Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

1.Широкозонные твердые растворы: получение и свойства

1.1 Твердые растворы соединений А В

1.2. Твердые растворы на основе карбида кремния.

1.3. Основные методы получения карбида кремния и твердых растворов на его основе.

Выводы.

2. Процессы роста и структура эпитаксиальных слоев твердых растворов (81С)1.Х(АШ)Х.

2.1. Влияние параметров роста на состав и структуру эпитаксиальных слоев.

2.2. Исследование структуры эпитаксиальных слоев (81С)1.Х(АЩ)Х методом фигур травления.

2.3. Изучение структуры молекул эпитаксиальных слоев (81С)1х(АШ)х методом электронно-парамагнитного резонанса.

Выводы.

3. Электрофизические свойства твердых растворов

8!СЫА11Ч)Х.

3.1. Получение и исследование омических контактов.

3.2. Исследование стабильности омических контактов.

3.3. Температурная и концентрационная зависимости электропроводности.

3.4. Влияние сильных электрических полей на электропроводность карбида кремния и твердых растворов (81С)1х(АШ)х.

3.5. Характеристики ударной ионизации твердых растворов фСЫАПЯ)*.

Выводы

4. Люминесцентные и электрические свойства гетероструктур 81С/(81С)1.Х(А^)Х.

4.1. Фотолюминесценция.

4.2. Спектральные сдвиги полос фотолюминесценции, обусловленные лазерным отжигом.

4.3. Электрофизические процессы в гетероструктурах.

4.4. Электролюминесценция.

Выводы.

Актуальность темы.

Развитие электронной техники диктует необходимость расширения круга материалов, применяемых для создания микроэлектронных приборов и устройств. Это вызвано стремлением к расширению областей применения этих приборов, возрастанием требований к их надежности, стабильности параметров и устойчивости к внешним неблагоприятным воздействиям. Одним из путей решения этой проблемы является создание гомовалентных и гетеровалентных твердых растворов на основе уже известных полупроводников. Подбирая соединения и их относительное содержание в твердых растворах, можно создать материалы с заранее заданными свойствами.

Одним из перспективных материалов для создания гетеровалентных твердых растворов, работающих в экстремальных условиях, является карбид кремния SiC. Это связано, в первую очередь, с высокой химической, механической, тепловой и радиационной стойкостью этого полупроводникового материала.

Наибольший интерес в качестве второго компонента для создания твердых растворов на основе карбида кремния представляют нитриды металлов III группы периодической системы Д.И.Менделеева. Этот интерес обусловлен высокой вероятностью образования твердых растворов в этих системах, особенно в системах SiC-AIN и SiC-GaN. Кроме того, минимумы зоны проводимости в BN, A1N, и GaN находятся в центре зоны Бриллюэна, что позволяет прогнозировать существование твердых растворов SiC с указанными нитридами с подобной же структурой зон. Это должно привести к возрастанию эффективности излуча-тельной рекомбинации, что позволит создавать на основе таких соединений твердых растворов светодиоды и инжекционные лазеры.

Твердые растворы карбида кремния с нитридом алюминия являются непрерывными и при определенных составах они обладают прямой структурой зон. Важным свойством этих соединений является то, что в отличие от чистого A1N, который обладает преимущественно п-типом проводимости, они могут обладать как n-типом так и р-типом проводимости. К тому же, они могут наследовать уникальные механические, химические и тепловые свойства карбида кремния. Большая ширина запрещенной зоны, высокие подвижности носителей заряда, благоприятные особенности зонной структуры, а также возможность работы при высокой температуре и их достаточная радиационная устойчивость делает твердые растворы (SiC)i.x(AlN)x универсальными материалами, пригодными для применения в различных областях полупроводниковой электроники.

Микроэлектронные и оптоэлектронные приборы на основе твердых растворов работают на сравнительно больших уровнях мощности, поэтому металлические контакты являются важными элементами их структуры и определяют параметры, эффективность и надежность работы приборов. В связи с этим, вопрос создание низкоомных, стабильных по характеристикам омических контактов имеет важное значение при конструировании приборов. Имеющиеся в литературе работы по омическим контактам к твердым растворам (SiC)ix(AlN)x носят чисто прикладной характер, хотя исследование электрофизических свойств контактов металл-полупроводник и изучение закономерностей формирования омических контактов к твердым растворам (SiC)ix(AlN)x является весьма актуальным. Особенно перспективны твердые растворы (SiC)i-x(AlN)x в приборах основанных на гетеропереходах (инжекцион-ные лазеры, светодиоды, фотоприемники и т.п.) так как близость параметров решеток SiC и (SiC)ix(AlN)x позволяет получить гетеропереходы на их основе с малым числом состояний на гетерогранице.

Таким образом, изучение процессов роста эпитаксиальных слоев (ЭС) (8Ю)1Х(АМ)Х и исследование их основе представляет большой интерес.

Данная диссертационная работа посвящена изучению процессов роста и исследованию электрофизических свойств ЭС твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х и гетероструктур (ГС) на их основе. Особое внимание уделяется получению омических контактов и изучению электропроводности эпитаксиальных слоев твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х .

Цель работы.

1. Получение ЭС твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х.

2. Получение омических контактов к ЭС твердых растворов (81С)1 Х(АШ)Х и исследование их электрических свойств.

3. Исследование электрофизических свойств ЭС твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х и гетероструктур на их основе.

Задачи работы.

1. Получение ЭС твердых растворов (81С)1Х(АМ)Х с заданным составом на подложках карбида кремния и исследование их структуры с помощью травления.

2. Получение и исследование электрических свойств омических контактов к карбиду кремния и твердым растворам (81С)] Х(АШ)Х.

3. Изучение электропроводности твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х.

4. Изучение влияния сильных электрических импульсных полей на электропроводность карбида кремния и твердых растворов (8Ю)1.х(АШ)х.

5. Изучение механизмов ударной ионизации в ЭС твердых растворов (81СЫАШ)Х

6. Изучение механизмов излучательной рекомбинации в ГС (8гС)1 х(АШ)х.

Научная новизна заключается в том, что впервые:

1. Получены омические контакты к ЭС твердых растворов ^С)1Х(АШ)Х. Установлено, что наиболее низкие контактные сопротивления и хорошую адгезию имеют контактные системы (БьАи-М) - п8Ю, (8ьА1-№) - р8Ю и (А1-81)-р(81С)Ьх(АШ)х.

2.Установлено влияние состава на величину и тип проводимости удельного сопротивления: для слоев п-типа величина удельного сопротивления лежит выше, чем соответствующее значение для р-типа так как с ростом х структурное совершенство образцов ухудшается, дефекты структуры создают ловушки захвата, что приводит к увеличению удельного сопротивления образцов п-типа.

3. По результатам исследования температурной зависимости электропроводности рассчитаны характеристики терморезисторов на основе твердых растворов (81С)].Х(АШ)Х. Установлено, что, изменяя состав твердого раствора(81С)1х(АШ)х можно управлять основными параметрами терморезистора.

4. Определен механизм пробоя ЭС твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х в сильных электрических импульсных полях. Установлено, что имеет место электрический пробой, вызванный ударной ионизацией, связанной с микроскопическими барьерными слоями, локализованными на различных неоднородностях.

5. Предложена модель донорно-акцепторных пар (ДАП) объясняющая спектральный сдвиг полос фотолюминесценции, обусловленный лазерным отжигом. Показано, что увеличение времени отжига ЭС твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х приводит к образованию ближайших ДАП А181 - Ыс за счет удаленных ассоциатов, а уровни более тесных ассоциатов смещаются в соответствующие зоны, и в рекомбинацион-ном излучении не проявляются.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Физическое обоснование механизма изменения удельных переходных сопротивлений омических контактов к БЮ и твердым растворам (81С)]х(АШ)х с ростом температуры и последующей термообработки контактной системы.

2. Зависимость типа электропроводности и его величины от состава твердых растворов (8Ю)1Х(АШ)Х.

3. Ударная ионизация как основной механизм электропроводности монокристаллических твердых растворов (81С) 1 х(А1ТЧ)Х в сильных электрических импульсных полях.

4. Донороно-акцепторная природа сдвига спектров фотолюминесценции ЭС твердых растворов (81С)1.Х(АШ)Х под действием лазерного отжига.

Практическая ценность.

1. Представлены технологические режимы управляемого выращивания эпитаксиальных слоев ЭС (81С)1Х(АМ)Х .

2. Разработана методика получения омических контактов к БЮ и твердым растворам (8Ю)1Х(АШ)Х.

3. Результаты исследования электрических свойств эпитаксиальных слоев твердых растворов (81С)1Х(А11Ч)Х, позволяют создавать на их основе терморезисторы и другие приборные структуры.

4. Разработана методика импульсного пробоя полупроводников с малым сопротивлением, позволяющая создавать высокие напряженности за короткое время, что исключает возникновение теплового пробоя.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались: на 4т Всероссийском совещании «Физика и технология широкозонных полупроводников» (Махачкала, 1993 г.), на Всероссийской конференции «Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения» (Махачкала, 1995г.), на 2Ш Международной конференции по высокотемпературной электронике (Альбуркерк, США, 1996г.), на Международном семинаре «Карбид кремния и родственные материалы» (Новгород, 1997 г.), на Международной конференции по карбиду кремния, нитридам третьей группы и родственным материалам (Стокгольм, Швеция, 1997 г.), на Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 1998г.), на Международной конференции, посвященной 250-летию РАН и 50-летию ДНЦ РАН (Махачкала, 1999). Они докладывались также на итоговых научных конференциях Даггосу-ниверситета ( 1994-1998 гг.).

Публикации. Всего по теме диссертационной работы опубликовано 14 печатных работ.

Структура и объем диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с выводами, заключения, изложенных на 127 страницах машинописного текста, списка литературы.

10. Результаты исследования прямых ветвей вольтамперных характеристик показали, что они являются типичными для ВАХ анизотропных ГП. Анализ ВАХ в широком интервале температур показывает, что основным механизмом прохождения тока при Т=300 К является термоин-жекционная эмиссия носителей заряда с рекомбинацией в слое объемного заряда. При малых смещениях ток определяется рекомбинацией в области обедненного объемного заряда, а при больших смещениях -рекомбинацией в толще полупроводника. При увеличении содержания A1N в эпитаксиальных слоях обратные токи также растут. Пробой ГС до обратных напряжений -20-25В является обратимым и носит лавинный характер по дефектам структуры.

11. Спектры электролюминесценции, при малых токах через гетерограни-цу, состоят из двух полос интенсивность и положение максимумов которых зависят от плотности прямого ток и состава эпитаксиального слоя. С увеличением плотности тока через гетерограницу и с ростом х спектр излучения сдвигается в область больших энергий с одновременным увеличением интенсивности.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

1. Антипас Дж.А., Мун Р.Д., Джеймс Л.У., Эфиекамб Дж. Четверныессоединения AB . В кн.: Материалы для оптоэлектроники. - М.: Мир.-1976. -С.122-130.

2. Эттинберг М., Макфарлан С.Х., Джимберт С.Д. Выращивание слоев GaAs и AlxGaixAs на GaP из растворов в расплаве и их свойства. -В кн. : Материалы для оптоэлектроники. М.: Мир. -1976. -С. 112121.

3. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор). Квантовая электроника. -1976. -Т.З. -№7. -С. 1381-1393.

4. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп/Пер. с англ.; Под ред. Б.И.Болтакса. М.: Мир. -1967. -477 С.

5. Воронина Т.И., Джуртанов Б.Е., Лагунова М.А., Сиповская В.В., Шертнев Ю.П., Яковлев Ю.П. Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава. ФТП. -1998. -Т.32. -№3. -С. 278- 284.

6. Баранов А.Н., Именков Т.И., Рогачев A.A., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. ФТП. -1986. -Т. 20. -С. 2217.

7. Кюрягин A.C., Лазарева И.К., Стучебников В.М., Юнович А.Э. ФТП. -1972. -Т.6. -С.242.

8. Баранов А.Н., Воронина Т.П., Зимогорова Н.С., Канская Ю.П., Яковлев Ю.П. ФТП. -1985. -Т.19. -С.1672.

9. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М., Технология полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа. -1984. 288 С.

10. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов радио. -1986. -266 С.

11. Pauling L., J.Am. Chem. Soc. -1932. -54. -P.570.

12. Mulliken D. Chem. Phys. -1934. 2. -P. 782. -1955. 3. -P. 573.

13. Darken L.S., Gurry R.W. Physical chemistry of metals. N.Y. Mc. Grow Hill.-1953.-P. 86-89.

14. Chelicowsky I.R. Solid Solubilities in divalent alloys. Phys. Rev. B. -1979. -V. 19. -№ 2. -P.686.

15. Singh V.A. Zunger A. Phenomenology of Solid Solibilities and ionimplantation sites: An orbital radius aproach. Phys. Rev. B. -1982. -V. 36.-№8.-P.217-221.

16. Johnson O., Schock R.N. The 4H- polytype of Silver jodid. Acta cryst. B. -1975. -V. 31. -Pt. 5. -P. 1482-1485.

17. Simons G., Bloch A.N. Pauli force model potential for solids. - Phys. Rev. B. -1973. -V. 37. -№6. -P. 2754-2758.

18. Hacskaylo M. Ionic radius lattice defect model for the distribution coefficient in Si, Ge, and III-V compounds. - Phys. St. Sol. (a). -1973. -V. 1. -№2. -P. 497-501.

19. Phillips I.C. Bands and Bonds in semiconductors. N.Y. London: Aca-demiaPress. -1973. -P. 288.

20. Карбид кремния. Сб.: под ред. Хениша Г. и Роя Р. М.: Мир. -1972.-349 С.

21. Fiemunt R., Gemoj P., Kohont S. et. al. Optimised Growth Conditions of GaN Epitaxial Layers. Cryst. Res. And Techol. -1981. -16. -№11. -P. 1257-1266.

22. Gabe P., Pade V., Maiv S. X-ray difraction determination of valence - electron ensity in aluminum nitrids. Phys. Rev. B. -1981. 24. -№ 10. -P. 5634-5641.

23. Phillips J.C., Van Vechten J.A. Spectroscopic Analysis of Cohesive Energies and Heats of Formations of Tetrahedral Coordinater Semiconductors. - Phys. Rev. B. -1970. -V. 2. -№ 6. -P. 2147-2160.

24. Соболев B.C., Соболева О.С. Физико-химическая трактовка изоморфизма. Научи, зап. Львов, унив-та. сер. Хим. -1948. -№ 9. -Вып. 1. -С.5.

25. Ормоит Б.Ф. Термодинамика соединений переменного состава. В кн.: Соединения переменного состава. Гл. II. - Л. Химия. -1969.

26. Сирота Н.Н. Физико- химическая природа фаз переменного состава. Минск: Наука и техника. -1970.

27. Funseth S., Selte К. Acta Chem Scand. -1967. -V. 21. -P. 2.

28. Энергия химической связи./ Справочник.- Изв. АН СССР. -1962. -412 -С.

29. Cutler I. В., Vilber P.D., Rafaniello W. et.al. // Nature/. -1978. -V. 275.-№5679.-P. 434-435.

30. Ruts R. Epitaxial crystal fabrication of SiC-AlN. US. Pat. -1983.-№4, -P.382-837.

31. Нурмагомедов Ш.А. Сафаралиев Г.К. Сорокин Н.Д., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Особенности получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)ix(AlN)x . Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. -1986. -Т.22. -№ 10. -С. 1672.

32. Zangvil A., Ruh R.// Science and Engineering. 1986. -V. 71. -P. 159164.

33. Maeda К., et. al. Silicon Carbide Electrical Insulator Material of Low Dielectrical Constant. Patent USA. -1982. -№ 363261.

34. Киркинский В.А. Соотношение геометрического и энергетического факторов при изоморфизме. В кн.: Материалы по геомтриче-ской и экспериментальной минералогии. - Новосибирск: Наука. -1972.-Т.7.-С.150.

35. Hietala J. Alkali halide Solid Solutions. 2. Heat of formation of the Sodium chloride type Ann. Acad. Sci. Fenn. -1963. -AVI. -№ 122.

36. Урусов B.C. Теория изоморфной смесимости. M.: Наука. -1972. -С.251.

37. Rafaniello W., Cko К., Virkar A.// Fabrication and characterization of SiC-AIN alloys. J. Mater. Sci. -1981. -V. 16, -№12. -P. 3479-3488.

38. Ruh R. ,Zangvil A. Composition and properties of ot-pressed SiC-AIN solid solution. J. Amer. Ceram. Soc. -1982. -№ 65. -V. 5. -P. 260-265.

39. Maeda K., Miycshi T.// Patent № 4544642. USA. -1985.

40. Maeda K. et.al.// Additives and Interfaces Electron. Ceram. Proc. Spec. Conf. Cincinnati, Chic. -1982. -P. 260-280. .

41. Сафаралиев Г.К., Суханек Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф Критерии образования твердых растворов на основе карбида кремния. Изв.АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -1986. -Т.22 . -№ И.-С. 18-36.

42. Ervin G., Jr. Silicon carbide aluminum nitride refractory composite. US pat. 3492153, North American Rockwell Cor-P., Jan. 27, 1970.

43. Нурмагомедов Ш.А., Пихтин A.H., Разбегаев B.H., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Получение и исследование эпи-таксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)i. X(A1N)X. Письма в ЖТФ. -1986. -Т.12. -Вып. 17. -С. 1043-1045.

44. Курбанов М.К., Офицерова Н.В., Сафаралиев Г.К. Влияние условий получения на состав и электропроводность твердых растворов

45. SiC)i-x(AlN)x. В сб. статей студентов, аспирантов и преподавателей Даггосуниверситета. Махачкала. -1992.

46. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Офицерова Н.В., Таиров Ю.М. Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SiC)i-x(AlN)x. Изв. РАН, Неорган, мат-лы. -1995. -Т.6. -С. 14.

47. Дмитриев В.А., Елфимов Л.Б., Линьков И.Ю., Морозенко Я.В., Никитина И.П., Челноков А.Е., Черенков А.Е., Чернов М.А. Твердые растворы SiC-AIN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксией. Письма ЖТФ. -1991.-Т. 17. -Вып. 6. -С. 50-53.

48. Дмитриев А.П., Евлахов Н.В., Фурман A.C. Расчет зонной структуры твердых растворов SiC-AIN методом псевдопотенциала. ФТП. -1996.-Т. 30. -Вып. 1. -С. 106-116.

49. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: Сб. ЛИЯФ. Ленинград. -1979.1. С.122.51.

50. Czekaj C.L., Hackeney M.L.J., Hurley W. J., Jr., Interrante L.V., Sidel G.A., Scheilds -P.J., Slack G.A. Preparation of silicon carbide/ aluminum nitride ceramics using organometallic precursors // J. Am. Ceram. Soc. -1990. -V.73. -№ 2. -P. 352-357.

51. Таиров Ю.М. Прогресс в технологии карбида кремния: современное состояние разработок и направления дальнейших исследований

52. Межвузовский науч. тема-т. сб. статей. "Широкозонные полупроводники"- Махачкала. -1988. -С.4 -13.

53. Суханек Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.// Письма в ЖТФ. -1983.-Т.9 -Вып. 12. -С.737.

54. Rafaniello W., Plichta M.R., Vircar A.V. Investigation of phasa stability in the SiC- A1N // J. Amer. Ceram. Soc. -1983. -V. 66. -№4. -P. 272 -276.

55. Нурмагомедов Ш.А, Сафаралиев Г.К. Исследование процесса кристаллизации эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)i. X(A1N)X // 6 Всесоюзная конференция по росту кристаллов. -Цахкадзор. -1985. -С.116-117.

56. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Нурмагомедов Ш.А., Офицерова Н.В., Магомедов А.Г. Исабекова Т.И. Гетеропереходы в сис-TeMe(SiC)ix(AlN)x // Тез. Международного семинара: "Карбид кремния и родственные материалы" . -Новгород. -1997. -С.55.

57. Сафаралиев Г.К., Палчаев Д.К., Курбанов М.К., Келин Ю.И. Способ получения поликристаллического изделия из карбида кремния // Авт. свидетельство N 1506843 от 08.05.1989.

58. Баранов П.Г., Ильин И.В., Мохов E.H. Электронный парамагнитный резонанс акцепторов глубокого бора в кристаллах 4H-S1C и 3C-SiC.<DTn. -1998. -С. 36-40.

59. Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Люминесценция карбида кремния с отклонениями от стехиометрии //Физика и техника полупроводников. -1984. -Т. 18. -Вып. 7. -С. 1194-1198.

60. Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов E.H., Рамм М.Г., Соколов В.И. Влияние условий роста на термическую стабильность дефектной люминесценции со спектром Di-SiC //Физика и техника полупроводников. -1986. -Т.20. -Вып.12. -С. 2153 2158.

61. Таиров Ю.М., ЦветковВ.Ф. Контроль газовой среды при выращива-нии кристаллов карбида кремния. -ПТЭ. -1971. -№5. -С. 229-232.

62. Таиров Ю.М. Исследование влияния различных факторов на процесс роста кристаллов карбида кремния. В кн.: Рост кристаллов. -Л.-Т.6.-1965.-С. 199-202.

63. Эмиров Ю.Н., Сафаралиев Г.К., Ашурбеков С. А. Курбанов М.К. Фотолюминесценция гетерограницы (SiC)ix(AlN)x SiC //Физика и техника полупроводников. -1994. -Т. 28. -Вып.11. -С.1991-1994.

64. Бережной A.C. Кремний и его бинарные системы. // Киев. Изд-во АН УССР.-1958.

65. Венгер А.И., Водаков Ю.А., Примесное состояние бора в карбиде кремния //Письма в журнал технической физики. -1981. -Т.6. -Вып. 21. -С.1319-1323.

66. Srinivasan К., Srinivasan R. Strain dependence of the static and high frequency dielectric constants of the some cubic crustals //Proc. Nucl.Phys. and Solid State Phys. Sym-P.Bombay. -1972. -V.14. 273276. Discuss 276.

67. Сафарапиев Г.К., Таиров Ю.М. и др. / Гетеропереходы в системе карбид кремния твердый раствор (SiC)iX(A1N)X.// Изв. Вузов, Электроника. -1996. -№ 1-2. -С. 87-90.

68. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник. М., Металлургия. -1974. -С. 528.

69. Таиров Ю.М., ЦветковВ.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М., Высшая школа. 1988.

70. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф./ Широкозонные твердые растворы (SiC)ix(AlN)x. //Физика и техника полупроводников. -1991. -Т. 25. -Вып. 8. -С. 1881-1886.

71. Glass R.C., Pallmour J.W., Davie R.F., Porter L.M. Platinum cohmic contacts to Silicon Carbide, U.S. Patent, № 07/943, 043.

72. Papanicolaou N.A., Christou A.A., Gipe M.L. Pt and PtSix Schottky contacts top-SiC.//J. Appl.Phys. -1989. -V. 65 (9).-P. 2526-3530.

73. Porter L.M., Glass R.C., Davis R.F., Bow J.S., Kim M.J., Carpenter R.W. Chemical and electrical mechanisms in titanium, platinum and hafnium contacts to a( 6H)-SiC.// Mat/ Res/ Soc., Proc. -1993. -V. 282. -P. 471-477.

74. Porter L.M., Glass R.C., Davis R.F., Bow J.S., Kim M.J., Carpenter R.W. Chemistry, microstructure and electrical propeties of interfaces between thin films titanium and a( 6H)-SiC(0001).// J. Mat. Res. -1994.

75. Tung R.T. Electron transport at metal-semiconductor interfaces: general theory.//Phys. Rev. -1981. -B45(23); -P.13509-13523.

76. Saxena V., Steckl A.K., Vichare M. et. al. Temperature effects in the operation of high voltage Ni/6H-SiC Schottky rectifiers.// Second International Conf. On high temperature electronic. Charlotte, North Caroline, J. 5-10, -1996. -V. 1. VII-15.

77. Lundberg N., Tagtstrom P., Jansson U. CVD-based tunsten Carbide Schottky contacts to 6H SiC for very high temperature operation.// First European conference on SiC and related materials. -Greece, oct. 6-9, -1996. -P.54.

78. Constantinidis G., Tsadaraki K., Androulidaki M. Schottky barrier contacts on reactive ion etched 6H-SiC.// First European conference on SiC and related materials. -Greece, oct. 6-9, -1996. -P.67.

79. Anghel L., Ouisse Т., Billon T. Low frequency noise in Silicon Carbide Schottky diods.// First European conference on SiC and related materials. -Greece. Oct. 6-9, -1996. -P.72.

80. Ballandovich V.V., Bogachev S.V., Ilin V.A. et.al. Silicon Carbide temperature sensors.// Trans. Of the Third International Temperature Conference. USA. -1996. -P. 201.

81. Иванов П.А., Челноков B.E. Полупроводниковый карбид кремния технология и приборыю. // ФТП. -1996. -Т. 29. -Вып. 11. -С.1921-1940.

82. Андреев А.Н., Лебедев A.A., Растогаева М.Г. и др. Высота барьера в диодах Шоттка, сформированных на основе nSiC-6H. // ФТП. -1995. -Т. 29. -Вып. 10. -С. 1833-1843.

83. Веренчикова Р.Г., Санкин В.И., Исследование контактов металл-SiC. // Письма в ЖТФ. -1988. -Т. 14. -С. 1742.

84. Санкин В.И., Веренчикова Р.Г., Водаков Ю.А. и др. Свойства выпрямляющих контактов набН-SiC .//ФТП. -1982. -Т. 16. -С. 1325.

85. Waldrop J.R. Barrier height of contact metal-silicon carbamide.// Appl. Phys. -1994. -V. 75. -P. 4548.

86. Аникин М.М., Андреев А.А., Лебедев А.А. и др. Высота барьера систем металл-SiC. // ФТП. -1991. -Т. 25. -С.328.

87. Нисков В.Я. Разработка методик исследования омических контактов металл-полупроводник. Дис. кандидата технич. наук. М.: МИСиС. -1970. -214С.

88. Мадоян С.Г., Гусейханов М.К. Измерение удельных переходных сопротивлений омических контактов к тонким слоям полупроводников.// Изв. ВУЗов , «Физика». -1976. -№ 6. -С. 80-83.

89. Sulway D.V., Kyaw Н., Thornton P.R. Some factors affecting the of GaP crystal lamps.// Solid state electronics. -1967. -V.10, -№ 6. -P. 545-553.

90. Мадоян С.Г., Коган Л.М., Гусейханов M.K., Гофштейн-Гардт и др. Исследование отражающей способности металлических контактов к фосфиду галлия. // Электронная техника, сер. 2 , « Полупроводниковые приборы». -1976.-Вып. 6 (108). -С. 83-88.

91. Porter L.M., Davis R. Issues and status of ohmic contacts of p-type silicon carbide.// Second International confer. On high temperature electronics.- Charlotte, North California, J.5-10, -1994. -V. 1. -XIII-3.

92. Liu S., Reinhardt K., Severt C. et. al. Long-thermal stability Ni/C2/W ohmic contacts on n-type SiC. .- Charlotte, North California, J.5-10, -1994. -V. 1. -XIII-9.

93. Proderick E.H. Williams R.H. Metal-semiconductor contacts.// Second edition, Clarendon Press. -1987. -P.170.

94. Васильев И.Г., Боева Г.Г. Омические контакты к широкозонным полупроводникам GaAs, GaP, SiC.// Обзор по электронной технике. М.: Электроника, сер. «Полупроводниковые приборы». -1970. -Вып. 19(212). -С.10.

95. Chata К.К., Ogama М. Degragation of Au-Ge ohmic contact to n-GaAs.// 12 Ann.Pros. Realibility Phys. -1974. -P. 278-283.

96. Crofton J., Barnes P.A. A comparison of two and three band calculation of contact resistance for GaAs contact using the WKB approximation and numerical solution of the Schrodinger Equation.// Appl.Phys. Lett. -1991.-V. 69. -P.7660-7764.

97. Lui S., Reinhardt K., Severt C., Scofield J. Presented at workshop on high temperature .// Power electronics for vehicles. Fort Monmounth, MJ, USA, apr. 26-27, -1995.

98. Lui S., Reinhardt K., Severt C., Scofield J.Long term thermal sta,ility of Ni/Cr/W ohmic contacts to n-SiC.// 6 Int. Conf. On Si and Related Materials.- Kyoto, Japan, sept. 18-21,-1995.

99. Берг A.A., Дин П. Светодиоды. М.: Мир. -1979. -550 С.

100. Гусейханов М.К., Сафаралиев Г.К., Исабекова Т.И., Исмаилова Н.П. Свойства контактов на основе никеля к карбиду кремния.// Изв. ВУЗов (Северокавказский регион), сер. Естественные науки. -1997. -№ 4. -С. 41-44.

101. Crofton N.J. Barness J.R., Williams J.R. Contacts resistance measurement on p-type 6H-SiC.// J. Appl. Phys. Lett. -1993. -V. 62(4). -P.384-386.

102. Dmitriev V.A. Irvin K., Spenser M. Low resistivity («10~5 Qcm )ohmic contacts to 6H silicon carbide fabricated using cubic silicon cabide contact layr.// J. Appl. Phys. Lett. -1994. -V. 64(3). -P.318.

103. Cho N.J., Hwang C.S., Bang W., Kim H.J. Effect of reaction products in monocrystalline (3-SiC/metal contact on contact resistivity.// Silicon carbide and related materials. Washington. -1996. -P.376.

104. Hagen S.H. Surface barriers of contact metal-silicon carbide.// J. Appl. Phys. 1968. -V. 39. -P.1458.

105. Соколов A.B. Оптические свойства металлов,- M. -1961. -360 С.

106. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Шабанов Ш.Ш., Пашук Е.Г., Офицерова Н.В., Садыков С.А., Авров Д.Д. Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN. ФТП. -Т.21. -Вып. 3. -1993. -С. 402-408.

107. Нурмагомедов Ш.А., Разбегаев В. Н., Пихтин А. Н., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В. Ф. Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов (SiC)ix(AlN)x. ФТП. -1989. -Т. 23.-Вып.1. -С. 162- 164.

108. Абдуев А.Х., Атаев Б.М., Ащурбеков С.А., Курбанов М.К., Нурмагомедов Ш.А., Сафаралиев Г.К. Управляемое изменение люминесцентных свойств твердых растворов на основе SiC. Письма в ЖТФ. -1988. -Т. 14. -Вып. 12. -С. 1095-1098.

109. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов, М., Радио и связь. -1990. -264 С.

110. Резисторы: Справочник. Под ред. И.И. Четвертакова и В.М. Терехова. М.: Радио и связь. -1991. -528 С.

111. Свойства, получение и применение тугоплавких соединений: Справочник/ Под ред. Косолаповой Т.Я., М.: Металлургия. -1986. -928 С.

112. Справочник по электротехническим материалам./ Под ред. Ко-рицкого Ю.В., Л.: Энергоатомиздат. -1988. -Т. 3. -728 С.

113. Андреева Т.В., Горячев Ю.М.// Порошковая металлургия. -1981.-№3. -С.73.

114. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов .радио. -1979. 235 С.

115. Курбанов М.К., Шабанов Ш.Ш., Эфендиев А.З., Эфендиев К.А., Камара А. Поведение карбида кремния в сильных электрических полях. ДГУ. 40-ое ВС ФТШП. -1993. -С.7.

116. Кюрегян A.C. Об ударной ионизации в полупроводниках в сильных электрических полях. ФТП. -1976. -Т. 10.

117. Пасынков В.В., Чиркин JI.K., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы. М.: Изд. «Высшая школа». -1981. -С. 95.

118. Верещагин И.К. Электролюминесценция твердых тел. М.: Знание. -1981. -С.23.

119. Woods M.N., Sohson W.C., Lampert М.А.// Sol.St. Electronics. -1973.-V. 16.№ 3. -P.381.

120. Дмитриев В.А., Иванов П.А., Корнев И.В., Морозенко Я.В., Попов И.В., Сидорова Г.А. и др. Письма в ЖТФ. -1985. -Т. 11. -№4,-С.238.

121. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Озеров Ю.В., Тигиняну И.М. Применение методов модуляционной спектроскопии для исследования дефектов в широкозонных полупроводниках. Труды ФИАН СССР.-1985. -Т. 163. -С. 39 100.

122. Дубровский Г., Лепнева A.A. Энергетическая зонная структура и оптические спектры кристаллов. ФТП. -1977. -Т. 19. -С. 12521257.