Проявление несовершенства поверхности и подповерхностного слоя кристаллического кремния в упругом рассеянии света тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ НАЦІОНАЛЬНОЇ Р Г Б Он АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ

і р’ИіОИ '^СПЕЦІАЛІЗОВАНА ВЧЕНА РАДА К016.25.01

ПРОЯВЛЕННЯ НЕДОСКОНАЛОСТІ ПОВЕРХНІ ТА ПІДПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ КРИСТАЛІЧНОГО КРЕМНІЮ У ПРУЖНОМУ РОЗСІЮВАННІ СВІТЛА

01.04.10. - фізика напівпровідникіа та діелектриків

Автореферат дисертації на здобуття вченого ступеня кандидата фізико-математичних наук

КИЇВ-1994

Роботу виконано в Інституті фізики напівпровідників Національної Академії наук України, м.Киїп

Науковий.керівник;

доктор фізико-математичних. наук ІИиршов Юрій Михайлович

ОфМ^іооонепт;

доктор фізіїко-матсмптичгоїх наук Влопський Іван Васильович

Шюйіднаорі'аніуація; Захист відбудеться

кандидат фізико-математичних наук Столярспко Олександр Васильович

Київський університет ім. Т.Г.Шевченко

^0.

_ 1994 року о

годині на засіданні спеціалґзованої ради КО 16.25.01 при Інституті фізики напівпровідників АН України за адресою: 252650, Київ-28, проспект Науки, 45.

З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту напівпровідників АН України.

Відгуки на автореферат у двох примірниках, засвідчені печаткою, прохання надсилати за вказаною адресою на ім’я вченого секретаря спеціалізованої ради. .

Автореферат розіслано

/6 ё нЯ

1994 року

Вчений секретар спеціалізованої вченої ради R016.25.01

Беляев О.Є.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Актуальність-теми. Незважаючи на те, що явище розсіювання світла досліджується і використовується достатньо довго, воно ще не вичерпало себе як з наукової, так і з практичної точок зору.

Відомо, що навіть дуже добре полірована поверхня напівпровідника розсіює світло. Це явище може обумовлюватися кількома незалежними причинами. Джерелами розсіювання світла можуть . являтися дефекти, забруднення та мікрошорсткості поверхні а також дефекти та флуктуації оптичних констант у підповерхневому шарі і в об'ємі . Зрозуміло, що розсіяне світло повите містити інформацію про всі вищеперераховані дефекти та недосконалості. Розшифровка цієї інформації - дуже важлива задача, вирішення якої дозволить як глибше зрозуміти фізику розсіювання світла иедосконалостями поверхні, підповерхневого шару та об'єму напівпровідника, так і розробити нові неруйнуючі методи контролю матеріалу для сучасного мікроелектронного виробництва.

На момент початку даної роботи проблема теоретичного опису пружного розсіювання різними типами мікрошорсткостей металів, діелектриків та напівпровідників була досить добре розроблена. Існували розвинуті фізичні теорії (векторна теорія розсіювання Елсона та Беннета, теорія Майстре, квантово-механічний розгляд Нієто-Весперінеса), що дозволяли розраховувати кутові залежності пружного розсіювання мікрошорсткостями поверхні. Такі розрахунки добре узгоджувалися з результатами експериментальних вимірювань. На основі вищеназваних теорій було розроблено кілька оптичних стандартів для визначення параметрів шорсткості поверхні.

Однак, всі наведені теорії та стандарти мали діло з так званими "класичними" шорсткостями у діапазоні розмірів 50-1000А. Тому дуже цікавою з наукової точки зору задачею було дослідження процесу пружного розсіювання світла мікрошорсткостями, розміри яких наближаються до атомнйго діапазону, та атомними структурами різного типу на кристалічній поверхні напівпровідника. Прикладами таких структур можуть служити краї атомних терас, атомні сходинки, мілкі ямки

і

травлеїшя, що мають поперечний розмір порядку одиниць мікрон та висоту одиниці ангстрем. Розсіювання світла у цьому випадку являється сдшшм методом, що дозволяє вивчати природу та фізичні механізми утворення таких структур (скануюча електронна мікроскопія непридатна через іх великий поперечний розмір).

Проблема теоретичних розрахунків та експериментального вимірювання кутових залежностей інтенсивності розсіювання світла мікрочастинкою модельної форми на відбиваючій поверхні на момент початку дашюї роботи була мало.досліджена.

Незважаючи на те, що закономірності розсіювання світла сферичною частинкою в однорідному просторі теоретично вивчені досить давно, тільки у середині 80-х років з'явились перші теоретичні роботи по розрахунку кутових залежностей інтенсивності розсіювання світла сферичною мікрочастинкою на відбиваючій поверхні. У повному обсязі ця задача була вирішена у 1992 році тільки для сферичної частинки на поверхні ідеального провідника. Не була вирішена і обернена задача - знаходження розміру частинки на відбиваючій поверхні з інтегральної інтенсивності розсіювання.

Експериментальні відомості по вимірюванню індикатрис розсіювання світла сферичними мікрочастинками на поверхні кремнію до 1987 року не приводились у науковій літературі

Одержання таких відомостей могло дозволити краще зрозуміти фізику процесу розсіювання світла мікрочастинкою на відбиваючій поверхні та розробити неруйнуючі методи контролю розміру мікродефектів на поверхні напівпровідника для мікроелектронного виробництва

Дослідження розсіювання світла тонким підповерхневим шаром напівпровідникового кристалу також викликає великий інтерес як з наукової, так і з практичної точок зору. Існуючі на момент початку дашюї роботи наукові публікації з цього питання були присвячені суто практичним аспектам контролю досконалості підповерхневого шару плівок кремнію на сапфірі. Фізична природа пружного розсіювання світла дефектами

а.

підповерхпевого шару напівпровідника залишалася' загадковою. Фізичні моделі розсіювання світла характерними дефектами у підповерхневому шарі напівпровідника і теоретичні рішення прямої та оберненої задачі розсіювання не приводились у науковій літературі.

Метою роботи являлось комплексне досліджеїшя фізичних закономірностей процесу пружного розсіювання світла дефектами та не досконалостями поверхні і підиоверхневого шару кристалічного кремнію.

У межах даішої мети ставились такі задачі:

. встановити основні закономірності пружного розсіювання • світла суперполірованою поверхнею особливо чистих кремнійових пластин, сферичними частинками каліброваного розміру та випадковими частинками різної форми на цій поверхні а також штучно створеними дефектами у підповерхневому шарі цих пластин;

• розробити фізичну модель розсіювання світла дефектами підповерхневого шару напівпровідника;

. базуючись на одержаних відомостях про механізми пружного розсіювання дефектами на поверхні та у підповерхневому шарі кремнію, розробити методи неруйнуючого контролю таких дефектів.

Наукова_____новизна, проведеїшх досліджень та одержати

результатів:

1. Вперше за допомогою пружного розсіювання на поверхні

кремнійових пластин зареєстровані орієнтовані структури атомного розміру, симетрія яких пов'язана з симетрією кристалу.

2. Вперше детально досліджені індикатриси розсіювання1 світла полістироловими сферами та випадковими мікрочастинками на поверхні кремнію.

З

3. Вперше запропонована фізична модель, що пов'язує розсіювання світла дефектами пакунку у підповерхневому шарі кремнію з утворенням навколо цих дефектів областей пружних механічних напружень.

4. Показана можливість реєстрації дефектів пакунку у підповерхневому шарі кристалічного кремнію при скануванні досліджуваного зразка сфокусованим лазерним променем з довжиною хвилі у. фіолетовій частині спектру та аналізі інтегрально! інтенсивності розсіювання.

5. Вперше запропоновані способи, що дозволяють роздільно реєструвати дефекти на поверхні та в підповерхневому шарі кремнійових пластин.

Практіічце_зналєіЩяро5оти

1. Розроблено та виготовлено пристрій "АДЕЛАР" (Аналізатор ДЕфектів ЛАзершій Растровий), що виконує об'єктивну оцінку досконалості поверхні кремпійових пластин. Розроблена методика атестації данного приладу.

2«- Створена методика контролю дефектів пакунку у підповерхневому шарі кремнію. На основі цієї методики розроблено і виготовлено оригінальний прилад "АДЕЛАР-П" для контролю підповерхневих дефектів у кремнії.

Впроваджелня рєзультатів_роботи

Виходячи з результатів проведених досліджень , спільно з ВО "Квазар" розроблена технічна документація 700Э.316.00.00.00 (09/1-89 ) на "Скануючий лазерний пристрій контролю забруднень кремнійових пластин".

Розроблені і виготовлені лазерні скануючі прилади контролю поверхні серії "АДЕЛАР” були впроваджені на заводі "КВАЗАР" (Київ) - 5 приладів, НДІ "Мікроприбор" (Київ) - 2 прилади, ПО "РОДОН" ( Івано - Франківск) - 4 прилади, ПО "ПРОТОН" (Орел) - 2 прилади, заводі імені 50-річчя СРСР (Александров) - 2 прилади, НДІ "ЁОСТОК" (Новосибірськ) - 1 прилад, ПО

"СВЄТЛАНА" (Санкт-Петербург) - 1 прилад. Розроблено і впроваджено на заводі "КВАЗАР" ( м. Київ ) прилад серії

ч

"АДЕЛАР-П" для контролю підповерхневих дефектів кремнійових

пластин.

Основні положення,-Висуиутіла аакист

1. На поверхні кремнійових пластин за умов хіміко-механічного

полірування можуть утворюватись орієнтовані структури в атомному діапазоні розмірів, що добре проявляють себе у пружному розсіюванні світла. Орієнтація цих структур пов'язана з кристалографічною орієнтацією поверхні досліджуваних пластин.

2. Для полістиролових сфер з діаметрами в діапазоні 0.3-2.6 мкм

на поверхні кремнію залежності сумарної інтенсивності розсіюваїшя в різні діапазони просторових кутів від діаметра сфери мають складний, немонотошшй характер. Вони характеризуються наявністю одного або двох мінімумів, в залежності від діапазону просторових кутів, в якому проводиться сумування інтенсивностей розсіювання. Фізична природа цих мінімумів може бути пов’язана з взаємодією частинки, що розсіює, з системою стоячих хвиль поблизу поверхні.

3. Розсіювання світла дефектами пакунку у підповерхневому шарі

кремнію може обумовлюватися виникненням навколо цих дефектів областей пружних механічних напружень мікронних розмірів.

4. Реєстрація дефектів пакунку у підповерхневому . шарі кремнійових пластин можлива при скануванні досліджуваного зразка сфокусованим лазерним променем з довжиною хвилі у фіолетовій частині спектру і аналізі интенсивності інтегрального розсіювання.

5. Роздільна реєстрація поверхневих та підповерхневих дефектів

з допомогою розсіювання світла можлива при одночасному освітленні досліджуваного зразка двома довжинами хвиль, одна з яких знаходиться у фіолетовій, а друга - у червоній частіші спектру та реєстрації інтенсивності розсіювання для кожної довжини хвилі. Роздільну реєстрацію поверхневих та підповерхневих дефектів можна отримати і на одній довжині хвилі, якщо збирати розсіяне світло у двох різних кутових інтервалах і порівнювати виміряні сигнали.

Апро5пціп_ррвоті}_Оснопні результати роботи доповідались і містяться у матеріалах VII міжнародної конференції з мікроелєктроніки "Microelectronics-90" (Мінськ, 1990), VII міжнародної конференції "Microelectronics and Computer Science" (Кишинів, 1992), міжнародної конференції товариства SPIE (Київ, 1993), міжнародної конференції Frontiers of surface diffraction and imaging", Hong Kong University of Science & Technology (Гонконг, 1993), XII всесоюзної конференції а фізики напівпровідників (Київ, 1990), VI республіканської конференції "Фізичні проблеми МДІІ - інтегральної електроніки" (Севастополь, 1990), на Лашкарьовських читаннях та наукових семінарах ІФН АН України, на школах - конференціях молодих вчених "SEMFA" (Алушта, 1992,1993).

Особистий _внесок_ацтрра. роботи _ А втор роботи приймав участь у розробці та виготовленні дослідницького обладнання, особисто виконував виміри індикатрис розсіювання особливо чистих, добре полірованих кремнійоиих пластин та модельних і випадкових мікрочастинок на поверхні цих пластин. Він також приймав участь у розробці алгоритму теоретичного розрахунку кутових залежностей інтенсивності розсіювання сфери на полірованій поверхні та виконав такі розрахунки для полістиролових сфер на поверхні кремнію.

Автор виконав цикл досліджень по впливу механічних напружень та дефектів пакунку у підповерхневому шарі кремнію на процеси відбивання та розсіювання світла та разом з науковими керівниками розробив оригінальну фізичну модель, що описує ці процеси. Правильність та непротирічність запропонованої моделі була підтверджена результатами аналізу експериментальних результатів та математичними розрахунками, що особисто виконав автор.

Автором запропоновані два способи роздільної реєстрації поверхневих та підповерхневих дефектів кремнійових пластин, один з яких був реалізований в оригінальному приладі та впроваджений на заводі "КВАЗАР".

Публікації, 3<а матеріалами диссертації опубліковано 10 робіт, а них 3 статті в українських і закордоіпшх наукових журналах, 1 авторське свідоцтво та 6 тезисів на союзних та міжнародних конференціях. Список робіт подано у кінці автореферату.

Структура.^..об'єм^роботИ-ІІиссертація складається із вступу, чотирьох глав, висновків і списку цитованої літератури. Матеріал викладений на і Зої сторінках, включаючи 6 і малюнки, 2 таблиці і бібліографію з 80 найменувань.

ЗМ1СІ_Р_ОБОІИ

У вступі обгрунтовуються актуальність теми дисертаційної роботи, формулюється мета та задачі досліджень. Тут також формулюються головні положення, висунуті на захист, стисло викладається зміст диссертації та наводяться відомості щодо • апробації роботи.

У першій главі подано огляд наукової літератури з питань розсіювання світла мікрошорсткостями та мікрочастинками на відбиваючій поверхні та різними типами дефектів у підповерхневому шарі напівпровідника. Перша глава містить три розділи; ■

У першому розділі зроблений детальний огляд теоретичних та експериментальних відомостей стосовно розсіювання світла мікрошорсткостями дзеркальної поверхні. Тут описані три існуючих теоретичних підходи, що дозволяють розраховувати індикатриси розсіювання на мікрошорсткостях: векторна теорія розсіювання • Елсона та Беннета, розгляд для металічних

поверхонь у рамках неоднорідного розподілення струмів Майстре та квантовомеханічний розгляд Нієто-Весперінеса. У кінці данного розділу приводяться літературні відомості про проявлення

особливостей мікроструктури поверхні атомного розміру у

пружному розсіюванні світла та про інші фізичні методи, що

дозволяють реєструвати такі особливості.

Другий розділ присвячений огляду наукових публікацій по розсіюванню світла мікрочастинками сферичної форми. В цьому розділі детально розглянуті теоретичні підходи Релея та Мі для

розрахунку індикатрис розсіювання світла сферичними мікрочастинками в однорідному об'ємі та численні спроби такого розрахунку для сферичних частинок на відбиваючій поверхні.

У третьому розділі подається огляд наукових робіт по впливу порушень досконалості підповсрхневого шару напівпровідника на його оптичні властивості. Детально описаний метод контролю досконалості підповерхневого шару кремнію за допомогою вимірів коефіцієнта відбивання в ультрафіолетовій частині спектру та його головні недоліки. Аналізуються спроби вирішення задачі такого контролю за допомогою пружного розсіювання світла. Приводиться огляд існуючих теорій, описуючих розсіювання світла неоднорідностями діелектрично! сталої у підповерхневому шарі напівпровідника.

Друга._глава_присвячена опису експериментальних досліджень розсіювання світла поверхнею особливо чистих кремнійових пластин. В цій главі детально описане спеціально розроблене, унікальне автоматизоване експериментальне обладнання для вимірів кутових залежностей интенсивності розсіювання в межах усіє! напівсфери зворотнього розсіювання, методика таких вимірів та способи математичної обробки та відображення одержаних результатів. Описане обладнання відрізнялось від існуючих аналогів високую чутливістю (мінімальна інтенсивність розсіювання, що реєструвалася, становила 10-13 Вт) та тим, що дозволяло вимірювати кутові залежності інтенсивності розсіювання за умов нерухомості досліджуваного зразка ( в такій геометрії можна було коректно проводити поляризаційні виміри).

З допомогою даішого обладнання вперше були виявлені особливості на азимутальних залежностях інтенсивності розсіювання надчистих, добре полірованих кремнійових пластин. Приклад таких особливостей наведений на малюнку 1, що являює собою карту ізофот логарифма функції Bedirectional Diffuse

Kef lection Function BDRF = де Iq- падаюча інтенсивність, I -

Io .

інтенсивність розсіювання, Q - просторовий кут.

Мередіональному куту розсіювання на цьому малюнку відповідає довжина радіусу-вектора, а азимутальному куту -

полярний кут ср. Цифри на кривих відповідають логарифму BDRF в ррт.

001

Симетрія виміряних азимутальних залежностей інтенсивності розсіювання визначалась кристалографічною орієнтацією поверхні досліджуваного зразка і змінювалась при зміні цієї орієнтації. Так, для кремнійових пластин з орієнтацією (100) азимутальні залежності інтенсивності розсіювання містили 8 еквідистантішх максимумів (відстань між сусідніми максимумами г 450), а для пластин з орієнтацією (111) кількість' максимумів становила 6 (відстань між сусідніми максимумами - 60°). •

Проводиться детальний аналіз одержаних результатів та висловлюється припущення, що особливості поведінки індикатрис, що спостерігалися, можуть виникати внаслідок пружного розсіювання світла орієнтованими атомними структурами на поверхні досліджуваних пластин. Такими структурами можуть

бути мілкі ямки травлення , що огранюються по периметру у відповідності до кристалографічної орієнтації.

Третя глава присвячена дослідженню індикатрис

розсіювання полістиролових сфер каліброваного розміру та випадкових мікрочастинок на поверхні чистих кремнійових пластин. Детально описується експериментальна методика таких вимірів. Наголошується, що для одержання високої чутливості при дослідженні розсіювання полістироловими сферами застосовано просторову модуляцію лазерного випромінювання, яка дозволяє значно зменшити вплив розсіяного на підкладинці та елементах обладнання світла. Приводяться експериментально виміряні індикатриси розсіювання для полістиролових сфер в діапазоні розмірів 0.3 - 2.5 мкм та індикатриси розсіювання випадкових мікрочастинок різної форми та розміру. Аналізуються основні закономірності такого розсіювання. Отримані результати свідчать, що при зменшенні розміру мікрочастинки кількість максимумів на'кривих індикатрис розсіювання зменшується, а їх напівширш(а збільшується для всіх станів поляризації освітлюючої хвилі. Для однакового діаметру сфери, що розсіює, кількість максимумів для Б - поляризації падаючого світла завжди більша, ніж для Р - поляризації, а інтенсивність розсіювання Є - поляризації помітно перевищує інтенсивність для Р - поляризації. Приводяться залежності сумарної интенсивності розсіювання в різні діапазони просторових кутів розсіювання від діаметру сфери. Приклад таких залежностей приведений на мал.2. Різні криві відповідають різним діапазонам просторових кутів, в межах яких проводилося сумування інтенсивностей розсіювання.

Наведені залежності мають добре виявлені один чи два мінімуми у різних діапазонах розмірів сфери, в залежності від діапазону кутів сумуваїшя. Висловлюється припущення, що фізична природа даних мінімумів може бути пов'язана а взаємодією частинки, що розсіює, з системою стоячих хвиль, що виникає поблизу поверхні К такому ж висновку прийшли автори кількох закордонних публікацій, що вийшли в світ у 1989-1990

році- ' •

ІО

□ 0.5 І 1.6 . 2 2.6 з

Діаметр полістиролової сфери, мкм.

Мал.З Залежність інтенсивності розсіювання світла Р-поляризаціїз довжиною хвилі бЗЗнм від діаметру сфери для різних діапазонів сумування.

Далі у цій главі описані спроби співставити одержані експериментальні результати з даними спрощеного розрахунку, що базується на сумуванні з врахуванням відбивання від поверхні компонент, розраховашіх за теорією Мі. Показано що дану методику розрахунку можно використовувати тільки длп сфер з діаметром меньше 0.3 мкм. .

У кінці даної глави показано, як одержані результати допомогли розробити та виготовити оригінальний лазерний скануючий аналізатор мікродефектів поверхні кремнійових пластин "АДЕЛАР”. Приводиться оптична схема данного приладу та детально описується метод його калібрування.

У четвертій главі описуються експериментальні дослідження впливу дефектів та недосконалостей' кристалічної будови підповерхневого шару кремнію на відбивання та розсіювання світла. Для цих експериментів була спеціально розроблена методика штучного формування дефектів пакунку в підповерхневому шарі кремнію. Ця методика дозволяла контрольовано стимулювати процеси створення дефектів пакунку в обмежених областях різної форми в межах однієї кремнійової пластини.

В главі наводяться приклади експериментально виміряних спектральних залежностей коефіцієнта відбивання кремнійових

пластин до і після пластичної деформації а також спектри відбивання бездефектних областей кремнійових пластин та областей, що містили штучно створені дефекти пакунку. Показується, що коефіцієнт відбивання в області 380 - 440 нм дуже чутливий до порушень кристалічної досконалості підповерхневого шару у кремнії.

Далі у главі приводяться . та аналізуються карти інтегрального розсіювання кремнія зі штучно введеними

дефектами пакунку на двох довжинах хвиль - 442 нм і 633 нм та індикатриси розсіювання дефектів пакунку на довжині хвилі бЗЗнм. Аналізуються механізми та обгрунтовується фізична модель такого розсіювання. '

На думку автора, процесс розсіювання світла дефектами пакунку обумойлюється існуванням областей пружних механічних напружень мікронного розміру навколо цих дефектів. Приводяться спроби теоретичного розрахунку індикатрис

розсіювання областями механічних напружень у підповерхневому шарі кремнію та порівняння результатів такого розрахунку з даними експерименту для дефектів пакунку. Показано, що якісні закономірності поведінки мерідіональних індикатрис розсіювання світла дефектами пакунку добре описуються в рамках

формалізму Релея-Ганса. У кінці глави описуються та обгрунтовуються оригінальні методики контролю, що дозволяють незалежно реєструвати наявність поверхневих та підповерхневих дефектів у кремнії. Перша з цих методик базується на порівнянні інтенсивностей розсіювання на двох різних довжинах хвиль а друга - на порівнянні інтенсивностей розсіювання у різні просторові кути.

ОШОШ-РЕЗУЛЬІАТИЮБОІИ

1. Зареєстровані особливості на азимутальних залежностях індикатрис розсіювання особливо чистих кремнійових пластин, симетрія яких визначається кристалографічною орієнтацією . поверхні пластини. Показано, що ці особливості можуть бути зв'язані а орієнтованими уздовж головних кристалографічних

і А

напрямів структурами атомного розміру на поверхні досліджуваних зразків.

2. Виміряні індикатриси розсіювання полістиролових сфер в

діапазоні діаметрів 0.3 - 2.5 мкм та випадкових мікрочаспшок на поверхні' кремнію. Проаналізовані основні закономірності такого розсіювання. Розраховані залежності сумарної інтенсивності розсіювання в різні діапазони просторових кутів від діаметра сфери.

3. Запропонована фізична модель, що пов’язує процес розсіювання світла дефектами пакунку у підповерхневому шарі кремнію з утворенням навколо цих дефектів областей пружних механічних напружень мікронного розміру.

4. Показана можливість реєстрації дефектів пакунку у підповерхневому шарі кремнію при скануванні досліджуваного зразка сфокусованим лазерним променем з довжиною хвилі у фіолетовій частині спектру та аналізі інтегральної інтенсивності розсіювання.

5. Запропоновані способи, що дозволяють роздільно реєструвати

дефекти на поверхні та в підповерхневому шарі кремнійових пластин.

Оелошіі-результати-диссерташ1_опубліковат_в_роботах:

1. Г.Е.Домашев, В.Л.Нестеренко, О.В.Снитко, В.А.Стерлигов,

Ю.М. Ширшов,'"Рассеяние света сферой на поверхности полупроводника", Докл. АН УССР. Сер. А. Физ.-мат. и техн. науки.-1988.-N12.-0.40-42.

2. Г.Е.Домашев, Б.Л.Нестеренко, О.В.Снитко, В.А.Стерлигов, Ю.В.Суббота, Ю.М. Ширшов, "Рассеяние света сферой на поверхности полупроводника", Электронная техника Серия 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания. Вып.1 (274). Материалы научно - технического совещания "Состояние и тенденции развития метрики полупроводников и диэлектрических структур", 1988, Саратов, с.62-63, Москва,

. ЦНИИ "Электроника”, 1988.

3. Г.Е.Домашев, В.А.Стерлигов, Ю.В.Суббота, Ю.М.Ширшов, "Контроль поверхностных и приповерхностных дефектов кремниевых’ пластин сканирующим лазерным лучом", XII

всесоюзная конференция по физике нолущюводников (Киев, 1990). Тезисы докладов, ч.2 - Киев, Пауком думка, 1990. '

4. Domashev G.E., Karpljuk АЛ., Primachenko 1.А., Sterligov V.A.,

Subbota Yu.V., Shirshov Yu.М.,"Testing of silicon plates surface by scanning laser beam", VII международная конференция no микроэлектронике "Microelectronics - 90" (16 - 18 октября 1990г.). Материалы конферешцш.'Гом 1 .-Минск,1990.-с.221-223.

5. Г.Е.Домашев, Ю.Н.Суббога, Ю.М.Ширшов, " О возможности

обнаружения подповерхностных дефектов с номощыо рассеяния света", VI республиканская конференция "Физические проблемы МДП- интегральной электроники" (Севастополь, июнь 1990г.) - Киев, 1990. - с. 145. ’

6. А.с. N1764417 СССР, МКИ G01N 21/88 от 21.08.1990. "Способ

контроля дефектов кремниевых пластин", Домашев Г.Е., Суббота Ю.В., Примаченко И.А., Стерлигов В.А.,Ширшов Ю,М.

7. Domashev G.E., Subbota Yu.V., Shirshov Yu.М.," On the possibility of detecting stacking faults by scanning laser beam", VII международная конференция "Microelectronics and computer scienc.e“(KHiHHHeB, сентябрь 1992г.) Тезисы докладов, Кишинев, 1992, с. 132.

8.' Г.Е.Домашев, Ю.В.Суббота, Ю.М.Ширшов, "О возможности обнаружения подповерхностных дефектов кремниевых пластин с помощью рассеяния света", Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.- 1993.- Вып.25,- С.73-76.

9. Domashev G.E., Sterligov V.A., Subbota Yu.V.,Sveclmikov S.V.,

Shirshov Yu.М., " Atomic microstructure display of real silicon surface by light scattering", Frontiers of surface diffraction and imaging",Hong Kong University of Science & Technology (Гонконг, 1993). ..

10. Domashev G.E., Sterligov V.A., Subbota Yu.V., Svechnikov S.V., Shirshov Yu.M.,"On the informative possibility of light scattering for structural perfection testing of both silicon surface and near surface layer", Proc. Intern, workshop on Optical Diagnostics of Material and Devices for Opto- ,Micro-and Quantum Electronics,' Kiev, 6-7 May, 1993, SPIE, v.2113, 1994.