Образование и свойства электрически активных кислородосодержащих дефектов в термообработанных и облученных кристаллах германия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. РОЛЬ КИСЛОРОДА В ОБРАЗОВАНИИ ТЕРМИЧЕСКИХ И РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ГЕРМАНИИ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

1.1. Основные физические свойства кислорода в германии.

1.2. Природа и свойства кислородосодержащих термодоноров.

1.2.1. Кинетика образования и структура

1.2.2. Оптические свойства

1.2.3. Спектр энергетических уровней

1.2.4. Долговременные релаксации неравновесной проводимости

1.2.5. Взаимодействие с радиационными дефектами.

1.2.6. О механизме образования термодоноров в германии.

1.3. Образование и отжиг ки с лор одос одержащих радиационных дефектов.

1.3.1. Данные ИК-поглощения, ЭПР и фотолюминесценции

1.3.2. Результаты фотоэлектрических измерений . 50 Заклшение.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА. ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Измерение температурных и временных зависимостей постоянной Холла и проводимости

2.2. Определение параметров дефектов

2.2.1. Расчет температурных зависмостей концентрации носителей (ТЗКН)

2.2.2. Анализ ТЗКН методом наименьших квадратов.

2.3. Образцы, облучение, термообработка

ГЛАВА. 3. ПЕРЕСТРОЙКА КИСЛОРОДОСОДЕРЖАЩИХ ТЕРМОДОНОРОВ КАК ЦЕНТРОВ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ЭФФЕКТИВНОЙ КОРРЕЛЯЦИОННОЙ ЭНЕРГИЕЙ ХАБЕАРДА

3.1. Природа ДРНП и спектр энергетических уровней термодоноров

3.2. Перестраивающиеся термодоноры как центры с отрицательной эффективной корреляционной энергией Хаббарда

3.3. Кинетика ДРНП и ее описание.

Германий является одним из базовых материалов полупроводниковой электроники и инфракрасной оптики, а его ежегодное потребление во всем мире в 1984-1986 годах оценивается в 70 тонн /I/. Так, наряду с традиционным использованием для изготовления высокочувствительных фотоприемников и детекторов ядерных излучений, малошумящих диодов и усилителей, элементов ИК-оптики германий рассматривается одним из самых перспективных материалов при создании нового поколения опто-электронных и акусто-оптических устройств, средств волоконной оптики и т. д. J2/. Дальнейшее расширение областей применения германия связывают в настоящее время с успешным решением проблемы промышленного производства крупногабаритных (диаметром до 40 см) монокристаллов различного профиля с малым и контролируемым,содержанием остаточных электрически активных примесей (10^ * Ю^ см~^) j3, 4/. Концентрация же кислорода в кристаллах германия, выращенных по методам Чохральского, Степанова или бестигельной зонной плавки, составляет не менее 10* 4 -г Ю16 см~^ /4, 5/. В силу этого кислород является неизбежной и одной из главных примесей в германии, которая благодаря эффективному взаимодействию с дефектами структуры /б/ способна определять электрофизические свойства термообработанных и облученных монокристаллов. Установление микроструктуры, свойств и механизма образования электрически активных кислородосодержащих дефектов в германии является актуальной задачей в связи с:

1) необходимостью повышения термической и радиационной стойкости изготовленных на основе германия приборов;

2) развитием радиационных и термических способов управления свойствами монокристаллов;

3) возрастающим научным интересом к изучению поведения кислорода в решетке ряда полупроводниковых кристаллов /7/, так что результаты исследования термических и радиационных воздействий на состояние кислорода в германии, как наиболее изученном и совершенном полупроводнике, могут быть модельными для физики реального кристалла.

К настоящему времени наиболее полно изучены оптические свойства кислорода и кислородосодержащих комплексов, образуемых при облучении германия высокоэнергетическими частицами /6/. Тем не менее микроструктура и электрические свойства кислородосодержащих радиационных дефектов остаются неустановленными. Известным является и образование в германии кислородосодержащих термодоноров /8-11/, с которыми связывают долговременные релаксации неравновесной проводимости (ДРНП) /12/ термообработанных кристаллов. Однако природа ДРНП, структура и механизм образования термодоноров до сих пор не установлены. Не определена и связь процесса формирования термодоноров с собственными дефектами структуры, что делает целесообразным исследование их кинетики накопления при комбинированном применении термического и радиационного воздействий к одним и тем же образцам.

Целью настоящей работы являлось установление природы и свойств электрически активных кислородосодержащих комплексов в термообработанных и облученных монокристаллах германия. Для решения поставленной задачи было проведено: а) исследование спектра энергетических уровней кислородосодержащих дефектов и природы ДРНП в термообработанных монокристаллах; б) изучение кинетики накопления кислородосодержащих термодоноров и влияния радиационных дефектов на процесс их формирования; в) идентификация энергетических уровней и исследование особенностей образования и отжига кислородосодержащих радиационных дефектов.

Исследования проводились на монокристаллах германия п - и тс тп Q р-типа с концентрацией кислорода в диапазоне 2.10 * 4.10 см .

Термообработка образцов осуществлялась при температурах

300 -г 900 К, а для введения точечных радиационных дефектов ис

АП пользовалось облучение кристаллов у-квантами Со или электронами с энергией 4 МэВ при температуре ~300 К.

Базовой методикой исследования служили измерения постоянной Холла и проводимости в сочетании с анализом температурных (6 * 400 К) зависимостей концентрации носителей заряда на осно.-.: вании уравнения электронейтральности методом наименьших квадратов с помощью ЭВМ. Для дополнительной характеристики кристаллов и исследуемых центров привлекались измерения ИК-поглощения и примесной фотопроводимости.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем: X. Показано, что электрически активные комплексы, образуемые при термообработке кислородосодержащих кристаллов германия, явля

U л ются двойными донорами и могут включать в свои состав от 3 до ~20 атомов кислорода.

2. Идентифицированы четыре типа перестраивающихся двойных термодоноров в германии и установлена их принадлежность к центрам с отрицательной эффективной корреляционной энергией .

3. Обнаружено радиационное стимулирование процесса образования термодоноров и показано участие в их формировании комплексов кислород-вакансия.

4. Показано, что взаимодействие первичных радиационных дефектов с двойными термодонорами приводит к трансформации последних в электрически неактивные комплексы.

5. Установлена электрическая активность комплекса кислородвакансия в германии и определены характеристики его отжига. На защиту выносятся:

- идентификация и определение свойств двойных термодоноров с отрицательной эффективной корреляционной энергией в германии;

- модель процесса образования кислородосодержащих термодоноров в германии, учитывающая миграцию кислорода в ассоциированной с вакансией форме;

- комплекс данных по спектру энергетических уровней и термической устойчивости кислородосодержащих радиационных дефектов, в германии.

- э

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Установлено, что распад пересыщенного твердого раствора кислорода в германии при температурах 573 - 773 К приводит к образованию ряда электрически активных комплексов (ТД-1 ), которые являются двойными донорами с близкими энергетическими уровнями (Е^++ е. - 40 мэВ и Е°/+ л Е„ - 15 мэВ) и могут включать в l g с о свой состав от 3 до ~ 20 атомов кислорода.

2. Показано, что наблюдаемые в содержащем термодоноры германии долговременные релаксации неравновесной проводимости и температурная зависимость равновесной концентрации электронов при положении уровня Ферми вблизи EQ - 0,2 эВ обусловлены перестройкой четырех типов донорных комплексов между двумя равновесными конфигурациями: ТД2 - с уровнями EQ- 40 мэВ, E2i+~Ec~ 15 мэВ и ТД1 " с глубоким уровнем Е^+= EQ- 0,18 г 0,47 эВ. '

3. Установлена принадлежность перестраивающихся термодоноров в германии к центрам с отрицательной эффективной корреляционной энергией и определены их уровни двухэлектронного заполнения (Е^++ = Е - 0,11 * 0,26 эВ).

•» . - V

Показан многофононный механизм захвата электронов на уровень и найдены численные значения сечений см2 ) и энергии активации (0,25 f 0,47 эВ) данного процесса.

4. Показано, что молекулярные колебания неперестраивающихся донорных комплексов обуславливают полосы ИК-поглощения в области т

770 т 785 см , спектральное положение которых смещается в коротковолновую область при увеличении числа атомов кислорода в составе термодоноров.

5. Обнаружено радиационное стимулирование процесса образования термодоноров в германии и показано участие в их формировании комплексов кислород-вакансия (А-центров).

- 185

6. Установлено, что взаимодействие первичных радиационных дефектов с кислородосодержащими двойными термодонораш при 300 К приводит к трансформации последних в электрически неактивные комплексы, которые устойчивы вплоть до-температур образования термодоноров (Т-^573 К).

7. Предложена модель процесса образования термодоноров в германии, которая отличается от ранее предложенной Кайзером тем, что а) миграция междоузельных атомов кислорода при температурах 573 - 773 К рассматривается происходящей в ассоциированной с вакансией форме; б) структура отдельных типов термодоноров (ТД- I ) представляется в виде кислородно-вакансионных комплексов ( У-^О^)* а их природа двойной донорной активности связывается с электронами атома кислорода в окружении двух или более А-центров.

8. Установлено, что комплекс кислород-вакансия, обуславлит вавдий полосу Ж-поглощения при ^ 620 см , является в германии электрически активным центром с акцепторным энергетическим уровнем Eq- 0,23 ± 0,02 эВ. Определены значения частотного множите-7 Т ля ( 4.10 с"х) и энергии активации (0,94 эВ) отжига А-центра, рп о а также сечение его образования (~З.Г0 см ) при гамма-облучении кислородосодержащих кристаллов И'-типа.

9. Показано, что радиационное изменение электрофизических свойств кислородосодержащих ( > 2.I0*5 см"3) кристаллов германия р-типа при ^ 300 К определяется введением трех различных радиационных дефектов с энергетическими уровнями Е^н- 0,27,

0,18 и 0,13 эВ, а их концентрация, достигаемая при облучении образцов элёктронами с энергией 4 МэВ, линейно зависит от концентрации кислорода в исходных слитках.

10. Установлен донорный характер уровня ЕгГ+ 0,27 эВ и показана принадлежность акцепторных энергетических уровней

0,18 и 0,13 эВ многовакансионным кислородосодержащим комплексам, обуславливающим полосы ИК-поглощения в области 717 —т и 724 см соответственно.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить благодарность и признательность кандидату физико-математических наук, доценту Уреневу Валерию Ивановичу за руководство работой, помощь в постановке задач исследований, обсуждение экспериментальных результатов. Благодарю также соавтора работ, кандидата физико-математических наук В.А. Шершеля за обсуждение вопросов, связанных с анализом степени совершенства исходных монокристаллов.

Приношу глубокую благодарность заведующему кафедрой, доценту В.Ф. Стельмаху, сотрудникам и студентам кафедры физики полупроводников за полезные дискуссии и помощь при выполнении диссертационной работы.

Заключение

Изложенные в данной главе результаты исследований роли кислорода в образовании при ~ 300 К электрически активных кислородосодержащих РД сводятся к следующее:

1. Комплекс кислород-вакансш, обуславливающий полосу ИКт поглощения при ~ 620 см , является электрически активным центром в германии с акцепторным энергетическим уровнем Е -0,23+0,02 о эВ, а сечение его образования при облучении n-fre /"-кваятами 60Со равно 3.I0"27 см2.

2. Отжиг А-центра подчиняется кинетике первого порядка с

7 —Т энергией активации 0,94 эВ и частотным фактором 4.10 с х и происходит при температурах 393-433 К путем миграции комплекса как целого к стокам.

3. Взаимодействие первичных РД с кислородосодержащими двойными термодонорами при ~ 300 К приводит к трансформации последних в электрически неактивные комплексы, которые устойчивы вплоть до температуры образования термодоноров (Т ^ 573 К).

- 183

4. Радиационное изменение электрофизических свойств кислородосодержащих (>, 2.IQ-1-5 см"3) кристаллов германия р-типа при ~300 К обусловлено введением трех различных РД с уровнями

Е^ + 0,27 эВ, Е^ + 0,18 эВ и 0,13 эВ, а их концентрация, достигаемая при облучении образцов электронами с энергией 4 МэВ, линейно зависит от концентрации кислорода в исходных слитках.

5. Показана принадлежность акцепторных энергетических уровней Е^ч- 0,18 и Е^ + 0,13 эВ многовакансионным кислородосо-держащим комплексам, которые обуславливают полосы ПК-поглощения 717 и 724 см соответственно.

6. Установлен до норный характер уровня 0,27 эВ и указано на возможное участие в образовании данного дефекта собственного междоузельного атома и кислорода.

- 184

1..Piedmont J.R., Riorden R.J. The supply of germanium forfuture word demands. Proc. Soc. Photo - Opt. Instrum. Eng., 1979, v.164, p. 216 - 222.

2. Ровинский P.E., Рогалин B.E., Шершель В.А. Оптические свойства и области применения полупроводниковых монокристаллов германия. Изв. АН СССР, сер. физ., 1983, т.47, Ш, с. 406-409.

3. Дудник Е.П., Кузнецов А.С., Левинзон Д.И.Применение способа Степанова для получения крупногабаритных профилированных монокристаллов германия. Изв. АН СССР, сер. физ., 1976, т.40, Ш, с. 1332 - 1336.

4. Haller Е.Ё. Defects in germanium: new results and novel : .methods. В кн.: Труды Межд. конф. по радиац. физике полупро-водн. и родств. матер. - Тбилиси: Т61У, 1980, с. 233 - 248.

5. Шершель В.А., Левинзон Д.И., Макаров Г.Г., Сачков Г.В. К вопросу о получении германия с пониженным содержанием кислорода.- Изв. АН СССР, сер. физ., 1969, т.33, И2, с. 2025 2026.

6. Whan R.E. Investigations of oxygen-defect interactions between 25 and 700 К in irradiated germanium. Phys. Rev., 1965, v.140, а 2A, p. 690 - 698.

7. Brand S., Jaros M. Electronic properties and stability of first-row impurities in semiconductors. Phil. Mag. B, 1983, v.47, U 2, p. 199 - 210.

8. Глазов B.M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М.: Наука, 1967. - 371 с.

9. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и.связь, 1981. -.248 с.

10. Гончаров Л.А., Леонов П.А., Хорват A.M. Поведение кислорода в. германии. В кн.: Свойства легированных полупроводников. -М.: Наука, 1977, с. 9 - 16.- 188

11. Puller G.S., Kaiser W., Thur mond C.D. Donor equilibria in the germanium oxygen system. - J.Phys. Chem. Sol., 1960, v.16,

12. U 1/2, p. 161 163 ; 1-961, v. 17, IT 3/4, p. 301 - 307:.

13. Puller C.S., Dolei&en P.H. The ionisation behavior of donors formed from oxygen in germanium. J. Phys. Chem. Sol., 1961, v.19, N 3/4, P. 251 - 260.

14. Bioem J., Haas C., Penning P. Properties of oxygen in germanium. J. Phys. Chem. Sol., 1959, v.12, H 1/2, p. 22 - 27.

15. Гончаров Л.А., Ильин M.A., Рашевская Е.Д., Хорват A.M., Леонов П.А. Влияние кислорода на свойства . Изв. АН СССР, неорган, материалы, 1976, т.12, М, с. 9 - II.

16. Емцев В.В., Гончаров Л.А., Достходжаев Т.Н./Кислород в германии и его взаимодействие с точечными дефектами. Физ. и техн. полупроводников, 1978, т.12, в.1, с. 139 - 144.

17. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971, - 400 е.

18. I<aw J.Т., Meigs P.S. Rates of oxydation of germanium. J. Electrochem. Soc., 1957, v.104, И 3, p. 154 159.

19. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир, 1969. -654-е.

20. Kaiser W., Thurmond C.D. Solubility of oxygen in germanium. -" J. Appl. Phys., 1961, v.32, N 1, p. 115 118.

21. Millett E.J., Wood L.S., Bew G. Oxygen in germanium by vacuum fusion and infra-red absorption. Brit. J. Appl. Phys., 1965, v. 1:6, N 10, p. 1593 - 1594.

22. Thurmond C.D., Guldner,W.G., Beach A.L. Hydrogen.and oxygen in single-crystal germanium as determined by vacuum fusion gas analysis. J. Electrochem. Soc., 1956, v.103, N 11,p. 603 605.

23. Aleksandrova G.I., Shmanenkova G.I., Shchulepnikov M.N., Kond-ratiev L.G. Analyse De Metaux Rares et de Materiaux semiconductors A L7 aide De L'activation aux Helious-3 et aux Neutrons Thermigues. J. Radional. Chem., 1974, v.19, N 1, p. 65 -75.

24. Александрова Г.И., Гончаров Л.А., Ильин М.А., Рашевская Е.П., Леонов П.А., Хорват A.M. Определение кислорода в германии. -Зав. лабор., 1976, т.42, №9, с. 1079 1081.

25. Pell Е.М. Solubility of lithium in germaiiium. J. Phys. Chem. Sol., 1957, v.3, U 1/2, p. 74 - 76.

26. Pox R.J. Lithium drift rates and oxygen contamination in germanium. IEEE Trans. Nucl. Sci, 1966, NS-13, p. 367 - 369.

27. Souhgate P.D. Temperature dependence of internal friction in germanium. Phys. Rev., 1958, v. 11:0, N 4, p. 855 - 857.

28. Шершель В.А. Исследование электрофизических свойств германия с примесью кислорода.: Автореферат Дис. . канд. физ.~ мат. наук. Киев, 1970. - II с.- 190

29. Darken L.S. Oxygen equilibrium between germanium and gas over melt during growth. J. Electrochem. Soc., 1979» v.126, N 5, p. 827 - 833.

30. Darken L.S. The measurement of low levels of oxygen in germanium by the lithium precipitation technique. J. Electrochem. Soc., 1982, v.129, N 1, p. 226— 227.

31. Puller G.S., Wolfstim K.B. Kinetics and equilibria involving copper and oxygen in germanium. J. Appl. Phys., 1962, v.34, N 1., p. 438 - 446.

32. Edwards W.D. Interaction between oxygen and aluminium in germanium.- J. Appl. Phys.,1963, v.34, N 8, p. 2497 2498.

33. Elliott G. Oxygen as donor element in germanium. Nature (London), 1957, v.180, N 14, p. 1350 - 1351.

34. Быковский В.A., ?4удрыйА.В., Поскребышев. В.П. Излучательная рекомбинация на термических дефектах в германии, легированном кислородом. Физ. и техн. полупроводников, 1982, т.16, в.2, с. 351 - 353.

35. Fuller C.S. Kinetics of donor reactions, in oxygen-doped germanium.- J. Phys. Chem. Sol., 1961, v.19, N 1/2, p. 18 28.

36. Гончаров Л.А., Леонов П.А., Хорват A.M. Электрические свойства германия, легированного кислородом. Физ. и техн. полупроводников, 1976, т.10, в.5, с. 981 - 984.

37. Clauws P., Broeckx J., Simoen Е., Vennik J. DLTS and PTIS of new donors in oxygen-doped germanium. Sol. State Gommun., 1982, v.44, N 7, p. 1011 - 1014.

38. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: a new method characterize traps in semiconductors. J. Appl. Phys., 1974, v.45, N 7, p. 3023 - 3032.- 191

39. Kogan Sh.M., Lifshits T.M. Photoelectric spectroscopy a new method of analysis of impurities in semiconductors. -Phys. stat. sol.(a), 1977, v.39, N 1, p. 11 - 39.

40. Y/ruck D., Gaworzewski P. Electrical and infrared spectroscopic investigations of oxygen-related donors in silicon. -Phys. stat. sol.(a), 1979, v.56, N 2, p. 557 564.

41. Adachi E. Slow photoconductivity relaxation in oxygen-doped n-germanium. J. Appl. Phys., 1967, v.38, N 4, p. 1972.

42. Шик А.Я.,"Byль А.Я. Долговременные релаксации проводимости в полупроводниках. Физ. и техн. полупроводников, 1974, т.8, , в.9, с. 1675 - 1682.

43. Hiraki A.", Fukuhaga К. Electron irradiation of germanium containing unusual donors and acceptors. Ins Defects.in semiconductors: London-Bristol, 1972, p. 335 - 340.

44. Gleland J.W., James.F.J., Westbrook R.D. Defect-impurity interactions in irradiated germanium. IEEE Trans. Nucl. Sci, 1975, v.22, H6, p. 2289 - 2294.

45. Баранский П.И., Найдученко В.В., Шершель В.А. Анизотропия эффекта Холла в 2Г- облученном п-бе с примесью кислорода. -Укр. физ. журнал, 1970, т. 15, с. 1194 1197.

46. Баранский П.Й., Пеллер В.В.', Шершель В.А. Анизотропия холлов-ской подвижности носителей тока в -у- облученном п-ве с примесью кислорода. Укр. физ. журнал, 1972, т.17, №5,с.834-835.- 192

47. Soma. Т., Morita A. Perturbation theory of covalent crystals. III. Calculation of formation and. migration energies of a vacancy in Si and Ge.-J. Phys! Soc. Jap.,1972,v.32,N2,p.357-364.

48. Бабич B.M., Баранский П.И., Ильчишин В.А., Шершель В.А. Термоотжиг и электрическая активность кислорода в &е . Физ. и техн. полупроводников, 1974, т.8, в.6,- с. 1232 - 1235 .

49. Бабич В.М., Баранский П.И., Ильчишин В.А., Шершель В.А. Об аномально большом магнитосопротивлении бездислокационных кристаллов n-Ge , обогащенных примесью кислорода. Физ. и техн. полупроводников, 1976, т.10, в.9, с. 1735 - 1738.

50. Whan R.E. Optical studies of oxygen-defect complexes 'in ger- . manium. Bull. Am. Phys. Soc.,1964, v.9, ИЗ»'p. 278.

51. Whan R.E. Compositions of oxygen-defect complexes in irradiated germanium. Bull. Am. Phys. Soc., 1965, v.10, N3, p.320.

52. Whan R.E. Evidence for low-temperature motion of vacanciens in germanium. Appl. Phys. Lett., 1965, v.6, Ж 1,1,p. 221 223.

53. Becker J.P., Corelli J.C. Infrared properties of 40-60 MeV electron-irradiated germanium. J. Appl. Phys., 1965, v.36, H 11, p. 3606 - 3609.

54. Whan R.E. Oxygen-defect complexes in neutron-irradiated germanium. J. Appl. Phys., 1966, v.37, N 6, p. 2435 - 2439.

55. Stein H.J. Localized vibrational modes for implanted oxygen in germanium. J. Appl. Phys., 1973, v.44, Ж 6,p. 2889 2890.

56. Corbett J.W., Watkins G.D., Mc Donald R.S. Hew oxygen infrared bands in annealed irradiated silicon. Phys. Rev., 1964, v. 135, И 5A, p. A1.381 - A1388.- 193

57. Corelli J.C., Oehler G.C., Becker J.F., Eisentraut K.J. Annealing of infrared defect absorption bands in 40-MeV electron-irradiated silicon. J. Appl. Phys., 1965, v.36, N 5,p. 1787 -1788.

58. Callcott T.A., Mac Kay J.W. Irradiation damage in n-type germanium at 4,2 K. Phys. Rev., 1967, v.161, N 3, p. 698 - 710.

59. Watkins G.D. EPR studies of the .lattice vacancy and low-tempe*- . rature damage processes in silicon. Ini Lattice Defects in Semiconductors : London-Bristol, 1975, p. 1 - 22.

60. Baldwin J.A. Electron paramagnetic resonance in irradiated oxygen-doped germanium. J. Appl. Phys., 1965, v.36, N 3, P. 793 - 795.

61. Baldwin J.A. Two new paramagnetic centers in irradiated, oxygen-doped germanium. J. Appl. Phys., 1965, v.36, К 6,p. 2079.

62. Horiye H. Electron paramagnetic resonance in irradiated germanium. J. Appl. Phys., 1968, v.39, N 4, p. 2146 - 2147.

63. Быковский В.A., Мудрый А.В., Поскребышев В.П., Ткачев В.Д. Фотолюминисценция германия , облученного у- квантами- Физ. и техн. полупроводников, 1983, т.17, в.З, с.479 483.

64. Pigg J.C., Crawford J.H. Radiation effects and their annealing in gamma-irradiated Sb-doped germanium. Phys. Rev., 1964, v. 135, N 4A, p. A1141 - A11'50.

65. Акимченко Й.П., Вавилов B.C., Плотников А.Ф. Спектры фотопроводимости кристаллов германия , легированных кислородом и облученных быстрыми электронами. Физ. тверд, тела, 1966, т.8, в.7, с. 1981 - 1984.- 194

66. Ткачев В.Д., Уренев В.И. Влияние кислорода на образование радиационных дефектов в германии. Физ. и техн. полупроводников, 1971, т.5, в.8, с. 1622 - 1624.

67. Cleland J.W. Radiation and annealing studies on oxygen-doped and lithium diffused germanium. IEEE Trans. Nucl. Sci., 1972, v.19, И 6, p. 224 - 229.

68. Fukuoka N., Saito H., Tatsumi Y. The EQ- 0,20 eV level in germanium. In: Radiation Damage and Defects Semiconductors: London-Bristol, 1973, p. 328 - 334.

69. Ткачев В.Д., Уренев В.И. Взаимодействие элементарных дефектов решетки с атомами донорной примеси в германии. Физ. и техн. полупроводников, 1971, т.5, в.8, с. 1516 - 1521.

70. Витовский Н.А., Емцев В.В., Котина И.М., Машовец Т.В. Об одной закономерности радиационного дефектообразования в германии. Физ. и техн. полупроводников, 1971, т.5, в.II,с. 2231 2233.

71. Гончаров Л.А., Емцев В.В., Машовец Т.В., Рыбкин С.М. О комплексах дивакансия донор в бескислородном германии , облученном у - лучами. - Физ. и техн. полупроводников, 1972, т.6, в.2, с. 424 - 426. '

72. Cleland J.W., Crowford J.H., Holmes D.K. Effects of gamma radiation on germanium. Phys. Rev., 1956, v.102, IT 3,p. 722 724.

73. Витовский Н.А., Максимов M. ., Машовец Т.В. Кинетика накопления радиационных дефектов в германии высокой чистоты при гамма облучении. - Физ. и техн. полупроводников, 1970, т.4, в.12, с. 2276 - 2284. " '

74. Гершензон Е.М., Гольцман Г.Н., Емцев В.В., Машовец Т.В., Пти-цына Н.Г., Рывкин С.М. Роль примесей III и У групп в процессах образования дефектов при облучении германия. Письма в ЖЭТФ, 1971, т.14, в.6, с. 360 - 363.

75. Емцев В.В., Машовец Т.В. О комплексах вакансия донор в германии. - Письма в ЖЭТФ, 1971, т.13, в.12, с. 675 -679.

76. Машовец Т.В. Термодефекты в полупроводниках ( обзор ) Физ. и техн. полупроводников, 1982, т.16, в.1, с. 3 - 18.

77. Kaiser W., Frisch. H.L., Reiss H. Mechanism of the formation of donor states in heat-treated silicon. Phys. Rev., 1958, v.112, N 5, p. 1546 - 1554.83. 1{учис E.B. Методы исследования эффекта Холла. М.: Советское радио, 1974. - 328 с.

78. Debye Р.£., Conwell Е.М. Electrical properties on n-type Ge.~ Phys. Rev., 1954, v.93, H 4, p. 693 706.

79. Прикладная электрохимия J Под редакцией А.Л. Ретиняна. Л.: Химия, 1974. - 536 с.I

80. Еучинский П.В., Ломако В.М. Стабилизатор температуры в области 77 340 К. - Приб. и техн. эксперимента, 1976, М,с. 261 -'26'2.

81. Абдурахманов К.П., Котов Б.А., Тадки Аглаева С.Г., Умаров Т.А. Управляемый стабилизатор температуры. - Приб. и техн. эксперимента, 1982, J6I, с. 241 - 242.

82. Morin P.J. Lattice-scattering mobility in germanium. Phys. Rev., 1954, v.93, N 1, p. 62 - 63.

83. Morin F.J., Maita J.P. Conductivity and Hall effect in the intrinsic range of germanium. Phys. Rev., 1954, v.94, N 6, p. 1525 - 1529.

84. Минаев H.C., Поклонский H.A. Неравновесная стационарная функция распределения дефектов по зарядовым состояниям в полупроводниках. Вестн. Белорусского ун - та, 1975, сер.1, Ш, с. 66 - 68.

85. Бонч Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. - М.: Наука, 1977. - 672 с.- 126

86. Блекмор Д. Статистика электронов в полупроводниках. М. : Мир, 1964. - 393 с.

87. Мак Кракен Д.,' Дорн У. Численные методы и программирование на фортране. - М.: Мир, 1977. - 584 с.

88. Баранский П.И., Клочков В.Г., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев: Наукова думка, 1975. - 704 с.

89. Химмельблау Д. Прикладное нелинейное программирование. М.: Мир, 1975. - 534 с.

90. Амелинкс'С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968. - 440 с.

91. Келли Б. Радиационное повреждение твердых тел. М.: Атомиз-дат, 1970. - 240 с.

92. Дамаск А.', Дине 'Дж. Точечные дефекты в металлах. М.: Мир, 1966. - 292 с.

93. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979. - 336 с.

94. Литвинов В.В., Супрун Белевич'Ю.Р., Уренев В.И. Перестройка донорных кислородных комплексов в германии. - В сб.: Тез. докл. Всесоюзного совещ. по кинетике и механизму реакций в твердом теле : Кемерово, 1981, с. 59 - 60.

95. Литвинов В.В., Заневский В.Г. О спектре энергетических уровней кислородосодержащих термодоноров в германии. В сб.: Тез. докл. УН Республ. конф. мол. ученых по физике : Минск, 1982, с. 139."- 197

96. Литвинов В.В., Уренев В.И. О зарядовом состоянии и спектре энергетических уровней кислородосодержащих термодоноров в германии. Физ. и техн. полупроводников, 1983, т.17,в.6, с. 1099 II0I.

97. Литвинов В.В., Пальчик Г.В. Перестраивающиеся термодоноры в германии. В сб.: Материалы УШ Республ. конф. мол. ученых по физике: Минск, 1984, с. 72 - 74.

98. Ньюмен Р., Тайлер В. Фотопроводимость германия. Успехи физ. наук, I960, т. ЯН, в.З, с. 587 - 626.

99. Suchet J.P. Sur" le role de l'oxygene dans les cristaux de silicium. J. Ghim. Phys., 1961, v.58, N 4, p. 455 - 463.

100. Henry C.H., Lang D.V. Nonradiative capture and recombination by multiphonon emission in GaAs and GaP. Phys. Rev., 1977, V.B15, N 2, p. 986 - 1016.

101. Ткачев В.Д., Макаренко Л.Ф., Маркевич В.П., ОДурин Л.И. Перестраивающиеся термодоноры в кремнии. Физ. и техн. полупроводников, 1984, т.18, в.З, с. 526 - 531.

102. Watkins G.D., Troxel J.R. Negative U properties for point defects in silicon. - Phys. Rev. Lett., 1980, v.44, N 9,p.593.

103. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation mo-dell for localized gap states in lone-pair semiconductors.-Phys. Rev. Lett., 1976, v.37, N 22, p. 1504 1507.

104. Anderson P.W. Modell for the electronic structure of amorphous semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1975, v.34, И 15, p. 953 - 955.

105. Baraff G.A., Kane E.O., Schluter M. Theory of the silicon vacancy: an Anderson negative U-system. Phys. Rev., 1980,v.B21, U 12, p. 5662 5686.

106. Langer J.M. Lattice relaxation, radiative and non-radiative' deexcitation at localized defects. Radiat. Eff., 1983, v.72, N 1-4, p. 55 - 72.- 198

107. Hoffmann H.J. Charge carrier statistics of semiconductors containing defects with negative electronic correlation energy. Appl. Phys., 1982, v A27, N 1, p. 39 - 47.

108. Hoffmann H.J. Defect-level analysis of semiconductors by a new differential evaluation of n( l/T)-characteristics. -Appl. Phys., 1979, v.19, К 3, p. 307 312.

109. Passler R. Temperature dependences of the nonradiative mul-tiphonon carrier capture and ejection properties of deep traps in semiconductors.!. Theoretical results. Phys. stat. sol.(b), 1978, v.85, N 1, p. 203 - 215.

110. Синявский Э.П., Коварский В.А. Квазиклассическая оценка поперечников многофононного захвата в некондоновском приближении для деформационного взаимодействия. Физ. тверд, тела, 1967, т.9, в.5, с. 1464 - 1472.

111. Литвинов В.В., Уренев В.И. О радиационном стимулировании процесса образования кислородосодержащих термодоноров в германии. Физ. и техн. полупроводников, 1984, т.18, в.4,с. 716 718.

112. Binns M.J., Brown W.P., Wilkes J.G., Newman R.C., Levings-ton P.M., Messolaras S., Stewart R.J. Diffusion limited precipitation of oxygen in dislocation-free silicon. Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, N 6, p. 525 - 527.

113. Newman R.C., Oates A.S., Levingston P.M. Self-interstitials and thermal donor formation in silicon: new measurements and a model for the defects. -J. Phys. C: Sol.St. Phys., 1983, v.16, N 19, p. L667 L674.

114. Gosele U., Tan T.Y. Oxygen diffusion and thermal donor formation in silicon.- Appl. Phys.,1982, V.A28, N2, p. 79 92.

115. Stavola M., Patel J.R., Kimerling L.C., Freeland P.E. Diffu-sivity of oxygen in silicon at the donor formation temperature. Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, N 1, p. 73 - 75.- 199

116. Suezawa M., Sumino К. Nature.of thermal donors in silicon crystals. Phys. stat. sol.(a),1984, v.82,К 1,p.235 - 242.

117. Pajot В., Compain H., Leroullle J., Clerjaud B. Spectroscopic studies of 450 °C thermal donors in silicon.-Physica, 1983, V.BC117-118, N 1, p. 110 112.

118. Helmreich D., Sirtl E. Oxygen in silicon: a modern view. -In: Semiconductor Silicon 1977 : Princeton-New-York, 1977,p. 626 636.

119. Rava P., Gatos H.C., Lagowski J. Thermal activated oxygen donors in Si. -J.Electr.Soc.,1982,v.129, N12,p.2844 2849.

120. Литвинов В.В., Уренев В.И., Шершель В.А. Об энергетическом уровне и отжиге А центра в германии. - Физ. и техн. полупроводников, 1983, т.17, в.9, с. 1623 - 1626.

121. Литвинов В.В., Уренев В.И., Шершель В.А. Об электрически активных кислородосодержащих радиационных дефектах в германии р-типа. Физ. и техн. полупроводников, 1984, т18 , в.6,с. II3I 1133.

122. Corbett J.W.,'Watkins G.D., Chrenko R.M., Mc Donald R.S. Defect in irradiated silicon. II. Infrared absorption of^the Si-A center.-Phys.Rev. ,1961, v.121, N 4,р.Ю15 1022.

123. Benton J.L., Kimerling L.C., Stavola M. The oxygen related donor effect in silicon.-Physica,1983, v,BC116,N1-3,p.271.

124. Kimerling L.C., Benton J.L. Oxygen-related donor states in silicon. Appl. Phys. Lett. ,1981, v.39, N5, р.4Ю - 412.

125. Laithwaite K., Newman R.C., Totterdell D.H.J. Interstitial -defects involving boron in irradiated silicon. J. Phys.С: Sol. St. Phys., 1975, Y.8, N 2, p. 236 - 242.

126. Lindstrom L.J., Oehrlein G.S., Jaworowski E.A., Corbett J.W. The mechanism of the enhancement in divacancy productionby oxygen during electron irradiation of silicon. I.Experimental.- J. Appl. Phys.,1982, v.53,N 12, p.8686 8690.

127. Литвинов В.В., Ле тхи Оань. Образование радиационных доноров в германии р-типа. В кн.: Актуальные вопросы физики конденсированных и плазменных сред. - Киев : Ротапринт ШИ-82 - 8, 1982, с. 27 - 30.

128. Литвинов В.В., Уренев В.И., Шершель В.А. Электрически активные кислородосодержащие радиационные дефекты в германии.

129. В кн.: Тез. докл. Всесоюзной конфер. по радиационной физ. полупровода, и родств. матер. Ташкент : ФАН, 1984, с.II.

130. Nakazawa. F., Ishino S., Higashinakagawa J., Hasiguti R.R. Impurity dependence of annealing of у-гаУ irradiated N-type germanium.- J.Phys.Chem.Sol.,1965, v.26, N12,p.1895 -1907.

131. Fukuoka N., Saito H. Radiation defects in n-type germanium studied by deep level transient spectroscopy. Jap. J. Appl. Phys., 1981, v.20, N 7, p. L519 - L522.

132. Емцев В.В., Машовец Т.В., Тропп Э.А. Кинетика образования дефектов в полупроводниках при последовательном захвате нескольких вакансий атомом примеси. Физ. и техн. полупроводников, 1978, т.12, в.2, с. 293 - 298.

133. Витовскйй Н.А., Машовец Т.В., Емцев В.В., Морозов Ю.Г. Кинетика взаимодействия точечных радиационных дефектов структуры с примесными атомами в полупроводниках. Физ. и техн. полупроводников, 1974, т.8, в.II, с. 2276 - 2279.

134. Fukuoka If., Saito Н. The defects' produced by electron irradiation and annealed at about ЗбО К in n-type germanium. -Jap. J. Appl. Phys., 1974, v.13, Н Ю, p. 1524 1532.

135. Stein H.J. Divacancy-like adsorption in ion-bombarded Ge. -In: Radiation Damage and Defects Semiconduct.: London-Bristol, 1973, p. 315 321.

136. Gerasimov A.B., Dolidze N.D., Donina R.M., Konovalenko B.M., Ofengeim G.L., Tsertsvadze A.A. On the identification and possible space orientation of "light-sensetive" defects in Ge. Phys. stat. sol.(a), 1982, v.70, N 1, p. 23 - 28.

137. Fukuoka N., Saito H., Kambe Y. Oxygen-related defects, in irradiated germanium. Jap. J. Appl. Phys., 1983, v.22,1. N 6, p. 353 355.

138. Витовский H.A., Коноваленко Б.М., Машовец Т.В., Рывкин С.М., Ярошецкий И.Д. О дефектах в германии , созданных лучами. Физ. тверд, тела, 1963, т.5, в.7, с. 1833 - 1841.

139. Kaima А.Н., Corelli J.С., Cleland J.W. Production of disordered regions in germanium by electron irradiation. J. Appl. Phys., 1966, v.37, N 10, p. 3913 - 3915.

140. Kostoski D., Stojic M., Speric V. Lattice defects in f-irradiated p-type germanium.-Fizika, 1978, v.10, N2, p.49 53.

141. Васильева Е.Д., Емцев В.В., Машовец Т.В. Взаимодействие галлия с собственными дефектами в германии при гамма облучении. -Физ. и техн. полупроводников, 1983, т.Л7, в.I,с.35-39.

142. Литовченко П.Г., Гаврилов Г.М., Бородбвский Я.А. О центрах рекомбинации в бескислородном германии р типа. - Физ. и техн. полупроводников, 1974, т.8, в.5, с. 954 - 962.

143. Явид В.Ю. Рекомбинация на радиационных дефектах в германии : Автореф. Дис. . канд. физ. мат. наук. - Минск, 1979. -12 с.

144. Физические процессы в облученных полупроводниках./ Под редакцией Л.С. Смирнова. Новосибирск : Наука, 1977. - 256 с.

145. Ершов С.Н., Пантелеев В.А., Нагорных С.Н., Черняховский В.В. Энергия миграции собственных точечных дефектов в различном зарядовом состоянии в кремнии и германии. Физ. тверд, тела, 1977, т.19, в.1, с. 322 - 323.