СКВИД-магнитометрия органических сверхпроводников тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

<Ул 1 я % -

Академия наук СССР Ордена Ленина Институт химической физики

Н4 правах рукописи УДК 537.622.2 + 537.638

ЕПАНЕЧНИКОВ ЛЕОНИД АРКАДЬЕВИЧ

СКВИД-М А ГНИТОМЕТРИЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ

01.04.07 — физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

/Москва 1991

Работа выполнена в криогенной лаборатории кафедры физики Московского химико-технологиче-. ского института им. Д. И. Менделеева.

Научный руководитель — доктор физико-математических наук Макаров Е. Ф.

Научный консультант — кандидат физико-математических наук Метлушко В. В.

Официальные оппоненть(: член-корреспондент АН СССР Щеголев И. Ф.; кандидат физико-математических наук Мамсурова Л. Г.

Ведущая организация — Ленинградский институт ядерной' физики АН СССР.

Защита состоится /3 -ШАЛ- ■ 1992 г. в - ^^ 11ас: на заседании Специализированного совета Д 002.26.04 при Институте химической физики АН СССР по адресу:- 117977, Москва, В-334, ГСП-1, ул. Косыгина, Д. 4, корп. 6а.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института химической физики АН СССР.

Автореферат разослан Ж? С^с-О 1991 г.

¿Г

.Ученый секретарь Специализированного совета к. х. н.

ВОЛЫНСКАЯ А. В.

ОБЦАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

г

' i

J Актуальность тема. Одной из важнейших задач фигглгсн твердого тола является поиск новых сверхпроводявдх иатерцатоь с высокой критической температурой. Стимулом для поиска сверхпроводимости в органических соединениях послужила работа Литтла, в которой была предложена модель сверхпроводника fia основе экситониог;о неханизма с критической температурой Tfl « 24.00 К. Однако такой Сверхпроводящий полимер ещё не создан, я максимум критической температуры прочно удерживается высокотемпературными сверхпроводниками СВТСП).

Исследование магнитных свойств органических сверхпроводников представляет значительный интерес, так к?:с позволяет получить сведения о таких важных характеристиках сверхпроводящих соединений как: величины критический плотностей токов, их температурные и иолеЕые зависимости, энергии иишшнга и т.д., а также применимость различных моделей сверхпроводимости для описания экспериментальных результатов. Для более полного понимания процессов происходящих в этих соединениях наибольший интерес представляют исследования проведенные на монокристаллах этих соединений.

Цель и задачи исследования. Целы работы являлось всестороннее исследование магнитных свойств монокристаллов органических сверхпроводников k-(BEDT-TTF)2Cu(NCS)2 и k-(BEDT-TTF)2Cu[NCcH)2)Br в сверхпроводящем состоянии в магнитных полях до 0,3 Тл: кривых намагничивания.

Л

X

температурных и полевых зависимостей критических токов, процессов релаксмии магнитного моыента.

Научная новизна диссертационной работы. Использование метода СКВДЦ магнитометрии позволило впервые провести комплексное исследование магнитных свойств монокристаллов органических сверхпроводников к-(ВЕРТ-ттг)2си(нсз)2 и к-(ВЕИТ-ИК)2Си[НСся)2]Вг в сверхпроводящем состоянии для обеих ориентаций Bj.bc и В//вс С где вс-базовая плоскость кристалла) на одном отдельно взятом монокристалле и сравнить с результатами, полученными на других монокристаллах из этой серии.

Главными по своей научной и практической значимости достижениями работы являются :

1. Исследование полевых зависимостей магнитного момента монокристаллов органических сверхпроводников к- ( БЕСТ-ТТЕ) 2С11 (Г'СБ) 2 И к- (ВЕЙТ-ТТГ) 2Си [ЛССН) 2] Вг В сверхпроводящем состоянии в ориентациях Bj.bc и В//вс.

2. Исследование температурных и полевых зависимостей критической плотности тока монокристаллов этих соединений и их анизотропии.

3. Исследование релаксационных процессов намагниченности. Определение средней энергии активации и0.

4. Исследование методом статической намагниченности лондоновской глубины проникновения магнитного поля в образец, и её температурной зависимости, а также сопоставление полученных значений с различными моделями сверхпроводимости.

Алпрооация работы. Основные результаты работы были представлены: на 4-й Всесоюзной конференции "Неоднородные

электронные состояния (Новосибирск, 1991), на 2 международном симпозиуме по физике и химии оксидных сверхпров дкиков Срсоз"91) (Токио, Япония, 1991), на международной конференции по высокотемпературной сверхпроводимости и локализованным явлениям СВТСП ЛЯ) СМосква, 1991), на международной конференции по ВТСП См2з-нтбс iii) (Каназава, Япония, 1991),

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 7 печатных работ. 1

Структура и объём диссертации. Диссертационная работа состоит из введения и шести глав, заключения и содержит

_ страниц, включая _ страниц машинописного текста,

_ рисунков и _ таблиц, а также списка цитируемой

литературы из _ наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении обоснована актуальность теми диссертации, сформулированы цель и основные задачи исследования, отмечена новизна, актуальность и научная значимость полученных результатов.

В первой главе Слитературный обзор) представлена история возникновения и развития органически}: сверхпроводников и основное внимание уделено обзору литературы по физическим свойствам новых органических соединений к-(ВЕ»т-ттЕ)2Х, где X

- Си(ЯС8)2 и Си {ЛССЮ Вг,

Во второй главе дается описание экспериментальной установки - сверхпроводящего квантового магнетометра, которая позволяет проводить наследование температурных, полевых и

временных зависимостей магнитного момента в диапазоне температур от 1,8 до 300 К при намагничивающих полях до 0,3 Тл. Чувствительность системы по магнитному моменту составляет порядка Ю-** Дж/Тл. Кратко рассмотрены принципы работы СКВНДа, основанные на эффектах квантования магнитного потока в сверхпроводящем кольце и эффекте Джозефсона, а также изложены основные характеристики ВЧ-СКВИДа, позволяющие создавать магнитометрические приборы. Кроме этого, дано описание конструкции криогенной части магнитометра и мер предпринятых для понижения уровня шумов возникающих в системе, а также изложена оригинальная методика монтажа и переориентировки образцов в кварцевой ампуле -контейнере специальной конструкции. Дано описание гидравлической системы перемещения образца в рабочей области магнитометра, описан блок электроники СКВИДа и приведен анализ погрешностей измерений.

Третья глава посвящена комплексному исследованию магнитных свойств монокристаллов органического сверхпроводника к-(вебг-ттк)2си(исб)2 в сверхпроводящем состоянии в ориентациях Bj.bc и В//вс.

Изучены полевые зависимости магнитного момента для ориентации Bj.bc и В//вс для температур 4,2 К; 5,й К; 6,3 К; и 7,7 К. Кривые намагничивания для исследуемых температур имеют вид характерный для мягких сверхпроводников 2-го рода со слабым пиннингом абрикосовских вихрей. При повышении температуры ширина петли гистерезиса уменьшается, а при дальнейшем росте Т кривая выходит на режим обратимого намагничивания и при Т=7,7 К становится практически

обратимой. Для ориентации В//вс, при 4,2 К при перемагничивании образцов наблюдались скачки пот"Ж^ , характерные для классических сверхпроводников со слабый пиннингоы вихревой решетки. По начальным участкам кривых намагничивания для ориентации Вхвс и В//вс, по началу отклонения ■. зависимости РиСВ) от линейности о учётом размагничивающего фактора была определена величина первого критического поля^ и её температурная зависимость, которая в обеих ориентациях хорошо описывается линейной зависимостью, Экстраполяцией прямой к Т-»0 определено значение Нс^(0), которое для ориентации Hj.bc составило Нс^СО) <» 23 мТл, а для Н//вс Нс1(0) « 2,5 мТл.

На основе анизотропной модели Бина, используя пропорциональность между шириной петли гистерезиса и критической плотности тока были определены абсолютные значения .1 а также её температурные и полевые зависимости, Температурную зависимость критической плотности тока во всей исследованном температурном диапазоне удается описать эмпирической зависимостью:

ЛС(Т) = ас(0) [ехр(-Т/Т0) - ехр(-Тс/Т0)] (1)

с Тс<* 8,5 К и Т0= 1,5 К. Эта зависимость дает экспоненциальную зависимость лс(Т) при низких температурах и линейную зависимость при Т*ТС. Подобная экспоненциальная зависимость лс(Т) наблюдается также на монокристаллах ВТСП, Экстраполяцией зависимости ¿С(Т) к Т=0 при &»0, была определена величина ас(Т-»о,в->о), которая для монокристалла К1

А р

составила .7,(0,0) « 6,5-10 к/си , а для монокристалла

Jc(0,0) « 3,5-10^ А/см". Половую зависимость критической плотности тока JQ(B) для ориентации Bj.bc удается описать эмпирическим соотношением:

JC(B,T) = Jc(0,T)exp(-B/Bo) (23

во всем исследованном диапазоне полей, где дР^О, однако для B//EC в области полей Bs30 мТл зависимость JQCBi практически не зависит от поля и только при В>30 мТл зависимость J^CBi можно представить в виде С2). Величина анизотропии критической плотности тока при В->0 и Т=4,2 К составила Кл = jBj.bc^jB//bc к jgQ и с рОСТОМ |1ОЛЯ быстро убывает, а при В « 120 лТл Kj«l.

В работе были исследованы временные зависимости магнитного момента PM(t) при Т=4,2 К в диапазоне полей 0-60 мТл для ориентации Bj.bc и В//вс. Отмечено, что релаксация магнитного момента имеет характер "гигантского" крипа потока с максимальным изменением дРц « 40 % в поле В •» 20 мТл на интервале от t до 1 часа для Bj.bc (где tq« 3 с - время первого измерения).

Временные зависимости Р,/^ хорошо описываются зависимостью PM(lnt) и могут быть объяснены в рамках модели крипа потока, обусловленного термоактивирова чым движением вихрей. Скорость релаксации магнитного момента R=dPM/d(lnt) определенная по наклону линейных участков зависимости Р СВЭ имеет острый максимум в поле В « 3 мТл для Bj.bc и в поле В « 20 мТл для В//вс. Такая зависимость r(B) может быть объяснена в рамках модели критического состояния своеобразным топологическим переходом в распределении плотности

абрикосовок.".: вихрей при В=В», Для определения средней энергии активации использовалась приведенная счо;. эсть логарифмической релаксации Б(В) = н/лР^ = кТ/ио при В>В* , Сгде лР - полуширина петли гистерезиса) которая составила ио » 7,2 мэВ для Вхвс в поло В а 3 мТл и ио « 10 мэВ для В//ес, в поле В » 20 мТл Средняя величина ио оказалась существенно меньшей, чем ио определенное для классических сверхпроводниковт ВТСП, Кроме того, следует отметить, что величина анизотропии энергии активации Ки = и®АВС/и^//вс во ьсей области исследуемых полей лежит в пределах 1+0,5 и на может объяснить большую величину анизотропии критической плотности тока л

Четвертая глава посвящена исследованию лондоновской

глубины проникновения магнитного поля в монокристаллы органического сверхпроводника к-(ВЕСТ-ттк)2си(нсз)2. В начале главы кратко рассмотрены существующие методы измерения глубины прони човения магнитного поля в образец. Долее более подробно рассмотрен метод определения лондоновской глубины проникновения магнитного поля, разработанный Коганом В.Г., и основанный на измерении» полевой зависимости статической намагниченности образца на обратимом участке кривой намагничивания в диапазоне полей Н^« Н « Н^. Метод был расширен Шиллингом А,, и было показано,, что используя данную методику можно определить хвс для монокристаллов, с учетом фактора анизотропии у на основе соотношения:

фо 1п(Н)■£(у)

- 4пМ = - -р— • - + с' (з)

2 ■ у

-7 ?

где Фо=2,07-10 Гс-см - квант потока;

*во= \,коп^£(,г)/'2г = хэксп->1С1г)' "Р" г>5 = °'707

Таким образом, глубина проникновения магнитного поля в

базовой плоскости кристалла к-(ВЕСТ-'ПТ),си(лс8), и её

2 2

температурная зависимость были определены как хс <а0,707х„„

вс эксп

определяя х из наклона линейных зависимостей -Ф

ijftl.ll о эксп

построенных в координатах -Р в зависимости от 1пСН/1 мТл), в

диапазоне температур от 4,2 К до Тс> Экстраполяцией

полученной температурной зависимости х(Т) к Т-»0 была получена

величина глубины проникновения магнитного поля х(0) » 2000 А.

Это значение по порядку величины совпадает со значениями

хСО), полученными ранее расчетным путем С х^О) = 4000 А и

Х2СО) = 1500 А ). Полученная экспериментальная температурная

? Р

зависимость х(Т) была построена в координатах хСОЭ/хСТ) в зависимости от приведенной температуры Т/Т и сопоставлена с уже известными теоретическими зависимостями х'СТ), построенными в рамках различных моделей сверхпроводимости, Оказалось, что экспериментальные значения хСТ) можно описать в рамках двух моделей сверхпроводимости: моделью сверхпроводимости.с анизотропией щели и моделью электронного спаривания индуцированного дырками СЕР1Ю).

Пятая глава посвящена СКВИД-магнитометрическим исследованиям свойств монокристаллов нового органического сверхпроводящего ' соединения к- (вът-ттг) гса [ н( си) 2 ] Вг с максимальной температурой сверхпроводящего перехода Тс» 12,Я К. В диссертационной работе были исследованы температурные, полевые и временные зависимости магнитного момента Рм монокристаллов в ориентациях Вхвс и В//вс (вс-плоскость кристалла) в диапазоне температур от 2,1 К до Т и в полях

±0,3 Тл.

Температурные зависимости РМСТ) монокристаллов k-(BEDT-TTF)2Cu[nCcN)2]Br в ориентации В//вс были получены в двух режимах ZFC (zero field cooled) tl FC (field cooled) B различных магнитных полях. По зависимостям Р*гсСТ) и р£сСТ) была определена температура сверхпроводящего

перехода. Показано, что полевые зависимости магнитного момента для ориентации Вхвс в диапазоне температур от 2,1 до Тс подобно зависимостям на монокристаллах органического сверхпроводника k-(BEDT-TTF)2Cu(NCS)2 имеют вид .кривых гистерезиса, характерных для мягких сверхпроводников 2-го рода со слабым пиннингом вихрей. Однако, для ориентации В//вс необратимая кривая гистерезиса наблсдается только для температуры Т=2,1 К и начиная с температур Т >» 4,2 К, кривые намагничивания Р^СВ) полностью обратимы и существенно не изменяются с ростом температуры, рис.1. Обратимость кривой намагничивания свидетельствует о той, что экранирующие токи для данной ориентации Смежду проводящими слоями) отсутствуют Сс точностью измерения магнитного момента 10"*® Ам^ ), а кривая намагничивания определяется упругостью вихревой решетки и поверхностным барьером.

По кривым намагничивания в рамках анизотропной модели Бина были определены температурные и полевые зависимости критической плотности тока Jc. Температурные зависимости jC(T) для монокристаллов в ориентации Bj.bc в исследуемом диапазоне температур удается описать эмпирической зависимостью:

JC(T,0) = Jc(0,0) • ехр(-Т/Т0) . (4)

о .1 (0) « 1,1 • 104 А/см2 и Т. « 1,2 + 2,0. Значения с . о

лс(0,0) по порядку величины совпадают с значениями лс(о,о) определенными для монокристаллов к-(вест-ттр)2си(нсб ) 2 в этой

-а 2

рт. ю . аш

6 51пд1е

; ; в сг уз<о| N1

о ! Т-4.2 К

.. .; .. | В-Ьс

■ 1 ■

• Ч»'

1

; | 0 " ' т ......8

! 6

-300 -200 ноо О 100 В. пТ

-300 -200 -100 О ЮО В. гг.Г

Рт. 10". Ш 3

9 0 ! з1пд1е !сгуз1а1 Ш

Р Т*6.5К В-Ьс

а ¿1 а 0 о о

о □ ОоВ° О

■' Т о о

6

О

сгу:Ла| N1 о „ь : Ч | Ьс. Г»7 1 К

■ а

а - ^сг«озе В Л -^есгеозе В

-300 -Е00 -100 0 100 В. тТ

-30С -200 -100 0 100 В. тТ

о од

5

о

О

-2

3

Рис,1. Зависимость магнитного момента РЦ(В) для монокристалла к-(вевт-гтг) 2си [нСсго 2] вг от поля Bj.bc: а - 4,2 К, в - 6,3 К; и В//вс: с - 4,2 К , с! - 7,1 К.

re ориентации. Величина анизотропии критических токов х. а jniBc^Biac^ оу g^Q и j что существенно мены;:е, чем к^ определенное для монокристаллов k-(BEDT-TTF)2CuCt;cs)2, Полевые зависимости критической плотности тока Jc(B,T) в ориентации Вхвс можно описать эмпирической зависимостью:

jc(b,t) = jc(0,t) • exp(-B/bq) cs)

только в полях В>20 мТл для всех исследуемых температур, а на начальном участке, в полях В<20 мТл, зависимость jc(b,t) имоет более резкую зависимость от Т.

В работе получены временные зависимости магнитного момента РМСt5, рис.2, начиная со времен t w 3 с, что как минимум на порядок меньше, чем в аналогичных работах Ct0» 100-S00 с) на других монокристаллах. Представлена методика проведения таких измерений: нонокисталл

k-(bedt-ttf)2cu[h(cn)2]Br помещался точно в плоскость одной из приемных петель трансформатора потока СКВИД-магнитометра, Одновременно с вводом ноля после zfc производилась запись' значения P C в память электронного блока Ссхема блока приведена в главе 3). Предварительно было произведено контрольное измерение пустой измерительной камеры , которое

показало, что процессов релаксации камеры не наблюдается (с

11 Р ■ t

точностью ЛРМ« 10 Ам).Временные зависимости РцСО, так же

клк и для соли k-(bedt-ttf)2^иС ncs)2 имеют характер "гигантского" крипа потока и хорошо описываются зависимостью Р =fCint) только в области полей B<3,G мТл. Полевая зависимость скорости логарифмической релаксации R, определенная по наклону зависимостей PM=fflnt) при больших t

имеет максимум в поле В* « 1,1 ыТл, которое хорошо совпадает с расчетный значениек., При увеличении магнитного поля СВ>3,5 мТл) наблюдается существенное отличие временных зависимостей РиСО от логарифмической во всей интервале используемых времен СЮ 4000 о.).

ЬРт, 10_8Ат2 BJ.bc .

10

8 6

4 2

0

-2' -1 0, 1 2 ln(t, min)

Рис,2. Зависимость магнитного момента Рм монокристалла №1 от Int при 4,2 К в ориентации Bj.bc, На вставке показана полевая зависимость скорости логарифмической релаксации R.

Средняя величина энергии активации ио в исследуемом интервале полей для Т-4,2 К примерно равна ио полученной для монокристаллов к-(ВЕСт-ттг)2СиСнс5)2 и составляет « 7 мэВ.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Изучены температурные и полевые зависимости

намагниченности монокристаллов к-(ЕТ)2си(нсз)2 и к-(ет)2си[н(сл)2]вг в магнитных полях до 0,3 Тл и диапазоне температур от- 2 К до Т0. Показано, что для процессов намагничивания можно выделить два вклада : необратимый, связанный с пиннингом абрикосовских вихрей и поверхностным барьером, и обратимый, связанный по-видимому с намагничиванием вихревой решетки. При низких температурах преобладает первый, а при температурах близких к Тс - второй, Для монокристаллов к-(ЕТ)2си[н(сн)2]Вг в ориентации В//вс обратимая кривая намагничивания наблюдалась вплоть до температуры 4,2 К, что свидетельствует о том, экранирующие токи (с точностью измерения магнитного момента лРы * 10"*® А/м^) отсутствуют.

2, Определены значения первых критических полей Нс^С0) для монокристаллов к-(ет)2Си(ЛС5)2 в ориентации Bj.bc и В//вс с учетом размагничивающего фактора и показано, что температурная зависимость НС|(Т) в обеих ориентациях имеет линейный характер.

3. Изучена температурная зависимость критической плотности тока монокристаллов к-(ЕТ)2си(лсз)2 и к-(ЕТ)2Си[Н(СН)2]Вг в ориентации Bj.bc. Установлено, что в широкрм диапазоне

температур критическую плотность тока можно описать экспоненциальной зависимостью от Т.

4; ' Изучена полевая зависимость критической плотности тока ЦОНОКрИСТаЛЛОВ k^(ET)2Cu(NCS)2 И k-(ET)2Cu[H(CH)2lBr в ориентации Вхво. Показано, что для монокристаллов K-(et)2cu(hcs)2 её удаётся описать зависимостью jc(b,t) = jc(o,t) • ехр(-в/во) во всём используемсш интервале полей, а ДЛЯ монокристаллов k-(ET)2CulN(CN)2]Br в полях В '< 20 мТл обнаружен участок, где полевую зависимость JC(B) описать экспоненциальной зависимостью не удаётся для всех исследуемых температур,

5. Для монокристаллов k-(ET)2cu(NCS)2 определена полевая зависимость анизотропии критической плотности тока. Показано, что анизотропия при В*0 равна 160 и с ростом поля быстро уменьшается , а при В » 120 мТл величина анизотропии критического тока равна 1,

6. . На монокристаллах k-(ET)2cu(Kcs)2 в ориентациях Bj.bc и В//вси монокристаллах k-(ET)2cu[N(CN)2]Br ь ориентации Bj.bc впервые изучена временная зависимость. намагниченности магнитного момента Ры. Показано, что в малых полях зависимость РуСТ) удаётся описать логарифмической зависимостью от времени t,

7. Определена скорость логарифмический релаксации для монокристаллов k-(ET)2cu(Ncs)2 в ориентациях Вхвс и В//вс и монокристаллов k-(ET)2cu[H(ch)2]br в ориентации Bj.bc, Показано, что она имеет острый максимум, который можно связать с тополЬгическим переходом в распределении плотност! абрикосовских вихрей.

8. Определены значения средней энергии активации для МОНОКрИСТаЛЛОВ к-(ЕТ)2Си(НС5)2 И к-(ЕТ)2Си[Н(СМ)2)Вг в ориентации Bj.bc, Оказалось, что они по порядку величины близки и составляет « 7,3 мэВ и 7 мэВ соответственно,

9. Для монокристалла к-(ЕТ)2си(исз)2 определена анизотропия энергии активации вихревой решетки и её полевая зависимость. Показано, что величина анизотропии в полях до 30 мТл лехит в пределах 0,5+1 и не может объяснить большой анизотропии критических токов.

10. Методом статического намагничивания монокристаллов в. нолях « Н « Нс2 в ориентации Bj.bc определена лондоновская глубина проникновения магнитного поля х и ей температурная зависимость. Полученное значение хСТ->0) * 2000 А находится в хорошем соответствии с х(Т-»0) полученными ранее другими методами.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Кузнецов В. Д. Метлуижо В. В. Епанечников Л. А. Макаров Е.Ф, Ягубский З.Б. Кущ Н.Д. / Крип потока и глубина центров пиннинга органического сверхпроводника к-(ВЕБТ-Т1Р)2си(НСЗ)2 // Письма в ЖЭТФ, 1990, т.52, вып 5, стр.914-917 .

2. Кузнецов В.Д. Метлушко В.В. Епанечников Л.А. Макаров Е.Ф. Ягубский Э.Б. Кущ Н.Д. / Релаксация магнитного момента монокристалла органического сверхпроводника к- < веьт-ттт)2Си(нея)2 // Тезисы докладов 4 Всесоюзной конференции "Неоднородные электронные состояния", Новосибирск, 1991, т.1, стр 188-189,

3. Кузнецов В,Д. Метлушко В.В. Епанечников Л,А. Макаров Е.Ф. Ягубский Э.Б. Кущ Н.Д. I Анизотропия критических токов в монокристаллах органического сверхпроводника k-(BEDT-TTF)2Cu(HCS)2 // Письма в ЖЭТФ, lffll, т, 53, вцп.7, стр. 334-357.

4. Кузнецов В.Д. Нетлушко В.В. Епанечников Л.А. Макаров Е.Ф. Ягубский Э.Б. Кущ И.Д. / Магнитные свойства монокристаллов органического сверхпроводника k-(BEDT-TTF)2cu(Ncs)2 // СФХТ, 1991, т. 4, 1ST, стр. 1413-1421.

5. Kuznetsov V.D., Metluschko V.V., Epanechnikov L.A., Makarov E.F., Yagubskil E.B., Kusch II. D. / Flux Creep And pinning Center Pepth of k-(BEDT-TTF)2Cu(HCS)2 Single Crystals // Abstracts of the 2-nd ISSP International Symposium of Physics And Chemistry of Oxide Superconductor (PCOS'91), 1991, Tokyo, Japan, p.14.

6. Moschalkov V.V., Kuznetsov V.D., Metluschko V.V., Epanechnikov L.A., Makarov E.F., Yagubskii E.B., Kusch N.D. / Flux Creep In k-(BEDT-TTF)2Cu(HCS)2 Single Crystals // Abstracts Of The International Conference Of M2S - HTSC III , 1991, Kanazawa, Japan, p. 30.

7. Kuznetsov V.D., Moschalkov V.V., Metluschko V.V., Epanechnikov L.A., Makarov E.F., Yagubskii E.B., Kusch N.D. / Magnetic properties of k-(BEDT-TTF)2Cu(KCS)^ single crystals // Abstracts Of The International Conference On HTSC And Localization Phenomena (HTSC LF). Moscow, USSR, 1991, p. M34.