Структурные и оптические исследования упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах AlxGa1-xAs/GaAs (100) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

ГЛАВА 1. Литературный обзор.

1.1 Современные методы получения эпитаксиальных структур на основе А3В5.'.

1.2 Закон Вегарда и образование сверхструктурных фаз в А3В5.

1.3 ИК - спектры отражения полупроводников А3В5. Фононный и плазмон — фононный резонансы.

1.4 Выводы по главе.

ГЛАВА 2. Объекты и методы исследования.

2.1 Характеристики объектов по сериям.

2.2Рентгенодифракционные методы определения параметров решетки твердых растворов в гетероструктурах на основе А3В5.

2.2.1 Особенности дифрактометрического метода.

2.2.2 Особенности рентгенографического метода обратной съемки.

2.3 РЖ - спектрометрия отражения

2.4 Атомно — силовая микроскопия (АСМ) наноструктур

2.5 Выводы по главе

ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты рентгеноструктурных и морфологических исследований.

3.1 Определение параметров твердых растворов с учетом упругих напряжений.

3.2 Характер закона Вегарда в твердых расторах AlxGai.xAs.

3.2.1 Твердые растворы AlxGai.xAs в гетероструктурах, выращенные химическим осаждением из газовой фазы металлорганических соединений.

3.2.2 . Эпитаксиальные твердые растворы, полученные методом жидкофазной эпитаксии.

3.3 Сверхструктурная . фаза AlGaAs2 в МОС - гидридных гетероструктурах. Прецизионное определение параметров кристаллической решетки .:.

3.3.1 Дифрактометрические исследования.

3.2.2 Рентгенографические исследования. Прецизионное определение параметров.

3.3 Результаты АСМ - исследований морфологии поверхности образцов.!.

3.4 Обсуждение результатов и выводы по главе.

ГЛАВА 4. ИК - спектры отражения от эпитаксиальных гетероструктур

AlxGa,.xAs/GaAs(100).

4.1 Приближение однофонного резонанса для расчета спектра бинарного кристалла GaAs.

4.2 Моделирование ИК - спектров в различных моделях. Усовершенствование модели пленка - подложка применительно к многокомпонентным системам.

4.3 Плазмон - фононные спектры в гомоэпитаксиальных гетероструктурах. Моделирование в адиабатическом приближении и модели пленка - подложка.

4.4 Выводы по главе.

Актуальность работы:

Основной тенденцией в развитии современной электроники и средств связи является использование функциональных объектов малых размеров. Так непрекращающееся развитие электронной техники требует применения элементов субмикронных и нанометровых размеров.

Уникальность свойств наноструктур определяется атомными и электронными процессами, протекающими как в самих слоях, так и на границах гетероструктур. В связи с этим в настоящее время происходят не только разработка технологий получения этих структур вместе с прецизионными методами их исследования, но и интенсивное развитие теории явлений в малых объектах, так называемых низкоразмерных системах.

Квантовые гетероструктуры можно выращивать из различных материалов, однако наиболее удачной парой являются монокристаллический GaAs и твердые растворы AlxGai.xAs. Величина х - это доля атомов алюминия, замещающих атомы галлия, обычно она изменяется в пределах от 0.15 до 0.55. Арсениды галлия и алюминия относятся к группе соединений АШВУ. Если GaAs является наиболее изученным и широко применяемым материалом этой группы, то AlAs, напротив, - одно из наименее изученных соединений, что объясняется очень высокой температурой плавления AlAs (1700° С) и неустойчивостью в отношении разложения на воздухе. GaAs и AlAs имеют кристаллическую решетку сфалерита с весьма близкими значениями постоянных решетки и ионности, что обуславливает простоту выращивания AlxGaixAs на монокристаллических подложках из GaAs и относительно высокое совершенство слоев получаемых твердых растворов. Особенностью этой системы является увеличение параметра кристаллической решетки твердого раствора с увеличением содержания атомов А1, замещающих Ga в металлической подрешетке, ввиду больших размеров атомов алюминия. Гетероструктура AlxGai.xAs/GaAs имеет рассогласование решеток <0.15% и наиболее широко используется в различных устройствам и приборах.

В связи с совершенствованием технологий выращивания эпитаксиальных гетероструктур пристальное внимание у исследователей вызывают явления, связанные с возникновением упорядоченных структур в эпитаксиальных слоях твердых растворов тройных систем, которые наряду с бинарными соединениями А3В5 являются основными исходными материалами для компонентов микро и оптоэлектронных устройств.

Актуальность проблемы упорядочения связана с модификацией фундаментальных свойств полупроводниковых систем, обусловленной с понижением симметрии сфалеритной структуры соединений А В , следствием которого является возможное изменение ширины запрещенной зоны, переход от непрямозонного к прямозонному полупроводнику, инверсному порядку следования зон, усложнению оптических спектров сверхструктурных фаз в результате снятия вырождения с состояний, соответствующих потолку валентной зоны и дну зоны проводимости.

Обзор современной литературы дает достаточно большое количество сообщений о наблюдении спонтанного упорядочения в твердых растворах III-V, однако, упорядочение в системе AlxGaixAs для достаточно хорошо согласованных по параметрам решетки твердых растворов до сих пор остается открытым вопросом.

Цель работы: поиск возможной структурной неустойчивости эпитаксиальных твердых растворов гетероструктур AlxGaixAs/GaAs (100), полученных различными методами, в области составов, близких к х=0.50, с образованием сверхструктурных фаз упорядочения.

Основными задачами исследования, исходя из поставленной цели, являются:

1. Определение характера закона Вегарда в широком диапазоне составов системы эпитаксиальных твердых растворов AlxGai.xAs, выращенных на монокристаллических подложках GaAs (100) методами МОС-гидридной и жидкофазной эпитаксии;

2. Исследование структурной неустойчивости в области составов с х~0.50 рентгендифракционными методами;

3. Получение ИК-спектров от эпитаксиальных слоев AxGai.xAs с целью выявления их особенностей при образовании областей упорядочения с образованием сверхструктурной фазы при х~0.50.

4. Исследование морфологии поверхности эпитаксиальных I гетероструктур AlxGaj.xAs/GaAs (100) методами зондовой микроскопии с использованием атомно-силового микроскопа.

Объекты и методы исследования. Для анализа были представлены образцы гетероструктур AlxGaixAs/GaAs (100), в которых на монокристаллических подложках GaAs (100) выращены эпитаксиальные монокристаллические пленки AlxGai.xAs двумя методами: химическим осаждением из газовой фазы путем разложения металлорганических соединений (МОСГФЭ или МОС-гидридная эпитаксия) и жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Исследовались также гомоэпитаксиальные образцы GaAs/GaAs (100), полученные методами МОС - гидридной эпитаксии. Кроме того, для сопоставления результатов была изучена гетероструктура Al0.5oGa0.5oAs/GaAs (100), выращенная методом ЖФЭ.

Для исследований использовались методы рентгеноструктурного анализа, ИК - спектрометрии и методы зондовой микроскопии с использованием атомно-силового микроскопа (АСМ).

Научная новизна работы: определяется тем, что впервые получены экспериментальные данные о возникновении структурной неустойчивости в гетероструктурах AlxGaixAs/GaAs (100) с образованием при х~0.50 сверхструктурной фазы, являющейся химическим соединением AlGaAs2-Решетку обнаруженной фазы AlGaAs2 можно описать структурой InGaAs2-типа (Layered Tetragonal) с [100]-направлением упорядочения.

За счет слоевого упорядочения расположения атомов А1 и Ga в подрешетке Аз происходит так называемое тетрагональное сжатие чередующихся слоев, заполненных различными атомами Ga или А1, разделенных слоями мышьяка.

Фаза AlGaAs2 может образовывать домены и антидомены, состоящие из 10 элементарных ячеек фазы и 10 элементарных ячеек антифазы длиной 1.13 нм.

Практическое значение результатов работы определяется тем, что полученные в ходе исследований данные, могут быть использованы при создании технологии нового соединения AlGaAs2.

Разработанные методики оказываются полезными для улучшения контроля технологических процессов при создании гетеролазеров и других оптоэлектронных приборов.

На защиту выносятся следующие положения

1. В эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa^As/GaAs (100), полученных химическим осаждением из газовой фазы металлорганических соединений и гидридов (МОСГФЭ) при х~0.50, обнаружена структурная неустойчивость с образованием сверхструктурной фазы упорядочения, являющейся химическим соединением AlGaAs2, с параметрами с =2а AiGaAs2=2*5.646=11.292 А и а"=5.6532 ;

2. Величина тетрагонального! сжатия в направлении эпитаксиального роста составляет С AIGaAs2 /2а A10.50Ga0.50As =0.997;

3. Области сверхструктурной фазы упорядочения AlGaAs2 проявляются в виде упорядоченного нанорельефа с периодом ~ 115 нм, кратным параметру слоистой тетрагональной фазы AlGaAs2 с =1.13 нм. Нанорельеф обусловлен образованием доменов (AlGaAs2) и антидоменов (GaAlAs2), сгруппированных в чередующиеся полосы, расположенные под углом 80° <а<90° ввиде "паркета";

4. В спектре эпитаксиальной гетероструктуры AlxGai.xAs/GaAs (100) с х~0.50, выращенной методом МОСГФЭ, помимо мод колебаний, отвечающих связям Ga

As и А1 - As (основным колебаниям), присутствуют еще два осциллятора с частототами oc>i=240 см"1 и сс>2=320 см"1, сдвинутыми в сторону длинных волн относительно основных колебаний, появление которых связано с возникновением фазы упорядочения АЮаАэг;

5. Появление интерференционных мод в областях 280-350 см'1, ИК -спектра отражения МОС-гидридной эпитаксиальной гетероструктуры AlxGai.xAs/GaAs (100) с х~0.50 обусловлено периодической структурой нанорельефа в областях упорядочения гетероструктуры с периодом нанорельефа 115 нм.

Личный вклад автора. Постановка задачи и определение направлений исследований осуществлялись д.ф.-м.н., профессором Домашевской Э.П. Автором лично проведены все рентгеноструктурные исследования. Автором проведены расчеты всех экспериментально полученных данных. Разработана методика цифрового представления информации при фотографической регистрации рентгенограмм. Усовершенствована методика проведения дисперсионного анализа в модели пленка - подложка с применением современных программных средств, по которой проведено моделирование всех экспериментальных ИК - спектров гетероструктур. Обсуждение результатов проведено совместно с д.ф.-м.н., профессором Э.П.Домашевской.

ИК - спектры отражения получены автором совместно с доцентом Лукиным А.Н. в "Центре коллективного пользования ВГУ" (ЦКПНО ВГУ).

Исследования поверхности поверхности с использованием атомно-силового микроскопа проведены к.ф.-м.н. Гречкиной М.В. в лаборатории наносистем ЦКПНО ВГУ.

Образцы гетероструктур AlxGai.xAs/GaAs (100) получены в Санкт-Петербургском Физико-Техническом институте им. А.Ф. Иоффе.

Апробация работы

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всероссийской конференции "Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах" (ФАГРАН-2004) (Воронеж, 2004г.), V Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж, 2004г.), IV Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», (Кисловодск, 2004г.), 10-й Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых ВНКСФ-10 (Екатеринбург-Москва, 2004г.), Шестой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2004 г.), Всероссийской конференции молодых ученых по "Полупроводниковым, диэлектрическим и магнитным материалам: ПДММ - 2004" (Владивосток, 2004 г.), 3-ей международной научно-технической конференции «Информатизация процессов формирования открытых систем на основе САПР, АСНИ, СУБД и систем искусственного интеллекта (ИНФОС - 2005) (Вологда, 2005г.), European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis ECASIA'05

Vienna, 2005), 5-я международной конференций "Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии" (Кисловодск, 2005г.), Четвертом международном междисциплинном симпозиуме "Фракталы и прикладная синергетика "ФиПС-2005"" (Москва, 2005г.), Седьмой всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2005г.), 9-й конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (ПДММ — 2005, Владивосток), Международном симпозиуме " Нанофизика и наноэлектроника-2006" (Нижний Новгород, 2006г), 10-й конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (ПДММ - 2006, Владивосток).

Публикации

Материалы диссертации опубликованы в 19 печатных работах, цитируемых по ходу изложения диссертации, из которых 5 статей, опубликованных в центральной Российской печати и 1 статья в зарубежном журнале. Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения и четырех глав с заключением и выводами, изложенных на 133 страницах печатного текста, включая 43 рисунка, 14 таблиц и список литературы на 86 наименований.

4.4Выводы по главе.

1. Данные ИК спектрометрии отражения показали, что в спектрах МОС-гидридных эпитаксиальных гетероструктур AlxGai.xAs/GaAs(100) с концентрациями А1 в металлической подрешетке х=0.12, 0.16, 0.30 и 0.80 присутствуют две моды колебаний, и этот факт согласуется с имеющимися экспериментальными и теоретическими данными [41, 42].

2. В спектре МОС-гидридной эпитаксиальной гетероструктуры Alo.54Gao.46As/GaAs(100) помимо мод колебаний отвечающих связям Ga -As и А1 - As (основным колебаниям), присутствуют еще два осциллятора с частототами cotoi=241 см"1 и сото2=327 см"1 сдвинутыми в сторону длинных волн относительно основных колебаний AlAs (соТо=365 см"1) и GaAs (сото=272 см"1), появление которых мы связываем с возникновением фазы упорядочения AlGaAs2 в эпитаксиальных твердых растворах AlxGai. xAs выращенных на подложках GaAs (100) со значениями х, близкими к 0.50.

3. Появление интерференционных мод в экспериментальном спектре в области 280-350 см"1 РЖ - спектра отражения МОС-гидридной эпитаксиальной гетероструктуры Alo.54Gao.46As/GaAs(100) может быть обусловлено возникновением периодической структуры нанорельефа в областях упорядочения гетероструры с х~0.50, обнаруженной методом АСМ [84-85].

4. ИК-решеточный спектр отражения гомоэпитаксиальных структур GaAs/GaAs (100), выращенных методом МОСГФЭ, рассчитанный по методике пленка - подложка, помимо фононных мод в спектре эпитаксиального слоя GaAs и монокристаллической подложки GaAs (100), содержит плазменные колебательные моды, возникающие в связи с большой концентрацией свободных носителей, введенной в подложку легированием и возникающей в пленке большой фоновой концентрацией свободных носителей заряда.

Заключение и выводы по диссертации.

На основе комплексных исследований в ходе выполнения диссертационной работы были получены следующие результаты.

По данным дифрактометрического и фотографического методов рентгеноструктурного анализа были определены постоянные кристаллической решетки с учетом упругих напряжений для эпитаксиальных гетероструктур AlxGaixAs/GaAs (100), выращенных двумя методами (МОС — гидридной и жидкофазной эпитаксией). При разложении дифрактометрической линии (400) для МОС-гидридных образцов ЕМ49 и ЕМ135 и рентгенографической линии (711) для образца ЕМ135 па компоненты обнаружено появление дифракционных линий от неизвестной фазы с параметром решетки а=5.649 А меньшим, чем параметр GaAs (100) 5.6532 А. Анализ полученных нами результатов эпитаксии твердых растворов с х~0.50 на подложках GaAs (100) позволяет сделать заключение о том, что обнаруженная нами неизвестная фаза представляет собой химическое соединение AlGaAs2 и является сверхструктурой к решетке сфалерита, которую имеют GaAs, AlAs и твердый раствор AlxGai.xAs. Решетку обнаруженной фазы упорядочения AlGaAs2 можно описать структурой InGaAs2-Tnna (Layered Tetragonal) [25] с [100]-направлением упорядочения.

Предполагая, что области упорядочения в образцах при х~0.50 могут проявлять себя и в морфологии поверхности эпитаксиальных слоев, были предприняты исследования гетероструктур AlxGaixAs/GaAs(100) выращенных различными методами, с малым и большим содержанием алюминия в металлической подрешетке.

По данным, полученным из атомно - силовой микроскопии, на поверхности МОС - гидридного образца с х~0.50 в твердом растворе AlxGai xAs были обнаружены области упорядочения, которые проявляются в виде упорядоченного нанорельефа с периодом ~ 115 нм, кратным параметру с слоистой тетрагональной фазы AlGaAs2. Эти области упорядоченного нанорельефа мы связываем с областями существования сверхструктурной фазы AlGaAs2 с кристаллической решеткой InGaAs2-THna (Layered Tetragonal) и параметрами а"=5.6532 и с =11.292 .

Полученные результаты, относительно появления сверхструктурной фазы AlGaAs2 в МОГФЭ гетероструктурах AlxGaixAs/GaAs (100) при х~0.50, были так же подтверждены методами ИК-спектроскопии на отражение. Так ИК-спектр отражения колебаний решетки МОС-гидридного образца ЕМ49 с х=0.54 помимо мод, соответствующих связям: Ga-As и Al-As в твердом растворе (локализованных около o)ga-as то=272 см"1 и o>ai-as то=365 см"1), содержит две группы дополнительных мод, сдвинутые относительно основных колебаний в сторону длинных волн. Первая, лежащая в области 230-245 см"1, имеет самую малую интенсивность и полуширину среди всех мод, присутствующих в спектре. Вторая группа представляет собой широкую полосу, расположенную между основными колебаниями в интервале 280-350 см"1, и состоит из нескольких резонансных пиков различной интенсивности, расположенных примерно через 10 см"1, что указывает на факт интерференции отраженного излучения на нанорельефе образца (рис. 41,Ь).

Присутствие этих осцилляторов в спектре мы связываем с тем фактом, что в структуре эпитаксиальных твердых растворов AlxGaixAs с х=0.50 и х=0.54, выращенных на подложках GaAs (100), появляется сверхструктурная фаза [83-85], представляющая собой химическое соединение AlGaAs2 со структурой InGaAs2-THna (Layered Tetragonal) [25, 72], в структуре которого чередующиеся слои из атомов А1 или Ga разделены слоями As. Появление интерференционных мод вызвано особенностями морфологии в областях упорядочения со сверхструктурной фазой AlGaAs2, т.е. возникновением наноструктурированной поверхности с периодом -115 нм.

Таким образом, на основании экспериментальных и расчетных данных, полученных в ходе работы, можно сделать следующие выводы:

1. Для эпитаксиальных гетероструктур AlxGaj.xAs/GaAs (100), выращенных методами МОСГФЭ и жидкофазной эпитаксии, зависимость изменения параметра кристаллической решетки от состава (закон Вегарда) носит линейный характер;

2. В эпитаксиальных гетероструктурах AlxGaixAs/GaAs (100) с х~0.50, полученных химическим осаждением из газовой фазы металлорганических соединений и гидридов (МОСГФЭ), обнаружена структурная неустойчивость с образованием сверхструктурной фазы упорядочения при х~0.50, являющейся химическим соединением AlGaAs2> с параметрами с =2а =2*5.646=11.292 А и а"=5.6532 ;

3. Величина тетрагонального сжатия в направлении эпитаксиалыюго роста составляет С AlGaAs2/2a A10.50Ga0.50As =0.997;

4. Области сверхструктурной фазы упорядочения AlGaAs2 проявляются в виде упорядоченного нанорельефа с периодом ~ 115 нм, кратным параметру слоистой тетрагональной фазы AlGaAs2 с =1.13 нм. Нанорельеф обусловлен образованием доменов (AlGaAs2) и антидоменов (GaAlAs2), сгруппированных в чередующиеся полосы, расположенные под углом 80 <а<90 в виде "паркета";

5. В спектре эпитаксиальной гетероструктуры AlxGai.xAs/GaAs (100) с х-0.50, выращенной методом МОСГФЭ, помимо мод колебаний, отвечающих связям Ga-As и А1 - As (основным колебаниям), присутствуют еще два осциллятора с частототами со]=240 см"1 и со2=320 см"1, сдвинутыми в сторону длинных волн относительно основных колебаний, появление которых связано с возникновением фазы упорядочения AlGaAs2;

6. Появление интерференционных мод в областях 280-350 см"1 ИК - спектра отражения МОС-гидридной эпитаксиальной гетероструктуры AlxGai. xAs/GaAs (100) с х~0.50 обусловлено периодической структурой нанорельефа в областях упорядочения гетероструктуры с периодом нанорельефа 115 нм.

1. Handbook of Semiconductors Technology. Processing of Semiconductors / Edited by K.A. Jackson and W. Schroter. Volume 2 // Wiley-VCH Verlag, 2000.

2. Келдыш JI.B. // Физика твердого тела. 1962. т.4, - С. 2265.

3. Бом. Д. Квантовая теория / Д. Бом. М.: Наука, 1965.

4. Х.Кейси Лазеры на гетероструктурах / Х.Кейси, М. Паниш. М.: Мир, 1981.

5. Giess Е.А. Epitaxial Growth, Part А / Е.А. Giess, R. Ghez Matthews J.W. (Ed.), New York: Academic Press. 1975.

6. Rode D.L. Singular instabilities on LPE GaAs, CVD Si, and MBE InP growth surfaces / D.L. Rode, R.W. Wagner, N.E. Schumaker // Appl. Phys. Lett.- 1977.-V. 30,1.75.

7. L. Esaki. Long journey into tunneling / L. Esaki // Science. 1974. - V. 183, P. 1149.

8. Gunter K.G. // Z. Naturforsch. 1968. B.13a, S. 1081.

9. Arthur J.E. Interaction of Ga and As2 Molecular Beams with GaAs Surfaces/ J.E. Arthur // J. Appl. Phys. 1968. -V. 39, P. 4032.

10. Cho A.Y. Bonding direction and surface-structure orientation on GaAs (001)/ A.Y. Cho // Appl. Phys. 1976. - V.47, P.2841.

11. Я.С. Уманский. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия./ Я.С. Уманский // М.: Металлургия, 631 с. 1982.

12. Физика твёрдого тела: Лабораторный практикум. В 2т./ Под ред. проф. А.Ф. Хохлова. Том 1. Методы получения твёрдых тел и исследования их структуры // Н. Новгород: Изд-во ННГУ, 2000.-360 с.

13. Современная кристаллография. Под ред. Б.К. Ванштейна,

14. A.А.Чернова, Л.А.Шувалова. // М.: Наука. 1979. Т. 2. 360 с.

15. Alferov Zh.I., Andreev V.M., Konnikov S.G., Larionov V.R., Shelovanova G.N. // Kristall und Technik. 1976. -V. 11, P. 1013

16. H.A. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники. / Н.А. Горюнова//М.: Советское радио. 1968.

17. Yu.A. Goldberg. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur // World Scientific, London, -1999.-V. 2, P. 1.

18. S. Gehrsitz. Compositional dependence of the elastic constants and the lattice parameter of A^Ga^As / S. Gehrsitz and H. Sigg et al II Phys.Rev.1. B.- 1999. -V.60P.16.

19. Z.R. Wasilewski. Composition of AlGaAs / Z.R. Wasilewski, M.M. Dion, D.J. Lockwood, P. Pole, R.W. Streater, and A.J. Spring Thorpe // J. Appl. Phys. 1997. - V.81, P. 1683.

20. D Zhou. Deviation of the AlGaAs lattice constant from Vegard's law/ D Zhou and B.F. Usher // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. - V.34, P. 14611465.

21. Tanner В К. Measurement of aluminum concentration in epitaxial layers of AlxGai .xAs on GaAs by double axis x-ray diffractometry / B.K. Tanner, A. G. Turnbull, C.R. Stanley, A.H. Kean and M. McElhinney // Appl. Phys. Lett.-1991. V. 59, P. 2272-2274

22. Goorsky M.S. Determination of epitaxial A^Ga^As composition from x-ray diffraction measurements/ M.S. Goorsky, T.F. Kuech, M.A. Tischler and R.M. Potemski // Appl. Phys. Lett. 1991. -V. 59, P. 2269-71

23. T.S. Kuan. Long-Range Order in A^Ga^As / T.S. Kuan, T.F. Kuech, W.I. Wang II Phys. Rev. Lett. 1985. - V.54, P.201.

24. Alex Zunger. Spontaneous Atomic Ordering in Semiconductor Alloys: Causes, Carriers, and Consequences / Alex Zunger // MRS-IRS bulletin/ July 1997. http://www.sst.nrel.gov/images/mrs97

25. G.B. Stringfellow. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams./ G.B. Stringfellow // Cryst. Growth. 1974. - V.27, P. 21

26. J.L. Martins. Bond lengths around isovalent impurities and in semiconductor solid solutions/ J.L. Martins and A. Zunger // Phys. Rev. Lett. 1986. -V.56 P. 1400.

27. G.P. Srivastava. Atomic structure and ordering in semiconductor alloys / G.P. Srivastava, J.L. Martins, and A. Zunger // Phys. Rev. B. 1985. - V.31 P. 2561.

28. S-H. Wei. First-principles calculation of temperature-composition phase diagrams of semiconductor alloys / S-H. Wei, L.G. Ferreira, and A. Zunger // Phys. Rev. B. -1990. -V. 41, P. 8240.

29. R.G. Dandrea. Stability of coherently strained semiconductor superlattices / R.G. Dandrea, J.E. Bernard, S-H. Wei, and A. Zunger // Phys. Rev. Lett. -1990.-V.64, P. 36.

30. Сато. X. Применение метода эпитаксиальных пленок для изучения электронной структуры некоторых сплавов / X. Сато // Монокристаллические пленки под. Ред. З.Г. Пинскера.- М.: Мир, 1966.-С. 371-390

31. Хансен М. Структуры двойных сплавов / М. Хансен, К. Андерко // М.: Металугриздат, 1962.

32. H.R. Jen. Ordered structures in GaAso.sSbo.s alloys grown by organometallic vapor phase epitaxy/ H.R. Jen, M.J. Cheng, and G.B. Stringfellow // Appl. Phys. Lett. 1986. - V.48, P. 1603.

33. M.A. Shahid. Atomic ordering in Gao.47Ino.53As and GaxIn^AsyPi.y alloy semiconductors / M.A. Shahid, S. Mahajan, D.E. Laughlin, and H.M. Cox // Phys. Rev. Lett. 1987. - V.58, P. 2567.

34. B. Koiller. Small-crystal approach to ordered semiconductor compounds / B. Koiller, A.M. Davidovich // Phys. Rev. Lett. 1990. - V.41, P.3670.

35. B.D. Pattreson. Spontaneous Ordering in AlGaAs / B.D. Pattreson (univ. Zurich) et al. IIPSI annual report 1997.www.phvsik.uni zh .ch/reports/report 1999.html

36. E. Muller and B. Patterson (PSI). 11 PSI annual report 2000. w\v\v.physik.unizh.ch/reports/report2000.html

37. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников / Ю.И. Уханов // М.: Наука, 1977

38. М. Ilegems. Infrared Reflection Spectra of Gai^Al^As Mixed Crystals / M. Ilegems, G.L. Pearson // Phys. Rev. B. 1970. - V.l, 1.4, P. 1576-1582.

39. F. Chang. Optical Phonons in Gai^Al^As Mixed Crystals: A Modified Random-Element Isodisplacement-Model Calculation /. F. Chang, S.S. Mitra // Phys. Rev. B. 1970. - V. 2,1. 4, P. 1215-1216.

40. Yu. A. Pusep. Spectroscopy of the optical vibrational modes in GaAs/Al^Gai.^As heterostructures with monolayer-wide Al^Ga^As barriers / Yu. A. Pusep et al. II Phys.Rev. 1995. - V.52,1.4, P.2610-2618.

41. C.G. Olson. Longitudinal-Optical-Phonon-Plasmon Coupling in GaAs / C.G. Olson and D.W. Lynch // Phys. Rev. 1969. - V.l77, P.1231.

42. A. Mooradian. Observation of the Interaction of Plasmons with Longitudinal Optical Phonons in GaAs/ A. Mooradian, G. Wrihgt // Phys. Rev. Lett. -1966.-V. 16, P.999.

43. Я.С. Уманский. Рентгенография металлов / Я.С. Уманский // Металургиздат. М.: 1960.

44. Уманский Я.С. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я.С. Уманский, Ю.А. Скаков, А.Н. Иванов, J1.H. Расторгуев //М.: Металургиздат. 1982. 632с.

45. Павлов П.В. Физика твердого тела. / П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов // Издательство Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, 1993, 491с.

46. Русаков А.А. Рентгенография металлов. / А.А. Русаков // М.: Атомиздат. 1977. 480с.

47. В.М.Иевлев. Методы исследования атомной структуры и субструктуры материалов.: Учебное пособие./ В.М.Иевлев и др. // Воронеж. ВГТУ, 2001.446 с.

48. Руководство по эксплуатации и ремонту рентгеновского дифрактометра ДРОН 4-07.

49. П.В. Середин. Цифровое представление информации при рентгенографической регистрации рентгенограмм / П.В. Середин // Конденсированные среды и межфазные границы. Т.5. №1. 2003г.

50. W.G. Spitzer. Infrared Properties of Hexagonal Silicon Carbide / W.G. Spitzer, D. Kleinman, D. Walsh. // Phys. Rev. 1959. - V.l 13, P.l

51. J.K. Fordyna. Infrared observation of transverse and longitudinal polar optical modes of semiconductor films: Normal and oblique incidence / J.K. Fordyna, M.L. Melloch, C.P. Beetz, W.S. Yoo. // Phys. Rev. B. 1995. -V. 51, P.l2.

52. Nguyen Hong Ky et al. / Influence of A1 content in the barrier on the optical properties of GaAs/Al^Gai.^As (x=0.1-l) multiple-quantum-well structures //Phys. Rev. B. 46, 11, 1992

53. T. Yuasa. Raman scattering from coupled plasmon-LO-phonon modes in n-type AlxGai.xAs / T. Yuasa et al. II Phys. Rev. B. 1986. - V.33, P.2

54. Kpocc А. Введение в практическую инфракрасную спектроскопию /А. Кросс. // пер. с англ.-М.: 1961.

55. Оптические свойства полупроводников АЗВ5. Под ред. Р. Уилардсона и А. Бира. /1М.: Мир, 1970

56. М. Борн. Динамическая теория кристаллических решеток / М. Борн, X. Кунь. // ИЛ, 1958

57. H.W. Verleur. Infrared Lattice Vibration in GaAsyPiy Alloys / H.W. Verleur, A.S. Barker // Phys. Rev. 1966. - V. 149, P.715.

58. Описание и руководство к эксплуатации Spekord М 82.

59. И.В. Яминский / Зондовая микроскопия: методы и аппаратура. // http://www.nanoscopy.org/ebook/pag 13 17.html

60. Нанотехнология в ближайшем десятилетии Под ред. М.К.Роко, Р.С.Уильямса, П.Аливисатоса. //М.: 2002.

61. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур / Ж.И. Алферов // Физика и техника полупроводников. 1998. - Т.32. №1. С.3-18.

62. Golovin Yu.I., Tyurin A.I., Farber B.Y. // J. Mater. Sci. 2002. -V.37. P.895-904.

63. Руководство к прибору Femtoscan-001.

64. И.Н. Арсентьев. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей / И.Н. Арсентьев, Н.А. Берт, С.Г. Конников, В.Е. Уманский // Физика и техника полупроводников. -1980. -Т.14, вып.1, -С. 96- 100

65. Adachi S. GaAs, AlAs and AlxGaixAs: material parameters for use in research and device applications / S. Adachi // J. Appl. Phys. -1985. V. 58 Rl-29

66. A.S.T.M. Diffraction Data Cards 1972

67. В. Пирсон. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов. Части 1-2. // М.: Мир, 1977г, перевод.

68. H.W. Verleur. // JOSA. 1968. - V. 58, Р. 1356.

69. В.С. Виноградов. Влияние упругих напряжений на ИК спектры решеточных колебаний в эпитаксиальных пленках ZnSe на подложке (001) GaAs / B.C. Виноградов, JI.K. Водопьянов и др. // 1999. - Т.41, вып.11.

70. JI.K. Водопьянов. Длинноволновые оптические фононы в сверхрешетке ZnTe/Zn0.8Cdo.2Te / JI.K. Водопьянов, С.П. Козырев, Ю.Г. Садофьев. // -2003. Т.45, вып. 10.

71. JI.K. Водопьянов. Длинноволновая ИК спектроскопия сверхрешеток ZnTe/CdTe с квантовыми точками / JI.K. Водопьянов, С.П. Козырев, Г. Карчевски. // 2003. - Т.45, вып.9.

72. С.П. Козырев. // Физика твердого тела. 1994. - Т.36, вып. 10, С. 3008.

73. Л.К. Водопьянов. Решеточная ИК-спектроскопия эпитаксиальных слоев ZnixCdxSe, выращенных на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Л.К. Водопьянов, С.П. Козырев, Ю.Г. Садофьев. // Физика твердого тела. — 1999. -Т.41, Вып.6, С.982.

74. А. Пуле. Колебательные спектры и симметрия кристаллов./ А. Пуле, Ж.-П. Матье. Пер. с франц. под ред. Г.Н. Жижина .// М.: Мир, 1973

75. Характеристики новых полупроводниковых материалов // http://www. ioffe. ru/SVA/NSM/Semicond/AlGaAs/basic. html

76. Э.П. Домашевская. ИК-спектры отражения и морфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGaixAs/GaAs(100) с фазой упорядочения AlGaAs2 / Э.П. Домашевская, П.В. Середин и др. // Физика и техника полупроводников 2006. Вып.4.

77. Е.Р. Domashevskaya. XRD, AFM and IR investigation of ordered AlGaAs2 phase in epitaxial AlxGai.xAs/GaAs (100) Heterostructures / E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin el al II Surface and Interface Analysis. -2006. -V. 38,1.4, P. 828-832.