Полупроводники с модифицированной поверхностью - регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников с модифицированной поверхностью. Методы получения. (Литобзор)

Введение

§1.1. Поверхностные поляритоны на поверхности полупроводника с регулярным микрорельефом (дифракционной решеткой)

1.1.1. Краткие сведения о поверхностных поляритонах

1.1.2. Возбуждение поверхностных поляритонов в туннельных МОМ-структурах

1.1.3. Поверхностные поляритоны в фотоприемниках на барьерах Шоттки

§ 1.2. Использование регулярного микрорельефа в оптоэлектрони

1.2.1. Распределенная обратная связь и вывод излучения в полупроводниковых лазерах

1.2.2. Ввод и вывод излучения в квантовых ямах и сверхрешетках (межподзонные переходы)

§1.3. Оптические свойства полупроводников с сильно модифицированной поверхностью (на примере пористого кремния)

1.3.1 Фотолюминесценция пористого кремния

1.3.2. Поляризация фотолюминесценции пористого кремния

1.3.3. Быстрая полоса фотолюминесценции и оксидирование пористого кремния

1.3.4. Электролюминесценция пористого кремния

§ 1.4. Фототравление как метод создания модифицированной поверхности полупроводников

1.4.1. Методы получения регулярного микрорельефа

1.4.2. Аппаратура для изготовления регулярного микрорельефа

1.4.3. Используемые полупроводники и параметры регулярного рельефа

1.4.4. Методика изготовления слоев пористого кремния

1.4.5. Механизмы образования пористого кремния

Глава 2. Разработанные методики получения и исследования поверхности твердых тел с регулярно модифицированной поверхностью (дифракционной решеткой)

§ 2.1. Теория фотохимического травления полупроводников

§ 2.2. Разрешающая способность процесса, факторы, ограничивающие предельное разрешение

§ 2.3. О соответствии формы рельефа распределению освещенности

§ 2.4. Контроль за ходом процесса травления

§ 2.5. Разработка составов травителей и достигнутые результаты -

§ 2.6. .Прецизионное травление металлов

Глава 3. Резонансы фототока и поверхностные поляритоны в полупроводниковых структурах с дифракционными решетками на границах раздела

§3.1. Фотоэлектрическое проявление возбуждения поверхностных поляритонов на внешней поверхности металла (быстрая мода) в структурах металл - полупроводник (диодах Шотт-ки)

3.1.1. Поляритонная природа резонансов фототока в диодах Шоттки

3.1.2. Механизм возникновения резонансного фотоответа в полупроводнике

3.1.3. Влияние толщины металла и глубины рельефа на резонансное усиление фотоответа в полупроводнике

3.1.4. Влияние возбуждения поверхностных поляритонов на электролюминесценцию структур

§ 3.2. Свойства диодов Шоттки при возбуждении поверхностных поляритонов на границе металл - полупроводник (медленная мода)

§3.3. Расчет распределения электромагнитных полей в слоистых структурах с дифракционными решетками на границах раздела "

3.3.1. Резонансное возбуждение поверхностных поляритонов в структурах полупроводник - оксид - металл

3.3.2. Двойное усиление электромагнитного поля поляритонов в диодах Шоттки

3.3.3. Взаимодействие поверхностных поляритонов в излучающих туннельных МОМ-структурах

§ 3.4. Применения исследованных резонансных явлений

3.4.1. Спектрально-селективные фотоприемники

3.4.2. Поляризационно-чувствительные детекторы

Глава 4. Особенности поверхностных поляритонов в полупроводниковых структурах с дифракционными решетками на границах раздела

§ 4.1. Дисперсионная кривая поверхностных поляритонов в структуре воздух -металл - полупроводник

§ 4.2. Возбуждение поверхностных поляритонов при освещении

ТЕ-поляризованным светом

§ 4.3 Взаимодействие света с глубокими резонансными дифракционными решетками

§4.4 Поверхностные дифрагированные волны

Глава 5. Новые методики получения пористых слоев полупроводников

§5.1. Получение частично оксидированных слоев пористого кремния при импульсном анодировании кремния

§5.2. Оксидирование нанокристаллитов кремния обработкой в тяжелой воде

§5.3. Управление размерами нанокристаллитов при помощи света разной длины волны

§ 5.4. Модифицированная модель образования пористого кремния

5.4.1. Реакция диспропорционирования на начальной стадии образования пор

5.4.2. Роль света при образовании пористого кремния на подложках р-типа.

Глава 6. Квантоворазмерная природа фото- и электролюминесценции пористого кремния.

§6.1. Электролюминесценция в системе кремний - пористый кремний - электролит

6.1.1. Методика измерений

6.1.2. Спектральные характеристики катодной электролюминесценции

6.1.3. Кинетика электролюминесценции

6.1.4. Поляризационные зависимости в электролитах с разнои смачиваемостью

§ 6.2. Модель переноса зарядов и возникновения электролюминесценции в системе кремний - нанокристаллиты кремния -электролит. Сравнение с экспериментом

6.2.1. Биполярная инжекция электронов и дырок в нанокристаллиты кремния

6.2.2. Электрохимические процессы при катодной электролюминесценции пористого кремния

6.2.3. Электрохимические процессы при анодной электролюминесценции и окислении пористого кремния

6.2.4. Энергетический обмен при электролюминесценции пористого кремния

6.2.5. Сравнение разработанной модели с экспериментальными данными

§ 6.3. Фотолюминесценция пористого кремния, изготовленного по новым методикам главы

6.3.1. Поляризация фотолюминесценции частично оксидированных слоев пористого кремния.

6.3.2. Инфракрасная полоса фотолюминесценции пористого кремния

Актуальность работы. В последние десятилетия особенно интенсивно развивается физика поверхности и тонких слоев твердых тел. Это связано с тем, что современные полупроводниковые приборы - это, главным образом, слоистые планарные структуры, причем поверхности и границы раздела этих слоев играют существенную роль в формировании свойств этих приборов.

В период бурного развития голографии и оптоэлектроники возникла потребность в создании и изучении свойств неоднородной поверхности полупроводников. Прецизионный регулярный рельеф необходим для использования как в качестве пассивных и активных элементов оптоэлектроники, так и в качестве голограмм и отражательных голо-графических решеток в спектроскопических приборах. В 1971 году была показана принципиальная возможность замены в полупроводниковых лазерах резонатора типа Фабри-Перо периодической структурой и было сообщено о создании лазера с активной средой, в которой показатель преломления периодически менялся от слоя к слою [1]. Впоследствии такие лазеры получили название лазеров с распределенной обратной связью (РОС-лазеров). В это же время в ФТИ им. Иоффе был предложен новый тип лазера с выводом излучения при помощи дифракционной решетки на поверхности активного слоя гетероструктуры для уменьшения расходимости излучения и одновременного использования РОС-эффекта, и была развита его теория [2]. Возникла проблема создания на поверхности полупроводников дифракционных решеток высокого качества и большой пространственной частоты.

Потребности практики приводят к необходимости всестороннего исследования свойств полупроводников с профилированной поверхностью, тех особенностей оптических и фотоэлектрических свойств, которые могут возникать при взаимодействии света с неоднородностями масштаба длины волны. При этом можно было ожидать появления различных резонансных эффектов, связанных с усилением локальных электромагнитных полей на этих неоднородностях. Особенный интерес в этом случае представляют слоистые гофрированные структуры, содержащие металлические поверхности.

Уменьшение размеров элементов микроэлектроники привело к развитию физики низкоразмерных структур - от планарных двумерных к одномерным и нульмерным (квантовым точкам), а также к созданию приборов на принципах квантовой механики. Одним из примеров таких структур является сильно развитая поверхность твердого тела, когда глубина ее неоднородностей сравнима с толщиной слоя материала, а размеры неоднородностей сравнимы с длиной экранирования. Пористый кремний - самый яркий и известный пример квантово-размерной системы на основе сильно развитой поверхности полупроводника. Изучением его свойств занимаются ведущие оптические лаборатории мира.

Целью настоящей работы было исследование оптических и фотоэлектрических свойств твердых тел с неоднородной модифицированной поверхностью, главным образом, слоистых структур с регулярным прецизионным рельефом (дифракционной решеткой) на границах раздела, а также пористых структур с неоднородностями квантово-размерного масштаба. Для достижения этой цели предполагалось решить следующие задачи:

1. Разработать методику создания прецизионного периодического рельефа на поверхности различных твердых тел с минимальными нарушениями их структуры, исследовать возможности и пределы применимости этой методики.

2. Исследовать оптические и фотоэлектрические свойства как объемных, так и слоистых структур с регулярно профилированными поверхностями и границами раздела, и резонансные явления, возникающие в них.

3. Модифицировать методики получения полупроводниковых сред с развитой поверхностью, когда высота профилирования сравнима с толщиной образца.

4. Исследовать оптические и фотоэлектрические свойства таких сред на примере пористого кремния с квантово-размерными нанокристалли-тами.

Научная новизна работы определяется новизной основных результатов, выносимых на защиту, а также тем, что в ней:

- разработаны новые методики модификации поверхности полупроводников;

- рассмотрены и объяснены процессы образования под действием света регулярного микрорельефа на границе полупроводник — электролит;

- обнаружен и исследован ряд новых резонансных эффектов, связанных с возбуждением поверхностных поляритонов в слоистых структурах;

- получена эффективная видимая электролюминесценция в системе кремний - пористый кремний - электролит и создана модель, объясняющая ее возникновение.

Научная и практическая значимость работы обусловлена тем, что исследования, выполненные в диссертации, представляют не только фундаментальный, но и практический интерес. Разработаны новые методики модифицирования поверхности твердых тел. Полученные результаты были использованы для разработки новых оптоэлектронных приборов, частично они были использованы при создании лазеров с распределенной обратной связью. Разработаны селективные и поляризационночувствительные фотодиоды Шоттки. Получена эффективная (до 1 %) видимая электролюминесценция пористого кремния в контакте с окисляющими электролитами.

На защиту выносятся следующие положения: Положение 1

Резонансы на спектральных и угловых зависимостях фототока и резонансы р-поляризованной электролюминесценции в слоистых структурах металл - полупроводник (контакт Шоттки) возникают при наличии дифракционных решеток на границах раздела структуры и вызваны возбуждением поверхностных поляритонов на внешней или внутренней границе металлического слоя. Волновые вектора поверхностных поляритонов в такой структуре меньше волновых векторов поляритонов на гладкой границе диэлектрик - полубесконечный металл.

Положение 2

Поляритонные резонансы усиливаются при одновременном возбуждении в структуре двух поляритонных мод и конверсии одной моды в другую. Двойное резонансное туннелирование электромагнитного поля происходит, когда моды возникают на обеих сторонах металлического слоя и направлены в одну сторону. Дополнительные резонансы оптических и фотоэлектрических свойств слоистой структуры дают две поляритонные моды на одной стороне металлического слоя, движущиеся под углом друг к другу и возникающие при возбуждении поверхностных поляритонов светом Б-поляризации.

Положение 3

Глубокое профилирование поверхности полупроводников вызывает резонансные эффекты, аналогичные поляритонным резонансам на металлах. Наблюдаемые эффекты - подавление зеркального отражения р-поляризованного света и резонансное возрастание фотопроводимости - связаны с возбуждением на границе полупроводник - металл поверхностной электромагнитной волны, амплитуда которой экспоненциально спадает при удалении от границы раздела в воздух, а коэффициент затухания в полупроводнике является комплексной величиной.

Положение 4

Видимая, высокой эффективности (до 1%), электролюминесценция пористого кремния в контакте с окисляющими электролитами обеспечивается биполярной инжекцией электронов и дырок из электролита в квантово-размерные нанокристаллиты с последующей излучательной рекомбинацией в нанокристаллитах. Инфракрасная электролюминесценция пористого кремния определяется излучательной рекомбинацией электронов подложки и неквантоворазмерных макрокристаллитов с инжектированными из электролита дырками.

Положение 5

Обнаружено возрастание поляризации фотолюминесценции и появление анизотропии поляризации при частичном оксидировании пористого кремния. Возрастание поляризации объясняется увеличением асимметрии квантово-размерных нанокристаллитов кремния, а анизотропия при нерезонансном возбуждении фотолюминесценции возникает благодаря разным скоростям окисления разных кристаллографических плоскостей нанокристаллитов. и

Положение 6

Высокая разрешающая способность разработанного метода интерференционного травления полупроводников определяется малой эффективной длиной растекания неосновных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника. Эффективная длина носителей заряда существенно меньше их диффузионной длины благодаря высокой скорости рекомбинации на границе с электролитом и сильному приповерхностному изгибу зон.

Положение 7

Объяснен начальный рост пор при формировании пористого кремния появлением на поверхности кремния затравочных дефектов -"дополнительных" атомов кремния. Эти атомы появляются в результате обмена электронами между двумя двухвалентными ионами кремния, образующимися при протекании тока через границу кремний- электролит. Обмен электронами приводит к появлению четырехвалентного иона и нейтрального атома кремния.

Публикация результатов диссертации

Основное содержание диссертации отражено в 53 опубликованных работах и 29 тезисах докладов представленных на Всесоюзных, Всероссийских и Международных конференциях, а также в 9 авторских свидетельствах на изобретение. Материал, не включенный в диссертацию, опубликован в 17 статьях, 4 авторских свидетельствах и 5 тезисах докладов.

Апробация работы.

Основные результаты работы были представлены на Международных конференциях: симпозиуме "Физика поверхности твердого тела" (Прага,1980), конференции по рекомбинации в А3В5 "Recon-83" (Прага,1983), конференции по физике поверхности и границы раздела (Рейнгардсбрунн,1983), совещании по спектроскопии (Балатон, 1986), 3-й конференции по физике и технологии GaAs и других полупроводников А3В5 (Татранска Ломни-ца,1988), симпозиуме по прикладной оптике общества SPIE (Сан-Диего, 1991); на Всесоюзных конференциях: по физике полупроводников (Баку, 1982, Минск,1985, Кишинев, 1988, Киев,1990), конференции "Физика и применение контакта металл-полупроводник" (Киев, 1987), 20-м съезде по спектроскопии (Киев,1988), 7-й и 8-й конференциях по взаимодействию оптического излучения с веществом (Ленинград, 1988 и Репино, 1990), 1-й конференции по физическим основам твердотельной электроники (Ленинград, 1989), конференции "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" (Ташкент, 1989), 1-й конференции "Физика и конверсия" (Калининград,! 991), 3-м, 4-м и 5-м семинарах по физической химии поверхности полупроводников (Новосибирск, 1978 и 1981, Владиво-сток,1985), 4-м и 5-м семинарах по фотофизике поверхности (Овсяное, 1986 и 1989); 1-й и 2-й республиканских конференциях "Фотоэлектрические явления в полупроводниках" (Ужгород, 1979 и Одесса, 1982), а также на семинарах в ГОИ им. С. И. Вавилова, ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР.

Результаты работы докладывались на 2-ом, 5-м и 7-м международных симпозиумах «Наноструктуры: физика и технология» (Репино, 1994, 1997 и 1999), на 2-ой и 3-ой Российских конференциях по физике полупроводников (Зеленогорск, 1997 и Новосибирск, 1999), на 22-ой Международной конференции по физике полупроводников (Ванкувер, 1994), на конференции Европейского общества по материаловедению -EMRS (Страсбург, 1995) , на 185 и 189 симпозиумах Американского электрохимического общества - ECS ( Чикаго 1995 и Монреаль 1997) и

13 на других совещаниях и конференциях, а также на семинарах Мюнхенского технического университета (физический факультет Е-16) и ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, перечня основных результатов работы и списка литературы. Она содержит 245 страниц машинописного текста, 110 рисунков, 3 таблицы и 224 ссылки на литературные источники.

Заключение. Основные результаты и выводы.

1. Разработана методика получения регулярного поверхностного микрорельефа путем интерференционного травления поверхности различных полупроводников, а также металлов, оксиды которых обладают полупроводниковыми свойствами.

2. Определены механизмы и исследованы свойства интерференционного травления. Введено понятие скорости электрохимической рекомбинации на границе твердое тело - электролит и оценено ее влияние на разрешающую способность процесса. Определены факторы, определяющие предельную разрешающую способность интерференционного травления и максимальную глубину рельефа.

3. Предельные полученные параметры рельефа: минимальный шаг 0,16 мкм (пространственная частота 6200 мм"1), максимальная глубина - до 0,5 от шага решетки. Показано, что полученный минимальный шаг ДР ограничивается использованной оптикой. Предельная разрешающая способность интерференционного травления с учетом ограничений со стороны полупроводника и электролита может достигать, например для ОаАэ, нескольких десятков тысяч линий на миллиметр.

4. При исследовании фотоэлектрических свойств структур металл - полупроводник (контакт Шоттки) с дифракционными решетками на границах раздела обнаружены резонансы фототока при изменении длины волны, угла падения и поляризации падающего света. Доказано, что эти резонансы связаны с возбуждением поверхностных поля-ритонов (поверхностных электромагнитных волн) как на внешней, так и на внутренней границе металлического слоя.

5. Создана фотоэлектрическая методика диагностики и исследований поверхностных поляритонов и с ее помощью изучены особенности возбуждения поверхностных поляритонов в полупроводниковых структурах с дифракционными решетками на границах раздела.

6. Показано, что амплитуда резонансного фотоответа при возбуждении поверхностного поляритона на границе металл - воздух нетривиальным образом зависит от толщины металлического слоя - в некотором интервале толщин растет с ее увеличением. Оптимальное значение толщины металлического слоя определяется соотношением диссипа-тивных и радиационных потерь. Конечная толщина металлического слоя вызывает также сдвиг дисперсионной кривой поверхностных по-ляритонов по сравнению с дисперсионной кривой для полубесконечного металла, причем значение волнового вектора поляритона может сдвигаться как в сторону больших, так и мёныпих величин в зависимости от соотношения между абсолютными значениями диэлектрических проницаемостей металла и полупроводника.

7. Показано, что наличие дифракционной решетки на поверхности металла снимает ограничения на поляризацию возбуждающего света. Поверхностные поляритоны на профилированной поверхности могут возбуждаться не только в известной ранее геометрии, когда вектор электрического поля падающей световой волны лежит в плоскости падения, но также, и даже более эффективно в случае, когда этот вектор перпендикулярен плоскости падения и параллелен вектору решетки. Особенностью возбуждения поверхностных поляритонов в этом случае является возникновение одновременно двух поляритонов, движущихся под определенным углом друг к другу.

8. При рассмотрении изменений свойств поверхностных поляритонов на границе металл - полупроводник, связанных с наличием между последними слоя диэлектрика с малой диэлектрической проницаемостью (собственного окисла полупроводника), обнаружена сильная зависимость этих свойств от толщины слоя: при малых толщинах глубина проникновения поля поверхностной волны в полупроводник растет с ростом толщины оксида, что приводит к увеличению длины пробега волны и сужению резонансного пика фотоответа без увеличения его амплитуды. При некоторой критической толщине оксида поверхностная волна превращается в объемную и резонанс пропадает. Исследованный эффект позволяет определять эффективные толщины диэлектрических пленок с разрешением в несколько ангстрем.

9. Исследование взаимодействия двух поверхностных мод, распространяющихся в одну сторону по внешней и внутренней поверхностям металла в системе диэлектрик - металл - полупроводник, показало, что при одновременном возбуждении двух собственных мод системы с волновыми числами, отличающимися на вектор решетки, возможно двойное резонансное туннелирование электромагнитного поля сквозь металлическую пленку и существенное усиление поля в полупроводнике. Мощность, поглощенная в приповерхностном слое полупроводника, может превышать нерезонансную величину на 3 порядка.

Ю.Экспериментальное и теоретическое исследование спектральных зависимостей амплитуд поверхностных поляритонов при взаимодействии с резонансными дифракционными решетками (когда вектор решетки равен вектору поляритона) выявили ряд нетривиальных малоугловых особенностей интерференционного взаимодействия резонан-сов поверхностных мод плюс первого и минус первого порядков дифракции. Показано, что на глубоких дифракционных решетках при переходе от нормального к малым углам падения света амплитуда одиночного вырожденного резонансного пика возрастает, а его полуширина уменьшается в несколько раз, в отличие от известного ранее расщепления резонанса на два, наблюдаемого на мелких решетках. Показано также, что на глубоких решетках при нормальном падении света небольшое увеличение расходимости светового пучка улучшает параметры резонанса. Эффект малоуглового усиления резонанса представляет интерес при работе с реальными лазерными пучками .

1 ¡.Обнаружена линейно поляризованная электролюминесценция диодов Шоттки с синусоидально профилированной поверхностью, вызываемая радиационным распадом поверхностных поляритонов. Предложены механизмы, объясняющие возникновение резонансного излучения при прямом и обратном смещении диодов Шоттки. Показано, что при протекании туннельного тока одновременно возбуждается широкий спектр поверхностных мод на обеих границах металла, а превращение нерадиационной поляритонной моды в радиационную определяется периодом профилирования.

12.Рассмотрены возможности использования обнаруженных резонансных явлений для создания спектрально- и поляризационно-чувстви-тельных фотоприемников, проведено численное моделирование их параметров. Изготовлены модельные образцы селективных фотоприемников на разные длины волн. Селективный фотоприемник на основе структуры Ag-n-GaAs обладает спектральной полушириной

4 нм на длине волны 0.6328 мкм и отношением фототока в резонансе к фототоку вдали от него около 25. С продвижением в более длинноволновую область параметры резонанса улучшаются.

13.Разработаны методики получения частично окисленного пористого кремния путем использования импульсного анодирования или постанодной обработкой образцов в тяжелой воде (020).

14.Разработана методика получения на подложках п-81 слоев пористого кремния с интенсивной ИК полосой как фотолюминесценции, так и электролюминесценции. Методика основана на использовании при анодировании подсветки с различной длиной волны. Показано, что освещение низкоэнергетическими квантами света приводит к появлению большого числа крупных нанокристаллитов и неквантовораз-мерных микрокристаллитов. Основная полоса люминесценции сдвигается при этом в длинноволновую область спектра, а интенсивность ИК полосы возрастает больше, чем на порядок.

15.На основе проведенных исследований разработана модифицированная модель образования пористого кремния, учитывающая роль реакции диспропорционирования в процессе образования пор. Дано объяснение роли света при росте пористого слоя на подложках р-типа.

16.Получена эффективная электролюминесценция пористого кремния в контакте с окисляющими электролитами. Исследованы спектральные и кинетические свойства люминесценции. Получена эффективность электролюминесценции, достигающая 1%, что намного выше известных из литературы значений.

17.Объяснен механизм транспорта носителей в сложной системе кремний - слой пористого кремния - электролит. Создана модель, объясняющая высокую эффективность электролюминесценции в такой системе. Показано, что биполярная инжекция носителей из электролита в нанокристаллиты объясняет все основные свойства видимой электролюминесценции пористого кремния.

18.Показано, что при окислении поверхности нанокристаллитов пористого кремния возрастает поляризация его фотолюминесценции и возникает анизотропия поляризации, вызванная разными скоростями окисления различных кристаллографических плоскостей кремния.

Я глубоко признательна своим многолетним коллегам - Д. Н. Горячеву и Л. В. Белякову, в соавторстве с которыми сделано большинство работ этой диссертации. Светлую память я храню о своих учителях в науке - С. М. Рывкине и И. Д. Ярошецком. Я искренне признательна также всем сотрудникам Физико-технического института, с которыми много работала, планировала эксперименты и обсуждала результаты.

1. А 1 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Парицкий Л. Г., Сресели О. М. О фоточувствительности арсенида галлия, легированного медью. // ФТП. 1978.- Т. 12.-N6.-С. 1226-1228.

2. А 2 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д.

3. Фотоответ структуры полупроводник металл, связанный с возбуждением поверхностных поляритонов. // Письма в ЖТФ. -1985. - Т. 11. -В.19. -С. 1162-1165.

4. А 3 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Румянцев Б. Л., Сресели О. М.,

5. Ярошецкий И. Д. Резонансная электролюминесценция структур металл полупроводник с гофрированной поверхностью. // Письма в ЖТФ. - 1988. - Т.Н. - В.8. - С.757-761.

6. А 4 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Румянцев Б. Л., Сресели О. М.,

7. Ярошецкий И. Д. Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении "медленных" поверхностных электромагнитных волн. // ФТП. 1989. - Т.23. - В.З. - С.461-465.

8. А 6 Полисский Г., Сресели О. М., Андрианов А. В., Кох Ф. Люминесценция пористого кремния в ИК области спектра при комнатной температуре. // ФТП. 1997. - Т. 31. - В. 3. - С.112-116.

9. А 7 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д. Эффективная электролюминесценция пористого кремния. // ФТП. 1993,-Т. 27.-В. 11/12.-С. 1815-1819.

10. А 8 Горячев Д. Н., Сресели О. М., Беляков Л. В. Механизм электролюминесценции пористого кремния в электролитах. // ФТП. -1997. Т. 31. - В. - 7. - С. 844-847;

11. Горячев Д. Н., Полисский Г., Сресели О. М. Механизмы переноса и инжекции носителей в пористый кремний при его электролюминесценции в электролитах. // ФТП. 2000. - Т. 34. - В. 2. - С. 227-233.

12. А 9 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д. Роль света в процессах формирования пористого кремния на подложках р-типа. // ФТП. 1993. - Т. 27. - В. 11/12. - С. 1961-1965.

13. А 10 Горячев Д. Н., Беляков J1. В., Сресели О. М. О механизме образования пористого кремния. // ФТП. 2000. - Т. 34. - В. 9. - С. 1130-1134.

14. А 12 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Парицкий Л. Г., Сресели О. М. Прецизионное фотохимическое травление низкоомного арсенида галлия как способ записи голограмм. М., 1976. 44 с. - Деп. в ВИНИТИ, №292-76. Реф. - ФТП. - 1976. - Т. 10. - В.8. - С. 1603.

15. А 13 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М. О механизме светочувствительного травления полупроводников в неокисляющих травителях. // Письма в ЖТФ. 1979. - Т. 5. - В. 16. - С. 976-978.

16. А 14 Горячев Д. Н., Парицкий Л. Г., Сресели О. М. Германий с поверхностным р-n переходом в фотографической редокс-системе. М., 1975. 13 с. - Деп. в ВИНИТИ, №3183-74. Реф. ФТП. - 1975. -Т. 9.-В. 6.-С. 1222.

17. А 15 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Парицкий Л. Г., Рыбкин С. М., Сресели О. М. О разрешающей способности процесса фотохимического травления полупроводников. // ФТП. 1976. - Т. 10. - В. 6. -С. 1142-1147.

18. А 16 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Рыбкин С. М., Сресели О. М. О разрешающей способности процесса анодного травления полупроводников. // ФТП. 1978. - Т. 12. - В. 11. - С. 2244-2249.

19. А 17 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Рыбкин С. М., Сресели О. М., Су-рис Р. А. О реально достижимой пространственной частоте при записи голограмм методом светочувствительного травления полупроводников. // ФТП. 1979. - Т. 13. - В. 22. - С. 2173-2179.

20. А 18 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М. Об особенностяхуправления процессом фотохимического травления полупроводников при записи голограмм. // ЖТФ. 1979. - Т. 49. - В. 4. - С. 876-877.

21. А 19 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М. О спектральном распределении светочувствительности при записи голограмм на халькогенидных стеклообразных полупроводниках. // Письма в ЖТФ,. 1977. - Т. 3. - В. 18. - С. 922-924.

22. А 20 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М. Методы контроля параметров дифракционных решеток, получаемых фотохимическимтравлением полупроводников. M., 1976. 20 с. Деп. в ВИНИТИ, № 1438-76. Реф. - ФТП. - 1977. - Т. 11.-В. 4.-С. 812.

23. А 21 Беляков JI. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М. Запись голограмм на металле методом фотохимического травления. // Письма в ЖТФ. -1983. Т. 9. - В. 8. - С. 471-474.

24. А 22 Беляков JI. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М. Исследование оптических переходов в полупроводниках фотоэлектрохимическим методом. // ФТП. 1984. - Т. 18. - В. 4. - С. 752-755.

25. А 23 Беляков J1. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М., Саченко А. В. Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом. // ФТП. 1986. - Т. 20. - В. 5. - С. 876-880.

26. А 24 Belyakov L. V., Goryachev D. N., Rywkin S. M., Sreseli O. M. High resolution light-sensitive etching of semiconductor surfaces. // In "Studies in Surface Sciences and Catalysis". Elsevier, 1982. V. 9. -P. 267-268.

27. A 26 Беляков JI. В., Горячев Д. H., Румянцев Б. JI., Сресели О. M.,

28. Ярошецкий И. Д. Особенности фотоэлектрических и оптических свойств полупроводников с периодически профилированной поверхностью. Препринт N 1420. - Гатчина, 1989. - 48 с.

29. А 27 Беляков JI. В., Горобей H. Н., Горячев Д. Н., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д. Влияние распределения поля поверхностного поля-ритона в системе диэлектрик-металл-полупроводник на фотоответ полупроводника. // ФТП. 1988. - Т. 22. - В. 5. - С. 906-910.

30. А 28 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д. Влияние оптических констант полупроводника на положение по-ляритонного пика фотоответа диодов Шоттки. // Письма в ЖТФ. -1986.-Т. 12.-В. 18.-С. 1145-1149.

31. А 29 Беляков JI. В., Горячев Д. Н., Макарова T. JL, Румянцев Б. Л., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д. Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе металл-полупроводник. // ФТП. 1989.-Т. 23.-В. 11.-С. 1966-1970.

32. A 32 Беляков JI. В., Горячев Д. Н., Румянцев Б. Л., Сресели О. М.,

33. Ярошецкий И. Д. Узкополосные селективные фотоприемники на основе структур Шоттки. // Письма в ЖТФ. — 1990. Т. 16. — В. 6. - С. 72-75.

34. А 33 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Румянцев Б. Л., Сресели О. М.,

35. Ярошецкий И. Д. Селективные фотоприемники на основе диодов Шоттки с периодически профилированной поверхностью. // Электросвязь. 1992.-В. 11.-С. 20-21.

36. А 34 Беляков Л. В., Сресели О. М. Поверхностные электромагнитные волны и фотоприемники (обзор). // ФТП. 1991. - Т. 25. - В. 8. -С. 1281-1296.

37. А 35 Sreseli О. М., Belyakov L. V., Goryachev D. N., Rumyantsev В. L., Yaroshetskii I. D. Selective IR photodetectors using surface plasmon resonance. // In "Infrared Detectors: State of the Art". Proc. SPIE. —1992.-V. 1735.-P. 37-42.

38. A 36 Sreseli О. M., Belyakov L. V., Goryachev D. N., Yaroshetskii I. D. PSSP: polarisation-sensitive Schottky photodiode // In "Polarisation Analysis and Measurement", Proc.SPIE. 1992. - V. 1746. - P. 407411.

39. A 37 Belyakov L. V., Goryachev D. N., Sreseli О. M., Yaroshetskii. I. D. Investigation of surface polaritons in Ag-GaAs system. // Acta Physica Hungarica. 1987. - V.61. -Nl.-P. 103-106.

40. A 38 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д. Фотоответ структуры металл-полупроводник при возбуждении поверхностных поляритонов светом ТЕ-поляризации. // Письма в ЖТФ. 1987. - Т. 13. - В.5. - С.261-265.

41. А 40 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д.

42. Взаимодействие лазерного излучения с глубоко профилированнойповерхностью полупроводника. // Тез. докл. 7-й Всесоюз. конф. по взаимодействию оптического излучения с веществом. — Ленинград, 1988.-С. 335-336.

43. А 41 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Зубкова Т. И., Румянцев Б. Л., Сре-сели О. М. Влияние профилирования подложки на свойства пленок теллурида свинца. // Тез. докл. 12-й Всесоюз. конф. по физике полупроводников. Киев, 1990. - Ч. 2. - С. 242-243.

44. А 42 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Сресели О. М. Быстрая фотолюминесценция импульсно анодированного кремния. // Письма в ЖТФ. 1996. - Т. 22. - В. 2. - С. 14-16.

45. А 43 Беляков Л. В., Макарова Т. Л., Сахаров В. И., Серенков И. Т.,

46. Сресели О.М. Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система. // ФТП. 1998. -Т. 32.-В. 9. -С.1122-1126.

47. А 44 Горячев Д. Н., Полисский Г. Сресели О. М. Особенности взаимодействия пористого кремния с тяжелой водой. // ФТП. 1998. - Т. 32.-В. 8. - С.1016-1020.

48. А 45 Belyakov L. V., Goryachev D. N., Sreseli О. M., Yaroshetskii. I. D. Porous semiconductors: why only silicon-based. A version of explanation. // Semicond. Sci. Technol. 1995. -V. 10. - P. 373-374.

49. A 46 Sreseli O., Petrova-Koch V., Kovalev D., Muschik Т., Hofreiter S.,

50. Koch F. Infrared luminescence from porous silicon with liquid contact. // In The Physics of Semiconductors. Ed. D. J. Lockwood. (World Scientific, Canada, Vancouver, 1994). ICPS-22. T. 3. - P. 21172121.

51. A 47 Беляков Л. В., Горячев Д. Н., Ковалев Д. И., Кох Ф., Петрова-Кох В., Сресели О. М., Ярошецкий И. Д. Видимая и инфракрасная электролюминесценция пористого кремния. // ФТП. 1995. - Т. 29.-В. 7.-С. 1288-1294.

52. A 49 Горячев Д. H., Сресели О. М., Беляков Л. В. Влияние смачиваемости на катодную электролюминесценцию пористого кремня. // Письма в ЖТФ. 1997.-Т.-23.-В. 1.-С. 58-63.

53. А 50 Sreseli О. М, Goryachev D. N., Polisski G., Belyakov L. V., Koch F. Mechanism of Carrier Transport and Electroluminescence at the Porous-Silicon/Liquid Interfaces. // In Pits and Pores: Formation,

54. Properties, and Significance for Advanced Luminescent Materials. Eds. P. Schmucki, D. J. Lockwood, H. Isaace, and A. Bsiesy. (Pennington, NJ, USA). 1997. - V. PV 97-7. - P. 104-112.

55. A 51 Горячев Д. H., Беляков JI. В., Полисский Г., Сресели О. М. Механизм анодной электролюминесценции пористого кремния в электролитах. // ФТП. 1997. - Т. 32. - В. 5. - С. 591-595.

56. Kogelnik H., Shank С. V. Stimulated emission in periodical structures. //Appl. Phys. Lett. 1971. -V. 18. - P. 152-154.

57. Казаринов P. Ф., Сурис P. А. Инжекционный гетеролазер с дифракционной решеткой на контактной поверхности. // ФТП. -1972. Т. 6. - В. 7. - С. 1359-1365.

58. Yablonovich Е., Gody G. D. Intensity enhancement in textured optical sheets // IEEE Trans. Electron. Devices. 1982. - V. 29. - N 2. - P. 300-305.

59. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. 2-е изд.,- М.: Мир, 1984,-в 2 т.,-455 с. + 455 с.

60. Ko-Shang В., Henderson Т. Н. The use of multiple internal reflection on extrinsic silicon infrared detection. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1980. - V. 27. - N 1. - P. 62-64.

61. Горбач Т. Я., Свечников С. В. Фотопроводимость и фотолюминесценция GaAs:Cr с микрорельефной анизотропно травленной поверхностью. // Укр. Физ. жур. 1987. - Т. - 32. — В. 7. — С. 1110-1111.

62. Jha S. S., Kirtley J. R., Tsang J. C. Intensity of Raman scattering from molecules absorbed on a metallic grating. // Phys. Rev. B. 1980. -V. 22.-N. 8. -P.3973-3985.

63. Uhlir A. Electrolytic shaping of germanium and silicon. // Bell Syst. Tech. J. 1956. - V. 35. - N 2. - P. 333-347.

64. Электрофизические и оптические свойства пористого кремния. Д. И. Биленко, Н. П. Абанынин, Ю. Н. Галишникова и др. // ФТП. -1983. Т. 17. - В. 11. - С. 2090-2092.12