Особенности комбинационного рассеяния света в легированных соединениях n-GaAs и n-In x Ga1-x As тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА, ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В.ЛОМОНОСОВА._

ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ

РГ6 од > ■ •

На правах рукописи 3 УДК 535.361

Китов Иван Алексеевич

ОСОБЕННОСТИ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В ЛЕГИРОВАННЫХ СОЕДИНЕНИЯХ п-СаАя И п-Ь^Са^Ал. (оптика - 01.04.05)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации йа соискание учёной степени кандидата физико-математических наук

Москва 1994 г.

Работа выполнена на кафедре общей физике физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносога

Научный руководитель:

кандидат физико-математических заук, доцент Авакянц Лев Павлович

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук,

Пенни Александр Николаевич; кандидат физико-математических ьаук,

Мельник Николай Николаевич.

Ведущая организация:

Московский фисико-технпческпй институт

Защита состоится "X " 1994 в -Л _ часов года

на заседании Специализированного Учёного Совета № 1 отделения экспериментальной и теоретической физики физического факультета МГУ им. М.'В.Лсшоиосоза по адресу:

Москва, Ленинские горы, МГУ им. М.В.Ломоносова, физический факультет, ауд.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова. Автореферат разослан

"ИГ 1994 года.

Учёный секретарь Специализированного Совета № 1 кандидат физ.-мат. наук

- 3 -

I. Общая яаряягернетшса работы. Ахстуддьдосп. 1с мы

В ягстоящеэ прег.'я арсепид галлия является одним из ■елочных материалов мн1:рс5л?ктрспи1.я. Изготовление щзнообразных устройств на его основе стало возможным лагодаря модификации характеристик материала с юмощью различных технологически;! воздействий: легирования, ионной имплантации, отжига и т.д. В связи развитием наносекундной электроники, основанной на ехнолсгии сверхрешёток, з последнее ьремя особый гнтерес представляют также исследования тройных о единений на оснозе СаАз, в которых возможно арьяровать ширину запрещённой гоны за счёт изменения :онценсрацш1 твёрдого раствора.

Исследования приповерхностных слоев легированных :олупроводниковых материалов методом комбпнацион-ого рассеяния света (КРС) представляют интерес как с »ундадгентальной, так и. с прикладной точки зрения. Их еаультаты важны для понимания особенностей электпон-юнонпого взаимодействия в субмикрояных полупровод-Ековых. структурах, и разработки методов неразру-юющего контроля технологических ~роцессон в злсроэлектрошпсз.

За счет резонансного характера рассеяния в олупроводииках метод КРС позволяет про?"зводить пагпостхпсу приповерхностных слоев толщиной мрззе 0.1 мкм и получать информацию как о структурных, так электрофизических- свойствах исследуемых материалов, го преимуществами являются локальность и бесконтак-кость. Информативность КРС при исследовании ггированных полупроводников обусловлена тем, что в олярпых полупроводниках плазмоны свободных осителей п продольные оптические фононы (ЬО) связаны, ,к. дплольный моглепт, лознк^сающий вследствие сносительпсго смещения ионов, взаимодействует, с хектричаскнг: полем свободных носителей, что приводит

к образованию связанных фонон-плазмозных мод (СФПМ). Анализ частоты, ширины и формы линий КРС, обусловленных рассеянием на СФПМ, в принципе позволяем получать информадию об электрофизических свойствах легированного слоя (таких, как концентрация свободных носителей и их подвижность).

В ряде работ зта задала успешно решалась с помощью КРС. Однако, возможности метода были реализованы не полностью. Основное внимание уделялось трансформации спектров КРС при легировании плёнок СаАв в процессе их роста и практически не исследовались особенности, возникающие при ионной имплантации и легировании тройных соединений (за исключением, пожалуй, подробно исследованного А^&а^^Ая). Цель работы:

исследовать особенности КРС в ионно легированных слоях п-ОаАБ, обусловленные процессами структурного разупорядоэения и электрической активации, примеси, а также особенности взаимодействия СФПМ в тройном соединении а.-1пхСа1_хА5. При этом решались следующие задачи:

1. Установить корреляцшо вида спектров КРС со структурой монокристаллов СаАз, имплантированных понами в диапазоне доз Ю^З - 5-1С)1 - см*^ и энергий 140 кэВ. Получить количественные оценки степени аморфизацни имплантированного слоя. Сопоставить полученные результаты с существующими моделями аморфизацин СаА£ при ионной имплантации.

2. Исследовать спектры КРС п-СаАя, полученного в результате ионного легирования и последующего термического отжига. Выявить особенности КРС, обусловленные взаимодействием связанных фонон-плазмонных мод. Выяснить возможности КРС диагностики электрофизических параметров ионнолегиро-ванного п-СдАб.

3. Получить спектры КРС эпитаксиальных плёнок п-1пхОа1-хА£. Исследовать особенности поведения

связаяных нлз.зыон-фононных мод в тройных соединениях на примере n-In-Gai. sAs.

Рз запит? втлтеосятся следующие положения:

1. Наблюдаемые в спектрах КРС а^сенида галлия, имплантированного ионами Si+, низкочастотный сдвиг я ■ассиметричное уширепиг LO компоненты связаны с разуперядочгнием пристеллчческой решётки к -образованием микрокри-таллхтзеской фасы н могу? быть описаны в рамках модели пространственной локализации

:.нсна.

2. Особенное'" KFC, г нонно - имплантированных ионокристаллях n-GaÁs. подвергнутых- термическому этжигу, вызваны рассеянием на связанных фояон-алазмонных модах и могут быть описаны с помощью продольной диэлектрической функции Линхарда-УЕермина. ■

5. В спектрах КРС n-InxGai_xAs наблюдаются три дополнительные линии, идентифицированные как ¡вязанные фонон-слазмонпые шзды. Характерным для }ФПМ в тройных соединениях является наличие ветви хереходаей частоты. которая не наблюдается в двойных ¡оединениях.

Научная и практическая денность работы:

-изучего проявление аффектов р£.зупорядочения, ¡вязанных с локализацией фононов 2 области 10 - 100 д, б ¡пектрах комбинационного рассеяния;

-исследованы особенности динамики связанных ронон-плазмоЕных мод в GaAs и гройкьг: соединения:: на го основе.

Цолучанныз результаты могут быть использованы для [ерасрушающего контроля как структурных так и лектрефизяческих параметров приповерхностных полупроводниковых слоев при технологических процессах.

АыробэлгЕя работы и гг/бУякагггтс. 'езультаты диссертации изложены в работах, список оторых приведён^ конце данного реферата, и докладтл-ались на следующих конференциях:

1. Xl-th intrenational conference on Raman spectroscopy.(London, 1988);

2. Всесоюзная конференция "Ионно-лучевая модификация материалов". (Каунас, 1989);

3. Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах, {Калуга, 1990);

4. Всесоюзная конфгреиция по физике и технологии тонких Еленок, (Ивано-Франковск, 1990);

5. ХП Всесоюзная конференция по твердотельной электронике СВЧ, (КиеЕ, 1990);

6. Всесоюзная научно-техническая конференция "Микротехнология" (Сочи, май 1991);

7. ХШ-th intrenational conference on Raman spectroscopy. (Wurtsburg, 1992);

8. Международная шксла по оптике конденсированного состояния (Киев 1993).

Объём работы

Диссертация содержит 97 . страниц, в том числе 18 рисунков, список литературы содержит 70 наихленований.

!1. Содержание работы:

Во введении сформулированы актуальность, цель и научная новизна работы, приводятся основные положения, выносимые на защиту, реферативно изложено содержанке работы.

В первой главе приведены основы теории резонансного комбинационного рассеяния в легированных полупроводниках, а также обзор теоретических и экспериментальных работ, посвященных

комбинационному рассеянию в n-GaAs и тройных соединениях на его основе.

Во второй главе содержится описание экспериментальных установок и методик. Спектры КРС регистрировались на автоматизированном КРС спектрометре при комнатной температуре в геометрии рассеяния назад. Во

избежанпе нягрева образцов мощность лазерного излучения не превышала "00 мВт. Использовалась длина, солны 514.5 нм аргонового лазера. Ширина аппаратной функции спектрометра была равна 2 см-1.

Для регистрации СФПМ, интенсивность которых на два порядка меньше интенсивности фононных пиков использовался специально разработанный я созданный многоканальный алтоматпз^овашплй КРС спектрометр на базе по лихроматора МДР-23 ' и двойного предмонохроматора. с рычитаннем дисперсии. В качестве фото приёмник ¿. попользована высокочувствительная передающая телевизионная трубка типа суперЕидикон ЛИ-70S с усилителем яркости ЭП-10 на входе. Приведено обоснование выбора оптической схеми многоканального анализатора с дсполнптеяльньш предмонохроматорок. Применение указанных выше тэхничесгах решений позволило существенно повысить чувствительность и контраст прибора.

В тозтьей главе рассматривается КРС б арсзккде галлия при ионной имплантации и последующем термическом стасихе. Ионы кремния с энергией 140 кэВ имплантировали в полуязолирующий GaAs (п<1С^® ск~3) с ориентацией (100) з интервале доз 10*3 - 5 10-4 см-2. Плотность тока при хшплэнтации не превышала 30 аА/смЯ, что уменьшало всзм-сжь-о^иь неконтролируемого нагрева обрааца. Послеимшт^/ационный отжиг проводился под защитным покрытием нкгрида кремния з етмзсфзре водорода .при температуре 9G0° С в течение 20 мин.

В спектре КРС неимплантпрозвлно.'о образца [рис.1Д) наблюдалась сильная LO ко»лпонгз~а с частотой 291.5 ем-1 и слабая ТО ляння с частотой 233 см~1. [Тс^вленгте запрещённой правилами отбора ТО компоненты з геометрии рассеяния x(yz)x, по-видимому, обусловлено аарушением условий обратного рассеяния вследствие конечяости входной, алэртуры спектрометра. В спектрах

КРС имплантированных образцов (ркс.1 2-5) с. увеличением дозы имплантации наблюдалось уменьшение интенсивности L0 компоненты, ее сдвиг в сторону низких частот и асимметричное уширение. Кроме того, происходило нарастание интенсивности широких полос в области 70, 180, 250 см~1, характерных для аморфного GaAs.

Наличие в спектрах имплантированных сбразцоз как смещённой и уширенной LO-компоненты, так и линий аморфного GaAs указывает на то, что приповерхностный слой является аморфной матрицей, содержащей гдикрокристаллы, средгчй размер которых зависит от дозы шли л аптацни. __

Для количественного анализа экспериментальных результатов, следуя модели Рихтера, учтем локализацию фонона дошножиз его волновую функцию на весовую

функцию W(r,L) = ехр(-8n2r2/i2), описывающую спадание амплитуды фоноча на границе сферической области диаметром L. При таком выборе функции W(r,L), дающем наилучшее согласие теории и эксперимента при исследовании КРС в микрокристаллах Si, интенсивность линии КРС первого порядка будет описывается следующим выражением:

1(<в) = I? f ехр о

V

¿а —

----- (1)

[а-сэ(?)]'+(Г0/2):

,2'

где: <в(4) - дисперсионная кривая фонона, Г0 - ширина ЬО компоненты неограниченного монокристалла, а постоянная кристаллической решётки.

Сравнение экспериментальных данных с расчитанными по (1) зависимостями от Ъ частотных сдвигов и уширения ЬО компоненты позволило получить оценки размера микрокристаллов для различных доз имплантации (таб.1)

Таблпца 1

Параметры ЬО - компоненты КРС, размеры микрокристаллов Ь и доля кристаллической фракции тс арсеяида галяия при различных дозах имплангапии Ф.

ф,1014 см-2 см'1 1До Га/Гь Ь, А /с

0 231.5 ' 3.0 1 1 со 1

0.1 290.6 5.3 0.65 1.9 70 0.87

0.5 288.0 10.5 0.39 2.1 50 0.67

1.0 288.1 10.8 0.54 2.2 45 0.64

5.0 287.1 11.2 0.28 2.6 40 О.оВ

Для корректного определения интегральной интенсивности Г, положения у=т7/27тс, ширины Г= Га +Гь и параметра асимметрии 5 = Га+Гь, ЬО компонента аппроксимировалась лоренцианом с различными значениями левой и правой полуширин Га и Г^. Полуширины, а также амплитуда и положение лоренциана являлись подгоночными параметрами. Перед аппроксимацией из спектра, наблюдаемого в геометрии

рассеяния х(уг)х, вычитался спектр аморфного йаАэ,

нолучеизый з геометрии х(у'г')х, для которой рассеяние ЬО фононсм запрещено. Вычисленные таким образом параметры ЬО коитоненты в зависимости от дозы иготлаптоцкп Ф приЕздены в таблице 1.

Указанный ваше механизм не приводит к изменению интегральной интенсивности линий КРС. В связи с этим можно считать, что наблюдаемое экспериментально (рпс.1, таб.1)" уменьшение интенсивности ЬО компоненты при возрастании дозы ишмактации, обусловлено уменьшением доли кризч'аллической фракции и увеличением коэффициента поглощений а имплантированного слоя «следствие его'аг.юрфазашш. Эффективная толщина 1=1/2 а исследуегюго4 з КРС слоя составляет 44 нм -для кристаллического, и 11 нм для полностью

аыорфизованного GaAs, что почти на порядок меньше средней толщины имплантированного слоя (около 200 нм для ионсв Si с энергией 140 кэВ). Поэтому, будем считать, что тшл актированный слой является однородной двухфазной средой с коэффициентом поглощения света а = ctcfc-HijJA, где ас, о.А - соответственно коэффициенты поглощения кристаллического и аморфного GaAs, а ic> доля кристаллической и аморфной фракции, причем /с+/л=1. В этом случае отношение интегральных интенснвностей LO компонент имплантированного и неимплантированного образцов определяется следующим соотношением:

h fac + fAaA

Вычисленные по этой формуле дозовые зависимости /с приведены в таблице 1.

Используя модель Гнббонса, описывающую процесс аморфизацют при ионной имплантации как результат слияния кластеров радиационных нарушений, нами было установлено. что полученные экспериментальные результаты соответствуют нулевой кратности перекрытия кластеров. Это означает, что при имплантации каждый ион Si+ образует аморфную область и /с= ехр(-БФ), где

г, rJ52

S ---площадь поперечного сечения трека. Найденное

4 .

таким образом среднее значение диаметра трека ионов

кремния Dsi=8 Ä оказалось в разумном согласии со

значениями D для ионов бериллия DEe= 4Ä и мышьяка

Das= с учетом разности масс и радиусов этих ионов

и, соответственно, сечений упругого рассеяния.

На рис.2 приведены спектры КРС имплантированных

образцов после термического отжига. Как видно из

рисунка, для образца с максимальной дозой имплантации з спектре обнаруживается слабый ЬО максимум, интенсивность которого сравнима с интенсивностью >алрещенной ТО компоненты, а также широкие полосы в зЬ'ласти частот 230 и 510 см-*, обозначаемые в дальнейшем Ь. и Ь+. Следует отметить, что частота к ширина ЬО компоненты в пределах ошибок эксперимента юответстзует параметрам лпнпп КРС монокристалла до амплантацзш. Это ■ свидетельствует о восстановлении кристаллической структуры имплантированного слоя зоелч проведения термического отжига.

При уменьшении дозы имплантации частота поды Ь+ крзмещается в область ЬО компоненты, интенсивность которой возрастает. Изменения в спектре отожженых 5брасцов могут быть объяснены восстановлением кристаллической структуры ОаАз и электрической штиватщей внедренной примеси • в результате термического отжига. Взаимодействие флуктуации трядовой плотности образовавшихся свободных носителей 5 макроскопическим электрическим полем ЬО колебаний сристалличссксй решетки приводит к образованию ¡вязанных плазмон-фононных мод Ь_ и Ь+, частоты которых зависят от концентрации свободных носителей п.

ЬО максимумы на рис. 2 обусловлены КРС из области хространственкого заряда (ОПЗ), обедЕензой свободными юсителяляг. Интенсивность ЬО компоненты определяется толщиной ОПЗ, которая также зазиелт от и:

- (3)

2ю~п

"де Ф4- высота потенциального барьера на поверхности, з0 -:татическая диэлектрическая проницаемость, е - заряд )лектрона.

Увеличение ^ частоты моды Ы- с уменьшение штенсивности ЬО - компоненты (рис. 2) свидетельствуют )б увеличении концентргощи электронов в при-

повер^яостиом слое отожжённых образцов с ростом дозы имплантации.

Для количественного описания указанных особенностей спектров КРС было использовано выражение для сечения" рассеяния света связанными плазмон-фононньшк кодами:

Фут -О"

где , ©д = е>у(С + 1),С - коэффициент Фауста-Генри,

( \ -. со/ -сог сор(д)

©у -<в| ©2+«оГр1

- диэлектрическая проницаемость з приближении Друде, сочастота и затухание плазмона.

Оказалось, что при использовании единого значения затухания Г для обеих связанных мод, соотношение (4) не даёт удовлетворительного согласия с экспериментальными данными. По-видимому, это связано с тем, что применимость рассматриваемой модели определяется

2

соотношением сз > дУр + --—, выполняющимся лишь для

2т*

моды Ь+. Для моды Ь. это соотношение не имеет места п она должна испытывать дополнительное затухание (затухание Ландау), обусловленное распадом плазмона на одночастичные возбуждения. Поэтому, при аппроксимации низкочастотной области спектра (рис. 2А), использовалось значение и, найденное по положению моды Ь-ь а величина затухания низкочастотной связанной моды Г. служила подгоночным параметром. Обнаруженное

аномально высокое затухание моды Ь- (таб. 2) подтвердило предположение о попадании ее частоты в область затухания Ландау.

Таблица 2

Параметры СФШ.1 и концентрация свободных носителей и в приповерхностном слое баАз, ионво-

легированном кремнием при различных дозах имплантации Ф.

ф, 1014 см-2 Юр, СМ"1 Г;, см-1 Г", см-1 п, 1018 см-3

0.1 274 330 0.4

0.5 419 110 260 1.1

1.0 472 - 130 370 1.5

5.0 5С1 120 350 1.7

Для учёта затухания Ландау и пространственной дисперсии, предложен другой подход, в рамках которого получено удовлетворительное согласие с экспериментом. При этом использовалось выражение Линхарда-Мермина для диэлектрической проницаемости, для которого в низкотемпературном приближении удалось получить аналитическое выражение, пригодное для использования его в качестве аппроксимирующей функции.

Следует отметить, что в этом приближении предсказывается переход частоты моды Ь. через частоту ТО фонона, наблюдаемый в эксперименте, который невозможно объяснить в рамках теории Друде. То что выражение записано в аналитическом виде позволяет использовать его в качестве функции, аппроксимирующей , экспериментальные результаты. В этом случае параметрами аппроксимации являются такие физические характеристики материала, как концентрация свободных носителей заряда и затухание плазмона, связанное с

е

подвижностью носителей заряда и = —;-.

тп ■'•" Г^

Четвёртая глава посвящена исследованию спектров КРС в тройных соединениях на примере 1пхСа1_хАз и -типа. Образцы представляли собой эпитаксиальные плёнки Хп^ва^Аз выращенные на подложке СаАэ с ориентацией (100). Легирование производилось серой в процессе роста. Концентрация носителей заряда контролировалась методом Холла.

Для более детального анализа спектров КРС нами было произведено разложение наблюдаемого контура на четыре лоренциана рис.3, соответствующих линиям КРС ТО и ЬО-фононов и модам Ь. г Ьр. Параметры отих кривых получены путем минимизации суммы квадратов отклонений теоретической формы кривой и экспернментачьяых значений.

Изменения в спектре 1пхОа1.хА£ могут быть объяснены в рашсах трёхосцилляторной модели связанных плаз-мон-фононных мод. В результате взаимодействия флуктуаций зарядовой плотности свободных носителей с макроскопическим продольным электрическим полем ЪО колебаний кристаллической решетки, в спектре КРС Еозникагс"- саяьагные моды, носящие смешанный плазмон-фононный характер (те-с даоываемые Ь0 к моды). Наряду с наличием низкочастотной и высокочастотной ветзей СФПМ обнаружено наличие переходной мсцы Ь0, отсутствующей в спектрах двойных соединений.

Поведение моды Ь+ при данных концентрациях пракически не отличается от поведения моды ьл- в двойных соединениях. По частоте этой моды можно оценить концентрацию свободные носителей зарядов. По положению фононных пиков ЬО и ТО оказалось возможным определить концентрацию твёрдого раствора х из дозовых зависимостей:

^йО^оА«)

- -32.4л;2 -18.6* + 290.0

0>ТО(ваА$) ^ -29.Ох2 - о.Зх+ 265.1

®LO(lnAs) = 8.92л2 -7.7*+ 234.9

юТО(/;1Дз) = -16.5*+ 233.7

В приложении показана возможность исследования методом КРС остаточных напряжений в образцах GaAs, обусловленных механической полировкой.

Основные рэзультатм и выводы.

1. Разработана и создана автоматизированная. экспериментальная установка для многоканальной регистрации спектров КРС, предназначенная для регистрации предельно малых сигналов, в том числе обусловленных рассеянием на СФПМ в полупроводниках.

2. Исследованы спектры КРС монокристаллов GaAs, имплантированных ионами Si+ с энергией 140 кэВ в диапазоне доз 1013 . 5-1014 см*2. Наблюдаемые изменения параметров LO компоненты интерпретированы в рамках модели пространственной корреляции фононоз. Показано, что имплянтированноый елей является гетерофазной системой, содержащей как аморфную так- и микрокристаллическую фракции с размером упорядоченных областей 5 - 10 нм. На основе полученных данных проведена оценка степени аморфизации приповерхностного слоя и диаметра треков ионов.

3. В спектрах имплантированных образцов GaAs, подвергнутых термическому отжигу, обнаружено рассеяние на связанных фопон-плазмонных модах (СФПМ) L+ и L., свидетельствующее о восстановлении кристаллической структуры и электрической активации примеси. Из анализа частоты и формы линии L+ в приближении Друде получены дозовые зависимости концнтрации свободных носителей приповерхностного слоя п=(0.4-1.8) 1018 см-3.

4. Обнаружено аномально высокое (по сравнению с L+) затухание моды L., связанное с тем, что её частота попадает ' в область затухания Ландау. На основе

диэлектрчческоя функции Линдхарда-Мершша получено аналитическое выражение для описания ICPC на СФПМ в легированных полярных полупроводниках с учётам затухания Ландау а пространственной дисперсии. 5. Исследованы спектры КРС легированных эпптаксиаль-ных плёнок n-LijGaj.xAs с концентрацией носителей в диапазоне п=1016 - 51018 см_3. Показано, что наряду с модами Lf и L для тройных соединений характерно наличие переходной коды L-0 отсутствующей в спектрах двойных соединений. На основе предложенного анализа спектров КРС определены объёмная кенц&чтрация свободных носителей п. и концентрация твёрдого растзора

ЛИТЕРАТУРА.

1. Авакянц' Л.П., Кнтоз ИЛ., Червяков A.B. Автоматизированная установка для разностной спектроскопии комбинационного рассеянна.//ПТЭ, Т 2, с 1 4.6-148, 1£88.

2. Авакянц Л.П., Китов И.А., Кравченко В.Б., Ушаков В.Б. Исследование фазовых переходоз в приповерхностных слоях имплантированного арегнида галлья //Тезисы докладов на Всессюзной конференции "Ионно-лучевая иодпфикация материалов". Каунас, 1989

3. Авакянц Л.П., Горя О.С., Ефимов А.Д., Кслмакова Т.П., Зеленин В.В., Китов И.А. Особенности КРС в гетеро-эцитаксиальных структурах GaAs?:GaAs //Тезисы докладов 5 Всесоюзной конф. по физическим процессам з полупроводниковых гетерострук турах, Калуга, 1990

4. Авакянц Л.П., Ефимов А.Д., Колмакова Т.П., Горя О.С., -Зеленин В.В., Китов Й.А. Исследование, методом КРС апитаксиальных гетероструктур GaAs/GaAsP и слоев InGaAs методом КРС //Тезисы докладов 3 Всесоюзной конф. по физике и технологии тонких пленок, Ивано-Франковск, 1990.

-175. Авакяпц JI.II., Ефимов А.Д., Колмакова Т.П., Китов И.А. Эпитаксиальные гетероструктуры GaAs/GaAsP для СВЧ приборов и их исследование методом КРС //Тезисы докладов 12 Всесоюзной конф. по твердотельной электронике СВЧ, Киев, 1990.

6. Авалянц Л.П., Червяков А.В., Китов И.А. Неразрушающпй контроль структурных и электрофизических параметров ионно-легпровоннсго орсенида галия методом комбинационного рассеяния //Доклад на Всесоюзной научно-технической конференции "Микротехнология" Сочи, май 1991

7. Avakyants L.P., Chervyakov A.V., Kitov I.A., Polyakov P.A., and Gorelik V.S. Raman scattering by phonon-plasmon coupled modes in Si - ion-doped GaAs //Тезисы докладов ХШ th intrenational conference on Raman spectroscopy Wurtsbuxg, 1992.

8. Авакянц Л.П., Горелик B.C., Кнтов И.А., Червяков A.B. Комбинационное рассеяние света в арсениде галлия, ионно-легированном кремнием //Физика твёрдого тела, Зо, №5, 1354-1362, 1993г.

I; Отп. Ед.

О 100 200 Ш

Частота КРС [см"1]

Рис. 1 Сиектры КРС GaAs имплантированного ионами с энергией 140 кэВ и дозами 0(1), 1013(2), 51013(3), 1014(4), 5-1014(5) см-2.

I, Отн. Ед

300 40»

Частота КРС [см"1]

Рис. 2 Спектры КРС СаАэ, имплантированного ионами 81+ с энергией 140 кэВ после термического отжига.

Дозы имплантации (см_2): 1 - 1013, 2 - 5-1013, з . 1014, 4 . 5-1014.

Эксперимент ■Сумма |

лоргнцпеаоа |

Отгдельные I лорешшанзл

¿¡то/ ъ

Сдвиг частоты КРС [ст-1]

Ркс. 3 Аппросимация спектра КРС Ььг&аХ-хАэ набором Лоренцианов.