Теоретическое исследование газовых разрядов, используемых в плазменной микротехнологии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.08 ВАК РФ

РГ6 од

ЮАПР.ЮОЗ

' МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. М.В.ЛОМОНОСОВА

' НАУЧНО-ИССадОВАТЕЯЬСКШ ИНСТИТУТ ЯДЕРНОЙ ФИЗИКИ

На правах рукописи УДК 537.525

СУКГИН Николай Владиславович

ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ГАЗОВЫХ РАЗРЯДОВ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В ПЛАЗМЕННОЙ ШКРОТЕХНОЛОГИЙ

01.04.08 - физика и химия плазмы

Автореферат Диссертации на соискание ученой степени доктора физико-мэтемагических наук

Москва - 1993

Работа выполнена в НИИ ядерной физики Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова.

Официальные оппоненты: Доктор физико-математических наук, профессор

Ю.К. Земцов (ТРИНИТИ)

Доктор технических наук, профессор

А.А. Орликовский (ФТИ РАН)«

Доктор физико-математических наук, профессор

Э.Е.Сон (МФТИ)

Ведущая организация: НИИЭФА им. Д.В.Ефремова

Защита состоится « ^ Ь » заседании • специализированного

1993 г. в ^^часов на Совета № Д 053.05.80 б

Ученого

Московском государственном университете им. М.В.Ломоносова ( Москва 119899, Ленинские горы, 19 корпус, ШШФ МГУ, ауд. 2-15 ) С диссертацией южно ознакомиться в библиотеке НИИЯФ МГУ

Автореферат разослан « & >>с<-*У|

,1993 Г.

Ученый секретарь Специализированного Совета кандидат физико-математических наук

В.В.Радченко

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Акт^альность_теш_аиссе2тацш. Вновь резко возросший за последае годы интерес к исследованиям в области физики газовых разрядов обусловлен в большой степени их широким использованием в производстве современных интегральных схем. Плазменные методы обработки полупроводников - плазменное травление, окисление, очистка, напыление и осаждение пленок, - позволяют получать микроструктуры высокого качества, удовлетворяющие современным требованиям к степени интеграции, надежности, выходу годных изделий. Это связано с тем, что плазма газового разряда является сильно термодинамически неравновесным объектом, богатым источником ионов и химически активных ' частиц, благодаря чему, собственно, и появляется возможность управлять различными физическими параметрами в какой-то мере независимо, а следовательно, целенаправленно изменять технологический режим плазменой обработки.

Развитие современной микротехнологии предъявляет все более высокие требования к пониманию физических процессов, протекающих как в плазме газового разряда, так и при взаимодействии плазмы с поверхностью. Особую роль в решении этой задачи играет теоретическое моделирование плазменных процессов в технологических устройствах, что обусловлено сложностью (а часто и невозможностью ) экспериментального измерения некоторых плазменных параметров. Однако анализ физических процессов и, соответственно, уравнений, которые описывают поведение низкотемпературной плазмы газовых разрядов низкого давления, представляет собой крайне сложную задачу. По этой причине очень важным является развитие соответствующих численных моделей, развитие новых методов расчетов и разработка упрощенных

з

подходов к описанию процессов в разрядах пониженного давления. Важно также выявить новые методы упраления наиболее существенными для технологии плазменными характеристиками.

Целью_настоящей_®ссертащи- является теоретическое исследование различных видов газовых разрядов, которые либо уже широко используются, либо рассматриваются как перспективные источники плазмы для микротехнологии; выяснение наиболее существенных физических процессов, определяющих важнейшие для технологии параметры плазмы и поиск способов эффективного управления-ими; построение самосогласованной модели высокочастотного плазмохимического реактора и применение ее для описания конкретных технологических процессов травления и осаждения; исследование влияния поперечного магнитного поля на основные параметры высокочастотных разрядов как в электроположительных так и в электроотрицательных газ.ах..

Практическая ценность проведенных исследований связана с развитием современной технологии микроэлегроники, все более широким использованием плазменных процессов практически на всех наиболее» выжных этапах, таких как травление, осаждение, окисление различных пленок, очистка поверхностей, удаление резиста, а также плазменная пассивация различных дефектов. Скорость и качество проведения всех этих процессов определяются величиной и составом потока активных частиц из плазмы на обрабатываемую поверхность. Понимание физических процессов протекающих как в объеме плазмы, так и на границе взаимодействия плазмы с обрабатываемой поверхностью позволит надежно управлять технологическим процессом и проводить его оптимизацию.

В диссертации рассмотрены задачи, в которых удается выделить для исследования те или иные группы процессов, при этом изменение

остальных параметров можно не учитывать. Например, часто можно не рассматривать химические превращения, либо учитывать их очень опосредованно , как в магнетронным высокочастотном разряд - МВЧР - или в разряде постоянного тока в и при фиксированном химмическом составе изучать особенности электродинамики таких разрядов. В качестве же примера такойзадачи, где важны химические процессы, рассмотрена проблема осаждения алмазоподобных пленок, для решения которой необходимо связать электродинамические процессы, протекающие в оСеме плазмы, с химическими превращениями в об'еме и на границе плазмы с поверхностью.

1.Впервые реализована согласованная численная модель самостоятельн ого высокочастотного разряда (ВЧР) повышенного давления (столкко-вительной диффузией пренебрегаем) мегагерцевого диапазона частот. На основе этой модели проведены расчеты ВЧР в азоте и модельном

. электроотрицательном газе.

2.Развита численная модель ВЧР низкого давления в электроотрицательных газах. Проведенные нами численные исследования показали, что ВЧ-разряд в молекулярном хлоре имеет сложную, далеко неоднородную пространственную структуру, которая к тому же при определенных параметрах может периодическименаться с характерным временем,обусловленным процессами прилипания электронов, уходом ионов из приэдёктродных областей.

3. Построена самосогласованная модель планарного плазмохимического реактора с ВЧ-возСуждением, учитывающая кинетику радикалов и нагрев газа. Модель хорошо согласуется с экспериментом. Созданная модель позволяет выявлять наиболее важные процессы,

протекающие при травлении, что может способствовать созданию упрощенных моделей и оптимизировать проведение экспериментов.

4. Численная самосогласованная модель высокочастотного разряда в смеси водород - метан позволила найти источники рождения ионов и радикалов, а также потоки заряженных и нейтральных частиц на поверхность. Предложенная модель позволяет исследовать механизм роста углеродных и алмазоподобных пленок.

5.Впервые построена численная самосогласованная модель, которая описывает свойства магнетронного высокочастотного разряда (МВЧР) в широком диапазоне параметров: давления, магнитного поля, приложенной мощности, в разных типах газов. На основе численного моделирования проанализировано влияние магнитного поля на характер движения электронов и ионов, на энергетический спектр ионов, бомбардирующих электрод; на возникновение напряжения автосыещения; на роль т- электронов и т.д. Исследовано влияние магнитного поля на интегральные характеристики разряда.

6.Построена аналитическая модель МВЧР, которая позволила описать качественные характеристики энергетического спектра ионов, бомбардирующих электрод, а также исследовать устойчивость МВЧР при низком давлении.

7. Предложен и реализован эффективный и наглядный метод расчета функции распределения электронов в сильных и неоднородных электрических полях. На основе этого метода построена теоретическая модель открытого разрряда (ОР), которая позволяет объяснить основные закономерности поведения ОР, предсказать многие трудноизмеряемые параметры, например, вид ФРЭ.

8. Численная квазигидродинамическая модель положительного столба

б

разряда постоянного тока в сильноэлектроотрицательном газе (сг4) использована для анализа роли отрицательных ионов и возникающей пространственной нелокальности функции распределения электронов по энергии.

Апробация_работы_.

Результаты работы докладывались на и и ш Всесоюзных совещаниях по физике электрического пробоя газов ( Тарту 1984 и 1989 ); hi ,iv Всесоюзных конференциях по физике газового разряда ( Киев 1986, Махачкала 1988); 1Х,Х И XI ESCAMPIG ( Lisbon 1988, Orleans 1990, St.-Peterburg 1992); XX ICPIG ( Pisa 1991 ); III DIAMOND (

Heidelberg 1992 ); viii Всесоюзной конференции по физике низкотемпературной плазмы ( Минск 1991 ); ш Межрегиональном совещании "Тонкие пленки в электронике", Межотраслевом научно-техническом семинаре "Физические основы и новые направления плазменной технологии в микроэлектронике" ( Харьков 1989 ); vii Международной конференции по микроэлектронике ( Минск 1990 ); Всесоюзном совещании "Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах ( Ярославль 1990 ), I, Ii,- hi и IV Всесоюзном семинаре по физическим основа плазменной и лазерной микротехнологии ( Туапсе 1989, 1990, 1991, 1992) а также на начных семинарах НИИЯФ МГУ, ИОФАН, ФТИАН, ШМ, СПГТУ, Института физической химии РАН.

стр£кт^ва_диссертации.

Диссертации состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Объем диссертации - 217 страниц, список литератур содержит 130 ссылок. Специальная обзорная глава отсутствует, ссылки и анализ необходимых работ включены в текст.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во__введении дано обоснование теш диссертации, показана ее

актуальность, сформулированы основные вопросы, рассмотренные в диссертации, кратко изложено ее содержание.

Первая глава посвящена исследованию пленарных высокочастотных разрядов (ВЧР) мегагерцевого диапазона частот. В разделе 1.2 приведе численная модель высокочастотного разряда, впервые проведены расчеты самостоятельного высокочастотного разряда мегагерцевого диапазона частот по самосогласованной модели в азоте и в модельном электроотрицательном газе. Показано, что вынужденная амбиполярная диффузия может играть важную роль и приводит к формированию диффузионных профилей ионов даже при повышенном давлении газа. В разделе 1.3 построена упрощенная аналитическая модель ВЧР. Основой для упрощения является разная подвижность электронов и ионов, что позволяет описывать движение ионов в средних за период электрических полях. Такой подход позволяет получить в ряде случаев аналитическое описание ВЧР.

В разделе 1.4 развита численная модель ВЧР низкого давления, в электроотрицательных газах. Проведенные численные исследования показали, что ВЧ-разряд в молекулярном хлоре имеет сложную, далеко неоднородную пространственную структуру, которая к тому же при определенных параметрах может периодически меняться с характерным временем,обусловленным - процессами прилипания электронов, уходом ионов из приалектродных областей. На основе рассмотренного подхода построена самосогласованная модель планарного плазмохимического реактора с ВЧ-возбуждением, учитывающая кинетику радикалов и нагрев

газа. Модель хорошо согласуется с экспериментом.

В главе 2 моделируется процесс осаждения углеродных и алмазо-подооных пленок с помощью плазмы ВЧ разряда в смесях водород-метан.

В разделе 2.1 приводится обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных осавдению АШ с помощью углеродосодержащей плазмы, создаваемой термически или с помощью ВЧ разряда.

В разделе 2.2 обсуждается система уравнений, описывающих ВЧ разряд в смеси водород-метан и осаждение АШ. Она делится на две части в соответствии с масштабами характерных времен: "быстрая" часть - установление электродинамических параметров разряда, и "медленная" - установление химического равновесия.Рассматривается система уравнений для моделирования ВЧ разряда: для электронов -уравнение непрерывности и уравнение на среднюю энергию электронов < граничные условия для электронов записаны с учетом т-процессов на электродах); для'ионов ( положительный ион водорода, положительный ион метана и отрицательный ион метана) - используется гидродинамическое приближение; для электрического поля - уравнение сохранения полного тока. В этом же разделе описывается система уравнений для моделирования химических превращений: для 19 нейтральных компонент и 19 ионных компонент записаны уравнения•с учетом 78 химических реакций, электронных источников рождения радикалов и ионов и диффузии частиц к электродам.

В разделе 2.3 обсуждаются результаты моделирования ВЧ разряда в смеси водород-метан ( давление I+IO Тор, и/2л = 13,56 МГц, [н2]:[сн4] = i:i ). Высказана гипотеза, что переход от осаждения гранитной фазы к осаждению алмазной фазы при снижении давления, наблюдаемый экспериментально, может быть связан с переходом от

разряда а-типа к разряду ?-тша, происходящем в численном эксперименте - примерно при том же давлении. Здесь же приводятся результаты моделирования химической кинетики плазмы ВЧ разряда в смеси водород-метан: расчитан состав активных частиц и скорости осаждения пленки. Сделан вывод о том, что основным радикалом, определяющим скорость роста пленки, является метиловый радикал сн3.

Третья глава посвящена моделированию магнетронного высокочастотного разряда (МВЧР). Впервые построена численная самосогласованная модель МВЧР в электроположительном и электроотрицательном газе как в диффузно-дрейфовом, так и в гидродинамическом приближениях. Исследованы поведение основных характеристик разряда (распределение концентраций заряженных частиц, электрического поля, скоростей рождения частиц).напряжения автосмещения и спектр ионов, бомбардирующих электроды, а также проанализирована устойчивость МВЧР при низком давлении.

В разделе 3.1 проводится обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященньгхх МВЧР и его использованию в микротенологии.

Раздел з.2 посвящен описанию электронной компоненты МВЧР: показано, что при определенных условиях на давление газа и величину магнитного поля функция распределения электронов (ФРЭ) является пространственно локальной и зависит только от среднеквадратичного значения электрического поля в данной точке. Получено уравнение для ФРЭ, позволяющее затабулировать зависимости констант взаимодействия электронов с нейтральными частицами, а также подвижность и коэффициент диффузии электронов от электрического поля, и уравнение непрерывности для концентрации электронов с учетом поляризационного дрейфа.

ю

В разделе з.з система уравнений, описывающих МВЧР, дополняется уравнениями непрерывности для концентрации ионов, с потоками, записанными в диффузно-дрейфовом приближении (ДЩ1), и уравнением сохранения полного тока для наховдения электрического поля в разряде.

Полученная система уравнений применяется для описания МВЧР в гелии ( разряд горит мевду двумя коаксиальными электродами радиусов 4 и 7 см с магнитным полем н, направленным вдоль оси электродов; давление газа * 0,1 Тор; н = 100+1000 Гс; и/2 л = 7,1 МГц), Показано, что как и в обычном ВЧ разряде, в об'еме плазма квазинейтраль-на, а около электродов существуют области, обедненные электронами с усиленным электрическим полем. Однако в случае МВЧР это обусловлено не дрейфом, а диффузией электронов: в силу замагниченности электронов их подвижность меньше, чем подвижность ионов, тогда как коэффициент диффузии электронов больше, чем у ионов, так как температура электронов существенно превышает ионную. Анализируется влияние магнитного поля на энергию, вкладываемую в разряд ( существует некоторое оптимальное значение магнитного поля, при котором энерговклад максимален: это связано с тем, что при увеличении магнитного поля потери электронов уменьшаются обратно пропорционально квадрату магнитного поля, а скорость ионизации падает экспоненциально), на образование напряжения автосмещения ( оно меняет знак при величинах магнитного поля таких, что и подвижность, и .коэффициент диффузии электронов становятся меньше соответствующих ионных коэффициентов). Указывается на снижение роли г-электронов в МВЧР.

В третьей главе также исследован МВЧР в электроотрицательном газе - хлоре. Показано, что несмотря на низкое давление ( а 0,1 Тор ) возможно горение разряда в прилипательном режиме ( в обычном ВЧ

разряде этот режим осуществляется при давлениях > 1+10 Тор ). Это связано с подавлением диффузионных потерь электронов магнитным полем: электроны существуют лишь в области сильного поля, где скорость ионизации больше скорости прилипания, и не проникают в оставшуюся часть разряда.

Применение ДЩ для описания движения ионов является корректным лишь при не слишком низких давлениях - когда длина свободного пробега иона много меньше характерных размеров неоднородности и частота столкновений ионов с нейтральными частицами много больше частоты электрического поля. Для описания движения ионов при низком давлении в разделе 3.4 используется гидродинамическое приближение (ГП):урав-нение Эйлера для радиальной и азимутальной скоростей ионов, а также уравнение сохранения полной энергии иона.

На основании ГП вычисляются спектры ионов, бомбардирующих электрод в МВЧР; анализируется влияние давления, величины магнитного поля и приложенного тока на параметры спектра ионов как численно, так и на основании аналитической модели приэлектродного слоя МВЧР.

Проанализирована устойчивость горения МВЧР в электроотрицательном газе при низком давлении, когда можно пренебречь столкновениями ионов с нейтральными частицами. Вычисляются инкременты неус-тойчивостей, связанных с фпуктуациями концентрации ионов.

Е_четвертой__главе развита кинетическая модель открытого разряда, рассмотрены перспективы его использования в микротехнологии. В разделе 4.2 кратко проанализированы различные подходы, использующиеся для расчетов функции распределения электронов по скоростям в случае ее сильной анизотропии. Предложен и продемонстрирован эффек-

гивный и наглядный метод расчета функции распределения электронов в сильных и неоднородных электрических полях. С помощью этого метода проведены тестовые расчеты для случая постоянного поля, а также согласованные расчеты приэлектродного слоя разряда постоянного тока. В разделе 4.3 построена теоретическая модель открытого разряда, которая позволяет объяснить основные его закономерности.В частности, расчитан вид функции распределения электронов в различных частях открытого разряда, расчиганы распределения плотности заряженных частиц, их токов и электрических полей.

Пятая глава посвящена исследованиям разряда постоянного тока в широко используемом сильноэлекгроотрицательном газе - сг4 при низком давлении. Такого рода разряды активно используются для изучения плазмохнмических процессов, протекающих в многокомпонентных химических средах при плазменном возбуждении. На основе численной модели проанализирована роль отрицательных ионов и влияние пространственной нелокальности функции распределения электронов по энергии на наиболее выжные параметры разряда постоянного тока.

В разделе 5.1 дается обзор литературы по построению аналитических и численных моделей ПС РПТ в сильно- электроотрицательных газах; обосновывается выбор в качестве моделируемого газа тетрэ-фторметана: два разных типа ионов, малая роль продуктов разложения газа в широком диапазоне параметров, возможность пренебречь отлипанием электронов.

В разделе 5.2 описывается система уравнений для моделирования ПС РПТ в тетрафторметане: уравнения непрерывности для концентраций заряженных частиц, уравнение Пуассона для радиального электрического поля ( разряд в трубке ) и уравнение для нахождения средней

энергии электронов - это уравнение позволяет учесть эффекты пространственной нелокальности, если считать, что коэффициент ионизации, прилипания, подвижность и коэффициент диффузии электронов являются функциями только их средней энергии.

В разделе 5.3 обсуждаются результаты расчетов по описанной гидродинамической модели ПС РШГ в тетрафторметане при радиусе трубки 0,9 см, давлениях 0,32 + 7 Тор и токах 10 + 50 мА. Показано, что наличие отрицательных ионов приводит к существенному отличию радиальных профилей от "классических" бесселевых и расслоению на области ион-ионной и электрон-ионной плазмы, обедненной отрицательными ионами с нарушением квазинейтральности. Такое распределение заряженных частиц не удается интерпретировать в терминах амбиполярной диффузии.

Исследовано влияние выбора граничных условий для концентрации электронов; демонстрируется развитие ионизацконно-перегревной неустойчивости при повышенном давлении.

В разделе 5.4 анализируется степень некорректности при описании скорости ионизации через среднюю энергию электронов. Путем решения уравнения Больцмана для ФРЭ в двучленном приближении с учетом пространственных производных: показано, что для в ПС РПГ при низком давлении необходим кинетический подход.

' ё_заключении приведены основные выводы и результаты работы. I.Впервые проведены численные исследования самостоятельного высокочастотного разряда мегагерцевого диапазона частот для давления, когда столкновительной диффузией можно пренебречь. На основе предложенной модели проведены расчеты ВЧР. в азоте и модельном электроотрицательном газе. Показано, что вынужденная амбиполярная

диффузия может играть важную роль и приводит к формированию диффузионных профилей ионов даже при повышенном давлении газа.

2.Развита численная модель ВЧР низкого давления в электроотрицательных газах. Проведенные численные исследования показали, что ВЧ-разряд в молекулярном хлоре имеет сложную, далеко неоднородную пространственную структуру, которая к тому же при определенных параметрах может периодическименяться с характерным временем, обусловленным процессами прилипания электронов, уходом ионов из щмэлектродных областей.

3. Построена самосогласованная модель планарного плазмохимического реактора с ВЧ-возбувдением, учитывающая кинетику радикалов и нагрев газа. Модель хорошо согласуется с экспериментом. Созданная модель позволяет выявлять наиболее важные процессы, протекающие при травлении, что может способствовать созданию упрощенных моделей и оптимизировать проведение экспериментов.

4. Предложена упрощенная модель высокочастотного разряда. В ряде случаев эта модель позволяет получить аналитическое описание динамики электронов и электрического поля, а также усредненного за период движения ионов.

5.Построена численная самосогласованная модель высокочастотного разряда в смеси водород - метан, позволяющая найти источники рождения ионов и радикалов, а также потоки заряженных и нейтральных частиц на поверхность.Предложенная модель позволяет исследовать механизм роста углеродных и алмазоподобных пленок, а также выяснить какую роль играют различные радикалы в образовании АЕП. Показано, что основным радикалом-носителем углерода является метиловый радикал.

6.Впервые построена численная самосогласованная квазигидродинамическая модель, которая описывает основные свойства магнетронного высокочастотного разряда в широком диапазоне параметров: давления, магнитного поля, приложенной мощности, в разных типах газов.

7.Показано, что существует оптимальное магнитное поле, при котором энерговклад в магнетронный ВЧ разряд максимален.

8.Численно исследовано возникновение напряжения автосмещения в условиях замагниченности электронов. Объяснена смена знака напряжения автосмещения с ростом магнитного поля, наблюдающаяся экспериментально.

9.Построена модель позволяющая рассчитать энергетические спектры ионов, бомбардирующих электроды в МВЧР. Форма полученных спектров, а также зависимость параметров спектра от величины магнитного поля, вложенной мощности и давления согласуется с экспериментальными данными.

10.Построена аналитическая модель приэлектродного слоя МВЧР, которая позволила описать качественные зависимости энергетического спектра ионов, бомбардирующих электрод, от величины магнитного поля, вложенной мощности, давления, частоты поля, масссы иона, с хорошим согласием с результатами численных расчетов.

11.Аналитически исследована устойчивость МВЧР при низком давлении; найден инкремент неустойчивости, связанной с возмущениями амплитуда электрического поля под действием ' Флуктуаций концентрации ионов и диапазон концентраций ионов, в котором эта неустойчивость развивается.

12.Предложен и реализован эффективный и наглядный метод расчета функции распределения электронов в сильных и неоднородных электрических полях.

13.Построенна теоретическая модель открытого разряда, которая позволяет объяснить основные его закономерности, предсказать многие трудноизмеряедае параметры, например, вид ФРЭ.

14.Квазигидродинамический подход применен для количественного описания положительного столба разряда постоянного тока в сильноэлектроотрицательном газе (ср4) низкого давления. Модель учитывает пространственную нелокзльносгь электронного энергетического спектра через уравнение на среднюю энергию и произвольную степень отклонения от квазинейтральности через уравнение Пуассона для радиального поля.

15.Показано, что наличие отрицательных ионов приводит к существенному отличию радиальных профилей от "классических" бесселевых и расслоению на области ион-ионной и электрон-ионной плазмы, обедненной отрицательными ионами с нарушением квазинейтральности. Такое распределение заряженных частиц не удается интерпретировать в терминах амбиполярной диффузии: коэффициенты "амбиполярной" диффузии электронов и положительных ионов в центре трубки различаются на несколько порядков и являются функциями расстояния от оси трубки.

16.Показано, что для количественного описания данных по измерению приведенного электрического поля в положительном столбе разряда постоянного тока в сг^ при низком давлении необходим учет эффектов пространственной нелокальности ФРЭ путем решения уравнения Больцмана с учетом пространственных производных.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах.

1. Ковалев АС., Муратов Е.А., Озеренко A.A., Рахимов А.Т., Суетин Н.В. Высокочастотный несамостоятельный разряд в потоке газа. Письма в ЖГФ, 1984, т.10, в.18, с.1139-1142.

2. Ковалев АС., Муратов Е.А., Озеренко A.A., Рахимов А.Т., Суетин Н.В. Исследование развития неустойчиовсти высокочастотного несамостоятельного разряда в потоке газа. Тезисы докладов л Всес. совещания по физике электрического пробоя газов. Тарту, 1984, ч.1, с.105-107.

3. Ковалев A.C., Назаров А.И., Рахимов А.Т., Суетин Н.В., Феоктистов В.А. Численное исследование высокочастотных разрядов исследуемых для возбуждения волноводных лазеров. Физика плазмы, 1986, Т. 12, JH0, С.1264-1266.

4. Ковалев A.C.,: Рахимов А.Т., Суетин Н.В., Фоектистов В.А. Численное исследование самостоятельного высокочастотного разряд в газах повышенного давления. Тезисы докладов их Всес. конф.

по физике газового разряда. 1986, Киев, чЛ, с. 107-109.

5. Ковалев A.C., Рахимов А.Т., Суетин Н.В., Феоктистов В.А. • О возможности подавления прилилательной неустойчивости в высокочастотном разряде. Письма в ЖГФ, 1982, ТгВ, Ы, с.658-661.

6. Рахимов А.Т., Суетин Н.В.. Страты в высокочастатном разряде. ДАН СССР, 1982, Т.263, Ji2, с.341-344. " '

7. Kovalev A.S., Rakhinov А.Г., Suetin N.V., Feoktistov V.A. Suppressing Attachment-induced instabilities by operating gas discharges in a HF mode. 4-th Int.Symposium of Gas Flow and

Chemical Laser, Torino, 1982, 143-150.

8. Ковалев А.С.,Муратов E.A..Озеренко А.А.,Рахимов А.Т.,Суетин H.B. Исследование струткуры высокочастотного несамостоятельного разряда в потоке газа. Физика плазмы,1985,т.II,в.7,с.882-888.

9. Boyko V.V., Mankelevich Y.A., Rakhimov А.Т., Suetin N.V. Radiofrequency glow discharge in electronegative gases of flow pressure (numerical model). IX ESCAMPIG, Contributed papers p.209-210, Lisbon, 1988.

10. Бойко В.В., Манкелевич JO.А., Рахимов А.Т., Суетин Н.В. Филиппов С. С. О методике численного решения уравнений, описывающих высокочастотный газовый разряд.

Препринт №86, Институт прикладной математики им. И.В.Келдыша АН СССР, 1988, 22с.

11. Бойко В.В., Манкелевич Ю.А., Рахимов А.Т., Суетин Н.В. Феоктистов В.А., Филиппов С.С. Численое исследование высокочастотного разряда в электрогтрицательных газах низкого давления. Физика плазмы, 1989, т.15, в.2, с.218-225.

12. Бойко В.В., Манкелевич Ю.А., Рахимов А.Т., Суетин Н.В. Теоретическое моделирование высокочастотных разрядов в газах низкого давления. Тезисы докладов Всесоюзного семинара по высокочастотному пробою газов. Тарту, 1989, с.32-36.

13. Бойко В.В., Манкелевич Ю.А., Рахимов А.Т., Суетин Н.В. Филиппов С.С. К численной модели высокочастотного разряда в электроотрицательных газах низкого давления. Физика плазмы 1989, т.15, в.7, с.867-870.

14. Бойко В.В., Ю.А., Рахимов А.Т., Суетин Н.В. Математическое моделирование высокочастотного реактора планарного типа в режиме

радикального травления. ЖГФ, 1990, т.60, в.II, с.65-76.

15. Бойко Б.В., Ю.А., Рахимов А.Г., Суетин Н.В. Энергетический спектр потока ионов на обрабатываемую поверхность в ВЧ реакторах. Тезисы докладов Всес. совещания "Математическое моделирование физических процессов в вполупроводниках и полупроводниковых приборов", Ярославль, 1990, с.17.

16. Бойко В.В., Ю.А., Рахимов А.Т., Суетин Н.В. Математическая модель плазмохимического реактора планарного типа с высокочастотным возбуждением, vii Международная конференция по микроэлектронике, Минск, 1990, Т.З, С.80-82.

17. Lukyanova L.V., Rakhimov А.Т., Suetin N.V. Model of RF plasma assisted deposition of diamondlike films.- 3-th Intern. Conf. on the New Diamond Sience and.Technology, "DIAMOND'92", Heidelberg, German/, 1992, p. 13.158.

18. Лукьянова A.B., Рахимов А.Т., Суетин Н.В. Плазменное осаждение алмазоподобных пленок. Численная модель.- Матер, ш

■ Межрегионального совещания "Тонкие пленки в электронике", 1992 . Иошкар-Орла, с. 157-162

19. Лукьянова A.B., Рахимов А.Т., Суетин Н.В. Моделирование осаждения алмазоподобных и углеродных пленок из плазмы высокочастотного разряда- Труды физико-технологического института РАН, 199з, т. 6, с. 53-77.

20. Лукьянова A.B..Рахимов Á.Т.,Суетин Н.В. Высокочастотный разряд

' в магнитном поле.Численная модель. Физика плазмы, т.16, в. II, с.1367-1374, 1990. '

21. Lukyanova A.V., Rakhimov А.Т., Suetin N.V. RF discharge in transvers magnetic field. Numerical model. X-ESCAMPIG, 1990,

Orleans, p.445-446.

22. Lukyanova" A. v., Rakhimov A.T., Suetin N. V. RF discharge in transverse magnetic field. Numerical nodel. IEEE Transaction on Plasma Science, v.19, N 2, p.197-203, 1991.

23. Лукьянова А.В.,Рахимов А.Т.,Суетин H.B. Численная модель ВЧ магнетрона. Тезисы докладов iv Всесоюзного совещания "Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках'и полупроводниковых приборах", г. Ярославль, 1990, с.84

24. Лукьянова А.В.,Рахимов А.Т.,Суетин Н.В. Функция распределения ионов, бомбардирующих электрод в магнетронном ВЧ разряде Физика плазмы, т.17, в.7, С.Ю12-ЮГ6, 1991.

25. Лукьянова А.В.,Рахимов А.Т.,Суетин Н.В. Магнетронный высокочастотный разряд в сильноэлектроотрицательном газе. Численная модель и анализ устойчивости. Тезисы докладов viii Всесоюзной конференции по физике низкотемпературной плазмы,

Минск, 4.II, с.87.-88, 1991.

26. Ковалев A.C., Манкелевич Ю.А., Муратов. Е.А., Рахимов А.Т.,

Суетин Н.В. Экспериментальное и теоретическое исследование широкоапретурного источника низкоэяергетичных электронов- для микротехнологии. Физика плазмы,. 1992, т.18, в.8, с. 1076-1083.

27. Ковалев A.C., Муратов Е.А., Суетин H.B. viii Всес. конф. по физике низкотемпературной плазмы, Минск, 1991,'часть 2, с.87-88'.

28. Kovalev A.S., Mankelevich Yu.A., Muratov E.A., Rakhimov A.Т., Suetin N.V. The Teoretical and Experimental Study of Large -Aperture Low Energy E-beam Source for Semiconductor Processing. J. Vac. Sei. and Techn.A, 1992, v.10, n.4, 1086-1091.

29. Kovalev A.S.,Mankelevich Yu.A., Muratov E.A., Rakhimov А.Т.,

Suetin N.V. Large aperture plasma source of low energy e-beam. XX ESCAMPIG, St.Peterburg, 1992, p.195-196

30. Kovalev A.S. , Mankelevich Yu.A. , Muratov E.A., Rakhimov А.Т., Suetin N.V. Sustaining of the discharge between solid and grid electrods. XX ICPIG, Pisa, Italy, 1991, v.2, p.496-497.

31. Mankelevich Yu.A., Kakhimov А.Т., Suetin N.V. A Phase-Space Particle Motion Scheme For Electron Kinetic Simulation. IEEE Trans, on Plasma Sci., 1991, v.19, n.3, p.520-524

32. Манкелевич Ю.А., Рахимов А.Т., Суетин H.B. Моделирование кинетики электронов в газовом разряде методом частиц. Физика плазмы, 1991, т.17, в.8, с.1017-1022.

33. Волынец В.Н..Лукьянова А.В..Рахимов А.Т.,Словецкий Д.И., Суетин Н.В. Моделирование положительного столба разряда постоянного тока в cf4. Физика плазмы, г.17, вып.2, с.221-228, 1991.

34. Волынец В.Н., Лукьянова А.В., Рахимов А.Т., Словецкий Д.И., Суетин Н.В. Параметры тлеющего разряда в тетрафторметане. Физика плазмы, 1992, т.18, в.З, с.375-382.