Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Современное представление о дефектообразовании в приповерхностных ионоимплантированных слоях

§1.1 Физика ионной имплантации.

§1.1.1 Введение. Основные преимущества и недостатки ионной имплантации.

§1.1.2 Электронное и ядерное торможение.

§ 1.1.3 Процессы распыления при ионной имплантации.

§1.1.4 Эффект канал ирования.

§1.2 Дефектообразование.

§1.2.1 Образование радиационных точечных дефектов.

§1.2.2 Первичные и вторичные РД.

§1.2.3 Накопление дефектов. Распределение по глубине.

Аморфизация.

§1.2.4 Постимплантационный отжиг дефектов и аморфных слоев

§1.2.5 Условия облучения и процессы дефектообразования

§1.3 Особенности ионоимплантированных слоев в условиях фотовозбуждения.

§1.3.1 Природа влияния фотовозбуждения.

§1.3.2 Особенности накопления дефектов в условиях фотовозбуждения и малых доз имплантируемых ионов.

§1.3.3. Особенности дефектообразования в случае предаморфизационных доз.

Актуальность проведенной работы обусловлена широким применением ионной имплантации как метода обработки поверхности, легирования монокристаллов кремния и других полупроводников в процессе производства полупроводниковых приборов. Благодаря своим особенностям метод ионной имплантации стал перспективным методом легирования, позволяющим вводить заданную концентрацию примеси с заданной локальностью, создавать контролируемые профили концентрации в заданной области, ассортимент материалов, которые могут использоваться для имплантации, практически не ограничен. По многим параметрам ионная имплантация более выгодна для легирования, чем термодиффузия или легирование в процессе роста.

Однако легированию методом ионной имплантации сопутствует образование значительного количества радиационных точечных дефектов, что приводит к последующим структурным, химическим и электрофизическим изменениям. Все процессы, происходящие во время ионной имплантации, а именно: образование радиационных дефектов и взаимодействие их между собой, приводящее к их аннигиляции или образованию кластеров; реканалирование радиационных дефектов; взаимодействие их с примесями и образование метастабильных ассоциаций; сток точечных дефектов на поверхность, - протекают в сильно неравновесных условиях. Механизмы образования и последующего движения радиационных точечных дефектов при облучении потоком ионов полупроводниковых подложек до конца еще не изучены. Для активации примеси необходимо проведение постимплантационного отжига для перехода системы в стабильное состояние.

Процессы дефектообразования при ионной имплантации зависят от многих факторов: температура мишени, доза имплантируемых ионов, их химическая активность, соотношение масс иона и атома мишени, энергия вводимых ионов, ориентация подложки, тип проводимости. Не всегда есть возможность учесть влияние всех этих факторов одновременно или каждого в отдельности, не всегда существует четкое представление о влиянии того или иного фактора. Первичное дефектообразование (генерация пар Френкеля в каскадах столкновения) хорошо описываются в рамках теории. Программа Crystal TRIM (C-TRIM) позволяет смоделировать первичные процессы ионной имплантации и дает возможность наглядно представить, как будет происходить проникновение иона в мишень и каковы будут последствия. Однако итоговое распределение дефектов даже до отжига является результатом протекания вторичных процессов, таких как радиационо-стимулированная диффузия, сток на поверхность, аннигиляция, кластерообразование, которые C-TRIM не учитывает. Но для приблизительной оценки программа C-TRIM широко используется и результаты, полученные с ее помощью, ложатся в основу многих экспериментальных исследований. Вторичные процессы зависят от состояния электронной подсистемы. Воздействуя на электронную подсистему, можно влиять на вторичные процессы. Теоретическое описание вторичных процессов недостаточно разработано и требует накопления экспериментальных данных.

Вторичные процессы определяют структуру нарушенного слоя. Они сложны и многообразны, поэтому задача развития методики диагностики и исследования структуры нарушенных слоев является также актуальной.

Основной целью работы являлось выявление роли вторичных процессов (аннигиляция, сток на поверхность, кластерообразование) с участием радиационных точечных дефектов на формирование дефектной структуры ионоимплантированных слоев кремния.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать методику нахождения и анализа профилей деформации (ПД) и статического фактора Дебая-Валлера (СФДВ) по глубине нарушенного слоя из экспериментально полученных методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения (РДВР), кривых дифракционного отражения (КДО).

2. Выявить влияние условий имплантации (доза, энергия и масса имплантируемого иона) на характер распределения радиационных точечных дефектов (РТД) в подложке Si и показать при этом роль вторичных процессов.

3. Рассмотреть влияние характеристик подложек Si (температура, ориентация, тип проводимости, скрытый аморфный слой) на конечное распределение радиационных повреждений.

4. Выявить влияние in situ фотовозбуждения электронной подсистемы на вторичные процессы.

Научная новизна работы заключается в следующем:

• Разработана методика анализа структурных изменений в приповерхностных слоях кремния при ионной имплантации, которая включает в себя оригинальную схему эксперимента на трехкристальном рентгеновском дифрактометре, позволяющая исключить вклад диффузного рассеяния.

• Разработана процедура восстановления профиля деформации и профиля распределения статического фактора Дебая-Валлера, который используется как характеристика степени аморфизации. Впервые применен генетический алгоритм как метод глобальной оптимизации для решения обратной дифракционной задачи для ионоимплантированных слоев.

• Выявлен вклад аннигиляции межузельных и вакансионных дефектов, стока дефектов на поверхность, кластерообразования, который зависит от условий имплантации (дозы, массы и энергии имплантируемого иона) на конечную структуру нарушенного слоя.

• Впервые обнаружено, что in situ фотовозбуждение ускоряет вторичные процессы. А преобладание какого-либо из вторичных процессов определяется степенью пересыщения твердого раствора радиационных дефектов в матрице кристалла.

• Обнаружено, что при имплантации ионов на малые глубины происходит пространственное разделение РТД (вакансионного и межузельного типа) по глубине, что обусловлено влиянием поверхности, как эффективного места стока. Величина пространственного разделения определяется степенью пересыщения, которое можно получить, увеличив дозу и массу, и уменьшив энергию имплантируемого иона.

Практическая значимость результатов работы.

1. Полученные экспериментальные закономерности формирования дефектной структуры могут быть использованы в технологии изготовления приборов.

2. Создание неразрушающей методики анализа структуры ионоимплантированных слоев с помощью РДВР и возможность управления профилем деформации (ПД). Разработанная методика, открывает широкие возможности в исследовании РТД как вакансионного так и межузельного типа в ионолегированных слоях Si и других полупроводниковых монокристаллах.

3. Апробирование метода восстановления профилей деформации и СФДВ по форме кривой дифракционного отражения показало его высокую чувствительность к особенностям структуры нарушенного слоя, что позволяет использовать этот метод для отработки технологии получения ионолегированных структур с заданными свойствами.

Научные результаты, выносимые на защиту:

1. Методика восстановления ПД и профиля статических смещений по глубине из формы КДО, полученной при анализе распределения интенсивности дифрагированных лучей в окрестности узла обратной решетки.

2. Установлено, что условия имплантации (доза, масса и энергия имплантируемого иона) влияют на соотношение вкладов аннигиляции, стока и кластерообразования в формировании структуры нарушенного слоя. Так имплантация ионов с большими дозами или малыми энергиями или большими массами приводит к сильному пересыщению РТД и преобладанию процесса кластерообразования. При имплантации ионов на малые глубины возрастает роль стока межузельных атомов на поверхность, что приводит ic изменению соотношения концентрации вакансионных и межузельных дефектов вблизи поверхности. Наличие скрытого аморфного слоя SiCb способствует накоплению радиационных межузельных дефектов вблизи границы Si/Si02

3. Установлено, что влияние in situ фотовозбуждения на дефектообразование в кремнии при ионной имплантации неоднозначно. Например, фотовозбуждение при малой дозе в КНИ структуре влияет иначе, чем в объемном кристалле, способствуя кл астерообразо вани ю.

4. При различной степени пересыщения РТД фотовозбуждение способствует ускорению «приоритетного» вторичного процесса.

5. При увеличении степени пересыщения РТД наблюдается пространственное разделение пар Френкеля на области с преобладанием вакансионных и межузельных дефектов. Межузельные дефекты, достраивая поверхность, способствуют накоплению вакансионных дефектов вблизи поверхности.

Апробация работы

Результаты работы докладывались и обсуждались на:

• IX Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2000), Москва, Институт кристаллографии РАН, 2000.

• III Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2001) Москва,

• V Российской конференции по физике полупроводников Нижний Новгород, 2001

• III Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе. (Кремний-2003), Москва, МИСиС, 2003

• Научных семинарах кафедры материаловедения полупроводников Московского государственного института стали и сплавов (технологического университета).

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 10 печатных работ.

Структура и объем работы

Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, выводов и списка

§3.8 Выводы к главе 3

Процессы дефектообразования при ионной имплантации зависят от множества факторов таких как доза, масса и энергия имплантируемых ионов, а также от характеристик материала самой мишени, например, ориентация подложки, температура, тип проводимости и наличие скрытого аморфного слоя. Не всегда есть возможность учесть влияние каждого из этих факторов в отдельности на конечное распределение радиационных точечных дефектов, т.к. они в совокупности воздействуют на вторичные процессы (аннигиляция межузельных и вакансионных дефектов, их сток на поверхность, кластерообразование и реканалирование), которые определяют конечное состояние структуры нарушенного слоя. Влияние химического взаимодействия внедренного вещества с атомами мишени на изучаемые процессы было исключено тем, что в подложки Si имплантировали ионы инертных газов (Аг, Ne, Кг).

Влияние какого-либо из выше перечисленных факторов на вторичные процессы можно оценить лишь, зафиксировав все остальные. Параллельно с решением этой задачи, проводилось исследование влияния in situ фотовозбуждения электронной подсистемы на протекающие вторичные процессы и в свою очередь на конечное распределение РТД по глубине для каждого фактора (доза, масса, энергия ионов и т.д.) в отдельности.

В результате проведенных исследований обнаружено следующее.

С увеличением дозы имплантации Аг+ увеличивается степень пересыщения РТД и максимумы ПД смещаются в область проекционного пробега (Rp). При этом РТД пространственно разделяются по глубине на две области (обогащенные вакансионными и межузельными дефектами, причем вакансионные дефекты расположены вблизи поверхности). Фотовозбуждение уменьшает остаточную

13 2 концентрацию радиационных точечных дефектов при дозах до 3-10 см' , способствуя

13 аннигиляции радиационных пар Френкеля. Начиная с дозы 3-10" см~% фотовозбуждение способствует аморфизации нарушенного слоя, которая идет через образование и рост количества главным образом вакансионных кластеров РТД.

При «холодной» имплантации (Т=80К) Аг' в подложку Si вклад аннигиляции мал, по-видимому, из-за того, что при низкой температуре компоненты пар Френкеля не могут преодолеть энергетический барьер для аннигиляции. При последующем нагреве подложек до комнатной температуры большее пересыщение собственными РТД приводит к преобладанию кластерообразования. Влияние in situ фотовозбуждения, как и для кремния, имплантированного при Т=300К, сохраняется. Т.е. при малых дозах

13 2

МО " ат/см ) для «холодной» имплантации Аг в Si, с последующим нагревом до 300К, скорость аннигиляции выше по сравнению с «холодной» имплантацией без подсветки. При повышении дозы фотовозбуждение способствует оастерообразованию РТД. Следовательно, процессы кластерообразования ускоряются (а) при уменьшении температуры подложки, с последующим нагревом до комнатной температуры и (б) при фотовозбуждении электронной подсистемы вблизи порога аморфизации.

При малых энергиях (50 и 80 кэВ) имплантации ионов Ne дефектообразование строится из зарождения и сосредоточения больших комплексов вакансий, которые с увеличением энергии измельчаются на фоне смещения максимумов ПД вглубь кристалла с одновременным уменьшением деформации. Доминирующими дефектами при энергии имплантации 120 кэВ становятся межузельные комплексы, которые в свою очередь с увеличением энергии до 150 кэВ также измельчаются. Фотовозбуждение при энергии имплантации ионов Ne 50 кэВ, увеличивает скорость аннигиляции, уменьшая количество остаточных дефектов, способствует их кластеризации. При увеличении энергии до 150 кэВ, происходит смена механизма влияния фотовозбуждения на дефектообразование в нарушенном слое, т.е. повышается эффективность кластерообразования.

Увеличение массы имплантируемого иона (Кг), способствует увеличению пересыщения РТД за счет роста плотности РТД в треке. В нашем случае пересыщение РТД было настолько велико, что у поверхности образовалась сильно аморфизованная область. При увеличении и энергии и массы имплантируемого иона, варьируя Rp, можно создавать крупные разупорядоченные области (РО) с большим избытком РТД, которые способствуют интенсивному кластерообразованию.

При имплантации ионов Аг в подложку Si ориентация подложки влияет на распределение РТД. Для подложки с ориентацией (100) дефекты имеют больший пробег (т.к. в этом направлении плотность атомов меньше) и залегают глубже, чем для подложки с ориентацией (111), что совпадает с результатами моделирования по С-TRIM. С ростом дозы увеличивается скорость аннигиляции. Кластеры вакансий образуют сильно аморфизованную область вблизи поверхности. К сожалению, данным методом диагностики поверхности не возможно увидеть эту область, поэтому максимум ПД для ориентации (100) смещен к поверхности по сравнению с максимумом ПДдля ориентации (111).

В области предаморфных доз пересыщение РТД настолько велико, что тип проводимости практически не влияет на конечное распределение РТД. При малых дозах в образце р-типа величина деформации в максимуме ПД, хоть и незначительно, ниже, т.е. эффективным становиться процесс аннигиляции РТД. In situ

127 фотовозбуждение, заряжая вакансии и подавляя тем самым кластерообразование, ускоряет процесс аннигиляции. При этом, если на малых дозах это ускорение не значительно, то на предаморфных оно уже существенно.

J 3 ^

Наличие скрытого аморфного слоя SiC>2 при малых дозах (2-10' ат/см") имплантации способствует аннигиляции пар Френкеля, т.к. он ограничивает движение межузельных атомов вглубь образца и, по-видимому, увеличивает их поток к

13 2 поверхности. На предаморфных дозах (4" 10 ат/см) вблизи границы Si/SiC>2 происходит накопление межузельных дефектов и основными вторичными процессами являются кластерообразование и сток дефектов на поверхность, которые (преимущественно вакансии) образуют сильно аморфизованную область. Фотовозбуждение для малых доз способствует кластерообразованию как вблизи

13 2 поверхности образца, так и в области максимума деформации. При дозе 4-10 ат/см дефектов так много, что фотовозбуждение уже не влияет на характер распределения РТД. Важно отметить, что накопление межузельных дефектов в области аморфного слоя SiCb сохраняется.

1. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов JI.C. Действие излучений на полупроводники,- М.: Наука, 1988.

2. Мэйер Дж., Эриксон JL, Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников М.: Мир, 1973.

3. Хирвонен Дж.К. Введение в ионную имплантацию. //Ионная имплантация М.: Металлургия, 1985. С. 9-18.

4. Палмер Д. Успехи ионной имплантации. //Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы. /Новости физики твердого тела.- М.: Мир, вып. 10, 1980. С. 7-64.

5. Калбицер С., Эцманн X. Пробеги ионов и теории пробегов. //Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы. /Новости физики твердого тела.-М.: Мир, вып. 10, 1980. С. 65-91.

6. Лайо З.Л., Мэйер Дж.В. Влияние ионной бомбардировки на состав материала. //Ионная имплантация,- М.: Металлургия, 1985. С. 19-46.

7. Вавилов B.C., Челядинский А.Р. Ионная имплантация в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения. /Успехи физических наук,- 1995.- Т.165.- №3.

8. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности,-М.: Наука, 1990.

9. Смирнов JI.C. Физические процессы в облученных полупроводниках.-Новосибирск: Наука, 1977.

10. Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния.- М.: Энергоиздат, 1989.

11. Н.А. Ухин Модель разупорядоченных областей в кремнии, создаваемых быстрыми нейтронами. ФТП, 6(5), 931-933, 1972

12. А.И. Баранов, JI.C. Смирнов О взаимодействии разупорядоченных областей и окружения в полупроводниках. ФТП, 7(11), 2227-2229, 1973

13. Винецкий B.JI., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников,-Киев: Наукова думка, 1979.

14. Барабаненков М.Ю. Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и оптические мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах:Дис. док. физ.-мат. наук,- Черноголовка.- 2001.- 330 С.

15. Вавилов B.C., Ухии Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах.- М.: АТОМИЗДАТ, 1969.

16. Фоти Дж. Лазерный отжиг полупроводников. //Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы. /Новости физики твердого тела.- М.: Мир, вып. 10, 1980. С. 131-145.

17. М.Ю. Барабаненков, А.ВЛеонов, В.Н.Мордкович и др. Влияние природы бомбардирующих ионов на образование радиационных дефектов в кремнии. ФТП.-1998.- Т.32,- №5.

18. A.B.Danilin, Yu.N.Erokhin, V.N.Mordkovich,N.Hatzopoulos e.a. Athermal nature of impact exerted by ultraviolet radiation on the accumulation of radiation defects during ion implantation into silikon. //Nucl.Instr. andMeth.B.-1992.-V.69.-№2.-P.268-270.

19. Вавилов B.C. Миграция атомов в полупроводниках и изменение числа и структуры дефектов, инициируемых возбуждением электронной подсистемы. //Успехи физических наук.- 1997,- Т.167.- №4.

20. Б.Л.Оксенгендлер. Элементарные атомные процессы и электронная структура дефектов в полупроводниках. Ташкент, ФАН, 4.1,2,1986.

21. В.Карпов, М.И.Клингер. Механизм радиационного дефектообразования в электронных переходах в примесных полупроводниках. //ФТП.-1978.-Т.12.-№10,-С.1887-1897.

22. C.Ascheron. //Nucl. Instr. and Meth.B.-1993.-V.80.-№3.-P.796-805.

23. А.И.Алешин, Л.С.Смирнов, В.Ф.Стась. //Физика и техника полупроводников. -19 83. -Т. 17. -№3 .-С.551-554.

24. М.Ю.Барабаненков, А.В.Леонов, В.Н.Мордкович и др. Особенности влияния фотовозбуждения p-Si "in situ" при имплантации малых доз ионов на формирование радиационных дефектов. //ФТП.- 1999,- Т.ЗЗ.- №8.

25. М.Ю.Барабаненков, А.В.Леонов, В.Н.Мордкович и др. Влияние фотовозбуждения n-Si "in situ" при имплантации малых доз ионов на образование радиационных дефектов. //ФТП, 1999, Т.ЗЗ.- №5.

26. М.Ю.Барабаненков, А.В.Леонов, В.Н.Мордкович и др. Зависимость дефектообразования в n-Si от массы ионов и интенсивности фотовозбуждения принизкодозовой ионной имплантации. //Известия Академии Наук. Физика.- 2000.- Т.64,-№4.

27. В.В. Болотов, А.В. Васильев, А.В. Двуреченский, Г.А. Качурин, Н.Б. Придании, J1.C. Смирнов, В.Ф. Стась. Вопросы радиационной технологии полупроводников (под ред. JI.C. Смирнова) Новосибирск, Наука, 1980,294 стр.

28. Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Г.П. Лебедев Взаимодействие дефектов, введенных атомной бомбардировкой. ФТП, 7(12), 2297-2300, 1973

29. И.В. Антонова, С.С. Шаймеев Трансформация радиационных дефектов и их скопление при имплантации ионов В+ в кремний. ФТП, 29(4), 605-614, 1995

30. В.П. Кожевников, В.В. Михнович Расчетные оценки зависимости скоростей реакций радиационного дефектообразования в полупроводниках. ЖТФ, 51(1), 153-156, 1981

31. В.П. Кожевников, В.В. Михнович, С.Г. Титаренко Формирование и рекомбинационная эффективность точечных радиационных дефектов в электростатическом поле областей разупорядочения в n-кремнии. ФТП, 17(5), 786-789, 1983

32. В.А. Артемьев, В.В. Михнович, С.Г. Титаренко Модель кинетики формирования областей разупорядочения в полупроводниках с учетом деформаций. ФТП, 22(4), 750-752, 1988

33. F.L. Vook Radiation damage and defects in semiconductors. Inst. Of Phisics, London, 1972

34. I.H. Wilson, H.J. Zheng, U. Knipping and I.S.T. Tsong Effects of isolated atomic collision cascades on Si02/Si interfaces studied by scanning tunneling microscopy. Phys. Rev. B, 38(12), 8444-8450, 1988.

35. A.I. Titov and G. Carter Nucl. Instr. And Meth. В. 119,491, 1996.

36. K.L. Brower and W. Beezhold Electron paramagnetic resonance of the lattice damage in oxygen-implanted silicon. J. Apl. Phys., 43(8), 3499-3506, 1972

37. Н.П. Морозов, Д.И. Тетельбаум Закономерности накопления дефектов при облучении полупроводников легкими ионами. ФТП, 14(5), 934-938, 1980

38. Н.П. Морозов, Д.И. Тетельбаум Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника. ФТП, 17(5), 838842,1983.

39. D.V. Lang Deep-level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors J. Appl. Phys., 45(7), 3023-3032, 1974

40. JI.C. Берман и A.A. Лебедев Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981, 176 стр.

41. G.Carter, V.Vishnyakov, Yu.V.Martinenko, J.Nobes //J.Appl.Phys.-1995.-V.78.-№6.-P.3559-3565.

42. A.B.Danilin, Yu.N.Erokhin, V.N.Mordkovich. Photostimulated defekt-impurity reactions during ion bombardment of Si. //Nucl.Instr. and Meth.B.-1991.-Y.59/60.-P.985-988.

43. Yu.N.Erokhin, A.G. Ital'yantsev, A.A. Malinin and V.N.Mordkovich. Defects in silicon implanted simultaneously with additional ionization // Radiation Effects and Defects in Solids, 1994, V. 128, p. 187-188

44. N. Yarykin, C.R. Cho, G.A. Rozgonyi and R.A. Zuhr The impact of in situ photoexcitation on the formation of vacancy-type complexes in silicon implanted at 85 and 295k. Apll. Phys. Lett., 75(2), 241-243, 1999.

45. Создание эффективного геттера неконтролируемых примесей в кремнии имплантацией ионов Аг+. /Высокочистые вещества.- 1995,- №2.

46. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел под ред. Л. Фирмэнса, Дом. Вэнжика, В. Декейсера, -М.: Мир, 1981, 468с.

47. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов -М.: Высш. Школа 1987г., 236с.

48. D.V. Lang, Deep level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors, Jour, of Appl. Phys., vol.45, pp 3023-3032, 1974

49. Комаров P.P., Кумахов M.A. Неразрушающий анализ твердых тел ионными пучками -Мн.: Университет. 1987, 270с

50. Электронная микроскопия тонких слоев под редакцией П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан-М.: Мир, 1968, 574с с ил.

51. Дж. Спенс Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения под редакцией Рожанского В.Н. -М.: Наука 1986г, 320с.

52. D.K. Bowen, B.K.Tanner High Resolution X-ray Diffractometry and Topography. Taylor & Francis. London, UK, 253p.

53. Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. М.:Наука, 1982, 390с

54. Zaumseil P., Winter U., Cembali F. at al.//Phys. Status Solidi A. 1987. V. 1001. P.95

55. Servidori M.//Nucl. Instr. andMeth. 1987. V. 19/20 P.443

56. Servidori M., Cembali F.// J. Appl. Cryst. 1988. V. 21 P.176

57. Chtcherbatchev K.D., Bublik V.T.// Inst.Phys.Conf.Ser. 1997. N 160. P. 187.

58. Taupin D. // Bull. Soc. Fr. Mineral Cristallogr. 1964 V. 87 p. 469

59. Takagi S. // J. Phys. Soc. Japan 1969 V. 26 p. 1239

60. Wie C.R., Tombrello T.A., Vreeland T. Dynamical X-ray diffraction from nonuniform crystalline films: Application to X-ray rocking curve analysis // J. Appl. Phys., 1986, 59, P.3743-3746

61. Даценко Jl.И., Молодкин В.Б., Осиновский М.Е. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей реальными кристаллами. Наукова думка, Киев, 1988, 200с.

62. Щербачев К.Д., Бублик В.Т., Курипятник А.В.// Поверхность. 2001. №10 С.74-78

63. Klappe J.G.E., Fewster P.F. // J. Appl. Cryst. 1994. V. 27. P. 103

64. Бублик В.Г., Щербачев К.Д., Комарницкая Е.А. и др. // Кристаллография 1999. Т. 44 №6 стр. 1106

65. A.D. Dane, A. Veldhuis, D.K.G. de Boer, A.J.G. Leenaers, L.M.C. Buydens Application of genetic algorithms for characterization of thin layered materials by glancing incidence X-ray reflectometry // Physica В 253 (1998) p. 254-268

66. Wormington M., Panaccione C., Matney K.M. // Phil. Trans. R. Soc. bond. A. 1999 V. 357 p. 2827

67. Goldberg D.E. Genetic Algorithms in Search, Optimization and Machine Learning. Addison-Wesley, Reading, MA. 1989. 437p.

68. Press W.H. et al Numerical Recipes in C. NY.: Cambridge University Press. 1996. P.994

69. R.Storn and K.V. Price 1995 Defferential evolution a simple and efficient scheme for global optimization over continuous spaces. Technical report TR-95-012, ICSI (URL: ftp://ftp.icsi.berkeley.edu/pub/techreports/1995/tr-95-012.ps.gz).

70. Афанасьев A.M., Чуев M.A., Ломов A.A. и др. «Исследование многослойных структур на основе слоев GaAS-InxGaixAs методом двухкристальной рентгеновскойдифрактометрии» //Кристаллография т.42 №3 1997г с514-523.

71. Кривоглаз М.А. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах. Киев: Наукова думка, 1983,407с

72. Servidori М., Fabri R. // J. Appl. Phys. 1993. 28 P A22-A28

73. Goldberg R.D., Simpson T.W., Mitchell I.V. etc. // Nuclear Instr. and Meth. in Physics Research B. 1995. 106. P. 216-221

74. Brown W.L., Ourmazd A. // Mater. Res. Soc. Bull. 1992. 17. No. 6. P.30.

75. Ерохин Ю.Н., Итальянцев А.Г., Мордкович B.H.// Письма в ЖТФ, 1988, 14,1. С. 835

76. Бублик В.Т., Щербачев К.Д., Труш Ю.Ф., Мордкович В.Н. //Кристаллография, 2003

77. Александров О.В. Диффузия, сегрегация, электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния: Дис. док. физ.-мат. наук.- Санкт-Петербург,- 2003.- 321 С.

78. М. Posselt Crystal-TRIM and its application to investigations on channeling effects in ion implantation, Radiation Effects and Defects in Solids 130/131 (1994) 87

79. Chtcherbatchev K.D., Bublik V.T.// Inst.Phys.Conf.Ser. 1997. N 160. P.187.

80. Бублик В.Т., Мильвидский М.Г. Точечные дефекты, нестехиометрия и микродефекты в соединениях AinBv //Материаловедение. 1997. - N1. - с.21

81. N. Hecking, K.F. Heidemann, and Е. te Kaat. Model of temperature dependent defect interaction and amorphization in crystalline silicon during ion irradiation. Nucl. Instr. Meth. B, 15,760-764, 1986

82. J. Belz, K.F. Heidemann, H.F. Kappert, and E. te Kaat. Anomalous defect interaction and amorpfization during self-irradiation of si crystals at 450 k. Phys. Stat. Sol. (a), 76(1), K81-K84, 1983

83. J. Linnros, G. Holmen, and B.S. Svensson. Proportionality between ion beam induced epitaxial regrowth in silicon and nuclear energy deposition. Phys. Rev. В., 32(5), 2770-2777, 1985.

84. Zh.-Lie Wang, N.Itoh, and N.Matsunami. New model of ion-induced crystallization and amorphization of silicon. Appl. Phys. Lett., 64(8), 1000-1002, 1994

85. T. Henkel, V. Heera, R. Kogler, and W. Skorupa. The temperature dependence of the ion beam induced interfacial amorphization in silicon. Appl. Phys. Lett., 68(2), 34253427, 1996

86. T. Henkel, V. Heera, R. Kogler, W. Skorupa, and M.Seibt. Kinetics of ion beam induced interfacial amorphization in silicon. J. Apll. Phys., 82(11), 5360-5373,1997

87. К.A. Jackson. A defect model for ion indused crystallization and amorphization. J. Mater. Res., 3(6), 1218-1226, 1988

88. J. Linnros et al, J. Mater. Res., v.3, p.1208, 1988

89. V.T. Bublik, G.I. Kol'tsov, A.V. Nemirovskiy, and S.Yu. Yurchuk. Defect Formation in Subsurface Be+- and Se+ Doped GaAs Layers// Crystallography Reports, V. 45, №4, 2000, pp. 689-694

90. W. Skorupa, M. Posselt, R.A. Yankov, J.R. Kaschny, A.B. Danilin, R. Kogler Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 142 (1998), 4 , 493-502

91. Щербачёв К.Д., Бублик В.Т., Курипятник А.В., Мордкович В.Н. О влиянии фотовозбуждения in-situ на структуру нарушенного слоя в подложках Si(lll), имплантированных ионами аргона// Изв. ВУЗов. Материалы электронной техники, 2003, №1, С. 66-72

92. V.T. Bublik, S.B. Evgen'ev, M.G. Milvidskiy at al. Specific Features of Defect Formation in Si-implanted (211) GaAs Wafers //Crystallography Reports, V. 44, №5, 1999, pp.829-832

93. А.И. Баранов, A.B. Васильев, В.Ф. Кулешов, А.Ф. Вяткин и JI.C. Смирнов. Константы скорости реакции между многозарядными центрами в полупроводниках. Препринт. ИПТМ АН СССР, Черноголовка, 1985,45 стр.

94. К.С. Азимов, С.М. Городецкий, Г.М. Григорьева, Л.Б. Крейнин и А.П. Ландсман. О влиянии областей разупорядочения на рекомбинацию в облученном протонами р-кремнии. ФТП, 7(8), 1526-1532, 1973

95. М.И. Тарасик, В.Д. Ткачев и A.M. Янченко. Исследование рекомбинационных свойств кислородных комплексов в кремнии. ФТП, 14(5), 986-988, 1980.

96. М.Ш. Джандиери и А.А. Церцвадзе. Исследование подвижности носителей заряда в полупроводниках с разупорядоченными областями. ФТП, 5(7), 1445-1453, 1971

97. Р.Ф. Коноплева и Э.Э. Рубинова. Длинновременные процессы в кинетике фототока n-Si, облученного протонами с энергией 660 МэВ. ФТП, 7(7), 1429-1431, 1973

98. М. Watanabe and A. Tooi. Formation of SiC>2 films by oxygen-ion bombardment. Jpn. J. Appl. Phys., 5(8), 737-738, 1966

99. G.H. Schwuttke and K.Brack. Sub-surface thin film formation through high energy ion bombardment. Acta Crystallographica, A25(3), S43-S44, 1969136

100. G.H. Schwuttke, K.Brack, E.F. Gorey, A.Kahan, L.F.Lowe and F. Euler. Formation and annealing of isolation regions in silicon through Si+ bombardment. Phys. Stat. Sol. (a), 14(1), 107-109, 1972

101. K. Izumi. History of simox material. MRS Bulletin, 23(12), 20-24, 1988

102. V.M. Gusev, M.I. Guseva, V.V. Titov, V.S. Tsyplenkov, E.K. Baranova and L.P. Steltsov. Radio Eng. Electron. Phys., 16, p. 1357, 1971

103. K. Izumi, M. Doken andH. Ariyoshi. Electron. Lett., 14(18), 593, 1978