Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

I. ВВЕДЕНИЕ.

2« ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ВАРИЗОННЫХ

СТРУКТУР И ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ИХ ОСНОВЕ.

2.1. Фотоэлектрические свойства варизонных полупроводников

2.2. Получение варизонных -структур методом жидкофазной эпитаксии и исследование их свойств

2.2.1. Основные физико-химические свойства

GaSb, Aesb и их твёрдых растворов

2.2.2. Метод жидкофазной эпитаксии.

2.2.3. Фазовое равновесие системы Go. ~ ~ Sfc>

2.2.4. Получение варизонных Ga^ My.Sk -структур.

2.2.5. Исследование варизонных -структур.

2.3. Фотоэлектрические преобразователи на основе варизонных р-п-структур

2.4. Выводы

2.5. Постановка задачи

3. ВЫРАЩИВАНИЕ ВАРИЗОННЫХ Gax.K№*St ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЁВ

И Р-П-СТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ.

3.1. Технологическая установка для создания варизонных

- структур и омических контактов

3.2. Исходные материалы и их обработка

3.3. Выращивание варизонных Gci^A^x^k слоев и р-п-струк-тур с увеличивающейся Eg, в направлении роста и различными значениями Е^ и vE^

3.3.1. Изотермическое смещивание растворов-расплавов.

3.3.2. Выращивание варизонных A^Sfc> слоев.

3.3.3. Создание варизонных Gq,^ А£х $Ь р-п-структур.

3.5. Выводы

4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВАРИЗОНБЫХ ga,.ya^sb р-п-струкш5.

4.1. Методика и объекты исследования

4.'2, Электрические свойства.

4.2.1. Вольт-фарадные характеристики

4.2.2. Вольт-амперные характеристики

4.3. Фотоэлектрические свойства

4.3.1. Зависимость фотоэлектрических свойств от величины %

4.3.2. Зависимость фотоэлектрических свойств от градиента E<j и температуры.

4.4. Анализ экспериментальных результатов

4.5. Выводы.

5. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НА ОСНОВЕ ВАРИЗОННЫХ а,,с A^Sb р-л-структур

5.1. Объекты исследования и методика измерений

5.2. Спектральные характеристики

5.3. Световые вольт-амперные характеристики

5.3.1. Фотодиодный режим.

5.3.2. Фотовольтаический режим.

5.4. Энергетические характеристики

5.5. Нагрузочные характеристики и коэффициент полезного действия.

5.6. Выводы

6.'ЗАКЛЮЧЕНИ Е. литература.

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ. В последние годы варизонные полупроводники позволили значительно повысить эффективность существующих фотоэлектрических приборов и создать принципиально новые, такие как селективные фотоприёмники [I, 112] , оптоспектрометрические элементы [2, 109] и другие,

К настоящему времени наиболее полно изучены и продолжают исследоваться варизонные структуры, созданные на основе твёрдах растворов системы GaAs - А^ As . Это объясняется тем, что исходные соединения 6a As и kite обладают близкими параметрами решётки (а) и создают между собой непрерывный ряд твёрдых растворов, что позволяет получать качественные эпитаксиальные варизонные структуры. Созданные варизонные Ga^A^cAs структуры успешно применяются для разработки различных высокоэффективных опто электронных приборов, в частности, фотоэлектрических преобразователей [3-5].

Наряду с варизонными A^t A S структурами, твёрдые растворы системы Ga sb - Aesb представляют определённый интерес, область применения которых для оптоэлектронных приборов охватывает более длинноволновый участок спектра, неперек-рывающий , а дополняющий область применения системы GaAs - Д^ As . Исходные бинарные соединения Ga Sb и Aisb имеют малую разницу в параметрах решётки (дСХ/OL = 0,66 , обладают одинаковой 1фисталлической структурой и образуют непрерывный ряд ' твёрдых растворов . Ширина запретной зоны ( Eg ) этих твёрдых растворов в зависимости от состава находится в цре-делах 0,7 * 1,6 эВ. Поэтоиу твёрдые растворы системы GaSb- A£Sb являются перспективными материалами для создания фотоэлектрических приборов ближней инфра1фасной и видимой области спектра и разработки фотоэлектрогенераторов солнечного излучения [6].

Для создания эффективных фотопреобразователей на основе варизонных структур необходимо разработать способы получения эпитакспальных слоёв с увеличивающейся Eg и градиентом ширины запретной зоны (. vEg ) в направлении роста 1фисталла . Кроме этого , граница раздела эпитаксиальный слой-подложка и эпитак-сиальный слой - эпитаксиальный слой должна быть достаточно совершенной .

Традиционный метод создания эпитаксиальных структур - метод принудительного охлаждения растворов-расплавов имеет ограниченные возможности и не удовлетворяет эти требования. Однако, другой новый усовершенствованный вариант метода жидкофазной эпитаксии - многократное изотермическое смещивание растворов-расплавов [7] позволяет получить эпитаксиальные варизонные структуры как с возрастающей , так и с уменьшающейся шириной запретной зоны в направлении роста щзисталла во всем интервале составов ; при этом градиент ширины запретной зоны может иметь достаточно неограниченные значения .

К началу настоящей работы ряд достоинств Gci^A-^ Sb твёрдых растворов , таких как - широкие пределы изменения Е^ ( 0,7* 1,6 эВ ) и изопериодичность 1фисталлической решётки с бабЬ , реализованы в селективных для диапазона энергии фотона 0,7 * 1,6 • эВ : Е83 и широкополосных с красной границей фоточувствительности 0,7 эВ [9] фотоприёмниках . Однако , несмотря на значительный научный и практический интерес проявляемый в последнее время к варизонным Ga,.x А^х^Ь структурам , они изучены в недостаточной степени. Отсутствуют работы по изучению закономерностей изменения фотоэлектрических свойств варизонных р-п-структур в зависимости от ширины запретной зоны в области р~ п-перехода ( Е<^ ), и градиента ширины запретной зоны , а также практически не создавались фотопреобразователи солнечного излучения на их основе.

ЦЕЛЬЮ ДАННОЙ РАБ01Ы явилось создание фоточувствительных ва-ризонных ба,-)с Sb р-п-структур и фотопреобразователей на их основе.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА. В результате выполнения настоящей работы:

- разработан метод эпитаксиального выращивания варизонных 6qi-)c AljiSl) слоёв с увеличивающейся Е^ и vE^ в направлении роста структуры путём многократного изотермического обогащения бсх — Si> раствора-расплава обогащающими Ga -hi - Sb растворами-расплавами. На основе разработанной методики созданы варизонные Ga,.xA^xSb сдои и р-п-структуры с Eg , возрастающей от подложки ( Eg^i 0,7 эВ ) до освещаемой поверхности ( 1,45 эВ , р- и п- типа), с vE^=50 * 600 эВ/см и Е^= 0,79 + 1,35 эВ ;

- изучены электрические и фотоэлектрические свойства варизонных Ga^A^Sb р-п-структур в зависимости от Е^ в области р-п-перехода и градиента Е^ в интервале температур 78 * 300 К. Впервые созданы фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения на основе варизонных ба^А^х^Ь р-п-структур с Е^-1,2 эВ и vEj^500 эВ/см и исследованы их параметры.

ОСНОВНЫМ ЗАЩИЩАЕМЫМИ ПОЛОЖЕНИЯМИ РАБОТЫ являются следующие:

1. Увеличение фотоэдс Щ ( от 0,2 до 1,0 В ) варизонных Ga,.xA^Sb р-п-структур о ростом Eg в области р-п-перехода в интервале 0,79 + 1,35 эВ ) при солнечном освещении обусловлено согласованием их спектральных характеристик со спектром солнечного излучения.

2. Возрастание квантовой фоточувствительности варизонных 6a,xA£xSb р-п-структур в коротковолновую область спектра с ростом градиента Е^ в варизонном эпитаксиальном слое , обусловлено у меныпением объёмных и поверхностных потерь неравновесных носителей заряда из-за увеличения их диффузионно-дрейфовых длин и уменьшением толщины освещаемого варизонного слоя.

3. Увеличение коэффициента полезного действия ( КПД ) исследованных Ga,xACxSb фотопреобразователей с уменьшением температуры в условиях нормального солнечного освещения связано с уменьшением темнового тока ( I ) и , следовательно, увеличением Ufo , поскольку при этих условиях фотоэдс приближается к контактной разности потенциалов ( ^к ).

4. Результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств варизонных р-п-структур позволяют установить, что для создания фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения на их основе оптимальными являются структуры с Е^ = 1,2 + 1,35 э В и vEcj^IC? эВ/см.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ. Результаты проведённых исследований позволили создать следующие приборы:

- широкополосные фотоцриёмники с спектральной фоточувствительности 0,8 2,2 эВ и селективные фотоприёмники с энергией максимума фоточувствительности, лежащей в интервале 0,7 + 1,5 э В, полушириной спектральной полосы, составляющей 30 + 150 мэВ и квантовой эффективностью 0,3 * 0,5 эл./фот.;

- солнечные фотопреобразователи с КПД порядка 4 * 6 % при 300 К и 10 -г12 % при 77 К в условиях нормального солнечного освещения на основе варизонных ба,.^ A£xSb р-п-структур с освещаемой п- и р-широкозонной облластями ( 0,8 * 1,3 эВ , VEg = 400 * 600 эВ/см.

Работа состоит из введения, четырёх разделов, заключения и списка литературы.

В первом разделе ( во введении ) обоснов ана актуальность исследования варизонных Gq,xA£xSb - структур и фотопреобразователей на их основе, кратко изложено содержание диссертации, основные результаты и научные положения, выносимые на защиту.

Во втором разделе дан обзор литературы, посвященный (фотоэлектрическим свойствам варизонных полупроводников и вопросам получения варизонных Ga,xA£xSb структур методом жидкофазной эпитаксии, а также исследованию фотоэлектрических преобразователей на основе варизонных р-п-структур.

В результате проведённого литературного обзора сделан вывод о том, что создание и исследование варизонных широкополосных фотоцреобразователей являются новой и перспективной областью физики и техники полупроводников. Сформулированы цель и основные задачи работы.

Третий раздел посвящен главным образом методике экспериментального выращивания варизонных Ga,.xA^x 51э слоев и р-п-структур с увеличивающейся Eg в направлении роста кристалла с различными значения ми Е^ и vE<j •

Изучены закономерности эпитаксиальной кристаллизации Gcti-xA£x£b структур как при однократном, так и при многохдэат-ном изотермическом смешивании растворов-расплавов.

В четвёртом разделе были изложены результаты исследования электрических и фотоэлектрических свойств варизонных р-п-структур с увеличивающейся шириной запретной зоны в направлении к освещаемой поверхности в зависимости от значения Е^ и vEg .

Из анализа экспериментальных результатов исследования электрических и фотоэлектрических свойств варизонных 6a,x A?xSb р-п-структур сделан вывод о том, что для создания фотоцреобразователей солнечного излучения на их основе оптимальными являются структуры с Е<^ s 1,20 * 1,35 эВ и vEg - 1С?эВ/см.

Пятый раздел посвящен исследованию широкополосных фотопреобразователей, созданных на основе варизонных 6a,.x АСХ Sb р-пструктур. Исследованы спектральные, световые вольт-амперные, энергетические и нагрузочные характеристики. Площадь изготовленных и исследованных ба^ А^^Ь фотопреобразователей составляла 0,5 * 5,0 ш?,

В шестом разделе ( в заключении ) приводятся основные результаты диссертации.

Материалы диссертационной работы были доложены и обсуждались на Всесоюзной конференции "Физика соединений А^В^" ( Новосибирск , 1981 г. ), совместном расширенном заседании секции прикладных исследований Научного Совета АН СССР и секции фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии Научного Совета ГКНТ СМ СССР ( Ашхабад, 1981 г. ), III Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах ( Одесса, 1982 г. ), а также на семинарах отдела полупроводников ФТИ АН Туркменской ССР ( Ашхабад).

2. обзор литературы по исследованию варизонных ga,.xa^xsb -структур и фотопреобразователей на их основе

Основные результаты , изложенные в диссертационной работе опубликованы в следующих изданиях:

I» Атадаиков К. Спектр чувствительности варизонной 6аЬ)С «х ^ ^ р-п-структуры. Тезисы докладов II научной конференции молодых учёных АН ТССР, Ашхабад, 1977, с. 134 - 135.

2. Атадаиков К., Беркелиев А., Дурдыев К. Поверхностно-барьерные структуры на основе твёрдых растворов п - Gfli-x^x^b • Изв. АН ТССР, сер. ФТХ и ГН, 1979, 3, с. 107 - 108.

3. Атадаиков К., Баранов А.Н., Беркелиев А., Назаров Н. Фотоэлектрические свойства варизонных широкополосных р-п-структур. Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Физика соединений А^5 " , Новосибирск, 1981, с. 314 - 315.

4. Атадаиков К. ,Беркелиев А.,Назаров Н. Фотоэлектрические преобразователи на основе варизонных 6a,-xA£x.Sb р-п-структур . Изв. АН ТССР , сер. ФТХиГН , 1982,3,с.83-86.

5. Атадаиков К.,Беркелиев А.,Именков А.Н.,Курганова Дк., Назаров Н.,Царенков Б.В., Шерняков Ю.М. Исследование фотоэлектрических свойств варизонных Ga^A^Sb р-п-структур. Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах . Одесса , 1982 ,1,с.88-90.

6. Аннаев К.,Атадаиков К. ,Беркелиев А. ,Мелебаев Д.,Назаров Н. Фотопреобразователи на основе варизонных Ga^Mjc As (St>) структур. Сборник " Солнечная фотоэлектрическая электроника",Ашхабад, 1983 , с. 256-263.

7. Атадаиков К.,Беркелиев А. ,йменков А.Н. Дурбанова Дж., Назаров Н. ,Царенков Б.В.,Шерняков Ю.М. Фотоэлектрические свойства варизонных бея,-, AM к р-п-структур .Гелиотехника,1983,5,7-II.

В заключении считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность моему научному руководителю Аману Беркелиеву за постоянное внимание и всемерную поддержку при выполнении настоящей работы .

Я глубоко благодарен лауреату Ленинской премии Борису Васильевичу Царенкову , Альберту Николаевичу Именкову и Юрию Павловичу Яковлеву за интерес к работе и обсуждение ряда результатов.

Искренне благодарен А.Н.Баранову , В.Н.Бессолову , А.С.Волкову , Т.П.Лидейкису , Ю.П.Шернякову за полезные советы и обсуждение полученных результатов.

Приношу глубокую благодарность К.Аннаеву , А.Р.Аннаевой , Д.Мелебаеву , Н.Назарову за регулярное творческое общение и обсуждение результатов этой работы ; Дк. Атаеву , Дя. Курбановой за проведение некоторых измерений ; всем сотрудникам лаборатории Оптоэлектроники ФТИ АН ТССР и лаборатории Электронных полупроводников ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР за дружеское и доброжелательное отношение ко мне , что способствовало выполнению данной работы .

6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной работе были приведены результаты экспериментальных исследований по созданию варизонных Ga,-xA^cSb фотоэлектрических структур и фотопреобразователей на их основе. Получены следующие основные результаты :

1.Разработка метода эпитаксиального выращивания варизонных Ga,-xAfjcSb слоёв с увеличивающимися Е^ и рЕ^ в направлении роста структуры путём многократного изотермического смешивания позволила создать варизонные Gq.,x St> слои и р-п-структуры с Е^ , возрастающей от подложки ( Eg ^ 0,70 эВ ) к освещаемой поверхности ( 1,45 эВ ) с градиентом Е^ до 600 эВ/ см и Е^ в области р-п-перехода , составляющей 0,79 * 1,35 эВ.

2.В результате исследования электрических и фотоэлектрических свойств варизонных р-п-структур в зависишсти от Е^ и vE^ установлено , что

- спектр фототока варизонных Sa,. A Sk р-п-структур имеет резкий низкоэнергетичный 1фай ( при hv ^ Е0^) , определяемый крутизной поглощения материала , и пологий высокоэнергетичный край ( при hv ^ E0j ) , определяемый объёмными и поверхностными потерями неосновных носителей заряда ,

- увеличение градиента Е^ . приводит к уменьшению 1футизны высокоэнергетичного щэая , и следовательно , к возрастанию квантовой фоточувствительности в коротковолновую область спектра ,

- рекомбинационные потери в варизонных р-п-структурах будут предотвращены при ^Е^ эВ/см,

- фотоэдс р-п-структур при нормальном солнечном освещении линейно растёт с увеличением Е<^ и при 77 К Що близко к контактной разности потенциалов ( (7К ). При комнатной температуре Що существенно меньше 1/к » что связано со значительной величиной темнового тока .

3, Результаты проведённых исследовании позволили создать следующие приборы:

- широкополосные фотоприёмники с областью спектральной фоточувствительности 0,8 * 2,2 эВ и селективные фотоприёмники с энергией максимума фоточувствительности, лежащей в интервале 0,7 4- 1,5 эВ, полушириной спектральной полосы, составляющей 30 + 150 мэВ и квантовой эффективностью, изменяющейся в пределах 0,3 + 0,5 эл./фот.;

- солнечные фотопреобразователи с КПД порядка 4 + 6 % при 300 К и 10 ± 12 % при 77 К в условиях нормального солнечного освещения на основе варизонных AfySb р-п-структур с освещаемой п- и р- широкозонной областью ( 0,8 4-1,3 эВ , vEcj = 400 + 600 эВ/см ).

Однако нерешённой остаётся проблема уменьшения объёмных потерь неравновесных носителей заряда в варизонных Ga,.yAPxSb р-п-структурах . Решение этого вопроса требует особого внимания, так как оно является одним из главных путей повышения эффективности фотоэлектрических преобразователей.

1. Царенков Б.В.Данилова Т.Н.,Именков А.Н.,Яковлев Ю.П. Селективные фотоэлементы из варизонных Ga,xA^xAs : Si р-п-структур. ФШ,1973, т. 7,1426-1429.

2. Гутов В.В.,Данилова Т.Н. ,Именков А.Н.,Царенков Б.В., Яковлев Ю.П. Оптоспектрометрический эффект в полупроводниках. ФШ,1975,9,52-57.

3. Konagai М. and Takahashi. Graded-band-gap р Ga^^Al^sn -GaAs heterojunction solar cells.J.Appl., 1975»46, /3542 -354-6.

4. Woodall J.M. and Hovel H.J. An isothermal etchback -regrowth method for highefficiency Ga^^l^As -GaAs solarcells. J. Appl. Phys. Lett., 1977, 30, 492 493.

5. Именков А.Н. ,Текибаев Ж.С.,Таурбаев Т.И.,Царенков Б.В., Шорин В.Ф.,Яковлев Ю.П. Варизонные солнечные фотоэлектрогенераторы с координатно-зависимым градиентом ширины запретной зоны. ФШ, 1978, 12, 490-496.

6. Юкимато Йосионори. Тенденция развития солнечных элементов. "Дэнси гидзюцу, E/ectron.Encj", 1980,22,8,38-46 (япон.)

7. Woodall J.M. Isothermal solution mixing growth of thin Ga1xAlxAs layers. J. Electochem. Soc., 1971, 118, 150 152.

8. Дедегкаев Т.Т., Именков А.Н., Крюков И.И., Лидейкис Т.П., Царенков Б.В. ,Шерняков Ю.М., Яковлев Ю.П. Селективный фотоэлектрический эффект в варизонных Ga,.xA£xSb р-п-структурах. ФШ, 1977,11,2,267-271.

9. Баранов А.Н., Именков А.Н., Лидейкис Т.П., Царенков Б.В., Шерняков Ю.М., Яковлев Ю.П. Широкополосный фотоэлектрический эффект в варизонных Ga.^A^Sb р-п-структурах. ФШ, 1978, 12, 7, I4I4-I4I7.

10. Lechovec К, New photoelectric devices utilizing carrier injection. Proc. ШЕ, 1952, 40, 1407 1409.

11. Kroemer H. Quasi-electric and quasi-magnetic fields in nonuniform semiconductors. BSA Review, 1957, 18, 332 342.

12. Tauc L. Generation of emf semiconductors. Rev. Mod. Phys., 1957, 29, 308 324.

13. Appl. Phys., 1962, 33, 1950 1961.

14. HNelson H. Epitaxial growth the liquid and itstapplication to the fabrication of tunnel and laser diodes. RCA Review, 1963, 24, 603 615.

15. Hill R., Williams E. Electric-field-dependentл *luminescent spectra of graded band-gap Semiconductors. J. Appl.4 * *

16. Phys. Lett., 1967, 11, 296 298.

17. Алфёров Ж.И.,Андреев B.M., Корольков В.И., Портной Е.Л., Яковенко АЛ. Рекомбинационное излучение в твёрдых растворахс переменной шириной запрещённой зоны. ФТП,1969, 3,541.545.18.

18. Konagai М. and Takahashi К. Theoretical analysis of graded band - gap gallium - aluminium arsenide / galliumi Лars enide p Ga^^l^s - p - GaAs - n - GaAs sells. J. Appl. Phys., 1975, 46, 259 - 264.

19. Царенков Г.В. Фотоэффект в варизонной р-п-структуре .1. ФШ, 1975 , 9,2,253-262»

20. Вуль А.Я. ,Петросян С.Г. ,Шик А.Я. ,Шмарцев Ю.В. О фоточув свительности варизонной структуры. ФШ, 1976,10,673-676.

21. Волков А.С. ,Царенков Г.В. Фотолюминесценция варизонного полупроводника. ФШ,1977,11,1709-1717.

22. Осипов В.В. ,Собелова Т.И. Долоднов В.А. Вольтамперныеи спектральные характеристики варизонных р-п-структур. ФШ, 1977, II, 2314-2321.

23. Казаринов Р.Ф. ,Царенков Г.В. Теория варизонного лазера. ФШ, 1979,10,2,297-303.

24. Вуль Л.Я., Вуль С.П., Лежейко Л.В. ,Любопытова Е.В., Кузнецов О.Н.,Сайдашев И.И., Шаронова Л.В. ,Шик Я.А. ,Шмарцев Ю.В. Экспериментальное исследование фоточувствительности варизонных структур. ФШ,1977,II,8,1634-1637.

25. Беркелиев А.,Волков А.С. ,Именков А.Н.,Липко А.Л., Назаров Н. ,Сулейменов Б.С.,Царенков Б.В.,Яковлев Ю.П. Варизонная и барьерная фотоэдс варизонной р-п-структуры. ФТП,1979,13, 938941.

26. Жиленис С. ,Матулёнис А. Дирагас К. ,Шимулите Е. Долговременная релаксация проводимости варизонных кристаллов твёрдого раствора A^Ga.^As . ФШ,1981,15,6,1159-1165.

27. Зембатов X.Б. Кравченко А.Ф. ,Машуков Ю.П. Край поглощения варизонных эпитаксиальных плёнок M^Ga^As .ФШ , 1975, 9,7,1314-1318.

28. Морозов Б.В. ,Болховитянов Ю.Б.,Габарев Р.С.,Кравченко А.Ф., Юцаев В.И. О форме края поглощения варизонных структур полупроводниковых соединений А^5. ФШ,1980,14,8,1486-1491.

29. Рыбкин G.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., Физматгиз,1963,494 с.

30. Царенков Г.В. Дрейф рекомбинационного излучения в вари-зонном полупроводнике. ФШ, 1979,13,6,1095-1103.

31. Андреев В.М. Долгинов Л.М.,Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.,"Советское радио" 1975,328 с.

32. Горюнова Н.А. ,Б5фдиян И.И. Твёрдые растворы в системе A^Sb- GaSb .ДАН СССР, 1958,120,5,1031-1034.

33. Мосс Т. ,Баррел Г. ,Эллис Б. Полупроводниковая электроника . М. "Мир",1976,432 с.

34. Материалы для оптоэлектроники. Сб. статей .Перевод с англ. М., "Мир",1976,405 с.

35. Акимэв Ю.А.,Дуров А.А., Загаринский Е.А.,Крюкова И.В., Петрушенко Ю.Б.,Степанов Б.М. Квантовая электроника, 1975 , 2 , 68,

36. Баранский П.И. ,Клочкой В.П. ,Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника .Киев , "Наукова думка",1975,704 с.

37. Борщевский А.С. .Бурдиян И.И., Лубенская Э.Ю.,Соколова Е.В. Диаграмма состояния A£Sb-6aSb. ЖНХ, 1959,1У, 12,2824-2826.

38. Бурдиян И.И., Коломиец Б.Т. Исследование проводимостии эффект Холла в твёрдых растворах систеш MSb GaSb #ФШ,1959,1,8Д165-Щ1, , ,

39. Mead С,A,, Spitzer W.G. Conduction band minima in4 * i * о

40. Alls and AlSb. Pkys. Rev. Lett., "1963, 11, 358 360.

41. Bedair S.M. Composition dependence of the Al^Ga^^Sbenergy gaps. J. Appl. Phys. 1976, 47, 4143 4147.

42. Mathieu H., Auvergne D., Merle P., Pustagi K. Phys. Rev., 1975, B12, 5846.

43. Bipiamm Ю.Ф. ,Вуль С.П. Дедегкаев Т.Т.,Крюков И.И.,Полянская Т.А. ,Шмарцев Ю.В. Зависимость ширины запретной зоны от состава в твёрдом растворе M^Ga^Sb .ФШ,1977,11,3, 15551559.

44. Гончарова Т. С." Автореферат канд.дис. Институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова. М. ,1973.

45. Кесаманлы Ф.П.,Коваленко В.Ф. ,Марончук И.Е. ,Пека Г.П., Шепель Л.Г. Исследование диффузионной даны в варизонных твёрдых растворах М^ 6а,х As . ФШ,1978,12,7,I3I8-I32I.

46. Van "Vechten I.A., Bergstresser Т.К. Elektronic Struc-turec of Semiconductor Alloys. Phys.Rev., 1970, B1, 3351-3358.4 i

47. Dawson L.R. Liquid phase epitaxy. Progess in solid state chemistry, 1972, 7, 117 139.

48. Hall R.N. Solubility of III V compound semiconductors in column III liquids.J.Electrochemical Soc.,1963,110,385» 388.

49. Дедегкаев Т.Т.,Крюков И.И. .Лидейкис Т.П.,Царенков Б.В., Яковлев Ю.П. Жидкостная эпитаксия варизонных Sb структур. ЖТФ,1980,50,5,1056-1066.

50. Long S.I., Ballantyne J.M., Eastman L.F. Steady-state LEE growth of GaAs. J. Crysth. Growth, 1974, 26, 13.

51. Голубов Л .В. .Пахомова Т.В.,Хачатурян О.А. ,Шмарцев Ю.В. В сб. " 1У Всесоюзное совещание по росту 1фисталлов. Цахкадзор, Ереван, 1972,1,154.

52. Имвнков А.Н. ,Сташсулов А.А. ,Таурбаев Т.И.,Царенков Б.В., Шорин В.Ф.,Яковлев Ю.П. Высокоэффективные солнечные фотоэлектрогенераторы с тонким варизонным слоем. ФШ, 1978,12,948-951.

53. Дедегкаев Т.Т.,Крюков И.И.,Лидейкис Т.П.,Царенков Б.В., Яковлев Ю.П. Фазовая диаграмма Ga- At - Sb для жидкостной эпитаксии. ЖТФ ,1978,48,3,599-605.

54. Guggenheim Е.А., Thermodinamics. Amsterdam. N. Hoi. Publ. Сотр., 1957, 250 p.

55. Ilegems M., Pearson G.L. Derivation of the Ga A1 -Asternary phase diagram with applications to liquid phase epitaxy.

56. Proc. 2nd Int. Sym§. on GaAs, 1968, p. 3 10.. . t it

57. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Tretyakov D.N., Nikitini 4 . 4

58. V.G. Proc. of Int. Conf. Phys. Chemicond. Heterojunctions and Lajrer s tuctures. Buda pest, Academial Kiado, 1971, 1, 93.

59. Гончарова T.C.,Конников С.Г. ,Рябцев H.Г.,Третьяков Д.Н., Александрова Т.П. Эпитаксиальное наращивание слоёв G<*»-x Sb из металлического расплава. Изв. ВУЗ-ов, сер.Физика, 1973,9,146148.

60. Nguyen Van May А., Апсе С., Bounot G. Croissance par epitaxie en ph ase liquide et diagramme de phase du systeme Ga^^l^Sb. J.of Cr.Crowth., 1976, 36, 273 277.

61. Вилисов А.А. ,Вяткин А.П. ,Гермогенов В.П. Выращивание из жидкой фазы эпитаксиальных слоёв твёрдых растворов А^6а,х$Ь Неорганические материалы, 1976,12,9,1528-1532.

62. Маткова^И.И. Автореферат канд.дисс. ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР,.Л.,1976.

63. Вигдорович С.В.Долгинов Л.М. „Дружинина Л.В.,Зайцев А. А. Получение и исследование эпитаксиальных слоёв твёрдых растворов £a$b AtSb .-Тезисы докладов УШ Всесоюзной конференции по микроэлектронике. М.,1978,99.

64. Алфёров Ж.И.,Андреев В.М*,Кагон М.Б.,Корольков В.И., Табаров Т.С. ,Таджибаев Ф.М. Фотоэлементы с расширенной областью спектральной чувствительности на основе плавных гетероструктур A£GaAs- 6aAs . Письма в ЖТФ , 1977,3,725-729.

65. Елюхин В.А., Карпов С.Ю.,Портной Е.Л.Скворцов A.M., Сорокина Л.П. Кристаллизация твёрдых растворов M^GahyiSh ЖТФ, 1980,50,4,888-889.

66. Баранов А.Н.,Валацка К. ,Лидейкис Т.П.,Яковлев Ю.П.,Особенности взаимодействия насыщенных расплавов с твёрдой фазой в системе Ga ~ At Sb . Неорганические материалы, 1981,17,3, 402-406.

67. Katsuhiko Kubata and Toshiaki Ikoma. Liquid Phase Epitaxial Growth of A1 Ga^^Sb. "Oyo Buture", 1981, 50, 2, 108-113.

68. Golubey L.7., Khachaturyan O.A,, Shik A.Ya., Shmartsev* ' < * Yu.V. Phys.Stat. Sol.(a), 1974, 22, K203.

69. Hutchby J.A., Fudurich R.L. Theoretical optimization and parametric study of solar cell. J. Appl. Phys., 1976, 47, 3152 3158.

70. Абагян С.А»,Кузнецов Ю.Н.,Малинин А.Ю.,Невский О.Б., Патрашн А.И. ,Хашимов Ф.Р.Дляпов В.Т. Фотоэлектрические свойства р-п-структур с варизонным передним слоем. ФШ, 1977,II,2310-2313.

71. Алфёров Ж.И.,Андреев В.М.,Корольков В.И. Донников С.Г., Табаров Т.С.,Тадаибаев Ф.И. Фотоэлектрические свойства плавных гетероструктур GaAs . ФШ, 1978,12,285-292.

72. ЗЗурдиян И.И. ,Рознерица Я.А. .Степанов Г.И.,Термоэлектрические свойства твёрдых растворов системы GtxSb в фур, 1961,111,6,1879-1882.

73. Гермогенов В.П. ,Вилисов А.А. ,Вяткин А.П. Получение и исследование структур в р-п-переходами на основе твёрдых растворов Д£;с Ga,-X Sb . Изв. ВУЗ-ов, сер. Физика, 1975,9,63-69.

74. Именков А.Н., Лидейкис Т.П. ,Шерняков Ю.М.,Яковлев Ю.П. Электролюминесценция варизонных р-п-структур. ФШ,1977,II,9,1771.

75. Ватутин А.Н., Вилисов А.А., Гермогенов В.П.,Морозов В. С. Люминесценция гетероструктур на основе #-Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Ашхабад, 1978,1,71-73.

76. Ватутин А.Н., Вилисов А.А. ,Гемогенов В.П. Фотоэлектрические характеристики гетероструктур на основе A£xGa,-xSb «Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Ашхабад, 1978,1,140-142.

77. Зимогорова Н.С. ,Крячко И.В.,Попова Т.Б. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства гетеропереходов в системе

78. Ai Go. - «.Тезисы докладов II Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах.Ашхабад, 1978,11,36-38.

79. Зимогорова Н.С.,Конская Л.М,,Крячко И.В.,Сазонов В.В., Шостка В.И. Рекомбинавдонное излучение эпитаксиальных GaSb и твёрдых растворов Ga,.xSb ~ Тезисы докладов Всесоюзной кон-ф еренции "Физика соединений1. Азв5„1. Новосибирск, 1981,80-81.

80. Вилисов А.А. ,Гермогенов В.П.,Морозов B.C. ,Полозотин В.

81. A. Влияние состава твёрдого раствора kit Ca,.x5b на свойства слоев и р-п-структур. Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Физика соединений .Новосибирск, 1981, I80-I8I.

82. Жингарев В. 3.,Корольков В. И., Михайлов а М.П.,Сазонова В.

83. B., Зависимость коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок от ориентации и состава в гетероструктурах на основе

84. Тезисы докладов III Всесоюзной конференции по физическим процессам в" полупроводниковых гетероструктурах. Одесса, 1982, 1,9-11.

85. Ларик Я.А. ,Бергманн Я.В.,Вирро А.Л. ,Лыук П.А. ,Саммел-сельг В.А. ,Фридентал Я.К. йастродействие

86. GaA£Sb „GaSb фотоприёмников, определяемое диффузией неосновных носителей. Тезисы докладов. III Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых ге теро структурах.Оде сса,1982,1,15-17.

87. Георгицэ Е.И.,Миронов И.Ф. ,5урдиян Й.И. 0 некоторых свойствах фотодиодов на основе A^Ga^Sb # Изв. АН Молд. ССР, сер. физ.-тех. и мат. наук, 1978,3,84-86.

88. Горелёнок А.Т.,Царенков Б.В. Способ получения р-п-пе-реходов. Авт.свид, В I96I74 "Ш",1967, Ж1, с<53.

89. Hultgren Е., Огг R.L., Anderson P.D., Kelley К.К. Selected Values of Thermodynamic Properties of Metalls and Alloys. J. Wiley and Sons, New Yoork, 1963.

90. Яковлев Ю.П. Изотермическая жидкостная эпитаксия варизонных Ga.^A^As структур.ЖТФ,1982,52,3,472-477.

91. Яковлев Ю.П. Варизонные р-п-сорукту-ры. Канд.диссертация. ЛГПИ им.А.И.Герцена, Л. ,1978,190 с.

92. Назаров Н. Создание и исследование варизонных Ga,.xA^As фотоэлектрических преобразователей.Канд.диссертация ФТИ АН Туркменской ССР,Ашхабад, 1979,181 с.

93. Лидейкис Т.П. Создание и исследование варизонных р-п-структур Ga,.xA£xSk ♦ Канд. диссертация, ФТИ им.А.Ф.Иоффе АН СССР , Л.,1978,166 с.

94. Атадаиков К.,Беркелиев А.,Дурдыев К. Поверхностно-барьерные структуры на основе твёрдых растворов п- Ga,.xA^xSb .Изв. АН ТССЕР, сер. ФТХиШ, 1979,3,107-108.

95. Атадаиков К.,Беркелиев А.,Назаров Н.Фотоэлектропреобра-зователи на основе варизонных 5b р-п-структур .Изв. АН ТССР,сер.ФТХиШ,1982,3,83-86.

96. Атадаиков К.,Спектр фоточувствительности варизонных £a,xA?xSb р-п-структур. Тезисы докладов II научной конференции молодых учёных АН ТССР,Ашхабад,1977, 134-135.

97. Атадаиков К,.Баранов А.Н.,Беркелиев А.,Назаров Н. Фотоэлектрические свойства варизонных широкополосных Ga^A^Sb р-п-структур.Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Физика соединений А^5" ,Ново сибир ск, 1981,314-315.

98. Аннаев К., Атадаиков К. ,Беркелиев А., Меле баев Д. Базаров Н. Фотопреобразователи на основе варизонных ба.^А^ 4s^kj структур. Сб."Солнечная фотоэлектрическая энергетика",Ашхабад, 1983, 256-263.

99. Атадаиков К. ,Беркелиев А. ,Именков А.Н.-,Курбанова Дк., Назаров Н.,Царенков Б.В.,Шерняков Ю.М. Фотоэлектрические свойства варизонных Ga^A^Sb р-п-структур.Гелиотехника, 1983, 5, 7-II.

100. Царенков Б.В. Схема осциллографирования вольт-амперной характеристики фотодиода. ПТЭ,1960,2,144.

101. Дмитриев А.Г.,Царенков Б.В. Термостат для оптических измерений. ПТЭ,1972,1,207.

102. Куммеров Р.Л. Фотоэффект в р-п-переходе. Сб."Полупроводниковые преобразователи энергии излучения". М.,1959,262-274.

103. Риттер Е.С. Использование р-п-переходов для преобразования солнечной энергии. Сб."Полупроводниковые преобразователи энергии излучения" М.,1959,260-261.

104. Лоферский Ж.Ж. Теоретические соображения относительного выбора полупроводникового материала для фотоэлектрического преобразования солнечной энергии. Сб."Полупроводниковые преобразователи энергии излучения".М.,1959,278-295.

105. Алферов Ж.И.,Андреев В.М. Перспективы фотоэлектрического метода преобразования солнечной энергии. Сб."Преобразование солнечной энергии". Черноголовка, 1981,7-20.

106. Васильев A.M. Дандеман .Полупроводниковые фотопреобразователи.М./'Советское радио",1971,246 с.

107. Беркелиев А. ,Гольдберг Ю.А.,Данилова Т.Н., Именков А.

108. Н.,Мелебаев Д.,Царенков Б.В.,Яковлев Ю.П. Дифференциальный опто-спектрометрический эффект в варизонной w S -структуре. ФШ, 10,12,2352-2360.

109. Волков А.С.,Липко А.Л,,Никишин С.А.,Царенков Б.В., Царенков Г.В. Дрейф рекомбинационного излучения и фотонный дрейф носителей заряда в варизонном полупроводнике. Письма в ЖТФ, 1979, 5,П,с.655-659.

110. Marfaing J., Chevallier J. Photovoltaic effects in graded hand - gap structures. IEEE transactions on electron devices, 1971, ED - 18, 8, p. 465 - 471.

111. Беркелиев А. ,Гольдберг Ю.А., Именков А.Н., Меле баев Д. Царенков Б.В. Фотоэлектрический эффект в варизонных поверхностно-барьерных структурах. ФШ, 1978,12,1,96-100.