Структурообразование и свойства слоев MoS x и a-C, формируемых лазерным импульсным осаждением в условиях низко- и среднеэнергетического ионного облучения тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОСОБЕННОСТИ СТРУКТУРЫ ОБЪЕМНЫХ МАТЕРИАЛОВ И ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИСУЛЬФИДА МОЛИБДЕНА И УГЛЕРОДА.

1.1 Равновесные и метастабшгьные модификации дисульфида молибдена и углерода.

1.2 Структура пленок дисульфида молибдена и углерода, формируемых физическим вакуумным осаждением.

1.3 Основные физические процессы, протекающие при низко- и средне энергетическом ионном облучении пленок.

1.4 Особенности метода лазерного импульсного осаждения пленок.;.".

1.5 Выводы по обзору литературы и постановка задачи

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК И

МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ ИХ ХАРАКТЕРИСТИК.-.

2.1. Экспериментальная установка и методы формирования пленок

2.2. Методики исследования сформированных поверхностных структур.

ГЛАВА 3. СТРУКТУРООБРАЗОВАНИЕ И СВОЙСТВА ПЛЕНОК МоБ

ФОРМИРУЕМЫХ МЕТОДОМ ЛАЗЕРНОГО ИМПУЛЬСНОГО ОСАЖДЕНИЯ В ВЫСОКОМ ВАКУУМЕ

3.1. Влияние плотности энергии лазерного излучения на скорость осаждения и состав пленок.

3.2. Время-пролетные спектры ионов лазерной плазмы МоБ.

3.3. Зависимость состава пленок МоБх от скорости осаждения

3.4. Влияние температуры подложки на состав пленок.

3.5. Микроструктура пленок

3.6. Трибологические свойства

3.7. Химическое состояние элементов

3.8. Исследование процессов распыления пленок МоБк ионами лазерной плазмы

3.9. Обсуждение результатов по лазерному импульсному осаждению пленок в высоком вакууме.

3.10. Вывода.

ГЛАВА 4. СТРУКТУР00БРА30ВАНИЕ И СВОЙСТВА ШЕНОК Мо

ПРИ ЛАЗЕРНОМ ИМПУЛЬСНОМ ОСАЖДЕНИИ В АТМОСФЕРЕ БУФЕРНОГО ГАЗА.

4.1. Влияние давления аргона на скорость осаждения и элементный состав пленок МоБ

4.2. Микроструктура пленок.

4.3. Трибологические свойства

4.4. Химическое состояние элементов

4.5. Время-пролетные спектры ионов лазерной плазмы

МоБ2 при ее разлете в *буферный газ.

4.8. Моделирование процесса лазерного осаждения в газе.

Физика поверхности и тонких пленок относится к одному из основных разделов физики твердого тела, интенсивно развивающемуся в последнее время. Применение тонких пленок позволяет модифицировать различные функциональные свойства поверхности объемных материалов. Технический прогресс стимулировал появление различных механизмов, работающих в экстремальных условиях (например в космосе). Рабочие поверхности элементов таких приборов должны обладать улучшенными эксплуатационными свойствами, которые достичь традиционными способами невозможно. В частности это касается трибологических характеристик поверхности - коэффициента трения и износостойкости.

Для модификации трибологических свойств поверхности могут быть использованы покрытия на основе материалов с ламинарной (слоистой) структурой. Наиболее типичными представителями этого класса материалов являются дисульфид молибдена и графит. Для получения покрытий на основе этих материалов широко используют методы физического вакуумного осаждения (ионно-плазменное осаждение, термическое испарение и др.). Однако результаты, полученные в различных лабораториях при использовании одних и тех же методов формирования пленок, значительно отличаются. Так, при осаждении пленок МоБх ионно-плазменным осаждением в высокочастотном (ВЧ) разряде Спалвинс [II показал, что аморфные пленки имеют высокий коэффициент трения ~ 0,4, вместе с тем Микелсен [21 для аморфной пленки, сформированной этим же методом, получил величину, на порядок меньшую -0,04. Это свидетельствует о том, что накопление экспериментальных результатов находится пока в начальной стадии. Поэтому однозначного объяснения результатов структуро-образования в зависимости от условий формирования пленок и строгой модели, устанавливающей корреляцию между микроструктурными характеристиками пленок и их трибо логическими свойствами, на данный момент не существует.

Известно [31, что низко- и среднеэнергетическое ионное облучение поверхности твердых тел и, в частности, тонких пленок приводит к модификации их свойств, таких как структура, плотность, адгезия, коэффициент трения, износостойкость и др. Применяемый подавляющим большинством исследователей для формирования пленок Мо5х методы ВЧ-распыления не позволяют независимым способом варьировать в широких пределах энергию и дозу ионного облучения пленок в процессе их роста.

Более широкие возможности по варьированию условий формирования пленок открываются при использовании метода лазерного импульсного осаждения. Изменение условий лазерного воздействия на мишень приводит к изменению скорости осаждения пленок, общей энергии плазменно-парового потока, энергетического спектра низкоэнергетической ионной компоненты потока частиц. Данный метод позволяет дополнять осаждение имплантацией среднеэнергетических ионов. Среднеэнергетическое (энергия ионов ~ 100 кэВ) ионное облучение может быть использовано как для модификации структуры пленок, так и для инициирования процессов перемешивания атомов на границе пленка-подложка. Положительное влияние данных процессов на трибологические характеристики покрытий из дисульфида молибдена отмечено в ряде исследований [2,4-9], однако причины здесь не установлены.

Структурообразование пленок углерода при лазерном осаждении исследовано более широко, чем дисульфида молибдена. Установлено, что в зависимости от условий осаждения могут быть получены.различные по структуре и свойствам пленки. Однако возможности дополнительной модификации таких пленок средне-энергетическим ионным облучением практически не исследованы.

Поэтому представляется важным провести изучение структу-рообразования пленок дисульфида молибдена и углерода в условиях лазерного импульсного осаждения, когда реализуется режим низко энергетического ионного облучения, и при имплантации среднеэнергетических ионов. Необходимо установить влияние ионной имплантации как на структуро- и фазообразование в самих пленках, так и на границе раздела между пленкой и подложкой. Следует исследовать корреляцию между микроструктурой таких пленок и их трибологическими свойствами и определить условия получения пленок с наилучшими характеристиками.

В равновесной кристаллической структуре Мо32 и графита есть общие свойства. Проведение сопоставления результатов по модификации структуры пленок этих материалов ионным облучением позволит выявить влияние особенностей химической природы материалов на процессы ионно-стимулированного структуро-образовани.

В первой главе диссертации из обзора литературы установлены особенности структуры объемных материалов и тонких пленок дисульфида молибдена и углерода. Проведен анализ возможных физических процессов в поверхностных слоях пленок, подвергаемых ионной бомбардировке. Рассмотрены особенности метода лазерного импульсного осаждения (ЛИО) пленок. На основе анализа литературы обосновывается постановка задачи исследований.

Во второй главе рассмотрены метод и экспериментальная установка для лазерного импульсного осаждения пленок в вакууме и атмосфере буферного газа и имплантации ионов с энергией 10 -г 100 кэВ из лазерно-плазменного источника ионов. Приводятся основные характеристики методик, использованных для физико-химического исследования и механических испытаний создаваемых пленок.

В третьей главе представлены результаты исследования структуре- и фазообразования и трибологических свойств пленок МоБх, формируемых методом ЛИО в высоком вакууме в зависимости от плотности энергии лазерного излучения на испаряемой мишени, скорости осаждения и температуры подложки. Проводится анализ энергетических характеристик плазменно-парового потока и влияния эффектов ионного распыления на состав пленок. Разрабатывается модель, объясняющая формирование элементного состава и структуры пленок МоБх при лазерном осаждении в высоком вакууме.

В четвертой главе анализируется влияние давления буферного газа на элементный состав, химическое состояние элементов и трибологические свойства пленок МоБх, формируемых методом ЛИО в условиях высоких скоростей осаждения. Разрабатывается модель лазерного осаждения пленок в буферном газе.

Пятая глава посвящена исследованию ионно-стимулированного структурообразования в объеме пленок МоБх и перемешиванию атомов и формированию химических связей на границе раздела системы МоБ /Те при имплантации средне энергетических ионов.

В шестой главе исследуются структурные изменения в аморфных углеродных пленках при лазерном осаждении в условиях средне энергетической ионной имплантации. Изучены графито- и алмазоподобные модификации а-С пленок при различных температурах подложки в зависимости от типа и дозы ионного облучения.

В заключении анализируются полученные в диссертации результаты и формулируются основные выводы.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. При лазерном импульсном осаждении пленок МоБх в высоком вакууме структурообразование пленок зависит от импульсного значения скорости осаждения, энергетических параметров лазерного сгустка и температуры подложки. При высоких скоростях осаждения (более одного монослоя за импульс) ионизованного лазерного сгустка низкоэнергетическая ионная бомбардировка стимулирует процессы сегрегации серы к поверхности, ее распыление ионами и десорбцию. В результате в объеме пленок величина х существенно ниже 2, а химическое состояние атомов отлично от состояния в совершенной структуре МоЯ2.

2. Варьирование давления буферного газа при лазерном импульсном осаждении пленок Мо8х оказывет существенное влияние на их элементный состав <1<х<3) и микроструктуру. Механизм действия буферного газа в процессе ЛИО заключается в изменении энергетического спектра конденсирующихся частиц, уменьшении общей энергии лазерного сгустка и подавлении десорбции серы с поверхности пленки. При ЛИО в буферном газе реализуются условия формирования пленок МоБ2 с совершенным химическим состоянием элементов и наилучшими антифрикционными свойствами (коэффициент трения на воздухе 0,04).

3. Средне энергетическое ионное облучение двухслойной системы МоБуТе приводит к баллистическому перемешиванию атомов Мо, Б и Ге и образованию слоя с аморфной структурой. Атомы серы эффективно внедряются в железо и образуют химические связи, характерные для соединения Ре32. Свободные от серы атомы молибдена смешиваются с атомами железа, образуя микровключения метастабильного сплава железа с молибденом.

4. Имплантация средне энергетических ионов в аморфные углеродные пленки вызывает реорганизацию их структуры. Возможно преобразование графитоподобных а-С пленок в алмазо-подобные и значительное улучшение их сцепления с подложкой и повышение износостойкости. Движущей силой такой перестройки являются высокие сжимаюжие внутренние механические напряжения. Эффективность процесса зависит от числа смещенных атомов на внедренный ион.

5. При невысоких дозах среднеэнергетического ионного облучения возможна ионно-стимулированная кристаллизация пленок Мо8к, но усиливается разупорядоченность структуры углеродных графитоподобных пленок. Различие в поведении этих пленок обусловлено различной химической природой исходных материалов в том смысле, что атомы углерода могут образовывать несколько типов химических связей, в то время как в дисульфиде молибдена в ближнем порядке возможен только один тип упаковки и исключена возможность формирования новых химических связей в молекуле МоБ2.

Практическая ценность диссертации заключается в следующем:

I.Разработан метод и экспериментальный вариант оборудования для формирования антифрикционных и износостойких пок

II рытий МоБх и а-С с высокими трибологическими свойствами.

2. Предложены модели структурообразования пленок МоБх и а-С при лазерном осаждении в вакууме, в буферном газе и при имплантации средне энергетических ионов. Таким образом разработаны физические основы технологии лазерного осаждения твердосмазочных и износостойких покрытий на основе этих материалов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на международной конференции по ионной имплантации и ионно-лучевому оборудованию (Болгария, Элените, 1990г.); на международном симпозиуме "Плазменные и лазерно-стимулирован-ные процессы в микроэлектронике" (Ростов Великий, 1991г.); на X Всесоюзной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" (Звенигород, 1991г.); на XI Всесоюзной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" (Звенигород, 1993г.); на XXI? межнациональном совещании по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1994г.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 12 печатных работ.

12

Основные выводы работы можно ■сформулировать следующим образом:

1. Разработана методика, включающая лазерное импульсное осаждение в вакууме и в буферном газе и имплантацию ионов средних энергий, которая позволяет создавать слои Mos и а-С с контролируемыми элементным составом, микроструктурой, внутренними механическими напряжениями и высокими трибологическими свойствами.

2. В работе устатановлено, что основными параметрами, определяющими структурообразование, элементный состав и свойства пленок MoSx при лазерном осаждении в высоком вакууме, являются: скорость осаждения, энергетический спектр лазерного сгустка и температура подложки. Увеличение энергии частиц сгустка и температуры подложки приводит к уменьшению содержания серы в слое МоБх и его кристаллизации.

3. Изменение элементного состава пленок Мо8х при варьировании плотности энергии лазерного излучения связано с протеканием следующих процессов: ионно-стимулированной сегрегацией серы к поверхности, преимущественным самораспыления серы и ее десорбцией с поверхности пленки в вакуум. Эффективность этих процессов в сильной степени зависит от температуры подложки.

4. Варьирование давления буферного газа при фиксированной плотности энергии лазерного излучения на испаряемой мишени позволяет контролируемо изменять элементный состав, микроструктуру и трибологические свойства пленок МоЗх. При увеличении давления РАг до 2 Па и фиксированной ц повышается однородность по поверхности наносимых покрытий МоЗх и увеличивается содержание серы в объеме пленки с Мо34 (в высоком вакууме) до МоБ2.

5. Обогащение серой поверхности при лазерном осаждении снижается с ростом давления аргона и при РАГ=2 Па состав на поверхности и в объеме пленки выравнивается для любых д за счет уменьшения действия механизма ионно-стимулированной сегрегации серы к поверхности. Увеличение РАг до 5 Па приводит а к уменьшению скорости осаждения и обогащению пленки серой до МоБ . з

8. Влияние буферного газа в процессе лазерного осаждения заключается в изменении энергетического спектра частиц плазменно-парового потока и уменьшении скорости десорбции серы с поверхности пленки. Потеря общей энергии лазерного сгустка приводит к снижению эффективности распыления пленки низко энергетическими ионами и уменьшению ионно-стимулированной сегрегации серы к поверхности.

7. Установлено, что структурообразование в пленках МоБх зависит от кинетических условий в поверхностном слое в процессе роста, определяемых температурой подложки и энергией налетающих частиц. При ЛИО в атмосфере буферного газа формируется аморфная структура , в которой атомы молибдена и серы на микроуровне имеют химическое состояние, близкое к совершенному МоБ2.

8. Трибологические свойства пленок МоБх определяются в основном микроструктурой и химическим состоянием атомов и в меньшей степени их элементным составом. Коэффициент трения пленок, в сформированных при оптимальных условиях осаждения {Рдг = 2 Па и q=350 Дк/см2) не превышает на воздухе 0,04.

9. Облучение двухслойной системы МоБх/57Ге достаточно тяжелыми ионами средней энергии приводит к перемешиванию атомов Мо, Б и Ге на фазовой границе уже при относительно невысоких дозах имплантации ~1015см~2. Ионно-стимулированное перемешивание МоБх с железом вызывает образование слоя с аморфной структурой, в котором формируются новые химические связи. Атомы серы эффективно внедряются в железо и образуют связи, характерные для соединения ГеБ2. Свободные от серы атомы молибдена смешиваются с атомами железа, образуя микровключения метастабильного сплава железа с молибденом.

10. В процессе среднеэнергетического ионного облучения с невысокой дозой 2-Ю15 см"2 графитоподобных а-С пленок в объеме каскадов столкновений в течение релаксационных

149 процессов возможно образование новых ковалентных связей между основными плоскостями микрокристаллов графита за счет внедрения атомов углерода в межплоскостное пространство, что приводит к структурной трансформации этой модификации в алмазоподобную.

II.Под действием среднеэнергетического ионного облучения улучшаются механические свойства углеродных пленок (снижаются внутренние напряжения, увеличивается адгезия и износостойкость) без существенного ухудшения оптических свойств независимо от их структурной модификации. Основным параметром, определяющим структурную перестройку в процессе ионной имлантации ЛИО пленок а-С, является число смещенных атомов на внедренный ион.

Автор выражает искреннюю благодарность В.Н.Неволину и В.Ю.Фоминскому за постоянное внимание и большую помощь на всех этапах работы.

148 ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертации проведен комплекс исследований по определению влияния низко- и среднеэнергетического ионного облучения на структурообразование и свойства слоев MoSx и а-С, формируемых методом лазерного импульсного осаждения в высоком вакууме и атмосфере буферного газа. Для проведения данных исследований была разработана и создана двухмодульная экспериментальная установка, позволяющая проводить лазерное осаждение с прецизионно варьируемыми параметрами: плотностью энергии лазерного излучения, температурой подложки, скоростью осаждения и давлением газов в камере осаждения. Функциональные характеристики экспериментальной установки позволяют разрабатывать новые перспективные технологии модификации поверхностных свойств различных материалов и проводить фундаментальные исследования.

1. Spalvins Т. A review of recent advances in solid film lubrication // J. Vac. Sci. Technol. - 1987. - Vol.A5<2) -P.212-21.9.

2. Mikkelsen N.J. and Sorensen G. Ion beam modification of MoSx films on metals // Materials Science and Ehgineering.- 1989. Vol.A115. -P.343-347.

3. Быковский В.Ю., Неволин B.H., Фоминский В.Ю. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов. М.: Энерго-атомиздат, 1991. - 240 с.

4. Bhatacharya R.S., Rai А.К., Irdemir A. High energy ion beam modifications of sputtered MoS2 coatings on sapphire // Nucl. Instr. & Meth. Rhys. Res. 1991. - Vol.B59/60. -P.788-792.

5. Mikkelsen N.J. Formation and modification of solid lubricating layers by ion beam techniques: Thesis of Ph. D. degree in Physics. Denmark. - 1991. - 135 p.

6. Fleischauer P.D. fundamental aspects of the electronic structure, materials properties and lubrication performance of sputtered MoS2 films. // Thin solid films. 1987. - Vol.154.- P.309-322.

7. Sunf W., Gribi P., Levi Г. Low-energy ion bombadment induced anisotropy in sputtered MoS2x thin films // J. Phys. D: Appl. Phys. 1989. Vol.22. - P.1210-12167.

8. Kuwano H., Nagai K. Trietion-reducing coatings by dual fast atom beam technique // J. Vac. Sci. Technol. 1986. -Vol.A4(6). - P.2993-2996.

9. Звонков С.А., Маркеев A.M., Неволин B.H., Фоминский

10. B.Ю., Хоконов А.С., Щавелин В.М. Влияние ионного облучения на структуру и свойства покрытий на основе дихалькогенидов тугоплавких металлов // Материалы IX Всесоюзн. конф. "Взаимодействие атомных частиц с твердам телом". М., 1989.1. C.99-102.

11. Семенов А.П. Создание износостойких и антифрикционных покрытий и слоев на поверхностях трения деталей машин новыми методами // Трение и износ. 1982. - Том -3.- №3. - C.40I-4II.

12. Stupp B.C. Synergistic effects of metals co-sputtered with MoS2 //Metallurgical & protective coatings. 1981. - Vol.84. - P.257-266.

13. Buck V. Preparation and properties of different types of sputtered MoS2 films // Wear. 1987. Vol.114. - P.263-274.

14. Eleischauer P.D. Effect of crystallite orientation enviromental stability and lubrication properties of sputtered MoS2 thin films // ASLE Transactions. 1983. - Vol.27(1). -P.82-88.

15. Hilton M.R., Bauer R., Fleischauer P.D. Tribological performance and deformation of sputter-deposited MoS2 solid lubricant films during sliding wear and indentation contact // Thin solid films: 1990. - Vol.188. - P.219-236.

16. Muller C., Menoud C., Maillat M., Hintermann H.E.

17. Thick compact MoS2 coatings // Surface & Coatings Thechnology. 1988. - Vol.36. - P.351-359.

18. Buck V. Structure and density of sputtered MoS2-films // Vacuum. 1986. - Vol.36. - P.89-94.

19. Donnet C., Mogne Th., Martin J.M. Superlow friction of oxygen-free MoS2 coating in ultrahigh vacuum // Surface and coatings Technology. 1993. - Vol.62. - P.406-411.

20. Семенов А.П., Ноженков M.B. К вопросу о .механизме смазачного действия твердых антфрикционных материалов // Трение и износ. - 1984. - Том.5. - №3. - С.408-416.

21. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электроннными пучками: Пер. с англ. / Под ред. Лж.М.Поута, Г.Фоти, Д.К.Джекобеона. М.: Машиностроение, 1987. - 424 с.

22. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: Сб. статей 1988-1987 гг. Пер. с англ. / Сост.

23. Е.С.Машева. M.: Мир, 1989. - 349 с.

24. Rossnagel S.M. & Cuomo J.J. Ion beam bombardment a effect during film deposition // Vacuum. 1988. - Vol.38. -P.73-81.

25. Stelmack I.A., Thurman C.T. & Thompson G.R. Review of ion-assisted deposition: research to prodaction // Nucl. Instr. & Methods in Phys. Res. 1989. - Vol.B3T/38. -P. 787-793.

26. Hubler G.K., Carosella C.A., Donovan I.P. et al. Physical aspects of ion beam assisted deposition // Nucl. Instr. & Methods in Phys. Res. 1990. - Vol.B46. - P.384-391.

27. Rossnagel S.M. & Cuomo J.J. Film modification by low energy ion bombardment during deposition // Thin Solid Films.- 1989. Vol.171. - P.143-156.

28. Parmigiani F., Kay 1., Huang Т.е., Swalen J.B. Interpretation of the noribulklike optical density of thin cohher films grown under ion bombardment // Applied Optics. -1985. Vol.24. - P.3335-3341.

29. Huang T.C., Lim G., Parmigiani F., Kay E. Structure and properties of thin solid films formed under ion bombardment. // J. Vac. Sci. Technol. 1985. - Vol.A43. -P.2161-2166.

30. Parmigiani F., Kay E., Huang Т.е., Perrin J. Optical and electrical properties of thin silver films grown under ion bombarment // Phys. Rev. B. 1986. - Vol.33. - P.879-888.

31. Hoffman B.W., Gaerttner M.R. Modification of internal stresses in Gr films by ion irradiation. // J. Vac. Sci. Technol. 1980. - Vol.17. - P.725-731.

32. Martin P.J., Netterfield R.P., Sainty W.G., Pacey C.G. The preparation and characterization of optical thin films produced by ion-assisted deposition // J. Vac. Sci. Techno1. 1984. - Vol.A2. - P.341-345.

33. Hentzell H.Ï.G., Harper J.M.E., Cuomo J.J. Synthesis of compound thin films by dual ion beam deposition. II. Properties of aluminum-nitrogen film // J. Appl. Phys. 1985. - Vol.58. - .P.556-563.

34. Правяничус Л., Дудонис Ю. Модификация свойств твердых тел ионными пучками. Вильнус: Мокслас, 1980. - 242 с.

35. Hirsh Е.Н., Varga I.K. Thin film annealing by ion • bombardment // Thin solid films. 1980. - Vol.69. - P.99-105.

36. Wolf G.K. Modification of chemical surface properties by ion beam assisted deposition // Nucl. Instr. & Methods in Phys. Res. 1990. - Vol.B46. - P.369-378.

37. Комаров Ф.Ф., Новиков À.П. Ионно-лучевое перемешивание при облучении металлов. В сб. "Итоги науки и техники". Серия: пучки заряженных частиц и твердое тело. -ВИНИТИ, 1993. - Том 7. - С.54-82.

38. Wolf G.K., BarthM., Ensinger W. Ion beam assisted deposition for metal finishing // Nucl. Instr. & Methods in Phys. Res. 1989. - Vol.B37/38. - P.682-687.

39. Brighton D.R., Hubler G.K. Binary collission cascade prediction of critical arrival ratio in the production of thin films with reduced intrinsic stresses // Nucl. Instr. & Methods in Phys. Res. 1987. - Vol.B28. - P.527-533.

40. Dobrev D. Ion-beam-induced texture formation in vacuum-condensed thin metal films // Thin solid films. 1982.- Vol.92. P.41-53.

41. Fominskii V.Yu., MarkeevA.M., Nevolin V.N. Pulsed ion beams for modification of metal surface properties // Vacuum. 1991. Vol.42. - P.73-74.

42. Pimbert-Michaux S., Chabrol C., Denanot M.F., Delafond J. Structure and properties of titanium carbide grown by dynamic ion beam mixing // Materials Science & Engineering.- 1989. Vol.A115. - P.209-216.

43. Mikkelsen N. J., Ghevallier J., Sorensen G., Straede C.A. Friction and wear measurements of sputtered MoSx films amorphized by ion bombardment // Appl. Phys. Lett. 1988. -Vol.52(14). - P.1130-1132.

44. IlmanB.S., Dresselhaus M.S., Dresselhaus G., Maby E.W., Mazurek H. Raman scattering from ion-implanted graphite // Physical Review B. 1981. - Vol.24(2). - P.1027-1034.

45. Weissmantel C., Breuer K., Winde B. Hard films of unusual microstrueture // Thin Solids Films. 1983. -Vol.100. - P.383-389.

46. Sato S., Watanabe H., Takahashi K., Abe Y., Iwaki M. Electrical conductivity and raman spectra of C+-ion implanted dimond depending on the target temperature // Nucl. Instr. & Methods in Phys. Res. 1991. - Vol.B59/60. - P.1391-1394.

47. Fujimory S., Nagai K. The effect of ion bombardment on carbon films prepared by laser evaporation // Japanese J. Appl. Phys. 1981. - Vol.20(3). - P.L194-L196.

48. Donley M.S., Murray P.T., Barber S.A., Haas T.W. Deposition and properties of MoS2 thin films grown by pulsed laser evaporation // Surface and coatings Technology. 1986.- Vol.36. P.329-340.

49. Walck S.D., Zabinski J.S., Donley M.S., Bultman J.E. Evolution of surface topography in pulsed-laser-deposited thin films of MoS2 // Surface and coatings Technology. 1993. Vol.62. - P.412-416.

50. Davanloo E., Juengerman E.M., Jander D.R., Lee T.J., Collins C.B. Amorphic diamond films produced by a laser plasma source // J. Appl. Phys. 1990. - Vol.67(4). P.2081-2087.

51. Marquardt C.L., Williams R.T., Nagel D.J. Deposition of amorphous carbon films from laser-produced plasmas // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1985. - Vol.38. - P.325-335.

52. Быковсий Ю.А., Козленков В. П., Николаев И.Н., Чарышкин Е.В.Д Чистяков А.А. Лазерное напыление тонких ' алмазоподобных пленок // Поверхность. Физика, химия, механика.- 1990. №4. - С.145-149.

53. Malshe А.P., Kanetkar S.M., Ogale S.B., Kashirsagar S.T. Pulsed laser deposition of diamondlike hydrogenated amorphous carbon films // J. Appl. Phys. 1990. - Vol.68{11).- P.5648-5652.

54. Dieleman J., van de Riet E., Kools C.S. Incongruent transfer in laser deposition of EeSiGaRu thin films // J. Appl. Phys. 1993. - Vol.73(12). - P.8290-8296.

55. Chu W.K., Mayer W., Nicolet M.A. Backscattering Spectrometry. New York. Academic Press, 1978. - 384 p.

56. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989. 344 с.

57. Бабикова Ю.Ф., Грузин П.Л., Петрикин Ю.В. Электронная ЯГР-спектроскопия. М.: МИФИ, 1985. - 79 с.

58. Goranchev В., Schmidt К., Reichelt К. Compressiv stress of thin cubic BN films prepared by r.f. reactive sputtering on r.f.-biased substrates // Thin Solid Films. -1987. Vol.149. - P.L77-L88.

59. Корнейчук В.И. Кинетика ионизации и рекомбинации лазерной плазмы как источника ионов в твердотельной масс-спектрометрии: Дис. . канд.физ.-мат.наук. М.: НИИМ им. Малинина А.Ю., 1985. - 144 с.

60. Менушенков А.П., Неволин В.Н. Лазерная технология. Часть I. М.: МИФИ, 1992. - 180 с.

61. Mclnture N.S., Spevack P.А., Beamson G., Briggs D. Effect of argon ion bombardment on basal plane and polycrystalline MoSz // Surface Science letters. 1990. Vol.237. - P.1390-1397.

62. Быковский Ю.А., Неволин В.Н. Лазерная масс-спектрометрия. М.: Энергоатомиздат, 1985. - 128 с.

63. Неволин В.Н. Импульсные ионные пучки из лазерной плазмы в масс-спектрометрии и имплантации твердых тел: Дис. . д-ра физ.-мат.наук. М.: МИФИ, 1986.

64. Лазнева Э.Ф., Турнев A.M. Установка для одновременного масс- и знергоанализа продуктов десорбции, возбуждаемой импульсным лазерным излучением // ПТЭ. 1984. -№4. - С.125-127.

65. Dieleman J., van de Riet I., Kools G.S. Laser ablation deposition: mechanism and application // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. - Vol.31. - P.1964-1971.

66. Кигтель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. - 791 с.

67. Spalvins Т. Erictional and morphological proporties of Au-MoS2 films sputtered from a compact target // Thin solid films. 1984. - Vol.118. - P.375-384.

68. Mills K.S. Thermodynamic data for ' inorganic sulphides, selenides and tellurides. Butterworth, 1974, 738 p.

69. Неволин B.H., Фоминский В.Ю., Маркеев A.M., Прокопенко В.Б., Звонков С.А., Щавелш В.М. Лазерно-плазменное и ионно-стимулированное осаждение антифрикционных и износостойких покрытий. Препринт 018-91. М.: МИФИ, 1991, - 20 с.

70. Неволин В.Н., Фоминский В.Ю., Прокопенко В.В., Маркеев A.M., Врублевский А.Р., Куликаускас B.C. Ионно-стимулированное структурообразование и формирование химических связей в системе MoSx/Ee. Препринт 020-92. М.: МИФИ. - 1992. - 24с.

71. Неволин В.Н., Фоминский В.Ю., Вьюков Л.Н., Мишачев В.И.Маркеев A.M., Прокопенко В.В., Тростина Л.К. Ионно-стимулированное формирование функциональных слоев втонкопленочных технологиях // Электронная промышленность. -1992. №3. - С.18-19.

72. Fominski V.Yu., Markeev A.M., Nevolin V.N., Prokopenko V.B., Vrublevski A.R. Pulsed laser deposition of MoSx films in a buffer gas atmosphere // Thin solid films. 1994. Vol.248. - P.240-246.

73. Даниэль М.И. Процессы столкновения в ионизованных газах. М.: Энергоатомиздат, 1967. - 342 с.

74. Girault G., Damiani D. Influence of oxygen pressure on the characteristics of the KrF laser-induced plasma plume created above on YBaCuO superconducting // Appl. Phys. Lett. -1989. Vol.54(10). - P.954-962.

75. Zheng J.P., Ying G.X. Role of the oxygen atomic beam in low-temperature growth of superconducting films by laser deposition // Appl. Phys. Lett. 1989. Vol.54(5).1. P.186-189.

76. Girault G., Damiani D. Time-resolved spectroscopic study of the KrF laser-induced plasma plume created above on YBaCuO superconducting target // Appl. Phys. Lett. 1989. -Vol.55(2). - P.182-187.

77. Anan'in O.B., Bykovskii Yu.A., Eremin Yu.V. Zhuravlev A.A., Lyubchenko O.S., Novikov I.K., and Frolov S.P. Interaction of one and two lobes of laser-produced plasma with rarefied gas // Laser Physics. 1992. - Vol.2, - №5, -P.711-721.

78. Alimpiev S.S., BelovM.E., Mlinsky V.V., Nikiforov S.M., Romanjuk V.I. Negativ ion emission during laser ablation of multicomponent materials // Appl. Phys. 1994. - Vol.A58.- P.67-72.

79. Ананьин О.Б., Быковский Ю.А., Млынский В. В., Ступицкий Е.Л. Спектральные и масс-спектральные исследования разлета лазерной плазмы в разреженный газ // Квантовая электроника. 1989. - Т.16. - №11. - С.2267-2270.

80. Васьковский Ю.М., Моисеев В.П., Ровинский В.Е., Ценина Е.С. Лазерная плазма при пониженных давлениях воздуха // Квантовая электроника. 1993. - Т.20. - №1. - С.51-56.

81. ZabinskiJ.S., George Т., Tatarchuk B.J. Interfacial analysis of tribological systems containing molibdenum disulfide and iron using XPS and CEMS // Thin Solid Films. -1989. -Vol.181. -P.485-495.

82. Singh O.P., Gupta U.P. Electronic Properties of iron chalcogenides FeS, FeS2, FeSez, and FeTez // Phys. Stat. Sol.- 1986. Yol.135b. - P.249-252.

83. Josb.ee R., Phase D.M., Ghaisas S.V. et al. Conversion electron Mossbauer spectroscopic study of ion-beam mixing at Ге-Мо interface // J. Appl. Phys. 1986. - Vol.59<2). P. 388-394.

84. Ge S.H., Li C.X., Wang Z.Y. et al. Structure and interface studies of Fe/Mo Multilayered films // Phys. Stat. Sol. 1986. - Vol.127b. - P.397-404.

85. Moser J., Levy P. Random stacking in MoS2x sputtered thin films // Thin Solid Films. 1994. - Vol.240. - P.56-69.

86. Люпис К. Химическая термодинамика материалов. М.: Металлургия, 1989. - 375 с.

87. Неволин В.Н., Фоминский В.Ю., Прокопенко В.Б., Маркеев A.M., Врублевский А.Р., Куликаускас B.C. Ионно-лучевое перемешивание и формирование химических связей на границе MoS/57Fe. // Поверхность. 1994. - ЖЕ. - С.85-91.

88. Tsai Н., Bogy D.B. Critical review. Characterization of diamondlike carbon films and their application as overcoatson thin-film media for magnetic recording // J. Vac. Sci. Techno1. 1987. - Vol.A5(6). - P.3287-3313.

89. Wagal S.S., Juengerman E.M., Collins C.B. Dimond-like carbon films prepared with a laser ion source // Appl. Phys. Lett. 1988. - Vol.53(3). - P. 187-188.

90. Eominskii V.Yu., Markeev A.M., Neyolin V.N., Prokopenko V.B., Triphonoy A.Yu. Strue ture format ion in amorphous carbon films under intermediate energy ion bombardment // Vacuum. 1993. - Vol.44. - P.873-877.

91. Ананьин О.Б., Быковский Ю.А., Замышляев Б.В., Гузь А.Г., Ступицкий Е.Л., Худавердян A.M. Спектральные исследования углеродной лазерной плазмы, разлетающейся в фоновую среду // Физика плазмы 1983. - Т.9(2). - С.319-325.

92. Фоминский В.Ю., Прокопенко В.В., Маркеев A.M. Особенности структурообразования и свойства тонких пленок металлов и алмазоподобного углерода при импульсном лазерном осаждении // Конверсия. 1995. - №11. - С.40-42.

93. Маркеев A.M., Неволин В.Н., Прокопенко В. В., Фоминский В.Ю. Структурообразование в аморфных углеродных пленках под действием ионов средних энергий // Материалы X Всесоюзной конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью". -Звенигород. 1991. - C.9-II.