Радиационные повреждения поверхностей бинарнымх соединений низкоэнергетическим электронным облучением тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В. Ломоносова

УДК 539.211 : 539.1.0 На правах рукописи

ТАЖИЕВА ГУЛЬ^АРА РИФОВНА

РАДИАЦИОННЫЕ ПОВРЕЖДЕНИЯ ПОВЕРХНОСТЕЙ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМ ЭЛЕКТРОННЫМ ОБЛУЧЕНИЕМ

Специальность 01.04.04. - физическая электроника

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва -1997

Работа выполнена на физическом факультете Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова.

Научный руководитель:

кандидат физико-математических наук, доцент С.С. Еловиков

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук М.Н. Филиппов

(Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН)

кандидат физико-математических наук H.H. Новикова

(Институт спектроскопии РАН)

Ведущая организация: Физико-технологический институт РАН

ЗР

Защита состоится " " -¿¿tä^s* 1997 года в ' V '^"часов на заседании Специализированного Совета К.053.05.22 в МГУ по адресу: 119899 Москва, Воробьевы горы, физический факультет, ауд

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова.

Автореферат разослан " " 1997 года.

Ученый секретарь Специализированной ,

кандидат физико-математических наук ^

В.А. Кубарев

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность темы. Взаимодействие различного рода частиц с твердым телом является одним из важнейших направлений современной фундаментальной физики. Без понимания происходящих при этом процессов невозможно дальнейшее развитие многих других отраслей науки, в том числе материаловедения. В настоящее время одной из основных задач материаловедения является создание материалов, обладающих высокой стойкостью по отношению к различным видам радиационных воздействий. Таким воздействиям подвергаются устройства, входящие в состав космических аппаратов, термоядерных реакторов, электровакуумных и плазменных приборов. В результате изменяются свойства многих материалов, что в конечном итоге может приводить к нарушению нормального функционирования приборов или к полному выходу их из строя. Чаще всего приходится иметь дело с радиационными повреждениями, возникающими при облучении твердых тел частицами с так называемыми подпороговыми энергиями. К таким частицам в первую очередь относятся электроны низких энергий и фотоны. В этих случаях дефектообразование обусловлено неупругими взаимодействиями, связанными с возбуждением электронной подсистемы твердого тела. При подпороговых энергиях частиц электронные возбуждения, а, следовательно, и радиационные повреждения, возникают в основном в приповерхностных слоях, свойства которых достаточно часто определяют работоспособность всего устройства. В первую очередь это относится к элементам микроэлектроники, электроннолучевым приборам и различного рода эмиттерам.

Генерация дефектов электронами и фотонами подпороговых энергий может быть использована и в созидательных целях. Известно,

например, что создание Р-центров с определенной концентрацией в приповерхностных слоях подложек позволяет управлять свойствами наносимых пленок и получать слои с более совершенной кристаллйческой структурой. Электронно-стимулированная десорбция (ЭСД), приводящая к локальному изменению свойств поверхности, может быть использована и для записи информации с высокой плотностью.

Для создания радиационко стойких материалов,. совершенствования, методов анализа поверхности, дозированного введения дефектов необходимо не только глубокое понимание процессов, происходящих при взаимодействии частиц с подпороговыми энергиями с поверхностью твердого тела, но и знание количественных характеристик этих процессов. Несмотря на большое внимание, уделяемое этой проблеме, многие из задач пока не решены. Поэтому проведенные в настоящей работе исследования дефектообразования под действием электронов и электронно-стимулированной десорбции для некоторых, весьма важных с практической точки зрения материалов, представляются весьма актуальными.

Щель работы:

♦ экспериментальное исследование процессов электронно-стимулированной десорбции компонентов, входящих в состав бинарных соединений различной природы;

изучение характера радиационных повреждений поверхностей бинарных соединений, вносимых электронами с энергиями 0,3-6 кэВ;

♦ развитие экспериментальных методик для изучения ЭСД и радиационных повреждений.

В качестве основных объектов исследования были выбраны кристаллы LiF, CaF2 и BaF? , относящиеся к классу соединений с преимущественной ионной связью, а также нитрид бора, который традиционно относят к соединениям с ковалентной связью. Выбор объектов обусловлен с одной стороны возможностью получения хорошо воспроизводимых результатов, а с другой - уникальными свойствами некоторых соединений, позволяющими использовать их в различных устройствах современной техники, что определяет практическую ценность работы. При выборе образцов принимались во внимание также свойства материалов, позволяющие произвести экспериментальную проверку существующих теоретических моделей ЭСД. V. , . .;

На защиту выносятся следующие основные положения, определяющие научную новизну полученных в диссертации результатов:

1. Экспериментально получены зависимости эффективности процесса электронно-стимулированной десорбции анионов и катионов с поверхностей монокристаллов CaF2 (111) и BaF2 (111) от температуры объектов и от параметров электронного облучения.

2. Предварительное облучение электронами щелочно-галоидных монокристаллов (NaCl, КС1, LiF) и галогенидов щелочноземельных металлов (CaF2 и BaF2) приводит к появлению в спектрах термодесорбции пиков с массовыми числами, отвечающими атомам соответствующих металлов. Обнаруженные закономерности и особенности термодесорбции металлов с поверхностей различных образцов позволяют использовать этот метод для изучения металлизации поверхностей низкоэнергетическими электронами.

3. Модель радиационных повреждений СаРг и ВаРг, вносимых электронами низких энергий, согласно которой металлизация кристаллов может происходить как за счет образования поверхностных островковых пленок металла, так и в результате агломерации Р-центров в объеме кристалла.

4. Новая методика определения сечения электронно-стимулированной десорбции анионов с поверхностей щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК) и галогенидов щелочноземельных металлов, основанная на дозовых зависимостях термодесорбции катионов.

5. Облучение электронами низких энергий нитрида бора приводит к модифицированию его поверхности, характер изменений свидетельствует об электронно-стимулированной десорбции азота с сечением сг= 1,5 •. Ю-22 см2.

Научная и практическая ценность." Полученные в работе результаты вносят определенный вклад в накопленный экспериментальный материал по взаимодействию частиц подпороговых энергий с веществом. Поскольку объектами исследования служили широко используемые в технике материалы, часто работающие в условиях радиационных воздействий, то с практической точки зрения выполненная работа представляется крайне интересной. Новые данные по электронно-стимулированной десорбции с поверхностей СаРг и ВаРг могут быть использованы для развития существующих теоретических моделей ЭСД, созданных ранее для других классов соединений. Количественные характеристики ЭСД, полученные в работе, позволяют достаточно легко учитывать инструментальные эффекты, производимые зондирующими электронными пучками при анализе поверхности. Предложенный и

хорошо апробированный для кристаллов УБ, СаРг и ВаИг метод термодесорбции оказался весьма информативным и может быть применен при изучении ЭСД и радиационных повреждений поверхности других материалов. С помощью ряда современных методов исследования поверхности показано, что металлизация облучаемых электронами объектов может происходить как за счет образования островковой пленки на поверхности, так и в результате формирования коллоидов из Б-центров в объеме.

Возможность дозированного накопления металла в результате преимущественной ЭСД летучего компонента и;'его испарения при последующем прогреве открывает перспективы для создания прецизионных источников атомов щелочных и щелочноземельных металлов многократного использования.

Весьма полезным как для развития теории ЭСД, так и для практики представляются результаты, полученные при исследовании радиационной стойкости уникального во многих отношениях материала - нитрида бора - но отношению к электронам низких энергий. Экспериментально показано, что вопреки теоретическим предсказаниям на поверхности нитрида бора происходят процессы, свидетельствующие о заметной электронно-стимулированной десорбции азота.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих симпозиумах и конференциях:

1. VI Международная конференция по ДСЭП, Краков, Польша, 26 - 29 сентября 1994 г.

2. XII Международная конференция "Взаимодействие ионов с поверхностью", Москва, 5 - В сентября 1995 г.

3. Всероссийский симпозиум по эмиссионной электронике, Рязань, 17 -19 сентября 1996 г.

4. XVI Российская конференция по электронной микроскопии, Черноголовка, 29 ноября - 2 декабря 1996 г.

Публикации. По теме исследования опубликовано 9 печатных работ, список которых приведен в конце реферата.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка цитируемой литературы. Объем работы составляет 135 страниц, включая 58 рисунков, 2 таблицы и библиографию из ^наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении дана общая характеристика работы. Обоснована актуальность темы, сформулирована цель и определены задачи исследования, кратко изложена научная новизна и практическая ценность работы.

В первой главе приведен обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных изучению электронно-стимулированной десорбции. Коротко рассмотрены существующие модели ЭСД для системы металл-адсорбат, ионных и ковалентных соединений. Особое внимание уделено десорбции катионов, которая изучена в меньшей степени по сравнению с ЭСД анионов. Обсуждаются вопросы о возможных радиационных повреждениях, вносимых низкоэнергетичными электронами.

Во второй главе описываются экспериментальная установка и использующиеся в работе методы исследования.

Поскольку процессы, отвечающие за ЭСД, протекают в приповерхностных слоях, то при изучении этого явления необходимо соблюдение условий, обеспечивающих чистоту поверхности в течение всего времени проведения эксперимента. Поэтому все эксперименты (за исключением исследований в атомно-силовом микроскопе) проводились в сверхвысоковакуумной камере (р ~ 10-9 торр), дополненной оже-спектроскопической приставкой фирмы Уапап с разрешением ~ 0,5 % и масс-спектрометром МХ-7304 с диапазоном масс от 2 до 200.

Для снятия температурных зависимостей потоков десорбирующихся частиц использовалась методика масс-спектрометрии. Для определения значений сечений ЭСД использовались другие методики.

1. Методика, основанная на изменении поверхностной концентрации десорбирующихся компонентов. Идея метода состоит в том, что при ЭСД происходит обеднение поверхности десорбирующимися компонентами, которое может быть зарегистрировано с помощью одного из методов количественного анализа поверхности. В работе для этих целей использовалась электронная оже-спектроскопия (ЭОС). Сечение а ЭСД в этом случае можно рассчитать по формуле:

} t жо v

где ] - плотность тока первичного электронного пучка, А0 и Л(1) -амплитуды оже-сигнала от десорбирующегося компонента соответственно в начальный момент времени и момент времени г.

2.Для определения возможности ЭСД атомов азота с поверхности нитрида бора оказался пригодным лишь, метод, позволяющий

регистрировать образование металлической фазы на поверхности при десорбции летучего компонента (в данном случае атомов азота). Этот метод, как и предыдущий, может только косвенным образом свидетельствовать о десорбции. Но он имеет существенные преимущества, благодаря чему можно судить о десорбции частиц с малым сечением процесса (< Ю-21 см2), и в то же время содержащихся в остаточной атмосфере рабочей камеры. Если с помощью какой-либо .методики, например, ЭОС удается зарегистрировать появление металлической фазы после облучения объекта электронами с дозой Б*, то сечение ЭСД <т определяется следующей формулой:

где % - соответственно чувствительность ЭОС, выраженная в долях монослоя, и фактор' элементной чувствительности, © - отношение числа атомов анионов к числу атомов катионов в химической формуле соединения.

3.Метод, предложенный в работе и основанный на изучении спектров термодесорбции компонентов, не участвующих в десорбции во время электронного облучения. Метод использовался для исследования металлизации поверхности галогенидов щелочных и щелочноземельных металлов при воздействии низкоэнергетических электронов. Для его реализации облучение должно проводиться при таких температурах, при которых можно пренебречь испарением металла с поверхности. В этом случае при последующем медленном прогреве (~ 0,4 град/с) происходит эмиссия атомов металла, и в масс-спектре термодесорбции появляются соответствующие термодесорбционные пики (ТД-пики), площади которых £ определяются количеством металла, запасенного во время облучения.

(2)

Полученные дозовые зависимости площадей пиков позволили предложить новый метод определения сечения ЭСД <т для десорбирующегося компонента.

Сечение процесса может быть получено из следующего соотношения:

ОД

где г1 и 12 - времена предварительного облучения электронами. При

достаточно большом времени 12 площадь 3(¡2) стремится к некой *

постоянной величине о , а знаменатель в правой части выражения - к 1, и получается более простая формула для определения а:

а =--1п-(4)

А 5

В табл. 1 представлены оценки значений сечений ЭСД, полученные с помощью метода, основанного на изменении поверхностной концентрации десорбирующихся частиц (сгл), и предложенного в работе метода термодесорбции (аТд).

Таблица 1.

Кристалл стА, см2 аТд, см2 Доза, см-2

5 • Ю-18 5 • Ю-18 1,2- 1017

СаР2 2- Ю-17 2- Ю-'7 6,0 ■ Ю16

ВаР2 3 • Ю-18 4- Ю-18 6,0 • 1017

п

Для изучения профилей поврежденных электронами областей использовали распыление ионами Аг+ и Кг* с различными дозами и энергиями 1 - 3 кэВ, плотностью тока в пучке j = 5-50 мкА/см2. О количестве оставшегося в кристаллах избыточного металла судили по спектрам термодесорбции, полученным непосредственно после распыления ионами.

Исследование морфологических изменений, происходящих на поверхностях CaF2 (111) и BaF2 (111) при электронном воздействии, проводилось с помощью атомно-силового микроскопа (AFM) Nanoscope III. Поскольку исследования проводились на воздухе, то по понятным причинам получить AFM картины с поверхностей ЩГК не удалось.

В третьей главе представлены основные экспериментальные результаты, полученные при изучении радиационной стойкости ряда бинарных соединений по отношению к электронному облучению, и их обсуждение.

С помощью электронной оже-спектроскопии и термодесорбции катионов (см. формулы (1) и (4)) были найдены сечения ЭСД анионов для LiF, CaF2 и BaFz, значения которых при комнатной температуре приведены в табл. 1. Видно, что сечения сг, полученные двумя различными способами достаточно хорошо совпадают, что в какой-то мере свидетельствует о применимости предложенного метода термодесорбции для определения количественных характеристик ЭСД.

Применение этого метода для изучения процесса десорбции с поверхностей КС1 и NaCl оказалось затруднительным по причине интенсивной эмиссии калия и натрия в процессе облучения даже в области низких температур. Хорошо воспроизводимые результаты

были получены лишь для ГлИ, СаРг и ВаРз, поскольку в этих случаях заметная десорбция металлического компонента начиналась только при Т > 600 К. Интересно отметить, что температура начала термодесорбции катионов с предварительно облученных образцов во всех случаях была несколько выше (на 20° - 30°) по отношению к температуре, при которой происходит десорбция во время облучения. При этом с ростом дозы и энергии электронов максимумы ТД-пиков заметно смещалась (до 20° - 40°) в сторону больших температур, в то время как смещение точек начала пиков были менее существенны. Наиболее ярко этот эффект наблюдался при десорбции лития с поверхности ЫР. Более раннее начало электронно-стимулированной десорбции катионов объясняется тем, что часть образующихся на поверхности в процессе электронного облучения нейтральных атомов десорбируется, не успев объединиться в островки.

Сдвиг максимумов ТД-пиков в сторону больших температур с увеличением дозы и энергии электронов может быть связан как с размерным эффектом, согласно которому островки меньшего размера испаряются при более низкой температуре, так и с возникновением второго источника атомов металла - небольших коллоидов из Р-центров, распад которых происходит при температуре, отличной от температуры испарения островков. Понятно, что с увеличением дозы средний размер островков возрастает (что подтверждается АРМ-картинами), и максимум должен смещаться в сторону больших температур. Надо отметить, что привлечение размерного эффекта корректно лишь для островков, находящихся при испарении в жидком состоянии (например, литий).

Необычным образом выглядели спектры термодесорбции Са, полученные с поверхностей образцов СаРг, предварительно

облученных электронами с энергией > 1,5 кэВ. В этом случае в спектре наблюдались два пика, при этом вновь появившийся пик был сдвинут на 70 - 90 К в сторону больших температур по отношению к основному (рис. 1а). На рис. 16 представлен спектр от образца СаРг, облученного электронами с той же дозой и энергией; отличие состоит в том, что перед записью спектра кристалл выдерживали на воздухе в течение ~ 1 часа. Видно, что заметные изменения претерпел лишь низкотемпературный пик, что может быть связано с образованием термостойких соединений кальция, находящегося на поверхности. Это позволило предложить модель, согласно которой металлизация происходит как на поверхности за счет образования островковой пленки кальция, так и в объеме. Наиболее вероятным процессом, ведущим к металлизации объема, является возникновение агломератов из Р-центров. Ряд дополнительных исследований, включающих в себя изучение энергетических и дозовых зависимостей, зависимостей термодесорбции от угла падения электронов; профилирование, проведенное распылением ионами инертных газов; анализ АРМ изображений поверхности кристаллов СаРг подтвердили высказанную гипотезу.

Для ир подобный эффект оказался менее выраженным, а для ВаРг отсутствовал вовсе даже при максимальной падающей энергии электронов (6 кэВ), используемой в работе. Поскольку различие в глубинах проникновения электронов, от которых зависит эффективность образования коллоидов для СаРг и ВаРг незначительно, го отсутствие второго пика может объясняться сильной зарядкой поверхности ВаРг, которая приводит к замедлению электронов у поверхности. Процессы зарядки в условиях постоянно меняющихся свойств поверхности являются достаточно сложными,

Рис. 1. Спектры термодесорбции кальция с поверхностей СаБг, предварительно облученных электронами с энергией Е = 3 кэВ и дозой И = 1018 см-2, полученные непосредственно после облучения (а) и после выдержки на воздухе в течение ~ 1 часа (б).

си К

Еч О

СП

м о

Еч О

с=;

1 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0

а

650 700 750 800 850 900 Температура, К

Е— О

СС

с_>

X о

Е-

о

с:

1 -0,80,60,40,20

1Ш

650 700 750 800 850 Температура, К

однако эксперименты, проведенные с привлечением ЭОС показали, что при используемых температурах, углах падения и дозах электронов поверхность ВаИг в действительности заряжается настолько значительно, что может приводить к указанным эффектам.

В четвертой главе приводятся данные по изучению радиационной стойкости нитрида бора по отношению к низкоэнергетическому электронному облучению.

Этот материал обладает рядом уникальных свойств и считается перспективным для различных практических применений. Все известные модификации нитрида бора: гексагональная (Л-ВМ), ромбоэдрическая (г-ВИ), кубическая (с-В1Ч) и вюрцитная (^-ВЫ) традиционно относят к соединениям с ковалентной связью, хотя и имеются данные, согласно которым степень ионности вюрцитного нитрида бора близка к 50 %. По этим причинам, если принять во внимание критерий КР-модели, электронно-стимулированная десорбция с поверхности этого соединения маловероятна. Ранее проведенные исследования показали, что облучение /г-ВЫ и г-ВЫ электронами приводит к некоторым изменениям в состоянии поверхности, которые однако, не свидетельствуют об ЭСД азота.

В настоящей работе была предпринята попытка обнаружить ЭСД для образца, состоящего из смеси кубической (50 %) и вюрцитной (50 %) модификаций ВЫ.

Для исключения влияния поверхностных загрязнений образцы подвергались тщательной очистке ионной бомбардировкой с последующим высокотемпературным прогревом (Г ~ 1500 К). После нескольких циклов очистки содержание основной примеси - углерода, регистрируемого методом ЭОС, составляло не более 2 %. Поскольку

облучение электронами даже в условиях сверхвысокого вакуума приводит к углеродным загрязнениям поверхности, все эксперименты проводились при Т > 1000 К. Использование методов прямой регистрации десорбирующегося компонента (с помощью масс-спектрометра МХ-7304) и метода, основанного на изменении его концентрации на поверхности (с помощью ЭОС), не позволили сделать вывод об ЭСД азота.

Применение метода, основанного на регистрации появления металлической фазы с помощью ЭОС, возможно лишь в том случае, если КУУ-линии бора для металлического бора и бора в соединении ВМ сдвинуты относительно друг друга на величину, превышающую разрешение энергоанализатора. Проведенный анализ энергетических схем металлического бора и соединения ВЫ показал, что эти линии должны быть сдвинуты относительно друг друга на 8 - 10 эВ. Этот сдвиг можно обнаружить используемым оже-спектрометром, разрешение которого на энергии, соответствующей ОУ-линии бора, составляет ~ 1 эВ.

После облучения электронами с дозой > 8 • 1019 см-2 образца, нагретого до Т > 900 - 1200 К, в оже-спектрах появлялась дополнительная линия, соответствующая металлическому бору (~ 179 эВ), смещенная от линии бора в ВЫ (171 эВ) (рис. 2). Без электронной бомбардировки в указанном диапазоне температур подобных результатов получено не было. При более высоких температурах (> 1600 К), когда, как известно, имеет место термодеструкция ВЫ с эмиссией азота и металлизацией поверхности, мы наблюдали аналогичную картину. Анализ полученных данных позволил сделать вывод о том, что низкоэнергетичное электронное воздействие стимулирует процесс десорбции атомов азота с поверхности образца,

Рис. 2. Оже-спектры нитрида бора, полученные при Т = 1200 К до электронного облучения (а) и после облучения электронами с энергией Е = 1 кэВ и дозой й = 5 • 1020 см-2 (б).

200 300 4 00

Е, эВ ■—-

представляющего собой смесь кубической и вюрцитной модификаций нитрида бора. Сделанные с помощью (2) оценки сечения процесса сг показали, что при Т = 1200 К ст = 1,5 • 1022 см2, что ~ на порядок меньше величин, характерных для сечения ЭСД с поверхностей большинства оксидов. При низких температурах появление новой оже-линии не наблюдалось, в то же время заметно возрастало содержание углерода на поверхности в процессе электронного облучения.

В заключении сформулированы основные результаты диссертации:

1. Методами масс-спектромегрии и электронной оже-спектроскопии изучены закономерности электронно-стимулированной десорбции с поверхностей фторидов кальция и бария. Определены значения сечения процессов для анионов.

2. Предложен и опробован новый метод исследования радиационных повреждений, вносимых низкоэнергетическим электронным облучением, - метод термодесорбции катионов с предварительно облученных электронами образцов.

3. На основе этого метода разработана и опробована на ряде объектов новая методика определения сечения электронно-стимулированной десорбции анионов. Результаты находятся в хорошем согласии с данными, полученными с помощью других методов.

4. Исследования, проведенные с помощью комплекса современных методик (термодесорбции, электронной оже-спектроскопии, ионного распыления и атомной силовой микроскопии), позволили установить характер радиационных повреждений поверхностей СаИг и Вар2, вносимых низкоэнергетическим электронным облучением.

5. Показано, что электроны низких энергий стимулируют десорбцию азота и приводят к металлизации поверхности образцов нитрида бора, состоящих из смеси кубической и вюрцитной модификаций. Произведена оценка сечения электронно-стимулированной десорбции азота, которое составляет 1,5 • 1022 см2, что на 4 - 5 порядков меньше по сравнению с теми же величинами для галогенидов щелочных и щелочноземельных металлов.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ.

1. S.S. Elovikov, J.V. Sushkova, G.R. Tazhieva, E.S. Shakhurin "Termal desorption of alkali metals from alkali halide crystal surfaces pre-irradiated with electrons" II Book of Abstracts of VI International Workshop on DIET, Krakow, Poland, 1994, p. P-12.

2. C.C. Еловиков, Ю.В. Сушкова, Г.Р. Тажиева, Е.С. Шахурин "Тсрмодесорбция атомов щелочных металлов с поверхностей щелочно-галоидных кристаллов, предварительно облученных электронами" II Поверхность. Физика, химия, механика, №7, 1994, стр. 13-19.

3. Г.Р. Тажиева, С.С. Еловиков, Ю.В. Сушкова, Е.С. Шахурин "Десорбция катионов и анионов при электронном облучении поверхностей галогенидов щелочноземельных металлов" II Поверхность. Физика, химия, механика, №11, 1995, стр. 46 - 52.

4. С.С. Еловиков, Ю.В. Сушкова, Г.Р. Тажиева, Е.Ю. Зыкова "Эмиссия атомов металлов с поверхностей некоторых ионных соединений, стимулированная электронами низких энергий" // Материалы XII Международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью", Москва, 1995, т. 2, стр. 30 - 33.

.5. S.S. Elovikov, J.V. Sushkova, V.I. Bachurin, G.R. Tazhieva "Auger-electron emission from nicel under magnetic phase transition" // Abstracts of IX International Conference on Solid Surfaces, Yokohama, Japan, 1995, p. 158.

6. C.C. Еловиков, P.C. Гвоздовер, Ю.В. Сушкова, P.P. Тажиева, С.A. Постников "Электронно-стимулированные процессы на поверхности попикристаллического нитрида бора" // Известия АН. Серия физическая, т. 60, №7, 1996, стр. 173 - 179.

7. С.С. Еловиков, Е.Ю. Зыкова, Ю.В. Сушкова, P.P. Тажиева "Новый метод определения сечения электронно-стимулированной десорбции" // Материалы Всероссийского симпозиума по эмиссионной электронике, Рязань, 1996, стр. 109 - 110.

8. С.С. Еловиков, Ю.В. Сушкова, P.P. Тажиева, Н.А. Хатанова "Лазерное напыление эпитаксиальных пленок PbTe(Ga) в условиях низкоэнергетического электронного облучения" // Материалы XVI Российской конференции по электронной микроскопии, Черноголовка, 1996, стр. 8.

9. S.S. Elovikov, J.V. Sushkova, G.R. Tazhieva, R.S. Gvozdover, E.S. Shakhurin "Atomic force microscopy and thermodesorption investigations of CaF2 and BaF2 crystals pre-irradiated with electrons" // Book of Abstracts of VII International Workshop on DIET, Ambleside, UK, 1997, p. P28.

Заказ 58 Тираж 100