Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

В в е д е н и е

Основные обозначения

ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ Р-П-Р-П СТРУКТУР, ВЫКЛЮЧАЕМЫХ ТОКОМ УПРАВЛЕНИЯ (ОБЗОР)

1.1. Общие сведения о р-п-р-п структурах

1.1.1. Предпосылки к исследованию многослойных тири-сторных структур

1.1.2. Устройство и принцип работы р-п-р-п структур

1.2. Статическая вольт-амперная характеристика р-п-р-п структуры.

1.2.1. Участок вольт-амперной характеристики структуры в блокируицем состоянии и условие переключения.

1.2.2. Включенное состояние структуры

1.3. Переходный процесс включения р-п-р-п структуры

1.3.1. Физическая картина процесса. 1.3.2. Нестационарное условие переключения р-п-р-п структуры.

1.3.3. Нарастание тока и установление стационарного состояния

1.4. Выключение р-п-р-п структур

1.4.1. Основные способы и механизмы. 1.4.2. Выключение р-п-р-п структур по аноду. 1.4.3. Выключение р-п-р-п структур импульсом тока управления. 1.4.4. Процесс сжатия токопроводящей области при выключении структур с большой рабочей площадью

1.5. Общая постановка задачи исследования

ГЛАВА П. ПЕРЕХОДНЫЙ ПРОЦЕСС ВЫКЛЮЧЕНИЯ Р-П-Р-П СТРУКТУРЫ ТОКОМ УПРАВЛЕНИЯ. ОЦЕНКА ВЛИЯНИЯ ВНУТРЕННИХ ПОЛЕЙ РАЗЛИЧНОЙ ПРИРОДЫ

2.1. Введение

2.2. Выключение р-п-р-п структуры током управления р-базы при высоком уровне инжекции в п-базе

2.3. Влияние встроенных электрических полей на переходный процесс выключения р-п-р-п структуры током управления

2.4. Исследование р-п-р-п структур, выключаемых током управления, с переменной концентрацией примеси в широкой базе

2.5. Влияние слоя с переменной концентрацией примеси в широкой базе на коэффициент выключения запираемых р-п-р-п структур

2.6. Обсуждение результатов

ГЛАВА Ш. ПЕРЕХОДНЫЙ ПРОЦЕСС ВЫКЛЮЧЕНИЯ Р-П-Р-П СТРУКТУР.

КШВИШРРВАННЫЙ ВАРИАНТ

3.1. Введение

3.2. Эксперименты по комбинированному выключению и их качественная интерпретация

3.2.1. Эксперименты по комбинированному выключению (73)

3.2.2. Качественная интерпретация процесса комбинированного выключения тиристоров (76)

3.3. К вопросу о корректности определения времени выключения при комбинированном воздействии

3.4. Простая предельная модель механизма выведения электронов из п-базы.

3.4.1. (81). 3.4.2. Недостатки предельной модели (82)

3.5. Условие выключения структуры.

3.5.1. (83). 3.5.2. (88)

3.6. Переходный процесс выключения комбинированного выключения р-п-р-п структуры (детальный анализ)

3.6.1. Постановка задачи (90). 3.6.2. Стационарные распределения носителей заряда (94). 3.6.3. Этапы переходного процесса выключения (95). 3.6.4. Обсуждение результатов (102)

3.7. Обсуждение результатов Ш главы

ГЛАВА 1У. КОНВЕКТИВНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА ГРАНИЦЕ "ПЯАЭЛА - ОПЗ" В ЗАПИРАЕМОМ И КШШНИРОВАШО-ВЖЛКЯАЕМШ ТИРИСТОРЕ

4.1. Введение . ПО

4.2. Восстановление прямой блокирующей способности р-п-р-п структуры с остаточной плазмой в слаболегированной области. III

4.2.1. Конвективные процессы в высоковольтных р-п переходах на границе "плазма - ОПЗ" в условиях нестационарного обратного смещения (III). 4.2.2. Условие переключения р-п-р-п структуры (115)

4.3. Обсуждение результатов.

4.4. Оценка времени выключения для комбинированно-выключаемого тиристора.

4.5. Основные результаты по исследованию конвективных процессов

ГЛАВА У. НЕКОТОРЫЕ НЕОДНСМЕРШЕ ПРОЦЕССЫ ПЕРЕНОСА В Р-П-Р-П СТРУКТУРАХ

5.1. Введение

5.2. Влияние магнитного поля на статические и динамические характеристики р-п-р-п структур

5.2.1. (128). 5.2.2. Обсуждение результатов (129)

5.3. Исследование скорости распространения включенного состояния в запираемых р-п-р-п структурах.

5.4. Неодномерные процессы при комбинированном выключении р-п-р-п структур большой площади

5.4.1. Введение (143). 5.4.2. Физика неодномерных процессов в цилиндрической ячейке р-п-р-п структуры (146)

5.4.3. Условие выключения неодномерной структуры (150)

5.4.4. Вычисление эффективности двухмерных распределений остаточного заряда (152). 5.4.5. Обсуждение результатов (155)

5.5. Обсуждение результатов по исследованию неодномерных эффектов

3 а к л юч е н и е

Вопросы глубокого исследования процессов управляемого токопе-реноса в полупроводниках и полупроводниковых структурах являются неотъемлемой частью комплекса, связанного с решением актуальной проблемы твердотельной коммутации больших мощностей, которая, в свою очередь, возникла в плане новых задач энергетики, сильноточной импульсной электроники, транспорта и др.

Основным активным элементом твердотельного коммутатора является управляемый полупроводниковый вентиль - многослойная тири-сторная структура. До последнего времени считалось, что функциональные возможности тиристоров ограничивались процессами управляемого запуска. В то же время управляемые полупроводниковые вентили казались практически неприменимыми в режимах запирания тока, которые, тем не менее, с технической точки зрения оцениваются как очень перспективные для преобразовательных устройств повышенной частоты в системах мощных быстродействующих коммутаторов. Указанная особенность тиристоров связана с физическими особенностями механизмов управления (запуска или выключения) и характером зарядовой обратной связи, поддерживающей биполярную инжекцию плазмы (а, следовательно, и токопрохождение) во включенном состоянии.

Согласно основным принципам работы тиристора процесс его включения осуществляется путем контролируемого накопления небольшого ("критического") заряда с последующим дополнительным накоплением за счет специфической регенерации тока. При этом величина "начального" заряда, введенного цепью управления, на 2-3 порядка меньше заряда, накапливаемого за счет внутренней регенерации, что и обеспечивает большой КПД процесса запуска.

Процесс управляемого выключения происходит в обратной последовательности. Для надежного запирания необходимо устойчиво подавить регенеративный процесс биполярной инжекции, что достигается с помощью внешнего воздействия путем резкого уменьшения величины избыточного заряда структуры до критического значения, то есть более чем в сто раз. Значительная часть этого заряда, очевидно, должна быть поглощена генератором управления; таким образом, эффективность процесса запирания существенно ниже эффективности запуска.

Эта асимметрия, имея место уже в диапазоне малых мощностей, становится крайне критичной при переходе к сильноточной коммутации, что в ряде случаев может поставить под сомнение принцип использования тиристоров как мощных выключателей.

С другой стороны, исследование различных физических механизмов, реализация которых помогла бы существенно улучшить эффективность управляемого выключения, представляется весьма актуальным как в научном, так и в техническом отношении.

Кроме острой практической необходимости, важной предпосылкой для постановки задачи исследования является весьма низкий уровень теоретических представлений о процессе управляемого запирания тока в целом. Эти представления фактически основываются на квазистатической физической модели. В последнее время стали появляться сведения об эффективном применении импульсных режимов, однако физическая картина этих режимов не анализировалась. Мы полагаем, что при координированном воздействии управлякзцих импульсов и рациональном использовании внутренних физических факторов молено достичь существенного прогресса в решении проблемы запирания тиристоров.

Целью диссертации является исследование совокупного действия структурных и режимных факторов на процесс управляемого запирания тока, разработка теории различных обычных и комбинированных режимов выключения. Более конкретной задачей ставится исследование действия различного рода полей (магнитного, поля высокого уровня инжекции, полей градиентно-приме сного происхождения или поля "плавающих потенциалов") на процесс выключения тока и разработка последовательной теории переходных процессов выключения при управлении с помощью импульсов тока в базовом и анодном контурах.

Методика работы заключается в физическом анализе переноса заряда в многослойных структурах и в построении аналитической и численной моделей переходных процессов.

На защиту выносятся следущие новые научные положения, развитые автором.

1. Усовершенствована одномерная диффузионная теория процесса запирания р-п-р-п структуры по базовому электроду, впервые учитывающая совокупное действие импульсов тока управления и внутренних полей в структуре, обусловленных типичными эффектами сильного легирования, самосогласованных нейтрализующих полей, свойственных процессам биполярной инжекции (П глава).

2. Впервые разработана последовательная одномерная теория комбинированного выключения р-г?-/>-л структур под действием скоординированных импульсов отрицательного базового тока и отрицательного анодного напряжения (Ш глава).

3. Впервые исследовано влияние "конвективных" процессов, имеющих место в очень мощных высоковольтных структурах и связанных с динамикой границы между областью объемного заряда и плазмой, на характер неустойчивости регенеративной положительной связи в р-п-р-п структурах. Получено условие выключения высоковольтных структур для произвольного комбинированного импульсного воздействия (1У глава).

4. Исследованы некоторые характерные неодномерные процессы, свойственные для структур большой площади, и выяснена возможность влияния внешнего воздействия на их характер и темп (1У глава),

5. Разработаны численные методики, которые могут быть использованы в автоматизированных системах производства запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров повышенной мощности, и выработаны рекомендации по созданию и применению этих новых приборов.

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ б - отношение подвижностей электронов и дырок ВАХ - вольт-амперная характеристика (Ъп\- коэффициенты диффузии электронов в р-базе и дырок ^г(З)р) в п-базе

§77 '-^Р ~ коэффициент диффузии при высоком уровне инжекции Е - электрическое поле

X - индексы, принимающие (за исключением оговоренных случаев) значения, равные I и 2

- ток управления 7а - анодный ток сЛ/) - прямой анодный ток

Упер - ток переключения структуры

УпрЪ ток пробоя

- ток удержания тиристора

А0 - линейно аппроксимированный ток утечки (/г^з - эмиттерные переходы р-п-р-п структуры ^ - коллекторный переход р-п-р-п структуры У<7 - плотность анодного тока

- плотность тока управления

- плотность тока утечки эмиттерного перехода К - постоянная Больцмана

К - коэффициент выключения структуры КВТ - комбинированно-выключаемый тиристор К* К - "диффузионный" и "конвективный" коэффициенты эффективности полного остаточного заряда п-базы ¿чап) - длина диффузии электронов в р-базе Ьг(1р) - длина диффузии дырок в п-базе - концентрация акцепторов в р-базе ^ - концентрация доноров в п-базе По,(г)^), - концентрации равновесных неосновных носителей в п°г(Роо) р и п-базе соответственно

- концентрации неравновесных неосновных носителей в пг(Р,Рп) р д п(Зазе соответственно

ОПЗ - область пространственного заряда ^ - заряд электрона

7о - заряд включённого состояния тиристора

- "критический" заряд включения тиристора ^ - управляемый "критический" заряд осг - полный остаточный заряд п-базы ^ - скорость поверхностной рекомбинации ^ - площадь эмиттера Лр - площадь поперечного сечения р-базы tg - время выключения тиристора ^ - длительность импульса тока управления

- абсолютная температура

- длительности этапов переходного процесса выключения ( с = 1,2,3,4,5)

Уст - анодное напряжение

- прямое напряжение на структуре УоЪр - обратное напряжение на структуре УпрЪ - напряжение пробоя

Уу, Уу - напряжение управления толщина р-базы тиристора толщина п-базы тиристора

- коэффициент усиления составного р-п-р транзистора тиристорной структуры г (</>р) - коэффициент усиления составного п-р-п транзистора тиристорной структуры - коэффициенты переноса составных транзисторов ¿С - коэффициент инжекции перехода £ - диэлектрическая проницаемость ¿о - диэлектрическая проницаемость вакуума

- время жизни электронов в р-базе 'Сг('Ср) - время жизни дырок в п-базе

- постоянная нарастания на этапе "повторной регенерации" время диффузионного пролета неосновных носителей заряда через с -ую базу структуры

Основные результаты работы докладывались на научных семинарах лаборатории физики мощных полупроводниковых приборов ЛФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР, были оформлены в виде докладов на ВДНХ СССР, на I Национальной конференции Болгарии в 1972 г., а также содержатся в следующих работах.

1. Исследование р-п-р-п структур запираемых тиристоров. - "Доклады I Национальной конференции по полупроводниковой электронике", Болгария, 1972, т.2, № 34, с.1-18 (в соавторстве с Р.Э.Аязяном, И.А.Линийчуком и А.Ф.%лекиным).

2. Выключение р-п-р-п структуры током управления р -базы при высоком уровне инжекции в п-базе. - "Радиотехника и электроника", 1973, т.18, № 4, с.829-834 (в соавторстве с И.А.Линийчуком).

3. Влияние встроенных электрических полей на переходный процесс выключения р-п-р-п структуры током управления. - "Радиотехника и электроника", 1973, т.18, № 8, с.1682-1687 (в соавторстве с И.А.Линийчуком).

4. Влияние магнитного поля на статические и динамические характеристики р-п-р-п структур. ЦНИИ "Электроника", 1973, с.1-12 в соавторстве с Д.И.Куракиной, А.А.Лебедевым и И.А.Линийчуком).

5. Исследование р-п-р-п структур запираемых тиристоров. - "Электротехническая промышленность", сер. "Преобразовательная техника", 1975, № 7 (66), с.1-2 (в соавторстве с Р.Э.Аязяном, И.А.Линийчуком и А.Ф.Щулекиным).

6. Исследование скорости распространения выключенного состояния в запираемых р-п-р-п структурах. - "Электротехническая промышленность", сер. "Преобразовательная техника", 1975, № 12 (71), с.7-9 (в соавторстве с О.В.Головановой и И.А.Линийчуком).

7. Исследование выключаемых током управления р-п-р-п структур с переменной концентрацией примеси в широкой базе. - "Радиотехника и электроника", 1975, т.20, № 9, с.1993-1995 (в соавторстве с

И.А.Линийчуком).

8, Быстродействующий прибор ключевого типа - комбинированно-выключаемый тиристор. - "Электричество", 1977, 10, с.82-84 (в соавторстве с Р.Э.Аязяном, 0.Г.Булатовым, И.В.Греховым и др.).

9. О физических процессах в р-п-р-п структурах при комбинированном выключении. - "Радиотехника и электроника", 1978, т.23, 8, с.1692-1698 (в соавторстве с Р.Э.Аязяном, И.В.Греховым, И.А.Линийчуком и С.В.Шендереем).

10. Условие включения р-п-р-п структуры при различных распределениях начального заряда вдоль баз. - "Радиотехника и электроника", 1978, т.23, № 5, с.1039-1045 (в соавторстве с Р.Э.Аязяном и А.В.Горбатюком).

11. Комбинированно-выключаемый тиристор. - "Электротехническая промышленность", сер. "Преобразовательная техника", 1979, № 7 (114), с.6-8 (в соавторстве с Р.Э.Аязяном, И.В.Греховым, И.А.Линийчуком и С.В.Шендереем).

12. Влияние шунтирования эмиттерного перехода на время выключения р-п-р-п структур в комбинированном режиме. - "Электронная техника", сер. 4, 1981, в.1 (84) с.30-32 (в соавторстве с Р.Э.Аязяном, И.А.Линийчуком и С.В.Шендереем).

13. Восстановление прямой блокирующей способности р-п-р-п структуры с остаточной плазмой в слаболегированной области. - "Радиотехника и электроника" (в печати), (в соавторстве с А.В.Горбатюком и М.В.Поповой).

В заключение хочется выразить свою благодарность доктору физ.-мат. наук, профессору И.В.Грехову за постоянное внимание и интерес к работе, а также Горбатюку A.B., Линийчу-ку И.А., Аязяну Р.Э., Шендерею C.B. за помощь и совместные обсуждения при выполнении работ по диссертации. с

25

20

15 Ю о

-\л/

- р у п /

- V / А

А ----- -

О СГР./6&, рис. /д

IV; с О

О М

- р /7 ^Л \ Л

V ' 1 ц л и//5 м * о

СП со

О сгр.ив рисХЬ Wг д)

Рис. I. Распределения концентраций неравновесных носителей в базах структуры а) во включённой структуре, \г = ( X - 0.1; 2 - 0.03 ) см , б) к концу0первого этапа процесса выключения, А/ = 0.03 см, А- = (1,2,3,5 - 0;4

- ^ - ' 2 ■ 2 ; т . ,1.2 А/ г- -3

2 ) А/см 1Я = (Г-200;2-100;3-50;4,5-40) А/см, = 150 А/см? Жг =5-10 V см 5

Рис. 2. Распределения концентраций неравновесных носителей заряда в базах структуры к конпу второго этапа процесса выключения.

А = 0,/сг = 150 А/см2, A/ct = 5'Ю14 см-3, J* = С X - 200;2 - Ю0;3 - 50;4 - 40 ) А/см2.

Рис. 3. Распределения концентраций неравновесных носителей заряда в базах структуры к окончанию третьего этапа (вход в насыщение перехода J± - 2,4) и четвёртого этапа (выход из насыщения перехода - 5) переходного процесса выключения. а = (2,5 - Ю0;4,5 - 40) А/см2, = О, у« = 150 А/см2, Mr = 5-I014 см"3, Aj = 0.03 см. Параметры структуры:

Г, = I мкс, ¿г=3 мкс, Di = 33.6 см2/с, Д = 12.2 см2/с, Н = 0.4-Ю"2 см, Wa = 15*Ю-3 см. О стр. 1 о) р п г - 3

Рис. 4. Распределения концентраций неравновесных носителей заряда в базах р-п-р-п структуры (^ = 0.1 А/см2, Лу =0.03 см) а) к окончанию второго этапа (1,1'), к окончанию третьего этапа (вход в насыщение - 2,2), б) к окончанию четвёртого этапа (выход из насыщения - 3,30 для различных значений концентраций акцепторов:

М? = (1,2,3 - 1.7;!',2^3'- 0.2) иАаГ». 2

-V, стр.

Рис. 5. Распределения концентраций неравновесных носителей заряда в базах р-п-р-п структуры в момент достижения критического заряда" структуры

V* = (I - 0.2;2 - 1.7)1015см3, Л, = 0.03 см, = / а =0.1 А/см ,

Рис. 6. Распределения концентраций неравновесных носителей заряда в базах р-п-р-п структуры к окончанию третьего (вход в насыщение перехода - 1,2) и четвёртого (выход из насыщения перехода - 3,4,5) этапов переходного процесса выключения для различных токов управления: = (1,5 - 0;4 - 0.2;2,3 - 0.4) А/см2,И4= 5*1014см"3. Масштабные оси для кривых указаны стрелками.

- 161 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Подводя итог исследованиям настоящей диссертации, отметим наиболее важные положения, разработанные в процессе решения задач, сформулированных в главе I.

Общей задачей диссертации, общей программой этих исследований явилось развитие физических представлений о переходных процессах в полупроводниковых структурах ключевого типа, выключаемых по базовому электроду или управляемых с помощью совокупных (комбинированных) физических воздействий.

Исследования переходных процессов в структурах запираемых тиристоров проведены во П главе. Здесь усовершенствована диффузионная одномерная теория процессов запирания, впервые учитывающая совместное действие импульса управляющего тока и внутренних полей градиентно-примесной природы, обусловленных "эффектом сильного легирования" структуры, нейтрализующего самосогласованного поля плазмы, свойственного процессам биполярной инжекции. Результаты этой модели подтверждены рядом экспериментов и могут быть использованы как для расчета конструкторско-технологических параметров структур при разработке запираемых тиристоров, так и для расчета характерных режимов их работы.

В Ш главе диссертации построена последовательная теория комбинированно-выключаемых р-п-р-п структур под действием скоординированных во времени импульсов отрицательного базового тока и отрицательного анодного напряжения. Методически эта теория рассчитана на использование в системах автоматического проектирования производства в отраслевых условиях.

В 1У главе впервые исследовано влияние конвективных процессов, имеющих место в очень мощных высоковольтных структурах при их коммутации в экстремальных условиях. Эти процессы обязаны быстрым перемещениям границы между блокирующими слоями объемных зарядов и плазмой квазинейтральных участков и, как показал расчет, оказывают чрезвычайно большое влияние на характер неустойчивости регенеративной положительной связи в приборах соответствующих типов. Это влияние рассчитано в рамках теории критического заряда включения, в результате чего получено условие переключения высоковольтных структур для произвольных комбинированных импульсных воздействий и ряд других характеристик, необходимых при разработке высоковольтных частотных приборов.

Наконец, в последней, У главе собран материал экспериментальных и теоретических исследований неодномерных процессов, свойственных приборам с большой площадью единичных управлящих элементов, и выяснены возможные влияния внешних воздействий на их характер и темп.

Эти материалы сгруппированы по виду основных управляющих факторов: поперечного магнитного поля, тангенциального управляющего тока и тангенциального поля плавающих потенциалов и могут быть рекомендованы для разработки соответствующих классов приборов, рассчитанных на большие коммутируемые токи.

Практическая ценность работы в целом состоит в развитии новых теоретических представлений о механизмах функционирования запираемых и комбинированно-выключаеглых тиристоров, а также в выработке конструктивно-технологических рекомендаций, направленных на создание новых приборов этого класса.

1. Алдрих Р., Холоньяк Н. Переключающие полупроводниковые приборы р-п-р-п типа. - В кн. "Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.". Под ред. Гаряинова С.А. -М.-Л. : Гос-энергоиздат, 1962, 24-32.

2. Алексеев М.Е., Родионов Л.Ф., Сондаевский В.П. Экспериментальное исследование шнурования- тока в четырёхслойных структурах. -"Физика и техника полупроводников",1974,8,1488-1493.

3. Анго А. Математика для электро- и радиоинженеров. -М.: "Наука",1967,779 с.

4. Ашкинази Г.А., Григорьев Ю.П., Зумберов В.В., Кузьмин В.Л., Челноков В.Е., Якивчик Н.И. К расчёту силовых кремниевых вентилей на повышенные частоты. В сб. "Силовые полупроводниковые приборы". -М.: "Информэлектро",1969,22-30.

5. Аязян Р.Э., Булатов О.Г., Грехов И.В., Лабунцов В.А., Линий-чук И.А., Одынь C.B., Паламарчук А.И., Шендерей C.B. Быстродействующий прибор ключевого типа комбинированно-выключаемый тиристор. -"Электричество", 1977,МО,82-84.

6. Аязян Р.Э., Бурцев Э.Ф., Грехов И.В., Линийчук И.А.,Исследование процесса выключения р-п-р-п структуры импульсом тока управления. -"Физика и техника полупроводников",1970,4,219-222.

7. Аязян Р.Э., Горбатюк A.B., Паламарчук А.И. Условие выключения £ъп-р-п структуры при различных распределениях начального заряда вдоль баз. -"Радиотехника и электроника",1979,23,1039-1045.

8. Аязян Р.Э., Грехов И.В., Голованова О.В., Макевнина Л.И., Щу-лекин А.Ф. Экспериментальное исследование распределения носителей заряда в р-п-р-п структурах при .выключении их токомуправления. "Радиотехника и электроника",1972,17,1880-1884.

9. Аязян Р.Э., Грехов И.В., Линийчук И.А.Доследование переходного процесса выключения запираемых тиристоров методом потенциального зонда. "Известия АН Арм. ССР. Физика",1974, JÉ 9,72-80.

10. Аязян Р.Э., Грехов И.В., Линийчук И.А. Проблемы конструирования мощных запираемых тиристоров. -"Электротехническая промышленность",сер. "Преобразовательная техника",1979,№ 9 (116),20-23.

11. Аязян Р.Э., Грехов И.В., Линийчук И.А., Паламарчук А.И., Шендерей C.B. О физических процессах в р-п-р-п структуре цри комбинированном выключении. -"Радиотехника и электроника", 1978,23,1693-1698.

12. Аязян Р.Э., Грехов И.В., Линийчук И.А., Паламарчук А.И, Шендерей C.B., Комбинированно-выключаемый тиристор. -"Электротехническая промышленность",сер. "Преобразовательная техника",1979,№ 7(114),6-8.

13. Аязян Р.Э., Линийчук И.А., Паламарчук А.И., Шендерей C.B. Влияние шунтирования эмиттерного перехода на время выключения р-п-р-п структур в комбинированном режиме. -"Электронная т ехника",сер.4,I981,tè 1(84),30-32.

14. Баширов A.M., Бурханов Ш.Д., Гаршенин В.В. О неодномерности запирания р-п-р-п структуры. -"Физика и техника полупроводников "1969,3,633-635.

15. Баширов A.M., Гаршенин В.В., Родов В.И., Самров И.П. О процессе выключения р-п-р-п структуры током управления. -"Электронная техника",сер.2,1973,№ 6(78),43-49.

16. Воронин К.Д., Дерменжи П.Г. Взаимосвязь стойкости р-п-р-п структур к эффекту dUidt с их параметрами и величинойпредварительного смещения прямой или обратной полярности. -"Радиотехника и электроника",1973,18,2123-2132.

17. Воронин К.Д., Дерменжи П.Г. Зависимость времени выключения р-п-р-п структур от их параметров и режимов измерения. -"Радиотехника и электроника",1973,18,2364-2373.

18. Дулатов O.P., Одынь C.B. Двухоперационные тиристоры с комбинированной коммутацией в режиме больших анодных токов. -"Электротехническая промышленность",сер. "Преобразовательная техника",1976,të 7(78),3-5.

19. Бурцев Э.Ф., Грехов И.В., Крюкова H.H., Сергеев В.Г. Исследование процесса включения р-п-р-п структуры с помощью регистрации рекомбинационного излучения. -"Физика и техника полупроводников ", 19 69 , 3 , I 638-1 645 .

20. Бэнда X., Шпенке Е. Процессы обратного восстановления в мощных кремниевых вентилях. ТИИЭР,1967,55,№ 8,98-122.

21. Варламов И.В., Осипов В.В. Шнурование тока в многослойных структурах. -"Физика и техника полупроводников",1969,3,950-958.

22. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. -М.: "Сов.радио",1980,296 с.

23. Горбатюк A.B. Усиление эффекта тангенциального рассасывания заряда в тиристорах с зонами повышенной рекомбинации. -"Электронная техника",сер.4,1979,№ 3,63-67.

24. Горбатюк A.B. Эффективность избыточного заряда при включении р-п-р-п структур в неодномерном приближении. "Физика и техника полупроводников",1980,14,№ 7,1364-1370.

25. Горбатюк A.B., Уваров А.И. Неоднородное рассасывание избыточного заряда в широкой базе тиристоров с зонами повышенной рекомбинации при выключении. -"Радиотехника и электроника",1977,22,1755-1758.

26. Горбатюк A.B., Уваров А.И. Влияние сопротивления растекания тонкой базы на быстродействие тиристоров с зонами повышенной рекомбинации при выключении. -"Электронная техника", сер.4,1979,й 3,58-63.

27. Горохов В.А., Кошеляев Г.В. Анализ и расчёт переходных процессов при запирании тиристоров по управляющему электроду. -"Радиотехника",1971,26,№ 12,86-92.

28. Горохов В.А., Щедрин М.Б. Физические основы применения тиристоров в импульсных схемах. -М.: "Сов.радио" 1972,304 с.

29. Грехов И.В. Физические процессы в мощных кремниевых приборах с р-п переходами. Автореферат дисс. на соискание учён, степени докт. физ.-мат. наук. -Л.,1972 (ФТИ).

30. Грехов И.В., Горбатюк A.B., Костина Л.С. О возможности повышения быстродействия мощных тиристоров при выключении. -"Радиотехника и электроника",1979,24,606-614.

31. Грехов И.В., Костина Л.С., Сергеев В.Г. О новой возможности уменьшения времени выключения высоковольтных р-п-р-п структур. -"Физика и техника полупроводников",1971,5,1408-1414.

32. Грехов И.В., Крылов Л.Н., Линийчук И.А., Тучкевич В.М., Челноков В.Е., Щуман В.Б. Мощные диффузионные кремниевые вентили. -"Электросвязь",1963,№ 11,42-48.

33. Грехов И.В., Лебедев A.A., Линийчук И.А. Исследования коэффициентов усиления по току в диффузионных кремниевых р-п-р-п структурах с шунтировкой в эмиттере. В кн. "Физика р-п переходов".-Рига: "Зинатне",1966,526-528.

34. Грехов И.В., Левинштейн М.Е., Сергеев В.Г. Исследование распространения включённого состояния вдоль р-п-р-п структуры. -"Физика и техника полупроводников",1970,4,2149-2156.

35. Грехов И.В., Левинштейн М.Е., Уваров А.И. Простая модель распространения включённого состояния вдоль р-п-р-п структуры. -"Физика и техника полупроводников",1971,5,1111-1115.

36. Дерменжи П.Г., Евсеев Ю.А. Распространение включённого состояния в р-п-р-п структурах. -"Физика и техника полупроводник ов',' 1973,7,360-364.

37. Джентри Ф., Гутцвиллер Ф., Голоньяк Н., фон Застров Э. Управляемые полупроводниковые вентили. Пер. с англ. под ред. Туч-кевича В.М. -М.: "Мир",1967, 455 с.

38. Дьяконов М.И., Левинштейн М.Е. Теория распространения включённого состояния в тиристоре. -"Физика и техника полупроводников ",I978,12,729-741.

39. Звёздин А.К., Осипов В.В. Движение шнура тока в магнитном поле в полупроводниках с 5 -образной вольт-амперной характеристикой. -"ЖЭТФ",1970,58,160-168.

40. Каракушан Э.И., Стафеев В.И. Магнитодиоды. -"Физика твёрдого тела",1961,3,677-686.

41. Каракушан Э.И., Стафеев В.И. Магнитодиоды большой площади. -"Физика твёрдого тела",1961,3,2031-2040.

42. Кремниевые вентили. Под ред. Юдицкого С.Б. -М.: "Энергия", 1968, 304 с.

43. Кузьмин В.А. Вольт-амперная характеристика полупроводниковых приборов со структурой р-п-р-п во включённом состояний. -"Радиотехника и электроника",1963,8,171-174.

44. Кузьмин В.А. Тиристоры малой и средней мощности. -М.: "Сов. радио",1971, 184 с.

45. Кузьмин В.А., Сенаторов К.Я. Четырёхсложные полупроводниковые приборы. М.: "Энергия", 1967, 184 е;.

46. Лабунцов В.А., тугов Н.М. Динамические режимы Эксплуатации мощных тиристоров. -М.: "Энергия",1977, 192 с.

47. Лебедев A.A.0 статической вольт-амперной характеристике р-п-р-п структуры в открытом состоянии. -В кн.: "Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов". -Л.: "Наука",1969,9-12.

48. Лебедев A.A., Уваров A.HjК теории процесса включения р-п-р-п структуры. -"Физика и техника полупроводников",1967, 1,211-216.

49. Лебедев A.A., Уваров А.И., Челноков В.Е. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п структуры. -"Радиотехника и электроника",1967,12,677-685.

50. Лебедев A.A., Уваров А.И., Челноков В.Е. Влияние электрического поля на переходные процессы в р-п-р-п структурах. -"Радиотехника и электроника",1967,12,1461-1468.

51. Лебедев A.A., Уваров А.И., Челноков В.Е. Переходный процесс выключения р-п-р-я структуры посредством тока управления базы. -"Радиотехника и электроника",1968,13,115-123.

52. Линийчук И.А. Исследование р-п-р-п структур, выключаемых по управляющему электроду, и разработка приборов на их основе. Кандидатская диссертация. -Л.,1969 (ФТИ).

53. Линийчук И.А., Ткаченко А.И., Тучкевич В.М., Челноков В.Е. Экспериментальное исследование процесса выключения р-п-р-п структуры по управляющему электроду. -В сб. "Силовые полупроводниковые приборы". -№.: "Информэлектро",1969,38-50.

54. Мэфэм Н. Борьба с эффектами, возникающими при включении управляемых кремниевых выпрямителей. -"Электроника"(русск. перевод),1962,35,№ 33,29-31.

55. Носов Ю.Р. Полупроводниковые импульсные диоды. -М.: "Сов.радио",1965, 224 с.

56. Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния. -М.: "Металлургия",1969, 335 с.

57. Расчёт силовых полупроводниковых приборов. Под редакцией Кузьмина В.А. -М.: "Энергия",1980, 185 с.

58. Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщины полупроводника на вид вольт-амперной характеристики диода. -"Журнал технической физики",1958,28,1631-1641.

59. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. -М.: "Энергия",1977, 671 с.

60. Тогатов В.В., Уваров А.И. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п структуры в условиях высокого уровня инжекции в обеих базах. -"Радиотехника и электроника", 1971,16,1047-1057.

61. Тучкевич В.М. Силовая полупроводниковая преобразовательная техника. -"Физика и техника полупроводников",1977,11,2065-2061.

62. Челноков В.Е., Евсеев Ю.А. Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. -М.: "Энергия",1973, 280 с.

63. Bergman G.D. The gate-triggered turn-on process in thyristors. -"Sol.St.Electronics", 1965, 8, 757-765.

64. Chimizu J., Oka H., Funakawa Sh., Gamo H., Iida T., Kawakami A. High-voltage high-power gate-assisted turn-off thyristor for high-frequency use.- "IEEE Trans.(Electron Devices)", 1976, ED-22, 883-887.

65. Dodson W.H., Longini R.L. Probed determination of turn-on spread of large area thyristors.- "IEEE Trans.(Electron Devices)", 1966, ED-12, 478-485.

66. Irvin J.G. Resistivity of bulk silicon and diffused layers in silicon.- "Bell System Techn. J.", 1962, 41., 387-410.

67. Klein M. Injection efficiency in double diffused transistors.-"Proc. IRE"(Correspondence), 1961, 1708.

68. Kroemer H. Quasi-electric and quasi-magnetic fields in nonuniform semiconductors.- "RCA Rev.", 1957, 18, 332-342.

69. Van Ligten R.H., Uavon D. Base turn-off of p-n-p-n switches.-"IRE Wescon Conv. Rec.", 1960, pt.3, 49-52.

70. Longini R.L., Melngalis I. Gate turn-on of four-layer switch.-"IEEE Trans. (Electron Devices)", 1963, ED-10, 178-185.

71. Longo Th.A., Miller M., Derek A.L., Ekraian J.D.- Planar epitaxial pnpn switch with gate turn-off gain.- "IRE Wescon Conv. Rec.", 1962, pt.3, 1-6.

72. Mertens R.P., De Man H.J., Van Overstraeten R.J. Calculation of the emitter efficiency of bipolar transistors.- "IEEE Trans.(Electron Devices)", 1973, ED-20, 772-778.

73. Mc Kay K.G. Avalanche breakdown in silicon.- Phys.Rev., 1954, .94, 887-889.

74. Moore A.R., Webster W.M. The effective surface recombination of a germanium surface with a floating barrier.- "Proc. IRE",1955, 43, 427-435.

75. Van Overstraeten R.J., De Man H.J., Mertens R.P. Transport equations in heavy doped silicon.- "IEEE Trans. (Electron Devices)", 1973, ED-20, 290-298.

76. Raderecht P.S. The development of a gate-assisted turn-off thyristor for use in high frequency applications.- "Int. J. of Electronics", 1974, ¿6, 399-416.

77. Ruhl H. Spreading velocity of the active area boundary in a thyristor.- "IEEE Trans. (Electron Devices)", 1970, ED-17, 672-680.

78. Sah C.T., Noyce R., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and n-p junctions characteristics.-"Proc. IRE", 1957, £5, 1128-1137.

79. Schlegel E.S. Gate-assisted turn-off thyristors.- "IEEE Trans. (Electron Devices)", 1976, ED-22, 888-892.

80. Somos I., Piccone D. Plasma spread in high-power thyristors under dynamic and static conditions.- "IEEE Trans. (Electron Devices)", 1970, ED-IJ, 680-687.

81. Somos I. Switching characteristics of silicon power controlled rectifiers.- "IEEE Trans. (Commun. Electron.)", 1964, 861-871.

82. Shockley W. Theories of high values of alpha for collector contacts on germanium.- "Phys. Rev.", 1950, 78, 294-295.

83. Storm H.P. Introduction to turn-off silicon controlled rectifiers.- "AIEE Trans. (Commun. Electron.)", 1963, 82, 375-383.

84. Tanenbaum M., Thomas D.E. Diffused emitter and base silicon transistors.- "Bell System Techn. J.", 1956, 21» 1-22.

85. Viol ley E.D. Gate turn-off in p-n-p-n devices.- "IEEE Trans. (Electron Devices)", 1966, ED-JJ3, 590-597.