Нестационарный перенос тепла в структурах ВТСП/диэлектрик, ВТСП/полупроводник при низких температурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Р Г Б ОД

- 3 ОНТ 1335

на правах рукописи УДК : 5.37.311.33

КЛОКОВ Андрей Юрьевич

НЕСТАЦИОНАРНЫЙ ПЕРЕНОС ТЕПЛА В СТРУКТУРАХ ВТСП/ДИЭЛЕКТРИК, ВТСП/ПОЛУПРОВОДНИК ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ.

01.04-.07. - физика твердого тела

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва, 1995

Работа выполнена в Физическом Институте имени П.Н.Лебедева РАН

НАУЧНЫЕ РУКОВОДИТЕЛИ: Профессор, дф-ыл. ПЛОТНИКОВ АФ., д^-ил. ГалХИНЭ Т.И.

Официальные оппоненты :

доктор физ.- мат. наук Е.Н.Хазанов кандидат физ. - мат.наук H.A.Гиппиус

Ведущая организация : Московский Государственный Педагогический Университет Защита диссертации состоится " 30 " октября 1995 г. в 9.00 час. на заседании специализированного совета К - 002.39.01 при Физическом Институте имени П.Н.Лебедева РАН по адресу : 117924 Москеэ, Ленинский проспект, 53.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физического Института имени П.Н.Лебедева РАН.

Автореферат разослан -29 " сентября 1995 г.

Ученый секретарь специализированного совета кандидат

физико-математических наук В.А.Чуенков

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность теыы. Проблема изучения теплоотвода при низких температурах в кристаллах полупроводников и диэлектриков непосредственно связана с изучением режимов распространения акустических фононов. При низких температурах весьма распространенной является ситуация, когда фояонная система в кристалле оказывается существенно неравновесной, иными словами, когда функция распределения фононов сильно отличается от планковской. Какой именно режим распространения неравновесных акустических фэнонов установится (баллистический, диффузионный, нелокальной теплопроводности и т.д.) - зависит от того, как происходят процессы упругого и неупругого рассеяния фононов [1].

Однако представления об указанных процессах рассеяния, их температурной зависимости, а также влияния на них реальных параметров кристалла, его анизотропии, далеко не полны, хотя они крайне необходимы для корректного описания разнообразных неравновесных процессов - в том числе и теплоотвода.

Весьма информативной (о точки зрения получения данных о процессах рассеяния) является методика тепловых импульсов (ТИ) [21. Сущность методики ТИ состоит в том, что на одной из граней исследуемого кристалла создается (например, фотовозбуждением поверхности) фононная неравновесность. Поток неравновесных акустических фононов различных энергий и поляризаций распространяется по кристаллу и может оыть зарегистрирован детектором на другой грани.

Техника ТИ дает возможность получать информацию о временах жизни относительно фонон-фононного взаимодействия, Бременах свободного пробега относительно упругого рассеяния в зависимости от частоты и поляризации фононов.

В качестве детекторов неравновесных акустических фононов в методике ТИ часто используются болометры на основе классических сверхпроводников. Однако применение детекторов на основе классических сверхпроводников с температурой перехода в сверхпроводящее состояние в области жидкого гелия не позволяет регистрировать тепловые импульсы в широком интервале температур. Кроме того, из-за узости динамического диапазона таких

детекторов (у болометрического детектора динамический диапазон определяется шириной перехода в сверхпроводящее состояние и составляет десятые доли градуса), невозможно исследование тепловых импульсов при высоких уровнях возбуждения. Но именно высокие уровни возбуждения и представляют интерес, поскольку при высоких уровнях возбуждения интенсивно идут процессы слияния фононов и возможно образование области в кристалле, в которой может устанавливаться "локальная температура", так называемое "горячее пятно" (ГП) [3].

После открытия Беднорцем и Мюллером высокотемпературной сверхпроводимости появилась принципиальная возможность снять ограничения методики тепловых импульсов по температуре эксперимента и уровням возбуждения. Используя детекторы на основе ВТСП (в первую очередь УВаСиО) можно исследовать тепловые импульсы в интервале температур от жидкого гелия до жидкого азота [41.

К сожалению, в процессе развития технологии получения ВТСП на таком,- интересном с практической точки зрения, материале как кремний, стало ясно, что поскольку структурные характеристики кремния и УВаСиО существенно различаются, технология роста пленок ВТСП 'должна была включать в себя формирование буферного слоя на границе ВТСП/31, который также защищает от езаимодиффузии.

На момент начала работы не было практически никаких данных о влиянии переходного слоя на временные характеристики болометрического детектора на основе ВТСП (т.е. сведений о том, насколько быстрые изменения потока неравновесных фононов он смог бы отслеживать). Это затрудняло интерпретацию

экспериментальных данных. В единственной на тот момент времени работе Киндера [4], в которой исследовалось применение гранулированной пленки ВТСП для детектирования неравновесных фононов, приводилась оценка быстродействия <* 100 не, в то же время было указано, что использованная технология напыления УБаСиО приводила к появлению буферного слоя 3102-

Возникал вопрос, как влияет буферный слой на границе ВТСП/подложка (т.е. тепловое сопротивление границы) на быстродействие болометрической структуры на основе ВТСП (т.е. скорость отвода тепла). Ответ на этот вопрос можно получить, например,

проведя модельные исследования фотоотклика разных болометрических структур. Однако в существовавшей литературе, посвященной исследованиям фотоотклика болометрических структур на основе ВТСП, приводились оценки быстродействия таких структур в весьма широком диапазоне - от микросекунд до наносекунд и менее. Кроме того, были указания на то, что существует нетепловой вклад в фотоотклик (т.е. фотоотклик не был обусловлен полностью изменением температуры болометра при поглощении излучения) в области ниже Т0 (Т - температура перехода в сверхпроводящее состояние). Зачастую высокое быстродействие (длительность отклика до 10 нсек и менее) связывалось с наличием нетеплового отклика [5]. В то же время использование ВТСП болометра в качестве детектора неравновесных фононов предполагало высокое быстродействие именно в болометрическом режиме. Поэтому требовалось провести исследование механизма фотоотклика з широком диапазоне температур.

Целью работы являлось создание пленочного болометрического приемника УВаСиО на кремнии с широким динамическим диапазоном для исследования режима распространения неравновесных акустических фононов при высоких уровнях оптического возбуждения. При этом необходимо было изучить механизмы фотоотклика болометрических структур на основе УВаСиО, получить информацию о влиянии граничного теплового сопротивления (или теплового сопротивления буферного слоя) УВаСиО/подложка на быстродействие болометрической структуры, исследовать установление локального теплового равновесия при оптическом возбуждении тонких пластин кремния.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Проведены экспериментальные исследования отклика болометрических структур УВаСиО/М^, УВаСи0/гг0о, УВаСиО/УЗг/Б! на импульсное и модулированное непрерывное, лазерные излучения (в последней структуре только на импульсное).

2. Разработана тепловая модель фотоотклика болометрических структур, учитывающая нелинейные зависимости тепловых параметров пленки ВТСП, подложки, граничного теплового сопротивления от температуры, а также тепловыделение от транспортного тока.

3. Сравнение экспериментальных частотных зависимостей

отклика с расчетными позволило впервые оценить граничное тепловое сопротивление в структурах УВаСиС)/М£0, УВаСи0/УЗг/гг0о в области сверхпроводящего перехода.

4. Исследовано распространение тепла в подложках промышленного кремния после лазерной эпитаксии УВаСиО. Показано, что в результате лазерной эпитаксии вводятся центры акцепторного типа, замедляющие отвод тепла.

5. Проведено моделирование методом Монте-Карло (с учетом реальной геометрии эксперимента) тепловых импульсов в кремниевых подложках, используемых в процессе лазерной эпитаксии; показано, что при низких уровнях оптического возбуждения основной вклад в . сигнал вносят фононы с частотами 1*2 ТГц.

6. С помощью УВаСиО болометра зарегистрирован сдвиг максимума отклика болометра при увеличении плотности оптического возбуждения поверхности кремния более 10 мкДж/мм2.

7. Определен порог образования горячего фононного пятна -области -локальной температуры - в кремнии (по плотности оптического возбуждения) и параметры ГП.

Практическое значение. Проведено усовершенствование методики тепловых импульсов, позволившее существенно расширить возможности по изучению процессов распространения неравновесных акустических фононов. Полученные в 'работе результаты несут новую информацию об условиях формирования и параметрах горячего пятна в кремниевых пластинах, что важно с точки зрения понимания режимов теплоотвода при низких температурах. Расширено понимание механизма фотоотклика в структурах, на основе ВТСП, что может быть полезно при создании болометрических приемников работающих в диапазоне длин волн от дальнего МК до ультрафиолета.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. В рамках предложенной тепловой модели удается описать временные и частотные характеристики фотоотклика болометрических структур на основе УВаСиО/М^, УВаСиОЛБг/ггО£ при всех температурах, при которых наблюдался ' отклик (т.е. при температурах как выше Тс, так и в области Тс ). В то же время

обнаруженная аномальная (в области Тс )температурная зависимость амплитуды отклика при малых уровнях возбуждения не описывается в рамках тепловой модели.

2. Сравнение результатов моделирования с реальными экспериментами позволило оценить граничное тепловое сопротивление (ИВ(1) для систем УВаСиО/М^О, УВаСи0/гг02 в области сверхпроводящего перехода.

3. Обнаружено изменение формы (крутизны • нарастания переднего фронта, ширины на полувысоте) теплового импульса, т.е. изменение скорости отвода тепла в подложках промышленного кремния после лазерной эпитаксии УВаСиО.

4. Обнаруженный сдвиг максимума отклика, болометра сопоставляется со временем жизни горячего фононного пятна, возникшего при увеличении плотности оптического возбуждения.

Апробация работы.

Результаты работы докладывались на 2-ой Международной конференции по высокотемпературной сверхпроводимости и явлениям локализации (Москва, 11-17 мая 1991г.), 3-ей Международной конференции по рассеянию фононов- (Итака, 1992, США), 1-ом Всесоюзном совещании по высокотемпературной сверхпроводимости (Харьков, 1991г.), 1-ой Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993г.) и семинарах ФйАН.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, двух глав, заключения, двух приложений, списка цитированной литературы, содержащего 67 наименований. Полный объем составляет 107 страниц, в том числе 71 страница машинописного текста и 36 рисунков.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во Введении дана общая характеристика работы: обоснована актуальность теш диссертации, сформулированы цель и задачи проведенного цикла исследований. Поясняется структура диссертации и ее содержание.

Первая глава посвящена исследованию фотоотклика болометрических структур на основе эпитаксиальных пленок УВаСиО на подложках М$Э И гго2.

Во Введении к первой главе (П.1.1) дан краткий обзор литературы.--'Указано, что появление большого количества работ определялось интересом, связанным как с прикладной (создание высокочувствительного, а самое главное неселективного в диапазоне от ультрафиолетового до дальнего ИК излучения) так и фундаментальной (установление механизма фотоотклика) точки зрения. Наблюдение значительного разброса времен отклика от пикосекунд [6,7] до миллисекунд [8] с различной температурной зависимостью отклика вызвало появление большого количества гипотез по поводу механизма фототклика. Предлагавшиеся разнообразные механизмы можно разделить на два класса: тепловой, или болометрический и нетепловой или неболометрический механизм. При всем разнообразии воззрений на механизм фотоотклика, только в одной из известных нам работ была предложена тепловая модель адекватная экспериментальным условиям [9].

Параграф 1.2 содержит описание методики экспериментов и экспериментальной установки, которая использовалась для исследования фотоотклика на импульсное и модулированное непрерывное лазерное излучение.

Описана технология изготовления структур УВаСи0/М£0, УВаСи0/гг02. Приведены блок-схемы криогенной, оптической и регистрирующей систем установки.

В параграфе 1.3 представлены экспериментальные результаты, полученные при изучении фотоотклика на импульсное и модулированное непрерывное лазерное излучение. Проведенные измерения можно разбить на три группы:

- исследование температурной зависимости амплитуды фотоотклика на импульсное и модулированное лазерное излучение;

- исследование частотной,

- исследование временной зависимости отклика при различных температурах.

Параграф 1.4 посвящен математическому • моделированию фотоотклика болометрических структур на импульсное и модулированное

непрерывное лазерное излучение. Отличия модели, использованной для расчета отклика на импульсное возбуждение от описанной в [9] состоит в учете:

- джоулева тепловыделения в пленке УВаСиО от протекания транспортного тока;

- зависимости удельного сопротивления пленки от плотности тока и температуры;

- граничного теплового сопротивления, определенного- нами из экспериментов с малыми уровнями возбуждения модулированным непрерывным излучением.

Параграф 1.5 посвящен обсуждению и сопоставлению экспериментальных результатов с результатами моделирования отклика.

Методически исследования механизма фотоотклика болометрических структур опирались на сравнение экспериментальных температурных, временных и частотных зависимостей отклика с аналогичными зависимостями полученными в рамках тепловой модели отклика. В линейном случае, когда уровни оптического возбуждения малы, и распределение температуры в пленке можно считать постоянным отклик дается соотношением: <5иЬо1= -(ШЬо1/(1Т -6Т , где 1Ьо1-ток болометра, сЖЬо1/(И - производная зависимости сопротивления болометра по температуре, а 6Т - среднее изменение температуры, вызванное поглощением излучения. В этом случае температурная зависимость отклика' (в предположение болометрического механизма отклика, и малого изменения тепловых параметров структуры ВТСП/подложка) дается температурной зависимостью производной СШЬ01/®. В случае, когда уровень оптического возбуждения нельзя считать малым, или температурный интервал эксперимента велик, и тепловые параметры нельзя считать постоянными, при рассмотрении результатов измерений необходимо пользоваться нелинейной тепловой моделью.

Измерение температурной зависимости амплитуды фотоотклика болометрической структуры УВаСи0/гг02 на модулированное излучение НеЫе лазера (при малых уровнях возбуждения) в области и ниже перехода в сверхпроводящее состояние, и сравнение с температурным поведением производной (Ш/йТ показало, что в области Тс существует подъем амплитуды не описывающийся в рамках тепловой модели. В тоже время частотные зависимости отклика,

измеренные как в области перехода, так и в области Т (для структуры УВаСм0/гг02) хорошо соответствуют расчитанным с помощью тепловой модели. Подгоночным параметром в расчетах являлось граничное тепловое сопротивление. Наилучшее согласие было достигнуто для системы УВаСи0/гг0о при ИВй= 9-10_3К-смг/Вт, а для системы УВаСиО/М^ при ]}м= 8-1СГ4К-см2/Вт.

Отметим, что аналох'ичное поведение амплитуды отклика (т.е. более медленный чем сШ/й! спад в области Т ) наблюдался в работе [10]. Авторы объясняли его появлением в области Т0 дополнительного вклада в отклик, связанного с термически индуцированным крипом потока. Заметим однако, что поскольку частотная зависимость отклика болометра описывается в рамках тепловой модели в области Т , то маловероятно, что дополнительный вклад в отклик имеет какую-либо "фотоиндуцированную" природу.

Исследование температурной зависимости амплитуда отклика на импульсное возбуждение в структурах УВаСиО/К^О, УВаСи0/гг02 также выявило подъем амплитуды отклика (по сравнению с (Ш/сИ) в области Однако в этом случае возбуждение не является слабым, и считать, что отклик пропорционален среднему перегреву нельзя. Численное же моделирование показало, что в области То существует подъём амплитуды отклика по сравнению с (Ж/&Г, хотя и меньшее, чем наблюдавшееся в эксперименте.

Было таже проведено сравнение временных характеристик отклика болометров на основе УВаСиО/МдО и УВа0иО/УЗг/ггО2 при различных температурах с модельными расчб тами и получено хорошее согласие.

Вторая глава посвящена исследованию распространения тепла в с помощью болометра на основе УВаСиО.

Во введении (П.2.1)приведено краткое описание концепции и результатов экспериментов по формированию области квазиравновесия в системе неравновесных акустических фононов в кремнии: т.н. "горячего пятна".

Технология изготовления пленок ВТСП на кремнии (лазерная эпитаксия) предполагает отжиг при высокой температуре в атмосфере кислорода. При подобных процессах в кристалл могут вводиться различные дефекты, появление которых может сказаться

на распространении неравновесных фононов в кремниевых .подложках в структурах ВТСП/кремний. Для оценки влияния этого эффекта, прежде всего необходимо было проведение- исследований тепловых импульсов при низких -уровнях возбуждения в различных образцах кремния как до, так и после лазерной эпитаксии.

В П.2.2 описана экспериментальная методика: технология изготовления пленок УВаСиО, А1 (для измерений тепловых импульсов при низких уровнях возбуждения), криогенная, оптическая и регистрирующая системы. Приведена также непосредственная оценка быстродействия созданного болометра на основе УВаСиО/УЗг/Б! (=* 40 не в жидком гелии при высоких уровнях оптического возбуждения).

В П.2.3 приведены результаты и обсуждение экспериментов по распространению тепловых импульсов при низких уровнях возбуждения в образцах чистого и промышленного кремния, использованного для напыления пленок УВаСиО и побывавшего в технологическом процессе лазерной эпитаксии. Обнаруженное уменьшение скорости отвода тепла объясняется введением центров акцепторного типа с п=* 101бсм~3, предположительно меди, через буферный елей УБг. Расчеты методом Монте-Карло хорошо объясняют полученные закономерности поведения неравновесных фононов.

При высоких уровнях возбуждения использовался болометр на основе УВаСиО. При потоках энергии падающего излучения Р меньших 10 мкДж/мм2 форма отклика болометра не зависела от падающей энергии. При Б> 10 мкДж/мм2 форма отклика начинала сильно зависеть от Р.

Увеличение потока падающей энергии приводило к большим задержкам максимума отклика, что сопоставляется с образованием области локального теплового равновесия - ГП.

Оценки размера ГП по теории Казаковцева и Левинсона показывают, что при потоке падающего излучения 1500 мкДж/мм2 температура ГП к моменту его "гибели" составляет около 30 К, а размер - около 300 мкм.

В заключении приведены основные результаты работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

В настоящей работе впервые использован созданный на основе УВаСиО детектор для изучения распространения неравновесных акустических фононов (терагерцовых частот) в кремнии при высоких уровнях оптического возбуждения.

В работе получены следующие результаты:

1 .В качестве модельного экспермента исследован фотоотклик болометрических структур YBaCuO/MgO, YBaCuO/ZrOg, как при импульсном лазерном возбуждении, так и при модулированном (в области частот 10 - 10^ Гц) освещении. Установлено, что для температур выше Тсприрода отклика чисто тепловая; при температурах в области Тс было обнаружено аномальное возрастание амплитуды фотоотклика.

2.Разработана математическая модель фотоотклика болометри ческих структур , учитывающая температурные зависимости тепловых параметров пленки ВТСП и подложки, а также граничного теплового сопротивления. Сравнение экспериментальных данных по фотоотклику с результатами модельного расчета позволило определить величину граничного теплового сопротивления в структурах YBaCuO/MgO (0.0008 Н-см2/Вт), YBaCuO/ZrOg (0-01 К-см2/Вт) (впервые - в области сверхпроводящего перехода).

3.Исследовано распространение ' тепла в подложках промышленного кремния после лазерной эпитаксии YBaCuO. Обнаружено изменение формы (крутизны нарастания переднего фронта, ширины на полувысоте) теплового импульса, т.е. изменение скорости отвода тепла. Обнаруженное изменение скорости отвода тепла объясняется введением центров акцепторного типа с п^ 101бсм-3, предположительно меди, продиффундировавшей через буферный слой YSZ.

4. Проведеное моделирование методом Монте-Карло с учетом реальной геометрии эксперимента, для образцов кремния толщиной 0.4 мм показало, что при оптическом возбуждении образца квантами с энергией hv>Eg .основной вклад в сигнал дают фононы с ш <* 2 ТГц и временем жизни % = 0.6 мкс (для чистого кремния), однако с уменьшением времени свободного, пробега (т.е. с легированием до 5-1015) возрастает вклад в сигнал фононов следующего поколения с ш = 1 ТГц и t = 20 мкс.

5. Изготовлен болометр на основе гранулированной■структуры YBaCuOASZ/Si с широким динамическим диапазоном 60 К) и быстродействием лучше 40 не.

6. Разработанный болометр позволил зарегистрировать сдвиг максимума фононного импульса в кремнии при увеличении плотности оптического возбуждения > 10 мкДж/мм2.

Т. Определен порог образования области локальной температуры - горячего фононного пятна - в кремнии (по плотности оптического возбуждения) и параметры ГП (размеры и время жизни).

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих научных работах, а также в трудах конференций:

1. Галкина Т.И., Клоков А.Ю. Система стабилизации скорости напыления пленок при термическом испарении. ПТЭ No 5, 1991, с.189-192.

2. Клоков А.Ю. О создании системы стабилизации скорости напыления металлических пленок при термическом испарении: математическое моделирование системы и электронные устройства.' Препринт ФИАН No4, 1991, с.1-18.

3. Bonch-Osmolovskll М.М., Galklna T.I., Klokov A.Yu., Pechen'E.V., Pokrovskii O.B., Saks D.O. Photoresponse features of the YBaCuO/MgO structure to the laser pulse. Abstr. of the Int. Conf. on High-Temp. Superconductivity and Localization Phenom., Moscow, 11-15 May 1991// Moscow 1991, p.J21

4. Bonch-Osmolovskll M.M., Galklna T.I., Klokov A.Yu., Pechen'E.V., Romanov E.G. Sergeev Yu.A. Photoresponse features of the YBaCuO/MgO structure to the laser pulse. Proc of the Int. Conf. on High-Temp. Superconductivity and Localization Phenom., Moscow, 11-15 May 1991, Moscow 1992, pp.241-245.

5. Бонч-Осмоловский M.M., Галкина Т.И., Клоков А.Ю., Печень Е.В., Покровский О.Б., Сакс Д.О. Нетепловой фотоотклик болометрической структуры YBaCuO/MgO на лазерное возбуждение ФНТ, т.17, No 10, 1991, с.1470-1473.

6. Bonch-Osmolovskll М.М., Galklna T.I., Klokov A.Yu., Pechen'E.V., Pokrovskii O.B., Saks D.O. Photoresponse features of the YBaCuO/MgO structure to the laser pulse. Abstr. of the Int. Conf. on High-Temp. Supercond."M2-HTSC"/ Japan, 22-26 July

1991//Tokyo.-1991.- p.62.

7. Бонч-Осмоловский M.M., Галкина Т.И., Клоков А.Ю., Индейкина А.Е., Рязанцев Ю.С., Сергеев Ю.А. Математическая модель отклика болометрической структуры на основе высокотемпературного сверхпроводника при возбуждении импульсом УФ лазера. ЖТФ, т.62, No7, 1992, с.12-22.

8. Бонч-Осмоловский М.М., Галкина Т.И., Клоков А.Ю., Плотников А.Ф., Романов Е.Г.. Оценка теплового сопротивления интерфейса YBaCuO/MgO из измерений частотной зависимости фотоотклика. СФХТ, т.5, No11, 1992, с.2122-2127.

9. Bonch-Osmolovskii М.М., Galkina T.I., Klokov A.Yu., Plotnikov A.P., Romanoy E.G. Evaluation of the YBaCuO/MgO interface thermal boundary resistance through measurement of the photoresponse frequency dependence. Proc. of the Seventh Int. Conf. on Phonon Scattering In Condensed Matter/August 3-7, 1992, Ithaca, NY, USA / Springer, 1992, pp.411-412.

10.- Bonch-Osmolovskii M.M., Galkina T.I., Golovashkln A.I., Dovydenko E.Yu;, Klokov A.Yu., Krasnosvobodtsev S.I., Oktlabrskii S.R., Romanov E.G.. Anomalies in slow laser induced photoresponse and boundary resistance of YBaCu0/YSZ/Zr0o structure. Annalen der Physlk, No2, 1993, pp.330-334.

11. Бонч-Осмоловский M.M., Галкина Т.Н., Клоков А.Ю., Покровский Ю.Ю., Шарков А.И., Динамика 'горячего' фононного пятна в тонких пластинах кремния при лазерном возбуждении, Тезисы докл. I Российской конф. по физ. полухгр., Никн.НоЕгород, т.2, 1993, с.212.

12. Бонч-Осмоловский М.М., Галкина Т.И., Клоков А.Ю., Онищенко Е.Е., Шарков A.M.. Особенности распространения тепловых импульсов в подложках кремния после лазерной эпитаксии YBaCuO. Краткие сообщения по физике ФИАН. No 11-12, 1993, с.25-29.

Цитируемая литература.

1. Казаковцев Д.В., Левинсон И.Б.. Распространение фононных импульсов в режиме спонтанного распада фононов. Письма в ЖЭТФ, Т.27, в.З, 1978, с.194-196.

2. Gutfeld R.J., Nethercot Jr.A.Y. Heat pulses in quartz and saphire at low temperature, Phys. Rev. Lett., v.12, No23,

1964, pp.641-644.

3. Казаковцев Д.В., Левинсон И.Б.. Формирование, динамика и взрыв горячего фонснного пятна ЖЭТФ, т.88, в.6, 1985, 3.2228-2243.

4. Orby М., Tate -J., Berberich. P., Kinder H. Fabrication jf thin-film hlgh-Tc superconductors: application as a phonon ietector, Phonon 89, Proc. of the Third Int. Conf. on Phonon Phys., World Scientific vol.2, 1990, p.328.

5. Kwok H.S., Zheng J.P., and Ying Q.Y.. Nonthermal optical response of Y-Ba-Cu-0 thin films. Appl. Phys. Lett. 54(24), 1989. pp.2473-2475.

6. Semenov A.D., Gol'tsman G.N., Gogidse I.G., Sergeev V.V., Gershenson S.M., Lang P.T. and Renk K.F.. Subnanosecond Dhotoresponse of YBaCuO thin film to infrared and Yisible ^adiation by quasiparticle Induced suppression of superconductivity. Appl. Phya. Lett. v.60, 1992, p.903.

7. Shi L., Huang G.L., Zheng -J.P., Kwok. U.S., Generation md measurement of picosecond voltage pulses in YBagCu^O^, thin rilms, Appl.Phys.Lett. V.61(4), 1992, pp.489-491.

8. Forrester M.G., Gottlieb M., Gavaler J.R., and Braginski l.I.. Optical response of epitaxial films of YBa2Cu30r?r_Q . ippl.Phys.Lett., v.53(14), 1988, pp.1332-1334.

9. M.I.Fllk, P.E.Phelan, and G.L.Tien. Thermal model for ;he bolometric response of high Tc superconducting films to jptical pulses. Cryogenics, v.30, 1990, pp.1118-1128.

10. Zeldov E., Amer N.M., Koren G., Gupta A.. Nonbolometric >ptlcal response of YBagCu^O^g epitaxial films. Phys. Re v. В v.39, 989, p.9712.