Ионно-плазменный синтез силицидов меди на монокристаллическом кремнии тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Общие закономерности процессов ионно-плазменного синтеза тонкопленочных соединений (обзор литературы).

1.1. Особенности ионно-плазменного синтеза пленок химических соединений.

1.2. Формирование потоков атомных частиц и перенос их к подложке.

1.3. Процессы, происходящие при взаимодействии энергетических частиц с поверхностью твердого тела.

1.4. Активирующее действие ионного облучения на скорость и механизм химических реакций, протекающих на поверхности твердого тела.

1.5. Классификация и практическая реализация методов ионно-плазменного синтеза.

1.5.1. Ионный синтез.

1.5.2. Ионное перемешивание.

1.5.3. Ионно-реактивный синтез и ионно-стимулированное газофазное осаждение.

1.6. Выводы и постановка задачи исследований.

ГЛАВА. 2. Особенности метода ионно-плазменного синтеза.

2.1. Характеристики магнетронного генератора с жидким катодом.

2.2. Особенности механизма нагрева подложки при ионно-плазменном синтезе из жидкой фазы.

2.3. Решение задачи о нагреве системы пленка - подложка при ионно-плазменном воздействии.

ГЛАВА 3. Структура, фазовый состав, электрофизические свойства и кинетика роста тонких слоев в структурах Си - Si.

3.1. Методика изготовления образцов для исследований.

3.2. Методики исследования образцов.

3.3. Результаты исследования структур Си - Si, полученных без подачи потенциала смещения на подложку.

3.4. Результаты исследования структур Си - Si, полученных ионно-плазменным синтезом.

ГЛАВА 4. Физико-химическая модель ионно-плазменного синтеза силицидов меди.

Актуальность работы.

Тонкие пленки химических соединений, полученные на поверхности различных веществ, находят широкое применение в твердотельной электронике, машиностроении и других областях современной техники. Для получения таких пленок используют различные физико-химические процессы, которые позволяют либо нанести уже синтезированное соединение, либо синтезировать соединение в процессе получения пленки. Известны многочисленные способы, позволяющие синтезировать химическое соединение во время формирования пленки: термическое окисление, анодирование, химическое разложение, а также различные ионно-плазменные процессы.

Ионно-плазменный синтез тонкопленочных химических соединений на поверхности твердой фазы представляет собой последовательность сложных физико-химических процессов, конечным результатом которых является образование соединения на поверхности или внутри твердого тела. При взаимодействии потоков плазмы с твердым телом все компоненты, участвующие в этом процессе, как правило, находятся в экстремальных условиях, в которых проявляются их новые и необычные свойства. К таким условиям относятся, прежде всего, высокие энергии ионов и нейтральных частиц в плазме, значительные локальные давления и температуры, развиваемые в твердом теле, а также радиационные повреждения, создаваемые быстрыми ионами в поверхностных слоях взаимодействующих компонентов матрицы и покрытия. Наличие перечисленных факторов приводит к тому, что химические и структурные превращения происходят в состояниях, далеких от термодинамического равновесия и значительно выходящих за рамки объектов классической химии. В процессе ионно-плазменного активирования может меняться не только скорость реакции, но и модифицируется само ее направление таким образом, что могут образовываться соединения (нитриды, оксиды, силициды, алмазоподобные пленки), обладающие целым рядом уникальных свойств.

Исследование превращений, происходящих с веществом, взаимодействующим с плазменными потоками, позволяет глубже понять его физико-химическую природу и прогнозировать свойства неорганических материалов в тонкопленочных гетерогенных системах.

Цель работы.

Направленный ионно-плазменный синтез слоев силицидов меди на поверхности монокристаллов кремния, исследование их состава, структуры и свойств в зависимости от условий ионного воздействия. Для достижения указанной цели были сформулированы и решены следующие задачи:

1. Экспериментальное определение основных энергетических характеристик процесса ионно-плазменного синтеза силицидов меди на кремнии и расчет тепловых потоков на подложку.

2. Решение задачи о пространственно-временной эволюции температурных полей в твердом теле, которое подвергается ионно-плазменному воздействию и определение термического вклада в физико-химические превращения.

3. Выявление основных параметров ионно-плазменного воздействия на процесс синтеза и установление их влияния на фазовый состав и физико-химические свойства силицидов меди.

4. Изучение кинетики и механизма ионно-пламенного синтеза силицидов меди.

5. Разработка физико-химической модели ионно-плазменного синтеза слоев силицидов меди на монокристаллическом кремнии.

Объекты и методы исследования.

Выбор объектов исследования обусловлен следующими соображениями:

1. В состав исследуемых гетерогенных систем должны входить вещества с различным типом химической связи: металлы, полупроводники, диэлектрики.

2. Исследуемые объекты должны позволять осуществлять различные типы физико-химического взаимодействия (образование твердых растворов, химических соединений и т.д.).

3. Исследуемые объекты должны давать возможность использования принципиально различных методов синтеза.

Кремний является основным материалом твердотельной электроники. Способы синтеза различных композиций на его основе доведены до высокого совершенства. В них кремний находится в самых различных состояниях - от аморфного до монокристаллического с разной концентрацией и распределением дефектов и примесей. Особую роль играют процессы, протекающие на поверхности кремния при различных способах внешнего воздействия на него с целью получения тонкослойных композиций с заданными свойствами. Возможность задавать и воспроизводить необходимые параметры определяется, в значительной степени, возможностью стабилизировать определенные состояния системы или управлять ее эволюцией. С этой точки зрения, кремний позволяет реализовывать широкий спектр разных способов синтеза различных слоев на его поверхности - диэлектрических, металлических, полупроводниковых. Большой интерес вызывает синтез в виде тонких слоев различных композиций кремния с металлами. В состав этих композиций могут входить механические смеси, твердые растворы, химические соединения. Задавая и стабилизируя исходное состояние поверхности кремния, выбрав определенный металл (или группу металлов), а также способ и условия их взаимодействия с кремнием, можно создавать различные электронные системы с заданными параметрами. При этом, условия взаимодействия зависят, в первую очередь, от физико-химических свойств выбранного металла. Например, для создания контактно-металлизационных систем на поверхности кремниевых интегральных схем наиболее перспективными являются силициды ряда металлов. Медь является одним из самых перспективных материалов для создания контактных и токопроводящих элементов. Она обладает высокой удельной электропроводностью, легко обрабатывается различными способами, образует сплавы со многими другими металлами. В системе медь - кремний известен ряд фаз, обладающих различными составом, структурой, типом химической связи и электрофизическими свойствами. Здесь имеются ограниченные области твердых растворов и химические соединения - силициды меди. Использование их в виде тонкого слоя на поверхности кремния позволяет, в принципе, создавать твердотельные электронные структуры с самыми разными свойствами/При этом, главная задача состоит в том, чтобы состав, структура, а, следовательно, и свойства этих композиций целенаправленно задавались условиями их синтеза.

Для формирования слоев меди на поверхности кремния был разработан новый метод магнетронного распыления с жидким катодом с подачей на подложкодержатель отрицательного ускоряющего потенциала. Определение тепловых потоков на подложку и средней энергии ионов меди производилось с помощью плоских зондов специальной конструкции. Для сравнения механизмов силицидообразования параллельно с ионно-плазменным осуществлен синтез силицидов меди путем стационарной термообработки в вакууме при различных температурах структур Си - Si, полученных традиционным способом магнетронного осаждения меди на кремний. Толщину слоев определяли на ступеньках и сколах с помощью оптической и растровой электронной микроскопии, а их удельную электропроводность -измерением величины поверхностного сопротивления Rs четырехзондовым методом. Фазовый состав и структуру синтезированных образцов исследовали методами рентгенофазового и рентгеноструктурного анализа.

Научная новизна.

- Разработан новый способ ионно-плазменного синтеза слоев силицидов меди на кремнии, основанный на взаимодействии частично ионизированного потока атомов меди с кремниевой подложкой при магнетронном самораспылении расплава меди.

- Решена задача о нагреве системы пленка-подложка при известных значениях величины теплового потока на поверхность подложки применительно к системе медь - кремний. Развита модель нагрева подложки при ионно-плазменном воздействии, из которой следует, что интегральная температура подложки при малых (5 - 40 с) временах напыления недостаточна для протекания реакций синтеза силицидов без воздействия ионной бомбардировки.

- Синтезированы в условиях ионно-плазменной обработки и исследованы пленки силицидов меди различного состава на кремнии. Установлено, что образование и рост новых фаз на поверхности кремния в условиях ионной обработки происходит при очень малых временах осаждения меди (5 - 40 с).

- Экспериментально определена зависимость фазового состава и электрофизических параметров полученных гетероструктур от дозы ионного облучения и энергии ионов меди. Проведен сравнительный анализ особенностей фазообразования в гетероструктурах Си - Si при ионно-плазменном синтезе и термовакуумном отжиге в стационарных условиях.

- Установлено, что кинетика роста силицидных фаз при взаимодействии ионизированных потоков атомов меди с поверхностью монокристаллического кремния имеет линейный характер, что свидетельствует о превалирующей роли химической реакции.

- Предложена физико-химическая модель ионно-плазменного синтеза слоев силицидов меди, учитывающая специфическое влияние энергетических ионов на структурные и фазовые превращения в твердом теле.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Количественная модель пространственно-временной эволюции температурных полей в системе пленка-подложка при ионно-плазменном синтезе, использующая экспериментально определяемую величину теплового потока на подложку и известные теплофизические характеристики подложки.

2. Результаты, устанавливающие связь между основными параметрами ионного воздействия (энергия ионов и доза ионного облучения) и составом, структурой и электрофизическими свойствами полученных слоев.

3. Физико-химическая модель ионно-плазменного синтеза, учитывающая особенности механизма начальной стадии формирования новой фазы. В основе модели лежит представление о возникновении в твердом теле так называемых тепловых пиков при воздействии на него энергетических ионов. Тепловой пик - это ограниченная область кристаллической решетки, внутри которой в данный момент времени большинство атомов находится в движении. Локальная температура в объеме теплового пика Т = 5-Ю3 К. Из-за высокой температуры давление в такой системе очень высоко (= Ю10 Па), что приводит к возникновению ударных волн, распространяющихся в глубину кристаллической решетки. В таких условиях фазообразование в поверхностных слоях подложки происходит сразу с момента начала осаждения при относительно невысоких интегральных (не выше 873 К) температурах подложки. В дальнейшем на определенной стадии процесс синтеза начинает активироваться также тепловой энергией интегрального разогрева подложки и радиационно-стимулированной диффузией компонентов.

4. Новый способ ионно-плазменного гетерогенного синтеза сложных тонкопленочных фаз на примере системы медь - кремний. Метод заключается в создании частично ионизированного потока атомов меди, направляемого на подложку монокристаллического кремния, находящуюся под отрицательным ускоряющим потенциалом. Плазменный поток генерируется с помощью магнетронного самораспыления и испарения катода из расплава меди. Данный метод позволяет получить на поверхности кремния практически все фазы, существующие в системе Си - Si без специальной дополнительной термообработки подложки, а также пленки чистой меди с повышенными коррозионными свойствами.

Практическое значение.

Разработаны условия направленного синтеза тонкопленочных силицидов меди на монокристаллическом кремнии для создания металлизационных и коммутационных систем при изготовлении новых приборов твердотельной электроники. Получены результаты, устанавливающие связь между основными параметрами ионного воздействия (энергия ионов и доза ионного облучения) и составом, структурой и электрофизическими свойствами слоев силицидов меди. Показано, что предложенный метод ионно-плазменного синтеза позволяет получить на поверхности кремния практически все фазы, существующие в системе Си-Si, без специальной термообработки подложки, а также пленки чистой меди с повышенной стойкостью к окислению. Результаты защищены авторским свидетельством № 1718700 СССР Н 05 К 3/00 от 8.11.1991г.

Апробация работы.

Основные результаты и выводы работы докладывались на следующих конференциях, симпозиумах и семинарах: Всесоюзной научной конференции "Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники", Минск, 1985; XII Всесоюзной конференции по микроэлектронике, Тбилиси, 1987; Всесоюзной научной конференции "Ионно-лучевая модификация материалов", Каунас, 1989. IX Национальной конференции по росту кристаллов НКРК-2000, Москва, 2000.

Публикации.

Основное содержание работы изложено в 9 публикациях, в том числе, в 6 статьях в рецензируемых научных журналах и одном авторском свидетельстве.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы, включающего 101 наименований. Работа изложена на 118 страницах основного текста, иллюстрирована 22 рисунками и содержит 5 таблиц.

выводы

1. Разработана качественная и количественная модель пространственно-временной эволюции температурных полей в системе пленка - подложка при ионно-плазменном воздействии, использующая экспериментально задаваемую величину теплового потока на подложку и известные теплофизические характеристики подложки.

2. Разработана количественная модель о нагреве исследованной системы пленка - подложка при известных значениях величины теплового потока на поверхность подложки при ионно-плазменном воздействии. Показано, что интегральная температура подложки Ts в интервале времен напыления 5-20 с недостаточна для формирования слоев силицидов в термодинамически равновесных условиях.

3. В различных условиях ионно-плазменной обработки синтезированы и исследованы пленки меди и ее силицидов различного состава. Экспериментально установлено, что рост новых фаз на поверхности кремния происходит уже в процессе осаждения меди при подаче на подложку отрицательного потенциала смещения. Исследована зависимость структуры, фазового состава и электрофизических характеристик полученных гетерогенных структур от времени ионно-плазменного синтеза и энергии ионов меди.

4. Экспериментально определены области основных параметров ионно-плазменного синтеза (дозы ионного облучения и энергии ионов меди) с различными механизмами воздействия ионной бомбардировки на процессы, протекающие в тонкопленочных гетероструктурах Си - Si.

5. Проведен сравнительный анализ особенностей фазообразования в структурах Си - Si при ионно-плазменном синтезе и стационарном термовакуумном отжиге. Показано, что глубина химического взаимодействия меди с кремнием при чисто термической обработке значительно ниже, чем при комплексном воздействии, имеющем место в условиях ионно-плазменного синтеза.

6. Экспериментально установлено, что кинетика роста силицидных фаз при взаимодействии плазменных потоков меди с поверхностью монокристаллического кремния имеет линейный характер в диапазоне времен синтеза 5 - 40 с.

7. Разработана физико-химическая модель ионно-плазменного синтеза, учитывающая механизм начальной стадии формирования новой фазы. В основе модели лежит представление о возникновении в твердом теле областей возбуждений и деформаций кристаллической решетки (тепловых пиков и ударных волн) при воздействии на него энергетических ионов. В рамках данной модели интепретируется механизм активирующего воздействия ионной обработки на процесс синтеза при низких значениях интегральной температуры подложки и линейный характер кинетики процесса фазообразования при ионно-плазменном синтезе.

8. Разработан принципиально новый метод ионно-плазменного синтеза тонкопленочных фаз в системе Си - Si, основанный на взаимодействии плотного частично ионизированного потока паров меди с подложкой монокристаллического кремния, находящейся под отрицательным потенциалом смещения. Изучены основные характеристики системы, генерирующей плазменный поток посредством магнетронного самораспыления и испарения катода из расплава меди.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, образование силицидных фаз при ионно-плазменном синтезе является результатом процессов разрыва химических связей Si - Si в областях каскадов атомных столкновений и ударных волн под воздействием ионной бомбардировки и образования связей Си - Si. Результаты, полученные в настоящей работе, свидетельствуют о том, что ионно-плазменный синтез сложных, неравновесных высокодисперсных неорганических систем требует принципиально нового подхода к анализу его условий, отличному от такового для "равновесных" макрофаз. Один из важнейших аспектов такого подхода - разработка условий стабилизации неравновесных систем путем целенаправленного формирования структуры и свойств границ раздела в ней. В данной работе это достигается контролируемым воздействием непосредственно на электронную и атомную подсистемы кристаллической решетки твердого тела высокоэнергетических ионов одного из реагирующих компонентов, находящегося в состоянии низкотемпературной плазмы. Это обстоятельство свидетельствует о существенном отличии используемого метода синтеза от процессов, общепринятых в рамках классической химии. Основными результатами работы являются выявление взаимосвязи между критическими параметрами ионно-плазменного синтеза и физико-химическими свойствами сформированных гетерострукгур силицидов меди, а также интерпретация механизма ионно-плазменного синтеза.

1. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции. М.: Химия, 1978. 360 с.2 .Палатник Л.С., Сорокин В.К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия, 1973. 285 с.

2. Kelly R. On the nature of the phases formed when metals are implanted with oxigen or nitrogen // Radiated Effects. 1982. V. 64. P. 205 220.

3. Brown I.G., Anders A., Dickinson M.R., MacGill R.A., Monteiro O.R. Recent advances in surfase processing with metall plasma and ion beams// Surfase and Coatings Technology. 1999. V. 112. P. 271 -277.

4. Sigmund P. Energy density and time constant of heavy-ion-induced-elastic-collision spikes in solids // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 25. N 3. P. 169 171.

5. Технология тонких пленок. Справочник / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. Пер. с англ. / Под ред. М.И.Елинсопа, Г.Г.Смолко. T.l. М.: Сов. Радио, 1977.664 с.

6. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физическое распыление одноэлементных твердых тел. Пер. с англ./ Под ред. Р. Бериша. -М.: Мир, 1984. 336 с.

7. Kaufman H.R., Harper J.M.E., GuomoJ.J. Development in broad-beam ion sourse technology and applications // J. Vac. Sci. Technology. 1982. V. 21. N. 3. P. 764 766.

8. Лабуное B.A., Данилович Н.И., Громов В.В. Многопучковые ионные источники для систем ионного травления-распыления // Зарубежная электронная техника. 1982. N 5. С. 82 120.

9. Shidoji E., Nakano N., Makabe T. Numerical simulation of the discharge in d.c. magnetron sputtering // Thin Solid Films. 1999. V. 351. P. 37 41.

10. Karpov D.A., Kislov I.F., Ryabchikov A.I., Ganenko A.A. Experiments on thick coatings deposited by means of arc technology // Surfase and Coatings Technology. 1997. V. 89. P. 58 61.

11. Takagi T. Ion-surface interactions during thin film deposition 11 J. Vac. Sci. Technol. A. 1983. V. 2. N. 2. P. 382 388.

12. Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. М.: Атомиздат, 1979. 290 с.

13. Риссел X., Руче И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. 360 с.

14. Лю 3., Майер Дж. Предельный уровень легирования, достижимый при ионной имплантации //В кн. "Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы"/ М.: Мир, 1980. С. 236 253.

15. Химия плазмы: Сб. ст. Вып. 15/ Под ред. Б. М. Смирнова. М.: Энергоатомиздат, 1989. 296 с.

16. Kusano Y., Christou С., Barber Z.H., Evetts J.E., Hutchings I.M. Deposition of carbon nitrid films by ionised magnetron sputtering // Thin Solid Films. 1999. V. 355 356. P. 117 - 121.

17. Strauss G.N., Lechner W., Pulker H.K. Gas pressure influence on the optical and mechanical properties of Ta2Os films produced by reactive low voltage ion plating (RLVIP) // Thin Solid Films. 1999. V. 351. P. 53 56.

18. Ossi P.M., Pastorelli R. Modelling the structural stability of irradiated covalent compounds// Surfase and Coatings Technology. 1998. V. 103 104. P. 9 -15.

19. Ki Hyun Yoon, Woo Jin Choi, Dong Heon Kang. Photoelectrochemical properties of copper oxide thin films coated on an n-Si substrate // Thin Solid Films. 2000. V. 372. P. 250 256.

20. Chowdhury A.K.M.S., Cameron D.C., Monclus M.A. Effect of substrate bias on the bonding structure of carbon nitrid thin films // Thin Solid Films. 1999. V. 355 356. P. 85-88.

21. Laux S., Kaiser N., Zoller A., Gotzelmann R., Lauth H., Bernitzki H. Room-temperature deposition of indium tin oxide thin films with plasma ion-assisted evaporation // Thin Solid Films. 1998. V. 335. P. 1 5.

22. Аброян И.А., Андропов A.H., Титов A.M. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984. 320 с.

23. Арбузов В.Л., Давлетшии А.Э., Подчиненов И.Е., Клоцман С.М. Взаимодействие радиационных дефектов с примесными атомами лития в алюминии // Физика и химия обработки материалов. 1991. № 3. С. 30 32.

24. SoodD.K. //Phys. Let. 1978. V. 68А. № 5 6. P. 469 -472.

25. Быковский Ю.А., Неволим В.Н., Фоминский В.Ю. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов. М.: Энергоатомиздат, 1991. 240 с.

26. Follstaedt D.M. И Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. 1985. V. B7/8. P. 11 19.

27. Jaonen C., Riviere J.P., Delafond J. II Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. 1987. V. B19/20. P. 549 553.

28. Borgesen P., Alford T.L., Lilienfeld D.A., Johnson H.H. Low temperature ion mixing of bilayers arid multilayeres in Ti Cu system // Appl. Phys. 1990. V. A50. P. 161-164.

29. Ma E., Workman T.W., Johnson W.L., Nicolet M.A. Ion mixing of metal/Al bilayers near 77 КII Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 413 415.

30. Johnson W.L., Cheng Y.-T., Van Rossum M., Nicolet M.A. When is termodynamics relevant to ion-indused atomic rearrangements in metall I I Nucl. Instrum. and Methods Phys. Res. 1985. V. B7/8. P. 657 665.

31. Chang G.S., Son J.H., Kim T.G., Chae K.H., Whang C.N., JeongJ.I., Lee Y.P. Effect of cohesive energy on atomic transport in ion beam mixed Co/Pt bilayer film // Thin Solid Films. 1999. V. 341. P. 234 237.

32. Shreter U., So F.C.T., Nicolet M.A. Chromium siliside formation by ion mixing//J. Appl. Phys. 1985. V. 55(10). P. 3500-3504.

33. Wang Z.L., Westendorp J.F.M., Saris F. W. Laser and ion-beam mixing of Cu-Au-Cu and Cu-W-Cu thin films // Nuclear Instruments and Methods. 1983. V. 209/210. P. 115-124.

34. Rauschenbach В., Erfurth W., Linker G., Meyer O. Ion mixing of Cu/Ti and Cu/Fe bilayers I I Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1992. V. B69. P. 277-280.

35. Лифанова Л.Ф. Исследование процессов перемешивания атомов пленки и подложки с ионами аргона // Поверхность. 1998. № 7. С. 102- 107.

36. Ташлыков И.С., Бобрович О.Г., Вишняков В.М., Картер Дж. Взаимопроникновение элементов подложки и пленки, осаждаемой в условиях ионного ассистирования // Физика и химия обработки материалов. 1999. №6. С. 42-46.

37. Salvadori М.С., CattaniM., Vizir A., Monteiro O.R., Yu K.M., Brown I.G. Metal ion mixing in diamond // Surfase and Coatings Technology. 2000. V. 128 -129. P. 375-380.

38. Laverentiev V, Adeev V., Kotko A., Tolopa A. Cu Ti surface-layer mixing by ion-beam modification techniques I I Surfase and Coatings Technology. 1998. V. 106. P. 145- 149.

39. Sankar Dhar, Kulkarni V.N. Atomic transport in Cu/Ge and Co/Ge systems during ion-beam mixing И Thin Solid Films. 1998. V. 333. P. 20 24.

40. Шаяк Ф. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия, 1973. 760 с.

41. Sarkar D.K., Dhara S., Nair K.G.M., Chowdhury S. Studies of formation and chemical states of the ion beam mixed Ag/Si (111) system 11 Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2000. У. В 168. P. 215 220.

42. Дудонис Ю., Иотаутис А. Феноменологическая модель реактивного ионного распыления в магнетронной системе // Литовский физический сборник. 1983. Т. 23. № 3. С. 77 82.

43. Wu L.C., Greene J.E. Mechanisms of reactive- and chemical-sputter deposition of Ti02 from Ti and Ti02 targets in mixed Ar 02 discharges // Journal of Applied Physics. 1979. V. 50. №7. P. 4966-4971.

44. Olsson Kharrazi M, Macak K. Mechanisms for reactive DC magnetron sputtering of elements with different atomic masses: large area coatings of A1 oxide and W oxide // Thin Solid Films. 2000. V. 371. P. 86 94.

45. Ma Z.Q., Zheng Y.F., Li D.L. Use of an energetic ion beam on the surface during physical vapor deposition // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 2000. V. B169. P. 106- 111.

46. Kaltofen R., Sebald Т., Schulte J., Weise G. Plasma substrate interaction effects on composition and chemical structure of reactively r.f. magnetron sputtered carbon nitride films // Thin Solid Films. 1999. V. 347. P. 31 38.

47. RuskeM., Brauer G., PistnerJ., Pfafjlin U., Szczyrbowski J. Properties of Sn02 films prepared by DC and MF reactive sputtering // Thin Solid Films. 1999. V. 351. P. 146-150.

48. Shin S.H., Shin J.H., Park K.J., Ishida Т., Tabata O., Kim H.H. Low resistivity indium tin oxide films deposited by unbalanced DC magnetron sputtering // Thin Solid Films. 1999. V. 341. P. 225 229.

49. Nosaka Т., Yoshitake M., Okamoto A., Ogawa S., Nakayama Y. Copper nitrid thin films prepared by reactive radio-frequency magnetron sputtering // Thin Solid Films. 1999. У. 348. P. 8 13.

50. Stamate M.D. Dielectric properties of ТЮ2 thin films deposited by a DC magnetron sputtering system // Thin Solid Films. 2000. V. 372. P. 246 249.

51. Koski K., Holsa J., Juliet P. Properties of zirconium oxide thin films deposited by pulsed reactive magnetron sputtering // Surfase and Coatings Technology. 1999. V. 120 -121. P. 303 312.

52. Ji Z., Haynes JA., Ferber M.K., Rigsbee J.M. Metastable tetragonal zirconia formation and transformation in reactively sputter deposited zirconia coatings // Surfase and Coatings Technology. 2001. V. 135. P. 109 117.

53. Leiste Я, Dambacher U., Ulrich S., Holleck H. Micro structure and properties of multilayer coatings with covalent bonded hard materials // Surfase and Coatings Technology. 1999. V. 116-119. P. 313 -320.

54. Волосов A.B., Зверев В.В., Неустроев С.А. Плазмохимическое осаждение слоев двуокиси кремния на диэлектрические подложки // В кн.: Плазмохимия 79. Третий Всесоюзный симпозиум по плазмохимии. Тезисы докл. М.: Наука, 1979. С. 274 - 276.

55. Плазменная технология в производстве СБИС. Под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна. М.: Мир, 1987. 472 С.

56. Склярова ЭВ., Туренко Е.А., Яценко О.Б. Синтез слоев диоксида кремния, стимулированный ионной бомбардировкой // Всесоюзная конференция. Ионно-лучевая модификация материалов. Тез. докл. Каунас. Изд-во Каунасского политехнического института, 1989. С.27.

57. Склярова Э.В., Туренко Е.А., Соколов В.И. Плазменный синтез слоев диоксида кремния в ВЧ-магнетронной системе // Всесоюзный научно-технический семинар. Низкотемпературные технологические процессы в электронике. Тез. докл. Ижевск, 1990. С. 24.

58. Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь. 1982. 72 С.

59. Туренко Е.А., Яценко О.Б. Характеристики планарной магнетронной системы распыления. Всесоюзная научная конференция: Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники. Тез. докл. Минск. 1985. Т.2. С. 117.

60. Туренко ЕЛ, Яценко О.Б. Особенности магнетронного разряда в парах материала катода// Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. N°. 13. С. 55 58.

61. Туренко Е.А., Яценко О.Б. Магнетронный плазменный испаритель // XII Всесоюзная научная конференция по микроэлектронике. Тез. докл. Тбилиси. Изд-во Тбилисского университета. 1987. Т. 7. С. 187 188.

62. Васин A.M., Дородное A.M., Петросов В.А. О существовании вакуумной дуги с распределенным разрядом на расходуемом катоде // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5. N24. С. 1499- 1504.

63. Гуров К.П., Гусев О.В., Рослякова Т.Д. и др. О температуре приповерхностного слоя подложки при электронно-лучевом плазменном напылении // Физика и химия обработки материалов. 1981. N 1. С. 86 89.

64. Manos D.M., Budny R.V., Cohen S.A. TETR Prototype Electrostatic-calorimeter Probe Heat // J. Vac. Sci. Technol. 1981. Al. N 2. P. 845 848.

65. Thornton J.A., Lamb J.L. Substrate heating Rates for Planar and Cylindrical-post Magnetron Sputtering Sources // Thin Solid Films. 1984. V. 119. P. 87 95.

66. Туренко E.A, Яценко О.Б. Особенности механизма нагрева подложки при ионном осаждении // Физика и химия обработки материалов. 1992. N 2. С. 9-12.

67. Machet J., Saulnier P., Guille J. Ion Energy Distribution in Ion Plating 11 Vacuum. 1983. V. 33. N 5. P. 279 284.

68. Дине Дж., Виньярд Дж. Радиационные дефекты в твердых телах. М.: Издательство иностранной литературы, 1960. 243 С.

69. Рыкалин Н.Н., Углов А.А., Макаров Н.И. К расчету нагрева пленок излучением лазера // Физика и химия обработки материалов. 1971. N 2. С. 3 -8.

70. Эккерт Э.Р., Дрейк P.M. Теория тепло- и массообмена.-М.: Государственное энергетическое издательство, 1961. 680 С.

71. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964. 487 С.

72. Туренко Е.А., Яценко О.Б. Условия нагрева системы пленка-подложка поверхностным источником // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. T.l. N 2. С. 200 202.

73. Способ изготовления двухуровневой коммутационной платы. А.С. 1718700 СССР Н 05 К 3/00 от 8.11.91. Максименкое Н.В., Рудаков В.И., Сергеев В.П., Туренко Е.А., Яценко О.Б.

74. Koh S.K., ChoiS.C., Kim К.Н., JungH.-J., Choi G.J., YangH.S., Cho Y.S. Effects of Cu seeding on Si grown by partially ionized beam in plasma enhanced chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1999. V. 347. P. 121 123.

75. Структура и свойства металлов и сплавов. Справочник / Барабаш О.М., Коваль Ю.Н. Кристаллическая структура металлов и сплавов. Киев: Наукова думка, 1986. 600 с.

76. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера: Пер. с англ./ В.Ф. Киселева, В.В. Поспелова. М.: Мир, 1982. 576 с.

77. Jiang Н., Klemmer T.J., Barnard J. A., Doyle W.D., Payzant Е.А. Epitaxial growth of Cu(lll) on Si(110) by magnetron sputtering: orientation and twin growth // Thin Solid Films. 1998. V. 315. P. 13 16.

78. Popovic N., Bogdanov Z., Goncic В., Zee S., Rakocevic Z. The influence of ion bombardment intensity during deposition on nickel films microstructure // Thin Solid Films. 1999. V. 343 344. P. 75 - 80.

79. Adams B. James., Wang Zhiyong., Li Youhong. Modeling Cu thin film growth // Thin Solid Films. 2000. V. 365. P. 201 210.

80. Трушин О.С., Бочкарев В.Ф., Наумов В.В. Моделирование процессов эпитаксиального роста пленок в условиях ионно-плазменного напыления // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. № 4. С. 296 309.

81. Kief М.Т., EgelhoffW.F. Growth and structure of Fe and Ag thin films on Cu(l 11), Cu(100) and Cu(l 10): A comprehensive study of metastable film growth // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. P. 10785 10814.

82. Jianming Fu, Peijun Ding, Femand D., Zheng Xu, Fusen Chen. Deposition of copper by using self-sputtering // J. Vac. Sci. Technol. 1999. A17(5). P. 2830 -2834.

83. Туренко Е.Л., Яценко О.Б. Ионно-плазменный синтез тонких слоев в системе медь кремний // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. Т. 1. № 3. С. 267-275.

84. Туренко Е.А., Яценко О.Б. Ионно-плазменный синтез тонких слоев силицидов меди на поверхности монокристаллов кремния // Неорганические материалы. 2002. Т. 38. № 3. С. 285 289.

85. Габович М.В., Плешивцев Н.В., Семашко Н.Н. Пучки ионов и атомов для управляемого термоядерного синтеза и технологических целей. М.: Энергоатомиздат, 1986. 248 С.

86. Самсонов Г.В., Дворина Л.А., РудъБ.М. Силициды. М.: Металлургия, 1979. 272 с.

87. Залкин В.М. Природа эвтектических сплавов и эффект контактного плавления. М.: Металлургия, 1987. 152 с.

88. Ефименко Л.П. "Нуклеационная" концепция появления жидкой фазы при контактном плавлении // Неорганические материалы. 1999. Т.35. № 8. С. 1014-1017.

89. Диденко А.Н., Лигачев А.Е., Куракин КБ. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов. М.: Энергоатомиздат, 1987. 184 с.

90. Sigmund P. Erratum: Energy density and time constant of heavy-ion-induced elastic-collision spikes in solids // Applied Physics Letters. 1975. V. 27. № l.P. 52.118

91. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф. О размерах индивидуальных каскадов и плотности упруговыделяемой энергии при ионном облучении // Поверхность. Физика, химия, механика. 1990. № 1. С. 51 53.

92. Комиссаров А.П., Махлин НА., Поляков ВА. Изменения в поверхностных слоях металлов при низкоэнергетическом облучении ионами активного газа // Физика и химия обработки материалов. 1991. №3. С. 5 13.

93. Крейнделъ Ю.Е., Овчинников В В. Фазовые превращения нетепловой природы и эффекты дальнодействия при бомбардировке сплавов ионами газов // Физика и химия обработки материалов. 1991. №3. С. 14-20.

94. Адлене Д.З., Пранявичус Л.И. Генерация упругих волн в имплантируемых твердых телах // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. №5. С. 100-106.

95. Павлов П.В., Семин ЮЛ., Скупое В.Д., Тетелъбаум Д.И. Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке, на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов // Физика и техника полупроводников. 1986. Т. 20. вып. 3. С. 503 507.

96. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии. М.: Высшая школа, 1988. 255 с.

97. Туренко ЕЛ., Яценко О.Б. Фазовые превращения при ионно-плазменном синтезе тонкопленочных силицидов меди // Конденсированные среды и межфазные границы. 2000. Т. 2. № 3. С. 218 222.