядка атомного строения была обнаружена и при изучении влияния химического травления на структуру приповерхностных слоев исходных подложек после снятия слоев различной толщины.

Количественная оценка глубина формирования отраженного пучка, полученная при изучении системы И - , а также

установленная корреляция изменений тонкой структуры спектров отражения и поглощения для ы.-кварца были использованы при изучении изменения атомного строения приповерхностных , слоев плавленого кварца в процесса* Нормирования сверхгладких поверхностей. Поверхностный слой образца после полиров-"

ви оказывается стеклообразным (отсутствуют детали с' и С ^ . Толщина этого слоя »«70 8. Появление и постепенное усиление детали с' при увеличении глубины зондирования в спектрах отражения стекла после простой полировки свидетельствует об усилении процесса упорядочения атомного строения с глубиной В то же время глубже стеклообразного слоя в образце после Глубокой полировки находится слой с высокой степенью упорядоченности, близкой к кристаллической /ярко выражены максимумы С HCl Толщина этого слоя "60 8. Лазерная обработка ствкоЛ| прошедших разную полировку, создает примерно одинаковую картину атомного строения приповерхностного слоя - формируется слой с признакам)! кристаллизации толщиной *170 8, При втом абсолютные значения коэффициентов отражения от всех образцов посла простой полировни на 10?» икав, чем после глубокой полировки. Лазерное воздействие изменяет абсолютные значения коэффициентов отражения очень незначительно.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ШВОДМ

1. Экспериментально получена угловая зависимость глубина формирования зеркально отраженного пучка диоксида кремния в области ¿1,1 -порога ионизации кремния.

2, Обнаружено, что интенсивность пика аномального рассеяния излучения вне области аномальной дисперсии не монотонно зависит от толщины слоя диоксида кремния на кремнии и имеет максимум при толщине около 60

3, Проанализирована взаимосвязь деталей тонкой структуры спектров поглощения и отражения рентгеновских лучей в области ¿^щ-порога кремния в диоксиде. Обнаружены детали структуры спектров отражения, позволяющие на качественном уровне оценивать характер нарушения координации атомов ближнего порядка.

4. Предложена процедура количественной оценки фазового состава многофазных систем по данным спектральной зависимо-стикоэффициента отражения. Показано,' что поверхностный переходной слой в кварце не является многофазной системой.

5. Изучено распределение по глубине нарушений атомного строения плавленого кварца, возникающих.при механической обработке поверхности различными технологическими приемами. Показано, что лазерный отжиг поверхностей приводит к более равномерному распределению нарушений независимо от исходного состояния образцов. Предложена методика оценки массовой плотности поверхностных слоев отражателей по дат мм аномального рассеяния.

6. Исследован процесс эпитаксмльного роста слоев кремния на кремнии на разных стадиях ихнологическсго процесса. Показано, что качество эпигаксиальных слоев в значительной степени определяется совершенством кристаллической структуры и статистикой шероховатостей подложки. На основе совместного анализа индикатрис рассеяния я тонкой структуры спектров отражения сделан» предположение о чувствител>ности интенсивности аномального рассеяния излучения к присутствии в поверхностной области протяженных дефектов (трещин, границ зерен, дислокаций и т.п.) *

Цитировашая литература

1. Лукирский А.П. Развитие методов ультрамягкой рентгеновской спектроскопии и исследование различных спектров! Ав-тореф. дис. ... докт. физ.-мат. наук / ЛГУ. Л., 1964.

2. Ершов O.A. Отражение ультрамягкого рентгеновского излучения и связь коэффициентов отражения с коэффициентами поглощения: Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук /ЛГУ. Л., 1956.

3. Филатова Е.О. Тонкая структура спектров отражения и оптические постоянные кремшя и его соединений в области ультрамягкого рентгеновского излучения: Автореф. дис. ... каад. физ.-мат. наук /ЛГУ. Л., 1984.

4. Филатова Е.О., Благовещенская Т.Д. Эффект йояеда в области ультрамягкого рентгеновского излучения //Письма в ЖЭК 1990. Т.52, №3. СЛ005-1007.

5. Зеркальная рентгеновсгоя оптика.Под общ. ред. Виноградова A.B. Л., "Машиностроение". 1989. 0,463.

16.

6. Виноградов A.B., Кожевников И.В. Отражение и рассеяние рентгеновского излучения от шероховатых поверхностей И íp. ЙВД. 1989» Т. 196. .0.18-46,

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

I. Филатова Е.О., Кожахмзтов O.K., Виноградов A.C. Не-разрушащий контроль нарушений в имплантированном & по спектрам отражения П Тез. докл. ХУ Всесовэ. совец. по рент-геновсвой и электронной спектроскопии. Л., 1988. C.II7-II8.

. 2. Филатова Е.О., Благовещенская Т.Д., Колсахметов С.К., Кондратьева Т.О. Исследование формирования эпитакеиалшых сдоев ыегодац рентгеновской рефлектометр!« И Тез. докл. III Ввесоюз. семин, по номлл. межвузовской программе "Рентген". Черновцы. 1989»

3. Филатова Е.О., Кожахиетов С.К., Виноградов A.C., Благовещенская Т.А. Исследование распределения нарушений в имп-лантиравшном ¿i методой рентгеновской рефлектометрии //Ш1 Т.24, Р7. I90Q, C.I2I6-I220.

4. Филатова Е.О., Благовещенская Т.А., Когахметов O.K., Кондратьева Т,0. Ультрамягкая рентгеновская рефлектоиетрия как метод контроля процесса выращивания эпитаксиальшх слоев U Тез. докл, IX Всесовэ, квдф, "Физика БУФ-излучегаш и его взаимодействия с веществом". Томск. 1991. С.100.

б. Филатова Е,0„ Благовещенская Т.А., Кожахматов O.K. Контроль совершенства атомного строения .поверхностных слоев кремния методом рентгеновской рефлектометрии // Тез. докл. Х1П Веесоюэ. шнолы-семш, "Рентгеновские, электронные спектры и химическая связь". Владивосток. 1991.

6, Филатова Е.О., Благовещенская Т.А., Колахметов С.К. Ультрамягкая рентгеновская рефлектометрия как метод изучения микрорельефа и структуры приповерхностных слоев твердых тел /Дез. докл. III Всесовз. совещ. "Физико-химия взаимодействия ионного и фотонного излучения с поверхностью твердых тел" Москва. 1991.

7. Филатова Е.О., Благовещенская TÍA., Кокахметов С.К., Шулаков A.C., Алавердов В.И. Рентгеновская рефлектометрия как метод контроля качества эпитаксиальных слоев.,,Электронная техника,серия 2-, полупроводниковые приборы, 1991. с.212-220.