Образование дефектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Моделирование методом Монте-Карло процессов нейтронного воздействия на тройные соединения

1. Прохождение нейтронов через вещество

2. Метод Монте-Карло и постановка задачи

3. Математическая модель процесса переноса

4. Моделирующий алгоритм и его программная реализация

5. Численные эксперименты

6. Обсуждение результатов и выводы.

ГЛАВА П. Расчет глубины проникновения протонов и пространственного распределения радиационных дефектов в методом Монте-Карло

1. Основные положения теории прохождения быстрых заряженных частиц через вещество

2. Постановка задачи.

3. Математическая модель процесса внедрения 44 протонов

4. Моделирующий алгоритм и его программная 50 реализация

5. Численные эксперименты по облучению протонами ^

6. Обсуждение результатов и выводы

ГЛАВА Ш. Исследование возникновения радиационных дефектов в соединении к под действием гамма-квантов и быстрых электронов методом Монте-Карло

1. Теоретические представления о возникновении радиационных дефектов под действием электронного и ^---облучения

2. Теоретико-вероятностная модель прохождения

Jp-квантов и электронов в соединении Cdy 1в

3. Моделирующий алгоритм и его программная реализация

4. Вычислительные эксперименты

5. Обсуждение результатов и выводы

ГЛАВА 1У. Воздействие нейтронного и протонного облучения на электрические свойства соединений Сс/х U^-r-x ^

1. Постановка задачи и обзор литературы

2. Облучение нейтронами

3. Облучение протонами

4. Свойства полученных р-п переходов

Исследование взаимодействия излучений с веществом стало в настоящее время одним иэ важнейших разделов современной физики.

Актуальность проблемы образования радиационных дефектов струк туры связана прежде всего с быстрым развитием космической техники, а также широким использованием электронных приборов в ядерной энергетике. Для наиболее эффективного применения приборов в условиях действия проникающей радиации необходимо иметь четкое представление о влиянии облучения на отдельные полупроводниковые элементы. В частности, важно знать минимальную при данных условиях дозу облучения, ведущую к заметному сбою в работе таких элементов, дозу, приводящую к необратимым изменениям свойств материалов, количественный вклад различных элементарных процессов в образование дефектов структуры мишени.

Повышение требований к детальному изучению физических процеа сов в облученных полупроводниках обусловливает необходимость привлечения новых эффективных методов исследований. Экспериментальное изучение механизмов радиационного воздействия на атомном уровне сильно затруднено даже с применением самых современных технических средств. Теоретическое же рассмотрение задачи аналитическими методами связано с трудностями описания взаимодействия многих частиц. В этих условиях альтернативным подходом является исследование процессов, происходящих в кристаллической решетке, с помощью современных ЭВМ, т.е. машинный эксперимент. Он открывает неограниченные возможности для прогнозирования поведения характеристик полупроводников в самых разнообразных условиях радиационного воздействия. Для правильного построения модели процесса необходимо на всех этапах работы проводить сопоставление с существующими экспериментальными результатами. Подход к решению проблемы, основанный на сочетании физического и вычислительного экспериментов, способен дать надежные практические результаты.

Методом машинного моделирования изучались и изучаются количественные характеристики первично смещенных атомов, определяющих характер радиационных повреждений в кремнии, германии и других м:он©кристаллах, а также в некоторых бинарных мишенях/"в, 11, 29, 50, 62, 63J. Анализ обширных работ по моделированию процессов в облучаемых веществах показывает, что для более сложных соединений такие работы единичны. В то же время в современной радиоэлектронике все более широкое применение находят тройные и

III v П V1 четвертные соединения А В и АаВ .

Твердые растворы Cd* Те находятся в поле зрения исследователей уже около двадцати лет. Они являются одним из наиболее перспективных материалов для изготовления фотоприемников ИК-излучения с переменной областью фоточувствительности (1 мкм 4 J\ 4 20 мкм) £б, 51, 72J. Интерпретация электрических характеристик этого соединения существенно затруднена в связи с малой эффективной массой и высокой по сравнению с дырками подвижностью электронов.

Специфика применения соединений Cdx Те такова

72 ] , что большой интерес представляет изучение последствий радиационного воздействия на них. Известен целый ряд работ по облучению кристаллов Тв электронами при разных температурах ^20, 21, 26, 61, 64, 6b], а также протонами ^14J и гамма-квантами [ziJ; были сделаны предложения о характере и свойствах внесенных облучением дефектов.

Целью настоящей работы является комплексное изучение и отработка методики прогнозирования процессов дефектообразования в тройных полупроводниковых соединениях разного состава в результате облучения быстрыми реакторными нейтронами, гамма-квантами . (0,5 МЭВ4Е45 МэВ), электронами (0,5 МэВ^Е/2,5 МэВ) и протонами средних энергий, являющимися основой составляющей космического излучения. Для этого в диссертации

- производится построение математических моделей процессов внедрения указанных частиц в сложные полупроводниковые соединения;

- осуществляется машинный эксперимент на мишени CJX Hcj^xlg. разного состава с использованием техники вычислений, определяемой возможностями метода конте-Карло, для определения характера внесенных облучением дефектов;

- производится физический эксперимент по облучению той же мишени быстрыми нейтронами реактора ВВР-М ИШ АН УССР (со средней энергией 2 МэВ) и протонами с энергией 200 - 250 кэВ;

- сравниваются результаты физического и машинного экспериментов.

Результаты работы могут быть использованы в различных-- областях микроэлектроники при оценке последствий облучения сложных полупроводниковых соединений. Разработанная методика вычислений может служить основой для расчета количества и энергетического спектра смещенных при облучении атомов, распределения внедренных заряженных частиц и внесенных дефектов по глубине для широкого круга сложных полупроводниковых соединений в самых различных условиях радиационного воздействия. Зто создает условия для прогнозирования поведения параметров полупроводниковых элементов под действием излучения.

Работа состоит из четырех глэе. Первые три глары посвящены численному эксперименту. В рамках некоторых предположений построены модели прохождения нейтронов и гамма-квантов через соединение указанного типа, а также процессы торможения протонов и электронов в этом соединении. Разработана методика машинного эксперимента, основанная на моделировании движения указанных частиц в мишени с использованием метода Монте-Карло. Созданные программы применены для расчета концентрации и спектра первично смещенных атомов (в целом и по компонентам), полученных при облучении

7k нейтронами, протонами, гамма-квантами и электронами; распределения по глубине точечных дефектов и внедряемых частиц при облучении CJt Ц^ Те. протонами и электронами; энергетического спектра и числа генерированных в мишени электронов при прохождении через образец гамма-квантов.

В четвертой главе описывается физический эксперимент по влиянию нейтронного и протонного облучения на электрические характеристики . Исследованы температурные зависимости коэффициента Холла и электропроводности образцов разного состава до и после облучения потоком реакторных нейтронов различной дозы.

Описано поучение протонным облучением и временное изменение р~К1 -переходов в образцах у0-типа.

Основные результаты и положения диссертации были доложены на Всесоюзной конференции по узкозонным полупроводникам (Казань, 1973 г.), на 1У Всесоюзном симпозиуме по полупроводникам с узкой запрещенной эоной и полуметаллам (Львов, 1975 г.), на ежегодных научно-технических конференциях Львовского ордена Ленина политехнического института (1973-1978 гг.), на научных семинарах и заседаниях НТО кафедры 801 МАИ (1982-1983 гг.) и опубликованы в работах Jj.5, 19, 41, 59, 60j.

выводы

1. Построены основанные на вероятностно-статистическом описании процессов математические модели прохождения нейтронов, гамма-квантов, протонов и электронов через сложные полупроводниковые соединения.

2. Разработана методика машинного эксперимента, основанная на моделировании движения указанных частиц в веществе методом статистических испытаний. Созданные программы позволяют рассчитывать: атомов (ПСА) облучаемого образца (в целом и по компонентам);

- число поглощенных нейтронов и гамма-квантов;

- количество и энергетический спектр генерируемых в образце электронов в случае облучения его гамма-квантами;

- распределение по глубине первично смещенных атомов и глубину проникновения внедряемых частиц в случае облучения сложной полупроводниковой мишени протонами и электронами.

3. Разработанная методика применена для расчета концентрации и энергетического спектра ПСА при облучении соединений но, что данные, полученные для составов X 4 0,40, качественно согласуются с результатами физических экспериментов и объясняют увеличение электронной концентрации в образцах указанного состава наличием большой доли высокоэнергетических атомов отколичество и энергетический спектр первично смещенных нейтронами со средней энергией 2 МэВ. Установледачи а также дефектов кластерного типа на их основе.

4. Разработанная методика применена для расчета энергетического спектра и пространственного распределения ПСА и внедренных частиц при моделировании облучения соединений CJ* ftyt-x Я протонами с энергией 250 кэВ и 100 кэВ. Средняя глубина залегания дефектов составила 1 мкм при энергии протонов 250 кэВ, что согласуется с результатами физических экспериментов.

На один налетающий протон приходится в среднем 20 ПСА, 80% которых имеют энергию, недостаточную для произведения вторичных смещений. Это дает возможность применять предложенную методику для прогнозирования поведения электрических параметров сложных полупроводниковых соединений при протонном облучении.

5. Разработанная методика машинного эксперимента применена для моделирования облучения соединений Ccfoz 1б jf- квантами в диапазоне энергий 0,5-5 МэВ и для моделирования облучения той же мишени моноэнергетическими электронами в диапазоне энергий 0,05 - 2,5 МэВ.

Расчетами установлено, что ^-облучение указанной энергии вносит в мишень равномерно распределенные по объему точечные дефекты - ПСА ((10~3 - 10"* ПСА)/у-квант см3), а также увеличивает концентрацию электронов в мишени f(0,2 - 0,9 эл.)/^"-квант см3 / Электроны указанных энергий производят небольшое, число точечных структурных нарушений в веществе мишени и образуют вблизи поверхности области объемного заряда, влияющие на электрические характеристики облучаемых соединений. Полученные результаты совпадают с результатами существующих физических экспериментов.

6. Проведенная серия экспериментов по облучению высокоэнергетическими реакторными нейтронами полупроводниковых соединений CdjUo^Ta разного состава показала, что в результате облучения дозой, превышающей 10 см , в указанных полупроводниках заметно возрастает концентрация электронов. Увеличение электронной концентрации зависит от состава образцов и дозы облучения. Доза 1015 см"2 вносит в кристаллы Со/х ^ устойчивые при Т = 300 К радиационные дефекты. Увеличение содержания Cd в образцах увеличивает устойчивость внесенных облучением дефектов.

7. Проведенное облучение кристаллов C(JX H^^yjk р-^ша разного состава протонами с энергией 200 - 250 кэВ при Т = 300К подтвердило возможность создания в таких кристаллах /1-областей с высокой плотностью дефектов.

Результатом проведенной работы явилась, таким образом, разработка универсальной методики (моделей, алгоритмов, программ) комплексного исследования влияния различных видов проникающей радиации на кристаллические решетки сложных полупроводниковых соединений. Получены подробные данные о численных характеристиках первичных атомов отдачи, определяющих характер вносимых облучением дефектов. Результаты проведенных вычислительных экспериментов согласуются как с результатами физических экспериментов, приводимых в данной работе, так и с результатами, полученными другими авторами. В работе указаны пути дальнейшего совершенствования этой методики, которая уже может быть применена для прогнозирования последствий радиационного воздействия на сложные полупроводниковые соединения.

1. Дино Дж., Виньярд Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. -М.: Из-во иностранной литературы, 1960.

2. Николаев М.Н., Базазянц H.G. Анизотропия упругого рассеяния нейтронов. М.: Атомиздат, 1972.

3. Томпсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. -M.s Мир, 1971.

4. Шнейдер А.Д. Получение и исследование физических свойств бесщелевых, узкозонных и широкозонных полупроводников А В. Автореферат докторской диссертации. Одесса, 1974.

5. Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. Радиационные дефекты в кремнии.-Киев: Наукова думка, 1974.

6. Агранович В.М., Кирсанов В.В. Проблемы моделирования радиационных повревдений в кристалл ах.-Успехи физических наук, т.118, т.1, 1976 г.

7. МейрДд., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. -М.: Мир, 1973.1. PkyUcs , 18, /, р.л/i , 1961, p. Ш.

8. Коломенская Т.И. Исследование облучения протонами, дейто-нами и оС -частицами средних энергий кремния. Кандидатская диссертация, МГУ, 1970.14. Щалтъи, 7.С.} Toyl

9. Физическая электроника, Львов,irt.D.ck. Jfcr&l. PfbCU*. e^inBi&bic^ffouaMv fofovk, v. УIG^Z, p Uso.

10. Альберс В. Физическая химия дефектов.- В сб. Физика ип v1химия соединений А В .-М.: Мир, 1970.

11. Андриевский А.И., Ищук В.П., Поливода И.П. Влияние нейтронного и протонного облучения на электрические свойства соединений Те . Материалы 1У Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной. Львов, 1975, с.29.

12. Брудный В.Н. и др. Изменение электрофизических свойств

13. Z. и р -типа Cdf Mflbx Те при электронном облучении. Там же, с.59.

14. Заитов Ф.А. и др. Влияние электронного и гамма-облучения на электрофизические свойства твердых растворов1. Там же, с.43.

15. Пасечник М.В. Нейтронная физика.-Киев: из-во АН УСССР, 1969.

16. UnM^e<5<Ошл0 т., &jaoti w.1. Zcuuhl cenae&ksu^J^s. ОПа£. fy. ШеЛЛ. TTiJ. . ПГ. 55 , -fgeb.jо /.

17. Магден И.Н., Сухарев Ю.Г. Новые полупроводниковые приборы. Москва, "Знание", 1975.

18. Экспериментальная ядерная физика: Под ред. Э.Сегре, т.1 -М.: из-во иностранной литературы, I960.

19. Машинное моделирование при исследовании материалов. Сб. переводов под ред. Позднеева Д.В. -М.: Мир, 1974.

20. Бусленко Н.П. Моделирование сложных систем -М.: Наука, 1978.

21. Шеннон Р. Имитационное моделирование систем искусство и наука.-М.: Мир, 1978.

22. Ермаков С.М. Метод Монте-Карло и смежные вопросы. -М.: Наука, 1971.

23. Соболь И.М. Численные методы Монте-Карло.-М.:Наука, 1973.

24. Михайлов Г.А. Некоторые вопросы теории методов Монте-Карло. -Новосибирск: Наука, 1974.iXcMw ww^ ceo^gz «w

25. ТПсиЬ.-fyi. ffle.d.Dcufk* ЪЛемЬаё.1. SelU&. sir, n 9, №6, p 3.

26. J^oh^ ScUffviiX • W&i&usi^tzeZotfi. ^rnvtcUi, IT £ f9?0.

27. Дэвисон Б. Теория переноса нейтронов.-М.:Атомиздат, 1960.

28. Марчук Г.И. Методы расчета ядерных реакторов.-М.: Атомиз-дат, 1961.

29. Фролов А.С., Ченцов Н.Н. Решение трех типичных задач теории переноса методом Монте-Карло: В сб. Метод Монте-Карло в проблеме переноса.-М.: Атомиздат, 1967.39. 4f. Мор/мил} ^ fyitfte-ш czrosiu-CLitd S-ta-t**1. Jf!*, p. 3.

30. Поляк Ю.Г. Вероятностное моделирование на ЭВМ.-М.: Советское радио, 1971.

31. Ищук В.П. 0 вычислении концентрации и энергетического спектра ПСА при нейтронном облучении Cd* tttjf-x ^ (расчет методом Монте-Карло). Физическая электроника, Львов. В.20. Издательство "Вища школа", 1980, с.40.

32. Хирр Р., Штробель Р. Алгол в мониторной системе "Дубна". Изд.2. Препринт ИПМ АН СССР, 1973.

33. Ахиезер И.А., Давыдов JI.H. Теория электронного торможения тяжелых ионов в металлах. Успехи физических наук, т.129, в.2, 1979, с.239.

34. Бахвалов Н.С. Численные методы.-М.:Наука, 1973.

35. Библиотека алгоритмов (51-100).-М.:Сов. радио, 1975.

36. Библиотека алгоритмов (1б 506).-М.:Сов.радио, 1975.

37. Березин И.С., Жидков Н.П. Методы вычислений. Т.2. -М.:Наука, 1962.

38. Березин И.С., Жидков Н.П. Методы вычислений, Т.1. -№.:Наука, 1962.

39. Пугачева Т.С., Ленченко В.М., Акилов Ю.З.

40. Расчет пробегов атомов с энергиями до 50 кэВ в твердых телах. Физика и техника полупроводников, № 5, 1971, с.2032.

41. Ибрагимов S.Д., Яркулов У.К.

42. Пробег ионов % и ХЯ в аморфном Д. О, „ в областиэнергий 4-100 кэВ: В сб. Структура и свойства облученных материалов. Из-во ФАН УзССР, 1S75, с.24.

43. Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.М. и др. Под ред. Е.А.Ладыгина. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. -М.: Советское радио, 1980.

44. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники.-М.: Физматгиз, 1963.

45. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты" в полупроводниках и полупроводниковых приборах.-М.:Атомиздат, 1969.

46. Лейпунский О.И., Новожилов Б.В., Сахаров В.Н. Распространение гамма-квантов в веществе.-М.:Физматгиз, 1960.

47. Аккерман А.Ф. Решение методом Монте-Карло задач переноса быстрых электронов в веществе. Алма-Ата, из-во ФАН УзССР, 1972.

48. Севостьянов Б.А. Ветвящиеся процессы.-М.:Наука, 1971.

49. Коршунов Ф.П., Гательский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. -Минск: из-во "Наука и техника", 1978.

50. Под ред. Сидорова Н.А., Князева В.Н. Радиационная стойкость материалов радиотехнических конструкций. Справочник.-М.:Сов.ради о, 1976.

51. Ищук В.П. Определение глубины проникновения протонов и распределения радиационных дефектов при облучении соединений (расчет методом Монте-Карло). Сборник научных трудов МАИ, Москва, 1983, С.61-6Ц.

52. Алексеев Б.В., Ищук В.П. Исследование возникновения структурных дефектов в полупроводниковых соединениях под действием гамма-излучения и быстрых электронов методом Монте-Карло. Сборник научных трудов МАИ, 1984.

53. Войцеховский А.В., Лиленко Ю.В. Радиационные дефекты вном облучении. Вопросы атомной науки и техники. Серия Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 1982, 4(23), с.22-24.

54. Винецкий В.Л. Некоторые достижения и проблемы радиационной физики полупроводников. Вопросы атомной науки и техники. Серия Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 1982, 1(20), с.3-26.

55. Миронов Ю.А. Спектры первично смещенных атомов в полупроводниках от протонов космических энергий. Там же, с. 5661.узкозонных полупроводникахпри электрон

56. Брудный В.Н., Войцеховский А.В., Гречух З.Г. Облучение xCdy Те электронами. Физика твердого тела, 1977,т.П, в. 8, о.1540-1544.

57. Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лиленко Ю.В., Петров А.С. Время жизни носителей заряда в кристаллах Cd* Те. , облученных электронами. Физика и техника полупроводников, 1981, т.15, в.4, с.676-681.

58. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений, -гл. :мир, 1971.

59. Инденбом В.Л., Кирсанов В.В., Орлов А.Н. Радиационные дефекты в кристаллах. (Обзор). Вопросы атомной науки и техники. Серия (Гиаика радиационных повреждений и радиационное материаловедение, 1982, 2(21), с.3-22.

60. Козырев С.П., Водопьянов Л.К. Образование радиационных дефектов в Cdo2 ПРИ ионной имплантации. Физика и техника полупроводников, 1983, т.17, в.5, с.893.

61. Г>раускас Е.В., Каваляускас Ю.Ф., Петров И.Н., Шилейка А.Ю. Профиль распределения дефектов в ионно-имплантированных кристаллах ^ot2 Mfyo,g Те , физика и техника полупроводников, 1983, т.17, в.7, с.1322.

62. Берченко Н.Н., Кревс В.Е., Средин В.Г. Полупроводниковые твердые растворы и их применение.-М.: Воениздат, 1982.1. ПРШГОКЕШЕ 1подпрограмма. simps й1. НАЗНАЧЕНИЕ

63. Для заданной дозы облучения нейтронами соединения заданного составах ) определение -среднего числа ПСА, приходящегося на один нейтрон, энергетического спектра ПСА (в целом и по компонентам);

64. ОБРАН|ЕШЕ SXA/PSA (М{Х, MV9 BSM,L,&91. MSItfO, TPS A, PRE £ г

65. CTM/4, tVPSA,EVPSA, MCLOUM, MCl^SP? MCI PSC, MCI PSA, MAECJ1. ОПИСАНИЕ ПАРАМЕТРОВ

66. Описание формальных параметров процедуры приведено в п.3.3.

67. ТРЕБУЕМЫЕ ФУНКЦИИ И ПОДПРОГРАММЫ

68. RAMT) генератор псевдослучайных чисел, равномерно распределенных в интервале (0,1);

69. ORtf имитация нормально распределенных чисел с заданными средним значением и дисперсией;- итеративное вычисление (по мере появления реали1. МЕ-А /узаций) среднего значения;

70. SP итеративное вычисление дисперсии; щ$р вычисление экспериментального распределения (гистограммы) по мере появления реализаций случайной величины; SI М,IМ•£ - подпрограмма имитации источника нейтронов;

71. PLCttT вычисление плотности соединения ^по заданному значению молярного состава Л ; 1%СОМР- индентификация вида встретившегося атома компоненты соединения;

72. ГЪЪСйМ определение смещенности атома встретившейся компоненты соединения;

73. PARLfi/V библиотечная подпрограмма интерполяции; PRISP „ подпрограмма построения таблицы значений и графика гистограммы энергетического спектра ПСА.1. ЗАМЕЧАНИЯ

74. Характерным для процедур ME AW , T)ISP й tfI£T является их использование по мере появления очередного значения из выборки, а не по окончании формирования полной выборки.- ai25

75. Содержание других проблемных процедур достаточно подробно описано в п.3.3. Только некоторые из них (SZMIa/E , Z£MFR\A/ ) детально описываются ниже.

76. В основе процедур &MTSV , BMlSp , лежит интерполяции таблично представленных значений соответствующих функций.1. МЕТОД

77. Применен метод Монте-Карло щ.* КОММЕНТАРИИ

78. Если реализованного числа проигрываний модели (Л/SIMO ) недостаточно для заданной точности вычисления количества ПСА, то на АЦПУ ведается

79. ЗАДАННАЯ ТОЧНОСТЬ НЕ ГАРАНТИРУЕТСЯ" В противном случае печатается

80. ЗАДАННАЯ ТОЧНОСТЬ ГАРАНТИРУЕТСЯ"1. ПОДПРОГРАММА1. НАЗНАЧЕНИЕ

81. Моделирование источника нейтронов, позволяющее вычислить характеристики очередного нейтрона.1. ОБРАЩЕНИЕ

82. STMT № Tls, I РА/, L , т, WA/, ^ ВМЕ)1. ОПИСАНИЕ ПАРАМЕТРОВсреднее значение энергии нейтронов;

83. BIS, TXS параметры функции распределения энергиинейтронов в интервале 14 МэВ J ;1РЛ/ плотность потока нейтронов;- массив линейных размеров мишени;

84. Т интервал времени до появления очередного нейтрона;

85. ИМ/ направление (косинусы) потока нейтронов;

86. X массив координат соприкосновения нейтрона с поверхностью мишени;

87. Efl/E значение энергии очередного нейтрона.1. ПРИМЕЧАНИЯ

88. Направление потока нейтронов совпадает с направлением нормали к плоскости мишени.

89. ТРЕБУЕМЫЕ ФУНКЦИИ И ПОДПРОГРАММЫ1. НА/Vb1. WORM1. МЕТОД

90. Согласно /"33J величина ЕЛ/& определяется выражением \

91. Е//Е TIS (1 ("* * BIS)%-L#(R)),где реализация случайной величины, равномернораспределенной в интервале (0,1) и Л/R реализация нормально распределенной величины с нулевым математическим ожиданием и единичной дисперсией. ФУНКЦИЯ ST/fF*W1. НАЗНАЧЕНИЕс

92. Рачет длины свободного пробега нейтрона.0БРА1ЩИЕ в W ( MAS)1. ОПИСАНИЕ ПАРАМЕТРОВреализация случайной величины, равномерно распре деленной в интервале (0,1),

93. MAS- полное макроскопическое аечение взаимодействия нейтрона с атомом трехкомпонентного соединения.

94. ТРЕБУЕМЫЕ ФУНКЦИИ И ПОДПРОГРАММЫ Нет.1. МЕТОД

95. Согласно одногрупповой теории /зз. длина пробега определяется соотношением1. MAS