Вакуумные автоэмиссионные приборы в микроэлектронном исполнении тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.03 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЯВЛЕНИЯ АВТОЭЛЕКТРОНОЙ

ЭМИССИИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ВАКУУМНЫХ ЭМИССИОННЫХ

ПРИБОРОВ.

1.1. Физические основы полевой эмиссии электронов.

1.2. Теория автоэлектронной эмиссии.

1.3. Особенности автоэлектронной эмиссии полупроводников.

1.4. Автоэлектронная эмиссия в высокочастотном поле.

1.5. Быстродействие вакуумных микроэлектронных приборов.

1.6. Конструкции и способы создания автоэмиссионных микроприборов.

1.6.1. Тонкопленочные автоэлектронные микрокатоды.

1.6.2. Полупроводниковые автоэлектронные микрокатоды.

1.6.3. Планарно-торцевые автоэлектронные микрокатоды.

Выводы и постановка задач.:.,.-. .ч ■.

ГЛАВА 2. КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ НИЗКОВОЛЬТНЫХ АВТОЭМИССИОННЫХ

МИКРОПРИБОРОВ.

2.1. Оптимизация конструкции путем размещения катода и анода на одной подложке.

2.2. Алмазосодержащие катодные покрытия.

2.3. Применение резистивных слоев.

2.4. Вакуумирование автоэмиссионных микроприборов.

2.5. Новые способы низковольтного управления полевой эмиссией в микроприборах.

2.5.1. Управление автоэлектронной эмиссией из полупроводников барьером Шоттки.

2.5.2. Управление эмиссией электронов путем изменения геометрии катода.

Выводы.

ГЛАВА 3. СОЗДАНИЕ НИЗКОВОЛЬТНЫХ АВТОЭМИССИОННЫХ

МИКРОПРИБОРОВ.

3.1. Острийные кремниевые диоды.

3.1.1. Создание маскирующего покрытия субмикронного разрешения методом фотолитографии.

3 .1.2. Формирование матрицы трехмерных микроструктур методом плазмохимического травления.

3.1.3. Принцип самосовмещения при построении управляющих электродов

3.2. Технология острийных кремниевых триодов.

3.3. Планарные диодные углеродные структуры.

Выводы.

ГЛАВА 4. ПРИМЕНЕНИЕ АВТОЭЛЕКТРОННЫХ МАТРИЧНЫХ

КАТОДОВ В УСТРОЙСТВАХ ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ

4.1. Острийные кремниевые катоды в плоских индикаторах. ^^

4.2. Планарно-торцевые структуры с углеродным катодом в плоскопанельных экранах.

4.3. Использование вторичной электронной эмиссии в планарных триодных структурах.

Выводы.

ГЛАВА 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ВАКУУМНЫХ

МИКРОПРИБОРОВ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ

5.1. Измерение вольт-амперных характеристик острийных кремниевых микроприборов

5.2. Характеристики лезвийных планарно-торцевых структур с гребенкой углеродных эмиттеров.

5.3. Сравнительный анализ острийных и планарно-торцевых автоэлектронных микроприборов.

5.4. Перспективы применения вакуумных микроприборов, изготовленных с применением групповых микроэлектронных технологий.

Выводы.

С развитием радиоэлектроники все острее встает задача расширения элементной базы. Так, например, остается незаполненным верхний диапазон КВЧ и ГВЧ (100-1000ГТц), где работают приборы на пучках свободных электронов, имеющие большие габариты и высокое энергопотребление, к тому же, перекрывающие только большие и средние мощности. Интенсивно развивается новый класс электронных приборов - вакуумные микроэлектронные приборы, которые объединяют в себе достоинства как полупроводниковых, так и электровакуумных приборов. В работах [1-4] показана возможность получения высоких значений плотностей тока порядка

9 2

10 А/см с автоэлектронных катодов при напряженности электрического поля п

10 В/см без дополнительных затрат энергии на разогрев катода. Автоэлектронный катод - это единственный источник электронов который не требует энергетических затрат на акт эмиссии, способен работать в широком диапазоне температур от гелиевой до точки плавления материала, устойчив к радиации. Безынерционность работы автокатода при изменении внешнего электрического поля и другие свойства открывают функционально новые возможности для совершенствования известных и создание новых приборов микроэлектронной техники СВЧ.

В Красноярском государственном техническом университете в лаборатории вакуумной микроэлектроники (до 1995 года - лаборатория функциональной электроники) с 1985 года ведутся работы по созданию различных вакуумных микроприборов. Экспериментальные исследования вакуумных приборов подтвердили модельные представления и показали перспективность применения разработанных приборов вакуумной микроэлектроники. Было доказано, что разработка жизнеспособных устройств вакуумной микроэлектроники (диодов, триодов, полевых эмиссионных дисплеев и др.) требует более глубокую теоретическую проработку принципов построения, конструкций и вопросов технологии.

Целью данной диссертационной работы является использование полевой эмиссии электронов из материала в вакуум для анализа особенностей самого физического явления и разработки на этой основе низковольтных автоэлектронных диодных и триодных вакуумных автоэмиссионных микроячеек и приборов.

Для достижения поставленой цели в диссертации решались следующие задачи:

1. Анализ физических особенностей явления эмиссии электронов из материала при высокой локальной напряженности электрического поля и учет предпробойного характера автоэлектронной эмиссии при разработке конструкций и топологий вакуумных микроприборов различных типов.

2. Выбор катодного материала и формирование эмиттерной матрицы с заданными эмиссионными характеристиками и создание экспериментальной плазмохимической установки, с возможностью реактивного плазмохимического травления в одном технологическом цикле для формирования трехмерных микроэлектронных структур.

3. Применение широко используемых методов микроэлектроники для создания вакуумных микроприборов, формирования управляющего электрода методом самосовмещения с катодом и исследования вакуумных микроструктур.

В качестве объектов исследования для решения связанной задачи "конструкция - материал - технология" были выбраны монокристаллический кремний и различные формы углерода. Основным элементом автоэмиссионного прибора (АЭП) является автоэмиссионная ячейка. Сам прибор состоит из многих ~ 105 диодных и триодных ячеек, причем каждая ячейка имеет катод, анод и управляющий электрод.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов, заключения и списка литературы. Работа содержит 140 страниц, включая 60 рисунков, графиков, таблиц, микрофотографий и список литературы из 167 отечественных и иностранных источников.

Выводы

1. Приборы изготовленные по технологиям описанным в главе 3 работоспособны.

2. Управляющие напряжения острийных приборов составляют 25-60 В.

3. Рабочие напряжения планарно-торцевых структур - 150-350 В.

4. Диодные автоэлектронные матрицы с планарно-торцевыми катодами работоспособны в режиме широтно-импульсной модуляции. Яркость свечения пикселя изменяется от 0 - 65 Кд/м2.

5. Для острийных структур на кремнии получены плотности тока до 1,5 А/см2. Для лезвийной планарно-торцевой матрицы - 0,4 А/см2.

128

1. Ненакаливаемые катоды. Под ред. М.И.Елинсона. М., «Сов. радио», 1974,336 с.

2. Иванова А.В., Светликина И.А., Кузнецова О.Ф. Катоды. Часть III. Холодные и боридные катоды. Обзоры по электронной технике. Сер Л. Электроника СВЧ. Вып. 14 (1210), 1986.

3. Месяц Г.А. Эктоны в вакуумном разряде: пробой, искра, дуга. М.:Наука, 2000. -424с.

4. Smullin L.D., Haus Н.А. Noise in Electron Devices, MIT Press and Wiley & Sons, New York, 1959.

5. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. Пер. с англ. -М.: Мир, 1985.

6. Модинос А. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия: Пер. с англ. Под ред. Г.Н. Фурсея. М.: Наука. 1990.

7. Brodie I. Studues of Field Emission and Electrical Breakdown between Extended Nickel Surfaces in Vacuum, J. Appl. Phys., 35, 2322-2324, 1964.

8. Fowler R.H., Nordheim L. Electron emission in intense electric fields. "Proc. Roy. Soc." 1928, vl 19, №A781, p.173-181.

9. Бете Г., Зоммерфельд А. Электронная теория металлов, пер. с нем., М., ОНТИ НКТП СССР, 1938.

10. Good R.H., Muller E.W. Phusik(Ed. bu S.Flugge). Field emission.-In Handbuch der Bd. 21, Springer Verl. Berlin, 1956, pp. 176-231.

11. Добрецов JI.H. и Гамаюнова M.B. Эмиссионная электроника, М., "Наука", 1966г., 564 стр.

12. Моргулис Н.Д. К вопросу об эффекте Шоттки для сложных полупроводниковых катодов. -"ЖЭТФ", 1946, т.16, N11, стр. 959-964.

13. Stratton R. Field emission from semiconductors. -"Proc. Phus. Soc. (London)", 1955, v. B68, pp. 746-757.

14. Stratton R. Theory of field emission from semiconductors. -"Phys. Rev.", 1962, v.125, № 1, pp. 67-82.

15. Kingston R.H., Neustadter S.F. Calculation of the space charge, electric field and free carrier concentration at the surface of a semiconductor. "J. Appl. Phus.", 1955, v. 26, № 6, pp.718-720.

16. Seiwatz R., Green M. Space charge calculations for semiconductors.-"J. Appl. Phus.", 1958, v. 29, № 7, pp. 1034-1040.

17. Grove A.S., Deal B.E., Show E.H., Sah C.T. Simple physical model for the space-charge capacitance of metal-oxide-semiconductor structures. "J. Appl. Phys", 1964, v. 35, № 8, pp. 2458-2460.

18. Фурсей Г.Н., Капланов М.И., Львов О.И. К теории автоэлектронной эмиссии р-типа полупроводников. "Вестник ЛГУ Сер. физики и химии", 16 (167), 1968.

19. Фишер Р. и Нойман X. Автоэлектронная эмиссия полупроводников. М., "Наука", 1971.

20. Baskin L.V., Lvov О.I., Fursey G.N. General features of field emission from semiconductors. "Phys. Stat. Sol. (b)" 1971, v.47, pp.49-62.

21. Фурсей Г.Н., Иванов Г.В. Автоэлектронная эмиссия кремния, очищенного десорбцией полем. "ФТГ", т.9,6, 1812,1967.

22. БункинФ.В. и Федоров М.В. ЖЭТФ.-1965.-Т.48.-стр. 1341.

23. Баскин Л.М. и Соколовский Д.Г. Тез. докл. 19-ой Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. Ташкент, 1984. стр. 69.

24. Воронков P.M., Гасс В.А., Даниличев В.А., Смирнов И.А. ПТЭ. 1974, №4.стр.18.

25. Гасс В.Ф. Вопросы атомной науки и техники. 1962, Вып. 4. стр.29.

26. Ziminer Н. Improved stability of field emission current at microwave frequencies. "Appl. Phys. Letters", 1965, v.7, #11, pp.297-300.

27. Баскин JT.M., Ананьев Л.Л., Борисов А.Д. и др. Эффект устранения ионной бомбардировки автоэлектронного катода. Радиотехника и электроника. 1983. т.28, №12. стр.2462-2464.

28. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Механика. : Наука, 1965.

29. Елинсон М.И. и Горьков В.А. Некоторые особенности работы автоэлектронных катодов в электрических полях СВЧ. «Радиотехника и электроника», 1961, т.6, № 2, стр. 336-339.

30. Zimmer Н. Improved stability of field emission current at microwave frequencies. "Appl. Phys. Letters", 1965, v.7, #11, pp. 298-300.

31. Ананьев Л.Л., Богатский М.М., Борисов А.Д. и др. Методика исследования автоэмиссии в сверхвысокочастотном электрическом поле. ПТЭ. 1983. №5. стр. 165-168.

32. Дюжев Н.А., Козлов А.И., Махов В.И., Северовайский В.М. Быстродействие микроэлектронных структур с автоэлектронными катодами. Микроэлектроника. Том 19, вып. 5, 1990 г. стр. 478-485.

33. Славянский В.В., Солтанов У.Б., Сушков А.Д., Карпов Л.Д. Электронная техника. Сер.4. Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1981. Вып. 4. стр. 3.

34. Van Oosstrom A. Field Emission Cathodes, J. Appl. Phys., 33, 2917-2922, 1962.

35. Dyke W.P., Dolan W.W. Adv. in Electron and Electron Phys., 1956, vol. 210, #l,p. 90.

36. Вентова И.Д. Ограничение предельных автоэмиссионных токов одноострийных катодов. Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. Вып. 4 (87), 1981г.

37. Карпенко А.Д. и др. Радиотехника и электроника, 1976, т. 21, вып. 1, стр.207.

38. Wehney G.K. J. of Vorc. Science and Technology. 1985. Sec. A. Vol. 47. #12.p. 5248.

39. Беграмбеков Л.Б., Захаров A.M., Пустобаев A.A. Многоострийный автоэмиссионный катод. Мощные ф.-э. системы. 1988. стр. 41-48.

40. Бесон Ф.М., Троян П.Е. Влияние микрорельефа нижнего электрода на плотность эмиссионных центров МДМ-катода. Радиотехника и электроника, т. 37. стр. 1332-1335.

41. Bajic S., Latham R.V. High Voltage Vacuum Insulation, J. Appl. Phys. 21. 1988r. pp. 200-204.

42. Патент PCT #W097/06549. Fild electron emission materials and devices. 1997.

43. Zhu W. Fundamentals of Vacuum Microelectronics. New York: Wiley & Sons, 2000 r.

44. Рахимов А.Т. Автоэмиссионные катоды (холодные эмитеры) на нанокристалических углеродных и наноалмазных пленках (физика, технология, применение. УФН. Т. 170, №9, 2000г.

45. Лаврентович Я.И., Коноплев Ю. М., Зайцев Б.В., Мазалов Ю.П. Массивы металических острийных структур типа кластер-глобула-поверхность. Поверхность. Физика, химия, механика. № 9, 1991.

46. Cochran J.K., Lee J.-D., Chapman А.Т., Hill D.N. Method of producing low voltage field emission cathode structure. Pat. 4253221 USA, 03.03.1981.

47. Бондаренко Б.В., Черепанов А.Ю., Шахбазов С.Ю. и др. Сильноточный автокатод на основе углеродных волокон. Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1989. Вып. 10 (4040). стр. 45-48.

48. Spindt С.А., Shouldeers K.R. Rescaarch in micronsize field-emission tubes. IEEE 8-th Conf. on Tube Techniques. New York, Sept., 1966.

49. Spindt C.A. A thing-film field -emission cathode. J. of Appl. Phys. 1968. v. 39. #6. p. 3504.

50. Spindt С.A., Brodie I., Humphrey L., Westerberg E.R. Physical properties of thing-film field emission cathodes with molibdenum cones. J. of Appl. Phys. 1976. v. 47. #12. pp. 5248-5263.

51. Spindt С A. Development program on a cold cathode electron gun. NASA Contract #NAS3-20096. Final Report, May, 1979.

52. Европейский патент №048381. опубл. 16.08.1995г.

53. U. S. Patent # 4940916. опубл. 17.10.1990г.

54. U. S. Patent # 5194780. опубл. 16.03.1993г.

55. Mayer R. 4th Inter.Vac. Micr.Conf. Japan, 1991, pp. 6-9.

56. Kaneko A., Sumita J. 7th Inter.Vac. Micr.Conf. France, 1994, p.80.

57. Патент США № 3998678. 21.12.1976г.

58. Чесноков В.В. Автоэлектронный катод. А.С. СССР №339986, 08.04.1969 г.

59. Karpov L.D., Genelev А.P., Dratch V.A. Field emission device with edge emitter and method for making. Patent USA #5818166, 6 oct. 1998.

60. Thomas R.N., Wickstrom R.A., Schroder D.K. and Nathanson H.C. Fabrication and some applications of large-area silicon field emission arrays. Solid State Electronics, 1974, Vol. 17. pp.155-163.

61. Oray H.F. All-silicon gridded FEA's. Presented at 1980 Tri-Services Cathode Workshop. New York, April, 1980.

62. Васенков A.A., Дюжев H.A., Козлов А.И., Махов В.И. Низковольтные кремниевые матричные автоэлектронные катоды. Электронная промышленность. Вып. 8 (166). 1987.

63. Махов В.И., Дюжев Н.А., Пинаев И.В. Влияние диэлектрического покрытия туннельной толщины на эмиссионные характеристики автоэлектронного катода. Тез. докл. XIX Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике, Ташкент, 1984, секция 4, стр.45.

64. Патент США №3970887. 20.07.1976г.

65. Патент Великобритании №31498232. 18.01.1978г.

66. Захаров А.А., Карпов Л.Д., Лишнев Л.А., Славянский В В., Салтамов У-Б. С. Способ изготовления автоэлектронного катода с управляющим электродом. А.С. СССР №1132722. 10.01.81г.

67. Huang Z., Мс Gruer N.E., Warner К. 200- nm Gated Field Emitters. IEEE Electron Device Letters, vol. 14 #3, march, 1993.

68. Захаров A.A., Карпов Л.Д., Лишнев Л.А., Пятнышев Е.Н., Солтамов У.Б.-С. Автоэлектронный пленочний триод. А.С. СССР №1414209. 25.11.1985г.

69. Чесноков В.В. Автоэлектронный катод. А.С. СССР №376826, 09.03.1971г.

70. Чесноков В .В. Автоэлектронный катод. А.С. СССР №374677, 03.04.1972г.

71. Винник Н.Д., Петров Е.Н. Матричный автоэлектронный катод. А.С. СССР №3921022. 27.12.83г.

72. Шаховский А.Г., Черепанов А.Ю. Эмиссионные характеристики высоковольтного триода с матричным автокатодом из углеродных волокон. Электронная техника. Сер. 4. Электровакуумные и газоразрядные приборы, МЭП СССР, 1990, вып. 1, стр. 68.

73. Feist Wolgang М. European Patent Aplication #0501785A1. Priority 01.03.1991.

74. Carey J. D., Forrest R. D., Khan R. U. A., and Silva S. R. P. Influence of sp2 clusters on the field emission properties of amorphous carbon thin films // App. Phys. Lett. 77, Issue 13. 2000. pp. 2006-2008.

75. Карпов Л.Д., Драч В.А., Засемков B.C., Миргородский Ю.В. Индикатор изображения. Патент России №2022393, 1994.

76. Zhirnov V.V., Givargizov E.I., Plekhanov P.S. Field emission from silicon spikes diamond coatings. J. Vac.Sci. Technol. В 13(2), Mar/Apr 1995.

77. Kumar N., Schmidt H., Chenggang X. Diamond-based field emission flat panel displays. Solid State Technology, May 1995.

78. Twichell J.C., Geis M.W., Bozler C O., and et. Diamond field-emission cathodes. Report on the 6th Item. Vacuum Microelectronics Conf., 12-15 July, Newport, RL, 1993.

79. Алимова А.Н., Жирнов В.В., Детков П.Я., Белобров П.И., Kuttel О.М. Эмиссионные свойства ультрадисперсионного алмаза. Труды Межд. Конф. «Алмазы в технике и электронике», М., Полярон, 1998, стрЛ19-129.

80. Zhu W., Kochanski G. P., Jin S. Low-Field Electron Emission from Undoped Nanostructured Diamond//Science, Vol. 282, 1998. pp. 1471-1473.

81. Jm S,, Kochanski G. P., Zhu W. Method of making field emission devices employing ultra-fine diamond particle emitters. US Patent 5709577, Jan. 20 (1998).

82. Jin S., Kochanski G. P., Zhu W. Field emission devices employing diamond particle emitters. US Patent 5977697, Nov. 2 (1999).

83. Ghis A., Meyer R., Rambaud P., Levy F., Leroux T. Sealed vaccum devices: Fluorescent microtip dissplays. IEEE Trans. Electron Devices. 1991. 38, #10. pp. 2320-2322.

84. Meyer R. European Patent Aplication #0461990 A1. Priority 13.06.1990.

85. Европейский патент №0503638. Опубл. 19.06.1996г.

86. U. S. Patent #5075591. Опубл.24.12.1991г.

87. Levine J.D. 8th Inter. Vac. Micr.Conf. USA. 1995. p. 67.

88. Itoh S. 8th Inter. Vac. Micr.Conf. USA. 1995. p. 99.

89. Драч В А., Засемков B.C., Карпов JI. Д., Петров Е.Н. Вакуумный микротриод. Патент России №2075130. 1997.

90. Karpov L.D., Genelev А.P., Drach V.A., Zasemkov V.S. Fabrication of Gated Field Emitter Arras with Self-Lateral Resistors. Papers the 10-IVMC, 1997.

91. Карпов Л.Д. Способ изготовления прибора с пленочным автокатодом. А.С. СССР №1360484. 20.02.86г.

92. Карпов Л.Д., Королев В.Л., Ивченко С.В. Способ изготовления пленочного автоэлектронного триода. А.С. СССР №1405613. 27.11.86г.

93. Карпов Л.Д., Будзиаловский В.В., Драч В.А., Засемков B.C., Ивченко С.В. Способ изготовления триода с пленочным автоэмиттером. Авторское свидетельство СССР №1473595, 1987.

94. Карпов Jl.Д., Будзиаловский В.В., Драч В.А., Засемков B.C. и Ивченко С.В. Способ изготовления пленочного триода с автокатодом. Авторское свидетельство СССР № 1552913, 1987.

95. Карпов Л.Д., Турчанинов Г.С. и Засемков B.C. Автоэлектронный катод. Авторское свидетельство СССР №1556426, 1988.

96. Genelev А.Р., Levitsky А.А., Zasemkov V.S. Field Emission Structure with Shottky-Barrier Electrode. опубликовано в сборнике тезисов (Book of Abstracts of MRS Spring Meeting (MRS'2000), 2000, San Francisco, USA, p.286.

97. Будзиаловский В.В., Засемков B.C., Ивченко С.В., Новик И.А. Катодный узел. Патент России №2083019, 1993.

98. Новик И.А., Будзиаловский В В., Ивченко С.В., Засемков B.C., Драч В.А. Катодный узел. Патент России №2073281, 1994.101. Патент США №4212935.

99. IBM J. Res. Develop., 1980. v. 24, № 2, pp. 195-205.

100. Solid StateTechnol., 1982, v. 25, № 5, pp. 456-464.

101. IEEE J. Electron. Eng., 1976, v. 116, № 1, pp. 53-57.

102. Сушкевич Т.В., Макаренко Л.Г. Применение фоторезиста ФП-РН-27В в технологий изготовления БИС // Техника средств связи. Сер. "Технология производства и оборудования". 1984. Вып.1, стр. 60-65.

103. Плазменная технология в производстве СБИС: Пер. с англ. с сокращ. / Под ред. Н.Айнспрука, Д.Брауна. М.: Мир, 1987, стр. 271.

104. Ida M.,Mirutani Т., Asai К., Uchida Н., Shimada L., Ishida S. Fabrication technology for an 80-ps normally off GaAs MESFET logic. - IEEE Jrans., 1981, v. ED -28, #5, pp. 489-493.

105. Засемков B.C., Карпов J1.Д., Симачев В.Н. Влияние термообработки на геометрические размеры рисунка фоторезистивных маскирующих покрытий. Меж. вуз. сб. "Микроэлектронные устройства. Проектирование и технология", 1990, стр. 71-73.

106. Драч В.А., Карпов Л.Д. Разработка технологии изготовления активных элементов БИС СВЧ // Тезисы Всесоюзной научно-технической конференции "Интегральная электроника СВЧ", Красноярск, 1988, стр. 30-35.

107. Драч В.А., Засемков B.C., Карпов Л.Д., Генелев А.П., Миргородский Ю.В. Активные элементы вакуумных интегральных схем. Материалы научно-технической конференции с международным участием. Красноярск, КГТУ, 22-25 марта, 1994г.

108. Melliar-Smith С.М., end et. Plasma Assiested Etching Tecmques for Pattern Delineation, Thin Film Procsses, Academic, New York, 1979.

109. Irvmg S.M. A Plasma Oxidation Process for Removing Photoresist Films, Solid State Technol., 14, 1971.

110. Irving S.M., Lemons К. E., Boris G. E. Gas Plasma Vapor Etching Process, U.S. Patent #3615956.

111. Технология СБИС. Под редакцией Зи. М.:Мир, 1986, стр.23.

112. Coburn J. W., Winters H. F. Plasma Etching A Discussion of Mechanisms, j. Vac. Sci. Technol., 16, 391 (1979).

113. Flamm D. L., Donnelly V.M. The Desing of Plasma Etchants, Plasma Chemistry and Plasma Processing, 1, 317, 1981.

114. Schwartz G. C., Schaible P.M. Reactive Ion Etching of Silicon, j. Vac. Sci. Technol., 16, 410, 1979.

115. Mogab C.J. The Loading Effect in Plasma Etching, J. Electrochem. Soc., 124, 1262 (1977).

116. Mogab C.J., Levinstein H.J. Anisotropic Plasma Etching of Policristalline Silicon, J. E. Sci. Technol., 17, 721, 1980.

117. Reichilderfer R. F. Single Wafer Plasma Etching, Solid State Technol., 25, 160 (1982).

118. Hosoya Tetsio, Ozaki Yoshiharu, Hirata Kazuo. Effect of wet cleaning on Si Contaminated with Reavy metals during reactive ion etching. "J. Electrochem. Soc." 1985, 132, #10, pp. 2436-2439.

119. Zasemkov V.S. Makihg of vacuum active elements on the based of silicon emitter arrays, Techn. Digest 40th Int. Field Emission Symposium, Nagoya, Japan, 2-7 August, 1993.

120. Solid State Technology, 1984, v. 27, № 5, pp. 155-161.126. Патент США № 4520041.127. Патент США №4377438.

121. Заявка Великобритании № 2119166.

122. Symp. VLSI Technol., San Diego, Sept., 1984, Tokio, 1984, pp. 20-23.130. Патент США №4451326.

123. TESLA electron., 1985, v. 18, № 2, pp. 57-59.132. Патент США № 4594769.

124. Заявка Японии № 59-104142.

125. Заявка Японии № 60-192337.

126. Заявка Японии № 59-205721.

127. Заявка Японии № 59-152647.

128. Заявка Японии № 59-195845.

129. J. Electrochem. Soc., 1979, v. 126, № 9, pp. 1531-1533.139. Заявка Японии № 59-50543.

130. Nat. Techn. Rept., 1986, v. 32, № 1, pp. 144-149.141. Заявка Японии № 59-69950.

131. Засемков B.C. и Карпов Л.Д. Способ изготовления автоэлектронного катода с управляющим электродом, А.С. 1493000 (СССР), 25.12.86.

132. Карпов Л.Д., Будзиаловский В.В., Драч В.А. и Засемков B.C. Способ изготовления автоэлектронного катода с управляющим электродом. А.С. 1720426 (СССР), 5 января 1990.

133. Будзиаловский В.В., Новик И.А., Ивченко С.И., Засемков B.C. Катодолюминесцентная индикаторная панель. Патент РФ №2069411, 20 ноября 1996,

134. Karpov L.D., Dratch V.A., Zasemkov V.S., Genelyov A.P., Mirgorodsky Y.V., Tihonsky A.N. and Proskurnin S.B. Futher development of monolithic Field Emission Displays for improvement of basic characteristics. 7th Vacuum Microel. Conf. France, 1994.

135. Засемков B.C., Егоров H.M. Особенности построения вакуумных микроэлектронных приборов с автоэлектронными катодами. Современные проблемы радиоэлектроники: Сб. науч.трудов. Под ред. Сарафанова А.В. Красноярск: ИПЦ КГТУ, 2000, стр. 283-290.

136. Дисплеи: Пер. с англ. Под ред. Панкова. М.: Мир, 1982. - 320 с.

137. Лямичев И.Я. Устройства отображения информации с плоскими экранами. -М.: Радио и связь, 1983.

138. Шерр С. Электронные дисплеи: Пер. с англ. М.:Мир, 1982. - 624 с.

139. Зарубежная электронная техника. №1-3, 1994, стр. 34-38.

140. Горфинкель Б.И., Абалдуев Б.В., Медведев Р.С., Логинов А.П. Низковольтные катодолюминисцентные индикаторы. М.: Радио и связь, 1983.- 112 с.

141. Будзиаловский В В., Засемков B.C., Ивченко С В., Новик И.А. Автоэмиссионный узел. Патент №2081470, 10 июня 1997.

142. Драч В.А., Левицкий А А., Засемков B.C. Полевые эмиссионные дисплеи". Сб. Современные проблемы радиоэлектроники. Красноярск, 7-8 мая 1998, стр. 128-129.

143. Засемков B.C., Ивченко С.И., Новик И.А., Будзиаловский В.В. Автоэмиссионная ячейка. Патент РФ №2072578, 27 января 1997.

144. Генелев А.П., Драч В.А., Егоров Н.М., Засемков B.C., Левицкий А.А. FED технологии будущее плоских дисплеев. Наука производству, 2000. №3 (28), стр. 7-9.

145. Karpov L.D., Genelev А.P., Dratch V.A., Zasemkov V.S. The inside out field emission display. Papers the 11-IVMC, The Grove Park Inn Asheville, NC USA. p.79, 1998.

146. Засемков B.C., Ивченко С.И., Новик И.А., Будзиаловский В.В. Автоэмиссионная ячейка. Патент РФ №2069409, 1996

147. Ивченко С.И., Новик И.А., Будзиаловский В.В., Засемков B.C., Драч В.А. Автоэлектронная ячейка. Патент РФ №2066893, 1996.

148. Драч В.А., Ивченко С.И., Новик И.А., Будзиаловский В.В., Засемков B.C. Автоэлектронная ячейка. Патент РФ №2066894, 1996.

149. Засемков B.C., Будзиаловский В.В. Полевой эмиссионный индикатор. Положительное решение на выдачу патента РФ №99104023/09 от 29.03.2001.

150. Засемков B.C., Будзиаловский В.В. Полевой эмиссионный индикатор. Положительное решение на выдачу патента РФ № 99104576/09 от 29.03.2001.

151. Будзиаловский В В., Новик И.А., Ивченко С.И., Засемков B.C. Плоский экран. Патент РФ №2082256, 1997.

152. Казарновский Д.М. Радиотехнические материалы. BUI. М.1972.140

153. Kevin Alonso and Mark J. Hagmann. Comparison of three different methods for coupling of microwave and terahertz signals generated by resonant laser-assisted field emission II J. Vac. Sci. Technol. В 19, No. 1, pp. 68-71 (2001).