Процессы формирования и электрофизические свойства гетероструктур карбид кремния - твердые растворы на основе карбида кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ГЛАВА ¡.МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДИФФУЗИИ В КАРБИДЕ

КРЕМНИЯ ПРИ ОБРАЗОВАНИИ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ.

1.1. Условия образования твердых растворов.

1.2. Растворимость элементов в карбиде кремния.

1.3. Диффузионные процессы при образовании твердых растворов на основе карбида кремния.

1.4. Анализ растворимости и диффузии элементов в карбиде кремния.

ГЛАВА II. ЖИДКОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР ТВЕРДЫХ

РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ.

2.1. Жидкофазные методы получения твердых растворов.

2.2. Определение степени оптимального пересыщения раствора-расплава и расчет параметров взаимодействия в жидкой и твердой фазах.

2.3. Электрожидкостная эпитаксия. а) Распределение температуры в ростовой ячейке. б) Массоперенос.

2.4. Влияние термокапиллярной конвекции на процесс роста ЭС.

ГЛАВА III. ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА

ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ.

3.1. Гетероэпитаксия твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x.

3.2. Оптимизация процессов гетероэпитаксии твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x.

3.3. Получение аморфных слоев a-SiC и соединений a-(Si-C-Al-N).

ГЛАВА IV. МОРФОЛОГИЯ И СТРУКТУРА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ

СЛОЕВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ.

4.1. Морфология (SiC)i.x(AlN)x.ПО

4.2. Структура^^^^Ш^.

4.3. Влияние лазерного отжига на релаксацию дефектов в переходном слое ГС.

4.4. Изучение структуры молекул эпитаксиальных слоев (SiC)].x(AlN)x методом электронно-парамагнитного резонанса.

ГЛАВА V. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР n-(SiC)/p-(SiC)i.x(AlN)x.

5.1. Получение и исследование омических контактов к SiC и твердым растворам на его основе.

5.2. Температурная и концентрационная зависимости электропроводности твердого раствора (SiC)i.x(AlN)x.

5.3. Влияние сильных электрических полей на электропроводность карбида кремния и твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x.

5.4. Вольт-амперные характеристики ГП n-(SiC)-p-(SiC)i.x(AlN)x.

5.5. Вольт-фараданые характеристики ГП n-(SiC)-p-(SiC)i.x(AlN)x.

5.6. Фотовольтаический эффект в ЭС SIC.

5.7. Люминесцения гетероэпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)x. а) фото люминесцения. б) электролюминесцения. в) катодолюминесценция.

ГЛАВА VI. ИЗО- И ГЕТЕРОВАЛЕНТНЫЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ В СИСТЕМАХ SiC-КАРБИДЫ Nb, Ti, Zr.

6.1. Термодинамический анализ изоморфных замещений в системах SiC-карбиды Nb, Ti, Zr.

6.2. Твердофазное взаимодействие в системах SiC-NbC, SiC-TiC,

SiC-ZrC.

6.3. Особенности получения ЭС твердых растворов SiC-NbC методом сублимации.

6.4. Влияние параметров процесса выращивания на структзфу и электрофизические свойства ЭС 811.хНЬхС.

Актуальность темы. Прогресс в развитии современной твердотельной электроники связан с получением новых полупроводниковых материалов, на основе которых создаются стрзостуры и приборы с характеристиками, обеспечивающими высокую надежность и стабильность при эксплуатации в экстремальных условиях.

3 5 2 6

Классические полупроводниковые материалы (Si,Ge,A В ,А В ), используемые в твердотельной электронике, обладают недостаточной тепловой, барической и радиационной стойкостью. Сравнительно лучшие характеристики имеют широкозонные полупроводниковые материалы. Среди таких полупроводников представляет интерес карбид кремния, существующий в виде -150 политипных модификаций и обладающий широким набором значений ширины запрещенной зоны (2,4 - 3,3 эВ).

Псевдобинарные твердые растворы SiC-A В , SiC-A В позволяют существенно расширять диапазон важнейших электрофизических свойств SiC. Соединения SiC-AlN и SiC-GaN представляют собой материалы с гетерополитип-ными структурами. SiC с карбидами переходных металлов (№, Zr, образуют псевдобинарные твердые растворы с шириной запрещенной зоны меньше 2,4 эВ. Эти растворы отличаются большой стойкостью к механическому, тепловому и радиационному воздействиям. Растворимость оксида бериллия в карбиде кремния незначительна. Однако механические характеристики керамики SiC с небольшими добавками ВеО (< 2 вес.%) заметно улучшаются, а электросопротивление и теплопроводность возрастают более чем в два раза. Поэтому синтез новых широкозонных полупроводниковых твердых растворов на основе SiC имеет важное практическое значение. В них путем изменения состава возможно в широких пределах управлять оптическими, электрическими и структурными свойствами. Следовательно, актуальными является решение таких задач, как:

- оценка термодинамических характеристик областей существования твердых растворов на основе SiC, установление концентрационных и температурных зависимостей коэффициентов диффузии, а также растворимости элементов в SiC;

-создание управляемой технологии получения твердых растворов на основе Sic с заданным составом и свойствами;

- исследование влияния технологических параметров синтеза твердых растворов на основе SiC на их структурные и электрофизические свойства.

Решение этих задач создает теоретическую и практическую базу для получения как легированного SiC, так и твердых растворов на его основе. Электрофизические характеристики этих материалов наследуются и гетерострукту-рами - SiC/твердый раствор на основе SiC. Эти структуры могут находить применение в опто - и силовой электронике.

Необходимость получения кванторазмерных слоев, в свою очередь, предъявляет определенные требования к методам получения гетероструктур. Твердые растворы на основе SiC в настоящее время получают методами жидкофаз-ной и газофазной эпитаксии, параллельным катодным распылением составляющих компонент твердого раствора, методом химической газотранспортной реакции, электроосаждением из расплавов. Однако разброс значений физических параметров твердых растворов, пол5Д1енных различными методами, оказывается значительным, что неизбежно приводит к необходимости проведения большого числа исследований для определения и интерпретации физических свойств. Это повышает требования к методам получения информации о механизме синтеза твердых растворов на основе SiC и о свойствах гетероструктур Sic/ твердый раствор на основе SiC.

Основные объекты исследований - полупроводниковые твердые растворы на основе SiC и соединений A1N, GaN, NbC, TiC, ZrC, полученные жидко-фазным и газофазным методами. Для систематических экспериментальных исследований в качестве модельного материала был выбран твердый раствор

SiC)i.x(AlN)x. Этот выбор определялся тем, что свойства SiC и A1N хорошо изучены, а сами соединения обладают неограниченной растворимостью во всем диапазоне составов. Кроме того, технология получения твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x достаточно хорошо отработана. С целью демонстрации возможностей, разработанных нами методик получения, часть экспериментов была проведена на эпитаксиальных слоях твердого раствора Sii.xNbxC.

Определенный интерес представляет изучение процессов гетероэпитаксии (SiC)i.x(AlN)x и электрофизические явления в гетероструктурах (ГС) n-SiC/-p-(SiC)i.x(AlN)x. Исследования электрофизических свойств гетероструктур SiC/твердых раствор на основе SiC проводились на образцах, выращенных как из раствора-расплава, так и из газовой фазы.

Такие исследования необходимы для развития представлений, как о процессах роста широкозонных полупроводниковых твердых растворов методами жидкофазной (ЖФЭ), электрожидкостной (ЭЖЭ) и газофазной (ГФЭ) эпитак-сии, так и о механизмах протекания тока, люминесценции в р-п-структур ах на основе широкозонных полупроводников.

Цель и задачи работы. Целью работы является установление общих закономерностей формирования твердых растворов в системах SiC-AlN, SiC-GaN, SiC-NbC, SiC-TiC и SiC-ZrC при жидко- и газофазном методах получения, а также исследование электрофизических свойств ГС SiC/твердый раствор на основе SiC.

Для достижения этой цели в работе решались следующие задачи:

L Исследование процессов растворимости и диффузии элементов в карбиде кремния для прогнозируемого получения твердых растворов SiC с соединениями A1N, GaN, TiC, NbC, ZrC.

2. Термодинамический анализ и исследование кинетики процесса взаимодействия компонент раствора-расплава и газовой смеси при кристаллизации эпитаксиальных слоев (ЭС) твердых растворов на основе Sic.

3. Установление круга метаплов и их сплавов, обеспечивающих максимальную растворимость SiC в диапазоне температур 1170-1670 К.

4. Оптимизация технологии выращивания ЭС (SiC)i.x(AlN)x при электрожидкостной, газофазной эпитаксии, а также разработка методов получения гетероструктур SiC/твердый раствор на основе SIC.

5. Установление связи между морфологией и структурой синтезируемых твердых растворов на основе SiC

6. Изучение влияния температурного и лазерного отжига на стрзАурные дефекты в ГС.

7. Пол)Аение омических контактов к ЭС твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x.

8. Создание оптоэлектронных приборов с заданными электрическими и оптическими свойствами на основе полученных гетерострзАтур.

9. Изучение процесса формирования твердых растворов при высокотемпературном твердофазном взаимодействии SiC с карбидами переходных металлов (NbC, TiC, ZrC).

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые:

1. В рамках теории компенсационных уравнений определен характер растворимости элементов В, Ве, N, As, Sb, In, Al, Ga, Nb, Ti, Zr, Yb, Sn, O, P в Sic. Установлен механизм их диффузии в кристаллической решетке Sic и условия образования твердых растворов SiC с производными соединениями этих элементов (A1N, GaN, TiC, NbC, ZrC).

2. Получены ЭС твердых растворов в системах SiC-AlN, SiC-GaN методом ЭЖЭ из растворов в расплавах Yb, Ga, Al, Sn и их смесей в диапазоне температур 1170-1670 К. Проведена оценка вклада термодиффузии, электропереноса, термокапиллярной конвекции в процесс получения ЭС твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x заданного состава на подложках 6H-SiC методом ЭЖЭ. Установлено, что скорость роста ЭС при ЭЖЭ (5-15 мкм/ч) сравнима со скоростью роста при ГФЭ и пропорциональна плотности тока, протекающего через ростовую ячейку (до 40 А/смА) и температуре.

3. Методом математического моделирования определены условия воспроизводимости типа электропроводности ЭС (81С)1.х(А1Ы)х. При р

--> 0,5 ЭС обладают преимущественно п-типом проводимости, а

Аобщ р при--< 0,4 ЭС обладают как n-, так и р-типом проводимости в за

Асбщ висимости от состава источников паров.

4. Экспериментально установлено, что параметры решетки а и с твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x зависят от состава и подчиняются линейному закону, что подтверждается сдвигом рентгеновских дифракционных линий твердого раствора относительно дифракционных линий чистого Sic и A1N. Параметр а увеличивается от 3,078 Â до 3,115 Â, а параметр с уменьшается от 5,046 Â до 4,98 Â с ростом х от О до 100% моль. Обнаружено, что ГС (SiC)i.x(AlN)x при х > 0,2 кристаллизуются в по-литипной модификации 2Н.

5. Установлено, что удельное электросопротивление ЭС п-типа на два порядка выше, чем соответствующие значения ЭС р-типа. Примесная электропроводность до 500 К обусловлена наличием мелких доноров (N) и акцепторов (AI) с энергиями активации соответственно 0,1 и 0,25 эВ. Установлено, что зависимость коэффициента температурной чувствительности терморезистора, созданного на основе (SiC)i.x(AlN)x , с ростом X увеличивается и достигает максимума при температуре ниже 200 К.

6. Исследованы механизмы протекания тока и параметры области объемного заряда в ГП n-SiC/-p-(SiC)i.x(AlN)x (0,05<х<0,75) при плотноо л стях тока j=10' -10 А/ем в диапазоне температур 77 К<Т< 450 К. Онределены их основные характеристики, на основании которых установлено образование резких р-п переходов в ГС SiC/(SiC)i.x(AlN)x.

7. Установлено, что с увеличением содержания A1N в ЭС (SiC)i.x(AlN)x (0,03<х<0,17) максимумы полос фотолюминесценции (ФЛ) смещаются в коротковолновую область. Аналогичное смещение наблюдается при лазерном отжиге (À= 337 нм). Эффект смещения полос ФЛ интерпретирован образованием донорно-акцепторных пар Alsi-Nc . Показано, что увеличение времени отжига приводит к образованию донорно-акцепторных пар близкорасположенных дефектов Alsi-Nc за счет уменьшения числа ассоциатов, отдаленных друг от друга дефектов.

8. Спектры электролюминесценции (ЭЛ) и катодолюминесценции (КЛ) ГС n-SiC/-p-(SiC)i.x(AlN)x при 300 К и 77 К состоят из двух полос. Интенсивность и положение максимума коротковолновой полосы зависит от плотности тока и состава ЭС. При изменении содержания A1N от 35 до 73 % мол. максимум спектра коротковолновой полосы КЛ (2,82 эВ) смещается до 3,28 эВ. Длинноволновая полоса обусловлена рекомбинацией на дефектах структуры (вакансии углерода), а коротковолновая полоса связана с рекомбинацией на донорно-акцепторных парах N-A1. Обнаружено, что с понижением температуры от 300 К до 77 К интенсивность длинноволновой полосы увеличивается в два раза, а коротковолновой - в четыре раза.

9. Показано, что в системах SiC-NbC, SiC-TiC, SiC-ZrC при Т>2100 К происходит интенсивная взаимная диффузия компонент и в приконтактной области образуется непрерывный ряд твердых растворов. Смещение спектров ФЛ в длинноволновую область с увеличением х, в твердом растворе Sii.xNbxC указывает на получение варизонного материала. Это предположение подтверждено данными ОЖЭ спектроскопии.

1. Параметры диффузии элементов В, Ве, N, As, Sb, In, AI, Ga, Nb, Ti, Zr, Yb, Sn, O, P в Sic и характер их взаимной растворимости, а также образование твердых растворов на основе SiC в рамках теории компенсационных уравнений.

2. Результаты, определяющие вклад процессов термодиффузии, электропереноса и термокапиллярной конвекции на формирование твердых растворов SiC-GaN, SiC-AlN, получаемых методом ЭЖЭ.

3. Зависимость типа электропроводности твердого раствора (SiC)i. x(AlN)x, при газофазной эпитаксии от соотношения парциальных давлений аргона и азота в зоне роста при фиксированном составе источника паров.

4. Аддитивное изменение параметров решетки а и с при изменении состава (SiC)i.x(AlN)x, а также стабилизация политипа 2Н при X >20% мол.

5. Концентрационная зависимость электропроводности и коэффициента температурного сопротивления твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x, связанная с наличием мелких уровней доноров (азота) и акцепторов (алюминия) с энергиями активации 0,1 и 0,25 эВ соответственно.

6. Образование резких р-п переходов в ГС SiC/(SiC)i.x(AlN)x, подтверждающиеся электрическими и емкостными измерениями.

7. Донорно-акцепторная модель излучательной рекомбинации, в рамках которой дана интерпретация природы сдвига спектров ФЛ (SiC)i.x(AlN)x, в зависимости от состава и параметров лазерного отжига.

8. Коротковолновый сдвиг и гашение спектров КЛ (SiC)i.x(AlN)x, в зависимости от состава и температуры.

9. Образование непрерывного ряда твердых растворов в приконтакт-ной области SiC-NbC, SiC-TiC, SiC-ZrC при высокотемпературном твердофазном взаимодействии.

Практическая значимость работы:

- оценены растворимость и параметры диффузии элементов В, Ве, N, As, Sb, bi. Al, Ga, Nb, Ti, Zr, Yb, Sn, O, P в SiC ;

- результаты математического моделирования технологического процесса роста при газофазном методе могут быть использованы для оптимизации технологии получения гетероструктур на основе SIC;

- установлены эффективные растворители SiC, AIN, при температуре < 1670 К;

- оценен вклад различных механизмов массопереноса при ЭЖЭ в величину скорости роста ЭС твердых растворов на основе SiC;

- результаты исследования систем Si-C-Al-N, Si-C-Ga-N и термодинамический анализ Si-C-Ti, Si-C-Nb, Si-C-Zr могзп: быть использованы при получении высокопрочной карбидкремниевой керамики; созданы макеты оптоэлектронных приборов (светодиод, терморезистор, варистор) на основе твердых растворов SiC ;

- разработана модель гетероперехода, позволяющая объяснить экспериментальные вольт-амперные характеристики (ВАХ) наличием разрывов соответствующих зон на гетерогранице.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы были представлены на II, III, IV Всесоюзных конференциях по широкозонным полупроводникам (г.г. Ленинград, Москва, Махачкала, 1979, 1986, 1991), 1Х,Х,Х1 Всесоюзных конференциях «Конструкция и технология получения изделий из неметаллических материалов» (Обнинск 1984, 1986, 1988), Всесоюзном совещании-семинаре молодых ученых «Явления переноса в газах и жидкостях» (Алма-Ата, 1985), VI,VII Всесоюзных конференциях по росту кристаллов (Цахкадзор, 1985; Москва, 1988), III Всесоюзной конференции «Термодинамика и материа

13 ловедение полупроводников» (Москва, 1986), VII Всесоюзной конференции по кинетике роста и синтеза кристаллов (Новосибирск, 1986), на конференциях молодых ученых Дагестанского филиала АН СССР (Махачкала, 1980, 1984), Международной конференции «Оптика полупроводников», Ульяновск, 2001, III Международной конференции «Физика и промышленность Физпром-2001» (Москва. 2001), Международной конференции по SiC и родственным материалам ICSCRM2001 (Tsukuba, Japan 2001), а также в профильных журналах, выпускаемых в местной и центральной печати.

ВЫВОДЬГ.

1. Проведен термодинамический анализ изоморфных замещений в системах SiC-карбиды Nb, Ti, Zr. Установлено, что в системах SiC-NbC, SiC-TiC, SiC-ZrC ниже 1820, 2270 и 4270 К соответственно, твердые растворы не могут образоваться.

2. Изучены особенности кристаллизации ГС твердых растворов Sii-xNbxC. Получены твердые растворы Sii-xNbxC с содержанием Nb порядка до 5% мол.

3. Рентгенодифракционные исследования показывают, что на поверхности подложки (OOOl)SiC растут слои (111) Sii.xNbxC. Распределение Nb на поверхности носит неоднородный характер.

4. Установлено изменение параметра с в кристаилической решетке твердого раствора Sii.x NbxC, что обусловлено частичным замещением ионов Si ионами Nb в тетраэдрах.

5. Изучен элементный состав и профиль распределения компонентов в тонком слое вблизи гранищ.1 систем SiC-NbC, SiC-TiC и SiC-ZrC методом электронной ОЖЭ-спектроскопии. Данные Оже-спектроскопии свидетельствуют о размытости границы раздела между монокристаллами Sic и монокристаллами NbC, TiC, ZrC, что зчсазывает на интенсивный диффузионный процесс в этих системах.

6. Установлено, что в системах SiC-NbC, SiC-TiC и SiC-ZrC при твердофазном взаимодействии в диапазоне температур 2200-2500 К в при-контактной области происходит образование непрерывного ряда твердых растворов.

7. Исследована температурная зависимость коэффициентов диффузии в системе SiC-NbC в диапазоне 2200-2500 К. Определена кажущаяся энергия активации процесса диффузии Nb в SiC и Si в NbC (QNb-sic=8,17 эВ, Qsi-Nbc=6,98 эВ). Рассчитаны коэффициенты диффузии Zr, Ti в Sic и Si в Tic, ZrC при температуре Т = 2500 К.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. На основе теоретической модели компенсационных уравнений эмпирически установлены механизмы диффузии 14 элементов из различных групп таблицы элементов Д.И.Менделеева в карбиде кремния. Установлено, что наибольшей растворимостью в SiC обладают элементы В, AI, N2, Nb, Ti, Zr, As. Прогнозированы условия образования твердых растворов в SiC с соедине-ниямиА1К, GaN, TIC, NbC, ZrC.

2. Проведен анализ взаимодействия компонент раствора-расплава при ЭЖЭ и определен круг металлов и их сплавов, обеспечивающих максимальную растворимость Sic в диапазоне температур 1170-1670 К.

3. В результате анализа процесса массопереноса при гетероэпитаксии методом ЭЖЭ и исследования вкладов термодиффузии, электропереноса и термокапиллярной конвекции на скорость формирования слоев обнаружено, что:

- скорость роста ЭС при ЭЖЭ (5-15мкм/ч) сравнима со скоростью роста при ГФЭ при плотностях тока до 40 А/смА и температуре ячейки 13001500 К.

- основными параметрами, определяющими скорость роста ЭС, являются плотность тока протекающего через ячейку роста, а также геометрические размеры подложки, электродов, источника и раствора-расплава;

4. Методом математического моделирования определены основные параметры, обеспечивающие получение ЭС и ГС заданного состава - это плотность тока, толщина раствора-расплава, соотношение парциальных давлений в смеси газа, окружающую ячейку роста. Расчеты показали, что соотношение парциальных давлений Ar и N2 определяет не только скорость роста ЭС, но и тип проводимости. При Ры,/Робщ>0,5 ГС имеют преимущественно п-тип проводимости, а при Раа /Р,„бщ < 0,4 ГЭС обладают как n-, так и р-типами проводимости.

Исследовано влияние технологических параметров (скорость роста, температура, плотность тока, толщина раствора-расплава, состава и давления газовой смеси в зоне роста, состава источника паров и грань подложки) на морфологию и структуру ГС твердых растворов, выращенных ЖФЭ и ГФЭ методами. При этом установлено:

- морфология ГС, выращенных при ЭЖЭ зависит от типа растворителя. При выращивании из Yb на поверхности наблюдаются непрозрачные капли высотой 2-3 мкм, а у ГС выращенных из расплава Yb-Al поверхность имеет вид накладывающихся друг на друга треугольников. При вырапщ-вании из расплава Ga и Yb-Ga наблюдаются четкие фигуры шестиугольников;

- ГС с гладкой поверхностью (неоднородность по высоте 1-2) мкм получены методом ЭЖЭ в диапазоне температур 1170-1470 К при плотности тока j< 10 А/смА и скорости роста 2+10 мкм/час. Увеличение плотности тока 10<j<25 А/смА увеличивает скорость роста до 14-25 мкм/час и приводит к ухудшению морфологии ЭС;

С ростом содержания A1N в источнике при ГФЭ его распределение по площади в ГС становится неоднородным. При значениях A1N < 32 мол % в составе ГС поверхность имеет гладкий вид с неоднородностями по высоте < 3 мкм, а при значениях 32 <A1N<49.8 мол % в ГС проявляется блочная структура, доминирующая при значениях A1N >60 мол %;

- приросте на грани (0001 )Si на поверхности образуются округлые террасы, а при росте на грани (0001)С на поверхности наблюдается фигуры спиралей и пирамид шестиугольной формы. С увеличением толщины ГС морфологические различия на гранях уменьшаются.

Структурные исследования показали, что:

- при х>0,2 ЭС (SiC)i.x(AlN)x кристаллизуются в политипной модификации 2Н;

- при х=0,01+0,05ЭС наследуют структуру и политип подложки 6Н;

- при 0,05 <х<0,2 наблюдается рост ЭС политипа 2Н, 4Н, 6Н;

7. На основе твердого раствора (81С)ьх(АШ)х создан терморезистор большой чувствительности с омическими термостабильными контактами из трехслойного материала 81-Аи-№. При прочих равных условиях термочзЛъстви-тельность возрастает по мере увеличения содержания АШ в (8Ю)ьх(АШ)х.

8. Исследованы механизмы протекания тока и возникновения области объемного заряда в ГП п-81С-р-(81С)ьх(АШ)х (0,05<х<0,75) при различных плотностях тока (]=10-8-ЮА/сМА) в диапазоне температур 77 К<Т< 450 К. Определены основные характеристики р-п-переходов: контактная разность потенциалов, последовательное сопротивление, коэффициент неидеальности, температурный коэффициент напряжения, критическое обратное напряжение, механизм пробоя, характеристики ионизации и диффузионные длины дырок (0,8-2, 1-10"л см), глубина проникновения объемного заряда, величина максимального электрического поля в ГП, значение напряжения емкостной отсечки. При этом установлено:

- для ГС п-6Н81С/р-(81С)ьх(АШ)х ток в обратном направлении не насьща-ется, а растет с увеличением напряжения. Прямые ветви в области малых токов описываются выражением } = ;рехр 1<р<2, а в °бласти больших токов j = иоехр(Аи), (А=5-10). На прямых ветвях В АХ наблюдаются изломы, связанные с изменением величины и формы потенциальных барьеров на гетерогранице; пробой ГС п-81С/р-(81С)ьх(АШ)х ДО обратных напряжений ~ 20-25 В является обратимым и носит лавинный характер, а коэффициент ионизации в зависимости от напряжения изменяется по экспоненте; вольт-фарадные характеристики ГС п-6Н81С/р-(81С)ьх(АШ)х линейны в координатах С от и, что указывает на существование резкой гетерогра-ницы. С увеличением концентрации АШ в ЭС (8Ю)ьх(АШ)х значение напряжения отсечки (ис) растет. По величине барьера (яис) на гетеропереходе рассчитана работа выхода для твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x р-типа и установлено, что с увеличением содержания A1N в ЭС концентрация некомпенсированной примеси в них уменьшается. - в ЭС твердых растворов на основе SiC наблюдается фотовольтаический эффект, величина которого зависит от состава ЭС и степени освещенности его поверхности. Фотопотенциаи разомкнутой цепи имеет отрицательное значение

9. Обнаружен спектральный сдвиг полос ФЛ ЭС (SiC)i.x(AlN)x при возрастании X. Длинноволновые полосы в спектрах ЭС ГС n-SiC/p-(SiC)i.x(AlN)x возникают за счет инжекции дырок из широкозонного твердого раствора в относительно более узкозонную подложку SiC, а коротковолновые полосы обусловлены излучением ЭС (SiC)i.x(AlN)x вблизи гетерограницы. С понижением температуры от 300 до 77 К интенсивность длинноволновой полосы увеличивается в два раза, а коротковолновой - в 4 раза. Обнаружено смещение спектров ФЛ ЭС Sii.xNbxC в длинноволновую область спектра с увеличением X.

10. Проведен термодинамический анализ изоморфных замещений в системах Sic - карбиды Nb, Ti, Zr и определены коэффициенты диффузии Nb, Zr, Ti в Sic, и Si в NbC,ZrC,TiC при Т=2500 К. Установлено, что в системах SiC-NbC, SiC-TiC и SiC-ZrC при твердофазном взаимодействии в диапазоне температур 2200-2500 К в приконтактной области происходит образование непрерывного ряда твердых растворов.

11. Исследована температурная зависимость коэффициентов диффузии в системе SiC-NbC в диапазоне 2200-2500 К. Определена кажущаяся энергия активации процесса диффузии Nb в Sic и SIB NbC (QNb.sic= 8,17 эВ, Qsi-Nbc=6,98 эВ). Рассчитаны коэффициенты диффузии Zr, Ti в SIC и Si в Tic, ZrC при температуре Т = 2500 К.

1. Давиташвили О.И., Долгинов Л.М., Елисеев ИТ., Засавицский И.Н., Шотов А.П. Многокомпонентные твердые растворы соединений А» В 4. // Квантовая электроника, 1977.- Т.4.- С. 904-907

2. ГорюноваН.А. Сложные алмазоподобные полупроводники.- М.: Сов. радио, 1968.- С. 266.

3. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V группы. М.: Мир, 1967.

4. Антипас Д.А., Мун Р.Д., Джеймс Л.У., Эфиекамб Д. Четверные соединения Аз В 5, АгВб.- Материалы для оптоэлектроники.-М. : Мир, 1976.- С. 122-130.

5. ВшпЬаш R., Holonyan N. // Appl. Phys. 1979. У.50.- NIL- P. 6902 6906.

6. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор). //Квантовая элекгроника, 1976.- Т.З.-№7.- С. 1381-1393

7. Косолапова Т.Я., Андреева Т.В., Бартницская Т.С. Неметаллические тугоплавкие соединения.- М.: Металлургия, 1985.

8. Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния. В кн. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. -Л.: Наука, 1980.- С. 136-149.

9. Breitschwerdt K. G. Characteristics of diffused p-n-junctions in epitakialayers. -1 E E Trans, 1965, V.ED 12. №1.-P. 13-19.

10. Офицерова Н.В./ Автореферат канд. дис. Махачкала, ДГУ, 1996.- 26 С.

11. Singh У.А. Phenomenology of Solid Solibilities and ion-implantation sites:An orbital radio approach. Phys.Rev.,1982.-y. 36. -№8.- P. 217-221.

12. Simons G., Bloch A.N. Pauli-force model potential fop sohds.- Phys. Rev.B., 1982. -y. 37.- №6.- P. 2754-2758/13. lohnson O., Schock R.N. The 4H polytype of silver jodid - Acta cryst. B. 1975.- y. 31.- pt. 5.- R 1482 -1485.

13. Hacskay M.Ionic radius lattice defect model for the distribution coefficient in Si, Ge and III-V compounds - Phys. st. sol.(a), 1973.-V.I.- № 2.- P.497-501.

14. Philips I.e. Bonds and Bondc in semiconductors. N.Y. - N.Y.London: Académica Press, 1973. -P.281.

15. Сафаралиев Г.К./Докторская диссертация.- Баку, 1988.

16. St. lohn I., Bloch A.N. Quantum defect electronegativity scale for nontransi-tion elements. - Phys. Rev. hett., 1974.-V. 33.- № 18.- P.1095-1102.

17. OpMOHT Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М:. Высшая школа, 1982.- 528 С.

18. Корицкий Ю.В., Пасынков В.В., Тареева Б.М. Справочник по электротехническим материалам. Т.З.- Л.: Энергоатомиздат, 1988.- 726 С.

19. Сорокин Н.Д. Оценка параметров диффузии атомов в минералах. /Геохимия, 1982.- №5.- С. 619-629

20. Сафаралиев Г.К., Суханек Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Критерии образования твердых растворов на основе карбида кремния.// Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1986. -Т.22.- вып. 11 С. 1839-1841.

21. Сафаралиев Т.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Шабанов Ш.Ш. Исследование растворимости и диффузии в системах SiC NbC, SiC - TiC, SiC -ZrCV/Письма в ЖТФ, 1991.-T. 17.-вьш.23.-С. 80-83.

22. Мохов Е.Н., Торнушкина Е.Д., Дидин В.А., Козловский В.В. Диффузия фосфора в карбиде кремния. //ФТТ, 1992.- 34. №66.- С.1956-1958.

23. Гончаров Е.Е., Мохов Е.Н., Рябова Г.Г. Особенности диффузии бора в карбиде кремния. Свойства легированных полупроводниковых материалов. АН.СССР, Институт Металлов М., 1990.- С. 118-120.

24. Zudel Т., Weber I., Benson В., Hahn P.O., Schnegg A., Prigg H. Ultrafast diffusion of a defect in indium doped Sihcon introduced by in indium-cloped Silicon introduced by chemomechanical pohshing // Ahhl. Phys. hett., 1988.-V. 53.-№15.-R1426-1428.

25. Салаев Э.Ю., Исаев Ф.К., Исмайлов Ф.И., Аскеров К.А. Исследование диффузии примесей в слоистых полупроводниках типа А3В5.// Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1989.- Т.25.-№9.- С.1956-1958.

26. Gaiseanu Р., Dima I. Diffusion coefficient of boron in silicon at higt concentrations.// Reu. roum. phys., 1989.- V.34.- №4.- P.417-440.

27. Berry W.B., Energy K.A., Snartzlander A.B., Nelson A.I. How temperature cliffusivity for alumenum and silver in атофЬоиз silicon.// Abstract 20 th IEEE Photovoltaic Spec. Conf., Vol. 1.-New York.-N.4.- 1988.-P.262-266.

28. Pagani M. Secondary ion mass spectroscopy determination of oxygen diffusion coefficient in heavily Sb doped S.//J.Appl. Phys., 1990. V.68.- №7.- P. 37263728.

29. Rajora S., Curzon A.E. A study of the diffusion of indium into TaSi and TaSe2 in a scanning electron microscope.// Phys. Status, solidy. A., 1988.- V.108.-№2.- P.529-538.

30. Kuge S., Nakashima H. Solubility and diffusion coefficient of electrically active titanium in silicon // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1., 1991.- V.30.- №11 A.- P. 26592663.

31. Pelleg I, Ditchee Brian M. Diffusion of P in a novel three-dimensional device based on Si-TaSi eutectic // J. Apple. Phys., 1993.V.73.- №2.-P. 699-706.

32. Горбань A.H., Городнин В.A. Низкотемпературная диффузия фосфора в кремнии.//Изв. вузов. Физика, 1988.- вып. 31.- №9.- С.56-60.

33. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках.- Л.: Наука, 1972.-384 С.

34. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Шабанов Ш.Ш., Пашук Е.Г., Офицерова Н.В., Авров Д.Д. Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN./ФТП 1993.- Т.27.- вып.З.- С.402-408.

35. Нурмагомедов Ш.А., Сорокин Н.Д., Сафаралиев Т.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Особенности получения эпитаксиальных слоев твердых растворов

36. SiC)i. (AlN)x // Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1986.-Т.22.-ВЫП.10.- С.1672-1674.

37. Сафаралиев Г.К.,Таиров Ю.М.,Цветков В.Ф.,Шабанов Ш.Ш. Образование твердых растворов в системе SiC-BeO при горячем прессовании керамики./ Известия РАН, Неорганические материалы, 1992.- Т.28.- №4.- С.789-792.

38. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М.: Высшая школа, 1990.- 423 С.

39. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975.- 284С

40. Иоффе А.Ф. Два новых применения явления Пельте.// ЖТФ, 1956.- Т.26.-С.478-482.

41. Голубев Л.В., Пахомова Т.В., Хачатурян О.А., Шмарцев Ю.В. Жидкостная эпитаксия в электрическом поле.- В кн.«Труды IV Всесоюзного совещания по росту кристаллов».- Ереван, 1972.- ч.1.- С. 164-167.

42. Голубев Л.В., Корнеев Е.Ф., Шмарцев Ю.В./ Авт. свид. №394093. Бюлл. изобр., №34 (1973). «Способ получения полупроводниковых кристаллических структур».

43. Kumagava М., Witt A.F., Lichtensteiger М., Gatos Н.С. Current-controlled growth and dopant modulation un hquid phase epitaxy//. «I.Electrohem. Soc, 1973.- V. 120.- №4.- Р.583-584»

44. Daniele I.I. Peltier induced LPE and composition stabilization of GaAlAs.// Appl. Phys, Lett., 1975.- V.27.- Р.373-378/

45. Карпов С.Ю., Мильвидский М.Г., Никитин С.А. К теории токового управления составом по толщине эпитаксиальных слоев AlxGai.xAs// Письма в ЖТФ, 1982.- Т.8.- №14 С.883-887.

46. Бирюлин Ю.Ф., Голубев Л.В., Воробьева В.В. К вопросу об управлении составом в методе электрожидкостной эпитаксии.// ЖТФ, 1984.- Т.54.-№7.- С. 1394-1399.

47. Геворкян В.А., Голубев Л.В., Каряев В.Н., Петросян СТ., Шик А.Я., Шмарцев Ю.В. Электрожидкостная эпитаксия в полупроводниковых соединениях А3В5 и твердых растворов на их основе.// Труды международ, горн, симпозиума, г. Файнберг, 1977.- С.42-53.

48. Голубев Л.В., Зеленова О.В., Новиков СВ., Шмарцев Ю.В. Электрожидкостная эпитаксия твердых растворов InAsi.xSb.// ЖТФ, 1984.- Т.54.- №11.-С.2233-2237.

49. Гурков Л.М., Иващенко А.И., Кузьменко Т.О. Электрожидкостная эпитаксия соединений А3В5 для оптоэлектроники. М.: ЦНИИ «Электроника» Обзоры по электронной технике, 1986.- серия 2.- вып. 2(1184).- ч. 1.- С.70.

50. Гамбарян К.М., Геворкян В.А., Голубев Л.В. Анализ распределения примеси при равновесной электрожидкостной эпитаксии.// ЖТФ, 1984.- Т.54.-№10. -С.2011-2015.

51. Zytkiewicz Z.R. Electroepitaxy from а limited solution volume: growth kinetics calculatione. //I.Cryst. Growth, 1983.- V.61.- №3.-P.665-674.

52. Голубев Л.В., Ойченко P.M., Шмарцев Ю.В. Скорость роста пленки в методе равновесной электрожидкостной эпитаксии.// ЖТФ, 1982.- Т.52.- №2. -С.400-402.

53. Колесниченко А.И. Металлы-растворители для перекристаллизации кремния методом зонной правки с градиентом температуры.- В кн. Кристаллизация и свойства кристаллов.- Новочеркасск, НПИ, 1981.- С.27-33.

54. Лозовский В.Н., Хулла В.Д. О систематизации растворителей, используемых для зонной перекристаллизации градиентом температуры. В сб.: Кристаллизация и свойства кристаллов.-Новочеркасск, НПИ, 1985.- С.9-13.

55. Юлдашев Г.Ф., Водаков Ю.А., Мохов E.H., Усманова М.М., Саидбеков Г.Д., Бабакулов И.Д. Растворимость некоторых примесей растворителей в карбиде кремния // Изв. АН.УзССР, серия физ.-мат. наук, 1973.- №4.- С.90.

56. Сафаралиев Г.К., Билалов Б.А, Исследование процесса осаждения поликристаллических аморфных слоев карбида кремния // Тезисы докл. Все-союз. конф. Конструкция и технология получения изделий из неметаллических материалов. Т.1, Обнинск. 1984.-C.55.

57. Пеев Н.С. Карбид кремния, выращенный из растворов-расплавов и его электрофизические характеристики./ Автореферат канд. дисс. Л.: ЛЭТИ, 1970.- С.20.

58. Лучинин В.В. Эпитаксиальный рост карбида кремния в присутствии редкоземельных металлов.- Л.: Изв. ЛЭТИ, С.43-48.

59. Сафаралиев Т.К., Билалов Б.А., Эфендиев А.З. Исследование растворимости фосфора в карбиде кремния. // Известия Сев.-Кавк. НЦ ВШ, Естеств. Науки, №1, Изд-во Ростовского ун-та. 1984. -С. 56-58.

60. Павличенко В.И., Рыжиков И.В. Исследование карбид кремниевых кристаллов и р-п- переходов, полученных выращиванием из растворов редкоземельных элементов.// ФТП, 1968.- Т.2.- №11.- С. 1644.

61. Саидбеков Д.Г. Особенности легирования карбида кремния при выращивании методом зонной плавки с температурным градиентом. М.: Наука, 1977.-С.82-84.

62. Кальнин A.A., Смирнова И.А., Таиров Ю.М., Якимова Р.Т. Сравнительные данные по растворимости и скорости массопереноса карбида кремния врасплавах редкоземельных металлов- Л.: Сб. ст. Изв. ЛЭТИ, 1976.-ВЫП.116.- С.63-67.

63. Зиновьев В.Е. Кинетические свойства металлов при высоких температурах. М.: Метагаургия, 1984.- 197 С.

64. Гинайднер К.А., Айринг Л.Р. Физика и химия редкоземельных элементов. -М.: Металлургия, 1982.- С.336.

65. Билалов Б.А. /Кандидатская диссертация./ Ленинград, 1987.

66. Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Эпитаксия карбида кремния в олово кремниевых расплавах. -Тез. конф. молодых ученых Даг.ФАН СССР, Махачкала, 1981.-С. 102.

67. Сафаралиев Т.К., Билалов Б.А., Эфендиев А.З. Исследование процесса кристаллизации карбида кремния из жидкой фазы при пропускании электрического тока.// ЖТФ, 1984.- Т.54.- В. 10.- С. 2016-2020.

68. Сафаралиев Т.К., Билалов Б.А., Самудов Ш.М. Способ получения карбида кремния.// -Авт. свид. №12662253.

69. Александров Л.Н. Кинетика образования и структуры твердых слоев. Новосибирск: Наука, 1972.- 227С.

70. Якимова П.Т. Изучение эпитаксиального роста карбида кремния из растворов в системе кремний-скандий-углерод.//Канд. дисс. -Л.: 1978.- С.155.

71. Задумкин С.Н., Карашев A.A. Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах. Нальчик, 1965. - С.620.

72. Оно С, Кондо С. Молекулярная теория поверхностного натяжения в жид-костях.-М.:ИЛ, 1963.-С.212.

73. Ниженко В.И., Флока Л.И. Поверхностное натяжение жидких металлов и сплавов./ Справочник М.: Металлургия, 1981.- 286 С.

74. Задумкин СП. В кн.: Поверхностные явления в расплавах и возникающих из них твердых фазах. - Нальчик, 1985.- С. 12-29.

75. Воздвиженский В.М. Прогноз двойных диаграмм состояния. М.: Металлургия, 1975.- 223 С.

76. Кикоин И.К. Таблицы физических величин, справочник. М.: Атомиздат, 1976.- 1006 С.

77. Strauss S.W. The Temperatwe Dependence of the Density of Uquid Metals-Nuclear Science and Engineering 1964.- V.18.- Ш.- P.280-285.

78. Татаринова Л.И. Структура твердых аморфных и жидких веществ. -М.: Наука, 1986.- 151 С.

79. Щеликов О.Д., Палчаев Д.К., Палчаева Х.С., Билалов Б.А. Поверхностное натяжение и плотность расплавов SiC-Me. // Тезисы докл. III Всесоюзного совещания «Физика и технология широкозонных полупроводников», Махачкала ИПЦ ДГУ. 1986.-C.40.

80. Глазов В.М., Павлова Л.М. Термодинамические расчеты диаграмм состояний. М.: Металлургия, 1981.- 330 С.

81. Мильвидский М.Г., Пелевин О.В., Сахаров В.А. Физико химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений.//

82. Mitsuhata Т. Phenomenological thery on hquid phass epitaxy.// lapan. I.Appl. Phys, 1970.- V.9.- №1 P.90-97.

83. Deitch R.H. Liquid phase epitaxial growth gallium arsenide under transient thermal conditions. I. Cryst. Crowth, 1970.- V.7.- № 1: P.69-74.

84. Уфимцев В.Б., Акчурин P.X. Физико химические основы жидкофазной эпитаксии. - М.: Металлургия, 1983.- 222 С.

85. Сафаралиев Т.К., Билалов Б.А., Цветков В.Ф., Таиров Ю.М. Особенности массопереноса при ЭЖЭ SiC. // Тезисы докладов УП Всесоюзной конференции по кинетике роста и синтеза кристаллов. Новосибирск, 1986.-С. 82-83.

86. Банчила СМ., Палчаев Д.К., Филиппов Л.П. Тепловые свойства жидкого галлия, индия и таллия при высоких температурах.// ТВТ, 1979.- Т.17.-№3.-С507-510.

87. Gimtherodt Н., Hauser Е., Kunzi Н. Negative temperature coefficient of electrical resistively the divalent liquid metals Eu, lb, Ba. // I. Phys. P.: Metal. Phys., 1976.- V.6.- P.1513-1522.

88. Костиков B.A, Филиппов Л.П., Новикова И.И. и др. О переносных свойствах редкоземельных металлов при высоких температурах.//ТВТ, 1982.-Т.20.-№5.-С980-982.

89. Кирсон Э.Я. Термо-э.д.с. и поперечный эффект Нернста-Эттинсгаузена в электронном карбиде кремния.// Изв. АН Лат.ССР, сер. физ. и тех. наук, 1976.-Т.13.-С.41-45.

90. Билалов Б.А., Идаятов Э.И. Анализ процесса массопереноса при электрожидкостной эпитаксии карбида кремния. // Вестник ДГУ,Т.2 Махачкала. 1993.-С. 123-128.

91. Глазов В.М., Чижевская СИ., Глаголева H.H. Жидкие полупроводники. -М.: Наука, 1967.-244 С.

92. Регель А.Р., Глазов В.М. Периодический закон и физические свойства электронных расплавов. М.: Наука, 1979.- 307 С.

93. Строителев CA. Кристаллический аспект технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, СО АН СССР, 1976.- 190 С.

94. Яценко СП., Гровин О.П. Температурная зависимость термоэлектрических свойств жидких металлов.//ТВТ, 1972.- Т.10.- в.2.- С.305-307.

95. Савицкий Е.М., Терехов В.Ф. Металловедение редкоземельных металлов. М.: Наука, 1975.- С.220-225.

96. Салочкин Ю.В. Термокапиллярная конвенция в тонком слое жидкости, локально нагреваемом сверху. // ПМТР, 1973.- №610.- С.134-137.

97. Virkar A.V. Investigation of phase stability in the SiC-AlN.// I.Am. Ceram. Soc, 1983.- V.66.- №4.- P.272-276.

98. Griffiths L.B. Defect structure and polytypism in silicon carbide.// I. Phys. chem. sol., 1966.- V.27.- P.257-266.

99. Bensten L.D., Hassehnan D.P.H, Ruh R. Effect of hotpressing temperature on the thermal cliffusivity conductivity of SiC/AlN composites //1. Am. Ceram. Soc, 1983.- V.66.-№3.- C.40-41.

100. Rafaniello W., Cho K., Virkar A.V. Fabrication and Characterization of SiC-AIN alloys //1. Mater. Sci., 1981.- V.16.- №12.- P.3470-3488.

101. Ruh R. and Zangvil A. Composition and properties of hot pressed SiC - AIN solid Solutions//! Am. Ceram. Soc, 1982.- V.65.- №2.- P.260-265.

102. Zangvil A. and Ruh P. The 81зА14К4Сз and Si3Al5N5C3 compounds as SiC-AIN sohd solutions //1. Mater. Sci. Lett., 1984.- №3.- P.249-250.

103. Kuo S.V., lou Z.S., Virkar A.V. Fabrication, thermal treatment and microstructure development in SiC-AlN-AliOC ceramics// I.Mater. Sci., 1986.- V.21-R3019-3024.

104. Билалов Б. А., Нурмагомедов Ш.А., Курбанов M.K., Исмаилова Н.П. Исследование структуры твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x. // Вестник ДГТУ, Махачкала. Серия технические науки. В.4. 2001. -С. 65-68.

105. Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Т.К. Электропроводность полупроводниковых твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x // Вестник ДГУ.В. Естественные науки. Махачкала. 2000.-С. 18-23.

106. Ervin G., Ir. Silicon carbide-aluminmn nitride refractory compsite// US pat. 3492153, North American Rockwell Соф., Ian. 27,1970.

107. Cutler I.B., Miller P.D. Solid solution and releted Systems// Natyre (London), 1978.- V.275.-R434-435.

108. Cutler I.B., Miller P.D. SoUd solution and process for production a sohd solution // Us pat. u 141740, Feb.27,1979.

109. Zangvil A., Ruh P. Phase recatiohships in the silicon carbide aluminum nitride system // I.Am. Ceram. Soc, 1988.- V.71.- №10.- P.884-890.

110. RutzR.F. IBM Tech. Disci. Bull, 1971.-V.13.-P.3305.

111. Rutz R.F., Cuomo I.I. Eputaxial Growth of SiC on AIN substrates // Sihcon carbide, 1973, Ed. Marshall R.C., South Carolina: Uniwersiti of South Carolina Press Columbia, 1973.-P.72-77.

112. Лучинин B.B., Таиров Ю.М. Гетероэпитаксиальная композиция: редкий политип карбида кремния 2Н на изолирующей подложке: нитрид алюминия сапфир// Письма в ЖТФ, 1984.- Т. 10.- вып.14.- С.873-876.

113. Нурмагомедов Ш.А., Пихтин А.Н., Разбегов В.Н., Сафаралиев Т.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)i.x (AlN)x // Письма в ЖТФ, 1986.- Т.12.- вьш.17.- С.1043-1045.

114. Дмитриев А.П., Евлахов H.B., Фурман A.C. Расчет зонной структуры твердых растворов SiC-AlN методом псевдопотенциала.//ФТП, 1996.-Т.30.-В.1.-С.106-116.

115. Урусов B.C. Теория изоморфной смесимости. М.: Наука, 1977.- 251С.

116. Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Т.К. Электропроводность полупроводниковых твердых растворов (SiC).x(AlN)x // Вестник ДГУ.В. Естественные науки. Махачкала. 2000.-С. 18-23.

117. Мохов Е.П. Получение гомо- и гетероэпитаксиальных слоев SiC, состояние и перспективы.- В кн.: «Широкозонные полупроводники», Махачкала, 1988.-С.44-53.

118. Чернов А. А. Процессы кристаллизации.- В кн.: Современная кристаллография.- М.: Наука, 1980.- Т.З.- С. 149.

119. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиаль-ных слоях полупроводниках.- М., 1985.

120. Сафаралиев Г.К., Билалов Б.А., Шабанов Ш.Ш., Кардашова Г.Д., Абдель-джавад Х.А., Арчанов Ш.Ш. Плотность и микроструктура карбид кремниевой керамики. // Вестник ДГУ.В.4. Махачкала. 2000.-С. 10-13.

121. Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Электропроводность полупроводниковых твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x // Вестник ДГУ.В. Естественные науки. Махачкала. 2000.-С. 18-23.

122. Мохов Е.И., Усманова М.М., Юлдашев Г.Ф., Махмудов Б.С. Легирование карбида кремния элементами ША подгруппы при росте кристаллов из паровой фазы.// Изв. АНСССР, Неорг. материалы, 1984.- Т.2.- С.138-141.

123. Жукова A.A., Гуревич H.A. Электронография поверхностных слоев и пленок.- М.: Металлургия, 1971.

124. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Столяров О.Г., Шифрин С.С. Дефекты структуры в полупроводниках.- Издательство инстит. физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирск, 1973.- С.42.

125. Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1976.- 331С.

126. Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968.-С.72-216.

127. Сафаралиев Т.К., Билалов Б.А. Особенности массопереноса при электрожидкостной эпитаксии Sic // Тезисы докл. в межвуз. сб. «Кристаллизация и свойства кристаллов», Новочеркасск, 1985.-С. 91.

128. Ашурбеков CA. Разработка методы и средств магнитооптической лазерной интроскопии материалов квантовой электроники.// Кандидатская диссертация, Л. 1980.

129. Мадоян С.Г., Гусейханов М.К. Измерение удельных переходных сопротивлений омических контактов к тонким слоям полупроводников.// Изв. Вузов, Физика, 1976.- №6.- С.80-83.

130. Sulway D.y., Kyaw Н., Thornton P.R. Some foctors affecting the of GaP crystal lamps.// Solid state electronics.- 1967.- V.IO.- №6.- P.545-553.

131. Porter L. M., Devis R. Issues and status of ohmic contacts of p-type sihcon carbide.// Second International confer. On high temperature electronics.- Charlotte, North California, 1.5-10,1994.- У. 1. XIII - 3.

132. Liu S., Reinhardt K., Severt C. et.al. Long thermal stability Ni/C2/W ohmic contacts on n-type SiC. //Chaarlotte, North California, I. 5-10, 1994.- У.1.-XIII-9.

133. Proderick E.H., Wilhams R.H. Metal Semiconductor contacts.// Second edition. Clarendon Press. 1987.- P.170.

134. Liu S., Reinhardt K., Severt C, Scofield I. Long term thermal sta, ility of Ni/Ci/W ohmic contacts to n SiC// 6 Int, Conf. On Si and Relater Materials.-Kyoto, lapan, Sept. 18-21, 1995.

135. Сафаралиев Т.К., Гусейханов M.K., Исмаилова Н.П., Шувалов А.Н., Эмиров М.Б., Билалов Б. А. Механизм формирования поверхностно-барьерных структур металл-п-SiC. // Вестник ДГУ. В.1,1997.-C.9-13.

136. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов.- М.: Высшая школа, 1987.- С.239.

137. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. -М.: Мир, 1975.- С.57.

138. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы.- М.: Сов. радио, 1979.-235 С.

139. Курбанов М.К. Диссерт.канд.физ.-мат.н./ Махачкала, 1998.

140. Билалов Б.А., Эфендиев А.З., Магомедов P.M. Поведение полупроводников р-п-переходов в сильных электрических полях.//Тез. 4 Всес.совещ. «Физика и технология широкозонных полупроводников».- Махачкала, 1993.-С.15.

141. Лебедев А.А., Давыдов Д.В., Игнатьев К.И. Исследование контактной разности потенциалов 6H-SiC р-п-структур, сформированных по различным технологиям./ФТП, 1996.- Т.ЗО.- В.Ю.- С.1865-1869.

142. Gray Р.Е., Adler R.B. А simple method for determining the impurity distribution near a p-n-junction. //IEEE. Transact on Electron Devices, 1965.- ED-12.-8.-R475-477.

143. Сафаралиев Т.К., Курбанов M.K., Нурмагомедов Ш.А., Билалов Б. А. Исследование твердых pacTBopoB(SiC)i.x(AlN)x, методом вольт-фарадных харакгеристик. // ФТП.2001. Т.35, В.2, -С. 216-219.

144. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников.- Л., 1972.-C.104.

145. Верещагин И.К. Электролюминесценция твердых тел. М.: Знание, 1981 .-С.23.

146. Бахмйн К. Материалы для солнечных элементов./В сб. Актуальные проблемы материаловедения. М.: Мир, 1982.- вып. 1.- С.7.

147. Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.И. Фотоэлектрохимия полупроводников.- М.: Наука, 1983.-342 С.

148. Преобразователи солнечной энергии./Пер. с англ. Под ред.Б.Серафина.-М.: Энергоиздат, 1982.- 320 С.

149. Гираев М.А. Сафаралиев Т.К., Гасанов М.М. Барьер Шоттки на границе раздела фаз SiC-электролит./В сб.ст. Физика межфазных явлений.- ГБГУ, 1984.- С.134-138.

150. Эмиров Ю.Н., Сафаралиев Т.К., Курбанов М.К., Ашурбеков CA. Фотолюминесценция гетерограницы (SiC)i.x (AlN)x.// ФТП, 1994.- Т.28.-вьш.11.-С.1991-1994.

151. Сафаралиев Т.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Широкозонные твердые растворы (SiC)i.x (AlN)x.// Физика и техника полупроводников, 1991.-Т.25.- вьш. 8.-С. 1437-1446.

152. Баландович B.C., Виолин Г.И. Распределение эффективности фотолюминесценции по глубине диффузионных слоев карбида кремния, легированных боров.- Изд. ЛЭТИ, Научные труды, 1984.- в. 338.- С.12-15.

153. Сафаралиев Т.К., Разбегаев В.Н., Курбанов М.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Влияние состава слоев на электролюминесценцию гетероструктур (81С)1.х(А1М)х/81С./Электронная техника. Сер. Материалы, 1991.- вьш.4 (258).- С.22-24.

154. Виолин Э.Е., Воронков ОН., Найберт Ф.Ю Потапов Е.М. Влияние импульсного лазерного облучения на свойства импланированных слоев 81С.//ФТП, 1984.- № 5.- С.954.

155. Сафаралиев Т.К., Эмиров Ю.Н., Курбанов М.К., Билалов Б.А. Спектральный сдвиг полос фотолюминесценции эпитаксиальных пленок (SiC)i.x (AlN)x, обусловленный лазерным отжигом. // ФТП.2000. В.8,Т. 34, -С929.

156. Гуторов М.М. Основы светотехники и источники света.- М.: Энергоиздат, 1983.-C.384.

157. Курбанов М.К., Билалов Б.А., Сафаралиев Г.К. Механизм токопереноса и излучательная рекомбинация в гетеропереходах на основе твердых рас-TBopoB^Qi^AlN^, // Вестник ДГТУ, серия технические науки №3. Махачкала. 1999.-С. 78-82.

158. Сафаралиев Т.К., Таиров Ю.М., Офицерова Н.В., Морозенко Я.В., Абило-ва H.A. Катодолюминесценция твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x. // Физика и техника полупроводников, 1996, Т. 30, В.З, с. 493-496.

159. Дмитриев В.А., Ефимов Л.Б., Линков И.Ю., Морозенко Я.В., Никитина И.П., Челноков В.Е., Черенков А.Е., Чернов М.А. Твердые растворы SiC-A1N, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитак-сии./Письма в ЖТФ, 1991.- Т.17.-В.6.- С.50-53.

160. Дмитриев В.А.,.Иванов П.А, Морозенко Я.В., Попов И.В., Челноков В.Е.// ПисьмавЖТФ,1985.-№11.-0.246 .

161. Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов E.H. В сб.; Широкозонные полупроводники (Махачкала, Изд-во ДГУ,1988) с.23

162. Сафаралиев Т.К., Курбанов М.К., Билалов Б.А., Гусейнов М.Х. // Катодолюминесценция твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x // Вестник ДГУ, Естественные науки. Махачкала.2001. В.1 -С. 14-17.

163. Ормонт Б.Ф. Термодинамика соединений переменного состава./ В кн.: Соединения переменного состава. Гл.П.- Л.: Химия, 1969.

164. Сирота H.H. Физико-химическая природа фаз переменного состава.-Минск: Наука и техника, 1970.

165. Киркинский В.А. Влияние температуры на границы изоморфной смесимости./ Геохимия, 1965.- № 4.

166. Киркинский В.А., Ярошевский А.А. Физико-химические аспекты изо-морфизма./Зап.Всесоюзн.м.образ., 1967.- Т.96.- В.5.

167. Сафаралиев Г.К., Шабанов Ш.Ш., Билалов Б.А., Кардашова Г.Д. Механические и структурные свойства керамики SiC-BeO. // Вестник ДГУ, Естественные науки, Махачкала. 2001. В.4, -С. 12-16.

168. Киркинский В.А.Соотношение геометрического и энергетического факторов при изоморфизма./В кн.: Материалы по генетической и экспериментальной метрологии. Т.7.- Новосибирск: Наука, 1972. С. 150.

169. Wasastjema I.A. On the theory of the heat of formation of Sohd Solutione./ Soc.Sci.Fenn.,Comment. Phys.-math.,1949.-V.15.- №3.

170. Hietl J. Halide Solid Solutions./J. Properties of рщ-е compo-nenta.//Ann.Acad.Sci.Fenn., 1963.- AVI.- №121.

171. Сафаралиев Г.К., Билалов Б.А., Шабанов Ш.Ш., Кардашова Г.Д., Абдель-джавад Х.А., Арчанов Ш.Ш. Плотность и микроструктура карбид кремниевой керамики. // Вестник ДГУ.В.4. Естественные науки. Махачкала. 2000.-С.10-13.

172. Prener J., Williame F. Self-activation and Self-coactivation centere in zink-sulfidephosphore./J.Chem.Phys.,1956.-V.25.-№l.-P.735-841,

173. Платонов A.M., Марфушин A.C. 06 изоморфных замещениях в сфалеритах по спектроскопическим данным./В кн.: Проблема изоморфных замещений атомов в кристаллах.- М.: Наука, 1971.- С.268-281.

174. Кузьмина Г.А., Семиколенова Н.А. Условия образования твердых растворов полупроводниковых систем при гетеровалентном замещении./ Тр.Иркустск.политехн.ин-та, 1967.- В.37.- ч. 1.- С.70-74.

175. Fmiseth S., Selte K.//Acta.Chem.Scand., 1967.- № 2.- С.21.

176. Jean-Lonis A.M., Hamon C.ll Phys.Stat.Solids.//1969.-Xo 34.- C.329.

177. Горелик C.C., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков.- М.: Металлургия, 1988.- 569 С.

178. ПРИЛОЖЕНЖ 1 Компенсационные прямые для элементов, диффундирующих в кристаллической решетке 81С14 10 6 2у=-13.633+0.03б-'х-6 -10 -14-18,1. Л Л Л ' ло .-5050150250 350

179. Q, кДж/моль у=-11.е1-ю,01 "х460550050о