Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксиальном GaAs тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

0Й

г ъ

на правах рукописи

Шамирзаев Тимур "Сезгирович

ЦЕНТРЫ РЕКОМБИНАЦИИ В НЕЛЕГИРОВАННОМ И СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННОМ АКЦЕПТОРАМИ ЭПИТАКШАЛЬНОМ СзАэ.

Специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Новосибирск, 1998

Работа выполнена в Институте физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук

Научный руководитель: кандидат физико-математических наук ! Журавлев Константин Сергеевич

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

Терехов Александр Сергеевич

Ведущая организация: Институт неорганической химии

Сибирского отделения РАН

- Защита состоится 29 декабря 1998 г. в 15 часов на заседании диссертационного Совета К 003.05.01 при Институте физики полупроводников Сибирского отделения РАН по адресу: 630090, г.Новосибирск-90, пр. Ак. Лаврентьева, 13.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института физики полупроводников СО РАН.

Автореферат разослан 5 ноября 1998 г.

Ученый секретарь Диссертационного Совета

доктор физ.-мат. наук, профессор А.В.Двуреченский

кандидат физико-математических наук Кибис Олег Васильевич

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. Изучение поведения примесей в полупроводниковых материалах является одной из старейших и проблем физики полупроводников. В рамках этой проблемы особое внимание уделяется изучению фоновых примесей, определяющих электронные свойства нелегированного материала, и исследованию примесно-дефектных комплексов, которые, являясь центрами рассеяния и рекомбинации, оказывают существенное влияние на электронные свойства сильно легированного материала.

Состав и концентрации фоновых примесей и доминирующих при высоких уровнях легировании примесно-дефектных комплексов неизвестны заранее и определяются условиями получения материала. Поэтому важными задачами являются идентификация фоновых примесей и введенных при намеренном легировании дефектов, выяснение влияния таких дефектов на электронные свойства материала, развитие приемов уменьшения концентрации фоновых примесей в нелегированных и примесно-дефектных комплексов в сильно легированных полупроводниках.

К моменту начала работы были разработаны такие приемы уменьшения концентрации фоновых примесей в намеренно нелегированном СаАз, как добавление в расплав редкоземельных элементов доя материала, полученного методом жидкофазной эпитаксии [1] и использование источника домеров мышьяка при получении материала методом молекулярно лучевой эпитаксии [2]. Было показано, что применение этих приемов позволяет существенно уменьшить концентрацию остаточных примесей в эпитаксиальном БаАз, однако причины уменьшения концентрации фоновых примесей окончательно установлены не были.

В сильно легированном СаАэ состав и энергетические параметры примесно-дефектных комплексов были хорошо изучены в эпитаксиальном материале п-типа проводимости [3,4]. В то же время несмотря на то, что процессы образования комплексов и их параметры достаточно подробно изучены для эпитаксиального р+-СаАБ, легированного германием [5-7] и кремнием [ 8 ], к моменту начала данной работы, оставались открытыми вопросы о составе и параметрах комплексов,

образующихся в эпитаксиальном СаАз, легированном другими акцепторными примесями.

Цель работы состояла в изучении причин уменьшения концентрации мелких фоновых примесей в СаАэ, полученном методом жидкофазной эпитаксии при легировании расплава гадолинием и методом молекулярно лучевой эпитаксии при использовании источника димеров мышьяка, а также в выявлении и исследовании дефектов, образующихся в сильно легированном акцепторами СаАз, полученном методом жидкофазной эпитаксии.

Научная новизна работа!. Все результаты, приведенные в данной работе, получены впервые:

- установлено влияние легирования висмутового расплава гадолинием на концентрацию мелких фоновых примесей в слоях СаАз, полученного методом ЖФЭ.

- определены механизмы изменения концентрации мелких фоновых примесей в полученном методом МЛЭ нелегированном СаАв, при изменении молекулярного состава потока мышьяка путем термического разложения молекул Аг4 на молекулы Азг. Показано, что изменение концентрации мелких фоновых доноров и акцепторов в слоях нелегированного ваАз, полученных методом МЛЭ при различных соотношениях димеров и тетрамеров мышьяка в постоянном полном потоке мышьяка, не связано с изменением стехиометрии растущего слоя при повышении доли Аб2 в полном потоке мышьяка, а обусловлено разложением соединений примесь-мышьяк и взаимодействием углерода с элементами конструкции в высокотемпературной зоне твердотельного источника Аэг.

- установлено, что в сильно легированном цинком СаАэ, полученном методом ЖФЭ, образуется неизвестный ранее центр излучательной рекомбинации, ответственный за появление в спектре низкотемпературной ФЛ линии с энергией в максимуме 1.35 эВ. Высказано предположение., что центр является электронейтральным комплексом, состоящим из собственных точечных дефектов арсенида галлия.

- установлено, что в слоях сильно легированного марганцем ваАБ, полученного методом ЖФЭ из расплава

висмута, в дополнение к акцепторам марганец на месте галлия образуются два неизвестных ранее рекомбинационных центра, один из которых является центром излучательной, а другой безызлучательной рекомбинации. Показано, что образование этих центров может быть обусловлено предварительной ассоциацией атомов марганца и мышьяка в расплаве висмута.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем:

1. Показано, что для уменьшения концентрации мелких фоновых примесей в слоях намерено нелегированного СаАэ, полученных методом ЖФЭ из расплава висмута, легированных редкоземельными элементами, использование иттербия более эффективно по сравнению с использованием гадолиния.

2. Установленные механизмы образования неизвестных ранее ненамеренно введенных при легировании дефектов в слоях СаАэ:гп и в СаАз:Мп, полученных методом жидкофазной эпитаксии, могут быть использованы при оптимизации условий роста слоев СаАвггл и СаАБ:Мп с целью уменьшения концентрации обнаруженных нами дефектов.

Научные положения выносимые на защиту

1. Экспериментальные результаты по зависимости концентрации мелких фоновых примесей в слоях баАэ, полученных методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута, легированного гадолинием, от концентрации гадолиния в жидкой фазе.

2. Экспериментальные результаты по зависимости концентрации мелких фоновых примесей в слоях вайе, получение методом молекулярно лучевой эпитаксии с использованием твердотельного источника димеров мышьяка, от температуры в зоне крекинга мышьяка.

3. Факт обнаружения неизвестного ранее центра излучательной рекомбинации, в слоях арсенида галлия, сильно легированных цинком, полученных методом жидкофазной эпитаксии и экспериментальные результаты по влиянию температуры роста, металла растворителя, уровня легирования на концентрацию этого центра.

4. Факт обнаружения двух неизвестных ранее центров, один из которых является центром излучательной, а другой безызлучательной рекомбинации, в слоях GaAs, сильно легированных марганцем, полученных методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута и экспериментальные результаты по влиянию температуры роста и уровня легирования на концентрацию этих центров.

Апробация работа;. Результаты полученные в данной работе докладывались и обсуждались на 8 Всесоюзной конференции по росту кристаллов (Харьков, 1992), Российской конференции Микроэлектроника-94 (Звенигород, 1994), 3-й Российской конференции по физике полупроводников (Москва, 1997), 9-th International Conference on Solid Films and Surfaces (Denmark, 1998), 8-st International Conference on "Shallow-level centers in semiconductors", (France, 1998), а также обсуждались на семинарах в Институте физики полупроводников СО РАН.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 11 печатных работ.

Структура и объем работа!. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитируемой литературы из 171 названия и содержит 142 страницы машинописного текста в том числе 30 рисунков и 3 таблицы.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении дана общая характеристика работы, сформулированы основные цели и приведены защищаемые положения.

В первой главе дан обзор мелких фоновых примесей, обнаруженных в намеренно нелегированном GaAs. Приведены развитые к моменту начала работы технологические приемы, позволяющие уменьшать концентрацию фоновых примесей в намеренно нелегированном эпитаксиальном GaAs, рассмотрены

механизмы изменения концентрации фоновых примесей при использовании этих приемов.

■ Рассмотрены зависимости состава и концентрации собственных точечных дефектов (ТД) и примесно-дефектных комплексов в сильно легированном мелкими донорами и акцепторами GaAs, от условий получения материала. Обсуждаются механизмы образования ТД и их комплексов с атомами легирующей примеси.

Во второй главе приведены условия получения исследованных в работе слоев и структур. Описана экспериментальная установка для измерения фотолюминесценции (ФЛ). Рассмотрены факторы определяющие чувствительность методики ФЛ. Описана процедура нормировки спектров ФЛ на спектральную чувствительность ФЭУ и пропускание оптической системы, а также методика обработки спектров ФЛ для получения из них информации о составе и концентрации центров рекомбинации.

Эксперименты проводились на установках, созданных на основе монохроматоров СДЛ-1 и ДФС-52. Сигнал ФЛ регистрировалась ФЭУ с фотокатодом S1, работающим в режиме счета фотонов. ФЛ возбуждалась излучением Аг+ и He-Ne лазеров. Измерение спектров ФЛ и их последующая обработка осуществлялась с помощь ЭВМ типа IBM PC. Для измерения спектров ФЛ в диапазоне температур от 4.2 до 300 К использовалась криостатная система УТРЕКС.

В работе исследовались слои намеренно нелегированного и легированного цинком и марганцем GaAs, полученные методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ), из расплавов галлия и висмута, слои намеренно нелегированного GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) с использованием твердотельного источника димеров мышьяка.

В третьей главе экспериментально установлена зависимость электрофизических свойств, а также концентрации мелких доноров и акцепторов в слоях GaAs, выращенных методом ЖФЭ из расплава висмута, от содержания гадолиния в жидкой фазе, а также рассмотрено влияние изменения температуры зоны крекинга источника мышьяка на электрофизические свойства, состав мелких доноров и акцепторов в слоях намеренно нелегированного GaAs, выращенного методом МЛЭ.

В первом параграфе главы показало, что изменение электрофизических и люминесцентных характеристик СаАэ при введении гадолиния в расплав обусловлено уменьшением концентрации мелких фоновых доноров серы и селена, элементов VI группы Периодической системы, и незначительным уменьшением концентрации мелкого фонового акцептора, - цинка. Обнаружено, что с увеличением концентрации гадолиния в расплаве концентрация селена в слоях уменьшается быстрее, чем концентрация серы. Обнаружено также, что возрастание содержания гадолиния в жидкой фазе сопровождается увеличением относительной интенсивности линий ФЛ с энергиями максимумов Ьсоа = 1.5145 эВ, Лсоь = 1.5143 эВ (показанных стрелками на рис.1) и линии с Ь(а = 1.495 эВ, что может быть связано с вхождением РЗЭ в слои СаАБ. Сравнение полученных результатов с литературными данными показывает, что добавление гадолиния в

к

е

.а

и и о

X

ю х о х ю н

X

а

О

расплав слабее влияет на концентрацию элементов VI группы в слоях СаАБ, выращенных из расплава висмута, чем добавление иттербия, в отличии от слоев выращенных из расплава галлия, для которых добавлении гадолиния с целью уменьшения концентрации мелких фоновых примесей предпочтительнее.

818

8 19

820

821

Длина волны, нм

Рис.1 Спектры экситонной ФЛ слоев СэАб , выращенных из расплава висмута, легированного ra.no линией. Температура измерения 4,2 К. Содержание гадолиния в жидкой фазе, атомных долей х 10~5: 1 - О,

3 - 5.2, 5 - 21г 7 - 160.

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

300

600

900

1200

Относительные

интенсивности

Во втором параграфе главы исследовано

влияние молекулярного состава потока мышьяка, изменяемого путем термического разложения молекул Аэ4 на молекулы Аб2, на электрофизические свойства, концентрацию мелких доноров и акцепторов в слоях намеренно нелегированного БаАз. Для проведения данной работы было выращено три Рис 2 серии слоев (слои раз- .линий донорно-акцепторной реком-личных серий имели бинации (Б,С) / (еР,Х) пропоргхиональ-различный набор фоно- ные концентрациям углерода, в вых акцепторов) с ис- зависимости от температуры зоны пользованием мышьяка крекинга в слоях первой, второй и различных производите- третьей серий (1-3 соответственно). лей.

Для количественной оценки изменения концентрации мелких акцепторов в исследованных слоях при повышении температуры в зоне крекинга мышьяка, измерялись отношения интенсивности линии рекомбинации донор-акцептор к интенсивности линии экситона связанного на мелком доноре (О, А)/(Б0, X) (приведенные на рис. 2, для углерода, доминирующего акцептора в слоях всех трех серий), которые пропорциональны концентрациям соответствующих акцепторных примесей. Изменение относительной концентрации мелких фоновых доноров, оценивалось по изменению формы и относительных интенсивностей линий, в спектрах фототока измеренных методом субмиллиметровой лазерной магнетоспектроскопии.

Было установлено, что повышение температуры в зоне крекинга до 900-950 °С, соответствующей максимальной эффективности разложения Аэ4 —» Аэ2, приводит к 10 кратному уменьшению

концентрации мелких акцепторов углерода, цинка и примерно 3 кратному уменьшению концентрации магния, а также повышению концентрации мелких доноров - серы и селена. Основным источником мелких примесей - С, Zг^, Мд, Б и Бе является шихта мышьяка. Анализ источников мелких фоновых примесей и процессов на ростовой поверхности и в зоне крекинга мышьяка позволил нам сделать вывод о том, что изменение концентрации примесей не связано с изменением стехиометрии растущего слоя при повышении доли Аэг в полном потоке мышьяка, а обусловлено разложением соединений примесь-мышьяк и взаимодействием углерода с элементами конструкции в зоне крекинга источника мышьяка при повышении ее температуры.

В четвертой главе приведены результаты исследования

характеристик

электрических и фотолюминесцентных

h о> 1 . 4

1 О 1 0г 1 0 ' 1 о "

Рис. 3

800 8 5 0 900 950 1000 Длина волны, ни

ФЛ слоев CaAs:Zn

слоев

сильно легированных ваАз.-гп и СаАэгМп, полученных методом жидкофазной эпитаксии.

В первом параграфе показано, что зависимость концентрации дырок в слоях СаАэ:Ъп от содержания цинка в расплаве р = £ (Хгп) имеют

линейный характер, переходящий в насыщение при высоких уровнях легирова-с ния. Измерения кон-

Спектры

различным уровнем легирования, Еыращенных центрации цинка в при начальной температуре эпитаксии 800 °С слоях методом ВИМС из расплава галлия: Температура измерения 7/ К; Концентрат-ш в слоях ттри

Т=300 К : 1~р=1.6 '101! 2-р = 5.9 ЧО13 см'3, 4-р = 4.8 ЧО" см'3.

3-р=2.0 '1019 см'3,

показали, концентрации дырок линейно возрастает при увеличении концентрации атомов

1 о

1 о

1 о

цинка в ваАэ во всем диапазоне легирования. Эти данные свидетельствуют о том, что цинк присутствует в слоях преимущественно в виде акцептора замещения ZnGa и степень электрической компенсации в слоях не увеличивается с ростом уровня легирования. Следовательно, насыщение зависимости р=£ (Х2п) при высоких концентрациях цинка в жидкой фазе скорее всего связано с испарением цинка из расплава, но для выяснения справедливости этого утверждения требуются дальнейшие исследования.

В спектрах ФЛ сильнолегированного цинком ваАб, как это видно из рис. 3, появляется линия с энергией в максимуме 1.35 зВ. Анализ зависимости интенсивности этой линии от уровня легирования и температуры измерения ФЛ позволил установить, что линия не связана с рекомбинацией через уровни акцептора медь, а обусловлена рекомбинацией через уровни нового центра обозначенного нами как центр К^. Установлено, что концентрация этого центра возрастает с повышением уровня легирования пропорционально концентрации дырок в степени 5.35, причем показатель степени не зависит ни от металла растворителя, ни от температуры эпитаксии. Замена гаплиевого расплава висмутовым приводит к уменьшению концентрации центра более чем на порядок величины. Степенная зависимость концентрации центра от уровня легирования

свидетельствует о том, что центр имеет сложный состав и является комплексом, в состав которого входят собственные точечные дефекты (ТД) ОаАз.

Для определения возможного состава этого комплекса были проанализированы данные по изменению концентрации центров Е^ в зависимости от температуры роста, уровня легирования, металла растворителя и данные электрических измерений в исследуемых слоях СаАз:2п. Экспериментальные результаты объяснены в предположении, что центр является электронейтральным комплексом, в состав которого входят антиструктурный дефект галлий на месте мышьяка и две вакансии мышьяка. Предложена следующая схема образования комплекса. Исходными компонентами для образования комплекса являются междоузельный атом галлия ба/2. и три вакансии мышьяка Vll¡s+1. Суммарный заряд этих дефектов равен +5 и,

следовательно, произведение их концентраций будет возрастать при повышении уровня легирования степенным образом с показателем степени 5, что весьма близко к 5,35, показателю степени в выражении связывающем концентрацию дефектов Rzn и концентрацию дырок.

В процессе охлаждения слоев Ga/2 взаимодействует с вакансией мышьяка с образованием антиструктурного

дефекта Ga^*, который в свою очередь взаимодействуя с двумя вакансиями мышьяка образует нейтральный комплекс (Ga^V^)* :

Ga/2 + Vas+1 -> Gatex + 3h+ Gate~2 +2 Vte+1 +2h+ ->• (Ga^V^)x

где - положительно заряженная дырка.

Отсутствие атомов цинка в составе комплекса и его злектронейтральность вполне согласуется с полученными нами экспериментальными

данными.

Во втором параграфе данной главы показано, что в сильно легированном марганцем СаАэ, выращенном из расплава висмута, повышение уровня легирование приводит к возрастанию концентрации компенсирующих доноров. Повышение концентрации доноров сопровождается появлением плеча (обозначено стрелкой на рис. 4) на высокоэнергетическом крыле линии (с,Мп), связанной с рекомбинацией через уровни акцептора марганец на месте галлия (Мпса), и резким па-

ч о

800 850 900 950 Длина волны, нм

Рис.4. Спектры фотолюминесценции слоев GaAszMn с различным уровнем легирования, измеренные при температуре 4.2 К. Концентрация дырок в слоях при 1-300 К: 1-р=2.1 ЧО14 см"3, (намеренно нелегированный слой) 2-р"7.5 '1017 см'3, 3-р=2.1 '101В см'3, 5~р=3.0 П&8 см3, 1-р=2. 4 Ч018 см3.

дением интегральной интенсивности ФЛ измененной при температуре 4,2 К (более чем на 2 порядка величены при повышении концентрации дырок от 7.5 *1017 см-3 до 3.0 'Ю18 см"3), что свидетельствует об образовании двух рекомбинационных центров в дополнение к акцепторам марганец на месте галлия. Один из этих центров является центром излучательной, а другой безызлучательной рекомбинации. Концентрация обоих центров, также как концентрация доноров, при повышении уровня легирования возрастает быстрее концентрации акцепторов марганец на месте галлия.

Повышение температуры измерения до 110 К поззоляет выделить полосу ФЛ связанную с центром излучательной рекомбинации. Спектроскопические параметры этой полосы ФЛ свидетельствует о сильной связи центра с решеткой кристалла. Определена энергия ионизации этого центра, которая равна 41±2 мэВ. При повышении температуры эпитаксии от 700 до 800 °С форма спектра ФЛ не изменяется, в то же время интегральная интенсивность ФЛ увеличивается на 20%. Увеличение температуры эпитаксии приводит также к уменьшению концентрации доноров и это позволяет полагать, что компенсирующими донорами являются центры безызлучательной рекомбинации.

Проведен анализ причин образования дефектов в исследуемом материале с позиции кристаллохимии, показано, что за их образование может быть ответственна предварительная ассоциация атомов марганца и мышьяка в расплаве висмута. Образование подобных дефектов обусловлено методом получения материала, - ЖФЭ из расплава висмута. В СаАБгМп выращенном из расплава галлия, когда жидкая фаза более чем на 95 % состоит из атомов Са, который также образует с мышьяком соединение (СаАз) , причем более тугоплавкое, чем соединения марганца, вероятность ассоциации атомов Мп и Аэ чрезвычайно низка, т.к. более вероятен конкурирующий процесс предварительной ассоциации атомов Аэ и ва. При выращивании же ваАз:Мп из висмута, который не образует химических соединений с мышьяком, концентрация атомов

Са в жидкой фазе снижается до единиц процентов и ниже, и соизмерима с концентрацией атомов Мп при высоких уровнях легирования, поэтому вероятность

предварительной ассоциации атомов Мп и Аэ значительно повышается.

В заключении приводятся основные результаты и вывода настоящей работы. Оговорен личный вклад автора.

Основные результаты и выводы работы состоят в следующем:

1. Экспериментально установлено, что изменение электрофизических и люминесцентных характеристик баАэ, выращенного методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута, легированного гадолинием, обусловлено уменьшением концентрации доноров серы и селена, элементов VI группы Периодической системы, и незначительным уменьшением концентрации акцептора - цинка.

2. Экспериментально установлено, что при росте намеренно нелегированного ваАз методом МЛЭ с использованием твердотельного источника димеров мышьяка, повышение температуры в зоне крекинга до величены, соответствующей максимальной эффективности разложения Аз4->Аз2, приводит к десятикратному уменьшению концентрации мелких фоновых акцепторов С, Яп, к трехкратному уменьшению концентрации мелкого фонового акцептора Мд и к повышению концентрации мелких фоновых доноров. Проведенный анализ механизмов встраивания и источников фоновых примесей позволил установить, что изменение концентрации мелких акцепторов и доноров при повышении температуры в зоне крекинга не связано с изменением стехиометрии растущего слоя при повышении доли Аб2 в полном потоке мышьяка, а обусловлено разложением соединений примесь-мышьяк и взаимодействием углерода со элементами конструкции в высокотемпературной зоне твердотельного источника Аэг.

3. Экспериментально обнаружено, что в легированном до уровня

- я -з ^ ,

? ±и см цинким иа«5, полученном методом жидкофазнси

эпитаксии, образуется неизвестный ранее дефект,

являющийся центром излучательной рекомбинации. На основе

термодинамического анализа процессов образования

собственных точечных дефектов GaAs высказано предположение, что дефект является электронейтральным комплексом, состоящим из собственных точечных дефектов, -антиструктурного дефекта галлий на месте мышьяка и пары вакансий мышьяка.

4. Экспериментально обнаружено, что легирование GaAs в процессе жидкофазной эпитаксии из расплава висмута акцепторной примесью марганцем приводит к образованию неизвестных ранее дефектов, концентрация которых возрастает при повышении уровня легирования быстрее концентрации акцептора замещения - марганец на месте галлия. Показано, что один из обнаруженных дефектов является центром излучательной, другой центром безызлучательной рекомбинации. Анализ процессов происходящих при кристаллизации слоев GaAs:Мл, с позиций кристаллохимии, позволяет предполагать, что образование дефектов, связано с предварительной ассоциацией атомов мышьяка и марганца в расплаве висмута.

Основные результаты диссертации изложены в следующих

работах:

Al. Журавлев К.С., Якушева H.A., Шегай О.А, Шамирзаев Т.С., Погадаев В.Г., «Идентификация доноров и акцепторов в GaAs, выращенном из раствора-расплава висмута легированного гадолинием». В сборнике тезисов докладов «4 международной конференции по физике и технологии тонких пленок» г.Ивано-Франковск, 1993, с.126.

А2. Журавлев К.С., Якушева H.A., Шамирзаев Т.е.,

Погадаев В.Г., Шегай O.A. "Влияние легирования гадолинием висмутового раствора-расплава на остаточные примеси в эпитаксиальном GaAs". - ФТП, 1993, т.27, в. 9, стр.1473-1479.

A3. Shegai O.A., Zhuravlev K.S., Shamirzaev T.S.,

Yakusheva N.A. «Magnetospectroscopy of shallow donors in GaAs, doped by Yb and Gd». Sol. Stat. Comm., 1995, v.95, n.5, p.464.

A4. Журавлев К.С., Калагин A.K., Мошегов Н.Т.,

Торопов А.И., Шамирзаев Т.С., Шегай O.A. «Влияние

соотношения As4/As2 на примесный и дефектный состав не легированного GaAs» - В сборнике тезисов докладов «Российской конференции Микроэлектроника-94»

г.Звенигород, 1994, т.2, с.395-396.

А5. Журавлев К.С., Калагин А.К., Мошегов Н.Т.,

Торопов А.И., Шамирзаев Т.С., Шегай О.А. "Влияние температуры зоны крекинга твердотельного источника мышьяка на состав фоновых примесей в GaAs, полученном методом МЛЭ" - ФТП, 1996, г.30, в.9, стр.1704-1717.

А6. Журавлев К.С., Якушева Н.А Шамирзаев Т.е.,

Погадаев В.Г., Петренко П.П. «Исследование комплексов в сильно легированном GaAs:Zn, полученном методом ЖФЭ из расплавов галлия и висмута». В сборнике тезисов докладов «8 Всесоюзной конференции по росту кристаллов» г.Харьков, 1992, т.2, ч.2, с.259.

А7. Shamirzaev T.S., Zhuravlev K.S., Yakusheva N.A., Petrenko I.P. New complex defect in heavily doped GaAs:Zn grown by liquid phase epitaxy - in Abstracts of the 8-st International Conference on "Shallow-level centers in semiconductors", SLCS-98, Monpellier, France, July 27-30, 1998, p.95.

A8. Zhuravlev K.S., Shamirzaev T.S., Yakusheva N.A. «Mn related recombination centers in epitaxial GaAs grown from bismuth melt.» - В сборнике тезисов докладов Международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» г.Ульяновск , 1997, с.55.

А9. Журавлев К.С., Шамирзаев Т.С., Якушева Н.А. «Новая линия в спектрах фотолюминесценции эпитаксиального GaAs:Мп». В сборнике тезисов докладов «3 Российской конференции по физике полупроводников», г.Москва, 1997, с.212.

А10. Журавлев К.С., Шамирзаев Т.е., Якушева Н.А. "Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута" - ФТП, 1998, т.32, в.1, стр.50-56.

All. Журавлев К.С., Шамирзаев Т.С., Якушева Н.А. "Свойства легированных марганцем слоев арсенида галлия, выращенных методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута" -ФТП, 1998, т.32, в.7, стр.791-798.

Цитируемая литература.

[1] Мастеров В.Ф., Захаренков Л.Ф. Редкоземельные элементы в полупроводниках А3В5. - ФТП, 1990, т.24, в.4, стр.610-630.

[2] Stenley C.R., Holland М.С., Kean А.Н., Chamberlain J.M., Grimes R.T., StanawayM.B. 4xl05cm2 V"1 s"1 peak electron mobilities in GaAs grown by solid sorse MBE with As2. -J. Crys. Growth, 1991, v.Ill, p.14-19.

[3] Бобровникова И.А., Вилисова М.Д., Лаврентьева М.Г., Рузайкин М.П. Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газовой эпитаксии арсенида галлия. - Томск, 1990, 23с, (Препринт/Томский Университет №9) .

[4] Чалдышев В.В., Якушева Н.А. Фотолюминесценция легированного оловом GaAs, выращенного жидкофазной эпитаксией из смешанного Ga-Bi растворителя. - ФТП, 1996, т.30, в.2, стр.335-345.

[5] Kressel Н., Ettenberg М. Electroluminescence and photoluminescence of GaAs;Ge prepared by liquid phase epitaxy. - Appl. Phys. Lett., 1973, v.23, N.9, p.511-513.

[6] Бирюлин Ю.Ф., Воробьева В.В., Голубев Л.В., Новиков С.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В. Фотолюминесценция GaAs, легированного германием и висмутом. - Письма в ЖТФ, 1987, т.13, в.20, стр.12641267.

[7] Журавлев К.С, Чикичев С.И., Штаске Р., Якушева Н.А. Исследование комгшексообразования в эпитаксиальном сильнолегированном p-GaAs:Ge, методом фотолюминесценции. - ФТП, 1990, т.24, в.9, стр.1645-1649.

[8] Uematsu М., Maezawa К. Compensation mechanism in heavily Si-doped GaAs grown by MBE. - Jpn. J. Appl. Phys., 1990, v.29, N.4, p.L527-L529.

Подписано в печать 22.10.98. Формат 60x84/16. Заказ №148. Бумага офсетная.

Печ.л. 1 Тираж 100.

Отпечатано на полиграфическом участке издательского отдела Института катализа им. Г.К. Борескова СО РАН 630090, Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 5