Разработка методов контролируемого регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда в силовых полупроводниковых приборах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.13 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Обзор научно-технической литературы

1.1. Методы регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда в структурах силовых полупроводниковых приборов

1.1.1. Диффузионные методы уменьшения времени жизни ННЗ

1.1.2. Радиационные методы уменьшения времени жизни ННЗ 20 1.1.2.1 Электронное и Т-облучение 22 1.1.2.2. Протонное облучение

1.2. Регулирование статических и динамических характеристик мощных тиристоров и диодов путем регулирования времени жизни ННЗ

1.3. Выводы и постановка задачи

Глава 2. Исследование рекомбинационных центров, вводимых в силовые полупроводниковые приборы для управления временем жизни ННЗ

2.1. Исследование образования и отжига радиационных дефектов в силовых полупроводниковых приборах при электронном облучении

2.2. Исследование распределения концентрации А-центров в базовых областях силовых полупроводниковых приборов при облучении на установке БОИС

2.3. Исследование распределения концентрации золота после его диффузии в тиристорных структурах

2.4. Исследование радиационных дефектов в силовых полупроводниковых приборах при протонном облучении

2.5. Выводы

Глава 3. Исследование влияния протонного облучения на основные параметры тиристоров

3.1. Исследование влияния энергии и дозы протонного облучения на основные параметры тиристоров

3.2. Исследование влияния отжига на параметры тиристоров, облученных протонами

3.3. Выводы

Глава 4. Оптимизация процессов регулирования времени жизни неравновесных носителей заряда в диодах и тиристорах в условиях массового производства

4.1. Оптимизация режима электронного облучения при регулировании величины импульсного напряжения в открытом состоянии для тиристоров и прямого напряжения для диодов

4.2. Оптимизация процесса электронного облучения при регулировании величин заряда обратного восстановления

4.3. Оптимизация процесса локального облучения выпрямительных элементов тиристоров

4.4. Выводы 135 Заключение 136 Список использованной литературы 142 Приложение 1 152 Приложение 2 157 Приложение

Силовые полупроводниковые приборы (СПП) являются основной элементной базой силовой полупроводниковой техники. Они и преобразователи на их основе применяются во многих областях народного хозяйства - в химической и горнодобывающей промышленности, черной и цветной металлургии, самолето- и судостроении, электроэнергетике и сельском хозяйстве, на транспорте и в станкостроении и т.д.

Большие и постоянно возрастающие масштабы преобразования энергии обуславливают необходимость непрерывного совершенствования СПП и технологии их производства, поскольку их характеристики во многом определяют эффективность преобразовательных устройств.

Устойчивой тенденцией в развитии СПП является повышение мощности и быстродействия единичного прибора.

Задача улучшения динамических свойств и получения оптимальных параметров СПП связана прежде всего с необходимостью контролируемого уменьшения времени жизни (т) неравновесных носителей заряда (ННЗ).

Практически все методы уменьшения времени жизни ННЗ в монокристаллическом кремнии основаны на создании дополнительных каналов рекомбинации носителей заряда через ловушки, вводимые в объем кристалла либо путем диффузии, либо радиационными методами при облучении полупроводника пучком частиц высоких энергий.

Специфика применения методов регулирования т определяется спектром и свойствами вводимых центров рекомбинации (ЦР), их распределением по объему кристалла и термостабильностью, а также исходными геометрическими и электрофизическими свойствами полупроводниковой структуры до проведения регулирования т. Поэтому, хотя различные способы регулирования т для управления динамическими свойствами полупроводниковых приборов достаточно хорошо известны, их непосредственное использование в производстве отечественных СПП затруднительно, т.к. свойства, концентрация и форма распределения ЦР сильно зависят также и от "предыстории" прибора - свойств исходного материала, характера технологических процессов, проводимых до введения ЦР и т.п.

Большие возможности для создания СПП с высоким сочетанием параметров предоставляет, в частности, процесс протонного облучения СПП. Этот процесс позволяет создавать не однородные пространственные распределения ЦР. Однако его влияние на основные параметры приборов изучено явно недостаточно.

Кроме того, имеющиеся данные о зависимости основных параметров СПП, в частности, величины импульсного напряжения в открытом состоянии для тиристоров и импульсного прямого напряжения для диодов, а также величины заряда обратного восстановления этих приборов от исходных свойств прибора и режима облучения не позволяют осуществлять регулирование этих величин с заданной точностью при серийном производстве СПП.

Поэтому изучение свойств ЦР, образующихся в процессе изготовления СПП, по используемым в массовом производстве технологиям, и разработка с учетом этих особенностей методов контролируемого регулирования т ННЗ является актуальной.

Целью настоящей работы является разработка методов контролируемого регулирования времени жизни ННЗ в силовых полупроводниковых приборах, обеспечивающих высокий процент выхода годных СПП с заданными свойствами и высокими динамическими параметрами в условиях массового производства.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Провести исследования природы и характера распределения ЦР, образующихся в СПП, изготавливаемых по серийным технологическим процессам.

2. Провести исследование влияния протонного облучения и термоста-билизирующего отжига на основные параметры тиристоров. Определить условия, обеспечивающие получение наилучших сочетаний основных параметров тиристоров в результате протонного облучения.

3. Разработать оптимальные процессы регулирования т ННЗ в диодах и тиристорах в условиях массового производства.

Наиболее перспективными методами регулирования т являются радиационные методы, включающие облучение СПП электронами и протонами, поскольку они обладают следующими достоинствами:

1. позволяют проводить регулирование времени жизни ННЗ после полного изготовления выпрямительных элементов СПП;

2. обладают высокой производительностью и воспроизводимостью;

3. обеспечивают возможность восстановления исходного уровня времени жизни ННЗ путем отжига радиационных дефектов;

4. позволяют варьировать спектром дефектов, а также создавать неоднородное по площади и глубине распределения ЦР.

В качестве объектов исследований выбраны СПП, изготовленные по серийной технологии. Это обусловлено широкой областью их применения.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Изменение т в процессе электронного облучения СПП может быть описано простым эмпирическим соотношением

А —= dN а + bN j) (1) т где b/d~10-rl5;

Na - концентрация А-центров; Nd -концентрация дивакансий.

2. При облучении СПП потоком электронов со сплошным энергетическим спектром в диапазоне 300 кэВ - 1,7 МэВ на установке БОИС-8 концентрация ЦР убывает от облучаемой поверхности в глубь прибора (примерно в два раза на расстоянии 150 мкм). Спектр ЦР качественно похож на спектр при облучении моноэнергетическим пучком, но скорость введения основных РД отлична.

3. Для получения оптимизированного профиля распределения Аи, вводимого в тиристорную структуру путем диффузии, целесообразно использовать не обычную п+-р-п-р+ - структуру, а пятислойную п+-р-п-р+-п+. Дополнительный п+-слой со стороны анода геттерируют Аи, благодаря чему концентрация Аи в области коллекторного перехода почти на порядок выше, чем у анода, что позволяет существенно улучшить соотношение между и и

4. При облучении готовых выпрямительных элементов силовых диодов и тиристоров пучком протонов с энергией ~2ч-3 МэВ концентрация ЦР имеет максимум в узкой области шириной ~20-30 мкм, расположенной на глубине примерно равной длине пробега протонов.

Доминирующими ЦР как и при электронном облучении являются ди-вакансия и А-центр, но вклад дивакансии в изменение т при протонном облучении становится определяющим.

5. Для достижения оптимальных статических и частотных характеристик тиристорных структур протонное облучение нужно проводить при энергии протонов, обеспечивающей длину их пробега (X) в структуре, удовлетворяющую соотношению (2) с последующим стабилизирующим отжигом в течение 3-5 часов при температуре 500-520 К.

Xj <X<Xj+Wn(2) где Xj - глубина залегания коллекторного р-п-перехода; - ширина п -базового слоя;

УП - расчетная ширина слоя объемного заряда в базе п-типа при максимальном блокируемом напряжении и интенсивности потока протонов не более 1010 см'2-с-1.

6. Для получения в условиях массового производства основных регулируемых параметров СПП с заданной точностью предлагается проводить облучение приборов в два этапа. До облучения необходимо измерить регулируемый параметр (II, С2гг, т), произвести первое облучение с зара

14 нее определенной минимальной дозой, повторно измерить регулируемый параметр, разбраковать приборы на группы по величине этого параметра и провести повторное облучение с дозой, рассчитанной из соотношений, предложенных автором.

15

Основные результаты работы представлены в публикациях:

1. Гейфман Е.М., Ковтун В.И., Мартыненко В.А., Рожков Л.А., Чи-биркин В.В. Силовые полупроводниковые приборы ОАО "Электровыпрямитель": Тез. докл. на межреспубликанской науч. конф. Методы и средства управления технологическими процессами. - Саранск: Изд-во МГУ им. Н.П. Огарева, 1989. - С. 15-16

2. Гейфман Е.М., Ковтун В.И., Мартыненко В.А., Чибиркин В.В. Современное состояние и перспективы производства силовых полупроводниковых приборов на АО "Электровыпрямитель": Тез. докл. Международная конф. Проблемы преобразования электроэнергии. - М.: Изд-во Международный центр науч. и техн. информации, 1993. - С. 5-6

3. Гейфман Е.М., Максутова С.А., Мартыненко В.А., Чибиркин В.В. Высоковольтные лавинные диоды: Тез. докл. всесоюз. совещания. Импульсная и высокочастотная РВД-электроника. - JL: Изд-во Ленгидропро-ект, 1989.-С. 30

4. Гейфман Е.М., Елисеев В.В., Епишкин А.Н., Чибиркин В.В. Разработка и производство силовых полупроводниковых приборов в ОАО «Электровыпрямитель»: Тр. международной конф. МСУТП. - Саранск: Изд-во Мордовского университета, 1997. - С. 78-80

5. Чибиркин В.В., Рожков Л.А., Елисеев В.В., Гейфман Е.М. Современное состояние и перспективы развития приборов силовой электроники на ОАО «Электровыпрямитель»: Тез. докл. II международной научно-технической конф. Проблемы и прикладные вопросы физики / Под ред. В.К. Свешникова. - Саранск: Изд-во Мордов. гос. пед. ин-та, 1999. - С 4

6. Гейфман Е.М., Корнев A.C., Иванов H.A., Чибиркин В.В., Максутова С.А. Высоковольтные диоды повышенного быстродействия в тиристор-но-импульсных преобразователях электроподвижного состава постоянного тока// Электротехника. - 1996. -Вып.12. - С. 11-13

7. Аринушкин В.Н., Гейфман Е.М., Ременюк А.Д., Толстобров М.Г., Чибиркин В.В. Исследование образования и отжига радиационных дефектов в силовых полупроводниковых приборах при электронном облучении // Электротехника. - 1993. -Вып.1. - С. 60-63

8. Гейфман Е.М., Сережкин Ю.Н., Чибиркин В.В. Распределение А-центров в базовых областях силовых полупроводниковых приборах при электронном облучении // Электротехника. - 1997. -Вып.11. - С. 21-23

9. Пат. 2119211 Россия, 6 Н 01 L 21/66. Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов / Е.М. Гейфман, Г.И. Громов, Д.Д. Канев, В.В. Чибиркин. - №96105145/25; Заявлено 13.03.96; Опубл. 10.06.98, Бюл. №26.

10. Пат. 2110113 Россия, 6 H 01 L 21/263. Способ регулирования величины заряда обратного восстановления полупроводниковых приборов с заданной точностью / Е.М. Гейфман, Д.Д. Канев, О.П. Ксенофонтов, В.В. Чибиркин. -№96119133; Заявлено 25.09.96; Опубл. 27.04.98, Бюл. №12.

11. Гейфман Е.М., Канев Д.Д., Федотов А.Н., Чибиркин В.В. Методы управления технологическим процессом электронного облучения СПП: Тр. международной конф. МСУТП. - Саранск: Изд-во Мордовского университета, 1997.-С. 73-77

12. Гейфман Е.М., Канев Д.Д., Федотов А.Н., Чибиркин В.В. Методы управления технологическим процессом электронного облучения СПП: Тр. IV Международной конф. Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-98. Новосибирского гос. техн. университета. - 1998. - Т. 2: Электронно-физическая секция (включая электронику, газоразрядные приборы, технологию электронных приборов). - С. 185-188

13. Пат. 2106038 Россия, 6 H 01 L 21/332, 21/18. Способ изготовления тиристоров / Е.М. Гейфман, В.В. Чибиркин, В.П. Михайлов, В.П. Иванов и др. -№96114791; Заявлено 23.09.96; Опубл. 23.09.98, Бюл. №6.

14. Соболев H.A., Стрельников Б.Б., Стук A.A., Харченко В.А., Чел-макин В.И., Чибиркин В.В. Применение нейтронно-легированного кремния в серийной технологии СПП: Тез. докл. на отраслевом НТС. Новые силовые полупроводниковые приборы. Проблемы обеспечения качества. -Саранск: Изд-во ПО «Электровыпрямитель», 1990. - С. 45-47

15. Kozlov V.A., Eremin V.K., Shulpina I.L., Voronkov V.B., Ivanov

A.M., Elyseyev V.V., Chibirkin V.V. Investigation of diffusion process induced defects in high purity silicon crystals // Electrochemical Society Proceedings. -1996.-V. 13. - P.369-378

16. Елисеев В.В., Еремин В.К., Воронков В.Б., Иванов A.M., Козлов

B.А., Чибиркин В.В., Шульпина И.Л. Исследование дефектов, введенных при диффузионных процессах в монокристаллы кремния высокой чистоты и большого диаметра: Докл. к первой Всероссийской конф. по материало

141 ведению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния «Кремний-96». - М.: Изд-во , 1996. - С. 86

17. Чибиркин В.В., Гейфман Е.М. Исследование влияния протонного облучения на основные параметры тиристоров: Тез. докл. II международной научно-технической конф. Проблемы и прикладные вопросы физики / Под ред. В.К. Свешникова. - Саранск: Изд-во Мордов. гос. пед. ин-та, 1999.-С. 190

Заключение

1. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. -М.:Мир, 1977-586 с.

2. Collins С.В., Carlson R.O., Gallagher C.J. Properties of Gold-Doped Silicon//Physical Review. 1957. -V. 105. -№.4. -P.l 168-1174

3. Bemski G. Recombination Properties of Gold in Silicon // Physical Review. 1958. -V. 111. -№.6. - P. 1515-1521

4. Bruchner B. Electrical Properties of Gold-Doped Silicon // Physica Status Solidi. 1971. - №.A4. - P.685

5. Bullis W.M. Properties of gold in Silicon // Solid-State Electronics. -1966.-V. 9.-№.2.-P. 143-147

6. Kendall D.L., De Vries D.B. Semiconductor Silicon the Electrochemical Society. New-York, 1969 - 358 p.

7. Wilcox W.R., LaChapelle T.J. Mechanism of Gold Diffusion into Silicon // Journal of Applied physics. 1964. - V. 35. - №.1. - P.240-246

8. Sprokel G.J., Fairfield J.M. Diffusion of gold into silicon crystals // Journal Electrochemical Society. 1965. - V. 112. - №.2. - P.200

9. Sprokel G.J. Interstitial-Substitutional diffusion in a finite medium, gold into silicon // Journal Electrochemical Society. 1965. - V. 112. - №.8. - P.807-815

10. Болтакс Б.И., Куликов Г.С., Малкович Р.Ш. Электрический перенос золота в кремнии // Физика и техника полупроводников. 1960. - Т.2. -Вып.2. - С.2395

11. Шокли В. Теория электронных полупроводников. Приложения к теории транзисторов М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1953. - 714 с.

12. Carchano Н., Juhd С. Electrical Properties of Silicon Doped with Platinum//Solid-State Electronics. 1970. -V. 13. -P. 83

13. Baliga B.J., Sun E. Comparison of gold, platinum and electron irradiation for controlling lifetime in power rectifiers // IEEE Transactions on electron devices. 1977. -V. ED-24. -№.6. -P.685-688

14. Лебедев А.А., Соболев Н.А., Урунбаев Б.М. Исследование параметров уровней платины в n-Si // Физика и техника полупроводников. -1981.-Т. 15. Вып.8. - С. 1519-1522

15. Woodbury Н.Н., Ludwig G.W. Vacancy Interactions in silicon // Physical Review Letters. 1960. - №.5. - P.96

16. Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. - 311 с.

17. Конозенко И.Д., Хиврич В.И., Семенюк А.Б. Радиационные эффекты в кремнии. Киев: Наукова думка, 1974. - 199с.

18. Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. -256с.

19. Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л.С. Смирнова.- Новосибирск: Наука, 1980. -296с.

20. Corbett J.W., Watkins G.D., Chrenko R.M., McDonald R.S. Defects in irradiated silicon. II. Infrared absorption of the Si-A center // Physical Review. -1961.-V. 121. -№.4. P.1015-1020

21. Glaenzer R.H., Wolt C.J. Recombination in gamma-irradiated silicon // Journal of Applied physics. 1965. - V. 36. - №.7. - P.213-216

22. Barnes C.E. Gamma-induced trapping levels in Si with and without gold doping // Journal of Electronic Materials. 1979. - V. 8. - №.4. - P.437-457

23. Brotherton S.D., Bradley P. Defect production and lifetime control in electron and y-irradiated silicon // Journal of Applied physics. 1982. - V. 53. -№.8. -P.5720-5732

24. Evwaraye A.D., Baliga B.J. The dominant recombination centers in electron irradiated semiconductors devices // Journal Electrochemical Society. - 1977. -V. 124. -№.6. -P.913-916

25. Ковешников С.В., Носенко С.В., Якимов Е.Б. Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом // Физика и техника полупроводников. 1988. - Т. 22. - Вып.5. - С. 922-924

26. Kuchinskii P.V., Lomako V.M. The effect of thermal and radiation defects on the recombination properties of the base region of diffused silicon p-n structures // Solid-State Electronics. 1986. - V. 29. - №.10. - P. 1041-1051

27. Атабиев И.Е., Горюнов H.H., Ладыгин E.A. Исследование спектра глубоких радиационных центров в п-р-п транзисторах методом релаксационной спектроскопии // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы. 1982. - Вып.6. - С. 34-37

28. Jellison G.E. Transient capacitance studies of an electron trap at Ec-Et=0.105 eV in phosphorus-doped silicon // Journal of Applied physics. 1982. -V. 53. - №.8. - P.5715-5719

29. Lee J.H., Corbett J.W., Brower K.L. EPR of a carbon-oxygen-divacancy complex in irradiated silicon // Physica Status Solid (c). 1977. - V. 41. - №.5. - P.637-647

30. Касилов В.И., Лугаков П.Ф. и др. Образование радиационных дефектов в кремнии n-типа при облучении электронами 1,2 ГэВ // Физика и техника полупроводников. 1978. - Т. 12. - Вып.8. - С. 1636-1638

31. Walker J.W., Sah С.Т. Properties of 1.0 meV electron irradiated defects centres in silicon // Physical Review. 1973. - V. 7. - №. 12. - P.4587-4605

32. Колодин Л.Г., Мукашев Б.Н. Рекомбинационные и электрические свойства кремния р-типа, облученного электронами // Физика и техника полупроводников. 1980. - Т. 14. -Вып.9. - С. 1756-1750

33. Guogang Q., Zonglu U. The convergent effect of the annealing temperatures of electron irradiated defects in FZ silicon grown in hidrogen // SolidState Communications. 1985. - V. 53. - №.11. - P.975-978

34. Mukashev B.N., Kolodin L.G., Nussupov K.N. et al. Study of primary and secondary radiation defects formation and annealing in p-type silicon // Radiation Effects. 1980. - V. 46. - №. 1. - P. 79-84

35. Weinberg 1., Swartz С. K. Original reverse annealing in radiation -damaged silicon solar cells // Applied Physics Letters. 1980. - V. 36. - №.8.1. Р.693

36. Mooney P.M., Cheug L.J., Suli M. et al. Defect energy levels in boron-doped silicon irradiated with 1 MeV electrons // Physical Review. 1977. - V. 15.-№.?.-P.3836-3843

37. Kimerling L.C. New developments in defect studies in semiconductors // IEEE Transactions Nuclear Science. 1976. -V. 23. - №.9. - P. 1497-1505

38. Roux M., Jacques В., Reulet R., Crabb R.L. Photon effect on electron-irradiated boron-doped silicon solar sell // Journal of Applied physics. -1984. -V. 56. №.2. - P.531-537

39. Власенко JI.С., Лебедев А.А., Рожков В.М. Фото-ЭПР К-центров в облученном электронами кремнии // Физика и техника полупроводников. -1980.-Т. 14.-Вып. 11.-С. 2152-2156

40. Brotherton S.D., Bradley P., Huff H., Kriegler R.J., Takeishi J. Semiconductor silicon ed by H// Journal Electrochemical Society. 1981. - V.127. -№.6.-P.779-785

41. Гасс В.Ф., Николаевский И.Ф., Шуренков В.В. Измерение времени жизни неосновных носителей в кремнии при облучении электронами // Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972. - С. 34-36

42. Carlson В.О., Sun Y.S., Assalit Н.В. Lifetime control in silicon power devices by electron or gamma irradiation // IEEE Transactions on Electron Devices. 1977. - V.ED-24. -№8. - P. 1103-1108

43. Герасименко П.И., Двуреченский A.B., Попов В.И., Смирнов Л.С. О пороговой энергии образования радиационных дефектов в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1971. - Т. 5. -Вып.8. -С. 1644-1646

44. Золотухин А.А., Коваленко А.К., Мещерякова Т.М., Милевский Л.С., Пагава Т.А. О влиянии интенсивности облучения на радиационное повреждение кремния // Физика и техника полупроводников. 1975. - Т. 9. - Вып. 6. - С. 1201-1202

45. Берман Л.С., Шуман В.Б. Исследование отрицательного отжига у-радиационных дефектов в диффузионных кремниевых диодах // Физика итехника полупроводников. 1976. - Т. 10. - Вып.9. - С. 1755-1757

46. Берман JI.C., Витман Р.Ф., Шуман В.Б. Исследование радиационных дефектов в кремниевых р+-п переходах, облученных у-квантами // Физика и техника полупроводников. 1975. - Т. 9. - Вып.1. - С. 311

47. Аглинцев К.К. Дозиметрия ионизирующих излучений. M.-JI.: Учнедгиз, 1950. 500с.

48. Wada T., Yasuda К., Ikuta S. Complex defects introduced into silicon by high-energy electron irradiation: production rates of defects in n-Si // Journal of Applied physics. -1977. V.48. -№.6. - P.2145-2152

49. Берман Л.С., Витовский Н.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н. Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры // Физика и техника полупроводников. 1990. -Т. 24.-Вып. 10.-С. 1816-1822

50. Асина С.С., Терентьев Б.Н., Сурма А.М. Применение Р-установки БОИС-8 для технологического облучения структур // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Радиационная техника. 1988. - Вып. 1(36). - С. 6-10

51. Кумиров А.Л., Терентьев Б.Н. Спектрально-угловое распределение (3-излучения источника ИРУС-2 с активностью 250 кюри // Радиационная техника. 1975. - Вып.11. - С. 57-60

52. Сурма А.М. Разработка радиационно-технологических и конструктивных методов повышения быстродействия мощных тиристоров: Дис. канд. техн. наук. М.: ВЭИ им. В.И. Ленина, 1989. - 173 с.

53. Немец О.Ф., Гофман Ю.В. Справочник по ядерной физике. Киев: Наукова думка, 1975. - 415 с.

54. Булгаков Ю.В., Коломенская Т.И. Области высокого сопротивления в кремнии, облученном протонами // Физика и техника полупроводников. 1967. - Т. 1. - Вып.З. - С. 422-425

55. Булгаков Ю.В., Игнатова Е.А., Кузнецов Н.В., Яценко JI.A. Исследование профиля рекомбинационных параметров кремния, облученного протонами // Физика и техника полупроводников. 1984. - Т. 18. -Вып.9.-С. 1612-1615

56. Wondrak W., Silber D. Buried recombination layers with enhanced N-type conductiving for silicon power devices // Physica. 1985. - V.BC-129. -№1-3. - P.322-326

57. Ohmura Y., Zohta Y, Kanarawa M. Electrical properties of n-type Si layers doped with proton bombardment induced shallow donors // Solid-State Communications. 1972. - V.ll. -№1. -P.263-266

58. Мукашов Б.Н., Токмолдин С.Ж., Тимендаров М.Ф., Абдуллин Х.А., Чихрай Е.В. Пассивация примесей и радиационных дефектов водородом в кремнии р-типа // Физика и техника полупроводников. 1988. -Т. 22. - Вып.6. - С. 1020-1024

59. Асина С.С., Кузьмин B.JL, Сурма A.M. Быстродействующие диоды и тиристоры большой мощности // Электротехника. 1988. -Вып. 5. - С. 7-10

60. Agras-Guerna J., Li S.S. Steady State Recombination and Trapping "Effects in Gold and Phosphorus Doped Silicon" // Bulletin of the American Physical Society. - 1970. - V.15. -№!. -P.314-318

61. Bakanowski A.E., Forster J.H. Electrical Properties of Gold Doped Diffused Silicon Computer Diodes // Bell System Technical Journal. - 1960. - V. 39. -№1. - P.87

62. Витман Р.Ф., Кутлахметов B.A., Решетин В.П., Шаховцев В.И., Шуман В.Б. О временах выключения тиристоров, подвергнутых облучению // Физика и техника полупроводников. 1975. - Т.9. - Вып.2. - С. 338-341

63. Берман Л.С., Витман Р.Ф., Шуман В.Б. Исследование радиационных дефектов в кремниевых р+-п-переходах, облученных квантами // Физика и техника полупроводников. 1975. - Т.9. - Вып.2. - С. 311-315

64. Терентьев Б.М., Белюсенко Н.А., Вологдин Э.Н. Установки с ра-дионуклидными источниками излучения для обработки изделий электронной техники // Электронная техника. Сер. 7, ТОПО. 1981. -Вып.3(104). - С. 12-15

65. Воронин К.Д. Исследование переходных процессов в р-п-р-п структурах большой площади и разработка инверторных тиристоров: Автореф. дис. канд. техн. наук. М.: ВЭИ им. В.И. Ленина, 1974. - 19 с.

66. Блихер А. Физика тиристоров. Л.: Энергоиздат, 1981. - 246с.

67. Уваров А. И. Критический заряд включения тиристоров // Физика электронно-дырочных переходов в полупроводниковых приборов. Л., 1968.-С. 151-161

68. Аязян Р.Э., Горбатюк А.В., Паламарчук А.Н. Условие включения р-п-р-п структуры при различных распределениях начального заряда вдоль баз // Радиотехника и электроника. 1978. - Т. 23. - Вып. 5. - С. 1039-1045

69. Горбатюк А.В., Павлынив Я.И., Паламарчук А.Н., Попова М.В. Восстановление прямой блокирующей способности р-п-р-п структуры с остаточной плазмой в слаболегированной области // Радиотехника и электроника. 1984. - Т. 29. - Вып. 10. - С. 2014-2021

70. Велмре Э.Э., Дерменжи П.Г., Удал А.Э. Влияние распределения времени жизни электронов и дырок на процесс обратного восстановления р+-п-п+ диодов // Электротехника. 1984. - Вып. 3. - С. 47-51

71. Temple У.А.К., Holroyd E.W., Adler M.S. et al. The effect of carrier lifetime profile on turn-off time and turn-off losses / IEEE Power El. Spec. Conf. 1980. -P.153-163

72. Temple V.A.K., Holroyd E.W. Optimizing carrier lifetime profile for improved trade-off between turn-off time and forward drop / IEEE Transactions on Electron Devices. 1983. - V.ED-30. - №7. - P. 782-790

73. Silber D., Maeder H. The effect of gold concentration gradients on thyristor switching properties / IEEE Transactions on Electron Devices. -1976. -V.ED-23. №3. - P.366-368

74. Tada A., Nakagawa Т., Hagino H. Improvement in trade-off between turn-off time and other electrical characteristics of bast switching thyristor. // Journal of Applied physics. 1982. - V. 21. - №.4. - P.617-623

75. Пат. 1489087 ФРГ, 21 д 11/02. Полупроводниковый конструктивный элемент с улучшенной частотной характеристикой и способ его изготовления/К. Ginsbach. -№49102; Заявлено 24.10.64; Опубл. 15.04.71.

76. Пат. 141960 ЧССР, 21 д 11/02. Многослойный полупроводниковый элемент / J. Dusek, J. Kopestansty. №3783; Заявлено 28.05.69; Опубл. 15.07.71.

77. Пат. 2845895 ФРГ, HOI L 29/74. Thyristorelement mit geringer Freiwerdezeit und Verfahren rur Einstellung der Ladungstrager-lebensdauer bei demselben / Borchert. -№2845895; Заявлено 21.10.78; Опубл. 14.05.81.

78. Пат. 2917786 ФРГ, HOI L 29/743. Thyristorelement mit geringer Freiwerdezeit und Verfahren zur Herstellung / Licentia Patent Verwaltungs -GmbH. -№2050055; Заявлено 03.05.79; Опубл. 13.11.80.

79. Пат. 3440113 США, HOI L 7/36. Диффузионный способ введения золота в полупроводниковый материал / Erden D. Wolley. №580516; Заявлено 19.09.66; Опубл. 22.04.69.

80. Пат. 47-15616 Япония, 99(5) В12. Способ изготовления полупроводникового устройства / Shibaura Denki Kabushiki Kaisha. №43-25516; Заявлено 18.04.68; Опубл. 10.05.72.

81. Пат. 2462022 Франция, HOI L 21/225. Procede de diffusion localisee d'or dans une plaquette semiconductrice et composants semiconducteurs obtenus / Pierre Bacuvier. -№7919086; Заявлено 24.07.79; Опубл. 13.03.81.

82. Пат. 3585089 США, HIk. Способ изготовления быстродействующих полупроводниковых приборов, пассивированных нитридом кремния / Westenghous Electric Corp. -№835969; Заявлено 24.06.69; Опубл. 15.06.71.

83. Пат. 1327204 Великобритания, Н1к. Способ изготовления полупроводниковых устройств / Michael Е. Denton, Kevin F. Starrs. №4828; Заявлено 17.02.71; Опубл. 15.08.73.

84. Пат. 55-5269 Япония, HOI L 29/74. Полупроводниковый ключевой прибор / Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha. №49-28739; Заявлено 11.03.74; Опубл. 05.02.80.

85. Пат. 4165517 США. Self protection against breakover turn-on failurein thyristors through selective base lifetime control / Victor A.K. Temple, Clifton Park. -№772712; Заявлено 28.02.77; Опубл. 21.08.79.

86. Асина C.C., Кузьмина В.Д., Сурма A.M. Быстродействующие диоды и тиристоры большой мощности // Электротехника. 1988. - Вып. 5. -С. 7-10

87. Lax М., Neustadter J. // Journal of Applied physics. 1954. - V. 28. -№.8.-P. 1148-1153

88. Берман Л.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. - 176 с.

89. Витман Р.Ф., Витовский H.A., Лебедев A.A. и др. Проявление скопления атомов электрически неактивных примесей в n-кремнии при у-облучении // Физика и техника полупроводников. 1990. - Т. 24. - Вып. 1. -С. 45-50

90. Сережкин Ю.Н., Акимов П.В., Федосеев В.М. Гибридный метод определения параметров глубоких уровней в р-п-переходах // Физика и техника полупроводников. 1978. - Т. 12. - Вып.6. - С. 1079-1084

91. Расчет силовых полупроводниковых приборов / Под ред. В.А. Кузьмина. М.: Энергия, 1980. - 182 с.

92. Григорьев Б.И., Тогатов В.В. Определение времени жизни неосновных носителей заряда в широкой базе тиристора // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1974. - Вып. 2(84). - С. 75

93. Челноков В.Е., Евсеев Ю.А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. - 280 с.

94. Дерменжи П.Г., Евсеев Ю.Н., Конюхов A.B. Эффект du/dt в реальных р-п-р-п-структурах // Радиотехника и электроника. 1972. -Вып. 11.-С. 2374-2378

95. Гейфман Е.М., Брагин А.Н., Мягкова С.И. "Способ определения качества изготовления тиристора". A.C. №1491179 от 1 марта 1989г. Заявка №4277420 от 6 июля 1987г. Кл. G 01R 31/26. Опубликовано в бюллетене "Открытия, промышленные образцы и товарные знаки".

96. Аязян Р.Э., Грехов И.В., Липийчук H.A., Паламарчук А.И., Шен151дерей С.В. О физических процессах в р-п-р-п-структуре при комбинирован ном выключении // Радиотехника и электроника. 1978. - Т. 23. - Вып.8. -С. 1692-1698

97. Евсеев Ю.А. Полупроводниковые приборы для мощных преобразовательных устройств. М.: Энергия, 1978. - 192 с.

98. Basavaraj T.N., Bhattacharaj N. Depletion-layer characterization of single-diffused p-n-junctions Silicon // Solid-State Electronics. 1974. - V. 7. -P. 765-767

99. Акимов П.В., Сережкин Ю.Н., Федосеев B.M. Определение параметров области объемного заряда диффузионного р-п-перехода: Депон Статья. М.: ВНИИТИ, 1985. - №8126-В