Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Методы исследования, аппаратура и методики расчетов

1.1 Методы исследования

1.1.1. Дифракция электронов низких энергий

1.1.2. Просвечивающая электронная микроскопия и микродифракция

1.1.3. Электронная ожэ-спектроскопия и спеьароскопия характеристических потерь энергии электронами

1.1.4. Оптическая спектроскопия твердых тел

1.1.5. Дифференциальная отражательная спектроскопия 3 О

1.1.6. Спектральные исследования фотоэффекта в полупроводниках

1.1.7. Методы электрофизических зондовых измерений

1.1.8. Сканирующая тзлЕшельная зондовая мивфоскопия

1.2. Экспериментальная аппаратура

1.2.1. Сверхвысоковакуумные установьси

1.2.2. Автоматизированная установка для температурных холловских измерений.

1.2.3. Автоматизированная установка для температурных исследований фотопроводимости и фотоэдс

1.2.4. Спектрофотометры для оптической спектрометрии твердых тел

1.2.5. Вакууммированная приставка для регистрации оптических спектров при повьппенных температурах

1.2.6. Двухканальная установка для регистрации спектров отражения в сверхвысоком вакууме

1.2.7. Установка для исследования температурных зависимостей термоэдс в тонкопленочных образцах

1.3. Методики и схемы экспериметггов

1.3.1. Методики приготовления образцов и источников

1.3.2. Схемы ростовых экспериментов

1.3.3. Режимы измерений, контроль чистоты поверхности образцов и методики расчета данных ДМЭ, ОЭС и ХПЭЭ

1.4. Методы расчетов параметров пленок и гетероструктур

1.4.1. Расчет оптических параметров тонких пленок на кремнии по спектрам пропускания и поглощения

1.4.2. Расчет оптических параметров тонких пленок на кремнии по спектрам отражения из интегральных соотношений Крамерса-Кронига

1.4.3. Метод расчета электрических параметров в двухслойных системах

1.4.4. Методика записи и обработки спектров пропускания и отражения в диапазоне температур 293-583 К

Глава 2. Атомная и электронная структура и оптические свойства тонких пленок полупроводниковых силицидов хрома, железа и магния на Si(Ш)

2.1. Эпитаксиальный рост и структура сплошных пленок СгБ12 А- и В-типа на 81(1 11)

2.2. Формирование, состав и морфология тонких пленок Mg2Si на 81(1 11)

2.3. Оптические функции и электронная структура эпитаксиальных пленок С^2 На81(111)

2.4. Оптические функции и электронная структура тонких пленок MgiSi на 81(1 11)

2.5. Формирование, оптические функции и электронная структура эпитаксиальных пленок p-FeSi2 на 81( 111)

2.6. Выводы

Глава 3. Электрические свойства эпитаксиальных пленок Сг8п и тонких пленок Mg2SiHaSi(lll)

3.1. Влияние удельного сопротивления кремниевой подложки на шунтирование параметров пленки полупроводникового силицида

3.2. Электрический транспорт и механизмы рассеяния носителей в эпитаксиальных пленках С^2 на 81( 111) с высоким удельным сопротивлением

3.3. Электрический транспорт и механизмы рассеяния в тонких пленках Mg2SiHaSi(111)

3.4. Плазменный резонанс в эпитаксиальных пленках С^2 на 81(1 11)

3.5. Выводы

Глава 4. Фотоэлектрические свойства пленок и гетероструктур на основе полупроводниковых силицидов хрома, железа и магния на кремнии

4.1. Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицидовхромана81(111)

4.2. Фотоэлектрические, вольтамперные и вольтфарадные характеристики гетероструктур CrSi2/Si( 111)

4.3. Фотоэлектрические, вольтамперные и вольтфарадные характеристики гетероструктур |3-FeSÍ2/Si(l 11)

4.4. Фотоэлектрические, вольтамперные и вольтфарадные характеристики гетероструктур Mg2Si/Si( 111)

4.5. Выводы

Глава 5. Формирование, электрические и оптические свойства поверхностных фаз Сг, Fe, Mg и двумерного моносилицида хрома на кремнии

5.1. Влияние субмонослойных и монослойных повфытий Сг, Fe и Mg на проводимость атомарно-чистой поверхности кремния

5.2. Формирование, электрические и оптические свойства зшорядоченных поверхностных фаз хрома, железа и магния на Si(l 11)

5.3. Формирование, электрические и оптические свойства двумерного моносилицида хрома на Si( 111)

5.4. Вьшоды

Глава 6. Формирование и оптические свойства наноструктур с нанометровыми островкам на основе силицидов Сг и Mg на Si(Ш)

6.1. Формирование наноразмерных островков в системе CrSÍ2/Si(Ш)

6.2. Формирование наноразмерных островков в системе Mg2Si/Si(l 11)

6.3. Формирование и оптические свойства материалов с захороненными нанометровыми островками из полупроводниковых силицидов

6.4. Выводы

Основные результаты работы

Развитие кремниевой планарной технологии сопровождается с одной стороны уменьшением толщины и размеров активных и пассивных элементов интегральных схем , а с другой стороны - расширением базы полупроводниковых, металлических и диэлектрических материалов, совместимых с кремниевой технологией. Особое место среди таких материалов занимают кремнийсодержапще соединения - силициды металлов, которые могут обладать металлическими [1-6] и полупроводниковыми [8] свойствами. Полупроводниковые силициды металлов с малой шириной запрещенной зоны (0.35-0.87 эВ) представляют значительный интерес, поскольку могут быть выращены эпитаксиально на кремнии [9-26], а выращенные гетероструктуры - могут обладать новыми, оптическими, электрическими и фотоэлектрическими свойствами [14618626-56]. Так как кремний является основным материалом современной полупроводниковой электроники, то исследования роста и свойств новых кремнийсодержапщх полупроводниковых материалов в виде тонких, сверхтонких и островковых пленок на монокристаллическом кремнии является актуальным.

Толстые пленки (200-800 нм) дисилицидов хрома (CrSi2) и железа (P-FeSia) в последние годы стали объектом интенсивных исследований [8,9-56], что привело к накоплению информации о процессах формирования и стрзАтуре толстых пленок, их электрических и оптических свойствах. Известно, что силициды различных металлов (например, №, Со, Сг, Ре) эпитаксиально растут на кремнии [9-26,57-60]. Это позволяет осуществлять двойную гетероэпитаксию в структуре кремний - силицид металла -кремний. Для систем Si/NiSi2/Si Si/CoSia/Si двойная гетероэпйтаксия бьша осуществлена [61-64] и на основе этих гетероэпитаксиальных структур были изготовлены новые приборы: транзисторы с металлической и проницаемой базой [61, 65-68] и сверхрешетки

69.70]. Создание подобных структзф закладывает основы технологии трехмерных интегральных схем [2,69]. Толщина эпитаксиальных пленок в таких структурах должна быть порядка и менее 20 нм, что накладывает дополнительные требования к сплощности таких пленок. Проблемы роста сверхтонких пленок бьша в основном решена для NiSi2

62.71] и CoSi2 [67,68] с использованием метода затравочного слоя (template). Данный метод в модифицированном виде был использован для эпитаксиального роста пленок полупроводникового силицида хрома [24,25] и железа [72]. Однако достаточно толстые эпитаксиальные пленки дисилицида хрома (>100 нм) выращены не бьши, что не позволило исследовать их электрические и оптические свойства. Несомненный интерес с фундаментальной и практической точек зрения представляют тонкие (20-100 нм) и сверхтонкие (5-10 нм) сплопшые пленки полупроводниковых силиплдов хрома и железа, выращенные эпитаксиально на монокристаллическом кремнии в сверхвысоковакуумных условиях [10-14,16,17,19,21-25], поскольку в них могут наблюдаться напряженные (псевдоморфные) или релаксированные (сетки дислокащш) слои. Электронная структура и свойства напряженных и релаксированных пленок могут сильно отличаться от электронной структуры и свойств объемных образцов. Однако оптимальные условия роста, а также электрические и оптические свойства тонких и сверхтонких эпитаксиальных пленок силицидов хрома и железа подробно не исследовались. Полупроводниковый силицид магния (М§2Б1) обладает интересными полупроводниковыми и термоэлектрическими свойствами [41,73], что делает его перспективным для разработки эффективных термоэлектрических преобразователей энергии. Однако методы роста силицида магния на кремшш не бьши приспособлены для контролируемого наращивания тонких пленок [15,74-76], что не позволило провести до настоящего времени комплексные исследования их электрических и оптических свойств. Значительный интерес с фундаментальной точки зрения представляют поверхностные фазы (ПФ) переходных (Сг, Ре) и щелочноземельных (Mg) металлов как новые двумерные материалы на кремнии [20,24,77-80]. Известно, что поверхностные фазы металлов на кремнии [81] обладают собственной атомной и электронной структурой, электрическими и оптическими свойствами, которые тесно связаны с реконструкцией поверхности кремния. Электрические свойства поверхностных фаз благородных и полублагородных металлов на кремнии стали объектом интереса со стороны нескольких групп исследователей [82-93]. Показано, что транспортные свойства поверхностных фаз зависят от их двумерной энергетической структуры и в ряде случаев [82] наблюдается проводимость по двумерной зоне или легирование двумерных материалов адатомами, адсорбирующимися на их поверхности. Некоторые из ПФ являются также фазами-прекурсорами для эпитаксиального роста силицидов различного состава [72,79]. Однако свойства поверхностных фаз переходных и щелочноземельных металлов ранее в условиях сверхвысокого вакуума не исследовались. Исследование проводили лишь для захороненных поверхностных фаз хрома и индия [94,95], но в этом случае поверхностные фазы были разрушены и исследовались свойства различных нестехиометрических смесей силицидов на поверхности кремния. Свойства ПФ как двумерных материалов на поверхности кремния подвержены окислению, а также разрушению при закрытии слоем кремния и могут быть исследованы только в условиях сверхвысокого вакуума. Определение электрических и оптических параметров двумерных материалов требует развития сверхвысоковакуумных методов исследования электрических [82,86,87] и оптических [96-98] свойств в ростовых камерах, что является сложной задачей с методической и технической точек зрения.

При уменьшении толщины осаждаемого металла до долей и единиц монослоев на поверхности кремния образуются островки полупроводниковых силицидов нанометровых размеров [99-101], в которых могут проявляться квантовые эффекты (нульмерные объекты). Переход от тонких сплошных (трехмерных и двумерных) эпитаксиалъных пленок к островковым эпитаксиальным пленкам с нанометровыми размерами островков и их большой плотностью может открыть новые возможности при создании приборных наноструктур, представляюшцх интерес для фотоэлектрических и термоэлектрических преобразователей. Исследования наноструктур с полупроводниковыми силицидами металлов на кремнии до настоящего времени в мире не проводились.

Цель работы: Экспериментальное исследование особенностей атомной и электронной структуры, электрических, оптических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых силицидов хрома, железа и магния на кремнии при переходе от объемных эпитаксиалъных пленок к двумерным псевдоморфным пленкам, поверхностным фазам и нуль-мерным объектам (квантовым точкам). Для достижения этой цели необходимо решение ряда научных задач, которые и составили содержание данной работы.

1. Исследовашм оптимальных условий роста эпитаксиалъных пленок дисилицида хрома и тонких пленок силицида магния на 81(111) с использованием метода затравочного слоя.

2. Исследование влияния структуры и морфологии тонких пленок полупроводниковых силицидов хрома, железа и магния на параметры зонной энергетической структуры, оптические и электрические свойства.

3. Исследование фотопроводимости в эпитаксиальных пленках дисилицида хрома и фотоэлектрических свойств гетероструктур силицидов хрома, железа и магния на кремнии с целью установления механизма возбуждения фотопроводимости и особенностей генерации фотоэдс.

4. Определение механизмов проводимости в псевдоморфных пленках двумерных Силицидов и упорядоченных поверхностных фазах хрома, железа и магния на кремнии в процессе формирования и установление их связи с зонной энергетической структурой по данным in situ электрических и оптических измерений.

5. Исследование процесса формирования наноразмерных островков (квантовых точек) в системах CrSi2/Si(lll) и Mg2Si/Si(lll), а также исследование влияния захороненных наноразмерных островков полупроводникового дисилицида хрома на оптические функции кремниевой матрицы.

Научная новизна

Работа содержит новые экспериментальные и методологические результаты, наиболее важными из которых являются следующие:

1. Определена оптимальная температура роста тонких эпитаксиальных пленок дисилицида хрома А- и В-типа на затравочных слоях CrSi2 на Si(lll) в условиях сверхвысокого вакуума.

2. Развита методика роста тонких сплошных пленок силицида магния на Si(lll), использующая создание затравочных островков Mg2Si и метод твердофазной эпитаксии из мультислоев Mg и Si.

3. Рассчитаны оптические функции тонких эпитаксиальных пленок полупроводниковых силицидов хрома и магния в диапазоне энергий фотонов 0.1-6.2 эВ и выявлены особенности вкладов первых межзонных переходов в диэлектрическую функцию силицидов на основе эмпирического моделирования.

4. Установлено, что в эпитаксиальных пленках дисилицида хрома отсутствует вырождение дьфок, достигаются их высокие подвижности (до 2980 смА/В-сек) и изменяется механизм рассеяния дырок (Цр ~ Т'а) в диапазоне температур 200-500 К.

5. Показано, что в тонких эпитаксиальных пленках CrSi2 с низкой концентрацией дырок наблюдается возбуждение фотопроводимости.

6. Исследованы электрические свойства сверхтонких пленок силицида магния на

81(111)-подложках, определен механизм рассеяния основных носителей (Цр ~ Т"*) и энергии активации проводимости (0.385 эВ и 1.39 эВ).

7. На основе систематического исследования фотоэлектрического эффекта в гетероструктурах Сг512/81(111), р-Ре812/81(111) и М§281/81(111) на подложках с разным типом проводимости и установлена связь между их спектральной чувствительностью, вкладами гетеропереходов, встроенного р-п перехода и поверхностных состояний на границе раздела силицид - кремний.

8. Систематически исследовано влияние адсорбции хрома, железа и магния на проводимость атомарно-чистого кремния методом эффекта Холла в сверхвысоком вакууме. Впервые установлена связь между измеряемыми параметрами, поверхностными состояниями, положением уровня Ферми в системе и проводимостью через адсорбированный слой.

9. В условиях сверхвысокого вакуума исследованы электрические и оптические свойства упорядоченных поверхностных фаз (ПФ) хрома, железа и магния на 81(111) и определены механизмы проводимости носителей.

10. Исследованы механизмы проводимости в псевдоморфных пленках моносилицида хрома на кремнии в условиях сверхвысокого вакуума.

11. Исследовано формирование квантово-размерных островков СТ812 и М§281 на 81(111), определены условия их зарождения и максималькше размеры.

12. Обнаружено, что кремний с захороненными островками дисилицида хрома проявляет новые оптические свойства, которые связаны с существованием в электронной структуре материала новой сильной полосы поглощения (1.3-1.7 эВ), связанной с особенностями зонной структуры системы наноразмерных островков дисилицида хрома.

Защищаемые положения

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Определенные в работе условия роста полупроводниковых силицидов хрома и магния на 81(111) позволяют надежно и воспроизводимо получать тонкие сплошные эпитаксиальные пленки СТ812 А- и В-типа и М§281 на 81(111) с толщинами 20 - 100 нм.

2. По сравнению с реальными объемными монокристаллами в тонких эпитаксиальных пленках Сг812 и МдгЗ! на монокристаллическом кремнии 81(111) наблюдается изменение энергетического положения, силы осцилляторов первьк межзонных переходов и механизмов рассеяния основных носителей, уменьшение их концентрации и увеличение подвижности.

3. Фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках полупроводниковых дисилицидов хрома и фотоэдс в гетерострукгурах Сг812/81(111), Р-Ре812/81(111) и М§2 81/81(111) на подложках с разным типом проводимости определяется несколькими межзонньийи переходами, начиная с фундаментального, а величина и знак фотоэдс определяется зонной энергетической структурой гетероперехода, наличием встроенного р-п перехода и плотностью поверхностных состояний на границе раздела силицид - кремний.

4. Установлена взаимосвязь между структурой, оптическими и электрическими свойствами неупорядоченных монослоев хрома, железа и магния, их упорядоченных поверхностных фаз и двумерного моносилицидов хрома на 81(111). В субмонослойной области толщин адсорбируемых металлов проводимость системы адсорбат -подложка определяется проводимостью по области пространственного заряда, создаваемого перезаряжаемыми поверхностными состояниями, или, в их отсутствие, проводимостью подложки, а слоевая проводимость для неупорядоченных слоев Сг и Ре на 81(111) начинается с 2.5-3.0 монослоев, поддерживается электронами и и зависит от состава образующейся смеси. Проводимость и оптическое поглощение упорядоченных поверхностных фаз Сг, Ре и Mg и двумерного моносилицида Сг определяется типом их двумерной энергетической зоны и может иметь полупроводниковый или металлический характер.

5. Установлена взаимосвязь между толщиной осаждаемого металла (Сг, М^), температурой подложки, плотностью и размерами самоформируюпщхся островков полупроводниковых силицидов на 81(111). Формирование островков Сг812 А-типа проходит в два этапа: зарождение и двумерный рост и трехмерное разрастание, а рост островков М£281 является трехмерным с начальных стадий осаждения магния. Встроенные в кремний островки дисилицида хрома нанометровых размеров приводят к формированию новой полосы поглощения в зонной энергетаческой структуре кремния. Публикашш по работе

По материалам диссертации опубликовано 85 печатных работ, включая 28 статей в центральной и международной печати, 19 статей в сборниках трудов международных конференций и школ и 38 тезиса международных, всесоюзных, российских и региональных симпозиумов, конференций, школ и рабочих совещаний. Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, обпщх вьтодов и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 304 страницы, включая 166 рисунков, 11 таблиц и список литературы из 287 наименований. Глава 1

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Для решения задачи роста тонких эпитаксиальных пленок дисилицидов хрома, железа и силицида магния предложено использовать методику роста на затравочных слоях, сформированных методами твердофазной или реактивной молекулярно-лучевой эпитаксии, обеспечивающих возможность управления механизмом роста и ориентацией пленок. Определены условия оптимального эпитаксиального роста и структура тонких пленок Сг812(0001) А- и В-типа [24-26,172,275,277] и условия роста и морфология тонких пленок М£281 на 81(111) [218,219]. Выращены тонкие сплопшью эпитаксиальные пленки Сг812, Р-Ре812 [287] и тонкие сплошные плеьпси М§281 с малым среднеквадратичным отклонением от поверхности подложки. Апробированные методики роста могут быть использованы для создания приборных гетероструктур силицид - кремний.

2. Методами оптической спектроскопии, расчетов и моделирования диэлектрической функции в диапазоне энергий 0.09-6.2 эВ определены оптические функции тонких эпитаксиальных пленок Сг812 [55, 96,173,193,194,265,268,269,271,] р-Ре812 [279,281,287]и тонких сплошных пленок М§281 [218,219,279] на 81(111) и параметры их зонной энергетической структуры. Показано, что в электронной стрзАктуре эпитаксиальных пленок Сг812(0001) А- и В-типа и Р-Ре812 наблюдается рост силы осцилляторов первых межзонных переходов по сравнению с монокристаллами. Установлено, что в области энергий фотонов 0.7-1.8 эВ в пленках М§281 наблюдается появление дополнительной полосы поглощения, которая не наблюдалась ранее в объемных монокристаллах.

3. Методом температурных холловских измерений на высокоомных кремниевых подложках показано, что эпитаксиальные пленки Сг812 являются невьфожденными полупроводниками с малой концентрацией дырок (ЫО" см"А), высокой подвижностью (>2000 смАА/В-сек) и шириной запрещенной зоны Е2=0.34 эВ. Обнаружен новый вид температурной зависимости холловской подвижности дьфок (р,н~Т'А) [26,172,191]. На температурных зависимостях концентрации дырок обнаружены три активациошщтх участка, соответствующих энергии активации дырок (Еа=0.01 эВ), ширине запрещенной зоны £2=0.34 эВ и второму межзонному переходу Е1=0.84 эВ. Методом возбуждения плазменного резонанса и расчетов впервые показано, что эффективная масса дырок в эпитаксиальных пленках Сг812 составляет 0.1 бШе- Температурные холловские измерения показали, что тонкие сплошные пленки Мд281 на 81(111) являются полупроводниковым материалом р-типа проводимости с концентрацией дырок (1-3)-10аа см'А, подвижностью 1300-1500 смА/В-сек и шириной запрещенной зоны 0.77 эВ. На температурной зависимости концентрации носителей наблюдаются два активационных участка с шириной запрещенной зоны Е5=0.77±0.02 эВ и Е1=2.74+0.02 эВ для обоих типов подложек [279]. Обнаружено, что в диапазоне температур 330-400 К подвижность дырок уменьшается по закону /Хр=1-10АТ"А

4. Показано, что уменьшение концентрации дырок в эпитаксиальных пленках Сг812 приводит к возбуждению в них собственной фотопроводимости, а в формировании сигнала фотопроводимости участвуют первых три прямых межзонных перехода с энергиями 0.37 эВ, 0.73 эВ и 0.93 эВ [55,171] . Систематически исследовано формирование сигнала фотовыхода в гетероструктурах Сг812/81, Р-Ре812/81 и Мд281/81 вьфащенных на подложках р- и п -типа хфоводимости со встроенньпА и без встроенного р-п перехода [216,218,219,272,286]. Впервые показано, что фотоспектральная чувствительность всех типов гетероструктур определяется несколькими прямыми межзонными переходами в Сг812, Р-Ре812 и М§281 и фундаментальным переходом в кремнии. В гетероструктурах со встроенным р-п переходом фотовыход определяется глубиной залегания р-п перехода, толщиной пленки и плотностью поверхностных состояний на границе раздела. Увеличение каждого из параметров приводит к снижению фотовыхода гетероструктуры. Обнаружено, что направления полей гетероперехода и р-п перехода совпадают для гетероструктур Сг812-р/81-р/81-п, Р-Ре812-р/81-р/81-п и имеют разные направления для гетероструктуры М§281-р/81-р/81-п. Установлено, что максимальный фотовьпсод имеют гетероструктуры Сг812-р/81-п и р-Ре812-р/81-п с толстыми эпитаксиальными пленками дисилицидов хрома и железа. Построены зонные диаграммы для всех типов гетероструктур.

5. На основе развитого двухчастотного автоматизированного метода температурных измерений эффекта Холла в сверхвысоковакуумной камере [97,273,280] впервые исследованы транспортные свойства неупорядоченных слоев Сг, Ре и М§ при их адсорбции на атомарно-чистую поверхность кремния 81(111)7x7 и их поверхностных фаз. Установлено, что в субмонослойной области толщин адсорбируемых металлов проводимость системы адсорбат - подложка [139,203,234,274,278,284] определяется проводимостью по области пространственного заряда, создаваемого поверхностными состояниями, или, в их отсутствие проводимостью подложки, а слоевая проводимость для неупорядоченных смесей (Сг и 81), (Ре и 81) начинается с 2.5-3.0 монослоев и поддерживается электронами. Показано, что поверхностные фазы хрома, железа и магния могут обладать металлическим или полупроводниковьпи типом проводимости [140,270], что подтверждаются данными дифференциальной отражательной спектроскопии [98,282] в условиях сверхвысокого вакуума. По данным оптических и температурных электрических измерений установлено, что двумерные эпитаксиальные пленки моносилицидов хрома [94,95,276,285] обладают полуметаллическими свойствами с низкой концентрацией дырок.

6. Установлено, что при реактивной молекулярно-лучевой эпитаксии из потока хрОма на 81(111) формирование островков Сг812(0001) проходит в два этапа: зарождение и двумерный рост и трехмерное разрастание. Показано, что "квантовыми точками" могут считаться островки Сг812(0001) с линейными размерами не более 6 нм, что соответствует первой стадии формирования двумерных островков Сг812(0001) [266,267]. В системе Mg28i/8i(lll) формирование островков является трехмерным не зависимо от способа осаждения магния и кремния, а зависит от температуры и длительности отжига тонких пленок магния или силицида магния. Кратковременный высокотемпературный (400-500 °С) отжиг слоя магния на кремнии позволяет 1фемнию участвовать в процессе силицидообразования и формировать затравочные островки силицида магния с различной плотаостью. Осаждение магния с высокой скоростью (более 2 нм/мин) на кремний с предварительно сформированными островками силицида магния при температуре 400 °С приводит к разрастанию островков силицида магния при участии кремния подложки в силицидообразовании. В наноструктурах с захороненным в кремнии слоем островков CrSÍ2(001) А-типа с нанометровыми размерами и высокой плотностью наблюдается появление сильной полосы поглощения (1.3-1.7 эВ), связанной с особенностями зонной структуры системы наноразмерных островков дисИлицида хрома [267]. Данная полоса поглощения отсутствует в объемном кремнии и дисилициде хрома.

В заключении автор считает своим дожом выразить признательность за постоянное внимание к работе, материальную поддержку лаборатории и научные консультации директору НТЦ полупроводниковой микроэлектроники член-корр. РАН, профессору Виктору Григорьевичу Лифщицу, к.ф-м.н., доценту кафедры "Электроника" ИФИТ ДВГУ Виталию Александровичу Иванову за разработку и изготовления блоков электроники к автоматизированным холловским установкам и других блоков электроники, без которых не смогли бы работать установки, на которых вьшолнена данная работа. Автор признателен за проявления дружеского внимания и методические консультации д.ф.-м.н., зав. лабор. НИ. Плюснину, к.ф-м.н., зав. лабор. В.В. Коробцову, д.ф.-м.н., зав. лабор. A.A. Саранину, д.ф.м.н., гл. н.с. A.B. Зотову, д.ф.-м.н., в.н.с. В.Ю. Назарову, к.ф.-м.н., с.н.с. Ю.Л.Гаврилюку.

Автор признателен сотрудникам фирмы NT MDT (Зеленоград) и к.ф.-м.н. с.н.с. В.Н Конопскому (ИСАН, Троицк) за возможность проведения работ на многомодовом зондовом сканирующем микроскопе SOLVER Р47 и за разрещение использовать полученные снимки в своей диссертации.

Автором разработаны и сформулированы основнью положения, идеи и модели диссертации, предложены и апробированы новые методики роста и исследований в условиях сверхвысокого вакуума, написаны основнью публикации и спланированы все основные эксперименты по исследованию структуры и свойств пленок силщщдов, поверхностных фаз металлов и наноразмерных островковых систем. Он проводил эксперименты, или принимал участие на всех стадиях получения и обсуждения экспериментальных результатов. Участие соавторов основных публикаций заключалось в следующем: член-корр. РАН В.Г. Лифщиц участвовал в обсуждении опубликованных совместно с ним результатов. Доктору физико-математических наук Н.И. Плюснину принадлежит идея выделения преимущественной ориентации GS2 А-и В-типа на Si(lll) посредством поверхностных фаз-прекурсоров и он вместе с к.ф.-м.н. А.П. Милениным, с. А. Лобачевым, А.Н. Каменевым и Т.В. Величко участвовали в получении и обсуждении опубликованных совместно с ними результатов. Кандидат физико-математических наук, доцент ИФИТ ДВГУ В.А. Иванов разрабатьшал, изготовлял и испытывал блок электроники для двухчастотного измерения эффекта Холла, а также блоки электроники к другим экспериментальным системам. Он принимал зАастие в обсуждении опубликованных совместно с ним результатов. Научные сотрудники и аспиранты лаборатории оптики и электрофизики ИАПУ ДВО РАН и студенты физико-технического факультета ИФИТ ДВГУ: А.Е. Меньших, СВ. Скрипка, А.Б. Хрусталев, A.M. Маслов, А.В. Конченко, А.С. Гуральник, И.Г. Каверина, СВ. Ваванова, Д.Л. Горошко, СИ. Косиков, СА. Доценко, В.О. Полярный, СИ. Кривощапов, Е.С Захарова, А.О. Таланов и К.Н. Галкин принимали участие в проведении экспериментов, обработке экспериментальных данных и обсуждении результатов в совместно опубликованных работах.

1. Г.В. Самсонов, Л.А. Дворина, Б.М. Рудь. Силициды. М.: Металлургия, 1979. 271 с;

2. G.V. Samsonov, I.M. Vinltskii, Handbook of Refractory Compounds (IFI/Plenum, New York, 1980).

3. S.P. Мшагка, Silicides for VLSI Applications (Academic Press, New York, 1983).

4. Properties of Metal Silicides, edited by K. Maex, M. van Rossum (INSPEC, ГЕЕ, London,1995).

5. V.E. Borisenko, P.J. Hesketh, Solid State Rapid Thermal Processing of Semiconductors,1. Plenum, New York, 1997).

6. Гельд O.B., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов четвертого периода. М.:1. Металлургия, 1971. 584 с.

7. Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. Образование пленок силицидов накремнии//Поверхность, 1982. №2. С. 1-12.

8. Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. Тонкопленочные силициды вмикроэлектронике //Микроэлектроника, 1982. Т. П,Вып. 2. С. 83-94.

9. Semiconducting silicides. Ed. By V.E. Borisenko (Springer-Verlag, Berlin, 2000,362 p.).

10. F. Y. Shiau, H. C Cheng, L.J. Chen, Localized epitaxial growth of CrSii on silicon, J. Appl.

11. Phys. 59(8), 2784-2787 (1986).

12. R.G. Long, J.P.Becker, J.E. Mahan, A. Vantomme, M.-A. Nlcolet, Heteroepltaxial relationships for CrSia thin films on Si(lll), J. Appl Phys. llil), 3088-3094 (1995).

13. J.E. Mahan, K.M. Geib, G. Y. Robinson, G.Bai, M.-A. Nlcolet, Reflection high-energy electron diffraction patterns of CTSl2 films on (111) silicon, J. Vac. Sei. Technol. В 9(1), 64-68 (1991).

14. J.E. Mahan, V. Le Thanh, J. Chevrier, I. Berbezier, J. Derrien, R. G. Long, Surface electrondiffraction patterns of B-FeSii films epitaxially grown on silicon, J. Appl. Phys. 74(3), 1747-1761 (1993).

15. N. Cherief, C. D'Anterroches, R.C. Clnti, T.A. Nguyen Tan, J. Derrien, Semiconducting silicide-silicon heterojimction elaboration by solid phase epitaxy, Appl. Phys. Lett. 55(16), 1671-1673 (1989).

16. C. Wigren, J.N.Andersen, R. Nyholm, Epitaxial silicide formation in the Mg/Si(lll) system. Surf. Sei. 289(2), 290-296 (1993).

17. RW.Fathauer, P.J. Grunthaner, T.L.Lin, K.T. Chang, J.H.Mazur, D.N. Jamieson, Molecular-beam epitaxy of CrSia on Si(lll), J. Vac. Sei. Technol. В 6(2), 708-712 (1988).

18. H. von Kanel, R. Stalder, H. Sirringhaus, N. Onda, J. Henz, Epitaxial silicides with the fluorite stiiictiire,A/?/?/. Surf Sei. 53,196-205 (1991).

19. A. Vantomme, J.E. Mahan, G. Langouche, J.P.Becker, M.V.Bael, K. Temst, Ch.V. Haesendonck, Thin film growth of semiconducting MgiSi by codeposition, Appl. Phys. Lett. 70(9), 1086-88 (1997).

20. A. Vantomme, M.-A. Nicolet, R.G. Long, J.E. Mahan, Reactive deposition epitaxy of Cx'S,i2, Appl Surf. Sei. 73, 146-152 (1993).

21. D. Vandre, L. Incoccia, G. Kaindl, Stioictural studies of the Mg/Si(lll) interface formation. Surf Sei. 225(3), 233-241 (1990).

22. К. Radermacher, S. Mantl, Ch. Dicker, H. Luth, С. Freiburg, Growth kinetics of iron sihcides fabricated by solid phase epitaxy or ion beam synthesis. Thin Solid Films 215(1), 76-83 (1992).

23. L. Haderbache, P. Wetzel, C. Pirri, J.C. Peruchetti, D. Bolmont, G. Gewinner, Molecular beam epitaxy of monotype CrSia on Si(l 11), Surf Sei. 209(3), L139-L143 (1989).

24. P. Wetzel, C. Pirri, J.C. Peruchetti, D. Bohnont, G. Gewinner, Epitaxial growth of CrSi and CrSii on Si(in), Solid State Commun. 65(10), 1217-1220(1988).

25. Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г. и Плюснин Н.И. Упорядоченные поверхностные фазы в системе Cr-Si(l 11).// Поверхность. Физика, химия и механика. 1987. № 12. С. 50-58.

26. Плюснин Н.И., Галкин Н.Г., Каменев А.Н., Лифшиц В.Г, и Лобачев CA. Атомноеперемешивание на границе раздела Si-Cr и начальные стадии эпитаксии CrSi2.// Поверхность. Физика, химия и механика. 1989. № 9. С. 55-61.

27. Galkin N. G., Velitchko T. V., Skripka S. V., Khrustalev A. B. Semiconducting and structuralproperties o f CrSi2 A -type epitaxial films on Si(lll).// Thin Solid Films. 1996. V. 280. P.211-220.

28. Ch. Stuhlmann, J. Schmidt, H. Ibach, Semiconducting iron disilicide films on siUcon (111): A high-resolution electron energy loss spectioscopy study, J. Appl Phys. 72(12),5905-5911 (1992).

29. М. Elzenberg, K.N. Tu, Formation and Schottky behavior of manganese sllicldes on и-typesilicon, J. Appl. Phys. 53(10), 6885-6890 (1982).

30. M.C. Bost, J.E. Mahan, An optical determination on the bandgap of the most silicon-rich manganese silicide phase, J. Electron. Mater. 16(6), 389-395 (1987).

31. L. Zhang, D. G. Ivey, Reaction kinetics and opticals properties of semiconducting MnSii.73 grown on <001> oriented silicon, J. Mater. Sei. 2(2), 116-123 (1991).

32. CA. Dimitriadis, Electrical properties of ß-FeSi2/Sl heterojimctions, J. Appl. Phys. 70(10),5423-5426 (1991).

33. D.J. Oostra, D.E.W. Vandenhoudt, CW.T. BuUe-Lieuwma, E.P. Naburgh, Ion-beam synthesis of a Si/ß-FeSia/Si heterostructure, Phys. Lett. 59(14), 1737-1739 (1991).

34. J. Derrien, J. Chevrier, V. Le Thanh, Т.Е. Crumbaker, J.Y. Natoli, I. Berbezier, Silicide epilayers: Recent development and prospects for a Si-compatible technology, Appl. Surf Set. 70/71, 546-558 (1993).

35. H. Lange, W. Henrion, B. Seile, G.-U. Reinsperger, G. Oertel, H. vonKänel, Optical properties of ß-FeSi2 films grown on Si substrates with different degree of structural perfection, .4д?/. Surf Sei. 102(1), 169-172 (1996).

36. I. Nishida, The crystal growth and thermoelectric properties of chromium disilicide, J. Mater. Sei. 7,1119-1124 (1972).

37. Y. Tomm, L. Ivanenko, K. Irmscher, St. Brehme, W. Henrion, I. Sieber, H. Lange, Effectsof doping on the electronic properties of semiconducting iron disilicide. Mater. Sei. Eng. В 37,215-218(1996).

38. R.G. Morris, R.D. Redin, G.C. Daiüelson, Semiconducting properties of Mg2Si single crystals, Phys. Rev. 109(6), 1909-1915 (1958).

39. R. J. LaBotz, D.R. Mason, The thermal conductivities of Mg2Si and Mg2Ge, J. Electrochem.

40. Soc. 110(2), 121-126 (1963).

41. D. Shinoda, S. Atanabe, Y. Sasaki, Semiconducting properties of chromium disilicide, /. Phys. Soc. Jpn 19(3), 269-272 (1964).

42. A.E. White, K.T. Short, D.J. Eaglesham, Electiical and structiiral properties of Si/CrSi2/Siheterostractures fabricated using ion implantation, Appl. Phys. Lett. 56(13), 1260-1262 (1990).

43. D.N. Leong, M. A. Harry, K. J. Reeson, and K.P. Homewood. On the origin ofthe 1.5 цт luminescence in ion beam synthesized P-FeSia // Appl. Phys. Lett., 1996, V. 68, N. 12, P. 16491650.

44. F. Nava, T. Tien, K.N. Tu, Temperature dependence of semiconducting and structural properties of Cr-Si thin films, J. Appl Phys. 57(6), 2018-2025 (1985).

45. V.E. Borisenko, L.I. Ivanenko, S.Yu. Nikitin, Semiconducting properties of chromium disilicide,Mikroelektronika 21(2), 61-77 (1992) in Russian.

46. V.E. Borisenko, D.I. Zarovskii, G.V. Litvinovich, VA. Samuilov, Optical spectroscopy ofchromium silicide formed by a flash heat treatment of chromium films on silicon, Zurn. Prikl. Spectrosk. 44(2), 314-317 (1986) in Russian.

47. E.N. Nikitin, V.I. Tarasov, V.K. Zaitsev, Electrical properties of some solid solutions of 3d-ti-ansition metal silicides, Fiz. Tverdogo Tela 15(4), 1254-1256 (1973) in Russian.

48. I. Nishida, T. Sakata, Semiconducting properties of pure and Mn-doped chromium disilicides, J. Phys. Chem. Solids 39(5), 499-505 (1978).

49. W. Henrion, H. Lange, E. Jahne, M. Giehler, Optical properties of chromium and iron disilicide layers, Appl Surf Soi. 70/71, 569-572 (1993).

50. H. Lange, M. Giehler, W. Henrion, F. Fenske, I. Sieber, G. Oertel, Growth and optical characterization ofCrSia thin films, Phys. Stat. Soi (h) 171,63 (1992).

51. N.G. Galkin, A.M. Maslov, A.V. Konchenko, Optical and photospectral properties of CrSi2

52. A-type epitaxial films on Si(lll), Thin SolidFilms311(1-2), 230-238 (1997).

53. H. Langé, Electronic properties of semiconducting silicides, Phys. Stat. Sol. (b) 201(1), 3-651997).

54. Гершинский A.E., Асеев А.Л., Тимофеева T.B., Черепов Е.П. О взаимодействиитонких пленок никеля с монокристаллическим кремнием//Поверхность, 1983Б №9. С. 83-86.

55. Домашевская Э.П. Юраков Ю.А., Яковлев Г.А., Сергатский В.И., Чистяков Ю.Д.

56. Гетерогенное формирование тонкопленочных силицидов никеля на монокристаалах кремния//Поверхность, 1986. №4. С. 66-73.

57. Тийс С.А., Долбак А.Е., Гаврилова Т.А., Ольшанецкий Б.З., Стенин СИ. Поведениеникеля на атомарно-чистой поверхности Si(l 11): транспорт и структура // Поверхность, 189. №2. С.91-97.

58. Tung R. T., Gibson J. M., Poate J. M. Growth of single crystal epitaxial silicides on silicon bythe use of template layers // Appl. Phys. Lett., 1983. V. 42, № 10. P. 888-890.'

59. D'Avitaya P. A., Chrobaczek J. A., D'Atterroches C, Glastre G., CampidelU Y., Rosencher E.

60. Silicon overgrowth on CoSi2/Si(l 11) epitaxial structures: Application to permeable transistor// J. Crystal Growth, 1987. V. 81. P. 463-469.

61. Ishizaka A., Shiraki Y. Formation of embedded monocrystalline NiSia Grid layers in siliconby MBE // Jap. J. Appl. Phys., 1984. V.23. L499-L501.

62. Saitoh S., Ishiwara H., Furukawa S. Double heteroepitaxy in the Si(lll)/CoSi2/Si structure

63. Appl.Phys.Lett., 1980. V. 37, № 2. P. 203-205.

64. Tung R.T., Poate J.M., Bean J. C, Gibson J.M., Jacobson D. C Double heteroepitaxy in

65. Si/CoSi2/Si structures //Thin Solid films, 1982. V.93. N1. P.766-777.

66. Bozler CO., Alley G.D. The permeable base transistor and its application to logic circuits //

67. Proc. IEEE, 1982. V. 70, № 1. P. 46-52.

68. Derrien J., d'Avitaya P.A. Thin metallic sihcides fihns epitaxyally grown on Si (111) andtheir role in Si-metal-Si devices // J. Vac.Sci.Technol. A, 1987. V. 5, 4. P. 2111-2120.

69. Glaster G, Rosencher E., d;Avitaya F. A., Puissant C, Pons M., Vincent G, Pfister J.C.

70. CbSl2 and Si epitaxial growth in Si(ll 1) submicron lines with application to a permeable base transistor // Appl. Phys. Lett., 1988. V. 52. N 11. P. 898-900.

71. Rosencher E., Delage S., Campidelli Y., d' Avitaya F.A. Transistor effect in monolitic

72. Si/CoSi2/Si structure // Appl. Phys. Lett., 1980. V. 37, N 2. P. 203-205.

73. Furukawa S., Ishiwara H. (Invated) Epitaxial silicides films for integrated circuits and futuredevices//Jap.LAppl.Phys., 1983. V. 22. P. 21-27.

74. Henz J., Ospelt M., Kanel H. Von. Fabrication of metal/semi conductor superlatties //

75. Helv.Phys.Acta, 1988. V. 61, К» 1-2. P. 100.

76. Wu S.C, Li Y. S., Jona F., Marcus P.M. Epitaxy of silicon on nickel silicide // Phys. Rev. B:

77. Cond. Mater., 1985. V. 32> N 10. R 6956-6958.

78. X. Chen, L. Wang, Q. Chen, R. Ni, and С Lin, "Characterization of FeSix film bycodeposition on P-FeSi2 template," Appl. Phys. Lett. 68, pp. 2858-2860, 1996.

79. S.Bose, H.N. Acharya, H.D. Banerjee, Electrical, thermal, thermoelectric and related properties of magnesium silicide semiconductor prepared from rice husk, /. Mater. Sci. 28(20), 5461-5468 (1993).

80. K. S. An, R.J. Park, J.S. Kim, S.B. Lee, T. Abukawa, S. Kono, T. Kinoshita, A. Kaklsaki, T. Ishii, Initial interface formation study of the Mg/Si(lll) system, J. Appl. Phys. 78(2), 1151-1155(1995).

81. P.L. Janega, D. Landheer, J. McCaffrey, D. Mitchell, M. Buchanan, M. Denhoff, Contact resistivity of some magnesium/silicon and magnesium/silicide silicon structure, Appl. Phys. Lett. 53(21), 2056-2058 (1988).

82. M. Wittmer, W. Luthy, M. von Allmen, Laser induced reaction of magnesium with silicon.

83. Phys. Lett. 75 A(l-2), 127-130 (1979).

84. C. Wigren, J.N. Andersen, R. Nyholm, and U.O. Karlsson, "Epitaxial silicide formation inthe Mg/Sl(lll) system", Sutf. Sci. 289, pp. 290-296, 1993.

85. Y.Kawashima, H. Tanabe, T. Ikeda, H. Itoh, T. Ishinokawa, "Smface structures of the

86. Mg/Si(100) system studied by low-electron diffraction and Auger electron spectroscopy". Surf: Sci. 319, pp. 165-171,1994.

87. N.LPlusnin, N.G.Galkin, V.G.Lifshits, S.A.Lobachev, Formation of interfaces and templatesin the Si(l 11)-Cr system. Surf. Rev. and Lett, v.2 4 (1995) 439-449.

88. T. Urano, T. Kanajl, Structures of iron films deposited on Si(l 11)7x7 surface studied by LEED, Appl. Surf. Sci. 33-34,68 (1988).

89. V.G. Lifshits, A. A. Saranin, A.V. Zotov, Surface phases in silicon. Preparation structureand properties. John Wiley and sons, 1994.

90. S. Hasegawa, X. long, S. Takeda, N. Sato, T. Nagao, Structures and electronic transport onsilicon surface. Progress in Surface Science, v.60 No. 5-8, pp. 89-257.

91. V.A. Gasparov, K.R. Nikolaev In-situ investigations of electron transport properties of

92. Si(lll)-Pb-(V3xV3)/30'' surface phases and ultrathin films. Phys. Low-Dim. Struct. И 1996 53.

93. S.Heike, S. Watanabe, Y.Wada, T. Hashizume, Electron Conduction through Surface Statesofthe Si(lll)-(7 x 7) Surface, Phys. Rev. Lett. 81 (1998) 890.

94. Y.Hasegawa, I.W. Lyo, Ph. Avouris, Measurement of surface state conductance using S TMpoint conlacts. Surf. Sci. 358 (1996) 32.

95. F. Jentzsch, H. Froitzheim, and R. Theile, In situ conductivity and Hall measurements ofultrathin nickel siUcide layers on silicon (111), J. Appl. Phys., 66, 5901 (1989).

96. M. Henzler, C. Adamski, and K. Ronner, Conductivity and mobility in very thin epitaxial

97. NiSi2 layers, J. Vac. Sci. Technol. A, 5,2127 (1987).

98. S. Hasegawa, and S. Ino, Correlation between atomic-scale structures and macroscopicelectrical properties of metal-covered Si(ll 1) surfaces. Intern. J. Modem Phys. B, 7, 3817 (1993).

99. S. Hasegawa, X. Tong, C.-S. Jiang, Y. Nakajima, and T. Nagao, Electiical conduction viasurface-state bands. Surf. Sci., 386,322 (1997).

100. X. Tong, C.-S. Jiang, and S.Hasegawa, Electi-onlc stiiicture of the Si(lll)- V21xV21

101. Ag+Au) surface, Phys. Rev B, 57,9015 (1998).

102. В.Г. Лифшиц, Ю.Л. Гаврилюк, A. A. Саранин, A.B. Зотов, ДА. Цуканов,

103. Поверхностные фазы на кремнии // Успехи физических наук, 2000, т. 170, № 5, с. 569-571.

104. А.В. Зотов, В.В. Коробцов, В.Г. Лифшиц, Формирование микроструктур сзахороненными" поверхностными фазами // Микросистемная техника, 2000, № 3, с. 5-7.

105. D.A. Tsoukanov, S.V. Ryzhkov, D.V. Gniznev, V.G. Lifshits "The Role ofthe Surface

106. Phases in the Surface Conductivity", Applied Surface Science, 2000, V. 162/163, p. 168171.

107. Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M., Lifshits V.G., Galkin

108. N.G., Plusnin N.I., Electron transport in the S i (l 11 )-Сг(лЗхл/Э)/Э 0Ла- 81 surface phase and in epitaxial fihns of CrSi, CrSia on Si(lll), Surf. Sci. 292 (199Э) 298-Э04.

109. Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M., Lifshits V.G.,

110. Churusov B.K., Galkin N.G. and Plusnin N.I. Electrophysical properties of the surface phases of In and Cr on Si(lll).// Vacuum/ 1990. V. 4\ N 4-6. P. 12071210.

111. R. Alameh, Y. Borensztein, "Optical study of oxygen and silver adsorbed on Sl(lll)surfaces" Лд5/. Surf. Sci. 56-58, pp 535-541,1992.

112. A. Cricenti, S. Selci, P. Ciccacci, A.C. Felici, C. Goletti, Zhu Yong, G. Chiarotti,

113. Determination of the complex dielectric function of Si(l 11)2x1, GaAs(llO) and GaP(llO)" Physica Scripta Э8, pp. 200-205,1988.

114. P. Chiaradia, R. De Sole. Differential-reflectance spectroscopy and reflectance-anisotropyspectroscopy on semiconductor surfaces //Surface Review and Letters, 1999, V. 6, N Э, P. 517-528.

115. Y.W. Zhang. Self-organization, shape transition and stability of epitaxially strained islands //

116. Phys. Rev. В., 2000, V. 61, N 15. P. 10Э88-10Э92.

117. O.G. Smidt and K. Eberl. Multiple layers of self-assembled Ge/Si islands^ Photoluminescence, strain fields, material interdiffusion, and island formation //Phys. Rev. B., 2000, V. 61, N20. R13721-13729.

118. I. Goldfarb and G. A.D. Briggs. Reactive deposition epitaxy of CoSiz nanostructures on Si(OOl): Nucleation and growth and evolution of dots during anneal // Phys. Rev. В., 1999, V. 60, N 7. P. 4800-4809.

119. Pendry J.B. Low electron energy diffraction. London: Acad.Press, 1974. 407 p.

120. Дворянкин В.Ф., Митягин А.Ю. Дифракция медленных электронов метод исследования атомной структуры поверхностей // Кристаллография, 1967. Т. 12, № 6. С. 1112-11Э4.

121. В.Ф.Кулешов, Ю.А.Кухаренко, С.А.Фридрихов, В.И.Запорожченко, В.И.Раховский, А.Г.Наумовец, А.Е. Городецкий. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел / М.: Наука, 1985. 290 с.

122. Хенцлер М. Электронная дифракция и дефекты поверхности // Применение электронной спектроскопии для анализа поверхности / Под ред. Х.Ибаха. Пер. с англ. Рига: Зинатне, 1980. С. 15Э-19Э.

123. Г. Томас, М.Дж. Гориндж. Просвечивающая электронная микроскопия. М. Наука. 198Э. Э18 с.

124. Thomas G. Transmission Electron Microscope of Metals. N.Y.: John Willey, 1962. Э12 p.

125. Зандерна A. Введение // Методы анализа поверхности / Под ред. А. Зандерны. Пер. с англ. В.В. Кораблева, Н.Н. Петрова. М.: Мир, 1979. С. 1Э.

126. Кораблев В.В. Электронная спектроскопия поверхности твердого тела // Итоги науки и техники. ВИНИТИ. Электроника и ее применение, 1980. Т. 12. С. 3-42.

127. Лифппщ В.Г. Электронная спектроскопия и процессы на поверхности кремния. М.: Наука, 1985. 200 с.

128. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1971. 551 с.

129. Palmberg P.W. Quantitative analysis of solid surfaces by Auger electron spectroscopy // Anal.Chem., 1973. V. 45, № 6. P. 549A.

130. Seah MP ., Dench W.A. Quantitative electron spectroscopy of surface. A standard data base for electron inelastic mean free paths in solids // Surf. Interf. Anal, 1979. V. 1, № 1. P. 2-11.

131. Seah M.P. A review of the analysis of surfaces and thin films by AES and XPS // Vacuum, 1984. V. 34, № 3-4. P. 463-478.

132. Пайне Д. Элементарные возбуждения в твердых телах. М.: Мир, 1965. 383 с.

133. Платцман Ф., Вольф П. Волны и взаимодействие в плазме твердого тела / Под ред. В.Г. Скобова, пер. с англ. М.: Мир, 1975. 436 с.

134. Ritchie R.H. Plasma losses by fast electron in thin films // Phys.Rev., 1957. V. 106, № 5. P. 874-881.

135. Sturm K. Electron energy loss in simple metals and semiconductors // Advances in Physics, 1982. V. 31, № 1. P. 1-64.

136. Rather H. Solid state excitation by electrons // Springer Tracts Mod.Phys., 1980. V. 88. P. 84-157.

137. Thomas J.H., Hofinaim. The use of plasmon-loss peaks in studying the epitaxial silicon on alumina surface// Surf. And Interf. Analysis, 1982, V. 4<N 1, P. 1-64.

138. V.L. Berkovits, I.V. Makarenko, T.A. Minashvili and V.I. Safarov. Differential reflectance spectroscopy of Ge(l 11)2x1 surface //Solid St. Commun., 1995, V. 56. P.449-457.

139. R. Del Sole, Reflectance spectroscopy theory // Photoonic probes of Surfaces. Ed. By P. Halevi (North-Holland/Elsevier, Amsterdam, 1995).

140. R Honenbergand W. Kohn. Phys. Rev. B., 1964, V.136, P. 10159-10166.

141. W. Hanke and L.J. Sham. Phys. Rev. В., 1980,V. 21, P. 4656-4664.

142. Уханов Ю.А. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 252 с.

143. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.: Сов. Радио, 1974. 252 с.

144. Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.; Высшая школа. 1975. 207 с.

145. Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 558 с.

146. G. Binning, Н. Rohrer, Ch. Gerber and E. Weibel. Tunnelling through a controllable vacuum gap // Appl. Phys. Lett., 1982, V.40, N 2. R 178-180.

147. R. Weisendanger. Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy. Cambridge University Press, 1994.

148. Плюсшш Н.И., Лобачев C.A., Галкин Н.Г. Стабилизированные источники напряжения для анализатора дифракции медленных электронов.// Приборы и техника эксперимента. 1984. № 5. С. 138-140.

149. Галкин Н.Г., Иванов В.А., Конченко А.В., Горошко Д.Л. Установка для автоматизированных холловских измерений параметров двумерных материалов в условиях сверхвысокого вакуума.// Приборы и техника эксперимента. 1999. N 2. С.153.158.

150. Dotsenko S. А., Galkin N.G., Lifshits V.G. Optical and electrical properties of In surfacephases.//Physics of Low-Dimensional Structures, 2001, V. 5/6, P. 139-150.

151. Ishizaka A., Shiraki Y. Low temperature surface cleaning of silicon and its application to siliconMBE//J.Electrochem.Soc.Sci.Technol., 1986. V. 133, №4. P. 606-617.

152. Liehr M., Renier M., Wachnik R.A., Scilla G.S. Dopant redistribution at Si surfaces during vacuum anneal // J.Appl.Phys., 1987. V. 61. № 9. P. 4619-4625.

153. L.N. Alexandrov, R.N. Lovyagin, P.A. Simonov, I.S. Bzinkovskaya. p-n junction in the surface region of silicon obtained by evaporation of silicon in ultrahigh vacuum. Phys. Stat. Sol. (a) 45, 521, 1978 p.521-527.

154. Galkin N.G., Goroshko D.L., Ivanov V.A. and Kosikov S.I. In situ Hall measurements of Si(lll)/Cr, Si(lll)/Fe and Si(lll)Mg disordered systems at submonolayer coverages.// Applied Surface Science. 2001, V.175-176, N3, P. 223-229.

155. Galkin N.G., Goroshko D.L., Krivoshchapov S.Ts. and Zakharova E.S. Conductivity mechanisms in the ordered surface phases and two-dimensional monosihcides of Cr and Fe on Si(lll).// Applied Surface Science. 2001, V.175-176, N3, P. 230-236.

156. Galkin N.G, Konchenko A.V, Vavanova S.V., Maslov A.M. and Talanov A.O. Transport,optical and thermoelectrical properties of Cr and Fe disilicides and their alloys on Si(lll).// Applied Surface Science. 2001, V.175-176, N3, P. 299-305.

157. Chang C.C. General formalism for quantitative Auger analysis // Surface Science, 1975. V.48,№LR9-21.

158. Плюснин Н.И. Поверхностные фазы и формирование границы раздела Сг и CrSb с монокристаллическим кремнием. Дисс. канд. физ.-мат. наук. Владивосток, 1986. 200 с.

159. Соболев В.В., Алексеева С.А., Донецких В.И. Расчеты оптических функций полупроводников по соотношениям Крамерса-Кронига. Кишинев. Штиинца, 1976146 с.

160. S. Adachi, "Optical properties of AlxGai-xAs alloys", Phys. Rev. В 38, pp. 12345-12352, 1988.

161. S. Adachi and K. Sato, "Numerical derivative analysis of the pseudodielectric functions ofZnTe", J;7«. J.Appl. Phys. 31, pp. 3907-3912, 1992.

162. С.С. Kim, J.W. Garland, Н. Abad, and P.M. Raccah, "Modeling the dielectric function of semiconductors: Extension of the critical-point parabolic-band approximation", Phys. Rev. В 45, pp. 11749-11767,1992.

163. А.И. Емельянов, В.Л. Коньков. Влияние проводящего слоя полупроводниковых пленок на результаты зондовых измерений постоянной Холла. Заводская лаборатория, 1968, т.34, №7, С. 804-806.

164. J.J. Ohsugi, Т. Kojima. Phys. Rev. В, 1990, V.42, P. 10761-10767.

165. F. Meloni, E. Mooser, A. Baidereschi, Bonding па1ще of conduction states in electron-deficient semiconductors: MgiSi, PhysicaB + С (Amsterdam) 117-118(1), 72-74 (1983).

166. W.K. Chu, S.S. Lau, J.W.Mayer, H. Müller, K.N.Tu, Implanted noble gas atoms as diffusion markers in silicide formation. Thin SolidFilms 25(2), 393-402 (1975).

167. J.Tejeda and M. Cardona. Phys. Rev. B, 1976, V. 14, P. 764-772.

168. M. C. Bost and J. E. Mahan, "Optical properties of semiconducting iron dislHcide thinfilms," J. AppL Phys. 58, pp. 2696-2703,1985.

169. A. Rizzi, B. N. E. Rosen, D. Freundt, Ch. Dicker, and H. Lüth, "Heteroepitaxy of ß-FeSi2 on Si by gas-source MBE," by gas-source MBE," Phys. Rev. В 51, pp. 17780-17794, 1995.

170. К Radermacher, R. Carius, and S. Mantl, "Optical and electrical properties of buried semiconductor ß-FeSia," NuclearInstr. Meth. Phys. Res. B84, pp. 163-167,1994.

171. D.J. Oostra, C.W.T. Bulle-Lieuwma, D.E.W. Vandenhoudt, F. Feiten, and J.C. Jans, "ß-FeSia in (lll)Si and in (OOl)Si formed by ion-beam synthesis", J. Appl. Phys. 74, pp. 4347-4353,1993.

172. L. Miglio and G. Malegori, "Origin and nature of the band gap in ß-FeSi2", Phys. Rev. В 52, pp 1448-1451,1995.

173. N.E. Christensen, "Electronic stractwe of ß-FeSi2"' Phys. Rev. В 42, pp. 7148-7153, 1990.

174. S.J. Clark, H.M. Al-Allak, S. Brandt, and R.A. Abram, "Struchire and electronic properties of ß-FeSii", Phys. Rev. В 58, pp 10389-10393, 1998.

175. V. Bellani, G. Guizzetti, F. Marabeli, M. Partini, S. Lagomarsino, and H. von Känel, "Optical ftmctions of epitaxial ß--FeSi2 on Si(OOl) and Si(lll)", Sol. St. Commun. 96, pp. 751-756,1995.162. http ://www.ntmdt.ru

176. L.F. Mattheiss, Struchiral effects on the calculated semiconductor gap of CrSi2, P^s. Rev.5 43(2), 1863-1866(1991).

177. M.P.C.M. Kjijn, R. Eppenga, First-principles electronic stracüire and optical properties of

178. CrSiz, Phys. Rev. В 44(16), 9042-9044 (1991).

179. V. Bellani, G. Guizzetti, F. Marabelli, A. Piaggi, A. Borghesi, F. Nava, V.N. Antonov, yi.N. Antonov, O. Jepsen, O.K. Andersen, V. V. Nemoshkalenko, Theory and experimenton the optical properties of GSE, Phys. Rev. В46(15), 9380-9389 (1992).

180. L.F. Mattheiss, Electronic structure of GrSia and related refractory disilicides, Phys. Rev. В43(15), 12549-12555 (1991).

181. S. Halilov, E. Kulatov, Electron and optical spectra in the indirect-gap semiconductor GSE, Semicond. Sci. Technol. 7(3), 368-372 (1992).

182. V.E. Borisenko, L.I. Ivanenko, S.Yu. Nikitin, Semiconducting properties of chromium disilicide, Mikroelektronika 21(2), 61- 77 (1992) in Russian.

183. A.B. Filonov, I.E. Tralle, N.N. Dorozhkin, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, G.V. Petrov, A.M. Anishchik, V.E. Borisenko, Semiconducting properties of hexagonal chromium, molybdenum, tungsten disilicides, Phys. Stat. Sol. ф) 186(1), 209-215 (1994).

184. M.G. Bost, J.E. Mahan, An investigation of the optical constants and band gap of chromium disilicide, J. Appl. Phys. 63(3), 839-844 (1988).

185. Галкин Н.Г., Конченко A.B., Маслов A.M. Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома.// Физика и техника полупроводников. 1997. Т. 31. №8. С. 969-972.

186. Handbook of Optical Constant of Solids, Ed. By Palik D.E.< New York, 1985.

187. Зайцев B.K., Ордин СВ., Федоров М.И., Целищев В.А. Плазменное отражение в дисилициде хрома . Физика твердого тела. 1992, т. 34, в. 5, С. 1636-1637.

188. T.S. Moss, G.I. Burrel, В. Ellis. Semiconductor Opto-electronics, Butterworth and (Publisher), 1973,328 p.

189. R.K. Ahrenkiek. J. Opt. Soc. Am., 1971, V. 61, N 2, P. 1851-1856.

190. Галкин Н.Г., Величко T.B., Скрипка СВ., Хрусталев А.Б. Эпитаксиальные пленки GS12 А-типа на Si(lll): структура и электрические свойства.// Микроэлектроника.1996. Т. 25. №3. С2 16-220.

191. G. Yu, Т. Soga, Т. Jimbo and М. Umeno. А modified harmonic oscillator approximation scheme for the dielectric constants of GaAs, InP and GaP // Jpn. J. Appl. Phys., 1996, V. 35,N.3, P. 1617-1623.

192. D.M. Wood, A. Zunger, Electronic structure of generic semiconductors: Antinuorite suicide and HI-V compounds, Phys. Rev. В 34(6), 4105-4120 (1986).

193. N.O. Folland, Self-consistent calculations of the Energy Band Structure of Mg2Sl, Phys. Rev. 158(3), 764-775 (1967).

194. P.M. Lee, Electronic structure of magnesium silicide and magnesium germanide, Phys. Rev. 135(4A), Al 110-Al 114 (1964).

195. F. Aymerich, G. Mula, Pseudopotential band structure of Mg2Si, Mg2Ge, Mg2Sn, and of the solid solution Mg2(Ge, Sn), Phys. Stat. Sol. 42(2), 697-704 (1970).

196. V.K. Bashenov, A.M. Mutal, V.V. Timofeenko, Valence-band density of states for Mg2Si from pseudopotential calculation, Phys. Stat. Sol. (b) 87(1), K77-K79 (1978).

197. M.Y. Au-Yang, M.L. Cohen, Electronic structure and optical properties of Mg2Si, Mg2Ge, andMg2Sn, Phys. Rev. 178(3), 1358-1364 (1969).

198. A.J. Bevolo, H.R. Shanks, Valence band study of Mg2Si by Auger spectroscopy, J. Vac. Sci. Technol. A 1(2), 574-577 (1983).

199. Onda N., Sirringhaus H., Goncalves-Conto S., Schwarz C, Zehnder S., Von Kanel H. Epitaxy of cubic iron silicides on Si(lll), Appl.Surf. Sci. 73 (1993) p. 124-130.

200. S. J. Clark, H. M. Al-AUak, S. Brand, R. A. Abram, Structure and electronic properties of FeSi2, Phys. Rev. В 58(16), 10 389-10 393 (1998).

201. M.C. Bost and J.E. Mahan. Summary abstract: Semiconducting silicides as potential materials for electro-optic very large scale integrated circuit interconnects // J. Vac Sci Technol. B, 1986, V. 4, N. 6, P. 13361338.

202. C.R.Whitsett, G.C.Danielson, Electrical properties of the semiconductors Mg2Si and Mg2Ge, Phys. Rev. 100(4), 1261-1262, (1955).

203. R.J. LaBotz, D.R. Mason, D.F. O'Kane, The thermoelectric properties ofmixed crystals of

204. Mg2GexSii.x,/. Electrochem. Soc. 110(2), 127-134 (1963).

205. N.G. Galkin and N.I. Plusnin. Poverkhnost-89, Russian Symp. Proceed., V. 2, P. 199-200.

206. W. Shockley, in: Electrons and holes in stmiconductors (D. Van Nostrand Company, Inc., Prinston, New Jersey, 1950), Chap. 8.

207. Галкин Н.Г., Маслов A.M. Оптические функции эпитаксиальных пленок дисилицида хрома в диапазоне энергий 0.35-6.2 эВ: полуэмпирическое моделирование.// Оптика и спектроскопия. 1998. Т. 85. N5. С. 794-799.

208. Соболев B.B., Немошкаленко В.В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная теория полупроводников. Киев. Наукова Думка, 1988, 287 с.

209. А. Martinez, D. Esteve, А. Guivarc'h, P. Auvray, P. Henoc, G. Pelous, Metallurgical and electrical properties of chromium silicon interfaces, Solid-State Electron. 23(1), 55-64 (1980).

210. N. Benouattas, B. Tamaarat, A. Bouabellou, R. Halimi, A. Mosser. Electrical properties of Cr/Si(p) stractures // Solid State Electronics, 1999, V. $3, P. 439-446.

211. N.I. Plusnin, A.P. Milenin, T.V. Velichko, VU . Soldatov. Schottky barrier in contacts of (V3xV3)R30°-Cr surface stractures and CrSi2(001) epitaxial films with the Si(lll) substrate//Phys. Low-Dim. Struct, 1997, V. 5/6, P. 1-12.

212. K. Lefki and P. Muret, "Photoelectric study of |3-FeSi2 on silicon: optical threshold as a fimction of temperature," Phys. 74, pp. 1138-1142,1993.

213. K. Lefki and P. Muret. Internal photoemission in metal/P-FeSi2/Si heterojunctions // Appl. Surf. Sci., 1993, V. 65/66, P. 772-776.

214. К. Lefkl, N. Muret, N. Cherief, and R.C. Cinti. Optical and electrical caracterization of b-FeS2 epitaxial films on silicon substrates // J. Appl. Phys., 1991, V. 69, N. 1, P. 352 357.

215. G. Galkin, D.L. Goroshko, A.V. Konchenko, V.A. Ivanov and A.S. Gouralnik. In situ Hall measurements of macroscopic electrical properties of chromium-covered Si(lll) surfaces.// Surface Review and Letters, 1999, V. 6. N 1. P. 7-12.

216. S.M. Sze, Physics of semiconductor devices, (New York.A Willey-Interscience publication, John Willey and Sons, 1981,350 p).

217. Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов. М.% Энергия, 1971,272 с.

218. А. Zur, Т.е. Mc(jill, Lattice match: An appHcation to heteroepitaxy, J. Appl. Phys. 55(2),378.386 (1984).

219. A. Zur, Т.е. McGill, M.-A. Nicolet, Transition-metal siHcides lattice-matched to silicon, J. Appl. Phys. 57(2), 600-603 (1985).

220. Милне A., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир,1975,432 с.

221. К.Р. Ouonnel and X. Chen. Temperature dependence of semiconductor band gaps // Appl.

222. Phys. Lett., 1991, V. 58, N. 25, P. 2924 2926.

223. Емцев B.B., Мащовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981,248 с.

224. С. van Opdoф, N.K.J. Kanerva. Voltage- current caracteristics and capacity of isotype heterojunctions // Sol. St. Electron., 1967, V. 10, P. 401-409.

225. W.E. Taylor, N.H. Odell, H.Y. Fan. Grain dondaries in Ge // Phys. Rev. 1952, V. 88, P.867.875.

226. N. Onda, H. Sirringhaus, S. Goncalves-Conto, C. Schwarz, S. Zehnder, and H. von Kanel,

227. Epitaxy of cubic iron suicides on Si(l 11)," Appl. Surf. Sci. 73, pp. 124-130,1993.

228. L. Wang, M. Ostling, K. Yang, L. Qin, C. Lin, X. Chen, S. Zou, Y. Zheng, and Y. Qian,

229. Optical transitions in p-FeSI2 films," Phys. rev. В 54, pp. R l 1126-Rl 1128,1996.

230. U. Erlesand, Licentiate Thesis, Royal Institute of Technology, Solid State Electronics, Stockholm (1993).

231. Галкин Н.Г., Ваванова СВ., Конченко А.В., Маслов А.М. и Полярный В.О. Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок MgiSi на Si(lll).// Известия вузов. Электроника. 2001, № 5, С. 291-298.

232. P.V. Santos, N. Esser, М. Cardona, W.G. Schmidt and F. Bechstedt. Optical properties of

233. Sb- terminated GaAs and InP (110) surfaces // Phys. Rev. B, 1995, V. 52, N. 16, P. 12158 -12166.

234. H.T. Anyele, T-H. Shen and CC Matthai. The linear optical response of reconstructed

235. Sn/Si(lll) surfaces // J. Phys.: Cond. Matter, 1996, V. 8, P. 4139 4144.

236. J.R. Power, P. Weightman, J.D. CMahony. Strong optical anisotropy of the single-domain5x2-Au reconstruction on vicinal Si(lll) // Phys. Rev. В., 1997, V. 56, N. 7, P. 3587 -3590.

237. A. Cricenti, S. Selci, A.C. Felici, L. Fen-ari, G. Contini and G. Chiarotti. Si(100)lxl-Sb and Si(100)2xl-Sb surfaces studied with angle-resolved photoemission and surface differential reflectivity // Phys. Rev. B, 1993, V. 47, N. 23, P. 15745 -15749.

238. T. Lopez-Rios, Y. Borensztein and G. Vuye. Roughening of Ag surfaces by Ag depositsstudied by differential reflectivity // Phys. Rev. B, 1984, V. 30, N. 2, P. 659-671.

239. Y. Borensztein and R. Lameh. The growth of Ag on Si(100)2xl // Appl. Surf. Sci., 1993, V. 65/66, R 735-741.

240. Alvarez J., Vazquez de Parga A.L., Hinarejos J.J., de la Figuera J., Michel E.G., Ocal C, Miranda R., Initial stages of the growth of Fe on Si(l 11)7x7 Phys.Rev.B 47 (1993) p. 16048-16051.

241. F.Sirotti, M. DeSantis, X. Jin, G. Rossi, Electron states of interface iron silicides on Si(lll)7x7, Phys. Rev. В v.49 16 (1994) p.l 1134-11143.

242. F.Sirotti, M. DeSantis, X. Jin, G. Rossi. Electron states of interface iron silicides on Si(lll)7x7//Phys. Rev. B, 1994, V. 49, N. 16, P. 11134 -11143.

243. X. Wallart, H.S. Zeng, J.P. NisG. Dalmai, Electron spectroscopy study of the Fe/Si(lll) interface formation and reactivity annealing, Appl. Surf Sci. 56-58,427 (1992).

244. RJ. Himpsel, G. HoUinger, R.A. PoUak, Phys. Rev. B, 1983, V. 28, P. 7014 7021.

245. J. Viernov, M. Henzler, W.L. O'Brien, F.K. Men, F.M. Fliebsle, D.Y. Petrovykh, J.L. Lin,

246. F.J. Himpsel, Phys. Rev. B, 1998, V. 57, P. 2321-2330.

247. Лифшиц В.Г., Плюснин Н.И. Электронное взаимодействие и силицидообразование всистеме Cr-'Si(l 11) на начальной стадии роста // Поверхность, 1984, № 8 , С. 78-85.

248. N.G. Galkin, D.L. Goroshko, V.A. Ivanov, E.S. Zakharova and S.Ts. Krivoshchapov. In situ Hall measurements of Fe and Cr submonolayers on Si(lll) of n- and p-type of conductivity.// Surface Review and Letters. 2000. V. 7. N 3, P. 257-265.

249. K.S. An, R.J. Park, J.S. Kim, C.Y. Park, C.Y. Kim, J.W. Chang, T. Abukawa, S. Kono,

250. T. Kinoshita, A. Kakizaki, T. Ishii. Mg-induced S i (l 11)3x1 structure studied by photoelectron spectroscopy // Surface Science, 1995, V. 337, L789 L794.

251. K. S. An, R.J. Park, J.S. bCim, C. Y. Park, C. Y. Kim, J.W. Chang, T. ECinoshita and

252. A. Kakizaki. Photoemission study for Mg/Si(l 11)1x1 surface // J. Elect. Spectrosc. Relat. Phenom., 1996, V. 80, P. 165 168.

253. Иевлев B . M., Трусов Л.И., Холмянский В. A. Структурные превращения в тонкихпленках. М.: Металлургия, 1982,248 с.

254. O.Kubo, А.А. Saramn, A. V. Zotov, J.-T. Ryu, H. Tani, T. Harada, M. Katayama, V. G.1.fshits, K. Оща. Mg-induced S i(l 1 l)-(3x2) reconstruction by scanning tunneling microscopy // Swface Science, 1998, V. 415, L971 L975.

255. J. Quinn and F. lona. New results on the reaction of S i(l 11) with Mg // Surf. Sci. Lett.,1991, V. 249,L307-L311.

256. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакщш. Под ред. Дж. Роута, К. Ту, Дж. Мейера. // Гл. 13. Влияние поверхностных реакций на электрические характеристики контактов металл полупроводник (Е. Николлиан, А. Синха) / Москва, Мир, 1982, 570 с.

257. Franciosi А., Weaver J.H. Si-Cr and Si-Pd interface reaction and bulk electronic structureof Ti, V, Cr, Co, Ni and Pd silicides, Surf.Sci. 132 (1983) p. 324-335.

258. S. Lagomarsino, F. Scarinci, G. Saveli, C. Giarmini and P. Castrucci. In situ and ex situ structural characterization of P-FeSi2 films epitaxially grown on Si(lll) // J. Appl. Phys.,1992, V. 71, N. 3, P. 1224 1228.

259. Kafader U., Wetzel P., Pirri C, Gewiimer G. Si-rich p(2x2) surface reconstruction of epitaxial fluorite-type iron silicide layers on Si(lll), Appl. Surf. Sci. 70-71 (1993) p. 573577.

260. Alvarez J., Vazquez de Parga A.L., Hinarejos J.J., de la Figuera J., Michel E.G., Ocal C, Miranda R. Structural phase transition dwing heteroepitaxial growth of iron silicides on Si(lll), Appl.Surf.Sci. 70-71 (1993) p. 578-582.

261. J. Chevrier, V. Le Thanh, S. Nittsche and J. Derrien. Epitaxial growth of P-FeSi2 on silicon111.: a real-time RHEED analysis // Appl. Surf. Sci., 1992, V. 56-58, P. 438 443.

262. X. Wallart, J.P. Nys and C. Tetelin. Growth ofultrathin iron silicide films: Observation ofthe y-FeSi2 phase by electi-on specti-oscopies // Phys. Rev. B, 1994, V. 49, N. 8, P. 5714 -5717.

263. W. Weib, М. Kutschera, U. Starke, M. Mozaffari, K. Reshöft, U. Köhler, and K. Heinz. Development of structural phases of iron silicide films on Si(l 11) studied by LEED, AES and STM // Surf. Sei. 377-379 (1997) 861.

264. Горбачев B.B., Спицьша Л.Г. физика полупроводников и металлов. М.: Металлургия,1976,368 с.

265. W. J. Scouler, Optical properties of Mg2Si, Mg2Ge, and Mg2Sn fi-om 0.6 to 11.0 eV at 7 Ж, Phys. Rev. 178(3), 1353-57 (1969).

266. Physics, Chemistry and AppUcation of nanostructures. Ed. By V.E. Borisenko, A.B.

267. Filonov, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. World Scientific, Singhapore, 1997,336 p.

268. Physics, Chemistiy and Application of nanostmctures. Ed. By V.E. Borisenko, A.B.

269. Filonov, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. Worid Scientific, Singhapore, 1999,378 p.

270. Physics, Chemistry and Application of nanostructures. Ed. By V.E. Borisenko, A.B.

271. Filonov, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. Worid Scientific, Singhapore, 2001,488 p.

272. L.E. Bras and J.K. Trauman. Nanocrystals and nano-optics // Phil. Trans. R. Soc. London

273. A, 1995, V. 353, P. 313-321.

274. E. Martinet, M. A. Dupertius, F. Reinhardt, G. Biasiol, E.Kapon, O. Stier, M. Grundmannand D. Bimberg. Separation of strain and quantum-confinement effects in the optical specti-a of quantum wires // Phys. Rev. B, V. 61, N. 7, P. 4488 4491.

275. R.-P. Wang, G-w. Zhou, Y-1. Liu, S-h. Pan, H-z. Zhang, D-p. Yu and Z. Zhang. Ramanspectral study of silicon nanowires: High order scattering and phonon confinement effects // Phys. Rev. B, 2000, V. 61, N. 24, P. 16827 16832.

276. K.L. Teo, S.H. Kwok, P. Y. Yu, and S. Guha. Quantum confinement of quasi-twodimensional El exitons in Ge nanocrystals studied by resonant Raman scattering // Phys. Rev B, 2000, V. 62, N. 3, R 1584 1587.

277. P.D. Persans, P.W. Deelman, K.L. Stokes, L.J. Schowalter and A. Byrne. Optical studies of

278. Ge islanding on Si(lll) // Appl. Phys. Lett., 1997, V. 70, N. 4, P. 472 474.

279. CS. Peng, Q. Huang, W.Q. Cheng, J.M. Zhou, Y.H. Zhang, T.T. Sheng and CH. Tung.

280. Optical properties of Ge self-organized quantum dots in Si // Phys. Rev. B, 1998, V. 57, N. 15, P. 8805 8808.

281. R.W. Fathauer, J.M. lanelly, CW. Nieh, and S. Hashimoto, Appl. Phys. Lett., 1990, V. 57,1. R1419- 1427.

282. B.K. Ridley, Quantum Processes in Semiconductors, Second Edition (Clarendon Press, Oxford, 1988).

283. P.Y. Yu, M. Cardona, Fundamentals of Semiconductors (Springer, Berlin, 1996).

284. Galkin N.G, Goroshko D.L., Ivanov V.A., Kosikov S.I. In situ Hall effect in two-dimensional systems: disordered iron surface phases on Si(l 11)7x7 // 5* Intern Confer.

285. On Atom. Controlled surfaces, interfaces and nanostractures. Abstracts, p.24, Aix en Provence, France, July 6-9,1999.

286. Plusnin N.I., Galkin N.G., Lifshits V.G. and Milenin A.P. Surface phases and epitaxy of Si on CrSi2(0001)/Si(l 11).//Physics of Low-Dimensional Structures. 1999. V. Fz. P. 55-66.

287. Плюснин Н.И., Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г. и Миленин А.П. Эгштаксиально-стабилизированные поверхностные фазы и рост Si на CrSi2(001)/Si(lll).// Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000, N 6, С.22-29.

288. Galkin N.G, Goroshko D.L., Ivanov V.A., Zakharova E.S. and Krivoshchapov S.Ts. In situ Hall measurements of Fe and Cr submonolayers on Si(lll) of n- and p-type of conductivity.// Surface Review and Letters. 2000. V. 7. N 3, P. 257-265.