Особенности дефектообразования при имплантации ионов повышенной энергии в твердые тела тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

УРАЛЬСКИМ ГОСУДАРСТВЕННЫ!? ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ - У1Ш

п'З од

На правах рукописи

ЗЕЛКХ Татьяна Аркадьевна

ХОВЕННОСТЙ ДЭМЗСТООБРАЗОЙАШЯ ПРИ ШШГАКТАЦШ >ЮК03 ПОВЫШЕННОЙ ЭНЕРГИИ В ТВЕРДЫЕ ТЕЛА

Специальность 01.04.07 - Физика твердого тела

Автсрвфе в 8 т диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-иатематаческих наук

Екатеринбург "99^

Рабат» выполнена в Уральском государственном техническом унинерситете - УШ, г. Екатеринбург.

ляучны« руковоцители:

л-мнли.оят <1"изико-математичесюи наук Урманов АЛ5, кнедадвт Зазико-ыатематических наук Пузанов 'А.А.

•»

Официальные оппоненты:-

доктор физико-математических наук, профессор Иктев А.Д.; кандидат физико-математических наук, доцент ' Штольц А.К.

Ведущая организация - Институт електрофизики(Уральское отделение Российской Академии Наук)

Защита диссертации оостоится

на заседании специализированного совета К 063-14-. 11 при Уральском государственной технической университете - УШ. Отзыв в одном вкземпляре просьба направлять по адресу: 6?0002, г.Екатеринбург, К-2, УГТУ-УПИ,ученому секретарю совета университете.

С диссертацией можно ознакомиться в «библиотеке Уральского государственного технического университете - УШ.

Автореферат разослан_•

Ученый секретарь специализированного совета, кандидат {иаико-ыатематическихнаук, доцент

ТУЛЛЬНОСТЬ РАБОТЫ. ■ Традиционно для модификации свойств иг/проводников и металлов используются иошг малых энергий (до ¡тен кэВ/нуклон). Механизмами, приводящими к изменению свойств ;ердого тела при имплантации таких ионов, являются: а) введение •poro дозированного количества примесных атомов и б) нарушение металлической структуры мишени в результата упругого рассеяния ¡плянтируемых ионов.

С начала SO-х годов все больнее распространение получают иссле-;вакия воздействия на твердое тело ионов более высокой энергии !эЗ/нуклон). Особенностью ионов повышенная энергии является высо-1Я плотность энергии, выделяемая в электронную подсистему мишени процессе торлохения. Достаточно очевидно, что релаксация этих [льнонеравновесных электронных возбуждений мояет приводить к та-E.I изменениям состояния твердого тела, которые пэ наблюдаются ни ш каких других типов воздействия. Поэтому дальнейшие исследова-¡я в этой области представляются весьма актуальными.

Кроме того, уке'сейчас ясно, что имплантация ионов повышенной leprcra (ИИПЭ) монет стать основой создания качественно новых ра-тциояных технологий-как в плане модификации свойств конструк-юнных материалов,, так и в плане создания элементов микро- и оп-гэлектроники, имекздих уникальные характеристики (например, много-кзйные интегральные схемы, повышение надежности елементов алект-жики посредством глубокой очистки' полупроводниковых материалов использованием ИИПЭ и т.д.). Это указывает на большую практически значимость дальнейшего исследования ИИПЭ. В качестве объектов 1я исследования били выбраны базовые материалы електроники 31 и í и 4i, Iíi и Ti, сплавы, на основе которых представляют интерес в 1честве возможных материалов первой стенки в реакторостроенин.

Для изучения различных физико-химических процессов, протекавд в приповерхностных слоях миаени при ШПЭ (диффузия, образование отжиг дефектов,фазовые превращения и т.д.)» в данной работе прим нялся широко используемый в етих целях метод Резарфордовского о. ратного рассеяния легких ионов в сочетвнии ' с каналировакием (РОР/К), обладающий достаточно высокой информационностью и екс преесностыо. Однако метод РОР/К имеет и некоторые принципиальны* ограничения: им ыозою исследовать кинетику накопления рвдаациони дефектов только в монокристаллах, являющихся хорошими модельнш объектами, тогда как конструкционные материалы имеют поликристалл] ческое строение. В качестве оценки их состояния традиционно ш пользовались трибологические характеристики, в частности, ыикр< твердость. В данной работе впервые предпринята попытка совместно] использования методик РОР/К и испытания на микротвердость.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ. Целью настоящей работы является установление особе] ностей диссипации електронных возбуждений и кинетики накоплен! дефектов при имплантации ионов повышенной енергии в полупроводник и металлы. В задачу входило:

- бкспериментальное исследование методом Резерфордовского обрагн< го рассеяния радиационно- поврежденных слоев монокристаллов Б". Се, Я, N1 я поликристаллов на глубинах, меньших длины проекта! ного пробега ионов азота, т.е. в области электронных потерь вне] гии тормозящегося иона;,

- экспериментальное получение и исследование заглубленных изол! руиаднс слоев в!^ и гетерируицих. слоев Й10х имплантвцией ионе азота и кислорода МеВ-х энергий; исследование дозовых зависимо«

■ тей процессов дефектообразования; -

- исследование изменения триболопгческих свойств (микротвердоста

ри облучении ионами азота.

РУЧНАЯ НОВИЗНА. Установлены особенности воздействия ионов азота эьшенной энергии (около 1 МаВ/нуклон) на металлы и полутгроводни-4 на начальном участке проникновения таких ионов в образец, кото-л? могут быть обусловлены высокой плотностью (десятки кеВ/нм) и аднышыцей долей (более 90 %) энергии, передаваемой электронной )Дсистеме образцов.

Получены характерные зависимости степени Дефектности от дозы ¡лучения, имекгцие спад щи больших дозах (превышающих дозу, необ->димую для перекрытия поперечных сечений треков ионов), что ука-[вает на отжигаодее действие ионов повышенной энергии на кристзл-I, содержащие дефекты. Предложено возмогяое объяснение наблюдае-[X экспериментальных результатов на основе представлений о про-ссах, происходящих в области трека иона, и особенностей передачи ергии через электронную подсистему.кристаллов н представлений о диационно- стимулированной диффузии.

Предложен и осуществлен способ проверки селективности передачи ергии дефектообразуксзш атомам л ролл образующегося в процессе лучения "барьерного" слоя из собственных дефектов.

Установлени корреляции между дозоьнми зависимостями выхода Ре-р$ордовского обратного рассеяния и микротьердости металлов.

АКтаЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ:

показана принципиальная возможность создания заглубленных слоев средством имплантации ионов повышенной энергии; определены оптимальные условия имплантации ионов кислорода повы-зной энергии с целью создания преципитатних слоев внутреннего гтера для подавления паразитных биполярных транзисторов и повы-

ления устойчивости КМОП микросхем к "защелке";

- исследована зависимость степени дефектности от условий облучений (енергаи и тока пучка) для полупроводников;

- обоснована возможность оценки степени дефектности по результатам испытания на микротверцость металлов, имплантираванных ионами повышенной энергии, когда индентор не достигает конца проективного пробега иона.

АВТОР ЗАЩИЩАЕТ:

1. Выявленные особенности проявления электронных возбуздений при воздействии ионов азота повышенной энергии (в области максимума потерь анергии) на кинетику дефектообразования в твердых телах на примере полупроводников (Б1 и Се) и металлов (К, N1, Т1):

- установлено, что в отличие от низковнергетичной имплантации при воздействии ионов повышенной энергии наблюдается немонотонная зависимость степени дефектности со спадом при больших дозех; последнее аналогично тепловому и фотонному отжигу;

- установлено, что в .отличие от низкоенергетичной имплантации (профиль радиационных дефектов коррелирует о профилем внедренных атомов) при воздействии на материалы 'ионов повышенной . енергаи

профиль радиационных дефектов не коррелирует с профилем внедренных атомов.

2. Возможное объяснение воздействия ионов повышенной энергии на металлы и полупроводники в рамках модели радиационно- стимулиро-

ь-анной диффузии, воаникащей за счет преимущественной передачи

«

анергии возбуждения олекгронной подсистемы дефектообразухщиы атомам, занимающим нерегулярное положение в кристаллической решетке, последнее приводит к существенному увеличению их подвижности; результат воздействия ионов повышенной енергаи на глубинах Ъ « йр

гределяется, согласно данному предполоаеншо, конкуренцией двух зотмвсположных процессов - дефект ообразовакип в результате мигра-и к поверхности образца радиационных дефектов, возникающих в >нце пробега ионов за счет обычного баллистического механизма, и : релаксации (аннигиляции или образования комплексов) в процессе :грации.

Обнаруженные корреляции «езду дозовьши зависимостями выводя зерфордовского обратного рассеяния и микротвярдссти металлов, зьолящке рассматривать микротвердость в качестве показателя епени дефектности при исследовании радиационного воздействия стиц МеВ-х енергий ня конструкционные материалы.

РОЕАЦИЯ РАБОТЫ

Основнав результаты работы были представлены на XIX - XXIII »союзных совещаниях по <{изико взаимодействия заряженных частиц с !сталлами (Москва, 1989-1993), на II Всесоюзной конференции "Мо-¡икяция свойств конструкционных материалов пучками заряженных :тици (Свердловск, 1991), на XVI семинаре "Радиационная (физика проводников" (Новосибирск, 1992), не Международной конференции дафикация материалов ионными пучками" (ФРГ, Хэйделберг, 1992). По результатам исследований имеется 15 печатных работ.

УКТУРА И ОКЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ

иссертационная работа состоит из введения, пяти глав, лючения и списка используемой литературы из 81 наименования, сертация содержит 103 страницы текста, 28 рисунков, 1 таблицу.

' СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность работы, формулируется общем виде цель работы.

В первой главе работы приводится обзор имевдихся в литератуг данных по ишлантвции ионов повышенной энергии (ИИПЭ) в тверда тела. Отмечаются особенности высокоэнергетичной имплантации, обус ловленные тем, что ИПЭ основную часть свой' анергии передают а-.акт ронной подсистеме образца. Плотность энергии, выделяемой та юн. ионами на начальном участке проникновения в мииень, может быт очень большой (десятки кэВ/нм).

Рассмотрены возыозшые механизмы образования и отжига дефекте при ШПЭ, предложенные авторами рассматриваемых работ для объясне ния наблюдаемых особенностей воздействия ИПЭ на твердое тело. От мечается, что авторы пытались объяснить только наблюдаемые ил экспериментальные факты и не задавались целью хотя бы качествен! описать все многообразие данных, свидетельствующих об особенное воздействия ИИПЭ на твердое тело. Достаточно очевидно, что ни ода из описанных ими механизмов дефектообразования по отдельности, ь их различные комбинации не в состоянии объяснить весь компле!

—наблюдаемых закономерностей.-----------

В заключении первой главы на основе-иыевдихся в литературе дм них формулируются цель и основные задачи предложенной дассертг ционной работы.

Во второй главе изложена методика экспериментов. • Описаны осс бенности применяемого оборудования для имплантации и анализа о< разцов, спектрометрический тракт", для регистрации внергетичесю спектров РОР/К, методические аспекты подготовки образцов для юл • лантации и последуицего анализе.

Исследования проводились на образцах.монокристаллов Се, 5

[■и поликристаллов Т1. Облучение производилось ионами азота интервале анергий 1,7-16 МвВ и доз 101Л-1018см~2 на циклотроне мльского политехнического института.. Интенсивность облучения >нтролировялась с помощью цилиндра Фарадея и составляла п * 1011) ионон/омсе. Температура образцов в процессе облучения фикси-¡вилйсь медь-константановой термопарой.

Описаны использованные методики анализа: РОР/К и испытание на тротвердость применительно к конкретной задаче исследования 'епени дефектности облученных материалов..

В третьей главе представлеш результаты исследования воздействия

га на полупроводники параллельно о решением ряда прикладных за-

14. На примере германия рассмотрено влияние плотности тока (ско-

>сти набора дозы) на дефектообразование. Отмечено немонотонное

¡ведение относительного выхода Резерфордовского рассеяния в мини-

гме обратной тени х (Д)- В случае облучения германия с плотностью 1? ?

«а п * 10 ионов/см с и анергией 8 МеВ наблюдалось осциллирующее ¡ведение границы образовавшейся аморфной фазы по глубине от дозы ¡лучения, т.е. облучение приводило к шорфизацин и твердофазной ифисталлизации в процессе облучения.

Для кремния рассмотрена кинетика накопления радиационных дефек-ш от дозы облучения при анергии ионов азота 1.7 и 16 МвВ. Отме-:но монотонное нарастание степени дефектности на всех глубинах в яшоверхностнай области, доступных для анализа, методом РОР/К в [учае облучения с Е0= 1,7.МвВ во всем исследуемом диапазоне доз. случае облучения ионами с более высокой энергией (область максима тормозной способности и выше) дозсвая зависимость степени

фэктности кристаллов на глубинах, существенно меньших проектив-

16 -2

ню пробега, имеет максимум при дозе, примерно равной 10 см . и больших дозах наблюдается уменьшение степени дефектности. В

9

обоих случаях: для Се, облученного при больших плотностях тока и ГЛ, облученного с: максимальной анергией (16 МоЗ), результат воз-д^Яс.тния ;ШЭ окаякнантся аналогичным фотонному или влектронному югу!*Ястнлю, т.н. наблодяется отжигающее действие ИИПЭ при больших имплантации. .. " .

Ппк-.ч.чана принципиальная возможность создания посредством имп-лантвции ионов азота МеВ-х анергий и последующим отжигом образцов заглубленных изолирующих слоев нитрида кремния.

Одна из важнейших проблем обеспечения надежности работы КМОП схем на объемном кремнии - предотвращение "защелкивания" (переключение в низкоимпедансное состояние паразитной тиристорной структуры), для етой цели в данной работе исследовались тестовые структуры, включавшиеся в стандартный технологический цикл, на различных стадиях которого включалась дополнительно имплантация ионов кислорода повышенной внергии. Проведенные исследования показали, что имплантация ионов кислорода с Б0= 6,65 ЫэВ в сочетании с высокотемпературной обработкой приводит к повышению качества КЫОП схем за счет подавления паразитных биполярных транзисторов. Лучшие результаты получены при ИИПЭ после проведения наиболее высокотемпе--ратурнойопера1у»!-станд8ртного-гехнологического-процесоа_изготовления КМОП схем. Определены оптимальные условия имплантации, в

частности, доза внедренных ионов кислорода долкна составлять 16 -2

Ю см . В случае имплантации ионов азота повышенной энергии аналогичные условия имплантации и термообработск приводят к ухудшению параметров КМОП схем. Показано, что имплантация ионов кислорода с Е = 6,6? ЫэВ и дозами до 6,6? * при Тимп = 1.40°С не при-

водит к заметному увеличению дефектности в приповерхностной области (до 2 мкм), тогда как для получения аналогичного результате при обычной имплантации каВ-ми анергиями требуется дополнительный

10

подогрев мишени в процессе имплантации до 700 - 1100°С.

В четвертой главе приведены результаты исследования трибологи-ческих свойств (микротвердости) монокриствллических Я и И и поли-кристяллического Т1. Для металлов, так ке,кяк и для полупроводников, наблюдается немонотонная, со спадом при больших дозах, зависимость стеиени дефектности от дозы облучения. С целью выявления природы радиационного упрочнения параллельно с измерением микро-тяердооти для монок-ристалличеокого вольфрама и нзгкеля проводились иеследоьчнмя методом РОР/К. Обнаруженные корреляции между поведением микротвердоеги Н (Д) и х (Д) указывают на то, что упрочнение обусловлено создаваемыми при имплантации дефектами, о не химическими преципитатами, наличие которых не обнаружено при рентгеност-руктурнои анализе образцов. Для поликристаллического наблюдается аналогичная зависимость микротвердости с характерным спадом в области больших доз.

В пятой главе указывается на общие особенности кинетика накопления радиационных дефектов с роется/ дозы при имплантации йонов азота повышенной энергии. Отмечается, что в обоих случаях, и для полупроводников и для металлов, имеет место немонотонная (тогда оециллируюцая) зависимость степени дефектности от дозы облучения. Для объяснения аффекта отжига при больших дозвх облучения предлагается возмоэнвя интерпретация результатов на основе представлений о радиационно - стимулированной диффузии как вновь 'создаваемых, так и исходных собственных дефектов кристаллической структуры.

С целью обоснования основных положений предложенной интерпретации экспериментальных результатов приведены расчеты методом молекулярной динамики процессов релаксации электронных возбувдений, вносимых ускоренным ионом езота с Ед= 16 МвВ в кремнии на еоздя-ва.емке им хе точечные дефекты: вакансии и междоузлия.- Приведены

II

'иичестный из литературных источников свидетельства селективного кчг»ления анергии ы процессе торможения ионов в мишени на атомах, занимающих нерегулярное нолокеше в кристаллической решетке (мек-доузлия, комплексы протяженных дефектов, границы кристаллитов и т.д.), приводящее к повышенной подвижности точечных дефектов и диссоциации комплексов дефектов.

Обсугадается механизм создания "барьерного" слоя для дефектов, диффундирующих из области конца пробега ускоренных ионов (область ядерных потерь и аффективной генерации дефектов) и остального абьеин кристалла к поверхности. Приведены результаты экспериментальной проверки предположения,выдвинутого для объяснения полученных результатов. С отой целью имплантировались ионы азоте с энергией Е0= 16 МвВ (Ир= 12 мкм) через заглубленный барьерный слой созданный по методике, описанной в п.3.1, на глубине около 2 мкм. В втом случае не наблюдалось накопления дефектов в приповерхностной области, более того, отхигались комплексы дефектов, создаваемые имплантацией с меньшей энергией (1,7 МвВ) и неустранимые последующим отжигом. Кроме того, наблюдается рассасывание нитрид-ного слоя, т.е. облучение приводит к разрыву химических связей. Последнее обстоятельство указывает на более эффективное отчагаюцео действие ИГО благодаря своей селективности воздействия на дефек-тообразующие"атомы по сравнению с термическим отжигом.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И БУВСДЫ

В работе рассмотрен ряд аспектов применения имплантации ионов

ш

повышенной энергии и процессов,-ей сопутствующих: - показана принципиальная возможность создания посредством имплан-тяции ионов азота МвВ-х энергий и последующим отжигом образцов заглубленных изолирующих слоев ;

12

- рассмотрено влияние тока пучка п анергии иона в диапазоне 5,7 -16 МэВ на кинетику накопления дефектов от дозы облучения в полупроводниках и'.металлах;

- проведенные исследования показали, что имплантация ионов кислорода повышенной энергии в кремний в.сочетании о высокотемпературной обработкой приводит к повышению качества КМОП схем за счет подавления паразитных биполярных транзисторов; имплантация конов кислорода обеспечивает надежное повышение устойчивости КМОП схемы к "защелке" и воспроизводимость способа; определены оптимальные

условия имплантации, в частности, доза внедренных ионов кислорода 1Й -?

должна составлять 10 см ;

- в случае ионов азота повышенной энергии аналогичные условия имплантации и термообработки приводят к ухудшению параметров КМОП схем;

- имплантация ионов кислорода с Е = 6,65 МрВ и дозами до 6,67 *

17 л

10 'см~ при Т,„_, = 140 С не приводит к звметному увеличению дефектности в приповерхностной области (до 2 мкм), тогда как для получения аналогичного результата при имплантации ионов кэВ-х энергий требуется дополнительный подогрев мишени в процессе имплантации до 700-1100°С; .

- для металлов так же,как и для полупроводников.наблюдается немонотонная, со спадом при больших дозах, зависимость степени дефектности от дозы облучения;

- для промежуточной энергии Е0= 8 МэВ так же,как и для германия, наблюдается осциллирующая зависимость степени дефектности вольфрама и никеля от дозы облучения;

- наличие отличий для разных металлов в динамике зависимости Н(Д) с ростом дозы, очевидно, связано о различием в тепловых и диффузионных характеристиках этих металлов;

• 13

- во всех случаях изменение микротвердости обусловлено исключительно радиационными дефектами, о чем свидетельствуют проведенные дополнительные исследования и корреляция в поведении микротвердости К(Д) и х(Д)• с одной стороны, и, с другой стороны, то обстоятельство, что индентор не проникал в область где возможно влияние химических преципитатов;

- обнаруженные корреляции в поведении х(Д) и Н(Д) позволяют использовать Н(Д) в качестве показателя степени дефектности при исследовании результатов воздействия ионов повышенной внерпги на твердая тела.

Из экспериментальных результатов следуют основные особенности воздействия ионов повышенной анергии на металлы и полупроводники:

- результат воздейстния ионов повышенной енерши на металлы и полупроводники аналогичен тепловому и фотонному воздействию, что указывает на значительную роль возбуждения электронной подсистемы мишени;

- профиль радиационных дефектов при ИИПЭ не коррелирует с профилем внедренных атомов, как это имеет место при низкоенергетичной имплантации;

- наблюдается немонотонная (иногдв осциллирующая) зависиыостьсте----

----пени дефектности полупроводников и металлов от дозы облучения ионами с энергией Е0 в области максимума электронных потерь энергии;

щи более низких энергиях ионов наблюдается монотонный рост степени дефектности с выходом на насыщение;

- наблюдаемые особенности могут быть объяснены на основе учета сильнонеравновесных возбуждений электронной подсистемы, вносимых быстрым ионом на начальном участке проникновения в мишень, и их

• последующей релаксацией на ядерную подсистему;

- несмотря на качественное различие электронной структуры металлов

14

и полупроводников, а таюке механизмов ее взаимодействия с ядерной подсистемой, многие наблюдаемые' особенности являются обазши для металлов и полупроводников, что указывает на их некоторую универсальность;

- предложено возможное объяснение воздействия ШЭ на полупроводники и металлы на основе механизма радиационно-стимулированной доффйг зии, возникающей за счет преимущественной передачи анергии возбуждения электронной подсистемы дефегстообразущим атомам, занимающим нерегулярные позиции в кристаллической реветке. Последнее приводит к существенному увеличению их подвикности; результат воздействия ИПЭ на глубинах t « Rp определяется, согласно данному предполоке-нию, конкуренцией двух противополсяных процессов - дефектообразо-вания в результате миграции к поверхности образца радиационных дефектов, .возникающих в конца пробега ионоз за счет обычного баллистического механизма, и их релаксации (аннигиляции или образования комплексов) в процессе миграции;

- высказанное предположение позволяет, хотя бы качественно, объяснить весь комплекс экспериментальных данных по ИИПЭ и указывает на принципиальное отличие воздействия ИПЭ нетвердые тела от других известных видов воздействия - температурного, фотонного, электронного, имплантации ионов низкой энергии и т.д..

Основное содержание диссертации изложено в следующих работах:

1. Андреев B.C., Белых Т.А., Пятковэ TJJ. Вопросы метрологии метода обратного рассеяния / ЭТИ. Свердловск, 1984 , 8 с'. Деп. в ВИНИТИ, Н 3259-64.

2. Изменения в глубокозалэгакздх слоях Si^N^ под действием ионов азота с энергией 16 УэВ / Белых Т.А., Казак Л.А., Городи-

15

менекиИ А.Л., .'Семянников Б.К., Урманов А.Р.// Тез. докл. XIX Всесоюзного соиепикия по физике . взаимодействия заряженных чиг-тац с кристаллами (ВОЖЗЧК). М.: Изд-во МГУ, 1989. С. 166.

3- Выход ХРй и POP при каналировании ионов азота в монокристалле полирами / Белых Т.А., Городшценский А.Л., Иванченко A.B., Казак Л.А.// Там же, С.21.

A.c. N 1572344 СССР. Способ измерения глубины проникновения ускоренных ионов в полупроводники /Ефимов С.Б., Коршунов И.Г., Зиновьев В.Е., Белых T.A.N 4485100; Заявл. 15.07.1988.

5. High-energy oxigen ion implantation.in ellioon for вирргев1оп oí the thyristor efieot in CMOS integrated oirous / îie&hov P.G., Chekunkov S.V., Vodop'yanov O.V., Pyatkova -Т.И., Puzanov A.A., Belykh Î.A. 7/ International oonfererenoe on ion implantation and ion beam equimjsnent. I-'BE, 24-28 September 1990, Elenite, Bulgaria, Abstracts p.50 (p.1.8), Word Scinentlfio Publishers, Singapure, 1991.

_6_._Использовшше—высокоенергетхтчной^имплентации кислорода в

кремний для подавления тиристорного ё^фекта б КМОП- схемах Чекунков C.B., Водопьянов О.В., -Белых Т.А., Нешов Ф.Г., Пятко-ва Т.Ы., Пузанов A.A. )/ Тез. докл.XX ВСФВЗЧК. М.: Изд-во МГУ, 1990, С.127.

7. Воздействие МвВ-х ионов азота на кристаллы Si, Ge ,W / Белых Т.А., Городшценский А.Л., Иванченко A.B., Квзак Л.А., Урманов А.Р./ Там же, C.166«

• 8. Defect production and annealing due to high-enei^y ion implantation. I Silicon /Belykh T.A., Gor-odiehensky A.L., Kazak L.A., Serayannikov. V.E.,■ ITrmanov A.R. // Ntiol. Instr. and Keth. in Phys. Rev., B51. 1950, p.242-246.

9. Дефектообразоваяие в приповерхностной области W, N1 и Ge при облучении ионами азота с энергией 5,8-16 МэВ /Белых Т.А., Казак Л.А.,Нешов Ф.Г., Семянников В.Е., Урманов А.Р.// Тез. докл. XXI ВСФВЗЧК. М.:Кзд-во МГУ, 1991. С.83. ,

10.Упрочнение вольфрама и никеля под воздействием пучка ионов азота с энергией 5,8 - 16 МэВ / Белых Т.А., Казак Л.А., Не-шов Ф.Г..Семянников В.Е.,Урманов А.Р. // Тея.докл.П Всесоюзной конференции "Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц". Свердловск, 1991- . Т.З. С.116-118.

11. Структурные .повреждения в монокристалле Се при воздействии ионов азота с энергией 8 МэВ / Еелш Т.А., Казак Л.А., Семянников В.л., Урманов А.Р., Попов З.П., Федина Л.И.//Тез. док. ТлЛ ВСФВЗЧК. М.:Изд-во МГУ, 1992. С.111.

12. Peculiar Шеи of defect creation and araorphization of Ge st high energy N"1^ iori irradiation / Belykh T.A., Kazak L.A., tCulikauskas V.л.,Popov V.p.,?edina L.I..Uireanov A.R.// IBMM'92, Pinal Program and Abetraota, p.150, Poster P200, 1992, Heidelberg, Germany. ,

13.Воздействие ионов повышенной энергии на радиационные дефекты в

кристаллах / Урманов А.Р., Белых Т.Д., Казак Л.А., Придало В.Л. //Тез. докл.XXII ВСФВЗЧК. Ы.:Изд-во МГУ, 1993- С.86 -

14.Исследование радиационных дефектов в кремнии, созданных при высокоанеогетичной имплантации ионов Y-группы / Антонова И.В., Белых Т.А.,Ибрагимов P.P..Казак Л.А.,Каранович A.A..Попов В.П.

// Там жэ, С.71.

15.Парамагнитные дефекты, вводимые в кремний высоковнергетичной (16 МэВ) имплантацией ионов азота / Двураченский A.B., Карано-вич A.A., Рыбин A.B., Белых Т.А., Урманов А.Р. //Там же, С.74.

Подписано в печать 31.03.94 Формат 60x84 1/16

Бумага Плоская почать • Ус д.п. л. 1,16 '

Уч.-изд.д. 0,82 "Тира*. 100 Заказ 209 Бесплатно

' Редакционно-издатедьскай отдел УГТУ-УШ 620С02, Екатеринбург, УГТУ-УШ* 8-й учебный корпус Ротапринт УГТУ-УШ. 620002, Екатеринбург, УГТУ-УШ, 8-й уч .корпус