Процессы фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

киевский ор;

и ордена октябрь государственный универ«

ОБУХОВСКИЙ Вяче

1 ¿Ы

030 ЭЛЮ и

; ••*»■» ()/? 0 О.

а * Ъ О '-^т ^!

ПРОЦЕССЫ ФОТОРЕФРАКТИВНОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В КРИСТАЛЛАХ

(01.04.05 — оптика)

Автореферат диссертации на соискание ученой степени . доктора физико-математических наук

Киев

— 1989

Работа выполнена в Киевском ордена Ленина и ордена Октябрьской Революции государотве"ноы университете им. Т. Г.Шевченко

Официальные оппоненгш доктор фкзико-иатематкче .екх ■ наук, член-ксрр. АН УССР Й.С.ГОРЕАКЬ,

доктор физико-математических наук, чдек-корр.-АН УССР. М.С.СОСКИК,

доктор, фи'зкко-матемгтическкх ■ наук А.Х.СГССРУХОВА

Ведущая' организация - ордена Ленина физико-технический кнститут им. А.Ф.иоффе М СССР.

Защит- сс~тоится " _1&39 г. б ___ час.

на заседании ■ специализированного'со.взга Д 068.18.15 при ■Киевском -.государственном университет.^, им. Т.Г.Шевченко со адресу: 252022, проспект Глуикова, б, физический факультет Ш,. з. 500.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Киевского государственного университета им. Т.Г.Шевченко.

Автореферат 'разослан'" ___1985 г.

Ученый секретарь специализированного совета Д 068.1В. 15, доктор физико- А математических наук В.И.ЛЫССВ

ОБШ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТУ

Актуальность темы диссертации. Фоторефракцией (ФР) принято называть долгокивущее изменение показателей преломления, возникающее в электрооптических кристаллах под действием светового' излучения. Возникший за последние .10 - 15 лет интерес к изучению этого явления имеет как научннй, так и практический аспекты поскольку *оторе<$рактивные среды обычно рассматриваются как перспективный класс материалов для создания новых элементов оптико-информационной техники.

К настоящему времени накоплен богатый экспериментальный и теоретический материал по процессам переноса заряда, особенностям ,знергообмена и механизмам записи разовых голограмм в ФР. веществах. Однако.механизмы возникновения <Тюторейрактив-ного -рассеяния света (ФРРС) £1]изучеиы в значительно меньшей степени. Последний эффект особенно ярко проявляется в таких популярных электрооптических материалах как ниобат (танталат) лития, титанат бария, бастрон и др. под действиея даже сравнительно слабого излучения непрерывных лазеров оптического диапазона. • .'- ■ .

В'типичных условиях интегральная интенсивность ФРРС монет достигать значительной, величины - десятков процентов от . мощности накачки - ' , что, вообще, характерно для индуцированных (вынужденных) процессов. Но по своим свойствам (накап-ляваемость, диаграмма направленности) ФРРС существенно отличается от других видов рассеяния, в частности, от практически безинерционного вынужденного релеевского рассеяния.'

Изучение ФРРС, обогащая наши знания о природе фотоинду-цированных процессов в нелинейных .кристалла? позволяет, с одной стороны, получать полезную информацию о материальных параметрах среды. С другой стороны, наличие ФРРС (пространственною пума) является одним из основных мешающих факторов на пути к широкому практическому использованию ФР сред. Ос- . лабление- влияния ФРРС на качество записи оптической информации в £Р средах недостижимо без достаточно полного понимания причин его появления. Все это вместе взятое об ус.1» вливает актуальность исследований, направлении на выяснение механиз-. мов и изучение особенностей. ФРРС в фоторейрактивных материалах..

Цель работы. Настоящая работа направлена, на создание теории роторефрактавясц'О рассеяния света в кристаллах, исследование различных разновидностей иирокоуглового и селективного 5РРС. Основное внпманЕе уделялось ранению следующих проблей:

- разработке иоделеч ФРРС,

- построению теории основа® эффектов светсрасееянья в ■ фоторефрактивных средах, '

- поиску новых разновидностей ФРРС,

- разработке ьовнх неделей фотоггльваничесхих центров и связанных с .вши■ затравочных'источников рассеяния.

Парная новизна. 2 результате данной работа сформировано вовое научное направление - теория фоторефрактиЕНьх процессов рассеяния света. На основе новых модельных представлений последовательно описаны различные, разновидности фоторефрактвв-ного рассеяния света. При этом дыю теоретическое объяснение таким .существениш особенностям широкоуглового .ФРРС как наличие стационарного -рассеяния при нулевом значении коэйфндаен-та голографического усиления и асимметрия индикатрисы £?РС при отсутствии диффузии. Показано, что.классическая модель сироксуглового ФРРС (четнрехвэлнозоз усиление ре лее вского рассеяния в средах с нелокальным откликом) не является уни-. вероальнай и в ряде случаев противоречит экспериментальным даннмм. ■

Предлежанк и теоретически исследованы следующие подели ФРРС: фотсиндуцированвое рассеяние на ас однородно стмг фотогальванических параметров среды; квазистаднонарнкй процесс динамического усиления рассеяния, обусловленный .объемными иихроразрядаыи в кристаллах; введена новая трактовка ФРРС как особого случая неусгойчивостк при взаимодействии большого количеств? (//»■> I) плоских волн в нелинейной среде.

Впервые .разлита теория новых нелинейных процессов, относящихся к категории селективного фотсрефрактиЕного рассеяния света {си. Таблицу I): бирефрактявного (готоиндуцирозак-ного рассеяния (ЕМ?). мнсгочастотного фотодисперсяонного рассеяния (<ЗСР), безрезонаторной генерации лри деоГ:ном £ФР. Предсказаны новые разновидности'БФР и ••ССР, которые в дальнейшей наблвдались экспериментально. Впервые описаны и иисле-.

дсвапы новые разновидности <5РРС:фотоияд-'>тдирсванное крссс-рас-сеякие (ЖР) ,<*отощкрсдоменное рассеяние (©.'Л?) и автоволно-ьсе рассеяние (АВР) когерентного излучения.

Предложена новая модель фотогаяьванйчесю»: центров - би-яарзыз комплексы донорно-акцглторного тгла. Доказано,что они явллгеся одни;? из &ф5ект1ш:ых механизмов возбуждения фстогаль-эаничгских токов в кристаллах без центра инверсии и - соответственно ~ возникновения эффекта фоторефракции.

На защиту заносятся слсдуюдиз основные положения:

1.Кроме иэъеатогод механизма ФРР^ (четырехволновое усиление расс&лнкя на не однородностях диэлектрической проницаемости в средах с нелокальном откликом) существенный вклад в инте ясив"-ность стапионэрного фоторейзактивлсго рзссеяшгя евета вносят • два 'других механизма» В основе одного из них лежат процесса фотолроявленпя флуктуаций распределения фотогальванических центров, а в основе другого - взаимосвязь между спекл-струк-турой поля рассеяния и многозолнозши (не менее чем пестивол-яобкми; яропессаш взаимодеЗстзия воля в условиях глубокой модуляции ЛОТОЛрОЕОДЮЮСТИ .сридш

2.В случае кристаллов "с докальнш откликом одной из причин *оторе.*рактивного рассеяния света ямяется влияние объемных или поверхностных ийкроразрядов яа запись пумовкх голегрзфя-ческих решеток.. При этом елучг^ая последовательность большого количества элементарных процессов динамического усиления пространственного ауиа приводит к возникновение квазисгацяо-карного (з ¡.'.йкроскопическш смысле) рзж/йа рассзяная. "

3.3 ^оторе^рактивянх кристаллах сущестзуот елсцущяе новые ' типы селективного фоторефрактивзого рассеяния свете:фотореф-рактивноа кросс-рассеяние, ^отомикродемзнное рассеяние .авто--вС;:нозое рассеяние.

А,развитая теерчя-описывает основные особенности следуэдих . типов селеэтизного ФРРОгбирегУрактяБного рассеяйтзг.'^отсрбфрак-тиззого тросо-раосёяпая.фмодксперсиоаног© •ргсиекняя.пес'пт-'. пучковой генерации при двойном ЕФР. Теоретически'предсказане нозь-8 разновидности бярефраетгвного ^отоиадуцирсванього рас-селвах свата п их отлилательни» признаки..

3.йоуоЕСЕиаация б^пгриюс лешееннх кэъклексоа з кристалхаг * . без -цегтра инверсии является оффактиьвш иеханягт/ом .зм'упда-кая фотогольвзвичвокого СО) тока.Прз этап суцеотвугдг твхж» .'

соотношения да жду межцентровым расстоянием и параметрами индивидуальных компонент комплекса, что в разных спектральных областях ФГ ток течет в противоположных направлениях.

Практическая значимость диссертации заключается в следующем.

1.Для улучшения фотогальванических параметров регистрирующих сред предложено использовать бинарное легирование такими компонентами, внедрение которых приводит к возникновению в кристаллах донорно-акцепторных. комплексов. Наличие последних повшает фоточувствительность соответствующих материалов за счет увеличения плотности фотогальванического тока.

2.Знание механизмов фоторефрактивного -рассеяния света позволяет осуществлять направленный поиск новых йот ope фрак-тибных сред для записи оптической информации-с улучшенным соотношением сигнал/шум,либо осуществлять процесс восстановления изображений в условиях пониженной плотности фона, обусловленного рассеянием считывающего излучения.

З.Па основе регистрации характеристик индикатрисы фото-рзфрактивного рассеяния света могут быть созданы новые, эф- , фективные методики измерения основных параметров фоторефрак-тивннх сред.

Апробация работы. Основные, результаты, полученные автором, опубликованы в тридцати двух печатных работах и однсм авторском свидетельстве £ 15-4б] Материалы диссертации докладывались .на X и XI Всесоюзных- конференциях по . Физике cerpçj-тозлектриков (Iîhhck, 1982; Черновцы, 1987), Всесоюзных: съездах по спектроскопии (Томск, 1983; Югвв, 1988), Всесоюзной конференции по бессеребрянным и необычным фотографическим процессам (Черноголовка, 1984), Всесоюзной конференции цо проблемам развития радиооптики (Тбилиси, 1985), Второй республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982), 1У и У Всесоюзных семинарах по сегнетоэлектрикам-подупроводникам (Ростов-на-Дону, Ï98I и 1987), Республиканской школе-семинаре по спектроскопии молекул и кристаллов (Сокирно, 1981; Полтава, 1983), 1У и У Всесоюзных конференциях по 1шографии (Ереван, 1982; Рига,1986), • УШ Международной конференции, по когерентной и нелинейной оптике (Минск, 1988). .'•■..,

• ; Ч

Сбъем и Структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глаз, заключения и списка литературы.

СОЗЕРЦАНИЕ РАБОТЫ

Зо Введении обседается актуальность теин, сфорлулкро-ванн целя диссертации и перечислены основные результаты работы.

Различные виды ФРРС классифицируется прежде всего по характеру наблюдаемой индикатрисы рассеяния:

- селективное рассеяние (индикатриса имеет узкий угловой спектр из-за'наличия направлений синхронизма),

- кесзлектавкое рассеяние (или шарокоуглозое).

, 3 настоящее время экспериментально зафиксировано 7 разновидностей селективного ФРРС (си. Таблицу I). Три вида ФРРС (•?£?, 1»Д>, АВР) впервыз списаны в работах автора. Зсгнихко-зен::э селективных видов 5РРС приводит к появлению на выходе из Ф? кристалла излучения сосредоточенного з виде колец, ду-яек я других локализованных образований. ' . •

Не селективное ФРРС (возникающее, например , в легированных кристалла:-; якобата лития, тктапата бария) визуально проявляется в виде эллиптических, _гантеле образных, крестообразных областей свечения, углозве размера которых достигают значений порядка нескольких десятков градусов. При большой толщине образцов интегральная (по углам) интенсивность такого рассеякия мол.ет становиться сравнимой с конное, ыо накачки.

Гег:в?я глава диссертации посвящена теории не селективного (рирохоуглозого) фотбре;ерактявного рассеяния света

В смодулирована об'дая система у равнений, опеензаю-иая процесса рассеяния в фоторефрактавноЗ среде.Известная с&~ несогласованная теория записи-считывания разовых голограмм [2,3] обобщается ка случай неоднородны* фоторефрактизных сред.При зтом в волновом уравнении для напряженности оптического поля' в- среде• креме фатоиндуцкрозанных даадяород-гюстей диэлектрической проницаемости 4

..........У * /л /-V V .» /

учитывается такие и статические фдухтуацаа «£ ) (ростового. происхождения).которые нз зависят от интенсивнсстя света -- ........ , .

В лйтеготугс яспольз'рт'ся тазгае и ?.'-?гяе незваная: Лотояв«* Xf-~sz-OK.HV.zii ¿ассеязве "звйта.^йдуцкрогаинсо "елезвсксе 'рассеяние.

1.3 уравнении непрерывности ^

определявдеи, среде

з частности, распределение внутреннего поля в , учтено как наличие токового-отклика диффу» зконяого типа ( е1 ), так з фотсгальванического (^ ) ^ипа ( - ^концентрация фотовозбужденных носителей заряда; .

р г." р - тензоры полной проводимости (включая'фотопроводимость)-,, электрооптического и-фотогальванического эффектов соответственно).

• 0?чо. яз ранних объяснений не селективного ФРРС, предло-аеннсе авторам £ 4_"], базируется на еледугядас качествеЙнкх рассуздекиях. ~ - "

В любом реальной кристалле'всегда есть "врожденные" неоднородности диэлектрической проницаемости 8С (связанные, например, с ыякреблочаой структурой, дислокациями ч др.л Световое излучение, рассеянное на этих нзоднородностях, интерферирует с накачкой, образуя слокнуп структуру поля з среде. В результате процессов переноса, заряда (фотогальвакичес-кий ток, диффузия) в кристаллах формируется кумовая фазовая" гологр&фическая репетка, 'на.которой происходит дальнейшее усиление и с; з дно го рассеяния (при наличии нелокального отклика среди) £2,5^.}3а основе теоретического -рассмотри кия" этой модели ■ (называемой • в.•;давьне15вем...г• в''.

41.2 найден'»- угловое распределение интенсивности.;иирокоуглс-; • вогс ФРРС в; борнозскси приближении; идкнимика'•■рассеяния' • ¡л

(«51.2',--¿.р. .,'■'.

Установлено, что-.в красталле¿оЛ/.ХкбЛбйальт^.от^га;^ дифГгузиошгоп) типа') экйперше вуалька данные -хорошо, м гласу-*' и-ся с теорией, развитой для £ - моделк 5-РРС. !* 23Д . Сд- . азко теоретически- ргссчитгннзя ».рангах "эл'Ой- иодёлк:индика; раса я динамика кеселеятязногс рассеяния типов- Гтоо- ."

Различав Ьлучаи васееявия при одвопучковой' накётео; обосна-чаются набооом символов "..где^ -палравленкс- .яагачки!

--полярасаиги'накачх* \Lj.nc. ваосеяявого- вгаучвЕЕк

А-

Экспериментально зарегистрированные виды селективного фоторефрзктивного рассеяния . света. Таблица I.

'Название Тип синхронизма Дополнительные условия

Би рофря етил ноа фотоин я уц иос-ванкое рассейте (БФР) [7] 17? и + = у?63 П «3

фоторефрактивное кроос-рвсоеяниэ С$К?) 1331 у.и г;33

Биполяризационное обратное рвссеяние (БПР) X

. Фотодиспврсиснное реосея- 1Ш8 С§ДР) С 313

Анизотропная самодифрекция •¿и ^ьА

Двойное бирефрвктквное .' рассеяние С 32 д 56

Л и к р о Ф о т о д о м е н н о е рассея- . ■ .ниеЧЙЗДР* [39] о1- - и - и

примечание: верхние индэкоы относятоя к волнам накачки :.(./,)' и рассеянного излучения (5);

нижние индекоы ЯГ" 1-24 указывают тип поляризации (о,е\соответствующих волн. '

(см. таксе далее) для кристаллов класс?. 3т (легярозакш© ниобат и танталат лития) оказались' в корне отличными ст экспериментально наблюдаемых [ 22,25] . £тот факт свидетельствует о существовании других механизмов рассеяния.

В §1.3 применительно к кристаллам с фотсгальватаческки откликом развита теория фоторефрактивного рассеяния света при учете затравочных источников другого происхождения ( модель СРРС). При атом полагается, что в слабо неоднородных средах не только начальная диэлектрическая проницаемость

но и другие материальныэ параметры среды(?акие как проводимость, ФотогальваническиЗ тензор и др.^могут испнти-вать пространственные флуктуации. Б частности, из-за не однородности распределения концентрации активных принесен А^^ фотогальванический ток в кристалле монет бить - неоднородна! даяе в случае однородного освешения £34] . Показано, что флуктуации темновой проводимости и электроодт;:ческого зм;ек-та вносят мрли'й вклад в интенсивность рассеяния Т5 .

Уравнения, списывание процесс рассеяния в Ф? среде, имеют два масштаба неоднородпостей. Один из них.определяется корреляционной длиной &с флуктуации материальных параметров ( (ъ) ', (£) ), второй - обратной ^личиной коэффициента нелинейкой связи ( ( взаимодейстзуюяих волн ( & - к* - Я1 ). При условии существенного различия этих масштабов, нелинейная система связанных волн (§1.1) реиаегся в первом борцовском приближении методом функций Грина. В рамках представлений о доминирующей роли пространственних флуктуаций тензора оотсгальваничэ ского эффекта (ъ) найдена индикатриса широкоуглового ФРРС.

В применительно к средам .с фотогальваническим отк-. ликом рассмотрена другая модель $?РС, названная.мвсговолно-. вой [433 • При зтом световое поле в среде представляется в виде разложения на I статистически независимых плос-

ких воля с различными направлениями волновых, векторов К * •

Показано, что в процессах £РРС существенное значение может играть глубокая модуляция фотопроводимости среды, при учете которой оказызается необходимым удержание членов не менее чем шестого порядка. Если в четвертом порядке (по Есек-уодействуиций пол та) кйгдоку фиксированному направление рас*

— s

сеяния К

отвечает один процесс (рис.а), то в шестом порядке нухяо учитывать до N различных процессов (ряс. б), обдая совокупность которых приводит к сланной модуляции. ЛН.(ъ) [43] . .

Z-*•

■ ' -L Lf \ / 'if/-'}.

Hi

Рис.

3 связи с этим пбсуйдается нозая трактовк- 4РРС как правления неустойчивости системы фоторебр&ктивннй ..рлсталл + световое поле относительно пространственной отохастазации яос-ледне 1-е. 3 приближении статистической независимости отдельных волг; для стационарного регимэ рассеяния найдена индикатриса енрекоугловег.-а 2FFC в рьмках данной модели.

2 $1.5 проводится сравнениетеоретических расчете-4 в рамках различных модздЗ с экспертентольндая данндаи по широкоугловому оассояя.чх) света в кристаллах Lt (NS/T^O-^ Li (A/tf/Ta-jOj ■' Си- пр:-. одпепучковий накачке. Показано, что для х-ее (щи у-ее) рассеяния, в кристалле нкобота лития, легированного железом, гологр .„лческий инкремент нарастания

£ п (пропорциональный мнимой части тензора /ротогальЕанк-ческого Э'рфБгла Jit* ) для рассеяния плоскости, ссдер- • жащей накачку и оптическую ось К , оказывается отрица^ель-льм g "fee) < т.е. приведи-1 к ослаблению рассеяпит. Однако даннас-CKC'iepjPieHTOE указкзаи? на наличие;в этом случай сЖектлвного cPP'J, что свлдзтельстЕузт о-ньзса'тжносгв тео-готическ'-г оаиезуг зтот гдТ-фекг в psusax- £' -мотели рассеяния

(с усилением к км тот'ом)»

счет процессов с цярг.улчряьм фотогальванпчес-

J? -неоднородности* ко-аот бить согласована з sr перимеягальндок да-пдаи узе прг

К

простейшей аппроксимации'коррелятора флуктуации dji гг.) гауссовсюш;распределением и по виду совпадает с индикатрисой, рассчитанной в рамках модели мпоговолнового рассеяния (с точностью до физического смысла констант, входящих в различные корреляторы).

Однако рассеяние на неоднородкостях показателя преломления, обусловленных Флуктугцияык Sêfz) -, в рассматриваемом случае может только увеличиться при замене когерентной накачки некогерентным сватом (поскольку исчезает влияние гак-тора голографическою. ослабленияС), что'Противоречит эксперименту. В то ке время мчоговолновая модель (учитывающая процессы не на*е шестого порядкал.сопасуегоя с экспериментальными данными как по форме индикатрисы рассеянкя, так и по чувствительности к. степени когерентноcj-и накачки.

Для рассёяаня х-ос в кристаллах LiHiO^ ■ Fc предска-зьшается разворот оси индикатрисы относительно направления 02 . В то же время для геокетрик у-оо ось индикатрисы SPPC совпадает с оптической осью, хотя форма индикатрисы становится асимметричной (относительно замены h-ï» -.2 ).

В кристаллам LlTa.0^ •' Си, по измерениям С.Г.Одулова : мнимая компонента тензора(Си-) < 0, что приводит к возникновению х(у)-ео рассеяния с.ориентацией главной оси индикатрисы почти перпендикулярной оси Z • ■ Гля всех перечисленных выше случаев иирокоуглового (неселекмвного) $FPC результаты теории хорошо согласуйся с экспериментом.

Исследованию влияния эффектов многократного рассеяния света на характеристики неселективного ФРРС посвящен 51.6. В приближении Рытова. рассмотрено рассеяние света б средах с диффузионным типом отклика. Многократное рассеяние света в ■достаточно толстых образцах ФР кристаллов приводит к сдвигу к'СЕСйиумов и уаирению индикатрисы. Произведено сравнение с экспериментальными данными, полученными на оптически прозрачной керамике ЦТСЛ помещенной во внеснее электрическое поле. Наилучаее совпадение достигается для модели, представляющей керампку как совокупность подсистем (с различными радиусами хсорреляции оптических неоднородностей си ), вероятность обнаружения которых подчиняется распределенш Релея.

' Вторая глаза диссертации посвящена исследованию дина-

мичзских эффектов яри|фоторефрактивнои (неселективном) рас-, сеянки света.

3 §2.1 теория, изложенная, з §1.3 для стационарного рассеяния, расширена на случай учета временных производных применительно к средам с локальным откликом фото1^льванического тапа (т.е. токовый отклик определяется только J? ). Показано, что динамика рассеяния для £- и ^-моделей ФРРС имеет, существенные отлич*'я. Б частности, динамические максимумы рассеяния достигаются в разные моменты времени, которые к ■■ тому se зависят от азимутального угла рассеяния кр (т.е. угла мекду проекцией' на плоскость, перпендикулярную ,

направлению накачки , я осью z - )•

Динамика изменения асимметрии' ФРРС для случая у-оо рассеяния'рассмотрена в §2.2. Показано, что в кристаллах класса 3т даяе при полном отсутствии диффузии фотовозбуж--денных носителей заряда мокет существовать независимый механизм асимметрии, связанный с особенностями электрооптических свойств среды (я называемый поэтому электрооптичес-яиц механизмом асимметрии).. При этом в стационарном ре;ккме характеристики фазовых гол о Апатических решеток зависят от икте рфе се нциоаного вклада' нескольких компонент внутреннего поля .BAH^lX^/d- ^(Kj.

Стае тип, что в длиеыическом режиме.степень асимметрии индикатрисы рассеяния моает быть выше, чем з стационарно« случае из-за эффекта динамического усиления слабого сигнала (рассеяния) в присутствии сильной накачки £ ЧИ~\ .

Эксперименты, проведеннгв га кристаллах Li No с разно!! степенью легирования ионами Fe показали, что коэффициент гсимметрия Cts(t\; fij) ( - угол рассеяния в плоскости YZ ) зависит от знака проекции волнового вектора ::акгчки па ось 0Y . В частности, при кояцент^ции

=0,03 вес.£ 0.4 (»Y;200)^2, a ctS (~Y;20°)"S 10. т1з этех данных получено, что процессы дьффузи? б исследованных кристаллах обусловлены герячякг носителями с эффективной температурой Т* , 1500 * ICOüK, г эффективная величия? знутреннзго поля :;отоггльванического происхождения составляет \j(f «s СС * 1С ке/см. "Етя результаты хопоао коррелируют с данными З.Г.Бро?ковпча и Ь.П.Стурыяна, [ JCQ .

¿тсспериментадьные результаты [ь,133_ свидетельствуют о тон, что неоднородные внутренние поля £. (г)» возникающие при освещении ФР кристаллов, могут вызвать появление обратимых поверхностны/: или обинах микрора^рядов (т.е. Електри-ческих разрядов, охватывагацих часть кристалла,мя.'ую по сравнению с освещенной областью, но большую по сравнению с периодом грлогра!*ической решетки). В связи с этим в §¿.3 развита теория неселектпвного ФРРС; учитывающая эта ьгфехтк. Показано, что случайная последовательность мккроразрядсз, сеа-лизущотся в среде по строго локалькж откликом, дреьстзт-зуеу достикекию стационарного состояния и переводит нелипеп-ное двухпучковбе взаимодействие в фоторефрахтивном. кристалле « своеобразный режим дина^лческого усиления. При достаточно, высокой частоте следования микроразрядоз, случайно локализованных в различных, частях фотовозбуг-денно": среды, везнпка-ет кзазистационарное состояние ШЕРС. При этом эАктивный коэффициент усиления затравочного пумозого кглучениялопределяется уке не мнимой, а действительной компонентой $ . . Результирующая интенсивность в квазистгционарном режиме

<1,(«Ъ . <4 е Ь(\$'(**)\*о) (2)

I/ ^

для типичных значений, параметров среды мссет. на 14-2 порядка повысить уровень доходного рассеяния Т5 при условии. чте -среднее время между разрядами в одной л той ¿е микрообласти того гс порядка, что и вре-я максвеловской релаксации 1' [353 .

В "¿¿'Л описана новая разновидность динамического ранима фогорейэактизного рассеяния света - азтовелковое рассеяние [253• гкепетаменты, выполненные на пластинках н-сре-за кристалла ¿(МоО^:Рс показывают, что при опткмгльной фокусировке и моеноотн накачки зыке пороговой перкздкческл • возникает и исчезает кольцеобразное рассеяние в заднею (относительно направления накачки) полус;сру. Период этого излучения обратно пропорционален снтенсивкосн: накачки X и обладает сильной частотной зависимостью. Теоретически показано, что в.¡основе этого с&текта лежит неустойчивость 5? сре-

дк, вгалмодейстгуппеЗ с не плоской' волной, по отношению к вс 'ншсновгяап профилированных' разовые гологряфических. рзив-

ток.

• Dpii выполнен!:!? условий четирехволнового синхронизм" могут реализоваться-различные разновидности селективного »ото-рефтактивко.го рассеяния стета (Таблица I), изучению которых посвящена третья глагг. -

В случае однопучковой нехачги нехоляинеартй четырех-волневой синхронизм полет реализоваться только при наличии -вупреломленкл. СоответстзупциЗ-.селективный вид рассеяния ", (см.Таблицу I) в настоящей работе называется бирефрактивнв».' *отояндуцкрованннм рассеянием сгетах\ .-Теоретическое;

изучений такого рассеяния проведено в §3.1 э приближении заданного поля нагачки. Найдена заз'ксЕйость интенсивности...' ■J- от углов рассея.ля и материальных параметров Среды., Процесс 'М-Р палкзуется как з фогорефрактазнюг предах ': . с нелскальйш <:отогальваняч--ск:ш откликом (J3 f 0),. так и с'локальним (J)'f 0). Однако в первом случае он зависит от знака g" из-за усилена- рассеяния • на фазовосиепённкх шу-мозых голограммах, а. во втором случае зависимость от знака §' отсутствует. Приведены результаты расчета для угловой зависимости Е2Р типа оо-ее.

Предсказано, что в.кристаллах.симметрии''3п' должнн реализоваться тазкв процессу РФ? типов ео-ее и оо-ое при .. однопучковой накачке, Индикатрисы последних ¡злеют характерную форму четырех одинаковых дужэк, лежащих на конусе, проходящем четез ось накачки. В дальнейшем такие пронесен 5ФР бкли обнаружены в кристаллах Ll~lb-0~:Си., ЦТаО^-^е.

В этой'же параграф проведен анализ 6i:< оляризациош*ого . обратного рассеяния (ЩР), "которое возникает при наличии от я в-компонент поляризсцЕК в одном пучке накачки л проявляется в виде' конуса рассеяния, раскрытого навстречу накачке.

Ир:: двухпучкозой кяка.чке'з почти встречных (но разделенные usjiva углов:. ) направлениях возникает двойное Ei? ^32] > с5.'адаг.-'л,ее особша своЗстя&ыя в направлениях,

£)..-----——

'другое кагзанйе - параметрическое рассеяние сьета гологра-Сяческсго типа £27] .

которые иогут Сыть найдены из условий сикхройкгыа, укгсанных в Тг-б-Оце I. Четыре волны рассеянного учения С S 3 ф совместно с'двумя волнами накачек (¿'1,2) описываются системой 6-ти уравнекг.%. решению которой посведен §3.3. Предполагается, что накачка L 2 образуется в кристалле за счет отражения волны Li от задней грани плоскооараллельио« пластинки ?Р вещества толщиной Х0 . При о том для 3-х волн (¿I,

S 3,5) гранкчнге условия задается на входной грани, 2 для остальных - на выходной грани кристалла. VÍ3 полученного решения следует, что если коэффициент усиления среды Г превышает пороговый.

( f - коэффициент отрахеяия от задней' грани), то возникает оптическая хенерацпя (т.е. ненулевое решение существент да-,se в случае совершенно однородной среды). Рассчитана зависимость интенсивности такой генерации от полного коэффициента усиления и потерь.

£руго2 разновидностью фото индуцированных эффектов, возникавших при наличие дополнительной волен, отраженной от выходной грани кристалла, является.'•ссторефракткЕНсе .кросс-рас-сеянке (2КР). Впервые обнаруженное нами в легированных кристаллах киобата лития (§3.4) око 'имеет максимумы, лекалasо-

-¿tí

b8.bkjs вблизи от поверхности конуса К -К -v К. ~ к , ^сбразуодке которого проходят вдоль пучков накачек LL , ¿Л, [ЭЗЗ . Особенностью ФХР, нз наблюдаемой в других видах селективного ÍPFC, является наличие своеобразной "тонкой структуры" индикатрисы рассеяния, т.е. чередования последовательности близко расположенных миншуыов'к ыгксямуыов излучения, Появление ото£ структуры никак не связано с дкфрак-циокни.!Е эфаектаки на апертуре накачки,

3 задаче о í-KP грзакчаыз условия для разных волн гадает ся на противоположных гранях (х«0,Хо). При.этой интенсивность оассеянного излучения • .

зависящая от зпкрзкекта нарастания /

мо:::ет кисть локально максимумы не при максимальных (действительных) 5„ , а в области мнкмех . значений 5« . Наличие. . токксй структуры, предсказанное теоретически и обнаруженное впоследствии экспериментально £ 37 Д , может быть использовано для определения нелииейянх констант. Тек -в.кристаллах х-среза ниобата лития толщиной 0,15 см, содеркгцих 0,05 взс.% »елеза, среднему расстояняг кегду блиаайшими максимумами 80 = С, 1° отвечает'коэгрдкциент нелинейной связи в0сг 2:76 см-1.

■ Четкрехволновое взаимодействие з Й? средах обкчно рассматривается з вырокдзнном нля квагивнроаденноа резямгх. ' нахокак обнаружено, з экспериментах- 0. Г.Сдуловг, при исполь- • зоваяпк. в качестве накачки двух колл::неарных' световых пучков с суцественно отличаггтимися частотами (бигарускпчзская накачка) такге' возникает $о?*рз£рактквяое 'рассеяние по схеме взаимодействия, указанной, в Набл. 1. Этот екд селективного' ФР?С, называемый фотодисперсконныа рассзяниеи (<ч!;Р) типа оо- . ее, теоретически рассмотрен в '2.5, где показано, что угловое разложение бигармоническо": накачки на отдельные спектральные кеяюкентк (эффект »-отоиндуцированной дисязрсйк) в пдоскспгралледьноЗ пластинке ф? вещества связано с конкуренцией 'Процессов синхронного (с) и несинхронного- (н) взаимодействия. Бри-зтсм со'р-тногение коэффициентов; усиления обычного (о) аире коуглов ого ФРРС н соответству^х (с,я) процессов образует • последовательность : : Г^ -Л : I, т.е. суть с№екта сводится не к позшенйв усиления волны при добавлении накачки на второй частоте <0Х , г в подавления всех углових компонент ФРРС, кроме выделенных условиями синхронизма [•

Едесь ке списана другая разновидность еДР типа' ее-ее, впервые обнаруженная нами в кристаллах

при

использовании'з качестве источников пакачки лсзера на парах меди з двухчастотном резиие ( А =0,511 мкм, мкм).'

Зсе рассмотренные вязе разновидности селективного связаны с четырехволногкыа взскиодеЁстзаями з ФР зредах.Описанное в §3.6 фотсмикродсменное рассеяние (&£Р) так-.-.е. проявляется как селективный (по углчм) .процесс расззтшя, локализованный на поверхности кругового конуса Показе но, однако, что оно связано не с шлЕшЕдой-наустоЗчквосоью- светового поля, а с наличием структурной пеустойчивости кристаллическое подсистемы при локальных нарупениад электрической нейтральности сегнетоэлектрической с^еды. сксперименты, проведенные при комнатной температуре на пластинках В -среза кристалла , показали, что вследствие фотогальва-штчеекого эффекта не только создается внутреннее поле С но и меняется распределение поверхностного заряда ) на грани +• 2 . Область изменения после,.него существенно превышает плоцадь освещенной зоны. Обнаружено, что появление такого рассеяния связано с возникновением массива 160° мякрс-доменов, имеющих .вктянутуп форыу и ориентированных вдоль оси 2 . Обнаружена корреляции мег.ду поверхностна: расаределенк-

ем иикрсдетеков и плоткостьь\ заряда а^ /^х) о

Четвертая глава посвящена рассмотрению некоторых особенностей .взаимодействия/ограниченных' световис пучков с -фотороф-рактиЕНой средой. Б частности, здесь рассмотрено возникновение, эффекта. оптического повреждения (крупное?антабкой 'фото-.рефракции) при прохождении светового луча гауссового профиля через тонкую пластинку 'вгцестла со сиешанньы Лфстогаььванк-чсскк-дЕффузиспным) типом отклика (§4.1).. 5 ргуках ¡¿одели кр-металла ..о двумя приме мши .-уровнями (доне, на.: п акцепторные), аналитически решена задача-определения пространственного про. фпля возьикасщего при гтом фотоиндуцированного изменения по-кгзэтеля преломления ДИ'/х,^-) , н; Ггден_о распределение плот-посте ибьеы'знх зарядов <? и юкоз ■{ • Поел единя з -/рассматриваемом случае отличны от нуля деже в стационарном •• состоянии (в окичиз от одномерного случая). Доказано, что ,.;в кристаллах нисбата лития тепловая диффузия носителей з^р -/да в гоне проводимости не монет создать, .достаточно б-дьзузс .асюшетрив профиля к для объяснения соотве-тствуу^их

/экспериментальных данных необходимо подобно учитывать

существен., л: вклад "горячих" электронов.

Б ряге случаев (саыонакачивзющиеся зеркала, голографи-ческиз -лазеры) фоторзфрактивные кристаллы помещается внутрь оптических резонаторов. Учитывая сложность задач, расчет таких систем обычно проводится в приближении плоских волн. Однако влияние поперечной неоднородности световых пучков ио.-. дет приводить к нетривиальные последствиям. 3 связи с гтюл в §4.2 рассмотрена модельная задача о квантовом генераторе, внутрь резонатора которого помещен фсторефрактивный кристалл, с учетом поперечной ограниченности активного (лазерного) элемента. Показано, что одним из следствий влияния фоторетракции на лазерную генерацию является тенденция к стохас-тизации поперечной структуры светового поля с ростом величины фотонаведенной пеоднородность показателя преломления." Ярп этом из-заэффекта насыщения основную роль играют не фотогальванические свойства среди, а диффузия носителей заряда з £Р кристалле. t на

В.сегнетоглёхтпическах материалах, таких как LiNoU^ , ва Т(03 , 5*3А/ Я др., преваляруЕиий вклад в фотореф-ргкцив вносит линейный электрооптическик эффект. При этом внутреннее поле (дсстпгагадее величины ы 50 100 кв/см) возникает за счет пространственного перераспределения зарядов под действием светового облучения. В настоящее время признано, что одним из эффективных механизмов такого, переноса зарядов является Лзтогальванический эффект (1«Г5 £ 11,121). Отметим однако, что теоретическое изучение примесного SPS до сих пор. было ограничено рассмотрение!.' моделей одиночных примесных центров, в рамках которых нз удалось объяснить вес' совокупность имеющихся экспериментальных данных.

Предметом исследований, излеченных в пятой глазе, является новая модель фото гальванических центров, -основанная ■ на представлении о существовании в-кристаллах банерных при-меенкх комалгксоз^пЗ •

Б ¿5.1 дан крашС "с<5зор зкепараментальных данных по д он орно-акцептор." км комплекса« в бинарных полупроводниках и основных фоторег.рсктпзны:; материалах. Отмечается, что их концентрация в реальные случаях мог.ет Сыть достаточно ы;ео-

KCi.*»

3 дальнейшей части работы"рассматриваются только комплексы, состояние из д/зух близко расположенных дефектов (при-'меснкх; или.собственных), один ез которых обладает глубоким энергетическим уровнем с разрешенным переходом з область не* прерывного спектра энергий. Зри фотовозбузденик такого комплекса (называемого в дальнейием а о то гз льва ни ч е скил) олектро^ локализованный в основнаГ состоянии вблизи от центра Црпре-тер девает расселит на бдкзлегздец центре Ц^, в результата чего возникает направленное (в среднем) движение заряда. с

Для комплекса с заряженйм рассеивающим центром используется следувщвй модельный потенциал ' <й

представлявший состой суперпозицию потенциала Луковскогс и кулоновского потенциала (для иона с эффективным зарядом ■ центрированных на расстоянии друг, от друга.

В рамках представлений об иерархии времен релаксация, кс-•.пользованных в ^121 . в приближении эффективной массы" най-. дек вклад такого к"мплекса(£5.2) в тензор фотогальванического эффекта $ (ьЭ) и коэффициент поглощения с^сД]. Прогка-• лизированы случая притягивавдих (,^^>0) з отталкиващих (£*<0) центров Ц2.

: " Пока „ано, что в зависимости о? соотношения меяду игра-; метрам?. £Ь0 , , '■ Л спектральные характерис-

тики • отличных от'нуля компонент £ могут либо тх.£Ъ ■ вид одногорбых хриввх, либо иметь 'сложный,- осциллирующий -характер с характерным расстоянием мезду максимумами -v , • Причиной появления этих осцилляций язляется интерфе-

ренция электронны волн, -сскденяЕс'ва . центре. Ц-^ и рассеянных на центре.Цо« Опенки"показали, что в типичных условиях вклад .-.комплексов в фотогальваническиЗ ток Л^ метет достигать' ^/Х^ IV"7- ь 'хг6 а/вт, чтс на несколько порядков визе, чем . для одинарных'примесных центроБ*э_ тех ае..'самнх: условиях. - Аномально. больной-ФГ отклик, сзяганккЗ о'наличии слекннг дефектов, обнаружен яедовно в кристаллах группы силленитов

С К].

Сдуча». оинарацх <тркм: оккх: кошшгксоз с нейтральным рас- '

сеивавщим центром (такке аппроксимируемым потенциалом .Луков-, ского) р" осмотрен в '§¡5.3. Как оказывается, л отличие от пре-'"дыдущзго случая, компонента ^ ^го) . обращается'в ноль, но ■•остальные (ненулевые) компоненты фотогальваниче«.ого тензора могут иметь величину того ке порядка,что и для кулонов- . ского центра ; : : . ,

Разумеется, з реалыщх случаях в зависимости от свшет-, рии кристаллической реиетки может одновременно реализовать», ся несколько-ориектацшг (иле типов) комплексов. Проведены числевные ^асчеты для моделей примесныхкомплексов в структурах тятавгта бария п сфалерита )• 3 последнем слу-чае(относящемся " кубической группе симметрии Т^) имеется 4 равновероятных ориентации-комплекса Ц-^И«,^»■ однако из-за отсутствия в сфалерите центра инверсии полной " ' компенсации фотогальваяическпх токов разных направления в общем.случае не происходит. При этом'остаемся отличной от" нуля одна мах_эскопичэская компонента . Яро-. . ведено сопоставление расчетов с экеперимен-алгными данньки и показано, что наличие в кристаллах даяе сравнительно небольшого, количества примесных хонплеазов; ( 1С"1' 1/&Р) может оказгзать решающее влияние ка ФГЭ в этих кристаллах. При эхом фяуктуапиа локальных 'нацравлениЗ .ки&ексообразова-ния приводят к существенному изменении'вида корреляторов ^. йлуктуацяй тензора йотогальванического эффекта

Б Заключении подведены итоги исследований и сделаны вы-, воды, из полученных результатов.

К основтщ! результатам работы относятся следующее: .

1.Показано, что стационарный реким неселективного--.(ют-. рокоугловог6)'фоторефракти1ного рассеяния/света (-5РРС) монет реализоваться не только при наличии гологра£ического . усиления (^ ">0), но и з случаях чисто локального отклика

( £ " -С), либо небольшою цо величине голографического ослабления "< С). Прибери - неселективное ФРС-типов "с"1", "ее" в легированных кристаллах киобата литпя.

2.Предяо8ени ноОге механизма ^юрмпроваяшг-ЗРРСг фотс-проязление "скрктих" неодао^дностей фотоэлектрического типа с последующим четирехволзозал усеченней рассеянного, пз-

лученяя (модель^-рассеяния) и кзаззотацпонараее динамическое усиление пространственных шумов, обусловленных объемными (или поверхностная:) обратился мякроразрядаш в фотовозбуж-декной среде.

3.Развита методика расчета аффектов фоторефрактнвного рассеяния света, принимающая зо внимание объемный характер кеоднородностей- и влияние*" эффектов многократного рассеяния.

' '4.Показана, что наряду с ФРРС, объясняемом по классической схеме (усиление затравочного - шума, в среде с нелокальнш • откликом), широкоуглсвое ФРРС может реализоваться з. среде с локальнш откликом благодаря процессам пространственной сто-хастизацни изменения показателя преломления среду •

Основой создания кеоднородностей' является глубокая

модуляция фотопроводимости кристалла в условиях развития спекл-структуры светового поля и связанные с этим процессы иесткводнов-ах взаимодействий.

5.Теоретически предсказало, что в- кристаллахсимметрии зт причиной асимметрии индикатрисы ФРРС монет быть не толь-'ко диффузия фотсвозсугдгнных носителей заряда, но и интерТе-. ренция различных глектрооптяческнх вкладов (электрооптячес-•кая асимметрия) .

.б.Шэдруяенн новые' разновидности еелектяяяого/ФРРС: фо~ 'горефрэктивное' кросс-ргссея^ю.фотомккродомеппсе рассеяние, " а. также аэтоволновое рассеяние света.

7.Лапо теоретическое списание' новых разновидностей ФРРС:бирай®ктпвнохс фотоиндуцкрованкою рассеяния, фотореф--рактивного кросс-раисеянпя, фотодисперсионнохо рассеяния све-;та при бигармонЕчесгой накачке.

8»Фогонндуигфованное образование микродоменов в крастгл-• лах нкобата лития .-«ггировакнюс • зедззси. является нелокальны« . относктельно места воздействия светового пучка,'что'связано. с.-аросзссаки двякввяя зарядов по поверхности образна.'

^.Теоретически показано, что при отсутствии резонатора в фоторефрактивнах кристаллах можзт возникать стационарная опткческ&я генерация из-за яесткпучкового взаимодействия (случай двойного бярефраквдзггого фотоинду-шронаянсго рассеяния).

10.Показано, что введение фоЗорефрактивксгс кристалла 20

внутрь лазерного резонатора сопровождается нарушением устойчивости гладкой поперечной структуры генерируемого излучения с тенденцией к стохастизации последней при росте коэффициента диффузии, „

^ II.Предложен способ увеличения фотсгальванического отклика кристаллов за счет создания в них бинарных примесных центров. В качестве таковых могут выступать . например, до-норно-акцепторнке, комплексы, которые образуптся при росте кристаллов со специально подобранными добавками.

12.Развита теория фотогальванического эффекта'на бинарных примесных комплексах Д-j- - í^» 113 которых (Ц-j) обладает глубоким уровнем энергии и описывается потенциалом Лу-козского, а второй (рассеивающий центр Цд) иокет являться зарякеннш (кулоновским) или нейтральным. Показано, что.такие примесные комплексы характеризуются высокой эффективностью генерации фотогальванического тока.

Дитештура:

1. reinfcerg J. Stinulated photorefractive ecatterinc глй optical plisee conáuee.tion//laser optics of condesed

catter .-!< .Y. ,Ixndon:?leiium iress ,19§£«-P

2. £ивакическая самодифракция когерентных световых пучков/. Винецкий 3.JI., Кухтарев Н.В., Одулов С. i'., Со скин l'.C.// УК-I. -IS7S. -т. 129 -с. II3-I37.

3. Еухкрев. К..Е. Самосогласованная теория объемной динамической голографии/Двтореферат диссертации; на соискание ученой-степени доктора фпз.-мат.наук.-1-Сиез:К2 АН УССР¿1983.-25 с.

Magnussoa R., Gay-lord 3?. laser scattering induced holograms in LiP.hO, //Appl.Cpt ¿«7 • -P.liAS-'^e.

5. Петров ¡J.П., Степанов C.II., Хокбнко /..В. Зсточузствитель-Н1Э глзктрооптцческке среды в .голографии ■ и оптической обработке ::нсормсц1п:.-^1.:Ксука,1?83.-27С с.

6. слектроопткческае поля при фоторефракции в кристаллах LiirbO,:Pe. /Болк Т.?., Гинзберг A.B., КоЕалевич Е.К., Шувалов Л.А.// Иззествя Ali СССР, сер. физ.-1977.-т. 41, .':<+.-с. . 783-787. . .

Cdulov £., Belabaev E. »^kiseleve. I, Deesnerate etimu-lsitöft pexicaotric £3cattërins in LiTaCj //Opfcice ЬетЛага,-1<-v.- '>0 ,E.'5, -p . î>4£-545.

8. Grouäsoü P.., Mellich S-, Cdulov S. Airolified oactojsrd soatteriag an XàJ'.bO^ï's/yOptioi; CorcnunnсаЬдоаг«-1$E5

S. Степанов С.L., Петровым.П., КсЛшплир. A.A. .Дифракцця света с поворотом плоскости: поляризации на обзоыкнх голограммах в элактрооптяческих кристаллах//Пнсьыа в 1ТФ.-1977,-т.З, .£7.-0.849-854.

Ю.Бровкоаич В.Г., Стуркая Б.И. Обнаружение неразкозесной ' дкпфузкк'в кристаллах LiroO- ■ //Писк/а в т. 37,£ЕО.-с. 464-457. У

П.Оркдкин B.ÎÎ. Ьотосегнетозлектрики.-U. : Наука,1979.-254 с.

12.Бел1;н::чер S.U., Стурман Ь.Е. -Зотогалъвгннческий вййект в средах без центра инверсит// 7ФК.-i960.-t. 130,£5.-с,'415-458.

13. Ihotorîirtc tioii b.inetic-3 in LitTtO^ cr^s-c^Is 'aider .irradiation and hee+äiig/Sbvsrts K«S.jAugustov P.A.,Ozolß A.D., Icpelis ''.K.//P©rroeiectrica.-1'}?8.-v.22.-iJ.6^3-55?.

14.Граче3 A.ll., Петров И.П.,. Красипькова M.B. Фотогалввани-чески активное центрц в 1српсталлах Ei^j,si020 // ФТТ,-I98<;.~ï.28,;i5.-c.I530-I532.\

■ Список. работ по темз диссертации: •

15.Сбуховский В.В. Теория еотоцндуцированного изменения по. казлтеля ярелоиленкя сегкетоэлектркксв// ygi.-I9B2.-T.27,

аз.-с .344.-34S.

16.0оуховский Б.В., Стояков А.Б. Зотсгальвакический эффект на приме ckfx ко и гаек сах// У&.-190£,-т.?7,.В4.-с.542-548.

J7• 0'ouJiOYSÎçr V.7., 'Stoy^nov А.7." A nodal of photoßalvaaic ecaierc io crystüls/i^ers-oeiectricc

13,Б2И>:няе йотопндуцирсзашюк' фоторефракгдо за . комбинационное рассеяние света в ûïfbOjsPe- /Коротков П.А., Острия Г. Я., Радчепко П. С.., Сбухсвсхий Б.В.//Оп'глкз и опокт-росхспяя.-1982.-т. 52 ДЗ.-с. 552-584.

19. Обуховскид B.B., Сто яков A.B. Модель фстовольтзическях цгнтров в ссгкетозлс:гтр:тах//йэв. АН 'CCCP.-I583.-t.47 ,.*S4.~ с. 652-655.

20.Д»;ктр:к Т.Н., Короткоз П.А., Обух овский-В. В. Влияние фоторефракции ва релеевсксе рассеяние вЫзъо^:?е // Оптика и спектроскопия,-IS83.-T.55 ,;"2.-ч;.3SS-400.

21.Ловгкй E.U., Обухсвскай В. В. Влияние фоторефрактизного • эффекта на лазерную генграцкю//У<г£.»-1984.-т.25^1.-с.378-385.

22. Обуховский В.В., Стоянов A.B. Фотоикяу (дарованное редеегс-кое рассеяние света в крясталлах//Сптика и спектроскопия.-JS65.-T. 58,«E2.-C. 375-385.

22-Обуховский В.В., Стоянов A.B. ФотоЕндуцированное рассеяние света в кристаллах с нелокальна.« откликок//Квантовая' электроника, -т. 12, .'гЗ.-1985.-е. 563-57 О.

.24.СбуховсхиЗ З.В., Стояков A.B. Асимметрия фотопндуцнрован-ного рассеяния света з '1фистаоах//Ш.-1£85.-г.-с. 343-351.'

25.Проявление полярности оптической оси при х^^еевском рассеянии света в кристаллах Ъг&ЪО^ /П.А.Коротков, ' В.Е.ОбухОвский, П.С.Ргдч-енгсО, В.И.!Пвец//Спт;п;а и спектроскопия. -IS85. -т. 59,Ш; -с. 222-224. ■

¿о.Сбуховсккй В.З., Леиевко S.S. Азтозсдны фотоиндуцирозанг-. ноге рассеяния светаХ/Письма в HTf .-IS85.-?.II,?522.-c. I36S-I3S3.

27.Обуховский В.З. .ГОло1'ра:!яческий тип п&ряметричеекого рассеяния света//УФл.-1936.-т.3I,.liI.-c.67-74.

28.00ухозсхий З.В», Стоянсз A.B., Фстоивдуцирсганпое рассеяние света в кристаллах с локальный откликом//4ТТ.-1з86.-т. 28, т. -с. ^05-411.

25.Ловое параметрическое рассеянна света гологрейкческого типа в Ьй'ЪО^ /X, Г.Гблзд'аеЕ, Я.Я.Киселева, З.В. Со ух от-скй и др.//Ф1Т.-1585.-т.23,.,'2.-с.575-576.

30. Киселева H.H., Одулов С.Г., СбуховскиЗ В.В. Парсиетричас-коз рассеяние годогря^нчсского. .тйпа в кристаллах класса За //ФТГ. -1?с6. ~т". 28 ,й10, -с. 2575-2580.

31.5ото?ндуц1-.роваягая дисперсия света з кристаллах прк'ба-гатаоническоГ: закачгсг/Н.Н.Киселева, С.Г.С^улов, О.К.Саей-'

ник, -3.2.0буховский/Д4£.-198б.-т.31,Ш.-с.1б82-168б. .

32.Взрывная неустойчивость и оптическая генерация в фотореф-рактивных крпсталлах/А.Ib вихоз, С. Г. Одулоз, В. В.Обухоз-ский, Е.К.Стурман/ТПисьна в jiiiT$.-I586..-r.44,E9.-c.4I&-42Г. .

33.Обуховский В.В., Лемеико В.В. Четкрзхволнсвое кросс-рассеяние света в кристаллах//Письма в £ТФ.-15еб.-т.124йЕ6.-с. $61-966. . "

34.Обуховский В.В., Стоянов А.В., -Леиешко В.В. Зотоандуциро-• ванное рассеяние света на фяуктуациях фотоэлектрических •;.■параметров ..сред«//1£вантовая электроника.-JS87.-г.24,Д.-

0.113-121. .■'■:. 35.Обуховский В.В., Стоянов А.В. Объемный разряд в сегнэто-злектриках'как механизм фотоиндуцированного рассеяния свз та//ФТТ. -1S87. -т. 2S ,.'.'19. -с. 29IS-2S25. -

Зо.Лемеашо В.В., СбухозсхиГ: В.В. Четырехволновое кросс-рас' -сеяние света/ЛйЕ.-1987.-т.32,Ш.-с.1ббЗ-1668.. • 37..Леиеш> В.В., Обуховский В.В. Тонкая структура, колец четырехволнового кросс-расгеяния, cвeтa//Aвтoiieтpaя.-IS88..■й4. -с.106-109,

33.Возни! В.Л., Лемешко.В.В., Обуховский В.В. Фотокндуциро-' ванная-дисперсия света в кристаллах виббата лития//Опти-ка и спектроскопия.-I988.-T,64,.'"5.-СЛ164-И65.

35.Лемеико. В.В., Обуховский В.В. Ломены в фотовозбугденном

Lil.bC-jF* //£>'!?. -I£88. -Т. 30 ,йб.-с.1614-X6I8. : 40.,o'b^3iiovslcy V. 2Ьо nc.ruro of the. photcinducea light scat-• tering cxystals//'i?erroelectj,ics.-19B9-v.S9-p.2-52-2'i7. ifl.IeceEhico V., Couhovsky V. ,Rez I.S; atoinains of - crystals and crystal noduli concepticn //■..-. Crystal..research ecd Ji!eciciolosr»-1S££--v->25iK7.-p.655-eS2.

42. i-:irrorlesa coherent oscillation due to six-hesis vectorial .nixing in photorefractive crystals / Eovikov Ж., O'oubovclcy 7., Odulov Stumcn B.// Optics Letters.-19B8.-v.15^11.-P.10l'/-10-59. 43.Обуховский В.В. Природа iKPC в сегнетоэдектркчееких

кристаллах///®. -I58S. -т .34, ."53. -с. 364-368. ' 44.Асимметрия {отоиндуцирозанного рассеяния сьста в

LiJUbCy?.» /В.Л.Воззнй» B.B.Ievc.KO, Б.В.ОоуховскиЗ,

45Л«тан;-эдчкровавное • раосеянБЗ света в гяехтрооптапеской керамике ЦТС51/ А.Я.Анспохс, Я.^Сеглиньи, В.В.Обуховский, А.В.Стоякоз//Ква5.озая электроника. -Киев, 11суксва Думка. -

4б.Обуховска2 3.3;, Стояков A.B.- Модель фотовольтаичесхих ' центров в сепкто5л--зктр«ках//Квйктовая глектроника,-Ккев, Наукова 50-57.

5Ф Подписано к печати 06 0бъем

Формат 60X84'/и. Заказ Тараж f'OD

Типография ЗА ПВО СВ.

п. л