Особенности преобразования и распространения поверхностных акустических волн в слоистой электродной структуре на поверхности пьезокристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.03 ВАК РФ

На правах рукописи

Чайковский Дмитрий Станиславович

ОСОБЕННОСТИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ И РАСПРОСТРАНЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН В СЛОИСТОЙ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЕ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЬЕЗОКРИСТАЛЛОВ

Специальность 01 04 03 - радиофизика

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

□03070381

Саратов 2007

003070381

Работа выполнена на кафедре физики твердого тела факультета нано- и биомедицинских технологий Саратовского государственного университета им Н Г Чернышевского

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

старший научный сотрудник Сучков Сергей Германович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Лазерсон Александр Григорьевич,

Защита диссертации состоится 30 мая 2007г в 17 часов 30 минут на заседании диссертационного совета Д212 243 01 при Саратовском государственном университете им НГ Чернышевского по адресу 410026, г Саратов, ул Астраханская, 83

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Саратовского государственного университета

Автореферат разослан «2?» апреля 2007 г

доктор физико-математических наук, доцент Кузнецова Ирэн Евгеньевна

Ведущая организация: ОАО «НИИ-Тантал», г Саратов

Ученый секретарь диссертационного совета

Аникин В М

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы

Устройства на ПАВ уже давно используются в промышленных приборах связи, радиолокации, военной технике, а в настоящее время нашли широкое применение и в бытовой аппаратуре, такой, например, как телевизоры и сотовые телефоны Эти устройства осуществляют аналоговую обработку информации, а в качестве объекта переноса информации используют акустические волны в кристаллах Неотъемлемым элементом данных устройств является преобразователь электрического сигнала в акустическую волну, выполняющий также и обратное преобразование акустической волны в электрический сигнал Конструкция преобразователя зависит от требований к его амплитудно-частотной характеристике (АЧХ), фазочастотной характеристике (ФЧХ), к уровню ложных сигналов, а также зависит от вида используемой волны (Рэлея, Гуляева-Блюстейна, приповерхностных объемных акустических волн), требований к температурной стабильности и других факторов В случае применения поверхностных волн на пьезоэлектрических кристаллических подложках наиболее часто используют встречно-штыревой преобразователь (ВШП)

В большинстве устройств на ПАВ встречно-штыревые преобразователи изготавливаются из тонкой пленки алюминия (реже золота или серебра), нанесенной методом вакуумного напыления Поскольку при термическом испарении адгезия пленки алюминия к поверхности полированного кварца и ниобата лития низка, в качестве адгезионного подслоя используют хром или ванадий Для обеспечения хорошей адгезии пленки алюминия толщина адгезионного подслоя должна быть от 20 до 50 нм

Таким образом, электроды ВШП на самом деле представляют собой двухслойную структуру Однако в большом числе известных работ, например, [1-3] при расчетах устройств на ПАВ не учитывают массовую нагрузку электродов, в работах [4,5] она учитывается, но не учитывается отличие упругих свойств материала электродов от объемных образцов, в работах [6,7] учитываются массовая нагрузка и упругие свойства однослойных электродов, но работы, в которых бы учитывалось влияние слоистой структуры электродов, то есть наличие адгезионного подслоя, неизвестны

В связи с непрерывным продвижением устройств на ПАВ в СВЧ диапазон, развитием систем сотовой связи и освоением новых частотных диапазонов (свыше 2 ГГц) расширилась область применения устройств на ПАВ, в частности, разрабатываются устройства для использования в антенных трактах передатчика сотового телефона

Поэтому существует потребность в повышении точности расчетов характеристик устройств на ПАВ при переходе в СВЧ диапазон, что невозможно без учета того, что металлическая пленка, из которой состоит электродная структура ВШП, имеет составную (двухслойную) структуру из нанометрового адгезионного металлического подслоя и основного слоя из металла с высокой проводимостью

Таким образом, разработка методов расчета различных характеристик ВШП ПАВ в СВЧ диапазоне, учитывающих влияние адгезионного подслоя, является актуальной

Целью диссертационной работы является исследование процессов распространения и преобразования ПАВ в структуре «пьезокристалл-двухслойная металлическая пленка» и анализ влияния адгезионного подслоя алюминиевых электродов на частотные и температурные характеристики СВЧ приборов на ПАВ

Научная новизна

1 Впервые исследовано влияние адгезионного подслоя металлической пленки на поверхности пьезокристалла на скорость и структуру ПАВ в СВЧ диапазоне Рассчитаны частотные зависимости скорости ПАВ в структуре «двухслойная металлическая пленка-пьезокристалл»

2. Впервые предложен и исследован способ устранения отражения ПАВ от краев электродов за счет выравнивания скоростей ПАВ на свободной и металлизированной поверхностях с использованием упругих свойств адгезионного подслоя

3 Впервые показано, что адгезионный подслой оказывает существенное влияние на термостабильность устройств на ПАВ на частотах свыше 1 ГГц Найдены углы срезов кристалла кварца, при которых достигается термостабилизация АЧХ ВШП с двухслойными электродами в диапазоне частот свыше 1 ГГц

4 На основе построеннного квазиполевого метода показано, что адгезионный подслой электродов ВШП влияет на потери преобразования в СВЧ диапазоне и может приводить как к их росту, так и к их снижению

Достоверность полученных в диссертации результатов основана на строгой постановке и решении граничных задач пьезоакустики и подтверждается хорошим соответствием полученных в работе теоретических результатов с экспериментальными и некоторыми теоретическими результатами других авторов, а также адекватностью результатов в предельных случаях

Основные научные положения, выносимые на защиту

1 На частотах свыше 0 5 ГГц при расчетах скорости и структуры ПАВ на металлизированной поверхности кристалла необходимо учитывать упругие свойства и толщину как слоя основного металла, так и нанометрового адгезионного подслоя

2 Существуют значения толщин слоев двухслойной металлической пленки на поверхности пьезокристалла, при которых коэффициент отражения ПАВ от края металлической пленки может быть равен нулю на определенной частоте

3 Термостабильность АЧХ ВШП ПАВ на частотах свыше 1 ГГц зависит от толщины и материала адгезионного подслоя электродов Для различных частотных диапазонов и комбинаций материалов термостабильные углы среза различны

4 При расчетах АЧХ ВШП ПАВ на частотах свыше 1 ГГц необходимо учитывать слоистую структуру электродов В зависимости от толщин и материалов металлических слоев электродной структуры вносимые потери с ростом частоты могут как увеличиваться, так и уменьшаться

Практическая ценность работы

Тема диссертации, ее цель и решаемые задачи сформулированы на основе существующих практических задач, решение которых является проблемой современной акустоэлектроники Все полученные в работе результаты непосредственно применяются на практике в разработке устройств на ПАВ СВЧ диапазона

Личный вклад автора

Автор участвовал в разработке алгоритмов и программ для расчета фазовых и энергетических характеристик ПАВ в слоистых структурах, расчетах амплитудно-частотных характеристик ВШП по квазиполевой модели Постановка задач, выбор методов решения и обсуждение полученных результатов были проведены автором совместно с научным руководителем

Апробация работы

Результаты диссертационной работы рассматривались и были представлены на 4-й Международной научно-технической конференции "Физика и технические приложения волновых процессов", Нижний Новгород, 10-15 ноября 2005, на школе-семинаре КоМУ-2005 "НАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫ" (г. Ижевск, 5-8 декабря 2005 г), на Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения», Саратов, 20-21 сентября 2006, на 5-й Международной научно-технической конференции "Физика и технические приложения вотновых процессов", Самара, 11-17 сентября 2006, на 2006 IEEE International Ultrasonics Symposium, Vancouver, Canada, October 3-6, 2006

Публикации

По результатам исследований, выполненных при работе над диссертацией, опубликовано 7 работ, в том числе 1 статья в журнале из списка ВАК, 5 статей в трудах российских конференций с международным участием, 1 тезис доклада в книге ABSTRACT международного симпозиума по ультразвуку

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы Общий объем диссертации составляет 109 страниц Основной текст занимает 100 страниц, включая 38 рисунков Список литературы содержит 76 наименований и изложен на 7 страницах

Краткое содержание работы

Во введении обосновывается важность и актуальность повышения точности расчетов СВЧ устройств на ПАВ Указывается на необходимость учета

адгезионного подслоя электродов ВШП при расчетах характеристик устройств на ПАВ Формулируется цель работы, заключающаяся в проведении теоретических исследований процессов распространения и преобразования ПАВ в структуре «пьезокристалл-двухслойная металлическая пленка» и анализе влияния адгезионного подслоя алюминиевых электродов на различные характеристики СВЧ приборов на ПАВ

В этой части диссертационной работы формулируется научная новизна исследований, практическая значимость работы и обосновывается достоверность полученных результатов, приводятся положения, выносимые на защиту, и сведения об апробации работы

В главе 1 на основе строгого решения краевой задачи для уравнений Максвелла и Кристоффеля с электрическими и механическими граничными условиями на трех поверхностях раздела в структуре «двухслойная металлическая пленка-кристалл» численно исследовано влияние толщины и упругих свойств двухслойного металлического покрытия на структуру и скорость ПАВ

Относительная по- и грешность вычисления скоростей ПАВ на свободной 31 поверхности пьезокристал-лов, определяемая из сравнения с экспериментальны- 3] ми данными, составляет

10"5, ЧТО соответствует ОТ- Ч--- чааы гга

носительной погрешности

справочных акустических кристаллов На рис

данных для параметров

1 приведены результаты расчета зависимостей скорости ПАВ от : частоты на подложке ST- J среза кварца для двухслой- ; ной пленки из алюминия с j примесью меди толщиной j 150 нм и различных толщинах подслоя хрома (а) и ванадия (б)

Рис 1 Влияние адгезионного подслоя на дисперсию скорости ПАВ

На приведенных зависимостях скорости ПАВ от частоты видно, что влияние адгезионного подслоя становится существенным на частотах свыше 0 5 ГГц

б

В главе 2 проводится анализ существующих способов устранения отражений ПАВ и их недостатки, а также исследуется коэффициент отражения ПАВ от двухслойной структуры и приводятся результаты исследований

Исследование влияния двухслойной структуры электродов на коэффициент отражения ПАВ от края электрода проводится на основе известной формулы [8]

R(h,X)'

A+ci-T

где V0u Vm скорости ПАВ на свободной и на металлизированной поверхностях кристалла, а С\ и С2 - коэффициенты, определяемые экспериментально для каждого сочетания материалов, так, для кварца ST-среза и алюминия С, =0 00033, С2=0 0019 [9]

Из формулы для коэффициента отражения видно, что при некоторых значениях Vm и Vq коэффициент отражения может быть равен нулю Для нахождения соответствующих такой ситуации сочетаний параметров двухслойной структуры были проведены расчеты частотных зависимостей коэффициента отражения ПАВ Л от края двухслойного электрода из алюминия с примесью меди толщиной 150 нм и различных толщинах подслоя хрома (а) и ванадия (б)

№юто«в , ГГц

Рис 2 Частотные зависимости коэффициента отражения ПАВ R от края двухслойного электрода из алюминия с примесью меди толщиной 150 нм и различных толщинах подслоя хрома (а) ванадия (б)

Таким образом, методика достижения безотражательного распространения ПАВ через электродную структуру ВШП основывается на учете материала адгезионного подслоя и влияния вида и концентрации примеси в алюминии на изменение его модулей упругости, а также на выборе двух размерных параметров электродов ВШП толщины слоя алюминия и адгезионного подслоя

Результаты определения частот нулевого коэффициента отражения от вида материалов слоев и их толщин приведены в таблицах 2,3

Таблица 2

Толщина слоя А1, нм Толщина подслоя хрома, нм

20 30 40 50

100 2 05 1 25 0 92 0 75

150 2 41 1 32 0 95 0 76

200 26 1 55 1 02 0 77

Таблица 3

Толщина слоя А/, нм Толщина подслоя ванадия, нм

20 30 40 50

100 1 9 - - -

150 25 1 22 - -

200 25 1 64 0 95 -

В главе 3 диссертации проводится анализ основных направлений поиска термостабильных материалов, приводятся результаты исследования влияния упругих свойств двухслойного металлического покрытия на поверхности кристалла кварца на термостабильность устройств на ПАВ в СВЧ диапазоне

Для количественной оценки температурных изменений центральной частоты ВШП в широком интервале температур (более 100 градусов) используется параметр, называемый температурной расстройкой частоты (ТРЧ)

/о(Г)-/о(Г„)

/о (Т0) '

где с учетом зависимости от температуры скоростей ПАВ и линейных размеров

ГРЧ =

/0(Г) = г-'=4

(И-оГнСГ-Го))"

Ут(Т) К (Г),

То — рабочая температура ВШП, относительно которой измеряется температурная расстройка частоты, <хц — температурный коэффициент расширения кристалла в направлении распространения ПАВ (вдоль координатной оси х), расстояние между штырями ВШП (ширину зазора) - д, ширина штыря - Ь

В данной работе исследовалось влияние двухслойной структуры металлических электродов на термостабильность частотных характеристик ВШП Для разных толщин адгезионного подслоя были рассчитаны ТРЧ ВШП с двухслойными электродами для найденных ранее в работе [7] У+48°- и У+50 5°-срезов кристалла кварца для резонансных частот 1 ГГц и 2 ГГц соответственно (рис 3) Оказалось, что найденные в работе [7] термостабильные срезы для частот 1 ГГц и 2 ГГц могут быть термостабильными только при одной определенной толщине адгезионного подслоя (например, на частоте 1 ГГц для хрома — 40 нм, а для ванадия — 50 нм (рис 3)) ТРЧ

т,°с

80

А1=150н1дСг=10нм

чА1=15СИм,Сг=20нм

\А|=150нм,Сг=ЗОнм

50нцСг=40нм

=150нм

А|=150нмСг=50нм

-0 00025

а)

ТРЧ

т.°с

80

A1=150km,V=10™ \а, =150HM,V=20KM Ov.blJOioi.V^Ojm YI=150hm,V=Whtj =150HM,V=50HM =150hm

6)

Рис 3 ТРЧ ВШП с алюминиевыми электродами (Дм=150 нм) на У+48°- срезе кристалла кварца (резонансная частота ВШП 1 ГГц) для различных толщин подслоя хрома (а) и ванадия (6)

Из приведенных расчетов следует, что наличие адгезионного подслоя может существенно влиять на температурную стабильность ВШП ПАВ

Вследствие того, что развиваясь, мобильная связь переходит на более высокие частоты, возникает потребность в проектировании и создании ПАВ-фильтров с частотой от 2 ГГц и выше Поэтому поиск термостабильных срезов кварца на частотах свыше 2 ГГц имеет практическую ценность и в данной работе были определены термостабильные срезы кварца для частот 2 4 ГГц, 3 ГГц и 4 5 ГГц, приведенные в таблице 4

Таблица 4 Термостабильные углы среза кристалла кварца для ВШП с двухслойными электродами (А/ - 20 нм, 150 нм)__

Материал адгезионного подслоя Частота, ГГц

24 3 0 45

Хром Y+4S' Y+45S" Y+39?

Ванадий Y+53 Iй Y+50? Y+43?

Полученные результаты показывают, что при проектировании устройств на ПАВ, работающих в СВЧ диапазоне, необходимо принимать во внимание влияние адгезионного подслоя на ТРЧ и выбирать необходимые срезы с учетом используемых толщин и материалов слоев

Достоверность представленных данных доказывается совпадением экспериментальной и расчетной ТРЧ для БТ- среза кристалла кварца в пределе низких частот (50 МГц)

В главе 4 диссертации построена квазиполевая модель расчета преобразования ПАВ в ВШП с двухслойными электродами На основе построенного

метода исследуется влияние слоистой структуры электродов на АЧХ ВШП в диапазонах частот около 1 ГГц и около 2 ГГц.

К ваз и полевой метод основан на строгом решении граничной задачи о ПАВ в трехслойной структуре «двухслойный метал л-пьезокристалл», в которой точно рассчитывается распределение объемного заряда связанного с ПАВ (рис.4). Построена более простая и физически непротиворечивая, по сравнению со схемой Мззона, эквивалентная схема (рис.5), которую можно назвать «ква-зиполеиой» в связи с использованием точного полевого расчета характеристик ПАВ.

Рис. 4. Модель взаимодействия ПАВ с ВШП и образования наведенного наряда ма cío электродах.

б)

Рис.5, Встречно-штыревой преобразователь ПАВ произвольной структуры (а) и его квазиполевая эквивалентная схема (&).

Распространяясь в пьезокристаллической подложке, ПАВ порождает волну связанного с ней объемного электрического заряда, в основном сосредоточенного вблизи поверхности. По своей структуре этот заряд представляет собой чередующиеся полосы положительного и отрицательного объемного заряда. Проходя под электродами л-ой секции, области объёмного заряда ПАВ наводят в электродах заряды противоположного знака. Заряд на /7-ом электроде вычисляется по формуле

U

О (

л

(0 = - | (х,у,г^)сЫу с£г

/

Очевидно, наведенный на электроде заряд меньше всего заряда ПАВ, находящегося под электродом (Н= со) Поэтому глубина интегрирования //является феноменологическим параметром, который определяется из условия равенства расчетного и экспериментального уровня вносимых потерь Это единственный феноменологический параметр теории Как видно, формула для заряда на электроде содержит интегрирование по поверхности электрода, следовательно, форма и расположение электрода могут быть произвольными

Изменение заряда электродов определяет ток в электродах

Тогда легко определяются АЧХ и сопротивление излучения ВШП

Для апробации построенного метода расчета было проведено сравнение рассчитанной данным методом и измеренной АЧХ фильтра на ПАВ на БТ-срезе кварца, разработанного в ЗАО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон» Совпадение расчетной и экспериментальной АЧХ по вносимым потерям на центральной частоте достигалось при значении параметра №0 19При этом наблюдалось почти полное совпадение теоретической и экспериментальной АЧХ в полосе пропускания, а вне ее небольшие отличия (не более 1 дБ) связаны с прямым прохождением сигнала в экспериментальном фильтре

Для исследования влияния слоистой структуры электродов на АЧХ ВШП использовался построенный квазиполевой метод расчета частотных характеристик ВШП ПАВ

Для такого анализа рассматривался аподизованный по апертуре ВШП на кристалле кварца БТ- среза, имеющий 120 штырей из алюминия толщиной 200 нм с учетом и без учета адгезионного подслоя

Результаты расчетов такого ВШП в двух диапазонах частот, 1000 МГц и 2000 МГц, приведенные на рис 6, показывают существенное влияние адгезионного подслоя на параметры АЧХ при повышении рабочего диапазона частот свыше 1000 МГц

Так, в диапазоне 1000 МГц АЧХ, рассчитанные для однослойных и двухслойных электродов, практически совпадают, вносимые потери 5(/о)= 10-12 дБ

и ток, протекающий в нагрузке Д

где

и уровень внеяелосных осцилляции АЧХ составляет дБ. При переходе в диапазон 2000 МГц расчет для однослойных электродов показывает существенное увеличение вносимых потерь (АЧХ №3), 30 дБ, а подавление вне-полосных сигналов снижается до Рд=33 дБ, к тому же АЧХ теряет симметричный вид. Однако расчет с учетом двухслойной структуры электродов ВШП на частоте 2000 МГц показывает значительные отличия. Так, вносимые потери снижаются до 5 и 7 дБ при использовании ванадия и хрома соответственно, а уровейь внеполоснЫХ осцилляции АЧХ составляет Р./~Ъ1 дБ.

5 .ЛЯ

Рис. 6. Влияние двухслойной структуры электродов Fia АЧХ ВШП на частотах I ГГц (а);

2 Г1 'ц (б): 1 - с подслоем ванадия (hv~20 им), 2-е подслоем Хрома (hCr=2Q им), 3 - без учета подслоя (Лл/^200 нм).

Практическое значение проведенного исследования состоит а том, что при проектировании устройств на 1 L\B на частотах свыше I ГТц нужно учитывать двухслойную структуру электродов. Важным обнаруженным свойством двухслойных электродов является возможность значительного снижения вносимых потерь выбором толщины и материала адгезионного подслоя.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В результате проведенной работы цель, сформулированная в начале работы и определившая направление и методы исследования, достигнута

Исследован процесс распространения и преобразования ПАВ в структуре «пьезокристалл-двухслойная металлическая пленка» и проведен анализ влияния адгезионного подслоя алюминиевых электродов на электрические характеристики СВЧ приборов на ПАВ

Основываясь на достоверности используемых расчетов, были проведены исследования и получены новые результаты

1 Показано, что учет адгезионного подслоя совершенно необходим при проектировании СВЧ устройств на ПАВ,

2 Были найдены условия, при которых коэффициент отражения ПАВ от двухслойной структуры электродов ВИД! равен нулю,

3 Показано, что для различных частот и комбинаций материалов двухслойной структуры электродов ВШП существуют соответствующие термостабильные углы среза кварца Были определены термостабильные срезы кварца с учетом адгезионного подслоя для частот 1, 2, 2 4, 3 и 4 5 ГГц,

4 Построен квазиполевой метод расчета частотных характеристик ВШП с двухслойными электродами, на основе которого исследовано влияния двухслойной структуры электродов на вносимые потери ВШП, показано, что адгезионный подслой электродов ВШП влияет на вносимые потери в СВЧ диапазоне и может приводить как к их росту, так и к их снижению

Список цитированной литературы.

1 Ingebrigsten К Surface waves in piezoelectrics — «J Appl Phys », 1969, v 40, № 7, p 2681-2686

2 Smith R, Gerard H, Collins J Analysis of mterdigital surface wave transdusers by use of an equivalent circuit model — «IEEE Trans Microw Th », 1969, v MTT-17, № 10, p 856-864

3 Горышник JIJI, Кондратьев С H Возбуждение поверхностных электроакустических волн электродными преобразователями - «Радиотехника и электроника», 1974, т 19, №8, с 1719-1727

4 Е Henry-Briot, S Ballandras, G Marianneau, G Martin Influence of Metal Thickness on Phase Velocity and Thermal Sensitivity of SAW Devices/ЛЕЕЕ Trans on UFFC, vol 48, No 2, March 2001, p 538-546

5 MakarovS, Chilla E, Fröhlich H J//JAP 1995 V78 №8 P 5028

6 Сучков С Г , Баринов Д А Анизотропия упругих свойств тонких металлических пленок и ее влияние на характеристики устройств на ПАВ//«Радиотехника и электроника», 2002, №4, с 510-512

7 Сучков С Г К вопросу о термостабильности устройств на поверхностных акустических волнах в СВЧ диапазоне // Радиотехника и электроника, т 51, 2006, №4, с 504-508

8 Ю В Гуляев, В П Плесский Распространение поверхностных акустических волн в периодических структурах // Успехи физических наук, 1989, том 157, вып 1, с 85-120

9 S Datta, В J Hunsinger An Analysis Energy Storage Effects on SAW Propagation in Periodic Arrays // IEEE Trans on UFFC, vol 27, No 6, November 1980, p 333-341

Список публикаций по теме диссертации.

Al Сучков С Г , Сучков Д С , Чайковский Д С Квазиполевая эквивалентная схема встречно-штыревого преобразователя ПАВ//«Радиотехника и электроника», т 52, 2007, №2, с 239-242

А2 Сучков С Г , Чайковский Д С Влияние толщины и анизотропии упругих свойств электродов на термостабильность устройств на ПАВ ФИЗИКА И ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ Тезисы и доклады 4 Международной научно-технической конференции Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы»/ под ред В А Неганова, Г П Ярового - Нижний Новгород, 2005, с 235

A3 С Г Сучков, Д С Чайковский, К В Оболенский Акустические исследования упругих свойств и плотности нанопленок алюминия Сборник тезисов докладов Школа-семинар КоМУ-2005 "НАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫ". - Ижевск ФТИ УрО РАН & УдГУ, 2005, с 64

А4 С Г. Сучков, В Б Гаманюк, А В Селифонов, Д С Чайковский Исследование возможности создания активного полосового фильтра на ПАВ Материалы Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-2006»/ под ред В А Царева -Саратов, 2006, с. 214-217

А5 С Г Сучков, Д С Чайковский Снижение отражений поверхностной акустической волны во встречно-штыревом преобразователе со слоистыми электродами ФИЗИКА И ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ Тезисы и доклады 5 Международной научно-технической конференции Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы»/ под ред В А Неганова, Г П Ярового - Самара, 2006, с 228

А6 С Г Сучков, Д С Чайковский Исследование влияния слоистой структуры электродов на термостабильность АЧХ встречно-штыревого преобразователя ФИЗИКА И ТЕХНИЧЕСКИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ ВОЛНОВЫХ ПРОЦЕССОВ Тезисы и доклады 5 Международной научно-технической конференции Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы»/ под ред В А Неганова, Г П Ярового - Самара, 2006, с 229

А7 Chaikovsky D S , Souchkov S G The Influence of the Electrodes Elastic Anisotropy on the Saw Devices Thermostability ABSTRACTS 2006 IEEE International Ultrasonics Symposium, October 3-6, 2006, Vancouver, Canada, p 264 (P2N-6)

Чайковский Дмитрий Станиславович

ОСОБЕННОСТИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ И РАСПРОСТРАНЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН В СЛОИСТОЙ ЭЛЕКТРОДНОЙ СТРУКТУРЕ НА ПОВЕРХНОСТИ ПЬЕЗОКРИСТАЛЛОВ

Автореферат

Подписано в печать _2007 г Печать офсетная Бумага офсетная

Формат 60x84 1/16 Уст -печ л 1,25 Тираж 100 экземпляров Заказ.!«® Типография Саратовского государственного университета 410012, Саратов, Астраханская, 83

Введение

Глава 1. Решение краевой задачи о ПАВ для двухслойного металлического покрытия пьезокристалла.

1.1. Формулировка уравнений движения и граничных условий.

1.2. Вывод расчетных соотношений.

1.3. Результаты исследования частотной зависимости скорости ПАВ в слоистой структуре.

1.4. Определение акустических параметров электродов по экспериментальным данным для скорости. 34 Выводы к главе

Глава 2. Снижение отражений ПАВ в ВШП со слоистыми электродами.

2.1. Влияние отражений ПАВ внутри ВШП на его АЧХ.

2.2. Способы устранения отражений и их недостатки.

2.3. Коэффициент отражения ПАВ от слоистого электрода.

2.4. Определение частот нулевого коэффициента отражения ПАВ для различных параметров слоистого электрода. 58 Выводы к главе

Глава 3. Исследование влияния слоистой структуры электродов на термостабильность АЧХ ВШП.

3.1. Проблемы точности расчета термостабильности устройств на ПАВ с учетом электродов.

3.2. Расчетные соотношения для ТКЧ и ТРЧ учетом коэффициента металлизации.

3.3. Влияние адгезионного подслоя на изменение термостабильных углов среза кристалла кварца. 66 Выводы к главе

Глава 4. Квазиполевая модель ВШП со слоистыми электродами

4.1. Расчет плотности объемного заряда ПАВ в слоистой структуре. ^ ^

4.2. Квазиполевая модель преобразования ПАВ в ВШП.

4.3. Влияние слоистой структуры электродов на АЧХ ВШП. 90 Выводы к главе

Актуальность работы:

Устройства на ПАВ уже давно используются в промышленных приборах связи, радиолокации, военной технике [1-3], а в настоящее время нашли широкое применение и в бытовой аппаратуре, такой, например, как телевизоры и сотовые телефоны [4]. Эти устройства осуществляют аналоговую обработку информации, а в качестве объекта переноса информации используют акустические волны в кристаллах. Неотъемлемым элементом данных устройств является преобразователь электрического сигнала в акустическую волну, выполняющий также и обратное преобразование акустической волны в электрический сигнал. Конструкция преобразователя зависит от требований к его амплитудно-частотной характеристике (АЧХ), фазочастотной характеристике (ФЧХ), к уровню ложных сигналов, а также зависит от вида используемой волны (релеевской [5,6], Гуляева-Блюстейна [7], приповерхностных объемных акустических волн [8-10]), требований к температурной стабильности и других факторов. В случае применения поверхностных волн на пьезоэлектрических кристаллических подложках наиболее удобно использовать встречно-штыревой преобразователь (ВШП) [11-13].

В большинстве устройств на ПАВ встречно-штыревые преобразователи изготавливаются из тонкой пленки алюминия (реже золота или серебра), нанесенной методом вакуумного напыления.

Электрофизические, акустические и дисперсионные свойства материалов, приведенные в [27], показывают, что сочетание алюминиевого покрытия и кварцевого звукопровода дает наименьшую дисперсию и отражение ПАВ. Для фильтров на ниобате лития отражение за счет несоответствия акустических сопротивлений материалов звукопровода и покрытия минимальны при использовании серебра, но при этом велики дисперсионные искажения и увеличивается составляющая коэффициента отражения от границ электродов из-за роста нагружающей массы. 4

Выбор алюминия в качестве материала для электродов со звукопроводами из кварца, ниобата лития и пьезокерамики определяется низким удельным сопротивлением, благодаря чему незначительно увеличиваются потери на сопротивление электродов. Алюминий обладает небольшой удельной массой по сравнению с другими металлами, что уменьшает влияние массовой нагрузки. При крупносерийном производстве особенно важно, что низкую стоимостью имеет и сам алюминий и технологический процесс его нанесения.

В связи с тем, что алюминий является относительно легкоплавким металлом, для напыления пленки весьма удобен метод термического испарения в вакууме. Наиболее просто этим методом осуществляется испарение с помощью прямонакальных резистивных испарителей, выполняемых из тугоплавких металлов, например, многопроволочных испарителей из вольфрама.

Поскольку при термическом испарении адгезия пленки алюминия к поверхности полированного кварца и ниобата лития низка, в качестве адгезионного подслоя используют хром или ванадий. Для обеспечения хорошей адгезии пленки алюминия толщина адгезионного подслоя должна быть 10-50 нм.

Технология изготовления структур фильтров на ПАВ сводится к формированию заданной конфигурации металлических электродов и контактных шин. Для диапазона частот от 30 до 1000 МГц ширина электродов изменяется от 25 мкм до 1 мкм соответственно для одиночных штырей, и от 15 мкм до 0.5 мкм для «расщепленных» штырей. Длина электродов обычно имеет порядок 100 длин волн, что составляет от 0.3 мм до 10 мм, а общее количество электродов изменяется от 20 до 1000. перекрытия, вне этой зоны возможно наличие не более трех - пяти дефектов типа «островок». Не допускаются сквозные царапины или поры на электродах или контактных площадках, уменьшающие сечение электродов или контактных площадок.

Процессы стандартной фотолитографии позволяют создавать электродные структуры с минимальными размерами элементов 0.8 мкм [1,43-46]. Таким образом, существует предельная резонансная частота устройства на ПАВ, определяемая технологическими возможностями. Так, например, на кварце предельная резонансная частота на основной гармонике составляет 1 ГГц, а для ВШП с двойными электродами, что необходимо для устранения искажений в устройствах, она не превышает всего 0.5 ГГц. Для материалов с более низкой скоростью распространения ПАВ, таких, например, как лангасит [37], эта предельная частота еще ниже.

Обычно наиболее широко применяемое устройство - полосовой фильтр на ПАВ - состоит из входного ВШП, осуществляющего преобразование электрического сигнала в акустический и выходного ВШП, осуществляющего обратное преобразование (рис. В1).

Входной ВШП Выходной ВШП неаподизованный) (аподизованный)

Рис. В1. Наиболее распространенная конструкция фильтра на ПАВ.

Поэтому АЧХ всего устройства, вычисляемая как квадрат модуля комплексной функции передачи, образуется на основании теоремы о свертке перемножением АЧХ входного и выходного ВШП. Входной ВШП, как правило, имеет наиболее простую однородную структуру, так как он должен сформировать по возможности однородный с минимальным дифракционным расхождением акустический поток в направлении выходного ВШП, а на приемный преобразователь возлагается основная функция формирования АЧХ всего устройства [47,54,55,57], и он может иметь очень сложную по геометрии штыревую структуру.

В связи с непрерывным продвижением устройств на ПАВ в СВЧ диапазон [48-50,53], развитием систем сотовой связи и освоением новых частотных диапазонов (свыше 2 ГГц) расширилась область применения устройств на ПАВ, в частности, разрабатываются устройства для использования в антенных трактах передатчика сотового телефона. При этом в СВЧ устройствах на ПАВ увеличивается влияние вторичных эффектов, которые необходимо учитывать.

Поэтому существует потребность в повышении точности расчетов характеристик устройств на ПАВ при переходе в СВЧ диапазон, что невозможно без учета того, что металлическая пленка, из которой состоит электродная структура ВШП, имеет составную (двухслойную) структуру из нанометрового адгезионного подслоя и основного слоя из высокопроводящего металла.

Таким образом, разработка методов расчета различных характеристик ВШП ПАВ в СВЧ диапазоне, учитывающих влияние адгезионного подслоя, является актуальной.

Целью диссертационной работы является исследование процессов распространения и преобразования ПАВ в структуре «пьезокристалл-двухслойная металлическая пленка» и анализ влияния адгезионного подслоя алюминиевых электродов на частотные и температурные характеристики СВЧ приборов на ПАВ.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Исследование распространения ПАВ в структуре «двухслойная металлическая пленка» на поверхности пьезокристалла;

2. Исследование коэффициента отражения ПАВ от края двухслойной пленки на поверхности кристалла;

3. Исследование влияния двухслойной структуры электродов на термостабильность АЧХ ВШП ПАВ;

4. Исследование с помощью квазиполевого метода влияния двухслойной структуры электродов на потери преобразования ВШП;

Научная новизна:

1. Впервые исследовано влияние адгезионного подслоя металлической пленки на поверхности пьезокристалла на скорость и структуру ПАВ в СВЧ диапазоне. Рассчитаны частотные зависимости скорости ПАВ в структуре «двухслойная металлическая пленка-пьезокристалл».

2. Впервые предложен и исследован способ устранения отражения ПАВ от краев электродов за счет выравнивания скоростей ПАВ на свободной и металлизированной поверхностях с использованием упругих свойств адгезионного подслоя.

3. Впервые показано, что адгезионный подслой оказывает существенное влияние на термостабильность устройств на ПАВ на частотах свыше 1 ГГц. Найдены углы срезов кристалла кварца, при которых достигается термостабилизация АЧХ ВШП с двухслойными электродами в диапазоне частот свыше 1 ГГц.

4. На основе построенного квазиполевого метода показано, что адгезионный подслой электродов ВШП влияет на потери преобразования в СВЧ диапазоне и может приводить как к их росту, так и к их снижению.

Достоверность полученных в диссертации результатов основана на строгой постановке и решении граничных задач пьезоакустики и подтверждается хорошим соответствием полученных в работе теоретических результатов с экспериментальными и некоторыми теоретическими результатами других авторов, а также очевидной адекватностью результатов в предельных случаях.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. На частотах свыше 0.5 ГГц при расчетах скорости и структуры ПАВ на металлизированной поверхности кристалла необходимо учитывать упругие свойства и толщину как слоя основного металла, так и нанометрового адгезионного подслоя.

2. Существуют значения толщин слоев двухслойной металлической пленки на поверхности пьезокристалла, при которых коэффициент отражения ПАВ от края металлической пленки может быть равен нулю на определенной частоте.

3. Термостабильность АЧХ ВШП ПАВ на частотах свыше 1 ГГц зависит от толщины и материала адгезионного подслоя электродов. Для различных частотных диапазонов и комбинаций материалов термостабильные углы среза различны.

4. При расчетах АЧХ ВШП ПАВ на частотах свыше 1 ГГц необходимо учитывать слоистую структуру электродов. В зависимости от толщин и материалов металлических слоев электродной структуры вносимые потери с ростом частоты могут как увеличиваться, так и уменьшаться.

Практическая ценность работы:

Тема диссертации, ее цель и решаемые задачи сформулированы на основе существующих практических задач, решение которых является проблемой современной акустоэлектроники. Все полученные в работе результаты непосредственно применяются на практике в разработке устройств на ПАВ СВЧ диапазона.

Апробация работы.

Результаты диссертационной работы рассматривались и были представлены на 4-й Международной научно-технической конференции "Физика и технические приложения волновых процессов", Нижний Новгород, 10-15 ноября 2005; на школе-семинаре КоМУ-2005 "НАНОТЕХНОЛОГИИ И НАНОМАТЕРИАЛЫ" (г. Ижевск, 5-8 декабря 2005 г.); на Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения», Саратов, 20-21 сентября 2006; на 5-й Международной научно-технической конференции

Физика и технические приложения волновых процессов", Самара, 11-17 сентября 2006; на The 2006 IEEE International Ultrasonics Symposium, Vancouver, Canada, October 3-6,2006.

Публикации.

По результатам исследований, выполненных при работе над диссертацией, опубликовано 7 работ, в том числе 1 статья в журнале из списка ВАК, 5 статей в трудах российских конференций с международным участием, 1 тезис доклада в книге ABSTRACT международного симпозиума по ультразвуку.

Личный вклад автора.

Автор участвовал в разработке алгоритмов и программ для расчета фазовых и энергетических ПАВ в слоистых структурах, расчетах амплитудно-частотных характеристик ВШП по квазиполевой модели. Постановка задач, выбор методов решения и обсуждение полученных результатов были проведены автором совместно с научным руководителем.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 109 страниц. Основной текст занимает 100 страниц, включая 38 рисунков. Список литературы содержит 76 наименований и изложен на 7 страницах.

Выводы к главе 4

1. Разработан квазиполевой метод расчета электрических характеристик ВШП ПАВ с двухслойными электродами, позволяющий с достаточной для практических применений точностью рассчитывать электрические параметры приборов на ПАВ в СВЧ диапазоне.

2. На основе построенного метода исследовано влияние слоистой структуры электродов на АЧХ ВШП в диапазонах частот около 1 ГГц и около 2 ГГц.

3. Обнаружено важное свойство двухслойных электродов, заключающееся в возможности значительного снижения вносимых потерь ВШП в СВЧ диапазоне выбором толщины и материала адгезионного подслоя.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенной работы цель, сформулированная в начале работы и определившая направление и методы исследования, достигнута.

Исследован процесс распространения и преобразования ПАВ в структуре «пьезокристалл - двухслойная металлическая пленка» и проведен анализ влияния адгезионного подслоя алюминиевых электродов на электрические характеристики СВЧ приборов на ПАВ.

Основываясь на достоверности используемых расчетов, были проведены исследования и получены новые результаты:

- по влиянию массовой нагрузки и упругих свойств адгезионного подслоя электродов на структуру и скорость ПАВ в СВЧ диапазоне, показано, что учет адгезионного подслоя совершенно необходим при проектировании СВЧ устройств на ПАВ;

- по влиянию двухслойной структуры электродов на коэффициент отражения ПАВ от ВШП, были найдены условия, при которых коэффициент отражения равен нулю;

- по влиянию двухслойной структуры электродов на температурную стабильность частотных характеристик устройств на ПАВ в СВЧ диапазоне, показано, что для различных частот и комбинаций материалов существуют соответствующие термостабильные углы среза кварца, были определены термостабильные срезы кварца с учетом адгезионного подслоя для частот 1, 2, 2.4,3 и 4.5 ГГц;

- построен квазиполевой метод расчета частотных характеристик ВШП с двухслойными электродами, на основе которого исследовано влияние двухслойной структуры электродов на потери преобразования ВШП; показано, что адгезионный подслой электродов ВТ ТУП влияет на потери преобразования в СВЧ диапазоне и может приводить как к их росту, так и к их снижению.

Выражаю глубокую благодарность моему научному руководителю доктору физико-математических наук, профессору Сергею Германовичу Сучкову за постоянную помощь, оказываемую мне при проведении данной работы.

1. Фильтры на поверхностных акустических волнах. Под ред. Г. Мэттью-за. Изд. «Радио и связь», 1981.

2. Орлов B.C., Бондаренко B.C. Фильтры на поверхностных акустических волнах.-М.: Радио и связь, 1984.

3. Бирюков С.В., Гуляев Ю.В. и др. Поверхностные акустические волны в неоднородных средах. 1991.

4. Technical Program and Abstract 1995 IEEE Ultrasonic Symposium, November, 1995, Seatle.

5. Фарнелл Дж. Упругие поверхностные волны. В кн. Физическая акустика/Под ред. У. Мэзона. М.: Мир, 1970.

6. Auld В.A. Acoustic fields and waves in solids. N.Y.: Wiley-Interscience, 1973.

7. Гуляев Ю.В. Поверхностные электрозвуковые волны в твёрдых те-лах//Письма в ЖЭТФ.- 1969.- т.9.-№1. С.63-65.

8. Ballato A., Lukaszek TJ. Shallow bulk acoustic wave. Progress and prospects//IEEE Trans.-1979.- Vol. MTT-27, 42.- P. 1004-1012.

9. Yen K.H., Lau K.F., Kagiwada R.S. Narrowband and wideband shallow bulk acoustic wave filters // IEEE Int. Symp. Circuits and Syst., Tokyo. Japan, 1979.- P.629-632.

10. Tseng C.C. Frequency response of an interdigital transducer for excitationof surface elastic waves. IEEE Trans. Elect. Devices, 1968, v. ED-15, N 8, p.586.594.

11. Milson R.F., Redwood M., Interdigital piezoelectric Rayleigh wave transducer: an improved equivalent circuit // Electron Let., 1971, v. 7, pp. 217-218.

12. Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Теория поля /Сер. Теорет. Физика, т.П.-М.:Наука, 1967.-460 с.

13. Слободник А. Дж. Поверхностные акустические волны и материалы для устройств на поверхностных акустических волнах // ТИИЭР .1976.- т.64, №5.- с. 10-26.

14. Шевелько М.М., Яковлев Л.А. Прецизионные измерения упругих характеристик синтетического пьезокварца // Акустический журнал.-1977.- т.23, №2.- с. 331-332.

15. Акустические кристаллы. Справочник/Блистанов А.А., Бондаренко B.C., Чкалов В.В. и др.; под ред. М.П. Шаскольской. М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1982.

16. Казачкова Т.И., Лазерсон А.Г., Сучков С.Г. Численный анализ распространения поверхностных акустических волн в пьезокристал-лахЮлектронная техника.-сер.1, Электроника СВЧ.-1979.-вып.6.- С. 712.

17. Кузнецова И.Е. Особенности распространения, отражения и преобразования акустических волн в пьезоэлектрических пластинках и структурах // Докт.диссер., Саратовский государственный университет, 2003.

18. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. -М: Наука, 1982.- 620с.

19. Сучков С.Г., Баринов Д.А. Анизотропия упругих свойств тонких металлических пленок и её влияние на характеристики устройств на ПАВ//«Радиотехника и электроника», 2002, №4, с. 510-512.

20. Лобанова Г.А., Яковкин И.Б. Преобразователи акустических волн на основе слоистых структур // Акустический журнал.- 1979.- Т.25, №6.-С. 902-905.

21. Зайцев Б.Д. Акустические волны в твердых телах. Изд. СГУ, 1997.

22. Вергасов В.А., Журкин И.Г., Красикова М.В. и др. Вычислительная математика. М.: Недра, 1976.

23. E.Henry-Briot, S.Ballandras, G. Marianneau, G.Martin. Influence of Metal Thickness on Phase Velocity and Thermal Sensitivity of SAW De-vices//IEEE Trans, on UFFC, vol.48, No.2, March 2001, p.538-546.

24. Slobodnik A.J., Conway E.D., Delmonico R.T. Microwave Acoustics Handbook, 1973.

25. C.C. Каринский. Устройства обработки сигналов на ультразвуковых поверхностных волнах. М.: Советское Радио, 1975.

26. И. Зеленка. Пьезоэлектрические резонаторы на объемных и поверхностных акустических волнах. Изд. «МИР», 1990.

27. Морган Д. Устройства обработки сигналов на поверхностных акустических волнах. М.: Радио и связь, 1990.

28. Интегральные пьезоэлектрические устройства фильтрации и обработки сигналов: Справ, пособие / В.В.Дмитриев, В.Б.Акпамбетов, Е.Г.Бронникова и др.; Под ред. Б.Ф.Высоцкого, В.В.Дмитриева.- М.: Радио и связь, 1985.

29. Ю.В. Гуляев, В.П. Плесский. Распространение поверхностных акустических волн в периодических структурах // Успехи физических наук, 1989, том 157, вып.1, с.85-120.

30. S. Datta, B.J. Hunsinger. An Analysis Energy Storage Effects on SAW Propagation in Periodic Arrays // IEEE Trans, on UFFC, vol.27, No.6, November 1980, p.333-341.

31. ЗЗ.Ргос. IEEE Ultrason. Symp., 1980.

32. И.А. Андреев. Монокристаллы семейства лангасита—необычное сочетание свойств для применений в акустоэлектронике//Журнал технической физики, 2006, том 76, вып.6, стр. 80-86.

33. Yakovkinl.B., TazievR.M., KozlovA.S.//Proc. IEEE Ultrason. Symposium. 1995.P.3 89-3 93.

34. Сучков С.Г. К вопросу о термостабильности устройств на поверхностных акустических волнах в СВЧ диапазоне // Радиотехника и электроника, т.51,2006, №4, с. 504-508.

35. М.Ю.Двоешерстов, С.Г.Петров, В.И.Чередник, А.П.Чириманов. Термостабильные ориентации в пьезокристаллах LGS, LGN для поверхностных акустических волн//Журнал технической физики, 2001, том 71, вып.4, стр. 89-94.

36. А.Дубовский. Пьезоэлектрический кварц и другие монокристал-лы//Электронные компоненты, 2004, №4, стр. 68-69.

37. Дж. Най. Физические свойства кристаллов. Изд. «МИР», 1967.

38. Сучков С.Г., Сучков Д.С., Чайковский Д.С. Квазиполевая эквивалентная схема встречно-штыревого преобразователя ПАВ//«Радиотехника и электроника», т. 52, 2007, №2, с. 239-242.

39. Сучков С.Г., Сучков Д.С. Влияние акустической нелинейности на сверхвысокочастотные характеристики поверхностных акустических волн «Радиотехника и электроника», т. 49, 2004, №1, с. 112-114.

40. Рабинер Л., Гоулд Б. Теория и применение цифровой обработки сигна-лов//Пер. с англ.-М.: Мир, 1978.

41. Поверхностные акустические волны/Под ред. А. Олинера. М.: Мир, 1981.-390с.

42. Гимпельсон В.Д., Радионов Ю.А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. М.: Машиностроение, 1976.-282с.

43. Введение в фотолитографию/Под ред. В.П. Лаврищева. М.: Энергия, 1977.-400с.

44. Глазков И.М. Оборудование для производства фотошаблонов и выполнение операций фотолитографии. М.: Советское радио, 1975. - 76с.

45. Гуляев Ю.В., Кмита A.M., Багдасарян А.С. Полосовые фильтры с емкостным взвешиванием электродов. В кн.: Современные проблемы-радиотехники и электроники. - М.: Наука, 1980, с. 320 - 325.

46. S.Lehtonen, M.T.Honkanen, V.P.Plessky, J.Turunen, M.M.Salomaa. Experimental Study of SAW Resonators Operating at 7.5 GHz. ABSTRACTS 2001 IEEE International Ultrasonics Symposium, October 7-10, 2001, Atlanta, USA, p. 58.

47. H.Nakahata, A.Hachigo, K. Itakura, S.Shikata. Fabrication of High Frequency SAW Filters up to 10 GHz using Sio2/ZnO/Diamond Structure. ABSTRACTS 2000 IEEE International Ultrasonics Symposium, October 22-25, 2000, San Juan, Puerto Rico, p. 77.

48. Багдасарян А.С., Карапетьян Г.Я. Импедансные фильтры на ПАВ. М.: Изд. Международная программа образования, 1998.

49. Endoh G., Ueda М., Kawachi О. and Fujiwara Y. High performance balanced type SAW filters in the range of 900 MHz and 1.9 GHz. Proceedings of 1997 IEEE Ultrasonics Symposium. Vol. 1. P. 41.№44.

50. Hartmann C.S. Future high volume applications of SAW devices. Proceedings of 1985 IEEE Ultrasonics Symposium. 1985. Vol. 1. P.64.№73.

51. Гуляев Ю.В., Кмита A.M., Багдасарян А.С. Преобразователи поверхностных акустических волн с емкостным взвешиванием электродов. Письма в ЖТФ. вып. 11. Т. 5. 1 1979.

52. Yatsuda Н. Design Techniques for SAW filter using slanted finger interdigi-tal transducers // IEEE Transaction on Ultrasonics, Feroelectrics and Frequency control, 1997

53. Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты-M.: Сов. радио, 1980.

54. M.F. Lewis, «Triple-transit suppression in surface acoustic wave devices», Electronic Lett. 8,553-554 (1972).

55. W.J. Tanski and H. Van De Vaart, «Technique for triple-transit suppression in SAW delay lines», Electronic Lett. 15, 312-313 (1979).

56. D.J. Gunton and H.J. Shaw, «SAW long delay lines», Proc. IEEE 64, 598-609(1976).

57. Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1978.

58. Smith W.R. Design of surface wave delay lines with interdigital transdusers. IEEE Trans., 1969, v. MTT-17, p. 856-873.

59. Smith W.R. Basic of the SAW interdigital transduser. Wave Electronics, 1976, v.2, p. 25-63.

60. Карпеев Д.В., Киселев C.B., Степура С.Д. и др. Телевизионный фильтр промежуточной частоты на ПАВ. Электронная техника. Сер. 5. Радиодетали и радиокомпоненты, 1981, вып. 3, с. 55-59.

61. Ргос. IEEE Ultrason. Symp., 1976.

62. Кантор В.М. Монолитные пьезоэлектрические фильтры. М.: Связь, 1977. - 152с.

63. Викторов И.А. Звуковые поверхностные волны в твердых телах. — М.: Наука, 1981.

64. Skeie Н., Engan Н. Second-Order Effects in Acoustic Surface Wave Filters: Design Methods. The Radio Electron. Eng., 1975, v. 45, N 5, p. 207-220.

65. Бондаренко B.C., Редкобородный Ю.П., Орлов B.C. Влияние дифракции поверхностных акустических волн на характеристики акустоэлек-тронных устройств. Вопросы радиоэлектроники. Сер. ОТ, 1977, вып. 11, с. 160-165.

66. Науменко Н.Ф., Орлов В.С, Бондаренко B.C. Методы расчета и компенсации дифракционных искажений в устройствах обработки сигналов на ПАВ. Зарубежная радиоэлектроника, 1983, № 10, с. 22-53.

67. Бондаренко B.C., Басовский Н.И, Крутов А.П. Динамический диапазон и исследование возможности уменьшения уровня ложных сигналов в ультраакустических устройствах. Вопросы радиоэлектроники. Сер. ОТ, 1975, вып. 6, с. 25-35.

68. Dinnrowiez С., Saady F., Parker Т. Reflection of Waves from Periodic Discontinuities. Proc. 1976 Ultrasonics Symposium, Annapolis, p. 386-390.

69. Речицкий В.И. Современные тенденции развития акустоэлектронных радиокомпонентов. Зарубежная радиоэлектроника ,1981, № 8, с. 6076.

70. Szabo T.L., Slobodnik A.J. Difraction Compensation in Periodic Apodized Acoustic Surface Wave Filters. IEEE Trans. Ultrasonics, 1974, v. SU-21, N2, p. 114-119.

71. Savage E.V., Matthaei G.L. Compensation for diffraction in SAW Filters. -Proc. 1979 Ultrasonics Symposium, 1979, New Orlean, p. 527-535.1. Список работ автора

72. А1. Сучков С.Г., Сучков Д.С., Чайковский Д.С. Квазиполевая эквивалентная схема встречно-штыревого преобразователя ПАВ//«Радиотехника и электроника», т. 52,2007, №2, с. 239-242.