Особенности транспорта носителей зарядов вдоль границы раздела двух органических диэлектриков тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ
|
Гадиев, Радик Мансафович
АВТОР
|
||||
|
кандидата физико-математических наук
УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
|
||||
|
Уфа
МЕСТО ЗАЩИТЫ
|
||||
|
2011
ГОД ЗАЩИТЫ
|
|
01.04.07
КОД ВАК РФ
|
||
|
|
||||
ГАДИЕВ РАДИК МАНСАФОВИЧ
ОСОБЕННОСТИ ТРАНСПОРТА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДОВ ВДОЛЬ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА ДВУХ ОРГАНИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
01.04.07 - физика конденсированного состояния
Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
1 2 МАЙ 2011
Екатеринбург - 2011
4845137
Работа выполнена в Институте физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра Российской Академии наук.
Научный руководитель: Доктор физико-математических наук,
профессор,
Лачинов Алексей Николаевич
Официальные оппоненты: Доктор физико-математических наук,
профессор,
Никитенко Владимир Роленович
Доктор физико-математических наук, Германенко Александр Викторович
Ведущая организация: ГОУ ВПО «Башкирский государственный
университет»
Защита состоится «12» мая 2011г. в 15 часов на заседании диссертационного совета Д 212.286.01 по защите докторских и кандидатских диссертаций при ГОУ ВПО «Уральский государственный университет имА.М.Горького» по адресу:
620000, г. Екатеринбург, пр. Ленина, 51, комн. 248.
С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке ГОУ ВПО «Уральский государственный университет им. А.М.Горького».
Автореферат разослан «8» апреля 2011 г.
Ученый секретарь диссертационного совета, доктор физико-математических наук, с.н.с.
еватых Н.В.
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
Актуальность темы.
Основным ограничением для массового применения органических полимеров в качестве материалов для активных элементов электронных устройств является низкая подвижность носителей зарядов. Это связано с особенностями строения и спецификой физических механизмов транспорта носителей заряда в органических материалах с ^-сопряжением валентных электронов. Предполагается, что такие полимеры представляют собой электронно-неоднородную систему, в которой области полисопряжения, характеризующиеся металлической проводимостью, разделены диэлектрическими участками. Перенос носителей через диэлектрические прослойки и является активационным барьером, ограничивающим транспортные свойства. В результате, подвижность носителей в проводящих полимерах значительно ниже, чем в неорганических полупроводниках, в связи с этим рабочие частоты устройств полимерной электроники смещены в сторону диапазона низких частот. К тому же временная стабильность полупроводящих полимеров намного хуже неорганических аналогов. Исследования, направленные на увеличение подвижностей носителей зарядов в полимерных материалах сейчас в основном ведутся в двух направлениях. Это поиск новых материалов и разработка новых методов допирования. Второе направление -оптимизация уже существующих устройств на основе полимеров. Однако существенных улучшений электронных параметров органических материалов не наблюдается. В связи с этим, представляется актуальным поиск новых подходов к формированию электронной структуры и новых физических явлений для решения фундаментальных проблем транспорта носителей заряда в органических материалах.
Одним из возможных решений данной проблемы, является использование эффектов размерного квантования, которые позволяют реализовать новые электронные свойства, существенно отличающиеся от свойств объемных
массивных материалов. Одним из перспективных направлений современной твердотельной электроники признано использование свойств электронного газа, находящегося в квантовой яме. Использование такого подхода к органическим полимерным материалам представляется чрезвычайно актуальным.
Цель работы. Диссертационное исследование посвящено экспериментальному исследованию особенностей транспорта носителей заряда вдоль границы раздела двух органических диэлектриков.
Для осуществления указанной цели решались следующие задачи:
1. Разработка методики изготовления образцов для исследования транспорта носителей зарядов вдоль границы раздела двух полимерных пленок
2. Исследование электрофизических свойств интерфейса различными методами при различных температурах и различных материалах электродов.
3. Исследование влияния химической структуры полимеров на электрофизические свойства границы раздела.
4. Исследование влияния электрического поля и внешних воздействий на транспорт носителей зарядов вдоль интерфейса.
5. Экспериментальная оценка возможностей практического применения полученных результатов.
Научная новизна.
Установлена возможность формирования транспортного слоя вдоль границы раздела двух полимерных пленок, обладающего аномально высокой проводимостью и подвижностью носителей зарядов.
Обнаружена металлоподобная температурная зависимость проводимости границы раздела двух полимерных диэлектриков.
Продемонстрирована определяющая роль структуры используемого полимера, в частности, наличие боковых фрагментов с большим дипольным моментом.
Обнаружена полевая зависимость параметров носителей заряда вдоль границы раздела полимерных пленок
Защищаемые положения:
1. Вдоль интерфейса, сформированного на границе раздела двух пленок широкозонных функциональных полимеров, формируется слой, обладающий проводимостью «металлического» типа.
2. Высокая электропроводность вдоль границы раздела возникает за счет двумерной электронной системы сформированной слоем ориентированных на поверхности боковых фталидных групп с большим дипольным моментом.
3. Электрофизическими свойствами границы раздела можно управлять в широком диапазоне параметров при помощи электрического поля или прочих внешних воздействий.
Практическая ценность работы заключается в том, что продемонстрирован метод повышения подвижностей носителей зарядов в полимерных материалах, путем создания двумерной области вдоль границы раздела двух полимерных материалов. Полученная таким образом система может быть использована в качестве транспортного канала высокочастотного полевого транзистора или чувствительного элемента химических и биологических сенсоров.
Достоверность результатов обеспечивается использованием в работе надежных, неоднократно апробированных экспериментальных методов; использованием при интерпретации результатов современных представлений физики конденсированного состояния.
Публикации н апробации работы. По теме диссертации опубликованы 19 работ, из которых 7 статей в рецензируемых научных журналах, 12 работ в сборниках научных конференций. Основные результаты работы были апробированы на различных международных и российских конференциях, в частности, VI International Conference on Molecule Electronics ELECMOL'IO December 8-12, 2010 Grenoble; VII Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", Санкт-Петербург, 2010; Materials of International conference "Functional materials" ICFM - 2009, Ukraine, Crimea, Portenit 2009; IX Российская конференция по физике полупроводников
«Полупроводники 09», Новосибирск - Томск 2009; IV International Conference on Molecule Electronics ELECMOL'08, Grenoble, 2008; «Нелинейные и резонансные явления в конденсированных средах», Уфа, 2009; VI Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» - С.- Петербург, 2008; XI Международная конференция «Физика диэлектриков (Диэлектрики - 2008), Санкт-Петербург, 2008; IX Молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (СПФКС - 9), Екатеринбург, 2008; V Уральская региональная научно-практическая конференция Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников и источников света, Саранск, 2007 и др.
Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, литературного обзора, трех глав, выводов и списка литературы. Общий объем работы составляет 144 страницы, в том числе 67 иллюстраций. Библиография включает 190 названий.
СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ
Во введении обосновывается актуальность темы исследования, сформулирована цель работы, определены конкретные научные задачи.
В первой главе представлен литературный обзор современного состояния физики низкоразмерных систем с двумерной делокализацией электронов вдоль границы раздела двух диэлектрических материалов. Рассмотрены некоторые электрофизические особенности таких систем. Представлены основные модели формирования и особенностей переноса зарядов вдоль границы раздела неорганических и органических диэлектриков. Обсуждена проблема строения поверхности полимерных диэлектриков.
Во второй главе приведены характеристики объектов исследований, способы изготовления образцов, методики проведения измерений, а так же анализ ошибок измерений.
В параграфе 2.1. описывается основной объект исследования -полидифениленфталид (ПДФ). Представлены основные электрофизические свойства органического материала, так же представлены эффекты, обнаруженные в тонких пленках этого класса полимеров.
В параграфе 2.2. описывается методика изготовления экспериментальных образцов. Для измерения проводимости вдоль границы раздела полимер/полимер образцы готовились следующим образом. На стеклянную подложку методом центрифугирования наносилась полимерная пленка. Затем методом термического вакуумного напыления через теневую маску наносились металлические электроды. В качестве материалов для электродов использовались металлы с разной работой выхода: медь, алюминий, золото, серебро и хром. Верхний полимерный слой также наносился методом центрифугирования. Образцы, изготавливаемые для измерения проводимости структуры четырехзондовым методом, отличались количеством электродов. Для исследования возможности управления проводимостью границы раздела при помощи внешнего поля, изготавливались структуры типа «полевой транзистор».
В параграфе 2.3. описана методика измерения вольтамперных характеристик при различных температурах. Представлено описание экспериментальной ячейки.
В параграфе 2.4. приведена методика измерения зависимостей вольтамперных характеристик от влажности. Представлено описание экспериментальной ячейки.
В параграфе 2.5. описана методика измерения проводимости четырехзондовым методом для образцов произвольной формы.
В параграфе 2.6. описана методика измерения влияние внешнего поля на проводимость структур. Измерения проводились по схеме с общим истоком.
В параграфе 2.7. описан метод атомно-силовой микроскопии использованный для определения размеров интерфейсной области.
В параграфе 2.8. приведен анализ ошибок измерений, оценены погрешности измерений и величины доверительных интервалов.
В третьей главе описаны результаты исследования электрофизических свойств структур содержащих границу раздела двух полимерных пленок, описано влияния материалов электродов, приведены температурные зависимости проводимости измеренные двух- и четырехзондовыми методами.
В параграфе 3.1 представлены вольт- амперные характеристики (ВАХ) экспериментальных структур и проведены оценки вклада различных видов интерфейсов в итоговую проводимость. На основе полученных результатов установлено, что самая высока проводимость соответствует образцу, содержащему границу раздела полимер/полимер (рис. 16). После напыления электродов на поверхности первой пленки (рис. 1в) удельное сопротивление составило р ~ -107 Ом-см (рис.1а, кривая 2); после нанесения второго полимерного слоя (рис. 16) удельное сопротивление уменьшалось до р ~ 10"' Ом-см (рис. 1а, кривая 1).
ю
10"
10"-
1 1 ' ' ' 1 ......I 1 II 1 1 Ц 1111 '□о- ¡3* 1
п/п / ......; ,
/ :
Д—Д- -Д-Д-ДАДЛА^ЛМ :
........3.......... -
"О-0- —0-0- -о-оооооосах) ;
ПОЛИСЕ»2
подло*«»
20 40 60 80 100 г
а и, (В)
Рисунок 1. Сравнение ВАХ (а) трех типов интерфейсов: (б) полимер/полимер; (в) полимер/воздух; (г) полимер/подложка.
В случае интерфейса полимер/подложка (рис. 1г) сопротивление составило р ~ -108 Ом-см (рис. 1 а, кривая 3). Из полученных результатов, можно сделать вывод, что на границе раздела двух полимерных пленок, формируется структура с уникальными электрофизическими свойствами. В частности, удельное сопротивление такой структуры на 4-5 порядка меньше сопротивления объемного материала и ее поверхности.
Так же, было рассмотрено влияние материалов электрода на свойства границы раздела. Для этого измерялись ВАХ образцов с различными материалами электродов. Было обнаружено, что в рассматриваемой системе материал электрода играет важную роль. Полученные ВАХи были интерпретированы в рамках инжекционной модели. Была проведена оценка подвижности носителей согласно формуле:
Подвижность носителей заряда, рассчитанная согласно формуле (1) составила у. ~ 3.7-10'2 см2-В"'-с"', в случае медных электродов и ~ 0.15 см2-В''-с"' в случае золотых электродов. Полученные значения являются чрезвычайно высокими для органических материалов и почти на пять порядков превышает объемную подвижность, измеренную для ПДФ времяпролетным методом (р ~ 10'6 см2-В''с'').
Было сделано предположение, что основным механизмом переноса на контакте металл/полимер является термоэлектронная эмиссия Шоттки.
В параграфе 3.2.
Представлены результаты исследования ВАХ для образцов с различными материалами электродов в температурном диапазоне от 90К до 300 К. На основе полученных данных были построены зависимости проводимости структур от обратной температуры. Эти зависимости можно разделить на две линейные области с разными углами наклона к оси абсцисс. Это может означать, что зависимость от температуры носит экспоненциальный характер с разными энергиями активации при разных температурах. Можно
предположить, что при относительно высоких температурах ток через контакт полимер/металл обусловлен термоэлектронной эмиссией Шотгки. Это предположение подтверждается зависимостями, построенными в координатах: Щ1Г?) - ¡ООО/Т при различных напряжениях на образце Полученные экспериментальные точки для образца с любым материалом электродов при температурах выше ~ 230К аппроксимируются прямолинейными участками (рис. 26). При низких температурах, основным транспортом становиться туннельная эмиссия облегченная полем.
а б
Рисунок 2. (а) Температурные зависимости проводимости для различных металлов; (б) Зависимости в координатах Шоттки.
В параграфе 3.3 представлены результаты оценки реальной проводимости структуры и ее температурной зависимости с использованием четырехзондового метода Ван-дер-Пау.
При измерении двухзондовым методом, с уменьшением температуры наблюдается снижение величины удельной проводимости. Это связано с уменьшением инжекционного тока при уменьшении температуры. Температурная зависимость проводимости, измеренная четырехзондовым методом, имеет кардинально другой характер. На всем участке кривой
наблюдается увеличение удельной проводимости на 4 порядка с уменьшением температуры (рис. 3).
5 о
£ О
2 4 6 8 10 12
1000/Т, (К1)
Рисунок 3. Температурная зависимость удельной проводимости структуры измеренная двухзондовым (кривая 1) и четырехзондовым (кривая 2) методом Ван-дер-Пау
В четвертой главе приведены результаты исследования влияния структуры полимера на электрофизические свойства интерфейса двух полимерных диэлектриков.
В параграфе 4.1 представлены результаты исследования структуры интерфейса двух полимерных пленок методами АСМ. Была визуализирована область контакта двух пленок и получены предварительные размеры исследуемой области. Размеры области контакта лежали в диапазоне от 9 нм до 15 нм.
В параграфе 4.2 представлены результаты исследования влияния строения полимера на свойства интерфейса. Для этого были изготовлены различные конфигурации образцов с использованием различных полимеров, кроме полидифениленфталида использовались полистирол и
поливинилкорбазол. Типичные ВАХ для всех типов структур и различных материалов представлены на рисунке 4.
1,0x10""
3,0x10
1,0x10"
0 20 40 60 80 100
и,(В)
0.0.
1 1 , 1 1 • ■
-ПС/ПДФ I ; I ■ --ПВЮТЩФ1 |. Лт
; ж
\
10 20 и. 00
2,5x10'
О 20 40 60 и,(В)
Рисунок 4. (а) ВАХ образцов с использованием ПДФ в качестве первого полимерного слоя и различными полимерами в качестве второго слоя (ПС, ПВК, ПДФ); (б) ВАХ образцов с использованием ПДФ в качестве второго полимерного слоя; (в) ВАХ образцов с использованием одного и того же материала в качестве первого и второго слоя;
Анализ полученных результатов показывают, что наиболее сильное увеличение проводимости наблюдается в структурах, в которых ПДФ использовался для формирования первой полимерной, пленки. По-видимому, определяющим фактором при формировании проводящего интерфейса является, во-первых, материал, использующийся для формирования первой пленки, во-вторых, молекулярная и электронная структура поверхности этой пленки.
В параграфе 4.3 представлены результаты исследования влияния концентрации боковых фталидных групп на свойства интерфейса.
Для проверки гипотезы, о влиянии боковых фталидных групп на формирование области с высокой проводимостью на границе раздела двух полимерных пленок, были изготовлены растворы полимера, содержащие различные массовые доли примеси или допанта. В качестве допанта использовалась - 3,3 дифенил 4,4 - дикарбоновая кислота. Растворы имели концентрации 5%, 10%, 20%, 30% и 40% массовой доли кислоты от массы сухого вещества в растворе. Аналогично структурам, рассмотренным в параграфе 4.2, были изготовлены образцы двух типов: а) первый слой - пленки, отлитые из растворов с различным содержанием добавок, второй слой - ПДФ без добавок; б) первый слой ПДФ без добавок, второй слой пленки, отлитые из растворов с различным содержанием добавок. '- Остальные параметры оставались неизменными. Материал электродов - медь, расстояние между электродами 30 мкм. Типичные ВАХ структур представлены на рисунках 5 и 6 для типов а) и б) соответственно.
Б, 0x10 -
4,0x10 -
2,0x10''
Содержаний допанта, (%)
Рисунок 5. а) ВЛХ структур, с различным содержанием допанта в растворе, из которого отливался первый слой полимера; б) Зависимость величины тока протекающего через интерфейс, с различным содержанием допанта в первой пленке, при одинаковых значениях напряжений.
Содержание допанта, {%)
Рисунок 6. а) ВАХ структур, с различным содержанием допанта в растворе, из которого отливался второй слой полимера; б) Зависимость величины тока протекающего через интерфейс, с различным содержанием допанта во второй пленке, при одинаковых значениях напряжений.
Обнаружено, что при использовании допированного полимера для первого слоя, проводимость структуры увеличивается с ростом числа частиц допанта до определенной концентрации - 20%, дальнейший рост содержания допанта приводит к снижению проводимости. Что видимо, связано с нарушением принципа плотной упаковки молекул и качества поверхности первого слоя, при больших концентрациях молекул допанта.
В случае если допированный полимер использовался для формирования второй пленки, наблюдался плавный рост проводимости с увеличением концентрации допирующего вещества. Что, по-видимому, связано с увеличением вязкости раствора, приводящему к лучшему сохранению структуры поверхности первой пленки.
В пятой главе рассматривается влияние внешних полей и других сторонних факторов на электрофизические свойства системы.
В параграфе 5.1 представлены результаты эксперимента по влиянию внешнего электрического поля на проводимость вдоль интерфейса двух полимеров.
На первом этапе была поставлена задача определение типа носителей зарядов в исследуемой структуре, для этого были изготовлены структуры типа «полевой транзистор». В качестве затвора использовался кремний р-типа, слой окисла на поверхности которого использовался в качестве подзатворного диэлектрика, а граница раздела двух пленок в качестве канала транзистора. На полученных структурах измерялись выходные и передаточные характеристики структуры (рис. 7).
Рисунок 7. Передаточные характеристики структур в конфигурации полевого транзистора.
Вид кривой передаточной характеристики свидетельствует о том, что с увеличением положительного потенциала на затворе происходит рост проводимости в канале транзистора. Такой тип поведения выходных характеристик соответствует транзисторам с электронным транспортом в канале.
Учитывая тот факт, что пленки полимеров этого класса, при толщинах больше некоторой критической (~ 1 мкм), обладают диэлектрическими свойствами, можно существенно упростить технологию изготовления образцов. А именно, использовать полимера и для формирования канала и в качестве материала для подзатворного диэлектрика.
а б
Рисунок 8. Электрические характеристики исследуемых структур: (а) Выходные характеристики (на вставке приведены напряжения на затворе), (б) передаточные характеристики (на вставке приведены напряжения сток- исток).
Электрические характеристики полученных структур, были измерены при комнатной температуре по схеме с обпщм истоком. На рисунке 8а представлены типичные выходные характеристики (зависимость тока стока от напряжения сток-исток при фиксированном напряжении смещения на затворе) транзисторных структур. Зависимости имеют нелинейный характер во всем диапазоне приложенных к затвору напряжений. Ток стока увеличивается при положительном потенциале на затворе (рис. 86).
Полученные характеристики типичны для нормально открытого полевого транзистора, т.е. канал проводимости, сформирован изначально в процессе изготовления образца. Тот факт, что ток в цепи стока уменьшается при отрицательном напряжении на затворе, говорит об электронном типе проводимости канала. Это наблюдение хорошо согласуется с ранее исследованными структурами, изготовленными на кремниевых подложках.
На основе полученных данных была произведена оценка полевой подвижности носителей заряда по следующей формуле:
где 1с ток между стоком и истоком, IV и I ширина и длина проводящего канала соответственно, ¡л подвижность, С, емкость диэлектрического слоя, иСц и Г/« напряжение на затворе, истоке и пороговое напряжение соответственно. Подвижность, рассчитанная по формуле (2), составила ~ 4 10"2 см2-В"'-с'1. Полученные значения более чем на четыре порядка выше по сравнению с подвижностью электронов в объеме этого полимера (Ю'МО"6 см^В'-с1), для отдельных образцов на кремниевой подложке, подвижность достигала рекордных значений 102 см^В '-с"1.
В параграфе 5.2 продемонстрирована высокая чувствительность свойств структур содержащих интерфейс полимер/полимер к различным параметрам, таким как влажность окружающего воздуха, содержанию паров спирта и кислотности рН среды.
На первом этапе было показано, что проводимость исследуемых структур сильно зависит от количества содержащихся в атмосфере паров воды. Типичная зависимость проводимости от относительной влажности показана на рисунке 9а. Относительное изменение проводимости достигает 5 порядков.
Такое поведение структуры связывалось с особенностями строения используемых полимеров - наличия связи =СО, обуславливающая взаимодействие с веществами содержащими гидроксильные группы. В таком случае проводимость структур должна быть также чувствительна и к параметру рН. Проведение соответствующих исследований подтвердили это предположение, на рисунке 96 представлены зависимости проводимости структур содержащих границу интерфейс полимер/полимер от кислотности состава нанесенного на поверхность второй полимерной пленки.
Исследование времени отклика системы на изменение влажности показало очень малое значение (менее 5 секунд), что не характерно для сенсоров основанных на механизме диффузии. Такое поведение скорее свойственно сенсорам на основе полевых транзисторов.
а б
Рисунок 9. Сенсорные свойства структур, содержащих границу раздела двух полимерных пленок: а) Зависимость проводимости, от относительной влажности; б) Зависимость проводимости от показателя рН среды;
В параграфе 3.1 было показано, что одним из факторов, определяющим свойства исследуемых структур, является материал электрода. Соответственно, этот же фактор может влиять и на чувствительность системы. Для проверки этого предположения были изготовлены сенсорные структуры с различными материалами электродов, в частности: медь, золото, алюминий, серебро, хром. По результатам анализа измерений видно, что, подбирая материал электрода можно в широком диапазоне варьировать свойства сенсорной системы.
Кроме веществ содержащих группу -ОН, проверялась чувствительность и на другие вещества, в частности бензин, толуол, ацетон и т.д. Как и ожидалось, в этом случае влияния на проводимость не наблюдалось.
В параграфе 5.3 предложена возможная модель формирования высокопроводящей области вдоль границы раздела двух полимерных диэлектриков, охватывающая все экспериментальные результаты.
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
1. На границе раздела двух диэлектрических полимерных пленок формируется область толщиной менее 15 нм, обладающая высокой по сравнению с объемной электропроводностью.
2. Граница раздела двух полимерных диэлектриков имеет металлический тип проводимости.
3. Возникновение высокопроводящей области на границе раздела, обусловлено слоем упорядоченных боковых групп на поверхности пленки первого материала.
4. Установлено, что носителями зарядов в исследованной структуре являются электроны, подвижность которых достигает рекордных для органических электропроводящих материалов значений (~ 4-10'2 см2/В-с).
5. Существует принципиальная возможность использования границы раздела двух диэлектрических полимерных пленок в качестве транспортного канала органического полевого транзистора и чувствительного элемента химического сенсора.
СПИСОК РАБОТ, ОПУБЛИКОВАННЫХ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
Статьи, опубликованные в научных журналах, рекомендуемых ВАК РФ:
1. А.Р. Юсупов, А.Н. Лачинов, Р.Б. Салихов, Р.Г. Рахмеев, P.M. Гадиев, О транзисторном эффекте в вертикальной структуре с несопряженным полимером в качестве транспортного слоя. // ФТТ, 2009, Т.51, вып. 11, С. 2265-2268.
2. P.M. Гадиев, А.Н. Лачинов, В.М. Корнилов, Р.Б. Салихов, Р.Г. Рахмеев, А.Р. Юсупов. Аномально высокая проводимость вдоль интерфейса двух полимерных диэлектриков. // Письма в ЖЭТФ, 2010,90 (11), С. 821.
3. R.B. Salikhov, A.N. Lachinov, R.G. Rakhmeyev, and R.M. Gadiev. High Conductivity of the Interface Between Two Dielectric Polymer Films. // Mol. Cryst. Liq. Cryst., 2011, Vol. 535, P. 74-81.
Статьи, опубликованные в научных журналах:
4. P.M. Гадиев, В.М. Корнилов, А.Р. Юсупов. Двумерный электронный газ на границе органических диэлектриков. // Нанотехнологии: Наука и производство, 2009,3(4), С. 49-53.
5. А.Р. Юсупов, P.M. Гадиев: Особенности свойств транзистора вертикального типа на основе несопряженного полимера. // Нанотехнологии: Наука и производство, 2009,3(4), С. 71-75.
6. А.Н. Лачинов, К.Н. Югай, P.M. Гадиев, В.М. Корнилов. Аномально высокая проводимость границы раздела между полимерными пленками полидифениленфталида.'// Нанотехнологии, 2010,1(6), С. 10-14.
7. Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, Р.Г. Рахмеев, P.M. Гадиев, А.Р. Юсупов, С.Н. Салазкин. Химические сенсоры на основе нанополимерных пленок. // Измерительная техника, 2009, № 4, С.62-64.
Статьи, опубликованные в сборниках трудов:
8. Р.Г. Рахмеев, Р.М. Гадиев, А.Р. Юсупов. Перенос заряда в наноструктурах Si/полимер. // Сб. трудов XII Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых, Новосибирск, 2006, С. 162.
9. P.M. Гадиев. Проводимость полимерных пленочных структур. // Сб. статей Конкурса научных работ студентов ВУЗов РБ, Уфа, 2007, С. 17.
10. Р.Г. Рахмеев, P.M. Гадиев, А.Р. Юсупов. Исследование транспорта носителей заряда в наноструктурах Si/полимер. // Сб. «Современные проблемы физики и физико-математического образования» V Уральская региональная научно- практическая конференция, Уфа, 2006. С.112-113.
11.Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, Р.Г. Рахмеев, P.M. Гадиев. Транспортный слой на границе раздела полимерных пленок. // Сб. трудов VI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт- Петербург, 2008, С. 68.
12. P.M. Гадиев, А.Н. Лачинов, Р.Б. Салихов, Р.Г. Рахмеев. Проводимость интерфейса полимер/полимер. // Сб. трудов XIV Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых, Уфа, 2008, С. 182.
13. P.M. Гадиев, Р.Б. Салихов, Р.Г. Рахмеев. Проводимость вдоль границы раздела двух полимерных пленок. // Сборник «Физика диэлектриков» Материалы XI Международной конференции «Диэлектрики - 2008» Т.1., Санкт-Петербург, 2008, С.353-355.
14. P.M. Гадиев. Транспортные свойства органико - органического интерфейса, - Сб. статей IX Молодежная школа-семинар по проблемам физики конденсировашюго состояния вещества (СПФКС - 9). Екатеринбург, 2008, С. 74-76.
15. P.M. Гадиев, Р.Б. Салихов, Р.Г. Рахмеев. Проводимость вдоль границы раздела полимерных пленок. // Сб. научных статей физико-математического факультета: Ученые записки, Вып.9, Уфа, 2008, С.38-40.
16. P.M. Гадиев, Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, Р.Г. Рахмеев, А.Р. Юсупов. Полимерные химические сенсоры. И Сб. научных статей физико-математического факультета: Ученые записки. Вып. 10, Уфа, 2009, С. 4955.
17. А.Р. Юсупов, А.Н. Лачинов, А.Р. Тамеев, Р.Г. Рахмеев, Р.Б. Салихов, P.M. Гадиев. Исследование подвижности носителей заряда в многослойных структурах на основе полидифениленфталида, времяпролетным методом. // Сб. научных статей физико-математического факультета: Ученые записки. Вып. 11, Уфа, 2010, С. 165-170.
18. Р.Г. Рахмеев, А.Н. Лачинов, P.M. Гадиев, Р.Б. Салихов. Управление проводимостью интерфейса полимер/полимер. // Сборник трудов VII Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт- Петербург, 2010, С.181-182.
19. P.M. Гадиев, В.М. Корнилов, Р.Б. Салихов, А.Р. Юсупов, Р.Г. Рахмеев, А.Н. Лачинов. Аномально высокая проводимость вдоль границы раздела двух полимерных пленок. // Сборник трудов VII Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт- Петербург, 2010, С.191-192.
Гадиев Радик Мансафович
ОСОБЕННОСТИ ТРАНСПОРТА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДОВ ВДОЛЬ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА ДВУХ ОРГАНИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
01.04.07 - физика конденсированного состояния
Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Формат 60x84 1/16. Печать ризографическая. Тираж 150 экз. Заказ №469. Гарнитура «Times New Roman». Отпечатано в типографии «A3» ИП Назметдинов P.P. 450000, г.Уфа, ул. Ленина, 16 Тел.: (347)293-16-44
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.
1.1. Размерные эффекты и двумерные электронные системы.
1.2. Проводящий интерфейс между полярными и неполярными изоляторами.
1.2.1 Электронная реконструкция.
1.2.2 Электронный газ высокой подвижности.
1.2.3 Основные теоретические модели.
1.3. Металлоподобная проводимость в органических интерфейсах.
1.4. Строение поверхности полимерных пленок, обусловленное ориентацией структурных элементов.
1.5. Особенности границы раздела полимер/полимер.
ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ.
2.1. Полидифениленфталид и его свойства.
2.2. Изготовление пленочных образцов.
2.3. Методика измерения зависимостей вольтамперных характеристик от температуры.
2.4. Методика измерения зависимостей вольтамперных характеристик от влажности.
2.5. Методика измерения проводимости четырехзондовым методом для образца произвольной формы.
2.6. Методика измерения влияние внешнего поля на проводимость структуры.
2.7. Метод атомно-силовой микроскопии.
2.8. Анализ ошибок измерений.
2.8.1 Прямые измерения.
2.8.2 Косвенные измерения.
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНСПОРТА ЗАРЯДОВ ВДОЛЬ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА ДВУХ ОРГАНИЧЕСКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ.
3.1. Вклад интерфейса в проводимость и влияние материала электрода.
3.2. Температурная зависимость проводимости: инжекционная модель.
3.3. Оценка реальной проводимости структуры.
ГЛАВА 4. СТРУКТУРА ИНТЕРФЕЙСА И РОЛЬ СТРУКТУРЫ ПОЛИМЕРОВ
4.1. Исследование границы раздела полимер/полимер методом АСМ.
4.2. Роль полидифениленфталида.
4.3. Роль боковых дипольных групп.
ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ И ПАРАМЕТРОВ ВНЕШНЕЙ СРЕДЫ.
5.1. Влияние внешнего поля.
5.2. Влияние параметров внешней среды.
5.3. Обсуждение результатов.
Актуальность темы.
Целью многих практических разработок на основе полимеров была комбинация их электрических и оптических свойств полупроводника или металла с механическими свойствами (легкость и пластичность) и с преимуществами связанными с более простой технологий приготовления (низкая температура приготовления и в результате более дешевое сырьё).
Ясно, что область применения полимеров в электронике зависит от их проводящих свойств. Сильнолегированные квазиметаллические полимеры находят применение в качестве различных антистатических покрытий, электромагнитных экранов, в литографических процессах и др. В химически легированных полимерах процесс легирования и делегирования может управляться внешним напряжением, что используется для создания легких аккумуляторных батарей и различных медицинских приборов.
С другой стороны, нелегированные полимеры обладают полупроводниковыми свойствами, в них можно инжектировать носители заряда из электродов. Уже создан полностью полимерный (а значит гибкий) полевой транзистор, полимерные фотоприемники, солнечные элементы. Разрабатываются полностью полимерные интегральные схемы, которые могут заменить в некоторых случаях (например, в кодовых электронных замках) кремниевые микросхемы. К «ярким» применениям можно отнести бурно развивающееся в настоящее время направление — полимерные светодиоды (LED). Рынок полимерной электроники один из самых бурно -развивающихся рынков в мире. По оценкам независимых компаний величина инвестиций в эту область, в будущем году превысят 300 млрд. долларов.
Компанией Philips уже изготовлен полностью полимерный чип площадью 27 мм2 с минимальным размером деталей 5мкм. Скорость обработки информации с помощью таких интегральных схем составляет 10100 бит/с. Этот параметр пока мал, чтобы использовать такие схемы в компьютерах, однако достаточен для использования в кодовых замках, электронных ярлыках для товаров в магазинах и др.
Увеличение скорости работы органических транзисторов одно из приоритетных направлений развития. В основном работа в этой области направлена на синтез новых полимерных материалов или разработки новых легирующих примесей. Однако ведутся работы по созданию органических транзисторов использующих в качестве транспортного канала не сам материал, а лишь небольшую квантоворазмерную область, сформированную на границе раздела двух органических материалов. Этот принцип используется во всех современных высокочастотных полупроводниковых транзисторах. Широкие возможности химической промышленности и уникальные свойства полимерных материалов позволяют прогнозировать возможность таких устройств. Которые могут серьезно ослабить позиции полупроводниковых транзисторов на рынке высокочастотной электроники.
Цель работы.
Диссертационное исследование посвящено экспериментальному исследованию особенностей транспорта носителей заряда вдоль границы раздела двух органических диэлектриков.
Для осуществления указанной цели решались следующие задачи:
1. Разработка методики изготовления образцов для исследования транспорта носителей зарядов вдоль границы раздела двух полимерных пленок
2. Исследование электрофизических свойств структуры различными методами при различных температурах и различных материалах электродов.
3. Исследование влияния молекулярной структуры полимеров на электрофизические свойства границы раздела.
4. Исследование влияния электрического поля и внешних воздействий на транспорт носителей зарядов вдоль интерфейса полимер/полимер.
5. Экспериментальная оценка возможностей практического применения полученных результатов.
Научная новизна:
Установлена возможность формирования транспортного слоя вдоль границы раздела двух полимерных пленок, обладающего аномально высокой проводимостью и подвижностью носителей зарядов.
Обнаружена металлоподобная температурная зависимость проводимости границы раздела двух полимерных диэлектриков.
Продемонстрирована определяющая роль структуры используемого полимера, в частности, наличие боковых фрагментов с большим дипольным моментом.
Обнаружена полевая зависимость параметров носителей заряда вдоль границы раздела полимерных пленок
Основные результаты и выводы
1. На границе раздела двух диэлектрических полимерных пленок формируется область толщиной менее 15 нм, обладающая высокой по сравнению с объемной электропроводностью.
2. Граница раздела двух полимерных диэлектриков имеет металлический тип проводимости.
3. Возникновение высокопроводящей области на границе раздела, обусловлено слоем упорядоченных боковых групп на поверхности пленки первого материала.
4. Установлено, что носителями зарядов в исследованной структуре являются электроны, подвижность которых достигает рекордных для органических электропроводящих материалов значений 4-10"2 см2-В" ■•с-').
5. Экспериментально доказана принципиальная возможность использования границы раздела двух диэлектрических полимерных пленок в качестве транспортного канала полевого транзистора и чувствительного элемента химического сенсора.
1. Тавгер Б. А., Демиховский В .Я. Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках. // Успехи физических наук. - 1968.-Т.68.-В.1.-С.61-85.
2. Sommer W. Т. Liquid Helium as a Barrier to Electrons. // Phys. Rev. Lett. — 1964. — V.12. — P.271-273.
3. Reed M.A., Randall J.N., Aggarwal R.J., Matyi R.J., Moore T.M., Wetsel A.E. Observation of discrete electronic states in a zero-dimensional semiconductor nanostructure. // Phys. Rev. Lett. 1988. - V.60. -1.6. - P.535-537.
4. Klitzing K.V., Dorda G., Pepper M. New Method for High-Accuracy Determination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance. // Phys. Rev. Lett. 1980. - V.45. -1.6. - P.494-497.
5. Tsui D.C., Stormer H.L., Gossard A.C. Two-dimensional magnetotransport in the extreme quantum limit. // Phys. Rev. Lett. 1982. - V.48. -1.22. - P. 15591562.
6. McCray W.P. MBE Deserves a Place in the History Books. // Nature Nanotechnology. 2004. - V.2. -1.5. - P.2-4.
7. Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем. // С.-П.: Наука. 2001. - С.5-19.
8. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники.//М.: Физматкнига. -2006. С.494.
9. Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. //М.: Мир.- 1985.-С.416.
10. Павлов П. В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. // М.: Высшая школа. -2000.-С.497.
11. Мурзин С.С., Долгополов В.Т., Квантовые осцилляции проводимости вблизи поверхности висмута. // Письма в ЖЭТФ. 1983. - Т.37. - В. 12. -С.584—586.
12. Filatov O.N., Karpovich L.A. Dependence of the width of the forbidden band of indium antimonide films on the thickness. // Fiz. Tverd. Tela. 1969. -V.ll. -P.805-806.
13. Filatov, O.N., Karpovich L.A. Dependence of the width of the forbidden band of indium antimonide films. // Fiz. Tverd. Tela. 1969. - V.ll. - P. 16401642.
14. Salashchenko V.N., Zvonkov B.N., Filatov O.N., Karpovich I.A. Quantum size effect in thin films of lead telluride. // Fiz. Tverd. Tela. 1975. - V. 17. -P.3641-3643.
15. Иорданский С.В., Кашуба А., Мультикомпонентный двумерный электронный газ как модель для кремниевых гетероструктур. // УФН. 2006. -В.176.-Т.2. -С.219-222.
16. Groove A.S. Physics and Technology of semiconductor devices. // NY.: Whiley. 1967. - P.214.
17. Shokley W. and Pearson G.L. Modulation of conductance of thin films of semi-conductors by surface charges. // Phys. Rev. 1948. - V.74. - 1.2. - P.232-233.
18. Sze S.M. Physics of semiconductor devices. //NY.: Whiley 1981. - 2nd ed. -P.450.
19. Torres J., Nouvel P., Akwoue-Ondo A., Chusseau L., Teppe F., Shchepetov A., Bollaert. S. Tunable plasma wave resonant detection of optical beating in high electron mobility transistor. // Appl. Phys. Lett. 2006. - V.89. -1.201101.
20. Knap W., Deng Y., Rumyantsev S., L.u J.-Q., Shur M.S., Saylor C.A., Brunei L.C. Resonant detection of subterahertz radiation by plasma waves in a submicron field-effect transistor. // Appl. Phys. Lett. 2002. - V.80. -1.3433.
21. Van Ruyven L.J., Bluyssem H.J.A. and Williams F. Physics of semiconductors. // Bristol: Institute of physics. 1979. - P.769-772.
22. Fitzgerald. E.A. GeSi/Si Nanostructures. // Annual Review of Materials Science. 1995.- V.25. - P.417-454.
23. Xie Y.H., Fitzgerald E.A., Monroe D., Silverman P.J., Watson G.P. Fabrication of high mobility two-dimensional electron and hole gases in GeSi/Si. // Journal of Appl. Phys. 1993. - V.73. -N.12. -P.8364-8370.
24. Dong Pan, Jifeng Liu, Kimerling L.C., McMillan J.F., Sockin M.D., Chee Wei Wong. Ultrafast Ge/Si resonator-based modulators for optical data communications in silicon photonics. // Patent International Application. 2007. -No.: PCT/US2007/001310.
25. Soref R.A., Friedman L.R. Silicon based strain symmetrized Ge/Si quantum laser. // United States Patent 2000. - No.: 6154475.
26. Bednorz J.G, and Muller K.A. Possible high Tc superconductivity in the Ba-La-Cu-0 system. // Zeitschrift fur Physik B. 2000. - V.64. - P. 189-193.
27. Mott N.F. Metal-insulator Transitions. // London: Taylor and Francis. -1990. 2nd ed.-P. 199-209.
28. Jin S., Tiefel T. H., McCormack M., Fastnacht R.A., Ramesh R. and Chen L. H. Thousand fold change in resistivity in magnetoresistive La-Ca-Mn-O films. // Science 1994. - V.264. -1.5157. - P.413-415.
29. Salamon M. B. and Jaime M. The physics of manganites: structure and transport. // Rev. Mod. Phys. 2001. - V.73. -1.3. - P.583- 628.
30. Ahn C.H., Rabe K.M. and Triscone J.M. Ferroelectricity at the nanoscale: local polarization in oxide thin films and heterostructures. // Science. 2004. -V.303. - N.5657. - P.488-491.
31. Fong D.D., Stephenson G.B., Streiffer S.K., Eastman J.A., Auciello O., Fuoss P.H. and Thompson C. Ferroelectricity in ultrathin perovskite films. // Science. 2004. - V.304. -1.5677. - P. 1650-1653.
32. Tokura Y. Correlated-electron physics in transition-metal oxides. // Phys. Today. 2003. - V.56. - N.7. - P.50-55.
33. Inoue I.H. Electrostatic carrier doping to perovskite transition-metal oxides. // Semicond. Sei. Technol. 2005. - V.20. - N.4. - P.9.
34. Willmott P.R. and Huber J.R. Pulsed laser vaporization and deposition. // Rev. Mod. Phys. 2000. - V.72. -1.1. - P.315-328.
35. Willmott P.R. Deposition of complex multielemental thin films. // Prog. Surf. Sei. 2004. - V.76. -1.6-8. - P. 163-217.
36. Chambers S.A. Epitaxial growth and properties of thin film oxides. // Surf. Sei. Rep. -2000. -V.39. -1.5-6. P. 105-180.
37. Ohtomo A., Muller D. A., Grazul J. L. and Hwang H. Y. Artificial chargemodulation in atomic-scale perovskite titanate superlattices. // Nature. 2002. -V.419. -P.378-380.
38. Shibuya K., Ohnishi T., Kawasaki M., Koinuma H. and Lippmaa M. Metallic LaTi03/SrTi03 superlattice films on the SrTi03 (100) surface. // Japan. J. Appl. Phys. 2004. - V.43. - P. LI 178-L1180.
39. Tokura Y., Taguchi Y., Okada Y., Fujishima Y., Arima T., Kumagai K. and lye Y. Filling dependence of electronic properties on the verge of metal-Mott-insulator transition in Sri— x Lax Ti03. // Phys. Rev. Lett. 1993. - V.70. -1.14. -P. 2126-2129.
40. Okamoto S. and Millis A.J. Electronic reconstruction at an interface between a Mott insulator and a band insulator. // Nature. 2004. - V.428. - P. 630-633.
41. Okamoto S. and Millis A.J. Theory of Mott insulator-band insulator heterostructures. // Phys. Rev. B. 2004. - V.70. -1.7. - P.075101-1.
42. Okamoto S. and Millis A.J. Spatial in homogeneity and strong correlation physics: a dynamical mean-field study of a model Mott-insulator-band-insulator heterostructure. // Phys. Rev. B. 2004. - V.70. -1.24. - P.241104-1.
43. Popovic Z.S. and Satpathy S. Wedge-shaped potential and Airy-function electron localization in oxide superlattices. // Phys. Rev. Lett. 2005. - V.94. -1.17. -P.176805-1.
44. Thulasi S. and Satpathy S. Jellium model of the two-dimensional Airy electron gas at the perovskite titanate interface. // Phys. Rev. B. 2006. - V.73. -1.12. -P.125307-1.
45. Hamann D.R., Muller D.A. and Hwang H.Y. Lattice-polarization effects on electron-gas charge densities in ionic superlattices. // Phys. Rev. B. 2006. - V.73. -1.19. -P.195403-1.
46. Okamoto S., Millis A.J. and Spaldin N.A. Lattice relaxation in oxide heterostructures: LaTi03/SrTi03 superlattices. // Phys. Rev. Lett. 2006. - V.97. -1.5. -P.056802-1.
47. Ohtomo A. and Hwang H.Y. A high-mobility electron gas at the LaA103/SrTi03 heterointerface. // Nature. 2004. - V.427. - P.423-426.
48. Noguera C. Polar oxide surfaces. // J. Phys.: Condens. Matter. 2006. -V.12. -N.31 — P.R367-R410.
49. Tufte O.N. and Chapman P.W. Electron mobility in semiconducting strontium titanate. // Phys. Rev. 1967. - V.155. -1.3. - P.796-802.
50. Siemons W., Koster G., Yamamoto H., Harrison W. A., Geballe T.H., Blank D.H. and Beasly M.R. Origin of the unusual transport properties observed at hetero-interfaces of LaA103 on SrTi03. // Preprint Cond. Mat. 2006. - 0603598.
51. Siemons W., Koster G., Yamamoto H., Harrison W. A., Lucovsky G., Geballe T. H., Blank D. H. A. and Beasley M. R. Origin of charge density at
52. A103 on SrTi03 heterointerfaces: possibility of intrinsic doping. // Phys. Rev. Lett. 2007. - V.98. -1.19. - P.196803-1.
53. Siemons W., Koster G., Yamamoto H., Geballe T.H., Blank D.H.A. and Beasley M. R. Experimental investigation of electronic properties of buried heterointerfaces of LaA103 on SrTi03. // Phys. Rev. B. 2007. -V.76 - 1.15 -P.155111.
54. Kalabukhov A., Gurmarsson R., Boijesson J., Olsson E., Claeson T. and Winkler D. Effect of oxygen vacancies in the SrTi03 substrate on the electrical properties of the LaA103/SrTi03 interface. // Phys. Rev. B. 2007. - V.75. -1.12. -P.R121404-R1211408.
55. Brinkman A., Huijben M., van Zalk M., Huijben J., Zeitler U., Maan J. C., van der Wiel W. G., Rijnders G., Blank D. H. A. and Hilgenkamp H. Magnetic effects at the interface between non-magnetic oxides. // Nat. Mater. 2007. - V.6. -P.493-496.
56. Tasker P. W. The stability of ionic crystal surfaces. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1979. - V.12. - P.4977-4984.
57. Harrison W.A., Kraut E.A., Waldrop J.R. and Grant R.W. Polar heterojunction interfaces. // Phys. Rev. B. 1978. -V. 18. -1.8 - P.4402-4410.
58. Baraff G.A., Appelbaum J.A. and Hamann D.R. Self-consistent calculation of the electronic structure at an abrupt GaAs-Ge interface. // Phys. Rev. Lett. -1977. V.38. -N.5. - P.237-240.
59. Kroemer H. Polar-on-nonpolar epitaxy. I I J. Cryst. Growth. — 1987. -V.81. -1.1-4-P. 193-204.
60. Nakagawa N., Hwang H.Y. and Muller D.A. Why some interfaces cannot be sharp. // Nat. Mater. 2006. - V.5. -1.3. - P.204-209.
61. Thiel S., Hammerl G., Schmehl A., Schneider C.W. and Mannhart J. Tunable quasi-two-dimensional electron gases in oxide heterostructures. // Science.- 2006. V.313. - N.5795. - P. 1942-1945.
62. Schneider C.W., Thiel S., Hammerl G., Richter C. and Mannhart J. Microlithography of electron gases formed at interfaces in oxide heterostructures. // Appl. Phys. Lett. 2006. - V.89 -1.12. - P. 122101-1.
63. Huijben M., Rijnder G., Blank D. H. A., Bals S., Van Aert S., Verbeeck J., Van Tendeloo G., Brinkman A. and Hilgenkamp H. Electronically coupled complementary interfaces between perovskite band insulators. // Nat. Mater.2006. — V.5. P.556-560.
64. Park M.S., Rhim S.H. and Freeman A.J. Charge compensation and mixed valency in LaA103/SrTi03 heterointerfaces studied by the FLAPW method. // Phys. Rev. B. 2006. - V.74. -1.20. - P.205416.
65. Vonk V., Huijben M., Driessen K.J.I., Tinnemans P., Brinkman A., Harkema S. and Graafsma H. Interface structure of SrTi03/LaA103 at elevated temperatures studied in situ by synchrotron x rays. // Phys. Rev. B. 2007. - V.75. -1.23. -P.235417.
66. Fitting Kourkoutis L., Muller D.A., Hotta Y. and Hwang H.Y. Assymetric interface profiles in LaV03/SrTi03 heterostructures grown by pulsed laser deposition. // Appl. Phys. Lett. 2007. - V.91. -1.16. - P. 161301.
67. Hotta Y., Susaki T. and Hwang H.Y. Polar discontinuity doping of the LaV03/SrTi03 interface. // Phys. Rev. Lett. 2007. - V.99. -1.23. - P.236805.
68. Pentcheva R. and Pickett W.E. Charge localization or itineracy at LaA103/SrTi03 interfaces: hole polarons, oxygen vacancies, and mobile electrons. // Phys. Rev. B. 2006. - V.74. -1.3. - P.035112.
69. Reyren N., Thiel S., Caviglia A.D. et al. Superconducting interfaces between insulating oxides. // Science. -2007. -V.317. -N.5842. P. 1196-1199.
70. Berezinskii V.L. Destruction of long-range order in one-dimensional and two-dimensional systems possessing a continuous symmetry group, ii. Quantum systems. // Sov. Phys. JETP. 1972. - V.34. - P.610.
71. Kosterlitz J.M. and Thouless D.J. Long range order and metastability in two-dimensional solids and superfluids. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1972. -V. 5. -N.ll. — P.L124.
72. Chiang C.K., Heeger A.J., Shirakawa H. et al. Electrical conductivity in doped polyacetylene. // Phys.Rev.Lett. 1977. - V.39. - P.1098-1101.
73. Haddon R.C., Hebard A.F., Rosseinsky M.J., Murphy D.W. et al. Conducting films of C60 and C70 by alkali-metal doping. // Nature. 1991. -V.350. - P.320-322.
74. Hebard A.F., Rosseinsky M.J., Haddon R.C. et al. Superconductivity at 18K in potassium-doped C60. // Nature. 1991. - V.350. - P.600-601.
75. Jerome D. and Schulz H.J. Organic conductors and superconductors. // Adv. Phys. 1982. - V.31. -P.299-490.
76. Calhoun M.F., Sanchez J., Olaya D., Gershenson M.E. and Podzorov V. Electronic functionalization of the surface of organic semiconductors with self-assembled monolayers. // Nature Mater. 2008. - V.7. - P.84-89.
77. Ferraris J., Walatka V., Perlstei J.H. and Cowan D.O. Electron-transfer in a new highly-conducting donor—acceptor complex. // J. Am. Chem. Soc. 1973. -V.95. - P.948-949.
78. Jerome D. Organic conductors: from charge density wave TTF-TCNQ to superconducting (TMTSF) 2PF6. // Chem. Rev. 2004. - V.104. - P.5565-5591.
79. Ishiguro T., Yamaji K. and Saito G. Organic superconductors. // Springer: Berlin. 1998.-P.300.
80. Kistenmacher T.J., Phillips T.E. and Cowan D.O. The crystal structure of the 1:1 radical cation-radical anion salt of 2-20-bis-l,3-dithiole(TTF) and 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ). // Acta. Crystall ogr. B. 1974. - V.30. -P.763-768.
81. Cooper W.F., Kenny N.C., Edmonds J.W. , Nagel A., Wudl F. and Coppens P. Crystal and molecular structure of aromatic sulphur compound 2,20-bi-l,3-dithiole—evidence for d-orbital participation in bonding. // J. Chem. Soc. D. -1971. V.16. - P.889-890.
82. Long R.E., Sparks R.A. and Trueblood K.N. The crystal and molecular structure of 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane. // Acta. Crystall ogr. 1965. -V.18. -P.932-939.
83. Alves H., Molinari A., Xie H. and Morpurgo A.F. Metallic conduction at organic charge-transfer interfaces. // Nature Materials. 2008. - V.7. - P.574-580.
84. Silinsh E.A. and Capek V. Organic Molecular Crystals. // NY.: American Institute of Physics. 1994. - P.29.
85. Horowitz G., Gamier F., Yassar A., Hajlaoui R. & Kouki F. Field-effect transistor made with a sexithiophene single crystal. // Adv. Mater. 1996. - V.8. -P.52-54.
86. Sundar V.C., Zaumseil J., Podzorov V., Menard E., Willett R.L., Someya T., Gershenson M.E., Rogers J.A. Elastomeric transistor stamps: Reversible probing of charge transport in organic crystals. // Science. 2004. - V.303. - P. 1644— 1646.
87. Molinari A., Gutierrez I., Hulea I.N., Russo S. and Morpurgo, A.F. Bias-dependent contact resistance in rubrene single-crystal field-effect transistors. // Appl. Phys. Lett. -2007. -V.90. -P.212103.
88. Takahasi T., Takenobu T., Takeya J. and Iwasa Y. Ambipolar organic field-effect transistors based on rubrene single crystals. // Appl. Phys. Lett. 2006. -V.88.-P.033505.
89. Takeya J., Yamagishi M., Tominari Y. and Nalcazawa Y. Gate dielectric materials for high-mobility organic transistors of molecular semiconductor crystals. // Solid State Electron. -2007. -V.51. -P.1338-1343.
90. Menard E., Marchenko A., Podzorov V., Gershenson M.E., Fichou D., Rogers J.A. Nanoscale surface morphology and rectifying behavior of a bulk single-crystal organic semiconductor. // Adv. Mater. — 2006. V.18. - 1.12. — P.1552—1556.
91. Gershenson M.E., Podzorov V. and Morpurgo A.F. Electronic transport in single-crystal organic transistors. // Rev. Mod. Phys. 2006. - V.78. - P.973-989.
92. Hulea I.N., Russo S., Molinari A. and Morpurgo A.F. Reproducible low contact resistance in rubrene single-crystal field-effect transistors with nickel electrodes. // Appl. Phys. Lett. 2006. - V.88. - P.l 13512.
93. Guo D., Sakamoto K., Miki K., Ikeda S. and Saiki, K. Orientation control of pentacene and transport anisotropy of the thin film transistor by photo aligned polyimide film. Appl. Phys. Lett. 2007. - V.90. - P. 102117.
94. Lee P.A. and Ramakrishnan T.V. Disordered electronic systems. // Rev. Mod .Phys. 1985.-V.57. -P.287-337.
95. Fratini S., Xie H., Hulea I.N. Ciuchi S. and Morpurgo A.F. Current saturation and Coulomb interactions in organic single-crystal transistors. // New J. Phys. 2008. - V.10. - P.033031.
96. Jerome D., Rice T.M. and Kohn, W. Excitonic insulator. // Phys. Rev. -1976.-V.158. -P.462^75.
97. Wu S.H. Polymer interface and adhesion. //NY.: Marcel Dekker. 1982.
98. Brandrup J., Immergut E.H. Grulke E.A. Polymer Handbook. // NY.: Wiley. 1999.-P.l 121.
99. Schubert D.W., Stamm M., Muller A.H.E. Neutron reflectometry studies on the interfacial width between polystyrene and various poly(alkylmethacrylates). // Polym. Eng. Sci. 1999. - V.39. -1.38 - P. 1501-1507.
100. Brown H.R. Chain pullout and mobility effects in friction and lubrication. // Science. 1994. -V.263. -N.5152. - P.1411-1413.
101. Lin W.Y., Blum F.D. Segmental dynamics of interfacial poly(methyl acrylate)-d3 in composites by deuterium nmr spectroscopy. // J. Am. Chem. Soc. -2001. V.123. - P.2032-2037.
102. Hillman A.R., Saville P.M., Glidle A., Richardson R. M., Roser S. J. et al. Neutron reflectivity determination of buried electroactive interface structure: PBT/PPy and PBT/PXV Bilayers. // J. Am. Chem. Soc. 1998. - V.120. - 1.49. -P.12882-12890.
103. Dai C.A., Dair B.J., Dai K.H., Ober C.K., Kramer E. J. et al. Reinforcement of polymer interfaces with random copolymers. // Phys. Rev. Lett. -1994. V.73. -1.18. - P.2472-2475.
104. Horiuchi S., Hanada T., Yase K., Ougizawa T. Analysis of an interface between an immiscible polymer pair by electron spectroscopic imaging. // Macromolecules. 1999. - V.32. -1.4. - P. 1312-1314.
105. Sikka M., Pellegrini N.N., Schmitt E.A., Winey K.I. Modifying a polystyrene/poly(methyl-methacrylate) interface with poly(styrene-co-methyl methacrylate) random copolymers. // Macromolecules. 1997. - V.30. - 1.3. -P.445-455.
106. Bernard B., Brown H.R., Hawker C.J., Kellock A.J., Russell, T.P. Adhesion of polymer interfaces reinforced with random and diblock copolymers as a function of geometry. // Macromolecules. 1999. - V.32. -1.19. - P.6254-6260.
107. Kulasekere R., Kaiser H., Ankner J.F., Russell T.P., Brown H.R. et al. Neutron reflectivity measurements of homopolymer interfaces reinforced with random copolymers. // Physica B 1996. - V.221. -1.1-4. - P.306-308.
108. Russell T.P. On the reflectivity of polymers: Neutrons and X-rays. // Physica B. 1996. - V.221. -1.1-4. - P.267-283.
109. Schulze J.S., Moon B., Lodge T.P., Macosko C.W. Measuring copolymer formation from end-functionalized chains at a PS/PMMA interface using FRES and SEC. // Macromolecules 2001. - V.34. -1.2. - P.200-205.
110. Pellegrini N.N., Sikka M., Satija S.K., Winey K.I. Segregation of a random copolymer from miscible blends. // Macromolecules. 1997. - V.30. -P.6640-6644.
111. Rharbi Y., Yekta A., Winnik M.A., DeVoe R.J., Barrera D. Energy transfer studies of interpenetrating polymer networks: Characterizing the interface in polyacrylate-polyurethane IPNs. // Macromolecules 1999. - V.32. - N.10. -P.3241-3248.
112. Kim S.H., Jo W.H. A Monte Carlo simulation of polymer/polymer interface in the presence of block copolymer. I. Effects of the chain length of block copolymer and interaction energy. // J. Chem. Phys. 1999. - V. 110. - P. 1219312201.
113. Li X.F., Denn M.M. Influence of Bulk Nematic Orientation on the interface between a liquid crystalline polymer and a flexible polymer. // Phys. Rev. Lett. 2001. - V.86. -1.4. - P.656-659.
114. Natarajan U., Misra S., Mattice W.L. Atomistic simulation of a polymerpolymer interface: Interfacial energy and work of adhesion. // Comput. Theor. Polym. Sci. 1998. - V.8. - P.323-329.
115. Israels R., Jasnow D., Balazs A.C., Guo L., Krausch G., Sokolov J. Rafailovich M. Compatibilizing A/B blends with AB diblock copolymers: Effect of copolymer molecular weight. // J. Chem. Phys. 1995. - V.102. - 1.20. -P.8149-8157.
116. Shen Y.R. The Principles of nonlinear optics. //NY.: Wiley. 2003. -P.67-86.
117. Wei X., Zhuang X.W., Hong S.C., Goto T., Shen Y.R. Sum-Frequency Vibrational spectroscopic study of a rubbed polymer surface. // Phys. Rev. Lett. -1999. V.82. - P.4256-4259.
118. Walker R.A., Gruetzmacher J.A., Richmond G.L. Phosphatidylcholine monolayer structure at a liquid-liquid interface. // J. Am. Chem. Soc. 1998. -V.120. -1.28. - P.6991-7003.
119. Chen Z., Shen Y.R., Somorjai G.A. Studies of polymer surfaces by sum frequency generation vibrational spectroscopy. // Ann. Rev. Phys. Chem. 2002.- V.53. P.437-465.
120. Kim J., Cremer P.S. R-Visible SFG investigations of interfacial water structure upon polyelectrolyte adsorption at the solid/liquid interface. // J. Am. Chem. Soc. 2000. - V.122. -1.49. - P.12371-12372.
121. Su X.C., Cremer P.S., Shen Y.R., Somorjai G.A. Pressure dependence (10" ,0-700 torr) of the vibrational spectra of adsorbed co on pt(l 11) studied by SFG. // Phys. Rev. Lett. 1996. - V.77. -1.18. - P.3858-3860.
122. Briggman K.A., Stephenson J.C., Wallace W.E., Richter LJ. Absolute molecular orientational distribution of the polystyrene surface. // J. Phys. Chem. B.- 2001. V.105. -1.14. - P.2785-2791.
123. Clarke M.L., Chen C., Wang J. and Chen Z. Molecular level structures of poly(n-alkyl methacrylate)s with different side chain lengths at the polymer/air and polymer/water interfaces. // Langmuir. 2006. - V.22. - N.21. - P.8800-8806.
124. Wang J. Chen C., Buck S.M. and Chen Z. Molecular chemical structure on poly(methyl methacrylate) (pmma) surface studied by sum frequency generation (sfg) vibrational spectroscopy. // J. Phys. Chem. B. 2001. - V.105. - N. 48. -P.12118-12125.
125. Sivaniah E., Hayashi Y., lino M. and Hashimoto T. Observation of perpendicular orientation in symmetric diblock copolymer thin films on rough substrates. // Macromolecules. 2003. - V.36. -N.16. - P.5894-5896.
126. Gautam K.S. and Dhinojwala A. Molecular structure of hydrophobic alkyl side chains at comb polymer-air interface. // Macromolecules. 2001. - V.34. -N.5. -P.1137-1139.
127. Zhang D., Dougal S. M., Yeganeh M. S. Effects of uv irradiation and plasma treatment on a polystyrene surface studied by invisible sum frequency generation spectroscopy. // Langmuir. 2000. - V.16. - N.10. - P.4528.
128. Gautam K.S., Schwab A.D., Dhinojwala A., Zhang D., Dougal S.M., Yeganeh M.S. Molecular structure of polystyrene at air/polymer and solid/polymer interfaces. // Phys. Rev. Lett. 2000. - V.85. -1.18. - P.3854-3857.
129. Yongsok S., Im J-H.,Lee J-S.,and Kim J-H. Aggregation behaviors of a polystyrene-b-poly(methyl methacrylate) diblock copolymer at the air/water interface. // Macromolecules. 2001. - V.34. - N.14. - P.4842-4851.
130. Oh-e M., Hong S.C., Shen Y.R. Orientations of phenyl sidegroups and liquid crystal molecules on a rubbed polystyrene surface. // Appl. Phys. Lett. -2002. -V.80.-1.5. -P.784.
131. Clancy T.C., Hwan Jang J., Dhinojwala A., Mattice W.L. Orientation of phenyl rings and methylene bisectors at the free surface of atactic polystyrene. // J. Phys. Chem. B. 2001. - V. 105. -1.46. - P. 11493-11497.
132. Chen C., Wang J., Even M.A. and Chen Z. Sum frequency generation vibrational spectroscopy studies on "buried" polymer/polymer interfaces. // Macromolecules. 2002. - V.35. - N.21. - P.8093-8097
133. Gautam K.S. and Dhinojwala A. Melting at alkyl side chain comb polymer interfaces. // Phys. Rev. Lett. 2002. - V.88. -1.14. - P.145501-145505.
134. Wang J., Paszti Z., Even M. A., Chen Z. Measuring polymer surface ordering differences in air and water by sum frequency generation vibrational spectroscopy. // J. Am. Chem. Soc. 2002. - V. 123. - N.24. - P.7016-7023.
135. Opdahl A. and Somorjai G.A. Solvent vapor induced ordering and disordering of phenyl side branches at the air/polystyrene interface studied by SFG. //Langmuir.-2002.-V. 18.-N.24. -P.9409-9412.
136. Vazquezu H., Gao W., Flores F. et al. Energy level alignment at organic heterojunctions: Role of the charge neutrality level. // Phys. Rev. B. 2005. -V.71. -1.4. - P.041306.
137. Avilov L., Cornil J. Quantum-chemical investigation of the electronic structure of organic/organic interfaces. // Int. Conf. Nanomeeting-2007. Minsk. -2007. -P.384-387.
138. Компанеец А.С. Теоретическая физика. // М.: ГИТТЛ. 1957. -С.563.
139. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г. Транспортный слой на границе раздела двух полимерных пленок. // Письма в ЖТФ. 2008. - Т.34. -В.11. - С.88-94.
140. Салазкин С.Н. Ароматические полимеры на основе псевдохлорангидридов. // Высокомолекулярные соединения Б. 2004. - Т.46. -С. 1244.
141. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. // М.: Мир. 1984. -Кн.1. - С.456.
142. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. // М.: Мир. 1982. - T.l. - С.252.
143. Schefefold F., Budkowski A., Steiner U. et al. Surface phase behavior in binary polymer mixtures. I. Miscibility, phase coexistence, and interactions in polyolefin blends. // J. Chem. Phys. 1996. - V.104. -1.21. - P.8687-8795.
144. Johansson N., Lachinov A.N., Stafstrom S., Salaneck W.K. A theoretical study of the chemical structure of the non-conjugated polymer poly(3,3'-phthalidylidene-4,4'-biphenylene). // Synth. Metals. 1994. - V.67. - 1.1-3. -P.319-322.
145. Лачинов A.H., Загуренко Т.Г., Корнилов B.M. и др. Перенос заряда в системе металл-полимер-нанокристаллический металл. // ФТТ. 2000. - Т.42. -В.10. - С.1882-1888.
146. Лачинов А.Н., Воробьева Н.В. Электроника тонких слоев широкозонных полимеров. // Успехи Физических Наук. 2006. - Т. 176. -№.12. - С.1249-1266.
147. Золотухин М.Г., Ковардаков В.А., Салазкин С.Н., Рафиков С.Р. Некоторые закономерности синтеза полиариленфталидов гомополиконденсацией п-(3-хлоро-3-фталидил)-бефинила. // Высокомолек. Соед. 1984. - Т.26а. - №6. - С.1212-1217.
148. Zolotukhin M.G., Skirda V.D., Sedova E. A., Sundukov V. I., Salazkin S.N. Gelation in the homopolycondensation of 3-arel-3-clorphtalides. // Macromol. Chem. 1993. - V.94. - N.2. - P.543-549.
149. Рафиков C.P., Толстиков Г.А., Салазкин C.H., Золотухин М.Г. Полигетероарилены для изготовления термостойких материалов и способ их получения. // А.С. 734989 СССР. Б.И. - 19891. - №20.
150. Новоселов И.В. Взаимодействие полиариленфталидов и их аналогов с иодом. // Канд. дисс., ИОХ УНЦ РАН, Уфа 1996.
151. Салазкин С.Н., Золотухин М.Г., Ковардаков В., Дубровина Л.В., Гладкова Е.А., Павлова С.С., Рафиков С.Р. Молекулярно-массовые характеристики полиариленфталида. // Высокомолек. соед. 1987. - А29. -№7. — С.1431-1436.
152. Wu C.R., Johansson N., Lachinov A.N., Stafstrom S., Kugler Т., Rasmusson J., Salaneck W.R. The chemical and electronic structure of the conjugated polymer poly(3.3-phthalidyliden-4.4-bihenylilene). // Synth. Metals. -1994.-V. 67. P.125-128.
153. Dewar M.J., Zoebisch E.G., Healy E.F., Stewart J.J.P. Development and use of quantum mechanical molecular models. 76. AMI: a new general purpose quantum mechanical molecular model. // J. Am. Chem. Soc. 1985. - V.107. -N.13. — P.3902-3905.
154. Bredas J.L., Chance R.R., Silbey R., Nicolas G. and Durand Ph. A nonempirical effective Hamiltonian technique for polymers: Application to polyacetylene and polydiacetylene. // J. Chem. Phys. 1981. - V.75. — 1.1. -P.255-268.
155. Антипин B.A., Валеева И.JI., Лачинов А.Н. Электролюминесценция в тонких пленках полимеров, обладающих аномально высокой проводимостью. // Письма в ЖЭТФ. 1992. - Т.55. - В.9. - С.526-529.
156. Лачинов А.Н. Электроника несопряженных полимеров: Электропроводящие полимеры. // Вест. АН Респ. Башкортостан. 2005. -В.10.-Т.З.-С.5.
157. Ионов А.Н., Лачинов А.Н., Ренч Р. Сверхпроводящий ток в тонкой пленке полифталидилиденбифенилена. // Письма в ЖТФ. 2002. - Т.28. -В.14.-С.69-76.
158. Lachinov A.N., Kornilov V.M., Yumaguzin Yu.M. and Tchurlina E.E. Electron emission from polymer films under electric-field influence. // J. Soc. Inform. Display. 2004. - V. 12. -1.2. - P.149-151.
159. Лачинов A.H., Жеребов А.Ю., Корнилов B.M. Высокопроводящее состояние в тонких пленках полимеров. // ЖЭТФ. 1992. - Т. 102. - С. 187193.
160. Лачинов А.Н., Жеребов А.Ю., Корнилов В.М. Аномальная электронная неустойчивость полимеров при одноосном давлении. // Письма в ЖЭТФ.- 1990. -Т.52. В.2. - С.742-745.
161. Lachinov A.N., Zherebov A.Yu. and Zolotukhin M.G. Thermostimulated switching in thin polymer films. // Synth. Metals. 1993. - V.59. - 1.3. - P.377-386.
162. Ionov A.N., Lachinov A.N., Rivkin M.M. et al. Low-resistance state in polydiphenyelenephthalide at low temperatures. // Solid State Communs. 1992. — V.82. —1.8. - P.609-611.
163. Салихов Р.Б., Бунаков А.А., Лачинов A.H. Особенности переноса заряда в многослойных пленочных структурах Si/полимер/металл/полимер/металл. // В сб. Материалы Международной научной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры». 2004. -С. 16-17.
164. Бунаков А.А., Лачинов А.Н., Салихов Р. Б. Исследование вольт-амперных характеристик тонких пленок полидифениленфталида // ЖТФ,-2003. Т.73. - В.5. - С. 104-108.
165. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. // М.:"Мир". 1973. - С.416.
166. Bunakov А.А., Lachinov A.N. and Salikhov R.B. Current-voltage characteristics of poly(diphenylenephthalide) thin films // Tech. Phys. Journal. -2003. V.48. -1.5. - P.626-630.
167. Tameev A.R., Lachinov A.N., Salikhov R.B. et al. Mobility of Charge Carriers in Thin Poly(diphenylene phthalide) Films. // Russian Journal of Physical Chemistry. 2005. - Y.79. -1.12. - P.2025-2038.
168. Krigbaum W.R., Roig A. Dipol moment of atactic and isotactic polystyrene. // Journal of Chemical Physics. 1959. - V.31(2). - P. 544-545.
169. Molina M.S., Barrales-Rienda J.M. and Riande E. Dipole Moments of Poly (N-vinylcarbazole). // Macromolecules. 1984. - V.17. - P.2728-2731.
170. Салихов Р.Б., ЛачиновА.Н.,Корнилов В.М.,Рахмеев Р.Г. Свойства транспортного слоя, сформированного на границе раздела двух полимерных пленок. // ЖТФ. 2009. - Т.79. - В.4. - С.131-135.
171. Гадиев P.M., Корнилов В.М., Салихов Р.Б., Юсупов А.Р., Рахмеев Р.Г., Лачинов А.Н. Аномально высокая проводимость вдоль интерфейса двух полимерных диэлектриков. // Письма в ЖЭТФ. 2009. - Т.90. - B.l 1. - С.821-825.
172. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г., Гадиев P.M., Юсупов А.Р., Салазкин С.Н. Химические сенсоры на основе нанополимерных пленок. // Измерительная техника. 2009. - №.4. - С.62-64.
173. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г., О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний-полимер-металл Физика и техника полупроводников. 2007. - Т.41. - В. 10. - С. 1182-1186.
174. Tameev A.R., Lachinov A.N., Salikhov R.B. et al. Mobility of Charge Carriers in Thin Poly(diphenylene phthalide) Films. // Russian Journal of Physical Chemistry. 2005. - V.79. -1.12. - P.2025-2038.
175. Krigbaum W.R., Roig A. Dipol moment of atactic and isotactic polystyrene. // Journal of Chemical Physics. 1959. - V.31(2). - P. 544-545.
176. Molina M.S., Barrales-Rienda J.M. and Riande E. Dipole Moments of Poly (N-vinylcarbazole). // Macromolecules. 1984. - V.17. - P.2728-2731.
177. Салихов Р.Б., ЛачиновА.Н.,Корнилов В.М.,Рахмеев Р.Г. Свойства транспортного слоя, сформированного на границе раздела двух полимерных пленок. // ЖТФ. 2009. - Т.79. - В.4. - С. 131-135.
178. Гадиев P.M., Корнилов В.М., Салихов Р.Б., Юсупов А.Р., Рахмеев Р.Г,, Лачинов А.Н. Аномально высокая проводимость вдоль интерфейса двух полимерных диэлектриков. // Письма в ЖЭТФ. 2009. - Т.90. - В.11. - С.821-825.
179. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г., Гадиев P.M., Юсупов А.Р., Салазкин С.Н. Химические сенсоры на основе нанополимерных пленок. // Измерительная техника. 2009. - №.4. - С.62-64.
180. Салихов Р.Б., Лачинов А.Н., Рахмеев Р.Г., О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний-полимер-метапл Физика и техника полупроводников. 2007. - Т.41. -B.10.-C.il82-1186.
