Сильнокоррелированные электронные системы вблизи перехода металл-изолятор тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.09 ВАК РФ

«ЮСКОВСКИИ ОРДЕНА ЛЕНИНА. ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РВЮБВфИ И ОРДЕНА ТР/Д0В01Х) КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. й.З.ЛО.'.ЮНССОВА.

рп т : : : ~

„ 0 ....... ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТйТ

На правах рукопксэ УДК 536.483.539.$

■ длшлаль ш!сеш али хассан

сшънокоррешроваыые электронный скстш ■

вшзи перехода [фталл-изолятор

Специальность: 01.04.09

физика низких температур и криогопная техника

АВТОРЕФЕРАТ -

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико- математических наук

мзсгза, 1953 г.

Работа выполнена на кафедре физики низких температур и сверхпроводимости флзического факультета Московского государственного университета км. ¡¿.В. Ломоносова.

Научный руководитель: кандидат физико-математических, • . научный сотрудник Ф.Г.Алиев

Официальные оппонента: доктор физико-математических

наук, профессор. Я.П.Ьвягин

кандидат физико-математических наук .Захаров. .

¿едущая организация : Всероссийский Электротехнический

Институт

Защита состоится ■ & " ' 19ЭЗ ^да в

15 часов ва заседании Специализированного совета Л 2 ( К G5o.G5.2Q ) отделения физики твердого тела в »¡ГУ им. ¿¿.¿.Ломоносова по адресу: 11989?, Ш1, Москва, .Ленинские горы, ¡¿Г/, физический факультет, криогенный корпус, ауЯ. 2-05а.

С диссертацией ыоано ознакомиться в библиотеке физического факультета ¡«¡ГУ. _ ^

Автореферат-разослан'" ^ " 1995г.

4 /Л

/ 7

/ ... . ! V.

Учений секретарь Специализированного1

» \

совета ¡¡->2 ОФТТ (К 0oij.Q5.2Q) \

им. 1.1.В.Ломоносова,доктор $изико-\.'' математических наук . зГ'.'С.ПЛОТНИКОВ

i» ОЭДАЯ харакгшютка рабогы

АШАШОСТЬ ТЕМИ. . *

.7 На сегодняпшоц этапе развития науки ¡гожво говорить как о нзпрвложюа факта о той, что высокотеююратуркна сверхпроводники (ЗГСП) - это орягияйлькко систсин, каходгаяяся вблизи поре хода шталд-изо/лтор. Этот вывод сделал, всходя на Еэучоикя ююгнх уторов: аноиальпогэ поведения Щвгпи Ъхха в некоторых НГСП, тракоаортных сяойота прп раднаодонйеу ¿содействии п других. Поэтому коащо сказать, что павусщо! прсСл!-иой является ^^ональноо язучешм перехода кэталл-пзоллтор а со оторо:« свархлроводнЕка,"п со стороны изолятора, о техгэ " для про'тхиоЕсш'л в сущность НГСЛ очень сорьозпал задача - гс-слэдованпо области, а которой оа заровдаотся; эта обдвсть-пэ-доход й-К,

Надо сказать, что,вн,чыая пааболзе вдоЗычиыа проявлена» а науиорадо'Йшх системах, убеадаэпьоя а той, что переход Й-Н / зани/ает в их ряду одпо из пороих иэст, потону что его изучение дает возможность пронгкнуть' в го^озео транспортных своСста, а затем установить, за^зд, ло которым строятся фвэичоекзд характеристики донных соедяпенай.

Лосло открытия ¡,поддала и Бадаорца[ I ]стало возможным перойти от металлических оксидных систем"" к сверхпроводящий система/л. На основе осаго сказанного можно сделать заклвчоние, " что неожидашюспю при открытии НГСП явился поиск сверхпроводников сроди сксидиз, хотя ничтожно малое количество оксидов было хотя бы проводниками электричества.

. Возникновение сверхпроводимости и эволюция электронной системы -ВТСП выявляется посредством исследования перехода 15-Я.

К ссхалэнию, проблема доведения соединении с ВТСП вблизи перехода ¿¿-И г э области низких температур остээтся не разрешенной до кониа, хотя ей уделяется огромное и пристальное внимание./ .

На основе экспериментальных результатов монет основываться -предположение, что поведение соединений ЬТСП на изолирующей стороне перехода №-И идентично поведение слабо легированных полупроводников; режиму правовой проводимости с переменкой длиной прыжка ( ) соответствуют транспортные свойства

»тих ооедашзний [2-4], и гто выявляется в законе ЬЪтта ✓ »/о «3> < ®о /Т)"< • •

■ Ьольпшм' числом аномальных для Н£>,раадьных металлов низко-температурнух качеств отличаются систоеы с тяжелыми фермиона-^ ии (СТФ), &аэлектронные корреляции являются для СТФ опредаля©-щеми. - • ..

о СТ4>, ««да рассматривать йх в аспекте магнетизма, находятся ' "посередине" ыекду 1.орши;ышм к. магнитным металлами. Следовательно, исоледуя С1Ф, можно подучить уникальные данные об ■ «змейеяии термодинамических и кинетических свойств при переходе от нормального металла к магнетику (су..обзоры [5-8]). Все это обуславливает пристальное Бнрлйние и большое научное значение изучения. СТу.

лочатся отметить, что значительную ценность представляет тот факт, что как в нормальной, так и в сверхпроводящей

соотояшш,йззду СТО и ВТСП обнаружив! втся большое количест- — 'во соответствий. Поэтому, как следствие, вогнет проблема изучения генезиса свойств C'ïo и ВТСЯ. Исследование этих свойств даст огромный ллест кн<*ормации о ¡липютизу.а, сзорхпронодшос-ти и переходах i.j—И, поэтому форсирование развитая прогресса в зто!1 Ï0K9 - это назревшая необходимоеть"сегодми:него дня", актуальней«» проблема.

1ЩЬ РАсЮТЫ. Сбщей задачей нас толще ii работы являлось исследование транспортных свойств соединения в системе

ÏA п Sr ' M Се с u 0. V

2-Х X 4 - у il 2-х x 4-у

вблизи перехода ¿aeTayi-ьзолятор. другая задача настоящей работы - изучение шторметатлвчеокщс систем о тяжелыми формиона-ми.

Аля этого проводились измерения: ' I. Температурных ишштоотей удельного оопротимения • V(T) .мононриоталличэсках образцов ** 2_х ^ х у

в области температур ( 2 < Т < зоо) К;

•л 2. I алпаиомагнитных свойств ыононриоталличэоких образцов 1л Зг ^ с u04_ у в области температур (2 < Т <г^оо)К;

3. Температурных завчеитегей ноэ®ииивнта термов до 9(Т)

M* * 2-х ** * 04 °4- У ;

4. магнэтооопротышэния и эффахта лолла для

I* ^ CUO

2-Х X 0 и4-У ;

5. Гальванок-агштшх oboSîcti при ( 2 < Т < 4.2 ) К для монокристаллов н4 Со х Cu04_ у

- з-

6. Исследовались йкгзогазолкя •удаяънкгс сопротивления • —

3 т 2-х ^х С* °4-у ^ г;,.

7. Температурных зависимостей удельного сопротивления

J°CT) у Се HiOa .и ia Ni Sb^

В. Температурных зависимостей удельного сопротивления УЧТ), коэффициента термоэдо коэффициента теплопровод-

ности К (Т) у ^I-*1* х ^^ •

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ' закличаэте« В том,ЧТО В ней впервые}

1. Проведено комплексное исследоааииз„АЮ при низкие в свер.с- . низких температурах, s ÇT), и гальваюиагшяде свойств при низ-кис температурах монокристаллов ^%-х

2. Подробно изучена анизотропия ЛТ) ыонокркезaMorf^-x^0^*^-

3. На диэлектрической стороне перехода метатл-кэолятор системы с ¿ГСП ведут себя скорее как двумерные, чем как тречмерныэ;

4. Кз результатов работы следует, что система Srx

при перехода мсталл-кз.. лятор вэдат себя азалогвчьо "классически полупроводникам, на что указиваот поведение удельного сопротев-ления, термояде, гальвеномагкктных свойств; .

б. 3 работа приводится попчтка анализа поведения радиуса локализации л1а2_х ^ х с при переходе иатааа-адояятор; 6. Изучена интерматалличеекм окотбиы с тяжэлыми ijeptœiuwa в области высоких температур;

?. С целъ*> изучения тенденций вуастоягайраЗэтсбилв геелвдо-

ваны транспортные свойства твердых растворов заиздонвя .

La^ Ni Sa u Ce Hij (♦/-)* SOj (-*V)x, (* Q,f).

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦНКНОСТЬ р1^1ьгатбв раьоты». • ;

Полученные в диссертационной работе рэзуя>?а?кс80сгЗя&»

зуют дальнейшему развлгго врадг.гыи.а:-тД о парохода ысталж -- -

изолятор и ллзктронноЯ структуре соодхнэавЯ з ВГДП. •

Цэьнооть исследований перехода 5-Й В' системе —

а 2-х ■ ** х С и^4~у и 11(1 2-х Сех С и °4-у определяется совокупностью экспериментальной информации, полученной при ео комплексном исследовании. Полученные данные способствуют более глубокому пониманию связи структурных особенностей и сверхпроводимости а, таким образом, представляют собой оцэ один таг на пути к пониманию феномена ЗТСП. .

Шнность этих исследований для практики обусловлена использованием высокотемпературных сверхпроводников в сильноточной электротехника, микроэлектронике и медицине.

, АПРОБАЦИЯ Р/ 'эОТа И ПУБЛИКАЦИИ. Результаты, изложилиэ в настоящей диссэртьциа, доклады- ■ вались на .Ш1 Всесоюзном совещании по физике низких температур (Донецк, июнь 1ЭЭ0), а также па Международных конференциях СИталия-Траств«1^ирамара, июль 1991).

До результатам даосвртации опубликовано 1 печатные работы.

СТРУКТУРА И ОВЬЕМ ДЩЗЕРТА155К» • диссертация состоит из введения, аяти глав , заключения а содержит 233 страницы машинописного текста, включая 74 рисунка , в таблиц и сяисск ллтературы ?.э 194-х наименовании.

я, еодардаше раьотц .

Зо ВЬ&иЗШ обосновывается актуальность работы »формулируются осздаишэ задачи а изли, отмечается научная новазиа и прак-

*»че<5*Ш| значимость рааультатсн работы.

• '" V

-а-

ИНРЗАЯ ГЛАВА - описаны методики иакгрэеаи к образцы. " Измерения для данной раооты про Бодались ш двух ¡различных установках* Одна из них предназначена лаг автоматизированных измерений сопротивления (2 < Т _-< 5005 К г гальваномагнгтных свойств при ( 2 < Т < 4,2) К, траисп9^«ййй я «агнитньх овой-ста в интервале (4,2 Т 5£,СЗ шй да^еаднном и постоянно:.! токе, а естественном г^ащиш® •гякваерату.р над ванной хтд-

Втора;! устаноака л^здостггазшет возможность одновременного и ко./ллексного изае^ваая ула-дьнэго сопротивления, уерыоэдо и теплопроводности образка.

Изложена методика я;шго1овяэ-Кия и аонтажа образцов. Проводе н анализ оаибок измерений.

ВТОРАЯ 1ЛАЗА представляет соуод литературы.

Дерзая часть главы посняц-: ла оакеазазз Фбонх характерного перехода 4»та.-л-йзол..?ор.. кратко сгстви.слшдяьаны основные представления об изоляторе. кэталличоскоа соегоянхл,. локализации прихкоаой лрсвадомосм, .«ласса^шщр^тев рааппиаю ззды изоляторов а тзжы возможных переходов в метияягчзсков состоя-» низ, приводятся сзоЯотва дегиросанных лолуяроаэдшаюз при переходе мвгадл-гзолягор.

Во второй части рассматривается подход .'Хсягга* а трвт&х части дяно описание теории дохглизадаи я кода.® Лтдарс^й®»'" далае ата глава подробно описывает: ноупоряк/ЗХ^ув ■саютегу электронов, модель Хаббарда, теорко возмуаокай, И^арлоасыс?. переход, теорию (подобия), и элэгтрэяу и дажгщесьд-

чзских материалах.

ТРЕТЬЯ ГЛАВА посвящена исследовании транспортних свой-гв системы ® и°4-у.

В первой части главы изучаются структурные свойства этого эедуле кил, тотрагональная 14-микрошшронная структура, антк-ерромагвдтизма и фазовая диаграмма La 2_х С uQ.j_y

Во второй части главы исследованы тоотаратурные зависи-,ости удельного сопротивления J°(T) при (2 < Т < 300)К в лоскости, параллельной елок:-.; С"-о у образцов Ьа ^х ; ио^у. Результаты представлены в таблице И I (здесь Р орнц-1авт степенноГ зачон /»Д + AT3/2 . А - активациошюй закон _Р ° fQ екр С-0/Т), Е - ;/<оттовскиЛ закон акр

CTo/T)Ä:

Образец Т.»„(К] Т(К| I Закон | Пирометры • 1 Р(ЗООК) (Оси)

CLS1 j 23Л 53-170 | 25-liSÖ | А ( Т. *3412К (Jn/»o =>-ß. 12Ю.03 Е | ¿=1/3 | Т. =>13!)Ц0К |j»u = (l.lt0.-<)10-* 2.4-10-з

'CLS2 60 С7-300 | Р |А«(5.310.2)10"« 1 .3710,05 Ц0-» А | То=7.310.ек Ibi.»«r-8,78t0.03 Е | ¿«1/2 | То=-1.3*0.7 =(1.410.1)10"'

17-60 i 3.9-10-•

2-16 | •

C.S3 108 i 126-3001 Р |А«<8.8»0.5)10-* IA>«M l.aem.ozno-1

34-931 А 1 Tu «15.2Ю. 5К lltiy»n«-tj, 14iO.01 1.7-Ю-»

1 .3- U t Е i ¿«1/3 | Т» »ä 12К !.i« =11. i Ю. 1» ю-»

В области Т < Ш.) л можно выделит« 2 характерных участка поведения У (Т): при Т > 1 йп наблюдается меда-

с /о _

лнческий ход сопротивления ^ Т1' , при Т < Т п1в наблидазтся шаедаш®,, жерахнэрще для легированных пол;даро-водникья^

'^аэудигажы мамещвшк ^аааектста температуры от «5«ро-тивлэния При I 2<Т<5Х)<Й К «редотйвябин на рис Л % м рис.2, иокнаиш результаты измор^иия гальваиомагнитных сэо'Лстп при (2 <Т< 4^2) дм образцов СиО^

лля образца 'Сьа видно, чт., \ растет яри яощдаижи У СХвг, Вн л/ «ОШИ; в данном ¿даре^вале температур вычисленное иа значения концентрации носителей псведены в сладувдэй таблица:

Таблица 2.

ППроэзц | <Пв>(СШ-а/С| | Гш. I I (СК"* | | 1)21« С1.К?. | (0.£>810.2)10-» | (6-4*1 110*® | 0.02410.004

| (1.410.3)10-1 • ц.яо.ацо»1 | 0.018Ю.004

Концентрация носителей для образца вычяслллаоь по значению Л» при Т «■ X.

Порездам теперь к обсуадзшш полученных результатов, Наблюдение «i-.4iLvyi.ta на кривых _/(Т) сьяэано с термачвск*и переходом металл-изолятор при пошаинии гампЬрвТуры нгхэ Т в!п, • когда носители■"вымораживаются" из ^локализованных состоять*! с 2 > Во. По тожарату;в Тш.1в. , сладовательно, иохю сделать вывод о числа дырок в данном ооедшшк^и, саюгщча с легированием зг [ Удллзкзосгь урсвдо Ферми Е^' от ио.:з::а подвше-

RESISTIVITY [ Om cm 1 0.012 —--i

O.Ol

0.008

0.006

0.004

0.002 -

i !

50 100 150 200 250 300

TEMPERATURE (I К ]!

! í

...j 350

Рис. i Температурные зависимости для-образцов*.

- S¿

AR/R [« J

a)

"\0

-10

-30

u + t

-* r ' + . *

♦il «•»■»> ++ X

» о *■ + + + +

* n * to

• So«****

+ т.а.эок D Doga'D J**

* i-j.íNí • D ° it a O 14.IM

в ft]

Дп/Rl*] b)

•г

** m * • -

° " •. » + +: ; •

■* ж о * *

о

* *

о *

, a

®

• ь*.гк ° 7-аа;к °

* 1-г«* О

О i'jM*

и

BfT)

о

Рис.¿ Полевые зависимости иагнегосопротивлеккя обрлзцов Угл Cuâ^ у .

ноота £а (Бо - ) можно оценить из октквациогшого участка зависимости Для образцов , С1Л2 и «¿3

значения 2о - еу составляют 2,9 ± 0,2; 0,63+ 0,07 и 1,01 +■ 0,04 ивУ ооотоототво;и'.о. Интерпретация полученных из закона прыяковсй проводимости дянншс' затруднена из-за малости температурного интервала, в которой этот закон наблюдается, ¡¡ля детального анализа необходимы измерения при сверхнизких том-поратурах. Однако можно заключить, что скорее всего здесь-будет выполняться закон о «*= 1/о, что соответствует двумерному закону Уотта.

Что касается отоилательного магнотосопротивления, то такой характер зависимости &Р/ ./(Н) может соответствовать реашму олабой локализации [Ю].

Ка рис, £> приводятся результаты измерения термоэдс. Боа кривые характеризуются монотонным уменьшением коэффициента * Зэебека 3 (Т) при понижения температуры и положительным законом я .

В заключении главы диотся попытка анализа критического пош'Дбная радиуса локализации Ь« г>г ^ с и0/;_у при приближении х переходу металл-изолятор. радиусы локализации вычислены,исходя из предположения о двумерности проводимости.

ЧЗГаьРТАд ГЛАВА «осаждена результатам измерений удзлького сопротивле;<ал пграллолыга ) и перподикулярно (А. ) Лсль - К1£о»:ородта* плоскостям п« сверхпроводящих монокристал-ловЯА Сех С (показаны на рис.4 и рис. :ДАп?лкс/мация эгих кривых дает ризу ль гати, представленные в таблице 13, отно-

- 1Г-

S [ /i V/K ]

T IK]

Ркс. 3 i. Температурные зависимости терыоэдц для

J

О// [Ohm*cmI

10

• с ■ l

10

0.3 0.2

_J_•___J ...,1-i. J.L_L_

' '__1_l„l..Uil.

10

100 T[K]

Рис- If- Темпермурше зависимости удельного сопротив-

лении монокристаллов У в

направлении параллельно плоскостям О, икфри у кривмх соответствует исходному содержания Свх .

[Ohm*cml

10

ю

10

100 T[K]

Рис.5 Температурные зависимости удельного сопротивления монокристаллов ^ £ 8 направлении перпендикулярно плоскостями^- О, цифры у кривых соответствует исходному содер-

жание Сех .

-ГУ-

Се content г. o'ientation . range Т|Я') law oararr-.emrs Л ' л 4 2К, 200К

0.05 // . 2-150 5 ■ а -1/2, "ь -sic ггок '¡О. 110

J. .29-115 Е а -т/г. Tû -1200 :200к

Д. . 5-21 с а »1/2, чЭОО 1200К

0 3 // . т «-зо;- H «1/4, т„ .320 t ЛОл' teco, /jo

J. . 19-13 £ oí «0-3. ь *б.7 : 0 2К

0.2 И . Т.9-200 Р Ü» -0 7. А-1 5 -• 0 4К " 3 5000 mon

-L . fe-i»:- Е а-1/3,.То 'бГ'О : бок

Таблица 3 . Результаты анализа кривых .

• вшше определенное экспериментально,характерно для -оильно анизотропных систем - из полученных значении То ■ ■ . мохно оценить радиусы локализации Г^ для проводимости в плоскостях Сч-0 для образца С X « 0,05; аспользуя закон ¿¡«ловсиого - Эфроса С То = 8е2 / 8 Кд [ 4.] (2 -диэлектрическая постоянная), получаем 400/В А0.

5,'сли предположить знач91ше £ ** I + 100 , тогда

^ос"4 " 40 3 плоскости С-л -0. . •

Образец с большим содержании Се (х = 0,3) дальша от перехода металл-изолятор, чем образец С (К = 0,2^лозйг быть объяснено большой степень» разупорядочности в ней - Структурной анализ ГЦ.] даат предал растворимости Се^^/^» 0,2, и для X >0,2 система становится неоднофазной. й^жно из сзморениЛ

./(Т) оудить о концентрации носителей,и возможно оделать вывода относительно парохода металл-изолятор в данной системе.

ГИТАЯ ГЛАЗА представляет собой литературшй сбэор основных представлений о}интерметалличэоких системах о тяжелыми фермионами в облаоти высоких температур. В глава тоже приводятся результаты исследования температурной завшшюотг ./(Т) в системе Се ^ ^ и Се^ ** х 1ЦЗа* . ;

Обнаружена в системе Се ^ ^ диэлектризацйя спектра, которая происходит при Т^ЬО К с характерной щвлыо (6 - 10)К» На рио.6 представлены температурные'зависимости ./ЧТ) у Сб51*®" и 1а 3)1 > ври Т » ЬСО К удельной сопротимлвнао обоих обраэ- « цов близко по ьаличине. Ушньшшьэ Т до 1,8 К прцзодат к ие-

- *б-

¿"Тадачмириыа оаоиспиости рсп У ,c«HiSn и UKiStv

таллиннскому ходу и немонотонному росту

^(Т) у СеЩав..

Исследование транспортах свойств соединения Се0,97

Ьа

0,05

На рис.? приведены температурные

зааиокмоста удельного сопротивления У (Г), коэффициента терыо-одс -541) м коэффициента тэплопроаодноота К(Т). Ксоладоаансв кинетических свойотя соединений.

Се К1

СгиеО.

- 0,1

0,1.

40

Пвгторо(тк'//К! ТПвгтв! сс<:екю'<1*н?'6 (Л/тк!

КазШМН ¡тОЬт'ст}

ао

ю

— ; " —Г-— -в «ж«««» «»-в :

! 1 {¡»^ " _ - ______ ' • * • • *

(М

ьг

0.$'

ао

+ *

40 ев

Гвтрв'в'иг» ¡К]

_и.-в--1»—4 И-

0 •о

Рис. ? Температурные 'завйсиио1.:т"и "удельного электросопротивления ( + ), коэффициента тврмвэде ( о ), коэффициент« теплопроводности ( О ) и электронного вклада в теплопроводность ( • ).

3 приводятся осковннэ результата работа.

Щ. ОСЙОлй^ РгЛЯЪТАТь! РАБОТЫ И ШЭД*. •

ч

1. При нзмароншх испольаорадась два уаганолха. Первая •установка свом> »«¡значащим тлеет автоматизированное измерение . ГАаььагоавгкагялс сдойстэ обрнспов я сопротизле.эд. Каибольааа *' голлчоство удвдыюго ссщ»тыиге;ш« било шшодяено,

И2Г.0Д13УЯ устямовку. аторая установка позволяет одкевра-

(.'.9кн0 и коуллокспо измерять удельное сопротивление, тормоз до и теплопроводность образца.

. 2. агарвьэ на одних и тек хе монокристаллах ** 2-хйг х °4-у. пРОввдано'измерение удельного сопротивления, :г(1гнэтосопротивлекия= я эффекта Холла. Вычислена кон-пекграшм, носителей тона* исследовашь кинвтическа-зо я г&львано~ иагнитккв характеристика этого образца вблкза перехода металл-» изолятор, определена, концентрации носителей, установлена преимущественная деукерность трашюрта а это» твнэ. 51СП» .

Влзрвие подробно ксследвэааа аяжотроиж удалью ГО -сопротивления ^о»'.тристаллоаК4 Са х м изодздуг»-

щйм состояли, определен характер»прилкоаэ'й0н®эе»д».:ов«в ара назких»т.екп1»ратурах.оБалооус'Тановлено> что ©бааруквкнаа зальная анизотропия транспортир оэоЗет» уодлыюется при повнпэни» концентрации носителей » прэ поииэюнв» $емпора«у|ш. Квазютз-ызркоЯ при-роде этого сс*)д»гегтав д-рмсу?;» аданно» такое» поведана«»

4. Также были иэмаре-щь а ввеледовннм зависимости» ,/ЧТ). а 'М-П У» о^раааа Са^' »» ж » ^ вычислен»

эутвктршшй э фошшшЛ вклады а тэпланроаодгюсть» Одпако-пода-тверадения в.-.зиозшит> перехода еноте«» в ¡»агнитоудоря-дочное» совтоянко при Т 5й т с^наруио-ко.. Еаб^ззаапвийсЯ' У- Се и* ®® ори Т^бСК овкспму» $о«онкой:.чоет.и- теплоароводаюста отсутствует-;,, чт«."-свидетельству? о разупорядочениовта систем.

5. ¡¡цлй асслодовано поведапиа элзктросопротичавшл •в ряду соединений Со 311 (^.^уддз Х<0 и Х>0. .Сдикш "ввзед, что получении» а результате эксперимента, дюоаю-'на соот*» вэтетауют предположения;/., следующим из измерений величины те:.лоратуры Кюри для соединений С х^О.

-1Т-

6. В рамках двух различных моделей» плотность ,

состояний с помощью одной или двух щелей». <&ш проведена ал-' проксшадия полученных результатов. Было вчяазено очень обна-дехиващов соответствие двух данных додадзЗ проведенному эк-сперих-ату. Еайдор? аномально малое значат параметра То у соединений Св Ri ( ! ■»!) Sa (I-I) оО< x$0,I •

осшшае РЕЗУЛЬТАТЫ ЖСБРШКИ ОдеЕЗЖШШМ В РАБОТАХ:

1, Д.х Али, $.1.Алиев, В. II. Воронкове, Н»К»Водолазская, В.Ко-ЕЛгоЧик, В.В. иЬцалкоз, "Анизотропия элоктршоскнх свойств . нсаоярасталлов Hd Сох C« б при низких температурах", 1ХУ1 Вовооюз.пго совещание со фкзаке шшкх тоширатур, г.До-лес?» 19 - 21 иоия I9SO, Тезисы докладов, ч.2, с.100-101.

2,- J.H.Ali. F.c.AIicv, I.V.Vodoiacskey», V.l. Yorcnkove, V.Kovacilc, V.Y. Vbsbchalkov " ¿niaotrcpy ot the transport pro-petles of Kdj^ Cex CuO^+ Single cryotale at law temperatu-ree", phyoice B, 165 - IGS (1990), 1539 - 1540.

° ЦШРОЗАНКАЯ .ВДТЗРАТУТА •

1. Bedaorz J.G., Ш1ег K.A., 2.phys.B., 19 86, V.64,p.I89.

2. ¿¿ott К.4>., "Пароход ¿шталл-изолятор", ЬЪсква, Наука, 1979.

3. rott Н.Ф., Дэвис 3. А,, „Электронные процессы в но/кристалли-чосних веществах", Москва, Ыхр, 1282.

4. ¡¡¡кловский ¿.И., Офроо А, II.,"Электронные свойства легированных полупроводников", Ыосква, Наука, 1979.

5. ЬЗощалков В.В., Брандт Н.Б., У<Ш, 1285, Т. 149, С. 585.

-«в-

6. Flak Z., Ott H.R., " Int- J.Vod.phys,I°69, V.3.P.585.

7. Allev F.G., Vlllnr R., Vieiia S., Lopet de 1«, Torre K.A. ScolozdLra V.» ?¿eple !.!.B., Suba in phys.ReT B.

8. Kyogaku i Kitaoka T., í!aka=ura H., AsajsEO K., Tokafcateke T., Teahiaa F., Fujii H., V.phys. Soc.aap.," 1990, Y.59, P.I72. .

9. Eltman B., Jaeger H.".,Kata< P.P. Hosenbaus T.P., Cooper A.3.

Espinosa G.P., " phys.P.e* £., I9&9, V.39, 1» 13, FP.90I2 - 9016

10. Koike T. et al., " J.phys.Soe.Japan, 1965, v.5*, P.7I3.

11. Tarascón J.M., et el", phys .Rev.B., 1989, t.40, p.449*.

v