Периодические оптические неоднородности в полупроводниковых волноводных гетероструктурах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОЕ ФОТОТРАВЛЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

§ I.I. Установка для получения голографических дифракционных решёток .IS

1.1.1. Оптическая схема установки

1.1.2. Источник излучения

1.1.3. Расширитель и пространственный фильтр

1.1.4. Полупрозрачные и поворотные зеркала

§ 1.2. Исследование особенностей интерференционного фототравления

I.2.I; Механизм интерференционного фототравления.

1.2.2. Учёт ориентации плаотин

1.2.3. Выбор травителя

1.2.4. Влияние электрофизических параметров материала

§ 1.3. Определение параметров фазовых дифракционных решёток, полученных на поверхности полупроводников

1.3.1. Определение периода дифракционных решёток.

1.3.2. Определение профиля и глубины дифракционных решёток

ГЛАВА П. КОНЦЕНТРИРУЮЩИЕ Г0Л01РАФИЧЕСКИЕ ДИФРАКЦИОННЫЕ

РЕШЁТКИ

§ 2.1. Ориентация рабочей поверхности кристалла для получения решёток с углом блеска

§ 2.2. Концентрирующие дифракционные решётки, полученные методом интерференционного фототравления.

§ 2.3. Концентрирующие дифракционные решётки, полученные с использованием фоторезистивной маски.

2.3.1. Создание маски и требования к интерференционной засветке

2.3.2. Особенности селективного травления полупроводников

§ 2.4. Экспериментальное исследование дифракционных овойств решётки с углом блеска

ГЛАВА Ш. ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ О ЮТ (ИЛО) ПОЛУПРОВОДНИКОВ

§ 3.1. Дифракционные решётки, полученные кристаллизацией напылённых аморфных слоёв

3.1.1. Лазерные установки для ИЛО

3.1.2. Экспериментальные образцы

3.1.3. Методика эксперимента и экспериментальные результаты

§ 3.2. Дифракционные решётки, полученные плавлением поверхностных неоднородноетей

§ 3.3. Объёмные дифракционные решётки, полученные при использовании ИЛО

ГЛАВА 1У. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ВОЛИОВОДНЫЕ ГЕТЕРО СТРУКТУРЫ С ПЕРИОДИЧЕСКИМИ ОПТИЧЕСКИМИ НЕОДНОРОДНО О ТМИ.

§ 4.1. Исследование гетероэпитаксиальных волноводов с плавным изменением состава по толщине слоя

4.1.1. Методика экспериментов по исследованию параметров пленочных волноводов с помощью ввода и вывода света через дифракционную решётку

4.1.2. Гетероэпитаксиальные волноводы для передачи изображения

- 4 - Стр.

4.1.3. Метод определения распределения показателя преломления плавных волноводов с помощью кусочно-линейной аппроксимации

4.1.4. Модовые характеристики и распределение показателя преломления плавных гетероэпитакси-альных волноводов в системе ДЕб&Ай . П

4.1.5. Дисперсионные характеристики показателя преломления твёрдых растворов Л 6 6а Р

§ 4.2. Полупроводниковые гетеролазеры с распределенной обратной связью (РОС) в системе ]пЬ(Х-Д$Р

4.2.1. Перестраиваемые полупроводниковые лазеры с

РОС и накачкой инжекционным лазером.

4.2.2. Гетеролазеры с РОС, полученной интерференционным лазерным отжигом

4.2.3. Полупроводниковые гетеролазеры с динамичес

- кой РОС.

Работа состоит из цикла исследований, проведенных в период 1976-1983 гг. и посвященных проблеме создания и исследования полупроводниковых волноводннх гетероструктур с периодическими оптическими неоднородностями.

Актуальность теш. В настоящее время полупроводниковые гетероструктуры находят широкое применение в оптоэлектронике. Весьма перспективным является использование гетероструктур для создания элементов оптической связи и интегральной оптики.Особое место в интегральной оптике занимают гетер ос труктуры с периодическими оптическими неоднородностями - дифракционными решётками. С помощью дифракционных решёток в полупроводниковых лазерах был получен одночастотный режим генерации с узкой диаграммой направленности. С другой стороны с помощью дифракционных решёток, сформированных на поверхности гетероструктуры, оказалось возможным исследовать и определять такие характеристики этих гетероструктур, как профиль показателя преломления, толщина волноводного слоя. Таким образом, периодическая оптическая неоднородность выступает как в роли элемента приборных конструкций, так и в роли инструмента физических исследований волноводных гетероструктур. Именно этим определяется актуальность настоящей диссертационной работы.

Целью работы является разработка методов создания периодических оптических неоднородностей в полупроводниках и исследование особенностей распространения и генерации света в полупроводниковых волноводных гетероструктурах с такими неоднородностями.

Научная новизна работы заключается в следующем:

I. В условиях интерференционной засветки непрерывным лазерным изучением изучены особенности фототравления полупроводниковых материалов Gah , 6а Р , Мх 6ochx Д$ и X 6а4.х Р , находящихся в контакте с электролитом. Установлена связь между электрофизическими параметрами этих полупроводников и характеристиками дифракционных решёток.

2. Предложен метод создания концентрирующих голографиче-ских дифракционных решёток на поверхности полупроводников.Изучены особенности создания таких решёток на арсениде галлия.

3. Предложены методы создания периодических оптических неоднородностей под действием мощного импульсного лазерного излучения. Изучены особенности создания дифракционных решёток на поверхности полупроводниковых материалов путем интерференционного лазерного отжига как монокристаллических, так и напылённых аморфных слоёв. Показана возможность создания периодических оптических неоднородностей в глубине полупроводниковой монокристаллической гетероструктуры.

4. Изучены особенности дифракционного ввода излучения в волноводные гетероструктуры МбаЛа и МблР с плавным изменением состава по толщине. Установлены зависимости распределения показателя преломления по толщине от условий получения гетероструктур.

5. Показана возможность создания новых типов полупроводниковых лазеров с распределённой обратной связью (РОС), содержащих периодические оптические неоднородности.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

I. Разработана технология создания дифракционных решёток с помощью интерференционного фототравления на поверхности полупроводниковых материалов 6а/Is 9бссР , //f{ ба^х и Л£х Р , а также методика неразрушающего контроля параметров этих решёток.

2. Разработана технология создания голографических дифракционных решёток с заранее заданным углом блеска на арсени-де галлия и созданы решётки с абсолютной дифракционной эффективностью более 90% в одном порядке.

3. Экспериментально реализован полупроводниковый гетеро-лазер с РОС в системе IhGcl/IsP с плавной перестройкой частоты генерации внутри полосы усиления путём сканирования области накачки вдоль штрихов решётки с изменяющимся периодом.

4. Предложены и созданы полупроводниковые лазеры с динамической РОС, в которых оптическая схема интерференционной засветки монолитно интегрирована с полупроводниковой волноводной гетероструктурой.

5. Предложены и созданы полупроводниковые лазеры с РОС, полученной с помощью интерференционного лазерного отжига волноводного слоя как со стороны его поверхности, так и через широкозонную подложку 1пР

Совокупность представленных в диссертации исследований позволяет сформулировать следующие научные положения. выносимые на защиту:

1. Эффективность дифракционных решёток, полученных методом интерференционного фототравления, определяется окислительной способностью травителя, степенью легирования полупроводникового материала, величиной коэффициента поглощения излучения, используемого для интерференционной засветки.

2. Для получения дифракционной решётки с заданным углом блеска Ж с помощью селективного травления поверхности полупроводника через фоторезистивную маску необходимо предварительно ориентировать рабочую поверхность монокристалла таким образом, чтобы она образовывала угол оС с плоскостью, имеющей наименьшую скорость травления. Качество получаемых дифракционных решёток определяется степенью заполнения поверхности полупроводника фоторезистом. Для достижения правильной пилообразной формы дифракционных решёток необходимо прекращать процесс травления точно в момент соединения боковых стенок соседних канавок.

3. В условиях интерференционного лазерного отжига со стороны аморфного слоя полупроводникового материала, напыленного на монокристаллическую подложку, в максимумах интерференционной картины происходит эпитаксиальная кристаллизация аморфного материала в случае, когда толщина проплавленного слоя достигает толщины аморфного слоя.

4. Профиль дифракционных решёток, полученных в результате интерференционного лазерного отжига и последующего травления, определяется кристаллографическими характеристиками подложек, а также параметрами лазерных импульсов и условиями облучения.

На защиту выносится также: а) методика численного расчёта формы и глубины фазовых дифракционных решёток по отношениям интенсивностей волн, рассеянных в различные порядки дифракции; б) методика создания гетеролазеров с динамической и стати-\ ческой РОС в первом порядке на основе схемы интерференционной засветки, монолитно-интегрированной с полупроводниковой волно-водной гетероструктурой.

Апробация работы. Основные результаты докладывались на УШ Всесоюзной конференции по когерентной и нелинейной оптике (Тбилиси, IS76r.)» H£i XI Всесоюзной конференции по когерентной и нелинейной оптике (Ереван, 1982 г.), на Хй координационном совещании секции "Полупроводниковые гетероструктуры" (Саратов, 1983 г.).

Публикации. Результаты диссертационной работы опубликованы в семнадцати печатных работах и одном авторском свидетельстве.

Диссертация оформлена в четырёх главах.

В первой главе описывается метод интерференционного фототравления, основанный на электрохимическом взаимодействии полупроводника и электролита. Первый параграф посвящён подробному описанию конструкции экспериментальной установки, рассмотрены требования, предъявляемые к оптической схеме и к отдельным её элементам. Во втором параграфе анализируется механизм образования рельефа на поверхности полупроводника и вытекающие отсюда требования к травителю и к излучению лазера, создающего интерференционную засветку. Кроме этого описано влияние электрофизических параметров материала и ориентации кристаллографических плоскостей относительно полос интерференционной картины на качество получаемых дифракционных решёток. В третьем параграфе приводятся методы определения параметров фазовых дифракционных решёток, полученных на поверхности полупроводника.

Вторая глава посвящена разработке нового метода получения на полупроводниковых монокристаллах арсенида галлия концентрирующих дифракционных решёток с асимметричным профилем пилообразной формы. В первом параграфе этой главы обосновывается выбор ориентации рабочей поверхности кристалла для получения решёток с углом блеска. Во втором параграфе описана методика получения концентрирующих решёток с помощью интерференционного фототравления. Показано, что маскирующее действие неоднородного распределения интенсивности света оказывается недостаточным для получения решёток с резким пилообразным профилем. Третий параграф посвящён получению концентрирующих дифракционных решёток с использованием фоторезистивной маски. Здесь рассмотрены требования к интерференционной засветке для получения высококачественной фоторезистивной маски на поверхности полупроводника. Изучены особенности селективного травления монокристаллов арсенида галлия через фоторезистивную теку. В четвёртом параграфе описаны эксперименты по исследованию дифракционных свойств решёток с углом блеска.

Третья глава посвящена развитию нового метода создания периодических оптических неоднородностей с помощью интерференционного лазерного от&ига (ИЛО) мощными импульсными лазерами. В первом параграфе этой главы изложены эксперименты по получению дифракционных решёток путем кристаллизации напылённых аморфных слоев. Приводится описание лазерных установок и экспериментальных образцов. Во втором параграфе показано, что интерференционное лазерное воздействие на шероховатую поверхность кристалла позволяет получить дифракционные решётки плавлением участков поверхности в максимумах интерференционной картины и затеканием неоднородноотей до полного выравнивания поверхности. Третий параграф посвящен получению объёмных дифракционных решёток,связанных не с гофрировкой поверхности, а с изменением физических свойств материала в максимумах интерференционной картины. Показано, что периодическое изменение свойств может быть создано не только на поверхности, но и в глубине полупроводниковой структуры.

В четвёртой главе представлены результаты исследования полупроводниковых волноводных гетероструктур с периодическими оптическими неоднородностями, созданными различными методами, описанными в предыдущих главах. В § I приведена методика и результаты экспериментального исследования гетероструктур с плавным изменением состава по толщине в системах и

JIE&olP с помощью дифракционного ввода излучения. Во втором параграфе этой главы описаны эксперименты по созданию перестраиваемых лазеров РОС в системе t в которых перестройка длины волны излучения происходила внутри полосы усиления активного слоя путём сканирования области накачки вдоль штрихов решётки с переменным периодом. Оптическая накачка такого лазера осуществлялась при комнатной температуре как при помощи полупроводникового гетеролазера в системе /iCGc^fe с узкой диаграммой направленности, так и с использованием импульсного излучения ыеодимового лазера. В этом же параграфе будет продемонстрирована возможность получения гетеролазеров с РОС, основанной на периодическом изменении люминесцентных свойств гетероструктур, подвергнутых интерференционному лазерному отжигу. Применение оптической схемы интерференционной засветки монолитно-интегрированной с гетероструктурой, позволило получить эффективную РОС в первом порядке. Полученные результаты свидетельствуют о перспективности использования мощного лазерного излучения короткой длительности в технологии изготовления интегрально-оптических приборов и схем, в частности, инжек-ционного гетеролазера с РОС. Кроме этого, во втором параграфе описаны лазеры с динамической РОС, создаваемой возбуждением активного слоя через профилированную поверхность подложки.

Прежде чем перейти к основному содержанию диссертационной работы необходимо отметить, что для создания периодических структур в полупроводниках обычно применялись традиционные методы фотолитографии, рентгенолитографии, электронолитографии. В настоящей работе развивался голографический метод получения периодических оптических неоднородностей, впервые предложенный в работе [i]. Этот метод, как будет показано ниже, позволяет изготавливать совершенные по периоду дифракционные решётки с высокой эффективностью и пространственной частотой.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Диссертационная работа посвящена разработке различных методов получения периодических неоднородностей в полупроводниковых гетероструктурах и исследованию особенностей распространения и генерации пвета в тонких гетероструктурах с периодическими оптическими неоднородное тяш.

Основными результатами диссертационной работы является следующее:

1. Изучены особенности фототравления полупроводниковых материалов Go Asia GaP в условиях интерференционной засветки. Установлена связь между электрофизическими параметрами полупроводниковых материалов и характеристиками дифракционных решёток.

2. Развита методика расчёта параметров глубоких дифракционных решёток по угловым зависимостям дифракционной эффективности, позволяющая неразрушающим образом определять глубину дифракционных решёток, изготовленных методом интерференционного фототравления.

3. Предложен и разработан метод получения концентрирующих голографических дифракционных решёток на поверхности полупроводников. Изучены особенности создания таких решёток на арсениде галлия. Абсолютная дифракционная эффективность металлизирован-у ных концентрирующих решёток, изготовленных методом селективного травления через фоторезистивную маску, достигает рекордного значения - 94 %.

4. Предложены и разработаны методы создания периодических оптических неоднородностей под действием мощного импульсного лазерного излучения в условиях интерференционной засветки. Изучены особенности создания дифракционных решёток на поверхности полупроводниковых материалов путем плавления напыленной аморфной плёнки и последующей кристаллизации в максимумах интерференционной картины, а также путём плавления кристаллической поверхности полупроводника, выравнивания поверхности за счёт сил поверхностного натяжения жидкой фазы и последующей кристаллизации расплавленного полупроводника в результате мощного лазерного воздействия. Показана возможность создания объемных периодических оптических неоднородностей в глубине полупроводниковой монокристаллической гетероструктуры путём воздействия на поглощающий излучение слой через прозрачные к используемому излучению вышележащие слои.

5. Разработана основанная на дифракционном вводе и выводе методика определения параметров гетероэпитаксиальных волноводов M(joh и MGaP с плавным изменением состава по толщине. Установлены зависимости распределения показателя преломления по толщине от условий получения гетероструктур.

6. Создан полупроводниковый гетеролазер с РОС в системе InOaflsP/InP с плавной перестройкой частоты генерации внутри полосы усиления путем сканирования области накачки вдоль штрихов решётки с изменяющимся периодом. Оптическая накачка осуществлялась при комнатной температуре как излучением инжекционно-го гетеролазера в системе Ж Оа h , так и шдпулъсншл излучением Nd: УА G лазера.

7. Предложены и созданы полупроводниковые лазеры в системе InClCtflsP/lnP о РОС, полученной с помощью интерференционного лазерного отжига волноводного слоя как со стороны его поверхности, так и через широкозонную подложку In Р .

8. На основе предложенной схемы интерференционной засветки монолитно-интегрированной с полупроводниковой волноводной гете-роструктурой, впервые создан гетеролазер с динамической РОС в первом порядке.

В заключение автор выражает благодарность научному руководителю этой работы - Е.Л.Портному за руководство и постоянное внимание, которое на всём протяжении исследований помогало преодолевать трудности экспериментальной работы. Автор также благодарен своим коллегам: М.Н.Мизерову, С.Ю.Карпову, В.И.Кучинскому, В.Л.Мишурному, Ю.В.Ковальчуку, без помощи которых не были бы получены перечисленные выше результаты; Б.С.Рывкину, С.А.Никишину, В.И.Скопиной; С.Г.Конникову за большую помощь на отдельных этапах работы. Автор благодарен также всем сотрудникам лаборатории, чья помощь способствовала завершению данной работы.

Автор считает своим приятным долгом поблагодарить заведующего лабораторией контактных явлений в полупроводниках ФТИ им. А.Ф.Иоффе академика Ж.И.Алфёрова за участие в настоящей работе и внимание к ней.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. Алферов Ж.И., Диас П., Портной Е.Л., Рывкин Б.С., Смирниц-кий В.Б. Гетероэпитаксиальные волноводы М Cafo для передачи изображения. Письма в ЖТФ, 1976, т.2, с.1070-1074.

2. Диас П., Клепикова Н.В., Мизеров М.Н., Портной Е.Л., Рывкин Б.С., Смирницкий В.Б. Волноводные характеристики гетерострук-тур М GО As с плавным изменением состава. Письма в ЖТФ, 1976, т.2, с.347-351.

3. Диас П., Мишурный В.А./Портной Е.Л., Рывкин Б.С., Смирниц-кий В.Б. Дисперсионные характеристики показателя преломления твёрдых растворов Mr fa-, Р . Письма в ЖТФ, 1977, т.З, с.712-715.

4. Карпов С.Ю., Мизеров М.Н., Портной Е.Л., Смирницкий В.Б. Дифракция света на синусоидально гофрированной границе раздела. ЖТФ, 1978, т.48, с.362-365.

5. Волков В.Н., Лысогоров О.С., Мизеров М.Н., Портной Е.Л. , Смирницкий В.Б. Способ изготовления дифракционной решётки на поверхности монокристалла. Авт.свид. 705986 (СССР), опубл. в Б.И., 1982, гё 12.

6. Алферов Ж.И., Диас П., Клепикова Н.В., Портной Е.Л., Рывкин Б.С., Смирницкий В.Б. Волноводные характеристики гетерострук-тур с плавным изменением состава. - Тезисы УШ Всесоюзной конференции по когерентной и нелинейном оптике. Тбилиси, 1976, c.S32.

7. Алферов Ж.И., Лосева Л.И., Мизеров М.Н., Портной Е.Л., Смирницкий В.Б. Особенности фотохимического метода изготовления фазовых дифракционных решёток на поверхности гетероэпитакси-альных волноводов. - Тезисы УШ Всесоюзной конференции по когерентной и нелинейной оптике. Тбилиси, 1976, с.338.

8. Каландаришвили К.Г., Мизеров М.Н., Никишин С.А., Портной Е.Л. Смирнщкий В.Б., Фронц К. Распределение показателя преломления в плавных гетероэпитаксиальных волноводах ( fil (jq) Jls . Письма в ЖТФ, IS8I, т.7, с.1496-150I.

9. Портной Е.Л., Ковальчук Ю.В., Островская Г.В., Пискарскас

А.С., Скопина В.И., Смильгявичус В.И., Смирницкий В.Б. Лазерный отжиг слоев фосфида галлия, полученных ионно-плазменным распылением. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, с.462-465.

Ю.Алферов К.И., Каландаришвили К.Г., Ковальчук Ю.В., Портной Е.Л., Смирницкий В.Б. Гетеролазер с распределенной обратной связью, полученной интерференционным лазерным отжигом. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, с.769-772.

II.Абакумов В.И., Зеленова О.В., Ковальчук Ю.В., Портной Е.Л., Смирницкий В.Б., Соколов И.А. Прямое наблюдение плавления полупроводника при импульсном лазерном отжиге. Письма в

ЖТФ, 1982, т.8, с.1365-1368.

12.Алферов Ж.И., Абакумов В.Н., Ковальчук Ю.В., Островская Г.В., Портной Ё.Л., Смирняцкий В.Б., Соколов И.А. Интерференционный лазерный отжиг полупроводников. ФТП, 1983, т.17, с. 235-241.

13.Алферов Ж.И., Каландаришвили К.Г., Ковальчук Ю.В., Портной Е.Л., Смирняцкий В.Б., Соколов И.А. Гетеролазер с распределенной обратной связью, полученной интерференционным лазерным отжигом. Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по когерентной и нелинейной оптике. Ереван, 1982, т.1, с.64-65.

14.Фронц К., Кучинский В.И., Лазутка А.С., Майорова Н.И., Мишурный В.А., Портной Е.Л., Смирницкий В.Б. Перестраиваемые полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью и накачкой инжекциониым лазером. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, с. 1043-1046.

15.Афанасьев Ю.Н., Карпов С.Ю., Мизеров М.Н., Портной Е.Л., Смирницкий В.Б. Концентрирующие голографические дифракционные решётки. Препринт ФТИ, 1983, № 849.

16.Карпов С.Ю., Кучинский В.И., Лазутка А.С., Портной Е.Л., Смирницкий В.Б. Полупроводниковая волноводная гетероструктура монолитно-интегрированная с оптической схемой интерференционной засветки. Письма в ЖТФ, IS83, т.9, с.1047-1050.

17.Ковальчук Ю.В., Портной Е.Л., Скопина В.И., Смирницкий В.Б., Смольский О J3., Соколов И.А. Эпитаксиальная кристаллизация напылённых слоёв кремния на подложках ОоР в условиях инте£ ференционного лазерного отжига. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, с. 850 -8 53.

18. Карпов С.Ю., Ковальчук Ю.В., Кучинский В.И., Лазутка Л.С., Майорова Н.И., Мишурный В.А., Портной Е.Л., Смирницкий В.Б. Полупроводниковый лазер ( } = 1,55 мкм) с распределённой обратной связью в первом порядке, полученной импульсным лазерным отжигом. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, с.1294-1297.

1. D.Rudolph and G.Schmahl. Verfahren zur Herstellung von Pontgenlinsen und Beugungsgittern.Umschau Y/iss.Tech,1967>67,225.

2. Л.В. Беляков, Д.Н.Горячёв, Ю.И.Островский, Л.Г.Париц-кий. Фотоэлектрохимическая запись голограмм на полупроводниковых плёнках. ЖНИПфиК, IS74, т.IS, Л I, с.54-56.

3. Л.В.Беляков, Д.Н.Горячёв, М.Н.Мизеров, Е.Л.Портной. Некоторые характеристики дифракционных решёток, полученных фототравлением поверхности полупроводниковых приборов. ЖТФ, 1974, т.44, Л 6, с.1331-1333.

4. Р.Кольер, К.Беркхарт, Л.Лин. Оптическая голография. М., "Мир", 1973, с. 188-191.

5. В.А.Тягай, В.А.Стерлигов, Г.Я.Колбасов, О.В.Снитко. Электрохимическая запись голограмм на поверхности кристаллов USe. ФТП, 1973, т.7, Л 3, с.632-634.

6. Ж.И.Алфёров, С.А.Гуревич, Р.Ф.Казаринов, В.Р.Ларионов, М.Н.Мизеров, Е.Л.Портной. Инжекционный гетеролазер с выводом излучения через дифракционную решётку. ФТП, 1974, т.8, № 10, с.2031-2033.

7. Л.В.Беляков, Д.Н.Горячёв, Л.Г.Парицкий, С.М.Рывкин, О.М.Сресели. О разрешающей способности процесса фотохимичес- 158 кого травления полупроводников. ФТП, 1976, т.10,А? 6,0.1142-1147.

8. Ю• Y.Tarui, Y.Komiya, Y.Harada. Preferential etching and. etched, profile of GaAs. J.Electrochem.Soc., 1971, vol.118, No.1, p.118-122.

9. Zh.I.Alferov and E.L.Portnoy. Invited: AlGaAs Hetero-structures in Integrated Optics, Japanese J.Appl.Phys., 1977» vol.16, Suppl.16-1 , p.289-296.

10. Ж.И.Алфёров, П.Диас, В.А.Елюхин, E.Л.Портной, Б.С.Рыбкин, В.Б.Смирницкий. Гетероэпитаксиальные волноводы AlGaAsдля передачи изображения. Письма в ЖТФ, 1976, т.2, Л 8, с.347--351.

11. П.Диас, Н.В.Клепикова, М.Н.Мизеров, Е.Л.Портной, Б.С.Рыбкин, В.Б.Смирницкий. Волноводные характеристики гетеро-структур AlGaAs с плавным изменением состава. Письма в ЖТФ, 1976, т.2, Л 8, с.347-351.

12. К.Г.Каландаришвили, М.Н.Мизеров, С.А.Никишин, Е.Л.Портной, В.Б.Смирницкий, К.Фронц. Распределение показателя преломления в плавных гетероэпитаксиальных волноводах системы

13. AlGa) As . Письма в ЖТФ, 1981, т.7, Л 24, с.1496-1501.

14. Ж.И.Алфёров, С.А.Гуревич, Н.В.Клепикова, М.Н.Мизеров, Е.Л.Портной. Полупроводниковый лазер с распределённой обратной связью во втором порядке. Письма в ЖТФ, 1975, т.1, Л 14, с.645--650.

15. Zh.I.Alferov, E.N.Arutyunov, S.A.Gurevich, E.L.Portnoy, N.V.Pronina,V.B.Smirnitsky. Wavelength Multiplexing DH AlGaAs Injection Laser Source with a Graded Composition Along the Active1.yer. IEEE J.Quant.Electr., 1981,v.QE-17,No.8, p.1530-1533.

16. R.I.Chicotka. Method of polishing gallium phosphide.

17. US Pat. 3.679.501 , 1972, vol.900, No.4, p.1474.

18. R.W.Dixon, W.H.Hackett, T.E.McGahan. Preferential etching in GaP.US Pat.379194S,Offic.Gazette,1974,v.919,No.2,p.652.

19. П.Диас, В.А.Мишурный, Е.Л.Портной, Б.С.Рывкин,В.Б.Смир-ницкий. Дисперсионные характеристики показателя преломления твёрдых растворов AlxGa1-xP . Письма в ЖТФ, 1977, т.З, $ 14, с.712-715.

20. Р.Ф.Казаринов, З.Н.Соколова, Р.А.Сурис. К теории плоски оптических резонаторов с распределенной обратной связью. Письма в ЖТФ, 1975, т.1, В 4, с.188-192.

21. W.P.Tomlinson, H.P.V/еЪег. Scattering efficiency of high-periodicity dielectric gratings: Experiment.J.Opt.Soc. Amer., 1973, vol.63, No.6, p.685-688.

22. Ж.И.Алфёров, С.А.Гуревич, Н.В.Клепикова, М.Н.Мизеров, Е.Л.Портной. Инфекционный гетеролазер с распределёнными брэггов-скими зеркалами при комнатной температуре. Письма в ЖТФ, 1976, т.2, JS 6, с.245-251.

23. L.P.Boivin. Multiple Imaging Using Various Types of Simple Phase Gratings. Appl.Opt. ,1 972,v.11 ,No.8, p.1782-1792.

24. С.Ю.Карпов, М.Н.Мизеров, Е.Л.Портной, В.Б.Смирницкий. Дифракция света на синусоидально гофрированной границе раздела. ЖТФ, 1978, т.48, В 2, с.362-365.

25. G.W.Stroke.Diffraction gratings. Handbuch der Physik, 1967, vol.29, p.426-754.

26. Б.М.Болотовский, К.И.Кугель. К теории пороговых явлений при дифракции электромагнитных волн. ЖЭТФ, 1969, т.57, № I, с.165-174.

27. R.M.Osgood,Jr., A.Sanchez-Rubio, D.J.Erlich, and V.Da-neu. Localized laser etching of compound semiconductors in aqueous solution.Appl.Phys.Lett.,1982,vol.40, No.5, p.391-393.

28. J.E.Bjorkholm and A.A.Ballman. Localized wet-chemical etching of InP induced by laser heating. Appl.Phys.Lett.,1983, vol.43, No.6, p.574-576.

29. G.R.Harrison. The Production of Diffraction Gratings. J.Opt.Soc.Amer., 1949, vol.39, Ho.6, p.413-426.

30. G.W.Stroke. Ruling, Testing and Use of Optical Gratings for High-Resolution Spectroscopy. Progress in Optics, ed.E.Wolf, 1963, vol.2, p.3-72.

31. В.Н.Волков, О.С.Лысогоров, M.H.Мизеров, Е.Л.Портной, В.Б.Смирнщкий. А.с. 705986 (СССР). Способ изготовления дифракционных решёток на поверхности кристалла. Опубл. в Б.И.,1982, Я 12.

32. Yohji Pujii, Koh-Ichi Aoyama, and Jun-Ichiro Ivlinowa. Optical Demultiplexer Using a Silicon Echelette Grating. IEEE Journ. of Quantum Electronics,1980,v.QE-16, No.2, p.165-169.

33. Ю.Н.Афанасьев, С.Ю.Карпов, M.H.Мизеров, Е.Л.Портной, В.Б.Смирницкий. Концентрирующие голографические дифракционные решётки. Препринт ФТИ им.А.Ф.Иоффе, АН СССР, 1983, П 849,29 с.

34. L.A.Koszi and D.L.Rode. ^332j Ga Habit planes formed on GaAs during Br^CH^OH etching. J.Electrochem.Soc., 1975, vol.122, No.12, p.1676-1680.

35. W.T.Tsang and S.Wang. Profile and groove-depth control in GaAs diffraction gratings fabricated Ъу preferential chemical etching in H2S0^-H202-H20 system. Appl.Phys.Lett., 1976, vol.28, No.1, p.44-46.

36. D.U.MacFadyen. On the Preferential Etching of GaAs Ъу H2S04-H202-H26. J.Electrochem.Soc.Amer.1983,v.130,9,P.1934-1951 .

37. Ж.И.Алфёров, В.М.Андреев, Д.З.Гарбузов, Н.Ю.Давидюк, Б.В.Егоров, Б.В.Пушный, Л.Т.Чичуа. Исследование высокоэффективных гетеросветодиодов в системе Ai-Ga-As . ЖТФ, 1978, т.48, й 4, с.809-817.

38. Б.М.Болотовский, А.Н.Лебедев. 0 пороговых явлениях- 161 в классической электродинамике. ЖЭТФ, 1967, т.53, Jg 10,с. 1349-1352.

39. И.Б.Хайбуллин, Е.И.Штырков, М.м.Зарипов, М.Ф.Галяут-динов, Р.М.Баязитов. Лазерный отжиг ионно-имплантированных слоев. ВИНИТИ, 1974, деп. й 2061-74, с.1-31.

40. G.Foti. Laser-induced, epitaxy in ion-implanted and deposited amorphous layers. Laser and Electron Beam Processing of Materials, ed.by C.W.White and P.S.Peersy,A.P.,1980,p.168-182.

41. Е.Л.Портной, Ю.В.Ковальчук, Г.В.Островская, А.С.Пис-карскас, В.Й.Скодина, В.Й.Смильчявичюс, В.Б.Смирницкий. Лазерный отжиг слоёв фосфида галлия, полученных ионно-плазменным распылением. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, № 8, с.462-465.

42. А.В.Двуреченский, Г.А.Качурин, Е.В.Надаев Д.С.Смирнов. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. 1982, М.,"Наука", с.54-146.

43. J*M.Liu, H.Kurz, and N.Bloembergen. Space-time resolved reflectivity measurements of picosecond laser-pulse induced phase transitions in (111) silicon surface layers. Appl. Phys. A27, 1982, p.153-160.

44. Ж.И.Алфёров, Ю.В.Ковальчук, О.В.Смольский, И.А.Соколов. Амортизация монокристаллического арсенида галлия под действием пикосекундных световых импульсов. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, Ш!5, с.897-900.

45. Ж.И.Алфёров, В.Н.Абакумов, Ю.В.Ковальчук, Г.В.Островская, Ё.Л.Портной, В.Б.Смирницкий, И.А.Соколов. Интерференционный лазерный отжиг полупроводников. ФТПД983, $ 17, й 2, стр. 235-241.

46. Е.И.Штырков, И.Б.Хайбуллин, М.Ф.Галяутдинов, М.М.Заридов. Йоннолегированный слой новый материал для записи голограмм. Опт. и спектр., 1975, т.38, Ш 5, с.1031-1034.

47. Х.П.Алум, Ю.В.Ковальчук, Г.В.Островская, Ё.Л.Портной,-162

48. В.И.Смильчявичюс, И.А.Соколов. Дифракционные решётки на поверхности полупроводника, полученные пикосекундным лазерным отжигом. Письма в ЖТФ, 1981, т.7, В 24, с.1479-1481.

49. Х.П.Алум, В.И.Влад, Р.Дабу, 10.В.Ковальчук, Г.В.Островская, Ю.И.Островский. Обращение волнового фронта пикосекундных импульсов при четырехволновом взаимодействии в ниобате лития. Письма в ЖТФ, 198I, т.7, I 22, с.1365-1368.

50. Технология тонких плёнок. Справочник. Под ред.Л.Май-ссела и Р.Глэнга. Сов.радио, Гл., 1977, т.1, с.452-454.

51. Ю.В.Ковальчук, Е.Л.Портной, В.И.Скопина, В.Б.Смирницкий, О.В.Смольский, И.А.Соколов. Эпитаксиальная кристаллизация напылённых слоёв кремния на подложках QoP в условиях интерференционного лазерного отжига. Письма в ЖТФ,1983,т.9,Л14, с.850-853.

52. R.Tsu, R.T.Hodyson, T.Y.Tan, J.E.Baglin. Order-Disorder Transition in Single-Crystal Silicon Induced by Pulsed uv.Laser Irradiation. Phys.Rev.Lett. 1979, vol.42, No.20, p.13561358.

53. B.H.Абакумов, О.В.Зеленова, Ю.В.Ковальчук, Е.Л.Портной, В.Б.Смирницкий, И.А.Соколов. Прямое наблюдение плавления полупроводника при импульсном лазерном отжиге. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, В 22, с.1365-1368.

54. В.Н.Абакумов, Ж.И.Алфёров, 10.В.Ковальчук, Е.Л.Портной, К вопросу о механизмах лазерного отжига полупроводников. ФТП, 1983, т.17, Л 12, с.2224-2228.

55. H.H.Gilden, R.P.Salathe, Y.Ritz-Proidevaux. Laser-induced luminescence band in Ge-doped (AlGa)As multilayer structures. Appl.Phys.Lett., 1981, vol.38, Ho.1 , p.241-243.

56. J.A.Rostworovsky, P.R.Parsons, D.G.Hutcheon. Improving the radiative yield of GaAs by laser annealing. Appl.Phys.Lett., 1979, vol.35, Ho.12, p.934-937.- 163

57. К.Г.Каландаришвили, Ю.В.Ковальчук, E.JI.Портной.Фотолюминесценция эпитаксиальных слоёв CjOiJIs, подвергнутых лазерному воздействию. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, JS 7, с.436-439.

58. Ж.И.Алфёров, К.Г.Каландаришвили, Ю.В.Ковальчук, Е.Л.Портной, В.Б.Смирницкий. Гетеролазер с распределённой обратной связью, полученной интерференционным лазерным отжигом. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, й 13, с.769-772.

59. С.Ю.Карпов, В.И.Кучинский, А.С.Лазутка, Е.Л.Портной, В.Б.Смирницкий. Полупроводниковая волноводная гетероструктура монолитно-интегрированная с оптической схемой интерференционной засветки. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, Л 17, с.1047-1050.

60. К.Фронц,В.Й.Кучинский,А.С.Лазутка,Н.И.Майорова,В.А.Мишурный, Е.Л.Портной, В.Б.Смирницкий. Перестраиваемые полупроводниковые лазеры с распределённой обратной связью и накачкой ин-^секционным лазером. Письма в ЖТФ, 1983,т.9,Л17, с.1043-1046.

61. Д.Ахмедов, Н.П.Бежан, В.И.Кучинский, В.А.Мишурный,

62. Е.Л.Портной, Е.В.Руссу, В.Б.Смирницкий. Полупроводниковый гетеролазер InCa'AsP/InP с гофрированным волноводным слоем. Письма в ЖТФ, 1980, т.6, В 12, с.708-712.

63. К.Г.Каландаришвили, С.Ю.Карпов, В.И.Кучинский,М.Н.Мизеров, Е.Л.Портной, В.Б.Смирницкий. Поляризационные эффекты в гетеролазерах с распределённой обратной связно. ЖТФ, 1983,т.53, П 8, с.1560-1567.

64. С.Н.Александров,В.И.Васильев,Д.И.Димов,В.И.Кучинский, А.С.Лазутка,В.А.Мишурный, В.Б.Смирницкий. Генерация когерентного излучения и особенности волноводного ограничения в гетеро- 164 структурах. Письма в ЖТФ, 1984, т.10, П 17, с.1081-1085.

65. H.Kogelnik and С.V.Shank. Coupled-Wave Theory of Dis-tributed-Feedback Lasers. Jour,Appl.Phys., 1972, vol.43, No.5, p.2327-2325.

66. S.Wang. Principles of Distributed Feedback and Distributed Bragg-Reflector Lasers. IEEE J. Quant.Electron., 1974,vol.QE-10, Ho.4, p.413-427.

67. Ж.И.Алфёров, С.А.Гуревич, Н.В.Клепикова, М.Н.Мизеров,

68. Е.Л.Портной, М.Э.Райх, Б.С.Рывкин. Определение параметров плёночных волноводов с помощью ввода и вывода света через дифракционную решётку. ЖТФ, 1976, т.46, В 3, с.558-562.

69. H.Kogelnik, С.'V.Shank and J.E.Bjorkholm. Hybrid Scattering in Periodic Waveguides. Appl.Phys.Lett., 1973, v.22,1. N0.4, p.135-137.

70. Г.Когельник. Теория диэлектрических волноводов. В книге "Интегральная оптика" под ред.Т.Тамира, М.,"Мир11,1978,с.27-96.

71. П.Диас, ЕЛ.Портной, М.Э.Райх, Б.С.Рывкин. Светодиоды с плавным изменением состава широкозонного эмиттера. ОТП, 1978, т.12, В 2, с.364-371.

72. И.И.Алфёров,П.Диас,В.А.Елюхин,Е.Л.Портной,Б.С.Рывкин. Светодиоды с улучшенной эффективностью при торцевом выводе излучения. Письма в ЖТФ, 1978, т.4, В I, с.3-6.

73. R.Ulrich. Light propagat ion and imaging in planar optical waveguides.Nouv.Rev.Optique,1975, vol.6, No.5, p.253-262.

74. А.Л.Микаэлян. Применение слоистой среды для фокусирования волн. ДАН СССР, 1951, т.81, Л 4, с.569-571.

75. Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшщ. Теоретическая физика. ГИФМЛ, 1963, т.З, с.97-98.

76. J.M.White, P.P.Heidrich. Optical waveguide refractive index profiles determined from measurement of mode indices: a simple analysis. Appl.Optics,1976, vol.15, No.1, p.151-155.

77. В.М.Андреев, Л.М.Долгинов, Д.Н.Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. Изд."Советское радио", М., 1975, 328 с.

78. П.Диас, Е.Л.Елюхин, М.Э.Райх, Б.С.Рывкин. Дальнее поле излучения плавных гетероэпитаксиальных волноводов. Письма в ЖТФ, 1976, т.2, Л 23, с.1075-1079.

79. С.Ю.Карпов, С.А.Никишин, Е.Л.Портной, К.Фронц. Токовое управление составом по толщине плавных гетероструктур A1xGal-xAs • Пйсьма в ЖТФ, 1981, т.7, JS 12, с.715-719.

80. H.C.Casey, D.D.Sell, M.B.Panish. Refractive Index of A1 Ga1 As between 1.2-1.8 eV. Appl.Phys.Lett., 1974, vol.24, No.1, p.63-65.

81. А.П.Богатов, Ю.В.Гуров, П.Г.Елисеев, 0.Г.Охотников,

82. Г.Т.Пак, А.И.Петров, К.А.Хайретдинов. Непрерывный одночастотный инжекционный гетеролазер с перестройкой частоты с помощью внешнего дисперсионного резонатора. Квантовая электроника, 1979, т.6, Л 6, с.1264-1270.

83. A.Matsuda, S.Lizina. Tunable DFB-laser with fanshaped grating. Appl.Phys.Lett.,1977, vol.31, Ho.2, p.104-106.

84. T.Saiton, O.Mikami, H.Nakagone. New chemical etching solution for InP and InGaAsP grating. Electronics Letters, 1982, vol.18, No.10, p.408-409.

85. B.J.Feldman, D.H.Lownden. Photoluminescence of pulsed laser irradiated n- and p-GaAs. Appl.Phys.Lett., 1982, vol.40, No.1 , p.59-61 .

86. I.Ketskemety, Zs.Bor, B.Racz, L.Kozma, A.N.Rubinov. Improved Line Narrowing and Wavelength Stabilization Technique of Distributed Feedback DYE Lasers. Opt.Commun., 1977, vol.22, No.3 , p.275-277.

87. Zs.Bor, A Novel Pumping Arrangement for Tunable Single Picosecond Pulse Generation with a N2 Laser Pumped Distributed

88. Feedback DYE Laser. Opt. Commun. 1979, vol. 29, Uo.1, p.103-108.

89. A.H.Рубинов, Й.Чеснулявичюс, Т.Ш.Эфендиев. Генерация перестраиваемых пикосекундных импульсов в УФ и сине-зелёной областях спектра с помощью лазера на красителе с распределённой обратной связью. Квантовая электроника,1982, т.9, № II, с.2351--2352.

90. И.А.Вябищевич, А.Д.Дасько, А.Н.Рубинов, С.А.Рыжечкин, Т.Ш.Эфендиев, В.А.Яковенко. Генерация узкой линии излучения в лазере на красителях с распределённой обратной связью при возбуждении широким спектром. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, Л 21,с. 1316-1319.

91. А.А.Муравьёв, А.Н.Рубинов, С.А.Рыжечкин, Т.Ш.Эфендиев. Простой способ генерации одиночных пикосекундных импульсов в лазере на красителях. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, й 19, с.1165--1169.

92. А.Д.Дасько, В.М.Катаркевич, А.Н.Рубинов, С.А.Рьгжечкин, Т.Ш.Эфендиев. Голографические РОС-лазеры на красителях. Известия Академии Наук СССР, серия физическая, 1984, т.48, JS 8,с.1522-1526.