Нестационарная акустоэлектрическая и акустикооптическая спектроскопия глубоких уровней в GaAs тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

^ Р.С. ШВШОД УН1ВЕРСИТВТ |м. ТАРАСА ШВВЧЕНКА

л .На правах рукопису

Сайко СврПй Васильович

НестацЮНариа икуотоелектрична та акустоолтична спектроскоШя глиооких р!вн1в в ЯаАз

01.04.07 - ф!зика твердого т1ла

АВТОРЕФЕРАТ дисерташ I на здобуття паукового ступеня

\

кандидата Ф1зико-математичних наук

КиГв - 1996

Дисерташя в рукописом.

Робота виконана на кафедр1 загадьноГ ф!зики Ки1вського УШверситету 1м. Тараса Шевченка.

Науковий керГвник : доктор ф!зико-математичних наук,

Оф1ц|йи1 опоненти : доктор фIзико- математичгшх наук,

професор, зав. в1дд1лом нел1н!йних властивостей твердого т)ла 1нсти-туту теоретичноI ф!зики ПАИ Укра1га Локтев в.н.

кандидат ф1зико-математичних наук, старший науковий сп!вроб1тник 1н-ституту нап1впров!дник1в НАН Укра1ни ОЛИХ Я.М.

Пров¡дна орган1зац!я: 1нститут ф!зики НАН Укра1ни.

Захист дисертацП в1дбудетьс.я 2? травня 1996 року о 14.30 на зас1данн! Спец1ал1эовано1 Ради (шифр Д-01.01.22) в Ки5воькому Ун1верситет1 1м. Тараса Шевченка за адресою ^'52327, м. Ки1в, просп.• Глушкова, 6, аудитор!я 200.

3 дасертаШею можна ознайоюгчся в б!блютец1 Ки1вського Ун1верейтету 1м. Гараса Шевченка (вул. Володнмирська 62).

професор, зав.• кафедрою загально! ф1зики Ки1вського Ун1верситету 1м. Тараса Шевченка ОСТРОВСЫШЙ 1.В.

Вчений сикретар Сиоц(а.п1новано1 Ради доктор ф! зико-математичних наук

Охр1менко Б. А.

/

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

АктуальШсть теми. В процеи! розвитку сучасно! твардо-т!льно1 м!кроелвктрон!ки спостер1гаеться неухильна тендешия до зменшення геометричних розм!р!в нал)ЕЛров!дникових элемент! в та лов'язане з цим л)двищення робочо! частоти 1 зб!льшення швидкост! обробки ¡нформац|1. Потреба в пол¡пшвн-Ш параметр! в влектронних пристроГв шкликала бурхливий роз-виток технолог!I виготовлвння нашвпров|дникових матер!ал!в. Основой твердот!льноГ м1кроелектрон1ки стали оп!такс|альн1 структури, е яких головш промеси иро'Пкають в тонких еп1-такс1альних шарах. В зв'язку з дужа.малими товщинами егйтак-с!альних шар!в практично весь робочий об'рм можна розглядати як приповерхнев! дишнки, I чисто об'емн! властивосп в1дступають на задшй план. Природньо, що з широким застосуванням таких структур значно зросла нообх!дн!сть у розробц! експериментальних та теаретичних методI в 1х досл!д-жзння.

Як 1 для випадку об'емних нап!впров1дник!й, на електроф!-зичн1 ьластивост1 ол!такс!альшх матер! ал 1 в надзвичайно сильний вллив мае наявШстъ дефект!в структури. На даний час Юнуе велика к!льк!стъ експериментальних метод)в доел!двення границь _розд!лу 1 дефект!в, як! локал!зотан1 ■ поблизу них. Це, наприклад, скануюча тунеЛьни кикроскоШя СИ, С-У та ВЬТй вимрювання [2,3] та багато 1ниих. Основним 1х недол1-ком е неможлив!сть неруйн1вного контролю внутр!шн!х (1нтер-фейоних) границь розд!лу в еп!такс!алышх нап!впров! дшкових структурах. Цього нодол!ку позбавлен! акустоелектричн! мето-

ди досл1 джения. Bel юни грунтуються на електромахан1чн!й взаемодП м!ж п'езоелектричними хвилями та в!льними нос1ями заряду. 1х використання для досл[джения приповерхневих шар!в визначавться можливЮтю локал1заци акустичних хвиль поблизу повврхн! (поверхнвв! акустичШ хвил! у виПадку л'езоелек-тричних налIвпровIдникI в) та невеликою глибиною проникнення в об'ем нап1впров1дника електричних пол1в, що супроводжують л'езоактивн1 акустичн! хвил! в шаруватих структурах п'езо-електрик - наш впров) дник.

Одним 1з прояв!в нел!н1йно1 акустоелектричноГ взаемодП е виникнення поперечно I до напрямку поширення акустичшх хвйль 1гаст1йно1 складово1 елетрично1 напруги - лоперечний акусто-електричнлй ефегсг. Важливим з точки зору характеризац!I дефект 1в структури, як1 локал1зован1 поблизу границь розд1лу, е вивчення перех!дних процес1в, характерних для нел1н!йно1 акустоелектрично1 взаемодП, оск1льки вош безлосередньо визначаються кШетикою обм1нних процес!в м1н поверхневими елоктроншми станаш 1 зонами. Сама тому досл1даення релак-caulI сигналу поперечно! акустовлектрично! напруги (ПАН) (нестащонарна акустоелектрична спектроскоп!я) та И залеж-hoctI в1д спектру осв1тлення (нвстацЮнарна акустооптична спектроскоп!я) можуть дати вааишву 1нформац!ю про параметри глибоких центр1в захоплення.

Виб1р ештакс1альких структур на ochobI арсен1ду гал1ю в я]сост 1 базового матер 1алу для дослЦжень був зумовлений ïx широким використаниям у сучаснШ твердот1льн)й мЖроблектро-Шц1. 0кр1м того, незважаючи на велику к1льк!сгь експеримен-тальних 1 теоретичних ¡об 1т, литания про природу багатьох

локальних центрI в в GaAs до цього часу эалишаеться в!дкри-тим. Тому е доц1лытом визначення за допомогсю пестащонарно1 акустовлектричноI та акустооптично1 спектроскоп 11 основних тип 1 в дефект!в в еп1такс1альному GaAs та уточнения 1х параметр! в.

Мета дано1 роооти полягала в розробщ неруйн!вно1 експе-риментально! методики - нестацЮнарно! акустовлектрично! та акустооптично1 спектроскоп11 глибоких рIвнI в у нап1впров1д-никах, та у вианаченн! за допомогою неI параметр!в основних типIв дефект 1 в, локал!зованих на границах роздиу в ештак-с:1альних структурах GaAs.

У процес1 викинання роботи розв'язувалися так! основн! знвдання:

- теоретична вивчання особливостей ктетики обм1ну нер1вно-шжного заряда м!ж Шдзоною поверхневих центр!в захоплення та в!льними носIями заряду;

- створення експериментально! установки для отримання неста-HioHnpHo! поперечно! акустовлектрично! напруги в шаруватих структурах ншИвлров1дник - п'езоелектрик;

- розробка методики визначення характерних uacl в релаксац) I нар I вкованного заряду на глибоких поверхневих центрах за допомогою методу нестяц!онарно1 акустовлектрично! спектроско-nil, та створення в1дпов!дних комп'ютерних лрограм для мате-матично! обробки експериментальних даних.

- експериментальне вивчення оптичних спектр!в релаксуючого сигналу поперечно)' акуетоелектрично! напруги (нвствцюнарна

акустооптичча спектроскоп!я) та визначення параметр1в основ-шх тип1в центр1в захоплення в еп!такс1вльних структурах баАа.

Наукова новизна. До дисертац11 ув!йшли так1 нов1 результате, отриман! автором:

- экспериментально визначено характерн1 часи. релаксацП не-р1вноважного заряду, захопленого на глибок1 центри в еп!так-с1альному ПаЛз.

- вперше досл1дж8НС оптичн! спектри релаксац!I поперечно! акустоелектрично1 напруги в еп!такс1альних структурах С а Аз. На основ! отриманих даних знайден! оптичн! енэрг11 ективацП та розрахсван! ефективн! перер1зи захоплення електрон1в для. глибоких р1вн!в ЕЬЗ, ЕЬ4, ЕЫО.

- розраховано час релакс.ац11 нер!вноважного заряду, захопленого на локальн) центри, в загальному виладку, коли 1снуе п1дзона глибоких електронних р!вн1в.

- вперше експериментально виявлено р!вень з енерпею заля-гання 105 теУ, який шв'язаний з одним 1з зарядових стан! в вакансП арсена. '

Практична ц1нн!сть. Створено нову неруйн!вну методику досл1даення дефект!в на границях розд!лу в еп1таксIальних нап1впров1дникових структурах. Бона може бути застосована для розробки експрес метод!в контролю якост! виготовлення поверхонь в нап1впров1дникових матер!алах на вироГ-мцтв!.

На захист виносяться наступи1 основн! положения:

1. Розроблена нова неруйн!вна методика - нестацЮнарна акустоелектрична та акустооптична спектроскопы глибоких plBHlB у нап!влров1дкиках. Бона базуеться на вим1рюванн| спектр! в релаксацП поперечно1 акустоелектрично! напруги • у структурах нал!впров1дник - п'езоелектрик. Методика дозволяя визначати так! параметри - час релаксац|1 заряду на центрах захоплення, енергетичн! р1вн1 цих центр!в та перер1зи захоп-лення носИв на них. На в 1дмi ну од виомих метод!в можна визначати параметри дефект!в на внутршн1х границях розд!лу в еп!такс!альних нап!вгтров1дниках.

2. Вперше в GaAs експериментально виявлено енергетичний р|вень 105 meV, який пов'язаний з одним 1з зарядових стан!в вакянсП арсена. Запропонованою методикою знайден! параметри центр1в захоплення F.L3, EL4, EL10, як! присутн! на границ1 розд1лу в еп!такс!альних структурах GaAs.

3. Тео[«тично розраховано час релаксац11 нер!вноважного заряду, захопленого на п!дзону поверхневих електронних ста-Н1в. Показано, що з точки зору обм1нних процес!в шдзона поверхневих електронних craHiB може бути зам1нена. одним р1внем з ефективними параметрами - глибиною залягання в заборонен!й зон! та перер!зом захоплення носЛв заряду. '

Лпробац!я робота. За матер!алами дисертацИ опубл!ковано 5 наукових роб!т. II основн! результата допов!дались та об-говорювались на Всеукра1нськ1й конференЩI молодих вчених (м. Ки1в, 1993 р.), на М!жнародн1й науков!й конференЩ! "1п-.ternatlonal symposium on surface waves in solid and layered ' Л- é-/«?//

structures and national conference on acoustoelectronlcs" (м. Москва - Ст.Петербург, 1994 p.), на НАТОвському 1нсти-тут1 п1двищення квал1ф!кац11 (м. Ки!в, 1995 р.).

Структура роботи. ДисертаШйна робота складавться 1з вступу, чотирьох роздШв, висновк1в та б1бл!ограф!I. Бона викладена на 186 стор1нках, в тому числ1 м1стить 139 стор1нок машинописного тексту, 46 малюнк1в, 3 таблиц1, 116 б1бл!ограф1чних посилань.

КОРОТКИЙ 3MICT РОБОТИ

У вступ! обгрунтовано актуальнють теми дисертацИ, сфор-мульовано мету роботи, ochobhI завдання, коротко викладено зм1ст роботи по розд1лах.

Перший розд 1л складаеться 1з короткого огляду сучасних метод!в досл!дяення поверхонь та границь розд!лу наШвпро-в1дникових структур 1 б!льш детального розгляду методу DLTS, анал!з якого мае багато сшльного з методом нестац1онарно1 акустоелектрично1 спектроскоп1I. Приведено основн! теоретич-Ш спIвв1дношення и!ж параметрами сигналу DLTS та характеристиками глибоких ценгр!в зах'плення. В цьому ж розд!л! на) ведено основн! електроф1зичн! властивост! та параметри основних дефект 1 в структуры крис.тал1в GaAs. Ця !нформац!я необхина для подалыю! 1нтерпретац11 результат1в експери-мент1в та теоретичних розрахунк!в. Тут таком розглнуто два в 1 домих з л!тератури основних мехаШзми виникнення акустое-лектричного ефекту у гал!впров1дниках - "концентратйна" та

"зарядова" складов! поперечно! акустоелектрично1 напруги.

У другому розд!л! описано приннипи нестац!онарно1 акустоелектрично! та акустооптичноГ спектроскоп!I глибоких р!вн1в. Приведено блок-схему экспериментально! установки для отримання поперечного акустоелектричного ефекту. Описано методику вим!рювання параметр!в сигналу ПАН та визнпчення !з експериментальних даних характерних час!в релаксацИ ' нер!в-новажного заряду на поверхневих центрах захоплення. В якост! пор!еняння, описано методику вим1рювання 0-У характеристик та отримання нестац!онарно! емност1 в !нтегральних наги впров!дникових структурах. Складовою частиною другого розд!лу е анал!з точност! вим!рювання характерних час!в ре-лнксац!I сигналу ПАН та визначення основних джервл виник-нення похибок.

В третьому розд|л! викладено результати теоретичного I експериментального досл!дження нестацЮнарно! акустоелектрично! напруги. Тут знайдено зв'язок м1ж характеристиками глибоких ценр1в та параметрами рвлаксуючого сигналу ПАН у вииадку окремого енергетичного р]вня в заборонен!й зон!, а пот Iм проведено узагальнення для випадку неперервного енергетичного спектру поверхневих центр!в захоплення. Показано, що з точки зору обм!нних процес!в п!дзон& поверхневих елек-тронних стан!в може бути зам!йена одним р!внем з ефективними параметрами - глибиною залягання в заборонен1й зон! та перер|зом захоплення носИв заряду. Оц!нено м!н1мально необ-XIдну для застосування методу нестацЮнарно! акустоелектрично! спектроскоп!! концентрац!ю поверхневих дефект1в струк-д ' ю -г

тури 10 -г 10 сш . Пор!вняно дв! екйпериментальн! методики

\вим1ровання нестацюнарно! ПАН - I мпульсний та неперервний синусо!дально модульований рекими збудження. Проведено ана-л1з ампл!тудних залежностей часу релаксацП поперечноI акус-тоелектрично1 напруги в ел 1 такс 1а.н.них. структурах ОаАз. За допомогою запропонованоГ методики анал!зу спадаючо1 д!лянки ПАН вид1лено внесок окремих тип]в центр1в захоплення в попе-речний акустоелектричний ефект та знайден1. характерн! часи релаксацП нер1вновакного заряду на них. Показано, що при зб!льшенн1 1нтенсивност1 ультразвуку в1дносний внесок б!лып глибоких центр!в в загальний сигнал ПАН зростае пор1вняно з внеском в!д б!льш м1лких центр!в. Проведено досл!дкення температурних залежностей часу релаксацП нестацюнарно! ПАН. На основ1 даних цих эксперимент 1 в знайден1 терм!чн1 енерг!I активац11 глибоких центр1в в еп1такс1альному СаАз -0.42 еУ та в кремн1ю р-тилу -0.33 еУ. Для пор1вняння описан1 експврименти по досл1дженнга С-У характеристик та нестацюнарно I емноси в еп1такс1альних структурах СаАз. Розрахована емнЮть 1нтегрально! нал 1 впров 1 дняковоI структури йаАв в . контактом Шотк! при р1зних напругах зм!щення. Експеримен-тально досл!джена релаксаШя нестацюнарно! емноси в цих структурах та проведено II пор!вняння з параметрами релакса-. Щ1 сигналу ПАН.

Четвертой розд!л присвоений методу нестацюнарно! акус-тооптично1 спектроскопП глибоких р!вн1в, який полягае у досл1даенн1 впливу монохроматично1 п1дсв!тки поверхн1 нап!в-пров1дниково1 структури на параметри релаксацП поперечно! акустоелектрично1 напруги. В ньому пояснюеться наявнЮть особливостей в оптичних спектрах ПАН, як! виникають в ре-

зультат! оптичних електроних переход!в у нап!влроЕ:днику. За

допомогою запропонованоГ методики експериментально визначен!

оптичн1 енергИ активацП глибоких р1вн!в в ' еп1такс,1альному

GaAs. На ochobI цих даних та отриманих ран!ше характершгх

час!в релаксацП нер!вновалного заряду розрахован! ефективн]

перер1зи захоплення електроШв глибокими р!внями EL3, EL4,

EL10. Описан! експерименти по вивченню впливу ультразвуково1

обробки на спектри ПАН. Показано, що ультраэвуков1 потоки

2

потужн!чтю понад 1 Вт/см приводять до утворення трьох енергетичних р1вн1в в забороненШ зон1 GaAs 0.145, 0.105 i 0.050 eV, як! пов'язуються з р!зними зарядовими станами ва-кансП арсена.

ОСНОВНI РЕЗУЛЬТАТИ I ЕИСН0ВКИ

1. Розроблена нова неруйн!вна методика досл!дження дефект! в поверхонь та границь розд!лу в еп!такс1альних нап!в-пров!дшкових структурах - нестацЮнарна акустоелектрична та акустооптична спектроскоп!я глибоких р1вн!в. Запропонований метод дозволяе вивчатг: дефекти структури м!ж Шдкладкою та еп1такс!альним шаром, тод! коли такими в!домиии методами, як електронна м1крос,коп1я, оптична спектроскоп!я, DLTS- вим1-ри неможливий неруйн!вний контроль цих границь розд1лу.

2. Теоретично досл|джен! процеси обм!ну електронами м!ж локальними електронними станами та зоною пров^дност! у загальному випадку, коли 1снуе Шдзона р!вн!в у забороненШ зон!. Розрахунгл показали, що э точки зору релаксац!I акустовлектрично! напруги л!дзона поверхневих piBHiB можо

-12- .

бути замшена одним р|внем з ефективними параметрами - гли-биною залягання в заборонен!й зон! Е^есг та перер!зом захоплення нос!Кв заряду Зп,ерг.

3. Проведено анал!з похибок визначення параметр!в релак-суюч! поперечно! акустоелектрлчно1 напруги, як1 виникаютъ при 1нтврлолящ1 експериментальних даних теоретичними за-лежностями по методу найменших квадрат!в. Показано, що по-хибка вим!рювання характерних чачв релаксацИ заряду на глибоких р!внях методом нестацюнарно! акустоелектрично! спектроскоп!I становить 8-10 в1дсотк!в.

4. Проведено експериментальне пор!вняння двох методик визначення час!в ре.лаксащ! нер!вноважного заряду на глибоких р1внях - неперервний синусо!дально модульований та 1м-пульсний режими вим1рювання акустоелектрично! напруги. Обидв! методики в межах похибки вим1рювань дають однаков1 результати I доповнюють одна одну. Неперервний синусо-!дально модульований режим б!льш зручшший для вид!лення ма-лих час1в релаксац!! в межах в1д О до 0.5 м!л1секунди. 1м-пульсний режим мае меншу похибку для анал!зу 61льш пов!льних процес!в обм1ну електронами, з часами релаксацИ б1лыие 0.5 м1л!секунди.

5. Досл1джено С-У характеристики та параметри сигнал!в ностацюнарно! емност! в !нтегральних еп1такс1альних структурах СаАз. Знайдено часи релаксацИ нестацюнарно! емнос-т!. Ц1 результати Шдтверджують та доповнюють дан!, як! були отриман! методом нестац!онарно! акустоелектричн! та акусто-оптично! спектроскоп! I.

6. Проведено вим!рювяння час!в релаксащ! нерIвноважного

заряду на глибоких поверхневих р1внях для зразк1ь об'емного при р1зних температурах. Визначена терм1чна енергIя активаЩ I глибоких р1вн!в 0.33 еУ, то в!дпов!дае енергетич-ному положению р1вн!в поверхневих центр!в захоплення в зразках кремШю.

7. Методом нестацюнарно1 акустооптичноI спектроскоп! I, який полягае у досл!дженн! впливу монохроматично I п!дсв1тки поверхн! нап!впров1дниково1 структури на характер акустое-лектрично1 взаемодП, вид!лен1 спектральн! залежност! параметр! в релаксацИ поперечно1 акустоелектричноГ напруги в еп!такс!альному ваАз. За результатами цих експеримент 1 в знайден! ефективн1 енерг!I залягання та розрахован! перер1зи захоплення електроШв для в!дпов1дних глибоких р!вн1в, а також визначен1 характер!!! часи релаксацИ нер1 вноважного заряду на них. Ц! дан! наведен! шжче в таблиц!.

и 1 1, тс Ег, еУ Зп, сш2 1дентиф1кац1я

2 ■ 0.54 2.5 Ю-'3 ЕЬЗ

2 22 0.48 2 10~15 ЕЬ4

3 4.5 0.20 1 ю-19 ЕЫ0

8. Проведено експерименти по вивченню вшшву ультразву-

ково1 обробки на спектри поперечно! акустоелектрично! напру-

ги. Показано, що ультразвуков! штоки потушистю понад \

г

Вт/см приводять до утворення трюх енергетичних р!вн!в в

заборонен1й зот СаЛз 0.145, 0./105 1 0.050 еУ шжче дна зони

пров!.дност1, як1 пов'язуються з р|зними зарядовими станами

ваканоИ арсена. Р!вонь 0.105 еУ спостер!гавоя вперше.

OCHOBHI РЕЗУЛЬТАТИ ОПУБЛ1КОВАН1 В НАСТУПИМ РОБОТАХ:

1. Островський I.B., Сайко С.В. Акустоелектрична спектроскопа поверхн! GaAs// УФК.-1993.-Т.38.-1J10.-С. 1544-1546.

2. Островский И.В., Сайко С.В., Савкина Р.К. Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитакси-альних структурах GaAs//iTn.-1994.-T.26.-N5.-С. 796-801.

3. Островский И. В., Сайко С.В. А. устоэлектрический анализ глубоких уровн й на поверхности раздела в эпитаксиальных структурах GaAs// ПОВЕРХНОСТЬ. Химия. Физика. Механика. -1994.-N10-11.-С.62-67.

4. Островский И.В., Сайко С.В. Спектроскопия поверхностных состояний в GaAs посредством акустоэлектрического эффекта// ФТТ.-1993.-Т.35.-N4.-C.1043-1050.

5. Ostrovskii I.V., Saiko S.V. Transient TAV and capacitance measurements for surface characterization In GaAs and Si// International symposium'on surface waves in solid and layered structures and national coference on acousto-electronics. St.Petersburg, 1995.-P.468-472.

ЦИТОВАНА Л1ТЕРАТУРА

1. Bass J.M., Mat thai C.C., Saynor K.A. A theoretical study of the scanning tunneling microscopy images of the GaAs (001) p(2x4) and a(2x4) surfaces// 22-nd- international conference on the physics of semiconductors. Vancouver, 1994.-V.1.-P.419-422.

2. Rick,sand A., Engstrora 0. Deep level transient spectrosco-

py: Increased accuracy of Interpretation of silicon/silicon dioxide Interface states data by trie assistance -of computer simllatlons// J.Appl.. Phys. -1991. -V.70. -N11. -P.6915-6926.-

3. Goguenhelm D., Viullaume D.Vincent G., Noble M.Johnson. Accurate measurements of capture cross sections of semiconductor-insulator Interface states by a trapp-flllln experiment: the charge potential feedback effect// J. Appl. Phys.-1990.-V.68.-N3.-P.1104-1113.

Salko S.V. Transient acoustoelectric and acoustooptic spectroscopy of deep levels in QaAs (manuscript).

The dissertation advanced for a degree of Philosophy Doctor In the speciality 01.04.07 - Solid State Physic. Taras Shevchenko Kiev University, Kiev, 1996.

A new nondestructive technique - transient acoustoelectric and accustooptic spectroscopy of deep levels for investigation of structure defects at interfaces in epi taxial semiconductors is developed. It permits to find the following parameters - relaxation time of charged carrier,3 on trapping centers, energetic levels of these centers and crossections' of carriers on them. By this technique the parameters of rrain trapping centers EL3, EL4, EL 10 In epi-. taxlal GaAs are found. Features of a charge transfer between a subzone of surface electronic states and free charge carriers in the conduction band are theoretically investigated.

Сайко C.B. Нестационарная акустоэлектрическая и акустооп-тическая спектроскопия глубоких уровней в GaAs.

Диссетация на соискание ученой степени кандидат физико-математических наук по специальности 01.04.07 - физика твердого тела. Киевский Университет им. Тараса Шевченко, Киев, 1996.

Разработана новая неразрушающая методика исследования дефектов структуры на границах раздела в эпитаксиальных полупроводниках - к 'стационарная акустоэлектрическая и акусто-оптическая спектроскопия глубоких уровней. Она позволяет определять следующие параметры - время релаксации носителей заряда на центрах захвата, энергетические уровни этих центров и сечения захвата носителей на mix. С помощью предложеной методики найдены параметры основных центров захвата EL3, EL4, EL10 в апитаксиальном GaAs. Теоретически изучены особенности кинетики обмена между зарядом, захваченным на подзону поверхностных электронных состояний,и свободными носителями заряда в зоне проводимости.-

Ключов1 слова: дефекта, еп1тако!альн1 структури, акусто-електричн!.