Рассеяние и локализация электронов в системах пониженной размерности и имплантированных пленках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.09 ВАК РФ

РГЬ ид

МдОКОВ^К^ЙТОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Р Г Б ОД ИМЕНИ М.В. ЛОМОНОСОВА

2 2 МАЙ 13й>изический факультет

На правах рукописи УДК 537.311.322

КЫТИН ВЛАДИМИР ГЕННАДЬЕВИЧ

РАССЕЯНИЕ И ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В СИСТЕМАХ ПОНИЖЕННОЙ РАЗМЕРНОСТИ И ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ПЛЕНКАХ.

Специальность 01.04.09 Физика низких температур и криогенная техника

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

МОСКВА-1995

Работа выполнена на кафедре физики низких температур и сверхпроводимости физического факультета Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

доцент В.А.Кульбачинский

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор И.П.Звягин.

Кандидат физико-математическиз наук, старший научный сотрудник А.Л.Карузский.

Ведущая организация: Научный центр волоконной оптики

при Институте общей физикг Российской Академии наук, г. Москва,

Защита состоится " /5 " Щул-их 1995 года в / 5" 3~ на заседании специализированного совета N1 Отделения физики твердого тела Московского государственноп университета им. М.В.Ломоносова по адресу: 119899, ГСП Москва, Воробьевы горы, МГУ, физический факультет криогенный корпус, аудитория 2-05.

С диссертацией можно ознакомится в библиотеке физнческог< факультета МГУ.

Автореферат разослан 41 - 1995 года

Ученый секретарь специализированного

совета N2 ОФТТ (К 053.05.20) МГУ им. М.В.Ломоносова

доктор физико-математических наук, профессор

/

Г.С.ПЛОТНИКОВ

I. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ.

В настоящее время электронные системы пониженной размерности являются объектом интенсивного экспериментального и теоретического исследования. Размерное квантование электронов в таких системах существенно изменяет их электронные свойства, что позволяет наблюдать ряд новых интересных эффектов и имеет большое значение для создания быстродействующих электронных и сштоэлектронных приборов.

Толчком к развитию физики двумерных систем послужило открытие в 1980 году нового квантового макроскопического эффекта - квантового эффекта Холла (КЭХ). Это открытие также способствовало созданию целого класса приборов основанных на двумерных (2Б) системах. К их числу можно отнести быстродействующие н сверхбыстродействующие транзисторы, приборы с зарядовой связью, элементы памяти ЭВМ, высокоэффективные полупроводниковые лазеры и т.д.. На основе КЭХ создан эталон Ома.

Исследование квантового эффекта Холла позволяет получить концентрации, подвижности 2Б электронов, очень точно диагностировать качество структур и связать эти характеристики с параметрами технологических процессов, что позволяет целенаправленно получать структуры с заданными свойствами.

Несмотря на большое количество публикаций посвященных исследованию двумерных систем многие вопросы остаются неисследованными. К ним относятся механизмы упругого и неупругого рассеяния носителей заряда в двумерных системах, проблемы локализации и делокализации, исследование характера и параметров случайного потенциала обуславливающего квантовый эффект Холла в 2Б системах различного типа, например, в системах множественных квантовых ям в структурах, синтезированных на основе различных полупроводников. Так, например, важным является вопрос исследования влияния метода

легирования^ систем множественных .квантовых ям на подвижность 20 электронов.

Одним из методов получения квазидвумерных структур с высокой концентрацией электронор „яшшетса _ .дрнная имплантация Для целого ряда примесей в кремнии; например, серы, транспортные свойства имплантированных структур не исследованы. В то же время, исследование низкотемпературного транспорта в ионно-ималантированных пленках особенно важно при изучении примесных состояний в таких структурах.

В настоящее время все активнее предпринимаются усилия по созданию квазиодномерных; и одномерных систем на базе двумерных. В таких системах наблюдаются такие явления, как квантование проводимости в зависимости от ширины проводящего канала и другие фундаментальные эффекты.

На основе квазиодномерных систем ожидается создание высокоэффективных оптоэлектронных приборов, поскольку безизлучательные процессы рекомбинации в них сильно подавлены за счет размерного квантования, возможны и. другие применения.

Для ограничения латерального размера в двумерных системах используются, обычно, методы субмикронной электронной или ионной литографии, что позволяет получать структуры с размерами в несколько десятых долей микрометра. Для получения систем с размерами в несколько десятков нанометров и менее перспективным методом является выращивание структур на фасетированной поверхности полупроводника. Количество работ посвященных таким структурам крайне ограниченно и размерное квантование электронов, проводимость и эффекты локализации в них практически не исследованы.

Для получения полной информации о транспортных свойствах систем пониженной размерности необходимы сильные магнитные поля, низкие и сверхнизкие температуры, измерения на постоянном и переменном токе на образцах полученных при различных технологических условиях.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ.

Основная цель работы состояла в:

1) Исследовании особенностей рассеяния и локализации электронов в системах множественных квантовых ям ОаАя/АЮаАз и 1пОаАз/ОаАз с различным легированием. Определении электронной структуры и исследовании механизмов релаксации импульса электронов и фазы волновой функции в таких системах и их зависимости от ширины квантовой ямы, способа легирования, расстояния легирующего 8 слоя от квантовой ямы и других параметров системы.

2) Исследовании анизотропии транспортных свойств структур, полученных методом 8-легирования оловом вицинальных граней арсенида галлия (ОаАзСб-Бп)), определении механизмов проводимости и основных параметров носителей заряда в таких структурах, изучении механизмов рассеяния и особенностей локализации электронов в этих системах.

3) Исследовании локализации электронов и особенностей проводимости имплантированного серой кремния при низких температурах, определение основных механизмов проводимости в легированном серой кремнии при больших дозах имплантированной серы и их зависимости от дозы имплантации и параметров и типа отжига, изучении особенностей локализации электронов вблизи перехода металл-диэлектрик, определение эффективности лазерного отжига для такой легирующей примеси как сера.

ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

Одним из видов двумерных полупроводниковых структур являются легированные сверхрешетки и системы квантовых ям. Квантовые ямы и сверхрешеткн являются исключительно удобными объектами для исследования механизмов релаксации двумерных электронов, особенностей их взаимодействия с различного рода возбуждениями и несовершенствами кристаллической решетки. В значительной степени совершенство структуры систем квантовых ям определяется выбором метода легирования. При однородном легировании квантовых ям возникает размытие границ раздела

*

подлегированием барьерных слоев и другие нежелательные явления. Этого в значительной степени удается избежать в методе 5-легирования, когда легирующая примесь отделена от квантовой ямы аналогом спейсера. В настоящей работе исследовались системы множественных квантовых ям ОаАн/АЮаАв и ЬЮаМ/СаАз с различной шириной квантовых ям и с разным легированием.

Одномерные и квазиодномерные структуры также представляют большой интерес в плане фундаментальных и прикладных исследований. До недавнего времени такие структуры получали главным образом из двумерных систем методами электронной и ионной литографии. В настоящее время, благодаря достижениям молекулярно-лучевой эпнтаксии, 5-летврование вицинальных граней или граней с высокими индексами некоторых полупроводников является перспекивным методом создания одномерных и нуль-мерных структур. В настоящей работе исследовались структуры с 8-легировавием оловом вицинальной грани (100) арсенида галлия. Такие структуры представляют большой интерес для исследования свойств квазиодномерных электронов и являются перспективными для реализации различных приборов на их основе.

Имплантированные .пленки кремния занимают промежуточное положение между трехмерными и двумерными системами. Их толщина обычно недостаточно мала для наблюдения размерного квантования, однако, в эффектах локализации эти объекты могут вести себя как. двумерные, в частности их проводимость может зависеть от толщины пленки. Ионная имплантация с последующим лазерным отжигом позволяет получать заданные величины и профили распределения концентрации легирующей примеси. При этом можно получать концентрации электрически активной примеси в десятки и сотни раз превышающие равновесный предел растворимости и легировать кремний нетрадиционными элементами. В настоящей работе изучались низкотемпературные транспортные свойства имплантированного серой кремния.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ РАРОТЫ, \ 1) Определены основные механизмы упругого и

неупругого рассеяния в исследованных системах множественных квантовых ям при низких температурах. Показана эффективность метода 8-легированпя с точки зрения совершенства получаемых структур, по сравнению с однородным легированием, что имеет важное значение при создании на их основе детекторов ИК-излучения.

2) Показано, что структуры, с 8-легированием оловом внцинальных граней ваЛв, обладают высокой анизотропией проводимости. Показано существование двумерного электронного газа с достаточно высокой концентрацией и подвижностью двумерных электронов в исследованных структурах ОаАз(б-Зп).

3)Определен основной механизм проводимости в имплатарованных серой и отожженных лазером пленках кремния. Показано, что проводимость имплантированных серой пленок кремния резко увеличивается при увеличении дозы имплантированной серы при использовании лазерного отжига для восстановления кристаллической структуры после имплантации вплоть до дозы 5 10*5 см"2. Тем самым показана эффективность лазерного отжига по восстановлению электрической активности серы при высоких дозах имплантации.

научная новизна и основные положения ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ,

В работе впервые исследованы особенности низкотемпературной проводимости и магнитосопротивления систем квантовых ям ОаАз/АЮаАз и квантовых ям ЬЮаАз/ОаАБ с однородным легированием квантовых ям, а также, модулированным и 8-легированием барьерных слоев, определены электронный спектр и основные механизмы рассеяния 2Э электронов в таких системах и их зависимость от размеров квантовых ям, метода и параметров легирования.

Впервые исследована анизотропия проводимости и ее температурная зависимость в системах (ЗаЛвСв-Бд) выращенных на вицинальной грани ОаАв. Определены

параметры 20 электронов в системе и исследована анизотропия проводимости.

Впервые исследована прыжковая проводимость в имплантированных серой пленках кремния, зависимость проводимости от дозы имплантированной серы, типа и параметров отжига.

На защиту выносятся следующие положения:

1) Основным механизмом рассеяния электронов в исследованных системах множественных квантовых ям СтаАз/АЮаАв и ХпСгаАз/ОаЛя является рассеяние на неоднородностях рельефа боковых поверхностей квантовых ям, в случае узких квантовых ям, если ширина квантовой ямы ограничена значением около 6 нм.

2) Применение метода 6-легирования при легировании квантовых ям ОгЛз/АЮгЛз дает возможность получать структуры с большим структурным совершенством, с существенно более высокими концентрациями и подвижвостями двумерных электронов по сравнению с методом однородного легирования.

3) Релаксация фазы волновой функции электронов в исследованных системах множественных квантовых ям ОаАз/АЮаАз при низких температурах определяется электрон-электронным взаимодействием с малой передачей энергии независимо от типа легирования.

4) В структурах с 8-легарованием оловом вицинальных граней СгаАз (ОаАвСб-Бп)) (при определенных режимах роста структуры) проводимость вдоль направления цепочек атомов олова существенно превышает проводимость поперек них, при этом анизотропия проводимости увеличивается при понижении температуры.

5) Дельто-легирование оловом арсенида галлия позволяет получать двумерный электронный газ с достаточно высокой концентрацией и подвижностью 2Б электронов.

6) Основным механизмом релаксации фазы волновой функции двумерных электронов в структурах (ЗаАзСБ-Бп) является электрон-электронное взаимодействие с малой передачей энергии.

7) В имплантированных серой пленках кремния лазерный отжиг приводит к эффективной электрической активации серы для доз имплантации до 51015 см-2. в то же время, возникающие при имплантации и отжиге неоднородности приводят к большому разбросу уровней энергии, в результате чего основным механизмом проводимости в имплантированных пленках кремния является прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в широком интервале температур. При больших дозах имплантированной серы имеется тенденция к увеличению радиуса локализации электронных состояний создаваемых атомами серы.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ.

Результаты диссертационной работы докладывались на следующих конференциях, совещаниях, симпозиумах:

1. Первая национальная конференция "Дефекты в полупроводниках" (Санкт-Петербург 1992).

2. 29 совещание по Физике Низких Температур (Казань 1992).

3. XX Международная конференция по Физике Низких температур (Oregon USA 1993).

4. 30 совещание по Физике Низких Температур (Дубна 1994).

5. Первая Международная конференция "Наноструктуры" (Санкт-Петербург 1994).

6. 7-Международная конференция по сверхрешеткам, микроструктурам и микроприборам (Canada 1994).

ПУБЛИКАЦИИ.

По результатам диссертации опубликовано 16 печатных работ.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка литературы из 106 наименований. Диссертация содержит i43 страница машинописного текста, 14 таблиц и 47 рисунков.

II. СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ. ВО ВВЕДЕНИИ обосновывается актуальность темы

диссертационной работы, формулируются цели и задачи исследования, обосновывается выбор объектов исследования, формулируется научная новизна полученных результатов, основные положения выносимые на защиту и практическая значимость работы.

В ПЕРВОЙ ГЛАВЕ дается краткий обзор литературы по свойствам систем пониженной размерности и имплантированным пленкам кремния. Рассматриваются квантовые ямы и системы множественных квантовых ям и полупроводниковые структуры с 8-слоями. Кратко излагаются методы расчета энергетического спектра носителей заряда в этих двумерных структурах. Затем рассматриваются основные механизмы рассеяния электронов в двумерных системах, определяющие подвижность при низких температурах, а именно, рассеяние на шероховатостях гетерограниц и рассеяние на заряженных примесях. Рассматриваются теоретические зависимости подвижности электронов в квантовых ямах от ширины квантовой ямы, концентрации электронов, температуры и других параметров системы для различных механизмов рассеяния. После этого кратко описывается эффект Шубникова де Гааза и рассматривается возможность его исследования с целью экспериментального определения концентраций и подвижностей электронов в двумерных системах. Затем рассматривается теория квантовых поправок к проводимости в двумерном случае и ее использование для определения механизмов и характерных времен неупрутой релаксации.

Далее, в первой главе рассматриваются возможности получения квазиодномерных и одномерных систем из двумерных и особенности проводимости в таких системах. Рассматриваются особенности осцилляций магнитосопротивле-ния и особенности квантовых поправок к проводимости в одномерном и квазиодномерном случаях.

В последнем параграфе главы 1 кратко рассматривается структура примесных состояний в легированном серой кремнии и особенности проводимости по локализованным состояниям в трехмерном и двумерном случаях, приводятся теоретические

зависимости проводимости сопротивления от температуры и магнитного поля для прыжковой проводимости.

ВТОРАЯ ГЛАВА посвящена описанию методик измерения сопротивления и магаитосопротивления при низких температурах в сильных магнитных полях, а также описанию исследованных в работе образцов и методам их получения.

Измерения температурных зависимостей сопротивления и магаитосопротивления проводились в гелиевом криостате. Для понижения температуры ниже 4.2 К использовалась откачка паров 4Не и Зне. Образцы находились в вакуумированной ампуле с регулятором температуры. Для создания магнитного поля использовался сверхпроводящий соленоид.

Системы квантовых ям ОаАэ/АЮаАз были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Для легирования структур использовалось как однородное легирование квантовых ям так и 8-легированне барьерных слоев АЮаАэ. В качестве легирующей примеси использовался кремний. Системы квантовых ям ГпОаАз/ОаАз также были изготовлены методом МЛЭ. Эти структуры были модулировано легированными, т.е. слой кремния толщиной 9,5 нм выращивался в барьерное слое ОаАя на расстоянии 7 нм от границы квантовой ямы.

Структуры полученные методом 8-легирования оловом вицивальных граней ОаАя (ОаАз(5-5п)), были выращены методом МЛЭ на разориентированных на 0,3° относительно базовой плоскости (100) к базовой плоскости к (110) подложках ОаАз. Цель состояла в формировании протяженных одномерных цепочек атомов олова. Для исследования транспортных свойств были отобраны структуры, обладающие наибольшей анизотропией проводимости.

Имплантированные пленки кремния были изготовлены методом ионной имплантации серы в монокристаллический кремний. Доза имплантации менялась от 10*5 до 5-10^5см"2 Для восстановления кристаллической структуры после имплантации применялся отжиг в печи и отжиг импульсами неодимового лазера с длительностью 15 не и плотностью энергии в импульсе 2-2,6 Дж/см2.

В ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ представлены результаты исследования проводимости и магнитосопротивления систем множественных квантовых ям ОаАБ/АЮаАз и ГпОаАэ/ОаАз. Из экспериментальных зависимостей проводимости и ЭДС Холла от температуры и магнитного поля, а также путем анализа осцилляции магнитосопротивления, в исследованных структурах были определены концентрации и подвижности электронов, и их зависимости от температуры и ширины квантовой ямы.

Для анализа полученных зависимостей подвижности электронов от ширины квантовой ямы и температуры был проведен теоретический расчет подвижности для рассеяния на ионизированных примесях и рассеяния на шероховатостях боковых поверхностей квантовых ям. Методика расчета также приведена в данной главе. В случае рассеяния на заряженных примесях теоретически рассчитанные значения подвижности более чем на порядок превышали значения определенные из экспериментальных данных. Таким образом, этот механизм рассеяния не является основным в исследованных структурах. Для рассеяния на шероховатостях боковых поверхностей квантовых ям удалось, варьируя в разумных пределах размеры шероховатостей, добиться хорошего согласия между экспериментально определенными и теоретически рассчитанными значениями подвижности электронов. Высота шероховатости при этом во всех случаях получилась равной высоте одного монослоя, а ее латеральный размер варьировался от 7 до. 15 нм. Однако, такое согласие получилось лишь для квантовых ям, ширина которых была ограничена значением около б нм. Таким образом, данный механизм рассеяния определяет подвижность электронов в узких (шириной приблизительно до 6 нм) квантовых ямах. Этот вывод справедлив как для квантовых ям ОаАв/АЮаАз, так и для квантовых ям ХпОаАэ/ОаАз исследованных в работе.

В главе также излагаются результаты анализа отрицательного магнитосопротивления наблюдавшегося в системах квантовых ям при низких (менее 50 К) температурах. Для анализа использована теория слабой локализации. Была определена температурная зависимость времени релаксации

и

фазы волновой функция и показано, что релаксация фазы волновой функции происходит благодаря электрон-электронному взаимодействию с малой передачей энергии.

В ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ излагаются результаты исследования анизотропии проводимости, ее температурной зависимости, магнитосопротивления, эффекта Холла, эффекта Шубникова - де Гааза в структурах, полученных 8-легированием оловом вицвнальных граней арсенида галлия. На основании анализа осцилляций магнитосопротивления показано, что в исследованных структурах имеется двумерный электронный газ, определена концентрация 2Б электронов и их подвижности для двух взаимно перпендикулярных направлений.

В исследованных структурах, как и системах квантовых ям, при низких . температурах наблюдалось отрицательное магнитосопротивление. Проведенный, с использованием теории слабой локализации анализ отрицательного магнитосопротивления показал, что релаксация фазы волновой функции электронов в данных системах происходит путем электрон-электронного взаимодействия с малой передачей энергии.

В исследованных образцах наблюдались резко анизотропные вольт-амперные характеристики. При этом зависимости плотности тока от напряженности электрического поля были качественно различными для направлений тока вдоль цепочек олова и поперек них. Данный результат был интерпретирован в предположении, что кроме двумерного электронного газа в системе имеются также кваэиодномерные электронные каналы. Взаимодействие между квазиодномерными и двумерными электронами приводит к резкому уменьшению времени релаксации энергии, в случае, когда направление тока совпадает с направлением одномерных каналов.

ПЯТАЯ ГЛАВА посвящена анализу результатов, полученных при исследовании имплантированных пленок кремния. Показано, что отжиг в печи при температуре 900 С в течении одной минуты не приводит к эффективной электрической активации имплантированной серы при исследованных дозах серы 1-5-1015 см~2. в тоже время, отжиг

импульсами неодимового лазера приводил к эффективной электрической активации серы вплоть до доз имплантации 5-10*5 см-2.

В образцах отожженных лазером в широком диапазоне температур наблюдалась прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка с характерной, для этого механизма проводимости зависимостью сопротивления от температуры и магнитного поля. Исходя из температурных зависимостей проводимости и магнитосопротивления был определен радиус локализации примесных состояний создаваемых атомами серы. Было показано, что радиус локализации резко увеличивается при увеличении дозы имплантированной серы, что свидетельствует о тенденции к делокализации примесных состояний путем образования кластеров из близко расположенных атомов серы.

III. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1) В исследованных системах множественных квантовых ям СгаАБ/АЮаАз и [пОаАэ/ОаАз зависимости подвижности электронов от ширины квантовой ямы и температуры при низких температурах объясняются преимущественным рассеянием электронов на неоднородностях рельефа боковых поверхностей квантовых ям независимо от способа легирования и типа квантовой ямы, в случае если ширина квантовой ямы ограничена значением около 6 нм. Таким образом, основным механизмом упругого рассеяния электронов в узких квантовых ямах является рассеяние на шероховатостях боковых поверхностей квантовых ям.

2) Гальваномагнитные свойства исследованных систем множественных квантовых ям ОаАз/АЮаАэ описываются, при низких температурах, теорией квантовых поправок к проводимости. При этом время релаксации фазы волновой функции изменяется обратно пропорционально температуре, что соответствует электрон-электронному взаимодействию с малой передачей энергии. Таким образом, электрон-электронное взаимодействие с малой передачей энергии является основным механизмом неупругого рассеяния

электронов в исследованных системах квантовых ям независимо от типа легирования.

3) Применение метода S-легирования квантовых ям позволяет получать системы МКЯ с большим структурным совершенством и с большей концентрацией и подвижностью 2D электронов по сравнению с однородно легированными системами.

4) Структуры, с 8-легированием оловом вицинальных граней GaAs обладают высокой анизотропией проводимости. В исследованных структурах GaAs(S-Sn) имеется двумерный электронный газ с достаточно высокой концентрацией и подвижностью 2D электронов.

5) Основным механизмом релаксации фазы волновой функции двумерных электронов в структурах GaAs(S-Sn) является электрон-электронное взаимодействие с малой передачей энергии, что определяет гальваномагнитные свойства структуры GaAs(S-Sn) при низких температурах.

6) В имплантированных серой и отожженных лазером пленках кремния обнаружена прыжковая проводимость Мотта с переменной длиной прыжка с характерной для этого механизма проводимости температурной зависимостью сопротивления и магнитосопротивлением. При больших дозах имплантированной серы имеется тенденция увеличения радиуса локализации примесных электронных состояний, что свидетельствует об образовании кластеров из близко расположенных атомов.

f) Показано, что ионная имплантация серы в кремний при дозах см" 2 приводит к уменьшению

сопротивления после обработки поверхности наносекундными лазерными импульсами с энергией w=2.0-2.6 Дж/см2, при этом, сопротивление имплантированного кремния уменьшается на несколько порядков при увеличении дозы серы от 10*5 до 5-1015 см-2.

По теме диссертации опубликованы следующие работы: 1. Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Абрамов В.В., Тимофеев А.Б., Ульяпшн А.Г., Шлопак Н.В. Прыжковая проводимость

ионно-имплантированного серой кремния. - ФТП. 1992. т.2б. вып. 10. с.1801-1814.

2. Кульбачинский В.А., Кьпин В.Г., Тимофеев А.Б., Ульяшия А.Г., Абрамов В.В., Миронова А.Г., Шлопак И.В. Прыжковая проводимость ионно-имплантированного серой кремния. -Первая национальная конференция "Дефекты в полупроводниках". Санкт-Петербург. Тезисы. 1992. с. 199.

3. Кульбачинский В.А., Кышн В,Г., Абрамов В.В., Тимофеев А.Б., Ульяшин А.Г., Шлопак Н.В. Прыжковая проводимость ионно-имплантированного серой кремния. - 29 совещание по ФНТ. Казань. 1992. тезисы докладов. ч.З С.Э73.

4. Кульбачинский В.А., Кадушкин В.И., Кьгган В.Г., Шангина Е.Л. Особенности явлений переноса в разнесенных легированных сверхрешетках. - ФТТ. 1993. v.35. N7. с. 17551763.

5. Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., A. de Viisser, Kadushkin V.I., Shangina E.L. Quantum corrections to conductivity and quantum Hall effect in GaAs-GaAlAs quantum well structures. -LT-20. Handbook II. PK-31. Eugene. Oregon. USA. 1993.

6. Kulbachinskii V.A., Kytin V.G.,. Timofeev A.B., Uliashin

A.G., Abramov V.V., Mironova G.A., Shlopak N.V. Hopping conductivity of ion-implanted by sulphur silicon. - Defect and diffusion forum. 1994. v.103-105. p.341-346.

7. А. де Виссер, Кадушкин В.И., Кульбачинский В.А., Кьгган

B.Г., Скороходов В.М., Шанпша Е.Л. Особенности рассеяния электронов в системе множественных квантовых ям с 5-легированием. - ЖЭТФ. 1994. т. 105. вып.6. с.1701-1713.

8. А. де Виссер, Кадушкин В.И., Кульбачиский В.А., Кьгган В.Г., Сеничкин А.П., Шангина Е.Л. Квазиодномерные электронные каналы и двумерный электронный газ в структурах с дельта-легированием оловом вицинальных граней GaAs. - Письма в ЖЭТФ. 1994. т.59. вып.5. с.339-343.

9. Kadushkin V.I., Kulbachinskii V.A., Senichkin А.Р., Bugaev A.S., Kytin V.G., Shangina E.L., A. de Visser. Magnetotransport anisotropy in the GaAs(S-Sn) structures with quantum wires. - Physics of low-dimensional structures. 1994. v.l. p.53-58.

10. Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Kadushkin V.I., Shangina E.L., A. de Visser. Quantum corrections to the conductivity and quantum Hall effect in GaAs-GaAlAs multiple quantum well structures. - Journal of Applied Physics. 1994. v.75. N4. p.2081-2085.

11. Kulbachinskii V.A., A. de Visser, Kytin V.G., Kadushkin V.I., Shangina E.L. Quantum corrections to conductivity and quantum Hall effect in GaAs-GaAlAs multiple quantum well structures. - Physica B. 1994. v.194-196. p.1197-1198.

12. Кульбачинский B.A., Кыгин В.Г., А. де Виссер, Звонков Б.Н., Бабушкина Т.С., Малкина И.Г. Рассеяние электронов в модулировано легированных структурах множественных квантовых ям на основе InGaAs/GaAs. - 30 совещание по ФНТ. Дубна 1994. Тезисы докладов. ч.Н. с.267-268.

13. Кульбачинский В.А., Кыгин В.Г., Кадушкин В.И., Лунин Р.А. Особенности низкотемпературного транспорта в системе множественных квантовых ям GaAs-GaAlAs с 8-легированием. - 30 совещание по ФНТ. Дубна 1994. Тезисы докладов. ч.Н. с. 271-272.

14. Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.I., Sennichkin А.Р., Bogdanov E.V., Bugaev A.S., Kytin V.G., Shangina E.L., A. de Visser Elektron kinetic properties anisotropy of GaAs structures delta-doped by Sn on vicinal substrate. - International conference on nano sructuresio St. Peterburg. 1994. p. 107-109.

15. Kadushkin V.I., Kulbachinskii V.A., Senichkin A.P., Bogdanov E.V., Bugaev A.S., Kytin V.G., Shangina E.L., A. de Visser Anisotropy of the hot electron conductivity in the GaAs(S-Sn) structures with quantum wires. - 7-th International Conference on Superlattice, Microstructures and Microdevices. Canada. 1994. Abstracts, p.545-546.

16. Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., A. de Visser, Zvonkov B.N., T.S.Babushkina, Malkina I.G. Electron mobilities in modulation doped InGaAs/GaAs multiple quantum well structures. - 7-th International Conference on Superlattice, Microstructures and Microdevices. Canada. 1994. Abstracts, p.390-391.