Сканирующая зондовая микроскопия микро- и наноструктур, сформированных на поверхности кремния и диоксида кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.17 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I

Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия на воздухе микро- и наноструктур на поверхности кремния

Введение к главе I.

1.1. Физико-химические свойства поверхности пассивированного кремния.

1.2. Сканирующей туннельный микроскоп-спектроскоп и его модификации для исследований на воздухе и в инертной атмосфере (основные конструктивные особенности, технические решения, экспериментальные возможности).

1.3. Особенности СТМ и СТС измерений на воздухе кремния, пассивированного методом гидрогенизации.

1.3.1. Вольт-амперные характеристики и абсолютные расстояния игла - образец при СТМ-измерениях кремния на воздухе.

1.3.2. Механизмы протекания тока в зазоре игла СТМ -поверхность 81 в атмосферных условиях.

1.4. Микро- и наноструктуры, сформированные на поверхности кремния ионными и лазерными пучками.

1.4.1. Визуализация с помощью СТМ наноструктур на поверхности 81, полученных высокодозовой имплантацией ионов группы железа.

1.4.2. Субмикронные периодические структуры, сформированные на поверхности имплантированного кремния с помощью импульсного интерференционного лазерного воздействия.

4.1. Методики изучения in situ с помощью АСМ кинетики химического травления диоксида кремния. 237

4.2. Исследование с помощью АСМ кинетики химического травления субмикронных пленок диоксида кремния, имплантированных ионами фосфора. 251

4.3. Кинетика химического травления и структура приповерхностных слоев Si02, содержащих наночастицы железа.262

4.4. Изучение с помощью АСМ in situ процессов формирования микроструктур на кремнии при жидкостном фототравлении. 294

Заключение к главе IV.300

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ. 303

Список публикаций автора по теме диссертации. .306

Список цитируемой литературы. 314 6

ВВЕДЕНИЕ

Сканирующая зондовая микроскопия - один из наиболее интенсивно развивающихся в настоящее время методов, используемых в современных исследованиях физики и химии поверхности. Достаточно сказать, что начиная с 1982 года, когда появились пионерские работы [1,2], число опубликованных работ, в которых использовались различные методы зондовой микроскопии, уже превышает несколько тысяч [3]. Этой тематике посвящено большое количество обзорных статей [4 - 21, All, А16], появились первые зарубежные монографии, посвященные этой проблеме [22 - 25].

Стремительное развитие этого направления обусловлено рядом факторов:

1. Идея перемещения сверхострой иглы - зонда вдоль поверхности образца оказалась весьма плодотворной для отображения с нанометровым (часто и с ангстремным) разрешением различных характеристик поверхности: топографических, магнитных, электрических, адгеизионных, упругих, триболо-гических и других. Существенно, что такие измерения можно проводить не только в вакууме, но и в газообразной или жидкой среде.

2. Развитие современной науки подошло к рубежу, на котором экспериментальные исследования проводятся уже в нанометровом и ангстремном масштабе измерений, то есть фактически с отдельными молекулами и атомами. Зондовые микроскопы с их сверхвысоким разрешением оказались незаменимыми для таких исследований, в частности, для изучения физико-химических процессов на поверхности твердых тел: адсорбции, десорбции, гетерогенного катализа.

3. Кроме изучения свойств отдельных атомов и молекул, впервые появилась возможность манипулировать ими, создавая структуры заданной конфигурации, что открывает реальные перспективы для конструирования наноструктур и наноустройств с заданными физическими, химическими и функциональными характеристиками. 7

4. Как химики, так и физики сейчас большое внимание уделяют созданию и изучению новых наноструктурированных материалов с уникальными свойствами, важными для практического использования. Зондовый микроскоп стал одним из основных инструментов для исследования как химических, так и физических свойств таких наноматериалов.

5. Наконец, такие микроскопы оказались крайне необходимыми для обеспечения контроля за технологическими процессами и качеством изделий в современном производстве элементной базы электроники и средств хранения информации, элементы топологии которых имеют субмикронные и наномет-ровые размеры.

Все вышеперечисленное характеризует актуальность использования сканирующей зондовой микроскопии как для фундаментальных, так и для прикладных исследований широкого круга объектов и явлений.

Возможность регистрации самых различных характеристик поверхности привела к тому, что в настоящее время существует целое семейство микроскопов, объединенных под общим названием сканирующий зондовый микроскоп (СЗМ). Большая часть из них представлена на схеме (рис. В1). В основе практически всех таких микроскопов лежит принцип построчного перемещения сверхострой иглы вдоль поверхности (сканирование). При изучении различных свойств поверхности используются проводящие, магнитные, полупроводниковые, алмазные иглы, а также иглы в виде заостренного световолокна. СЗМ можно разбить на три основные группы, отличающиеся между собой принципами отображения поверхности: сканирующие туннельные микроскопы (СТМ) с использованием методов сканирующей туннельной спектроскопии (СТС), сканирующие силовые микроскопы (ССМ) и сканирующие близкопольные оптические микроскопы (СБОМ). Современные СЗМ за счет использования сменных блоков могут быть легко трансформированы в СТМ, ССМ или СБОМ. Отдельно необходимо выделить такую область применения СЗМ как нанолитография, где в последние годы получены уникальные результаты. Существенным фактором для зондовой микроскопии является среда. 8

Рис. В1. Схема различных модификаций сканирующих зондовых микроскопов (1): 2 - сканирующий туннельный микроскоп , 3 - сканирующий силовой микроскоп, 4 - сканирующий ближнепольный оптический микроскоп, 5 - сканирующий туннельный микроскоп/спектроскоп для работы в газовой среде, 6 -сканирующий туннельный микроскоп/спектроскоп для работы в сверхвысоком вакууме, 7 - сканирующий туннельный микроскоп для работы в жидкости (электрохимический СТМ), 8 - атомно-силовой микроскоп для работы в газовой среде, 9 - атомно-силовой микроскоп для работы в сверхвысоком вакууме, 10 - атомно-силовой микроскоп для работы в жидкости, 11 - сканирующий ре-зистивный микроскоп, 12 - сканирующий емкостной микроскоп, 13 - сканирующий зондовый микроскоп Кельвина, 14 - магнитно-силовой микроскоп, 15 -магнитно-резонансный силовой микроскоп, 16 - сканирующий микроскоп сил трения, 17 - сканирующий микроскоп упругих сил (микроскоп модуля Юнга), 18 - сканирующий микроскоп адгезионных сил, 19 - сканирующий тепловой микроскоп, 20 - сканирующий акустический микроскоп, 21 - микроскоп сдвиговых сил, 22 - сканирующий магнитно-оптический микроскоп, 23- нанолито-графия с помощью СЗМ. Штриховкой отмечены методы, использовавшиеся в настоящей работе. 9 в которой проходят измерения. Она определяет не только физико-химические свойства поверхности образца, но и конструктивные особенности СЗМ и его экспериментальные возможности. Как уже упоминалось, принципиальным достоинством СЗМ по сравнению с электронными микроскопами является возможность проводить измерения в газообразной и жидкой среде. В то же время большинство экспериментов с атомарным разрешением выполнены в сверхвысоком вакууме (СВВ), с давлением ниже Ю-10 Topp. Необходимо отметить, что для реализации уникальных экспериментов по перемещению с помощью СЗМ отдельных атомов на поверхности и измерению сверхмалых сил взаимодействия иглы с образцом необходимы низкие температуры (вплоть до 1°К), что привело к созданию специализированных низкотемпературных микроскопов.

Наибольшее число модификаций насчитывают ССМ - сканирующие силовые микроскопы (рис. В1). Среди них: атомно-силовые микроскопы (АСМ) для работы в различных средах (8 - 10); микроскопы для изучения электрических характеристик поверхности как в контактном (11), так и в бесконтактном режиме (12, 13); микроскопы, отображающие магнитные свойства поверхности (14) и позволяющие регистрировать ядерный и магнитный резонанс от микро- и нанообъектов (15); микроскопы для изучения трибологических (16), упругих и пластических (17), адгезионных (18) свойств поверхности. С помощью таких микроскопов можно изучать распределение тепловых полей (19) и акустических стоячих волн вдоль поверхности (20).

Отдельное место среди СЗМ занимает недавно изобретенный МСС -микроскоп сдвиговых сил (shear force microscope), который сочетает в себе достоинства ССМ и СБОМ. Хотя он уже несколько лет используется в экспериментальных исследованиях, до сих пор еще нет однозначного объяснения механизмов взаимодействия иглы с поверхностью в микроскопе сдвиговых сил.

Среди ближнепольных оптических микроскопов (СБОМ) необходимо отметить сканирующий магнитооптический микроскоп (СМОМ), который позволяет изучать магнитные свойства поверхности за счет магнитооптического эффекта Керра.

10

Даже такое краткое перечисление существующих модификаций СЗМ отражает их уникальные возможности для исследования поверхности твердых тел. Из всего разнообразия методов зондовой микроскопии в настоящей работе использовались четыре (на рис. В1 они заштрихованы): СТМ/СТС-измерения на воздухе и в заданной газовой атмосфере; АСМ-исследования на воздухе и в жидкой среде; магнитно-силовые измерения.

Еще одним важным преимуществом СЗМ является возможность проведения измерений в режиме in situ, то есть изучение процессов в реальном масштабе времени. Это особенно актуально для исследования кинетики различных физико-химических явлений на поверхности.

При изучении поверхности с помощью СЗМ возникли проблемы на стыке химических и физических представлений о природе и свойствах поверхности твердых тел. Уже первые экспериментальные исследования с помощью СЗМ показали, что одной из актуальных задач зондовой микроскопии является корректная интерпретация результатов. Насколько получаемые с помощью таких микроскопов изображения отражают реальные характеристики поверхности? Другими словами, что же мы на самом деле "видим" с помощью СЗМ? Соотнесение наблюдаемых с помощью СЗМ изображений с существовавшими представлениями о поверхности порой входили в серьезное противоречие. В качестве примеров можно упомянуть: эффекты гигантской атомарной гофрировки поверхности при СТМ исследованиях пиролитического графита, намного превышающей реальную; так называемое "атомарное разрешение" при контактных измерениях в сканирующей силовой микроскопии иглой, радиус кончика которой более десяти нанометров; сильно искаженное АСМ-отображение морфологии наноструктурированных поверхностей с развитым рельефом, обусловленное эффектом свертки игла-поверхность; эффекты "прилипания" иглы АСМ к поверхности из-за адсорбированных слоев воды. Эти и другие достаточно известные примеры артефактов в зондовой микроскопии вызваны особенностями взаимодействия основного элемента микроскопа -нанометрового острия (иглы СЗМ) с поверхностью, которые в свою очередь связаны как с физическими, так и химическими явлениями, сопровождающими

11 процесс получения изображений. Последние особенно существенны для наиболее широко распространенных СЗМ-измерений в атмосферных условиях, когда поверхность многих материалов покрыта слоем слабосвязанных молекул, адсорбированных из воздуха, и окисными пленками, препятствующими получению достоверных данных о поверхности с нанометровым пространственным разрешением.

Другая особенность зондовой микроскопии - вклад в формирование изображения одновременно нескольких видов взаимодействия иглы с образцом, что осложняет анализ получаемых результатов. В связи с этим проблема получения достоверных изображений с помощью СЗМ и их корректная интерпретация была одной из основных в сканирующей зондовой микроскопии к моменту начала исследований автора в этой области (1989 г.). В это же время зарождалось новое научное направление - физика и химия наноструктур. Были все основания предполагать, что с помощью более совершенных методов зондовой микроскопии можно получить новые данные о природе наноструктури-рованных материалов, глубже понять механизмы формирования микро- и наноструктур на поверхности твердых тел.

В связи с вышеизложенным, исследования, представленные в диссертационной работе, были направлены на решение следующих задач.

1. Разработка и физико-химическое обоснование новых методов сканирующей зондовой микроскопии, обеспечивающих достоверное отображение поверхности с нанометровым разрешением в газообразной и жидкой среде, включая методы, позволяющие изучать in situ кинетику химических и фотохимических процессов на границе жидкость-твердое тело.

2. Изучение с помощью СЗМ микро- и наноструктур, полученных различными физическими и химическими методами, включающими ионное облучение, импульсное лазерное воздействие, коалесценцию, гидрогенизацию, жидкостное химическое травление, фототравление. Целью таких исследований являлось выяснение особенностей физических и химических свойств материалов, обусловленных нанометровыми размерами составляющих их структурных элементов; обоснование перспективности использования таких сред и

12 методов для сверхплотной записи и хранения информации. 3. На первоначальном этапе исследований одной из задач являлась разработка и создание сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) для исследований на воздухе или в инертной газовой атмосфере.

Для более глубокого понимания природы наноструктур дополнительно привлекались другие физические и химические методы исследований: магнитная и оптическая спектроскопия, электронная микроскопия, рентгеноструктур-ный анализ, магнитооптические методы исследований, Мессбауэровская спектроскопия, селективное химическое травление. Одной из особенностей диссертации является широкое применение методов компьютерного моделирования изображений, получаемых с помощью СЗМ. Использование комплекса экспериментальных методов и компьютерного моделирования позволило обеспечить достоверность полученных результатов и корректность моделей, описывающих структуру исследуемых веществ и процессы на их поверхности.

Выбор объектов исследований определялся их перспективностью для создания новых материалов с рекордными характеристиками (например, для сверхплотной оптической или магнитной записи информации), а также их важностью с точки зрения практического использования. В первом случае - это магнитные наночастицы металлов, которые могут послужить основой для создания магнитных, магнитооптических и так называемых квантованных маг

1 Л Л нитных дисков с плотностью записи информации до 10,ибит/см . Во втором -кремний и диоксид кремния - это материалы, наиболее широко используемые при создании элементной базы современной микро- и наноэлектроники. Очевидно, что методы их изучения и новые знания об их свойствах имеют, большую научную и практическую ценность.

На защиту выносятся следующие основные результаты и положения:

1. Разработано несколько модификаций сканирующих туннельных микроскопов (СТМ), с помощью которых можно на воздухе и в заданной атмосфере исследовать поверхность металлов и полупроводников с нанометровым про

13 странственным разрешением. Использование интегрального токового параметра позволило одновременно получать данные о микротопографии и электронных свойствах исследуемого участка поверхности. В частности, таким образом впервые были визуализированы субмикронные периодические изменения проводимости в приповерхностном слое имплантированного кремния, вызванные локальным фазовым переходом аморфного кремния в кристаллическое состояние при импульсном интерференционном лазерном отжиге.

2. С помощью экспериментальных исследований и теоретического анализа установлено, что необычные свойства контакта между иглой СТМ и поверхностью кремния на воздухе обусловлены слабосвязанными, рыхлыми адсорбатами, покрывающими поверхность кремния и иглу СТМ. Формирование адсорбированных слоев на игле СТМ и образце может происходить на воздухе под действием электрического поля между иглой СТМ и образцом. Показано, что, анализируя процессы протекания тока в СТМ, можно судить о степени химической очистки и пассивации поверхности кремния.

3. Экспериментальные исследования и компьютерное моделирование доказывают, что разработанный новый метод численной деконволюции существенно повышает точность отображения объектов нанометрового размера с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) за счет снижения (а при определенных условиях полного устранения) искажений, вызванных эффектом свертки между иглой АСМ и рельефом поверхности. С помощью этого же метода можно восстановить форму иглы АСМ, используемой в эксперименте.

4. С помощью комплекса экспериментальных методов установлено, что при высокодозовой имплантации ионов Fe+ в Si02 в нем формируются металлические наночастицы a-Fe, форма и размеры которых зависят от дозы облучения. При этом возможно получение как суперпарамагнитных, так и ферромагнитных наночастиц a-Fe.

14

5. Экспериментально обнаружено, что наносекундный лазерный отжиг радиационных дефектов в ферромагнитных наночастицах a-Fe приводит к упорядочению их кристаллической структуры и увеличению коэрцитивной силы. Миллисекундный световой отжиг или обычный термоотжиг в бескислородной атмосфере при температуре выше 500° С приводят к превращению на-ночастиц a-Fe в a-Fe203 за счет их взаимодействия с кислородом матрицы.

6. Среды на основе диоксида кремния, в приповерхностном слое которых ионной бомбардировкой сформированы наночастицы a-Fe, могут быть использованы для записи оптической информации в бинарном виде с плотностью не менее 107 бит/см2.

7. Экспериментально с помощью методов атомно- и магнитно-силовой микроскопии доказано, что при коалесценции островковой пленки Ni на поверхности кварцевого стекла формируются изолированные однодоменные ферромагнитные наночастицы Ni.

8. Экспериментальные исследования показали, что разработанные новые методы зондовой микроскопии позволяют in situ изучать кинетику процессов жидкостного химического травления, с высокой точностью определять абсолютные скорости травления Si02 в HF, оценивать глубину проникновения имплантируемых ионов в Si02.

9. С помощью зондовой микроскопии, оптических и магнитных исследований установлено, что особенности трансформации поверхности двухфазных наноструктур Si02 - a-Fe в процессе жидкостного травления в HF обусловлены преимущественным растворением наночастиц a-Fe. Обнаружено, что механическое воздействие иглы АСМ на поверхность приводит к локальному ускорению процесса жидкостного травления.

10.Впервые экспериментально продемонстрировано, что с помощью АСМ in situ, в реальном масштабе времени, можно исследовать формирование микро- и нанорельефа на поверхности Si в процессе жидкостного фототравления Si под действием лазерного света.

15

Основные результаты, представленные в диссертационной работе, были получены впервые или независимо от других исследователей в группе сканирующей туннельной и силовой микроскопии КФТИ КНЦ РАН под руководством автора диссертации. Следует также отметить, что в свое время некоторые результаты, представленные в настоящей работе, оказали заметное влияние на понимание физико-химических особенностей получения изображений в СЗМ, продемонстрировали возможности СЗМ для изучения наноструктур, что послужило толчком для других научных коллективов начать исследования в этой области с помощью СЗМ.

Научная новизна работы заключается в следующем.

1. Установлено, что необычно большие для прямого квантового туннелирова-ния зазоры (более 5 нм) и аномально низкие высоты потенциальных барьеров (менее 0.5 эВ) обусловлены слабосвязанными, рыхлыми адсорбатами, покрывающими поверхность кремния и иглу СТМ на воздухе. Обнаружено, что формирование адсорбированных слоев на игле СТМ и образце может происходить на воздухе под действием электрического поля между иглой СТМ и образцом.

2. Впервые было продемонстрировано, что с помощью СТМ можно успешно изучать модификацию поверхности Si при высокодозовой имплантации ионов металлов, получая на воздухе стабильные СТМ-изображения с наномет-ровым разрешением без специальной пассивации поверхности Si.

3. Впервые визуализированы периодические изменения проводимости в приповерхностном слое имплантированного кремния, вызванные локальным фазовым переходом аморфного кремния в кристаллическое состояние при импульсном интерференционном лазерном отжиге.

4. Предложен, теоретически обоснован и экспериментально проверен новый метод численной деконволюции, позволяющий снизить, а при определенных условиях полностью устранить эффект свертки между иглой АСМ и рельефом поверхности.

5. Независимо от других исследователей показано, что при высокодозовой им

16 плантации ионов Fe+ в приповерхностном слое Si02 формируются отдельно расположенные металлические наночастицы a-Fe, размеры и форма которых зависят от дозы облучения. Проведено комплексное исследование оптических, магнитных и структурных свойств таких наноматериалов.

6. Впервые обнаружено, что наносекундный лазерный отжиг ферромагнитных наночастиц a-Fe, диспергированных в плавленном кварце, приводит к увеличению их коэрцитивной силы и упорядочению кристаллической структуры.

7. Впервые путем сравнения соответствующих топографических и магнитных изображений, полученных с помощью атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопии, а также с помощью компьютерного моделирования магнитных изображений, было показано, что частицы Ni размером менее 100 нм, полученные методом коалесценции, являются однодоменными и легко пе-ремагничиваются в направлении внешнего поля, сохраняя однородную намагниченность.

8. Впервые с помощью атомно-силовой микроскопии в режимах in situ и ex situ исследовано селективное жидкостное травление двухфазных наноструктур на основе диоксида кремния, содержащего заглубленные диспергированные наночастицы a-Fe. Предложена модель, объясняющая трансформацию поверхности, изменение оптических и магнитных свойств таких наноструктур в процессе химического травления.

Практическая ценность результатов работы.

1. Создано несколько модификаций СТМ для исследования проводящих образцов на воздухе и в заданной атмосфере с нанометровым разрешением. Они позволяют одновременно получать изображения, отражающие микротопографию и распределение электрических характеристик одного и того же участка поверхности. Было продемонстрировано, что это может быть использовано для контроля за процессами рекристаллизации имплантированного Si. Показано также, что анализируя зависимость тока в СТМ от величины зазора игла - образец, можно судить о степени химической очистки

17 и пассивации поверхности.

2. На примере АСМ-исследований сферических наночастиц латекса и никеля, сформированных на поверхности диоксида кремния, экспериментально доказана работоспособность и эффективность нового метода компьютерной деконволюции. Он может быть рекомендован для обработки АСМ-изображений и получения более достоверных изображений поверхностей с развитым рельефом. Этим же методом, используя образцы с наночастицами в качестве тестовых, можно определять форму иглы АСМ.

3. Показано, что стекла с заглубленными наночастицами a-Fe могут быть использованы как среды для записи сфокусированным лазерным излучением

7 2 бинарной оптической информации с плотностью, не ниже 10 бит/см .

4. Продемонстрировано, что путем коалесценции можно получать отдельно расположенные однодоменные частицы Ni, которые могут послужить основой для создания квантованных магнитных дисков памяти.

5. Разработаны новые методы изучения in situ с помощью АСМ кинетики жидкостного травления, позволяющие с высокой точностью определять абсолютные скорости травления Si02 в HF. По кривым, отражающим кинетику травления, можно установить глубину проникновения ионов в Si02 при имплантации.

6. Впервые показано, что с помощью АСМ in situ, в реальном масштабе времени, можно исследовать процессы формирования микро- и нанорельефа на поверхности Si в процессе его жидкостного фототравления под действием лазерного света.

Разработанные методики исследования in situ жидкостного химического травления и фототравления имеют важное практическое значение, так как они максимально приближены к реальным технологиям, используемым в микроэлектронике.

На основе материалов, изложенных в диссертации, подготовлен курс лекций "Атомы и молекулы на поверхности", в течение нескольких лет читаемый автором на кафедре химической физики физического факультета Казанского государственного университета.

18

Ряд результатов исследований, проведенных в рамках диссертационной работы и посвященных изучению наночастиц металлов в диоксиде кремния, были включены в Перечень важнейших достижений по АН СССР в области естественных наук.

Большая часть исследований выполнялись в рамках проектов РФФИ, ГНТП "Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники" и МНТП "Физика твердотельных наноструктур". В настоящее время под руководством автора выполняются проекты: "Разработка методов контроля in situ с помощью атомно-силовой микроскопии процессов химического травления в технологии микро- и нанолитографии" (Мин. науки РФ. № 02.04.3.1.40.Э.22); "Процессы магнитного упорядочения в планарных магнитных наноструктурах" (Мин. науки РФ, № 99-1137); "Атомно-силовая микроскопия in-situ поверхности многокомпонентных материалов при процессах коррозии и травления" (РФФИ, № 98-03-32753); Российско-Израильский проект "Реконструкция поверхности".

Апробация работы.

Основные результаты диссертации доложены:

На Международных конференциях: Scanning tunneling microscopy (Germany, Chemnitz, 1991); Scanning tunneling microscopy (Switzerland, Interlaken, 1991; Germany, Hamburg, 1997); "NANO 2" (Москва, 1993); "NANO 3" (USA, Denver, 1994); Scanning microscopy meeting (USA, Houston, 1995, Bethesda, 1996); 1st and 2nd International Conference of Physics of Low Dimensional Structure (Russia, Chernogolovka, 1993, Dubna, 1995); 6th European Conference on Application of Surface and Interface Analysis (Switzerland, Montreux, 1995); International Symposium Nanostructures -96, -97, -98 (St. Petersburg 1996, 1997, 1998); SCANNING 1998 (USA, Baltimor,1998); XVI школа - семинар по новым магнитным материалам микроэлектроники (Москва, 1998).

На Всесоюзных и Всероссийских конференциях, симпозиумах и совещаниях: Конференция по магнитному резонансу в конденсированных средах (Казань, 1984); IV симпозиум по свойствам малых частиц и островковых металлических пленок (Сумы, 1985); Оптические и спектральные свойства стекол

19

Рига, 1986); Ионно-лучевая модификация материалов (Черноголовка, 1987); XI школа-семинар по новым магнитным материалам микроэлектроники (Ташкент, 1988); Применение магнитного резонанса в народном хозяйстве (Казань, 1988); XX совещание по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1990); XIV, XVI, XVII конференции по электронной микроскопии (Суздаль, 1990,Черноголовка 1996, 1998); VIII, X, XI симпозиумы по растровой электронной микроскопии (Черноголовка 1993, 1997, 1999); Микроэлектрони-ка-94 (Звенигород, 1994); Микро- и наноэлектроника-98/99 (Звенигород, 1999); Зондовая микроскопия 98, -99 (Нижний Новгород, 1998, 1999); Химия поверхности и нанотехнология (Санкт-Петербург - Хилово, 1999).

Материалы выступлений опубликованы в тезисах и трудах вышеперечисленных конференций.

Результаты работы доложены на научных семинарах: Немецко-Российский семинар по сканирующей туннельной микроскопии (Казанский физико-технический институт, 1991), Научный семинар по программе "Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлектроники" (Физико-технологический институт РАН, Москва, 1997), а также в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (Санкт Петербург, 1993) и в Институте прикладной физики РАН (Нижний Новгород, 1992). Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из четырех оригинальных глав, в каждой из которых по четыре параграфа, посвященных проблемам исследования с помощью СЗМ микро- и наноструктур, сформированных на поверхности Si и SiCb различными химическими и физическими методами. Каждая глава имеет вводную часть и заключение, в которой сформулированы основные результаты по данной главе. Общие выводы сформулированы отдельно в конце диссертации.

Первая глава посвящена анализу физико-химических свойств поверхности кремния на воздухе, созданию СТМ, позволяющего проводить исследования проводящих образцов с нанометровым разрешением на воздухе и инертной атмосфере, изучению с его помощью физико-химических явлений в зазоре игла СТМ - Si, исследованию микро- и наноструктур, сформированных на Si ион

20 ными пучками и импульсным лазерным излучением.

Вторая глава посвящена особенностям отображения поверхности с развитым рельефом с помощью АСМ. Особое внимание уделяется эффектам свертки игла АСМ - поверхность образца и получению более достоверных результатов с помощью деконволюции. В ней излагается новый метод реконструкции поверхности по ее АСМ-изображению с помощью компьютерной деконволюции, проводится его теоретическое обоснование и экспериментальная проверка.

В третьей главе излагаются результаты комплексного исследования наноструктур, содержащих в приповерхностном слое Si02 или на его поверхности наночастицы Fe или Ni. При этом наряду с методами зондовой микроскопии широко используются другие экспериментальные методы, что гарантирует высокую степень достоверности получаемых результатов.

Наконец, четвертая глава целиком посвящена разработке новых методов исследования с помощью АСМ физико-химических процессов на границе жидкость - твердое тело и изучению с их помощью структуры наноматериалов и кинетики процессов их травления и растворения.

Объем диссертации составляет 338 страниц, из них 83 - рисунки. Список цитируемой литературы включает 340 наименований.

Публикации. Основные результаты диссертации отражены в 74 работах. Из них: 24 - статьи, опубликованные в отечественных и зарубежных журналах, 3 - авторские свидетельства и патент, 11 - статьи, опубликованные в сборниках, трудах конференций и как препринты, 36 - тезисы докладов конференций.

Личный вклад автора в опубликованных с соавторами работах:

- постановка задач и формулировка основных экспериментальных и теоретических методов их решения;

- участие в создании экспериментальных установок и проведении экспериментальных исследований;

- анализ полученных результатов и их интерпретация, разработка теоретических моделей исследуемых явлений.

21

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В области разработки аппаратуры и новых методов сканирующей зондовой микроскопии:

1. Создано несколько модификаций сканирующих туннельных микроскопов (СТМ) для работы на воздухе и в заданной атмосфере. СТМ позволяют получать данные о микротопографии и электронных свойствах поверхности металлов и полупроводников с нанометровым пространственным разрешением. С их помощью впервые визуализированы, в частности, периодические изменения проводимости в приповерхностном слое имплантированного кремния, вызванные локальным фазовым переходом аморфного кремния в кристаллическое состояние при импульсном интерференционном лазерном отжиге.

2. Показано, что, анализируя изменение тока от величины зазора между иглой СТМ и образцом, можно судить о степени химической очистки и пассивации поверхности кремния.

3. Предложен, теоретически обоснован и экспериментально проверен при исследовании наночастиц новый метод численной деконволюции (реконструкции изображения поверхности), позволяющий существенно повысить точность отображения объектов нанометрового размера с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ). В частности, он позволяет определять форму иглы АСМ.

4. Разработаны новые методы изучения in situ с помощью АСМ кинетики жидкостного химического травления твердых тел, позволяющие, в частности, определять абсолютные скорости травления Si02 в HF и оценивать глубину проникновения имплантируемых ионов в Si02. Экспериментально показано, что с помощью таких методов можно исследовать формирование микро- и нанорельефа на кремнии при его жидкостном фототравлении.

304

В области исследования физико-химических свойств наноматериалов и изучения процессов формирования микро- и наноструктур:

5. С помощью комплекса экспериментальных методов установлено, что при имплантации ионов Fe+ в SÍO2 формируются металлические наночастицы a-Fe, форма и размеры которых зависят от дозы облучения. При этом возможно получение как суперпарамагнитных, так и ферромагнитных на-ночастиц a-Fe. Впервые обнаружено, что наносекундный лазерный отжиг ферромагнитных наночастиц a-Fe приводит к упорядочению их кристаллической структуры и увеличению коэрцитивной силы, а миллисекундный световой отжиг или обычный термоотжиг при температуре выше 500° С превращает наночастицы a-Fe в a-Fe203.

6. Впервые с помощью атомно-силовой микроскопии в режимах in situ и ex situ исследовано селективное жидкостное травление двухфазных наноструктур Si02 с наночастицами a-Fe, полученными ионной бомбардировкой. В результате комплекса физико-химических исследований предложена модель, которая объясняет трансформацию поверхности, изменение оптических и магнитных свойств Si02 с наночастицами a-Fe при жидкостном травлении. Установлено, что механическое воздействие иглы АСМ на поверхность приводит к локальному ускорению процесса травления.

7. Впервые методом интерференционного лазерного испарения на поверхности стекла с наночастицами a-Fe сформированы субмикронные периодические структуры. Показано, что такое стекло можно в принципе использовать как среду для записи бинарной оптической информации с плотно

7 2 стью не менее 10 бит/см .

8. Впервые методами атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопии исследованы изолированные наночастицы Ni на Si02, полученные методом коалесценции. Показано, что наночастицы Ni с размерами менее 100 нм, являются однодоменными. Они легко перемагничиваются в направлении внешнего поля, сохраняя однородную намагниченность. Для более крупных аксиальных частиц Ni характерно увеличение степени однородности намаг

305 ничивания в магнитном поле, однако, направление суммарной намагниченности таких частиц определяется анизотропией их формы, а не внешним полем.

9. Экспериментальные исследования и теоретический анализ ВАХ - вольт-амперных характеристик и /(5) - зависимостей тока от изменения диэлектрического зазора между иглой СТМ и поверхностью 81 позволили установить, что необычно большие для прямого квантового туннелирования зазоры (более 5 нм) и низкие высоты потенциальных барьеров (менее 0.5 эВ) обусловлены слабосвязанными, рыхлыми адсорбатами, покрывающими поверхность кремния и иглу СТМ на воздухе. Преобладающий механизм проводимости в этом случае характеризуется значительно более слабой зависимостью /(5), чем при прямом квантовом туннелировании сквозь потенциальный барьер между иглой СТМ и образцом. ВАХ и 1(8), рассчитанные для такого случая в рамках модели эмиссии Шоттки, показали хорошее согласие с экспериментальными данными. В то же время не исключено, что основную роль в понижении барьера играют адсобированные из воздуха на игле и образце полярные молекулы воды. В этом случае, так же, как и для эмиссии Шоттки, возможен надбарьерный механизм транспорта электронов. Обнаружено, что формирование адсорбированных слоев на игле СТМ и образце может происходить на воздухе под действием электрического поля между иглой СТМ и образцом.

Ю.Впервые было показано, что после имплантации ионов металлов группы железа в можно получать на воздухе стабильные СТМ-изображения на-норельефа на поверхности имплантированного 81 без дополнительной пассивации. Это обусловлено формированием при имплантации на поверхности 81 низкоомного химически стойкого слоя силицидов.

306

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

СТАТЬИ В ЖУРНАЛАХ

Al. Бухараев A.A., Казаков A.B., Манапов P.A. Хайбуллин КБ., Яфаев Н.Р. Структурные особенности стекла, имплантированного железом. // Физика и химия стекла 1986. т. 12. в.З. с. 376-378.

А2. Бухараев A.A., Казаков A.B., Хайбуллин КБ., Яфаев Н.Р. Получение ферромагнитных слоев методом ионной имплантации // Электронная техника, серия 7. 1990. в.5 (162). с. 19-21.

A3. Бухараев A.A., Назаров A.B., Петухов В.Ю., Салихов K.M. Исследование поверхности имплантированного кремния с помощью сканирующего туннельного микроскопа // Письма в ЖТФ. 1990. т. 16. № 6. с. 8-11.

A4. Казаков A.B., Бухараев A.A., Манапов P.A., Хайбуллин И.Б. Формирование ферромагнитных частиц в оксидной пленке кремния при бомбардировке ионами Зс1-металлов // Письма в ЖТФ. 1990. т. 16. № 6. с. 39-42.

А5. Казаков A.B., Бухараев A.A. Изменение магнитной кристаллической анизотропии малых частиц a-Fe при лазерном отжиге // Поверхность. 1991. №9. с. 159-160.

А6. Бухараев A.A., Казаков A.B., Манапов P.A., Хайбуллин И.Б. Магнитные и оптические свойства поверхностных слоев SÍO2, содержащих малые ферромагнитные частицы a-Fe, полученные ионной бомбардировкой // ФТТ. 1991. т.ЗЗ. №4. с. 1018-1026.

А7. Бухараев A.A., Губайдуллин Ф.Ф., Назаров A.B., Бердунов Н. В. Локальная модификация поверхности имплантированного кремния с помощью сканирующего туннельного микроскопа // Письма в ЖТФ. 1992. т. 18. в.7. с.53-56.

А8. Bukharaev A.A., Gubydullin F.F., Lobkov V.S., Nazarov A.V., Berdunov N.V. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of silicon surfaces after ion and laser modification // Physica Status Solidy (a). 1992. N.131. P. 79-87.

A9. Бухараев A.A., Губайдуллин Ф.Ф., Назаров A.B., Лобков B.C. Бердунов H. В. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия поверхности имплантированного кремния после импульсного лазерного и электронного воздействия//Поверхность. 1993. №4. с. 104-110.

А10. Бухараев A.A. Исследование с помощью туннельной и атомно-силовой микроскопии поверхностей, модифицированных ионными и лазерными пучками // Успехи физических наук. 1996. т. 166. № 2. с. 210-213.

Al Бухараев A.A. Диагностика поверхности с помощью сканирующей туннельной микроскопии (обзор) // Заводская лаборатория. 1994. № 10. с. 15-26.

А12. Бухараев А.А., Самарский Е.А., Яндуганов В.М., Бердунов Н. В., Антонов П.Г. Аномальные явления при исследовании поверхности кремния на воздухе с помощью сканирующего туннельного микроскопа // Поверхность 1994. № 12. с. 69-79.

А13. Бухараев А.А., Лобков B.C., Яндуганов В.М., Самарский Е.А., Бердунов Н.В. Сканирующая зондовая микроскопия дифракционных решеток, сформированных лазерным излучением // Оптика и спектроскопия. 1995. т. 79. №3. с.417-425.

А14. Бухараев А.А., Лобков B.C., Яндуганов В.М., Самарский Б.А., Бердунов Н.В. Атомно-силовая микроскопия субмикронных структур, сформированных ионными и лазерными пучками // Письма в ЖТФ. 1995. т. 21. №15. с.72-76.

А15. Bukharaev А.А., Janduganov V.M., Samarsky Е.А., Berdunov N.V. Atomic force microscopy of laser induced sub-micrometer periodic structures on implanted fused silica and silicon // Applied Surface Science. 1996. V. 103. N.l. P. 49-54.

A16. Бухараев А.А., Овчинников Д.В., Бухараева А.А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии (обзор) // Заводская лаборатория. 1997. № 5. с. 10-27.

А17. Bukharaev A.A., Janduganov V.M., Samarsky Е.А., Berdunov N.V., Antonov P.G. Effects of stimulated adsorption in scanning tunneling microscopy investigation of Si surface in ambient air // Journal Vacuum Science and Technology В 1995. V.13. N3. P. 1274-1279.

A18. Бухараев А.А., Куковицкий Б. Ф., Овчинников Д. В., Саинов Н. А., Нурга-зизов Н.И. Сканирующая силовая микроскопия каталитических частиц никеля, полученных из углеродных нанотруб // ФТТ. 1997. т. 39. № 7. с. 2065-2072.

А19.Бухараев А.А., Бердунов Н.В., Овчинников Д.В., Салихов КМ. ССМ-метрология микро- и наноструктур // Микроэлектроника. 1997. т. 26. №3. с. 163-175.

А20. Бухараев А.А., Овчинников Д.В., Нургазизов Н.И., Куковицкий Е.Ф., Кляйбер М., Вейзендангер Р. Исследование микромагнетизма и перемаг-ничивания наночастиц Ni с помощью магнитного силового микроскопа // ФТТ. 1998. т. 40. №7. с. 1277-1283.

А21 .Бухараев А.А., Бухараева А.А., Нургазизов Н.И., Овчинников Д.В. Изучение с помощью атомно-силового микроскопа in-situ химического травления структур Si02-Si // Письма в ЖТФ. 1998. т. 24. № 21. с.81-86.

А22 .Бухараев А. А., Бухараева А. А., Нургазизов Н.И. Атомно-силовая микроскопия в режиме in situ имплантированной двуокиси кремния при химическом травлении в растворе HF// Поверхность. 1999. № 7.с. 87-90.

А23. А. А. Бухараев, Д. В. Овчинников, Н И. Нургазизов, Е. Ф. Куковицкий, Кляйбер М., Вейсендангер Р. Исследование микромагнетизма и перемаг

308 ничивания наночастиц Ni с помощью магнитного силового микроскопа // Поверхность. 1999. № 7. с. 82-86.

А24.Markiewicz P.,, Sidney R. Cohen S.R, Efimov A., Ovichinnikov D.V., Bukharaev A.A. SPM Tip visualization through deconvolution using various characterizers: optimization of the protocol for obtaining true surface topography from experimentally acquired images // Probe Microscopy. 1999. Vol. I.N.4. P. 355-364.

АВТОРСКИЕ СВИДЕТЕЛЬСТВА, ПАТЕНТЫ

A25. Казаков A.B., Бухараев A.A., Хайбуллин И.Б., Яфаев Н.Р. Авторское свидетельство №1347789 с приоритетом от 06.02.1986г. Способ получения ферромагнитной пленки на твердотельных подложках // Официальный Бюллетень Государственного Комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР "Открытия, Изобретения" 1989. № 39. с. 272.

А26. Губайдуллин Ф.Ф., Бухараев A.A., Назаров A.B. Авторское свидетельство на изобретение № 4916118 с приоритетом от 05.03.1991. Способ исследования поверхности тела туннельным микроскопом // Официальный Бюллетень Государственного Комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР "Открытия, Изобретения" 1992. № 44. с.171. На основании этого авторского свидетельства получен патент № 1778820.

А27. Бухараев A.A., Казаков A.B., Манапов P.A. Хайбуллин И.Б., Яфаев Н.Р. Авторское свидетельство №1231818 с приоритетом от 15.11.1984г. Способ формирования микрорельефа на поверхности силикатного стекла // Официальный Бюллетень Государственного Комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР "Открытия, Изобретения" 1995 № 18 с.256.

ТРУДЫ КОНФЕРЕНЦИЙ, СБОРНИКИ, ПРЕПРИНТЫ

А28. Казаков A.B., Бухараев A.A. Спектральная зависимость диэлектрической проницаемости гетерогенных кварцевых стекол, содержащих малые металлические частицы / В сборнике "Спектроскопические исследования диэлектриков и сегнетоэлектриков" (препринт). Казанский филиал Академии наук СССР. Казань. 1988. с. 3-6.

А29. Назаров A.B., Бухараев A.A., Губайдуллин Ф.Ф. Компьютерное моделирование изображений поверхности, полученных с помощью сканирующего туннельного микроскопа / В сборнике "Материалы конференции молодых ученых КФТИ-90" (препринт). Казанский научный центр АН СССР. Казань. 1990. с. 18-21.

АЗО. Бухараев А.А., Назаров А.В., Петухов В.Ю., Салихов КМ. Исследование с помощью СТМ образования колончатых структур на поверхности кремния после ионной бомбардировки / Материалы 20-го Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва. 1990. с. 146-148.

А31. Bukharaev A.A., Ovchinnikov D.V., Kukovitskii Е. F., Nurgazizov N.I. Scanning force microscopy and magnetic imaging of nanometer-sized ferromagnetic spherical nickel particles / Proceedings of International Symposium Nanostructures: Physics and Technology. International Symposium St. Petersbur. Russia. June 1997. P. 242-243.

A32. Bukharaev A.A., Nurgazizov N.I. Local electrical chracterisation and formation of nanoscale silicon structures using scanning resistance microscope // Proceedings of International Symposium Nanostructures: Physics and Technology. International Symposium St. Petersburg. Russia. June 1997. P. 240-241.

АЗЗ .Бухараев А. А., Овчинников Д. В., Нургазизов H. И., Куковицкий Е. Ф., Кляйбер М., Вейзендангер Р. Исследование микромагнетизма и перемаг-ничивания наночастиц Ni с помощью магнитного силового микроскопа / Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия 98". 2-5 марта. Нижний Новгород, с. 38-44.

А34. Бухараев А.А., Бухараева А.А., Нургазизов Н.И. Атомно-силовая микроскопия в режиме in situ имплантированной двуокиси кремния при химическом травлении в растворе HF / Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия 98". 2-5 марта. Нижний Новгород, с. 132137.

АЗЗ. Bukharaev A.A., Ovchinnikov D.V., Nurgazizov N. I., Kukovitskii E. F., Kleiber M., Wiesendanger R. Micromagnetic Properties of Ni nanoparticles studied in situ by magnetic force microscopy / Proceeding of 6th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology. St. Petersburg, Russia. June 1998. P. 428-431.

A36. Бухараев А.А., Можанова A.A., Нургазизов Н.И. Изучение in situ фотохимических процессов на границе жидкость-полупроводник с помощью атомно-силового микроскопа / Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия 99". Нижний Новгород 10-13 марта, с. 85-90.

А37. Бухараев А.А., Можанова А.А., Нургазизов Н.И., Овчинников Д.В. Атомно-силовая микроскопия наноструктурированных материалов при селективном химическом травлении / Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия 99". Нижний Новгород 10-13марта. с. 91-97.

А38. Bukharaev A. A., Nurgazizov N. /., Mozhanova А.А., Ovchinnikov D. V. Atomic force microscopy characterization of nanostructured materials using selective chemical etching / Proceeding of 6th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, Russia. 14-18 June 1999. P.236-239.

310

ТЕЗИСЫ КОНФЕРЕНЦИЙ

А39. Бухараев A.A., Казаков A.B., Хайбуллин И.Б., Яфаев Н.Р. Ферромагнитный резонанс в стеклах, имплантированных железом // Тезисы докладов Всесоюзной конференции по магнитному резонансу в конденсированных средах. 4.2. Казань. 20-22 июня. 1984. с.82.

А40. Бухараев A.A., Казаков A.B., Хайбуллин КБ., Яфаев Н.Р. Исследование островковой пленки железа, полученной в стекле методом ионной имплантации // Тезисы докладов 4-го Всесоюзного симпозиума "Свойства малых частиц и островковых металлических пленок" Сумы, 1985, с. 3839.

А41. Казаков A.B., Бухараев A.A., Хайбуллин КБ., Яфаев Н.Р Магнитные и оптические свойства силикатного стекла, имплантированного ионами Fe+. Extended Abstracts of Working Meeting "Ion implantaion in semiconductors and other materials and ion beam devices" Hungary. Balatonaliga, 1985. P. 123.

KM. Бухараев A.A., Хайбуллин И.Б., Яфаев Н.Р. Магнитные и оптические свойства силикатного стекла, имплантированного ионами Fe+ // Тезисы докладов 6-го симпозиума "Оптические и спектральные свойства стекол" Рига. 1986. с. 94.

А43. Бухараев A.A., Казаков A.B., Хайбуллин И.Б., Яфаев Н.Р. Образование преципитатов металла в стекле при ионной имплантации // Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Ионно-лучевая модификация материалов" Черноголовка. 1987. с. 159.

А44. Бухараев A.A., Казаков A.B. Магнитные свойства частиц железа, диспергированных в Si02 // Тезисы докладов 11-ой Всесоюзной школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники" Ташкент, 1988, с. 91.

А45. Бухараев A.A., Казаков A.B., Хайбуллин И.Б., Яфаев Н.Р. Исследование магнитокристаллической анизотропии частиц металла в стекле методом ферромагнитного резонанса // Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Применение магнитного резонанса в народном хозяйстве" Казань. 1988. 4.2.с.66.

А46. Бухараев A.A., Назаров A.B., Петухов В.Ю., Салихов K.M. Исследование с помощью СТМ образования колончатых структур на поверхности кремния после ионной бомбардировки // Тезисы докладов 20-го Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва // 1990. с. 96.

A47. Бухараев A.A., Назаров A.B., Петухов В.Ю., Салихов K.M. Исследование с помощью СТМ поверхности полупроводников и металлов после ионной бомбардировки // Тезисы докладов 14-ой Всесоюзной конференции по электронной микроскопии. Суздаль. 1990. с. 193.

А48. Bukharaev А.А., Galjautdinov M.F., Gubydullin F.F., Nazarov A.A. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of silicon surface after ion and laser modification.// Abstracts of International Conference on scanning tunneling microscopy. Switzerland Interlaken. 1991. P. 177.

A49. Бухараев A.A.,Назаров A.B., Бердунов H. В., Антонов П.Г Диагностика электронных свойств поверхности имплантированных полупроводников с помощью сканирующего туннельного микроскопа // Тезезисы докладов VIII-го симпозиума по растровой электронной микроскопии, Черноголовка 1993. с.70.

А50. Bukharaev A. A., Berdunov N.V., Samarscky Е.А., Antonov P. G Ynduganov V. STM investigation of the periodic nanometer structures fabricated on the implanted silicon surface I I Abstracts of 2nd Int.Conf. The Nanometer-Scale Science and Technology (NANO 2). Russia. Moscow. 1993. P.8.

A51. Bukharaev A.A., N.V.Berdunov Samarscky E.A., Antonov P.G Scanning tunneling microscopy of laser-induced periodic submicrometer structures on implanted silicon I I Abstracts of 1st Intern. Confer, of Physics of Low Dimensional Structure/Chernogolovka 1993. P.96

A52. Бухараев A.A. Диагностика поверхности с помощью сканирующей туннельной микроскопии // Тезисы докладов "Микроэлектроника-94" Звенигород 1994. с.515-516.

А53. Бухараев А.А.,Самарский Е.А., Яндуганов В.М., Бердунов Н.В., Антонов П.Г. Эффекты адсорбции при исследовании поверхности кремния на воздухе с помощью сканирующего туннельного микроскопа // Тезисы докладов "Микроэлектроника-94" Звенигород 1994, с. 517-518.

А5A. Bukharaev A.A., A.A.,Samarsky Е.А., Janduganov V.M., Berdunov N.V., Antonov P.G. Effects of Current Stimulated Adsorbation in STM Investigation of Si Surface in Ambient Air I I Abstracts of 3d Int.Conf. The Nanometer-Scale Science and Technology (NANO 3), USA 1994. P.258.

A55. Bukharaev A. A., Janduganov V.M.,Samarsky E.A., Berdunov N.V. Scanning probee microscopy of laser induced sub-micrometer periodic structures on implanted fused silica and silicon surfaces // Abstracts 6th European Conference on Application of Surface and Interface Analysis, Montreux, Switzerland 1995. P. CE-13.

A5 в. Bukharaev A. A., Janduganov V.M., Samarsky E. A., Berdunov N.V Scanning probee microscopy of laser induced sub-micrometer periodic structures on implanted fused silica and silicon // Abstracts of 2nd International Conference Physics of low-dimensional structures. Russia. Dubna. 1995. P.49.

A57. Bukharaev A. A., Berdunov N.V., Ovchinnikov D.V., Nurgazizov N.I. Scanning force microscopy of nanometer-sized particles // Abstracts of International Symposium Nanostructures- 96 St. Petersburg. 1996. P.380.

312

А58. Бухараев А.А. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии // Тезисы докладов XVI Российской конференция по электронной микроскопии, Черноголовка 1996, с. 50.

А59 .Бухараев А. А., Бердунов Н. В., Овчинников Д. В., Нургазизов Н. Н. Особенности получения изображений нанометровых частиц с помощью сканирующей силовой микроскопии // Тезисы докладов XVI Российской конференция по электронной микроскопии. Черноголовка 1996. с. 51.

А60. Бухараев А.А.,, Овчинников Д. В., Куковицкий Е. Ф., Саинов Н. А., Нургазизов Н.И. Сканирующая силовая микроскопия каталитических частиц никеля, полученных из углеродных нанотруб // Тезисы докладов Х-го Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. Черноголовка, июнь 1997. с. 144.

А61. Бухараев А.А., Нургазизов Н.И. Сканирующая резистивная микроскопия субмикронных структур на кремнии // Тезисы докладов Х-го Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. Черноголовка, июнь 1997. с. 145.

А62. Бухараев А.А., Нургазизов Н.И., Овчинников Д. В., Бухараева А. А. Наблюдение в жидкой среде in situ процесса химического травления нано-структурированной двуокиси кремния с помощью сканирующего силового микроскопа // Тезисы докладов Х-го Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. Черноголовка, июнь 1997. с. 146.

А63 .Bukharaev, D. V. Ovchinnikov, К. М. Salikhov Scanning Force Microscopy and Magnetic Imaging of Spherical Nickel Nanoparticles // Abstract of 9th International Conference STM'97 - Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques. Hamburg. Germany. July 1997. P.436.

A64. Bukharaev A. A., Nurgazizov N.I. Local electronic characterization and formation nanoscale silicon structures using scanning resistance microscope // Proceedings of International Symposium Nanostructures: Physics and Technology .St. Petersburg. Russia. June 1997. P.240-241.

A65.Bukharaev A.A., Ovchinnikov D.V., Nurgazizov N. /., Kukovitskii E. F., KleiberM., Wiesendanger R. Magnetic Force Microscopy ofNi Nanoparticles Formed by Coalescence Method // The Journal of Scanning Microscopy. (Proceeding of SCANNING 1998) 1998. V.20. N.3. P.244 .

A66. Бухараев А. А., Овчинников Д. В., Нургазизов Н. И. Магнитная силовая микроскопия наноструктурированных магнитных материалов // Тезисы докладов XVI Международной школы - семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники" Москва. 23-26 июня 1998. с. 27-28.

А67. Бухараев А. А., Овчинников Д. В., Нургазизов Н. И., Куковицкий Е. Ф., Кляйбер М, Вейзендангер Р. Исследование микромагнетизма и перемаг-ничивания наночастиц Ni с помощью магнитного силового микроскопа" // Тезисы докладов XVII Российской конференции по электронной микроскопии Черноголовка 15-18 июня 1998. с. 41.

А68. Бухараев A.A., Бухараева A.A., Нургазизов Н.И. Атомно-силовая микроскопия в режиме in situ имплантированных структур Si-Si02 при химическом травлении в растворе HF // Тезисы докладов XVII Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка. 15-18 июня 1998. с. 40.

А69. Бухараев A.A., Овчинников Д.В., Нургазизов H.H. Особенности магнитной силовой микроскопии ферромагнитных наночастиц для сверхплотной записи информации // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции "Микро- и наноэлекроника-98", Звенигород, 1998, Т. 1. стр. 02-8.

А70. Бухараев A.A., Бухараева А. А., Нургазизов Н. И. Изучение in-situ кинетики химического травления структур Si02 - Si с помощью атомно-силового микроскопа // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции "Микро- и наноэлекроника-98", Звенигород,

1998, Т.2. стр. Р2-8.

А71. Бухараев A.A., Можанова А. А., Нургазизов Н. И. Изучение фототравления кремния в жидкой среде с помощью атомно-силового микроскопа // Тезисы докладов XI-го Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. Черноголовка, июнь 1999. с. 124.

А72. Бухараев A.A., Нургазизов Н. И., Можанова А. А., Овчинников Д.В. Визуализация процессов селективного химического травления нанострук-турированных материалов при помощи атомно-силового микроскопа // Тезисы докладов XI-го Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. Черноголовка, июнь 1999. с. 125.

А73. Бухараев A.A., Можанова А. А., Нургазизов Н. И. Атомно-силовая микроскопия поверхности кремния при химическом фототравлении в жид-косй среде // Тезисы докладов I -ой Всероссийской конференции "Химия поверхности и нанотехнология". Санкт-Петербург - Хилово. сентябрь

1999. с.101.

А74. Бухараев A.A., Можанова А. А., Нургазизов Н. И. Исследование процессов химического травления in-situ имплантированных структур Si02 - Si в водных растворах HF при помощи атомно-силового микроскопа // Тезисы докладов I -ой Всероссийской конференции "Химия поверхности и нанотехнология". Санкт-Петербург - Хилово. сентябрь 1999, с. 102.

1. Binning G., Rorher H., Gerber Ch., Weibel E. Tunneling through a controllable vacuum gap 11 Appl. Phys. Lett. 1982. V.40. N.2. P. 178-180.

2. Binning G., Rorher H., Gerber Ch., Weibel E. Surface studies by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett. 1982. V.49. N.l. P.57-61.

3. Яминский И.В., Еленский В.Г. Сканирующая зондовая микроскопия: библиография (1982-1997) / Научный мир. М., 1997. 318 с.

4. Напита Р.К., Tersoff J. Scanning tunneling microscopy // J. Appl. Phys. 1987. V.61.N. 2. P. R1-R23.

5. Kuk Y., Sulverman P.J. Scanning tunneling microscope instrumentation // Rev. Sci. Instrum. 1989. V. 60. N.2. P. 165-180.

6. Эделъман B.C. Сканирующая туннельная микроскопия // ПТЭ 1989. №5. С. 25-49.

7. Эделъман B.C. Развитие сканирующей туннельной и силовой микроскопии//ПТЭ 1991. №1. С. 24-42.

8. Salvan F., Humbert A., Dumas P., Thibaudau F. Scanning tunneling microscopy (S.T.M.) of semiconductor surfaces and metal-semiconductor interfaces // Ann. Phys. 1988. V.13. P. 133-152.

9. Маслова H.С., Панов В.И. Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций//УФН. 1989. Т. 157. №1. С. 185-195.

10. Шайхутдинов Ш.К., Кочубей Д.И. Исследования гетерогенных каталитических систем и их моделей методом сканирующей туннельной микроскопии // Успехи химии 1993. Т.62. №5. С. 443-452.

11. Арутюнов П.А. Толстихина А.Л. Сканирующая зондовая микроскопия (туннельная и силовая) в задачах метрологии и наноэлектроники. // Микроэлектроника 1997. Т. 26. №6. С. 426-439.

12. Данилов А.И. Сканирующая туннельная и атомно-силовая микроскопия в электрохимии поверхности // Успехи Химии 1995. Т.64 №8. С.818-833.

13. Магонов С.Н. Сканирующая силовая микроскопия полимеров и родственных материалов // Высокомолекулярные соединения Серия Б. 1996. Т. 38. №1. С. 143 -182

14. Griffith J.Е., Grigg D.A. Dimensional metrology with scanning probe microscopes // J. Appl. Phys. 1993. V.74. N 9. P.R83 R109.

15. Яминский И.В. Сканирующая зондовая микроскопия. Методы и аппаратура // Российский химический журнал 1996. T.XL. №1. С. 111120.

16. Park S.-I, Park S. How to Buy Scanning Probe Microscope /.: Booklet of the firm "Park Scientific Instruments" 1994. 45 p.

17. Володин А.П. Новое в сканирующей микроскопии // ПТЭ. 1998. №6. С.3-42

18. Heinzelmann К, Meyer Е., Grutter P., Hidber H.-R., Rosenthaler L, Guntherodt H.-J. Atomic force microscopy: General aspects and application to insulators // J. Vac. Sci. and Technol.A. 1988. V.6. N 2. P.275 278.

19. Frommer J., Meyer E. Atomic force microscopy: A tool for surface science // J. Phys.:Condens. Matter. 1991. V.3. P.S1 S9

20. Sarid D., Elings V. Review of scanning force microscopy // J. Vac. Technol. B. 1991. V.9. N 2. P.431 -437.

21. Schonenberger C., Alvarado S. F. Understanding magnetic force microscopy // Z. Phys. В Cond. Mat. 1990. V.80. P.373-383.

22. Scanning Tunneling Microscopy I. General Principles and Applications to Clean an Adsorbate-Covered Surfaces / Ed. by Weisendanger R., Guntyherodt H.J. Berlin: Springer Verlag. 1992. 246 p.

23. Scanning Tunneling Microscopy II. Further Applications and Related Scanning Techniques / Ed. by Weisendanger R., Guntyherodt H.J. Berlin: Springer Verlag 1992. 308 p.

24. Scanning Tunneling Microscopy III. Theory of STM and Related Scanning Probe Methods / Ed. by Weisendanger R., Guntyherodt H.J. Berlin: Springer Verlag 1993. 375 p.

25. Wiesendanger. R. Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy. Methods and Applications. / Cambridge. University Press. 1994. 637 p.

26. Зенгуил Э. Физика поверхности / M. Мир. 1990. 536 с.

27. Зи С Физика полупроводниковых приборов /. В 2-х томах М. Мир. 1984.

28. Tagahari Т., Nagai Z, Ishitani A., Kuroda Н. The formation on hydrogen passivated silicon single-crystal surface using ultraviolet cleaning and HF etching// J. Appl. Phys. 1988. V. 64. N 7. P. 3516-3521.

29. Вангонен А.И., Золотарев B.M., Любарская T.CM., Пухов A.M. Влияние состояния поверхности кристаллов фтористого магния на их пропускание в ВУФ области спектра // Оптико-механическая промышленность 1987. № 5. С. 13-15.

30. Богданов А.Л., Валиев К.А., Великое Л.В., Душенков С.Д., Иванова М.И. Роль активных кислородных частиц в процессе УФ-очистки поверхности неорганической подложки // Микроэлектроника 1989 Т. 18. №6. С. 540-543

31. Гуртовой В.Л., Дремов В.В., Макаренко В.А., Шаповал С.Ю. Наблюдение атомарной структуры в водородной ЭЦР плазмеповерхности Si (111) с помощью сканирующего туннельного микроскопа на воздухе // ФТП. 1995. Т. 19. №10. С. 1888-1892

32. Tabe М. UV ozone cleaning of silicon substrates in silicon molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1984. V. 45. N 10. P. 1073-1075.

33. Johnson E.D., Hulbert S.L., Garret R.F., Williams G.P., KnotekM.L. In situ reactive glow discharge cleaning of x-ray optical surfaces // Rev. Sci. Instrum. 1987. V. 58. N 6. P. 1042-1045.

34. Chang R.P.H., Chang C.C., Darack S. Hydrogen plasma etching of semiconductors and their oxides // J. Vac. Sci. Technol. 1982.V. 20. N 1. P. 45-50.

35. Кадагей B.A., Проскуровский Д.И., Регер С.Д., Ромасъ Л.М. Очистка поверхности GaAs в атомарном водороде, получаемом в дуговом отражательном разряде с полым катодом и самокалящимся элементом //Микроэлектроника. 1998. Т. 27. № 1. С. 10-15.

36. Weegels L.V. Saitoh Т., Kanbe Н. Temperature dependent dry cleaning characteristics of GaAs(lll)B surface with a hydrogen election cyclotron resonance plasma // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. N 21. P. 2870-2872.

37. Graf D., Grunder M., Schulz R. Reaction of water with hydrofluoric acid treated silicon (111) and (100) surfaces // J. Vac. Sci. Technol. A, 1989. V. 7. N3. P. 808-813.

38. Neuwald U., Hessel H.E., Feltz A., Memmert (/., Behm R.J. Initial stages of native oxide growth on hydrogen passivated Si(lll) surfaces studied by scanning Tunneling microscopy // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. N 11. P. 1307-1309.

39. Bumgarner S., Russell P.E. Sample preparation for STM imaging of silicon at atmospheric pressure // Ultramicroscopy 1992. V. 42-44. P. 1433-1437.

40. Nivano M, Kageyama J., Kurita K., Kinashi K., Takahashi I., Miyamoto N. Infrared spectroscopy study of initial stages of oxidation of hydrogen-terminated Si surfaces stored in air // J. Appl. Phys. 1994. V. 76. N 4. P. 2157-2163.

41. Boonekamp E.P., Kelly J.J., Van de Van J., Sondag A.H.M. The chemical oxidation of hydrogen-terminated silicon (111) surfaces in water studied in situ with Fourier transform infrared spectroscopy // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 12. P. 8121-8127.

42. Bringans R.D., Biegelsen D.K., Northrup J.E., Swartz L.-E. Scanning microscopy studies of semiconductors surface passivation // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. Part 1. N 3B. P. 1484-1492.

43. SongJ.P.,MorchK.A., Carneiro K., TholenA.R. STM investigation of solid surfaces in water and air // Surface Science 1993. V. 296. P. 299-309.

44. Bitzer Т., Gruyters H.J., Jacobi K. Electrochemically prepared Si(lll) lxl-H surface // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. N 3. P.397-399.

45. Новиков Ю.А., Раков А.В., Седов С.В., Стрижков КБ. Измерение толщины естественного оксида кремния методом растровой электронной микроскопии //Поверхность 1995. №1. С. 52-54.

46. RenaudG., Fuoss Р.Н., OurmazdA., BevkJ., Freer В.S., Hahn P.O. Native oxidation of the Si(OOl) surface: Evidence for an interfacial phase //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 10. P. 1044-1046.

47. Коробцов В.В., Фидянин О.Н., Шапоренко А.П., Балашев В.В. Влияние способа химической обработки на смачиваемость поверхности Si(lll) // Журнал технической физики 1996. Т. 66. №12. С. 134-137.

48. Higashi G.S., Chabal Y.J., Trucks G.W., Raghavachari К. Ideal hydrogen termination of the Si(lll) surface.// Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N 7. P. 656-658.

49. Higashi G.S., Becker R.S., Chabal Y.J. Becker A.J. Comparison of Si(lll) surface prepared using aqueous solutions of NH4F versus HF.// Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 15. P. 1656-1658.

50. Morita Y., Miki K., Tokumoto H. Scanning tunneling microscopy of 1% HF-treated Si(l 11) surfaces // Ultramicroscopy 1992. V. 42-44.

51. Morita Y., Miki K., Tokumoto H. Direct observation of SiH3 on 1% HF-treated Si(lll) surfaces by scanning tunneling microscopy of // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. N 11. P. 1347-1349.

52. Hirashita N., Kinoshita M., Aikawa /., Ajioka T. Effects of surface hydrogen on the air oxidation at room temperature of HF-treated Si(100) surfaces // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N 5. P. 451-453.

53. Van der Zwan M.L.W., Bardwell J.A., Sproule G.I., Graham M.J. Mechanism of the growth of native oxide on hydrogen passivated silicon surfaces //Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 4. P. 446-447.

54. Weinberger B.R., Peterson G.G., Eschrich T.C., H. A. Krasinski. Surface chemistry of HF passivated silicon: X-ray photoelectron and ion scattering spectroscopy results // J. Appl. Phys. 1986. V. 60. N 9. P. 3232-3234.

55. Антипов В.Г., Каллион Р.В., Никишин С.А., Синявский Д.В. Стабильность (состав, структура) пассивированной водородом Si(001) в процессе предэпитаксиальной термообработки // Письма в ЖТФ 1990. Т. 16. №19. С. 66-69.

56. Fenner D.B., Biegelson D.K., Bringans Silicon surface passivation by hydrogen termination: A comparative study of preparation methods // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N 1. P. 419-424.

57. Besocke K.H., Teske M, Frohn J. Investigation on silicon in air with a fast scanning tunneling microscope // J. Vac. Sci. Technol. A 1988. V.6. N 2. P. 408-411.

58. Komiyama M., Kirino M., Kurokawa H. Scanning tunneling microscopic observation of "nonconductive" oxide surfaces: Si02 thin films on n- and p-Si(lll) //Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. Part 1. N 6B. P. 2934-2936.

59. Болотов Л.Н., Козлов B.A., Макаренко И.В., Титков А.Н. Визуализация поверхности (111) кремниевых шайб р-типа в атмосферных условиях с помощью сканирующего туннельного микроскопа//ФТП, 1993. Т. 27. №8. С. 1375-1379

60. Жарких Ю.С., Пятницкий В.В., Третяк О.В. Локализация заряда на гидрофильной и гидрофобной поверхностях кремния и в окисной пленке // Микроэлектроника 1997. Т. 26. №6. С.464-469.

61. Беклемишев В.И., Грибов Б.Г., Левенец B.B., Махонин И.И. Пассивация поверхности в HBF4 // Микроэлектроника 1997. Т. 26. № 6. С.464-469.

62. Trucks G.W., Raghavachari, Higashi G.S., Chabal Y.J. Mechanism of HF etching of silicon surfaces: a theoretical understanding of hydrogen passivation // Phys. Rev. Lett. 1990. V. 65. N 4. P. 504-507.

63. Nakagawa Y., Ishitani A., Takahagi Т., Kuroda H., Tokumoto H., Ono M., Kajimura K. Scanning tunneling microscopy of silicon surface in air: Observation of atomic images. // J.Vac.Sci.Technol. A. 1990. V. 8. N 1. P. 262-265.

64. Bell L.D., KaiserM.H., Grunthaner F.J. Direct control and characterization of a Schottky barrier by scanning tunneling microscopy // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 4. P. 278-280.

65. Kaiser M.H., Bell L.D.,Hetch M.H., Grunthaner F.J. Scanning tunnelingcharacterization of the geometric and electron structure of hydrogen-terminated silicon surfaces // J. Vac. Sci. Technol. A 1982. V. 6. N 2. P. 519-523.

66. Kaiser W.J., Jaklevic R.C. Reliable and versatile scanning tunneling microscope // Rev. Sci. Instrum. 1988. V. 59. N 4. P. 537-540

67. Thomson R.E., Walter U., Ganz E., Clarke J., Zettl A., Rauch P., DiSalvo F.J. Local charge-density-structure in H-TaS2 determined by scanning tunneling microscopy//Phys.Rev. B. 1988. V. 38. N 15. P. 1073410743.

68. Tromp R.D. Spectroscopy with the scanning tunneling microscope: a critical review//J. Phys.: Condens. Matter 1989. V.l. P. 10211-1028.

69. Бонч-Бруееич В.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников / М. Наука 1990. 685 с.

70. Ziegler J. F.,. Biersack J. P and Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solids / Pergamon Press. New York. 1985

71. Sass J. K, Gimzewski J. K, Haiss W., Besocke К. H., Lackey D. Theoretical aspects and experimental results of STM studies in polar liquids // J. Phys.: Condens. Matter. 1991. V.3. P. S121-S126.

72. Jahanmir J., West P. E., Rhodin T. N. Evidence of Shottky emission in scanning tunneling microscopes operated in ambient air. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 24. P. 2086-2088

73. Арсеев П. И., Маслова H. С. Особенности процесса туннелирования в микроконтактах // Жури, эксперим. и теорет. физики. 1992. Т. 102. В 3. №9. С. 1056-1067.

74. Colton R.J., Baker S.M., Driscoll R.J., Youngquist M.G., Baldeschwieler J.D., Kaiser W.J. Imaging Graphite in Air by Scanning Tunneling Microscopy: Role of the Tip // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. V. 6. N 2. P. 349-353.

75. Mamin H. J., Ganz E., Abraham D. W., Thomson R. E., Clarke J. Contamination-mediated deformation of graphite by the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. B. 1986. V. 34. N 12. P. 9015-9018.

76. Meepagala S. C., Real F., Reyes С. B. Tip-sample interaction forces in scanning tunneling microscopy: Effects of contaminants // J. Vac. Sci. Technol. В1991. V. 9. N 2. P. 1340-1342.

77. Besocke К. H., Теске M., Frohn J. Investigation of silicon in air with a fast scanning tunneling microscope // J. Vac. Sci. and Technol. A. 1988. V. 6. N2. P. 408-411

78. Tanaka I., Osaka F., Kato T., Katayama Y., Muramatsu Sh, Shimada T. Scanning tunneling microscope study of microcrystalline silicon surfaces in air // Appl. Phys. belt. 1989. V. 54. N 5. P. 427-429.

79. DagataJ. A., SchneirJ., Harrary H. H., Evans S. J., PostekM. T., Bennet J. Modification of hydrogen-passivated silicon by a scanning tunneling microscope operating in air // Appl Phys. Lett. 1990. V. 56. N 20. P. 20012003.

80. Jahanmir J., West P. E., Hsieh S., Rhodin T. N. Surface modification of a-Si:H with a scanning tunneling microscope operated in air // Appl. Phys. Lett. 1989. V 65. N 5. P. 2064-2068

81. Jahanmir J., West P. E., Young A., Rhodin T. N. Current-voltage characteristics of silicon measured with the scanning tunneling microscope in air // J. Vac. Sci. and Technol. A. 1989. V. 7. N 4. P. 2741-2744

82. Hartman E., Behm R. J., Krotz G., Muller G., Koch F. Writing electronically active nanometerscale structures with a scanning tunneling microscope // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59 N 17. P. 2136-2138.

83. Gottshalk G., Fries Th., Becker C., Wandlet K. Topography of sputtered Si(100) surfaces studied by STM in air // Ultramicroscopy. 1992. V. 42-44. P. 1376-1380.

84. Barniol N., Perez-Murano F., Aymerich X. Modification of HF-treated silicon (100) surfaces by scanning tunneling microscopy in air under imaging conditions. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. N 4. P. 462-464.

85. Болотов Л. H., Козлов В. А., Макаренко И. В., Титков А. Н. Визуализация поверхности (111) кремниевых шайб р-типа в атмосферных условиях с помощью сканирующего туннельного микроскопа // Физика и техника полупроводников 1993. Т. 27. №. 8. С. 1375-1379

86. Feenstra R.M., Oehrlein G. S. Surface morphology of oxidized and ion-etched silicon by scanning tunneling microscopy // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. N 2. P.97-99.

87. Jahanmir J., West P.E., Colten P.C. Local modification of thin Si02 films in scanning tunneling microscope // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N 11. P. 7144-7146.

88. Fay P., Brockenbrough., Abeln G., Scott P., Agarwala S., Adesida I. Scanning tunneling microscope stimulated oxidation of silicon (100) surfaces. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 21. P. 7545-4549.

89. Perez-Murano F., Barniol N., AymerichX. Local modification of HF-treated silicon (100) surfaces and its characterization by scanning tunneling microscopy and spectroscopy. 11 J. Vac. Sci. Technol. B. 1993. V.ll. N 3. P. 651-657

90. Zheng X, Hetrick. J., Yau S.-T., Nayfeh. H. Parallel fabrication on chemically etched silicon using scanning tunneling microscopy // Ultramicroscopy 1992. V. 42-44. P. 1303-1308.

91. Yau S.-T.,ZhengX., Nayfeh. H. Nanolithografy of chemical prepared Si with scanning tunneling microscope // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. N 19. P. 2457-2459.

92. Tsau L. Wang D., Wang K.L. Nanometer scale patterning of silicon (100) surfaces by an atomic force microscope in air // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 16. P. 2133-2135

93. Wang D.,Tsau L. Wang K.L. Nanometer scale patterning of silicon (100) surfaces by an atomic force microscope in air // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 11. P. 1415-1417.

94. Snow E.S., Cambell P.M., McMarr P.J. Fabrication of silicon nano structure s with a scanning tunneling microscope // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. N 6. P. 749-751.

95. Snow E.S., Cambell P.M. Fabrication of Si nanostructures with an atomic force microscope // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 15. P. 1932-1994.

96. Sugimura H., Yamomoto T., Nakagiri N., Miyashita M., Onuki T. Maskless pattering of silicon surface based on scanning tunneling microscope tip-induced anodization and chemical etching // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 12. P. 1569-1571.

97. Teuschler T., Mahr K, Miazaki S., Hunhausen M., Ley L. Nanometer-scale modification of the tribological properties of Si(100) by scanning force microscope // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. N 19. P. 2499-2501.

98. Teuschler T., Mahr K, Miyazaki S., Hunhausen M., Ley L. Nanometer-scale field-induced oxidation of Si(lll):H by conducting probe scanning force microscope: Doping dependence and kinetics // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. N21. P. 3144-3146.

99. Yasutake M., Ejiri Y, Hattori T. Modification of silicon surface using atomic force microscope with conducting probe I I Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. Part 2. N 7B. P. 1021-1023.

100. Fontaine P.J. Dubois E. Stievenard D. Characterization of scanning322tunneling microscopy and atomic force microscopy-based techniques for nanolithography a hydrogen-passivated silicon // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. N4. P. 1176-1181

101. Card Н. С., Rhoderick Е. Н. Studies of tunnel MOS diodes II. Thermal equilibrium considerations // S. Phys. D: Appl. Phys. 1971. V. 4. P. 1602 -1611.

102. Simmons J. G. Potential barriers and emission-limited current flow between closely spaced parallel metal electrodes // J. Appl. Phys. 1964. V. 35. N 8. P. 2472-2481.

103. Закурдаев И.В., ФирсовД.Г. Особенности исследования эффективности работы выхода методом туннельной спектроскопии в атмосферных условиях // Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия 99" 10-13марта, Нижний Новгород С. 283-289.

104. Heil J., WesnerJ., HilmannK. Grill W., Altschoeller К., NikschM. Imaging of laser generated surface ripples on silicon // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. V. 6. N.2. P.401-403.

105. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов ММ. Кинетика фазовых переходов в кремнии при бомбардировке ионами железа // Деп. ВИНИТИ. 05.11.1980. №4697-80 Деп. 31 с.

106. Самсонов Г. В., Дворина Л.А., Рудъ Б.М. Силициды / Металлургия. 1979. 272 с.

107. Bartolome A., GarsiaR, Vazquez L., Baro А.,М. Imaging an optical disk by the combined use of scanning tunneling microscope with a scanning electron microscope // Journal of Microscopy 1988. V.152. N. 1. P. 205-211.

108. Kumagai H., Ezaki M., Toyoda K., Obara M. Periodic submicrometer dot structures on n- GaAs substrates fabricated by laser induced electromagnetic wave etching // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. N. 4. P. 1971-1974.

109. Hiraoka H., Sendova M. Laser-induced sub-half micrometer periodic structure on polymer surfaces // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N. 5. P. 563565.

110. Кутукова O.F., Стрельцов Л.П. Лазерный отжиг имплантированного118.119.120.323кремния // ФТП. 1976. Т. 10. № 3. С. 443-446.

111. Коротеев Н.И., Шумай И.Л Физика мощного лазерного излучения /. 1991. М., Наука. 169 с.

112. Штырков Е.И., Хайбуллин И.Б., Галяутдинов М.Ф., Зарипов М.М. Ионно-легированный слой новый материал для записи голограмм // Опт. и спект. 1975. Т. 38. № 5. С. 1031-1034

113. РисселХ., Руге И. Ионная имплантация / М.:Наука. 1983. 360 с.

114. Двуреченский А. В., Качурин Г.А. Нидаев Е.В., Смирное Л.С Импульсный отжиг полупроводниковых материалов / М. Наука. 1982. 208 с.

115. Ахманов С.А., Емельянов В.И., Коротеев Н.И., Семигонов В.Н. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика // УФН. 1985. Т. 147. №4. С. 675745.

116. Штырков Е.И., Хайбуллин И.Б., Зарипов М.М., Галяутдинов М.Ф., Баязитов P.M. Локальный лазерный отжиг ионно-легированных полупроводниковых слоев // ФТП. 1975. Т.9. №10. С. 2000-2002.

117. Hartmann E., Behm R.J., Krotz G., Muller G., Koch F. Writing electronically active nanoscale structures with scanning tunneling microscope. //Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. N. 17. P. 2136-2138.

118. Kramer N., Niesten M., Schonenberger C. Resistless high resolution lithography on silicon // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. N. 20. P. 2989-2991.

119. Вейко В.П Лазерная литография в кн.: Физические основы лазерной и пучковой технологии. Т.З / Физические основы лазерной микротехнологии. М., ВИНИТИ. 1989. С. 41-56.

120. Custer J.S., Tomson М.О., Jacobson D.C., Poate J.M., Roorda S., Sinke W.C., Spaepen F. Density of amorphous Si // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N. 4. P.437-439.

121. Быков В.А., Лазарев М.И., Саунин С.А. Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности // Электроника: НТВ. 1997.3241. N5. С. 7-14.

122. Binning G., Quate C.F., Gerber Ch. Atomic force microscope // Phys. Rev. Lett. 1986. V. 56. N. 9. P.930-933.

123. Meyer E., Heinzeimann H. Scanning Force Microscopy: in Scanning Tunneling Microscopy II. / Ed. by Weisendanger R., Guntyherodt H.J. Berlin: Springer Verlag. 1992. P.99-149.

124. Арутюнов П.А., Толстихина A.JI. Конструктивные и электрофизические характеристики датчиков силы в атомно-силовой микроскопии // Микроэлектроника 1998. Т. 27. №4. С. 304-316.

125. Thomson R.E., Moreland J. Development of highly conductivers for atomic force microscopy point contact measurements // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. V.13.N. 3. P. 1123-1125

126. Шевяков В.И., Лемешко C.B. Проводящие зонды сканирующих зондовых микроскопов на основе тугоплавких соединений Ti и W // Материалы Всероссийского совещания "Зондовая микроскопия 98", 2-5 марта, Нижний Новгород. 1998. С. 138-143.

127. De Wolf P., Snauwaert J., Clarysse T., Vandervorst W., Hellemans L. Characterization of a pointcontact on silicon using force microscopy-supported resistance measurements // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. N. 12. P. 1530-1532.

128. Gaworzewski P., Roos В., Hoppner K., Hoppner W. The influence of properties of the probe tip/Si contact on spreading resistance analyses // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. N. 1. P. 129-133.

129. Morita S., Sugawara Y, Fukano Y. Atomic force microscope combined with scanning tunneling microscope // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. P. 29832988.

130. Den BoefA.J. Preparation of magnetic tips for scanning force microscope // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. N. 20. P.2045-2047.

131. Grutter P., Rugar D., Mamin H.J., Castillo G., Lin C.J., Mc Fadyen I.R. Magnetic force microscopy with batch-fabricated sensors // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. N. 8. P.5883-5885.

132. Neubauer G., Cohen S.R., McClelland G.M., Home D. Force microscopy with a bidirectional capacitance sensor // Rev.Sci.Instrum. 1990. V. 61. N. 9. P. 2296-2308.

133. Rugar D., Mamin H.J., Erlandsson R. Stern J.E., Terris B.D. Force microscope using a fiber-optic displacement sensor // Rev. Sci. Instrum.3251988. V. 59. N. 11. P. 2337-2340.

134. Akamine S., Barrett R.C., Quate C.F. Improved atomic force microscope images using microcantilevers with sharp tips // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. N. 3. P. 316-318.

135. Miller G.L., Griffith J.E., Wagner E., Grigg D.A. A rocking beam electrostatic balance for the measurement of small forces // Rev. Sci. Instrum. 1991. V. 62. N. 3. P. 705-709.

136. Tortonese M., Barrett R.C., Quate C.F. Atomic resolution with an atomic force microscope using piezore si stive detection // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. N. 8. P. 834-836.

137. Giessibl F.J., Trafas B.M. Piezoresistive cantilevers utilized for scanning tunneling and scanning force microscope in ultrahigh vacuum // Rev. Sci. Instrum. 1994. V. 65. N. 6. P. 1923-1929.

138. Martin Y., Williams C.C., Wickramasinghe H.K. Atomic force microscope -force mapping and profiling on a sub 100-a scale // J. Appl. Phys. 1987. V. 61. N. 10. P. 4723-4729.

139. Erlandsson R., McClelland G.M., Mate C.M., Chiang S. Atomic force microscopy using optical interferometry // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. V. 6. N. 2. P. 266-270.

140. Rugar D., Mamin H.J., Guethner P. Improved fiber-optic interferometer for atomic force microscopy // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N. 25. P. 25882590.

141. Nonnenmacher M., Vaez-Iravani M., Wickamasinghe H.K. Attractive mode force microscopy using a feedback-controlled fiber interferometer // Rev. Sci. Instrum. 1992. V. 63. N. 11. P. 5373-5376.

142. Fujisawa S., Ohta M., Konishi T., Sugawara Y., Morita S. Difference between the forces microscope calibration // Rev. Sci. Instrum. 1994. V. 65. N. 3. P. 644-647.

143. Germann G.J., Cohen S.R., Neubauer G., McClelland G.M., Seki H. Atomic scale friction of a diamond tip on diamond (100) and (111) surfaces // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. N. 1. P. 163-167.

144. Grutter P., Mamin H.J., Rugar D. Magnetic Force Microscopy (MFM) in Scanning Tunneling Microscopy. II. /. Eds. by Weisendanger R, Guntherodt H.-J., Berlin: Springer Verlag, 1992. P. 151-207

145. Luthi R., Haefke H., Meyer K.-P., Meyer E.,Hovald L, Guntherodt H.-J. Surface and domain structures of ferroelectric crystals studied with scanning force microscopy// .Appl. Phys. 1993. V. 74. N. 12. P. 7461-7471.

146. Smith D.P.E. Limits of force microscopy // Rev. Sci. Instrum. 1995. V. 66. N.5. P. 3191-3195.

147. Hansma P.K., Cleveland J.P., Radmacher M., Walters D.A., Hillner P.E.,326

148. Bezanilla M, Fritz M, Vie D., Hansma E.G., Prater C.B., Massie J., Fukunaga L., Gurley J., Elings V. Tapping mode atomic force microscopy in liquids //Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N. 13. P. 1738-1740.

149. Putman C.A.J., Van der Werf K.O., De Grooth B.G., Van Hulst N.F., Greve J. Tapping mode atomic force microscopy in liquid // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N. 18. P. 2454-2456.

150. Руководство пользователя P4-SPM-MDT. 1996. Издание фирмы NT-MDT. Москва. 59 с.

151. Whangbo М.Н., Bar G., Brandsch R. Qualitative relationships height and phase images of tapping mode atomic force microscopy // Appl. Phys. A. 1998. V. 66. Part II. P. S1267-S1270.

152. Garcia R, TamayoJ., CallejaM., Carcia F. Phase contrast in tapping-mode scanning force microscopy // Appl. Phys. A. 1998. V. 66. Part I. P. S309-S312.

153. Sarid D., Hunt J.P., Workman R.K., Yao X., Peterson C.A. The role of adhesion in tapping-mode atomic force microscopy // Appl. Phys. A. 1998. V. 66. Part I. P. S283-S286.

154. Hartman U. Theory of Non-contact Force Microscopy: in Scanning Tunneling Microscopy. III. / Eds. by Weisendanger R., Guntherodt H.-J. Berlin: Springer Verlag, 1993. P.293-360.

155. Giles R., Cleveland J.P., Hansma P.K. Manne S.,Hansma P.K.,Drake B.Maivald P.,Boles C.,Gurley J.,Elings V. Noncontact force microscopy in liquids // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. N 5. P. 617-618

156. Hutter J.L., Bechnoefer J. Manipulation of der Waals forces to improve image resolution in atomic-force microscopy // J.Appl.Phys. 1993. V. 73. N9. P. 4123-4129.

157. Miyake S. Atomic-scale wear properties of muscovite mica evaluated by scanning probe microscopy // Appl. Phys. Lett. 1994 V. 65 N. 8. P. 980-982.

158. Mate C.M., McClelland G.M., Erlandsson R, Chiang S. Atomic-scale friction of a tungsten tip on a graphite surface // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 59. N. 17. P. 1942-1987.

159. Boef A.J. The influence of lateral forces in scanning force microscopy // Rev. Sci. Instrum. 1991. V. 62. N. 1. P. 88-92.

160. Shluger A.L., Rohl A.L., Gay D.H., Williams R.T. Atomistic theory of the interaction between AFM tips and ionic surfaces // J. Phys.:Condens. Matter 1994. V. 6. P. 1825-1846.

161. Tomanek D. Theory of Atomic Force Friction / in Scanning Tunneling Microscopy. III. / Eds. by Weisendanger R., Guntherodt H.-J. Berlin: Springer Verlag, 1993. P.269-293.

162. Jiang Z., Lu C.-J., Bogy D.B., Bhatia C.S., Miyamoto T. Nanotribological327characterization of hydrogenated carbon films by scanning probe microscopy // Thin Solid Films 1995. V. 258. P. 75-81.

163. Ruan J.-A., Bhushan B. Atomic scale and microscale friction of graphite and diamond using friction force microscopy // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N. 9. P. 5022-5035.

164. Overney R.M., Guntherodt H.-J., Hild S. Corona-treated isotactic polypropylene films investigated by friction force microscopy // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N. 3. P. 1401-1405

165. McDermont M.T. Scanning probe microscopes and related techniques for the biological and materials sciences / Symposium Abstracts Scanning Microscopy International, Bethesda, USA 1996. 3 p.

166. De Wolf P., Snauwaert J., Clarysse Т., Vandervorst W.,Hellemans L. Characterization of a pointcontact on silicon using force microscopy-supported resistance measurements // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. N. 12. P. 1530-1532.

167. Gaworzewski P., Roos В., Hoppner К., Hoppner W. The influence of plastic properties of the probe tip/Si contact on spreading resistance analyses // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. N. 1. P. 129-133.

168. Shafai C., Thomson D.J., Simard-Normandin M., Mattiussi G., Scanlon P.J. Delineation of semiconductor doping by scanning resistance microscopy // Appl.Phys.Lett. 1994. V.64. №3. P.342 344.

169. De Wolf P., Clarysse Т., Vandervorst W., Snauwaert J., Hellemans L. One-and Two-dimensional carrier profiling in semiconductors by nanospreding resistance profiling // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. V. 14. N 1. P. 380-384.

170. Martin Y, Abraham D.W., Wickramasinghe H.K. High-resolution capacitance measurement and potentiometry by force microscopy // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 13. P. 1103-1105.

171. Williams C.C., Slinkman J., Hough W.P., Wickramasinghe H.K. Lateral dopant profiling with 200 nm resolution by scanning capacitance microscopy//Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N 16. P. 1662-1664.

172. Huang Y.J., Slinkman J., Williams C.C. Modelling of impurity dopant density measurement in semiconductors by scanning force microscopy // Ultramicroscopy 1992. V. 42/44. P. 298-303.

173. Henning A.K, Hochwitz Т., Slinkman J., Never J., Hoffmann S., Kaszuba P., Daghlian C. Two-dimensional surface dopant profiling in silicon using scanning Kelvin probe microscope // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 5.3281. P. 1888-1896.

174. Вудраф Д., Делчар Т. М Современные методы исследования поверхности / Мир. 1989. 568 с.

175. Vatel О., Tanimoto М. Kelvin probe force microscopy for potential distribution measurement of semiconductor devices // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N. 6. P. 2358-2362.

176. Williams C.C., Hough W.P., Rishton S.A. Scanning capacitance microscopy on a 25 nm scale // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N. 2. P. 203-204.

177. Martin Y., Wickramasinghe H. K. Magnetic imaging by force microscopy with 1000 A resolution // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. N. 20. P. 14551457.

178. Браун У.Ф. Микромагнетизм / M. Наука. 1979. 159c.

179. Oti J. O. Numerical micromagnetic techniques and their applications to magnetic force microscopy calculations // IEEE Trans. Magn., 1993. V. 29. N. 6. P.2359-2364.

180. Hartmann U. The point dipole approximation in magnetic force microscopy // Phys. Lett. A. 1989. V. 137. N. 9. P. 475-478.

181. Wadas A., Grutter P. Theoretical approach to magnetic force microscopy // Phys. Rev. B. 1989. V. 39. N. 16. P. 12013-12017.

182. RugarD., MaminH. J., Guethner P., Lambert S.E., Stern J.E., McFadyen /., Yogi T. Magnetic force microscopy: general principles and application to longitudinal recording media // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. N. l.P. 11691183.

183. Володин А.П., Марчевский M.B., Хайкин M.C. Магнитносиловой сканирующий микроскоп // ПТЭ 1991. №2. С. 165-171.

184. Аристов В. В., ДремоваН. Н, Киреев В. А., Конончук О.В., Разгонов И. И., Якимов Е.Б. Неразрушающие методы диагностики планарных структур методами РЭМ // Микроэлектроника 1995. Т. 24. №1. С. 7176.

185. Новиков Ю. А., Раков А. В., Стеколин И. Ю. РЭМ-измерения параметров профиля микрорельефа элементов топологии СБИС в субмикронном диапазоне // Микроэлектроника 1995. Т. 24. N 5. С. 367369.

186. Atamny F., Baiker A. Direct imaging of the tip shape by AFM // Surf. Sci. 1995. V. 323. P. L314-L318.

187. Chicon R, Ortuno M., Abellan J. An algorithm for surface reconstruction in scanning tunneling microscopy // Surf. Sci. 1987. V. 181. P. 107 111.

188. Reiss G., Schneider F., Vancea J., Hoffmann H. Scanning tunneling microscopy on rough surface: Deconvolution of constant current images // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. N. 9. P. 867-869.

189. Montelius L., Tegenfeldt J. О. Direct observation of the tip shape in scanning probe microscopy // 1993. V. 62. N. 21. P. 2628- 2630.

190. GriggD. A., Russel P.E., Griffith J. E., Vasile M. J., Fitzgerald E.A. Probe characterization for scanning probe metrology // Ultramicroscopy 1992. V. 42-44. P. 1616 1620.

191. Markiewicz P., Goh M.C. Atomic force microscopy tip visualization and improvement of images using a simple deconvolution procedure // Langmuir 1994. V. 10. N. 1. P.5-7.

192. Keller D.J. Reconstruction of STM and AFM Images Distorted by Finite-Size Tips // Surf. Sci. 1991. V. 253. P. 353-364.

193. Keller D.J., Franke F.S. Envelope Reconstruction of Probe Microscope Images // Surf. Sci. 1993. V. 294. P. 409-419.

194. Vesenka J., Miller R., Henderson E. Three-dimensional probe reconstruction for atomic force microscopy // Rev. Sci. Instrum. 1994. V. 65. N. 7. P. 22492251.

195. Markiewicz P., Goh M.C. Simulation of atomic force microscope tipsample/sample -tip reconstruction // J. Vac. Sci. Technol B. 1995. V. 13. N. 3. P. 1115-1118.

196. Markiewicz P., Goh M.C. Atomic force microscope tip deconvolution using calibration arrays // Rev. Sci. Instrum. 1994. V. 66. N. 5. P. 3186-3190.

197. Miller R., Vesenka J., Henderson E. Tip reconstruction for the atomic force microscope // SIAM J. Appl. Math. 1995. V. 55. N. 5. P. 1362-1371.

198. Villarrubia J.S. Morphological estimation of tip geometry for scanned probe microscopy. // Surf. Sci. 1994. V. 321. N. 3. P.287-300.

199. Williams P.M., Shakesheff KM., Davides M.C., Jackson D.E., Roberts C.J., Tendler S.J.B. Blind reconstruction of scanning probe image data // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. V. 14. N. 2. P. 1557-1562.

200. Dongmo S., Troy on M., Vautrot P., Delain E., Bonnet N. Blind restoration method of scanning tunneling and atomic force microscopy images // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996 V. 14. N. 2. P. 1552-1558.

201. Martin Y., Wickramasinghe H.K. Method for imaging sidewalls by atomic force microscopy // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N. 19. P. 2498 2500.

202. Машкова E.C., Молчанов B.A., Степанова A. H., Гиваргизов Е. И., Муратова В. И. Применение ионной бомбардировки для получения острий из нитевидных кристаллов кремния // Поверхность. 1995. №2. С. 5-12.

203. Granqvist C.G., Buhrman R.A. Ultrafine metal particles // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. N. 5. P. 2200-2218.

204. Петров Ю.И. Физика малых частиц / М. Наука. 1982. 359 с.330

205. Петров Ю.И. Кластеры и малые частицы / М. Наука. 1986. 367 с.

206. Непийко С. А. Физические свойства малых металлических частиц / Наукова Думка. Киев. 1985. 245 с.

207. Морохов И.Д., Петинов В.И., Трусов JI.H., Петрунин В. Ф. Структура и свойства малых металлических частиц // УФН 1981. Т. 133, №4. С. 653692.

208. Нагаев Э.Л. Малые металлические частицы//УФН 1992. Т. 162. №9. С. 50-124.

209. Chou S.Y., Kraus P.R., Kong L. Nanolithographically defined magnetic structures and quantum magnetic disk // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. N. 8. P. 6101-6106.

210. Kong L., Shi R.C., Kraus P.R., Chou S.Y. Writing bits of longitudinal quantized magnetic disk using magnetic force microscope tip // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. Part I. N. 8. P. 5109-5111.

211. Gangopadhyay S., Hadjipanayis G.C., Dale В., Sorensen C.M., Klabunde K.J., Papaefthymiou V., Kostikas A. Magnetic properties of ultrafine iron particles // Phys. Rev. B. 1992. V. 45. N. 17. P. 9778-9787.

212. Крайдер M.X. Технология хранения данных // В мире науки 1987. №12. С. 47-56.

213. Perez A., Treilleux М, Fritsch L., Marest L. Spinal ferrite formation in iron implanted MgO crystals // Nucl. Instrum. and Meth. 1981. V. 182-183 Part.2. P. 747-751.

214. Perez A., Dupin J.P., .Massenet O., Marest G., Busiere P. Optical, channeling and Messbaur studies of high dose iron implanted ionic crystals //Radiat. Eff. 1980. V.52. N. 3-4. P. 127-136.

215. Perez A., Marest G., Sawicka B.D., Sawicki J.A., Tyliszczak T. Iron-ion -implantation effects in MgO crystals // Phys. Rev. B. 1983. V.28. N. 3. P. 1227-1238.

216. Петухов В.Ю., Хайбуллин И.Б., Зарипов M.M., Манапов Р.А. Магнитные свойства кремния, имплантированного ионами железа // ФТТ 1984. Т. 26. №5. С. 1392-1397.

217. Guermazi М., Marest G., Perez A., Sawicka В.D. Sawicki J.A.,Thevenard Р., Tyliszczak Т. Study of iron-ion implantation in retile single crystals // Mat. Res. Bull. 1983. V. 18. P. 529-538.

218. Perez A., Meaudre R., Thevenard P., Sibut P. Iron ion implantation effects in silica // Procc. of the Conf. "Induced Defects in Insulators" Strasbourg, France, 5-8 June. 1984 ed. P.Mazzoldi. Editions de Physique, Paris, 1984, P. 171-176.

219. Griscom D.L., Krebs J.J.,.Perez A, Treilleux M. Ferromagnetic resonance studies of iron-implanted silica // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 1988.3311. V. В32 P. 272-278.

220. Perez A., Treilleux M, Carpa Т., Griscom D.L. Precipitation phenomena in high-dose iron-implanted silica and annealing behavior // J. Mater. Res., 1987. V.2, N. 6. P. 910-917.

221. Hosono H. Simple criterion on colloid formation in Si02 glasses by ion implantation // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. Part 1. N. 9A. P. 3892-3894.

222. Kobayashi Т., Nakanishi A., Fokumura K, Langouche G. Fine iron particles formed in a sapphire crystal by the ion implantation technique // J. Appl. Phys. 1998. V.83. N. 9. P. 4631-4641.

223. Petukhov V.Yu., Ilaldinov I.Z., Khaibullin I.В., Wollschlager К Study of electrical and optical properties of fused quartz implanted by high dose Cr+ and Fe+ ions // Phys. Res. 1988. V. 8. P. 387-389.

224. Ohkubo M., Hioki Т., Kawamoto J. Magnetic properties of Fe-implanted sapphire // J Appl. Phys. 1987. V. 62. N. 7. P. 3069-3071.

225. Massouh S. Perez A., Serughetti J. Iron-ion-implantation effects in forsterite (Mg2Si04) and annealing behavior // Phys. Rev. B. 1986. V. 33. N. 5. P. 3083-3089.

226. McHargue C.J. Farlow G.C., Sklad P.S., White C.W., Perez A., Kornilios N., Marest G. Iron ion implantation effects in sapphire // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 1987. V. В19-20. P. 813-821.

227. Marest G., Kornilios N., Perez A., Ravel F., Gerard P.G., Grilles В., Brunei M. Iron implantation in yttrium iron garnet // Acta. phys. pol. 1987. V. All. N. 2. P. 329-333.

228. Kornilios N., Marest G., Perez A., Brunei M., Gilles В., Grilles В., Gerard P.G., Ravel F. Medium and high iron implantation in vacuous garnets 11 Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 1987. V. В19-20. P. 860-864.

229. Petukhov V.Yu., Zhikharev V.A., Zheglov E.P., Azarov I. Khaibullin I.B. Ferromagnetic resonance of granular thin films created in polymers by ion implantation // Etented abstracts of the 27th Congress AMPERE. 1994. V.l. P. 370-371.

230. Петухов В.Ю., Жихарев В.А., Хабибуллина И.Р., Хайбуллин И.Б.332

231. Магнитные свойства и структура поверхностных слоев, полученных в ПММА имплантацией ионов Fe+ // Высокочистые вещества 1993. №3. С. 45-48.

232. Petukhov V., Zhikharev V. , Ibragimova М, Zheglov Е., Bazarov V., Khaibullin I. В. Ion synthesis of thin granular ferromagnetic in polymethylmetacrylate // Solid. State. Comm. 1966. V. 97. N. 5. P. 361-364.

233. Khaibullin R.I., Osin Yu. N., Stepanov A.L., Khaibullin I. B. Ion synthesis of Fe and Ag granular films in viscous and solid state polymers // Vacuum 1998. V. 51. N. 2. P. 289-294.

234. Абдуллин C.H., Степанов A.JI., Хайбуллин P.И., Валеев В.Ф., Осин Ю.Н., Хайбуллин КБ. О механизмах формирования тонкой металлической пленки в эпоксидном композите, имплантированном ионами кобальта // ФТТ. 1996. Т. 38. №8. С. 1412-1415.

235. Хайбуллин Р.И., Абдуллин С.Н., Степанов А.Л., Осин Ю.Н., Хайбуллин И.Б. Ионная имплантация в вязкие среды // Письма в ЖТФ. 1996. Т.22. №3. С. 48-53.

236. Yolken H.T., Kruger J. Optical constant of iron in visible region // J. Opt. Soc. Am. 1965. V. 55. N. 7. P. 842-844.

237. Gardner R.F.G., Sweett F., Tanner D.W. The electrical properties of alpha ferric oxide -II. Ferric oxide of high purity // J. Phys. Chem. Solids. 1963. V. 24. N. 10. P. 1183-1196.

238. Борн M., Вольф Э. Основы оптики / 1970. M. Наука 855 с.

239. Nilson Р.-О. Determination of optical constant from intensity measurements at normal incidence // Appl. Optics. 1968. V. 7. N. 3. P. 435-442.

240. Marion J.P., Schesinger M. Optical constant of thin discontinuous nickel films // Appl. Phys. 1969, V. 40. N. 11. P. 4529-4531.

241. Rasigni G., Petrakoan J.P., Rasigni M., Palmari J.P. Plasma resonance and interband absorption in granular deposits of iridium // J. Phys. C: Solid State Phys. 1976. V. 9. P. L325-328.

242. Файнштейн C.M. Обработка и защита поверхности полупроводниковых приборов / М. Энергия. 1970. 283.с.

243. Фельдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок / 1989. М. Мир. 342 с.

244. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов /1961. М. Физматгиз. 864 с.

245. Штыпуляк Н.И., Якимов И.И., Литвинцев В.В.333

246. Ренгенодифрактометрическое исследование структурыприповерхностных слоев в параллельных скользящих пучках // ПТЭ 1988. №5. С. 181-184.

247. Bodker /*'., Morup S., Linderoth S. Surface effects in metallic iron nanoparticles // Phys. Rev. Letters 1994. V.72. N. 2. P.282-285.

248. Chen C.T., Cahan B.D. Visible and ultraviolet properties of single-crystal and polycrystalline hematite measured by spectroscopic ellipsometry // J. Opt. Soc. Am. 1981. V. 71. N. 8. P. 932-934.

249. Kurkjian C.R., Sigety E.A. Co-ordination of Fe3+ in glass // Phys. Chem. of Glasses. 1968. V. 9. N. 3. P.73-83.

250. Соколов A.B Оптические свойства металлов / 1961. M. Изд-во физ-мат лит-ры. 464 с.

251. Уайт Р. Джебелл Т. Дальний порядок в твердых телах / 1982. М. Мир. 447 с.

252. Тикадзуми С. Физика ферромагнетизма / 1987. М. Мир. 420 с.

253. De Biasi R. S., Devezas Т. С. Anisotropy field of small magnetic particles as measured by resonance // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. N. 4. P. 2466 2469.

254. Wigen P.E., Kooi C.F., Shanabarger M.R, Cummings U.K., Baldwin M.E. Angular dependence of spin pinning in thin ferromagnetic films // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. N. 4. Part 2. P. 1137-1139.

255. Azarov I., Zhikharev V. FMR in thin ferromagnetic granular film // App. Magn. Reson. 1995. V. 9. P. 165-171.

256. Скроцкий Г.В., Курбатов Л.В. Теория ферромагнитного резонанса в кн. Ферромагнитный резонанс (Серия "Современные проблемы физики") / М., 1961. изд-во физ.-мат. литературы С. 25-97

257. Бабаджан Е.И., Косаче В.В., Лохов Ю.И., Рязанов М.И. Теория поглощения лазерного излучения металлизированными микровключениями в прозрачных материалах. // Физика и химия обработки материалов 1983. №1. С. 13-19.

258. Qriscom D.L. Ferromagnetic resonance condition and powder pattern analysis for dilute spherical single-domain particles of cubic crystal structure // Journal Magnetic Resonance. 1981 V. 45. N. 1. P. 81-87

259. Kittel C. On the theory of ferromagnetic resonance absorption // Phys. Rev. 1948. V.73. N. 2. P. 155-162.

260. Rubinstein M, Das B.N., Koon N.C., Chrisey D.B., Horwitz J. Ferromagnetic resonance studies of granular giant-magnetoresistive materials // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. N. 1. P. 184-192.

261. Griscom D.L. Friebele E.J., Shinn D.B. Ferromagnetic resonance of spherical particles of a-iron precipitated in fused silica // J. Appl. Phys. 1979. V. 50. N. 3. P. 2402 2404.334

262. Griscom D.L. Ferromagnetic resonance of fine grained precipitates in glass: a thumbnail review // J. Non-Cryst. Solids. 1980. V. 42. P. 287-296.

263. Griscom D.L. Ferromagnetic resonance condition and powder pattern analysis for dilute, spherical, single-domain particles of cubic crystal structure // J. Magn. Reson. 1981. V. 45. P. 81-87.

264. Фрайт 3. Ферромагнитный резонанс в кн.: Тонкие ферромагнитные пленки / Под общ.ред. Телесина Р.В. М. Мир.1964 .с. 254-312.

265. Гуревич Ф.Г. Магнитный резонанс в ферритах и аниферромагнетиках / М. Наука. 1973. 591 с.

266. Frait Z. The g-factor in pure polycrystalline iron. // Czech. J. Phys. 1977. V. B27. N. 2. P. 185-189.

267. Туров E.A. Ширина линии ферромагнитного резонанса в кн.: Ферромагнитный резонанс (Серия "Современные проблемы физики") /. М. изд-во физ.-мат. литературы 1961. С. 215-264.

268. Gengnagel И., Hofman U. Temperature dependence of magnitocrystalline energy constants Kb K2 and K3 of iron // Phys. State. Saul. 1968. V. 29. N. 1. P. 91 -97.

269. Данилейко Ю.К, Маненков A.A., Нечитайло B.C., Прохоров A.M., Хаимов-Малъков В.Я. Роль поглощающих включений в механизме разрушения прозрачных диэлектриков лазерным излучением // ЖЭТФ 1972. Т. 63. №3. С. 1030-1035.

270. Маныкин Э.А., Полуэктов П.П., Рубежный Ю.Г. Теория поглощения электромагнитного излучения частицами малых размеров // ЖЭТФ 1976. Т. 70. №6. С. 2117-2125.

271. Левинсон Г.Р., Смилга В.И. Лазерная обработка тонких пленок (обзор) //Квантовая электроника 1976. Т. 3. №8. С. 1637-1659.

272. Bauerle D. Laser Processing and Chemistry / Springer. 1997. 639 p.

273. Комнш Ю.Ф. Физика металлических пленок / Атомиздат. М. 1979. 263 с.

274. Трусов Л.И., Холмянский В.А. Островковые металлические пленки / Металлургия. М. 1973. 107 с.

275. Liou S.H., Liu Y., Malhotra S.S., Yu M., Sellmyer D.J. Magnetic properties of nanometer-size CoPt particles // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. N. 8. P. 5060-5062.

276. Gomez D.R., Burke R.E., Mayergoyz I.D. Magnetic imaging in the presence of external fields: technique and applications // J. Appl. Phys. 1996. V. 79,3351. N. 8. P. 6441-6446.

277. Gomez D.R., Shin M.C., New R.M.H., Pease R.F.W., White R.L. Switching characteristics of submicron cobalts islands // J. Appl. Phys.1996. V. 80. N. 1. P. 342-346.

278. Dahlberg E.D., Zhu J.G. Micromagnetic microscopy and modeling // Phys. Today 1995. V 49. N. 4. P. 34-40.

279. Shi J., Gider S., Babcock K, Awschalom D.D. Magnetic clusters in molecular beams, metals, and semiconductors // Science 1996. V. 271 P. 937-941.

280. Lohndorf M., Wadas A., Lutjering G., Weiss D., Wiesendanger R. Micromagnetic properties and magnetization switching of single domain Co dots studied by magnetic force microscopy // Z. Phys. 1996. V. В 101. P.l-2.

281. New R.M., Pease R.F.W., White R.L. Physical and magnetic properties of submicron lithographically patterned magnetic islands // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. V. 13. N. 3. P. 1089-1094.

282. Gong W, Zhao H.L., Chen J. Ultrafine particles of Fe, Co, and Ni ferromagnetic metals // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. N. 8. P. 5119-5121.

283. Кондорский Е.И. Микромагнетизм и перемагничивание квазиоднодоменных частиц // Известия АН СССР. Серия физическая 1978. Т. 42. №8. С. 1638-1645.

284. Васильев Б.В., Поцелуйко А.А., Пынько В.Г. Электронно-микроскопическое исследование распределения намагниченности в малых частицах железа и никеля //ФММ. 1985. Т. 55. №5. С. 1026-1029.

285. Fredkin D.R., Koehler T.R. Ab initio micromagnetic calculation for particles // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N. 9. P. 5545-5548.

286. Smyth J.F., Scultz S.,. Fredkin D.R, Kern D.P., Rishton S.A., Schmid H., CaliM. Hysteresis in lithographic arrays of permolloy particles: Experiment and theory //J. Appl. Phys. 1991. V. 69. N. 8. P. 5262-5166.

287. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов / М.:Высшая школа 1984. 287 с.

288. Травление полупроводников. (Сборник статей) / М.:Мир 1965. 382 с.

289. КСангвал. Травление кристаллов теория, эксперимент, применение / М.:Мир 1990. 496 с.

290. Степаненко И.П. М Основы микроэлектроники /Советское радио. 1980. 423 с.

291. Webb А.P., Houghton A.J., Townsend P.D. Changes in the chemicals stability of ion-implanted silica glasses // Radiat. Eff. 1976. V. 30. N. 3. P. 177-182.

292. К.А.Валиев, В.А.Данилов, К.А.Дракин, С.В.Пешехонов, А.В.Раков. Физические процессы дефектообразования и травления при ионной336литографии пленок двуокиси кремния // Микроэлектроника 1982. Т. 11. №4. С. 323-328.

293. Drake В., Prater C.B., Weisenhorn A.L., Gould S.A.C., Albrecht T.R., Quate C.F., Cannell D.S., Hansma, H.G., Hansma P.K. Imaging crystals, polimerses in water with the atomic force microscope // Science 1989. V. 243. P. 1586-1589.

294. Schneir J., Marti ()., Remmers G., Glaser D., Sonnenfeld R., Drake В., Hansma P.K., Elings. V. Scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy of the liquid-solid interface // J. Vac. Sci. Technol. A 1988. V. 6. N. 2. P. 283-286.

295. Britt D.W., Hlady Kin-situ atomic force microscope imaging of calcite etch pit morphology changes in undersaturared and 1-hydroxyethylidene-l, 1-diphosphonic acid poisoned solutions // Amer. Chem. Soc. 1997. V. 13. P. 1873-1876.

296. Liang Y., Baer D.R., McCoy J.M., LaFemina J.P. Interplay between step velocity and morphology the dissolution of CaC03 surface // J. Vac. Sci. Technol. A 1996. V. 14. N. 3. P. 1368-1375.

297. Yamamoto S., Sugiyama S., Matsuoka O., Kohmura K., Honda Т., Banno Y., Nozoye H. Dissolution of zeolite in acidic and alkaline aqueous solutions as revealed by AFM imaging // J. Phys. Chem. 1996. V. 100. P. 18474-18482.

298. Shindo H., Ohashi M. In situ AFM observation of crystal growth of NaCl in an aqueous solution // Appl. Phys. A 1998. V. 66. P. S487-S490.

299. Winters H.F., Haarer D.Influence of doping on the etching // Phys. Rev. B. 1987. V. 36. N. 12. P. 6613- 6623.

300. Takigami, M. Tanimoto R. Measurements of three-dimensional impurity profile in Si using chemical etching and scanning tunneling microscopy // Appl. Phys. Lett 1991. V. 58. N. 20. P. 2288-2290.

301. Hiraiwa A., Usui H., Yagi K. Novel characterization of implant damage in Si02 by nuclear-deposited energy // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 52. N. 12 P. 1106-1108.

302. Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.В. Фотоэлектрохимия полупроводников /М.Наука 1983. 311 с.

303. Bcuiuee К.А., Махвалидзе Т.М., Раков А.В. Кинетика процесса безрезистивной ионной литографии // Микроэлектроника 1986. Т. 15. №5. С. 392-397.

304. Arnold G.W. Ion implantation effects in glasses // Radiation Effects 1982. V. 65. P. 17-30.

305. Орешкин ПЛ., Макарчук B.A., Королева Г.И., Холомина Т.А. Скорость травления облученных пленок Si02 // Микроэлектроника 1990. Т. 19.3371. С. 555-556.

306. Bcuiuee К.А., Махвиладзе Т.М., Раков А.В. Аррениусова модель безрезистивной ионной литографии неорганических твердотельных материалов // ДАН СССР 1986. Т. 289. №4. С. 867-871.

307. Глинка H.JI. Общая химия /Л. Изд-во "Химия" 1974. 702 с.

308. АппенА.А. Химия стекла/Л. Изд-во "Химия" 1970. 352 с.

309. Дешковская А.А. Ионная имплантация в стекла и ее эффекты // Материалы III Всесоюзной школы в Алма-Ате 1984 г. "Фундаментальные вопросы ионной имплантации" Алма-Ата. Наука. 1987. С. 145-161.

310. Мейер Дж., Эриксон Л., Девис Дж. Ионное легирование полупроводников / М.Наука 1973. 296 с.

311. Gerasimenko N.N., Tseitlin G.M., Vasiev S. V. Formation of B2 centers during ion irradiation of SiOx layers. // Phys. Stat. Sol. A 1980. V. 62. P. F-K174.

312. Селезнев Б.И., Емельянова Г.M., Ткалъ В.A., Макушкин Б.В. Влияние лазерного облучения на структуру пленок двуокиси кремния, имплантированных ионами фосфора // ЖПС 1982. Т. 36. №3. С. 413416.

313. Chengyu W., Ying T., Shuchu W .Effect of nitrogen ion-implantation on silicate glasses // J. Non-Cryst. Solids 1982. V. 52. P. 569-603

314. Павлов П.В., Д.И. Тейтелъбаум, Е.И. Зорин В.И., Алексеев А.П. О распределении введенных атомов и радиационных дефектов при ионной бомбардировке кремния (расчет методом Монте-Карло) // ФТТ. 1966. Т. 8. №9. С. 2679-2687

315. Мазурин О.В. Стрелъцина М.В. Швайко-Швайковская Т.П. Свойства стекол и стеклообразующих расплавов. Справочник, т. 1 / Л. Наука 1973. 444 с.

316. Henderson D.O., Ми R., Gearge М.А., Burger M.A., Morgan S.H. White C.W., Zuhr R.A. Atomic force microscopy of Au implanted sapphire // J. Vac. Sci. Technol. В 1995. V. 13. N. 3. P. 1198-1202.

317. Nistor L.C., Landuyt J.V., Barton J.D., Hole D.E., Skelland N.D., Townsend P.D. Colloid size distributions in ion implanted glass // J.Non-Cryst. Solids, 1993. V. 162. P. 217-224.

318. Zhengxin Lui, Li H., FengX., Ren S., Wang H., Lu В. Formation effects and optical absorption of Ag nanocrystals embedded in single crystal Si02 by implantation//J. Appl. Phys. 1998. V. 84. N. 4. P. 1913-1917.

319. Беляков Л.В., Горячев Д.H., Парицкий Л.Г., Рывкин СМ., СреселиОМ. О разрешающей способности процесса фотохимического травления полупроводников//ФТП 1976. Т. 10. №6. С. 1142-1147.

320. Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М., Ярошецкш ИД. Роль света в процессах формирования пористого кремния на подложках р-тшш II338

321. ФТП 1993. Т. 27. №11/12. С. 1961-1964.

322. Особая благодарность жене и дочери за их терпение и помощь.