Структурная модификация плёнок кремния в процессе роста и легирования тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. Плёнки микрокристаллического кремния: получение и применение.

1.1. Технология получения аморфного гидрогенизирован-ного кремния как основа для выращивания микрокристаллических пленок.

1.1.1.ВЧ разложение силана в плазме тлеющего разряда. Установка для получения пленок аморфного и микрокристаллического кремния.

1.1.2. По лучение пленок гидрогенизированного аморфного и микрокристаллического кремния. Солнечные элементы на основе а-БЬН и тс-БШ.

1.2. Влияние параметров осаждения на проводимость пленок тс^ь Проблема получения низкоомного материала.

1.2.1.Зависимость проводимости тс-БШ от общего давления.

1.2.2.Зависимость проводимости тс-вШ от уровня раз- 52 бавления силана водородом.

1.2.3.Зависимость проводимости пленок тс-8кН от уров- 54 ня легирования.

1.2.4. Зависимость проводимости пленок тс-БШ от мощ- 55 ности ВЧ - разряда.

1.2.5.Зависимость проводимости пленок тс-БШ от тем- 57 пературы осаждения.

1.2.6. Зависимость проводимости пленок тс-БШ от толщины.

1.3. Выводы.

Глава 2. Структура пленок микрокристаллического кремния.

2.1. Методы исследования структуры.

2.1.1. Рамановская спектроскопия.

2.1.2. Фазовый анализ на основе рамановского рассеяния.

2.1.3. Экспериментальная установка для получения рама-новских спектров.

2.1.4. Просвечивающая электронная микроскопия.

2.1.4.1. Препарирование образцов.

2.1.4.2. Режимы съемки.

2.1.4.3. Применение просвечивающей электронной микроскопии к пленкам микрокристаллического кремния.

2.1.5. Атомно-силовая микроскопия в контактном режиме.

2.1.6. Цифровой анализ топограмм.

2.2. Экспериментальные результаты структурных исследований.

2.2.1. Рамановская спектроскопия.

2.2.2. Просвечивающая электронная микроскопия.

2.2.2.1. Темнопольные изображения.

2.2.2.2. Светлопольные изображения.

2.2.2.3. Прямое разрешение решетки.

2.2.3. Характеристика поверхности mc-Si по данным СЗМ.

2.2.4. Электронография пленок mc-Si.

2.4. Выводы.

Глава 3. Модификация структуры пленок аморфного кремния.

Кристаллизация.

-43.1. Структура ближнего порядка в аморфном кремнии.

3.2. Кристаллизация плёнок аморфного кремния.

3.2.1. Изохронный отжиг.

3.2.2.Изотермический отжиг.

3.3. Изовалентное легирование кремния углеродом, германием и оловом.

3.4. Кристаллизация аморфного кремния, легированного углеродом.

3.5. Выводы.

Глава 4. Плёнки поликремния: получение и структура.

4.1. Получение пленок поликремния методом молекуляр-но-лучевого осаждения.

4.2. Исследование элементного состава и распределения фоновых и легирующих примесей в ППК, полученных методом сублимации.

4.2.1. Элементный состав ППК.

4.2.2. Распределение фоновых примесей по толщине ППК.

4.2.3. Распределение легирующих примесей в ППК.

4.3. Изменение структуры легированных ППК в зависимости от температуры осаждения в области от 400 до 700°С.

4.4. Модели роста зёрен в легированных ППК: теоретическое рассмотрение.

4.5. Особенности роста и структура кремниевых пленок, осажденных на окисленные кремниевые.

4.6. Исследование структуры плёнок кремния методом ре-зерфордовского обратного рассеяния.

4.7. Структура ППК, полученных в процессе кристаллизации плёнок аморфного кремния.

4.8. Выводы.

Глава 5. Влияние бомбардировки поверхности роста низкоэнергетическими ионами Si+ на структуру поликремниевых пленок.

5.1. Взаимодействие ионного пучка с поверхностью роста кремниевых пленок. Общее рассмотрение.

5.2. Структура поликремниевых пленок, выращенных под воздействием низкоэнергетической бомбардировки.

5.3. Оценка энергии элементарных процессов, протекающих при росте поликремниевых пленок под воздействием низкоэнергетической бомбардировки.

5.4. Влияние низкоэнергетической ионной бомбардировки на процесс десорбции моноокиси кремния при воздействии атомарного потока сублимирующего источника на поверхность Si02.

5.5. Формирование вюрцитной фазы в ППК при низкоэнергетическом ионном облучении в процессе роста.

5.6. Выводы.

Глава 6. Влияние легирующих примесей на электрические свойства ППК.

6.1. Модели проводимости ППК.

6.2. Методы исследования электрофизических параметров плёнок.

6.2.1. Измерение температурных зависимостей проводимости.

6.2.2. Вольтамперные характеристики в области сильных полей.

6.2.3.Измерение слоевого сопротивления и эффекта Хол

6.3. Изменение механизмов проводимости ППК при увеличении концентрации легирующей примеси.

6.4. Влияние сорта легирующей примеси на зависимость слоевого сопротивления ППК от температуры осаждения.

6.5. Зависимость слоевого сопротивления от температуры отжига кристаллизованных ППК.

6.6. Влияние бомбардировки поверхности роста низкоэнергетическими ионами Si+ на зависимость слоевого сопротивления ППК от температуры подложки.

6.7. Сопоставление экспериментальных результатов с моделью проводимости ППК.

6.8. Выводы.

Глава 7. Фрактальная размерность поверхности пленок кремния.

7.1. Фрактальная размерность. Фракталы.

7.2. Методы определения фрактальной размерности.

7.2.1. Фрактальный анализ профилограмм.

7.2.2. Фрактальный анализ топограмм.

7.3. Фрактальный анализ профиля поверхности пленок аморфного и нанокристаллического кремния.

7.3.1. Поверхность пленок a-Si.

7.3.2. Поверхность пленок ne-Si.

7.4. Фрактальный анализ профиля поверхности пленок микро- и поликристаллического кремния.

7.4.1. Поверхность пленок mc-Si.

-77.4.2. Поверхность пленок poly-Si.

7.5. Фрактальный анализ поверхности эпитаксиальных плёнок.

7.6. Сопоставление фрактальности и размера области структурного упорядочения в кремнии.

7.7. Выводы.

Актуальность темы

Развитие тонкоплёночной технологии за последние два десятилетия открыло широкое поле для материаловедения и фундаментальных исследований в этой области. И здесь, среди тонкоплёночных материалов, кремний лидирует точно так же, как и среди объёмных монокристаллических полупроводников. Применение нашли практически все его структурные модификации. Аморфные (a-Si) и микрокристаллические (mc-Si) плёнки - в солнечных элементах. Поликремний (poly-Si) - в тонкоплёночных транзисторах и плоских дисплеях большой площади. Исследование такой новой структурной модификации, как нанокри-сталлический кремний (ne-Si), открывает перспективы для создания приборов на квантово-размерных эффектах. И это далеко не всё. Вот еще конкретные примеры постоянно расширяющегося круга применений плёнок кремния: биполярные транзисторы и диоды, МОП-транзисторы и пассивные элементы интегральных цепей, модули оперативной памяти (DRAM и EEPROM), эмиттерные контакты и источники примеси, светоизлучатели, фотодетекторы и датчики изображения, всевозможные микросенсоры, пьезорезистивные датчики давления и микроакту аторы.

Очевидно, что широкое использование плёнок a-Si, ne-Si, mc-Si и poly-Si для производства приборов во многом определяется тем, насколько их свойства управляемы через параметры процесса осаждения и невозможно без надёжных методов, позволяющих менять их структуру и электрофизические характеристики. Однако управление технологическими параметрами роста и легирование этих материалов представляет собой далеко не тривиальную задачу.

Рассмотрим, в качестве примера, эти проблемы отдельно для технологии осаждения микро- и поликристаллических плёнок кремния.

В основе технологии получения плёнок mc-Si лежит метод плаз-мостимулированного химического разложения силана, сильно разбавленного водородом1. Пленки, выращенные этим методом, часто оказываются двухфазными, т.е. аморфно-кристаллическими2, а их легирование неэффективным, несмотря на наличие в них водорода. Основная задача сводится в данном случае к увеличению относительной доли объёма кристаллической фазы Хс, которая зависит от массы технологических параметров.

Следующая структурная модификация - поликремний. Для получения плёнок poly-Si без аморфных включений и с крупным зерном (до 1 мкм и более) приходится поднимать температуру осаждения выше 300-400°С. При этом водород, даже если он и присутствует в ростовой камере, в плёнках не задерживается. Это означает, что независимо от

1 Есть, конечно, и другие методы. Однако этот метод является основным, так как он заложен в технологию производства солнечных элементов на основе а-БШ, куда, с недавних пор, успешно добавляются и слои тс-БШ. Водород и кремний-водородные радикалы в плазме необходимы для реализации «химического отжига», т.е. для устранения ослабленных и оборванных связей кремния в зоне роста и энергетической реконструкции решетки. Поскольку присутствие водорода в плёнках необходимо также для снижения плотности локализованных состояний, температура осаждения в данном методе обычно не превышает 250°С.

2 При тщательном подборе режимов осаждения можно получать и аморфно-нанокристаллические слои. технологии (разложение силана или осаждение из кремниевых источников), в плёнках появляются межзёренные границы с высокой плотностью ловушечных состояний. В данном случае эффективное легирование возможно только после полной их компенсации или, что не всегда спасает, проведения постгидрогенизации.

Для установления корреляции между свойствами легированных плёнок поликремния (ППК) и условиями роста необходимо использовать метод осаждения с наименьшим числом параметров процесса. Кроме того, для выявления закономерностей легирования ППК в процессе роста, целесообразно исследовать наиболее широкий спектр легирующих примесей.

Для решения такой задачи лучше всего подходит метод молеку-лярно-лучевого осаждения (МЛО) с использованием сублимационных источников кремния. Этот метод позволяет получать слои кремния в достаточно «чистых» условиях при низких температурах с минимальным числом параметров, влияющих на процесс роста пленок. При сублимации кремния используется и большее число легирующих примесей. Ионной составляющей в молекулярном потоке из сублимирующего источника можно легко управлять путем приложения разности потенциалов между источником и подложкой.

Осаждение поликремниевых пленок проводят в достаточно широком интервале температур от 300 до 900°С, очень часто выбирая в качестве подложки пластины кристаллического кремния, покрытые слоем термически выращенного слоя диоксида1. При высоких температурах кремний из источника может взаимодействовать со слоем диоксида кремния, образуя при этом летучее соединение 810. Процесс термиче

1 Такие подложки нередко используются в приборных структурах. ского травления толстых слоев диоксида в потоке атомов кремния с последующим переходом к эпитаксиальному росту практически не изучен.

Цели и задачи исследований

Выявление фундаментальных закономерностей роста и легирования плёнок аморфного, нано-, микро-, поли- и монокристаллического кремния являлось генеральной целью настоящей работы. При этом основное внимание было уделено плёнкам mc-Si и poly-Si в связи с их большой перспективностью. Нами были сформулированы следующие конкретные задачи, и было спланировано проведение следующего ряда комплексных исследований:

1. Применяя современный арсенал структурных методов (рамановская спектроскопия, электронография, просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения и сканирующая зондовая микроскопия), получить по возможности полную характеристику фазового состава, микроструктуры поперечного среза и развития поверхностной топологии плёнок кремния в зависимости от условий их роста.

2. В рамках технологии плазмо-химического разложения силано-водородной смеси исследовать зависимость электропроводности плёнок mc-Si:H от параметров осаждения (давление, степень разбавления силана водородом, уровень легирования, мощность ВЧ-разряда, температура осаждения, толщина плёнок). Определив оптимальные режимы для получения низкоомных слоев, использовать их в качестве внутреннего контакта в тандемных pinpin-солнечных элементах на основе a-Si:H с целью снижения омических потерь.

3. Исследовать влияние примесей замещения (углерод, германий, олово) на структуру ближнего порядка и температуру кристаллизации аморфного кремния. Исследовать динамику накопления кристаллической фазы в плёнках a-Si в процессе высокотемпературного многоступенчатого изохронного отжига «in situ». Проследить за изменением среднего размера области когерентного рассеяния фаз.

4. Провести исследование возможности применения метода MJIO кремния с использованием сублимационных источников для получения плёнок поликремния с минимальным содержанием фоновых примесей и с заданной концентрацией легирующей примеси. Выявить закономерности изменения структуры, размера зерна и электропроводности ППК в зависимости от сорта легирующей примеси.

5. Определить условия, при которых происходит термическое травление толстого слоя Si02 на кремниевой подложке при выдержке её в потоке атомов кремния из сублимирующих источников.

6. Выявить характер изменения размера зерна в ППК, полученных в процессе отжига аморфных пленок, от сорта легирующей примеси.

7. Исследовать влияние низкоэнергетической бомбардировки поверхности роста на изменение структуры и электропроводности ППК.

8. Провести фрактальный анализ и сопоставление фрактальной размерности поверхности плёнок аморфного, нано-, микро-, поли- и монокристаллического кремния.

Научная новизна

1. Впервые с привлечением современных информативных экспериментальных методик выполнено комплексное исследование модификации ближнего порядка, фазового состава и микроструктуры плёнок в ряду - аморфный, нано-, микро-, поли- и монокристаллический кремний. Выявлена взаимосвязь структурных особенностей и электрофизических свойств плёнок кремния в различном структурно-фазовом состоянии.

2. Показано, что для аморфного кремния, когда в структуре сохраняется лишь ближний порядок и отсутствует такое понятие как «период решётки», легирование примесями замещения приводит к смещению положения координационных максимумов на радиальном распределении атомов, знак которого определяется атомными размерами примеси, а величина пропорциональна введённой концентрации. Очерчен круг выполнимости этого правила.

3. Получены новые данные о фазовом составе, микроструктуре и развитии топологии поверхности плёнок тс-8Ш в процессе осаждения. Развита концепция применения более низкоомных (по сравнению с а-БШ) легированных слоёв тс-8кН в качестве внутреннего контакта в структурах ртрт-фотопреобразователей.

4. Впервые проведено комплексное исследование влияния широкого спектра легирующих примесей на структуру и рост зерна поликремниевых пленок, а также на их электрические свойства. Установлено, что снижение температуры перехода от роста пленок с аморфной структурой к росту поликристаллических пленок, а также ускорение роста зерна ППК зависят от сорта легирующей примеси. Сделан вывод, что атомы легирующей примеси при росте ППК выступают в роли сурфактантов (т.е. поверхностно-активных частиц, которые способствуют встраиванию атомов кремния в кристаллит). Определяющим фактором, ведущим к изменению структуры и размера зерна ППК, является различная склонность примесей к сегрегации.

5. Исследован процесс десорбции моноокиси кремния с поверхности толстых (-0.5 мкм) слоев диоксида кремния при воздействии потока атомов кремния и примеси из сублимирующего источника.

6. Показано, что бомбардировка поверхности роста ППК низкоэнергетическими (< 300 эВ) ионами кремния приводит к следующим структурным изменениям:

-14- снижению температуры перехода от роста пленок с аморфной структурой к росту поликристаллических пленок;

- увеличению размеров зёрен и уменьшению их дисперсии;

- увеличению интенсивности десорбции моноокиси кремния при воздействии атомарного потока из сублимирующих источников кремния на поверхность диоксида кремния.

7. Предложен метод расшифровки механизмов переноса, основанный на сочетании измерений температурных зависимостей проводимости и вольтамперных характеристик ППК в области высоких полей. Этот метод позволяет идентифицировать барьерный перенос и вари-сторный тип проводимости.

8. Установлено, что зависимость слоевого сопротивления ППК от температуры роста носит существенно немонотонный характер. Минимальное значение сопротивления ППК, легированных различными примесями, наблюдается при разных температурах осаждения. Бомбардировка поверхности роста низкоэнергетическими ионами кремния не меняет характер этой зависимости, но ее график смещается в область более низких температур на 50-ь70°С.

9. Проведен фрактальный анализ поверхности плёнок кремния различных структурных модификаций. Выявленные закономерности во взаимосвязи фрактальности и размера области структурного упорядочения в кремнии носят фундаментальный характер.

Практическая значимость работы

Большинство полученных результатов важны не только в научном, но и в прикладном плане и, прежде всего, для развития плёночной технологии.

1. Результаты исследований структуры и электропроводности плёнок тс-БШ в зависимости от условий процесса осаждения были успешно использованы нами при разработке улучшенных по основным параметрам структур солнечных элементов. Слои mc-Si:H с предельно высоким значением проводимости могут быть востребованы и в других приборах.

2. Кристаллизация плёнок аморфного кремния при отжиге может быть использована как метод получения материала с контролируемой долей и размером кристаллических включений. Этим методом можно, например, получать плёнки нанокристаллического кремния. Плёнки a-Si, легированные углеродом, характеризуются высокой степенью просветления при кристаллизации лазерными импульсами и могут быть использованы для полутоновой оптической записи.

3. Полученные в работе результаты дают возможность выделить основные процессы, ответственные за изменение структуры и размера зерна ППК при легировании их в процессе осаждения. Исходя из этого, легирование соответствующим сортом примеси при определенных условиях осаждения позволяет получать ППК с заданными свойствами.

4. Варисторный тип В АХ нелегированных ППК можно использовать как признак барьерной проводимости при расшифровке механизмов переноса, а сами плёнки в качестве нелинейных сопротивлений.

5. Травление толстых слоёв термически выращенного диоксида в потоке атомов кремния с последующим переходом в эпитаксию может быть предложено как метод выращивания совершенных слоёв с улучшенными структурными характеристиками интерфейса плёнка-подложка. Тот факт, что пленки Si02 термически травятся в потоке атомов кремния из сублимирующего источника при температурах подложки на 200-ь300°С ниже, чем при использовании традиционного метода MJIO кремния, позволяет снизить температуру начала эпитаксии.

-166. Эффект улучшения структуры под воздействием низкоэнергетической ионной бомбардировки поверхности роста может быть использован при разработке низкотемпературного метода получения ППК.

7. Низкоэнергетическое облучение в процессе осаждения легированных ППК можно использовать для стимуляции накопления гексагональной фазы.

8. Результаты исследования зависимости слоевого сопротивления ППК от температуры роста могут быть рекомендованы при выборе режимов получения пленок с заданным значением сопротивления.

9. Подходы, развитые нами при расчёте фрактальной размерности, рекомендуются для оценки качества поверхности плёнок различных структурных модификаций кремния и других материалов. Основные положения, выносимые на защиту

На защиту выносятся результаты комплексного исследования влияния условий осаждения и легирования на структуру и свойства плёнок а-, пс-, шс-, poly- и c-Si.

1. Легирование аморфного кремния изовалентными примесями, кова-лентный радиус которых отличается от ковалентного радиуса атомов кремния, как в большую, так и в меньшую сторону позволяет эффективно управлять ближним порядком. Значение радиуса первой координационной сферы в легированном аморфном кремнии определяется концентрацией и атомными размерами вводимой примеси в соответствии с выражением: Ri= 2RSi• (1 -x)+2RnpHMecH•х. Это соотношение работает аналогично правилу Вегарда для металлов.

2. Для получения слоёв mc-Si:H может быть использован традиционный (для получения a-Si:H) PECVD-метод, что существенно расширяет возможности силановой технологии. Для легированного микрокристаллического кремния, получаемого плазмохимическим разложением смеси силана, разбавленного водородом, могут быть достигнуты более низкие, чем для a-Si:H, значения удельного сопротивления (-0.01 Ом-см). Использование этих слоев в качестве низкоомно-го внутреннего контакта в тандемных солнечных элементах на основе a-Si:H позволяет снизить потери и заметно (на 15%) поднять их к.п.д.

3. Объём кристаллической фазы в плёнках, выращенных в тлеющем разряде, определяется долей силана в смеси с водородом. Эффективное легирование может быть достигнуто лишь для плёнок с долей объёма кристаллитов более 80%. При этом следует учитывать, что доля кристаллитов и электропроводность уменьшаются с толщиной плёнки.

4. PECVD-метод позволяет осаждать плёнки нанокристаллического кремния (ne-Si). Размер и объёмная доля нанокристаллитов могут варьироваться в зависимости от степени разбавления силана водородом. Так, например, при кристаллизации 10% объёма размеры на-нокристаллических включений в аморфной матрице колеблются от 2-в до 20 нм.

5. Метод молекулярно-лучевого осаждения (MJIO) позволяет получать практически все структурные модификации кремния (a-, ne-, me-, poly- и c-Si), проводя легирование в процессе роста. При высоких уровнях легирования размеры областей структурного упорядочения (размеры кристаллитов) зависят не только от температуры осаждения, но и от сорта и концентрации легирующей примеси. Ускорение роста зерна определяется процессом поверхностной сегрегации примесных атомов, которые могут выступать в роли сурфактантов.

6. Легирование плёнок поликремния (ППК) элементами третьей и пятой групп таблицы Менделеева до концентраций 1018-И019 см"3 в процессе осаждения приводит к снижению температуры перехода от аморфной к поликристаллической структуре пленок.

7. Атомарный поток кремния из сублимирующего источника взаимодействует со слоем диоксида кремния, образуя при этом летучее соединение SiO. Это взаимодействие начинается при более низкой температуре, чем в случае с молекулярным потоком из расплава, сформированным электронно-лучевым нагревом. Наличие в потоке из сублимирующего источника атомов некоторых легирующих примесей (Ga, Al) приводит к дополнительному снижению (приблизительно на 100°С) температуры процесса.

8. Влияние бомбардировки поверхности роста пленок низкоэнергетическими (< 300 эВ) ионами Si+ приводит к снижению температуры перехода от роста аморфных к росту поликристаллических пленок, ускорению роста зерен и уменьшению дисперсии их размеров.

9. Для легированных поликремниевых пленок зависимость слоевого сопротивления от температуры роста в методе MJTO имеет существенно немонотонный характер. Для пленок, выращенных под воздействием низкоэнергетических ионов, график зависимости слоевого сопротивления от температуры осаждения смещается в область более низких температур, сохраняя немонотонный характер.

10. Фрактальная размерность поверхности плёнок кремния и средний размер областей структурного упорядочения в объёме коррелированны и зависят от соотношения дву- и трехмерных механизмов роста. Это соотношение определяется как температурой осаждения, так и активной ролью сегрегирующих на поверхность сурфактантов.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на различных научных конференциях, совещаниях и семинарах: VIII Всесоюзной конференции по взаимодействию атомных частиц с твердым телом (Москва, 1987), XII Всесоюзной научно-технической конференции по микроэлектронике (Тбилиси, 1987), 1 Всесоюзном научно-техническом семинаре по низкотемпературному легированию полупроводников (Устинов, 1987), VIII Всесоюзной конференции по методам получения и анализа высокочистых веществ (Горький, 1988), VI Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва, 1988), International Conference Ion Implantation in Semiconductors and other Materials (Poland, Lublin, 1988), International Conference «Non-crystalline Semiconductors-89» (USSR, Uzhgorod, 1989), 23-rd IEEE photovoltaic specialists conference (USA, Louisville, 1993), 1-я Российской конференции по физике полупроводников (H. Новгород, 1993), Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микро электроники» (Таганрог, 1994), X Российской конференции по химии высокочистых веществ (Н. Новгород, 1995), Всероссийской конференции «Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов» (Н. Новгород, 1996), «Кремний-96» (Москва, 1996), E-MRS Spring Meeting (France, Strasbourg, 1996), XIII Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Москва, 1997), II Российском симпозиуме «HT&CG' 97» (Обнинск, 1997), XVI научные чтения им. Н.В. Белова (Н. Новгород, 1997), IV Всероссийском семинаре «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Н. Новгород, 1998), Всероссийском совещании «Наноструктуры на основе кремния и германия» (Н. Новгород, 1998), Всероссийском симпозиуме «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 1998), XIV Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью-99» (ВИП-99) (Москва, 1999), Российской конференции «Структура и свойства твёрдых тел» (Н. Новгород, 1999), Российском совещании «Зондовая микроскопия-2000» (Н. Новгород, 2000), Российской конференции «Кремний-2000» (Москва, 2000), XIX Научных чтениях им. академика Н.В. Белова (Н. Новгород, 2000), Российском совещании «Нанофотоника» (Н. Новгород, 2001), International Workshop "Scanning Probe Microscopy - 2001" (N. Novgorod, 2001). По материалам диссертации опубликовано 60 работ. Работа выполнялась по планам НИР ННГУ;

1. ФТ-1 (Н-47) «Физико-химические основы создания перспективных кристаллических и аморфных материалов и структур для микро-, нано- и оптоэлектроники. Педагогическое обеспечение участия студентов в НИР» (1996-2001 гг.);

2. Х/Д №269 (Н-831) Заказчик: НИИ Физики СПбГУ. «Исследование влияния структурных модификаций и связанного с ними понижения размерности на кинетические свойства поликристаллического и аморфного кремния» (1994-1996 гг.);

3. Грант РФФИ №95-0204201 «Высокоэффективные преобразователи солнечной энергии на основе кремния»(1995-1998 гг.);

4. Совместный Российско-американский проект (фонд CRDF, США и Министерство образования РФ) REC-001 «Научно-исследовательский и образовательный центр сканирующей зондо-вой микроскопии Нижегородского государственного университета» раздел «Исследование поверхности, электрических и оптических свойств пленок аморфного и микрокристаллического кремния» программа «Фундаментальные исследования и высшее образование» (1998-2001 гг.).

Результаты работы вошли в курсы лекций, читаемых студентам и магистрам на физическом факультете ННГУ.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

Установление фундаментальных закономерностей в формировании структурных модификаций кремния представляет собой крупную научно-техническую проблему, решение которой имеет важное народно-хозяйственное значение. Феноменологический подход, в котором в рамках единого рассмотрения охвачены и сопоставляются сразу все структурные модификации кремния, позволил нам перенести и распространить знания, накопленные при исследовании отдельных структурных модификаций кремния, на всю их цепочку. В работе выявлены и развиты новые фундаментальные закономерности формирования структуры поверхности и объёма в зависимости от условий осаждения плёнок кремния. Развиты физические основы их легирования.

Общее название научного направления, которое мы попытались развить в своей работе, выглядит следующим образом: «Модификация структуры поверхности и объёма плёнок аморфного, наномикро-, поли- и монокристаллического кремния в зависимости от условий роста и легирования». Сформулируем теперь основные выводы наших исследований, придерживаясь последовательности структурных модификаций, которая дана в этом названии.

1. Плёнки аморфного кремния. Ближним порядком, определяющим структуру и свойства аморфного кремния, можно эффективно управлять, осуществляя легирование примесями, ковалентный радиус которых отличается от ковалентного радиуса атомов кремния, как в большую, так и в меньшую сторону. На основе анализа функций радиального распределения атомов нами выведена закономерность, позволяющая связывать радиус первой координационной сферы в легированном a-Si с концентрацией и атомными размерами вводимой примеси. На примере изовалентных примесей, таких как германий и олово, экспериментально показано, что вплоть до концентраций -20 ат.% выполняется соотношение Rj= 2RS¡• (1 -x)+2Rnp„MeCH'х. Это соотношение аналогично правилу Ве-гарда, основанному на приближении жестких сфер для металлов. Нами установлено, что это правило выполняется и для ковалентного типа связей, при условии сохранения их тетраэдрической координации. На примере другой изовалентной примеси - углерода, мы показали, что при возникновении ионной компоненты в связях приближение жестких сфер перестаёт работать и необходимо учитывать дополнительное сближение атомов.

Поверхность плёнок аморфного кремния оказывается сильно развитой, и поэтому, традиционно применяемые в профилометрии параметры (шероховатость и прочие) не могут адекватно характеризовать поверхностную геометрию с такой тонкой структурой. Рельеф плёнок a-Si оказывается настолько развитым, что практически целиком заполняет собой приповерхностное пространство толщиной 4+6 нм. Новый подход, который мы использовали и развили при изучении такого рельефа, заключается в применении метода фрактального анализа, который осуществлялся путём цифровой обработки топограмм ростовой поверхности. И хотя в материаловедении есть уже немало примеров применения этого метода, к изучению плёнок кремния он применён впервые.

С одной стороны, фрактальная размерность (фрактальность) есть показатель, характеризующий степень самоусложнения поверхности - в этом её геометрический смысл. С другой стороны, геометрия поверхности определяется термодинамическими условиями и механизмами роста, и фрактальность становится его физической характеристикой.

На основе цифровой обработки и фрактального анализа топограмм плёнок a-Si мы пришли к выводу, что фрактальность тонкой структуры их поверхности приближается к трём и начинает снижаться при появлении в плёнках кристаллической фазы, то есть при переходе к следующей структурной модификации - нанокристаллическому кремнию.

2. Плёнки нанокристаллического кремния. Эксперименты по кристаллизации a-Si, тщательный подбор концентрации водорода в смеси с силаном в методе ПХГФО, варьирование температуры молекулярно-лучевого осаждения - вот перечень подходов, которые мы применяли, чтобы получить эту новую, малоизученную, чрезвычайно «популярную» и востребованную в последнее время структурную модификацию кремния. Режимы отжига a-Si и параметры осаждения плёнок ne-Si, описанные в работе, можно использовать в качестве практических рекомендаций.

Поверхность плёнок нанокристаллического кремния интересна тем, что на ней одновременно сосуществуют мелкие островки зарождения кристаллической фазы и аморфная матрица. Между ними как бы достигается некий баланс. С точки зрения понимания процесса роста, это момент начала перехода от трехмерного механизма к двумерному. Именно благодаря двумерным (сглаживающим рельеф) механизмам, фрактальность поверхности таких плёнок уже оказывается несколько ниже (~2.7±0.1), чем у плёнок a-Si.

3. Пленки микрокристаллического кремния. Особое внимание в нашей работе было сосредоточено на плёнках mc-Si:H, осаждённых методом ВЧ-разложения силано-водородной смеси, в связи с их перспективностью в технологии тонкоплёночных солнечных элементов. Проведённые исследования позволили дать детализированное описание изменения микроструктуры при переходе от роста аморфных к росту микрокристаллических слоев. Основной результат, которого нам удалось достичь при исследовании этой технологии, заключается в нахождении режимов, при которых объём кристаллической фазы в тонких слоях шс-БШ максимален. Это позволяет добиваться максимальной эффективности их легирования. Такие слои применялись нами при создании высокоэффективных ртрш-солнечных элементов в качестве низкоомного внутреннего пр-контакта.

Структурные исследования показывают, что независимо от формы и размеров, во всех кристаллитах встречаются такие виды дефектов, как двойники, дефекты упаковки и микроискажения. Основная доля атомов в пределах зерна вовлечена в структуру алмаза, но некоторая часть формирует структуру вюрцита. Сильная фрагментация и дефектность зёрен приводит к тому, что область когерентного рассеяния электронов оказывается в 5-10 раз меньше их среднего размера.

Поверхность плёнок микрокристаллического кремния характеризуется округлой формой зерен и испещрена мелкими шероховатостями подобно поверхности аморфного кремния. Применение озёрного алгоритма (метод Гомес-Родригеса) к СЗМ-топограммам позволяет определить фрактальную размерность тонкого рельефа шс-81. В зависимости от условий осаждения и среднего размера зёрен фрактальность их поверхности попадает в область 2.5+0.1.

4. Пленки поликремния (ППК). Для решения задачи исследования влияния легирующих примесей на рост ППК нами был выбран метод молекулярно-лучевого осаждения (МЛО) кремния из сублимирующих источников, который позволяет получать пленки в достаточно чистых условиях при низких температурах с минимальным числом параметров процесса и при введении широкого спектра легирующих примесей.

- Изучено распределение легирующих примесей по толщине ППК в зависимости от способа их получения и температуры роста. Установлено, что в пленках, полученных прямым осаждением, концентрация примеси возрастает по мере увеличения толщины слоев. Пленки, полученные в процессе кристаллизации аморфного кремния, характеризуются однородным распределением концентрации примеси. Такое различие связано с особенностями механизма захвата примесных атомов растущей пленкой в зависимости от способа ее получения.

- Изучено влияние широкого спектра примесей (В, А1, ва, Р, Аб, БЬ) на изменение структуры и рост зерна ППК, осаждаемых из молекулярных пучков. Показано, что большинство легирующих примесей приблизительно на 50°С снижают температуру перехода от роста пленок с аморфной структурой к росту поликристаллических пленок. В зависимости от сорта примеси наблюдается и разная степень ускорения роста зерна ППК. В то же время, в ППК, полученных в процессе отжига пленок аморфного кремния, в исследуемом диапазоне температур (500-г800°С), роста размера зерна практически не наблюдается. Изменение структуры пленок и ускорение роста зерна можно объяснить на основе модели, в которой легирующая примесь рассматривается как поверхностно-активные частицы (сур-фактанты). Различие в степени ускорения роста зерна обусловлено различием в склонности примесей к поверхностной сегрегации -одному из определяющих свойств сурфактантов.

- Анализ изменений в механизмах переноса в зависимости от уровня легирования ППК показал, что для эффективного легирования и реализации примесной проводимости в чистом виде необходимо доведение концентрации электрически активной примеси до уровня 1018 см"3 и выше. При низких уровнях легирования в поликремнии реализуется барьерный механизм переноса, для которого характерен варисторный вид вольтамперных характеристик в области сильных полей.

- Исследованы зависимости слоевого сопротивления ППК, легированных в процессе МЛО, от температуры роста или отжига. Установлено, что для всех использованных в экспериментах примесей (А1, ва, В, БЬ, Аб и Р) при высоком уровне легирования (N^3= 2-1818^5-1019см"3), эта зависимость носит существенно немонотонный характер. При легировании ППК разными примесями эти зависимости несколько отличаются друг от друга положением К5т;п и Язшах- Полученные экспериментальные зависимости от Т5 объяснены на основе модели Сето для частично обедненных зерен. Наблюдаемое при низких температурах роста снижение Я8 обусловлено ростом зерна, а переход к росту ^ связан с уменьшением концентрации примеси в зерне за счет ее сегрегации и десорбции. Эти явления и определяют особенности зависимостей от Т5 для разных примесей. При дальнейшем повышении температуры происходит рост монокристаллических пленок и снижение сопротивления.

- Изучено влияние бомбардировки поверхности роста кремниевых пленок низкоэнергетическими ионами 81+ на структуру, размер зерен и слоевое сопротивление ППК. Показано, что воздействие ионов приводит к снижению температуры перехода от роста аморфных пленок к росту поликристаллических приблизительно на 50-ь70°С. Рост пленки в условиях бомбардировки поверхности приводит к укрупнению зерен и уменьшению дисперсии их размеров.

Обнаружено, что сочетание легирования и ионной бомбардировки в процессе осаждения при температуре ~600°С может способствовать накоплению гексагональной фазы в ППК. График зависимости слоевого сопротивления от температуры роста для ППК легированных в условиях дополнительного облучения смещается в область более низких температур приблизительно на 50°С.

Поверхность плёнок поликремния, несмотря на ярко выраженную огранку зёрен (плоские грани, ярко выраженные рёбра), также имеет тонкую структуру, которая хорошо фиксируется СЗМ. Среднее значение фрактальной размерности, определяемое по методу Гомес-Родригеса, в зависимости от условий роста, легирования и среднего размера зёрен в плёнках poly-Si, лежит в диапазоне от 2.1 до 2.4. При этом замечено, что по мере увеличения среднего размера зерен, вне зависимости от того с какими причинами это связано (увеличение температуры осаждения, дополнительное легирование или облучение.), уменьшается средняя фрактальность тонкой структуры их поверхности.

5. Эпитаксиальные плёнки. Объём научной информации, накопленный по этой структурной модификации кремния, в сравнении со всеми остальными, настолько огромен, что состязаться с этим нет никакой возможности. Мы лишь показали, что процесс молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) можно осуществить даже в том случае, если подложка покрыта не просто слоем естественного диоксида, но и тогда, когда его толщина увеличена до значения ~1 мкм путём термического окисления. Это становится возможным благодаря восстановлению диоксида (Si02) в потоке атомов кремния до монооксида (SiO), который интенсивно сублимирует с поверхности уже при достаточно низких температурах (750°С и выше). Несмотря на то, что сам по себе факт термического травления диоксида кремния в потоке кремния был уже известен и до нас, изучения этого процесса для толстых слоев проведено не было. Нами было установлено, что такое травление под воздействием атомарного потока кремния из сублимирующего источника происходит при температуре приблизительно на 200°С ниже, чем под воздействием молекулярного потока кремния при электронно-лучевом испарении. Обнаружено также, что наличие в потоке из сублимирующего источника атомов некоторых легирующих примесей (например, галлия или алюминия) снижает эту температуру еще на 100°С.

При проведении эпитаксии в условиях, когда на подложке предварительно выращивается толстый слой термического диоксида, гарантируется, что вместе с его последующим стравливанием будет полностью удален поверхностный нарушенный и загрязнённый слой. Эксперименты по резерфордовскому обратному рассеянию в условиях каналирова-ния показали, что эпитаксиальные слои, осаждённые таким образом, характеризуются высокой степенью структурного совершенства и отсутствием нарушений на интерфейсе плёнка-подложка.

Поверхность эпитаксиальных плёнок представляется атомно-гладкой, если не считать ростовых ступеней (террас), за счет которых происходит двумерный рост. Фрактальная размерность такой поверхности равна двум.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Подведём итог проделанной работы:

1. В поле нашего зрения попала вся цепочка структурных модификаций кремния от аморфного до монокристаллического состояния. Мы рассмотрели два основных метода получения плёнок: плазмохимическое газофазное осаждение (базовый метод для получения a-Si:H) и молекулярно-лучевое осаждение (традиционно используемое для эпитаксии). Исследовалась также возможность структурной модификации плёнок посредством отжига, легирования и облучения в процессе роста.

2. Метод ПХГФО, основанный разложении силана разбавленного водородом, позволил нам хотя и довольно подробно, но лишь наполовину проследить эту цепочку. Варьируя процентное содержание силана от 100 до 1+2%, можно менять средние размеры области структурного упорядочения от единиц до сотни нанометров1.

1 Границы размеров для той или иной структурной модификации определены не четко, а цифры, которые мы приводим, служат лишь для ориентира.

- 317

3. Метод МЛО как нельзя лучше подходит для выявления фундаментальных закономерностей роста и легирования плёнок кремния различной структурной модификации. Варьирование температуры осаждения, концентрации и сорта легирующих примесей, дополнительное облучения - вот список факторов (параметров), позволивший нам в какой-то мере осуществить эту цель.

4. Применение современных методов структурного анализа, в первую очередь сканирующей зондовой микроскопии, позволило выявить взаимосвязь фрактальной геометрии ростовой поверхности и структурного упорядочения в объёме материала.

-318

Мы предполагаем, что фрактальность, равно как и структура должна определять многие важные свойства полупроводниковых материалов. Прежде всего, это свойства, связанные с поверхностью (плотность состояний, сегрегация и адсорбция примесей, оптические характеристики, коэффициент трения. и т.д.). Это направление, безусловно, следует развивать.

В заключение автор хотел бы выразить искреннюю благодарность своему Учителю, научному руководителю и консультанту, без постоянной поддержки и помощи которого вряд ли когда-либо был бы завершён данный труд. Это профессор Александр Фёдорович Хохлов. Автор благодарен также всем, кто содействовал выполнению данной работы и принимал в ней участие. Среди них следует особо выделить Шенгурова Владимира Геннадьевича и Шенгурова Дмитрия Владимировича. Совместно с ними было опубликовано довольно много работ по поликремнию. Отдельно выражается благодарность Питиримовой Елене Алексеевне за помощь в оформлении и постоянное ободрение диссертанта.

1. Street R.A. Hydrogenated amorphous silicon. Cambridge University Press, 1991.-415 p.

2. Carlson D.E., Wronski C.R. Amorphous silicon solar cell //Appl. Phys. Lett.-1976.-V.28.-No. 11 .-P.671 -673.

3. Wang C., Lucovsky G. Intrinsic microcrystalline silicon deposed by remote PECVD: A new thin-film photovoltaic material //Proc. 21st IEEE PVSC, Kissimee, 1990.-P.1614.

4. Veprek S., Marecek V. The preparation of thin layers of Ge and Si by chemical hydrogen plasma transport. //Solid St. Electr.-1968.-V.l 1.-P.683-684.

5. Usui S., Kikuchi M. Properties of heavily doped gd-Si with low resistivity. //J. Non-Cryst. Solids.-1979.-V.34.-P. 1 -7.

6. Advances in microcrystalline and nanocrystalline semiconductors -1996. /ed. by R.W. Collins et. al. //Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1997.1. V.452.

7. Microcrystalline and nanocrystalline semiconductors, /ed. by R.W. Collins et. al. //Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1995.-V.358.

8. Microcrystalline semiconductors: Material science & devices, /ed. by P.M. Fauchet et. al. //Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1993.-V.283.

9. Materials issues in microcrystalline semiconductors, /ed. by P.M. Fauchet et. al. //Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1990.-V.164.

10. The "micromorph" cell: a new way to high-efficiency-low-temperature crystalline silicon thin-film cell manufacturing? /Н. Kep-per et. al. //Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1997.-V.452.-P.865-875.

11. J. Meier et. al. //Appl. Phys. Lett.-1994.-V.65.-No.7.-P.860-862.

12. Amorphous and microcrystalline silicon bipolar heterojunction transistors. /J. Symons et. al. //J. Non-Cryst. Solids.-1987.-V.97&98.-P.1315-1320.

13. Properties of high conductivity phosphorus doped hydrogenated juc-Si and application in thin film transistor technology. /J. Kanincki et. al. //Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1989.-V.149.-P.239.

14. Properties of amorphous silicon thin film transistors with phosphorous-doped hydrogenated microcrystalline silicon. /J.H. Choi et. al. //Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1997.-V.452.-P.907-918.

15. Nishida S., Konagai M., Takahashi K. Seebek and piezoresistance effects in amorphous-microcrystalline mixed phase silicon films and applications to power sensors and strain gauges. //Thin Sol. Films.-1984.-V.-112.-P.7-12.

16. Utsunomiya M., Yoshida A. Stress effect injunctions with n-type jac-Si:H p-type silicon. //Thin. Sol. Films.-1988.-V.164.-P.321-326.

17. Chapman B. Glow Discharge Process. John. Wiley & Sons, New York, 1980.

18. Haefer R.A. Oberflächen und Dünnschicht Technologie Teil 1, Beschichtigungen von Oberflächen. Springer - Verlag, Berlin, Heidel-erg, New York, London, Paris, Tokyo, 1987.

19. Frey H., Kienel G. Dünnschichttechnologie. VDI Verlag, Düsseldorf, 1987.

20. Madan A., Shaw M.P. The Physics and Application of Amorphous Semiconductors. Academic Press, Boston, 1988.

21. Luft W., Tsuo V.S. Hydrogenated Amorphous Silicon Alloy Deposition Processes. Applied physics Series. Marcel Dehker, Inc., New York, Basel, Hong Kong, 1993.

22. Schade K., Suchaneck G. Dunnschicht Depositionstechniken. In Sol-larzellen, D. Meisner (Hrsg.), Braunschweig/Weisbaden, 1993.-S. 71. .

23. Beneking C., Finger F., Wagner H., Silan Deposition Plasma and Reactor Characterization in the VHF Range. In Proc. Of the 11-th ES PVSEC, Montreux, 1992.-P. 586-589.

24. Kroll U. VHF Plasmaabscheidung von amorphem Silizium: Einfluss der Anregungsfrequens, der Reaktorgestaltung sowie Schichteigenschaften. Dissertation Universite de Neuchatel, Schweiz, 1994.

25. Hapke P. VHF-Plasmaabscheidung von mikrokristallinem Silizium (mc-Si:H) Einfluss der Plasmaanregungs Frequenz anf die strukturellen und elektrischen Eigenschaften. Dissertation, RWTH Aachen, 1995.

26. Carlson D.E., Solar Energy Conversion. In the Physics of Hydrogen-ated Amorphous Silicon I, Joannapoulos & Lucovsky (Hrsg.), Bd. 55 aus Topics in Applied Physics, s. 203 244. Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, New York, London, Paris, Tokyo, 1984.

27. Krühler W. Dünnschicht Solarzellen aus amorphen Halbleitern. In Solarzellen, D. Meisner (Hrsg.), S. 109. Vieweg, Brannschweig/Weisbaden, 1993.

28. Spear W.E., he Comber P.G., Substitutional Doping of Amorphous Silicon. Solid State Communication.-1975.-V. 17.-P. 1193-1196.

29. Attainment of 10% Conversation Efficiency in Amorphous Silicon Solar Cells. /Catalano A., D'Aiello R.V., Dresner J. et. al. //In Proc. Of the 16-th IEEE PVSC, San Diego, 1982.-P. 1421-1422.

30. Staebler D.L., Wronsky C.R. Reversible Conductivity Changes in Discharge Produced Amorphous Si. //Appl. Phys. Lett.-1977.-V. 31.-No.4.-P. 292-294.

31. A New Type of High Efficiency with a Low-cost Solar Cell Having the Structure of mc-SiC/polycrystalline Silicon Heterojunction /Ma-tsumoto et. Al. //J. Appl. Phys.-1990.-V. 67.-No.10.- P. 6538-6543.

32. Tanaka M., Tsuge S., Kyama S., Tsuda S., Natano S. Fabrication of Polycrystalline Si Thin Films for Solar Cells //Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1997.-V. 452.- P. 965-976.

33. Madan A., Shaw M.D. The Physics and Applications of Amorphous Semiconductors, Academic Press, Boston, Mass., USA, 1988.

34. Uchida Y. Proceedings of the 7th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Seville, Spain, 1986.-P. 395.

35. Tauc J., Grigorovici R., Vancu A. Optical properties and electronic structure of amorphous germanium. //Physica Status Solidi.-1966.-V. 15.-P. 627-637.

36. Highly conductive microcrystalline p- and n-type layers /M. Tri-jsenaar et al. IIIn Proc. 11th E. C. Photovoltaic Solar Energy Conference, 12-16 October 1992 Montreux, Switzerland.-P. 564-567.

37. Tsai C.C., Anderson G.B., Thompson R. Growth of amorphous, microcrystalline and epitaxial silicon in low temperature plasma deposition/Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1990.-V. 192.-P. 475-480.

38. Yang L., Chen L., Wiedeman S., Catalano P. Microcrystalline silicon in a-Si:H based multijunction solar cells //Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1993.-V. 283.-P. 463-470.

39. Lee D.R., Bjorkman C.H., Wang C., Lucovsky G. Studies of MOSand heterojunction devices using doped mc-Si and a-Si //Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1991.-V. 219.-P. 395-400.

40. Schmutzer E., Grunlagen der theretischen Physik. VEB Deutschen Verlag der Wissenschaften-Berlin, 1989.

41. Gardona M. Light scattering in solids // (Topics in Applied Physics, vol. 50) Spring Verlag, Berlin, 1982.

42. Long D.A. Raman spectroscopy. McGraw-Hill International Book Company, New York, 1977.

43. Godet C., Marchon B, Schmidt M. //Thin Solid Films, 1987.-V. 155.-P. 227-233.

44. Tsu R., Gonzales-Hernandez J., Chao S.S., Lee S.C., Tanaka K. //Appl. Phys. Lett.-1982-V. 40.-P. 534-539.

45. Bustarret E., Hachchida M.A. Experimental determination of nanocrystalline volume fraction in silicon thin films from Raman spectroscopy//Appl. Phys. Lett.-1988-V. 52.-P. 1675-1680.

46. Joannopoulos J.D., Lucovsky G. The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II, V. 56 (Topics in Applied Physics). Springer, 1984.-Chapter 7.-P. 301-353.

47. Richter H. Electron und Phononen in mikrokristallinem Silizium. Dissertation, Universität Stugart 1982.

48. Bandet J., Frandon J., Fahre F., Maudit B. Selectively Disorder Activated Raman Scattering in Silicon Films. Jpn. J. Appl. Phys.-1993.-V.32.-P. 1518-1523.

49. Richter H., Wang Z.P., Ley L. The One Phonone Spectrum In Micro-crystalline Silicon. //Solid State Communications.-198l.-V. 39.-P. 625-629.

50. Электронная микроскопия тонких кристаллов. П. Хирш и др. М. Мир, 1968.-574 с.

51. Shindo D., Hiraga К. High-Resolution Electron Microscopy for Materials Science.-Springer-Verlag Tokyo, 1998.-190 p.

52. Биннинг Г., Popep Г. Сканирующая туннельная микроскопия от рождения к юности - Нобелевские лекции по физике-1996. //УФН.-1988.-Т. 154, вып.2.-С. 261-266.

53. В.С.Эдельман. Сканирующая туннельная микроскопия (обзор). //ПТЭ.-1989, №5.-С.25-30.

54. SPMLab -Release 4.0. Software Reference Manual. & User's Manual Supplement SPMLab V.5.0. TopoMetrix Corporation (ThermoMicroscopes -1171 Borregas Ave, Sunnyvale, CA 94089 USA), 1996-1999.

55. James R.W. The optical Principles of the Diffraction of X-Rays //The Crystalline State. Ed. By Bragg L.: G. Bell & Sons Ltd., London, 1962.-Vol. II -P. 537.

56. Williamson G.K., Hall W.H. X-ray Line Broading from Filed Aluminum and Wolfram //Act. Met.-1953.-V. l.-P. 22-31.

57. Warren B.E., Averbach B.L. The Effect of Cold-Work Distortion on X-Ray Pattern // J. Appl. Phys.-1950.-V. 21.-P. 595-599.

58. Weisbuch C. Optoelectronics-Devices and Technologies.-1993.-V. 8.-No. 4.-P. 523-526.

59. Warren B.E., Krutter H., Morningstar O. Fourier Analysis of X-ray Patterns of Vitreous Si02 and B203 //J. Am. Ceram. Soc.-1936.-V.19.-P.202-206.

60. Вайнштейн Б.К. К теории метода радиального распределения- 325

61. Кристаллография.-1957. T. 2, вып. l.-C. 29-37.

62. Татаринова JI.И. Электронография аморфных веществ. -M.: Наука, 1972.-102 с.

63. Филипович В.Н. К теории рассеяния рентгеновских лучей в газах, жидкостях, аморфных твёрдых телах, поликристаллах //ЖТФ.-1955.-Т. 25, вып. 9.-С. 1604-1638.

64. Гордеев В.Н., Попов А.И., Филиков В.А. Структура аморфного кремния, полученного высокочастотным ионно-плазменным распылением//Неорг. матер.-1980.-Т. 16, вып. 10.-С. 1733-1736.

65. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах.- 2 т.-М.: Мир, 1982.-663 с.

66. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электроннооптический анализ.-М.: Металлургия, 1970, 2-е изд.-366 с.

67. Блейкмор Дж. Физика твердого тела /пер. с англ. Под ред. Д.Г. Андрианова, В.М. Фистуля.-М.: Мир, 1988.-608 с.

68. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела.-М.: Высшая школа, 1985.-384 с.

69. Деформационные заряды изовалентных примесей в кремнии / Е.В. Кустов, М.Г. Мильвидский, Ю.Г. Семенов и др. //ИФТМ.-1986.-Т. 20, вып 2.-С. 270-274.

70. Кекуа М.Г., Хуцишвили Э.В. Твердые растворы полупроводниковой системы кремний-германий.-Тбилиси: Изд-во «МИЦНИ-ЕРБА», 1985.-176 с.

71. Хансен М., Андреко К. Структура двойных сплавов.-2 т.-М., 1962.-1488 с.

72. Volmer F.M., Padovani F.A. The Carbon Silicon Phase Diagram for Dilute carbon concentration and the Influence of Carbon on Czochral-cki Growth of Silicon //In: Semiconductor Silicon-73.-Princeton. N J., 1973.-P. 75-85.

73. Куликов И.С. Термодинамика карбидов и нитридов. Справоч-ник.-Челябинск: Металлургия, Челябинское отделение, 1988.320 с.

74. Жданов Г.С., Хунджуа А.Г. Лекции по физике твердого тела: Принципы строения реальной структуры, фазовые превращения.-М.: Из-во МГУ, 1988.-231 с.

75. Миркин М.И. Справочник по ренгеноструктурному анализу по-ликристаллов.-М., 1961.-863 с.

76. A Feasibility Study on the Use of Amorphous Silicon as Optical Re-cordering Medium //Ming-Chin Lee, Chang-Jern Tseng, Chin-Rong Huang et al. //Jpn. J. Appl. Phys.-1987.-V.26.-Pt. l.-No 2.-P.193-196.

77. Корольков В.П., Чернухин В.П. Оптическая запись на плёнках кремния с субмикронным разрешением //ЖТФ.-1989.-Т. 59, вып. 6.-С. 131-132.

78. Полутоновая оптическая запись на плёнках a-Si /В.З. Горячнев, В.П. Корольков, А.П. Соколов и др. //Квант, электрон.-1989.-Т. 16, вып. 11.-С. 2343-2348.

79. Киноформные оптические элементы: методы расчёта, технология изготовления, практическое применение /В.П. Коронкевич, Г.А. Ленкова, И.А. Михальцева и др. //Автометрия.-1985.-Вып. 1.-С. 425.

80. Пчеляков О.П. Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование,приборы, технология //УФН.-2000.-Т. 170.-№ 9.-С. 993-995.

81. Павлов П.В., Шабанов В.Н., Шенгуров В.Г., Кожухов А.В. Захват низкоэнергетических ионов галлия поверхностью роста при мо-лекулярно-лучевой эпитаксии кремния //Поверхность. Физика, химия, механика. 1990.-№ 11.-С. 153-156.

82. Шенгуров В.Г., Шабанов В.Н. Эпитаксиальные слои, получаемые сублимацией кремния в электрическом поле //Высокочистые ве-щества.-1995.-№ 2.-С. 52-55.

83. Technical documentation for ultrathigh vacuum coated. Model EBV-10 //Jap. Vacuum engineering со., LTD, Yokohama, Japan.

84. Кузнецов В.П., Постников B.B. О переносе примесей Р, As, Al из источников кремния в слои, полученные сублимацией в вакууме //Кристаллография.-1974.-Т. XIX, № 2.-С. 346-351.

85. Постников В.В. Получение эпитаксиальных слоёв кремния сублимацией в вакууме и их исследование //Дисс. канд. физ.-мат. наук. Горький, 1969. - 216 с.

86. Чернов А.А., Стоянов С.С. О переносе примеси при конденсации молекулярных пучков //Кристаллография.-1977.-Т. 22, вып. 2.-С. 248-255.

87. Annamalai, N.A., Nara Megyappan, Khondker A.N. Properties of polycrystalline silicon grown on insulating substrates by electron beam gun evaporation //Thin Solid Films.- 1987.-N. 155.-P. 97-133.

88. A.C. №343324 (СССР). Устройство для крепления полупроводниковых подложек /В.П. Кузнецов.-Опубл. в Б.И.-1989.-№ 38.-С. 281.

89. Kuist М., König U., Schäffler F., Lossos R. Characterization of МВЕ-Grown Polysilicon //Polycrystalline Semiconductors.-1989.-P. 192197.

90. Овсянников М.И., Перов A.C., Постников B.B. О кинетике легирования кристалла кремния из атомарных пучков в вакууме //Кристаллография.-1984.-Т. 29.-С. 184-186.

91. Алябина H.A., Логинова Р.Г., Овсянников М.И., Шамов С.А. О распределении примесей в тонкослойных структурах кремния, полученных сублимацией в вакууме //Микроэлектроника.-1977.-Т. 6, № 1.-С. 67-69.

92. Постников В.В., Кузнецов В.П. О переносе донорных и акцепторных примесей из сублимирующих источников кремния в эпи-таксиальные слои //Кристаллография.-1975.-Т. 20, вып. 1.-С. 127130.

93. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Изд-во «Наука», 1972.-384 с.

94. Глазов В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М: Наука, 1967.-371 с.

95. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство электрону. Справочник. /В.И. Веденеев, Л.В. Гурвич и др. М: Изд-во АН СССР, 1962.-215 с.

96. Bean J.C., Growth of doped silicon layers by molecular beam epi-taxy.-In Impurity doping /Ed. By F.F. Wang.-N.Y.: North-Holland, 1981-P. 177-215.

97. Direct detection of atomic arsenic desorption from Si (100) /Ariel L., Alstrin, Paul G. et al. //Appl. Phys. Lett.-1993.-V. 63.-No. 6.-P. 815817.

98. Barnett S.A., Winters H.F., Green J.E. The interaction of Sb4 molecular beam with Si (100) surface: modulated beam mass spectrometry and thermally stimulated desorption studies //Surf. Sci.-1986.-V. 165.-No.23.-P. 303-326.

99. Kulakov M.A., Generation of Si (11 l)-(2xl) surface reconstruction by rapid radiation quench //Surface Science.-1997.-V. 372.-P. L266-L270.

100. Nogami J. V3 x л/з reconstructions of Si (111) studied by scanning tunneling microscopy //Surface Review and Letters.-1994.-V. l.-Nos. 2&3.-P. 395-410.

101. Nagayoshi H. Electronic Structure of the Si (111) л/зх^/з Surfaces with Group-Ill, IV and V Adatoms //Surface Review and Letters.-1994.-V. l.-Nos. 2&3.-P. 369-393.

102. Self K.W., Yan C., Weinberg W.H. A Scanning Tunneling Microscopy Study of Water on Si(lll)- (7x7): Adsorption and Oxide Desorption //Surface Science.-1997.-V. 380.-P. 408-416.

103. Ogino T. Self-organization of Nanostructures on Si Wafers Using Surface Structure Control // Surface Science.-1997.-V. 387.-P. 137-148.

104. Tabe M. Etching of Si02 films by Si in ultra-high vacuum //Jap. J. Appl. Phys.-1959.-V. 30. P. 1563-1571.

105. Yonehara Т., Yoshioka S., Miyazawa S. Competing processes of Si molecular beam reactive etching and simultaneous deposition on filmand bulk Si02 //J. Appl. Phys.-1982.-V. 53.-N. 10.-P. 6839-6843.

106. Honig R.E. Sublimation studies of Si in the mass spectrometer //J. Chem. Phys.-1954.-V. 22.-N. 9.-P. 1610-1612.

107. Allen F.G., Eisenger J., Hagstrum H.D., Law J.T. Cleaning of silicon surfaces by heating in high vacuum //J. Appl. Phys.-1959.-V. 30.-P. 1563-1571.

108. Wright S., Kroemer H. Reduction of oxides on silicon by heating in a gallium molecular beam at 800°C //Appl. Phys. Lett.-1980.-V. 36.-N. 3.-P. 210-211.

109. Wang W.I. Molecular beam epitaxial growth and material properties of GaAs and AlGaAs on Si (100) // Appl. Phys. Lett.-1984.-V. B.2.-N. 2.-P. 206-209.

110. Мейер Дж., Эриксон JI., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий). /Пер. англ. под ред. В.М. Гусева -М.: Мир, 1973.- 296 с.

111. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.Л. Физико-химические основы технологии микроэлектроники.-М.: «Металлургия», 1979.- 408 с.

112. Физические процессы в облучённых полупроводниках. Под ред. Смирнова Л.С., Новосибирск: Наука, 1977, 256 с.

113. Герасименко Н.Н., Двуреченский А.В., Романов С.И., Смирнов Л.С. Взаимодействие дефектов и примеси при введении ионов в кремний //ФТП.-1972.-Т. 6, вып. 10.-С. 1978-1981.

114. Green J.E., Barnett S.A. Ion-surface interactions during vapor phase crystal growth by sputtering MBE, and plasma-enhanced CDD; Application to semiconductors //J Vac. Sci. Technol.-1982.-V. 21.-No. 2.-P. 285-302.

115. Itoh Т., Nakamura T. Epitaxial growth of silicon assisted by ion implantation//Rad. Effects.-1971.-No. 9.-P. 1-4.

116. Antimony concentration in silicon epitaxial layer formed by partially ionized vapor deposition / Itoh Т., Nakamura T. et. al. //Jap. J. Appl. Phys.-1976.-V. 15.-No. 6.-P. 553-557.

117. Бабаев В.Г., Гусева М.Б. Адсорбция паров металла в присутствии ионного облучения //Изв. АН СССР. Сер. физ.-1973.-Т. 37.-№ 2. -С. 2596-2602.

118. Weissmantel С. Ion-based growth of special films: techniques and mechanisms //Thin Solid Films.-1982. -No. 92.-P. 55-63.

119. Yapsiz A., You L., Lu T.M. Partially ionized beam deposition of oriented films //J. Mat. Res.-1989.-No. 2.-P. 343.

120. Лютович A.C. Ионно-активированная кристаллизация пленок.-Ташкент, изд-во ФАН, 1982.-148 с.

121. Aleksandrov L.N., Lutovich A.S., Belorusets E.D. The mechanism of silicon epitaxial layer growth from ion-molecular beams //Phys. Stat. Sol.-1979.-V. 53.-No. 2.-P. 463-469.

122. Takagi T. Role of ion-based film formation // Thin Solid Films.-1982.-V. 92.-P. 1-17.

123. The effects of ions on the formation of polysilicon films /А. Kawa-mura, J. Kudo, Y. Kubota et al. I fin proc. Of the 18th International conf. On Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1986.- P.541-544.

124. Ota J. N- type doping techniques in silicon molecular beam epitaxy by simultaneous arsenic ion implantation and by antimony evaporation // J. Electrochem. Soc.-1979. V. 126.-No. 10.-P. 1761-1765.

125. Павлов П.В., Шабанов В.Н., Шенгуров В.Г., Кожухов A.B. Захват низкоэнергетических ионов галлия поверхностью роста при мо-лекулярно-лучевой эпитаксии кремния //Поверхность. Физика, химия, механика.-1990.-№ 11.-С. 153-156.

126. Шенгуров В.Г., Шабанов В.Н. Эпитаксиальные слои, получаемые сублимацией кремния в электрическом поле //Высокочистые вещества.-1995.- № 2.-С. 52-55.

127. Шенгуров В.Г., Шабанов A.B. Выращивание тонких сильнолегированных кремниевых слоев методом молекулярно-лучевой эпитаксии с приложением к подложке потенциала //XI Межд. конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью»: Тез. докл.-М.: 1995.-Т. 2.-С. 194-195.

128. Толомасов В.А. Физические основы роста и легирования эпитак-сиальных слоев кремния из молекулярных потоков в вакууме //Дисс. докт. физ.-мат. наук.-Горький, 1980. 317 с.

129. Зайберг Э.Я., Ионов Н.И. Поверхностная ионизация.-М.: Наука, 1969.-456 с.

130. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение/Под. ред. Г. Харбеке; Пер. с англ.-М.: Мир, 1989.344 с.

131. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применения. /Под ред. Л. Казмерски; Пер. с англ.-М.: Мир, 1983.304 с.

132. Seto J.Y.W. The electrical properties of polycrystalline silicon films //J. Appl. Phys.-1975.-V. 46.-NO. 12.-P. 5247-5254.

133. Батавин B.B. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев.-М.: Сов. Радио, 1976.-104 с.

134. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1, 2. /Пер. с англ. Под ред. Б.Т. Коломийца, М.: Мир, 1982.- 664 с.

135. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976.416 с.

136. Кузнецов В.П., Постников В.В. О переносе примесей Р, As, Al из источников кремния в слои, полученные сублимацией в вакууме //Кристаллография.-1974.-Т. XIX.-№ 2.-С. 346-351.

137. Толомасов В.А., Абросимова Л.Н. Сергиевская Т.Н., Зотова Т.М. Легирование эпитаксиальных слоев в вакууме фосфором и мышьяком //Кристаллография.-1973.-Т. 18, № 4.-С. 882-884.

138. Овсянников М.И., Логинова Р.Г., Рубцова P.A. Автоэпитаксиаль-ные слои кремния, полученные сублимацией в вакууме из высоколегированных источников //Кристаллография.- 1970.-Т. 15, вып. 6.-С. 1261.

139. Федер Е. Фракталы. М.: Мир, 1998,262 с.

140. Mandelbrot B.B. The fractal geometry of nature. San Francisco: Freeman, 1982.-427 p.

141. Мандельброт Б. Самоафинные фрактальные множества //В «Фракталы в физике». М.: Мир, 1988. 672 с.

142. Иванова B.C., Баланкин A.C., Бунин И.Ж., Оксогоев A.A. Синергетика и фракталы в материаловедении. М.: Наука, 1994.-384 с.

143. Chesters S., Wang Н.С., Kasper G. A fractal based method for describing surface roughness and texture. // In Proc. of Institute of Environmental Sciences. 1990.-P. 316-319.

144. Richardson L.F. General Systems Yearbook, 1961 -V. 6.-P. 139.

145. Gomez-Rodriguez J.M., Baro A.M., Salvarezza R.C. Fractal characterization of gold deposits by scanning tunneling microscopy //Vac. Sci. Technol. B.-1991.-V. 9.-N2-P. 495-499.

146. Мильвидский М.Г. Полупроводниковый кремний на пороге XXI века. //Изв. Вузов, Сер. Материалы электронной техники. 2000. -№1.-С. 4-14.

147. Красильник З.Ф. Кремниевая оптоэлектроника на низкоразмерных структурах //V Российская конф. по физике полупроводников: Тез. докл. Н. Новгород: изд-во ИФМ РАН, 2001.-Т 1.-С. 15.

148. Device application and growth mechanism for hemispherical grained mc-Si:H /Watanabe et al. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1991.-V. 219.-P. 401-406.

149. Хохлов А.Ф., Павлов Д.А., Машин А.И., Мордвинова И.А. Изо-валентное легирование аморфного кремния углеродом //ФТП.-1987.-Т. 21, вып. З.-С. 531-536.

150. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Карзанов В.В. Аморфный полупро-.водник a-Sii-хСх.Получение и свойства //XII Всес. науч.-техн. Конф по микроэлектронике: Тез. докл.-Тбилиси, 1987.-Ч. 3.-С.205-206.

151. Хохлов А.Ф., Павлов Д.А., Машин А.И., Ершов A.B. Низкотемпературное изовалентное легирование аморфного кремния //1 Всес. науч.-тех. семинар по низкотемпературному легированию полупроводников: Тез. докл.-Устинов, 1987.-С. 30.

152. Khokhlov A.F. Mashin A.I., Ershov A.V., Mordvinova Yu.A., Pavlov D.A. The Properties of Amorphous Silicon Doped with Isovalent Impurities//Phys. Stat. Sol. (b).-1987.-V. 142.-No2.-P.K125-K129.

153. Павлов Д.А., Пищулина И.В., Хохлов А.Ф. Влияние примеси углерода на свойства аморфного кремния //ФТП.-1988.-Т. 22, вып. 5.-С.929-931.

154. Хохлов А.Ф., Павлов Д.А., Кудрявцева Р.В., Ершов A.B. Влияние изовалентных примесей С, Ge, Sn на структуру и свойства аморфного кремния //VIII Всес. конф. по методам получения и анализа высокочистых веществ: Тез. докл.-Горький, 1988.-Ч. 2.-С. 178-179.

155. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Кудрявцева Р.В., Ершов A.B. Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния //ФТП.-1988.-Т. 22, вып. 12.-С. 2187-2191.

156. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф. Легирование аморфного кремния изо-валентными примесями //VI Всес. конф. по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов: Тез. докл.-М.: Наука, 1988.-С.166-167.

157. Хохлов А.Ф., Павлов Д.А., Кудрявцева P.B., Ершов А.В. Влияние изовалентных примесей С, Ge, Sn на структуру и свойства аморфного кремния //Высокочистые вещества.-1989.-Вып. З.-С. 32-36.

158. Pavlov D.A., Khokhlov A.F., Kudryavtseva R.V., Ershov A.V. Structure and Properties of Amorphous Silicon Doped with Isovalent Impurities //Phys. Stat. Sol. (a). 1989.-V. 116.-N0 2.-P. 697-702.

159. Павлов Д.А., Романов И.Г., Хохлов А.Ф., Царева И.Н. Влияние изовалентного легирования на механические и фрикционные свойства аморфного кремния Hint. Conf. «Non-crystalline Semiconductors^»: Abstr.-USSR, Uzhgorod, 1989.-Part 3.-P. 38-40.

160. Хохлов А.Ф., Байер В., Павлов Д.А., Вагнер Г. Новая структура ближнего порядка аморфного гидрогенизированного кремния Высокочистые вещества, 1991.-T. 3.-С.79-82.

161. Хохлов А.Ф., Байер В., Павлов Д.А., Вагнер Г. Структурная модификация в аморфном гидрогенизированном кремнии и его сплавах с германием и углеродом при отжиге Высокочистые вещества, 1991.-T. 4.-С.183-192.

162. Павлов Д.А., Романов И.Г., Хохлов А.Ф., Царёва И.Н. Влияние легирования изовалентными примесями на механические и фрикционные свойства негидрогенизированного аморфного кремния //Трение и износ, 1992.-Т.13, №4.-С.669-673.

163. Хохлов А.Ф., Павлов Д.А., Машин А.И., Хохлов Д.А. Аморфный кремний с двойными ковалентными Si-Si связями //1 Российская конференция по физике полупроводников: Тез. докл.-Н.Новгород, 1993.-Т.2.-С.359.

164. Хохлов А.Ф., Павлов Д.А., Машин А.И., Хохлов Д.А. Возникновение двойных связей кремний-кремний в пленках a-Si:H, облученных неоном и углеродом при отжиге//ФТП.-1994. -Т. 28, №10.-С. 1750-1754.

165. Ершов A.B., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф. Получение и исследование свойств аморфного кремния и приборов на его основе //Материалы, процессы и технология электронной техники: Вестник ННГУ.-Н.Новгород, 1994.-С.119-126.

166. Павлов Д.А.,П1енгуров В.Г.,Шенгуров Д.В., Хохлов А.Ф. Получение методом сублимации легированных пленок поликристаллического кремния //ФТП.-1995.-Т. 29, №2.-С. 286-290.

167. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шенгуров Д.В. Физико-химические аспекты молекулярно-лучевого осаждения пленок поликристаллического кремния //Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов: Тез. докл.-Н. Новгород, 1996.-С. 25.

168. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шенгуров Д.В. Сравнение структуры кремниевых пленок, полученных осаждением в высоком вакууме с приложением к подложке ускоряющего потенциала и без него

169. Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов: Тез. докл.-Н. Новгород, 1996.-С. 26.

170. Шенгуров В.Г., Шабанов В.Н., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шенгуров Д.В., Усова И.О. Молекулярно- лучевая гетероэпитаксия на слое термически выращенного окисла // «Кремний-96»: Тез. докл.-Москва, 1996.-С. 252.

171. Шенгуров Д.В., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Кудрявцева Р.В., Овсецина А.Э. Изменение размера зерна поликристаллических пленок кремния в зависимости от типа легирующей примеси и температуры роста //«Кремний-96»: Тез. докл.-Москва, 1996.-С. 253.

172. Pavlov D.A., Khokhlov A.F., Shengurov D.V. The Effect of Electric Potential Applied to Substrate During MBD on the Structure of Poly-crystalline Silicon Films //Proc. of E-MRS Spring Meeting, France, Strasbourg, 1996.-P. В18.

173. Pavlov D.A., Khokhlov A.F., Shengurov D.V. Structure and Electrical Properties of Doped Polycrystalline Silicon Films //Proc. of E-MRS Spring Meeting, France, Strasbourg, 1996.-P. 128.

174. Шенгуров Д.В., Шабанов A.B., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Хохлов А.Ф. Эффекты воздействия низкоэнергетических ионов на рост кремниевых пленок //XIII Межд. конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью»: Тез. докл.-Москва, 1997.-Т. 2.-С. 346-.-340349.

175. Шенгуров Д.В., Васильев В.К., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф. Гидрогенизация тонких пленок поликристаллического кремния с помощью имплантации ионов Н2+ /IXIII Межд. конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью»: Тез. докл.-Москва, 1997.-Т. 2.-С. 331-333.

176. Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Шенгуров Д.В., Хохлов А.Ф, Carius R., Wagner H. Пленки микро и поликристаллического кремния: технология и структура //XVI научные чтения им. Н.В. Белова: Тез. докл.-Н. Новгород: Изд-во ННГУ, 1997.-С. 135-136.

177. Хохлов Д.А., Павлов Д.А., Машин А.И. Структурные изменения в безводородном аморфном кремнии при отжиге/ZXVI научные чтения им. Н.В. Белова: Тез. докл.-Н. Новгород: Изд-во ННГУ, 1997, С. 136-138.

178. Шенгуров Д.В.,Павлов Д.А.,Хохлов А.Ф.,Овсецина А.Э., Кудрявцева Р.В. Изменение размера зерна поликристаллических пленок кремния в зависимости от типа легирующей примеси и температуры роста//Изв. вузов Цв. металлургия.-1997.-№5.-С. 67-70.

179. Шенгуров В.Г., Шабанов В.Н., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шенгуров Д.В., Усова И.О. Молекулярно-лучевая гетероэпитаксия кремния на тостом слое термического оксида //Изв. вузов Цв. ме-таллургия.-1997.-№5.-С.48-50.

180. Шенгуров Д.В., Павлов Д.А., Шабанов A.B., Шенгуров В.Г., Хохлов А.Ф. Немонотонный характер зависимости сопротивления плёнок поликристаллического кремния от температуры роста //ФТП.-1998.-Т.32, №5.-С. 627-630.

181. Шенгуров Д.В., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Хохлов А.Ф. Свойства поликристаллических кремниевых плёнок, выращенныхсублимацией кремния с приложением к подложке отрицательного потенциала//Изв. РАН Сер. физ.-1998.-Т.34, №>9.-С.1128-1131.

182. Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А. Термическое травление оксидов кремния и циркония, ускоренное воздействием низкоэнергетических ионов. XIV междунар. конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью-99» (ВИП-99). Москва, август 1999.-С. 111.

183. Козлова Н.В., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шенгуров В.Г., Шенгуров Д.В. Рост плёнок поликремния и роль сурфактантов //Российская науч. конф. «Структура и свойства твёрдых тел»: Тез. докл.-Н. Новгород, 1999.-С. 51-52.

184. Кныш E.H., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шенгуров В.Г. Нанокри-сталлический кремний, полученный методом молекулярно-лучевого осаждения //Российская науч. конф. «Структура и свойства твёрдых тел»: Тез. докл.-Н. Новгород, 1999.-С. 65-66.

185. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г Фрактальная размерность поверхности плёнок аморфного, нано-, микро- и поликристаллического кремния //Российская конф. «Крем-ний-2000»: Тез. докл.-М.: Изд-во МИСиС, 2000.-С. 323-324.

186. Павлов Д.А., Хохлов А.Ф., Шиляев П.А. Динамика изменения фрактальной размерности ростовой поверхности //XIX Научн. чтения им. ак. Н.В. Белова: Тез. докл.-Н.Новгород: Изд-во ННГУ, 2000.-С. 115-116.