Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

У

на щхтах рукописи.

Воронснков Владислав Валерьевич

Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия

Специальность 01.01.10 физика полупроводником

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации па соискание ученой степени кандидата фюико математических наук

Научный руководитель доктор фплжо математических наук, профессор Юрип Георгиевич Шретер

шкт Петербург 2014 год

005557781

005557781

Работа выполнена I! федеральном государственном автономном образовательном учреждении высшего образования «Сапкт-Петербургскпй государственный политехнический университет»

Научный р.укоЕюдитель: Шретер Юрий Георгиевич,

доктор физико-математических наук, профессор

Официальные оппоненты: Юнович Александр Эммапуилович, доктор

фпзпко математических наук, профессор кафедры физики полупроводников, ФГБОУ ВПО «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова» г. Москва; Кузнецом Владимир Владимирович, доктор физико математических паук, профессор кафедры физической химии ФГБОУ ВПО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.II.Ульянова (Ленина)», г. Санкт-Петербург;

Ведущая организация: Федеральное государственное бюджетное

образовательное учреждение высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный университет», г. Санкт-Петербург;

Защита состоится 18 декабря 2014 года в 14.00 часов на заседании диссертационного совета Д 212.229.01 в ФГАОУ ВО ''Сапкт Петербургский государственный политехнический университет" по адресу: 195251, Сапкт Петербург, ул. Политехническая, д. 29, учебный корпус 4, ауд. 305.

С диссертацией можно ознакомиться в фундаментальной библиотеке ФГАОУ ВО "Саикт Петербургский государственный политехнический университет" и па сайте кИр://Чу\у\у.«рЬк1и.ги/нс1епсе/(1еГе11се«/<1еии1«-0020.Ыш1

Автореферат разослан « » ноября 2014 г.

Ученый секретарь диссертационного совета Д 212.229.01, доктор технических паук, профессор

Коротков Александр Станиславович

Общая характеристика работы

Актуальность темы.

Нитрид галлия (GaN) прямозоппый полупроводник с ширимом зоны при комнатном температуре 3,1 эВ н высокой подвпжпостыо электроном |1|. Твердые растворы па основе нитрида галлия (InGaN, AlGaN) позволяют получить материал с шириной зоны от 0,7 эВ до G,() эВ, что определяет GaN как перспективный материал для создания светодподов и лазеров, работающих ii видимом и ультрафиолетовом диапазоне, а также силовых и сиерхвысокочастотиых (СВЧ) приборов.

Вследствие в1.юокой стоимости и малого объема производства объемного GaN, большинство этих прибором выращиваются но энптаксиальиой технолог ии на подложках сапфира, кремния пли карбида кремния. Слои GaN, полученные па таких инородных подложках, имеют высокую плотность дислокаций, что ухудшает параметры получаемых приборных структур: уменьшается время жизпи лазеров |2| и силовых приборов, увеличиваются обратные токи диодов |3|, падает быстродействие СВЧ приборов |4|, ухудшается теплопроводность материала |5|. Использование "родственной" подложки GaN позволяет выращивать качественные приборные структуры, превосходящие по своим параметрам приборы, выращенные па чужеродных подложках |G, 7, 8|. Ужесточение требований к характеристикам и времени жнзим приборов па основе GaN обострило интерес ко всем методам получения объемного GaN с низкой плотностью дислокаций.

По состоянию па сегодняшний день наилучшие результаты достигнуты в области хлорид гидридпой газофазном эпитаксип (ХГФЭ), аммонотермалыюго метода и метода выращивания из раствора натрии галлий (9, 10, 11|.

Полученные методом ХГФЭ толстые слон позволили компании Sumitomo начать серийный выпуск синих лазеров приборов, крайне требовательных к качеству подложки |12]. Наряду с этим, метод ХГФЭ позволяет получить достаточно высокую скорость роста, обычно порядка первых сотен микрон в час (заявлены скорости до 500 мкм/час |13| и до 1870 мкм/час |14|), что позволяет выращивать слон толщиной в несколько миллиметров |15|. Также методом ХГФЭ можно выращивать нитриды индия |1С| и алюминия |17|, твердые раствори AlxGa(i.x)N и InxGa(1.x)N с заданным составом |18|, производит!, легирование п тина 1101 н р тина |2()|, получать иолуизолпруюшие компенсированные слои |21| и создавать приборные структуры |18|. Плотность дислокаций в кристаллах, выращенных методом ХГФЭ состамлиет порядка 105 ~ 106 см"2 при использовании подложки сапфира и может быть уменьшена до значений менее 103 см"2 нри использовании подложек, полученных выращиванием из жидкой фазы |22|.

Таким образом, хлорид гпдридпая эпитакспя является перспективным методом выра-щпваппи объемного GaN для пзготовлепни подложек.

Основными проблемами, с которыми столкнулись исследователи при выращивании толстых слоев GaN методом ХГФЭ, являются образование па поверхности слоя макроскопических дефектов ямок роста |23| и растрескивание слоя GaN в процессе роста

Рис. 1: Реактор для выращивания слоен нитрида галлия методом хлорид гидридиой газофазной эпитаксии.

из-за растягивающего ростового напряжения |24|. Цели диссертационной работы.

Группой исследователей, в которой участвовал автор данной работы, был разработай и построен ХГФЭ реактор, предназначенный для выращивания толстых слоев нитрида галлия на подложке диаметром 50 мм. Фотография реактора приведена па рис. 1. Целью данной работы было:

1. улучшить такие характеристики реактора, как однородность толщины получаемого слоя нитрида галлия по подложке и коррозионная стойкость ростовой камеры;

2. определит!, механизм возникновения ямок роста и предложить способы выращивания слоев нитрида галлия без ямок;

3. определить механизм возникновения растягивающего ростового напряжения п предложит]» пути его уменьшения.

Задачи диссертационной работы.

Достижение означенных целей потребовало решения следующих задач:

1. Создание программного пакета для расчета химического равновесия в многокомпонентной системе. Для того, чтобы можно было учитывать в расчете все участвующие в процессе вещества, включай материалы реактора и продукты пх разложении, потребовалась разработка модифицированного алгоритма, обеспечивающего устойчивую сходимость в сложных задачах.

2. Создание численной модели реактора, и проверка того, верно ли эта модель описывает реальные процессы в реакторе.

3. Микроскопическое исследование морфологии поверхности слоев нитрида галлия, выращенных в ХГФЭ реакторе.

4. Микроскопическое исследование структуры трещин в слоях нитрида галлия, выращенных при различных параметрах ростового процесса.

Основные полученные в работе результаты:

1. Оптимизированы режимы работы ХГФЭ реактора: осаждения нитрида галлия, хлорирования галлия и очистки ростовой камеры. Подобраны материалы, наиболее устойчивые к атмосфере ХГФЭ реактора.

2. Определены причины возникновения ямок роста, предложены методы предотвращения образования ямок и описаны механизмы зарастания уже возникших ямок.

3. Определено влияние параметров ростового процесса па растрескивание слоев нитрида галлия. Предложены способы подавления растрескивания. Оптимизирован процесс еамоотделеиия толстых слоев нитрида галлия от подложки.

Научная значимость работы:

1. Определены параметры процесса хлорид гндрпдпой газофазной эпитаксии нитрида галлия, при которых происходит переход от трехмерного режима роста к двухмерному.

2. Определены параметры ростового процесса, влияющие на величину ростового напряжения. Предполагается, что механизмом возникновения растягивающего ростового напряжения при выращивании нитрида галлия методом хлорид гидридпой газофазной эпитаксии является поглощение точечных дефектов прорастающими дислокациями.

Практическая значимость:

1. Создан алгоритм нахождения химического равновесия в многокомпонентной системе, устойчиво сходящийся па задачах, возникающих при анализе процесса хлорид гндрпдпой газофазной эпитаксии.

2. Неоднородность толщины слоен нитрида галлия но подложке понижена с 30% до 5%.

3. Плотность V образных ямок па поверхности сдоен толщиной 2 мм понижена до 1 см"2.

4. Предложен и апробирован ряд новых конструкционных материалов для использования в качестве арматуры в реакторах ХГФЭ.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Ростовое напряжение механическое растягивающее напряжение, возникающее в слоях нитрида галлия в процессе выращивания па чужеродной подложке, увеличивается с повышением температуры подложки, уменьшением скорости роста, уменьшением угла среза подложки. При трехмерном режиме роста величина напряжения существенно ниже, чем при двухмерном режиме.

2. Наблюдается дна режима роста нитрида галлия: двухмерный и трехмерный. Слои нитрида галлия, выращенные в двухмерном и трехмерном режимах, различаются шероховатостью поверхности, огранкой ямок роста п величиной ростового напряжения , причем при изменении режима роста скачкообразно изменяются все перечисленные параметры.

3. Переход от двухмерного режима роста нитрида галлия к трехмерному, пропс ходит резко нрп плавном изменении температуры подложки Т или скорости роста v. Граница между областями двухмерного и трехмерного режимов роста описывается следующим выражением: v = i'ocxp Е — где Е = 7.5±0.5 эВ, ъ'о = 100 мкм/час, Т0 = 132(1 К.

Степень достоверности и апробация диссертационной работы.

Теоретические расчеты, проведенные автором, основываются па хорошо известных методах химической термодинамики, гидродинамики и теории упругости и подтверждаются экспериментальными результатами, как приведенными в литературе, так п полученными автором. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на международных конференциях:

1. 219 ECS Meeting (Канада, Монреаль 2011),

2. VIII Всероссийской Конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы" (Санкт-Петербург 2011),

3. 4th International Symposium on Growth of Ill-Nitrides (Санкт-Петербург 2012),

4. International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (Япония, Саппоро 2012),

5. 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (Германия, Зеоп 2013).

Публикации.

Основные результаты диссертации опубликованы в С статьях в рецензируемых изданиях и 11 тезисах докладов.

Личный вклад автора.

Вклад автора заключался 1! проведении теоретических расчетов, осуществлении микроскопических исследований морфологии образцов, анализе и обсуждении результатов исследований, представлении результатов па конференциях и семинарах, подготовке статей к публикации.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, 3 глав, заключения, пяти приложений, списка сокращений и списка литературы. Объем работы составляет 174 страницы, в том числе 80 рисунков и 7 таблиц. Список литературы включает 393 наименования.

Содержание работы

Во Введении обоснована актуальность темы диссертации, определены цели работы, научная новизна и практическая значимость полученных в работе результатов, сформулированы научные положения, выносимые па защиту.

Первая глава посвящена теоретическому анализу процессов, происходящих в ХГФЭ реакторе. Целью анализа было решение следующих основных задач:

1. В настоящее время в качестве переносчика галлия используется монохлорид галлия СаС1, получаемый в лодочке, расположенной внутри ХГФЭ реактора. Использование лодочки усложняет конструкцию реактора. Требовалось предложить способ получения хлоридов галлии вне реактора и доставки их в реактор по "теплым'' (прогреваемым не более, чем до 200°С) трубам.

2. В ходе длительных ростовых процессов па деталях ростовой камеры реактора образуется полнкрнсталлическнй осадок нитрида галлия. Требовалось разработать методику очистки деталей реактора от этого осадка.

3. Основным конструкционным материалом деталей высокотемпературной части практически всех, известных нам, ХГФЭ реакторов является кварц, которому присущи следующие недостатки: кварц реагирует с галлием, что приводит к загрязнению кремнием выращиваемых слоев нитрида галлия. Детали из кварца нежелательно нагревать выше 1100°С, что ограничивает температурный диапазон ростовых условий. Изготовление деталей сложной формы из кварца затруднительно, вследствие чего

конструкция ограничивается простыми формами. Для разработки реактора, пригодного для промышленной эксплуатации, ставилась задача подбора жаростойких, химически устойчивых, простых в обработке материалом для замещения кварца.

4. Неоднородность толщины выращенных слоев нитрида галлия составляла около 30%. Требовалось уменьшить неоднородность скорости осаждения до значений менее 10%.

В разделе 1.1 приводятся численные алгоритмы расчетов состояния равновесия. Использование стандартных алгоритмов обнаружило их плохую сходимость в задачах, возникающих при анализе ХГФЭ реактора. Для решения таких задач был разработан модифицированный, устойчиво сходящийся алгоритм.

В разделах 1.2-1.4, с использованием модифицированного алгоритма, анализируются процессы 1! лодочке, ростовой камере и выпускной части ХГФЭ реактора; рассматривается коррозионная стойкость различных материалов в среде ХГФЭ реактора.

Показано, что вынести источник галлии за пределы реактора можно, если для переноса галлия использовать трпхлорид галлия ваСЬ). Определены два режима хлорирования при которых основным продуктом является СаС1а: хлорирование при низкой температуре и хлорирование в избытке хлора.

Рассмотрены различные потенциальные травптели для удаления поликристаллнческо-го осадка нитрида галлия. Оптимальным представляется использование хлористого водорода, в виду высокой летучести хлоридов галлпя. Предложены два рецепта очистки ростовой камеры от паразитного осадка.

Рассмотрена коррозионная стойкость различных конструкционных материалов в атмосфере ХГФЭ реактора. Показано, что наряду с традиционным кварцем, в конструкции реактора целесообразно применять оксид алюминия, нитрид бора, молибден, вольфрам и металлы платиновой группы.

В разделе 1.5 рассмотрен процесс роста нитрида галлия в приближении локального термодинамического равновесия. Рассматриваются границы применимости такого приближения, и рассчитывается зависимость скорости роста СаК от температуры и состава газовой среды.

В разделе 1.0 приведен расчет течения разов в ХГФЭ реакторе. Рассчитано течение газов в ХГФЭ реакторе при типичном режиме эксплуатации. Обнаружено, что получению однородного осаждения препятствует естественная конвекция. Описаны несколько способов подавления естественной конвекции. Предложен оптимизированный режим, при котором пространственная неоднородность толщины слоя GaN уменьшена до 5%.

Во второй главе рассмотрены параметры, влияющие па качество получаемого слоя нитрида галлия.

В разделе 2.1 приведен обзор известных из литературы методов обработки подложки перед выращиванием ваМ, позволяющих улучшить качество выращиваемого слоя. Описаны результаты наших опытов по выращиванию слоев па подложке сапфира, на подложке сапфира со слоем ва!М, нанесенном методом МОГФЭ (так называемом "темплейте"), и на подложке сапфира с применением низкотемпературного буферного слоя Са1Ч.

В разделе 2.2 описаны два режима роста ваМ, двухмерный и трехмерный, и их зависимость от параметров ростового процесса. Выращенные в разных режимах сдои различались шероховатостью поверхности, огранкой ямок роста, и величиной растягивающего ростового папряжеппи. Слои, выращенные в трехмерном режиме, имели шероховатую поверхность. Ямки роста в таких слоях имели форму перевернутого конуса с углом раствора более 80° градусов. Растрескивания слоев в процессе роста не наблюдалось. Слои, выращенные в двухмерном режиме имели гладкую поверхность. Ямки роста имеют форму шестигранной пирамиды с углом раствора от 57° до 60° градусов. В процессе роста в таких слоях образовывались трещины, что свидетельствует о растягивающем ростовом напряжении, величина которого превысила предел прочности нитрида галлия. Обнаружено, что тип режима двухмерный или трехмерный, определяется температурой подложки и скоростью роста. Полученная зависимость режима роста от температуры и скорости роста приведена па рис. 2. Граница между областями двухмерного и трехмерного роста в координатах Арреппуса имеет наклон, соответствующей энергии активации 7.5 ± 0.5 эВ, и может быть описана эмпирическим выражением

где Тго-»зо 11 г>2о->зо есть температура и скорость роста, при которых происходит переход, а Е = 7.5 ± 0.5 эВ, г,'о = 100 мкм/час, Т0 = 1320 К экспериментально определенные параметры. Предложена модель, объясняющая различие свойств слоев, выращенных в разных режимах.

В разделе 2.3 описаны ямки роста характерные дефекты па поверхности толстых слоев СаГ1!. Приведен обзор работ, в которых изучались ямки роста. Описаны методы наблюдения ямок роста и подготовка образцов. Показано, что основными причинами возникновения ямок в процессе выращивания толстых слоев являются частицы нитрида галлия, образовавшиеся па деталях ростовой камеры реактора и упавшие па поверхность.

В третьей главе рассмотрена одна из ключевых проблем I! технологии выращивания толстых слоев ваК механические напряжения.

В разделе 3.1 рассмотрены основные механизмы возникновения напряжения при выращивании нитрида галлия на подложке сапфира. Особое внимание уделяется так называемому "ростовому" напряжению растягивающему механическому напряжению, возникающему в слое нитрида галлия в процессе роста.

В разделе 3.2 приведены результаты исследования растрескивания слоев GaN в процессе ХГФЭ. На основе данных о типе и плотности трещин получена оценка абсолютной величины напряжения, имевшегося в слое нитрида галлия во время роста. Установлено, что в процессе роста в слоях ваМ развивалось растягивающее напряжение, величина которого достигает 500 МПа. Определена зависимость напряжения от режима роста, температуры, скорости роста и угла среза подложки. Предполагается, что механизмом возникновения растягивающего напряжения в процессе выращивания слоя СаК является поглощение точечных дефектов прорастающими дислокациями, происходящее на поверх-

а

и 10

О \ -

N

о\ \

4«

\

\

30

20

\ " \

N.

1/Т ■ 103К

Рис. 2: Зависимость режима роста от температуры и скорости осаждения, построенная в координатах Аррепнуса. Каждой точке на графике соответствует пленка, выращенная в отдельном ростовом эксперименте. Пленки с морфологией, соответствующей двухмерному росту обозначены светлыми кружками, пленки с морфологией, соответствующей трехмерному росту обозначены темными кружками. Пунктирной линией обозначена предполагаемая граница между областями двухмерного и трехмерного роста.

мости слоя п сопровождающееся переползанием дислокаций.

В разделе 3.4 рассмотрен метод уменьшения напряжения в слое GaN путем разделения слоя па механически несвязанные области. Показана эффективность такого подхода для уменьшения кривизны и предотвращения растрескивания в толстых слоях Са1Ч, выращенных па подложке сапфира.

В разделе 3.5 проанализирован процесс самопроизвольного отделения объемного слоя ваК от подложки в процессе охлаждении. Одной из проблем такой технологии отделении подложки являлось раскалывание слоя Са1Ч. Предложено несколько путей предотвращения раскалывания.

В Заключении сформулированы основные результаты работы:

• Исследована химическая термодинамика процессов, протекающих в ХГФЭ реакторе.

— Дли проведения термодинамических расчетов написана программа, реализующая метод итерационного уравновешивания химических реакций.

— Показано, что вынести источник галлия за пределы реактора можно, используя для переноса галлия его трихлорнд СаС1;). Показано два режима хлорирования для получения СаС1;): хлорирование при низкой температуре н хлорирование в избытке хлора.

— Предложена методика очистки деталей реактора от поликристаллического осадка GaN путем термического разложении СаЫ с последующим травлением образовавшегося металлического галлия при пониженной температуре.

— Проанализирована химическая стойкость к атмосфере ХГФЭ реактора различных конструкционных материалов, выявлены возможные источники загрязнения, предложены более стойкие заменители.

• Проведен расчет полей температуры, скорости и концентраций реагентов в ХГФЭ реакторе. Показано, что неоднородность осаждения связана с возникновением естественной конвекции в ростовой камере. Подавление естественной конвекции позволило уменьшить неоднородность скорости роста до 5%.

• Исследованы слои ваМ, выращенные в двухмерном и трехмерном режимах. Обнаружено, что выращенные в разных режимах слои различаются шероховатостью поверхности, огранкой ямок роста и величиной растягивающего ростового напряжения, причем при нзмепеппн режима роста скачкообразно изменяются все три перечисленных параметра слоя. Определены температура и скорость осаждения, при которых происходит изменение режима роста. Установлено, что скорость роста, при которой происходит переход от двухмерного режима роста к трехмерному, экспоненциально зависит от температуры.

• Исследованы ямки роста V образные дефекты на поверхности толстых слоев Са1Ч. Показано, что при выращиваппи объемных слоев ваЫ методом ХГФЭ основными

причинами возникновения ямок роста являются частицы GaN, образовавшиеся на деталях ростовой камеры и упавшие па поверхность. Предлагается заращивать ямки роста, для этого был изучен процесс зарастания ямок роста. Описано два механизма зарастания: зарастание при изменении механизма роста п зарастание при образовании быстрорастущей грани па дне ямки.

• Исследованы механические напряжения в слоях нитрида галлия па подложке сапфира. Показано, что основными механизмами возникновения напряжений при ХГФЭ нитрида галлия является так называемое ростовое напряжение растягивающее напряжение, величина которого определяется следующими факторами: механизмом роста, температурой, скоростью роста, плотностью прорастающих дислокаций и углом среза подложки. Предполагается, что механизмом возникновения растягивающего ростового напряжения является поглощение точечных дефектов па прорастающих дислокациях. Кроме того, при охлаждении после роста возникает термическое напряжение, из-за различия коэффициентов термического расширения сапфира и нитрида галлия

• Разработана методика уменьшения напряжения при выращивании толстых слоев, путем разделения слоя на механически несвязанные области, размер которых сопоставим с толщиной подложки. Исследован и оптимизирован процесс самопроизвольного отделения толстого слоя GaN от подложки в процессе охлаждения. Основной проблемой ири самопроизвольном отделении являлось раскалывание объемного слоя GaN. Показано, что предотвратить раскапывание можно, увеличив отношение толщины слоя GaN к толщине подложки.

В Приложении А для удобства читателя приведены основные понятия химической термодинамики.

В Приложении В описан предложенный в данной работе модифицированный алгоритм расчета химического равновесия.

В Приложении С приведен расчет деформации подложки с напряженным слоем, учитывающий нелинейные эффекты, возникающие при больших деформациях.

В Приложении D приведет,! использованные методы расчета коэффициентов диффузии и исходные данные.

В приложении Е приведены некоторые свойства переходных металлов, использованные для оценки их пригодности в качестве конструкционного материала ХГФЭ реактора.

Список цитируемой литературы

|l| Morkoc Hadis. General Properties of Nitrides // Handbook of Nitride Semiconductors and Devices. Wiley-VCH Verlag GmbH and Co. KGaA, 2009. P. 1 129.

|2| High-power GaN-based semiconductor lasers / M. Ikeda, T. Mizuno, M. Takeya et al. // Physica Status Solidi (c). 2004. Vol. 1, no. G. P. 14G1 14G7.

131 Electrical characterization of GaN p-11 junctions with and without threading dislocations / P. Kozodoy, .1.Р. Ihbetson, H. Marchand el al. // Applied Physics Letters. 1998. Aug. Vol. 73, no. 7. P. 975 977.

|4| Correlation of device performance and defects in AlGaN/'GaN high-electron mobility transistors / A.P. Zhang, L.B. Rowland, E.B. Kaminsky el al. // .lournal of Electronic Materials. 2003. Vol. 32, no. 5. P. 388 394.

|5| Accurate dependence of gallium nitride thermal conductivity on dislocation density / C. Mion, J. F. Muth, E. A. Preble, D. Hanser // Applied Physics Letters. 200G. Vol. 89, no. 9. P. 092123.

101 Optoelectronic devices oil bulk GaN / S. Figge, T. Böttcher, Л. Dennemarck et al. /'/' •lournal of Crystal Growth. 2005. Vol. 281, no. 1. P. 101 10G.

|7| 1000V Vertical ,Ifet Using Bulk GaN / Quentin Diduck, Hui Nie, Brian Alvarez et al. // ECS Transactions. 2013. Vol. 58, no. 4. - P. 295 298.

|8| Very high performance GaN-on-GaN diodes / I.C. Kizilyalli, A. Edwards, D. Bour et al. // Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2013 IEEE Workshop on. 2013. Oct. P. 1 5.

|9| GaN synthesis by aiiimonolhennal method / R. Dwilinski, A. Wysmolek, Л. Baranowski et al. // Acta Physica Polonica A. 1995. Vol. 88, no. 5. - P. 833 836.

|1()| Preparation of GaN single crystals using a Na flux / H. Yaniane, M. Shimada, S.J. Clarke, F..I. DiSalvo // Chemistry of Materials. 1997. Vol. 9, no. 2. - P. 413 41G.

|11| Ehrentraut Dirk, Meissner Elke, Bockowski Michal. Technology of gallium nitride crystal growth. Springer, 2010. Vol. 133.

112J Preparation of large freestanding GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy using GaAs as a starting substrate / Kensaku Motoki, Taku.ji Okahisa, Naoki Matsumoto et al. // Japanese Journal of Applied Physics. 2001. Vol. 40. P. 140.

|13| Boule-like growth of GaN by HVPE / Eberhard Richter, Ute Zeinier, Frank Brunner et al. // Physica Status Solidi (c). 2010. Vol. 7, no. 1. P. 28 31.

|14| Ultrahigh-speed growth of GaN by hydride vapor phase epitaxy / T. Yoshida, Y. Oshinia, K. Watanabe et al. // Physica Status Solidi (C). 2011. Vol. 8, no. 7-8. P. 2110 2112.

[15| Bulk GaN crystals grown by HVPE ,/ Kenji Fujito, Shuichi Kubo, Hirobumi Nagaoka et al. // Journal of Crystal Growth. 2009. Vol. 311, no. 10. P. 3011 3014.

|1G| Growth of InN by Chloride-Transport Vapor Phase Epitaxy / Haruo Sunakawa, Atsushi Yaniaguchi, Akitaka Kiinura, Akira Usui // Japanese Journal of Applied Physics. 199G. Vol. 35, no. Part 2, No. IIA. P. L1395 L1397.

|17| Chu T.L., Noreika A..T. Epitaxial growth of aluminum nitride /7 Solid-Slate Electronics. 19C7. Vol. 10, 110. 10. P. 1023 1027.

|IS| Growth of submicron AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) / D. Tsvetkov, Y. Melnik, A. Davydov et al. // Physica Status Solidi (a). 2001. Vol. 188, no. 1. P. 429 432.

|19| Properties of Si-Doped GaN Layers Grown by HVPE / A. V. Fomin, A. E. Nikolaev, I. P. Nikitina et al. // Physica Status Solidi (a). 2001. Vol. 188, no. 1. P. 433 437.

1201 Electrical and optical properties of thick highly doped p-type GaN layers grown by HVPE / A. Usikov, O. Kovalenkov, V. Soukhoveev et al. // Physica Status Solidi (c). 2008. Vol. 5, no. G. P. 1829 1831.

|21| Characteristics of semi-insulating, Fe-doped GaN substrates / Robert P. Vaudo, Xueping Xu, Allan Salant et al. // Physica Status Solidi (a). 2003. Vol. 200, no. 1. P. 18 21.

1221 HVPE-GaN growth on ammonothermal GaN crystals / Tomasz Sochaeki, Mikolaj Amilusik, Boleslaw Lucznik et al. // SPIE OPTO / International Society for Optics and Photonics. 2013. P. 8G250B 8G250B.

[23] Paskova T., Goldys E.M., Monemar B. Hydride vapour-phase epitaxy growth and cathodoluminescence characterisation of thick GaN films // Journal of Crystal Growth. 1999. Vol. 203, no. 1. P. 1 11.

|24| Etzkorn E.V., Clarke D.R. Cracking of GaN films//Journal of Applied Physics. 2001. Vol. 89, no. 2. P. 1025 1034.

Список публикаций автора по теме диссертации

|l| Effect of growth parameters 011 stress in IIVPE GaN films / A. Tsyuk, R. Gorhunov, V. Voronenkov et al. // ECS Transactions. 2011. Vol. 35, no. G. P. 73 81.

|2| Two modes of IIVPE growth of GaN and related inacrodefects / V.V. Voronenkov, N.I. Bochkareva, R.I. Gorhunov et al. // Phy.sica Status Solidi (c). 2013. Vol. 10, no. 3. P. 4G8 -171.

|3| Nature of V-Shaped Defects in GaN / V. Voronenkov, N. Bochkareva, R. Gorhunov et al. ,// Japanese Journal of Applied Physics. 2013. Vol. 52, no. 8S. P. 08.IE14.

|4| Thick GaN Films Grown on Patterned Sapphire Substrates / V. Voronenkov, R. Gorhunov, A. Tsyuk et al. // ECS Transactions. 2011. Vol. 35, no. G. P. 91 97.

|5| Механические напряжения в плёнках нитрида галлия, выращенных па подложках с маской / В. В. Воропепков, А.И. Цюк, A.C. Зубрилов и др. // Научно-технические ведомости СПбГПУ. 2011. Т. 129, № 3. С. 14.

|0| Режимы роста нитрида галлия при хлоридгидридиой газофазной эпитаксии / А.И. Цюк, В.В. Воронепков, Р.И. Горбунов и др. // Научно-технические ведомости СПбГПУ. 2011. Т. 129. С. 10.

Подписано в печать 07.11.2014. Формат 60x84/16. Печать цифровая. Усл. иеч. л. 1,0. Тираж 100. Заказ 12440Ь.

Отпечатано с готового оригинал-макета, предоставленного автором, в Типографии Политехнического университета. 195251, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 29. Тел.: (812) 552-77-17; 550-40-14