Сопряженное действие радиации и внешних факторов на деградацию фотоэнергетических параметров фотопреобразователей тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

министерство народного образования азербайджанской республики бакинский государственный университет им. м. расулзаде

На правах рукописи

КАБУЛОВ ИБРАГИМ АКРЕМ ог.ш

СОПРЯЖЕННОЕ ДЕЙСТВИЕ РАДИАЦИИ И ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ НА ДЕГРАДАЦИЮ ФОТОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

Специальность 01.04.10 — физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Баку — 1991

Работа выполнена в Секторе Радиационных Исследований Академии Наук Азербайджанской Республики.

Научные руководители:

доктор физико-математических наук, профессор Бакиров М. Я.

кандидат физико-математических наук Мадатов Р. С.

Официальные оппоненты:

член-корреспондент АН Азербайджанской Республики, доктор физико-математических наук, профессор Джафаров Т. Д. (Институт Физики АН Азербайджанской Республики, г.Баку).

доктор физико-математических наук, профессор Таиров В. И. (Бакинский Государственный Университет, г. Баку).

Ведущая организация: Физико-технический институт, г. Ашхабад

Защита состоится на заседании

Специализированного Совета К 054.03.03 в Бакинском Государственном Университете им. М. Расулзаде по адресу: 370073, г. Баку, ул. Академика 3. Халнлова, 23.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке БГУ.

Автореферат разослан « » 1991 г.

Ученый секретарь Специализированного Совета,

кандидат физико-математических наук ЮСИФОВ Ф. К,

• . -

ОНИАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Благодаря надежности, долговечности,эко-' гической безопасности и простоте в эксплуатации фотоэлектричес-е преобразователи являются одним из выгодных источников электро-ергии и успешно используются в космосе и на Земле в качестве а£~ 'номного источника питания.

В настоящее время кпд отдельных элементов достигает 25 %, а ¡рийно выпускаемые элементы обладают шц порядка 15 % и выше.Это >здает реальную возможность построить на осноье Зотоэлектричес-IX преобразователей солнечную электростанцию.

Эффективность солнечных элементов существенно зависит от со-¡ршенстьа структуры и чистоты материала, ¿1езначительное загрязне-[е и несовершенство кристаллической структуры не позволяют до-1ться от фотопреобразоьателей требуемых параметров, что связано уменьшением времени казни носителей заряда.

Проникающее излучение, вызывающее глубокие структурное пов-эдения ь полупроводниках, приводит к ухудшению $отознергетичес-IX параметров фотопреобразогателей д укорачивает срок их службы, го обстоятельство возбудило интерес к изучению радиационных зф-гктов в кодопреобразователях с целью изьскания путей повышения с радиационной стойкости и увеличения срока службы.

Существует большое количество работ, посвященных изучению ра-швдоннбх э^ектов в фотопреобразоватедях. Однако, полученные ре-/льтаты не позволяют сделать окончательных выводов б связи с тем, го при изучении влияния радиация на параметры фотопреобразовате-эй не в полной мере воспроизводятся условия, в которых им прахо-1тся работать. В реальных' условиях фотоэлектрические пресбразовл-зли подвергаются действию радиации под внешними нагрузками, в

частности освешзния, электрического поля и температурь. При этом скорость изменения фэтоэнергетлчесшх параметров в процессе облучения и отжига существенно различаются.. Ь связи с вышеизложенным изучение сопряженного действия, рациашш и внешних нагрузок на де! рададаю, а также температуры к внешних нагрузок на восстановлен!!« ' параметров $отолреобразователей является; актуальной задачей.

Цель работа. Целью настоящей работа является установление з* кономерностей и выяснение механизма изменения <J ото энергетических ■ параметров фотоэлектрически преобразователей на основе Si , GaЛ; твердого раствора Ge-S¡ и гетеро^стопреобразователя Gafig-GaAüJ при совместном действии радиации, Енеилшх нагрузок и температуры Для достижения указанной пели в работе поставлены следующие основные задачи: < •

- изучать влияние направления электронного потока и градиента кс , центрзшш легирующих примесей на скорость деградации параметров

р-п-перехолов на основе 5; . &a/k и тверзого раствора Ge-Si ,

- изучить совместное действие электронного облучения и электричс кого поля на деградацию £отоэнергегаческлх параметров $qTonpeo6j зователей на основе Si , GaAs , твердого раствора и гет! ро$отопреобразователя Gafis-QaMAs, •

- изучить совместное действие электронного протонного потоков ¡ • деградацию $отоэаергетических параметров фэхопреобразователей h¡

основе S¡ , GaAs , твердого раствора Ge-S; и геТеро^отопреобраз-вателя GoJ,s-OaMAi, .

- изучить совместное действие температура и электрического поля процесс отнига радиационных дефектов в фотопреобразоьателях на ново Si ,*GaA? , твердого раствора Ge-Sí я гетеро$отопреобразов телп GaAs-GaMM ,

-.изучать совместное действие температуры и освещенности на про

пшга радиационных дефектов в $отопреобразователях на основе Э! , аЯ^, твердого раствора и гетерофжшреобразователя ба^з-

Научная новизна.

1. Установлено, что при электронном облучении скорость дегра-ации $отоэнергетических параметров (¡©топреобразоштелей зависит

т направления электронного потока относительно направления гра-иента концентрация легирующей примеси. Показано, что при совладели направления электронного потока и градиента концентрации лега-ующей примеси скорость деградации фэтоэнергетическях параметров начительно больше, чем при облучении электронным потоком, направ-;ение которого противоположно градиенту концентрации легирующей [ршеси. '

2. Найдено, что при совместном действии электронного потока и )свешенноети, а также электронного потока и прямого напряжения, ¡корость деградации фэтознергетичееких параметров фотопреобразош-гелей значительно уменьшается.

3. Установлено, что при совместном действии температуры и освещенности, а также температуры и прямого напряжения, скорость восстановления $отоэнергетаческих параметров $отопреобразователей значительно увеличивается.'

Практическая ценность. Полученные в работе результаты могут Зыть использованы при эксплуатации фотопреобразователей в условиях воздействия радиации.

основные положения, вынос имце" на защиту:

I. Отличие скорости деградации фотоэнергетических параметров р-п-переходов при различном направлении электронного потока и градиента концентрации легирующей примеси, что обусловлено эЭДектом увлечения примесных атомов электронами.

2-, Уменьшение скорости деградации фотоэнзргетическях параме ров .фотопреобр;.зователай при совместном действии электронного пс тока и Освещения*, а также электронного потока и электрического г ля, что связано с иккекциеЯ носителей заряда в область бази.

3.Увеличение скорости восстановления фотоэнергегических наг метров фотопреобразователеИ кри совместном действии температуры освещения, а также температуры и электрического поля, связанное инзкекцивиянк отжигом.

' Апробация работа. Основные результаты диссертации обсувдал! ца УП координационном совещании по исследован® и применению тв( дах растворов германий-кремний (г.Баку,октябрь 1988 г.), на I Р> 'гиональной конференции по радиационной физике твердого тела (г.' •карканд,21-23 мая 1991 г.), на ?.!евдунагодном симпозиуме по энер гни, окологии, экономии (г.Баку-Габала,20-23 августа 1991 г.) и семинаре Сектора радиационных исследований АН Азербайджана.

Публикации. По результатам исследований опубликовано 9 раб . Структура и объем работа. Диссертация состоит из введения, трех глав, общих выводов и списка литературы. Общий объем.соста ляет 127 страниц, включая 37 рисунков к I таблицу. Список готиг мой литературы насчитывает 118 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНКЕ РАЛЛИ Во введении обоснована актуальность теш диссертации, сфох лирована цель работы, определена научная новизна исследований, новные защивдемие положения и практическая ценность работы.

Первая глава посвящена литературному обзору по изучению рг ацяондах эффектов в фотопреобразователях на основе различных мг риалов и -структур, а такке способам повышения их радиационной I кости. Анализ .работ показывает, что при. облучении фотоэлекгрич них лреббраэозателей проникающей радиацией уменьшается выходка, щкость, связанная с уменьшением коэффициента собирания носителе

[ряда. Полагается, что при облучений в базу вводятся радаациоа-ie дефекты, снижается время кизни л связанная с ней дш^узионная шна неосновных носителей заряда.

При термообработке облученных фотопреобразователей происхо-1Т частичное восстановление их характеристик, обусловленное от-/ игом радиационных дефектов.

Ь конце главы приводится обоснование выбора объекта исследо-ания и сформулаванк основные задачи 'исследований.

Ьо второй главе рассматривается действие потока ускоренных лектронов с энергией Ь «'ЛэВ и протонов с энергией '¿00 кэЬ на фото-«ергетические параметры фотопреобразователей на основе S¡ , Gaita i твердого раствора Ge-6¡ .

Установлено, что критический интегральный поток электронов [ля фотоэлементов на основе твердого раствора Ge-S¡ составляет

[• Ю^см""^, а для арсенид галлиевых и кремниевых 8-Ю^см"2 и

12 2

>-1Сг см~ , соответственно.

Критический интегральный поток протонов для фотопреобразова-гелей на основе твердого раствора Ce-5¡ составляет I-Ю^сг.Г^, - а

тр п тт р

для кремниевых .и арсенал галлиевнх 2- Ю см и 8-1(гАсм , соответственно.

Подобные различая критического интегрального потока для фотопреобразователей на основе Si ,'GaA и твердого раствора Gtí-S¡ объясняются различием коэффициента поврездения в кристаллах Si Ge-Si .

Исследованием спектрального распределения фо-точуьствительнос-ти установлено, что основное изменение, приводящее к радиационной деградации параметров фотопреобразователей, происходит в базе.

Лз емкостных измерений найдено, что при облучении р-п-нерехо-

дов № основе твердого раствора Ge-S¡ в базе образуются уровни 0,11 зВ и 0.J4 эВ.

Определено, что при' термическом отжиге,облученных #отопреос разователей', вследствии увеличения времени жизни неосновных носи телей заряда в базе, обусловленного частичным распадом комплекса й аншц-иляиией пар Френкеля, происходит, частичное, восстановление их 4отоэлектрических характеристик. Однако,даже при высокой темп ратуре (350°С) не происходит полного восстановления <|отоэнергети . ческих параметров облученных фотопреобразователей, что свидетель ствует о том, что или не полностью отжлгаются дефекты, создаваем радиацией или комплексы, распадаясь, образуют другие устойчивые дефекты.

•Экспериментально установлено, что скорость деградации парам ров симметричных р-п-переходов на ochoíc Si , Gafis и твердого . раствора G«-5i зависит от направления электронного потока относи тельно направления градиента концентрации 'легирующей примеси.

Доказано, что скорость деградации параметров фотопреобразов телей значительно больше в р-п-лереходе, для которого направление электронного пучка совпадает с направлением градиента концентрат легирующей примеси.

Различие в скорости деградашш параметров р-п-переходов меж* объяснить следушим образом. Известно, что при облучении ыонокрис . таляа полупроводника проникающим излучением, за счет упругих сто; новенай налетающих частиц с атомами решетки, возможно образована дефектов-решетки (вакансия и мехдоузельнке атомы и т.д.), которые могут влиять на процессы диффузионного перемещения примесных атомов; НаряДу с ttm, в результате упругого Бзаш.юдеГ;ствия_бо;лбарди • рующлх частиц с примесными атомами,содержащимися в кристалле,последние могут получить дополнительней импульс. При этом под дейст-

становление их фотоэнергетических параметров происходят быстрее,, что связано с фотоинжекцией носителей в область базы.

Показано, что приложение прямого смещения ( 1-3 Б ) к р-п-пе-реходу во время облучения приводит к значительному ослаблению скорости деградации фотоэнергетических параметров фотопрео'разова-телей путем инжеюиии неосновных носителей заряда в облпсгь базы. При этом увеличивается доза облучения, приводящая к эквивалентной • деградации фотоэнергетических параметров. Критический интегральный поток электронов для фотоэлементов на основе Б/ , &аЛ$, твердого раствора (¡г-5, и гетерофотопреобразователя баЛй-СаЛМй , облученных под прямвм смещением, составляет 3-10^, 7*10^ а

Т| О

8-10"ем , соответственно. Таким образом; фотопреобразоьатели, находящиеся во время облучения под прямым смещением оказались более радиашонно стойкими по срашешио с фотопреобразователямл, облученными в "пасс::гном" состоянии.

При изучении влияния электрического поля на процесс отжига радиационных дефектов установлено, что после термического отзлга без внеинего поля при Т = 250°С за один час фототок увеличивается на 53 %, а фотоэдс на 10 %. Термический отзиг год прямым смещением за такое ze время приводит к приросту фототока на 63 % и фотоэдс на 13 %.

При изохронном отжиге в пассивном состоянии восстановление фототока начинается при температуре 250°С, а при прияояении прямого смещения ( 1-3 В ) восстановление фототока короткого замыкания начинается при 225°С.

> На основе результатов, полученных при' исследовании сопряженного действия температуры и электрического поля на процесс восстановления параметров облученных фотопреобразователей можно сделать заключение, что скорость восстановления фотоэнергетических парамет-

ров 1фи электротермо откиге значительно выше, что связано с ин-жекционным отжит» радиационных дефектов.

Для обсуждения полученных результатов используется известный механизм процессов рекомбинашонно-стшулдроьанной диффузия. Исходя из этого механизма предполагается следующее:

I. При освещении и при приложении прямого напряжения к р-п-пе-реходу во время электронного облучения, наряду с ввецениеу. радиационных дефектов в базу а образование/л комплексов, приводящих к уменьшению времени жизни и связанное с ним снижения коэффициента собирания носителей заряда, происходит инкекция неосновных носителей заряда в базу. Неосновные носители, инжектированные в базу, захватываются* дефектами, с локалиэоьаннш на них зарядом противоположного знака и происходит рекомбинация эяектронно-дьрочной пары . на де4екте. Энергия, выделяющаяся при этой, передается центру и приводит к элективному уменьшению барьера диффузии. Дефекты при этогл соьершают диффузионный скачок и,оказываясь рядом с противоположно!! парой йренкеля, аннигилируют. Шкостными измерениями было показано, что это ведет к снижению концентрации дефектов, приводящей к уменьшении времени кизни неосновных носителей заряда. Поэтому фотонреобразоватедл, облученные под действием внешнего нагрузок (освещения, прямого напряжения) при одинаковой дозе, обладают большими значениями фототока и $отоэдс, по сравнению с фотопреобразо-ьателями, облученными в "пассивном" состоянии. Другими словами,радиационная стойкость фотоэлектрических преобразователей, облученных в условиях иннекции, становится больше, чем у фотопреобразоы-телей, облученных в "пассивнок" состоянии.

¿. Ори термообработке облученных фотопреобразователей под ос-ье^енпем и при прадоменном арлмрм .смещении, ^следствии инжекции не-осноьных носителей .заряда, ь лих реализуется механизм перезарядки

дефектов, в основе которого лежат захват неравновесного носителя-дефектом с локализованным на нем зарядом противоположного знака. Поэтому, дефекты, навепешше я стабилъчке при панной температуре в пассивное состоянии быстрее отжигаются в случае инжекшп' неосновных'носителей заряда. Это приводит к увеличение скорости отжига радиационных дефектов. Следовательно, фотогерчаческая и электротермическая обработки, равносильно уменьиэют температуру отжига радиационных дефектов.

Таким образом, на основе выполненного комплекса исследований установлено, что более низкая скорость деградации и более високая скорость восстановления фотоэнергетичеекпх параметров фотопреобра-зоЕателей на основе 51 , Са, твердого раствора Се-Й; и гетеро-фотопреобразователя баА^-ваММ под действием освещения и приложенного напряжения, обусловлены лнкекшей носителей заряда в базу, в результате чего происходит перезарядка дефектов и их отжиг.

При объяснении совместного действия облучения и внешних нагрузок на' деградацию, а также температуры и внешних нагрузок на восстановление фотоэнергетических параметров фотопреобразователей, предполагалось изменение параметров' уровней, создаваемых радиацией в базе. Для подтверждения данного предположения измеряли параметры локальных центров в исследуемых образцах.

Параметры локальных центров, создаваемые в фотоэлектрических преобразователях, измерялись методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней, который сокращенно называют методом ШТв .

Учитывая большой объем работы при определении параметров локальных центров, вводимых радиацией в фотопреобразователл, в данной работе их изучение ограничивалось определением энергии активации и концентрации уровней в фотопреобразователях на основе твер-

дого 'раствора Ge-Si и GaAí , •

Било показано, что при облучении р-п-переходоь на основе твердого раствора Ge^Si^ электронами с энергией 5 МэВ образуются 3 уровня с энергиями активации Ес-0,П эЬ, Ес-0,34 эБ, К,+0,16 эБ и концентрациями Б-кЯ^см"^, б-Ю^см-'^, 2- Ю^сьГ'3, соответственно. Если во время облучения образцу освещались, то изменения в энергиях активаши не наблюдалось, а концентрация уровнен уменьшалась до ¿.б-Ю^см"'*, З-Ю^см"^, I.I-IO^cm"'3, соответственно.

Следовательно, при сошестном действии электронного и фотонного потоков, за счет цнжекши неосноьных носителей заряда б базу, концентрация радиационных дефектов уменьшается в. дьа раза.

Приложение прямого смещения во время облучения снижает концентрацию этих уровней до 1,5-20^см~3, ЫО^см"""*,

Следовательно,приложение прямого напряжения (1-3 Ь) к .р-д-пе-реходу ь процессе облучения приводит к еще более сильному уыеньше--нию концентрации радиацлоишх ■ дефектов, вводимых потоком .ускоренных электронов.

Термическая устойчивость уровней радиационных дефектов »

£с-0,11 эЬ, Кс-3,34 эЬ соответствуют стадиям изохронного отжига 160°С и 200°С. Эти уровни отжигаются при температуре 250°С в течении I часа.

После отжига ь р-п-переходах на осноъе твердого раствора Gí095i3, наблюдается только один уровень, расположенный около потолка валентной зоны. Энергия активаши этого уровня составляет Ь, -г О,lo зЬ с концентрацией ¿-Ю^см"^.

До сОЛ5чецш! ь ^отоьлёктрических преобразователях на основе Gaih ойнарукен один уровень с знергие!! .активации 0,70 эЬ'и конце* pauiicíi I,получение электронами с энергией 5 МэЬ привое ло > ьозкнкиоье.-.иь дьух новых уровней с энергиями активации 0,77

«

и 0,44 эБ к с концентрациями 3, I-IQ^cm-3, Ь'М^см-3, соответ- . ственно.

Гнло показано, что при совместном действии электронного и фотонного потоков концентрации этих уровней уменьшались до 4,2* •IÜi4cm~3, 2,4*10*3см~3, а при приложении прямого смещения'во время облучения концентрация этих уровней'становится равной ?.8'1013 си"3; 1,5-1013см~3.

Таким образом, на основе полученных результатов по определению параметров локальных центров ь фогопреобразователях на основе Ga-Aj и твердого раствора Ge-Si можно сделать заключение,что при сошестном действии электронного и фотонного потоков, а также . электронного потока и электрического поля, из-за инжекши неосновных носителей заряда в базу, концентрация радиационных дефектов уменьшается. При этом стабильность {отопреобразователей к действию радиации значительно увеличивается по сравнению с облучением без внешних нагрузок.

иСНОБНЬК 1£БС,ДЫ Л РЕЗУЛЬТАТЫ

I. Экспериментально установлено, что сксрсоть деградации cfo— тоэнергетаческих параметров фотоэлектрических преобразователе'! однозначно определяется направлением электронного пучка относительно направления градиента концентрации легирующей примеси.Показано, что при совпадении направления облучения о направлением градиента концентрации легирующей примеси скорость деградации фотоэлектрических параметров р-п-перехода больше, что связано с эффектом увлечения примесных атомов электронами.

' 2. Найдено, что освещение фотопреобразователей на основе S¡ , G<JU твердого раствора Ge-Si и гетерофстопреобразователей GaAs-Gañlfis фокусированным "белым" светом с интенсивностью 250 мВт/см2 во время электронного облучения приводит к ослаблению скорости де-

-•IS -

градаиди их.фотоэнергетических параметров, что обусловлено фото-инжекдаей носителей заряда в область базы.

j. Установлено., что. приложение прямого смещения к р-п-пере-ходу во время облучения электронами приводит к значительному ослаблению скорости деградации фотоэнергетпческих параметров фотопреобразователей на основе Si , GaAs , твердого раствора Ge-ái и гетерофотопреобразоьателя , что связано с инжекдаей

неосновных носителей заряда в область базы.

4. Показано, что независимо от материала и структуры фотопреобразователей, при совместим действии электронного'и фотонного потоков, а также электронного потока и прямого смещения, скоро-< сть деградации их фотоэнергетических параметров уменьшается, что указывает на идентичность механизма дефектообразования при сопряженном действии радиации и вдевших нагрузок.

Ь, Найдено,,что освещение облученных фотолреобразоьа гелей фо кусироьанным светом с интенсивностью ¿50 мЬт/см^ в процессе терм& ческого откига приводит к увеличению скорости восстановления фото энергетических параметров, что обусловлено фотоинжекцдей носителе б область базы.

о. Показано, что приложение к р-п-переходу во время термичес кого ст&ига прямого напряжения приводит к увеличению скорости вое становления фотоэнергетических параметров облученных фстопреобра-зоьателей на основа Si , GaJls , твердого раствора Ge-S¡ и гетеро-фотопреобраэоьателей Ga.A&-Gü./¡£,fls , что связано с инфекционным откатом радиационных дефектов.

7. Установлено, что независимо от материала и структуры фоте иреоОразошгеля термообработка облученных образцов под освещением и приложенным прямым напряжением цриЕоцит к увеличению скорости ьоссг:шоьлеш«я фотоэнергетических параметров фотопреобразоштеле£

•

8. Методом BLTS определены энергия активации и концентрадач радиационных дефектов в фотопреобразователях на основе тгеодого раствора Gec,9Sta, и GoAi . йайдено, что при электронном облучении (Ее = 5 МэЬ) фотопреобраэоттелей на основе твердого раствора GeMSia, образуются уровни'Ьс-0,II эЬ, Ес-0,34 эВ, 0,13 эВ, а на основе Gnfls уровни йс-0,77 зЬ, Кс-0,44 э£. Концентрация уровней в GeafS¡M составляет Ь-1014, 6-Ю13, «М0-Т4смГ3, а в Gaüá 6,1-20^ и 5.1013см"^, соответственен.

Основные результаты диссертации изложены ь следующих работах:

1. Бакиров М.Я. .Мадатоь P¡С,,Таиров С.И. .Кабулов A.A..Макаров К.А., Аллахьердиев А.М. Влияние направления электронного пучка на скорость деградации параметров р-гыгерехода. - Письма в ZW, чал 15, еш. 5,1939, с. 44-47.

2. Бакиров :л.Л.,Мадатов Р.С.,Кабулов Л.А. .Исмаилова P.C.' Электрические свойства р-п-переходов на ochoes тЕердого раствора Ge-Sí .ДАН Азерб.ССР, 1939,т.ХЦ К 7,с. 14-18.

3. Ьакиров '/.Я.,.'¿адаtoe P.C., Кабулов H.A. .Ясмаялова P.C. Влияние радиации на фотоэлектрические параметры переходов на основе Ge"S¡ . - Материалы докладов УП координационного совещания ло исследованию и применении твердых растворов германий-кремний. Баку,октябрь 1988. Баку,Элм,1990,с. 125-130.

4. Бакиров М„Я. .и'адатов P.C..Мустафаев U.M. .Джафзров К.А.,Гасы-мов Р.Б.«Кабулов И.А. Длинноволновые фотопреобразователя на основе твердого раствора Ge-S¡ . - Материалы докладов УП координационного совещания по исследованию и применению твердых растворов германий-кремний. Баку, октябрь 1988. Баку,Элм,1990,с.131-138.

. - ia -

5. Бакиров A.ft. .Беркелиев A.,Исмаилова Р.С.,Аннаев К..Кабулов ÍI.A. .¿¡адатов P.C.,Назаров Н. Радиационные эй(]екть в гетеро(|ото-преобразоьателях на основе GaA¡-GafilA.°, при сопряженном действии радиации и внешних нагрузок. - Гелиотехника,1990,К б.

6. Аллахвердиев А.М.,Бакиров М.Я. .Манатов P.C..Кабулов И.А. Влияние радиации на фотоэлектрические параметры ^отопреобразовате-лей на основе Ge-S¡ . - ФТП, тсы ¿5, вщ.1, ISSI, с. 177-178.

7. Мамедов B.C..Зейкадов Н.М. .Дкафаров К,А. ,Исмадлова Р.С.'.Раги-ыов К.О.,Кабулав И.А, Влияние ускоренных электронов на локаль-ше неоднородности в твердых растворах Ge-Si Тезисы докладов и сообщений I Региональной конференции. по радиационной физике твердого тела, Самарканд, 21-23 мая 1991 г., часть Ц, с.173. ' . '

. 8; Аннаев К..Бакиров М.Я.,Бернелиев А,,Исмаилова Р.С.,Мадатов Р.', Кабулов И,А.,Назаров К.,Сергинов М, Радиационные эффекты в облученных гетерофотопреобразователях на основе GaJ\s-G-a$As к влияние отжига ка юс енергеткчеркие параметры,- Тезисы докладов и сообщений I Региональной конференции по радиационной физике твердого тела, Самарканд, 21-23 мая 1991 г;, часть Ш» с.244-245.1

9; Бакиров М.Я.,Мадатов P.C.,Кабулов И.А.»Ишаилова Р.С.,Дда$а-ров К;А.,Рагиыов К.О; Сопряженное действие радиации и внешних факторов на параметра солнечных »леыантов,- Труда международного симпозиума пэ энергии, экологии, »коношда; Баку-Габала, 20-23 августа 1991 г., с;37;