Полупроводниковые элементы интегральной оптики, полученные с использованием ионно-плазменного напыления тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.S

ГЛАВА I. МЕТОД И0НН0-ПЛАЗМЕНН0Г0 РАСПЫЛЕНИЯ ДНЯ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК.«.

§1.1. Физический механизм ионного распыления

§ 1.2. Ионно-плазменное напыление пленок. . . . . .№

§ 1.3. Магнетронное распыление. Пленарный магнетрон

Плазмотрон.

§ 1.4. Реактивное магнетронное распыление.ZX

§ 1.5. Конструкция пленарного магнетрона, используемого в настоящей работе. Технологические режимы .л&

§ 1.6. Конструкция плазмотрона. Технологические режимы

§ 1.7. Универсальность ионно-плазменной распылительной установки, содержащей пленарный магнетрон и плазмотрон.AS

ГЛАВА П. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОЧНЫХ ВОЛНОВОДОВ НА ОСНОВЕ Тйг05,2п0 , Мг03 , ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАПЫЛЕНИЯ.5А

§ 2.1. Некоторые понятия теории плоских диэлектрических волноводов.SA

§ 2.2. Оптические потери в пленочных волноводах . . ЬЦ

§ 2.3. Метод цризменного ввода. Измерение потерь в пленочных волноводах на основе Taz0$ ,ZnO , МЛ » полученных ионно-плазменным напылением .bS

§ 2.4. Измерение толщин напыленных диэлектрических пленок.

§ 2.5. Структура напыленных диэлектрических пленок. 7Г

ГЛАВА Ш. МОНОЛИТНО-ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЦИЯ ИНЖЕКЦИОННОГО

ГЕТЕРОЛАЗЕРА С НАПЫЛЕННЫМ ВОЛНОВОДОМ.Ч

§ 3.1. Инжекционный Ga(M)Jb гетеролазер, стыкованный с напыленным пленочным волноводом, — монолитно-гибридный элемент интегральной оптики.85*

§ 3.2. Технология изготовления меза~лазеров и их характеристики.

§ 3.3. Напыление диэлектрического волновода

§3.4. Эффективность стыковки волновода гетеролазера с напыленным пленочным волноводом . . . .iM

§ 3.5. Инжекционный брэгговский гетеролазер с высокой температурной стабильностью длины волны излучения.J

ГЛАВА 1У. ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖИГ АМОРФНЫХ СЛОЕВ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ И КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ИОННО-ПЛАЗМЕННЬШ НАПЫЛЕНИЕМ.И

§ 4.1. Получение аморфных слоев фосфида галлия и кремния.

§4.2. Лазерный отжиг аморфных слоев фосфида галлия

§4.3. Эпитаксиальная кристаллизация аморфных слоев кремния, напыленных на фосфид галлия

§4.4. Двухдлинноволновый лазерный отжиг аморфных слоев кремния, напыленного на фосфид галлия Л

ГЛАВА У. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ 6i3% , ПОЛУЧЕННЫХ ИОНН0-ПЛАЗМЕННШ НАПЫЛЕНИЕМ, ПРИ РАЗРАБОТКЕ ПЛАНАРНЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ В СИСТЕМЕ 1п?-ЬМ «

Актуальность работы. В начале 70-х годов когда были сформулированы основные принципы интегральной оптики [1-4], предполагалось, что интегрально-оптические схемы будут создаваться на основе единого базового материала, аналогично тому, как кремний является базовым материалом для схем микроэлектроники. Считается, что роль такого материала для интегральной оптики могут выполнять полуцроводниковые гетероструктуры |5]. Действительно, на их основе в принципе может обеспечиваться выполнение всего набора важнейших для интегральной оптики функций: волноводное распространение света в тонких полупроводниковых пленках, генерация когерентного света внутри таких волноводов, эффективное управление световыми потоками в волноводах и т.д. Однако, не все эти функции с одинаковым успехом могут выполняться на основе полуцроводниковых гетероструктур. Так, например, при имеющемся уровне технологии получения гетероструктур пассивные оптические потери в волноводных эпитаксиальных пленках толщиной ~ I мкм зависят от легирования материала и обычно ^ 10 дБ.см""* [б], что практически сильно ограничивает возможности конструирования интегральных оптических схем. С другой стороны, ясно, что, например, задача генерации когерентного света внутри волноводной системы интегрально-оптической схемы, так же, как и проблема создания встроенного волновод-ного фотоприемника, естественным образом решаются на основе полуцроводниковых гетероструктур. Поэтому большой интерес представляет создание интегрально-оптических схем, в которых отдельные элементы, выполненные на основе монокристаллических гетероструктур, были бы монолитно, на единой полупроводниковой подложке, стыкованы с волноводными элементами на основе других материалов: диэлектриков, аморфных полупроводников и т.д., существенно отличающихся по своим оптическим и электрическим свойствам. Исследованию возможности создания таких "монолитно-гибридных* интегральных оптических схем посвящена данная работа. Актуальность темы работы обусловлена тем, что в рамках монолитно-гибридного подхода могут быть существенно расширены функциональные возможности интегрально-оптических схем и улучшены их характеристики.

В технологии создания монолитно-гибридных схем, наряду с методами эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев, должны применяться и другие методы получения пленочных структур. Одним из наиболее универсальных способов получения пленок диэлектриков, аморфных полуцроводников и других материалов является метод ионно-плазменного напыления.

Целью работы явилось создание и исследование элементов интегральной оптики, выполненных на основе полупроводниковых гетероструктур, в которых волноводные слои из монокристаллических полупроводников стыкованы с пленочными волноводами и волноводными элементами из аморфных диэлектриков или аморфных полупроводников, полученных методом ионно-плазменного напыления.

Научная новизна работы. В работе впервые показана возможность соединения на единой полупроводниковой подложке волновода инжекционного гетеролазера с пленочным волноводом из прозрачного для света лазера диэлектрика, полученного ионно-плазменным напылением. Показано, что потери на стыке волноводов могут быть малы, несмотря на заметную разницу их показателей преломления.

На основе схемы усиливающий полупроводниковый волновод гофрированный диэлектрический волновод впервые создан эффективно работающий инжекционный гетеролазер с брэгговским зеркалом, в котором благодаря слабой дисперсии показателя преломления в диэлектрическом волноводе наблюдалась высокая температурная стабильность спектрального положения линии генерации.

Показано, что при воздействии мощных лазерных импульсов на тонкие слои аморфных полупроводников, полученных ионно-плазмен-ным напылением, может иметь место локальная кристаллизация материала. Сочетание ионно-плазменного напыления и лазерного отжига является очень гибким методом создания различных элементов интегральной оптики, в частности, периодических волноводных элементов и дифракционных решеток.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. На единой полупроводниковой подложке из Goils возможна эффективная стыковка пленочного волновода гетеролазера с диэлектрическим пленочным волноводом, в частности из Та^Оу , полученным ионно-плазменным напылением и обладающим малыми оптическими потерями ~ I дБ.см"^.

2. В инжекционном йаШ)А$ гетеролазере с брэгговским зеркалом на основе гофрированного диэлектрического волновода из Та^О? температурная стабильность линии генерации, по 1файней мере, на порядок выше, чем в обычных полупроводниковых лазерах.

3. В условиях интерференционного лазерного отжига тонких слоев аморфных полупроводников GeP и Si , полученных ионно-плазменным напылением на подложках из монокристаллического СгаР , можно получать локальную кристаллизацию напыленного аморфного материала в виде дифракционных решеток.

4. Темновые токи диффузионных р-п переходов, сформированных на поверхности InP с использованием в качестве защитного s диэлектрика тонких слоев Si3 bfA , напыленных ионно-плазмен-ным способом, на порядок меньше, чем при использовании обычно применяемого для этих целей покрытия из Si О* . Низкие темновые токи объясняются малым вкладом поверхностной составляющей темнового тока (скорость поверхностной рекомбинации л iq^ см.с""*), что говорит о совершенстве получаемой границы In Р -«S'a^ .

Практическая ценность работы заключается:

1. В создании универсальной налылительной установки, имеющей два источника: пленарный магнетрон и плазмотрон, обладающем большими функциональными возможностями. С помощью созданной нами распылительной установки можно получать пленки полупроводников , полупроводниковых соединений, металлов, их окислов и нитридов.

2. В разработке режимов ионно-плазменного напыления на полуцро-водниковую подложку слоев Si 0^ , Таг05 , MZD3 ,ZnO ив получении на их основе пленочных диэлектрических волноводов, обладающих малыми оптическими потерями ( ~ I дБ.см""^).

3. В разработке технологии изготовления инспекционного гетеролазера, монолитно стыкованного с напыленным пленочным диэлектрическим волноводом (Jlsz S3 , Tag, Of ) и инжекционного гетеролазера с распределенным брэгговским зеркалом на основе диэлектрического волновода из Тя^Оу - монолитно-гибридных элементов интегральной оптики.

4. В разработке режимов ионно-плазменного напыления аморфных слоев Si и GaP и локальной 1фисталлизации материала этих слоев под действием импульсного лазерного отжига. В создании этим методом фазовых дифракционных решеток для элементов интегральной оптики.

5. В разработке способа ионно-плазменого напыления диэлектрического покрытия из 5i3 К/д , пригодного для изготовления малошумящих пленарных фотоприемников в системе InP- InGais .

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на Ш Всесоюзной конференции по физическим цроцессам в полупроводниковых гетероструктурах (г.Одесса, 1982 г.) и на У Международной шкоде по когерентной оптике (ГДР, сентябрь 1984 г.).

Публикации. Результаты диссертационной работы опубликованы в 8 печатных работах, список которых приведен в заключительной части диссертации.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения с основными выводами и списка цитированной литературы.

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Создана универсальная ионно-плазменная напылительная установка, оснащенная двумя современными ионно-плазменными распылительными устройствами - пленарным магнетроном на постоянном токе и плазмотроном - распылительным устройством типа ионного источника. Разработаны технологические режимы ионно-плазменного напыления пленок различных материалов: полупроводников и полупроводниковых соединений, металлов, их окислов и нитридов.

2. На монокристаллических подложках (rtAs методом ионно-плазмен-ного напыления получены пленочные оптические волноводы из

Таг0р £nQ > с использованием напыленного слоя SiO^ в качестве буфера; оптические потери в волноводах цри толщинах слоев - I мкм составили ~ I дБ. см""* (на длине волны А = = 0,63 мкм).

3. Впервые цредложен, осуществлен и исследован монолитно-гибридный элемент интегральной оптики, представляющий собой

MJltyls инжекционный гетеролазер, волновод которого эффективно стыкован торец-в-торец с пассивным волноводом, изготовленным из аморфного диэлектрического материала ( ТаД или , ZnO , JU-jOj), полученного ионно-плазменным напылением на общую (с лазером) подложку из • Получена эффективность стыковки волноводов ~ 705S.

4. Впервые создан инжекционный гетеролазер с распределенным брэгговским зеркалом на основе диэлектрического волновода в единой монолитно-гибридной схеме. В таком лазере обнаружена существенно более слабая зависимость положения линии генерал ции от температуры, ^ 0,01 нм.К"*, что на порядок меньше, чем в обычных лазерах с распределенными брэгговскими зеркалами на основе полупроводниковых волноводов.

5. Разработана методика ионно-плазменного напыления аморфных слоев GaP и Si на моно1фисталлическую подложку &яР , имеющих высокую адгезию, сохраняющуюся при импульсном лазерном воздействии. В условиях интерференционного лазерного отжига путем локальной кристаллизации напыленных аморфных слоев на поверхности монокристаллической подложки созданы дифракционные решетки.

6. Разработана технология нанесения ионно-плазменным способом диэлектрических слоев для изоляционного покрытия планарных р- 1 -п фотоприемников в системе IhP ~ In GaJIs . На границе InP и слоя Si3KQ скорость поверхностной рекомби

3 ~т нации составила ~ 10 см.с что позволило уменьшить плотность токов утечки в р-i -п фотоцриемниках, работающих в области длин волн (1,3-1,6)мкм, до 3,5.КГ7 А.сн""^.

Основные материалы диссертации опубликованы в следующих работах:

1. С.А.Гуревич, Е.Л.Портной, Н.В.Пронина, В.И.Скопина. Эффективная монолитно-гибридная стыковка инжекционного гетерола-зера с пленочным волноводом из халькогенидного стекла. -Письма в ЖТФ, 1982, 8, № 4, с.193-197.

2. S.A.Gurevich, E.L.Portnoi, V.I.Skopina. Monolithic-hibrid integration of a diod laser with a deposited wavegude.-Journ. of Opt. Communic., 1982, 3, M, p.133-137

3. С.А.Гуревич, E.Л.Портной, В.И.Скопина, Ф.Н.Тимофеев, К.Фронц. Монолитно-гибридная интегрально-оптическая схема, включающая инжекционный гетеролазер (JtfGoj.% и пленочный волновод из

Та^О.; . - Тезисы Ш Всесоюзной конференции по физическим цроцессам в полупроводниковых гетероструктурах. Одесса, 1982, 2, с.4-6.

4. С.А.Гуревич, С.И.Нестеров, Е.Л.Портной, В.И.Скопина, Ф.Н.Тимофеев. Инжекционный брэгговский гетеролазер с высокой температурной стабильностью длины волны излучения. - Письма в ЖТФ, 1983, 9, № 8, с.456-460.

5. Ю.В.Ковальчук, Е.Л.Портной, Г.В.Островская, А.С.Пискарскас, В.И.Скопина, В.И.Смильгявичус, В.Б.Смирницкий. Лазерный отжиг слоев фосфида галлия, полученных ионно-плазменным распылением.*

Письма в ЖТФ, 1982, 8, № 8, с.462.

6. Ю.В.Ковальчук, Е.Л.Портной, В.И.Скопина, В.Б.Смирницкий, О.И.Смольский, И.А.Соколов. Эпитаксиальная кристаллизация напыленных слоев кремния на подложках GaP в условиях интерференционного лазерного отжига. - Письма в ЖТФ, 1983, 9, 14, с.850-853.

7. Ю.В.Ковальчук, В.И.Кучинский, В.Е.Мячин, В.А.Соколов, В.И.Скопина. Двухдлинноволновый лазерный отжиг полупроводников. - ЖТФ, 1984, 54, № 7, с.1408.

8. В.М.Андреев, А.Т.Гореленок, М.З.Жингарев, Л.Е.Клячкин, В.В.Мамутин, Н.М.Сараджишвили, В.И.Скопина, 0.Г.Сулима, . Н.М.Шмидт. Исследование токов утечки пленарных р-п переходов в InP и р- i -п структурах на основе In GtJs J InP . - ФТП, 1985, 19, № 4, с.668-673.

MB

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Miller St.E. 1.tegrated optics: an introduction. - Bell. Syst. Techn. Journ., 1969, 48, N 7, p.2059-2069.

2. Tien P.K. Light waves in thin films and integrated optics. Appl. Opt., 1971, Ю, p.2395-2413.

3. Kogelnik H., Sosnowski T. Holographic thin film couplers. -Bell. Syst. Techn. Journ., 1970, 49, 1602 p.

4. Goell J.E. A circular-harmonic computer analysis of rectangular dielectric waveguide. Bell Syst. Techn. Journ. 1969, 48, n 7, 2133 P.

5. Alferov Zh.I. abd Portnoi E.L. AlGaAs Heterostructures in Integrated Optics. Jap. Journ. of Appl. Phys., 1977, Suppl. 16-1, 16, p.289-297.

6. Гуревич С.А., Портной E.JI., Райх M.E. Поглощение света в пленочных волноводах GaAs -AIxGaj-xAs и его влияние на пороговые характеристики гетеролазеров с брэгговскими зеркалами. <Ш1, 1978, 12, № 6, с.1160-1169.

7. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. Л.Майссела, Р.Глэнга, т.1, М.: Сов. радио, 1977, 378 с.,.357 с.

8. Sigmund P. Theorey of sputtering. Phys. Rev., 1969, 184, IT 2, p.383-416.

9. Thin film processes ed. by Vossen J., Kern W. New York: Academic Press, 1978, 131 p., 157 p.

10. Ю.Достанко А.П., Ширипов В.Я. Использование конических ионных пучков в технологии тонких пленок.- Электронная обработка мат ериалов,.1980, Р I, с.68-70.

11. Shiller S., Beister G. and Sieber W. Reactive high rate d.c. sputtering: deposition rate, stoichiometry and features of

12. TiOx and TiNx film with respect to the target mode. Thin Solid films 1984, 111, N 3, 259 p.

13. Lemperier G., Poitevin J,M. Influence of the nitrogen partial pressure on the properties of d.c. sputtering titanium and titanium nitrid films.-Thin solid films, 1984, 111, N 4, 339 p.

14. Shiller S., Beister G., Schneider S, and W.Sieber. Features of and in situ measurements on absorbing TiOx films product-ed by reactive d.c. magnetron plasmotron sputtering, -Thin solid films, 1980, 72, IT 3, p.475-483.

15. Данилин B.C., Молчанов Б.Ф., Стрельцова H.H., Шермегор Т.Д. бсадцение пьезоэлектрических пленок окиси цинка в магнетрон-ной системе ионного распыления. Электронная техника, сер. 3. Микрозлектр., 1980, вып.3/87/, с.62-65.

16. Maniv S., Westwood W.D. Oxidation of an aluminium magnetron sputtering target in Ar/02 mixtures. J. Appl. Phys.,1980, 51, N 1 , 718 p.

17. Deshpanday C., Holland L. Preparation and properties of AlgO^ films by d.c. and r.f magnetron sputterin. Thin solid films, 1982, 96, 265 P.

18. Данилин B.C., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982, с.10-44.

19. V/asa К., Hayakawa S. Some features of magnetron sputtering,-Thin solid films, 1978, 52, 31 p.

20. Shiosaki T;, Adachi Ы. and Kawabata A. Piezoelectric ZnO, A1N and K^Li wb 0 films for optical waveguides and surfacej 2 5 15acoust wave devices. Thin solid films, 1982, 96, p.129-140.

21. Hata Т., Torijama К. et al. Optical and electrical properties of Z11O films prepared by high rate sputtering. Thin Solid film 1983, 108, p.325-332.

22. Yamamoto Т., Shiosaki T. and Kawabata A. Characterization of ZnO piezoelectric films prepared by rf planar magnetron sputtering. - J. Appl. Phys. 1980, 51, IT 6, 3113 p.

23. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. Л.Майссела, Р.Глзнга, т.2. М.: Сов. радио, 1977, с.283.

24. Достанко А.П., Грушещшй С.В. и др. Плазменная металлизация в вакууме. Мн.: Наука и техника, 1983, 122 с.

25. Унгер Х.Г. Планарные и волоконные оптические волноводы. -М.: Мир, 1980, с.71-178; 257 е.; 49 с.

26. Интегральная оптика под ред. Тамира. М.: Мир, 1978,с.27-96.

27. Введение в интегральную оптику. Под ред. М.Барноски. -М.: Мир, 1977, с.23-59; 41 с.

28. Алферов Я.И., Гуревич С.А. и др. Определение параметров пленочных волноводов с помощью ввода и вывода света через диффракционную решетку. ЖГФ, 1976, 46, № 3, 558 с.

29. Панков Ж.Оптические процессы в полупроводниках.М:Мир, 1973,

30. Эпитаксия. Диффузия. Окисление. Под ред. П.Бур- " Св гера, Р.Данована.- М.: Мир, 1969, 114 с, 99 с.I

31. Tien Р.К. Light waves in thin films and integrated optics.-Appl. Opt., 1971, Ю, N 11 , 2396 p.

32. Мазец Т.Ф., Паыюв С.К., Шифрин Е.И. Температурная зависимость показателя преломления слоев стеклообразных ASgSgи As2Se3 вблизи 300 К. -Письма в ЖГШ,1982,8,№17,1036 с.

33. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. Коллектив авторов. М.: Наука, 1978, 57 а, 83 с.

34. Pinnov D.A. Guide lines for the selection of acoustooptic materials. IEEE J. Quant. Electr. 1970, QE-6, 223 p.

35. Hensler D.H., Cuthhert J.D., Martin R.J. and Tien P.K. Optical propagation in sheet and pattern generated film of Ta205. Appl. Opt., 1971, Ю, 1037 p.

36. Аникин В.И., Зайцев С.В. и др. Исследование волноводных текстурированных пленок окиси цинка для пленарных акусто-оптических устройств. Письма в 2ЕГФ, 1984, 10, № 15,с.922-925.

37. Khuri Yakuh В.Т., Smits J.G. Reactive magnetron sputtering of ZnO. - J. Appl. Phys., 1981, 52(7), p.4772-4774.

38. Горелик С.С., Расторгуев JI.H., Скаков Ю.А. "Ренгенографи-ческий и электроннооптический анализ". М.: Металлургия, 1970, 147 с.

39. Hall D.G., Spear-Zino J.D. et al. Edge coupling of a GaAlAs DH laser diode to a planar TirLilTbO^ waveguide. Appl. Opt. 1980, 19, N 11, p.1847-1852.

40. Sopori B.L., Chang W.S.C., Phillips C.M. A new method for the efficient interconnection of high-index planar waveguides to lox-index transitional waveguides.-Appl. Phys. Lett., 1976, 29, N 12, p.800-802.

41. Suhara T., Handa Y., Nishihara H. and Koyama J. Monolithic integrated microgratings and photodiodes for wavelength demultiplexing. -Appl. Phys. Lett., 1982, 40, N 2, p.120-122.

42. Гуревич С.А., Портной ЕЛ., Пронина Н.В., Скопина В.И. Эффективная монолитно-гибридная стыковка инжекционного гетеролазера с пленочным волноводом из халькогенидного стекла.

43. Письма в Ш, 1982, 8, Р4, с.193-197.

44. Gurevich S.A., Portnoi E.L., Skopina V.I. Monolythic-Hybrid integration of diode laser with a deposited waveguide. Journ. of opt. coramun., 1982, 3, N 4, p.133-137.

45. Gurevich S.A. Distributed feedback and distributed Bragg reflector heterostructure lasers in integrated optics. Abstracts of 5 th International school of coherent optics. Iena, GDR, 1984, 20 p. ,

46. Furuja K., Miller B.I., Coldren L.A., Howard R.E. Hovel deposit spin waveguide interconnection technique for semiconductor integrated optics. Electronics letters, 1982, 18, H 5, p.204-205.

47. Аникин В.И., Дерюгин Ji.H., Половинкин JI.H., Сотин В.Б. Зкспериментальные исследования плоских оптических волноводов из Та^О^, полученных методом реактивного катодного напыления. ЖТФ, 1977, 4-7, № 10, с.2163-2167.

48. Pas old D., Kuhn H.I., SchrSter В., Miiller R. Fabrication and characterization of low loss optical Ta20^ waveguides. - Abstracts of 5 th International school of coherent optics, Jena, GDR, 1984, 39 p.

49. Sopori B.L., Phillips C.M., Chang W.S.C. Efficient optical waveguide coupler. Appl. Opt. 1980, 19, N 5, p.790-801.

50. Botez D. Hear and far field analytical approximations for the fundamental mode in symmetric waveguide DH lasers. -RCA Rev., 1978, 39, p.577-603.

51. Гуревич G.A., Нестеров С.И., Портной Е.Л., Скопина В.И., Тимофеев §>.Н. Инжекционный брэгговский гетеролазер с высокой температурой стабильностью длины волны излучения.-Письма в }Щ, 1983, 9 № 8,. с.456-460.

52. Burniiam R.D., Scifers D.R., Streifer W. Distributed feedback buried heterostructure diode laser. Appl. Phys.Lett., 1976, 29, p.287-289.

53. Aiki K., Nakamura M., Umeda J., Yariv A., Yen H.W. GaAs-GaAlAs distributed-feedback lasers with separate optical and currier confinement. Appl. Phys. Lett., 1975, 27, N 3, p.145-146.

54. Хайбуллин И.Б., Штырков Е.Й., Залпов М.М. и др. Лазерный отжиг ионно-имплантированных слоев. ВИНИТИ, 1974, деп. № 2061-74, с.1-31.

55. Алум Х.П., Ковальчук Ю.В., Островская Г.В., Портной EJI., Смильгявичус В.й., Соколов И.А. Дифракционные решетки на поверхности полупроводника, полученные пикосекудцным лазерным отжигом. Письма в ЖТФ, 198I, 7, с.1479.

56. Портной Е.Л., Ковальчук Ю.В., Островская Г.В., Пискарскас А.С., Скопина В.И., Смильгявичус В.И., Смирницкий В.Б. Лазерный отжиг слоев фосфида галлия, полученных ионно-плазменным распылением. Письма в ЖТФ, 1982, 8,IP 8, с.462-465.

57. Ковальчук Ю.В., Портной Е.Л., Скопина В.Й., Смирницкий В.Б., Смольский О.В., Соколов И.А. Зпитаксиальная кристаллизация напыленных слоев кремния на подложках GaP в условиях интерi5Zференцтонного лазерного отжига. Письма в ЖК>, 1983, 9, Р 14, с.850-853.

58. Forrest S.R. Performance of In Ga^ As P. „ photоdiodes1. X I -x у i -уwith dark current limited Ъу diffusion, generation, recombination and tunneling. IEEE, J. Quant. Electr., 1981, QE-17 N 2, p.217-226.

59. Forrest S.R. Photodiodes for long-wavelength communication systems.- Fiber optic technology, 1982, 12, p.81-88.

60. Yeats R., Von Dessonneck K. Polyimide passivation of

61. Q ^^GaQ ^yAs, InP and InGaAsP/InP p-n junction. Appl, Phys. Lett., 1984, 44, N 1, p.145-147.

62. Иванов Е.И., Суханов В.Л., Дроздова М.В., Тучкевич В.В., Лопатина Л.Б., Шмидт Н.М. Кремниевые р-п переходы с вольт-амперной характеристикой идельного диода. Письма в ШТФ, 1980, б, И? 14, с.874-877.

63. Glass A.M., Kaminow I.P. et аЛ. Absorption loss and photorefractive-index changes in TiiLiFbO^ crystals and waveguides. Appl.Opt., 1980, 19, N 2, p.276-281.

64. Sonsiewics B.C., Carghan V.M. Electrical properties of metal Si02-silicon structures under mechanical stress.

65. J. Appl. Phys., 1973, 44, « 12, p.5476-5479.

66. Hivoaki Micoshiba. Silicon nitrid film thickness dependence on bipolar transistor characteristics. J. Electrochem. Soc. 1976, 10 p. 1540-1545.