Эпитаксия твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x из газовойфазы и физические свойства гетероструктур на их основе. тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Дагестанский ордена Дружбы народов государственный

РГ8 ОД университет.

! П (."Г-П

На правах рукописи

КУРБАНОВ МАЛИКАЖДАР КУРБАНОВИЧ

УДК 621. 315.592: 546. 261. 28

Эпитаксия твердых растворов (БЮ)]_х(АЛЫ)Х из газовой фазы и физические свойства гетероструктур на их основе.

01.04.10 - Физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

Диссертации на соискание ученой степени Кандидата физико-математических наук

Махачкала 1998

Дагестанский ордена Дружбы народов государственный университет.

На правах рукописи

КУРБАНОВ МАЛИКАЖДАР КУРБАНОВИЧ

УДК 621. 315.592: 546. 261. 28

Эпитаксия твердых растворов ^С)1_Х(А1Н)Х из газо- . вой фазы и физические свойства гетероструктур на их основе.

01.04.10 - Физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

Диссертации на соискание ученой степени Кандидата физико-математических наук

Махачкала 1993

Работа выполнена па кафедре экспериментальной физики Дагестанского ордена Дружбы народов государственного университета.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

профессор Сафаралиев Г. К.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Рабаданов P.A. кандидат физико-математических наук, ст. цаучн. сотр. Зобов Е. М.

Ведущее предприятие: Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

_ . Защита состоится « Ш 1998 г.

в /с часов на заседании Специализированного Совета К.621.61.06 Дагестанского государственного университета по адресу: 369025, г. Махачкала, ул. Гаджиева, 43".

Отзывы на автореферат направлять по адресу: 367025, г. Махачкала, ул. Гаджиева, 43а, ДГУ.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ДГУ. Автореферат разослан « » 1998 г.

Ученый секретарь Специализированного Совета, доктор технических наук, профессор Гайдаров Ш:А.

fjcutA-

Краткий характеристика работы.

Актуальность темы.

Прогресс в развитии электронной техники во многом связан с разработкой и внедрением новых полупроводниковых материалов. К перспективным полупроводниковым материалам, наиболее полно отвечающим современным требованиям, относится карбид кремния и твердые растворы на его основе. В силу удачного сочетания полупроводниковых и физико-химических свойств, приборы на основе карбида кремния обеспечивают высокую надежность и стабильность при экстремальных условиях эксплуатации

В последнее время утвердилось понимание, что в оптоэлектронике, особенно в приборах, использующих коротковолновую область видимого диапазона света и ультрафиолетовую область, перспективны твердые растворы карбида кремния с нитридом алюминия, благодаря тому, что при определенных составах они имеют прямозонную структуру и перекрывают интервал энергий от 3 до 6 эВ. Твердые растворы (SiC)M( AIN), образуются и получают во всем диапазоне концентраций х Важным свойством этих растворов является то. что в отличие от чистого A1N. они могут обладать как п -, так и р-типо.м проводимости. К тому же. твердые растворы (SiC)i.x(AlNK могут наследовать уникальные механические, химические и тепловые свойства карбида кремния. Особенно перспективны твердые растворы (SiCh.x(AJN)x в приборах, основанных на гетеропереходах (инжекционные лазеры, светодиоды. фотоприемники и т.д.). так как близость параметров решеток SiC и i.SiC)i.x(,A1N)X позволяет получить гетеропереходы на их основе с малым числом состояний на гетерограни-це. Таким образом, изучение процессов роста эпитаксиальных слоев (SiC);.,(AIN)x и исследование свойств гетероструктур на их основе имеет важное практическое значение.

Кроме того, в связи со спецификой широкозонных твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x. изучение процессов их гетероэпитаксии и различных электрофизических явлении в n-SiC-p-(SiC)|.x(AlN)« гетеропереходах представляет самостоятельный научный интерес. Эти исследования направлены на дальнейшее развитие представлений к;1.к о процессах роста широкозонных полупроводниковых твердых растворов методом сублимации, так и о механизмах протекания тока, люминесценции и т. д. в р-п-структурах на основе широкозонных полупроводников

Целы« работы является совершенствование технологии выращивания гетероэпнтаксиальных слоев твердых растворов (SiC)i.x(AlN)., на подложках SiC методом сублимации, создание на их основе диодных

структур и комплексное исследование свойств n-SiC-p-(SiC)|.x(AlN)K - гетеропереходов.

Для достижения этой цели решались следующие задачи:

1. Исследование физико-технологических условий гетероэпитаксии твердых растворов (SiC)i.v(AlN), с заданным составом на подложках SiC Создание управляемой технологии получения эпитаксиальных слоев (SiC)i.,(AlN)x с заданным типом электропроводности.

3. Исследование структуры и морфологии эпитаксиальных слоев (SiC)i дAIN'ix, а также воздействие лазерного излучения на структурные дефекты.

4. Изучение электрических свойств гетсроструктур n-SiC/p-(SiC)i.x(AlN)x.

5. Исследование фотолюминесценции эпитаксиальных слоев (SiC)i.x (AlN)x и электролюминесценции в H-SiC-p/(SiC)i.x(AlN)x -гетсрострук-ПРах

Научная ноипзиа заключается в том. что впервые:

1. Показано, что сублимационное травление подложек SiC в парах Si и последующее выращивание эпитаксиальных слоев в едином непрерывном процессе с использованием в качестве источника горячепрес-сованных плотных поликристаллических твердых растворов SiC-AIN позволяет получать однородные по объему и поверхности структурно-совершенные эпитаксиальные слои (SiCh.xl AIN)X

2. Определены условия воспроизводимости типа электропроводности эпитаксиальных слоев (SiC),.x(AlN)x варьированием соотношений парциальных давлении аргона и азота в зоне роста.

3. Исследованы механизмы протекания тока в n-SiC-p-(SiC)i.x(AlN)x -гетеропереходах (0.05<х< 0.75) при различных плотностях тока

( J =11) " ЮА/см ") в диапазоне температур 77К< Т< 450К. Из вольт-амперных характеристик определены основные характеристики п-р-переходов: контактная разность потенциалов, последовательное сопротивление. коэффициент неидеальности, температурный коэффициент напряжения, критическое обратное напряжение, механизм пробоя, характеристики ионизации и диффузионная длина дырок.

4. Исследованы вольт-фарадные характеристики n-SiC-p-(SiC)i.x(AlN)x гетеропереходов (0.05 < х < 0,75) в интервале температур 77К < Т < 450 К. Установлено, что гетеропереходы являются резкими. Определены значения напряжения емкостной отсечки, концентрации некомпенсированных акцепторов в эпитаксиальном слое (SiC)Ux(AlN)x р-тнпа на глу бине проникновения области объемного заряда и ширину р-п- перехода. Рассчитано значение максимального электрического поля в р-п-гетеропереходе.

5 Установлено, что с увеличением содержания A1N в эпитаксиальном слое !SiCii.K(AINk максимумы полос фотолюминесценции смещаются в коротковолновую область. Аналогичное смешение с одновременным возрастанием интенсивности наблюдается и при лазерном облучении с длиной волны л=137 нм 6. Показано, что в гетсроструктлрах n-SiC/p-(SÍC)i.x(AlNh при комнатных температурах наблюдается эффективная электролюминесценция. Обнаружено. что спектры свечения, как правило, состоят из двух полос. Интенсивность и положение максимума коротковолновой полосы зависит от плотности тока и состава эпитаксиального слоя. Научные положении ныноснммс на ташнту: i Существование зависимости типа электропроводности эпитаксиаль-ных слоев (SiC). ,x( А1МК от соотношения парциальных давлений аргона и азота в зоне роста при определенном составе источника паров. 1 Образование резких переходов в гетероструктурах n-SiC/p-(SiC)i.

4(A1Nk. подтверждающее их электрическими характеристиками. 2. Смещение спектров фотолюминесценции (SiC)|.v(AlN)x в коротковолновую область в зависимости от концентрации х и параметров лазерного отжига (длина волны, мощность). Быстрый рост интенсивности коротковолновой полосы по сравнению с другими полосами спектра с увеличением уровня возбуждения. 3. Наличие двух полос в спектре электролюминесценции гетерострук-тур n-SiC/p-(SiC)].x(AlN)x. Зависимость интенсивности и положения максимума коротковолновой полосы от плотности тока через структуру и состава эпитаксиального слоя p-(SiC)i.j AJN), Практическая ценность:

1. Усовершенствована методика выращивания гетероэпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)» на подложках SiC методом сублимации.

2. Разработан новый способ получения поликристаллического изделия из SiC (АС N1506843 от 08.05.1989).

3. Рекомендованы технологические режимы выращивания слоев и объемных кристаллов (SiC)i.K(AlN)x с заданным типом проводимости и составом.

4. Результаты комплексного исследования структурных, электрических и оптических характеристик n-SiC/p-(SiC)Ux(AlN)x гетероструктур могут быть использованы для создания на их основе приборных структур.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на X Всесоюзной конференции "Конструкция и технология получения изделий из неметалл1гческих материалов" (Обнинск. 1986г.), на VII Всесоюзной конференции по росту кристаллов (Москва. 1988г.). на V Всесоюзной конференции по физический процессам в полупроводниковых ге-

тероструктурах (Калуга. 1990г.), на Международной конференции по аморфному и кристаллическому карбиду кремния (США. Санта-Клара, 1991г.), на IX - теплофизической конференции СНГ (Махачкала, 1992г.), на IV Всероссийском совещании "Физика и технология широкозонных полупроводников" (Махачкала, 1993г.), Всероссийской научно-технической конференции "Состоя!.»; и перспективы термоэлектрического приборостроения" (Махачкала, 1995 г.), т П Международной конференции по высокоте'iicparyp:¡он электронике (США, Ал^букерк, 1996г.), на Международном семинаре "Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе" (Новгород, 1996 г.), на Международном семинаре " Карбид кремния и родственные материалы " (Новгород. 1997 г.), на Международной конференции по карбиду кремния, нитридам III группы и родственным материалам (ICSC III - №97, Швеция, Стокгольм. 1997 г.), на II Европейской конференции по высокотемпературной электронике (Англия, Манчестер, 1997 г.). на IV Международной конференции по высокотемпературной электронике (США, Альбукерк, 1998г.). Они докладывались также на итоговых1 научных конференциях Даггосуниверситета (1988-1998 гг.).

Структура н объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Общий объем диссертации 132 страниц, включая 2 таблицы и 71 рисунков. Библиография содержит 112 наименований.

Содержание работы.

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, изложены цели и задачи работы, приведены новые научные результаты и на их основе сформулированы основные научные положения, выносимые на защиту.

Первая глава состоит из четырех разделов и посвящена теоретическому и экспериментальному исследованию процессов плероэшпакеш: твердых растворов (SiC)i_x(AIN)x из газовой фазы.

В первом разделе дается краткий обзор основных теоретических п экспериментальных работ, посвященных полупроводниковым твердым растворах! (SiC),.x(AlN)x. Дан анализ современного состояния получения и исследования этих материалов и структур на их основе.

В настоящее время отработана технология гетероэпитаксиального выращивания слоев и объемных кристаллов (SiC)j.x(AlN)x с заданным типом электропроводности на подложках карбида кремния [1,2]. Изучены структурные, электрические и люминесцентные свойства и влияние на них различных внешних воздействий. Исследованы электрические и оп-.

тические свойства гетеропереходов ( ГП ) и-Б^-р- (31С),.Х(А1Ы)Х [3]. Рассчитана зонная структура твердого раствора (51С),.Х(А1Ы)Х со структурой зюрцита (4|. Расчеты показывают, что данные твердые растворы могут иметь прямозонпую структуру в широком интервале концентрации, вплоть до х г= 0.4. Рассчитанные значения рассогласования параметров решеток подложки и слоя (51С)|.Х(А1Ы)Х изменяются от-7.8* 10"5 до -1.1* 10* для различных эпитаксиальных слоев (ЭС) [5]. Эти исследования дают основание полагать, что в ближайшем будущем будут созданы фиолетовые и ультрафиолетовые светодноды и лазеры на их основе.

Во втором разделе главы показано, что из существующих методов полугения монокрнсталлического карбида кремния наибольшие перспективы для выращивания твердых растворов (51С)1.Х(АШ)Х имеет метод сублимации. Дано описание технологической установки и кристаллизационных ячеек для гетероэпнтаксни (51С)|.Х(А1Ы)Х на подложках карбида кремния методом сублимации в среде смеси аргона и азота. Использование карбид-циркониевых и карбид-титановых тиглей высокой плотности позволило снизить загрязнение поверхности подложки свободным углеродом, выделяющимся из графитовой арматуры печи. Тем самым достигалось большей замкнутости ячейки роста. Определены тепловые поля и градиенты температур в зоне роста. По ним определены оптимальные градиенты температур (К)" 5 ДТ<25" ) и расстояния ( 5 мм < Дх 5 10мм) между источником паров и подложкой.

Выращивание ЭС (51С)их(А1М)х проводилось в диапазоне темпера-гур 2300-2500 К из газовой фазы при давлении смеси азота и аргона от 2*10' до 8*104 Па. В качестве подложек использовались монокристаллические пластины карбида кремния бН-политипа. выращенные методом Лели. Подложки имели п-тип проводимости с Ы<гН> = (6*И)17 4-3*10'* ) см"3. Исследования показали, что использование горячепрессованных поликристаллических твердых растворов (81С),.Х(А1М)Х в виде таблеток в качестве источника паров позволяет получить однородные по толщине и поверхности ЭС. Карбид кремния начинает разлагаться при температуре ~1070 К. Это является одной из причин пассивации поверхности подложки углеродом, которая приводит к образованию сильно-дефектных переходных слоев на границе пленка- подложка. Избавиться от пассивации поверхности подложки возможно при использовании сублимационного травления подложек карбида кремния парами кремния непосредственно перед эпитаксией. Именно, проводя травление подложек карбида кремния парами кремния в едином непрерывном процессе, удалось получить структурно-совершенные 51С/(51С)ьх(А1Ы)х гетероструктуры (ГС).

В третьем разделе приводятся результаты теоретических и экспериментальных исследований зависимости скорости роста и состава ЭС

(SiC)].»(AIN), от технологических параметров. Расчет проводился на ЭВМ. Анализ расчетов показал, что содержание A1N в растущих слоях, при прочих равных условиях, в сильной степени зависит от соотношения парциальных давлений газов в зоне роста. Экспериментальные результаты. приводимые в работе показывают хорошее соответствие с выводами расчетов

С увеличением парциального давления азота F\; (при постоянном общем давлении ~7* ((>' Па) концентрация A1N в ЭС растет, достигая определенного предельного значения при данном составе источнику. Скорость роста ЭС <SiC)i.vi AIN),. также зависит от соотношения парциальных давлений азота и аргона в зоне роста. Она уменьшается с увеличением Ps;. Заметное влияние на состав слоев оказывает температура роста. С увеличением температуры обнаружено некоторое увеличение содержания A1N в выращенных слоях. При этом улучшается также структура и морфология слоев. Однако, во избежание эффектов перекрестного легирования и возникновения нежелательных гомопереходов, рост ЭС проводился при возможно низкой температуре \~2350K). совместимой с хорошей структурой il морфологией наращенного слоя.

Четвертый раздел главы посвящен изучению вопросов управления типом электропроводности ЭС (SiC)i.4(AIN)v Тип проводимости определяли с помошью термозонда, по вольт-амперным характеристикам (ВАХ). вольт-фарадным характеристикам (ВФХ) и эффекту Холла. Исследования показали, что в зависимости от условий роста слои обладают как п. так и р- типом электропроводности, причем тип электропроводности корродируется с парциальным давлением азота в зоне роста. При соотношении Pn: / Р1Ч-,Ш < 0.5 (прочих равных технологических условиях) полученные слои обладают как р- так и и- типом электропроводности в зависимости от состава источника. При PN: / Р„ош > <>.5 ЭС преимущественно имеют и-тип проводимости. Вероятно, р- тип электропроводность слоев связана с недостатком азота в зоне роста из-за его низкого парциального давления по сравнению с парциальным давлением паров алюминия при разложении источника и. как следствие, наличием у расту щей поверхности ЭС избыточного свободного А1. Недостаток азота приводит к росту слоев с низким содержанием A1N. легированных А1. который является в твердом растворе (SiC)i.v(AlN)v акцепторной примесью. Увеличение Р\2 приводит к уменьшению свободного А1 за счет связывания в комплексы AI-N. которые, переходя из газовой фазы в ЭС, увеличивает в нем концентрацию A1N. Это приводит одновременно к уменьшению степени легирования слоев алюминием. Дальнейшее увеличение азота в зоне роста приводит к почти полному уменьшению свободного Al у поверхности роста и перекомпенсацип его азотом, который является донорной

примесью в твердом растворе. Уменьшение скорости роста также объясняется уменьшением свободного А1, который является эффективным транспортером продуктов разложения SiC, а также большими временами релаксации, характеризующими переход комплексов AI-N, А1-С в приповерхностный слон ЭС

Во второй глазе, которая состоит из трех раздело-!, представлены результаты исследовании структурных свойств ЭС (SiC)i.x(AlN)x.

Качественный и количественный анализ состава слоев проводился методом ре!гггеноспе1лралыюго анализа на микроаналшаторах «Geoscan» и ЗММА -2. С ростом содержания A1N в ЭС однородность его распространения уменьшается. Структурное совершенство ЭС с увеличением содержания A1N ухудшалось и уже при х > 0,65 наблюдалось сращивание блочной структуры и сильный разброс состава по поверхности. ' При составах с концентрацией х S 0,40 совершенство слоев сравнимо с совершенством подло;ккк.

Морфология ЗС (SiC)i.x(AlN)x существенно зависит от условий получения и состава. При х < 0,60 слои имеют гладкую поверхность, высота отдельных неровностей не превышает 5 мкм. С увеличением содержания A1N в слое на поверхности наблюдается ступеньки роста в виде шестигранников, усеченных конусов и круглых террас, возникает сетка трещин из-за различил коэффициентов термического расширения слоя и подложки. Медленное охлаждение ГС SiC/(SiC),.x(AlN)x от температур роста, ;:а:: правило, помогало избавиться от растрескивания выращенных слоев.

Исследование политнпизма ЭС (SiC)i.x(AlN)x показало, что при х > 0,20 слон кристаллизуются преимущественно в политипной модификации 2Н На кривых качания, полученных на двухкристальном рентгеновском спектрометре дифрастометрнческим способом, присутствуют два максимума: от SiC-6H- подложки и от эпитаксиальпого слоя. ЭС (SiC)i,. X(A1N)X с содержанием х = 0,01+0,05 наследуют структуру подложи!, имеющей полптип 6Н. При 0,05< х < 0,2 наблюдается сростки полнтипов ЗС, 2Н ,4Н. i Н, на что указывает как возникновение дополнительных пиков на кривых гачанця со стороны малых углов, так и разброс значении параметра решетки С в области этих составов. При х > 0,2 ЭС кристаллизуются преимущественно в политипной модификации 2Н.

Методом просвечивающей лазерной интроскопии исследована дн-намика перестройки структурных дефектов в ГС (SiC)i.x(AlN)x под воздействием лазерного излучения. Лазерные инфракрасные интрограммы всех образцов показали большое разнообразие наблюдаемых изображений и расширение спектра дефектов при концентрациях х>0,60. Для ис-, • следования влияния лазерного отжига на динамику структурных дефектов использовалась технологическая установка «Кварц-5», где применяется

азотный лазер (Р„ = 15-20кВт. Рср=120мВт, /-=0,337 мкм). Отжиг проводился путем строчно-шагового сканирования образца. Диаметр зонда 4060 мкм, средняя поверхностная плотность мощности излучения 6-103 Вт/см2, импульсная - 6-10ь Вт/см2, скорость сканирования 0,2-0,3 см/с, частота 1кГи. Картина оптической неоднородности слоев на глубине 10-30 мкм до лазерного облучения и после облучения одного и того же участка образца, снятый с экрана видеоконтрольного устройства свидетельствует об уменьшении контрастности в результате отжига некоторых дефектов и распада примесных комплексов и диффузии их в объеме. Предложено применение лазерного отжига для уменьшения безызлуча-тельных центров рекомбинации при разработке светонзлучающих структур-

В третьей главе, которая состоит из шести разделов, представлены результаты исследования электрофизических свойств ГС n-SiC/p- (SiC)b X(A1N)X. В первом разделе приведены результаты экспериментальных исследований ВАХ гетероструктур в диапазоне температур от 77 до 425К и при токах от 10"* А/см2 до 10 А/см2. Для измерения ВАХ характеристик , реактивным ионно-плазменным травлением формировались меза-структуры площадью ~2- 10"*см2. Контакты к р-слою создавались термическим напылением или катодным распылением алюминия на подогретую структуру со стороны ЭС, а к п-подложке-термическим втиранием индия после локальной электро-искровой обработки поверхности.

В разделе представлены прямые ветви ВАХ n-SiC/p-(SiC)i.x(AlN)x-струкгур содержащих 9,4 % и 14,8 % A1N. снятые при комнатной температуре. Последовательное сопротивление этих структур составляют соот-весгвенно 0,79 Ом и 0,85 Ом. Определенные из этих же ВАХ контактные разности потенциалов составляют соответственно 2,84В и 2,91В. Характерным является, что ВАХ всех исследованных структур при малых плотей

носгях тока описываются выражением / = /п ехр( ■ ), где р - в пре-

LjK I

делах 3-4 порядков по току постоянно. К примеру, в этой области для ГС n-SiC/p-(SiC)o,g5(AlN)o,i5 fi ~ 1,83, что указывает на наличие термоин-жекционной компоненты тока, которая соответствует теории Саа-Нойса-Шоклиевской рекомбинации в области объемного заряда. В области больших токов прямой ток описывается выражением / = /п exp {AU).

где А принимает значения 5+10. Например, для ГС n-SiC/p-(SiC)o.85(AlN)o.is при 2,4B<U<3,2B значение. А=5,25. На прямых ветвях ВАХ в полулогарифмическом масштабе наблюдаются изломы, вероятно, связанные с изменением величины и формы потенциального барьера на переходе или же с включением иного механизма токопереноса. Подобные

10

изломы наблюдаются и на температурных зависимостях ВАХ. Однако определить границы участков, связанных с различными механизмами токопереноса довольно сложно, так как они плавно переходят от одного к другому Тем не менее.-на ВАХ заметны изломы при напряжениях ~1,5В и (2.5+2,8)В. причем ток излома с температурой растет, что вероятно, связано с изменением природы барьера по мере увеличения смещения. При средних плотностях тока через структуру ( j «1,5 А/см") определены температурные коэффициенты напряжения (ТКН). Они лежат в пределах (1.6+6)мВ/град, а сама величина ТКН отрицательна.

Анализ прямых ветвей ВАХ ГС с различным содержанием A1N в ЭС показывает, что с увеличением содержания A1N прямой ток через структуру уменьшается. Прямая ветвь ВАХ ГП n-SiC-p-(SiC)o,27(AlN)o,73 при комнатной температуре в координатах ln(j/j.) =f(U) прямолинеен до шачения ln(j/js) ~ 4,4 (соответствующие прямые токи -2-ьЗ-Ю"2 А/см"). При увеличении тока эта зависимость искажается. Омическое вырождение наступает при напряжениях ~ЗВ и токе через структуру « 0,26мА. что-свидетельствует о высокоомности наращенного слоя твердого раствора -(SiC)i.x(AlN)*.

В обратном направлении ток не насыщается, а плавно растет с увеличением напряжения. Пробой обратно-смещенных ГП n-SiC-p-(SiC)i. X(A1N)X до напряжений ~20-=-25 В являются обратимым и носит лавинный характер по дефектам. Наблюдаемая «мягкая» обратная ветвь ВАХ несколько затрудняет его анализ.

Второй раздел посвящен изучению процессов и механизмов ударной ионизации в n-SiC-p-(SiC):.x(AlN)x ГП. Основные характеристики ударной ионизации получены из умножения фототока обратносмещенных ГП. При напряжении U<3B на кривых ([ютотока наблюдается пологий участок, который сменяется быстрым ростом тока. Увеличение фототока может быть связано только с размножением носителей в области перехода. Найденное по кривой фототока значение коэффициента умножения M для гетероперехода n-SiC-p-(SiC)o.!<7(AlN)o,j3 меняется от 1 до 7,2 при из-

1

мененни U от 2В до 20В. При этом число ионизации N = 1 — — = CiW,

M

созданные одним электроном или дыркой, прошедшей через переход, меняется от 0 до 0,86. Ширина области объемного заряда W, найденная из ВФХ при изменении U от 2 В до 8 В увеличивается от 1,6 10"4 см до 2,47-10"4 см. В этом диапазоне напряжений M растет от 1 до 2,15, а N от 0 до 0,53. Поэтому коэффициент ионизации а при этих U (0-8)В, принимает значения от (0+2,14 -103)см"\ График зависимости а от U представляет собой экспоненциально-нарастающую функцию. Полученные зависимости

фототока и ширины области объемного заряда были использованы для определения диффузионной длины дырок L„ в р-п-переходах. В исследованных переходах значения Lp лежат в пределах (0.8-1()1+2.М0",)см

В третьем разделе представлены ВФХ n-SiC-p-(SiC);.x(AIN), - переходов с различным содержанием AIN в координатах С": = f(U). Все при-ведешиле зависимости с небольшим разбросом отдельных точек представляют прямые. Экстраполируя их до пересечения с осью положительных напряжений, найдены емкостные напряжения отсечки Uc, которые соответствуют контактным разностям потенциалов (Л в них. Например,. для îvSiC-p-iSiQns-KAlNVn - перехода Uc =2,95В. а для n-SiC-p-(SiC)o./..uAlN)o,56 - UC=3.35B. С увеличением концентрации A1N в ЭС наклон прямом уменьшается, т.е. зависимость емкости от напряжения становится слабой.

Используя найденные из ВФХ значения Ui, рассчитана работа выхода (SiC)j.x(AlN)x различных составов. Работу выхода ЭС Ф2 можно определить по выражению: Ф; =q-Ut +Фь зная работу выхода подложки Ф1 и величину потенциального барьера (q-UO на переходе. Работа выхода Ф, из грани (0001) для 6H-SiC при 300 К составляет 4,5 эВ. Рассчитанное, таким образом, значение работы выхода для p-(SiC)n.s7(AlN)o.n составляет 7,4 эВ, а для p-(SiC)o.44(AiN)0,56 - 7,85 эВ.

В четвертом разделе представлены результаты расчетов значении концентрации примесей в ГП и толщины областей объемного заряда. Концентрация примесей NA, в p-(SiC)i.x(AlN)x определены из наклона прямых C"2(U) методом конечных приращений используя выражение: dC'2 2 (e,NAi+e2NAi)

dU a2qNANAi£,s2.

Значение концентращш акцепторов NАг в ГП n-6H-SiC-p-

(SiC)o,g7(AlN)o.i3 составляет 9,02-1017 см"\ а с n-6H-SiC-p-(SiC)0,«(AlN)0,56 NЛ ~ 7.98-101 бсм"\ Аналогично определены концентрации примесей б

ГС с различным содержанием A1N в ЭС. Результаты показывают, что с ростом содержания A1N концентрация примесей NА в них уменьшается.

Определенные из ВФХ значения контактной разности потенциалов н концентращш примесей были использованы для расчета толщины области объемного заряда гетероструктур по формуле

2s^(Uk-U)(NA + N„ )2

ЦТ _ Г 1 -V к 11/2

q(sxNai +s2NAi)NJtNAi

В разделе представлены зависимости толщины ГП от обратного напряжения. Толщина переходов составляет порядка KrVlO^CM. К примера хтя ri-SiC-p-{SiC)riX7(AlNVi м при изменении напряжения на перехоле >т 2 до X В толщина перехода увеличивается от 1.6 • Ю 'см до 2,47-10' "см. т.е. почти в 1.5 раза. Толщина перехода, определенная из значения емкости при нулевом смешении составляет 1.2 -10"'см.

В пятом разделе изложены результаты измерения температурной зависимости емкостных свойств гетеропереходов. Измерения ВФХ проводились в интервале температур 77-М20К. ВФХ. построенные в координатах С "-U. линейны во всем измеренном интервале напряжений и температур. Емкостное напряжение отсечки Uc с ростом температуры сначала нелинейно, затем практически линейно уменьшается. К примеру, для ГП <>-SiC-p-iSiC'w-(AlN)iiM U при составляет 3.2В и с ростом темпера-г\ры уменьшается зо 2.<>5В при 418К. Для этой структу ры ТКН емкостном отсечки, определенный из линейного участка равен 2.1-Ю"1 В/град.

К сожалению в литературе отсутствуют данные о температурной зависимости ширины запрещенной зоны Ер (SiC)i_x(AlN)x. Поэтому трудно однозначно утверждать с чем связано наблюдаемая температу рная зависимость напряжения отсечки. Тем не менее, можно предположить, что температу рная зависимость U,. главным образом, определяется температурным ходом химических потенциалов электронов в п-области и дырок в »-области Определенный вклад вносят и температурные зависимости ширин запрещенных зон гетсропар SiC и (SiC)i_v(AlN)v

В шестом разделе приведены расчеты максимального электрического поля в гетеропереходах. Для расчета использованы экспериментальные ВФХ ГС. В .n-6H-SiC-p-(SiC)„j4(AlN)o.si. - переходе значение максимального электрического поля при напряжении 8В составляет 5.3-10'' В/см. Найденные значения максимального электрического поля позволяют судить о механизме ионизации в области объемного заряда. Значения напряженности порядка 10' В/см недостаточны для ионизации в. результате ту ннелирования. поэтому в исследованиях ГП. вероятно, осуществляется ударная ионизации.

Четвертая глава посвящена исследованию люминесцентных свойств твердых растворов (SiC)i.x(AlN)K и ГС на их основе.

Спектры электро- и фотолюминесценции (ЭЛ. ФЛ) снимались на спектральном комплексе СДЛ-2. В качестве источник;) возбуждения применялась ксеноновая лампа ДКсШ-250 и азотный лазер ЛГИ-21, а приемником служил охлаждаемый ФЭУ-100.

В первом разделе приводятся спектры ФЛ ЭС (SiC),.4(AlN)x. с различным содержанием A1N. Установлено, что максимумы полос с увеличением A1N смещаются а короткоголновую область. Диапазон смещения

составляет от 1,8 до 3,75 эВ. Понижение температуры также приводит к смещению спектров в коротковолновую область, при этом коротковолновый пик растет. Предполагается, что та длинноволновую полос)' ответственны атомы алюминия, а за коротковолновую полосу атомы азота или донорно-акцепторные пары азот-алюминий.

Спектры ФЛ существенно зависят от интенсивности возбуждающего света. Представлены спектры iSiOawriA1N),, снятые при разных уровнях возбуждения. Спектры состоят из двух полос, интенсивной широкой длинноволновой и слабой коротковолновой с максимумами hv=2.8 эВ и hv=3,26 эВ. С увеличением интенсивности возбуждения света возрастают интенсивности обеих полос ФЛ, но коротковолновое излучение растет быстрее. При этом су щественного смещения полос не обнаружено. Полоса с hv=3,26 эВ. вероятно, представляет собой краеву ю люминесценцию в (SiC)nx;(AlN)i,ix- Обнаружено существенное влияние скорости роста и температуры на спектры ФЛ. По ФЛ установлена зависимость дефектности ЭС (SiC)i.v(AIN)x от скорости роста и температуры. Спектры ФЛ изменяются также при отжиге азотным лазером. (/.=0.337 мкм). При этом наблюдается сдвиг максимума полос ФЛ в коротковолновую область спектра с одновременным возрастанием полуширины и интенсивности на 0,6-0,8 эВ. Наблюдаемый эффект, возожно, связан с образованием до-норно-акцепторных пар (ДАП) AlSl - N г. приводящие к появлению более высокоэнергетических полос ФЛ. положение максимума которых hv илхс» 2.4 +2.7 эВ зависит от межатомного расстояния таких ДАП.

Исследована ФЛ гетерограницы таких n-SiC/p-(SiC);.x(AlN)x ГС для которых свет азотного лазера - источника возбуждения (с hv=3,68 эВ) лежит в области прозрачности ЭС (SiC)i.x(AIN)x (Ер = 3,8 эВ) и поэтому не может эффективно возбуждать их свечение. На спектрах ФЛ гетерограницы на фоне высокоэнергетической полосы при 77К наблюдается тонкая структура. Вид спектров существенно не изменяется при изменении состава ЭС от х=0.73 до 0.85. После лазерного отжига путем строчно-кадрового сканирования всей поверхности эпитаксиального сфокусированного излучением импульсного (длительность 10 не) азотного лазера ( Х= 337 нм. Р/ = 5-25 кВт) со стороны широкозонной пленки интенсивность высокоэнергетической полосы /.,„лх = 470 нм, существенно возрастала ( в 8-12 раз) по сравнению с полосой Л.111ал = 570 нм. Установлено, что источником ФЛ является SiC-подложка. Наблюдаемое возрастание интенсивности ФЛ при лазерном отжиге, вероятно, связано с увеличением концентрации Als, в приповерхностной области SiC в результате их миграций из эпитаксиальной пленки (SiC)i.x(AlN)x из-за локального разогрева граничной области при отжиге и отрыва атомов AI и их диффузии в подложку.

В третьем разделе главы представлены результаты исследований ЭЛ ГС n-SiC/p-(SiC)i.x(AlN)x. При комнатной температуре ГС обладают эффективной ЭЛ, которая состоит из двух полос, положение максимума и относительная интенсивность которых зависит от состава ЭС (SiC)i. х(А1М)х и плотности тока. Например, для ГС n-SiC/p-(SiC)o,7o(AlN)o.24 спектры состоят из двух интенсивных полос с макай/умамн при энергиях hv = 2,62 :В и hv =3,С эВ при токе 20 мА. По-видимому, длинноволновые полосы, х;;рактег ^ые для SiC, возникают за счёт шо-секции дырок ;:?. широкозониого твёрдого раствора в относительно более узкозоннуто подложку SiC. Коротковолновые полосы обусловлены излучением ЗС (SiC)i. X(A1N)X вблизи гетерограницы. С увеличением плотности тога интенсивность коротковолнового излучения растет и спектр излучения в целом сдвигается в область больших энергий.

Исследование ЭЛ ГС n-SiC/p-(SiC)i-x(AlN)x показывает, что при увеличении тока наблюдается расширение области излучателыюн рекомбинации в SiC. Это свидетельствует о включении в процесс рекомбинации не только области пространственного заряда, но и более отдаленных от перехода областей. Равномерное излучение по всему торцу структуры при низком уровне тока свидетельствует о хорошем качестве ГП.

Обнаружено, что включенные в обратном направлении переходы при напряжениях, превышающих некоторые значения, приблизительно равные половине напряжения необратимого пробоя, начинают светится. В разделе приведены спектры предпробойного излучения ГП. Спектры существенно зависят от способа вывода регистрируемого излучения. В случае регистрации излучения, выводимого через торец, спектры представляют собой широкие бесструктурные полосы, простирающиеся в область hv >ES твердого раствора (SiC)i_x(AlN)x с данным составом. При регист-рацш! излучения, выводимого через подложку SiC, на спектрах наблюдается уменьшение или полное отсутствие излучения с hv >3 эВ. Вероятно, это связано с самопоглощением подложки SiC.

Идентичность спектров различных ГП объясняется, скорее всего, механизмами ускорения, ионизации и рекомбинации носителей в области сильного поля р-п- перехода . Изменение температуры от комнатной до 420 К существенно не влияло на вид спектров излучения. С увеличением плотности тока через ГП интенсивность предпробойного излучения возрастает.

Четвертый раздел поезящен исследованию ток-яркостных характеристик n-StC/p-(SiC)bx(AlN)x- ГС. Яркость структур с большим содержанием AIN в ЭС сравнительно меньше, видимо, из-за существенной безыз-лучательной рекомбинации на состояниях в области границы раздела, возникающих из-за различия постоянных решеток. С увеличением прямо-

го тока становится существенным нагревание структуры проходящим и связанное с этим уменьшение яркости за счет температурного ту шения люминесценции. Это проявляется в отклонении кривой ток-яркость от линейной с ростом тока.

Выводы:

1. Показано, что использование травления подложек SiC в парах Si и последующее выращивание в едином процессе ЭС (SiC),.x(AlN)x из источников, представляющих горячепрессованные поликристаллические твердые растворы (SiC)i_x( A1N)X. позволяет получать структу рно-совершенные ЭС и ГС

2. Установлено, что наибольшее влияние на состав растущих слоев (SiC)|.*(AIN)x оказывает соотношение парциальных давлении азота и аргона Рк/Робш в зоне роста. С увеличением Р^/Р.лш концентрация A1N растет до некоторого предельного значения для данного источника. При этом имеет место уменьшение скорости роста слоев.

3. Определены условия роста ЭС (SiC),.x(AlN)x с заданным типом электропроводности. Показана возможность управления типом электропроводности путем изменения соотношения парциальных давлений рабочих газов в зоне роста.

4. Установлено, что структура и морфология ЭС (SiC)i.x(AlN)x определяется не только содержанием A1N. но и температу рой, и скоростью роста. При увеличении температуры, а также уменьшении скорости роста повышается степень совершенства структуры.

5. По спектрам оптического пропускания установлено, что лазерный отжиг приводит к существенной перестройке структурных дефектов в гетероэпитаксиальных слоях (SiC)i.x(AlN)x. Происходит распад различных примесных комплексов, включений второй фазы и дефектов в объеме, уменьшается дефектность гстерограницы, что приводит к значительному (8-12 раз) возрастанию интенсивности ФЛ гстерограницы SiC - (SiC)i.x(AlN)x.

6. Из прямых ветвей В АХ ГС SiC / (SiC)i.x(AlN)x определена контактная разность потенциалов и последовательное сопротивление. Прямые ветви в области малых токов описываются выражением j ~ Joexp(eU/pKT), где Р в пределах 3-4-х порядков по току постоянно и лежит в интервале 1< р < 2. В области больших напряжений (U >2-2,5 В) прямой ток описывается выражением j = joexp(AU), где А принимает значения 5-10. На прямых ветвях наблюдаются изломы при напряжениях -1,5 и ~ (2,5-2,8) В, причем токи изломов с температурой растут, а соответствующие напряжения снижаются. Температур-

ный коэффициент напряжения находится в пределах - (1.6-5) чВ/град.

Пробой ГС n-SiC/p-<SiC)i_»< A1N)X до обратных напряжений -20-25 В является обратимым и носит лавинный характер по дефектам структуры

8. Из умножения фототока при предпробойных напряжениях на переходе получены основные характеристики ударной ионизации в n-SiC/p-(SiC)|.x(AlN)x структурах. Показано, что зависимость коэффициента ионизации от напряжения имеет экспоненциальный характер. По зависимостям фототока и ширины области объемного заряда от напряжения на р-п-переходе определены диффузионные длины дырок L„ Значения LP лежат в пределах (0,8*10"1 - 2.1 *1(Г>) см

v ВФХ ГС n-SiC/p-(SiC)|.xi A1N)X линейны в координатах С " от U. что указывает на образование в них резкой гетсрограницы. С увеличением концентрации A1N в ЭС (SiC,i.xtAlN)y значение напряжения емкостной отсечки Uc растет. По величине барьера (qUc) на ГП рассчитана работа выхода для твердых растворов (SiC)|.x(AlN)x р-типа. По ВФХ установлено, что с увеличением содержания A1N в ЭС (SiC)i_x(AlN)x концентрация нескомпенсированной примеси в них уменьшается.

10. Определены толщины области объемного заряда в ГС и их зависимость от приложенного напряжения. Полученные значения толщин (~ Ш^Ш"1 см.) соответствуют резким ГП. Из расчетных значений максимального электрического поля в ГП (~5*10''В/см) следует, что в области объемного заряда наиболее вероятен механизм ударной ионизации.

11. Обнаружено, что с увеличением содержания AIN в ЭС (SiC)i.x(AIN)x максимумы полос ФЛ смещаются в коротковолновую область. При лазерном отжиге (0.337 мк.м) с увеличением дозы облучения также наблюдается смещение максимумов полос ФЛ в коротковолновую область с одновременным возрастанием интенсивности, что. по-видимому, связано с уменьшением концентрации безызлучатедьных центров рекомбинации. С увеличением уровня возбуждения ФЛ интенсивность коротковолновой полосы растет быстрее относительно интенсивности других полос.

12. Спектры ЭЛ состоят из двух полос, интенсивность и положение максимумов которых зависят от плотности прямого тока' и состава ЭС. С увеличением плотности тою максимумы коротковолновой полосы смещаются в область высоких энергий с одновременным увеличением интенсивности.

13. Предпрсбонпое излучение ГС n-6H-SiC/p-(SiC)|.x(AlN)x имеет широкополосный спектр, независимо от состава ЭС (SiCn.x(AlN)x прости-

рающийся в область энергии свыше 4-5 эВ. Идентичность спектров объясняется механизмами ударной ионизации в области сильного поля р-п-перехода с последующей нзлучательной рекомбинацией или внутризонными переходами горячих носителей.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих

работах.

1. Абдуев А.Х., Атасв Б.Н., Ашурбеков С.А.. Курбанов М.К., Нурмаго-медов Ш.А., Сафаралиев Г.К. Управляемое изменение люминесцентных свойств твердых растворов на основе SiC// Письма в ЖТФ. Т. 14. В.12. 1988,-С. 1095-1098

2. Ашурбеков С.А... Курбанов М.К.. Сафаралиев Г.К. Лазерная интроскопия эпитаксиальных структур (SiC)i_x(A1N)X // Межвузовский на-учно-темат. сб. статей. "Широкозонные полупроводники",- Махачкала . 1988,- С. 116-120.

3. Курбанов М.К.. Нурмагомсдов Ш.А., Сафаралиев Г.К. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x // В сб.:"Тезисы докладов VII всесоюзной конференции по росту кристаллов ".- М., 1988,- С. 88-89.

4. Курбанов М.К.. Сафаралиев Г.К.. Разбегаев В.Н.. Таиров Ю.М.. Цветков В.Ф. Электролюминесценция гетероструктур на основе твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x Ч Материалы 5-й Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гстерострук-турах,- Калуга, 1990,-С. 132-133.

5. Курбанов М.К., Сафаралиев Г.К., Разбегаев В.Н., Таиров Ю.М.. Цветков В.Ф. Влияние состава слоев на электролюминесценцию гетероструктур (SiC)i.x(AlN)4/(SlC) // Электронная техника. Сер. Материалы. В. 4 (258). 1991,- С. 22-24.

Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Офицерова Н.В. Люминесценция гетероструктур (SIC)i_x(ALN)x / SIC // Международная конференция по аморф. и крист. карбиду кремния. - Сайта- Клара. 1991.- С. 114

7. Курбанов М.К., Офицерова Н.В.. Сафаралиев Г.К. Влияние условий получения на состав и электропроводность твердых растворов SIC-ALN // Вестник ДГУ (Естественно-технические науки). Махачкала: Изд-воДГУ, 1992.-С. 109-110

8. Нурмагомсдов Ш.А.. Курбанов М.К., Сафаралиев Г.К. Расчет характеристической температуры Дебая твердых растворов SIC-ALN // 9-я теплофизическая конференция СНГ,-Махачкала. 1992,-С.284.

9. Офицерова Н.В.. Курбанов М.К., Никитина И.П.. Сорокин Н.Д., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Особенности получения гетсроэшгтаксиальных структур на основе твердых, растворов (SIC)!.

,(ALH)X // йза. РАН. ;kcpr. Ммсуаа/.ч. 1992. 7.18. N9,- С. 20 И -2012

10. Абдулвагабов М.Ш., Курбаноз М.К., Нурмагомедов Ш.А., Сафаралиев Г. К. Р-n -структуры на основе карб5ща кремния для светодиодов голубого свечения // Тез. докл. 4 Всероссийского совещ. "Физика и технология широкозонных п/п".- Махачкала, 1993.

11. Сафаралиев Г.К., Эмиров Ю.Н., Ашурбеков С.А., Курбаноз М.К. Фотолюминесценция гетерограницы (SiC)i.x(AlNT)x - SiC // ФТП. 1994. Т.28. В.11,- С.1991-1994

12. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Курбаноз М.К., Офицерова Н.В. Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SiC),.x(AlNУ/ Изв. РАН. Неорг. мат-лы. Т.6, 1995,- С. 1-4.

33. Исабекова Т.И., Курбаиов М.К., Сафаралиев Г.К. Электропроводность эгштакснальных слоев (SiC)i.x(AlN)x // (сб. статьей Всероссийской научно-технич. конференции "Состояние и перспективы термо-электрнческого приборостроения".-Махачкала, 1995.

14. Абдулвагабов М.Ш., Сафаралиев Г.К., Курбаиов М.К.. Дазыдов A.A. Структуры р-n - типа на основе карбида кремния для светоднодоз голубого свечения // Изв. Вузов. "Приборостроение".Т.ЗЗ. N3-4. 1995,- С.44-46.

15. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Исабекова Т.И., Магомедов А.Г., Офицерова Н.В. Рост и электрические свойства гетероэпитаксн:* ь-ных слоев (SiC)i.x(AlN)x Н 2-я междунар. конф. по высокотемпературной электронике",- Альбукерк, США, 1996. Т. 2.- С. 251-256.

16. Нурмагомедов Ш.А., Курбанов М.К., Магомедова А.Г., Хамвдов М.М.. Выращивание эпитакснальных слоев твердых растворов (SiC)i. X(A1N)X больших площадей // Вестник ДГУ. Естествен. - техн. науки. В.1. Махачхала, 1996,- С.56-59.

17. Сафаралиев Г.К., Курбаноз М.К., Нурмагомедов Ш.А., Магомедов А.Г., Хамвдоз М.М. Свойства гетероструктур SiC-(SiC)i_x(AlN)x // Тез. докл. междун. семинара "Полупр. карбид кремния и приборы на его основе",- Новгород, 1996,- С. 30-32.

18. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Нурмагомедов Ш.А., Магомедов А.Г., Офицерова Н.В., Исабекова Т.И. Гетеропереходы в системе SiC-(SiC)i.,(AlN)x II Тез. дохл, междун. семинара "Карбид кремния и родственные материалы". Новгород, 1997,- С.55.

19. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Нурмагомедоз Ш.А., Исабекова Т.И., Магомедов А.Г. Емкостные свойства гетеропереходов SiC-(SiC)i.x(AlN)x // Труды Ме:кдунар. ког.ф. по карбиду кремния, нитридам III группы и родстгенлым мат-м (ICSCIII-N 97).-Стокгольм, 1997.

20. Сафаралиев Г.К.. Курбанов М.К.. Магомедов А.Г., Нурмагомсдов Ш.А., Офицсропа Н.В. Эпитаксиальный рост широкозонных твердых растворов (SiC)|.x(AlN)x // Труды Междунар. конф. по карбиду кремния, нитридам Ш группы и родственным мат-м (ICSCIII-N 97),-Стокгольм, 1997.

21. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Нурмагомсдов Ш.А., Офицерова Н.В. Гетеропереходы на основе широкозонных твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x И Труды 2-й Европейской конференции по высокотемпературной электронике. -Манчестер (Англия), 1997.

Цитируемая литература:

1. Нурмагомедов Ш.А.. Сорокин Н.Д., Сафаралиев Г.К.. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.// Особенности получения этгтаксиальных слоев твердых растворов (SiC)i.K(AlN)x// Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1986. Т.22. В. 10,-С. 1872-1874.

2. Курбанов М.К., Сафаралиев Г.К., Разбегаев В.Н., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Влияние состава слоев на электролюминесценцию гете-роструктур (SiC)i_x(AlN)x/SlC // Электронная техника. Сер. Материалы. В. 4(258). 1991 - С. 22-24.

3. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Нурмагомедов Ш.А., Офицерова Н.В. Гетеропереходы на основе шнрокозонных твердых растворов (SiC)i.x(AlN)K И Труды 2-й Европейской конференции по высокотемпературной электронике. -Манчестер (Англия), 1997.

4. Дмитриев А.П., Евлахов Н.В., Фурман A.C. Расчет зонной структуры твердых растворов SiC-AlN методом псевдопотенциала // ФТП. Т.30. В.1. 1996. -С.106-116.

5. Дмитриев В.А., Елфимов Л.Б., Линьков И.Ю., Морозенко Я.В., Никитина И.П., Челноков В.Е., Черенков А.Е., Чернов М.А.. Твердые растворы SiC-AlN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ. Т.17. В.6. 1991,- С. 50-53.

Формат 60x84/16/. Заказ 193. Тираж 100. Изв-во ДГУ, Махачкала, ул. Гаджиева 43"