Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Образование радиационных дефектов в ОаАв.

1.2. Отжиг радиационных дефектов в ваЛв.

1.3. Радиационные дефекты в 1пР.

1.4. Состояние вопроса и задачи исследования.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ

2.1. Экспериментальная установка для измерения параметров глубоких центров методом НЕСГУ.

2.2. Объекты исследования.

2.3. Облучение образцов.

2.4. Измерение профиля концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия на барьере электролит-полупроводник.

2.5. Выводы.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ИХ НАКОПЛЕНИЕ

В ваАя п-ТИПА

3.1. Накопление глубоких центров в НО и ОПЗ арсенида галлия при комнатной температуре.

3.2. Дефектообразование в интервале температур 80 - 500 К.

3.3. Профиль концентрации центров ЕЗ в обратносмещенных при облучении диодах с барьером Шоттки.

3.4. Зависимость степени влияния зарядового состояния на накопление радиационных дефектов от энергии и массы бомбардирующих частиц.

3.5. Анализ экспериментальных результатов.

3.6. Облучение ваАл интенсивными пучками электронов

3.7. Высокотемпературное облучение ОэАб. 114 3.7. Выводы.

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ИХ НАКОПЛЕНИЕ В 1пР п-ТИПА

4.1. Образование центров ЕЮ в НО и ОПЗ фосфида индия при электронном и у - облучениях.

4.2. Облучение фосфида индия в температурном интервале 100-400 К.

4.3. Новый бистабильный ^-дефект в 1пР.

4.4. Выводы.

ГЛАВА 5. ВЗАИМОСВЯЗЬ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ С ИХ ОТЖИГОМ В ОаАя п-ТИПА.

5.1. Отжиг глубоких центров в НО и ОПЗ арсенида галлия, облученного у- квантами.

5.2. Анализ экспериментальных результатов.

5.3. Влияние зарядового состояния радиационных дефектов на их отжиг в ОаАз, облученном протонами, нейтронами и а-частицами.

5.4. Выводы.

ГЛАВА 6. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ ОБЛАСТЕЙ

РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ НА СПЕКТРЫ НЕСГУ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ п-ТИПА.

6.1. и- пик в ваЛв -п-типа, облученном протонами 63 МэВ.

6.2. Влияние неоднородного распределения радиационных дефектов в ОаАз на спектры НЕСГУ.

6.3. Выводы.

ГЛАВА 7. ПОСТИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ

АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

7.1. Отжиг ареенида галлия, имплантированного кремнием, высокоэнергетическим пучком электронов.

7.2. Влияние различных видов отжига на электрофизические свойства ионнолегированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего СкАз.

7.3. Измерение удельного сопротивления полуизолирующего ОаАв.

7.4. Выводы. 217 ВЫВОДЫ 219 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 221 ПРИЛОЖЕНИЕ

Акт использования

Акт внедрения

Актуальность темы.

Успехи в развитии радиационной технологии, ионного и трансмутационного легирования, исследования радиационной стойкости во многом определяются достижениями радиационной физики твердого тела. Эффективное решение практических задач требует глубоких знаний о процессах образования, стабилизации и отжига радиационных дефектов. Вид, концентрация, пространственное распределение и термическая стабильность радиационных дефектов определяют свойства облученных твердых тел, поэтому исследование закономерностей формирования и отжига этих дефектов является актуальной задачей современной физики твердого тела. Особенно важны эти вопросы для полупроводниковых материалов и приборов на их основе, так как дефекты в очень сильной степени влияют на их важнейшие электрические, оптические и фотоэлектрические характеристики [1].

Характерной особенностью большинства полупроводниковых приборов является то, что они содержат области различного уровня легирования и типа проводимости, что приводит к появлению областей пространственного заряда (ОПЗ). Более того, ОПЗ могут присутствовать в объемных и пленочных полупроводниковых материалах. Это -межкристаллитные границы в поликристаллах, кластеры основных элементов в соединениях, выращенных с нарушением стехиометрического состава и, наконец, так называемые области разупорядочения (ОР) в материалах, подвергнутых облучению быстрыми нейтронами или ионами. Наличие в полупроводниках НО (т.е. нейтральных областей) и ОПЗ и, следовательно, различное положение уровня Ферми или квазиуровня Ферми относительно уровней "глубоких" дефектов приводит к различию их зарядовых состояний. Имеются основания считать, что процессы образования и отжига радиационных дефектов (РД) в полупроводниках в значительной степени контролируются их зарядовыми состояниями, а это может приводить к особенностям процессов накопления и отжига РД в этих областях. Поэтому сравнительное изучение образования и отжига в НО и ОПЗ может оказаться мощным инструментом изучения роли зарядовых состояний дефектов в процессах образования и отжига РД. В последние годы, особенно с развитием методов нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ), возникли предпосылки для экспериментального исследования этих процессов и построения общего подхода для анализа этих явлений в полупроводниках. Можно отметить, что до постановки настоящей работы экспериментальным особенностям образования и отжига РД в НО и ОПЗ полупроводников не уделялось достаточного внимания.

Кроме того, наличие ОПЗ и, следовательно, встроенных электрических полей в полупроводниковых материалах и структурах на их основе может приводить и к особенностям проявления РД в экспериментальных исследованиях. Например, встроенные электрические поля, создаваемые ОР, могут влиять на скорость эмиссии электронов с глубоких уровней и тем самым искажать форму и местоположение пиков НЕСГУ. Такая проблема существует, например, при исследовании широкой полосы (и-полосы) в спектрах НЕСГУ ваАэ, облученного быстрыми нейтронами.

Все изложенное выше определяет актуальность исследования влияния зарядовых состояний радиационных дефектов на их образование и отжиг в полупроводниках, а также влияния внутренних электрических полей на спектры НЕСГУ.

Непосредственно в диссертации рассматривались полупроводниковые соединения ваАв и 1пР, которые относятся к наиболее важным материалам твердотельной электроники. Эти материалы и твердые растворы на их основе широко применяются для изготовления различных полупроводниковых приборов, таких как варикапы, смесительные и генераторные диоды, инжекционные лазеры, светодиоды и интегральные схемы. Особенности бинарных полупроводниковых соединений группы А3В5 и, прежде всего, наиболее изученного среди них ОаАэ состоят в слабой зависимости процессов накопления радиационных дефектов от примесного состава материала в широкой области температур облучения, в хорошей воспроизводимости энергетического спектра РД в материалах, выращенных различными способами, и незначительном различии спектра РД в образцах, облученных при низких температурах и температурах вблизи 300К, а также в высокой скорости накопления дефектов, приблизительно соответствующей скорости генерации первичных РД. Эти данные указывают на то, что в этих полупроводниках накапливаются, в основном, первичные РД. Это существенно отличает данные полупроводники от атомарных и, прежде всего от кремния, в котором в широком интервале температур накапливаются вторичные дефекты типа дивакансий или комплексов вакансия-химическая примесь. Указанные особенности позволяют при анализе экспериментальных данных использовать представления о первичных РД и развить количественные модели метастабильных пар вакансия (У)-междоузельный атом (I), предложенные в ранних работах Вертхейма, Клонтца, Мак-Кея применительно к НО и ОПЗ исследуемых материалов.

В технологии изготовления полупроводниковых приборов, особенно больших интегральных схем, широко используется ионное легирование. Метод ионного легирования включает в себя операцию постимплантационного отжига, в результате которого происходит электрическая активация внедренных атомов и отжиг дефектов, образовавшихся после бомбардировки полупроводника ионами примеси. Существующие методы электрической активации внедренной в ваАэ примеси, как правило, резко снижают подвижность свободных носителей заряда и/или приводят к уменьшению удельного сопротивления полуизолирующей подложки. В связи с этим, является актуальным поиск нового способа постимплантационного отжига.

В качестве структур для исследований были выбраны СВЧ-структуры на основе барьеров металл/полупроводник (барьер Шоттки), поскольку они могут быть использованы как модельная структуры при изучении особенностей накопления и отжига радиационных дефектов в большинстве полупроводниковых приборов (р/n переходы, гетеропереходы, транзисторы, тиристоры и. т.д.).

Цель и задачи работы.

Получение закономерностей образования и отжига радиационных дефектов в нейтральном объеме и области пространственного заряда арсенида галлия и фосфида индия, а также, на основе полученных данных, построение физических моделей этих процессов с учетом динамики преобразований зарядовых состояний дефектов.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1 .Экспериментальное исследование энергетического спектра, скоростей накопления и термической стабильности РД в НО и ОПЗ структур на основе GaAs и InP при изменении энергии, интенсивности пучка, типа бомбардирующих частиц и температуры облучения;

2.Изучение пространственного распределения "глубоких" радиационных дефектов при различных напряженностях электрических полей в ОПЗ барьеров Шоттки, задаваемых напряжением смещения при облучении;

3.Разработка физических моделей и получение аналитических выражений для количественного описания процессов накопления и отжига радиационных дефектов в ОПЗ и НО барьеров Шоттки исследуемых материалов;

4.Разработка физической модели и получение аналитических выражений, пригодных для описания спектров НЕСГУ в полупроводниках с ОР (облучение быстрыми нейтронами, тяжелыми или высокоэнергетическими ионами); исследование природы широкой полосы (U-полосы) в спектрах НЕСГУ п-GaAs, облученного быстрыми нейтронами и высокоэнергетическими протонами;

5.Изучение воздействия пучков высокоэнергетических электронов на электрофизические характеристики ионнолегированных структур (ИЛС) арсенида галлия и разработка низкотемпературного способа постимплантационного отжига таких структур с помощью облучения электронами.

Для решения поставленных задач использовались следующие методы исследований: нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней, измерения термостимулированной емкости и фотоемкости, изохронный и изотермический отжиги, облучение у-квантами, электронами, протонами, а-частицами, дейтронами, быстрыми нейтронами и ионами при различных внешних условиях (температура облучения, интенсивность и энергия бомбардирующих частиц, внешнее смещение приложенное к барьеру Шоттки).

Научная новизна результатов работы защищена публикациями в центральной печати и авторскими свидетельствами. Новизна основных результатов работы определяется следующим:

Экспериментальными результатами изучения образования в областях пространственного заряда дефектов ЕЗ, Е4, Е5 в СаАв и дефектов ЕЮ в 1пР, физическими моделями процессов образования этих дефектов и модельными расчетами этих процессов; экспериментальными результатами изучения отжига центров ЕЗ и Е5 в ОПЗ ОаАэ и физической моделью процесса отжига этих центров.

2.В ОПЗ структур на основе фосфида индия п-типа проводимости, облученных у-квантами и электронами выявлен ранее неизвестный бистабильный дефект, названный в работе \У-дефектом. Определены характеристики W-дeфeктa, изучены термо- и фотопереходы между конфигурациями этого дефекта, получена координатно-конфигурационная диаграмма дефекта.

3.С помощью полученных в работе аналитических выражений, описывающих спектры НЕСГУ с учетом встроенных электрических полей ОР и их влияния на скорость эмиссии электронов с глубоких уровней, проанализированы экспериментальные данные и показано, что появление U-полосы в спектрах НЕСГУ, облученного быстрыми нейтронами и протонами высоких энергий GaAs обусловлено наложением пиков известных дефектов Р2 иРЗ.

4.Результатами сравнительного анализа электрофизических параметров ИЛС, полученных на основе различных марок полуизолирующего арсенида галлия и отожженных предложенным в работе и известными способами постимплантационного отжига.

Научно-практическая значимость работы.

1 .Установленные закономерности образования и отжига радиационных дефектов в НО и ОПЗ GaAs и InP и разработанные на их основе физические модели этих процессов являются вкладом в раздел физики твердого тела-"дефекты кристаллической решетки" и могут быть использованы для разработки радиационных технологических процессов, для прогнозирования радиационной стойкости полупроводниковых приборов, содержащих ОПЗ.

2.Разработанный способ отжига ионнолегированных структур арсенида галлия мощным пучком электронов с энергиями выше порога дефектообразования, имеет, по крайней мере, два важнейших преимущества по сравнению с известными: низкая температура отжига («630 °С) и отсутствие после отжига явления "раскомпенсации" (уменьшения р) высокоомных арсенидогаллиевых подложек и может быть использован в полупроводниковом производстве (АС N1554670, зарегистрировано 1.12. 1989 г.).

3.Предложенный неразрушающий метод экспрессного измерения удельного электрического сопротивления пластин полуизолирующего арсенида галлия, основанный на измерении тока, протекающего через металлический зонд— полупроводниковую пластину—водный контакт может быть использован в полупроводниковом производстве (Положительное решение по заявке № 4952976/21 (048156) от 15.05.92г.).

4.Результаты изучения возможности измерений профиля легирования на контакте "травящий электролит-арсенид галлия" в процессе травления, были использованы при разработке профилометра "Бриг", применяемого в производстве для измерения профилей легирования в п-слоях, скрытых сильнолегированным контактным п+-слоем.

5.Разработанное и изготовленное устройство для измерения спектров НЕСГУ в полупроводниковых структурах используется для исследований в ГНЦ РФ "НИФХИ им. ЛЯ.Карпова, г. Обнинск (см. акт использования), а также в СФТИ им. В.Д.Кузнецова при ТГУ, в ТПУ и ГНПП НИИПП (г.Томск).

6.Разработанные отраслевые технологические инструкции для контроля электрофизических параметров эпитаксиальных структур фосфида индия используются в ГНПП НИИПП (г.Томск) (см. акт внедрения).

Научные положения, выносимые на защиту.

1 .Зависимости скоростей введения дефектов (центров ЕЗ, Е4, Е5 в арсениде галлия и центров ЕЮ в фосфиде индия) от температуры, энергии и массы бомбардирующих частиц, а также профили концентрации дефектов контролируются соотношением времени, необходимого для рекомбинации или комплексообразования генетически связанных компонентов пар Френкеля в условиях кулоновского притяжения, и времени существования компонентов в разноименных зарядовых состояниях. Степень влияния соотношения времен на вышеуказанные зависимости определяется средним расстоянием между генетически связанными компонентами.

2.3начительное увеличение термической стабильности центров ЕЗ и Е5 в ОПЗ арсенида галлия п-типа, по сравнению с их термостабильностью в нейтральном объеме, наблюдающееся при различных массах и энергиях бомбардирующих частиц, обусловлено преобразованием конфигурации междоузельного атома, вероятно, в тетраэдрическую при изменении его зарядового состояния из Аэ0 в Аз+1.

3.Характеристики и координатно-конфигурациониая диаграмма ранее неизвестного W-дeфeктa в фосфиде индия п-типа, образующегося только в ОПЗ материала. Дефект обладает свойствами центра с отрицательной корреляционной энергией. В основной конфигурации на дефекте локализовано пять электронов. Удаление двух электронов переводит дефект в метастабильную конфигурацию, состоящую из двух слабосвязанных фрагментов: центров захвата двух и одного электрона соответственно.

4.Аналитическое выражение, описывающее спектр НЕСГУ с учетом встроенных электрических полей областей разупорядочения, полученное в результате замены реальных резко неоднородных координатных зависимостей распределения дефектов и скорости эмиссии электронов с глубоких уровней на равномерное распределение и зону скоростей эмиссии, отражающей эмиссионные свойства реального распределения дефектов.

5.Структура И-полосы в арсениде галлия п-типа, облученном нейтронами и высокоэнергетическими протонами, формируется суперпозицией пиков известных Р2- и РЗ-дефектов, форма и местоположение которых в спектрах НЕСГУ изменены вследствие влияния электрических полей областей разупорядочения на скорость эмиссии электронов с глубоких уровней.

6.Способ отжига ионнолегированных структур арсенида галлия мощным пучком электронов с энергиями выше порога дефектообразования, обеспечивающий низкую температуру отжига(»630 °С) и отсутствие явления "раскомпенсации" (уменьшения р) полуизолирующего арсенида галлия, а также неразрушающий метод экспрессного измерения удельного электрического сопротивления полуизолирующих пластин арсенида галлия.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации обсуждались на: IV Всесоюзном совещании "Арсенид галлия" (Томск, 1978); X и XI Всесоюзных семинарах "Радиационная физика полупроводников" (Новосибирск, 1982, 1984); V отраслевом семинаре "Радиационно-технологические процессы и ядернофизические методы анализа вещества" (Ташкент, 1984); семинаре "Деградация полупроводниковых материалов и приборов" (Ленинград, 1984); VI Всесоюзном совещании "Арсенид галлия" (Томск, 1987); VII Всесоюзном симпозиуме по сильноточной электронике (Томск, 1988); XII Всесоюзной конференции по физике полупроводников (Киев, 1990); IV Всероссийской конференции по модификации свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц (Томск, 1996); IX международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (Томск, 1996); международной конференции "Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах" (Томск, 1998).

Публикации.

Основные результаты диссертационной работы изложены в 35 публикациях. В коллективных работах автору принадлежат результаты, отображенные в защищаемых положениях и выводах диссертации.

Личный вклад автора.

Результаты работы получены автором лично или при его непосредственном участии. Автор формулировал цели и задачи исследований, разрабатывал установки и методики для проведения измерений, проводил эксперименты и теоретические расчеты, обобщал результаты и делал выводы.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, семи глав и выводов. Изложена на 245 страницах, содержит 76 рисунков, 16 таблиц и библиографию, включающую 234 наименований.

ВЫВОДЫ

1 .Комплексными исследованиями процессов накопления и отжига радиационных дефектов в НО и ОПЗ ОаАв и 1пР установлено определяющее влияние динамики преобразования зарядовых состояний компонентов пар Френкеля на эффективность радиационного дефектообразования в указанных материалах.

2.Предложена и обоснована физическая модель процессов накопления дефектов в ваАв и 1пР, объясняющая существенные различия в НО и ОПЗ температурных зависимостей скорости введения центров ЕЗ, Е4, Е5 (ОаАэ) и ЕЮ (1пР), ступенчатое изменение концентрации накопленных дефектов на границе НО и ОПЗ, сближение скоростей введения дефектов, вплоть до их полного совпадения в НО и ОПЗ по мере увеличения энергии и/или массы бомбардирующих частиц

Модель основана на представлении об ограничении длительности существования разноименно заряженных компонентов пар процессами эмиссии и захвата электронов, в следствие чего изменяются скорости рекомбинации и преобразования первичных дефектов.

3.На основании экспериментальных данных по изохронному и изотермическому отжигу дефектов предложена модель процессов пострадиационного отжига, суть которой в изменении зарядового состояния междоузельного атома в ОПЗ, инициирующего его переход в тетрагональную (сильно связанную с решеткой) конфигурацию, и объясняющая значительное увеличение термической стабильности радиационных дефектов ЕЗ и Е5 в ОПЗ арсенида галлия, одинаковые характеристики отжига для этих центров, сохранение эффекта увеличения термической стабильности при увеличении массы и/или энергии бомбардирующих частиц.

4.Установлен эффект радиационной генерации в ОПЗ 1пР п-типа ранее неизвестного бистабильного дефекта (названного "^дефектом), обладающего свойствами центра с отрицательной корреляционной энергией и на котором в основном состоянии стабильной А-конфигурации локализовано пять электронов. Эмиссия двух электронов контролирует переход дефекта в метастабильную В-конфигурацию, состоящую из двух фрагментов (центров захвата), на одном из которых локализовано два электрона, на другом - один. Установлены координатно-конфигурационная диаграмма дефекта и ее энергетические параметры.

5.Разработана математическая модель для описания спектров НЕСГУ полупроводников, облученных частицами с большой массой и энергией, учитывающая влияние внутренних электрических полей областей разупорядочения на скорость эмиссии электронов с глубоких уровней.

6.Установлена структура и-полосы в спектре НЕСГУ ваАз п-типа, облученного нейтронами и высокоэнергетичными протонами, представляющая собой суперпозицию пиков Р2 и РЗ- центров, местоположение и форма которых изменены электрическими полями областей разупорядочения.

7.Разработаны метод отжига ионнолегированных структур арсенида галлия мощными пучками электронов с энергией, выше порога дефектообразования, оригинальный неразрушающий метод экспрессного измерения удельного электрического сопротивления полуизолирующего арсенида галлия, метод измерения профиля концентрации носителей заряда в процессе химического травления на барьере "травитель-ваАз п-типа", а также сконструировано и изготовлено устройство, реализующее метод НЕСГУ.

1. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. // -М. : Радио и связь , -1981. -248 С.

2. Кольченко Т.И., Ломако В.М. Электрические свойства арсенида галлия, облученного электронами и нейтронами. // ФТП. -1975. -Т.9, N9. -С. 17571760.

3. Витовский Н.А., Машовец Т.В., Рыбкин С.М., Хансеваров Р.Ю. Измерение электрических и фотоэлектрических свойств арсенида галлия при введении радиационных дефектов. // ФТТ. -1963. -Т.5, N12. -С.3510-3523.

4. Kalma А.Н., Berger R.A. Electrical properties of electron-irradiated GaAs. // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1972. -V.NS-19, N6. -P.209-214.

5. Pegler P.L., Grimshaw J.A., Banbury P.C. Electrical measurements on electron irradiated n- and p- type GaAs. // Radiat. Eff. -1972. V.15, N3-4. -P.183-193.i с

6. Ланг Д. Радиационные дефекты в соединениях А В . // В кн.: Точечные дефекты в твердых телах: Пер. с англ., Мир, -1979. -С. 187-217.

7. Arnold G.W. Luminescence in intrinsic and annealed electron-irradiated GaAs: Cd. // Phys. Rev., -1969. -V.183, N3. -P.777-783.

8. Jeong M.U., Shirafuji J., Inuishi Y. Photoluminescence studies in irradiated Si-doped Gallium Arsenide. // Jap. J. Appl. Phys., -1973. -V.12, N1. -P.109-119.

9. Arnold G.W. Radiative recombination in annealed electron-irradiated GaAs. // Phys. Rev., -1966. -V.149, N2. -P.679-680.

10. Плотников А.Ф., Селезнева M.A. Влияние облучения быстрыми электронами на спектры фотопроводимости кристаллов GaAs, выращенных в атмосфере кислорода. // ФТТ. -1966. -Т.8, N11. С.3390-3391.

11. Kalma А.Н., Berger R.A., Fischer С.J., Green В.A. Energy and temperature dependence of electron irradiation damage in GaAs. // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1975. -V.NS-22 , N6. -P.2277-2282.

12. Stein H.J. Electrical studies of low-temperature neutron and electron-irradiated epitaxial n-type GaAs. // J. Appl. Phys. -1969. -V.40, N13. -P.5300-5307.

13. Mc.Nichols J.L., Berg N.J. Neutron- induced metallic spike zones in GaAs. // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1971. -V.NS-18, N6. -P.21-30.

14. Marcus G.H., Bruemmer H.P. Radiation damage in GaAs gunn diodes. // IEEE Trans. Nucl. Sci -1970. -V.NS-17, N6. -P.230-232.

15. Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of recombination-enhanced defect reactions in semiconductors. // Phys. Rev. Lett. -V.33, N8. -P.489-492.

16. Brehm G.E., Pearson G.L. Gamma-radiation damage in epitaxial Gallium Arsenide. // J.Appl.Phys. -1972. -V.43, N2. -P.568-574.

17. O'Brien J.K., Correli J.C. Photoconductivity of chromium-copensated GaAs after irradiation by 0,8 MeV electrons. // J. Appl. Phys. -1973. -V.44, N4. P.1921-1922.

18. Pons D., Mooney P.M., Bourgoin J.C. Energy dependence of deep level introduction in electron irradiated GaAs. // J. Appl. Phys. -1980. -V.51, N4. -P.2038-2042.

19. Watkins G.D., Corrbett J.W. Defects in irradiated Silicon: Electron paramagnetic of the divacancy. // Phys. Rev. -1965. -V.138, N2a. -P.543-555.

20. Корбетт Дж., Бургуэн Ж. Дефектообразование в полупроводниках. // В кн.: Точечные дефекты в твердых телах: Пер. с англ. -М., Мир, -1979. -С.9-152.

21. Lang D.V., Logan R.A., Kimerling L.C. Identification of the defect state associated with a Gallium vacancy in GaAs and AlxGaixAs. // Phys. Rev. B: Solid State. -1977. -V.15, N10. -P.4874-4882.

22. Eisen F.H. Orientation dependence of electron radiation damage in InSb. // Phys. Rev. -1964. -V.135, N5a. -P.1394-1399.

23. Кравченко А.Ф., Принц В.Я. Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением элекронами в GaAsixPx и AlxGaixAs, от состава. // ФТП. -1978. -Т.12, N8. -С.1612-1614.

24. Wallis R.H., Zyibersztejn A., Besson J.M. Pressure dependence of the energy levels of irradiation-induced defects in GaAs. // Appl. Phys. Lett. -1981. V.38, N9. -P.698-700.

25. Pons D., Makram-Ebeid S. Phonon assisted tunnel emission of electrons from deep levels in GaAs. // J. Phys. (France). -1979. -V.40, N12. -P. 1161-1172.

26. Pantelides S.T., Lipary N.O., Bernholc J. The effective mass nature of deep- -level point- defect states in semiconductors. // Solid. State Commun. -1980. -V.33, N10. -P. 1045-1049.

27. Pons D., Bourgoin J. Anisotropic- defect introduction in GaAs by electron irradiation. // Phys. Rev. Lett. -1981. -V.47, N18. -P.1293-1296.

28. Pons D. Anisotropic defect introduction in n- and p-GaAs by electron irradiation. //Proc. 12 Int. Conf. Defects Semiconductors, Amsterdam, 31 Aug.-3 Sept., 1982: Physica (Holland). -1983. -V.B116, N1-3. -P.388-393.

29. Martin G.M., Mitonneau A., Mircea A. Electron traps in bulk and epitaxial GaAs crystals. // Electron. Lett. -1977. -V.13, N7. -P.191-192.

30. Stievenard D., Bourgoin J.C., Pons D. Defects introduced by high temperature electron irradiation in n-GaAs. // Proc. 12 Int. Conf. Defects Semiconductors, Amsterdam, 31 Aug.-3 Sept., 1982: Physica (Holland). -1983. -V.B116, N1-3. -P.394-397.

31. Pearton S.J., Tavendale A.J. The motion of deep donor centres in reverse biased n-GaAs surface barrier. // Phys. Stat. Sol. (a). -1982. -V.73,- P. K75--78.

32. Брудный B.H., Кривов M.A. Радиационные дефекты в арсениде галлия. // Изв. Вузов СССР, Физика. -1980. N1. -С.64-75.

33. Worner R., Kaufman U., Schneider J. Electron spin resonance of Asoa antisite defects in fast neutron-irradiated GaAs. // Appl. Phys. Lett. -1982. -V.40, N2. -P.141-143.

34. Whan R.E. Irradiation temperature dependence of defect production in Germanium. // Radiation effects in semiconductors. -New York: Plenum Press. -1968. -P.195-203.

35. Wertheim G.K. Temperature dependent defect production in bombardment of semiconductors. // Phys. Rev. -1959. -V.115, N3. -P.568-569.

36. Stein H.J., Vook F.L. Electrical studies of electron-irradiated n-type Si: impurity and irradiated-temperature dependence. // Phys. Rev. -1967. -V.163, N3. -P.790-800.

37. Емцев B.B., Клингер М.И., Машовец T.B., Назарян Е.Х., Рыбкин С.М. Проявление примесного ионизационного механизма образования дефектов при "надпороговом" облучении германия и кремния. // ФТП. -1979. -Т.5, -С.933-937.

38. Карпов В.Г., Клингер М.И. Механизм радиационного дефектообразования при электронных переходах в примесных полупроводниках. // ФТП. -1978. -Т.12, N10. -С.1887-1897.

39. Милевский Л.С., Гарнык B.C. Использование локального облучения для радиационных свойств полупроводников. // ФТП. -Т.13, N7. -С.1369-1374.

40. Милевский Л.С., Гарнык B.C. Эффект разделения первичных пар Френкеля электрическим полем в кремнии. // Доклады АН СССР. -1979. -Т.246, N2. -С.307-310.

41. Милевский Л.С., Гарнык B.C. Разделение первичных радиационных дефектов под действием электрического поля в арсениде галлия. // ФТП. -1979. -Т.13, N12. -С.2401-2403.

42. Thommen К. Recovery of low temperature electron irradiation-induced damage in n-type GaAs. // Radiat. Eff. !970. -V.2, N2. -P.201-210.

43. Vook F.L. Lattice strain of isolated defects in elemental and compound semiconductors. // J. Phys. Soc. Japan. -1963. -V.18, Suppl.2. -P.190-196.

44. Vook F.L. Change in thermal conductivity upon low-temperature electron irradiation: GaAs. // Phys. Rev. -1964 -V.135, N6a. -P.l742-1749.

45. Aukerman L.W., Graft R.D. Annealing of electron-irradiated GaAs. // Phys. Rev. -1962. -V.127, N5. -P.1576-1583.

46. Kimerling L.C., Lang D.V. Recombination-enhanced defect reactions in semiconductors. // Lattice defect in semiconductors, 1974. -Conf.Ser.N23, London and Bristol: The Institute of Physics. -1975. -P.589-593.

47. Lang D.V., Kimerling L.C., Leung S.Y. Recombination -enhanced annealing of the Ei and E2 defect levels in 1 MeV electron-irradiated n-GaAs. // J. Appl. Phys. -1976. -V.47, N8. -P.3587-3591.

48. Pons D., Mircea A., Bourgoin J. An annealing study of electron-induced defects in GaAs. // J. Appl. Phys. -1980. -V.51, N8. -P.4150-4157.

49. Pons D., Mircea A., Mitoneau A., Martin G.M. Electron traps in irradiated GaAs: Comparison with native defects. // Defects and radiation effects in semiconductors, 1978. -Conf. Ser. N46, Bristol and London: The Institute of Physics, 1979. -P.352-359.

50. Mircea A., Bois D. A review of deep-level defects in 3-5 semiconductors. // Defects and radiation effects in semiconductors, 1978. -Conf. Ser. N46, Bristol and London: The Institute of Physics, 1979. -P.82-99.

51. Pons D. Charge state effects on the annealing of the electron irradiation-induced defects in GaAs. // Defects and radiation Eff. Semicond., 1980, 11th Int. Conf., Oiso, 8-11 Sept., 1980. Bristol and London, 1981. -P.269-274.

52. Мамонтов А.П., Пешев В.В. Влияние электрического поля на термический отжиг центров ЕЗ в арсениде галлия. // ФТП. -1982. -Т.16, N6. -С.1111-1113.

53. Браиловский Е.Ю., Брудный В.Н. Отжиг дефектов и образование областей разупорядочения в GaAs при электронном облучении. // ФТП. -1971. -Т.5, N6. -С.1248-1251.

54. Brailovski E.Ju., Brudni V.N., Groza A.A. Radiation damage and defects in semiconductors. // Conf. Ser. 16, London and Bristol: The Institute of Physics, 1973. -P.121-123.

55. Браиловский Е.Ю., Брудный B.H., Кривов M.A., Редько В.Б. Спектры оптического поглощения GaAs, облученного большими интегральными потоками электронов. // ФТП. -1972. -Т.6, N10. -С.2075-2077.

56. Borders J.A. Near band edge optical absorption produced by ion implantation in GaAs. //Appl. Phys. Lett. -1971. -V.18, N1. -P.16-18.

57. Finstad T.G., Andersen S.L., Olsen T. Annealing characteristics and lattice site location of 40 KeV ions Sn, implanted in GaAs. // Phys. Stat. Sol. (a). -1974. -V.25, N2. -P.515-521.

58. Yuba Yoshihico, Gamo Kenji, Oraby Ahmed H., Murakami Kouichi, Namba Susumu. Deep levels in implanted, pulse-laser-annealed GaAs. // Nucl. Instrum. andMeth. -1981. -V.182-183, -P.699-703.

59. Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of athermal defect annealing in GaP. // Appl. Phys. Lett. -1976. -V.28, N5. -P.248-250.

60. Lang D.V. Recombination enhanced reactions in semiconductors. // Ann. Rev. Matter Sci. -1982. -V.12, -P.377-400.

61. Petroff P.M., Kimerling L.C. Dislocation climb model in compound semiconductors with zink blende structure. // Appl. Phys. Lett. -1976. -V.29, N8. -P.461-463.

62. Pons D., Bourgoin J.C. Irradiation-induced defects in GaAs. // J. Phys. С : Solid State Phys. -1985. V.18, N20. - P.3839-3871.

63. Donnelly J.P. and Hurwitz. Proton bombardment in InP. // Solid State Electronics. -1977. -V.20,N8. -P.727-730.

64. Брайловский Е.Ю., Долголенко А.П., Карапетян Ф.К. Радиационные дефекты в кристаллах n-InP, облученных высокоэнергетическими протонами.-Киев, 1982. -С.4-8. -(Препринт/Институт ядерн. исслед. АН УССР; N14).

65. Thompson P.E., Binari S.C. and Dietrich H.B. Damaged-induced isolation in n-type InP by light-ion implantation // Solid State Electronics. 1983. - V.26, N8. -P.805-810.

66. Loualiche S., Rojo P., Guillot G., Nouailhat A. Etude des centres a electrons crees par irradiation de proton dans InP:n. // Rev.Phys.Appl. -1984.~Y.19, N3. -P.241-244.

67. Aukerman L.W. Radiation effects // Semiconductor and semimetals / Ed.by R.K.Willardson and A.C.Bear.-N-Y:Academic Press, 1968. -V.4. -P.343-409.

68. Aukerman L.W. Radiation-produced energy levels in compouns semiconductors. // J. AppLPhys. -1959. -V.30, N8. -P. 1239-1243.

69. Goltzene A., Meyer B., Schwab C. Fast neutron-induced defects in undoped and iron-doped indium phosphide. // J.Appl.Phys. -1987. -V.62, N11. --P.4406-4412.

70. Kekelidze N.P. and Kekelidze G.P. Radiation effects in indium phosphide, indium arsenide compounds and their solid solutions. // Rad. effects in semicond.,Dubrovnik, 1976. -Bristol-London: Inst. phys. conf. ser.N31, 1977. -P.387-394.

71. Leloup J., Djerassi H., Albany H J. Electrical properties and energy levels in electron-irradiated n-type InP. // Lattice defects semicond., Freiburg, 1974.-Bristol-London: Inst.phys.conf.ser.N23, 1975. -P.367-372.

72. Leloup J., Derdouri M. and Djerassi H. Room-temperature electron irradiation of n-type InP. // Rad.effects in semicond.,Dubrovnic, 1976.-Bristol-London:Inst.phys.conf.ser.N31, 1977. -P.372-378.

73. Brudnyi V.N., Vorobiev S.A. and Tsoi A.A. Positron annihilation and Hall effect in electron irradiated n-InP crystals. // Appl.Phys.A. -1982. -V.29, N4.-P.219-223.

74. Brailovskii E.Yu., Karapetyan F.K., Megela I.G., Tartachnik V.P. Radiation defects in electron-irradiated InP crystals. // Phys.stat.sol.(a). -1982. -V.71, N2. -P.563-568.

75. Кирсон Я.Э., Клотынып Э.Э., Улманис У.А. Энергетический спектр и предельное значение электропроводности при облучении InP электронами.// Изв.АН ЛатвССР, Сер. физ. и техн. н. -1990. -N1. -С. 14-18.

76. Levinson M., Benton J.L., Temkin H., Kimerling L.C. Defect states in electron bombarded n-InP. // Appl.Phys.Lett. -1982. -V.40, N11. -P.990-992.

77. Tapster P.R., Dean P.J., Skolnick M.S. Deep levels introduced by electron irradiation of InP. // J.Phys.C:Solid State Phys. -1982. -V.15, N28. -P.L1007--L1012.

78. Suski J., Bourgoin J.C., Lim H. Defects induced by electron irradiation in InP. // J.Appl.Phys. -1983. -V.54, N5. -P.2852-2854.

79. Tapster P.R. A DLTS study of electron irradiated InP. // J.Cryst.Growth.- 1983. -V.64, N1. -P.200-205.

80. Sibille A., Bourgoin J.C. Electron irradiation induced deep levels in n-InP. //Appl.Phys.Lett. 1982. -V.41,N10. -P.956-958.

81. Sibille A., Rao E.V.K. Electron irradiation defects in InP. // J.Cryst.Growth.-1983. -V.64, N1.-P.194-199.

82. Suski J., Sibille A., Bourgoin J. Defects in low temperature electron irradiated InP. // Solid State Commun. -1984. -V.49, N9. -P.875-878.

83. Sibille A., Suski J., LeRoux G. Energy and orientation dependence of electron-irradiation-induced defects in InP. // Phys. Rev. B. :Condens. Matter. 1984. -V.30, N2. -P. 1119-1121.

84. Massarani B., Bourgoin J.C. Threshold energy for atomic displacement in InP. // Phys.Rev.B. :Condens.Matter. -1986. -V.34, N4. -P.2470-2474.

85. Sibille A., Suski J. Defect reactions on the phosphorus subluttice in low-temperature electron-irradiated InP. //Phys.Rev.B.:Condens.Matter. -1985.--V.31,N8. -P.5551-5553.

86. Sibille A. Origin of the maain deep electron trap in electron irradiated InP. //Appl.Phys.Lett. 1986. -V.48, N9. -P.593-595.

87. Sibille A., Suski J., Gilleron M. A model of deep centers formation and reactions in electron irradiated InP. // J.Appl.Phys. 1986.-V.60, N2. -P.595-601.

88. Sibille A. Electric field dependence of local-defect reactions in semiconductors. // Phys.Rev.Lett. 1096. -V.56, N5. -P.476-479.

89. Bretagnon T., Bastide G., Rouzeyre M. Hole-capture properties of the electron-irradiation-induced deep level H5 in p-type InP: a charge-controlled bistable model. // Phys.Rev.B.:Condens.Matter. 1989. -V.40, N6. -P.3749--3755.

90. Benton J.L., Levinson M., Macrander A.T., Temkin H.,Kimerling L.C. Recombination enchanced defect annealimg in n-Inp. // Appl.Phys.Lett.--1984. -V.45, N5. -P.566-568.

91. Ando K., Yamaguchi M., Uemura C. Impurity (Si) concentration effects on radiation-induced deep traps in n-InP. // J.Appl.Phys. -1984. -V.55, N12. -P.4444-4446.

92. Bretagnon Th., Bastide G., Rouzeyre M. Thermal transformation of the electron-irradiation-induced defect H4 in p-type InP. // Mater.Sci.Forum.- 1986. -V.10-12, N3.-P. 1033-1038.

93. Bretagnon Th., Bastide G., Rouzeyre M. Annealing study of the electron-irradiation-induced defects H4 and El 1 in InP:defect transformation (H4-Ell) H4'. // Phys.Rev.B.-.Condens.Matter. 1990. -V.41, N2. -P.1028-1037.

94. Kennedy T.A., Wilsey N.D. EPR of defects in electron-irradiated InP:Fe. //Defects andradiat. eff. semicond.,Oiso, I980.-Bristol-London, 1981. -P.257--262.

95. Brailovskii E.Yu., Megela I.G., Pambuchchyan N.M. EPR study of electron-irradiated InP:Fe . // Phys.stat.sol.(a). -1982. -V.72, N1. -P.K109-K111.

96. Kennedy T.A., Wilsey N.D. Electron paramagnetic resonance identification of the phosphorus antisite in electron-irradiated InP. // Appl.Phys.Lett. -1984. -V.44, N11. -P.1089-1091.

97. Kana-ah A., Deiri M., Cavenett B.C., Wilsey N.D., Kennedy T.A. Anti-site centres in e-irradiated InP:Zn. // J.Phys.C.:Sol.St.Phys. 1985. -V.18, N20. -P.L619-L623.

98. Cavenett B.C., Kana-ah A., Deiri M., Kennedy T.A., Wilsey N.D., On the prospect of as-grown semi-insulating InP: ODMR of the PIn antisite //J.Phys.C.:Sol.State Phys. -1985. -V.18, N16. -P.473-476.

99. Jeon D.Y., Gislason H.P., Donegan J.F., Watkins G.D. Determination of the PIn antisite structure in InP by optically detected electron-nuclear double resonance. // Phys.Rev.B.:Condens.Matter. 1987. -V.36, N2. -P.1324-1327.

100. Gislason H.P., Rong F., Watkins G.D. Different configurations of the PIn antisite in n- and p-type InP. // Acta phys.pol.A. -1990. -V.77, N1. -P.59-62.

101. Von Bardeleben H.J. Identification of the phosphor vacancy defect in electron irradiated p-type InP. // Sol.State Commun. 1986. -V.57, N2.--P. 137-139.

102. Кольченко Т.И., Ломако B.M., Мороз C.E. Образование электронных ловушек в n-InP при облучении g-квантами. // ФТП. -1987. -Т.21, N6.-С.1075-1078.

103. Yamaguchi М., Uemura С., Yamamoto A. Radiation damage in InP single crystals and solar cells. // J.Appl.Phys. 1984. -V.55, N6, Pt.l. -P1429-1436.

104. Koyama J., Shirafuji J., Inuishi Y. Annealing behaviour of gamma-ray induced electron traps in LEC n-InP. // Electron. Lett. -1983. -V.19, N16.-P.609-611.

105. Ando K., Yamaguchi M., Uemura C. Nonradiative recombination-enchanced defect-structure transformation in low-temperature y-ray-irradiated InP. // Phys.Rev.B.:Condens.Matter. -1986. -V.34, N4. -P.3041-3044.

106. Кольченко Т.И., Ломако B.M., Мороз C.E. Влияние легирования серой на образование глубоких центров в n-InP при облучении. // ФТП.- 1988. -Т.22, N7. -С.1311-1313.

107. Bayaa D., Bastide G., Rouzeyre М., Sibille A. Optical properties of electron irradiation induced defects in InP. // Solid State Commun. 1984. -V.51,N6. -P.359-363.

108. Bastide G., Bayaa D., Rouzeyre M. Lattice coupling strength of electron-induced-irradiated defects in InP. // Solid State Commun. 1986. -V.57, N6. -P.431-435.

109. Гринсон А.А., Гуткин А.А., Метревели С.Г. Ловушки для электронов и дырок в фосфиде индия. // Зарубежная радиоэлектроника. -1987. -N11. -С.57-62.

110. Levinson М., Benton J.L., Kimerling L.C.Electronically controlled metastable defekt reaction in InP. // Phys. Rev. B. -1983. -V.27, N10. -P.6216-6221.

111. Levinson M., Benton J.L., Stavola M., Kimerling L.C. Metastable M center in InP: defect- charge- state- controlled structural relaxation. // Phys. Rev.B. -1983. -V.28, N10. -P.5848-5855.

112. Stavola M., Levinson M., Benton J.I., Kimerling L.C. Extrinsic self-trapping and negative U in semiconductors: A metastable center in InP. // Physical Review B. -1984. -V.30, N2. -P.832-839.

113. Wager J.F.,Van Vechten J.A. Atomic model for the M center in InP. // Physical Review B. -1985. V.32, N8. -P.5251-5258.

114. Brailovski E.Yu., Eritsyan G.N., Grigoryan N.E. Optical absorption in InP crystals with point radiation defects. // Phys.stat.sol.(a). 1983. -V.78, N2.-P.K113-K115.

115. Magno R., Spencer M., Giessner J.G., Weber E.R. Transient capacitance measurements on neutron irradiated gallium arsenide.- In: 13& International Conf. On Defects In Semicond. (Coronado, California, 1984).- P.981-987.

116. Stievenard D., Bourgoin J.C., Lannoo M. An easy method to determine carrier-capture cross section: application to GaAs.-J. Appl. Phys. -1984. -V.55, N6. -P.1447-1481.

117. Bertolotti Mario. Laser annealing of semiconductors. // Phys. processes laser -mater, interact. Proc. NATO Adv. Study Inst., Pianore, 13-25 July, 1980. New-York, London. -1983. -P. 175-219.

118. Okigawa Mitsuru , Nakayama Takeyoshi, Morita Kenji, Itoh Noriaki. Dependence of laser-induced damage of surface layers of GaP on pulse width and wave- length. //Appl. Phys. Lett. -1983. -V.43,N 11. -P. 1054-1056.

119. Wesch W., Gotz G. Rapid annealing of ion -implanted GaAs. // Phys. status solidi (a). -1986. -V.94, N2. -P.745-766.

120. Абакумов B.H., Алферов Ж.И., Ковальчук Ю.В., Портной E.JI. К вопросу о механизмах лазерного отжига полупроводников. // ФТП. -1983. -Т.17, N12. -С.2224-2228.

121. Фаттахов Я.В., Баязитов P.M., Аганов Р.В., Саинов Н.А., Хайбуллин И.Б., Штырков Е.И. Лазерный отжиг ионно-легированных слоев. // Деп. в ВИНИТИ 6 апр. 1984г. N 2096-84 Деп.

122. Zysset В., Salathe R.P., Martin J.L., Gotthardt R., Reinhart F.K. Transmission electron microscopy investigation of laser- induced defects in (Al,Ga) As. // J. Appl. Phys. -1985. -V. 58, N11. -P.4089-4094.

123. Хайбуллин И.Б., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводников, состояние проблемы и нерешенные вопросы. // ФТП. -1985. -V. 19, N4. -С.569-591.

124. Гусаков Г.М., Кондратова Т.Н., Минаждинов М.С., Ларюшин А.И. О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облучении. // ФТП. -1991. -Т.25, N3. -С.369-372.

125. Davies D. Eirug, Lorenzo J.P., Ryan T.G. Pulse annealing deficiencies in GaAs. // Appl. Phys. Lett. -1980. -V.37, N7. -P.612-615.

126. Lutsch A.G.K. Laser and electron beam annealing of ion implanted layers and their application to electronic component manufacture. // Def. Solid State'80, Johannesburg, 1980. Program, and Abstr. Booklet. Johannesburg, -1980, -P. 1417.

127. Maeda Koji, Takeuchi Shin. Enhanced glide of dislocationsin GaAs single crystals by electron beam irradiation. // Jap. J. Appl. Phys. -1981. -V.20,N3. -P.L165-L168.

128. Двуреченский A.B., Качурин Г.А., Нидаев E.B., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. // М., Наука. -1982. -208 С.

129. Ahmed Н., McMahon R.A. Electron beam processing of semiconductors. // Laser-Solid Interact. and Transient Therm. Proc. Mater. Symp., Boston, Mass., nov., 1982. New-York e. a. -1983. -P.653-664.

130. Лебедева Н.И., Месяц Г.А. Отжиг полупроводников низкоэнергетичными импульсами электронными пучками. // Сильноточ. импульс, электрон, пучки в технол. Новосибирск. -1983. -С.39-55.

131. Веригин А.А., Кощеев В.П.,Крючков Ю.Ю., Боярков Е.Ю. Измерение концентрации дефектов в объеме кристалла арсенида галлия, облученного импульсным электронным пучком. // Поверхность: Физ., химия, мех. -1986. N9. -С. 143-144.

132. Arai Michio, Nishiyama Kazuo, Watanabe Naozo. Radiation annealing of GaAs implanter with Si. // Jap. J. Appl. Phys. -1981. -V.20, N2. -P. L124-L126.

133. Grno J., Bederka S., Vesely M. Pulse radiation annealing of caples GaAs. // Phys. status solidi. -1983. -V.79, N1. -P. K41-K44.

134. Suzuki Т., Sakurai H., Arai M. Infrared rapid annealing of Zn implanted GaAs. // Appl. Phys. Lett. -1983. -V.43, N10. -P. 951-953.

135. Nissim Y.I., Joukoff В., Sapriel J.,Duhamel N. Annealing of high dose implanted GaAs with halogen lamps. // J. Phys. (Fr.), 1983, -V.44, N10, suppl., colloq. C5: Laser-Solid Interactions and Transient Thermal. Proc.

136. Mater.,Strasbourg, 25-27 Mai, 1983. -P. 247-251.

137. Nissim Y.I., Joukoff В., Sapriel J., Henoc P. Annealing of high dose implanted GaAs with halogen lamps. // Energy Beam-Solid Interact, and Transient Therm. Processing. Symp., Boston, Mass., nov. 14-17, 1983. New-York e. a.,1984. -P. 675-679.

138. Gibbons J.F., Dobkin D.M., Greiner M.E., Hoyt J.L., Opyd W.G. Device applications of rapid thermal processing. // Energy Beam-Solid Interact, and Transient Therm. Processing. Symp., Boston, Mass., nov. 14-17, 1983. New-York e. a., 1984. -P. 37-50.

139. Lee Ho Sub, Cho Hoon Young, Kim Eun Kyu, Min Suk-Ki, Kang Tae Won, Hong Chi Yhou. Deep levels in Si implanted and rapid thermal annealed semi insulating GaAs. // J. Electron. Mater. -1991. -V.20, N2. -C. 203-206.

140. Kuzuhara M., Nozaki T. Study of electron traps in n- GaAs rezulting from infrared rapid thermal annealing. // J. Appl. Phys. -1986. -V.59, N9. -P.3131-3136.

141. Itoh Т., Janai H. Stability of performance and interfacial problems in GaAs MOSFET's. // IEEE Trans, on Electron. Dev. -1980. -ED-27, N6. -P.1037-1045.

142. Kocot C., Stolte C. Backgating in GaAs MOSFET's. // IEEE Trans, on Electron. Dev. -1982. -ED-29,N7. -P. 1059-1064.

143. Берман JI.С. Емкостные методы исследования полупроводников. // Ленинград: Наука. -1972. -104 С.

144. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. // Ленинград: Наука. -1981. -176 С.

145. Lang D.V. Fast capacitance transient apparatus: Application to ZnO and О centres in GaP p-n junctions. // J. Appl. Phys. -1974. -V.45, N7. -P.3014-3022.

146. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors. // J. Appl. Phys. -1974. -V.45, N7. -P.3023-3032.

147. Кравченко А.Ф., Принц В.Я. Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. // Известия ВУЗов СССР, Физика. -1980. N1. -С.52-63.

148. Lefevre Н., Schulz М. Double correlation technique (DDLTS) for the analysis of deep level profiles in GaAs and GaAs0.6Po.4- // IEEE Trans. Electron. Devices. -1977. -ED-24, N7. -P.973-978.

149. Lefevre H., Schulz M. Double correlation technique (DDLTS) for analysis of deep level profiles in semiconductors. // Appl. Phys. -1977. -V.12, -P.45-53.

150. Горн Л.С., Матвеев B.B., Хазанов Б.И., Шифрин А.В. Элементы схем ядерного приборостроения. // М.: Атомиздат. -1970. -374 С.

151. Мунин В.Я., Голынкин З.Б., Минус В.Е., Лащик Л.И. Переносный транзисторный телевизор "Электроника ВЛ-100". // М.: Связь. -1973. -103 С.

152. Пешев В.В. Исследование и разработка методик измерения электрофизических параметров твердых растворов. // Отчет по НИР "Батуд", гос. per. № У40747, отр. рег.№7000705. -1978. -85 С.

153. Асанов О.М., Градобоев А.В., Гранкина Н.Д., Кустов В.Г. Установка измерения профиля концентрации носителей в полупроводниках. // Электронная промышленность. -1981. N3. -С.41-42.

154. Градобоев А.В., Кустов В.Г., Пешев В.В. Измерение профиля легирования в слоях полупроводников на барьере электролит-полупроводник. //Электронная техника, сер. Материалы. -1978. N.9. -С. 122-124.

155. Вайсбурд Д.И. Кинетика накопления электронных центров в ЩГК под воздействием протонов. // Канд. дисс.,Томск. -1965.

156. Воробьев А.А., Кононов Б.А. Прохождение электронов через вещество. // Томск: издательство ТГУ. -1966. -178 С.

157. Федоров Н.Д. Краткий справочник инженера-физика. Ядерная физика. Атомная физика. // М.: Атомиздат. -1961. -507 С.

158. Власов Н.А. Нейтроны. // М.: Наука. -1971. -551 С.

159. Miller G.L. A feedback method for investigation carrier distributions in semiconductors. // IEEE Trans. Electron. Dev. -1972. -ED-19, N10. -P.l 1031108.

160. Copeland J.A. A technique for directly plotting the inverse doping profile of semiconductor waves. // IEEE Trans. Electron. -1969. ED-16, N5. -P.445-449.

161. Broniatowski A. Transient capacitance mesurement on resistive samples. // J. Appl. Phys. -1983. -V.54, N6. -P.2907-2910.

162. Ambrige Т., Factor M.M. An electrochemical technique for automatic depth profiles of carrier concentration. Gallium Arsenide and relat. compounds, 1974.

163. Conf. Ser. N24, London and Bristol: The Institute of Physics, 1975. -P.320-330.

164. Iida S., Ito K. Selective etching of Galium Arsenide crystals in H2S04 H202 -H20 system. // J. Electrochem. Soc. -V.118, N5. -P. 768.

165. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. // М.: Наука. -1981. -368 С.

166. Мамонтов А.П., Пешев В.В. Влияние электрического поля на накопление радиационных дефектов в арсениде галлия. // ФТП. -1982. -Т.16, N5. -С.912-914.

167. Мамонтов А.П., Пешев В.В., Чернов И.П. Влияние электрического поля на накопление и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия. //ФТП. -1982. -Т.16, N12. -С.2126-2128.

168. Брудный В.Н., Пешев В.В., Притулов A.M. Накопление ЕЗ центров в п-GaAs при у -облучении в интервале температур 77-500 К. // ФТП. -1988. -Т.22, N6. -С.1124-1126.

169. Brudnyi V.N., Peshev V.V. Electric field effect on the temperature dependence of the (Ec -0.33 eV) center introduction rate under у -irradiation in n-GaAs. // Phys. Stutus Sol.(a). -1990. -V.118, N1. -P.219-224.

170. Брудный В.Н., Пешев В.В., Притулов А.М. Температурная зависимость эффективности накопления ЕЗ (Ес 0,33 эВ)- центров при у -облучении п-GaAs. // Изв. вузов, Физика. Деп. в ВИНИТИ, per.N95-B88.

171. Болотов В.В., Карпов А.В., Стучинский В.А. Влияние дрейфа вакансий в электрическом поле на формирование распределения радиационных дефектов вблизи границ раздела в кремнии. // ФТП. -1988. -Т.22, N1, С.49-55.

172. Мамонтов А.П., Пешев В.В. Профиль концентрации ЕЗ центров в обратносмещенных при облучении арсенидогаллиевых диодах. // ФТП. -1985. -Т.19, N1. -С.147-150.

173. Martin G.M., Esteve Е., Langlade P., and Makram-Ebeid S. Kinetics of formation of the midgap donor EL2 in neutron irradiated GaAs materials.// J.Appl. Phys.-1984.-V.56,N10.-P.2655-2557.

174. Немец О.Ф., Гофман Ю.В. Справочник по ядерной физике. // Киев: Наукова Думка. -1975. -415 С.

175. Томпсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. Пер. с англ. // М.: Мир. -1971. -367 С.

176. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. // Киев: Наукова Думка. -1979. -335 С.

177. Мамонтов А.П., Пешев В.В. Зависимость степени влияния зарядового состояния на накопление глубоких центров от энергии атомов отдачи. // ФТП. -1983. -Т.17, N10. -С. 1771-1774.

178. Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах. Пер. с англ. М.: Мир. -1966. -291 С.

179. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Пер. с англ.-М.: Мир, 1985. -304 С.

180. Scolfaro Luisa M.R.,Fazzio A. Native defects and transition métal impurities at interstitial sites in GaAs.// Int. J. Quantum Chem. Quantum.Chem.Symp.-1989. -V.23. -P.678-685.

181. Reinecke T.L. Pairs of intrinsic defects in 3-5 semiconductors: electronic states and interaction energies. // Physica 117B & 118B. -1983. -P.194-196.

182. Potz W.,Ferry D.K. Antisite defects in 3-5 semiconductors. // Phys. Review B. -1984. -V.29, N10. -P.5687-5693.

183. Stievenard D., Bourgoin J.C. Defect-enhanced annealing by carrier recombination in GaAs. // Phys. Review B: Condenced Matter.-1986.- V.33, N12-I.- P.8410-8415.

184. Brudnyi V.N., Peshev V.V. Electron traps in n-GsAs irradiated with high electron beam fluxes at high temperature. // Phys. Stat. Sol. (a).-1988.- V.105, N1.- K57-60.

185. Stievenard D. Bourgoin J.C. Impurity defect interactions in GaAs. // J. Appl. Phys. -1986. -V.59, N3. -P.743-747.

186. Иванюкович В.А., Карась В.И., Ломако B.M. Структура пиков Е4 и Е5 в п-GaAs. // ФТП. -1990. -Т.24, N8. -С.1427-1430.

187. Пешев В.В., Смородинов С.В. Высокотемпературное облучение арсенида галлия. // ФТП. -1997. -Т.31, N10. -С.1234-1235.

188. Бакин Н.Н., Брудный В.Н., Пешев В.В., Смородинов С.В. Образование центров ЕЮ (Ес -0,62 эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме n-InP при электронном и у облучениях. // ФТП.-1989. -Т.23, N5. -С.890-892.

189. Пешев В.В., Смородинов С.В. Температурные зависимости накопления центров ЕЮ (Ес -0,62 эВ) в n-InP. // ФТП. -1990. -Т.24, N.5. -С.879-882.

190. Brudnyi V.N., Peshev V.V., Smorodinov S.V. New metastable W-center in electron-irradiated n-type InP. // Phys. Stat. Sol.(a). -1989. -V.114, N2. -K.139-142.

191. Пешев В.В., Смородинов С.В. Электронные свойства метастабильного W-дефекта в облученном InP. // Тезисы докладов. XII Всесоюзная конференция по физике полупроводников, Киев, 23-25 октября, 1990г., часть I, С.285-286.

192. Брудный В.Н., Пешев В.В., Смородинов С.В. Электронные свойства метастабильного W-дефекта в InP. // Известия вузов. Физика. Деп. в ВИНИТИ, рег.№ 4677-В90.

193. Brudnyi V.N., Peshev V.V., Smorodinov V.V. Characterization of W-defect in electron-irradiated InP. //Phys. Stat. Sol. -1991. -V.128, N1. -P.311-317.

194. Пешев B.B., Смородинов C.B. W-дефект в InP. // ФТП. -1996. -T.30, N6. -С.979-984.

195. Мамонтов А.П., Пешев В.В. Влияние электрического поля на накопление и отжиг центров Е5 в арсениде галлия. // ФТП. -1983. -Т.17, N7. -С.1310-1311.

196. Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория: пер. с англ.-М.: Мир, 1984. -264 С.

197. Мамонтов А.П., Пешев В.В. Накопление и отжиг глубоких центров в арсениде галлия при облучении нейтронами и а-частицами. // ФТП. -1984. -Т.18, N6. -Р.1003-1006.

198. Мамонтов А.П., Пешев В.В.,Чернов И.П. Роль зарядового состояния при накоплении и отжиге глубоких центров в арсениде галлия, облученном протонами. // ФТП. -1983. -Т.17, N7. -С.1242-1245.

199. Брудный В.Н., Пешев В.В., Потапов А.И. Протонная "изоляция" арсенида галлия. 6 Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. 8-10 сентября1987г. Сборник трудов, Т.1, Томск. -1987. -С.65-66.

200. Пешев В.В., Ардышев В.М., Мамонтов А.П. Способ изготовления полупро-водниковой структуры. АС №1148516, зарегистрировано 1 декабря 1984г.

201. Брудный В.Н., Колин Н.Г., Новиков В.А., Нойфех А.И., Пешев В.В. Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами. // ФТП. -1997. -Т.31, N7. -С.811-815.

202. Коноплева Р.Ф., Остроумов В.Н. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. // М.: Атомиздат. -1975. -128 С.

203. Gossick B.R. Disordered region in semiconducters bombarded by fast neutrons. // J.Appl.Phys.-1959. V.30,N8. -P.1214-1218.

204. Кечек А.Г., Кузнецов Н.И., Лебедев A.A. Влияние полосы глубоких уровней на форму пиков НЕСГУ. // Препринт № 1145, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Ленинград. -1987. -24 С.

205. Брудный В.Н., Колин Н.Г., Потапов А.И. Глубокие ловушки в n-GaAs, облученном быстрыми нейтронами. // ФТП. -1993. -Т.27, N2. -С.260-263.

206. Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Local neutrality conception:Fermi level pinning in defectivesemiconductors. // Physica B: Condensed Matter. -1995. -T.212. -P.429-435.

207. Coates R. and Mitchell E.W.J. The optical and electrical effects of defects in irradiated crystalline gallium arsenide //Adv.Physics.-1975.- V.24, N5.-P.593-644.

208. Костылев C.A., Шкут B.A. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. //Киев:"Наукова думка", 1978. -203 С.

209. Hartke J.L. The three- dimensional Poole- Frenkel effect. // J.Appl.Phys. -1968. -V.39, N10. -P.4871-4873.

210. Barnes C.E., Zipperian Т.Е., Dawson L.R Neutron- induced trapping levels in aluminum gallium arsenide. // J.Electronic Materials. -1985. --V.14, N2. -P. 95118.

211. Новиков В.А., Пешев В.В. Влияние неоднородного распределения дефектов в GaAs на спектры НЕСГУ. // ФТП. -1998. -Т.32, N4. -С. 411-416.

212. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И., Павлов П.В., Зорин Е.И. // ФТП. -1975. -Т.9, N12. -С.2292-2296.

213. Ардышев В.М., Мамонтов А.П., Пешев В.В., Притулов A.M., Суржиков А.П. Способ получения полупроводниковых структур арсенида галлия. // АС N1554670, Зарегистрировано 1.12. 1989 г.

214. Ардышев В.М., Мамонтов А.П., Пешев В.В., Притулов A.M., Суржиков А.П. Электронный отжиг арсенида галлия, имплантированного ионами кремния. // VII Всесоюзный симпозиум по сильноточной электронике. 1988г.,Томск, часть III, С.242-243.

215. Арсенид галлия в микроэлектронике/ Пер. с англ. под ред. Мордковича В.Н. М.: Мир, 1988. - 555 С.

216. Полуизолирующие соединения АШВУ / Пер. с англ. под ред. Мильвидского М.Г. М.: Металлургия, 1984. - 580 С.

217. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. - 256 С.

218. Пешев В.В., Суржиков А.П., Ардышев В.М. Способ определения удельного объемного сопротивления полупроводниковых пластин. // Поло-жительное. решение по заявке № 4952976/21 (048156) от 15.05.92г.

219. Костылев С.А., Прохоров Е.Ф., Уколов А.Т. Влияние полуизолирующей подложки на параметры арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки. // Обзоры по электронной технике. Серия 1. Электроника СВЧ. -1986. Вып. 7 (1188). -С. 2-40.

220. Kalukhov V.A., Chikichev S.I. The influence of isoelectronics impurities on intrinsic deep levels in liquid phase epitaxial gallium arsenide. // Phys. Stat. Sol.(a). 1985. - V.88, N1. - K59-K61.

221. Usami К. Horio К. 2-D simulation of kink-related sidegating effects in GaAs-MESFETs. // Solid State Electronics. -1996. -Vol.39, N 12. -P. 1737-1745.

222. Ардышев B.M., Пешев B.B., Суржиков А.П. Влияние различных видов отжига на свойства ионнолегированных слоев и термическую стабильность полуизолирующего GaAs. // Физика и химия обработки материалов. -1998. N3. -С.91-95.

223. Блад П., Ортон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. // Зарубежная радиоэлектроника. -1981. N.2. -С.3-49.

224. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. -М.: Высшая школа. -1975. -206 С.

225. Установка НЕСГУ, действующая в отделе радиационной физики филиала ГНЦ РФ "НИФХИ им. Л.Я, Карпова", была разработана, изготовлена, смонтирована и запущена в эксплуатацию под руководством и при непосредственном участии Пешева В.В.

226. В течение нескольких лет она эффективно используется для исследования спектров глубоких уровней, вызванных радиационными и ростовыми дефектами в полупроводниковых материалах и, в частности, в ядерно-легированном арсениде галлия.

227. ГНЦ РФ "НИФХИ им. Л.Я. Карпова" (г.Обн

228. Подпись заведующего отделом Колина Н.1

229. Заведующий отделом кадров филиала1. В.А. Александров

230. АКТ ВНЕДРЕНИЯ результатов научно-исследовательской работы "Батуд"

231. Ответственный исполнитель- ст. инж. отд.№ 10 Пешев В.В.