Термостимулированные токи в несимметричной сэндвичной структуре металл - LiNbO3:Fe - металл тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

ЗДОРОВЦЕВ ГЕННАДИЙ ГЕННАДЬЕВИЧ

ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ТОКИ В НЕСИММЕТРИЧНОЙ СЭНДВИЧНОЙ СТРУКТУРЕ МЕТАЛЛ - 1л]ЧЬОз:Ее - МЕТАЛЛ

01.04 07 - Физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

I '5258

Хабаровск - 2007

003175259

Работа выполнена на кафедре физики Дальневосточного государственного университета путей сообщения

Научный руководитель доктор физико-математических наук

Иванов Валерий Иванович

Официальные оппоненты доктор физико-математических наук,

профессор Ванина Елена Александровна

кандидат физико-математических наук, доцент Жуков Евгений Александрович

Ведущая организация Федеральное государственное унитарное предприятие

«Всероссийский НИИ физико-технических измерений» (Дальстандарт)

Защита состоится 14 ноября 2007 г в 1500 часов на заседании регионального диссертационного совета ДМ 218 003 01 при Дальневосточном государственном университете путей сообщения по адресу. 680021, Хабаровск, ул Серышева, 47, конференцзал 2-го учебного корпуса (ауд 3532)

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Дальневосточного государственного университета путей сообщения

Автореферат разослан « / / » октября 2007 года

Ученый секретарь диссертационного совета, кандидат технических наук /{¿/¿Ы^С*

ТН Шабапина

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы Уникальные оптические и электрические свойства кристаллов ниобата лития уже длительное время являются объектом интенсивного изучения Это обусловлено тем, что кристаллы ниобата лития могут использоваться в устройствах оптической памяти, в оптоэлектронике, голографии, лазерной физике из-за наличия в этом кристалле целого ряда нелинейно- и электрооптических эффектов (таких, как фоторефрактивный, фопговольтаический, электрооптический, пироэлектрический и др) [1, 2] В тонкослойных сэндвичных системах металл-сегнетоэлектрик-металл (МСМ) эти явления имеют существенные особенности [3, 4] В частности, существование внутреннего поля в несимметричной (с разными металлами) сэндвичной системе МСМ приводит к появлению неклассического пироэлектрического отклика (динамический пироэффект [2,3]) Обнаружено влияние электродов на фотогальванические токи, протекающие в МСМ структуре с разными электродами [4] В связи с этим актуальным является исследование термостимули-рованных токов в МСМ-структурах, их влияния на фотогальванический и пироэлектрический отклики кристалла, на его электрооптические и термоэлектрические свойства Изучение термостимулированных токов в МСМ-структурах также представляет интерес с точки зрения разработки широкополосных приемников излучения

Целью диссертационной работы является исследование зависимостей термостимулированных токов в сэндвичных структурах металл-ниобат лития-металл от характеристик кристалла, изучение возможностей использования МСМ систем в качестве чувствительных элементов приемников

Научная новизна работы заключается в следующем

Исследованы температурные зависимости удельной проводимости сильнолегированных кристаллов ниобата лития

Предложена электретная модель системы металл-сегнетоэлектрик-металл (МСМ), в которой температурная зависимость термостимулированного тока обусловлена температурной зависимостью электропроводности кристалла, соответствующей моттовскому закону,

Обнаружена и исследована координатная чувствительность фотоиндуцирован-ного тока в МСМ структуре на основе кристалла ГлИЮ^ Бе Предложено использовать координатную зависимость фототока для создания координатно-чувствительного приемника излучения

Практическая ценность работы связана с расширением сферы применения кристаллов ниобата лития в области детектирования излучения Использование термостимулированных токов позволяет создавать приемники излучения, обладающие рядом преимуществ перед традиционными тепловыми приемниками излучения

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в работах [1-20] и докладывались наследующих конференциях

XXXVIII Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс» (Новосибирск, 2000 г), IV Региональной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (Владивосток, 2000 г), II Международной на-

учной конференции творческой молодежи "Научно-техническое и экономическое сотрудничество стран АТР в XXI веке" (Хабаровск, 2001 г.), II Международной конференции молодых ученых и специалистов «0птика-2001» (Санкт-Петербург,

2001 г.); II, III, V и VI региональных научных конференциях «Физика. Фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Хабаровск, 2001 г; Благовещенск, 2002 г, Хабаровск, 2005 г.; Благовещенск, 2006 г), V и VI Международных конференциях «Прикладная оптика 2002» и «Прикладная оптика 2004» (Санкт-Петербург, 2002 г, 2004 г.), Международном симпозиуме «Принципы и процессы создания неорганических материалов» (Вторые Самсоновские чтения) (Хабаровск,

2002 г ), VIII Международной школе-семинаре «Люминесценция и лазерная физика» (Иркутск, 2002 г); Ш международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика 2003» (Санкт-Петербург, 2003 г.), Forth Asia-Pacific Conference «Fundamental Problems of Opto-and Microelectronics» (Хабаровск, 2004 г ), Международном симпозиуме «Принципы и процессы создания неорганических материалов» (Третьи Самсоновские чтения) (Хабаровск, 2006 г.); X конференции по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (Владивосток, 2006 г.); V международной научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (Томск, 2006 г.)

Структура и объем работы. Дисертационная работа содержит введение, четыре главы, заключение и список литературы. Общий объем работы составляет 107 страниц, включая 37 рисунков, 4 таблицы и библиографию из 115 наименований

ОСНОВНЫЕ ЗАЩИЩАЕМЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1 Температурная зависимость термостимулированного тока в несимметричной сэндвичной структуре Merarui-LiNbOj.Fe-Meram описывается элекгретной моделью с температурной зависимостью электропроводности кристалла, соответствующей мотговскому закону

2 Несимметричная сэндвичная структура металл-LiNbCb-Fe-металл является эффективным чувствительным элементом для теплового приемника излучения с инфранизкими частотами модуляции

3 Координатная зависимость квазистационарного фотоиндуцированнош тока в несимметричной сэндвичной структуре металл-LiNbOj Fe (Y-среза) - металл обусловлена наличием фотогальванического и термостимулированного токов

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновываются актуальность и практическая значимость работы, сформулирована цель диссертации.

В первой главе приведен литературный обзор теоретических и экспериментальных работ, посвященных исследованию термостимулированных явлений в сэн-двичных МСМ-структурах

Во второй главе приводится описание разработанных при участии автора и использованных при проведении экспериментов измерительных установок

В п 2 1 описана измерительная установка, на которой исследованы зависимости термоспгимулированных токов в сэндвичных структурах металл-ниобаг лития-металл от концентрации примеси железа, геометрии кристалла, температуры образца.

В п 2.2 описана автоматизированная установка для измерения температурной зависимости проводимости LiNb03 Fe при температурах от комнатной до 120 °С (с точностью измерения температуры не ниже 0,5 °С) Автоматизированная установка позволяет нагревать исследуемый образец со скоростью 0.1-10 К/мин, измерять ток в диапазоне 10"б-1012А Имеется возможность изменять напряжение на исследуемом образце в диапазоне от 10 до 1000 вольт

Установка состоит из следующих блоков- устройство управления, которое осуществляет управление нагревом образца с заданной скоростью, считывание с ана-логово-цифрового преобразователя значения температуры образца и тока через образец-рис 1

Получаемые в процессе измерения данные по последовательному интерфейсу передаются в компьютер Сформированный таким образом файл в дальнейшем обрабатывается средствами Microsoft Excel Структура файла такова, что его можно обрабатывать как средствами Microsoft Excel, так и программами Maple VI, Origin и выводить в виде графика с заданным диапазоном X и Y, что позволяет использовать специализированную математическую среду для построения графиков и возможностью одновременной их математической обработки

В третьей главе приводятся результаты исследования термостимулированных токов в МСМ структуре на основе кристалла LiNbCH Fe

При исследовании стационарного фототока в легированном кристалле LiNbCb Fe с двумя электродами из разных металлов было обнаружено наличие тер-мостимулированной составляющей стационарного тока [7] Направление данной составляющей тока определяется положением электродов, нанесенных напылением в вакууме на противоположные грани кристалла, и не зависит от ориентации кристаллографических осей образца относительно электродов В отличие от классического пироэлектрического эффекта, термостимулированный ток пропорционален увеличению температуры кристалла и не зависит от скорости ее изменения

Экспериментально измерялся коэффициент Ptl =(RBS)"' AunfAT, [А/Г4 см-2], где U„ - напряжение на нагрузке, Т - температура кристалла, R„ - сопротивление нагрузки, 5 -площадь электрода кристалла

Результаты измерений, выполненных на измерительной установке для исследования термостимулированных токов приведены на рис 2,4

Рис. 1. Функциональная схема установки: 1 - устройство управления; 2 - аналого-цифровой преобразователь; 3 - цифро-аналоговый преобразователь; 4 -преобразователь ток-напряжение; 5 - источник напряжения; б - делитель напряжения; 7 - блок ввода информации; 8 - регулятор температуры; 9 - нагревательный элемент; 10 - система индикации; 11 - интерфейс цифровой связи; 12 - датчики температуры; 13 - образец

Рассмотрим модель МСМ структуры, в которой термостимулированный ток обусловлен электретной ЭДС Е0. Изменение электропроводности кристалла при изменении его температуры приводит к изменению тока на /?„.

^ =(Л„5)"1 АС/„/ДГ. (1)

Используя закон Ома, получаем:

Ре1=Е^р\Нп8 + рЬ)~2, (2)

где Е0 - электретная ЭДС, /?<, - сопротивление кристалла, р-удельное сопротивление кристалла, ¿-толщина кристалла, р'-(др/ЭТ), Кк = рЬБ~х.

На рис. 6, 7 представлены температурные зависимости удельного сопротивления кристаллов ниобата лития с разным содержанием примеси железа, полученные на автоматизированной установке.

На рис. 8, 9 построены соответствующие им зависимости логарифма сопротивления от обратной температуры кристалла иНЬО,. Видно, что зависимости не носят простой активационный характер [6].

7

РеЬ 10">АК'см2 6

5 -

4 -3 -2 -1 О

8

о

0,5

1

Fe, вес. % Рис. 2. Экспериментальная зависимость коэффициента Ре/, от концентрации примеси железа в кристалле ниобата лития (1-А1-Сг, Ъ -срез; 2 -1п - Сг, X - срез;3-А1-Сг, У - срез; 4 -1п - Сг, У - срез)

рл5Ре1°5, 1012 Ом05см'5А~0'5

Рис. 3. Линейная аппроксимация зависимости р от р1"'5 Р,/0'5

12 10 8 6

4 Н 2 0

/

290 300 310 320 Т. К

Рис. 4. Экспериментальная зависимость плотности тока от температуры кристалла (иЫЬОз^е - 0,43вес.%, 10x5x1мм3, У - срез; А1 - Сг)

0,244

0,242

0,240

0,238

0,236

-25

-24 Ш

-23

-22

Рис. 5. Линейная аппроксимация зависимости плотности тока от температуры кристалла

В работе [5] предложено описывать температурную зависимость удельного сопротивления кристаллов ниобата лития, легированных железом с концентрацией более 0.3 вес. % Бе (для которых в [7] были получены основные экспериментальные результаты), законом Мотта:

Р- Ро ехр(Г0 ' Г ' ),

0,25^.-0,25

(3)

где /С»0,Г0 - эмпирические константы, зависящие от концентрации легирующей примеси Учитывая (3), получаем'

Сопоставление полученных аналитических зависимостей с экспериментальными позволили проверить адекватность предложенной модели

На рис. 4 показана экспериментальная зависимость плотности термостимулиро-ванного тока от температуры кристалла Данную зависимость можно аппроксимировать линеаризованной функцией, полученной из формулы (4)

Соответствующий график представлен на рис 5 Величина удельного сопротивления, определенного из рисунков 3,5 составляет 7 109 и 10ш Ом см соответственно, что по порядку величины близко к значениям, полученным в работах [5,6] -Ю9-1010 Ом см Из этих же графиков можно получить значение параметра Е0р\ который составляет величину около 109 В Ом см К"1 Подставляя значение р'= 1011 Ом см К"1, получаем оценку для величины электретной ЭДС Е0 = 1СГ2 В

В четвертой главе предлагается использовать описанный эффект для регистрации электромагнитного излучения в широком спектральном диапазоне В опытном образце приемника использовался легированный железом кристалл 1л№Оз Ре (2 х 2,5 х 0,13 мм4,0,3 вес % Бе, У - срез), на противоположные грани которого напылением в вакууме нанесена пара электродов алюминий-хром (А1 - Сг) Поглощающий электрод (А1) был зачернен для исключения влияния фотогальванического эффекта Падающее на электрод излучение нагревает кристалл, что приводит к возрастанию квазистационарного тока на сопротивлении нагрузки из-за увеличения электропроводности кристалла

Экспериментально измеренная вольт-ваттная чувствительность данного детектора (Н = Ди/Р, где Ли - изменение напряжения на сопротивлении нагрузки, Р -мощность падающего излучения) на частоте модуляции 1 Гц составляет 6 В/Вт (при коэффициенте усиления электронного предусилителя К = 20) и с погрешностью не более 20 % равномерна в спектральном диапазоне 0,4-1,5 мкм Обнаружи-тельная способность приемника составляет величину 8 104 смГц^Вт Амлитудно-частотная характеристика приведена на рис 10 Детектор, в отличие от традиционных пироэлектрических приемников излучения [1], обладает более высокой чувствительностью на инфранизких частотах модуляции излучения Динамический диапазон приемника не менее 103 (рис 11) Использование более эффективного чернения поглощающего излучение электрода, оптимизация геометрических размеров кристалла (уменьшение его толщины) позволяют более чем на порядок увеличить

Ре1=Е0Ьр ТГТ-^3 + Р6Ь0ХР(ТГ Г'3")]"

(4)

1п 3 = 1п(£ЛЛ, (¿оРоГ')- 0,25Г 0

(5)

обнаружительную способность приемника - до 106 смГц'/!Вт, что сравнимо с характеристиками широко распространенных тепловых приемников излучения.

р, 10 Ом-см

р, 10 Ом-см

1.4 1.2 1 -0,8 -0,6 0.4 0,2 -0

1,0 0.8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0

ч

290 320 350 380

300 320 340 360

Т, К

Т, К

Рис. 6. Зависимость удельного сопротивления от температуры кристалла (УМЪОз: Ре - 0.5 вес.% Ре; У - срез)

Ьп р

28 -1 27,5

27 -26,5 -26 25,5 -25

0,0025 0,003 0,0035 Т', к'

Рис. 8. Зависимость логарифма сопротивления от обратной температуры

Рис. 7. Зависимость удельного сопротивления от температуры кристалла (ЦЫЬ03: Ре - 0.3 вес.% Ре; У - срез)

Ьп р

28 -| 27,5 -27 -26,5 26

25,5

0,0025 0,003 0,0035 Т', К'

Рис. 9. Зависимость логарифма сопротивления от обратной температуры

кристалла (ЦЫЬ03: Ре - 0.5 вес.% Ре, У - срез) кристалла (иг^ЬСЬ: Ре - 0.3 вес.% Ре, У - срез)

Н.ВВт'

4 -2 -О

25

v, Гц

50

Н.ВВт' 6 1

4,5 -3 -1.5 -

О

1.0Е-06 1.0Е-04 1.0Е-02 Р, Вт

Рис. 10. Амплитудно-частотная характеристика приемника излучения на основе кристалла ниобата лития с электродами из различных металлов

Рис. 11. Зависимость Я от мощности лазерного пучка

Таким образом, приведенные результаты позволяют сделать вывод, что элек-третный эффект в МСМ структуре можно использовать для регистрации электромагнитного излучения в широком спектральном диапазоне.

В экспериментах с использованием в качестве источника излучения Не - N6 лазера (к = 0,63 мкм) была обнаружена зависимость стационарного тока от координаты светового пучка (от того, в какую часть кристалла фокусируется излучение). На рис. 12 представлена зависимость чувствительности от координаты светового пучка при сканировании по поверхности кристалла У-среза вдоль полярной оси. Такая асимметрия может быть связана с единственным выделенным направлением в кристалле - полярной осью Z. Зависимость тока в поперечном направлении монотонная (рис. 13).

Аномальная зависимость отклика от координаты светового пятна (наблюдающаяся только в коротковолновой части спектра для излучения с длиной волны менее 0,7 мкм) обусловлена тем, что, помимо фотогальванического тока, который может менять свою полярность на торцах кристалла (электроды частично прозрачны), в фотоотклик дает вклад термоиндуцированный ток, наблюдающийся в несимметричной МСМ-системе. Это подтверждается исчезновением координатной чувствительности при чернении приемной площадки электрода.

Для определения влияния температурного распределения на координатную зависимость фотоотклика регистрировалось температурное поле на поверхности кристалла при облучении сфокусированным пучком излучения. Термограммы поверхности образца, зарегистрированные термографом ШТ18 200 для разных положений пучка показаны на рис. 14, 15. Несмотря на увеличение максимальной температуры образца вблизи края, проведенные на основании полученных экспериментальных

результатов оценки показывают, что данное увеличение не может обеспечить наблюдаемое возрастание чувствительности на краях образца.

Я. В-Вт 5

3 -1 --1

-3 --5 -

Я, В Вт' 1

0,8 -

0,6

0,4

0,2

0 0

♦ ♦

I: ММ

Рис. 12. График зависимости Я Рис. 13. График зависимости Я

от координаты пучка лазера падающего от координаты пучка лазера падающего

на кристалл НЛ (У - срез; 2 х 2,5 х 0,13 мм; на кристалл НЛ (2 - срез; 2 х 2,5 х 0,13 мм;

электроды А1 - Сг; 0,3 вес.% ре) электроды А1 - Сг; 0,3 вес.% ре)

2 ММ

I-1

Рис. 14. Распределение температуры по поверхности кристалла ниобата лития при освещении Не-Ые лазе-ром.(край образца), Т^ = 45,59 °С

2 ММ I-1

Рис. 15. Распределение температуры по поверхности кристалла ниобата лития при освещении Не-Ие лазером (середина образца), Ттах = 42,14 °С

Координатную зависимость величины термоиндуцированного тока предлагается использовать для создания координатно-чувствительных приемников излучения

Основные результаты

1. Создана автоматизированная установка для измерения температурной зависимости электропроводности LiNb03 Fe при температурах от комнатной до 120 °С с диапазоном измеряемых сопротивлений до 1013 Ом см.

2. Экспериментально показано, что температурная зависимость электропроводности легированного 0,3 вес % Fe кристалла ниобата лития в области 0-100 °С подчиняется моттовскому закону

3. Проанализирована электретная модель несимметричной структуры мегалл-LiNb03 Fe-металл, термостимулированные токи в которой обусловлены температурной зависимостью электропроводности кристалла, соответствующей моттовскому закону

4 Исследованы характеристики приемника излучения с чувствительным элементом на основе легированного железом кристалла ниобата лития с электродами из разных металлов Показано, что чувствительность такого приемника на инфра-низких частотах модуляции излучения (менее 1 Гц) сравнима с таковой для неох-лаждаемых тепловых приемников излучения

5 Исследована координатная зависимость стационарного фототока в МСМ структуре на основе кристалла ниобата лития у-среза Показано, что данная зависимость обусловлена существованием двух вкладов - фотогальванического и тер-мостимулированного токов

ЦИТИРОВАННАЯ ЛИТЕРАТУРА

1 Кузьминов, Ю С. Ниобат и танталаг лития Материалы для нелинейной оптики /ЮС Кузьминов - М Наука, 1975 - 189 с

2. Косоротов, В.Ф. Пироэлектрический эффект и его применения / В Ф Косо-ротов, JIC Кременчугский, В Б Самойлов, Л В Щедрина//под ред Кременчугского Л С АН УССР Ин-т физики - Киев Наукова думка, 1989.- 224 с

3. Ицковский, М А Термостимулированные токи в системе метал - диэлектрик - металл / М.А. Ицковский, Л В Щедрина// ФТТ- 1979 - Т 21, № 12 - С 3567-3575

4 Канаев, И Ф Аномально сильное влияние электродов на фотогальванический ток в кристаллах LiNb03 / И Ф. Канаев, В К Малиновский // Автометрия. 1995-№5-С 3-9.

5 Barkan, IB Mechanism of Conductivity of a Fe-Doped LiNb03 crystal /1B. Barkan, E M Baskin, M V Entm // Phys Stat Sol 1980 - P 97-102.

6 Евдокимов, С В Особенности темновой проводимости кристаллов ниобата лития конгруэнтного состава / С В Евдокимов, А В Яценко // Физика твердого тела 2006 - Т. 48 - вып 2 - С 317-320

7 Иванов, В И Термоэдс в легированных кристаллах ниобата лития с электродами из различных металлов / В И Иванов, Ю М Карпец, С В. Климентьев // Изв вузов, сер физ 2001 - № 1 - С 96-97

ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

I Здоровцев, ГГ. Термоэлектрические свойства несимметричной сэндвичной структуры металл-ниобат лития-металл / Г.Г. Здоровцев, В.И. Иванов, Ю.М Кар-пец, С В Климентьев // Известия Томского политехнического университета -2007,- Т 311.- № 2 - С. 103-105

2. Здоровцев, Г.Г Характеристики приемника излучения на основе структуры металл-сегнетоэлекгрик-металл / Г.Г. Здоровцев, В И Иванов, С.В Климентьев, В В Криштоп// Приборостроение - 2006 - Т 49 - № 8 -С 45-46

3 Сюй, А В. Координатно-чувствительный приемник излучения / А В Сюй, Г Г Здоровцев, В.И Иванов, СВ. Климентьев, В.В Криштоп // Патент РФ № 2006117268/28, G01J5/00 - 2006 - 19 05 - 2 с.

4. Здоровцев, Г.Г Приемник излучения / ГГ. Здоровцев, В И. Иванов, С.В Климентьев, В.В Криштоп // Патент на полезную модель № 54128 / Приоритет от 07 03 2006/ Опубл - Бюллетень изобретений №25 от 10.09 2006.

5. Ivanov, VI Thermo-EMF m LiNbOî crystals with different metal electrodes /VI. Ivanov, Yu.M Karpets, N.V Marchenkov, G G. Zdorovtsev // Fundamental problems of Optoelectronics and Microelectronics, Yuri N Kulchin, Oleg В Vitnk, Vladimir I Stro-ganov, Editors, Proceedings of SPIE Vol 5851, P 415-419(2005)

6. Здоровцев, Г Г Свидетельство об официальной регистрации программ для ЭВМ № 2006613332 «Система измерения электрофизических характеристик оксидных пленок» / Г.Г Здоровцев, А А Кузин // Зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 2006 г.

7. Здоровцев, Г Г. Термостимулированная ЭДС в сэндвичной структуре металл-ниобат лития-металл / Г Г Здоровцев, В.И Иванов, H В Марченков // Информатика и системы управления, 2005 - №1(9).- С 55-60.

8 Здоровцев, Г Г Фотоотклик в легированных кристаллах ниобата лития с различными электродами / Г.Г. Здоровцев, С В. Климентьев, В.И. Иванов // Повышение эффективности работы железнодорожного транспорта Сибири и Дальнего Востока- материалы научно-технической конференции под ред. С M Гончарука - Хабаровск. Изд-во ДВГУПС, 1999 - С 205

9 Климентьев, С.В. Приемник электромагнитного излучения на основе эффекта термостимулированной Э Д.С в легированных кристаллах ниобата лития / С.В. Климентьев, Г Г Здоровцев //Материалы XXXVIII Международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс" Физика / Ново-сиб ун-т Новосибирск, 2000 - С 50-51.

10. Здоровцев, Г.Г Термоиндуцированная ЭДС в легированных кристаллах ниобата литая с электродами из различных металлов / Г Г Здоровцев, В И Иванов, Ю.М Карпец, С В. Климентьев // Препринт № 19 - Хабаровск. Изд-во ДВГУПС, 2000 - 25 с

II Здоровцев, Г Г Влияние проводимости сред на их оптические свойства / Г Г Здоровцев // Принципы и процессы создания неорганических материалов Ме-ждунар Симпоз (Вторые Самсоновские чтения) Материалы симпоз. /Ред В.Г Лифшиц.- Владивосток, Хабаровск ДВО РАН, 2002 - С 27

12. Здоровцев, Г Г Приборы для исследования малых токов, протекающих через объем диэлектрика / ГГ. Здоровцев // Оптические свойства конденсированных сред- Сборник научных трудов / Под ред В И Строганова - Хабаровск Изд-во ДВГУПС, 2002 - С 28-32

13 Здоровцев, Г Г. Исследование проводимости оптического стекла / Г Г Здоровцев // V Международная конференция "Прикладная оптика 2002" / Сборник трудов, 15-17 октября 2002 г Т 3 Санкт-Петербург 2002 - С 25-29

14 Здоровцев, Г Г Модель термо-эдс в сэндвичной структуре металл-ниобат лития-металл / Г Г Здоровцев, В Б Гороховский, H В. Марченков, Г П Стариченко // Оптика конденсированных сред Сборник научных трудов / Под ред В.И Строганова-Хабаровск Изд-во ДВГУПС, 2004 - С 86-89

15 Здоровцев, Г Г ЭДС в сэндвичной структуре металл-ниобат лития-металл / Г Г. Здоровцев // Физика фундаментальные и прикладные исследования, образование: Материалы докладов пятой региональной научной конференции - Хабаровск. Изд-во Тихоокеанского гос ун-та, 2005 - С. 62-63

16 Здоровцев, Г Г Автоматизированная измерительная установка для исследования вольт-амперной характеристики веществ / Г Г Здоровцев, АР Ли // Бюллетень научных сообщений № 10 сб науч тр / Под ред В И. Строганова - Хабаровск Изд~во ДВГУПС, 2005 - С 86-89

17 Здоровцев, Г Г Термостимулированная ЭДС в сэндвичной структуре металл-ниобат лития-металл / Г Г Здоровцев, В И Иванов, H В Марченков // Бюллетень научных сообщений № 10 сб науч тр / Под ред В И Строганова - Хабаровск- Изд-во ДВГУПС, 2005.- С 21-25

18 Здоровцев, Г Г Фото- и термоэлектрические свойства сэндвичной структуры металл-сегнетоэлектрик-металл / ГГ. Здоровцев, В И Иванов, С В Климентьев, H В Марченков, А В Сюй // Принципы и процессы создания неорганических материалов Междунар Симпоз (Третьи Самсоновские чтения) Материалы симпоз, Хабаровск, 12-15 апр 2006 г.- Хабаровск Изд-во Тихоокеанского гос ун-та, 2006 -С. 287-288

19 Здоровцев, Г Г Установки для исследования температурной зависимости проводимости и вольт-амперных характеристик оксидов переходных металлов / Г Г Здоровцев, А А Кузин // Труды V международной научной конференции «Ра-диационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» - Томск- Изд ТПУ, 2006 г - С 408-410

20 Здоровцев, Г Г Моделирование температурной зависимости ЭДС в тонкослойном кристалле ниобата лития с электродами из разных металлов / Г Г Здоровцев, А А Кузин // VI региональная конференция «Фундаментальные и прикладные исследования, образование» Благовещенск, 2006 - С 35-36

ЗДОРОВЦЕВ ГЕННАДИЙ ГЕННАДЬЕВИЧ

ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ТОКИ В НЕСИММЕТРИЧНОЙ СЭНДВИЧНОЙ СТРУКТУРЕ МЕТАЛЛ - 1л]ЧЬ03:Ре - МЕТАЛЛ

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Сдано в набор 05 10 2007 Подписано в печать 08 10 2007 Формат 60x84'/i6 Бумага тип №2 Гарнитура Times New Roman Печать RISO Уел печ л 0,9 Зак 354 Тираж 100 экз

Издательство ДВГУПС 680021, г Хабаровск, ул Серышева, 47

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ТОКИ В СТРУКТУРЕ МЕТАЛЛ-СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК-МЕТАЛЛ

1.1. Пироэлектрический эффект в тонкослойных контактных системах

1.2. Электретный эффект

1.3. Диффузионные токи

1.4. Влияние электродов на фотогальванический ток в кристаллах LiNb

1.5. Электропроводность кристаллов ниобата лития

1.5.1. Нелегированные кристаллы

1.5.2. Слаболегированные кристаллы

1.5.3. Сильнолегированные кристаллы

1.6. Метод термостимулированной деполяризации

ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ СХЕМЫ И УСТАНОВКИ

2.1. Экспериментальная установка для измерения термостимулированных токов

2.2. Автоматизированная установка для измерения электропроводности кристаллов;

2.3. Установки для оптических измерений

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫХ ТОКОВ I ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ

3.1. Термостимулированные токи в несимметричной сэндвичной структуре металл-1лМЬОз:Ре-металл

3.2. Исследование электропроводности легированных кристаллов ниобата лития

3.3. Электретная модель

ГЛАВА IV. ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ЛЕГИРОВАННОГО КРИСТАЛЛА НИОБАТА ЛИТИЯ С РАЗНЫМИ

ЭЛЕКТРОДАМИ

4.1. Приемник излучения на основе несимметричной МСМ структуры

4.2. Координатно-чувствительный приемник излучения.

Уникальные оптические и электрические свойства кристалле ниобата лития длительное время являются объектом интенсивног изучения. Это обусловлено тем, что кристаллы ниобата лития мог> использоваться в устройствах оптической памяти, в оптоэлектроник< голографии, в системах регистрации и обработки оптической информацш для преобразования оптического излучения, в лазерной физике из-э существования в этом кристалле целого ряда нелинейно-электрооптических эффектов, таких как фоторефрактивньн фотовольтаический, электрооптический, пироэлектрический и др.) [6, 8! 86,92].

В тонкослойных контактных системах металл-сегнетоэлектрш металл (МСМ) эти явления имеют существенные особенности [17]. ! частности, существование внутреннего поля в несимметричной ( разными металлами) сэндвичной системе МСМ приводит к появлени] неклассического пироэлектрического отклика (динамический пироэффев [77]).

В ряде работ [67-69] было выявлено аномально сильное влияни диффузии материала электродов на фотогальванический (ФГ) ток кристаллах LiNbC>3. В [69] выдвинуто предположение, чт. дополнительный вклад в стационарные токи при наличии пленк обусловлен ФГ-эффектом, присущим тонкому приэлектродному ело] кристалла. На основании полученных экспериментальных результате [68,69] авторы указывают на возможность больших количественных качественных изменений свойств кристаллов при диффузионно легировании [15,16,92], что следует учитывать при создани металлических контактов. Асимметрия электропроводности, асимметри диффузии вещества, генерация под действием света ФГ-тока - обязан существованием локальных электрических полей, в том чис.г обусловленных контактными явлениями [9,10,17-20,55,60-63,109].

Барканом И.Б. с сотрудниками института АиЭ СО РАН обнаружен непироэлектрическая термоЭДС в несимметричной трехслойно гетероструктуре металл-сегнетоэлектрик-металл.

В связи с вышеизложенным актуальным является исследована термостимулированных токов в МСМ-структурах, их влияния е фотогальванический и пироэлектрический отклики кристалла, на ег электрооптические и термоэлектрические свойства. Изучена термостимулированных токов в МСМ-структурах также представляв интерес с точки зрения разработки широкополосных приемнике излучения.

Целью диссертационной работы является исследована зависимостей термостимулированных токов в сэндвичных структура металл-ниобат лития-металл от характеристик кристалла, изучен!-возможностей использования МСМ-систем в качестве чувствительны элементов приемников [1,82,83,90].

Научная новизна работы заключается в следующем:

Исследованы температурные зависимости удельной проводимое! сильнолегированных кристаллов ниобата лития.

Предложена электретная модель системы металл-сегнетоэлектрш металл (МСМ), в которой температурная зависимое! термостимулированного тока обусловлена температурной зависимость] электропроводности кристалла, соответствующей моттовскому закону.

Обнаружена и исследована координатная чувствительное! фотоиндуцированного тока в МСМ структуре на основе кристал! LiNb03:Fe. Предложено использовать координатную зависимое! фототока для создания координатно-чувствительного приемнш излучения.

Практическая ценность работы связана с расширением сфер] применения кристаллов ниобата лития в области детектировани излучения. Использование термостимулированных токов позволяе создавать приемники излучения, обладающие рядом преимуществ пере традиционными тепловыми приемниками излучения

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работ] опубликованы в работах [35-51,72,73,98,110,114] и докладывались н следующих конференциях:

XXXVIII Международной научной студенческой конференци «Студент и научно-технический прогресс» (Новосибирск, 2000 г.); Г Региональной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых п физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материале (Владивосток, 2000 г.); II Международной научной конференци творческой молодежи "Научно-техническое и экономическс сотрудничество стран АТР в XXI веке" (Хабаровск, 2001 г.); i Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика 2001» (Санкт-Петербург, 2001 г.); II, III, V и VI региональных научны конференциях «Физика: Фундаментальные и прикладные исследовани: образование» (Хабаровск, 2001 г.; Благовещенск, 2002 г.; Хабаровск, 200 г.; Благовещенск, 2006 г.); V и VI Международных конференция «Прикладная оптика 2002» и «Прикладная оптика 2004» (Санкт-Петербур: 2002 г., 2004 г.); Международном симпозиуме «Принципы и процесс: создания неорганических материалов» (Вторые Самсоновские чтенш (Хабаровск, 2002 г.); VIII Международной школе-семинар «Люминесценция и лазерная физика» (Иркутск, 2002 г.); I международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптик 2003» (Санкт-Петербург, 2003 г.); Forth Asia-Pacific Conferenc «Fundamental Problems of Opto-and Microelectronics» (Хабаровск, 2004 г. Международном симпозиуме «Принципы и процессы создани 6 неорганических материалов» (Третьи Самсоновские чтения) (Хабарове] 2006 г.); X конференции по физике полупроводниковых, диэлектрически и магнитных материалов (Владивосток, 2006 г.); V международно научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы неорганических материалах» (Томск, 2006 г.).

Структура и объем работы. Дисертационная работа содержи введение, четыре главы, заключение и список литературы. Общий объе работы составляет 107 страниц, включая 37 рисунков, 4 таблицы библиографию из 115 наименований.

ОСНОВНЫЕ ЗАЩИЩАЕМЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1. Температурная зависимость термостимулированного тока несимметричной сэндвичной структуре металл-1лМЮз :Ре-метал описывается электретной моделью с температурной зависимость] электропроводности кристалла, соответствующей моттовскому закону.

2. Несимметричная сэндвичная структура металл-1л№)Оз :Ре-метал является эффективным чувствительным элементом для тепловог приемника излучения с инфранизкими частотами модуляции.

3. Координатная зависимость квазистационарног фотоиндуцированного тока в несимметричной сэндвичной структур металл-1лМ)Оз:Ре (Y-среза) - металл обусловлена наличие фотогальванического и термостимулированного токов.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав заключения.

Основные результаты IV главы: о Исследованы характеристики приемника излучения чувствительным элементом на основе легированного железо кристалла ниобата лития с электродами из разных металло] Показано, что чувствительность такого приемника на инфранизки частотах модуляции излучения (менее 1 Гц) сравнима с таковой дл неохлаждаемых тепловых приемников излучения. о Исследована координатная зависимость стационарного фототока МСМ структуре на основе кристалла ниобата лития у-срез; Показано, что данная зависимость обусловлена существование: двух вкладов - фотогальванического и термостимулированног токов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Создана автоматизированная установка для измерени температурной зависимости электропроводности LiNb03:Fe пр температурах от комнатной до 120 °С с диапазоном измеряемы сопротивлений до 1013 Ом-см.

Экспериментально показано, что температурная зависимое! электропроводности легированного 0,3 вес. % Fe кристалла ниобат лития в области 0-100 °С подчиняется моттовскому закону. Проанализирована электретная модель несимметричной структур] металл-ЫМЮз^е-металл, термостимулированные токи в которо обусловлены температурной зависимостью электропроводност кристалла, соответствующей моттовскому закону. Исследованы характеристики приемника излучения чувствительным элементом на основе легированного железо кристалла ниобата лития с электродами из разных металло] Показано, что чувствительность такого приемника на инфранизки частотах модуляции излучения (менее 1 Гц) сравнима с таковой дл неохлаждаемых тепловых приемников излучения. Исследована координатная зависимость стационарного фототока МСМ структуре на основе кристалла ниобата лития у-срез! Показано, что данная зависимость обусловлена существование двух вкладов - фотогальванического и термостимулированног токов.

1. Аксененко, М. Д. Приемники оптического излучения / М.,1

2. Аксененко, M.JI. Бараночников,- М.: Радио и связь, 1987.- 296 с.

3. Ансельм, А.И. Введение в теорию полупроводников /А.И.Ансельм1. М: Наука, 1978.-616 с.

4. Ахмадуллин, И.Ш. Низкотемпературная электропроводное!кристаллов ниобата лития конгруэнтного состава / И.И Ахмадуллин, В.А. Голенищев-Кутузов, С.А. Мигачев, С.П. Мироне // Физика твердого тела.- 1998.- т.40, № 7.- С. 1307-1309.

5. Блатт, Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах / й

6. Блатт // М: Мир, 1971.- 470 с.

7. Блинов, JI.M. Поверхностный пироэлектрический эффектдиэлектрических пленках / JI.M Блинов, С.В. Ермаков, JI.M. Короле //ФТТ.- 1972,- т. 14, № 11.- С. 3671-3673.

8. Блистанов, А.А. Кристаллы квантовой оптики / А.А Блистанов. IV1. МИСИС, 2007.-432 с.

9. Борисова, М.Э. Физика диэлектриков / М.Э. Борисова, С.Н. Койков

10. Л.: Изд-во ЛГУ, 1979,- 420 с.

11. Борн М., Хуан Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток

12. М. Борн, Хуан Кунь.- М.: Изд-во иностр. лит., 1958.- 488 с.

13. Бородин, В.З. Влияние материала электродов на пироэффектнелинейные свойства монокристаллов титаната бария триглицинсульфата / В.З. Бородин, С.Г. Гах, О.П. Крамаров и др. Электрон. Техника. Сер. 14. Материалы.- 1967.- Вып. 8.- С. 141-146.

14. Бравина, С.Л. Пиро- и диэлектрические свойства некоторысегнетоэлектриков / С.Л. Бравина, Л.С. Кременчугский, H.I Морозовский (Препринт/ АН УССР. Ин-т физики; № 37).- Кие. 1986.- 26 с.

15. Брыксин, В.В. Перескоковая проводимость малых поляроноввнутриузельным притяжением (биполяроны) / В.В. Брыксин // ФТГ 1989. Т. 31. В.7. -С. 6-15.

16. Булычева, А.А. Электропроводность и электронно-дырочньпроцессы в сильнолегированных окисью магния кристаллах ниобат лития: Автореферат диссертации на соискание ученой степей кандидата физико-математических наук / А.А. Булычева.- Томе; 2005.-21 с.

17. Бьюб, Р Фотопроводимость твердых тел / Р Бьюб.- М.: ИЛ, 1962, 13с.

18. Ванина, Е.А. Процессы самоорганизации в неорганическиматериалах / Е.А. Ванина, Е.С. Астапова, И.В. Гопиенко, И.Е Александров // Вестник АмГУ. 2005.- Вып.31.- С. 22-26.

19. Вехтер, Б.Г. Основные характеристики контактной системы металлсегнетоэлектрик металл / Б.Г. Вехтер, Ш.Н. Гифейсман, Л.( Кременчугский и др. // ФТТ.- 1971.-13, № 1.- С. 94-99.

20. Винецкий, В.JI. Особенности фазового перехода в тонкослойнысегнетоэлектриках / В.Л. Винецкий, М.А. Ицковский, Л.( Кременчугский // ФТТ.- 1973.- т.15, № 11.- С. 3478-3481.

21. Гаврилова, Н.Д. Новые пироэлектрические кристаллы / HJ

22. Гаврилова//Кристаллография.- 1965.-№ 1.- С. 114-116.

23. Гифейсман, Ш.Н. Распределение поля в контактной системе металлдиэлектрик металл / Ш.Н. Гифейсман // ФТТ.- 1969,- т.11, № 8.- ( 2097-2102.

24. Гласс, А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / А. Глас

25. М. Лайнс.- Пер. с англ.- М.: Мир, 1981.- 351 с.

26. Гороховатский, Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа

27. Ю.А. Гороховатский.- М: Наука, 1981.-176 с.

28. Гороховатский, Ю.А. В сб.: Электрическая релаксация и электретныэффект в твердых диэлектриках / Ю.А. Гороховатский.- Л: Изд-е ЛГПИ, 1980.-С. 15-20.

29. Губкин, А.Н. В сб.: Электретный эффект и электрическая релаксация

30. А.Н Губкин, В.А. Оглобин.- М: Изд-во МИЭМ, 1979.- С. 150-158.

31. Губкин, А.И. Электреты / А.И. Губкин.- М.: Наука, 1977.- 295 с.

32. Губкин, А.Н. Физика диэлектриков / А.И. Губкин.- М.:"Высш£школа", 1971.- 430 с.

33. Гуревич, В.Л. Об электротермическом эффекте в кристаллическидиэлектриках / В.Л. Гуревич // ФТТ.-1981.-т. 23, № 8.- С. 2357-2363

34. Гуро, Г.М. Полупроводниковые свойства титаната бария / Г.М. Гур<

35. И.И. Иванчик, Н.Ф. Ковтонюк // ФТТ.- 1968.- т.Ю, №1.- С. 135-143.

36. Данильчук, Г.С. Исследование пироэлектрическогпирокоэффициента в кристаллах группы ТГС в полярных неполярных срезах / Г.С. Данильчук, М.А. Ицковский, Л.( Кременчугский // УФЖ.- 1969.- т.14., № 6.- С. 975-979.

37. Дьяков, В.А. Синтез и физико-химические свойстьмонокристаллических метаниобатов щелочных металло. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидат химических наук. / В.А. Дьяков.- М.: МГУ, 1982.-16 с.

38. Евдокимов, С.В. Особенности темновой проводимости кристаллениобата лития конгруэнтного состава / С.В. Евдокимов, А.В. Яценв // Физика твердого тела. 2006.- Т.48.- вып.2.- С.317-320.

39. Желудев, М.С. Основы сегнетоэлектричества / М.С. Желудев. М1. Атомиздат, 1973.- 248 с.

40. Жирифалько, Л. Статистическая физика твердого тела / J

41. Жирифалько. М.: Мир, 1975,- Гл. 6, 8.

42. Жуков Е.А., Кузьменко А.П., Илюшин М.А., Леоненко Н.А. Лазернсинициироване энергонасыщенных составов // Записки Горног Института.-2001.-Т. 148.-№ 1.-С. 186-188.

43. Здоровцев, Г.Г. Приборы для исследования малых tokoiпротекающих через объем диэлектрика / Г.Г Здоровцев Оптические свойства конденсированных сред: Сборник научны трудов / Под ред. В.И. Строганова.- Хабаровск: Изд-во ДВГУПС 2002.- С. 28-32.

44. Здоровцев, Г.Г. Исследование проводимости оптического стекла / Г.

45. Здоровцев // V Международная конференция "Прикладная оптш 2002" / Сборник трудов 15-17 октября 2002 г. Т.З. Санкт-Петербур 2002.- С. 25-29.

46. Здоровцев, Г.Г. Приемник излучения / Г.Г. Здоровцев, В.И. Ивано:

47. С.В. Климентьев, В.В. Криштоп // Патент на полезную модель J 54128 / Приоритет от 07.03.2006/ Опубл. Бюллетень изобретени №25 от 10.09.2006.

48. Здоровцев, Г.Г. Свидетельство об официальной регистрации програмдля ЭВМ № 2006613332 «Система измерения электрофизически характеристик оксидных пленок» / Г.Г Здоровцев, А.А. Кузин Зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 2006 г.

49. Здоровцев, Г.Г. Термоиндуцированная ЭДС в легированиикристаллах ниобата лития с электродами из различных металлов Г.Г. Здоровцев, В.И. Иванов, Ю.М. Карпец, С.В. Климентьев Препринт № 19 Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2000.- 25 с.

50. Здоровцев, Г.Г. Термостимулированная ЭДС в сэндвичной структурметалл-ниобат лития-металл / Г.Г. Здоровцев, В.И. Иванов, Н.1

51. Марченков 11 Информатика и системы управления, 2005.- №1(9).- ( 55-60.

52. Здоровцев, Г.Г. Термоэлектрические свойства несимметричносэндвичной структуры металл-ниобат лития-металл /Г.Г. Здоровце.

53. B.И. Иванов, Ю.М. Карпец, С.В. Климентьев // Известия Томског политехнического университета.- 2007.- Т.311.- N 2,- С. 103-105.

54. Здоровцев, Г.Г. Характеристики приемника излучения на осноеструктуры металл-сегнетоэлектрик-металл / Г.Г. Здоровцев, В.Р Иванов, С.В. Климентьев, В.В. Криштоп // Приборостроение,- 2006 T.49.-N8.-C. 45-46.

55. Иванов, В.И. Исследование фотоотклика в легированных кристалланиобата лития / В.И. Иванов, Ю.М. Карпец, С.В. Климентьев Препринт № 20.- Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2000.- 13 с.

56. Иванов, В.И. Термоэдс в легированных кристаллах ниобата литияэлектродами из различных металлов / В.И. Иванов, Ю.М. Kapnei С.В. Климентьев // Изв. вузов, сер. физ. 2001.- N1.- С. 96-97.

57. Иванов, В.И. Термо-ЭДС в системе металл-сегнетоэлектрик-метал.

58. Иванов В.И., Карпец Ю.М., Климентьев С.В., Марченков Н.В Материалы VI Международной конференции «Кристаллы: рос свойства, реальная структура, применение». 8-12 сентября 2003 г. Александров: ВНИИСИМС. 2003. С. 143-146.

59. Иванов, В.И. Перспективные материалы для техники оптическосвязи / Иванов В.И., Карпец Ю.М., Климентьев С.В. // Проблем: транспорта Дальнего Востока: Материалы второй международно конференции. Владивосток: ДВО Академии транспорта РФ, 1997 С.137.

60. Иванчик, И.И. К макроскопической теории сегнетоэлектриков / И.Р

61. Иванчик // ФТТ.-1961.- т.З, № 12.- С. 3731-3742.

62. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы.- М.: Ми.1965.- 555 с.

63. Ицковский, М.А. Экранирование спонтанной поляризации и фазовыпереход в тонкослойном сегнетоэлектрике / М.А. Ицковский (Преп. АН УССР. Ин-т физики).- Киев, 1984.- 40 с.

64. Ицковский, М.А. Термостимулированные токи в системе металдиэлектрик металл / М.А Ицковский, JI.B. Щедрина // ФТТ,- 1979 т.21,№ 12.-С. 3567-3575.

65. Ицковский, М.А. Пироэлектрический эффект в области фазовогперехода тонкослойных сегнетоэлектриков / М.А. Ицковский, JI.E Щедрина, М.Д. Кладкевич // УФЖ.- 1979.- т.24, № 7.- С. 924-930.

66. Ицковский, М.А. Термостимулированные токи в системе металдиэлектрик металл / М.А. Ицковский, JI.B Щедрина // ФТТ.- 1979 21, № 12.- С. 3567-3575.

67. Ишанин Г.Г. Неселективный приемник излучения ОКГ на основтермоупругого эффекта кристаллического кварца / Г.Г. Ишанин

68. Импульсная фотометрия: Сб. ст.- Л.: Машиностроение, 1972.- Вы: 2.-С. 110-115.

69. Канаев, И.Ф. Асимметрия проводимости вдоль оси поляризациисегнетоэлектрических кристаллах / И.Ф. Канаев, В.К. Малиновски // ДАН СССР.- 1982.-Т. 266, № 6.- С. 137-145.

70. Канаев, И.Ф. Механизм усиления слабых пучков при записполяризационных и скалярных голограмм ЫМЮз / И.Ф. Канае В.К. Малиновский // Автометрия, 1992. -№ 4.- С. 38-46.

71. Канаев, И.Ф. Фотогальванический и фоторефрактивный эффектыкристаллах ниобата лития / И.Ф. Канаев, В.К. Малиновский // ФТТ 1982.- т.24, вып. 7.- С. 1743-1750.

72. Канаев, И.Ф. Исследование вклада горячих электронов в процесспереноса в кристаллах ниобата лития / И.Ф. Канаев, B.I Малиновский, A.M. Пугачев // ФТТ, 1987.- т.29, вып. 3.- С. 150: 1513.

73. Канаев, И.Ф. Аномально сильное влияние электродов iфотогальванический ток в кристаллах LiNbCb / И.Ф. Канаев, В. Малиновский // Автометрия. 1995.- № 5.- С. 3-9.

74. Китаева, Г.Х. Влияние дефектов структуры на оптические свойспмонокристаллов LiNbCbMg / Г.Х. Китаева, К.А. Кузнецов, И.1 Наумова, А.Н. Пеннин // Квантовая электроника. 2000. 30. №8. - ( 726-732.

75. Кладкевич, М.Д. К вопросу об инфранизкочастотной дисперсипироэлектрического коэффициента и диэлектрическс проницаемости сегнетоэлектриков / М.Д. Кладкевич, JI.( Кременчугский // УФЖ.- 1969.-Т. 14, № 5.- С. 815-817.

76. Климентьев, С.В. Здоровцев Г.Г. Приемник электромагнитногизлучения на основе эффекта термостимулированной Э.Д.С. легированных кристаллах ниобата лития Материалы XXXVI102

77. Международной научной студенческой конференции "Студент научно-технический прогресс".Физика/Новосиб.ун-т. Новосибиро 2000.-С. 50-51.

78. Ковальский, П.Н. Фотоэлектретный эффект в полупроводниках / П.Ь

79. Ковальский, А.Д. Шнейдер.- Львов: Высшая школа, 1977.- 390 с.

80. Козловский В.Х. Фазовые превращения в сегнетоэлектрическокристалле при наличии доменных границ / В.Х. Козловский // Из. АН СССР. Сер. физ.- 1965.- № 6.- С. 882-886.

81. Копцик, В.А. Экспериментальное исследование пироэлектрическогэффекта сегнетоэлектрических кристаллов / В.А. Копцик, Щ Гаврилова // Изв. АН СССР. Сер. физ.- 29. № 11.- 1965.- C.196S 1973.

82. Косоротов, В.Ф. Пироэлектрический эффект и его применения. / В.З

83. Косоротов, Л.С. Кременчугский, В.Б. Самойлов, Л.В Щедрина/ по ред. Кременчугского Л.С. АН УССР. Ин-т физики.- Киев: Науков думка, 1989.- 224 с.

84. Косоротов, В.Ф. Третичный пироэлектрический эффект / В.<1

85. Косоротов, Л.С. Кременчугский, Л.В. Леваш, Л.В. Щедрина (Препр АН УССР. Ин-т физики; №9).- Киев, 1984.- 27 с.

86. Косоротов, В.Ф. Пироэлектрический эффект в направления)перпендикулярных к особенной полярной оси сегнетоэлектрически кристаллов / В.Ф. Косоротов, Л.С. Кременчугский , Л.В. Леваш, Л.Е

87. Щедрина // Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1987.- т.51, № 12.- С. 223: 2238.

88. Костин, В.В. Тепловые генераторные приемники энергетическипотоков на основе пироэлектрического эффекта. /В.В. Костин М Ин-т «Электроника», 1971.- 185 с.

89. Костюков, Н.С. Диэлектрики и радиация. Механическаяэлектрическая прочность и изменение структуры при облучении Н.С. Костюков, Е.С. Астапова, Е.Б. Пивченко, Е.А. Ванина и д. Москва: Издательство РАН «Наука», 2003.- Т. 3.- 256 с.

90. Кременчугский, JI.C. Пироэлектрические детекторы / JI.(

91. Кременчугский (Ин-т физики АН УССР, Препринт, вып. 5).- Кие. 1972.- 32 с.

92. Кременчугский, Л.С. Сегнетоэлектрические приемники излучения

93. Л.С. Кременчугский.- Киев: Наук, думка, 1971.- 234 с.

94. Кременчугский, Л.С. Исследование пироэлектрического эффекта прбыстром изменении температуры / Л.С. Кременчугский, В.1 Самойлов // УФЖ.- 1968.- т.13, № 2.- С. 215-218.

95. Кузьминов, Ю.С. Ниобат и танталат лития. Материалы длнелинейной оптики / Ю.С. Кузьминов.- М.: Наука, 1975.- 189 с.

96. Кузьминов, Ю.С. Электрооптический и нелинейнооптическикристалл ниобата лития / Ю.С. Кузьминов.- М.: Наука. Гл. ред. физ мат. лит., 1987.- 264 с.

97. Малиновский, В.К. О релаксационных токах в твердых тела

98. Препринт ИА и Э СО РАН) / В.К. Малиновский, Б.И. Стурман Новосибирск, 1980.- № 120.-16 с.

99. Новик, В.К. Пироэлектричество и перспективы его применена

100. Электронная техника. Сер. 14. Материалы / В.К. Новик, H.J. Гаврилова. 1970.- вып. 8.- С. 22-32.

101. Новик В.К., Гаврилова Н.Д., Фельдман Н.Б. Пироэлектрическипреобразователи.- М., Сов. радио, 1979.- 175 с.

102. Рез, И.С. Практическое использование свойств сегнетоэлектриксвблизи фазовых превращений / И.С. Рез // Изв. АН СССР. Сер. физ 1985.- т.49, № 2.- С. 241-246.

103. Сидоров, Н.В. Ниобат лития: дефекты, фоторефракци:колебательный спектр, поляроны / Н.В. Сидоров, Т.Р. Волк, Б.Ь Маврин, В.Т. Калинников.- М: Наука, 2003.- 255 с.

104. Смоленский, Г.А. Физика сегнетоэлектрических явлений / Г J

105. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов и др.- JL: Наука, 1985.- 396 с.

106. Сонин, А.С. Введение в сегнетоэлектричество / А.С. Сонин, Б7

107. Струков.- М.: «Высшая школа», 1970.- 381 с.

108. Струков, Б.А. Фазовый переход в однослойном сегнетоэлектрикенеравновесных условиях / Б.А. Струков, А.В. Дявтян, E.J1. Саркш В.Т. Калинников // Вестн. МГУ. Сер. Физика и астрономия, 1985 26, №6.- С. 81-87.

109. Стурман, Б.И. Асимметрия электропроводности в пироэлектриках

110. Б.И. Стурман // ФТТ.- 1982,-т. 24, вып. 7.- С. 1432-1443.

111. Стурман, Б.И. Фотогальванический эффект в средах без центрсимметрии и родственные явления / Б.И. Стурман, В.М. Фридкин М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1992.- 208 с.

112. Сюй, А.В. Координатно-чувствительный приемник излучения / А.Б

113. Сюй, Г.Г. Здоровцев, В.И. Иванов, С.В. Климентьев, В.В. Криштоп Патент РФ № 2006117268/28, G01J5/00.- 2006.- 19.05.- 2 с.

114. Федосов, В.А. Определение температуропроводностпироэлектрических материалов / В.А. Федосов.- "Инж.-физ. журн.' 1974.- т. 26, №4.- с. 738-741.

115. Фридкин, В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники / В.М. Фридкин.1. М.: Наука, 1976.-480 с.

116. Фридкин, В.М. Фотоэлектреты и электрофотографический процесс

117. В.М. Фридкин, И.С. Желудев. М.: Изд-во АН СССР, I960.- 345 с.

118. Холкин, A.JI. Термополяризационные токи в диэлектриках / A.J

119. Холкин, В.А. Трепаков, Г.А. Смоленский // Письма в ЖЭТФ.- 1982 т.35, № 3.- С. 81-87.

120. Шкловский, Б.И. Электронные свойства легированныполупроводников // Б.И. Шкловский, A.JI. Эфрос. М.: Наука, 1979.

121. Barkan, I.B. Mechanism of Conductivity of Fe-Doped LiNb03 Crystal

122. B. Barkan, E.M. Baskin, M.V. Entin // phys. stat. sol. (a) 59, K9 (1980).-P. 12-25.

123. Barkan, I.B. Conductivity of Fe Doped LiNb03 Cristals / I.B. Barkai

124. M.V. Entin, S.I. Marennikov // phys. stat. sol. (a) 44, K91 (1977).- P. i 16.

125. Garn, L.E. Use of low-frequency sinusoidal temperature waves to separalpyroelectric currents from nonpyroelectric currents / L.E. Garn, E., Sharp // J. Appl. Phys.- 1982.- v.53, N. 12,- P. 8974-8987.

126. Geppert, D.V. Theoretical shape of metal insulator - metal potenti;barriers / D.V. Geppert // J. Appl. Phys.- 1963.- v.34, N. 3.- P. 490-493.

127. Glass, A.M. High-voltage bulk photovoltaic effect and photorefractivprocess in LiNb03 / A.M. Glass, Von der Linde, T.J. Nergran // App Phys. -1974. -v.25. -P. 233-236.

128. Itskovskii, M. A. Pyroelectric and electrocaloric effect in the phastransition region of thin ferroelectrics / M. A. Itskovskii, L.V. Shchedrin: M.D. Kladkevich // Ibid.- 1980.- v.29, N 3/4.- P. 167-174.

129. P. Nagels. The Hall Effect and its Applications / Ed. C.L. Chien and CI

130. Westlake. Plenum Press, New York (1980). P.253.

131. Nee, I Role of iron in lithium-niobate crystals for the dark-storage time сholograms / I.Nee, M.Muller, K. Buse, and E. Kratzig // Appl. Phys., 8< P. 4282 (2000).

132. Wurfel, P. Depolarization effects in thin ferroelectric films / P. Wurfel, 1.1

133. Batra//Ferroelectrics.- 1976.- v.12, N. 1-4.- P. 55-61.

134. Y Yang, I. Nee, K. Busc, D. Psaltis. Ionic and electronic dark decay (holograms in LiNb03:Fe crystals // Appl. Phys. Lett. 78, 4076-407 (2001).